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JP7750281B2 - R-t-b系焼結磁石の製造方法 - Google Patents
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JP7750281B2 - R-t-b系焼結磁石の製造方法 - Google Patents

R-t-b系焼結磁石の製造方法

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Description

本願は、R-T-B系焼結磁石の製造方法に関する。
R-T-B系焼結磁石(Rは希土類元素であり、Nd、PrおよびCeからなる群から選択される少なくとも1つを必ず含み、Tは遷移金属の少なくとも1つでありFeを必ず含む、Bはホウ素である)は、RFe14B型結晶構造を有する化合物の主相と、この主相の粒界部分に位置する粒界相および微量添加元素や不純物の影響により生成する化合物相とから構成されている。R-T-B系焼結磁石は、高い残留磁束密度B(以下、単に「B」と記載する場合がある)と、高い保磁力HcJ(以下、単に「HcJ」と記載する場合がある)を示し、永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られている。このため、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ(VCM)、電気自動車(EV、HV、PHV)用モータ、産業機器用モータなどの各種モータや家電製品など多種多様な用途に用いられている。R-T-B系焼結磁石は、各種モータ等の小型、軽量化を通じて、省エネルギー、環境負荷低減に貢献している。
このようなR-T-B系焼結磁石は、合金粉末を準備する工程、合金粉末をプレス成形して成形体を作製する工程、成形体を焼結する工程などの工程を経て製造される。
特許文献1は、このようなR-T-B系焼結磁石の一例を開示している。
国際公開第2013/008756号
近年、R-T-B系焼結磁石の材料開発および製造方法の改良により、HcJおよび角形比(H/HcJ)は上昇してきたが、組成のおよび製造条件のばらつきによって予期せず低下する場合がある。本発明者の検討の結果、このようなHcJおよびH/HcJの低下は、特に特許文献1に記載されているような、R-T-B系焼結磁石に含まれるB(ホウ素)の組成比率が低い場合に顕著であることがわかった。
本開示の実施形態は、このような課題を解決することが可能なR-T-B系焼結磁石の製造方法を提供する。
本開示のR-T-B系焼結磁石の製造方法は、例示的な実施形態において、R-T-B系合金粉末の成形体を焼結する焼結工程を含み、前記焼結工程は、前記成形体を第1焼結温度T1に加熱して第1段焼結体を作製する第1段工程と、前記第1段焼結体の温度を冷却温度T0に下げる冷却工程と、前記第1段焼結体を第2焼結温度T2に加熱して第2段焼結体を作製する第2段工程と、を含む。前記第1焼結温度T1および前記第2焼結温度T2は、900℃超であり、前記冷却温度T0は、900℃以下である。前記第1段工程において前記第1焼結温度T1に保持する第1焼結時間t1は、前記第2段工程において前記第2焼結温度T2に保持する第2焼結時間t2よりも短い。
ある実施形態において、前記第1焼結温度T1および前記第2焼結温度T2は、1000℃以上1100℃以下である。
ある実施形態において、前記第1焼結温度T1は、1040℃以上1080℃未満であり、前記第2焼結温度T2は、1020℃以上1060℃未満である。
ある実施形態において、第1焼結時間t1は、30分以上2時間以下であり、第2焼結時間t2は、1時間以上15時間以下である。
ある実施形態において、前記第1焼結時間t1は、前記第2焼結時間t2の半分以下の時間である。
ある実施形態において、前記冷却温度T0は、700℃以上900℃以下である。
ある実施形態において、前記合金粉末の組成は、R:28質量%以上35質量%以下、B:0.8質量%以上1.20質量%以下、T61.5質量%以上を含み、[B]を質量%で示すBの含有量、[T]を質量%で示すTの含有量とするとき、14[B]/10.8<[T]/55.85を満足する。
本開示の実施形態によれば、良好なHcJおよびH/HcJを実現することが可能なR-T-B系焼結磁石の製造方法を提供することが可能になる。
図1は、本開示における焼結工程を示すフローチャートである。 図2は、本実施形態の焼結工程における熱処理対象物(成形体および焼結体)の温度プロファイルの例を模式的に示す図である。 図3は、本実施形態の焼結工程における熱処理対象物(成形体および焼結体)の温度プロファイルの他の例を模式的に示す図である。 図4は、本実施形態の焼結工程における熱処理対象物(成形体および焼結体)の温度プロファイルの更に他の例を模式的に示す図である。 図5は、本実施形態の焼結工程における熱処理対象物(成形体および焼結体)の温度プロファイルの更に他の例を模式的に示す図である。
以下、本開示によるR-T-B系焼結磁石の製造方法の実施形態を説明する。
本実施形態に係るR-T-B系焼結磁石において、Rは希土類元素であり、Nd、PrおよびCeからなる群から選択される少なくとも1つを必ず含む。また、Tは遷移金属の少なくとも1つでありFeを必ず含む。
本実施形態におけるR-T-B系焼結磁石の製造は、図1に示すように、
・成形体を第1焼結温度T1に加熱して第1段焼結体を作製する第1段工程(S10)と、
・第1段焼結体の温度を冷却温度T0に下げる冷却工程(S20)と、
・第1段焼結体を第2焼結温度T2に加熱して第2段焼結体を作製する第2段工程(S30)と、
を含む。
ここで、第1焼結温度T1および前記第2焼結温度T2は、900℃超であり、冷却温度T0は、900℃以下である。また、第1段工程において、第1焼結温度T1に保持する第1焼結時間t1は、第2段工程において第2焼結温度T2に保持する第2焼結時間t2よりも短い。
R-T-B系焼結磁石は、主相であるNdFe14B相(強磁性)の結晶粒、および、主相結晶粒の粒界に位置する、ホウ素(B)に富むB-rich相およびNd-rich相などの金属間化合物から構成される。焼結反応は、成形体を構成する粉末粒子に含まれた、これらの相が関与した液相の生成によって進行する。液相の量が不足している段階では緻密化の反応は生じないが、温度の上昇に伴って液相量が増加すると、緻密化の反応が急激に進行する。焼結過程中に粉末粒子内の金属間化合物の一部が溶融して生じた液相が、主相結晶粒の表面を改質または酸化物の還元を引き起こしながら、粒子の結合および緻密化が進行していく。
本発明者の検討によると、HcJおよびH/HcJは、合金粉末の組成および製造条件のばらつきによって予期せず低下する場合がある。この現象は、R-T-B系焼結磁石に含まれるBの組成比率が低い場合に顕著であることもわかった。合金粉末の組成および製造条件のばらつきを避けることは難しいため、たとえ、合金粉末の組成および製造条件がばらついても、良好なHcJおよびH/HcJを実現することが求められている。良好なHcJおよびH/HcJを実現するためには、焼結時に所望の密度に緻密化し、かつ、均一な組織にする必要がある。合金粉末の組成および製造条件のばらつきがあっても緻密化かつ均一な結晶組織を実現するためには、従来、焼結時間を長時間(例えば25時間)に設定することが行われてきた。しかし、それでは、焼結工程が長くなり量産性が悪化する。量産性の悪化を防止するために、焼結温度を上げて焼結工程を行うと、異常粒成長した結晶粒の発生を引き起こし、それにより磁気特性が急激に悪化してしまう可能性がある。そのため、異常粒成長が起こらないように焼結を行う必要がある。本発明者らは検討の結果、緻密化や均一な組織を得るための最適な焼結条件はそれぞれ異なることが分かった。これらの知見をもとに更に検討の結果、比較的短時間で焼結(第1段工程)して緻密化を促進させた後、所定の温度まで冷却し、さらに焼結(第2段工程)することで、合金粉末の組成および製造条件のばらつきがあっても緻密化かつ均一な結晶組織を実現できることを見出した。これにより、焼結時間を長時間行うことなく、良好なHcJおよびH/HcJの焼結磁石を提供することができる。
なお、R-T-B系焼結磁石の分野においては、一般に、H/HcJを規定するパラメータのひとつであるHは、次のようにして決定される。すなわち、磁化の強さを「J」、残留磁化を「J(=B)」、磁界の強さを「H」とするとき、J-H曲線の第2象限において、Jが0.9×Jの値になる位置のH軸の読み値が用いられている。このHを減磁曲線のHcJで除した値、H/HcJ=H(kA/m)/HcJ(kA/m)×100(%)が角形比として定義される。
次に、図2から図5を参照して、上記の各工程S10、S20、およびS30の例をより詳細に説明する。これらの図は、横軸が時間、縦軸が温度のグラフを示す図であり、焼結工程における熱処理対象物(成形体および焼結体)の温度プロファイルの例を模式的に示している。処理対象物の温度は、焼結装置(焼結炉)に設けられた熱電対などの温度計によって測定される。成形体または焼結体の実際の温度は、焼結炉内の温度計が示す読み(温度計測値)と厳密には一致している必要はなく、両者の間に±5℃以下のずれは許容されるものとする。
まず、図2を参照する。図2において、太い実線が温度と時間との関係を示している。時間は、焼結工程開始からの経過時間である。経過時間の単位は、例えば時間(hour)であるが、分または秒であってもよい。温度は、上述のように、温度計計測値であるが、実質的には温度制御プログラムによって指定される設定温度に等しい。図中の太い実線は、直線的な線分によって構成されているが、実際の温度または設定温度は、曲線的に変動してもよい。
図2の例において、処理対象物(成形体)の温度は、室温から第1焼結温度T1まで直線的に単調に増加し、昇温レートは一定である。しかし、昇温レートは、一定である必要はなく、途中で昇温レートがゼロとなる期間が存在してもよい。成形体中に含まれる潤滑剤、水素(水素粉砕時)、スラリーなどの油剤を揮発させるため、例えば200℃程度の温度で、1時間以上10時間以下の間、保持してもよい。
図のグラフには、温度900℃および温度1000℃を示す水平な直線が記載されている。好ましい実施形態において、第1焼結温度T1および第2焼結温度T2は、いずれも、1000℃以上1100℃以下である。図2の例では、第1焼結温度T1は、第2焼結温度T2に比べて高いが、図3に示すように、第1焼結温度T1と第2焼結温度T2とが等しくてもよい。ある好ましい実施形態において、第1焼結温度T1は、例えば1040℃以上1080℃未満であり、第2焼結温度T2は、例えば1020℃以上1060℃未満である。
ある実施形態において、第1焼結時間t1は、30分以上2時間以下であり、第2焼結時間t2は、1時間以上15時間以下である。本開示によれば、焼結時間を長時間行うことなく、良好なHcJおよびH/HcJの焼結磁石を提供することができるため、好ましくは、第1焼結時間t1は、30分以上1時間以下であり、第2焼結時間t2は、1時間以上8時間以下である。特に図2に示すように第1焼結温度T1が第2焼結温度T2よりも高い場合、第1焼結時間t1を第2焼結時間t2よりも短くすることが好ましい。この場合、例えば、第1焼結時間t1は、第2焼結時間t2の半分以下の時間であることが好ましい。
本実施形態では、第1段工程(S10)と第2段工程(S30)との間に、第1段焼結体の温度を冷却温度T0に下げる冷却工程(S20)を実行する。本開示において、冷却工程中に処理対象物(第1段焼結体)の温度が900℃以下の状態にある時間t0を「冷却時間」と定義する。したがって、この冷却時間t0は、第1焼結時間t1から降温中において、900℃から冷却温度T0に達するまでの降温期間と、冷却温度T0から昇温中において、冷却温度T0から900℃に達するまでの遷移時間も含む。第1焼結温度T1と冷却温度T0は、50℃以上差があることが好ましい。つまり、冷却温度T0は、第1焼結温度T1よりも50℃以上低い温度であることが好ましい。T0をT1より50℃以上低くすることで、確実に良好なHcJおよびH/HcJの焼結磁石を提供することができる。
冷却時の降温レートは、例えば、図4に示ように、図2に示す例に比べて低くてもよい。しかし、本発明者の実験によると、冷却時の降温レートに対する磁石特性の依存性は小さい。このため、焼結工程に要する時間を短縮して量産性を向上させるという観点から、降温レートは3℃/min以上であることが好ましく、20℃/min以上であることがさらに好ましい。
また、冷却温度T0は、900℃以下であれば、700℃以上900℃以下の範囲であってもよいし、図5に示すように、室温レベルであってもよい。冷却工程に要する時間を短縮して量産性を向上させるという観点から、冷却温度T0は、例えば800℃以上900℃以下の範囲内に設定され得る。
<R-T-B系焼結磁石>
Rは希土類元素であり、Nd、PrおよびCeからなる群から選択される少なくとも1つを必ず含む。好ましくは、Nd-Dy、Nd-Tb、Nd-Dy-Tb、Nd-Pr-Dy、Nd-Pr-Tb、Nd-Pr-Dy-Tbで示される希土類元素の組合せを用いる。
Rのうち、DyおよびTbは、特にHcJの向上に効果を発揮する。上記元素以外にはLaなど他の希土類元素を含有してもよく、ミッシュメタルやジジムを用いることもできる。また、Rは純元素でなくてもよく、工業上入手可能な範囲で、製造上不可避な不純物を含有するものでもよい。含有量は、例えば、27量%以上35質量%以下である。好ましくは、R-T-B系焼結磁石のR含有量は31質量%以下(27質量%以上31質量%以下、好ましくは、29質量%以上31質量%以下)である。R-T-B系焼結磁石のR含有量を31質量%以下でかつ、酸素の含有量が400ppm以上4000pp以下(好ましくは400ppm以上2500ppm以下、さらに好ましくは400ppm以上2000ppm以下)とすることにより、酸化されたRの発生が低減される。そのため、より高い磁気特性を得ることができる。
Tは、鉄を含み(Tが実質的に鉄から成る場合も含む)、質量比でその50%以下をコバルト(Co)で置換してもよい(Tが実質的に鉄とコバルトとから成る場合を含む)。Coは温度特性の向上、耐食性の向上に有効であり、合金粉末は10質量%以下のCoを含んでよい。Tの含有量は、RとBあるいはRとBと後述するMとの残部を占めてよい。
Bの含有量についても公知の含有量で差し支えなく、例えば、0.8質量%~1.2質量%が好ましい範囲である。0.9質量%未満では高いHcJが得られない場合があり、1.2質量%を超えるとBが低下する場合がある。なお、Bの一部はC(炭素)で置換することができる。
上記元素に加え、HcJ向上のためにM元素を添加することができる。M元素は、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Ga、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Hf、TaおよびWからなる群から選択される一種以上である。M元素の添加量は5.0質量%以下が好ましい。5.0質量%を超えるとBrが低下する場合があるためである。また、不可避的不純物も許容することができる。
R-T-B系焼結磁石におけるN(窒素)の含有量は、50ppm以上600ppm以下が好ましい。N(窒素)の含有量が50ppm以上600ppm以下となるように粉砕を行ことにより粉砕性を改善しつつ、窒化による磁気特性の低下を抑制することができる。窒素の含有量は50ppm以上400ppm以下がさらに好ましく、最も好ましくは、100ppm以上300ppm以下である。より粉砕性を改善しつつ、窒化による磁気特性の低下を抑制できるからである。また、R-T-B系焼結磁石におけるC(炭素)の含有量は、50ppm以上1300ppm以下が好ましい。
本実施形態におけるR-T-B系焼結磁石の組成の例を以下に示す。
R:28質量%以上35質量%以下、
B:0.8質量%以上1.2質量%以下、
T61.5質量%以上を含み、[B]を質量%で示すBの含有量、[T]を質量%で示すTの含有量とするとき、14[B]/10.8<[T]/55.85 式1
を満足する。
式1:14[B]/10.8<[T]/55.85の関係式を満足することにより、Bの含有量が一般的なR-T-B系焼結磁石よりも少なくなる。一般的なR-T-B系焼結磁石は、主相であるR14B相以外に軟磁性相であるR17相が生成しないように、[T]/55.85(Feの原子量)は、14[B]/10.8(Bの原子量)よりも少ない。
<(1)R-T-B系焼結磁石用合金の粗粉砕粉を準備する工程の例>
本実施形態におけるR-T-B系焼結磁石用合金の粗粉砕粉を準備する工程は、R-T-B系焼結磁石用合金を準備する工程と、この合金を例えば水素粉砕法などによって粗く粉砕する工程とを含み得る。
以下にR-T-B系焼結磁石用合金の製造方法を例示する。
まず、上述した組成となるように事前に調整した金属または合金を溶解し、鋳型に入れるインゴット鋳造法により合金インゴットを得ることができる。また、溶湯を単ロール、双ロール、回転ディスクまたは回転円筒鋳型等に接触させて急冷し、インゴット法で作られた合金よりも薄い凝固合金を作製するストリップキャスト法または遠心鋳造法に代表される急冷法により合金フレークを製造することができる。
本開示の実施形態においては、インゴット法と急冷法のどちらの方法により製造された材料も使用可能であるが、ストリップキャスト法などの急冷法により製造されることが好ましい。急冷法によって作製した急冷合金の厚さは、通常0.03mm~1mmの範囲にあり、フレーク形状である。合金溶湯は冷却ロールの接触した面(ロール接触面)から凝固し始め、ロール接触面から厚さ方向に結晶が柱状に成長してゆく。急冷合金は、従来のインゴット鋳造法(金型鋳造法)によって作製された合金(インゴット合金)と比較して、短時間で冷却されているため、組織が微細化され、結晶粒径が小さい。また粒界の面積が広い。Rリッチ相は粒界内に大きく広がるため、急冷法はRリッチ相の分散性に優れる。このため水素粉砕法により粒界で破断し易い。急冷合金を水素粉砕することで、水素粉砕粉(粗粉砕粉)のサイズ(平均粒度)を、例えば1.0mm以下、好ましくは10μm以上500μm以下にすることができる。
<(2)微粉末を得る工程の例>
本実施形態における微粉末を得る工程では、粉砕室が不活性ガスで満たされたジェットミル装置に前記粗粉砕粉を供給して前記粗粉砕粉の粉砕を行い、微粉末を得る。この工程では、例えば、平均粒度が2.0μm以上4.5μm以下の微粉末(R-T-B系合金粉末)を得ることができる。このような微粉末を得る工程は、例えば、ジェットミル粉砕システムを用いて実行することができる。
微粉砕以降の工程(主に前記微粉末の焼結体を作製する工程)によるR-T-B系焼結磁石の酸素含有量の増加は50ppm以上300ppm以下であることが好ましく、さらに好ましくは、50ppm以上200ppm以下である。これらを達成するには、後述するように磁場中湿式プレスまたは不活性ガス雰囲気中による磁場中プレスを行い、得られた成形体を焼結することが好ましい。微粉末を得る工程における微粉末の平均粒度は、2.0μm以上3.5m以下であることが好ましい。平均粒度を小さくすることにより、磁石特性を向上させることが可能になる。
<(3)微粉末の成形体を作製する工程の例>
成形体を作製する工程において、磁場中プレスでは酸化抑制の観点から不活性ガス雰囲気中によるプレスまたは湿式プレスによって成形体を形成する方が好ましい。特に湿式プレスは成形体を構成する粒子の表面が油剤などの分散剤によって被覆され、大気中の酸素や水蒸気との接触が抑制される。このため、プレス工程の前後あるいはプレス工程中に粒子が大気によって酸化されることを防止または抑制することができる。
磁場中湿式プレスを行う場合、微粉末に分散媒を混ぜたスラリーを用意し、湿式プレス装置の金型におけるキャビティに供給して磁場中でプレス成形する。
・分散媒
分散媒は、その内部に合金粉末を分散させることによりスラリーを得ることができる液体である。
本開示に用いる好ましい分散媒として鉱物油または合成油を挙げることができる。鉱物油または合成油はその種類が特定されるものではないが、常温での動粘度が10cStを超えると粘性の増大によって合金粉末相互の結合力が強まり磁場中湿式成形時の合金粉末の配向性に悪影響を与える場合がある。このため、鉱物油または合成油の常温での動粘度は10cSt以下が好ましい。また鉱物油または合成油の分留点が400℃を超えると成形体を得た後の脱油が困難となり、焼結体内の残留炭素量が多くなって磁気特性が低下する場合がある。したがって、鉱物油または合成油の分留点は400℃以下が好ましい。また、分散媒として植物油を用いてもよい。植物油は植物より抽出される油を指し、植物の種類も特定の植物に限定されるものではない。
・スラリーの作製
得られた合金粉末と分散媒とを混合することでスラリーを得ることができる。
合金粉末と分散媒との混合率は特に限定されないが、スラリー中の合金粉末の濃度は、質量比で、好ましくは70%以上(すなわち、70質量%以上)である。20~600cm/秒の流量において、キャビティ内部に効率的に合金粉末を供給できると共に、優れた磁気特性が得られるからである。スラリー中の合金粉末の濃度は、質量比で、好ましくは90%以下である。合金粉末と分散媒との混合方法は特に限定されない。合金粉末と分散媒とを別々に用意し、両者を所定量秤量して混ぜ合わせることによって製造してよい。また、粗粉砕粉をジェットミル等で乾式粉砕して合金粉末を得る際にジェットミル等の粉砕装置の合金粉末排出口に分散媒を入れた容器を配置し、粉砕して得られた合金粉末を容器内の分散媒中に直接回収しスラリーを得てもよい。この場合、容器内も窒素ガスおよび/またはアルゴンガスからなる雰囲気とし、得られた合金粉末を大気に触れさせることなく直接分散媒中に回収して、スラリーとすることが好ましい。さらには、粗粉砕粉を分散媒中に保持した状態で振動ミル、ボールミルまたはアトライター等を用いて湿式粉砕し、合金粉末と分散媒とから成るスラリーを得ることも可能である。
こうして得たスラリーを公知の湿式プレス装置で成形することにより、所定の大きさおよび形状を有する成形体を得ることができる。この成形体を焼結して焼結体を得る。
<(4)焼結工程の例>
次に、成形体を焼結して焼結体を得る。本実施形態における焼結工程は、前述したように、
・成形体を第1焼結温度T1に加熱して第1段焼結体を作製する第1段工程(S10)と、
・第1段焼結体の温度を冷却温度T0に下げる冷却工程(S20)と、
・第1段焼結体を第2焼結温度T2に加熱して第2段焼結体を作製する第2段工程(S30)と、
を含む。
成形体の焼結は、真空又はヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを用いてもよい。
こうして得られた、焼結体に対しては、熱処理を行うことが好ましい。熱処理により、磁気特性を向上させることができる。熱処理温度、熱処理時間などの熱処理条件は、公知の条件を採用することができる。例えば、焼結体に対して、第1焼結温度T1および第1焼結温度T2の温度以下(例えば400℃~800℃)で1時間以上加熱する熱処理を行う。こうして得たR-T-B系焼結磁石に対しては、必要に応じて、研削・研磨工程、表面処理工程、および着磁工程が施され、最終的なR-T-B系焼結磁石が完成する。
ある好ましい実施形態では、本開示のR-T-B系焼結磁石の製造方法は、重希土類元素RH(RHは、Tb、Dy、Hoの少なくとも1つ)を焼結体の表面から内部に拡散する拡散工程を含む。重希土類元素RHを焼結体の表面から内部に拡散すると、保磁力を効率的に高めることができる。
本開示を実施例によりさらに詳細に説明するが、本開示はそれらに限定されるものではない。
実験例1
R-T-B系焼結磁石がおよそ表1のNo.1に示す組成となるように、各元素を秤量してストリップキャスト法により鋳造し、フレーク状の合金を得た。得られたフレーク状の合金を水素加圧雰囲気で水素脆化させた後、真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に対して気流式粉砕機(ジェットミル装置)を用いて粉砕し、D50が3.6μmの合金粉末を得た。
前記合金粉末に、潤滑剤を微粉砕粉100質量%に対して、0.4質量%添加、混合した後、磁界中成形し、成形体を得た。なお、成形装置は、磁場印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置(横磁界成形装置)を用いた。
得られた成形体を表2に示す条件で焼結を行った。表2におけるNo.1-4は、表1のNo.1の組成になるように作成された前記成形体を第1焼結温度T1:1050℃で、第1焼結時間t1:0.5時間(30分)加熱して第1焼結体を作製(第1段工程)し、前記第1焼結体の温度を冷却温度T0:室温(約30℃)まで急冷(10℃/min以上)により冷却し、冷却後の第1焼結体を第2焼結温度1040℃で、第2焼結時間t2:4時間加熱して第2焼結体を作製(第2段工程)したものである。他のNo.も同様に記載している。なお、比較例であるNo.1-1~1-3は、焼結工程は1回のみである。焼結後のR-T-B系焼結磁石に対して、900℃で2時間保持した後室温まで冷却し、次いで500℃で2時間保持した後、室温まで冷却する熱処理を施しR-T-B系焼結磁石(No.1-1~1-9)を得た。
得られたR-T-B系焼結磁石の成分を表1に示す。なお、表1の各組成および酸素量、炭素量を合計しても100mass%にはならない。これは、表に記載された元素以外の不純物元素を含むためである。その他表についても同様である。また、式1を満たす場合は「○」と満たさない場合は「×」と記載している。R-T-B系焼結磁石に機械加工を施し、縦7mm、横7mm、厚み7mmの試料を作製し、B-Hトレーサで測定し、磁気特性を求めた。また、J(磁化の強さ)-H(磁界の強さ)曲線の第2象限において、Jが0.9×J(Jは残留磁化、J=B)の値になる位置のH軸の読み値をHとし、減磁曲線のHcJに対するこのHの比H/HcJを、H(kA/m)/HcJ(kA/m)×100(%)として求めた。結果を表3に示す。
表3に示すように、本発明例は、HcJ≧1646kA/mかつH/HcJ≧90.1%を有しており、比較例と比べて良好なHcJおよびH/HcJを有するR-T-B系焼結磁石が得られている。また、比較例(No.1-1~1-3)は、焼結温度が1030℃~1050℃に変化すると、HcJが大きく低下(No.1-1)したり、粗大粒が発生(No.1-3)したりしている。このため、製造条件のばらつきによって予期せず磁気特性が低下する可能性がある。これに対し、本発明例は、焼結温度(T1およびT2)が変化しても、いずれも良好なHcJおよびH/HcJが得られている。また、焼結時間の差も比較例と比べて0.5時間程度とほとんど変わりない。このため、本発明例は焼結時間を長時間行うことなく、良好なHcJおよびH/HcJを有するR-T-B系焼結磁石が得られている。
実験例2
表4のNo.2~4の組成となるように、各元素を秤量する以外は、実験例1と同様な方法で成形体を作製した。得られた前記成形体を表5に示す条件で焼結を行った。焼結後のR-T-B系焼結磁石に対して、実験例1と同様に熱処理を施しR-T-B系焼結磁石(No.2-1~2-6)を得た。
得られたR-T-B系焼結磁石の成分を表4に示す。表4および表5に示すようにNo.2-1および2-2は、表4のNo.2の組成であり、No.2-3および2-4の組成は表4のNo.3の組成であり、No.2-5および2-6の組成は表4のNo.4の組成である。得られたR-T-B系焼結磁石を実験例1と同様にして磁気特性およびH/HcJを求めた。結果を表6に示す。
表6に示すように、本発明例は比較例と比べて(No.2-1とNo.2-2、No.2-3とNo.2-4、No.2-5とNo.2-6をそれぞれ比較)いずれも良好なHcJおよびH/HcJを有するR-T-B系焼結磁石が得られている。
実験例3
表7のNo.5の組成となるように、各元素を秤量する以外は、実験例1と同様な方法で成形体を作製した。得られた前記成形体を表8に示す条件で焼結を行った。得られたR-T-B系焼結磁石の成分を表7に示す。得られたR-T-B系焼結磁石に対し、拡散処理を行った。具体的には、Nd:0.3質量%、Pr:76.4質量%、Tb:13.4質量%、Cu:4.7質量%、Ga5.2質量%のアトマイズ粉(106μm以下)を準備した。次に、R-T-B系焼結磁石にディッピング法により糖アルコール類を含有する粘着剤をR-T-B系焼結磁石の全面に塗布した。粘着剤を塗布したR-T-B系焼結磁石に前記アトマイズ粉をR-T-B系焼結磁石の質量に対し2mass%付着させた。次に、熱処理炉を用いて920℃で10時間の条件で前記アトマイズ粉及び前記R-T-B系焼結磁石を加熱して拡散工程を実施した後、冷却した。その後、熱処理炉を用いて480℃で3時間の条件で熱処理を実施した。得られた拡散後のR-T-B系焼結磁石を実験例1と同様にして磁気特性およびH/HcJを求めた。結果を表9に示す。
表9に示すように、本発明例は、比較例と比べて良好なHcJおよびH/HcJを有するR-T-B系焼結磁石が得られている。
本開示のR-T-B系焼結磁石の製造方法は、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ(VCM)、電気自動車(EV、HV、PHV)用モータ、産業機器用モータなどの各種モータや家電製品など多種多様な用途で使用される永久磁石として利用可能である。

Claims (6)

  1. R-T-B系合金粉末(Rは希土類元素であり、Nd、PrおよびCeからなる群から選択される少なくとも1つを必ず含み、Tは遷移金属の少なくとも1つでありFeを必ず含む、Bはホウ素である)の成形体を焼結する焼結工程を含み、
    前記焼結工程は、
    前記成形体を第1焼結温度T1に加熱して第1段焼結体を作製する第1段工程と、
    前記第1段焼結体の温度を冷却温度T0に下げる冷却工程と、
    前記第1段焼結体を第2焼結温度T2に加熱して第2段焼結体を作製する第2段工程と、
    を含み、
    前記第1焼結温度T1および前記第2焼結温度T2は、900℃超であり、
    前記冷却温度T0は、900℃以下であり、
    前記第1段工程において前記第1焼結温度T1に保持する第1焼結時間t1は、前記第2段工程において前記第2焼結温度T2に保持する第2焼結時間t2半分以下であり
    前記第2焼結時間t2は、1時間以上15時間以下である、R-T-B系焼結磁石の製造方法。
  2. 前記第1焼結温度T1および前記第2焼結温度T2は、1000℃以上1100℃以下である、請求項1に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
  3. R-T-B系合金粉末(Rは希土類元素であり、Nd、PrおよびCeからなる群から選択される少なくとも1つを必ず含み、Tは遷移金属の少なくとも1つでありFeを必ず含む、Bはホウ素である)の成形体を焼結する焼結工程を含み、
    前記焼結工程は、
    前記成形体を第1焼結温度T1に加熱して第1段焼結体を作製する第1段工程と、
    前記第1段焼結体の温度を冷却温度T0に下げる冷却工程と、
    前記第1段焼結体を第2焼結温度T2に加熱して第2段焼結体を作製する第2段工程と、
    を含み、
    前記第1焼結温度T1および前記第2焼結温度T2は、900℃超であり、
    前記冷却温度T0は、900℃以下であり、
    前記第1段工程において前記第1焼結温度T1に保持する第1焼結時間t1は、前記第2段工程において前記第2焼結温度T2に保持する第2焼結時間t2よりも短く、
    前記第1焼結温度T1は、1040℃以上1080℃未満であり、
    前記第2焼結温度T2は、1020℃以上1060℃未満である、R-T-B系焼結磁石の製造方法。
  4. R-T-B系合金粉末(Rは希土類元素であり、Nd、PrおよびCeからなる群から選択される少なくとも1つを必ず含み、Tは遷移金属の少なくとも1つでありFeを必ず含む、Bはホウ素である)の成形体を焼結する焼結工程を含み、
    前記焼結工程は、
    前記成形体を第1焼結温度T1に加熱して第1段焼結体を作製する第1段工程と、
    前記第1段焼結体の温度を冷却温度T0に下げる冷却工程と、
    前記第1段焼結体を第2焼結温度T2に加熱して第2段焼結体を作製する第2段工程と、
    を含み、
    前記第1焼結温度T1および前記第2焼結温度T2は、900℃超であり、
    前記冷却温度T0は、900℃以下であり、
    前記第1段工程において前記第1焼結温度T1に保持する第1焼結時間t1は、前記第2段工程において前記第2焼結温度T2に保持する第2焼結時間t2よりも短く、
    第1焼結時間t1は、30分以上2時間以下であり、
    第2焼結時間t2は、1時間以上15時間以下である、R-T-B系焼結磁石の製造方法。
  5. 前記冷却温度T0は、700℃以上900℃以下である、請求項1からのいずれか1項に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
  6. 前記合金粉末の組成は、R:28質量%以上35質量%以下、B:0.8質量%以上1.20質量%以下、T61.5質量%以上を含み、[B]を質量%で示すBの含有量、[T]を質量%で示すTの含有量とするとき、14[B]/10.8<[T]/55.85
    を満足する、請求項1からのいずれか1項に記載のR-T-B系焼結磁石の製造方法。
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