JP7752131B2 - 基板支持アセンブリのフローティングpcb設計 - Google Patents
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Description
本出願は、2020年4月24日に出願された米国仮出願第63/014,893号の利益を主張する。上記の出願の開示全体が、参照により本明細書に組み込まれる。
[形態1]
基板支持アセンブリであって、
前記基板支持アセンブリの上に配置される少なくとも1つの層を支持するためのベースプレートと、
複数の取付けアセンブリによって前記ベースプレートに連結された第1のプリント回路基板と、を含み、前記複数の取付けアセンブリが、前記ベースプレートを前記第1のプリント回路基板に対して移動可能にしている、
基板支持アセンブリ。
[形態2]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを前記第1のプリント回路基板に対して変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達させない、基板支持アセンブリ。
[形態3]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数のヒータを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、熱によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張可能とし、かつ、そのような膨張を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。
[形態4]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って収縮可能とし、かつ、そのような収縮を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。
[形態5]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数のヒータと複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。
[形態6]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
ファシリティプレートに固定され、かつ、前記第1のプリント回路基板に接続された第2のプリント回路基板をさらに含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを移動可能とするとともに、前記第1および第2のプリント回路基板が互いに静止した状態を保つ、
基板支持アセンブリ。
[形態7]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
それぞれの前記取付けアセンブリが、
前記第1のプリント回路基板内の穴を貫通する第1部分と、前記ベースプレートに螺合するネジ部とを有する締結具と、
前記第1のプリント回路基板と前記締結具の第1端部との間に、前記第1部分の周囲に配置された第1のスペーサと、
前記第1のプリント回路基板と前記ベースプレートとの間に、前記第1部分の周囲に配置された第2のスペーサと
を含む、基板支持アセンブリ。
[形態8]
形態7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、X、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って移動可能とするとともに、そのような移動を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、基板支持アセンブリ。
[形態9]
形態7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第1および第2のスペーサの外周が、前記第1のプリント回路基板内の前記穴の外周よりも大きい、基板支持アセンブリ。
[形態10]
形態7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第1のスペーサの長さが、前記第1のプリント回路基板と前記締結具の第1端部との間の距離より短い、基板支持アセンブリ。
[形態11]
形態7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第2のスペーサの長さが、前記第1のプリント回路基板と前記ベースプレートとの間の距離より短い、基板支持アセンブリ。
[形態12]
形態7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第1のプリント回路基板が厚みを有し、
前記第1のプリント回路基板の厚みと前記第1および第2のスペーサの長さとの合計が、前記締結具の第1部分の長さより短い、基板支持アセンブリ。
[形態13]
形態7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記締結具が肩付きネジを含み、前記締結具の前記第1部分が前記肩付きネジの肩部であり、
前記第1のプリント回路基板が厚みを有し、
前記第1のプリント回路基板の厚みと前記第1および第2のスペーサの長さとの合計が、前記肩付きネジの肩部長さより短い、基板支持アセンブリ。
[形態14]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートの上に配置され、複数の加熱素子を含んだ加熱プレートをさらに含み、
前記第1のプリント回路基板が、前記加熱素子への接続部を複数含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、熱によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張可能とし、かつ、そのような膨張を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。
[形態15]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って収縮可能とし、かつ、そのような収縮を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。
[形態16]
形態14に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。
[形態17]
形態1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートがヒータを含み、前記第1のプリント回路基板が、前記ヒータへの接続部を複数含む第1のコネクタを含み、前記基板支持アセンブリが、
電源から電力を受け取るためのファシリティプレートと、
前記ファシリティプレートに固定されるとともに、前記第1のコネクタと嵌合して前記第1のプリント回路基板に前記電力を供給する第2のコネクタを含む、第2のプリント回路基板とをさらに含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、熱によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張可能とし、かつ、前記第2のコネクタが前記第1のコネクタに嵌合した状態を保つ、
基板支持アセンブリ。
[形態18]
形態17に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張および収縮可能とし、かつ、前記第2のコネクタが前記第1のコネクタに嵌合した状態を保つ、
基板支持アセンブリ。
[形態19]
システムであって、
加熱と冷却の少なくとも一方の処理に供されるサブシステムと、
複数の取付けアセンブリによって前記サブシステムに連結され、第1のコネクタを含む第1のプリント回路基板と、
前記第1のコネクタに挿入された第2のコネクタを含む、固定物の上に取り付けられた第2のプリント回路基板と
を含み、
それぞれの前記取付けアセンブリが、
前記第1のプリント回路基板内の穴を貫通する第1部分と、前記サブシステムに螺合するネジ部とを有する締結具と、
前記第1のプリント回路基板と前記締結具の第1端部との間に、前記第1部分の周囲に配置された第1のスペーサと、
前記第1のプリント回路基板と前記サブシステムとの間に、前記第1部分の周囲に配置された第2のスペーサとを含み、
前記第1および第2のスペーサの外周が、前記第1のプリント回路基板内の穴の外周よりも大きく、
前記第1のプリント回路基板の厚みと前記第1および第2のスペーサの長さとの合計が、前記締結具の第1部分の長さより短い、
システム。
[形態20]
形態19に記載のシステムであって、
前記取付けアセンブリが、前記サブシステムを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達せずに、前記第1および第2のコネクタが互いに強固に接続された状態を保つ、システム。
Claims (20)
- 基板支持アセンブリであって、
ベースプレートであって、前記ベースプレートの上に配置される少なくとも1つの層を支持するためのベースプレートと、
複数の取付けアセンブリによって前記ベースプレートに連結された第1のプリント回路基板と、を含み、前記複数の取付けアセンブリが、前記ベースプレートを前記第1のプリント回路基板に対して移動可能にしている、
基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを前記第1のプリント回路基板に対して変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達させない、基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数のヒータを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、熱によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張可能とし、かつ、そのような膨張を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って収縮可能とし、かつ、そのような収縮を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数のヒータと複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
ファシリティプレートに固定され、かつ、前記第1のプリント回路基板に接続された第2のプリント回路基板をさらに含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを移動可能とするとともに、前記第1および第2のプリント回路基板が互いに静止した状態を保つ、
基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
それぞれの前記取付けアセンブリが、
前記第1のプリント回路基板内の穴を貫通する第1部分と、前記ベースプレートに螺合するネジ部とを有する締結具と、
前記第1のプリント回路基板と前記締結具の第1端部との間に、前記第1部分の周囲に配置された第1のスペーサと、
前記第1のプリント回路基板と前記ベースプレートとの間に、前記第1部分の周囲に配置された第2のスペーサと
を含む、基板支持アセンブリ。 - 請求項7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、X、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って移動可能とするとともに、そのような移動を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、基板支持アセンブリ。 - 請求項7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第1および第2のスペーサの外周が、前記第1のプリント回路基板内の前記穴の外周よりも大きい、基板支持アセンブリ。 - 請求項7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第1のスペーサの長さが、前記第1のプリント回路基板と前記締結具の第1端部との間の距離より短い、基板支持アセンブリ。 - 請求項7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第2のスペーサの長さが、前記第1のプリント回路基板と前記ベースプレートとの間の距離より短い、基板支持アセンブリ。 - 請求項7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記第1のプリント回路基板が厚みを有し、
前記第1のプリント回路基板の厚みと前記第1および第2のスペーサの長さとの合計が、前記締結具の第1部分の長さより短い、基板支持アセンブリ。 - 請求項7に記載の基板支持アセンブリであって、
前記締結具が肩付きネジを含み、前記締結具の前記第1部分が前記肩付きネジの肩部であり、
前記第1のプリント回路基板が厚みを有し、
前記第1のプリント回路基板の厚みと前記第1および第2のスペーサの長さとの合計が、前記肩付きネジの肩部長さより短い、基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートの上に配置され、複数の加熱素子を含んだ加熱プレートをさらに含み、
前記第1のプリント回路基板が、前記加熱素子への接続部を複数含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、熱によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張可能とし、かつ、そのような膨張を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って収縮可能とし、かつ、そのような収縮を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。 - 請求項14に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達しない、
基板支持アセンブリ。 - 請求項1に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートがヒータを含み、前記第1のプリント回路基板が、前記ヒータへの接続部を複数含む第1のコネクタを含み、前記基板支持アセンブリが、
電源から電力を受け取るためのファシリティプレートと、
前記ファシリティプレートに固定されるとともに、前記第1のコネクタと嵌合して前記第1のプリント回路基板に前記電力を供給する第2のコネクタを含む、第2のプリント回路基板とをさらに含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、熱によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張可能とし、かつ、前記第2のコネクタが前記第1のコネクタに嵌合した状態を保つ、
基板支持アセンブリ。 - 請求項17に記載の基板支持アセンブリであって、
前記ベースプレートが複数の冷却チャネルを含み、
前記取付けアセンブリが、前記ベースプレートを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って膨張および収縮可能とし、かつ、前記第2のコネクタが前記第1のコネクタに嵌合した状態を保つ、
基板支持アセンブリ。 - システムであって、
加熱と冷却の少なくとも一方の処理に供されるサブシステムと、
複数の取付けアセンブリによって前記サブシステムに連結され、第1のコネクタを含む第1のプリント回路基板と、
前記第1のコネクタに挿入された第2のコネクタを含む、固定物の上に取り付けられた第2のプリント回路基板と
を含み、
それぞれの前記取付けアセンブリが、
前記第1のプリント回路基板内の穴を貫通する第1部分と、前記サブシステムに螺合するネジ部とを有する締結具と、
前記第1のプリント回路基板と前記締結具の第1端部との間に、前記第1部分の周囲に配置された第1のスペーサと、
前記第1のプリント回路基板と前記サブシステムとの間に、前記第1部分の周囲に配置された第2のスペーサとを含み、
前記第1および第2のスペーサの外周が、前記第1のプリント回路基板内の穴の外周よりも大きく、
前記第1のプリント回路基板の厚みと前記第1および第2のスペーサの長さとの合計が、前記締結具の第1部分の長さより短い、
システム。 - 請求項19に記載のシステムであって、
前記取付けアセンブリが、前記サブシステムを、加熱および冷却によってX、Y、およびZ軸の少なくとも1つに沿って変位可能とし、かつ、そのような変位を前記第1のプリント回路基板に伝達せずに、前記第1および第2のコネクタが互いに強固に接続された状態を保つ、システム。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008085283A (ja) | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Momentive Performance Materials Inc | 熱均一性が強化された加熱装置及びその製造方法 |
| JP2013543269A (ja) | 2010-10-22 | 2013-11-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 対称給電構造を有する基板サポート |
| JP2014186994A (ja) | 2013-02-20 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2015115216A (ja) | 2013-12-12 | 2015-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20170098564A1 (en) | 2015-10-05 | 2017-04-06 | Lam Research Corporation | Substrate Holder Having Integrated Temperature Measurement Electrical Devices |
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| JP2017143057A (ja) | 2015-12-10 | 2017-08-17 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | Rf端子から隣接する非rf端子への電気絶縁破壊を避けるための装置および方法 |
Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| US20080016684A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
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| JP2013543269A (ja) | 2010-10-22 | 2013-11-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 対称給電構造を有する基板サポート |
| JP2014186994A (ja) | 2013-02-20 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
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