JP7752985B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
図1~図9は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置を示している。本実施形態の基板処理装置A1は、カップ1、ステージ2、駆動部3、載置台4、回動部材5および排液チャンバ6を備えている。本発明に係る基板処理装置が、基板91を対象として実行する処理の種類は、何ら限定されない。以降においては、基板91に形成されたレジスト層と、このレジスト層上に積層された金属層とを一括して除去するリフトオフ処理を実行する構成を例に説明する。なお、基板91を対象とした処理としては、リフトオフ処理の他に、たとえばカップ1に貯められた処理液92中に、基板91を沈めた状態で長時間維持し、レジスト層を膨潤させることによって溶解させる処理が挙げられる。
カップ1は、基板91を処理するために処理液92を貯めることが可能なものである。カップ1の形状および材質は、何ら限定されない。カップ1は、たとえば、ステンレス等の金属からなる。本実施形態のカップ1は、図1および図2に示すように、上端部11、側面部12および底面部13を有する。また、図示された例においては、カップ1は、さらに外壁部14を有する。なお、処理液92を貯めることが可能なカップ1とは、所定期間において一定量の処理液92を貯めるといった用途に用いられるものに限定されず、たとえば、所定工程において処理液92がカップ1に常時供給され、処理液92がカップ1に一時的に滞留した後に順次排出されるといった用途に用いられるものも含む概念である。
ステージ2は、カップ1内を鉛直方向zに昇降可能とされており、載置台4を支持している。ステージ2の具体的な構成は何ら限定されず、図示された例においては、ベース21および円盤部22を有する。
駆動部3は、ステージ2を昇降させるための駆動機能を有するものである。また、本実施形態においては、駆動部3は、カップ1を回転させるための駆動機能を有する。駆動部3の具体的構成は何ら限定されず、本実施形態においては、昇降軸31、支持部32、ベローズ部材33、昇降駆動機構34および回動駆動機構35を有する。
載置台4は、ステージ2に設けられており、基板91が載置されるものである。載置台4の具体的構成は何ら限定されず、図示された例においては、複数のブロック41を有する。複数のブロック41は、ステージ2の円盤部22上に固定されており、周方向θに沿って等ピッチで配置されている。図示された例においては、4つのブロック41が90°のピッチで配置されているが、これは一例であり、ブロック41の個数やピッチの大きさは、何ら限定されない。ブロック41の形状や材質は何ら限定されない。ブロック41の材質としては、基板91を適切に支持しつつ、基板91との不要な反応や損傷を生じさせないものが好ましく、たとえば樹脂等からなる。
回動部材5は、載置台4(ブロック41)に対して回動可能に取り付けられている。回動部材5の個数は、何ら限定されず、図示された例においては、4つのブロック41に対応して、4つの回動部材5が設けられている。回動部材5は、回動軸51、保持部52および当接部53を有する。
排液チャンバ6は、処理を終えた処理液92がカップ1から排出されるものである。排液チャンバ6の具体的構成は何ら限定されない。また、本発明に係る基板処理装置は、カップ1から排出される処理液92を受け止めるための、排液チャンバ6のような構造物を備えない構成であってもよい。本実施形態においては、排液チャンバ6は、たとえばステンレス等からなる金属板によって形成されており、上板部61、下板部62、内板部63および排出路64を有する。
図10~図15は、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置を示している。本実施形態の基板処理装置A2は、主に、回動部材5の構成が上述した基板処理装置A1と異なっている。図10および図11は、図2および図3と同様の状態の基板処理装置A2を示している。図14および図15は、図6および図7と同様の状態の基板処理装置A2を示している。図12および図13は、図10および図11に示す状態と、図14および図15に示す状態との間の状態の基板処理装置A2を示している。
図16は、本発明の第3実施形態に係る基板処理装置を示している。本実施形態の基板処理装置A3においては、ステージ2の下降に伴い、当接部53が、側面部12に当接し、上端部11には当接しない。
図17は、本発明の第4実施形態に係る基板処理装置を示している。本実施形態の基板処理装置A4では、カップ1の側面部12に平坦領域121が設けられている。平坦領域121は、側面部12の一部に折り曲げ加工や絞り加工等を施された部位であり、水平面を有する部位である。平坦領域121は、ステージ2が下端に位置する状態において、基板91や回動軸51よりも下方に位置しており、図示された例においては、ブロック41よりも下方に位置している。
1 :カップ
2 :ステージ
3 :駆動部
4 :載置台
5 :回動部材
6 :排液チャンバ
11 :上端部
12 :側面部
13 :底面部
14 :外壁部
21 :ベース
22 :円盤部
29 :処理液
31 :昇降軸
32 :支持部
33 :ベローズ部材
34 :昇降駆動機構
35 :回動駆動機構
41 :ブロック
50 :本体部
51 :回動軸
52 :保持部
53 :当接部
61 :上板部
62 :下板部
63 :内板部
64 :排出路
81 :超音波発生部
82 :ノズル
91 :基板
92 :処理液
121 :平坦領域
411 :載置面
521 :突出部
531 :延在部
532 :突起部
533 :先端部
5311 :第1延出部
5312 :第2延出部
5313 :傾斜部
5314,5315:調整部
r :径方向
z :鉛直方向
θ :周方向
Claims (9)
- 基板を処理するために処理液を貯めることが可能なカップと、
前記カップ内を鉛直方向に延びる昇降軸に沿って昇降可能になされたステージと、
前記ステージ上に設けられ、前記基板を載置する載置台と、
前記載置台に対して、前記昇降軸を中心とする周方向に沿った回動軸周りに回動可能に取り付けられた回動部材と、を備え、
前記回動部材は、前記回動軸よりも径方向の内側に位置する保持部と、前記回動軸よりも径方向の外側に位置する当接部と、を有し、
前記保持部は、前記回動軸に対して前記径方向の前記内側に離れた部位であって、前記当接部が前記カップに当接していない状態において前記載置台との間に前記基板の一部が存在しうる隙間を形成する部位を含み、
前記ステージの下降に伴い、前記当接部が前記カップに当接することにより前記回動部材が回動して、前記基板を挟んで前記保持部の前記隙間を形成する部位と前記載置台との前記隙間が縮小する、
基板処理装置。 - 前記カップは、前記昇降軸周りに回転することにより、前記処理液を径方向外方に排出する、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記カップは、上端部と、前記上端部に繋がる側面部と、前記側面部の下方に繋がる底面部と、を有し、
前記底面部のすべてが、鉛直方向に沿って視て、前記上端部の内側に含まれる、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記当接部は、前記上端部に当接する、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記当接部は、前記側面部に当接する、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記当接部は、前記回動軸から延在する延在部と、前記延在部に設けられた調整部に結合した突起部と、を有し、
前記突起部が、前記上端部に当接する、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記当接部は、前記回動軸から延在する延在部と、前記延在部に設けられた調整部に螺合した突起部と、を有し、
前記ステージの下降に伴い、前記延在部が前記上端部に当接した後に、前記突起部が前記側面部に当接する、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記基板の処理時には、前記処理液の液面は、前記基板よりも上方に位置する、請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記昇降軸は、前記カップ内においてベローズ部材によって覆われている、請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
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Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2014036168A (ja) | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2015188008A (ja) | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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Family Cites Families (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2855046B2 (ja) * | 1993-03-31 | 1999-02-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板処理装置用の基板回転保持装置 |
| JPH11111822A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Toshiba Corp | ウェーハチャック装置 |
| JP4517315B2 (ja) * | 1999-10-08 | 2010-08-04 | 株式会社ニコン | 基板落下防止機構およびこれを備えた基板検査装置 |
| JP2007523463A (ja) * | 2004-02-24 | 2007-08-16 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び方法 |
| JP4723001B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、および排液カップの洗浄方法 |
-
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Patent Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2014036168A (ja) | 2012-08-09 | 2014-02-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2015188008A (ja) | 2014-03-26 | 2015-10-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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