JP7755759B2 - 磁石式回転角度センサシステム - Google Patents

Description

本発明は、シャフトの回転運動を検出する磁石式回転角度センサシステムであって、少なくとも１つの励磁磁石を有する励磁ユニットと、センサコイルとセンサコイルの内側に配置された少なくとも１本のウィーガンドワイヤとを有するウィーガンドセンサユニットと、磁気センサユニットと、評価電子機器と、を備える。励磁ユニットは、シャフトとともに回転するように取り付けられ、シャフトが回転するときにウィーガンドセンサユニットの位置および磁気センサユニットの位置に交番励起磁界を発生させるように構成されており、磁気センサユニットは、交番励起磁界を検出して、対応する磁気センサ信号を提供するように構成されており、評価電子機器は、ウィーガンドセンサ電圧パルスを検出して、それに基づいて回転数を決定するとともに、磁気センサ信号を受信して、磁気センサ信号に基づいて回転角度値を決定するように構成されている、回転角度センサシステムに関する。

特に定義されない限り、以下の「軸方向」、「半径方向」および「横断面」との用語は、回転角度センサシステムのシャフトへの取付けの有無とは無関係に、回転角度センサシステムにより検出されるシャフトを指している。したがって、別途定義されない限り、軸方向とは、回転角度センサシステムが取り付けられた状態において、シャフトの長手方向軸と平行に延伸する方向を意味するものと理解され、半径方向とは、回転角度センサシステムが取り付けられた状態において、シャフトの長手方向軸に対して垂直に延伸する方向を意味すると理解され、横断面とは、回転角度センサシステムが取り付けられた状態において、シャフトの長手方向軸を横断して延在する平面を意味するものと理解される。

回転角度センサシステムは、ロータリエンコーダまたは回転角度エンコーダとしても知られている。一般的な回転角度センサシステムでは、ウィーガンドセンサユニットと磁気センサユニットとは、通常、互いにわずかに離間して配置されているので、回転角度センサシステムの動作中に常時存在するウィーガンドセンサユニットのウィーガンドワイヤの磁化により、磁気センサユニットの位置に大きな干渉磁界が発生する。これは、磁気センサユニットが提供する磁気センサ信号に系統誤差が生じさせ、それにより磁気センサ信号に基づいて決定される回転角度値にも系統誤差が生じる。

このような背景から、本発明の目的は、高い信頼性で正確にシャフトの回転運動を検出する回転角度センサシステムを提供するところにある。

この目的は、請求項１の特徴を備えているシャフトの回転運動を検出する回転角度センサシステムによって解決される。

本発明のシャフトの回転運動を検出する回転角度センサシステムは、励磁ユニットと、ウィーガンドセンサユニットと、磁気センサユニットと、評価電子機器と、を備える。

励磁ユニットは、少なくとも１つの永久磁石からなる励磁磁石を備えており、回転運動が検出されるシャフトに取り付けられて、共に回転するように構成されている。通常、励磁ユニットは、シャフトに取り付けられるように構成されており、シャフトの端部に取り付けられるように構成されることが好ましい。少なくとも１つの励磁磁石は、シャフトが回転することにより励磁ユニットが回転すると、交番励起磁界が固定ウィーガンドセンサユニットの位置および固定磁気センサユニットの位置に生成されるように構成され配置される。交番励起磁界とは、その極性が連続的に反転して、磁力線の（有効な）方向が経時的に連続的に変化する励起磁界のことである。

ウィーガンドセンサユニットは、センサコイルと、センサコイルの内側に配置された少なくとも１本のウィーガンドワイヤと、を備える。本出願の意味におけるウィーガンドワイヤは、インパルスワイヤとも称され、通常、硬磁性シースおよび軟磁性コアを有するか、またはその逆である。外部磁界の影響下で、ウィーガンドワイヤの磁化方向は急激に反転する。それにより、ウィーガンドワイヤを半径方向に囲むセンサコイルに短いウィーガンドセンサ電圧パルスが生成され、そのウィーガンドセンサ電圧パルスは、センサコイルの両端部から検出され得る。この効果はウィーガンド効果と称され、当技術分野では周知である。ウィーガンドセンサユニットは、通常、１本のウィーガンドワイヤを備えるが、複数のウィーガンドワイヤを有し得、その全てがセンサコイルの内側に配置される。ウィーガンドセンサユニット、特にセンサコイルおよび少なくとも１本のウィーガンドワイヤは、シャフトが回転したときに、ウィーガンドセンサユニットの位置で励磁ユニットによって生成された交番励起磁界が、センサコイルに順にウィーガンドセンサ電圧パルスを生成させて、通常、励起磁界の交番毎に１つのウィーガンドセンサ電圧パルスを生成するように構成され配置される。

磁気センサユニットは、交番励起磁界を検出して、それに対応する磁気センサ信号を提供するように構成される。磁気センサユニットは、例えば、ＴＭＲセンサ、ＧＭＲセンサ、ＡＭＲセンサ、またはホールセンサを備えることが可能である。好ましくは、磁気センサユニットおよびウィーガンドセンサユニットは、共通の回路基板上に配置され、磁気センサユニットおよびウィーガンドセンサユニットは、互いに回路基板の反対側の面に配置されるのが有利である。磁気センサ信号は、例えば、その振幅が検出された励起磁界の磁界強度または配向に比例するアナログ信号であり得る。または、例えば、検出された励起磁界の磁界強度または方向にそれぞれ比例する一連の磁気センサ信号値を含むデジタル信号であり得る。通常、磁気センサ信号は、正弦成分および余弦成分を含む。正弦成分は、第１空間方向に関して検出された励起磁界の磁界強度に比例し、余弦成分は、第１空間方向に垂直な第２空間方向に関して検出された励起磁界の磁界強度に比例する。通常、磁気センサ信号は、１つ以上の電気接点を介して提供される。しかしながら、原則として、磁気センサ信号は、任意の方法で提供され得る。

評価電子機器は、ウィーガンドセンサユニットに電気的に接続されており、ウィーガンドセンサ電圧パルスを検出するとともに、それに基づいて、特に検出されたウィーガンドセンサ電圧パルスの数およびそれらの極性に基づいて、既知の方法で回転数を決定するように構成されている。評価電子機器は、また、磁気センサユニットから磁気センサ信号を受信して、既知の方法で磁気センサ信号に基づいて回転角度値を決定するように構成されている。評価電子機器は、通常、磁気センサユニットに電気的に接続されて、磁気センサ信号を伝送する。評価電子機器は、磁気センサユニットおよびウィーガンドセンサユニットとともに共通の回路基板上に配置されることが好ましい。評価電子機器は、通常、少なくとも１つの集積回路、特に、いわゆる特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）および／またはいわゆる「フィールドプログラマブルゲートアレイ」（ＦＰＧＡ）および／またはマイクロコントローラを含む。ただし、原則として、評価電子回路は、ウィーガンドセンサ電圧パルスを検出して、それに基づいて回転数を決定することに適しており、かつ磁気センサ信号を受信して、それに基づいて回転角度値を決定することに適している任意の電気回路によって形成され得る。

シャフトが回転しているとき、交番励起磁界によりウィーガンドセンサユニットのウィーガンドワイヤの磁化方向が連続的に変化することにより、磁化されたウィーガンドワイヤにより生成される外乱磁界が、現在の磁化の方向に応じて、磁気センサユニットによって検出される磁界に、つまり磁気センサユニットにより提供される磁気センサ信号に異なる影響を及ぼす。

したがって、本発明では、第１補償パラメータおよび第２補償パラメータが評価電子機器に提供され、評価電子機器は、回転角度値を決定するときに、受信された磁気センサ信号に第１補償パラメータおよび第２補償パラメータを交互に適用して、動作中に生じるウィーガンドワイヤの磁化による磁気センサ信号に対する２つの異なる方向の影響を補償するように構成される。これにより、信頼性が高く正確な回転角度センサシステムが提供される。２つの補償パラメータは、原則として、単一の補償値として、または複数の補償値のベクトルとして実現され得る。通常、受信された磁気センサ信号は、正弦成分および余弦成分を有しており、正弦成分は、第１空間方向に関して検出された励起磁界の磁界強度に比例し、余弦成分は、第１空間方向に垂直な第２空間方向に関して検出された励起磁界の磁界強度に比例する。この場合、例えば、２つの補償パラメータがそれぞれ、正弦成分および余弦成分のための個別の補償値を含むことが考えられる。また、２つの補償パラメータのうちの一方がゼロまたはゼロベクトルであることも考えられる。それぞれの補償パラメータは、磁気センサ信号を用いて計算するときに、現在の磁気センサ信号値に加算されるか、または現在の磁気センサ信号値から減算されることが好ましい。これにより、特に簡単な補償が可能になる。ただし、原則として、それぞれの補償パラメータが、磁気センサ信号に適用されるときに、現在の磁気センサ信号値に対して乗算、除算、またはより複雑な方法で適用されることも考えられる。しかしながら、いずれの場合であっても、交互に、すなわち順番に、第１補償パラメータまたは第２補償パラメータのいずれかが、磁気センサ信号に適用される。好ましくは、評価電子機器は、検出されたウィーガンドセンサ電圧パルスおよび／または受信された磁気センサ信号に基づいて、シャフトと共に回転する励磁ユニットが、全回転３６０°のどの９０°象限に現在位置しているかを示す現在の象限パラメータを決定して、現在の象限パラメータに基づいて、２つの補償パラメータのうちのどちらが磁気センサ信号に適用されるかを決定するように構成される。

原則として、２つの補償パラメータは、任意の適切な方法、例えば、外部システムからデータインターフェイスを介して評価電子機器に提供可能である。ただし、本発明の回転角度センサシステムは、第１補償パラメータおよび第２補償パラメータが保存されており、評価電子回路が少なくとも読み出しアクセスが可能なデータ記憶装置を備えることが好ましい。データ記憶装置は不揮発性であることが有利である。これにより、例えば、テストベンチで２つの補償パラメータを一度決定して、それらをデータ記憶装置に永続的に保存することを可能にする。データ記憶装置は、評価ユニットとともに、例えば、いわゆるフラッシュメモリとして集積回路またはマイクロコントローラに統合可能である。ただし、回転角度センサシステムがデータインターフェイスを有しており、このデータインターフェイスを介して、データ記憶装置に保存されている補償パラメータを後から変更することも考えられる。

一般に、ウィーガンドワイヤの磁化方向が変化するたびに、センサコイルにウィーガンドワイヤセンサ電圧パルスが発生する。このように、ウィーガンドセンサ電圧パルスの発生は、ウィーガンドワイヤの磁化方向の変化を示す。したがって、評価電子機器は、ウィーガンドセンサ電圧パルスを検出したときに、受信した磁気センサ信号に適用するパラメータを、第１補償パラメータ（Ｋ１）から第２補償パラメータ（Ｋ２）へ、または、第２補償パラメータ（Ｋ２）から第１補償パラメータ（Ｋ１）へ変更する、ように構成されていることが好ましい。これにより、一方の補償パラメータから他方の補償パラメータへの変更が行われるべき時点を簡単かつ比較的確実に決定可能であるので、ウィーガンドワイヤの磁化の現在の方向を検出または監視するための特別な手段は必要ない。

上述のように、受信された磁気センサ信号は、通常、正弦成分および余弦成分を有しており、正弦成分は、第１空間方向に対して検出された励起磁界の磁界強度に比例し、余弦成分は、第１空間方向に垂直な第２空間方向に対して検出された励起磁界の磁界強度に比例する。ウィーガンドワイヤは通常、これら２つの空間方向のうちの１つと実質的に平行に配置されるので、ウィーガンドワイヤにより生成される干渉磁界によって著しく影響を受けるのは、磁気センサ信号の正弦成分のみ、または磁気センサ信号の余弦成分のみのいずれかである。したがって、干渉磁界の影響を特に簡単に補償可能とするために、この場合の評価電子機器は、第１補償パラメータまたは第２補償パラメータを正弦成分のみまたは余弦成分のみのいずれかに適用するように構成されることが好ましい。

評価電子機器は、ウィーガンドセンサ電圧パルスを検出して、それに基づいて回転数を決定するように構成された集積回路、特に好ましくはＡＳＩＣと、磁気センサ信号を受信して、受信した磁気センサ信号に基づいて回転角度値を決定するとともに、回転角度値を決定するときに、受信した磁気センサ信号に第１補償パラメータおよび第２補償パラメータを交互に適用するように構成されたマイクロコントローラと、を備えることが好ましい。ウィーガンドセンサ電圧パルスの検出と回転数の決定は、基本的にウィーガンドセンサ電圧パルスが発生したときの計数値の増加と減少に対応している。これは、この目的のために特別に設計された集積回路であるＡＳＩＣを用いることで、特に効率的に実現可能である。集積回路は、ウィーガンドセンサ電圧パルスを検出可能となるように、ウィーガンドセンサユニットに電気的に接続されている。集積回路は、通常、回転数を反映する少なくとも１つの計数値が保存されるデータ記憶装置にも接続されている。一方、２つの補償パラメータを使用して受信された磁気センサ信号に基づく回転角度値の決定は、適切にプログラムされたマイクロコントローラによって特に効率的に実現可能である。

集積回路は、ウィーガンドセンサ電圧パルスが検出されるたびに検出信号を提供するように構成されており、マイクロコントローラは、検出信号を受信して、検出信号に応答して、受信した磁気センサ信号に適用するパラメータを、第１補償パラメータ（Ｋ１）から第２補償パラメータ（Ｋ２）へ、または、第２補償パラメータ（Ｋ２）から第１補償パラメータ（Ｋ１）へ変更する、ことを実行するように構成されていることが好ましい。これにより、特に効率的な回転角度センサシステムが得られる。

ウィーガンドセンサ電圧パルスを検出して、それに基づいて回転数を決定するように構成された集積回路は、既に実現されていることが多い。一般的に比較的コストを要する集積回路の再構成／再設計を回避するために、本発明の代替の好ましい実施形態では、マイクロコントローラは、ウィーガンドセンサユニットに電気的に接続されており、ウィーガンドセンサ電圧パルスを直接検出して、ウィーガンドセンサ電圧パルスの検出したときに、受信した磁気センサ信号に適用するパラメータを、第１補償パラメータ（Ｋ１）から第２補償パラメータ（Ｋ２）へ、または、第２補償パラメータ（Ｋ２）から第１補償パラメータ（Ｋ１）へ変更することを実行するように構成される。

本発明の実施の形態について、以下に記載した添付図面を参照して説明する。

図１は、本発明のシャフトに取り付けられてシャフトの回転運動を検出する回転角度センサシステムの概略的である。 図２は、好ましい実施形態における回転角度センサシステムの構成要素間の接続を示す概略的である。 図３は、代替の好ましい実施形態における回転角度センサシステムの構成部品間の接続を示す概略的である。 図４は、図１の回転角度センサシステムの磁気センサユニットにより提供される磁気センサ信号、補償パラメータを磁気センサ信号に適用することで得られる補償された磁気センサ信号、図１の回転角度センサシステムのウィーガンドセンサユニットにおいて生成されるウィーガンドセンサ電圧パルス、および図１の回転角度センサシステムの集積回路によって提供される検出信号の時間的進行を示す概略的である。

図１に、シャフト１の回転運動を検出するシャフト１の軸方向端部に配置された回転角度センサシステム１０を示す。回転角度センサシステム１０は、シャフト１に取り付けられた励磁ユニット１２を備える。回転角度センサシステム１０は、さらに、ハウジング部２に固定された回路基板２０上に配置されたウィーガンドセンサユニット１４と、磁気センサユニット１６と、評価電子機器１８と、を備える。

励磁ユニット１２は、シャフト１の前面に取り付けられた磁石キャリア１２１を備える。励磁ユニット１２は、２つの永久磁石からなる励磁磁石１２２をさらに備え、これらの永久磁石は、シャフト１が回転するときに、ウィーガンドセンサユニット１４の位置と磁気センサユニット１６の位置との両方で、励磁磁石１２２によって交番励起磁界が生成されるように、磁石キャリア１２１上に磁化されて配置される。

ウィーガンドセンサユニット１４は、シャフト１から離れた回路基板２０の軸方向側に配置され、センサコイル１４１と、センサコイル１４１の内部に配置されたウィーガンドワイヤ１４２と、を備える。センサコイル１４１およびウィーガンドワイヤ１４２は、図４に概略的に示すように、シャフト１が回転するときに励磁磁石１２２により生成される交番励起磁界によって、センサコイル１４１において順にウィーガンドセンサ電圧パルスＷＰが生成されるように構成されて配置され、ここで、ウィーガンドセンサ電圧パルスＷＰは、センサコイル１４１の両端部から検出され得る。

磁気センサユニット１６は、シャフト１に面する回路基板２０の軸方向側において、ウィーガンドセンサユニット１４の反対側に配置される。磁気センサユニット１６は、交番励起磁界を検出して、図４に概略的に示されるように、この目的のために意図された電気接点において、正弦成分Ｓ１および余弦成分Ｓ２を有する対応する磁気センサ信号Ｓを提供するように構成される。本実施形態では、正弦成分Ｓ１は、ウィーガンドワイヤ１４２の長手方向軸に平行な空間方向に関して検出された励起磁界の磁界強度に比例し、余弦成分Ｓ２は、ウィーガンドワイヤ１４２の長手方向軸に垂直な空間方向に関して検出された励起磁界の磁界強度に比例する。

評価電子機器１８は、集積回路１８１、マイクロコントローラ１８２、およびデータ記憶装置１８３を備える。

集積回路１８１は、ウィーガンドセンサユニット１４に電気的に接続されており、センサコイル１４１で生成されるウィーガンドセンサ電圧パルスＷＰを検出するように構成される。集積回路１８１は、さらに、検出されたウィーガンドセンサ電圧パルスＷＰの数および極性に基づいて回転数Ｎを決定して、それをデータ記憶装置１８３に保存するように構成される。

マイクロコントローラ１８２は、磁気センサ信号Ｓを提供するための磁気センサユニット１６の電気接点に電気的に接続されており、磁気センサ信号Ｓを受信するように構成されている。マイクロコントローラ１８２は、データ記憶装置１８３に保存されている第１補償パラメータＫ１と、データ記憶装置１８３に保存されている第２補償パラメータＫ２と、をデータ記憶装置１８３から読み出すようにさらに構成されている。マイクロコントローラ１８２は、さらに、図４に概略的に示すように、第１補償パラメータＫ１および第２補償パラメータＫ２を磁気センサ信号Ｓに交互に適用して、補償された磁気センサ信号Ｓ－ｃｏｍｐを決定するように構成されている。具体的には、マイクロコントローラ１８２は、第１補償パラメータＫ１および第２補償パラメータＫ２を磁気センサ信号Ｓの正弦成分Ｓ１に交互に加算して、補償正弦成分Ｓ１－ｃｏｍｐを決定して、その補償正弦成分Ｓ１－ｃｏｍｐが余弦成分Ｓ２とともに、補償磁気センサ信号Ｓ－ｃｏｍｐを構成する。マイクロコントローラ１８２は、さらに、補償磁気センサ信号Ｓ－ｃｏｍｐに基づいて回転角度値Ａを決定して、それをデータ記憶装置１８３に保存するように構成されている。

図２に概略的に示されている回転角度センサシステム１０の好ましい実施形態では、集積回路１８１は、図４に概略的に示されるように、ウィーガンドセンサ電圧パルスＷＰが検出されるたびに、この目的のために意図された電気接点に検出信号Ｄを提供するように構成されている。この実施形態では、マイクロコントローラ１８２は、集積回路１８１のそれぞれの電気接点に電気的に接続され、検出信号Ｄを受信するように構成されている。さらに、この場合、マイクロコントローラ１８２は、検出信号Ｄを受信するたびに、それに応答して、正弦成分Ｓ１に加算するパラメータを、第１補償パラメータＫ１を正弦成分Ｓ１から第２補償パラメータＫ２を正弦成分Ｓ１に変更する、またはその逆に変更するように構成されている。すなわち、磁気センサ信号Ｓに適用するパラメータを、第１補償パラメータＫ１から第２補償パラメータＫ２に変更する、またはその逆に変更するように構成されている。

図３に概略的に示した回転角度センサシステム１０の代替的な実施形態では、マイクロコントローラ１８２は、ウィーガンドセンサユニット１４に電気的に接続されており、センサコイル１４１において生成されたウィーガンドセンサ電圧パルスＷＰを検出するように構成されている。さらに、この場合、マイクロコントローラ１８２は、ウィーガンドセンサ電圧パルスＷＰが検出されるたびに、正弦成分Ｓ１に加算するパラメータを、第１補償パラメータＫ１を正弦成分Ｓ１から第２補償パラメータＫ２を正弦成分Ｓ１に変更する、またはその逆に変更するように構成されている。すなわち、磁気センサ信号Ｓに適用するパラメータを、第１補償パラメータＫ１から第２補償パラメータＫ２に変更する、またはその逆に変更するように構成されている。

１ シャフト
２ ハウジング部
１０ 回転角度センサシステム
１２ 励磁ユニット
１２１ 磁石キャリア
１２２ 励磁磁石
１４ ウィーガンドセンサユニット
１４１ センサコイル
１４２ ウィーガンドワイヤ
１６ 磁気センサユニット
１８ 評価電子機器
１８１ 集積回路
１８２ マイクロコントローラ
１８３ データ記憶装置
２０ 回路基板
Ａ 回転角度値
Ｄ 検出信号
Ｋ１、Ｋ２ 補償パラメータ
Ｎ 回転数
Ｓ 磁気センサ信号
Ｓ１ 正弦成分
Ｓ２ 余弦成分
Ｓ－ｃｏｍｐ 補償磁気センサ信号
Ｓ１－ｃｏｍｐ 補償正弦成分
ＷＰ ウィーガンドセンサ電圧パルス

Claims (7)

1. シャフト（１）の回転運動を検出する磁石式回転角度センサシステム（１０）であって、
   少なくとも１つの励磁磁石（１２２）を有する励磁ユニット（１２）と、
   センサコイル（１４１）および前記センサコイル（１４１）の内側に配置された少なくとも１本のウィーガンドワイヤ（１４２）を有するウィーガンドセンサユニット（１４）と、
   磁気センサユニット（１６）と、
   評価電子機器（１８）と、を備えており、
   前記励磁ユニット（１２）は、前記シャフト（１）とともに回転するように取り付けられ、前記シャフト（１）が回転するときに前記ウィーガンドセンサユニット（１４）の位置および前記磁気センサユニット（１６）の位置に交番励起磁界を発生させるように構成されており、
   前記ウィーガンドセンサユニット（１４）は、前記交番励起磁界によって前記センサコイル（１４１）にウィーガンドセンサ電圧パルス（ＷＰ）が生成されるように構成されており、
   前記磁気センサユニット（１６）は、前記交番励起磁界を検出して、対応する磁気センサ信号（Ｓ）を提供するように構成されており、
   前記評価電子機器（１８）は、前記ウィーガンドセンサ電圧パルス（ＷＰ）を検出して、それに基づいて回転数（Ｎ）を決定するとともに、前記磁気センサ信号（Ｓ）を受信して、前記磁気センサ信号（Ｓ）に基づいて回転角度値（Ａ）を決定するように構成されており、
   前記評価電子機器（１８）には、第１補償パラメータ（Ｋ１）と第２補償パラメータ（Ｋ２）とが提供され、前記評価電子機器（１８）は、前記回転角度値（Ａ）を決定するときに、受信された前記磁気センサ信号（Ｓ）に前記第１補償パラメータ（Ｋ１）と前記第２補償パラメータ（Ｋ２）とを交互に適用するように構成されている、磁石式回転角度センサシステム（１０）。
2. 前記第１補償パラメータ（Ｋ１）および前記第２補償パラメータ（Ｋ２）が保存された、前記評価電子機器（１８）がアクセス可能なデータ記憶装置（１８３）を備える、請求項１に記載の磁石式回転角度センサシステム（１０）。
3. 前記評価電子機器（１８）は、ウィーガンドセンサ電圧パルス（ＷＰ）の検出時に、前記受信された磁気センサ信号（Ｓ）に適用するパラメータを、前記第１補償パラメータ（Ｋ１）から前記第２補償パラメータ（Ｋ２）へ、または、前記第２補償パラメータ（Ｋ２）から前記第１補償パラメータ（Ｋ１）へ変更する、ように構成されている、請求項１に記載の磁石式回転角度センサシステム（１０）。
4. 前記受信された磁気センサ信号（Ｓ）は、正弦成分（Ｓ１）および余弦成分（Ｓ２）を有しており、
   前記評価電子機器（１８）は、前記第１補償パラメータ（Ｋ１）または前記第２補償パラメータ（Ｋ２）を、それぞれこの順に対応して、前記正弦成分（Ｓ１）のみまたは前記余弦成分（Ｓ２）のみに適用するように構成されている、請求項１に記載の磁石式回転角度センサシステム（１０）。
5. 前記ウィーガンドセンサ電圧パルス（ＷＰ）を検出して、それに基づいて前記回転数（Ｎ）を決定するように構成された集積回路（１８１）と、
   前記磁気センサ信号（Ｓ）を受信して、前記受信した磁気センサ信号（Ｓ）に基づいて前記回転角度値（Ａ）を決定するとともに、前記回転角度値（Ａ）を決定するときに前記受信した磁気センサ信号（Ｓ）に前記第１補償パラメータ（Ｋ１）および前記第２補償パラメータ（Ｋ２）を交互に適用するように構成されたマイクロコントローラ（１８２）と、を備える、請求項１から４までのいずれか一項に記載の磁石式回転角度センサシステム（１０）。
6. 前記集積回路（１８１）は、ウィーガンドセンサ電圧パルス（ＷＰ）の検出毎に検出信号（Ｄ）を提供するように構成されており、
   前記マイクロコントローラ（１８２）は、前記検出信号（Ｄ）を受信して、前記受信された前記検出信号（Ｄ）に応答して、前記受信された磁気センサ信号（Ｓ）に適用するパラメータを、前記第１補償パラメータ（Ｋ１）から前記第２補償パラメータ（Ｋ２）へ、または、前記第２補償パラメータ（Ｋ２）から前記第１補償パラメータ（Ｋ１）へ変更する、ように構成されている、請求項５に記載の磁石式回転角度センサシステム（１０）。
7. 前記マイクロコントローラ（１８２）は、前記ウィーガンドセンサ電圧パルス（ＷＰ）を検出して、前記ウィーガンドセンサ電圧パルス（ＷＰ）の検出したときに、前記受信された磁気センサ信号（Ｓ）に適用するパラメータを、前記第１補償パラメータ（Ｋ１）から前記第２補償パラメータ（Ｋ２）へ、または、前記第２補償パラメータ（Ｋ２）から前記第１補償パラメータ（Ｋ１）へ変更する、ように構成されている、請求項５に記載の磁石式回転角度センサシステム（１０）。