JP7756522B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Description

本発明は、ウエーハの加工方法に関する。

半導体ウエーハは、デバイスチップに分割されるまでの各工程間を搬送される際に生じるチッピング等の不具合を防止するために、外周面が円弧状に面取りされている。このように外周に面取り部を有するウエーハの裏面を研削して薄化すると、ウエーハの外周部が鋭角（所謂ナイフエッジ）になり、研削中にエッジの欠けや割れが生じやすいという問題がある。このエッジの欠けや割れが進展すると、デバイスの破損に繋がる恐れがあるため、ウエーハ研削前に外周部の一部を除去する処理を行う技術が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

特開２０００－１７３９６１号公報 特開２００６－１０８５３２号公報

ところで、半導体ウエーハには、トレーサビリティの為にエッジ付近にウエーハ同士を識別するためのウエーハＩＤが形成されている場合がある。このようにウエーハＩＤが形成されているエリアにはデバイスが形成できないため、デバイス部と比較して厚みが薄くなっている。

こうしたウエーハに対して特許文献１及び特許文献２に記載の技術を適用し、外周縁の面取り部を除去した後に裏面研削を行うと、ナイフエッジの形成を防ぐことはできるが、ウエーハＩＤが形成されている（デバイスが形成されていない）外周部の厚みの薄い外周余剰領域が研削中にチャックテーブルの保持面から離間している。従って、チャックテーブルの保持面から離間した外周部の厚みの薄い外周余剰領域が、研削が進むにつれてチャックテーブル側の吸引圧に負け、ウエーハにチッピングが発生するという問題が明らかになった。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その目的は、外周縁の面取り部よりも内側にデバイス領域と比較して厚みが薄い外周余剰領域が存在するウエーハに対してチッピングを生じさせることなく研削することができるウエーハの加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、表面に設定された複数の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞し該デバイス領域より厚みが薄い外周余剰領域と、を有し、外周縁が円弧状に面取りされているウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの外周縁より所定距離内側の位置で該外周縁に沿って環状に加工を施し、ウエーハの外周部を環状に除去する環状除去ステップと、ウエーハに設定された該分割予定ラインのうち最も外周縁に近い位置にある分割予定ラインに対して、該環状除去ステップで除去できない外周余剰領域と、該デバイス領域と、を分断するための加工を施す分断加工ステップと、該環状除去ステップおよび該分断加工ステップが実施された後、該ウエーハの裏面側を研削して所定の仕上がり厚みに形成する研削ステップと、該研削ステップの後、研削された該ウエーハの裏面側にテープを貼り付けるテープ貼り付けステップと、を含み、該環状除去ステップで除去できない外周余剰領域にはウエーハＩＤが形成されており、該テープ貼り付けステップでは、分断された該ウエーハＩＤが該ウエーハとともにテープに貼り付けられることを特徴とする。

前記ウエーハの加工方法において、該環状除去ステップおよび該分断加工ステップは、該ウエーハの裏面側から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射することで、ウエーハの内部に改質層を形成しても良い。

前記ウエーハの加工方法において、該テープ貼り付けステップの後、該ウエーハの表面側から該分割予定ラインに沿って加工を施すことで該ウエーハを分割してデバイスチップを製造するデバイスチップ製造ステップを更に含んでも良い。

本発明は、外周縁の面取り部よりも内側にデバイス領域と比較して厚みが薄い外周余剰領域が存在するウエーハに対してチッピングを生じさせることなく研削することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。 図２は、図１に示されたウエーハの側面図である。 図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。 図４は、図３に示されたウエーハの加工方法の環状除去ステップを模式的に示す斜視図である。 図５は、図３に示されたウエーハの加工方法の環状除去ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。 図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の分断加工ステップを模式的に示す斜視図である。 図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の分断加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。 図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の研削ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。 図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の研削ステップの終了時を模式的に一部断面で示す側面図である。 図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法のテープ貼り付けステップにおいてウエーハの裏面にテープを貼着する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。 図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法のテープ貼り付けステップにおいてウエーハの裏面に外縁部に環状フレームが装着されたテープが貼着された状態を模式的に一部断面で示す側面図である。 図１２は、図３に示されたウエーハの加工方法のデバイスチップ製造ステップを模式的に示す斜視図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハの加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハの斜視図である。図２は、図１に示されたウエーハの側面図である。図３は、実施形態１に係るウエーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。

（ウエーハ）
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図１に示されたウエーハ１を加工する加工方法である。実施形態１に係るウエーハの加工方法の加工対象のウエーハ１は、シリコン、サファイヤ、ガリウムヒ素、又はＳｉＣ（炭化ケイ素）などを基板２とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等である。ウエーハ１は、図１及び図２に示すように、表面３と、表面３の背面側の裏面４とを有し、表面３と裏面４とが平行な円板状に形成されている。

また、ウエーハ１は、図２に示すように、外周縁に厚み方向の中央が最も外周側に突出する表面３から裏面４に至る断面円弧状の面取り部５が形成されている。

ウエーハ１は、デバイス領域６と、外周余剰領域７とを有する。デバイス領域６は、表面３に互いに交差する複数の分割予定ライン８が設定され、表面３に設定された分割予定ライン８によって区画された領域にそれぞれデバイス９が形成されている。

デバイス９は、実施形態１では、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、又は各種メモリ（半導体記憶装置）等である。

外周余剰領域７は、デバイス領域６を全周に亘って囲繞する領域であり、ウエーハ１の外縁部に設けられ、前述した面取り部５を含んでいる。外周余剰領域７は、表面３にデバイス９が形成されていない領域である。即ち、外周余剰領域７は、デバイス領域６の複数のデバイス９のうち最も外周側のデバイス９の外周側の外縁よりもウエーハ１の外周側の領域である。

実施形態１では、外周余剰領域７は、円環状の環状部７１と、環状部７１の内側に配置された内周部７２とを備える。環状部７１は、デバイス領域６の複数のデバイス９のうち最も外周側のデバイス９の外縁のうちの円弧状の外縁同士を連結して構成される円形の境界線７３（図１に点線で示す）よりもウエーハ１の外周側の領域であって、リング状に形成されている。内周部７２は、境界線７３と、デバイス領域６の複数のデバイス９のうち最も外周側のデバイス９の外周側の外縁のうちの分割予定ライン８に沿う直線状の境界線７４（図１に点線で示す）と環状部７１とで囲まれる領域である。

なお、内周部７２は、特許請求の範囲に記載された環状除去ステップ１０１で除去できない外周余剰領域に相当する。また、境界線７３，７４は、仮想的な線であり、ウエーハ１の表面３には存在しない。

なお、デバイス領域６の厚み６１は、基板２の厚みと基板２の表面３に形成されたデバイスの厚みとの和であり、外周余剰領域７の厚み７５は、基板２の厚みである。このために、外周余剰領域７は、厚み７５が、デバイス領域６の厚み６１よりも薄い。このように、ウエーハ１は、外周縁の面取り部５よりも内側にデバイス領域６と比較して厚み７５が薄い外周余剰領域７が存在する。

また、実施形態１では、ウエーハ１は、外周余剰領域７の内周部７２の表面３には、ウエーハ１同士を識別するためのウエーハＩＤ１０が形成されている。実施形態１では、ウエーハＩＤ１０は、文字、数字、記号のうち少なくともいずれかにより形成されているが、本発明では、周知のバーコードまたは２次元コードでも良い。ウエーハＩＤ１０は、外周余剰領域７の内周部７２の表面３に印刷等が施されることで、形成されている。また、本発明は、ウエーハ１は、外周余剰領域７の内周部７２の表面３にウエーハＩＤ１０が形成されていなくても良い。

前述した構成のウエーハ１は、デバイス領域６から外周余剰領域７が除去され、所定の仕上がり厚み１２まで薄化された後、個々のデバイスチップ１３に分割される。なお、デバイスチップ１３は、基板２の一部と、基板２の表面３に形成されたデバイス９とを含む。

（ウエーハの加工方法）
実施形態１に係るウエーハの加工方法は、ウエーハ１の外周余剰領域７を除去し、ウエーハ１を所定の仕上がり厚み１２まで薄化し、ウエーハ１を個々のデバイスチップ１３に分割する方法である。実施形態１に係るウエーハの加工方法は、図３に示すように、環状除去ステップ１０１と、分断加工ステップ１０２と、研削ステップ１０３と、テープ貼り付けステップ１０４と、デバイスチップ製造ステップ１０５とを備える。

（環状除去ステップ）
図４は、図３に示されたウエーハの加工方法の環状除去ステップを模式的に示す斜視図である。図５は、図３に示されたウエーハの加工方法の環状除去ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。

環状除去ステップ１０１は、ウエーハ１の外周縁より所定距離内側の位置で外周縁に沿って環状に加工を施し、ウエーハ１の外周部である外周余剰領域７の環状部７１を環状に除去するための加工を施すステップである。環状除去ステップ１０１では、レーザー加工装置２０が、チャックテーブル２１の保持面２２にウエーハ１の表面３を吸引保持し、赤外線カメラでウエーハ１を撮像して、ウエーハ１と、ウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２３を照射するレーザービーム照射ユニット２４との位置合わせを行うアライメントを遂行する。

環状除去ステップ１０１では、レーザー加工装置２０は、レーザービーム照射ユニット２４の集光点を基板２の内部に位置付け、図４に示すように、チャックテーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを境界線７３に沿って相対的に移動させながらウエーハ１の裏面４側から境界線７３に沿ってパルス状のレーザービーム２３を照射する。なお、レーザービーム２３は、ウエーハ１に対して透過性を有する波長を有しているために、環状除去ステップ１０１では、レーザー加工装置２０は、図５に示すように、ウエーハ１の基板２の内部に境界線７３に沿って改質層１４を形成する。

このように、実施形態１において、環状除去ステップ１０１では、レーザー加工装置２０は、ウエーハ１の裏面４側からウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２３を境界線７３に沿って照射することで、ウエーハ１に外周縁に沿って環状にレーザー加工を施して、ウエーハ１の基板２の内部に外周余剰領域７の環状部７１を環状に除去するための改質層１４を形成する加工をウエーハ１に施す。なお、改質層１４とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。また、改質層１４は、ウエーハ１の基板２の他の部分よりも機械的な強度等が低い。

また、実施形態１において、環状除去ステップ１０１では、レーザー加工装置２０は、裏面４側から境界線７３に沿ってレーザービーム２３を照射することを集光点の高さを変更して複数回繰り返し、境界線７３に沿ってウエーハ１の基板２内に厚み方向に複数の改質層１４を形成する。また、実施形態１では、環状除去ステップ１０１では、レーザー加工装置２０は、境界線７３に沿ってレーザービーム２３を照射するが、本発明では、レーザービーム２３を境界線７３と外周縁との間に外周縁に沿って照射しても良い。また、本発明では、裏面４からでなく表面３からレーザービーム２３を入射してもよい。

（分断加工ステップ）
図６は、図３に示されたウエーハの加工方法の分断加工ステップを模式的に示す斜視図である。図７は、図３に示されたウエーハの加工方法の分断加工ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。

分断加工ステップ１０２は、ウエーハ１に設定された分割予定ライン８のうち最も外周縁に近い位置にある分割予定ラインに対して、環状除去ステップ１０１で除去できない外周余剰領域７の内周部７２と、デバイス領域６と、を分断するための加工を施すステップである。分断加工ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、レーザービーム照射ユニット２４の集光点を基板２の内部に位置付け、図６に示すように、チャックテーブル２１とレーザービーム照射ユニット２４とを境界線７４即ち外周縁寄りの分割予定ライン８に沿って相対的に移動させながらウエーハ１の裏面４側から境界線７４よりも外周側の位置に外周縁寄りの分割予定ライン８に沿ってパルス状のレーザービーム２３を照射する。

なお、レーザービーム２３は、ウエーハ１に対して透過性を有する波長を有しているために、分断加工ステップ１０２では、環状除去ステップ１０１と同様に、レーザー加工装置２０は、図６に示すように、ウエーハ１の基板２の内部の境界線７４よりも外周側の位置に外周縁寄りの分割予定ライン８に沿って改質層１４を形成する。このように、実施形態１において、分断加工ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、ウエーハ１の裏面４側からウエーハ１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２３を境界線７４よりも外周側の位置に外周縁寄りの分割予定ライン８に沿って照射することで、外周縁寄りの分割予定ライン８に沿って直線状にレーザー加工を施して、図７に示すように、ウエーハ１の基板２の内部に外周余剰領域７の内周部７２とデバイス領域６とを分断するための改質層１４を形成する加工をウエーハ１に施す。

また、実施形態１において、分断加工ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、裏面４側から境界線７４よりも外周側の位置に外周縁寄りの分割予定ライン８に沿って照射することを集光点の高さを変更して複数回繰り返し、境界線７４よりも外周側の位置に外周縁寄りの分割予定ライン８に沿ってウエーハ１の基板２内に厚み方向に複数の改質層１４を形成する。また、実施形態１では、分断加工ステップ１０２では、レーザー加工装置２０は、境界線７４よりの外周側の位置にレーザービーム２３を照射するが、本発明では、レーザービーム２３を境界線７４に外周縁寄りの分割予定ライン８に沿って照射しても良い。

また、実施形態１では、環状除去ステップ１０１を実施した後、分断加工ステップ１０２を実施したが、本発明では、これに限定されることなく、分断加工ステップ１０２を実施した後、環状除去ステップ１０１を実施しても良い。

（研削ステップ）
図８は、図３に示されたウエーハの加工方法の研削ステップを模式的に一部断面で示す側面図である。図９は、図３に示されたウエーハの加工方法の研削ステップの終了時を模式的に一部断面で示す側面図である。研削ステップ１０３は、環状除去ステップ１０１および分断加工ステップ１０２が実施された後、ウエーハ１の裏面４側を研削して所定の仕上がり厚み１２に形成するステップである。

研削ステップ１０３では、ウエーハ１の表面３に表面保護テープ１５を貼着し、研削装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３２に表面保護テープ１５を介してウエーハ１の表面３側を吸引保持する。研削ステップ１０３では、図８に示すように、スピンドル３３により研削用の研削ホイール３４を軸心回りに回転しかつチャックテーブル３１を軸心回りに回転させ、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール３４の研削砥石３５をウエーハ１の基板２の裏面４に当接させてチャックテーブル３１に所定の送り速度で近づけて、研削砥石３５でウエーハ１の裏面４側を研削する。

研削ステップ１０３では、ウエーハ１のデバイス領域６の厚み６１が図９に示す仕上がり厚み１２になるまで、ウエーハ１の裏面４側を研削する。なお、環状除去ステップ１０１及び分断加工ステップ１０２において前述した改質層１４が形成されているので、ウエーハ１は、研削砥石３５により裏面４が押圧されると、図９に示すように、この押圧される力により改質層１４を起点に破断して、デバイス領域６から外周余剰領域７の内周部７２及び環状部７１が分離する。破断し、分離したウエーハＩＤ１０が形成された内周部７２及び環状部７１は、表面保護テープ１５に押しつけられる。

（テープ貼り付けステップ）
図１０は、図３に示されたウエーハの加工方法のテープ貼り付けステップにおいてウエーハの裏面にテープを貼着する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。図１１は、図３に示されたウエーハの加工方法のテープ貼り付けステップにおいてウエーハの裏面に外縁部に環状フレームが装着されたテープが貼着された状態を模式的に一部断面で示す側面図である。

テープ貼り付けステップ１０４は、研削ステップ１０３の後、研削されたウエーハ１の裏面４側にテープ１６を貼り付けるステップである。実施形態１において、テープ貼り付けステップ１０４では、チャックテーブル３１に吸引保持された研削ステップ１０３後のウエーハ１の裏面４に外径がウエーハ１よりも大径な図１０に示すテープ１６を貼着する。このとき、テープ貼り付けステップ１０４では、分断されたウエーハＩＤ１０が形成された内周部７２及び環状部７１は、ウエーハ１のデバイス領域６とともにテープ１６に貼り付けられる。また、実施形態１において、テープ貼り付けステップ１０４では、図１１に示すように、テープ１６の外縁部に内径がウエーハ１の外径よりも大径な環状フレーム１７を装着して、ウエーハ１を環状フレーム１７の内側の開口内にテープ１６により支持する。

なお、実施形態１において、テープ貼り付けステップ１０４では、ウエーハ１の裏面４に沿って移動しながらテープ１６上を転動するローラで、テープ１６をウエーハ１の裏面４に押し付けて、テープ１６をウエーハ１の裏面４に貼着している。しがしながら、本発明では、内部が減圧される真空チャンバ内にウエーハ１とテープ１６とを収容し、真空チャンバ内のテープ１６により仕切られた空間同士の気圧差によりテープ１６をウエーハ１の裏面４に貼着する真空マウントによりテープ１６をウエーハ１に貼着しても良い。

（デバイスチップ製造ステップ）
図１２は、図３に示されたウエーハの加工方法のデバイスチップ製造ステップを模式的に示す斜視図である。なお、図１２は、テープ１６及び環状フレーム１７を省略している。デバイスチップ製造ステップ１０５は、テープ貼り付けステップ１０４の後、ウエーハ１の表面３側から分割予定ライン８に沿って加工を施すことでウエーハ１を分割してデバイスチップ１３を製造するステップである。

デバイスチップ製造ステップ１０５では、ウエーハ１の表面３から表面保護テープ１５を剥離し、切削装置４０が、チャックテーブル４１の保持面４２にテープ１６を介してウエーハ１の裏面４を吸引保持し、撮像ユニットでウエーハ１を撮像して、分割予定ライン８と切削ブレードとの位置合わせを行うアライメントを遂行する。

デバイスチップ製造ステップ１０５では、切削装置４０は、図１２に示すように、チャックテーブル４１とスピンドルにより軸心回りに回転する切削ブレード４３とを分割予定ライン８に沿って相対的に移動させながら切削ブレード４３をテープ１６に到達するまでウエーハ１の分割予定ライン８に切り込ませる。

このように、実施形態１において、デバイスチップ製造ステップ１０５では、切削装置４０は、ウエーハ１の分割予定ライン８に切削ブレード４３を切り込ませる切削加工を施して、ウエーハ１を個々のデバイスチップ１３に分割する。デバイスチップ製造ステップ１０５では、ウエーハ１の全ての分割予定ライン８に切削ブレード４３を切り込ませて、デバイスチップ１３を製造すると、実施形態１に係るウエーハの加工方法を終了する。

以上説明した実施形態１に係るウエーハの加工方法は、環状除去ステップ１０１及び分断加工ステップ１０２において、デバイス領域６から外周余剰領域７の環状部７１及び内周部７２を除去するための改質層１４を形成する加工を施す。実施形態１に係るウエーハの加工方法は、環状除去ステップ１０１及び分断加工ステップ１０２の後、研削ステップ１０３において、ウエーハ１の裏面４を研削するので、ウエーハ１が改質層１４を起点に破断して、ウエーハ１を、デバイス領域６と外周余剰領域７とに分断することができるので、研削ステップ１０３においてウエーハ１に生じるチッピングを抑制することができる。

その結果、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、外周縁の面取り部５よりも内側にデバイス領域６と比較して厚み７５が薄い外周余剰領域７が存在するウエーハ１に対してチッピングを生じさせることなく研削することができるという効果を奏する。

また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、裏面４を研削する際に、チャックテーブル３１の保持面３２から離間する厚み７５が薄い外周余剰領域７が予め分断されるための加工がウエーハ１に施されているため、研削の進行に伴って厚みが薄い外周余剰領域７がチャックテーブル３１側の吸引圧に負けて折れたとしても、クラックがデバイス領域６に伸展することを抑制でき、チッピングを抑制することが可能となる。

また、実施形態１に係るウエーハの加工方法は、テープ貼り付けステップ１０４によってウエーハＩＤ１０が形成された内周部７２もテープ１６に転写されているため、ウエーハ１を加工しているかの履歴をトレースすることが可能である。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、環状除去ステップ１０１及び分断加工ステップ１０２において、ウエーハ１の表面３側から切削ブレードを切り込ませる切削加工又はウエーハ１に対して吸収性を有する波長のレーザービームをウエーハ１の表面３側に照射して、改質層１４の代わりにウエーハ１の表面３に加工溝を形成しても良い。

１ ウエーハ
３ 表面
４ 裏面
６ デバイス領域
７ 外周余剰領域
８ 分割予定ライン
９ デバイス
１０ ウエーハＩＤ
１２ 仕上がり厚み
１３ デバイスチップ
１４ 改質層
１６ テープ
２３ レーザービーム
７１ 環状部（外周部）
７２ 内周部（除去できない外周余剰領域）
７５ 厚み
１０１ 環状除去ステップ
１０２ 分断加工ステップ
１０３ 研削ステップ
１０４ テープ貼り付けステップ
１０５ デバイスチップ製造ステップ

Claims (3)

1. 表面に設定された複数の交差する分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞し該デバイス領域より厚みが薄い外周余剰領域と、を有し、外周縁が円弧状に面取りされているウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
   該ウエーハの外周縁より所定距離内側の位置で該外周縁に沿って環状に加工を施し、ウエーハの外周部を環状に除去する環状除去ステップと、
   ウエーハに設定された該分割予定ラインのうち最も外周縁に近い位置にある分割予定ラインに対して、該環状除去ステップで除去できない外周余剰領域と、該デバイス領域と、を分断するための加工を施す分断加工ステップと、
   該環状除去ステップおよび該分断加工ステップが実施された後、該ウエーハの裏面側を研削して所定の仕上がり厚みに形成する研削ステップと、
   該研削ステップの後、研削された該ウエーハの裏面側にテープを貼り付けるテープ貼り付けステップと、
   を含み、
   該環状除去ステップで除去できない外周余剰領域にはウエーハＩＤが形成されており、
   該テープ貼り付けステップでは、分断された該ウエーハＩＤが該ウエーハとともにテープに貼り付けられることを特徴とするウエーハの加工方法。
2. 該環状除去ステップおよび該分断加工ステップは、
   該ウエーハの裏面側から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射することで、
   ウエーハの内部に改質層を形成することを特徴とする、請求項１に記載のウエーハの加工方法。
3. 該テープ貼り付けステップの後、該ウエーハの表面側から該分割予定ラインに沿って加工を施すことで該ウエーハを分割してデバイスチップを製造するデバイスチップ製造ステップを更に含むことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のウエーハの加工方法。