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JP7757795B2 - Electronic display device and manufacturing method thereof - Google Patents
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JP7757795B2 - Electronic display device and manufacturing method thereof - Google Patents

Electronic display device and manufacturing method thereof

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JP7757795B2 JP2021559580A JP2021559580A JP7757795B2 JP 7757795 B2 JP7757795 B2 JP 7757795B2 JP 2021559580 A JP2021559580 A JP 2021559580A JP 2021559580 A JP2021559580 A JP 2021559580A JP 7757795 B2 JP7757795 B2 JP 7757795B2
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Description

本発明は狭額縁な電子表示装置およびその製造方法に関し、特に表示パネルの裏面にドライバーICを搭載するタイプの電子表示装置に関する。以下電子表示装置を単に表示装置と記す場合もある。 The present invention relates to a narrow-frame electronic display device and a manufacturing method thereof, and in particular to an electronic display device of the type that mounts a driver IC on the back surface of the display panel. Hereinafter, the electronic display device may also be referred to simply as the display device.

液晶表示装置、あるはOLED、マイクロLEDのような自発光表示装置、電気泳動ディスプレイに代表される反射型表示装置の大画面化は留まるところを知らない。一方でこれら表示装置の製造には大面積微細加工技術と高度なクリーン環境が必要とされ、製造工場の建設には莫大な費用が必要となる。表示画素中に、たった一個の欠点画素があっても製品としては致命的な欠陥となるため表示装置は大画面化が進むほど収率が低下する。仮に欠点画素の発生頻度が1個/1平方m、であったとしても、画面寸法が1平方mの電子表示デバイスであれば確率的にほとんどの製品が不良品となってしまう。一方、仮に製品寸法が10cm四方、すなわち100平方cmであれば、確率的に100製品中の不良品は1台のみとなり99個の合格品を得ることができる。 The screen sizes of LCDs, self-emissive displays such as OLEDs and microLEDs, and reflective displays such as electrophoretic displays are constantly increasing. However, manufacturing these displays requires large-area microfabrication technology and highly clean environments, and building manufacturing plants is extremely expensive. Even a single defective pixel can be fatal to a product, so the larger the screen size of a display device, the lower the yield. Even if the frequency of defective pixels is one pixel per square meter, for an electronic display device with a screen size of one square meter, most products will likely be defective. On the other hand, if the product size is 10 cm square, or 100 cm square, then there will likely only be one defective product out of 100, resulting in 99 acceptable products.

かかる背景から、大面積の電子表示装置を、中小寸法の電子表示装置をタイリングして実現する試みが行われている。タイリングにおいて重視されるのは各電子表示装置の額縁の幅である。額縁が広いと、タイリングの継ぎ目が目立ってしまい、大面積化の趣がそがれてしまう。額縁の幅は、電子表示装置に実装される駆動回路など、周辺装置・部品の配置に依存する。
一般に、表示装置の駆動回路素子は(駆動用IC、以後ドライバーICまたはドライバー素子とも云う)はTAB、COFなどを用いて表示装置の周辺部に取り付けられる。折り曲げ可能なフィルム基材を用いているTAB、またはCOFを、電子表示装置のエッジ部分において折り曲げ、電子表示装置の側面ないし裏面に駆動回路を配置する形態が提案されている(特許文献1、特許文献2)。 最近では電子表示デバイス部を高分子フィルム上に形成し、端部で折り曲げて、周辺回路などを電子表示装置の裏側に配置し、電子表示装置をコンパクトにする形態が提案されている(特許文献3、特許文献4)。
Given this background, attempts are being made to realize large-area electronic display devices by tiling small and medium-sized electronic display devices. The width of the frame of each electronic display device is important in tiling. If the frame is too wide, the tiling joints become noticeable, which diminishes the appeal of the large display area. The width of the frame depends on the layout of peripheral devices and components, such as the driver circuits, mounted on the electronic display device.
Typically, the drive circuit elements of a display device (driver ICs, hereinafter also referred to as driver ICs or driver elements) are attached to the periphery of the display device using TAB, COF, or the like. One proposed configuration involves folding TAB or COF, which uses a bendable film substrate, at the edge of the electronic display device, and arranging the drive circuitry on the side or back of the electronic display device (Patent Documents 1 and 2). More recently, another proposed configuration involves forming the electronic display device on a polymer film, folding it at the edge, and arranging the peripheral circuitry on the back of the electronic display device, thereby making the electronic display device more compact (Patent Documents 3 and 4).

特許2987903号公報Patent No. 2987903 特開平10-148839号公報Japanese Patent Application Publication No. 10-148839 米国特許出願公開第2018/0090702号明細書US Patent Application Publication No. 2018/0090702 国際公開第2020/065910号International Publication No. 2020/065910

TABまたはCOFを用いたドライバー実装においては、電子表示デバイスとの電気的接続のため、表示装置に形成した電極と、TABまたはCOFの端子部分とをACF(異方性導電膜)を用いて接続することが一般的である。すなわち電子表示装置の表示部の周辺部分にTABまたはCOFとの接続を行うための電極を配置する必要があるため、額縁幅を電極幅より狭くすることはできない。
一方、電子表示装置の表示部をフィルム基材上に作製し、端部を折り曲げて裏に回す方法では、ドライバー素子を実装した後に、電子表示デバイス全体の変形を伴う加工を行う必要があり、ドライバー素子の破損、あるいはドライバー素子と電子表示デバイスとの接続部の破損などのおそれがある。またフィルム基材の電子表示デバイスの変形を伴う加工を行った後にドライバーICの実装を行うためには、ドライバー素子実装時の圧力、加熱、超音波振動などが、フィルム基材を通して電子表示デバイスのバックプレーン側に伝わり、特に繊細な部分である電子表示デバイスのTFTを破壊するおそれがある。
In driver mounting using TAB or COF, it is common to use an ACF (anisotropic conductive film) to connect electrodes formed on the display device to the terminals of the TAB or COF for electrical connection with the electronic display device. In other words, since it is necessary to arrange electrodes for connection with the TAB or COF around the periphery of the display section of the electronic display device, the frame width cannot be narrower than the electrode width.
On the other hand, in a method in which the display unit of an electronic display device is fabricated on a film substrate and the edges are folded over to the back, after the driver elements are mounted, processing that deforms the entire electronic display device is required, which may result in damage to the driver elements or damage to the connection between the driver elements and the electronic display device, etc. Furthermore, in order to mount the driver IC after processing that deforms the electronic display device on the film substrate, pressure, heat, ultrasonic vibrations, etc., that occur during driver element mounting are transmitted through the film substrate to the backplane side of the electronic display device, which may destroy the TFTs of the electronic display device, which are particularly delicate parts.

本発明者らはかかる課題を解決するために、鋭意研究を続けた結果、既存の電子表示デバイス製造設備を利用して製造可能であり、かつ狭額縁であり、駆動回路の実装についても高い良品率を得ることができる電子表示デバイスの構造およびその製造方法を見出し、本発明に到達した。 The inventors conducted extensive research to solve these problems, and as a result, they discovered an electronic display device structure and manufacturing method that can be manufactured using existing electronic display device manufacturing equipment, has a narrow frame, and can achieve a high yield rate in terms of driver circuit implementation, thereby arriving at the present invention.

すなわち本発明は以下の構成からなる。
[1] 基板、
前記基板を挟むように折り曲げられ、前記基板の第一の面と第二の面の両方に接着された高分子フィルム、
前記基板の第一の面に接着された側の高分子フィルム表面に形成された電子表示デバイス、
前記基板の第二の面に接着された側の高分子フィルム表面に実装された電子表示デバイスの駆動回路素子、
前記高分子フィルム表面に形成され、前記電子表示デバイスと駆動回路素子を電気的に接続する配線、
を含み、
前記電子表示装置の外形寸法Loと、電子表示デバイスの表示部の外形Ldとが以下の関係にあることを特徴とする電子表示装置。
Lo<(1/2)×(Ld+5×Lpx)
ここに、
Lo:電子表示装置の外形寸法
Ld:電子表示デバイスの表示部の外形寸法
Lpx:電子表示デバイスの画素寸法
である。
[2] 基板、
前記基板を挟むように折り曲げられ、前記基板の第一の面と第二の面の両方に接着された軟化温度が150℃以上380℃以下である高分子フィルム、
前記高分子フィルムの、前記基板との接着面とは反対側の面に形成され、前記基板の第一の面側から第二の面側まで達する配線、
前記高分子フィルムの、前記基板との接着面とは反対側の面に形成された電子表示デバイス、
を含むことを特徴とする電子表示装置。
[3] 前記高分子フィルムの弾性率が3GPa以上であり、破断伸度が3%以上であることを特徴とする前記[1]または[2]に記載の電子表示装置。
[4] 前記高分子フィルムの厚さが3μm以上75μm以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする[1]~[3]のいずれかに記載の電子表示装置。
[5] 前記高分子フィルムが、全光線透過率85%以上、イエローインデックスが5以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする[1]~[4]のいずれかに記載の電子表示装置。
[6] 前記高分子フィルムと前記基板の第一の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする[1]~[5]のいずれかに記載の電子表示装置。
[7] 前記高分子フィルムと前記基板の第二の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする[1]~[6]のいずれかに記載の電子表示装置。
[8] 前記高分子フィルムと前記基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする[1]~[7]のいずれかに記載の電子表示装置。
[9] 前記高分子フィルムの前記基板の側面に対向する部分の一部または全部が薄肉化されていることを特徴とする[1]~[8]のいずれかに記載の電子表示装置。
[10] 前記高分子フィルムの前記基板の側面に対向する部分の一部が取り除かれていることを特徴とする[1]~[9]のいずれかに記載の電子表示装置。
[11] 前記電子表示デバイスの駆動用ICが前記基板の第二の面側に実装されていることを特徴とする[1]~[10]のいずれかに記載の電子表示装置。
[12] (a)基板と、少なくとも前記基板の片面に接着された高分子フィルムを有する積層体を準備する工程、
(b)前記高分子フィルム上に、電子表示デバイスと配線を形成する工程、
(c)前記電子表示デバイスが形成されている領域の外側にあたる前記基板を除去し、前記基板と接着されている表示領域と、前記基板が取り除かれた配線領域とに分画する工程、
(d)前記表示領域と前記配線領域の境界近傍を、前記高分子フィルムの軟化点以上に加熱し、前記配線領域を前記基板側面に沿って折曲げる工程、
(e)さらに前記配線領域を前記基板側面から裏面(第二の面)に向けて折曲げる工程を少なくとも有する[1]~[11]のいずれかに記載の電子表示装置の製造方法。
[13] 前記加熱手段が、光照射であることを特徴とする[12]に記載の電子表示装置の製造方法。
[14] 前記加熱手段が、加熱された物体の直接接触であることを特徴とする[12]に記載の電子表示装置の製造方法。
[15] 前記加熱手段が、電磁誘導加熱であることを特徴とする[12]に記載の電子表示装置の製造方法。
That is, the present invention has the following configuration.
[1] a substrate,
a polymer film folded so as to sandwich the substrate and adhered to both the first surface and the second surface of the substrate;
an electronic display device formed on the surface of the polymer film attached to the first surface of the substrate;
a driving circuit element for an electronic display device mounted on the surface of the polymer film attached to the second surface of the substrate;
Wiring formed on the surface of the polymer film to electrically connect the electronic display device and a driving circuit element;
Including,
An electronic display device, wherein the outer dimension Lo of the electronic display device and the outer dimension Ld of the display unit of the electronic display device satisfy the following relationship:
Lo<(1/2)×(Ld+5×Lpx)
Here,
Lo: outer dimensions of the electronic display device; Ld: outer dimensions of the display section of the electronic display device; Lpx: pixel size of the electronic display device.
[2] a substrate,
a polymer film having a softening temperature of 150°C or higher and 380°C or lower, which is folded so as to sandwich the substrate and is adhered to both the first surface and the second surface of the substrate;
a wiring formed on a surface of the polymer film opposite to the surface bonded to the substrate, the wiring extending from the first surface side to the second surface side of the substrate;
an electronic display device formed on the surface of the polymer film opposite to the surface bonded to the substrate;
1. An electronic display device comprising:
[3] The electronic display device according to [1] or [2], wherein the polymer film has an elastic modulus of 3 GPa or more and an elongation at break of 3% or more.
[4] The electronic display device according to any one of [1] to [3], wherein the polymer film is a polyimide film having a thickness of 3 μm or more and 75 μm or less.
[5] The electronic display device according to any one of [1] to [4], wherein the polymer film is a polyimide film having a total light transmittance of 85% or more and a yellow index of 5 or less.
[6] The electronic display device according to any one of [1] to [5], wherein the polymer film and the first surface of the substrate are bonded via a silane coupling agent condensate layer.
[7] The electronic display device according to any one of [1] to [6], wherein the polymer film and the second surface of the substrate are bonded via a silane coupling agent condensate layer.
[8] The electronic display device according to any one of [1] to [7], wherein the polymer film and the side surface of the substrate are bonded via a silane coupling agent condensate layer.
[9] The electronic display device according to any one of [1] to [8], wherein a part or all of the part of the polymer film facing the side surface of the substrate is thinned.
[10] The electronic display device according to any one of [1] to [9], wherein a part of the polymer film facing the side surface of the substrate is removed.
[11] The electronic display device according to any one of [1] to [10], wherein a driving IC for the electronic display device is mounted on the second surface side of the substrate.
[12] (a) preparing a laminate having a substrate and a polymer film adhered to at least one surface of the substrate;
(b) forming an electronic display device and wiring on the polymer film;
(c) removing the substrate outside the area where the electronic display device is formed, and dividing the area into a display area bonded to the substrate and a wiring area from which the substrate has been removed;
(d) heating the vicinity of the boundary between the display area and the wiring area to a temperature equal to or higher than the softening point of the polymer film, and bending the wiring area along the side surface of the substrate;
(e) The method for manufacturing an electronic display device according to any one of [1] to [11], further comprising at least a step of bending the wiring region from the side surface of the substrate toward the rear surface (second surface).
[13] The method for manufacturing an electronic display device according to [12], wherein the heating means is light irradiation.
[14] The method for manufacturing an electronic display device according to [12], wherein the heating means is direct contact of a heated object.
[15] The method for manufacturing an electronic display device according to [12], wherein the heating means is electromagnetic induction heating.

本発明では、さらに以下の構成を含むことが好ましい。
[16] 前記高分子フィルムが、基板の第一の面から側面に向けて折り曲げられている角の曲率半径が高分子フィルムの厚さと配線厚さの合計の3倍以下であることを特徴とする[1]~[11]のいずれかに記載の電子表示装置。
[17] 前記高分子フィルムが、基板の側面に平行する長さLpが、基板厚さTsの30%以上であることを特徴とする[1]~[11]のいずれかに記載の電子表示装置。
The present invention preferably further includes the following configuration.
[16] The electronic display device according to any one of [1] to [11], wherein the radius of curvature of the corner where the polymer film is bent from the first surface of the substrate toward the side surface is three times or less the sum of the thickness of the polymer film and the thickness of the wiring.
[17] The electronic display device according to any one of [1] to [11], wherein the length Lp of the polymer film parallel to the side surface of the substrate is 30% or more of the thickness Ts of the substrate.

本発明ではさらに以下の構成を含むことが好ましい。
[18] 前記配線の厚さが3μm以下であることを特徴とする[1]~[11]のいずれかに記載の電子表示装置。
[19] 前記配線がナノメタル粒子の焼結体であることを特徴とする[1]~[11]のいずれかに記載の電子表示装置。
[20] 前記配線が金属粒子と熱可塑性樹脂バインダーを含むことを特徴とする[1]~[11]のいずれかに記載の電子表示装置。
[21] 前記積層体が、高分子フィルムと基板がシランカップリング剤縮合物層を介して接着されている積層体であることを特徴とする[12]~[15]のいずれかに記載の電子表示装置の製造方法。
[22] 前記積層体が、高分子フィルムと基板が接着剤により接着されている積層体であることを特徴とする[12]~[15]のいずれかに記載の電子表示装置の製造方法。
[23] 前記積層体が、高分子溶液を基板に塗布し、乾燥して得られる積層体であることを特徴とする[12]~[15]のいずれかに記載の電子表示装置の製造方法。
[24] 前記積層体が、高分子前駆体溶液を基板に塗布し、乾燥および化学反応を経て得られる積層体であることを特徴とする[12]~[15]のいずれかに記載の電子表示装置の製造方法。
[25] 前記積層体が、高分子フィルムを基板に熱圧着することにより得られる積層体であることを特徴とする[12]~[15]のいずれかに記載の電子表示装置の製造方法。
The present invention preferably further includes the following configuration.
[18] The electronic display device according to any one of [1] to [11], wherein the thickness of the wiring is 3 μm or less.
[19] The electronic display device according to any one of [1] to [11], wherein the wiring is a sintered body of nanometal particles.
[20] The electronic display device according to any one of [1] to [11], wherein the wiring contains metal particles and a thermoplastic resin binder.
[21] The method for manufacturing an electronic display device according to any one of [12] to [15], wherein the laminate is a laminate in which a polymer film and a substrate are bonded via a silane coupling agent condensate layer.
[22] The method for manufacturing an electronic display device according to any one of [12] to [15], wherein the laminate is a laminate in which a polymer film and a substrate are bonded with an adhesive.
[23] The method for manufacturing an electronic display device according to any one of [12] to [15], wherein the laminate is obtained by applying a polymer solution to a substrate and drying the applied solution.
[24] The method for manufacturing an electronic display device according to any one of [12] to [15], wherein the laminate is obtained by applying a polymer precursor solution to a substrate, drying it, and undergoing a chemical reaction.
[25] The method for manufacturing an electronic display device according to any one of [12] to [15], wherein the laminate is obtained by thermocompression bonding a polymer film to a substrate.

本発明の第1の実施形態によれば、電子表示装置において、表示部である電子表示デバイスは、基板を挟むように折り曲げられ、前記基板の第一の面と第二の面の両方に接着された高分子フィルム上に形成されており、該高分子フィルムは基板に接着されており、電子表示デバイスの表示部分の外形は基板外形と概略等しい。高分子フィルム上には電子表示デバイスの駆動信号を伝達する配線が形成されており、配線は高分子フィルムごと基板の側面に沿う形で折り曲げられ、基板の裏側(第二の面)に接着され、駆動するための駆動回路素子(以下、ドライバーICともいう。)は基板の裏側にて配線と接合される。
このような表示装置の構造は、表示装置の額縁幅を狭くする目的で古くから知られているが、従来の表示装置では基板の表面(第一の面)から裏側(第二の面)に折り曲げられるフィルムは TABないしCOFの基材フィルムであって、電子表示デバイスそのものの基板とは別であった。
本発明では、電子表示デバイスの表示部分と、電子表示デバイス周辺に配置される引き出し配線が共通の高分子フィルム基板上に形成されることになる。そのため、TABまたはCOFのように接続に要する端子部分が存在しない。したがって、引き出し配線が表示部分から引き出される根本近傍で引き出し配線を折り曲げることができるため、電子表示装置の額縁を狭くすることが可能となる。
さらに本発明では、好ましくは所定の物性の高分子フィルムを用いることにより、鋭角に近い角度で、配線と電子表示デバイス部にダメージを与えることなく、フィルムの折り曲げが可能となる。その結果、基板の端部から高分子フィルムが外側にはみ出すオーバーハング部分の長さLov(1/2×「電子表示外形寸法Lo」-「基板外形寸法Ld」を小さくできるため、さらなる狭額縁化が可能となる。
According to a first embodiment of the present invention, in an electronic display device, an electronic display device serving as a display unit is formed on a polymer film that is folded so as to sandwich a substrate and is adhered to both a first surface and a second surface of the substrate, the polymer film being adhered to the substrate, and the outer shape of the display portion of the electronic display device is approximately the same as the outer shape of the substrate. Wiring for transmitting drive signals for the electronic display device is formed on the polymer film, and the wiring together with the polymer film is folded along the side of the substrate and adhered to the back side (second surface) of the substrate, and a drive circuit element (hereinafter also referred to as a driver IC) for driving the electronic display device is connected to the wiring on the back side of the substrate.
This type of display device structure has long been known for the purpose of narrowing the frame width of a display device, but in conventional display devices, the film that is folded from the front side (first surface) of the substrate to the back side (second surface) is a TAB or COF base film, which is separate from the substrate of the electronic display device itself.
In this invention, the display area of the electronic display device and the lead-out wiring around the electronic display device are formed on a common polymer film substrate. Therefore, there are no terminals required for connection, as in TAB or COF. Therefore, the lead-out wiring can be bent near the base where it leaves the display area, making it possible to narrow the frame of the electronic display device.
Furthermore, in the present invention, by using a polymer film with a predetermined physical property, it is possible to fold the film at an angle close to an acute angle without damaging the wiring and the electronic display device. As a result, the length Lov (1/2 × "external dimension of electronic display Lo" - "external dimension of substrate Ld") of the overhanging portion of the polymer film extending outward from the edge of the substrate can be reduced, thereby enabling an even narrower frame.

本発明の第2の実施形態によれば、本発明の電子表示装置の構造は、TABないしCOFと電子表示デバイス部を接続するための電極領域が不要であるため、電子表示デバイスの表示部の極近傍から配線を取り出すことが可能となる。かつ、配線を支える高分子フィルムが加熱により軟化するために、取り出された配線を表示部の極近傍ないしは表示部化のほぼ側面から直接配線を折り曲げた場合でも変形によって生じる歪が高分子フィルムの軟化によって吸収されるため、配線にダメージを与えることが少なく、配線の厚さを非常に薄くすることが可能となり、好ましくは3μm以下の厚さの配線とすることができる。また、配線に与えるストレスを低減できるため、配線として比較的変形しにくい金属皮膜を用いることができる。例えばナノサイズの金属粒子を用いたインクジェット印刷、反転印刷、マイクロコンタクト印刷などのプリンテッドエレクトロニクス技術による配線を適用することが可能となる。これらプリンテッドエレクトロニクス技術では、配線が金属微粒子の低温焼結体として得られるため、バルク金属層で構成される配線よりも脆くなりがちであり、折り曲げなどを伴う用途には不向きであるが、本発明と組み合わせることによりこれらの新しい配線形成技術と組み合わせることが可能となる。
また本発明では、金属粒子と熱可塑性樹脂バインダーを含む導電ペーストの印刷により得られる配線を用いることができる。このような組成の導電ペーストを用いた配線は、バインダー樹脂が熱可塑性を有するために、本発明の軟化温度を有する高分子フィルムとともに熱変形させることが可能であり、使用時には軟化温度以下の環境であるために配線がしっかりと固定化されるため、振動などにより配線が破損することが防止される。
結果として、実質的に電子表示装置の額縁幅を配線と高分子フィルムの厚さ程度にまで狭くすることができ、さらにドライバーICを基板の裏側に実装することが可能となるため、さらに省スペース化を進めることができる。
According to the second embodiment of the present invention, the structure of the electronic display device of the present invention does not require an electrode region for connecting the TAB or COF to the electronic display device, allowing wiring to be routed from very close to the display device. Furthermore, because the polymer film supporting the wiring softens upon heating, even when the routed wiring is directly bent close to the display device or almost to the side of the display device, the softened polymer film absorbs the strain caused by deformation, minimizing damage to the wiring and allowing the wiring to be made very thin, preferably 3 μm or less. Furthermore, since stress on the wiring can be reduced, metal films that are relatively resistant to deformation can be used as wiring. For example, wiring can be applied using printed electronics technologies such as inkjet printing, reverse printing, and microcontact printing using nano-sized metal particles. These printed electronics technologies produce wiring as low-temperature sintered bodies of metal particles, which tend to be more fragile than wiring composed of bulk metal layers and are therefore unsuitable for applications involving bending. However, by combining the present invention with these new wiring formation technologies, these technologies can be combined.
In addition, the present invention can use wiring obtained by printing a conductive paste containing metal particles and a thermoplastic resin binder. Wiring using a conductive paste with such a composition can be thermally deformed together with the polymer film having a softening temperature of the present invention because the binder resin has thermoplasticity. During use, the wiring is firmly fixed in an environment below the softening temperature, preventing damage to the wiring due to vibration, etc.
As a result, the frame width of the electronic display device can be narrowed to the thickness of the wiring and polymer film, and the driver IC can be mounted on the back side of the substrate, further reducing space.

本発明では好ましくは高分子フィルムの一部または全部がシランカップリング剤の縮合物を介して基板に接着されている。シランカップリング剤縮合物層の存在はシランカップリング剤処理の結果である。かかるシランカップリング剤縮合物層の厚さは極めて薄く、基板、高分子フィルムの厚さに比較した場合には事実上無視できるレベルである。そのため、高分子フィルム層の平面性は、ほぼ基板に支配されるため極めて平滑な表面を得ることができる。これは大面積で高精細加工が必要な電子表示デバイスの形成においては必要不可欠な特性である。高分子フィルムを支持体(基板)なしで用いたり、あるいは数μm~数十μmの厚さを持つ一般的な接着剤、または粘着剤により高分子フィルムを基板に接着した場合には、高分子フィルムを折り曲げた際、高分子フィルム表面にウネリが生じ、きわめて精細な露光操作が必要な微細加工においては、このうねりの存在が致命傷となる場合がある。In the present invention, a portion or all of the polymer film is preferably adhered to the substrate via a silane coupling agent condensate. The presence of the silane coupling agent condensate layer is the result of silane coupling agent treatment. The thickness of this silane coupling agent condensate layer is extremely thin, practically negligible compared to the thickness of the substrate and polymer film. As a result, the flatness of the polymer film layer is almost entirely controlled by the substrate, resulting in an extremely smooth surface. This is an essential characteristic for the formation of electronic display devices, which require large-area, high-precision processing. When a polymer film is used without a support (substrate) or is adhered to a substrate with a common adhesive or pressure-sensitive adhesive several micrometers to several tens of micrometers thick, undulations occur on the polymer film surface when the polymer film is folded. This undulation can be fatal in microfabrication, which requires extremely precise exposure operations.

シランカップリング剤縮合物層の耐熱性は、一般的な有機物からなる接着剤に比較して高く、電子表示デバイスを形成するための諸工程、より具体的にはアモルファスシリコン薄膜、ポリシリコン薄膜、酸化物半導体薄膜、化合物半導体膜などの形成工程での高温環境に十分耐えることができる。さらに、露光、現像、エッチング、レジスト剥離などの加工プロセスに用いられる薬液、溶剤、あるいはプラズマ加工などに十分耐えることができる。そのため、本発明の電子表示装置は、基板にシランカップリング剤縮合物層を介して高分子フィルムを積層して得られた積層体の高分子フィルム上にて直接的に電子表示デバイスに必要な加工を実施することが可能である。この加工方法によれば、フレキシブルなフィルムを、あたかも一枚の基板と見なして、従来型電子表示デバイスの製造装置を用いて実施することが可能である。
なお、本発明は、基板上に高分子の前駆体(代表的な例としてはポリイミドの前駆体であるポリアミド酸)溶液を塗布し、乾燥硬化して基板上で高分子フィルムを形成するプロセスについても、精緻な厚さ制御を行えば適用が可能となる。
The heat resistance of the silane coupling agent condensate layer is higher than that of typical organic adhesives, and it can withstand high temperatures during various processes for forming electronic display devices, specifically processes for forming amorphous silicon thin films, polysilicon thin films, oxide semiconductor thin films, and compound semiconductor films. Furthermore, it can withstand chemicals, solvents, and plasma processing used in processing processes such as exposure, development, etching, and resist stripping. Therefore, the electronic display device of the present invention can be processed directly on the polymer film of the laminate obtained by laminating a polymer film on a substrate via a silane coupling agent condensate layer. This processing method can be performed using conventional electronic display device manufacturing equipment, treating the flexible film as if it were a single substrate.
The present invention can also be applied to a process in which a solution of a polymer precursor (a typical example is polyamic acid, a precursor of polyimide) is applied to a substrate, and then dried and cured to form a polymer film on the substrate, provided that precise thickness control is performed.

さらに、本発明では、電子表示デバイスの基板である高分子フィルムを好ましくはガラスなどの無機基板で支持しているため、電子表示デバイスの平面性が保たれる。さらに電子表示デバイス周辺から折り曲げて基板の裏に回した引き出し配線部分を、基材である高分子フィルムごと、基板の裏面に接着することができる。高分子フィルムは硬い基板に支持されているため、ドライバーICを接着後の高分子フィルム上の端子に直接的にボンディング可能となる。高分子フィルムに支持体(基板)が無い場合、あるいは支持体の剛性が低い場合にはボンディング精度が低下することが多い。一方、本発明の電子表示装置では、高いボンディング精度を得ることが可能となる。もちろん、この効果はガラスに匹敵する平面性と高い圧縮弾性率を有する基板を用いれば、無機基板に限定されるわけでは無い。 Furthermore, in this invention, the polymer film, which serves as the substrate for the electronic display device, is supported by an inorganic substrate, preferably glass, thereby maintaining the flatness of the electronic display device. Furthermore, the lead-out wiring portion, which is folded from the periphery of the electronic display device and routed to the back of the substrate, can be adhered to the back of the substrate along with the base polymer film. Because the polymer film is supported by a rigid substrate, the driver IC can be directly bonded to the terminals on the polymer film after adhesion. Bonding accuracy often decreases when the polymer film does not have a support (substrate) or when the support has low rigidity. On the other hand, the electronic display device of this invention can achieve high bonding accuracy. Of course, this effect is not limited to inorganic substrates, as long as a substrate with flatness comparable to that of glass and a high compressive modulus is used.

図1(A)は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図1(A)の態様では、基板の、第一の面と第二の面の両方に、シランカップリング剤層を介して高分子フィルムが接着されている。Fig. 1A is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 1A, polymer films are bonded to both the first and second surfaces of a substrate via silane coupling agent layers. 図1(B)は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図1(B)の態様では、基板の、第一の面と第二の面の両方に、シランカップリング剤層を介して高分子フィルムが接着されている。Fig. 1(B) is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 1(B), polymer films are bonded to both the first surface and the second surface of the substrate via a silane coupling agent layer. 図2(A)は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図2(A)の態様では、基板の第一の面と高分子フィルムがシランカップリング剤層を介して接着されており、第二の面と高分子フィルムは接着剤によって接着されている。Fig. 2(A) is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 2(A), the first surface of the substrate and the polymer film are bonded via a silane coupling agent layer, and the second surface of the substrate and the polymer film are bonded with an adhesive. 図2(B)は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図2(B)の態様では、基板の第一の面と高分子フィルムがシランカップリング剤層を介して接着されており、第二の面と高分子フィルムは接着剤によって接着されている。Fig. 2(B) is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 2(B), the first surface of the substrate and the polymer film are bonded via a silane coupling agent layer, and the second surface of the substrate and the polymer film are bonded with an adhesive. 図3(A)は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図3(A)の態様では、基板の第一の面と高分子フィルムが接着剤で接着されており、第二の面と高分子フィルムがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されている。Fig. 3(A) is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 3(A), the first surface of the substrate and the polymer film are bonded with an adhesive, and the second surface of the substrate and the polymer film are bonded via a silane coupling agent condensate layer. 図3(B)は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図3(B)の態様では、基板の第一の面と高分子フィルムが接着剤で接着されており、第二の面と高分子フィルムがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されている。Fig. 3(B) is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 3(B), the first surface of the substrate and the polymer film are bonded with an adhesive, and the second surface of the substrate and the polymer film are bonded via a silane coupling agent condensate layer. 図4は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図4の態様では、基板の第一の面と第二の面、さらに基板の側面と高分子フィルムがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されている。Fig. 4 is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 4, the first and second surfaces of the substrate, and further the side surfaces of the substrate and the polymer film are bonded via a silane coupling agent condensate layer. 図5は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図5の態様では、基板の第一の面と第二の面の両方に、シランカップリング剤層を介して高分子フィルムが接着されている。基板の側面に位置する部分の高分子フィルムは薄肉化されている。Fig. 5 is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention. In the embodiment of Fig. 5, polymer films are bonded to both the first and second surfaces of the substrate via silane coupling agent layers. The polymer films at the side surfaces of the substrate are thinned. 図6は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図6の態様では、電子表示デバイスの表示部が基板サイズより大きい場合を示している。6 is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention, in which the display portion of the electronic display device is larger than the substrate size. 図7は本発明の電子表示装置の、ひとつの態様の断面構成を示す概略模式図である。図7の態様では、基板の側面にギャップが存在する。7 is a schematic diagram showing the cross-sectional structure of one embodiment of the electronic display device of the present invention, in which a gap exists on the side surface of the substrate. 図8は、フィルムラミネート法を用いた場合の本発明の電子表示装置の製造工程の一例の前半を説明する図である。FIG. 8 is a diagram illustrating the first half of an example of the manufacturing process of the electronic display device of the present invention when a film lamination method is used. 図9(A)は、フィルムラミネート法を用いた場合の本発明の電子表示装置の製造工程の一例の後半を説明する図である。FIG. 9A is a diagram illustrating the latter half of an example of the manufacturing process of the electronic display device of the present invention when a film lamination method is used. 図9(B)は、フィルムラミネート法を用いた場合の本発明の電子表示装置の製造工程の一例の後半を説明する図である。FIG. 9B is a diagram illustrating the latter half of an example of the manufacturing process of the electronic display device of the present invention when a film lamination method is used. 図10はワニス法を用いた場合の本発明の電子表示装置の製造工程の一例の前半を説明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating the first half of an example of the manufacturing process of the electronic display device of the present invention when the varnish method is used. 図11(A)は、ワニス法を用いた場合の本発明の電子表示装置の製造工程の一例の後半を説明する図である。FIG. 11A is a diagram illustrating the latter half of an example of the manufacturing process of the electronic display device of the present invention when the varnish method is used. 図11(B)は、ワニス法を用いた場合の本発明の電子表示装置の製造工程の一例の後半を説明する図である。FIG. 11B is a diagram illustrating the latter half of an example of the manufacturing process of the electronic display device of the present invention when the varnish method is used. 図12は、従来から用いられているTABを用いてドライバーICを実装する場合を示す模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing a case where a driver IC is mounted using a conventional TAB. 図13(A)は、本発明の電子表示デバイスの側面部の詳細を示す模式図である。なおシランカップリング剤層、接着剤層、ドライバーICは省略されている。13A is a schematic diagram showing the details of the side surface of the electronic display device of the present invention, with the silane coupling agent layer, adhesive layer, and driver IC omitted. 図13(B)は、本発明の電子表示デバイスの側面部の詳細を示す模式図である。なおシランカップリング剤層、接着剤層、ドライバーICは省略されている。13B is a schematic diagram showing the details of the side surface of the electronic display device of the present invention, with the silane coupling agent layer, adhesive layer, and driver IC omitted. 図14は、本発明の電子表示装置の側面部の詳細を示す模式図であって、ギャップ部分に樹脂を充填した場合の様子を示している。FIG. 14 is a schematic diagram showing the details of the side surface of the electronic display device of the present invention, showing the state when the gap portion is filled with resin. 図15は、本発明の電子表示装置の側面部の詳細を示す模式図であって、実質的にギャップが存在しない場合の様子を示している。FIG. 15 is a schematic diagram showing details of the side surface of the electronic display device of the present invention, showing the state in which there is substantially no gap. 図16は、本発明の電子表示装置の側面部の詳細を示す模式図であって、実質的にギャップが存在せず、さらに基板側面に位置する部分の高分子フィルムを除去し、配線をフライングリードとした場合を示している。FIG. 16 is a schematic diagram showing the details of the side portion of the electronic display device of the present invention, in which there is essentially no gap, and furthermore, the polymer film on the side of the substrate has been removed, and the wiring has been made into flying leads. 図17は、本発明の電子表示装置の側面部の詳細を示す模式図であって、実質的にギャップが存在せず、さらに基板側面に位置する部分の高分子フィルムを除去し、配線をフライングリードとした場合において、さらに電子表示デバイスの表示部分の寸法が、基板寸法より大きい場合を示している。FIG. 17 is a schematic diagram showing the details of the side portion of the electronic display device of the present invention, in which there is essentially no gap, the polymer film on the side of the substrate is removed, the wiring is made into flying leads, and the dimensions of the display portion of the electronic display device are larger than the dimensions of the substrate. 図18は、従来から用いられているTABを用いてドライバーICを実装する場合を示す模式図である。FIG. 18 is a schematic diagram showing a case where a driver IC is mounted using a conventional TAB. 図19は、従来から提案されている電子表示装置の一例における、側面部分の形態を示す模式図である。FIG. 19 is a schematic diagram showing the configuration of a side portion of an example of a conventionally proposed electronic display device. 図20は、従来から提案されている電子表示装置の一例における、側面部分の形態を示す模式図である。基板側面と高分子フィルムの間には大きなギャップが存在し、額縁の狭幅化を阻害している。Fig. 20 is a schematic diagram showing the shape of the side portion of an example of a conventionally proposed electronic display device. A large gap exists between the side surface of the substrate and the polymer film, which hinders narrowing of the frame width. 図21は、本発明の実施例において用いた模擬表示デバイスの配置図である。FIG. 21 is a layout diagram of a simulated display device used in an embodiment of the present invention.

以下、図を用いて本発明を詳細に説明する。図1(A)および図1(B)は本発明の電子表示装置の、代表的な態様の断面構成を示す概略模式図である。
基板15は、本発明の電子表示装置全体を支える重要な要素である。
基板としては高分子の板、高分子シートなどの有機基板、ガラス繊維補強樹脂基板、無機フィラー補強樹脂基板、炭素繊維補強樹脂基板などの複合材料基板、ガラス基板、金属基板、金属箔、シリコンウエハ、その他の半導体ウエハなどの無機基板を用いることができる。実用的には平面の基板を用いることができる。基板として、厚さが数10μm程度のフレキシブルガラスを用いることもできる。無機基板15の好ましい厚さとしては、20μm以上であり、より好ましくは45μm以上であり、さらに好ましくは300μm以上である。また、5mm以下であることが好ましく、より好ましくは1.2mm以下であり、さらに好ましくは0.7mm以下である。無機基板の厚さを上記範囲内とすることで、耐久性およびハンドリング性が良好となる。
ガラス基板としては、石英ガラス、高ケイ酸ガラス(96%シリカ)、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス(パイレックス(登録商標))、ホウケイ酸ガラス(無アルカリ)、ホウケイ酸ガラス(マイクロシート)、アルミノケイ酸塩ガラス等が含まれる。これらの中でも、線膨張係数が5ppm/℃以下のものが望ましく、市販品であれば、液晶用ガラスであるコーニング社製の「コーニング(登録商標)7059」や「コーニング(登録商標)1737」、「EAGLE」、旭硝子社製の「AN100」、日本電気硝子社製の「OA10」、SCHOTT社製の「AF32」などが望ましい。
またこれら無機基板、好ましくは基板の表面に、クロム、ニッケル、ニクロム、モリブデン、タングステンなどの金属や、金属酸化物、金属窒化物、窒化ケイ素、窒化アルミ、炭化ケイ素などの薄膜を形成した基板を用いても良い。
また表面に陽極酸化被膜を形成した金属基板、金属箔、あるいはフッ素樹脂コーティング、シリコーン樹脂コーティングなどを行った無機基板を用いてもよい。
有機基板、複合材料基板の樹脂としてはエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、架橋ポリエステル樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、架橋アクリル樹脂などを用いることができる。
The present invention will be described in detail below with reference to the drawings. Figures 1(A) and 1(B) are schematic diagrams showing the cross-sectional structure of a representative embodiment of an electronic display device of the present invention.
The substrate 15 is an important element that supports the entire electronic display device of the present invention.
Examples of substrates that can be used include organic substrates such as polymer plates and polymer sheets, composite material substrates such as glass fiber reinforced resin substrates, inorganic filler reinforced resin substrates, and carbon fiber reinforced resin substrates, and inorganic substrates such as glass substrates, metal substrates, metal foils, silicon wafers, and other semiconductor wafers. For practical purposes, flat substrates can be used. Flexible glass having a thickness of approximately several tens of micrometers can also be used as the substrate. The preferred thickness of the inorganic substrate 15 is 20 μm or more, more preferably 45 μm or more, and even more preferably 300 μm or more. It is also preferably 5 mm or less, more preferably 1.2 mm or less, and even more preferably 0.7 mm or less. By maintaining the thickness of the inorganic substrate within the above range, durability and handleability are improved.
Examples of glass substrates include quartz glass, high silicate glass (96% silica), soda-lime glass, lead glass, aluminoborosilicate glass, borosilicate glass (Pyrex (registered trademark)), borosilicate glass (alkali-free), borosilicate glass (microsheet), aluminosilicate glass, etc. Among these, those with a linear expansion coefficient of 5 ppm/°C or less are desirable, and commercially available products such as liquid crystal glass "Corning (registered trademark) 7059,""Corning (registered trademark) 1737," and "EAGLE" manufactured by Corning Incorporated, "AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., "OA10" manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., and "AF32" manufactured by Schott GmbH are desirable.
Furthermore, these inorganic substrates, preferably substrates having a thin film formed on the surface thereof, of metals such as chromium, nickel, nichrome, molybdenum, and tungsten, or metal oxides, metal nitrides, silicon nitride, aluminum nitride, and silicon carbide, may also be used.
Alternatively, a metal substrate or metal foil having an anodized film formed on the surface, or an inorganic substrate coated with a fluororesin or silicone resin may be used.
Examples of resins that can be used for organic substrates and composite material substrates include epoxy resins, polyimide resins, phenolic resins, melamine resins, cross-linked polyester resins, polyether ether ketone resins, bismaleimide triazine resins, and cross-linked acrylic resins.

<高分子フィルム>
高分子フィルム30としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、全芳香族ポリエステル、その他の共重合ポリエステル、ポリメチルメタクリレート、その他の共重合アクリレート、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、芳香族ポリイミド、脂環族ポリイミド、フッ素化ポリイミド、酢酸セルロース、硝酸セルロース、芳香族ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリフェノール、ポリアリレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンオキシド、ポリスチレン、液晶ポリマー等のフィルムを用いることが出来る。
<Polymer film>
The polymer film 30 can be made of polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate, wholly aromatic polyester, other copolymer polyester, polymethyl methacrylate, other copolymer acrylate, polycarbonate, polyamide, polysulfone, polyether sulfone, polyether ketone, polyamide imide, polyether imide, aromatic polyimide, alicyclic polyimide, fluorinated polyimide, cellulose acetate, cellulose nitrate, aromatic polyamide, polyvinyl chloride, polyphenol, polyarylate, polyphenylene sulfide, polyphenylene oxide, polystyrene, liquid crystal polymer, or the like.

本発明の高分子フィルムの軟化温度は150℃以上380℃以下であることが好ましい。ここに、軟化温度は加熱粘弾性測定によって得られるガラス転移温度を用いる。
本発明の高分子フィルムの軟化温度(ガラス転移温度)は165℃以上が好ましく、さらに180℃以上が好ましい。また軟化温度(ガラス転移温度)の上限は360℃が好ましく、345℃がさらに好ましい。本発明では加熱によって高分子フィルムを軟化させて折り曲げる工程を有するために、高分子フィルムには熱変形を可能ならしめる範囲の軟化温度が求められる。一方で、電子表示デバイスの形成には高温を要する工程も必要とされるため、ある程度以上の耐熱性が必要である。
本発明ではこれら高分子フィルムのうち、縮重合反応により得られる高分子フィルム(縮合系の高分子フィルム)が好ましい。本発明において特に効果が顕著・有用であるものは耐熱性が100℃以上、好ましくは150℃以上の高分子、所謂エンジニアリングプラスチックのフィルムである。ここに耐熱性とはガラス転移温度ないしは熱変形温度が100℃以上(好ましくは150℃以上)である性質を云う。本発明で好ましく用いられる縮重合高分子フィルム(縮合系の高分子フィルム)はポリエステル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリベンザゾール、ポリイミドベンザゾール、ポリエチレンナフタレートフィルム、液晶ポリマーフィルムであり、より好ましくはポリイミドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム又は液晶ポリマーフィルムである。
The softening temperature of the polymer film of the present invention is preferably 150° C. or higher and 380° C. or lower. Here, the softening temperature is the glass transition temperature obtained by measuring the thermal viscoelasticity.
The softening temperature (glass transition temperature) of the polymer film of the present invention is preferably 165°C or higher, more preferably 180°C or higher. The upper limit of the softening temperature (glass transition temperature) is preferably 360°C, more preferably 345°C. Since the present invention involves a process of softening and bending the polymer film by heating, the polymer film is required to have a softening temperature in a range that allows thermal deformation. On the other hand, since the formation of an electronic display device also requires a process that requires high temperatures, a certain level of heat resistance is required.
Among these polymer films, polymer films obtained by condensation polymerization reactions (condensation polymer films) are preferred in the present invention. Particularly effective and useful in the present invention are polymers with heat resistance of 100°C or higher, preferably 150°C or higher, i.e., so-called engineering plastic films. Heat resistance here refers to the property of a glass transition temperature or heat distortion temperature of 100°C or higher (preferably 150°C or higher). Condensation polymerization polymer films (condensation polymer films) preferably used in the present invention include polyester, polyamide, polyamideimide, polyimide, polybenzazole, polyimidebenzazole, polyethylene naphthalate film, and liquid crystal polymer film, and more preferably polyimide film, polyethylene naphthalate film, or liquid crystal polymer film.

本発明で好ましく用いられる高分子フィルムはポリイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリベンゾオキサゾールフィルム、ポリイミドベンゾオキサゾールフィルムであり、芳香族ポリイミド、脂環族ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドなどを用いることが出来る。本発明を特にフレキシブルディスプレイ素子製造に用いる場合には、無色透明性を有するポリイミド系樹脂フィルムを用いることが好ましいが、反射型、ないし自発光型のディスプレイの背面素子を形成する場合においては、特にこの限りではない。 The polymer films preferably used in the present invention are polyimide films, polyamide films, polyamideimide films, polybenzoxazole films, and polyimidebenzoxazole films, and aromatic polyimides, alicyclic polyimides, polyamideimides, polyetherimides, etc. can also be used. When the present invention is used particularly in the manufacture of flexible display elements, it is preferable to use colorless and transparent polyimide-based resin films, but this is not necessarily the case when forming rear elements for reflective or self-luminous displays.

一般にポリイミドフィルムは、溶媒中でジアミン類とテトラカルボン酸類とを反応させて得られるポリアミド酸(ポリイミド前駆体)溶液を、ポリイミドフィルム作製用支持体に塗布、乾燥してグリーンフィルム(「前駆体フィルム」または「ポリアミド酸フィルム」ともいう)となし、さらにポリイミドフィルム作製用支持体上で、あるいは該支持体から剥がした状態でグリーンフィルムを高温熱処理して脱水閉環反応を行わせることによって得られる。
本発明において好ましく用いられるポリイミドフィルムとしては、以下の化学組成を含むポリイミド樹脂から得られるポリイミドフィルムを例示できる。
・ピロメリット酸とジアミノジフェニルエーテルから得られるポリイミド樹脂、
・ビフェニルテトラカルボンとフェニレンジアミンから得られるポリイミド樹脂、
・ピロメリット酸とフェニレンジアミンから得られるポリイミド樹脂、
・ジアミン成分にベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン化合物を用いたポリイミド樹脂、
・シクロヘキシルテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸を用いたポリイミド樹脂、
・脂環族テトラカルボン酸と、アミド結合を有する芳香族ジアミンを用いたポリイミド樹脂
・フッ素を含有する単量体を用いたポリイミド樹脂、
・イオンを含有する単量体を用いたポリイミド樹脂
これらはテトラカルボン酸またはジアミンのそれぞれにおいて主たる成分を例示したものであって、第二第三の成分を配合して共重合化したポリイミド樹脂、あるいは複数組成のポリイミドを組み合わせてポリマーブレンド、またはポリマーアロイ化したポリイミド樹脂、さらに無機フィラーやポリジメチルシロキサン成分を導入したポリイミド樹脂などを用いても良い。また異なる組成のポリイミド樹脂が厚さ方向に積層された構造を有するポリイミドフィルムを用いることもできる。
In general, a polyimide film is obtained by applying a polyamic acid (polyimide precursor) solution obtained by reacting diamines with tetracarboxylic acids in a solvent to a support for producing the polyimide film, drying the solution to form a green film (also called a "precursor film" or "polyamic acid film"), and then subjecting the green film to high-temperature heat treatment on the support for producing the polyimide film or after peeling it off from the support to cause a dehydration ring-closing reaction.
Examples of polyimide films preferably used in the present invention include polyimide films obtained from polyimide resins containing the following chemical compositions.
- Polyimide resin obtained from pyromellitic acid and diaminodiphenyl ether,
- Polyimide resin obtained from biphenyltetracarboxylic acid and phenylenediamine,
- Polyimide resin obtained from pyromellitic acid and phenylenediamine,
- Polyimide resins using a diamine compound having a benzoxazole skeleton as the diamine component,
- Polyimide resins using cyclohexyltetracarboxylic acid or cyclobutanetetracarboxylic acid,
・Polyimide resin using alicyclic tetracarboxylic acid and aromatic diamine with amide bond
- Polyimide resins using fluorine-containing monomers,
Polyimide resins using ion-containing monomers: These are examples of the main components of tetracarboxylic acids or diamines, respectively, but other polyimide resins may also be used, such as polyimide resins copolymerized with a second or third component, polyimide resins made by combining polyimides of multiple compositions to form polymer blends or polymer alloys, and polyimide resins incorporating inorganic fillers or polydimethylsiloxane components. Polyimide films having a structure in which polyimide resins of different compositions are laminated in the thickness direction may also be used.

本発明では高分子フィルムとして、弾性率が好ましくは3GPa以上、より好ましくは4GPa以上、さらに好ましくは5GPa以上であり、好ましくは15GPa以下、さらに好ましくは12GPa以下のポリイミドフィルムを用いることが好ましい。弾性率がこの範囲にあると、基板端部での折り曲げが可能で、かつ配線へのダメージを最小限に留めることができる。弾性率がこの範囲より低いと折り曲げの際に高分子フィルムが大きく変形し、配線の断線を生じる場合がある。一方で弾性率が高すぎると折り曲げが困難になる場合がある。
本発明の高分子フィルムは破断伸度が好ましくは3%以上、好ましくは5%以上、より好ましくは7%以上、さらに好ましくは9%以上のポリイミドフィルムであることが好ましい。破断伸度は折り曲げ性の尺度でもあり、破断伸度が低いと脆く割れやすいため、折り曲げの際にフィルムに割れ生じる場合があるが5%以上であれば折り曲げが可能である。
さらに本発明の高分子フィルムとしては厚さが3μm以上75μm以下のポリイミドフィルムであることが好ましい。フィルム厚さは6μm以上が好ましく12μm以上がさらに好ましい。また上限は60μmが好ましく45μm以下であることがさらに好ましい。フィルム厚さは折り曲げ性に関係し、所定の範囲であれば折り曲げが比較的容易となる。
さらに本発明の高分子フィルムの線膨張係数は35ppm/K以下が好ましくは18ppm/K以下が、なお好ましく、なおさらに9ppm/K以下が好ましい。線膨張係数の下限は-5ppm/Kであり、好ましくは-2ppm/Kである。さらに高分子フィルムと基板の線膨張係数の差が10ppm/K以下であることがこのましい。線膨張係数を所定範囲に収めることにより、積層体の反りが抑えられ、生産時の不良率が低減される。
In the present invention, it is preferable to use a polyimide film having an elastic modulus of preferably 3 GPa or more, more preferably 4 GPa or more, even more preferably 5 GPa or more, and preferably 15 GPa or less, even more preferably 12 GPa or less, as the polymer film. If the elastic modulus is within this range, bending at the substrate edge is possible and damage to the wiring can be minimized. If the elastic modulus is lower than this range, the polymer film may deform significantly when bending, which may cause wiring breakage. On the other hand, if the elastic modulus is too high, bending may be difficult.
The polymer film of the present invention is preferably a polyimide film having a breaking elongation of 3% or more, preferably 5% or more, more preferably 7% or more, and even more preferably 9% or more. The breaking elongation is also a measure of foldability; if the breaking elongation is low, the film is brittle and prone to cracking, and may crack when bent, but if the breaking elongation is 5% or more, the film can be bent.
Furthermore, the polymer film of the present invention is preferably a polyimide film having a thickness of 3 μm or more and 75 μm or less. The film thickness is preferably 6 μm or more, and more preferably 12 μm or more. The upper limit is preferably 60 μm, and more preferably 45 μm or less. The film thickness is related to the bendability, and if the film thickness is within a certain range, bending becomes relatively easy.
Furthermore, the linear expansion coefficient of the polymer film of the present invention is 35 ppm/K or less, preferably 18 ppm/K or less, more preferably 9 ppm/K or less. The lower limit of the linear expansion coefficient is -5 ppm/K, preferably -2 ppm/K. Furthermore, it is preferable that the difference in the linear expansion coefficient between the polymer film and the substrate is 10 ppm/K or less. By keeping the linear expansion coefficient within a predetermined range, warping of the laminate is suppressed and the defective rate during production is reduced.

本発明では高分子フィルムの、加熱粘弾性測定法:DMAを用いて測定された30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、300℃における貯蔵弾性率が3.0×10Pa未満を示すものを使用することが好ましい。この範囲に入る高分子フィルムは熱可塑性の範疇にはいるものと判断できる。 In the present invention, it is preferable to use a polymer film that exhibits a storage modulus at 30°C of 1.0 x 109 Pa or more and a storage modulus at 300°C of less than 3.0 x 108 Pa, as measured using a thermal viscoelasticity measurement method (DMA). Polymer films that fall within this range can be considered to be in the category of thermoplastic.

本発明において高分子フィルムをストレスなく基板側面に沿って折り曲げるためには高分子フィルムの引張強度より、高分子フィルムの圧縮強度が弱くなるように調整することが好ましい。具体的には、例えば高分子フィルムにボイドを意図的に形成し、圧縮応力に対して座屈しやすくする態様を例示できる。In the present invention, in order to fold the polymer film along the side of the substrate without stress, it is preferable to adjust the compressive strength of the polymer film to be weaker than the tensile strength of the polymer film. Specifically, for example, voids can be intentionally formed in the polymer film to make it more susceptible to buckling under compressive stress.

本発明では前記高分子フィルムが、全光線透過率85%以上、イエローインデックスが5以下のポリイミドフィルムであることが好ましい。全光線透過率は88%以上が好ましく、さらに91%以上が好ましい。上限は特に限定されないが、電子表示装置に使用するためには99%以上であれば十分であり、98%以下でも差し支えない。イエローインデックスは4以下が好ましく、さらに3以下であることが好ましい。これはすなわちポリイミドフィルムが無色透明性を有することを意味する。イエローインデックスの下限は特に限定されないが、電子表示装置に使用するためには1以上であれば十分である。無色透明性を有するポリイミドフィルムを用いた場合には、光透過型の表示方式である液晶電子表示デバイスに本発明を適用することが可能となる。 In the present invention, the polymer film is preferably a polyimide film having a total light transmittance of 85% or more and a yellow index of 5 or less. A total light transmittance of 88% or more is preferred, and 91% or more is even more preferred. There is no particular upper limit, but a value of 99% or more is sufficient for use in electronic display devices, and 98% or less is acceptable. The yellow index is preferably 4 or less, and even more preferably 3 or less. This means that the polyimide film is colorless and transparent. There is no particular lower limit for the yellow index, but a value of 1 or more is sufficient for use in electronic display devices. When a colorless and transparent polyimide film is used, the present invention can be applied to liquid crystal electronic display devices, which are light-transmitting display devices.

本発明の電子表示装置を製造するための、好ましい製造方法においては、行程中で基板と高分子フィルムが接着された積層体の状態を経由する。かかる積層体を得るための手法としてフィルムラミネート法とワニス法を例示することができる。 A preferred manufacturing method for producing the electronic display device of the present invention involves the process of forming a laminate in which the substrate and polymer film are bonded together. Examples of techniques for obtaining such a laminate include the film lamination method and the varnish method.

<フィルムラミネート法>
高分子フィルムと基板を接着剤ないし粘着剤などで貼り合わせて積層体を得る。接着剤としてはエポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、アクリル系接着剤、および粘着剤を用いることができる。が、電子表示デバイス形成に高温プロセスが適用される場合には高耐熱の接着剤を用いる必要がある。さらに本発明では高耐熱な接着手法として、シランカップリング剤縮合物を介して基板と高分子フィルムを接着する手法を用いることができる。電子表示デバイス形成に高温が必要な場合には、基板にも耐熱性が要求されることから、無機基板、好ましくはガラス基板との組み合わせにおいて用いられることが好ましい。
シランカップリング剤を用いる接着法においては、高分子フィルムあるいは基板のいずれか、または両方の接着面にシランカップリング剤を塗布し、両者を重ね合わせて加熱すればよい。シランカップリング剤の有機基が高分子フィルム面と反応し、シランカップリング剤のメトキシ基、エトキシ基が無機基板表面の水酸基などと反応し、さらにシランカップリングどうしが自己縮合して縮合物層を形成して接着が行われる。本手法においては、例えば特許5224011号公報に開示される技術と組み合わせることにより、接着強度を制御し、接着強度が強い部分と弱い部分をパターン状に形成することがすることが可能であり、基板と高分子フィルムとを部分的に剥離する場面において適用することができる。
<Film lamination method>
A polymer film and a substrate are bonded together using an adhesive or pressure-sensitive adhesive to obtain a laminate. Examples of adhesives that can be used include epoxy adhesives, silicone adhesives, acrylic adhesives, and pressure-sensitive adhesives. However, when high-temperature processes are used to form electronic display devices, it is necessary to use a highly heat-resistant adhesive. Furthermore, in the present invention, a highly heat-resistant adhesive method can be used in which the substrate and polymer film are bonded via a silane coupling agent condensate. When high temperatures are required to form electronic display devices, the substrate also needs to be heat-resistant, so it is preferable to use the adhesive in combination with an inorganic substrate, preferably a glass substrate.
In the adhesion method using a silane coupling agent, the silane coupling agent is applied to the adhesive surface of either or both of the polymer film and the substrate, and then the two are superimposed and heated. The organic group of the silane coupling agent reacts with the polymer film surface, and the methoxy group and ethoxy group of the silane coupling agent react with hydroxyl groups on the inorganic substrate surface, and the silane coupling groups self-condense to form a condensate layer, thereby achieving adhesion. In this method, by combining it with the technology disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 5224011, it is possible to control the adhesive strength and form patterns of strong and weak adhesive areas, which can be applied in situations where the substrate and polymer film are partially peeled off.

<ワニス法>
基板に高分子フィルムを構成する樹脂溶液、あるいは高分子の前駆体溶液を塗布し、基板上で乾燥、必要に応じて化学反応を行って高分子フィルムを得る方法である。代表的な例としてポリイミドフィルムを得るために、ポリイミド樹脂溶液ないしはポリイミド前駆体であるポリアミド酸の溶液を用いる例をあげることができる。
ワニス法においても、たとえば特許5862866号公報に開示される手法を用いて、基板と高分子フィルムの接着力を制御し、接着強度が強い部分と弱い部分をパターン状に形成することがすることが可能である。
<Varnish method>
This method involves applying a resin solution or a polymer precursor solution that will form the polymer film to a substrate, drying it on the substrate, and optionally conducting a chemical reaction to obtain a polymer film. A typical example is the use of a polyimide resin solution or a solution of a polyamic acid, which is a polyimide precursor, to obtain a polyimide film.
In the varnish method, for example, by using the technique disclosed in Japanese Patent No. 5,862,866, it is possible to control the adhesive strength between the substrate and the polymer film and form a pattern of areas with strong and weak adhesive strength.

なお、本発明において規定される高分子フィルムの諸特性は以下の方法で求められたものである。
<基板の厚さ、高分子フィルムの厚さ>
高分子フィルムの厚さは、マイクロメーター(ファインリューフ社製「ミリトロン1245D」)を用いて測定し、10点の平均値を求めた。
The properties of the polymer film specified in the present invention were determined by the following methods.
<Substrate thickness, polymer film thickness>
The thickness of the polymer film was measured using a micrometer (Militron 1245D manufactured by Fine Leaf Co., Ltd.) and the average value of 10 points was calculated.

<高分子フィルムの引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度>
測定対象とする高分子フィルムから、流れ方向(MD方向)及び幅方向(TD方向)がそれぞれ100mm×10mmである短冊状の試験片を切り出し、引張試験機(島津製作所社製「オートグラフ(登録商標);機種名AG-5000A」)を用い、引張速度50mm/分、チャック間距離40mmの条件で、MD方向、TD方向それぞれについて、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を測定し、MD方向およびTD方向で測定した全測定値の平均値を得た。
<Tensile Modulus, Tensile Breaking Strength, and Tensile Breaking Elongation of Polymer Film>
From the polymer film to be measured, strip-shaped test pieces measuring 100 mm x 10 mm in each of the machine direction (MD) and width direction (TD) were cut out, and the tensile modulus, tensile strength at break, and tensile elongation at break were measured in each of the MD and TD directions using a tensile tester (Shimadzu Corporation, "Autograph (registered trademark); model name AG-5000A") at a tensile speed of 50 mm/min and a chuck distance of 40 mm, and the average values of all the measured values in the MD and TD directions were obtained.

<高分子フィルムのガラス転移温度 加熱粘弾性法>
ガラス転移温度は、5mm×20mmのサイズの高分子フィルム(例えば、ポリイミドフィルム)を、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名:E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数1Hzで測定を行い、弾性率変化(機械的tanδ)が最大となる温度をガラス転移温度とした。
<Glass transition temperature of polymer film measured by thermal viscoelasticity method>
The glass transition temperature was measured by measuring a polymer film (e.g., a polyimide film) having a size of 5 mm × 20 mm using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA: manufactured by UBM, product name: E4000F) from 30°C to 400°C at a heating rate of 4°C/min and a frequency of 1 Hz, and the temperature at which the change in elastic modulus (mechanical tan δ) was maximized was defined as the glass transition temperature.

<高分子フィルムの線膨張係数(CTE)>
測定対象とする高分子フィルムの流れ方向(MD方向)および幅方向(TD方向)について、下記条件にて伸縮率を測定し、15℃の間隔(30℃~45℃、45℃~60℃、…)での伸縮率/温度を測定し、この測定を300℃まで行って、MD方向およびTD方向で測定した全測定値の平均値を線膨張係数(CTE)として算出した。
機器名 ; MACサイエンス社製「TMA4000S」
試料長さ ; 20mm
試料幅 ; 2mm
昇温開始温度 ; 25℃
昇温終了温度 ; 400℃
昇温速度 ; 5℃/分
雰囲気 ; アルゴン
初荷重 ; 34.5g/mm
<Coefficient of Linear Expansion (CTE) of Polymer Film>
The expansion/contraction rate was measured under the following conditions in the machine direction (MD direction) and width direction (TD direction) of the polymer film to be measured, and the expansion/contraction rate/temperature was measured at intervals of 15°C (30°C to 45°C, 45°C to 60°C, ...). This measurement was carried out up to 300°C, and the average value of all the measured values measured in the MD direction and TD direction was calculated as the coefficient of linear expansion (CTE).
Device name: MAC Science "TMA4000S"
Sample length: 20 mm
Sample width: 2 mm
Heating start temperature: 25°C
Heating end temperature: 400°C
Temperature rise rate: 5°C/min. Atmosphere: Argon Initial load: 34.5g/ mm2

<全光線透過率>
HAZEMETER(NDH5000、日本電色社製)を用いてフィルムの全光線透過率(TT)を測定した。光源としてはD65ランプを使用した。尚、同様の測定を3回行い、その算術平均値を採用した。
<Total light transmittance>
The total light transmittance (TT) of the film was measured using a HAZEMETER (NDH5000, manufactured by Nippon Denshoku Co., Ltd.). A D65 lamp was used as the light source. The same measurement was performed three times, and the arithmetic average value was used.

<イエローインデックス>
カラーメーター(ZE6000、日本電色社製)およびC2光源を使用して、ASTM D1925に準じてフィルムの三刺激値XYZ値を測定し、下記式により黄色度指数(YI)を算出した。尚、同様の測定を3回行い、その算術平均値を採用した。
YI=100×(1.28X-1.06Z)/Y
<Yellow index>
The tristimulus values X, Y, and Z of the film were measured using a color meter (ZE6000, manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd.) and a C2 light source in accordance with ASTM D1925, and the yellowness index (YI) was calculated using the following formula: The same measurement was performed three times, and the arithmetic mean value was used.
YI=100×(1.28X-1.06Z)/Y

<シランカップリング剤縮合物層>
シランカップリング剤縮合物層20は、文字通りシランカップリング剤の縮合物からなる層である。シランカップリング剤層は基板と高分子フィルムを接着する働きを有する。高分子フィルムと基板の接着面の一部または全部がシランカップリング剤縮合物層を介して接着されている。シランカップリング剤縮合物層は、基板の第一の面および/または第二の面に存在していることが好ましく、基板の第一の面および第二の面に存在していることがより好ましい。また、基板の第1の面の全部および第二の面の全部に存在していることがさらに好ましい。また、高分子フィルムと基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることも好ましい。
シランカップリング剤は、主には無機物表面などに存在する水酸基と、シランカップリング剤の分子内に含まれるメトキシ基、エトキシ基などとの間の脱アルコール縮合反応により、無機物表面を有機化する化合物の総称である。かかる脱アルコール反応はシランカップリング剤とシランカップリング剤との間でも生じ、結果としてシランカップリング剤間がシロキサン結合により連結された縮合物となる。
<Silane Coupling Agent Condensate Layer>
The silane coupling agent condensate layer 20 is literally a layer made of a condensate of a silane coupling agent. The silane coupling agent layer functions to bond the substrate and the polymer film. Part or all of the adhesive surfaces of the polymer film and the substrate are bonded via the silane coupling agent condensate layer. The silane coupling agent condensate layer is preferably present on the first surface and/or the second surface of the substrate, and more preferably on the first surface and the second surface of the substrate. It is further preferable that the silane coupling agent condensate layer is present on the entire first surface and the entire second surface of the substrate. It is also preferable that the polymer film and the side surface of the substrate are bonded via the silane coupling agent condensate layer.
Silane coupling agents are a general term for compounds that organically modify the surface of inorganic materials through a dealcoholization condensation reaction between hydroxyl groups present mainly on the surface of inorganic materials and methoxy groups, ethoxy groups, etc. contained in the silane coupling agent molecule. Such dealcoholization reactions also occur between silane coupling agents, resulting in a condensation product in which the silane coupling agents are linked by siloxane bonds.

本発明において、シランカップリング剤とは、Si(ケイ素)の成分を10質量%以上含有する化合物であることが好ましい。さらに構造中にアルコキシ基を有するものであることが好ましい。本発明で好ましく使用できるシランカップリング剤の具体例としては、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、N-フェニル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(ビニルベンジル)-2-アミノエチル-3-アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。In the present invention, the silane coupling agent is preferably a compound containing 10% by mass or more of silicon (Si). Furthermore, it is preferable that the silane coupling agent has an alkoxy group in its structure. Specific examples of silane coupling agents that can be preferably used in the present invention include N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethylbutylidene)propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(vinylbenzyl)-2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane hydrochloride, aminophenyltrimethoxysilane, aminophenethyltrimethoxysilane, and aminophenylaminomethylphenethyltrimethoxysilane.

前記シランカップリング剤のなかでも、1つの分子中に1個のケイ素原子を有するシランカップリング剤が特に好ましく、例えば、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-2-(アミノエチル)-3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-トリエトキシシリル-N-(1,3-ジメチル-ブチリデン)プロピルアミン、アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェネチルトリメトキシシラン、アミノフェニルアミノメチルフェネチルトリメトキシシランなどが挙げられる。プロセスで特に高い耐熱性が要求される場合、Siとアミノ基の間を芳香族基でつないだものが望ましい。前記カップリング剤としては、前記のほかに、11-アミノ-1-ウンデセンチオールも使用することができる。Among the above silane coupling agents, silane coupling agents containing one silicon atom per molecule are particularly preferred. Examples include N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N-(1,3-dimethylbutylidene)propylamine, aminophenyltrimethoxysilane, aminophenethyltrimethoxysilane, and aminophenylaminomethylphenethyltrimethoxysilane. When particularly high heat resistance is required in the process, those in which the silicon and amino groups are connected by an aromatic group are desirable. In addition to the above, 11-amino-1-undecenethiol can also be used as the coupling agent.

シランカップリング剤は一般に液体であり、基板あるいは高分子フィルムに塗布することにより層を得る。塗布する方法としてはウェットコーティングや蒸着法などの気相塗布方法を用いることができる。
シランカップリング剤をウェットコーティングする方法としては、シランカップリング剤の原液、あるいはアルコール溶液、水溶液などの溶媒で希釈した溶液を用いて、スピンコート法、カーテンコート法、ディップコート法、スリットダイコート法、グラビアコート法、バーコート法、コンマコート法、アプリケーター法、スクリーン印刷法、スプレーコート法等の従来公知の溶液の塗布手段(従来公知の塗布装置)を適宜用いることができる。
また、スポット的にシランカップリング剤を塗布する方法としてディスペンサ、スポイト、あるいは筆による描画塗布などを用いることもできる。
Silane coupling agents are generally liquids that are applied to a substrate or polymer film to form a layer, using a gas-phase coating method such as wet coating or vapor deposition.
As a method for wet-coating the silane coupling agent, a stock solution of the silane coupling agent or a solution diluted with a solvent such as an alcohol solution or an aqueous solution can be used, and a conventionally known solution application means (conventionally known application device) such as spin coating, curtain coating, dip coating, slit die coating, gravure coating, bar coating, comma coating, applicator method, screen printing, or spray coating can be appropriately used.
The silane coupling agent can also be applied spot-wise using a dispenser, a dropper, or by drawing with a brush.

また、シランカップリング剤層を蒸着法の様に気相を介して塗布することもできる。具体的には、前記基板または高分子フィルムをシランカップリング剤の蒸気、すなわち実質的に気体状態のシランカップリング剤に暴露して形成する。シランカップリング剤の蒸気は、液体状態のシランカップリング剤を40℃~シランカップリング剤の沸点程度までの温度に加温することによって得ることができる。シランカップリング剤の沸点は、化学構造によって異なるが、概ね100~250℃の範囲である。ただし200℃以上の加熱は、シランカップリング剤の有機基側の副反応を招くおそれがあるため好ましくない。またシランカップリング剤の塗布は基板、高分子フィルムの両面に行っても良い。 The silane coupling agent layer can also be applied via the gas phase, as in a vapor deposition method. Specifically, the substrate or polymer film is formed by exposing it to the vapor of the silane coupling agent, i.e., the silane coupling agent in a substantially gaseous state. The vapor of the silane coupling agent can be obtained by heating the liquid silane coupling agent to a temperature between 40°C and the boiling point of the silane coupling agent. The boiling point of silane coupling agents varies depending on their chemical structure, but is generally in the range of 100-250°C. However, heating above 200°C is not recommended, as it may cause side reactions on the organic groups of the silane coupling agent. The silane coupling agent may also be applied to both sides of the substrate or polymer film.

<配線>
本発明の配線40は、前記高分子フィルム30の基板15との接着面とは反対側の表面に形成され、基板の第一の面側から第二の面側まで達する配線であり、好ましくは電子表示デバイスと駆動素子(ドライバーIC)とを電気的に接続(接触)する配線である。配線は、実際には電子表示デバイス内に網の目の様に張り巡らされており、多層配線構造を有しているが、図では便宜上、電子表示デバイスの周辺部から、電子表示デバイスの外周に配置された部分のみを示している。配線は原則的に金属層であることが好ましく、導電率の高い、銅、銀、アルミニウム、金、銀、ニッケル、クロム、錫、鉛など、あるいは線膨張係数の低いモリブデン、タングステンなどが主に用いられる。また必要に応じて黄銅、白銅、青銅、インバー、ステンレス鋼、半田などの合金を用いても良い。かかる配線は、蒸着、スパッタリング、などの真空メタライジング技術、あるいは無電解メッキなどの湿式メタライジング、あるいはプラズマ溶射などのメタライジング技術を単独で、あるいは複数組み合わせて形成される。 さらに配線はエッチング、あるいはマスキング法などによりパターニングされている。
なお、図面では簡素化のために省略しているが、配線は樹脂などにより絶縁保護されることが好ましい。絶縁保護は、配線の上面、下面、側面に行われることが好ましい。
<Wiring>
The wiring 40 of the present invention is formed on the surface of the polymer film 30 opposite the surface bonded to the substrate 15, extending from the first surface to the second surface of the substrate. It preferably electrically connects (contacts) the electronic display device with a driving element (driver IC). The wiring is actually spread throughout the electronic display device like a mesh, forming a multilayer wiring structure. However, for convenience, the diagram shows only the portion extending from the periphery of the electronic display device to its outer periphery. The wiring is generally preferably a metal layer, typically made of copper, silver, aluminum, gold, nickel, chromium, tin, or lead, which have high electrical conductivity, or molybdenum or tungsten, which have low linear expansion coefficients. Furthermore, alloys such as brass, cupronickel, bronze, invar, stainless steel, and solder may also be used as needed. Such wiring is formed using vacuum metallizing techniques such as vapor deposition and sputtering, wet metallizing techniques such as electroless plating, or plasma spraying, either singly or in combination. Furthermore, the wiring is patterned by etching or masking.
Although omitted in the drawings for simplicity, the wiring is preferably insulated and protected by resin etc. The insulating protection is preferably provided on the top, bottom and side surfaces of the wiring.

<駆動回路素子(ドライバーIC)>
電子表示デバイスの駆動回路素子(ドライバーIC)50は、電子表示デバイスに画像信号と電力を供給する集積電子回路素子である。ドライバーICは従来型の半導体素子を用いればよく、ベアチップの形で実装されるものであることが好ましい。ドライバーIC50は、電子デバイス60と反対側の面に実装されることが好ましく、図1では前記無機基板の第二の面に接着された側の高分子フィルム表面に実装(搭載)される。図では省略されているが、フェイスダウンボンディングであれば、配線から延長される電極部に接続用のバンプなどが形成される。またフェイスアップ分ディングであれば、ワイヤボンディング適性の有る表面処理が配線に加えられる。配線をフライングリードとしてTAB式にボンディングする方法も用いることができる。配線の表面処理として金メッキ、錫メッキなどを行うことは好ましい態様である。またドライバーIC実装後にはアンダーフィル剤、あるいはオーバーコート、あるいはポッド封止してもよい。
<Driver circuit element (driver IC)>
The driver circuit element (driver IC) 50 of the electronic display device is an integrated electronic circuit element that supplies image signals and power to the electronic display device. The driver IC may be a conventional semiconductor element, preferably mounted as a bare chip. The driver IC 50 is preferably mounted on the surface opposite the electronic device 60. In Figure 1, it is mounted on the surface of the polymer film attached to the second surface of the inorganic substrate. Although not shown in the figure, in face-down bonding, connection bumps or other devices are formed on the electrodes extending from the wiring. In face-up bonding, the wiring is subjected to a surface treatment suitable for wire bonding. TAB bonding of the wiring as flying leads is also possible. Gold plating, tin plating, or other surface treatments for the wiring are preferred. After mounting the driver IC, underfill, overcoat, or pod encapsulation may be applied.

<電子表示デバイス>
本発明における電子表示デバイス60は、液晶表示装置、OLED(有機EL素子)、マイクロLEDアレイ、電気泳動ディスプレイなど、一般にFPD:フラットパネルディスプレイと呼ばれる電子表示デバイスを指し、本発明の電子表示装置における画像表示を行う部分である。CRT(ブラウン管)は含まない。原理的にはFED、PDP、蛍光表示管などに適用することも可能である。本発明はタイリングによる大面積化技術と組み合わせることが好ましく、自発光型であるOLED、マイクロLEDアレイ、あるいは電気泳動電子表示デバイス、反射型液晶表示装置のような反射型表示装置との組み合わせが好ましい。
電子表示デバイス60は、前記ドライバーIC50と反対側の面に形成されることが好ましく、図1では前記無機基板の第一の面に接着された側の高分子フィルムの接着面とは反対側(非接着側)の表面に形成される。すなわち、前記高分子フィルム表面上で構築されるものであることが好ましい。
一般に電子表示デバイスはバックプレーンとフロントプレーンで構成されている。本発明における電子表示デバイス形成の一例として以下のプロセスを例示する。まず、基板に接着された高分子フィルムの非接着側の表面上に、必要に応じてガスバリア膜、アンカー層、などを形成した後に、各画素信号を直接取り扱う薄膜半導体素子と画素駆動電極などを形成し、発光体ないし電気泳動体を配置した後、対面電極、あるいは必要に応じてカラーフィルターなどを備えたフロントプレーンをビルドアップ的に形成するか、または別途作製したフロントプレーンを貼り付けることで電子表示デバイスを得る。
周知のとおり電子表示デバイスは、個々のピクセル(画素)の集合体である。本発明では電子表示デバイスの画素寸法(以下、ピクセルサイズ、または、ピクセル寸法ともいう。)をLpxとする。ピクセル寸法は、X方向またはY方向のいずれかにおいて、いずれかの方向の電子表示デバイスの寸法を同じ方向を構成する画素の数で除すことにより求めることができる。なお、カラー表示のために1画素中にRGB三色の画素が存在する場合には、RGBを一組として1ピクセルと数えることとする。反射型表示において、例えば1画素中にYMCKの4色が存在する場合にはYMCKをまとめて1ピクセルと数えることとする。
<Electronic display devices>
The electronic display device 60 in the present invention refers to electronic display devices commonly referred to as FPDs (flat panel displays), such as liquid crystal displays, OLEDs (organic light-emitting diodes), micro LED arrays, and electrophoretic displays, and is the part of the electronic display device of the present invention that displays images. It does not include CRTs (cathode ray tubes). In principle, it can also be applied to FEDs, PDPs, fluorescent display tubes, and the like. The present invention is preferably combined with large-area technology using tiling, and is preferably combined with self-luminous OLEDs, micro LED arrays, or reflective display devices such as electrophoretic electronic display devices and reflective liquid crystal display devices.
The electronic display device 60 is preferably formed on the surface opposite to the driver IC 50, and in Fig. 1, it is formed on the surface opposite to the adhesive surface (non-adhesion side) of the polymer film that is adhered to the first surface of the inorganic substrate. In other words, it is preferably constructed on the surface of the polymer film.
Generally, electronic display devices are composed of a backplane and a frontplane. The following process is an example of how to form an electronic display device in the present invention. First, a gas barrier film, an anchor layer, and the like are formed as needed on the surface of the non-adhered side of a polymer film bonded to a substrate. Then, thin-film semiconductor elements and pixel drive electrodes that directly handle pixel signals are formed. Light emitters or electrophoretic elements are then arranged. After that, a frontplane equipped with opposing electrodes or, if necessary, a color filter is either built up or attached to the backplane to obtain an electronic display device.
As is well known, an electronic display device is a collection of individual pixels. In this invention, the pixel dimension (hereinafter also referred to as pixel size or pixel dimension) of an electronic display device is defined as Lpx. The pixel dimension can be calculated by dividing the dimension of the electronic display device in either the X or Y direction by the number of pixels constituting the same direction. When three RGB color pixels exist in one pixel for color display, the RGB color set is counted as one pixel. In a reflective display, for example, when four colors, YMCK, exist in one pixel, the YMCK color set is counted as one pixel.

<接着剤層>
本発明において、高分子フィルムと基板とをシランカップリング剤を用いずに接着する必要がある場合には接着剤により接着し、接着剤層70を形成しても良い。接着剤としてはエレクトロニクス分野で一般的に使用されている、たとえばエポキシ樹脂系、あるいはシリコーン樹脂系などの、比較的耐熱性の高い接着剤を用いることが好ましい。本発明において、接着剤とは、Si(ケイ素)成分の含有量が10質量%未満ものであることが好ましい。さらに構造中にアルコキシ基を有さないものであることが好ましい。
<Adhesive layer>
In the present invention, when it is necessary to bond the polymer film and the substrate without using a silane coupling agent, an adhesive may be used to form the adhesive layer 70. It is preferable to use a relatively heat-resistant adhesive, such as an epoxy resin or silicone resin, commonly used in the electronics field. In the present invention, the adhesive preferably contains less than 10% by mass of silicon (Si). Furthermore, it is preferable that the adhesive does not contain an alkoxy group in its structure.

<注型樹脂>
注型樹脂90は、本発明の電子表示装置の側面において、基板の側面と高分子フィルムの間にギャップが存在する場合に、ギャップを樹脂で埋めることにより、基板側面に位置する高分子フィルムを固定し、高分子フィルム上に形成されている配線を間接的に保護する。注型樹脂にはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂などを用いることができる。
<Casting resin>
When a gap exists between the side surface of the substrate and the polymer film on the side of the electronic display device of the present invention, the gap is filled with the resin to fix the polymer film located on the side surface of the substrate and indirectly protect the wiring formed on the polymer film. The casting resin can be epoxy resin, acrylic resin, silicone resin, urethane resin, phenolic resin, melamine resin, etc.

図8、図9(A)、図9(B)を用いて、フィルムラミネート法を用いた場合の本発明の電子表示装置を製造するプロセスを説明する。
図8の工程Aは加工前の基板15である。
図8の工程Bは基板15表面にシランカップリング剤縮合物層20を形成した状態である。ただし、この状態ではシランカップリング剤は完全に縮合していない。この段階において特許5224011号公報に記載される接着強度の強弱パターン化のための予備処理を加えることができる。
図8の工程Cはさらに高分子フィルム30を接着した状態である。高分子フィルムの接着面は好ましくはプラズマ処理などで化学的に活性化した状態、すなわちカルボキシル基、水酸基、アミノ基、カルボニル基などの化学的活性度が高い官能基が存在する状態とすることが好ましい。シランカップリング剤の有機部分とかかる官能基が反応し、一方のシランカップリング剤のメトキシ基、エトキシ基が脱アルコール反応を生じつつ基板の表面の水酸基などと反応して両者は接着される。またシランカップリング剤どうしも縮合して縮合物層を形成する。
工程A~Cまでが「(a)基板と、少なくとも基板の片面に接着された高分子フィルムを有する積層体を準備する工程」に相当する。
図8の工程Dでは、高分子フィルム上に配線が形成される。便宜上周辺部のみを図示してある。
図8の工程Eでは電子表示デバイスが形成される。配線は、実際には電子表示デバイス内に網の目状に伸びている。
工程DとEが「(b)高分子フィルム上に、電子表示デバイスと配線を形成する工程」に相当する。
The process for manufacturing the electronic display device of the present invention using the film lamination method will be described with reference to FIGS. 8, 9A, and 9B.
Step A in FIG. 8 shows the substrate 15 before processing.
8 shows the state in which a silane coupling agent condensate layer 20 has been formed on the surface of the substrate 15. However, in this state, the silane coupling agent has not yet been completely condensed. At this stage, a preliminary treatment for forming a pattern with varying adhesive strength, as described in Japanese Patent No. 5224011, can be added.
Step C in Figure 8 shows the state in which a polymer film 30 is further adhered. The adhesive surface of the polymer film is preferably chemically activated by plasma treatment or the like, i.e., it is preferable to make it a state in which highly chemically active functional groups such as carboxyl groups, hydroxyl groups, amino groups, and carbonyl groups are present. The organic portion of the silane coupling agent reacts with these functional groups, and the methoxy and ethoxy groups of one silane coupling agent undergo a dealcoholization reaction while reacting with hydroxyl groups and the like on the surface of the substrate, thereby adhering the two. The silane coupling agents also condense with each other to form a condensate layer.
Steps A to C correspond to "(a) a step of preparing a laminate having a substrate and a polymer film adhered to at least one surface of the substrate."
8, wiring is formed on the polymer film. For convenience, only the peripheral portion is shown.
The electronic display device is formed in step E of Figure 8. The wiring actually extends in a mesh-like pattern within the electronic display device.
Steps D and E correspond to "(b) step of forming an electronic display device and wiring on a polymer film."

図8の工程Fでは、配線領域に相当する基板の一部が取り除かれ、この工程により積層体が表示領域X1と配線領域X2に分画される。より厳密には、好ましくは電子表示デバイスの表示エリアの寸法と、残る基板の寸法が同一であるか、基板寸法の方が、基板厚さに相当する寸法程度以下の範囲で小さくなるように除去することが好ましい。これにより、配線領域となる高分子フィルムが電子表示装置の周囲を額縁状に取り巻く形態となる。基板の所定の部分を取り除くには、機械的に、あるいはレーザー照射などにより基板を切断、ないし、切り欠けを生成した後に割分けすればよい。金属基板の場合には該当箇所をエッチングで除去することも可能である。不要部分の溶解除去は、基板の場合においても、理論上は強アルカリないしフッ酸などを用いることにより可能である。
この工程Fが「(c)前記電子表示デバイスが形成されている領域の外側にあたる基板を除去し、基板と接着されている表示領域と、基板が取り除かれた配線領域とに分画する工程」に相当する。
In step F of FIG. 8 , a portion of the substrate corresponding to the wiring region is removed, dividing the laminate into a display region X1 and a wiring region X2. More precisely, the removal is preferably performed so that the dimensions of the display area of the electronic display device are the same as the dimensions of the remaining substrate, or the dimensions of the substrate are smaller by approximately the same or less than the dimensions corresponding to the substrate thickness. This results in a polymer film that forms the wiring region surrounding the electronic display device in a frame-like shape. To remove a specific portion of the substrate, the substrate can be cut mechanically or by laser irradiation, or a notch can be created and then separated. In the case of a metal substrate, the relevant portion can also be removed by etching. In theory, dissolving and removing unnecessary portions is also possible in the case of a substrate using a strong alkali or hydrofluoric acid.
This step F corresponds to "(c) a step of removing the substrate outside the area where the electronic display device is formed, and dividing the area into a display area adhered to the substrate and a wiring area from which the substrate has been removed."

まず、フィルムラミネート法を用いた場合の電子表示装置の製造工程の後半を図9(A)に沿って説明する。図9(A)の工程G1は、電子表示デバイス周辺を取り巻く高分子フィルムに、配線のある面の逆面からスリット31を入れた状態を表す。スリットはハーフカット的に、高分子フィルムの途中までないしは高分子フィルムと配線の境界まで入れることができる。なお、図では便宜上、スリットが鋭角的に書かれているが、90度の開きを有するスリットをいれれば、スリットケ所で高分子フィルムを直角におr曲げることが可能となる。
図9(A)の工程G2は、電子表示デバイス周辺を取り巻く高分子フィルムの配線のある面の逆面側から薄肉化処理を行った状態を表す。薄肉化する場合、高分子フィルムの厚さの90%以下とすることが好ましく、より好ましくは60%以下であり、さらに好ましくは30%以下である。また、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上であり、さらに好ましくは10%以上である。
工程G1または工程G2、は高分子フィルムを折り曲げる際に、高分子フィルムを鋭角的に折り曲げることを可能とし、加えて配線に与えるダメージを最小限にするために行う。スリット形成、および薄肉化はいずれか片方だけでも良く、両方を適宜併用しても良い。
なお、高分子フィルムに熱可塑性がある場合には、高分子フィルム部分を好ましくは局所的に熱変形温度以上に加熱して折り曲げることも可能であり、前記スリットや薄肉化なしでも配線部にストレスを加えることなく高分子フィルムを曲げることができる。
図9(A)の工程Hでは、工程G2により配線を薄肉化した場合について示している。基板の第二の面(裏面)の、折り曲げられた高分子フィルムが接する箇所には、あらかじめシランカップリング剤21が塗布されている。この場合、ディスペンサなどで必要箇所に必要量を塗布すればよい。実験室的にはスポイトや絵筆を用いて塗布することも可能である。
図9(A)の工程Iは、高分子フィルムが折り曲げられ、基板の第二の面(裏面)に高分子フィルムの該当箇所がシランカップリング剤層を介して接着されている状態を示す。この場合も工程A~工程Cと同様、シランカップリング剤が基板と高分子フィルムを接着する反応と自己縮合する反応とが同時並行的に進み、シランカップリング剤層が形成される。
図9(A)のJは、電子表示デバイスの駆動回路素子(ドライバーIC)を実装した状態を示す。
First, the second half of the manufacturing process for an electronic display device using the film lamination method will be described with reference to Figure 9(A). Step G1 in Figure 9(A) shows a state in which a slit 31 is made in the polymer film surrounding the periphery of the electronic display device from the side opposite the side with the wiring. The slit can be made halfway through the polymer film or to the boundary between the polymer film and the wiring, like a half-cut. Note that for convenience, the slit is drawn at an acute angle in the figure, but if a slit with a 90-degree opening is made, it will be possible to bend the polymer film at a right angle at the slit.
9A shows the state in which thinning treatment is performed on the opposite side of the wiring of the polymer film surrounding the periphery of the electronic display device. When thinning, the thickness is preferably 90% or less of the thickness of the polymer film, more preferably 60% or less, and even more preferably 30% or less. Furthermore, the thickness is preferably 1% or more, more preferably 5% or more, and even more preferably 10% or more.
Step G1 or step G2 is performed to enable bending the polymer film at an acute angle and to minimize damage to the wiring. Either slit formation or thinning may be performed alone, or both may be used in combination as appropriate.
In addition, if the polymer film has thermoplasticity, it is also possible to bend the polymer film by heating the polymer film part, preferably locally, to a temperature above the heat distortion temperature, and the polymer film can be bent without applying stress to the wiring part even without the slits or thinning.
Step H in Figure 9(A) shows the case where the wiring has been thinned by step G2. A silane coupling agent 21 is applied in advance to the second surface (rear surface) of the substrate where the folded polymer film comes into contact. In this case, the required amount can be applied to the required area using a dispenser or the like. In a laboratory setting, application can also be done using a dropper or paintbrush.
9(A) shows a state in which the polymer film is folded and the corresponding portion of the polymer film is bonded to the second surface (rear surface) of the substrate via a silane coupling agent layer. In this case, as in steps A to C, the reaction of the silane coupling agent bonding the substrate and the polymer film and the self-condensation reaction proceed simultaneously in parallel to form a silane coupling agent layer.
J in FIG. 9A shows a state in which a driving circuit element (driver IC) of an electronic display device is mounted.

以上により、図5に例示した側面の配線が薄肉化された形態の電子表示装置を得ることができる。
ここに工程G2に相当する薄肉化を行わない場合については、図1(A)の形態となる。90度のスリットを二か所に入れた場合にも、概略図的には図1(A)の形態となる。
なお、ここでは高分子フィルムを無機基板に接着し、電子表示デバイス部は無機基板から剥がさず、製造に用いた無機基板部を電子表示装置に取り込む形を例示したが、工程Eまで進めた段階で高分子フィルム全体を無機基板から剥離し、新たに所定サイズの基板を用意して再接着して工程Fに進むことも可能である。製造工程適性から、電子表示デバイスの製造には耐熱性の高い無機基板の使用が好ましいが、製品として軽量化、フレキシブル化が求められる場合には高分子板、高分子シート、FRP板などの、より軽量で薄い基板を用いることは選択しうる態様の一つである。
図2は、図9(A)の工程H~Iにおいてシランカップリング剤では無く、接着剤を用いた場合になる。無機基板の第二の面と高分子フィルムとの接着にシランカップリング剤を用いた場合には、シランカップリング剤層は極めて薄いため、高分子フィルムを剛体と見なせる無機基板が事実上直接支持する形となる。そのため、配線を支える弾性層は高分子フィルム層だけであり、ボンディング時の加熱、加圧、超音波振動が必要以上に吸収されず、結果として低不良率のボンディングが行える。
一方で接着剤を用いる場合には、弾性層が高分子フィルムと接着剤層の二層となり、ボンディング時の超音波振動が減衰しやすい傾向となる。しかしながら図2(A)の場合には、無機基板の第一の面側において表示素子部分の高分子フィルムと無機基板がごく薄いシランカップリング剤層で接着されているため、装置全体として超音波振動の減衰が抑えられているため、十分に高いボンディング良品率を確保することが可能である。ただし、接着剤を用いる場合には、できるだけ薄く塗布するとともに、硬化物として高弾性率を示す接着剤を用いることが好ましい。
As a result of the above, an electronic display device having thinned wiring on the side surface as shown in FIG. 5 can be obtained.
If the thinning process corresponding to step G2 is not performed, the shape will be as shown in Fig. 1(A). Even if two 90-degree slits are made, the shape will be as shown in Fig. 1(A) in schematic form.
Here, we have exemplified a method in which a polymer film is adhered to an inorganic substrate, the electronic display device portion is not peeled off from the inorganic substrate, and the inorganic substrate portion used in production is incorporated into the electronic display device, but it is also possible to peel the entire polymer film off the inorganic substrate at the stage of proceeding up to step E, prepare a new substrate of the specified size, re-adhere it, and proceed to step F. From the perspective of suitability for the manufacturing process, the use of a highly heat-resistant inorganic substrate for the manufacture of electronic display devices is preferable, but if the product requires lighter weight and flexibility, one option is to use a lighter, thinner substrate such as a polymer plate, polymer sheet, or FRP plate.
Figure 2 shows the case where an adhesive is used instead of a silane coupling agent in steps H to I of Figure 9(A). When a silane coupling agent is used to bond the second surface of the inorganic substrate to the polymer film, the silane coupling agent layer is extremely thin, so the inorganic substrate, which can be considered a rigid body, effectively supports the polymer film directly. Therefore, the only elastic layer supporting the wiring is the polymer film layer, and the heat, pressure, and ultrasonic vibrations during bonding are not absorbed more than necessary, resulting in low-defect bonding.
On the other hand, when an adhesive is used, the elastic layer is a two-layer structure consisting of a polymer film and an adhesive layer, which tends to attenuate ultrasonic vibrations during bonding. However, in the case of Figure 2(A), the polymer film of the display element portion and the inorganic substrate are bonded on the first surface side of the inorganic substrate with a very thin silane coupling agent layer, which suppresses attenuation of ultrasonic vibrations throughout the device, making it possible to ensure a sufficiently high yield rate of bonding. However, when an adhesive is used, it is preferable to apply it as thinly as possible and to use an adhesive that exhibits a high elastic modulus as a cured product.

図3(A)は、工程Bにおいてシランカップリング剤では無く、接着剤を用いて高分子フィルムを無機基板に接着した場合である。この場合図2(A)とは逆に、表示装置全体として、広い面積を占める接着剤層による振動吸収が生じてしまう。しかしながら、ボンディングを行う直下の接着がごく薄いシランカップリング剤層であるため、図2(A)の場合と同様に十分に高いボンディング良品率を確保することが可能である。
図4は、高分子フィルムと無機基板の側面部分も、シランカップリング剤縮合物により接着されている状態を示す。本発明で得られた電子表示装置をタイリング的に並べる際に、表示装置の側面は破損しやすいため、側面を無機基板に確実に接着固定することは好ましい態様のひとつである。図9(A)の工程Gのフライングリード化を行わず、Hにおいてシランカップリング剤を無機基板の側面にも塗布して、高分子フィルムを無機基板側面に沿うように折り曲げれば図4の形態を実現することができる。
Figure 3(A) shows a case where a polymer film is bonded to an inorganic substrate using an adhesive instead of a silane coupling agent in step B. In this case, contrary to Figure 2(A), vibration absorption occurs in the display device as a whole due to the adhesive layer occupying a large area. However, because the adhesive layer directly below the bonding site is a very thin silane coupling agent layer, it is possible to ensure a sufficiently high bonding yield rate, as in the case of Figure 2(A).
Figure 4 shows a state in which the side portions of the polymer film and inorganic substrate are also bonded with a silane coupling agent condensate. When tiling electronic display devices obtained by the present invention, the side surfaces of the display devices are easily damaged, so it is a preferred embodiment to securely bond and fix the side surfaces to the inorganic substrate. The configuration shown in Figure 4 can be achieved by not performing the flying lead formation in step G of Figure 9(A), but instead applying a silane coupling agent to the side surfaces of the inorganic substrate in step H, and then bending the polymer film along the side surfaces of the inorganic substrate.

次に、フィルムラミネート法を用いた場合の電子表示装置の製造工程の後半を図9(B)に沿って説明する。図9(B)の工程Gにおいて、残された基板の裏側(第二の面)の一部または全部にシランカップリング剤ないしシランカップリング剤の溶液21が塗布される。この場合、ディスペンサなどで必要箇所に必要量を塗布すればよい。実験室的にはスポイトや絵筆を用いて塗布することも可能である。溶液を用いた場合には乾燥によりシランカップリング剤膜とする。
なお、この前に、高分子フィルムの配線領域の基板に接着されていた面の一部を、プラズマエッチング法、サンドブラスト法、その他の機械的研削法、薬液によるエッチング法などにより薄肉化することもできる。
図9(B)の工程Hでは、配線領域の高分子フィルムの、表示領域に隣接する箇所を加熱して、次いで高分子フィルムを配線ごと、基板の側面(切断面)に沿って折曲げ、さらに基板の裏側(第二の面)に向けて折り曲げる。この過程が「(d)前記表示領域と配線領域の境界近傍を、高分子の軟化点以上に加熱し、配線領域を基板側面に沿って折曲げる工程、と(e)さらに配線領域を基板側面から裏面(第二の面)に向けて折曲げる工程」に相当する。
基板の第二の面(裏面)にはあらかじめシランカップリング剤21が塗布されており、高分子フィルムはシランカップリング剤の縮合とともに高分子フィルムとシランカップリング剤、基板とシランカップリング剤が各々反応して基板に接着される。
高分子フィルムの加熱手段としては、紫外線、赤外線、レーザー光、あるいは強いフラッシュランプなどによる光照射、加熱した物体の直接接触、加熱した物体を近傍に近づけて輻射熱で加熱、配線自体を電磁誘導で加熱する方法、マイクロ波を用いる加熱方法、などを適宜選択して用いることができる。
加熱する温度は高分子フィルムの軟化温度から軟化温度+80℃の範囲とすることが好ましい。
図9(B)の工程Iは、高分子フィルムが折り曲げられ、基板の第二の面(裏面)に高分子フィルムの該当箇所がシランカップリング剤層を介して接着されている状態を示す。なおここではシランカップリング剤を用いた例としたが、シランカップリング剤の代わりに接着剤を用いてもよい。
図9(B)のJは、電子表示デバイスの駆動回路素子(ドライバーIC)を実装した状態を示す。
Next, the second half of the manufacturing process for an electronic display device using the film lamination method will be described with reference to Figure 9(B). In step G of Figure 9(B), a silane coupling agent or a solution 21 of the silane coupling agent is applied to part or all of the back side (second surface) of the remaining substrate. In this case, the required amount can be applied to the required area using a dispenser or the like. In a laboratory setting, application can also be performed using a dropper or paintbrush. When a solution is used, a silane coupling agent film is formed by drying.
Prior to this, a portion of the surface of the polymer film that was attached to the substrate in the wiring region can be thinned by plasma etching, sandblasting, other mechanical grinding methods, chemical etching, or the like.
9(B), the polymer film in the wiring region is heated at a location adjacent to the display region, and then the polymer film is folded along the side (cut surface) of the substrate together with the wiring, and then folded toward the back side (second surface) of the substrate. This process corresponds to "(d) a process of heating the vicinity of the boundary between the display region and the wiring region to a temperature equal to or higher than the softening point of the polymer, and folding the wiring region along the side surface of the substrate, and (e) a process of further folding the wiring region from the side surface of the substrate toward the back side (second surface)."
A silane coupling agent 21 is applied to the second surface (rear surface) of the substrate in advance, and the polymer film is adhered to the substrate as the silane coupling agent condenses and the polymer film and the silane coupling agent react with each other, and the substrate and the silane coupling agent react with each other.
The polymer film can be heated by any of a variety of methods, including irradiation with ultraviolet light, infrared light, laser light, or a strong flash lamp; direct contact with a heated object; heating by radiant heat by bringing a heated object close to the film; heating the wiring itself by electromagnetic induction; and heating using microwaves.
The heating temperature is preferably in the range of the softening temperature of the polymer film to the softening temperature + 80°C.
9(B) shows a state in which the polymer film is folded and the corresponding portion of the polymer film is bonded to the second surface (rear surface) of the substrate via a silane coupling agent layer. Note that although a silane coupling agent is used in this example, an adhesive may be used instead of the silane coupling agent.
J in FIG. 9B shows a state in which a drive circuit element (driver IC) for an electronic display device is mounted.

以上により、概略が図1(B)、詳細には図13(B)に例示した側面を有する形態の電子表示装置を得ることができる。
なお、ここでは高分子フィルムを無機基板に接着し、電子表示デバイス部は無機基板から剥がさず、製造に用いた無機基板部を電子表示装置に取り込む形を例示したが、工程Eまで進めた段階で高分子フィルム全体を無機基板から剥離し、新たに所定サイズの基板を用意して再接着して工程Fに進むことも可能である。製造工程適性から、電子表示デバイスの製造には耐熱性の高い無機基板の使用が好ましいが、製品として軽量化、フレキシブル化が求められる場合には高分子板、高分子シート、FRP板などの、より軽量で薄い基板を用いることは選択しうる態様の一つである。
図2(B)は、工程B~工程Cにおいて、高分子フィルムと基板を接着して積層体を得る際に、シランカップリング剤では無く、接着剤を用いた場合になる。
図3(B)は、工程I~工程Hにおいてシランカップリング剤では無く、接着剤を用いて高分子フィルムを無機基板の第二の面に接着した場合である。
図6は表示領域を、基板サイズより大きく取った場合である。
図7は折り曲げた高分子フィルムと基板側面との間にギャップがある場合で、ギャップは注型樹脂90にて埋められている。
As a result of the above, an electronic display device having a side surface as shown in FIG. 1B in outline and in FIG. 13B in detail can be obtained.
Here, an example has been given in which the polymer film is adhered to the inorganic substrate, the electronic display device portion is not peeled off from the inorganic substrate, and the inorganic substrate portion used in production is incorporated into the electronic display device, but it is also possible to peel the entire polymer film off the inorganic substrate at the stage of proceeding up to step E, prepare a new substrate of a predetermined size, re-adhere it, and proceed to step F. From the viewpoint of suitability for the manufacturing process, it is preferable to use a highly heat-resistant inorganic substrate for the manufacture of electronic display devices, but if the product is required to be lightweight and flexible, one option is to use a lighter, thinner substrate such as a polymer board, polymer sheet, or FRP board.
FIG. 2B shows a case where an adhesive is used instead of a silane coupling agent when bonding the polymer film and the substrate to obtain a laminate in steps B and C.
FIG. 3B shows a case where the polymer film is bonded to the second surface of the inorganic substrate using an adhesive instead of a silane coupling agent in steps I to H.
FIG. 6 shows a case where the display area is larger than the substrate size.
FIG. 7 shows a case where there is a gap between the folded polymer film and the side surface of the substrate, and the gap is filled with a casting resin 90.

次いで、図10、図11(A)および図11(B)を用いてワニス法を用いた場合の本発明の電子表示装置を製造するプロセスを説明する。
図10の工程Aは加工前の基板である。
図10の工程Bは基板表面に高分子溶液ないし高分子前駆体溶液35を塗布した状態である。シランカップリング剤(層)は、用いても用いなくても良いため図からは省略している。ただし、特許5862866号公報に記載される接着強度の強弱パターン化を行う場合には、シランカップリング剤を基板に塗布し、パターン化のための予備処理を行った後に高分子溶液ないし高分子前駆体溶液を塗布すればよい。
図10の工程Cは、乾燥および必要に応じて化学反応を行って基板上にて高分子フィルムを形成した状態である。
フィルムラミネート法と同様、工程A~Cまでがワニス法における「(a)基板と、少なくとも基板の片面に接着された高分子フィルムを有する積層体を準備する工程」に相当する。以後の工程は、概ねフィルムラミネート法を用いた場合と同様である。
図10の工程Dでは、高分子フィルムの接着面とは反対側(非接着側)の表面上に配線が形成される。便宜上周辺部のみを図示してある。
図10の工程Eでは電子表示デバイスが形成される。配線は、実際には電子表示デバイス内に網の目状に配置される配線層と接続されている。
工程DとEがワニス法における「(b)高分子フィルム上に、電子表示デバイスと配線を形成する工程」に相当する。
図10のF工程では、基板の一部が取り除かれ、表示領域X1と配線領域X2に分画される。
Next, a process for manufacturing the electronic display device of the present invention using the varnish method will be described with reference to FIGS. 10, 11A and 11B.
Step A in FIG. 10 shows the substrate before processing.
Step B in Figure 10 shows a state in which a polymer solution or polymer precursor solution 35 has been applied to the surface of the substrate. The silane coupling agent (layer) is omitted from the figure because it may or may not be used. However, when performing the patterning of adhesive strength described in Japanese Patent No. 5,862,866, a silane coupling agent may be applied to the substrate, and the polymer solution or polymer precursor solution may be applied after performing a preliminary treatment for patterning.
Step C in FIG. 10 shows a state in which a polymer film is formed on the substrate after drying and, if necessary, chemical reaction.
As with the film lamination method, steps A to C correspond to "(a) a step of preparing a laminate having a substrate and a polymer film adhered to at least one surface of the substrate" in the varnish method. The subsequent steps are generally the same as those in the film lamination method.
10, wiring is formed on the surface of the polymer film opposite to the adhesive surface (non-adhesive side). For convenience, only the peripheral portion is shown.
The electronic display device is formed in step E of Figure 10. The wiring is actually connected to a wiring layer arranged in a mesh pattern within the electronic display device.
Steps D and E correspond to "(b) step of forming an electronic display device and wiring on a polymer film" in the varnish method.
In step F of FIG. 10, a part of the substrate is removed to divide it into a display area X1 and a wiring area X2.

まず、ワニス法を用いた場合の電子表示装置の製造工程の後半を図11(A)に沿って説明する。図11(A)の工程G1は、電子表示デバイス周辺を取り巻く高分子フィルムに、配線のある面の逆面からスリット31を入れた状態を表す。
図11(A)の工程G2は、電子表示デバイス周辺を取り巻く高分子フィルムの配線のある面の逆面側から薄肉化処理を行った状態を表す。この場合も配線は、いわゆるフライングリード41となる。
高分子フィルムに熱可塑性がある場合には、フィルムラミネート法を用いた場合と同様に高分子フィルム部分を好ましくは局所的に熱変形温度以上に加熱して折り曲げることも可能であり、前記スリットや薄肉化なしでも配線部にストレスを加えることなく高分子フィルムを曲げることができる。
図11(A)の工程Hでは、工程G1のスリット入れ、G2の薄肉化処理を行わずにフィルムごと側面で曲げる場合について示している。基板の第二の面(裏面)の、折り曲げられた高分子フィルムが接する箇所には、あらかじめシランカップリング剤21が塗布されている。この場合、ディスペンサなどで必要箇所に必要量を塗布すればよい。実験室的にはスポイトや絵筆を用いて塗布することも可能である。
図11(A)の工程Iは、高分子フィルムが折り曲げられ、基板の第二の面(裏面)に高分子フィルムの該当箇所がシランカップリング剤層を介して接着されている状態を示す。この場合も工程A~工程Cと同様、シランカップリング剤が基板と高分子フィルムを接着する反応と自己縮合する反応とが同時並行的に進み、シランカップリング剤層が形成される。
図11(A)のJは、電子表示デバイスの駆動回路素子(ドライバーIC)を実装した状態を示す。
以上により、図1(A)に例示した形態の電子表示装置を得ることができる。(ただし基板の第一の面と高分子フィルム層の間にシランカップリング剤層は無い)
なお、ワニス法においてもフィルムラミネート法と同様に、工程Eまで進めた段階で高分子フィルム全体を無機基板から剥離し、新たに所定サイズの基板を用意して再接着して工程Fに進むプロセスは、選択しうる態様の一つである。
First, the second half of the manufacturing process for an electronic display device using the varnish method will be described with reference to Fig. 11(A). Step G1 in Fig. 11(A) shows the state in which slits 31 are made in the polymer film surrounding the periphery of the electronic display device from the side opposite to the side with wiring.
11A shows a state in which the polymer film surrounding the periphery of the electronic display device is thinned from the opposite side to the wiring side. In this case, the wiring also becomes so-called flying leads 41.
If the polymer film has thermoplastic properties, it is possible to bend the polymer film by heating the polymer film, preferably locally, to a temperature above the heat distortion temperature, as in the case of using the film lamination method, and the polymer film can be bent without applying stress to the wiring portion even without the need for the slits or thinning.
Step H in Figure 11(A) shows a case where the film is bent sideways without performing the slitting process in step G1 or the thinning process in step G2. A silane coupling agent 21 is applied in advance to the second surface (rear surface) of the substrate where the folded polymer film will come into contact. In this case, the required amount can be applied to the required locations using a dispenser or the like. In a laboratory setting, application can also be performed using a dropper or paintbrush.
11(A) shows a state in which the polymer film is folded and the corresponding portion of the polymer film is bonded to the second surface (rear surface) of the substrate via a silane coupling agent layer. In this case, as in steps A to C, the reaction of the silane coupling agent bonding the substrate and the polymer film and the self-condensation reaction proceed simultaneously in parallel to form a silane coupling agent layer.
J in FIG. 11A shows a state in which a driving circuit element (driver IC) of an electronic display device is mounted.
As a result, an electronic display device having the configuration illustrated in Figure 1A can be obtained (although there is no silane coupling agent layer between the first surface of the substrate and the polymer film layer).
In the varnish method, as in the film lamination method, one possible embodiment is to peel the entire polymer film off the inorganic substrate at the stage of step E, prepare a new substrate of a predetermined size, re-adhere the film, and proceed to step F.

図11(B)においても工程G以後はフィルムラミネート法と同様である。
なお、ワニス法においてもフィルムラミネート法と同様に、工程Eまで進めた段階で高分子フィルム全体を無機基板から剥離し、新たに所定サイズの基板を用意して再接着して工程Fに進むプロセスは、選択しうる態様の一つである。
In FIG. 11B, the steps from step G onwards are the same as those in the film lamination method.
In the varnish method, as in the film lamination method, one possible embodiment is to peel the entire polymer film off the inorganic substrate at the stage of step E, prepare a new substrate of a predetermined size, re-adhere the film, and proceed to step F.

本発明では電子表示装置の外形寸法Loと、電子表示デバイスの表示部の外形Ldとが以下の関係にあることが好ましい。
Lo<(1/2)×(Ld+5×Lpx)
ここに、
Lo:電子表示装置の外形寸法
Ld:電子表示デバイスの表示部の外形寸法
Lpx:電子表示デバイスの画素寸法、である。
この関係を図13(A)、図13(B)を用いて説明する。図13(A)、図13(B)は電子表示装置の側面近傍の断面を示している。断面の切断方向は電子表示デバイスのX方向ないしY方向のいずれか一方向である。本発明では表示装置のX方向、Y方向のいずれか一方向、好ましくは両方向で上記の関係を成立させることが必要である。
電子表示装置の外形寸法Loから、実際に画像を表示できるエリアの寸法Ldを差し引いた寸法の1/2が、表示エリアから外側にある画像表示できないエリア(オーバーハング部)の寸法Lovとなる。Lovは額縁の最小幅と理解することができる。本発明ではこのオーバーハング幅を画素寸法の2.5倍以下とすることが好ましい特徴である。
額縁幅を表示ピクセルの2.5倍程度以下とすれば、タイリングした際に生じる非表示部の幅がピクセルサイズの5倍程度以下となり、タイリングの継ぎ目を目立たなくすることができる。より好ましくは2.4倍以下であり、さらに好ましくは2.2倍以下であり、特に好ましくは2.0倍以下である。
In the present invention, it is preferable that the outer dimension Lo of the electronic display device and the outer dimension Ld of the display unit of the electronic display device have the following relationship:
Lo<(1/2)×(Ld+5×Lpx)
Here,
Lo: outer dimensions of the electronic display device, Ld: outer dimensions of the display portion of the electronic display device, and Lpx: pixel size of the electronic display device.
This relationship will be explained using Figures 13(A) and 13(B). Figures 13(A) and 13(B) show cross sections near the side surfaces of an electronic display device. The cutting direction of the cross section is either the X direction or the Y direction of the electronic display device. In the present invention, it is necessary to establish the above relationship in either the X direction or the Y direction of the display device, or preferably in both directions.
The dimension Lov of the area outside the display area where an image cannot be displayed (overhang portion) is half the dimension obtained by subtracting the dimension Ld of the area where an image can actually be displayed from the outer dimension Lo of the electronic display device. Lov can be understood as the minimum width of the frame. In the present invention, it is a preferred feature that this overhang width is 2.5 times or less the pixel dimension.
If the frame width is set to about 2.5 times or less the display pixel, the width of the non-display area that occurs when tiling is performed will be about 5 times or less the pixel size, making the tiling joints less noticeable, more preferably 2.4 times or less, even more preferably 2.2 times or less, and particularly preferably 2.0 times or less.

一方で、図13(A)におけるLovは配線厚さLbと側面ギャップLgとの和になる。ここに配線厚さは高分子フィルム厚と配線厚の和である。高分子フィルムが薄肉化されている場合には、薄肉化された高分子フィルム厚と配線厚との和となり、高分子フィルムが折り曲げ部分で完全に除去されている場合にはLbは配線厚と等しくなる。
高分子フィルムおよび配線は、いずれも有限の曲げ弾性率を有する。したがって(高分子フィルムのスリット入れないし薄肉化、あるいは加熱による一時的な可塑化などを行わない場合には、)高分子フィルムは、有限の曲率半径Riをもって曲げられる。この場合曲率半径はLgとLbとの和に相当することなり、すなわちLovに等しい。
Ri=Lg+Lb=Lov
以上は、高分子フィルムと配線が完全な円弧を描いて曲げられた理想的な場合の幾何学解である。実際には曲げ部分は楕円弧的に歪むため理想形からは外れるわけである。
本発明では、実施の曲げ半径RrがRiの0.7倍から3倍の間に収まるように曲げることが好ましい。すなわち、
0.7×Lov ≦ Rr ≦ 3×Lov
であることが好ましい。より好ましくは0.8倍以上2.5倍以下であり、さらに好ましくは1倍以上2倍以下である。
On the other hand, Lov in Figure 13(A) is the sum of the wiring thickness Lb and the side gap Lg. Here, the wiring thickness is the sum of the polymer film thickness and the wiring thickness. If the polymer film is thinned, it is the sum of the thinned polymer film thickness and the wiring thickness, and if the polymer film is completely removed at the bent portion, Lb is equal to the wiring thickness.
Both the polymer film and the wiring have a finite bending modulus. Therefore, (unless the polymer film is slit or thinned, or temporarily plasticized by heating), the polymer film is bent with a finite radius of curvature Ri. In this case, the radius of curvature corresponds to the sum of Lg and Lb, i.e., Lov.
Ri=Lg+Lb=Lov
The above is a geometric solution for the ideal case where the polymer film and wiring are bent in a perfect arc. In reality, the bent part is distorted into an elliptical arc, so it deviates from the ideal shape.
In the present invention, it is preferable to bend the cable so that the bending radius Rr is between 0.7 and 3 times Ri.
0.7×Lov ≦ Rr ≦ 3×Lov
It is more preferably 0.8 times or more and 2.5 times or less, and even more preferably 1 time or more and 2 times or less.

高分子フィルムと配線が曲率半径Lovで曲げられ、かつ基板厚さTsが十分に厚い場合(Ts>2×Lov)には、基板側面と、高分子フィルムおよび配線が平行する区間Lpを設けることができる。Lpは計算上
Lp=Ts-2×Lg
となる。これも理想的に変形した場合の幾何学解であり、実際には理想形からは外れる訳であるが、本発明では少なくともLpが基板厚さTsの30%以上であることが好ましい。すなわち、
Lp ≧ 0.3×Ts
であることが好ましい。より好ましくは40%以上であり、さらに好ましくは50%以上である。
When the polymer film and wiring are bent with a curvature radius Lov and the substrate thickness Ts is sufficiently thick (Ts>2×Lov), a section Lp can be provided where the side surface of the substrate is parallel to the polymer film and wiring. Lp is calculated as follows: Lp=Ts-2×Lg
This is also a geometric solution in the case of ideal deformation, and in reality it deviates from the ideal form, but in the present invention it is preferable that Lp is at least 30% or more of the substrate thickness Ts. That is,
Lp ≧ 0.3 × Ts
It is more preferably 40% or more, and even more preferably 50% or more.

また、図13(B)におけるLovはフライング配線厚さTwと側面ギャップLgとの和になる。フライング配線の厚さは配線の厚さに等しい。フライング配線は有限の曲率半径Riをもって曲げられる。この場合曲率半径はLgとTwとの和に相当することなり、すなわちLovに等しい。
Ri=Lg+Tw=Lov
以上は、高分子フィルムと配線層が完全な円弧を描いて曲げられた理想的な場合の幾何学解である。実際には曲げ部分は楕円弧的に歪むため理想形からは外れるわけである。
本発明では、実施の曲げ半径RrがRiの0.7倍から3倍の間に収まるように曲げることが好ましい。すなわち、
0.7×Lov ≦ Rr ≦ 3×Lov
であることが好ましい。より好ましくは0.8倍以上2.5倍以下であり、さらに好ましくは1倍以上2倍以下である。
Also, Lov in Figure 13(B) is the sum of the flying wire thickness Tw and the side gap Lg. The thickness of the flying wire is equal to the thickness of the wire. The flying wire is bent with a finite radius of curvature Ri. In this case, the radius of curvature corresponds to the sum of Lg and Tw, i.e., is equal to Lov.
Ri=Lg+Tw=Lov
The above is a geometric solution for the ideal case where the polymer film and wiring layer are bent in a perfect arc. In reality, the bent part is distorted like an ellipse, so it deviates from the ideal shape.
In the present invention, it is preferable to bend the cable so that the bending radius Rr is between 0.7 and 3 times Ri.
0.7×Lov ≦ Rr ≦ 3×Lov
It is more preferably 0.8 times or more and 2.5 times or less, and even more preferably 1 time or more and 2 times or less.

フライング配線が曲率半径Lovで曲げられ、かつ基板厚さTsが十分に厚い場合(Ts>2×Lov)には、基板側面と、配線高分子フィルムおよび配線層が平行する区間Lpを設けることができる。Lpは計算上
Lp=Ts-2×Lg
となる。これも理想的に変形した場合の幾何学解であり、実際には理想形からは外れる訳であるが、本発明では少なくともLpが基板厚さTsの30%以上であることが好ましい。すなわち、
Lp ≧ 0.3×Ts
であることが好ましい。より好ましくは40%以上であり、さらに好ましくは50%以上である。
When the flying wiring is bent with a curvature radius Lov and the substrate thickness Ts is sufficiently thick (Ts>2×Lov), a section Lp can be provided where the substrate side surface is parallel to the wiring polymer film and the wiring layer. Lp is calculated as follows: Lp=Ts-2×Lg
This is also a geometric solution in the case of ideal deformation, and in reality it deviates from the ideal form, but in the present invention it is preferable that Lp is at least 30% or more of the substrate thickness Ts. That is,
Lp ≧ 0.3 × Ts
It is more preferably 40% or more, and even more preferably 50% or more.

図14は、本発明の電子表示装置の側面部に生じるギャップ部分に樹脂を充填した場合の様子を示している。ギャップ部分に樹脂を充填して、側面の高分子フィルム形状を固定化することで、本発明の電子表示装置の側面形状を良好に維持することができる。固定化する際に型などを用いれば、側面形状を理想形状に近づけることが可能となる。
図15は、本発明の電子表示装置の側面部において実質的にギャップが存在しない場合の様子を示している。高分子フィルムを部分的に加熱して可塑化させることにより高分子フィルムを変形させてこのような形態に加工することが可能である。この場合にはLovは高分子フィルムと配線厚の総和に等しくなり、額縁幅を非常に狭くすることができる。
14 shows the state when a resin is filled into the gaps that occur on the side surfaces of the electronic display device of the present invention. By filling the gaps with resin and fixing the shape of the polymer film on the side surfaces, the side surface shape of the electronic display device of the present invention can be maintained well. By using a mold or the like during fixing, it is possible to make the side surface shape closer to the ideal shape.
Figure 15 shows the state of the electronic display device of the present invention when there is essentially no gap in the side portion. This shape can be achieved by partially heating and plasticizing the polymer film, thereby deforming the polymer film. In this case, Lov is equal to the sum of the polymer film and wiring thickness, allowing for a very narrow frame width.

図16は、さらに、ギャップが存在せず、さらに基板側面に位置する部分の高分子フィルムを薄肉化した場合である。この場合にはLovは配線厚さと等しくなる。
図17は、なおさらに、電子表示デバイスの表示エリアに踏み込んで除去した形態であり、電子表示装置の外形寸法Loと電子表示デバイスの表示エリアの寸法Ldが実質的に等しくなるため、額縁を無くすることが可能となる。
16 shows the case where there is no gap and the polymer film is further thinned at the side of the substrate, in which case Lov is equal to the wiring thickness.
FIG. 17 shows a configuration in which the display area of the electronic display device has been further removed, and since the outer dimensions Lo of the electronic display device and the dimensions Ld of the display area of the electronic display device are substantially equal, it is possible to eliminate the frame.

図18は従来技術であるTABを用いた電子表示装置において、TAB基材である高分子フィルムと基板の第二の面との接着にシランカップリング剤を用いた場合を示している。TABと電子表示デバイスとはACF(異方性導電膜)により接続されている、ACF部分は表示に使えないため、額縁にACF幅が含まれてしまうため、狭額縁化が阻害されている。 Figure 18 shows a conventional electronic display device using TAB technology, where a silane coupling agent is used to bond the polymer film that serves as the TAB base material to the second surface of the substrate. The TAB and electronic display device are connected by an anisotropic conductive film (ACF). Because the ACF portion cannot be used for display, the width of the ACF is included in the frame, preventing the frame from becoming narrower.

図19には、本発明と類似する従来提案されてきた、電子表示装置の側面部の詳細断面模式図である。高分子フィルムが大きな曲率をもって曲げられているためオーバーハングが大きくなり額縁幅を狭くすることが困難である。このような形態となるのは、高分子フィルムのフレキシビリティが乏しく、曲率を小さくするとフィルムが破損する可能性が高くなるためである。 Figure 19 shows a detailed cross-sectional schematic diagram of the side of a previously proposed electronic display device similar to the present invention. Because the polymer film is bent with a large curvature, the overhang is large, making it difficult to narrow the frame width. This shape occurs because the polymer film has poor flexibility, and reducing the curvature increases the likelihood of the film being damaged.

図20には、本発明と類似する従来提案されてきた、電子表示装置の側面部の詳細断面模式図である。高分子フィルムが大きな曲率をもって曲げられているためオーバーハングが大きくなり額縁幅を狭くすることが困難である。このような形態となるのは、高分子フィルムのフレキシビリティが乏しく、曲率を小さくするとフィルムが破損する可能性が高くなるためである。 Figure 20 shows a detailed cross-sectional schematic diagram of the side of a previously proposed electronic display device similar to the present invention. Because the polymer film is bent with a large curvature, the overhang is large, making it difficult to narrow the frame width. This shape occurs because the polymer film has poor flexibility, and reducing the curvature increases the likelihood of the film being damaged.

図12は従来技術であるTABを用いた電子表示装置において、TAB基材である高分子フィルムと基板の第二の面との接着にシランカップリング剤を用いた場合を示している。TABのフライング配線と電子表示デバイスとはACF(異方性導電膜)により接続されている、ACF部分は表示に使えないため、額縁にACF幅が含まれてしまうため、狭額縁化が阻害されている。 Figure 12 shows a conventional electronic display device using TAB technology, where a silane coupling agent is used to bond the polymer film that serves as the TAB base material to the second surface of the substrate. The TAB flying wiring and the electronic display device are connected by an anisotropic conductive film (ACF). Because the ACF portion cannot be used for display, the width of the ACF is included in the frame, preventing the frame from becoming narrower.

以下に実施例を示し、本発明を具体的に説明する。なお、本実施例は、本発明を限定するものではない。
<積層体の製造A>(フィルムラミネート法1)
(ポリイミドフィルムApfの製造)
三菱ガス化学社製の無色ポリイミド「ネオプレン(登録商標」L-3430)を粉砕し、NMPに溶解して、さらにコロイダルシリカ(平均粒径:0.08μm)をジメチルアセトアミドに分散させたスノーテックス(DMAC-ST30、日産化学工業製)をコロイダルシリカがポリイミド溶液A中のポリマー固形分総量に対して1.5質量%になるように加え、固形分18%のポリイミド溶液Asolを得た。
得られたポリイミド溶液Asolを、ダイコーターを用いて、鏡面仕上げしたステンレススチール製の無端連続ベルト上に塗布し(塗工幅1240mm)、90~115℃にて20分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリイミドフィルムを支持体から剥離して両端をカットし、グリーンフィルムAgfを得た。
得られたグリーンフィルムAgfをピンテンターによって、最終ピンシート間隔が1140mmとなるように搬送し、1段目150℃で4分間、2段目250℃で4分間、3段目300℃で8分間として熱処理を施し、その後、2分間で室温にまで冷却し、フィルムの両端部の平面性が悪い部分をスリッターにて切り落とし、ロール状に巻き上げ、無色透明なポリイミドフィルムApfを得た。 得られたポリイミドフィムは厚さ35μm、ガラス転移温度が303℃、全光線透過率92%、イエローインデックスが1.2、引張弾性率が3.7GPa、引張破断伸度が24%、熱膨張係数(CTE)58ppm/K、吸水率2.1%、湿度膨張係数(CHE)63ppm/%RHであった。
The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
<Laminate Production A> (Film Lamination Method 1)
(Production of polyimide film Apf)
Colorless polyimide "Neoprene (registered trademark)" L-3430 manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. was pulverized and dissolved in NMP, and Snowtex (DMAC-ST30, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), in which colloidal silica (average particle size: 0.08 μm) was dispersed in dimethylacetamide, was added to the polyimide solution A so that the colloidal silica accounted for 1.5 mass % of the total polymer solid content, thereby obtaining a polyimide solution Asol with a solid content of 18%.
The resulting polyimide solution Asol was applied to a mirror-finished endless continuous stainless steel belt (coating width: 1240 mm) using a die coater and dried for 20 minutes at 90 to 115° C. After drying, the self-supporting polyimide film was peeled off from the support and both ends were cut to obtain a green film Agf.
The resulting green film (Agf) was conveyed through a pin tenter with a final pin sheet spacing of 1140 mm and heat-treated at 150°C for 4 minutes in the first stage, 250°C for 4 minutes in the second stage, and 300°C for 8 minutes in the third stage. It was then cooled to room temperature over 2 minutes, and the film was wound up into a roll to obtain a colorless, transparent polyimide film (Apf). The resulting polyimide film had a thickness of 35 μm, a glass transition temperature of 303°C, a total light transmittance of 92%, a yellow index of 1.2, a tensile modulus of 3.7 GPa, a tensile elongation at break of 24%, a coefficient of thermal expansion (CTE) of 58 ppm/K, a water absorption of 2.1%, and a coefficient of humidity expansion (CHE) of 63 ppm/% RH.

(フィルムラミネート法による積層体製造1)
ポリイミドフィルムApfの片面にロールトゥロール方式に真空プラズマ処理装置を用い窒素プラズマ処理を行い、その後280mm×280mmの正方形にカットした。
シランカップリング剤(信越化学工業社製「KBE-903」)を1質量%含むイソプロピルアルコール溶液を300mm×300mm、厚さ0.5mmのガラス基板にスピンコート法によりコーティングし、その後100℃にて1分間乾燥させた。さらにガラス周辺部のシランカップリング剤の活性を弱める処理:接着強度の強弱パターン化処理)として、ガラス中央部250mm×250mmを遮光性のあるプラスチックシートでマスクし、全面にLANテクニカルサービス社製のUV/オゾン洗浄機にて紫外光を照射した。
次いで、フィルムのプラズマ処理面とガラス基板のシランカップリング剤処理面を合わせ、真空ラミネータにて両者を密着させ、150℃1分間の熱処理を行い、積層体Aを得た。
(Laminate production 1 by film lamination method)
One side of the polyimide film Apf was subjected to nitrogen plasma treatment using a vacuum plasma treatment device in a roll-to-roll system, and then cut into a square of 280 mm x 280 mm.
An isopropyl alcohol solution containing 1% by mass of a silane coupling agent ("KBE-903" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) was spin-coated onto a 300 mm x 300 mm, 0.5 mm thick glass substrate, which was then dried at 100°C for 1 minute. Furthermore, as a treatment to weaken the activity of the silane coupling agent in the periphery of the glass (a treatment to pattern the strength of the adhesive), a central 250 mm x 250 mm portion of the glass was masked with a light-shielding plastic sheet, and the entire surface was irradiated with ultraviolet light using a UV/ozone cleaner manufactured by LAN Technical Services.
Next, the plasma-treated surface of the film and the silane coupling agent-treated surface of the glass substrate were brought into contact with each other using a vacuum laminator, and heat-treated at 150° C. for 1 minute to obtain a laminate A.

<積層体の製造B>(フィルムラミネート法2)
(ポリイミドフィルムBpfの製造)
窒素導入管、ディーン・スターク装置及び還流管、温度計、攪拌棒を備えた反応容器に、窒素ガスを導入しながら、32.02質量部の2,2’-ジトリフルオロメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(TFMB)、230質量部のN,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)を加えて完全に溶解させ、次いで、44.42質量部の4,4’-(2,2-ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸二無水物(6FDA)を固体のまま分割添加した後、室温で24時間攪拌した。その後、固形分25質量%、還元粘度1.10dl/gのポリアミド酸溶液Bpaaを得た。
次に、得られたポリアミド酸溶液BpaaにDMAc204質量部を加えてポリアミド酸の濃度が15質量%になるように希釈した後、イミド化促進剤としてイソキノリン1.3質量部を加えた。次いで、ポリアミド酸溶液を攪拌しながら、イミド化剤として無水酢酸12.25質量部をゆっくりと滴下した。その後、24時間攪拌を続けて化学イミド化反応を行って、ポリイミド溶液Bsolzを得た。
次に、得られたポリイミド溶液Bsolz100質量部を攪拌装置と攪拌機を備えた反応容器に移し替え、攪拌しながらメタノール150質量部をゆっくりと滴下させたところ、粉体状の固体の析出が確認された。
その後、反応容器の内容物である粉末を脱水濾過し、さらにメタノールを用いて洗浄した後に50℃で24時間真空乾燥した後、260℃で更に5時間加熱し、ポリイミド粉体Bpdを得た。得られたポリイミド粉体Bpd20質量部を80質量部のDMAcに溶解させてポリイミド溶液Bsolを得た。
<Laminate Production B> (Film Lamination Method 2)
(Production of polyimide film Bpf)
While introducing nitrogen gas into a reaction vessel equipped with a nitrogen inlet tube, Dean-Stark apparatus, reflux condenser, thermometer, and stirrer, 32.02 parts by mass of 2,2'-ditrifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl (TFMB) and 230 parts by mass of N,N-dimethylacetamide (DMAc) were added and completely dissolved, and then 44.42 parts by mass of 4,4'-(2,2-hexafluoroisopropylidene)diphthalic dianhydride (6FDA) was added in portions as a solid, followed by stirring at room temperature for 24 hours. Thereafter, a polyamic acid solution Bpaa having a solids content of 25% by mass and a reduced viscosity of 1.10 dl/g was obtained.
Next, 204 parts by weight of DMAc was added to the resulting polyamic acid solution Bpaa to dilute it to a polyamic acid concentration of 15% by weight, and then 1.3 parts by weight of isoquinoline was added as an imidization accelerator. Next, 12.25 parts by weight of acetic anhydride as an imidization agent was slowly added dropwise while stirring the polyamic acid solution. Stirring was continued for 24 hours to carry out a chemical imidization reaction, yielding a polyimide solution Bsolz.
Next, 100 parts by mass of the obtained polyimide solution Bsolz was transferred to a reaction vessel equipped with a stirring device and a stirrer, and 150 parts by mass of methanol was slowly added dropwise while stirring, whereupon precipitation of a powdery solid was confirmed.
The powder content of the reaction vessel was then dehydrated and filtered, washed with methanol, and then vacuum dried at 50° C. for 24 hours, followed by heating at 260° C. for an additional 5 hours to obtain polyimide powder Bpd. 20 parts by mass of the obtained polyimide powder Bpd was dissolved in 80 parts by mass of DMAc to obtain a polyimide solution Bsol.

25℃45%RHに空調された大気中にて、ロールトゥロール式のコンマコーターと連続式乾燥炉を備えた装置を用いて、ポリイミド溶液Bsolを、仮支持体であるポリエチレンテレフタレート製フィルムA4100(東洋紡株式会社製、以下PETフィルムと略記する)の無滑材面上に最終膜厚が25μmとなるよう塗布した。次いで連続式の乾燥機により、一次加熱として、110℃にて10分間加熱し、残溶剤量が25質量%の半乾燥被膜Bgfを得て、仮支持体ごとロール状に巻き取った。
得られたロールを再び前述の装置にセットし、仮支持体とともにBgfを巻き出し、Bgfを仮支持体から剥離し、ピンシートを有するピンテンターに通し、フィルム端部をピンに差し込むことにより把持し、フィルムが破断しないように、かつ不必要なたるみが生じないようにピンシート間隔を調整して搬送し、最終加熱として、200℃で3分、250℃で3分、300℃で6分の条件で加熱した。その後、2分間で室温にまで冷却し、フィルムの両端の平面性が悪い部分をスリッターにて切り落とし、ロール状に巻き上げ、幅530mm、長さ80mのポリイミドフィルムBpfのロールを得た。
得られたポリイミドフィムは厚さ25μm、ガラス転移温度が320℃、全光線透過率92%、イエローインデックスが0.8、引張弾性率が3.4GPa、引張破断伸度が18%、熱膨張係数(CTE)62ppm/Kであった。
In an atmosphere conditioned to 25°C and 45% RH, the polyimide solution Bsol was applied to the non-slip surface of a temporary support, polyethylene terephthalate film A4100 (manufactured by Toyobo Co., Ltd., hereinafter abbreviated as PET film), using an apparatus equipped with a roll-to-roll comma coater and a continuous drying oven, so that the final film thickness would be 25 μm. Next, the film was heated at 110°C for 10 minutes in a continuous dryer as primary heating, to obtain a semi-dried coating Bgf with a residual solvent content of 25% by mass, which was then wound up together with the temporary support into a roll.
The obtained roll was set again in the above-mentioned device, and Bgf was unwound together with the temporary support. Bgf was peeled off from the temporary support, passed through a pin tenter with pin sheets, and the film edges were gripped by inserting them into the pins. The pin sheet spacing was adjusted so that the film would not break and unnecessary slack would not occur, and the film was conveyed, and as a final heating, heated for 3 minutes at 200°C, 3 minutes at 250°C, and 6 minutes at 300°C. Thereafter, the film was cooled to room temperature over 2 minutes, and poorly flat portions on both ends of the film were cut off with a slitter. The film was then wound up into a roll to obtain a roll of polyimide film Bpf having a width of 530 mm and a length of 80 m.
The resulting polyimide film had a thickness of 25 μm, a glass transition temperature of 320° C., a total light transmittance of 92%, a yellow index of 0.8, a tensile modulus of 3.4 GPa, a tensile elongation at break of 18%, and a coefficient of thermal expansion (CTE) of 62 ppm/K.

(フィルムラミネート法による積層体製造2)
ポリイミドフィルムBpfを280mm×280mmにカットし、表面活性化処理として、LANテクニカルサービス社製のUVオゾン層値にて3分間UV照射を行った。
300mm×300mm、厚さ0.5mmのガラス基板をシランカップリング剤(信越化学工業社製「KBE-903」)の40℃上記に5分間暴露し、次いで60℃にて5分間、乾燥窒素中で保持し、シランカップリング剤処理とした。次いで、フィルムBpfのUV照射処理面とガラス基板のシランカップリング剤処理面を合わせ、真空ラミネータいて両者を密着させ、150℃1分間の熱処理を行い、積層体Bを得た。
(Laminate production 2 by film lamination method)
The polyimide film Bpf was cut to a size of 280 mm x 280 mm, and subjected to UV irradiation for 3 minutes using a UV ozone layer value manufactured by LAN Technical Services Co., Ltd. as a surface activation treatment.
A 300 mm x 300 mm, 0.5 mm thick glass substrate was exposed to a silane coupling agent ("KBE-903" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) at 40°C or higher for 5 minutes, and then held in dry nitrogen at 60°C for 5 minutes to perform a silane coupling agent treatment. Next, the UV-irradiated surface of the film Bpf and the silane coupling agent-treated surface of the glass substrate were aligned, and the two were adhered together using a vacuum laminator. Heat treatment was then performed at 150°C for 1 minute to obtain a laminate B.

<積層体の製造C>(ワニス法1)
ポリイミドフィルムApfの製造の過程で得られたポリイミド溶液Asolを、300mm×300mm、厚さ0.5mmのガラス基板にバーコーターにより最終フィルム厚が18μm、有効サイズが280mm×280mmとなるように塗布し、真空乾燥機で250℃30分間乾燥した後、窒素置換したイナート炉にて450℃5分間熱処理し、ポリイミドフィルム層とガラス基板からなる積層体Cを得た。
<Laminate Production C> (Varnish Method 1)
The polyimide solution Asol obtained in the process of producing the polyimide film Apf was applied to a glass substrate of 300 mm × 300 mm and 0.5 mm thickness using a bar coater so that the final film thickness would be 18 μm and the effective size would be 280 mm × 280 mm. The applied film was then dried in a vacuum dryer at 250°C for 30 minutes and then heat-treated in an inert furnace substituted with nitrogen at 450°C for 5 minutes, to obtain a laminate C consisting of a polyimide film layer and a glass substrate.

<積層体の製造D>(ワニス法2)
ポリイミドフィルムBpfの製造の過程で得られたポリイミド溶液Bsolを、300mm×300mm、厚さ0.5mmのガラス基板にバーコーターにより最終フィルム厚が15μm、有効サイズが280mm×280mmとなるように塗布し、真空乾燥機で、窒素置換したイナート炉にて150℃10分間、250℃10分間、300℃5分間熱処理し、ポリイミドフィルム層とガラス基板からなる積層体Dを得た。
<Laminate Production D> (Varnish Method 2)
The polyimide solution Bsol obtained in the process of producing the polyimide film Bpf was applied to a glass substrate of 300 mm × 300 mm and 0.5 mm thickness using a bar coater so that the final film thickness would be 15 μm and the effective size would be 280 mm × 280 mm. The applied film was then heat-treated in a vacuum dryer and a nitrogen-substituted inert furnace at 150°C for 10 minutes, 250°C for 10 minutes, and 300°C for 5 minutes to obtain a laminate D consisting of a polyimide film layer and a glass substrate.

<模擬デバイスの製造>
得られた積層体A~Dを用いて、それぞれのポリイミドフィルム上に模擬表示デバイスを形成した。模擬表示デバイスの配置図(上面図)を図21に示す。ガラス基板150に、ポリイミドフィルム300がラミネートまたは塗布により積層されている。配線400はポリイミドフィルム上に、ニッケルクロム合金をスパッタリングした後に100nm厚の銅をスパッタリングすることでメタライズし、次いで電気メッキにて厚さ8μmまで銅を厚付けしたのちに、エッチング法により配線形状に加工し、さらに配線表面に無電解錫メッキ処理を行うことにより形成した。模擬表示デバイス600は、配線形成後に所定範囲以外の部分をマスクし、アモルファスシリコン薄膜を形成して表示デバイスと見なすこととした。ここまでの工程が図8の工程E、または図10の工程Eに相当する。
積層体A~Dそれぞれを用いて、各々5枚ずつ模擬表示デバイスを作製し、次に述べるフライング配線形成と模擬電子表示装置への成形加工を行った。
<Manufacturing of simulated devices>
Using the resulting laminates A to D, simulated display devices were formed on each polyimide film. A layout diagram (top view) of the simulated display device is shown in Figure 21. A polyimide film 300 was laminated or coated onto a glass substrate 150. Wiring 400 was formed by metallizing the polyimide film by sputtering a nickel-chromium alloy followed by sputtering a 100 nm thick copper layer, then electroplating the copper to a thickness of 8 μm, etching the resulting wiring, and then electroless tin plating the wiring surface. After forming the wiring, the simulated display device 600 was formed by masking areas outside the specified range and forming an amorphous silicon thin film, which was then considered a display device. The process up to this point corresponds to step E in Figure 8 or step E in Figure 10.
Five mock display devices were fabricated using each of the laminates A to D, and the flying wiring was formed and molded into mock electronic display devices, as described below.

<実施例1A>
まず、積層体Aの、ガラス基板の裏面から、ガラス基板を透過して観察可能な模擬表示デバイスのエッジに沿ってガラス基板にスクライブを入れ、次いでガラス基板を割分することで、配線部分を支持していたガラス部を除去した。図8の工程F、または図10の工程Fに相当する。
次いで図9(A)(B)の工程Gまたは図11(A)(B)の工程Gに相当する基板の第二の面へのシランカップリング剤塗布を行った。
<模擬表示装置への成形>
次いで、図9(A)(B)または図11(A)(B)の工程H~Jに相当する成形加工を行った。
まず、第二の面側から、折り曲げる箇所に相当する表示領域近傍の配線領域以外の部分を遮光ガラス基板にてマスクし、次いで日立ハイテク株式会社製の光焼成機「PulseForge」を用いてキセノンランプ光を照射することにより該当箇所を加熱し、直後に高分子フィルムの配線領域をまずガラス基板の側面に沿っておりまげ、さらにガラス基板の裏面に沿って折り曲げた。ガラス基板の裏面(第二の面)のあらかじめシランカップリング剤を塗布しておいた位置に、ポリイミドフィルムを密着させた重ねたのちに当て板とともにクリップで固定し、100℃5分間加熱し、ポリイミドフィルムとガラス裏面とを接着した。この箇所がドライバーICを搭載する箇所に相当する。なお、加熱された部分の温度を赤外放射温度計で測定した結果370℃であった。
<実施例1B、1C、1D>
同じ加工を積層体B~Dを用いて同様に実施した。それぞれ実施例1B、1C、1Dとする。実施例1Aを含め、いずれも配線の欠損は見られず、成形加工中にも特に問題は生じなかった。
Example 1A
First, a scribe was made in the glass substrate of the laminate A from the rear surface along the edge of the simulated display device that could be observed through the glass substrate, and then the glass substrate was divided to remove the glass portion that supported the wiring portion. This corresponds to step F in Fig. 8 or step F in Fig. 10.
Next, a silane coupling agent was applied to the second surface of the substrate, which corresponds to step G in FIGS. 9(A) and 9(B) or step G in FIGS. 11(A) and 11(B).
<Forming into a simulated display device>
Next, molding processes corresponding to steps H to J in FIGS. 9(A) and 9(B) or 11(A) and 11(B) were carried out.
First, the area other than the wiring area near the display area corresponding to the bending point was masked with a light-shielding glass substrate from the second surface. The corresponding area was then heated by irradiating it with xenon lamp light using a Hitachi High-Technologies Corporation optical baking machine called "PulseForge." Immediately afterward, the wiring area of the polymer film was first bent along the side of the glass substrate and then bent along the back surface of the glass substrate. A polyimide film was then attached to the back surface (second surface) of the glass substrate in a position previously coated with a silane coupling agent, and then secured with clips and a backing plate. The polyimide film was then heated at 100°C for 5 minutes to bond the polyimide film to the back surface of the glass. This area corresponds to the location where the driver IC will be mounted. The temperature of the heated area was measured using an infrared thermometer and was found to be 370°C.
<Examples 1B, 1C, and 1D>
The same processing was carried out using laminates B to D. These are designated as Examples 1B, 1C, and 1D, respectively. In all cases, including Example 1A, no wiring damage was observed, and no particular problems occurred during the molding process.

<実施例2A>
実施例1Aにおいて、折り曲げ部分の加熱方法として、400℃に加熱したステンレス鋼製の金属バーを該当箇所に接触させた他は同様に操作した。なお、加熱された部分の温度を赤外放射温度計で測定した結果380℃であった。
<実施例2B、2C、2D>
同じ加工を積層体B~Dを用いて同様に実施した。それぞれ実施例2B、2C、2Dとする。実施例2Aを含め、いずれもフライング配線の欠損は見られず、成形加工中にも特に問題は無かった。
Example 2A
The same procedure was followed as in Example 1A, except that the bent portion was heated by contacting the portion with a stainless steel metal bar heated to 400°C. The temperature of the heated portion was measured with an infrared thermometer and found to be 380°C.
<Examples 2B, 2C, and 2D>
The same processing was carried out using laminates B to D. These are designated as Examples 2B, 2C, and 2D, respectively. In all cases, including Example 2A, no damage to the flying wiring was observed, and no particular problems were found during the molding process.

(ポリアミド酸溶液(PAA1)および滑剤入りポリアミド酸溶液(V1)の調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼SUS316Lである反応容器内を窒素置換した後、223質量部の5-アミノ-2-(p-アミノフェニル)ベンゾオキサゾール(DAMBO)を入れた。次いで、4000質量部のN-メチル-2-ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を420質量部と217質量部のピロメリット酸二無水物(PMDA)を加えて、25℃にて48時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液(PAA1)が得られた。この還元粘度(ηsp/C)は5.5dl/gであった。得られたポリアミド酸溶液(PAA1)に、滑剤としてコロイダルシリカをジメチルアセトアミドに分散してなる分散体(日産化学工業製「スノーテックス(登録商標)DMAC-ST-ZL」)とをシリカ(滑剤)がポリアミド酸溶液中のポリマー固形分総量にて0.5質量%)になるように加え滑剤入りポリアミド酸溶液(V1)を得た。
(Preparation of Polyamic Acid Solution (PAA1) and Lubricated Polyamic Acid Solution (V1))
The nitrogen inlet tube, thermometer, and liquid-contacting parts of the vessel equipped with a stirring rod, as well as the infusion piping, were made of austenitic stainless steel SUS316L. After the reactor was purged with nitrogen, 223 parts by weight of 5-amino-2-(p-aminophenyl)benzoxazole (DAMBO) was added. Next, 4000 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone was added and completely dissolved, and then 420 parts by weight and 217 parts by weight of pyromellitic dianhydride (PMDA) were added to the previously obtained preliminary dispersion. The mixture was stirred at 25°C for 48 hours, yielding a brown, viscous polyamic acid solution (PAA1). The reduced viscosity (ηsp/C) was 5.5 dl/g. To the obtained polyamic acid solution (PAA1), a dispersion obtained by dispersing colloidal silica in dimethylacetamide ("Snowtex (registered trademark) DMAC-ST-ZL" manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.) was added as a lubricant so that the silica (lubricant) accounted for 0.5 mass% of the total polymer solid content in the polyamic acid solution, thereby obtaining a lubricated polyamic acid solution (V1).

なお、ポリアミド酸の還元粘度は以下の方法で測定した。
<ポリアミド酸の還元粘度(ηsp/C)>
ポリマー(ポリアミド酸)濃度が0.2g/dlとなるようにN-メチル-2-ピロリドンに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により30℃で測定した。
The reduced viscosity of the polyamic acid was measured by the following method.
<Reduced Viscosity (ηsp/C) of Polyamic Acid>
A solution of a polymer (polyamic acid) dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone to a concentration of 0.2 g/dl was measured at 30° C. using an Ubbelohde type viscometer.

(ポリアミド酸溶液(PAA2)および滑剤入りポリアミド酸溶液(V2)の調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼SUS316Lである反応容器内を窒素置換した後、108質量部のフェニレンジアミン(PDA)を入れた。次いで、3600質量部のN-メチル-2-ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を420質量部と292.5質量部のジフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)を加えて、25℃にて12時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液(PAA2)が得られた。この還元粘度(ηsp/C)は4.5dl/gであった。以下ポリアミド酸溶液(V1)の調製と同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液(V2)を得た。
(Preparation of Polyamic Acid Solution (PAA2) and Lubricated Polyamic Acid Solution (V2))
The nitrogen inlet tube, thermometer, and liquid-contacting parts of the vessel equipped with a stirring rod, as well as the infusion tubing, were made of austenitic stainless steel SUS316L. After the reactor was purged with nitrogen, 108 parts by weight of phenylenediamine (PDA) was added. Next, 3600 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone was added and completely dissolved. Then, 420 parts by weight of the previously obtained preliminary dispersion and 292.5 parts by weight of diphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) were added and stirred at 25°C for 12 hours, yielding a brown, viscous polyamic acid solution (PAA2). The reduced viscosity (ηsp/C) of this solution was 4.5 dl/g. Colloidal silica was then added in the same manner as in the preparation of polyamic acid solution (V1), yielding a lubricated polyamic acid solution (V2).

(ポリアミド酸溶液(PAA3)および滑剤入りポリアミド酸溶液(V3)の調製)
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼SUS316Lである反応容器内を窒素置換した後、200質量部のジアミノジフェニルエーテル(ODA)を入れた。次いで、3800質量部のN-メチル-2-ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を390質量部と217質量部のピロメリット酸二無水物(PMDA)を加えて、25℃にて5時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液(PAA3)が得られた。この還元粘度(ηsp/C)は3.7dl/gであった。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液(V3)を得た。
(Preparation of Polyamic Acid Solution (PAA3) and Lubricated Polyamic Acid Solution (V3))
The nitrogen inlet tube, thermometer, and liquid-contacting parts of the vessel equipped with a stirring rod, as well as the infusion tubing, were made of austenitic stainless steel SUS316L. After the interior of the reaction vessel was purged with nitrogen, 200 parts by weight of diaminodiphenyl ether (ODA) was added. Next, 3,800 parts by weight of N-methyl-2-pyrrolidone was added and completely dissolved. Then, 390 parts by weight and 217 parts by weight of pyromellitic dianhydride (PMDA) were added to the previously obtained preliminary dispersion, and the mixture was stirred at 25°C for 5 hours, yielding a brown, viscous polyamic acid solution (PAA3). The reduced viscosity (ηsp/C) of this solution was 3.7 dl/g. Colloidal silica was added in the same manner to obtain a lubricated polyamic acid solution (V3).

〔ポリアミド酸溶液(PAA4)および滑剤入りポリアミド酸溶液(V4)の調製〕
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、1765質量部の1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(CBDA)、310質量部の4,4’-オキシジフタル酸(ODPA)、1601質量部の2,2’-ジトリフルオロメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(TFMB)、1136質量部の4-アミノ-N-(4-アミノフェニル)ベンズアミド(DABAN)、20000質量部のN,N-ジメチルアセトアミドを仕込んで溶解させた後、室温で24時間攪拌した。その後、適正粘度となるように適当量のN,N-ジメチルアセトアミドで希釈し、還元粘度4.50dl/gのポリアミド酸溶液(PAA4)を得た。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリアミド酸溶液(V4)を得た。
[Preparation of Polyamic Acid Solution (PAA4) and Lubricated Polyamic Acid Solution (V4)]
After purging the atmosphere inside a reaction vessel equipped with a nitrogen inlet tube, thermometer, and stirrer with nitrogen, 1,765 parts by weight of 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (CBDA), 310 parts by weight of 4,4'-oxydiphthalic acid (ODPA), 1,601 parts by weight of 2,2'-ditrifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl (TFMB), 1,136 parts by weight of 4-amino-N-(4-aminophenyl)benzamide (DABAN), and 20,000 parts by weight of N,N-dimethylacetamide were charged into the reaction vessel under a nitrogen atmosphere and dissolved, followed by stirring at room temperature for 24 hours. The resulting solution was then diluted with an appropriate amount of N,N-dimethylacetamide to obtain a polyamic acid solution (PAA4) with a reduced viscosity of 4.50 dl/g. Colloidal silica was then added in the same manner to obtain a lubricated polyamic acid solution (V4).

〔ポリイミド溶液(PI5)および滑剤入りポリイミド溶液(V5)の調製〕
窒素導入管,温度計,攪拌棒を備えた反応容器内を窒素置換した後、反応容器に窒素雰囲気下、4610質量部のN,N-ジメチルアセトアミド(DMAC)と640質量部の2,2’-ジトリフルオロメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(TFMB)を入れて攪拌し、TFMBをDMAC中に溶解させた。次いで、反応容器内を攪拌しながら、窒素気流下で、897.37質量部の4,4’-(2,2-ヘキサフルオロイソプロピリデン)ジフタル酸2無水物(6FDA)を10分程度かけて投入し、そのまま温度が20~40℃の温度範囲となるように調整しながら6時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリアミド酸溶液(PAA5)を得た。
次に、得られたポリアミド酸溶液(PAA5)に4100質量部のDMACを加えて希釈した後、イミド化促進剤として258.3質量部のイソキノリンを加えて、ポリアミド酸溶液を攪拌しながら30~40℃の温度範囲に保ち、そこにイミド化剤として、1225質量部の無水酢酸を約10分間かけてゆっくりと滴下しながら投入し、その後更に液温を30~40℃に保って12時間攪拌を続けて化学イミド化反応を行って、ポリイミド溶液(PI5a)を得た。
[Preparation of Polyimide Solution (PI5) and Lubricated Polyimide Solution (V5)]
After replacing the atmosphere in a reaction vessel equipped with a nitrogen inlet tube, a thermometer, and a stirrer with nitrogen, 4610 parts by mass of N,N-dimethylacetamide (DMAC) and 640 parts by mass of 2,2'-ditrifluoromethyl-4,4'-diaminobiphenyl (TFMB) were added to the reaction vessel under a nitrogen atmosphere and stirred to dissolve the TFMB in the DMAC. Next, while stirring the reaction vessel, 897.37 parts by mass of 4,4'-(2,2-hexafluoroisopropylidene)diphthalic dianhydride (6FDA) was added over a period of about 10 minutes under a nitrogen stream. The polymerization reaction was continued for 6 hours while adjusting the temperature to be in the range of 20 to 40°C, and a viscous polyamic acid solution (PAA5) was obtained.
Next, 4,100 parts by mass of DMAC was added to the obtained polyamic acid solution (PAA5) to dilute it, and then 258.3 parts by mass of isoquinoline was added as an imidization accelerator. The polyamic acid solution was kept at a temperature of 30 to 40°C while stirring, and 1,225 parts by mass of acetic anhydride was slowly added dropwise as an imidization agent over a period of about 10 minutes. Thereafter, the liquid temperature was further kept at 30 to 40°C and stirring was continued for 12 hours to carry out a chemical imidization reaction, thereby obtaining a polyimide solution (PI5a).

次に、得られたイミド化剤およびイミド化促進剤を含むポリイミド溶液(PI5a)10000質量部を、攪拌装置と攪拌翼を備えた反応容器に移し変え、120rpmの速度で攪拌しながら15~25℃の温度に保ち、そこに15000質量部のメタノールを10g/分の速度で滴下させた。約8000質量部のメタノールを投入したところでポリイミド溶液の濁りが確認され、粉体状のポリイミド樹脂の析出が確認された。引き続き15000質量部全量のメタノールを投入し、ポリイミド樹脂の析出を完了させた。続いて、反応容器の内容物を、吸引濾過装置により濾別し、更に10000質量部のメタノールを用いて洗浄・濾別してポリイミド樹脂粉体を得た。得られたポリイミド樹脂粉体を局所排気装置のついた乾燥機を用いて、50℃で24時間乾燥させ、更に260℃で2時間乾燥させて、残りの揮発成分を除去して、乾燥ポリイミド粉体を得た。得られた乾燥ポリイミド粉体の還元粘度は5.40dl/gであった。次に、得られた乾燥ポリイミド粉体400質量部を3000質量部のDMAcに溶解させて、ポリイミド溶液(PI5)を得た。以下同様にコロイダルシリカを加え、滑剤入りポリイミド溶液(V5)を得た。
得られたポリアミド酸溶液、またはポリイミド溶液、および滑剤入りの溶液の一覧を表1、表2に示す。
Next, 10,000 parts by mass of the resulting polyimide solution (PI5a) containing the imidization agent and imidization accelerator was transferred to a reaction vessel equipped with a stirrer and stirring blades. While stirring at 120 rpm, the temperature was maintained at 15-25°C, and 15,000 parts by mass of methanol was added dropwise at a rate of 10 g/min. When approximately 8,000 parts by mass of methanol had been added, the polyimide solution became cloudy, confirming the precipitation of a powdery polyimide resin. The entire 15,000 parts by mass of methanol was then added, completing the precipitation of the polyimide resin. The contents of the reaction vessel were then filtered using a suction filtration device, and washed and filtered with 10,000 parts by mass of methanol to obtain a polyimide resin powder. The resulting polyimide resin powder was dried at 50°C for 24 hours using a dryer equipped with a local exhaust system, and then further dried at 260°C for 2 hours to remove remaining volatile components, yielding a dried polyimide powder. The reduced viscosity of the resulting dry polyimide powder was 5.40 dL/g. Next, 400 parts by mass of the resulting dry polyimide powder was dissolved in 3,000 parts by mass of DMAc to obtain a polyimide solution (PI5). Colloidal silica was then added in the same manner to obtain a lubricant-containing polyimide solution (V5).
The polyamic acid solutions or polyimide solutions and solutions containing lubricants obtained are listed in Tables 1 and 2.

[フィルムの製造例]
前記滑剤入りポリアミド酸溶液(V1)を送液し、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの支持体上に最終厚さが38μmとなるようにコーティングし、110℃にて30分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離してポリアミド酸フィルム(グリーンフィルム)を得た。
得られたグリーンフィルムを、連続式の熱処理炉に通し、第1段が200℃で3分、昇温速度4℃/秒で昇温して第2段として480℃で5分の条件で2段階の加熱を施して、イミド化反応を進行させた。その後、5分間で室温にまで冷却し、さらに両端部(耳部)をスリットし、中央部のみの幅524mm、長さ約200m、厚さ38μmのポリイミドフィルムF1を得た。
[Film manufacturing example]
The lubricant-containing polyamic acid solution (V1) was applied to a polyethylene terephthalate film support to a final thickness of 38 μm, and then dried for 30 minutes at 110° C. The polyamic acid film, which had become self-supporting after drying, was peeled off from the support to obtain a polyamic acid film (green film).
The obtained green film was passed through a continuous heat treatment furnace and subjected to two heating stages: the first stage was at 200°C for 3 minutes, the temperature was raised at a rate of 4°C/sec, and the second stage was at 480°C for 5 minutes to allow the imidization reaction to proceed. Thereafter, the film was cooled to room temperature over 5 minutes, and both ends (edge portions) were slit to obtain a polyimide film F1 having a width of 524 mm, a length of approximately 200 m, and a thickness of 38 μm at the center only.

以下同様に滑剤入りポリアミド酸溶液(V2)、(V3)、(V4)滑剤入りポリイミド溶液(V5)を用い、塗布厚、熱処理条件を適宜調整し、滑剤入りポリアミド酸溶液V2からポリイミドフィルムF2を、滑剤入りポリアミド酸溶液V3からポリイミドフィルムF3を、滑剤入りポリアミド酸溶液V4からポリイミドフィルムF4を、滑剤入りポリアミド酸溶液V5からポリイミドフィルムF5を得た。得られたポリイミドフィルムの特性一覧を表3に示す。なお表中の数値は、MD方向とTD方向の平均値である。MDはフィルム製膜時の長手方向、TDはフィルム製膜時の幅方向である。Similarly, lubricated polyamic acid solutions (V2), (V3), and (V4) and lubricated polyimide solution (V5) were used, and the coating thickness and heat treatment conditions were adjusted appropriately to obtain polyimide film F2 from lubricated polyamic acid solution V2, polyimide film F3 from lubricated polyamic acid solution V3, polyimide film F4 from lubricated polyamic acid solution V4, and polyimide film F5 from lubricated polyamic acid solution V5. The properties of the resulting polyimide films are listed in Table 3. The values in the table are average values in the MD and TD directions. MD is the longitudinal direction during film production, and TD is the width direction during film production.

[ポリイミドフィルム/ガラス基板積層体]
<ポリイミドフィルムの真空プラズマ処理>
ポリイミドフィルムF1に真空プラズマ処理を行った。真空プラズマ処理は長尺フィルム処理用の装置を用い、真空チャンバー内を1×10-3Pa以下になるまで真空排気し、真空チャンバー内にアルゴンガスを導入して、放電電力100W、周波数15kHzの条件で20秒間、アルゴンガスのプラズマ処理を行った。
[Polyimide film/glass substrate laminate]
<Vacuum plasma treatment of polyimide film>
The polyimide film F1 was subjected to a vacuum plasma treatment using a device for treating long films. The vacuum chamber was evacuated to a pressure of 1×10 −3 Pa or less, argon gas was introduced into the vacuum chamber, and argon gas plasma treatment was performed for 20 seconds under conditions of a discharge power of 100 W and a frequency of 15 kHz.

<ガラス基板のシランカップリング剤処理>
ガラス基板[G]として470mm×370mm、厚さ0.7mmの日本電気硝子製OM10Gを用いた。 ホットプレートと無機基板の支持台とを備えたチャンバーをクリーンな乾燥窒素で置換した後、UV/オゾン処理を行ったガラス基板を支持台に設置し、ガラス基板の200mm下方に液面が位置するようにシランカップリング剤(3-アミノプロピルトリメトキシシラン)を満たしたシャーレを置き、シャーレをホットプレートにて100℃に加熱し、ガラス基板の下面をシランカップリング剤蒸気に3分間暴露した後にチャンバーから取り出し、クリーンベンチ内に設置し、120℃に調温されたホットプレートにガラス基板の暴露面とは逆側を熱板に接するように乗せ、1分間の熱処理を行い、シランカップリング剤処理とした。
<Silane coupling agent treatment of glass substrate>
The glass substrate [G] was a 470 mm x 370 mm, 0.7 mm thick OM10G manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd. After replacing the atmosphere in a chamber equipped with a hot plate and a support stand for the inorganic substrate with clean, dry nitrogen, the UV/ozone-treated glass substrate was placed on the support stand, and a petri dish filled with a silane coupling agent (3-aminopropyltrimethoxysilane) was placed so that the liquid level was located 200 mm below the glass substrate. The petri dish was heated to 100°C on a hot plate, and the underside of the glass substrate was exposed to silane coupling agent vapor for 3 minutes. After that, the petri dish was removed from the chamber and placed in a clean bench. The glass substrate was placed on a hot plate adjusted to 120°C with the side opposite the exposed surface in contact with the hot plate, and heat-treated for 1 minute to perform the silane coupling agent treatment.

<ラミネート>
シランカップリング剤処理を行ったガラス基板のシランカップリング剤処理面に重なるようにポリイミドフィルムのプラズマ処理面を重ね、ロールラミネータにて仮圧着した後、クリーンベンチ内に設置し、150℃に調温されたホットプレートに無機基板側を熱板に接するように乗せ、3分間熱処理を行い、ポリイミドフィルム/ガラス基板積層体(LF1)を得た。得られたポリイミド/ガラス基板の積層体は、温度20~25℃、相対湿度65±30%の環境下で保管した。
以下同様にフィルムF2とガラス基板から、ポリイミドフィルム/ガラス基板積層体(LF2)を、得た。さらに同様にフィルムF3、F4、F5とガラス基板から、ポリイミドフィルムガラス基板積層体(LF3)、(LF4)、(LF5)を得た。
<Lamination>
The plasma-treated surface of the polyimide film was placed on the silane coupling agent-treated surface of the glass substrate, and the two were temporarily pressure-bonded using a roll laminator. The resulting polyimide film was then placed in a clean bench and placed on a hot plate adjusted to 150°C with the inorganic substrate side in contact with the hot plate, and heat-treated for 3 minutes to obtain a polyimide film/glass substrate laminate (LF1). The resulting polyimide/glass substrate laminate was stored in an environment at a temperature of 20 to 25°C and a relative humidity of 65±30%.
Similarly, a polyimide film/glass substrate laminate (LF2) was obtained from Film F2 and a glass substrate. Further, polyimide film/glass substrate laminates (LF3), (LF4), and (LF5) were obtained from Films F3, F4, and F5 and a glass substrate.

<実施例3>
得られたポリイミドフィルム/ガラス基板積層体を用いて、図8、図9Aに示すプロセスにより、模擬的に表示パネルを作製した。便宜上、このプロセスをフィルム法と呼ぶ。ガラス基板が図8の工程Aに、シランカップリング剤処理を行ったガラス基板が工程Bに、ポリイミドフィルム/ガラス積層体が工程Cに相当する。配線層40としてはスパッタリング法によりニッケルクロム合金層を形成した後に、スパッタリング法にて銅薄膜を形成し、その後電気銅メッキにより厚付けし、エッチングレジストを用いて不要部分をエッチング除去する、いわゆるサブトラクティブ法によりパターニングを行って配線40を形成した。
Example 3
Using the obtained polyimide film/glass substrate laminate, a simulated display panel was fabricated by the process shown in Figures 8 and 9A. For convenience, this process is referred to as the film method. The glass substrate corresponds to step A in Figure 8, the glass substrate treated with a silane coupling agent corresponds to step B, and the polyimide film/glass laminate corresponds to step C. For the wiring layer 40, a nickel-chromium alloy layer was formed by sputtering, followed by a thin copper film formed by sputtering, which was then thickened by electrolytic copper plating, and unnecessary portions were etched away using an etching resist, thereby forming patterning by a so-called subtractive method to form the wiring 40.

電子表示デバイス層60としてはアモルファスシリコン薄膜を半導体として用いたTFTにより駆動される電気泳動素子を形成し、レーザーカッターによりガラス基板をカットして不要部分を除去し、図9Aの工程G2においてレーザー加工機を用いてフィルムを元の厚さの20%まで薄肉化し、配線40をフィルムごとガラス基板の裏側まで折り曲げた。シランカップリング剤溶液21としては、3-アミノプロピルトリメトキシシランの1質量%メタノール溶液を用い、ディスペンサにて所定位置に滴下し(便宜上、表示デバイス層を上面にして図示してあるが、実際には本工程以後は上下を逆にして操作している)、乾燥したのちに折り曲げたポリイミドフィルムを、ポリイミドフィルム/ガラス基板積層体の作製に倣ってガラス基板裏側に圧着後に加熱して接着を完了し、最後にドライバーICを実装して模擬パネル(PF1)を得た。
同様にして複数の(PF1)を作製し、タイル状に並べて大面積化し、画像信号を送って表示を確認した。各模擬パネル間においても、特に画素欠陥などは無く、良好な品位の画像表示が行われることが確認できた。
The electronic display device layer 60 was formed as an electrophoretic element driven by a TFT using an amorphous silicon thin film as a semiconductor, and the glass substrate was cut with a laser cutter to remove unnecessary portions. In step G2 of Figure 9A, the film was thinned to 20% of its original thickness using a laser processing machine, and the wiring 40 was folded back onto the back side of the glass substrate. A 1% by mass solution of 3-aminopropyltrimethoxysilane in methanol was used as the silane coupling agent solution 21, and it was dropped into a predetermined position using a dispenser (for convenience, the display device layer is shown facing up, but in reality, the operation is performed upside down after this step). After drying, the folded polyimide film was pressed against the back side of the glass substrate and heated to complete the adhesion, following the process for preparing a polyimide film/glass substrate laminate. Finally, a driver IC was mounted to obtain a simulated panel (PF1).
In the same way, multiple (PF1) panels were fabricated and arranged in a tiled pattern to increase the area, and image signals were sent to check the display. It was confirmed that there were no particular pixel defects between the simulated panels, and that good quality images were displayed.

<実施例4~7>
以後、ポリイミドフィルムガラス積層体(LF2)、(LF3)、(LF4)、(LF5)を用いて、同様にそれぞれから模擬パネル(PF2)、(PF3)、(PF4)、(PF5)を得た。いずれもタイリングにより大面積で良好な画像表示結果を得た。
<Examples 4 to 7>
Thereafter, the polyimide film glass laminates (LF2), (LF3), (LF4), and (LF5) were used to similarly obtain simulated panels (PF2), (PF3), (PF4), and (PF5), respectively. In all cases, satisfactory image display results were obtained over a large area by tiling.

<実施例8>
次にワニス法による実施例を示す。図10の工程Aはガラス基板である。ガラス基板にポリアミド酸溶液(PAA1)を所定の厚さに塗布した状態が工程B、乾燥後にイナートオーブンにて加熱することによりポリイミド層と成し、すなわち、ポリイミド層/ガラス基板積層体(LS1)を得た状態が工程Cである。以後はフィルム法と同様に操作し、図11Aに示す工程に進み、工程G1においてレーザー加工機を用いてフィルムにハーフカット的に切り込みを入れて配線部をフィルム事折り曲げ、以後は同様に操作して模擬パネル(PS1)を作製した。こちらもフィルム法の場合と同様にタイリングして表示画像品位を観察し、良好な画質を得ていることを確認した。
Example 8
Next, an example using the varnish method is shown. Step A in Figure 10 is a glass substrate. Step B shows the state in which a polyamic acid solution (PAA1) is applied to a glass substrate to a predetermined thickness, and step C shows the state in which a polyimide layer is formed by drying and then heating in an inert oven, i.e., a polyimide layer/glass substrate laminate (LS1) is obtained. Thereafter, the same operations as in the film method were carried out, proceeding to the steps shown in Figure 11A. In step G1, a laser processing machine was used to make a half-cut cut in the film, and the wiring portion was folded back onto the film. The same operations were then carried out to produce a simulated panel (PS1). Here, too, tiling was carried out as in the film method, and the display image quality was observed, confirming that good image quality was obtained.

<実施例9~11>
以下同様にポリアミド酸溶液(PAA2)、(PAA3)、(PAA4)から模擬パネル(PS2)、(PS3)、(PS4)を得た。いずれもタイリングにより良好な画像表示結果を得た。
<Examples 9 to 11>
Similarly, simulated panels (PS2), (PS3), and (PS4) were obtained from the polyamic acid solutions (PAA2), (PAA3), and (PAA4). In all cases, good image display results were obtained by tiling.

以上述べてきたように、本発明の電子表示装置においては狭額縁化が可能で、ドライバーIC実装の不良率が低く、好ましくは自発光型素子、反射型素子に適用可能であり、結果としてタイリング用途に好適な表示装置を実現できる。本発明は、特に大面積の表示装置を経済的に製造する技術として産業界に寄与するところは極めて大である。 As described above, the electronic display device of the present invention allows for a narrow frame, has a low defect rate for driver IC mounting, and is preferably applicable to self-emissive and reflective elements, resulting in a display device that is suitable for tiling applications. The present invention will make an enormous contribution to industry, particularly as a technology for economically manufacturing large-area display devices.

1:電子表示装置
10:基板
15:基板
20:シランカップリング剤縮合物層
21:シランカップリング剤(溶液)
30:高分子フィルム
31:スリット部(ハーフカット部)

32:ポリイミドエッチング部
33:加熱領域
35:高分子溶液または高分子前駆体溶液
40:配線
41:薄肉化部
42:フライングリード部
50:電子表示デバイスの駆動回路素子(ドライバーIC)
60:電子表示デバイス
70:接着剤層
80:異方性導電膜(ACF)
90:注型樹脂
150:ガラス基板
300:ポリイミドフィルム
310:ポリイミドフィルムの切り欠き領域
400:配線
600:模擬表示デバイス
X1:領域1(表示領域)
X2:領域2(配線領域)
Lo:電子表示装置の外形寸法
Ld:電子表示デバイスの表示部の外形寸法
Lg:側面ギャップ
Lb:配線厚さ(高分子フィルム厚さTf+配線厚さTw)
Lp:側面平行部寸法
Lpx:電子表示デバイスの画素寸法(ピクセルサイズ)
Lov:オーバーハング寸法(Lg+Lb)
Ts:基板厚さ
Tf:高分子フィルム厚さ
Tw:配線厚さ(フライング配線層厚さ)
1: Electronic display device 10: Substrate 15: Substrate
20: Silane coupling agent condensate layer
21: Silane coupling agent (solution)
30: Polymer film
31: Slit section (half cut section)

32: Polyimide etching part
33: Heating region 35: Polymer solution or polymer precursor solution 40: Wiring
41: Thinned part
42: Flying lead portion 50: Drive circuit element (driver IC) of electronic display device
60: Electronic display device
70: Adhesive layer
80: Anisotropic conductive film (ACF)
90: Casting resin
150: Glass substrate 300: Polyimide film 310: Cutout area of polyimide film 400: Wiring 600: Simulated display device X1: Area 1 (display area)
X2: Area 2 (wiring area)
Lo: outer dimension of electronic display device Ld: outer dimension of display part of electronic display device Lg: side gap Lb: wiring thickness (polymer film thickness Tf + wiring thickness Tw)
Lp: lateral parallel part dimension Lpx: pixel dimension (pixel size) of electronic display device
Lov: Overhang dimension (Lg + Lb)
Ts: substrate thickness, Tf: polymer film thickness, Tw: wiring thickness (flying wiring layer thickness),

Claims (14)

基板、
前記基板を挟むように折り曲げられ、前記基板の第一の面と第二の面の両方に接着された軟化温度が150℃以上380℃以下である高分子フィルム、
前記高分子フィルムの、前記基板との接着面とは反対側の面に形成され、前記基板の第一の面側から第二の面側まで達する配線、
前記高分子フィルムの、前記基板との接着面とは反対側の面に形成された電子表示デバイス、
を含むことを特徴とする電子表示装置。
substrate,
a polymer film having a softening temperature of 150°C or higher and 380°C or lower, which is folded so as to sandwich the substrate and is adhered to both the first surface and the second surface of the substrate;
a wiring formed on a surface of the polymer film opposite to the surface bonded to the substrate, the wiring extending from the first surface side to the second surface side of the substrate;
an electronic display device formed on the surface of the polymer film opposite to the surface bonded to the substrate;
1. An electronic display device comprising:
前記高分子フィルムの弾性率が3GPa以上であり、破断伸度が3%以上であることを特徴とする請求項1に記載の電子表示装置。 The electronic display device described in claim 1, characterized in that the polymer film has an elastic modulus of 3 GPa or more and a breaking elongation of 3% or more. 前記高分子フィルムの厚さが3μm以上75μm以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項1~または2に記載の電子表示装置。 The electronic display device described in claim 1 or 2, characterized in that the polymer film is a polyimide film having a thickness of 3 μm or more and 75 μm or less. 前記高分子フィルムが、全光線透過率85%以上、イエローインデックスが5以下のポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の電子表示装置。 An electronic display device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the polymer film is a polyimide film having a total light transmittance of 85% or more and a yellow index of 5 or less. 前記高分子フィルムと前記基板の第一の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする請求項1~4のいずれかに記載の電子表示装置。 An electronic display device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the polymer film and the first surface of the substrate are bonded via a silane coupling agent condensate layer. 前記高分子フィルムと前記基板の第二の面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする請求項1~5のいずれかに記載の電子表示装置。 An electronic display device according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the polymer film and the second surface of the substrate are bonded via a silane coupling agent condensate layer. 前記高分子フィルムと前記基板の側面とがシランカップリング剤縮合物層を介して接着されていることを特徴とする請求項1~6のいずれかに記載の電子表示装置。 An electronic display device according to any one of claims 1 to 6, characterized in that the polymer film and the side surface of the substrate are bonded via a silane coupling agent condensate layer. 前記高分子フィルムの前記基板の側面に対向する部分の一部または全部が薄肉化されていることを特徴とする請求項1~7のいずれかに記載の電子表示装置。 An electronic display device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that part or all of the portion of the polymer film facing the side surface of the substrate is thinned. 前記高分子フィルムの前記基板の側面に対向する部分の一部が取り除かれていることを特徴とする請求項1~8のいずれかに記載の電子表示装置。 An electronic display device according to any one of claims 1 to 8, characterized in that a portion of the polymer film facing the side surface of the substrate is removed. 前記電子表示デバイスの駆動用ICが前記基板の第二の面側に実装されていることを特徴とする請求項1~9のいずれかに記載の電子表示装置。 An electronic display device according to any one of claims 1 to 9, characterized in that a drive IC for the electronic display device is mounted on the second surface side of the substrate. (a)基板と、少なくとも前記基板の片面に接着された高分子フィルムを有する積層体を準備する工程、
(b)前記高分子フィルム上に、電子表示デバイスと配線を形成する工程、
(c)前記電子表示デバイスが形成されている領域の外側にあたる前記基板を除去し、前記基板と接着されている表示領域と、前記基板が取り除かれた配線領域とに分画する工程、
(d)前記表示領域と前記配線領域の境界近傍を、前記高分子フィルムの軟化点以上に加熱し、前記配線領域を前記基板側面に沿って折曲げる工程、
(e)さらに前記配線領域を前記基板側面から裏面(第二の面)に向けて折曲げる工程を少なくとも有する請求項1~10のいずれかに記載の電子表示装置の製造方法。
(a) providing a laminate having a substrate and a polymer film adhered to at least one side of the substrate;
(b) forming an electronic display device and wiring on the polymer film;
(c) removing the substrate outside the area where the electronic display device is formed, and dividing the area into a display area bonded to the substrate and a wiring area from which the substrate has been removed;
(d) heating the vicinity of the boundary between the display area and the wiring area to a temperature equal to or higher than the softening point of the polymer film, and bending the wiring area along the side surface of the substrate;
11. The method for manufacturing an electronic display device according to claim 1, further comprising at least the step (e) of bending the wiring region from the side surface of the substrate toward the rear surface (second surface).
前記加熱手段が、光照射であることを特徴とする請求項11に記載の電子表示装置の製造方法。 12. The method for manufacturing an electronic display device according to claim 11, wherein the heating means is light irradiation. 前記加熱手段が、加熱された物体の直接接触であることを特徴とする請求項11に記載の電子表示装置の製造方法。 12. The method for manufacturing an electronic display device according to claim 11, wherein the heating means is direct contact with a heated object. 前記加熱手段が、電磁誘導加熱であることを特徴とする請求項11に記載の電子表示装置の製造方法。 12. The method for manufacturing an electronic display device according to claim 11, wherein the heating means is electromagnetic induction heating.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024095317A1 (en) * 2022-10-31 2024-05-10 三菱電機株式会社 Video display device and method for manufacturing video display device
NL2034314B1 (en) * 2023-03-10 2024-09-24 Van Berge Henegouwen Installaties B V A computer implemented method for reducing the visual transition between visual media content displayed on a display of a display device and the environment surrounding the display device as well as such display device.
CN118754455B (en) * 2024-06-17 2025-10-10 福耀玻璃工业集团股份有限公司 Composite material mask device and coated glass masking method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006330127A (en) 2005-05-24 2006-12-07 Sony Corp Display device, electronic device, and attachment structure of metal member and synthetic resin member
US20190014669A1 (en) 2017-07-07 2019-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
WO2019167966A1 (en) 2018-02-28 2019-09-06 京セラ株式会社 Display device, glass substrate, and method for manufacturing glass substrate
US20200201114A1 (en) 2018-12-21 2020-06-25 Au Optronics Corporation Display module

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5834434A (en) * 1981-08-24 1983-02-28 Seiko Instr & Electronics Ltd Display device
JPS59111680A (en) * 1982-12-17 1984-06-27 松下電器産業株式会社 liquid crystal display device
JP2987903B2 (en) 1990-08-27 1999-12-06 株式会社リコー Liquid crystal display
JPH10148839A (en) 1996-11-20 1998-06-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd Liquid crystal display
JP2001154371A (en) * 1999-11-30 2001-06-08 Nikon Corp Manufacturing method of circuit device and display device, and large display device
JP2002040475A (en) * 2001-06-13 2002-02-06 Hitachi Ltd Liquid crystal display
JP4265757B2 (en) * 2003-07-25 2009-05-20 シャープ株式会社 Display module and manufacturing method thereof
JP4213616B2 (en) * 2004-03-31 2009-01-21 大日本印刷株式会社 Base film for liquid crystal panel, functional film for liquid crystal panel, method for producing functional film, and apparatus for producing functional film
US8115326B2 (en) * 2006-11-30 2012-02-14 Corning Incorporated Flexible substrates having a thin-film barrier
JP5644075B2 (en) * 2009-08-25 2014-12-24 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
TWI664087B (en) * 2012-09-27 2019-07-01 日商日鐵化學材料股份有限公司 Manufacturing method of display device
JP2015178237A (en) * 2014-03-19 2015-10-08 東洋紡株式会社 Laminated inorganic substrate, laminate, method of producing laminate and method of producing flexible electronic device
JP2015204239A (en) * 2014-04-16 2015-11-16 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and method for manufacturing the same
KR102333321B1 (en) * 2014-12-31 2021-11-30 엘지디스플레이 주식회사 Flexible display device
JP2016105183A (en) * 2016-01-07 2016-06-09 大日本印刷株式会社 Substrate for thin film element, thin film element, organic electroluminescence display device, and electronic paper
KR20180090702A (en) 2017-02-03 2018-08-13 안명자 Jellied food with Sea squirt and Manufacturing method thereof
JP2018146719A (en) * 2017-03-03 2018-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ Display device and manufacturing method of the same
US20190127529A1 (en) * 2017-11-02 2019-05-02 Honeywell International Inc. Polyimide for flexible displays, flexible displays, and methods for making flexible displays
WO2020065910A1 (en) 2018-09-28 2020-04-02 シャープ株式会社 Method for manufacturing display device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006330127A (en) 2005-05-24 2006-12-07 Sony Corp Display device, electronic device, and attachment structure of metal member and synthetic resin member
US20190014669A1 (en) 2017-07-07 2019-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
WO2019167966A1 (en) 2018-02-28 2019-09-06 京セラ株式会社 Display device, glass substrate, and method for manufacturing glass substrate
US20200201114A1 (en) 2018-12-21 2020-06-25 Au Optronics Corporation Display module

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