JP7762044B2 - Wired circuit board and method of manufacturing the same - Google Patents
Wired circuit board and method of manufacturing the sameInfo
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Description
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a printed circuit board and a manufacturing method thereof.
多孔質絶縁樹脂フィルムと、導電層とを備える配線回路基板が知られている(例えば、下記特許文献1参照。)。特許文献1に記載の配線回路基板では、導電層は、複数の配線を有する。特許文献1では、複数の配線部の厚みは、同一である。 Wired circuit boards comprising a porous insulating resin film and a conductive layer are known (see, for example, Patent Document 1 below). In the wired circuit board described in Patent Document 1, the conductive layer has multiple wirings. In Patent Document 1, the thickness of the multiple wiring portions is the same.
用途および目的に応じて、配線回路基板を厚み方向にプレスする場合がある。その場合には、多孔質絶縁樹脂フィルムにおいて複数の配線部と重なる複数の部分は、プレスにより厚みが画一的に変動する。そうすると、複数の配線のそれぞれの電気特性が画一的に変動するという不具合がある。 Depending on the application and purpose, the printed circuit board may be pressed in the thickness direction. In this case, the thickness of the multiple portions of the porous insulating resin film that overlap with the multiple wiring sections will change uniformly due to the pressing. This can cause the electrical characteristics of each of the multiple wiring sections to change uniformly, which is a problem.
本発明は、第1配線部の電気特性の変動を、第2配線部の電気特性の変動よりも、抑制できる配線回路基板およびその製造方法を提供する。 The present invention provides a wired circuit board and a manufacturing method thereof that can suppress fluctuations in the electrical characteristics of the first wiring section more than fluctuations in the electrical characteristics of the second wiring section.
本発明(1)は、多孔質絶縁層と、導体層とを厚み方向の一方側に向かって順に備え、前記導体層は、第1配線部と、前記第1配線部より厚い第2配線部とを有する、配線回路基板を含む。 The present invention (1) includes a wired circuit board having a porous insulating layer and a conductor layer, arranged in this order toward one side in the thickness direction, and the conductor layer having a first wiring portion and a second wiring portion that is thicker than the first wiring portion.
この配線回路基板では、第2配線部が第1配線部より厚い。換言すれば、第1配線部が第2配線部より薄い。 In this wired circuit board, the second wiring portion is thicker than the first wiring portion. In other words, the first wiring portion is thinner than the second wiring portion.
そのため、配線回路基板を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第1配線部と重なる多孔質絶縁層は、厚み方向において第2配線部と重なる多孔質絶縁層に比べて、小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第1配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第2配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動に比べて、抑制できる。 As a result, when the printed circuit board is pressed in the thickness direction, the porous insulating layer that overlaps the first wiring portion in the thickness direction receives a smaller press pressure than the porous insulating layer that overlaps the second wiring portion in the thickness direction. Therefore, the variation in the thickness of the porous insulating layer that overlaps the first wiring portion in the thickness direction can be suppressed more effectively than the variation in the thickness of the porous insulating layer that overlaps the second wiring portion in the thickness direction.
その結果、第1配線部の電気特性の変動を、第2配線部の電気特性の変動よりも、抑制できる。 As a result, fluctuations in the electrical characteristics of the first wiring section can be suppressed more than fluctuations in the electrical characteristics of the second wiring section.
本発明(2)は、前記第2配線部は、前記厚み方向に直交する方向に互いに間隔を隔てて2つ配置され、前記第1配線部は、2つの前記第2配線部の間に配置されている、(1)に記載の配線回路基板を含む。 The present invention (2) includes the wired circuit board described in (1), in which two of the second wiring sections are arranged at a distance from each other in a direction perpendicular to the thickness direction, and the first wiring section is arranged between the two second wiring sections.
この配線回路基板では、プレス時に、厚み方向において2つの第2配線部と重なる多孔質絶縁層が、大きなプレス圧をバランスよく引き受けることができる。そのため、2つの第2配線部の間に配置される第1配線部と重なる多孔質絶縁層は、より一層小さいプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第1配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第2配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。 In this wired circuit board, when pressed, the porous insulating layer that overlaps the two second wiring portions in the thickness direction can withstand a large press pressure in a balanced manner. Therefore, the porous insulating layer that overlaps the first wiring portion that is disposed between the two second wiring portions is subjected to an even smaller press pressure. As a result, the thickness variation of the porous insulating layer that overlaps the first wiring portion in the thickness direction can be further suppressed compared to the thickness variation of the porous insulating layer that overlaps the second wiring portion in the thickness direction.
本発明(3)は、前記多孔質絶縁層の厚み方向の他方面に配置されるグランド層をさらに備え、前記グランド層は、厚み方向に投影したときに、前記第1配線部に重なる第3配線部と、前記第2配線部に重なる第4配線部とを有し、前記第4配線部は、前記第3配線部より厚い、(1)または(2)に記載の配線回路基板を含む。 The present invention (3) includes the wired circuit board described in (1) or (2), further comprising a ground layer disposed on the other surface in the thickness direction of the porous insulating layer, the ground layer having a third wiring portion overlapping the first wiring portion and a fourth wiring portion overlapping the second wiring portion when projected in the thickness direction, and the fourth wiring portion being thicker than the third wiring portion.
この配線回路基板では、グランド層が、第1配線部に重なる第3配線部と、第2配線部に重なり、第3配線部より厚い第4配線部とを備えるので、配線回路基板を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第1配線部と重なる多孔質絶縁層は、厚み方向において第2配線部と重なる多孔質絶縁層に比べて、より一層小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第1配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第2配線部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。 In this wired circuit board, the ground layer includes a third wiring portion that overlaps the first wiring portion, and a fourth wiring portion that overlaps the second wiring portion and is thicker than the third wiring portion. Therefore, when the wired circuit board is pressed in the thickness direction, the porous insulating layer that overlaps the first wiring portion in the thickness direction is subjected to a smaller press pressure than the porous insulating layer that overlaps the second wiring portion in the thickness direction. Therefore, fluctuations in the thickness of the porous insulating layer that overlaps the first wiring portion in the thickness direction can be more effectively suppressed compared to fluctuations in the thickness of the porous insulating layer that overlaps the second wiring portion in the thickness direction.
本発明(4)は、前記多孔質絶縁層は、前記多孔質絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有し、前記貫通孔に充填される導体接続部であって、前記導体層と前記グランド層とに接触する前記導体接続部をさらに備える、(3)に記載の配線回路基板を含む。 The present invention (4) includes the wired circuit board described in (3), in which the porous insulating layer has through-holes that penetrate the porous insulating layer in the thickness direction, and further includes a conductor connection portion that fills the through-hole and contacts the conductor layer and the ground layer.
本発明(5)は、接着層と、カバー絶縁層とをさらに備え、前記カバー絶縁層は、前記接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とを厚み方向の一方側から被覆する、(1)から(4)のいずれか一項に記載の配線回路基板を含む。 The present invention (5) includes the wired circuit board described in any one of (1) to (4), further comprising an adhesive layer and a cover insulating layer, the cover insulating layer covering the conductor layer and the porous insulating layer from one side in the thickness direction via the adhesive layer.
本発明(6)は、第1配線部と、前記第1配線部より厚い第2配線部とを有する導体層を多孔質絶縁層の厚み方向の一方面に配置する第1工程と、カバー絶縁層を、接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とにプレスする第2工程とを備える、配線回路基板の製造方法を含む。 The present invention (6) includes a method for manufacturing a wired circuit board, comprising a first step of arranging a conductor layer having a first wiring portion and a second wiring portion thicker than the first wiring portion on one surface of a porous insulating layer in the thickness direction, and a second step of pressing a cover insulating layer onto the conductor layer and the porous insulating layer via an adhesive layer.
この製造方法において、第2工程で、カバー絶縁層を、接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とにプレスして、多孔質絶縁層に大きなプレス圧がかかっても、厚み方向において第1導体部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変動を、厚み方向において第2導体部と重なる多孔質絶縁層の厚みの変 動に比べて、抑制できる。その結果、第1導体部の電気特性の変動を、第2導体部の電気特性の変動よりも、抑制できる。 In this manufacturing method, in the second step, the cover insulating layer is pressed onto the conductor layer and the porous insulating layer via the adhesive layer. Even if a large pressing pressure is applied to the porous insulating layer, the variation in the thickness of the porous insulating layer overlapping the first conductor portion in the thickness direction can be suppressed more than the variation in the thickness of the porous insulating layer overlapping the second conductor portion in the thickness direction. As a result, the variation in the electrical characteristics of the first conductor portion can be suppressed more than the variation in the electrical characteristics of the second conductor portion.
本発明の配線回路基板およびその製造方法によれば、第1配線部の電気特性の変動を、第2配線部の電気特性の変動よりも、抑制できる。 The wired circuit board and manufacturing method thereof of the present invention can suppress fluctuations in the electrical characteristics of the first wiring section more than fluctuations in the electrical characteristics of the second wiring section.
1. 配線回路基板の一実施形態
本発明の配線回路基板の一実施形態を、図1を参照して説明する。
1. One Embodiment of the Wired Circuit Board One embodiment of the wired circuit board of the present invention will be described with reference to FIG.
配線回路基板1は、厚みを有する。配線回路基板1は、面方向に延びる。面方向は、厚み方向に直交する。配線回路基板1は、略平板形状を有する。 The wired circuit board 1 has a thickness. The wired circuit board 1 extends in a planar direction. The planar direction is perpendicular to the thickness direction. The wired circuit board 1 has a generally flat plate shape.
配線回路基板1は、多孔質絶縁層2と、導体層3とを厚み方向に順に備える。多孔質絶縁層2は、第1多孔質絶縁層21と、第2多孔質絶縁層22とを、厚み方向に順に備える。導体層3は、第1導体層31と、第2導体層32と、第3導体層33とを厚み方向に順に備える。具体的には、配線回路基板1は、第3導体層33と、第2多孔質絶縁層22と、第2導体層32と、第1多孔質絶縁層21と、第1導体層31とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。また、配線回路基板1は、導体接続部4と、カバー絶縁層5と、接着層6とをさらに備える。 The wired circuit board 1 comprises a porous insulating layer 2 and a conductor layer 3, arranged in that order in the thickness direction. The porous insulating layer 2 comprises a first porous insulating layer 21 and a second porous insulating layer 22, arranged in that order in the thickness direction. The conductor layer 3 comprises a first conductor layer 31, a second conductor layer 32, and a third conductor layer 33, arranged in that order in the thickness direction. Specifically, the wired circuit board 1 comprises, in that order toward one side in the thickness direction, the third conductor layer 33, the second porous insulating layer 22, the second conductor layer 32, the first porous insulating layer 21, and the first conductor layer 31. The wired circuit board 1 also comprises a conductor connection portion 4, a cover insulating layer 5, and an adhesive layer 6.
2. 多孔質絶縁層2
多孔質絶縁層2は、第1多孔質絶縁層21と、第2多孔質絶縁層22とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
2. Porous insulating layer 2
The porous insulating layer 2 includes a first porous insulating layer 21 and a second porous insulating layer 22 arranged in this order toward the other side in the thickness direction.
2.1 第1多孔質絶縁層21
第1多孔質絶縁層21は、厚みを有する。第1多孔質絶縁層21は、面方向に延びる。第1多孔質絶縁層21は、略平板形状を有する。第1多孔質絶縁層21は、第1貫通孔23と、2つの第2貫通孔24とを有する。
2.1 First porous insulating layer 21
The first porous insulating layer 21 has a thickness. The first porous insulating layer 21 extends in the planar direction. The first porous insulating layer 21 has a generally flat plate shape. The first porous insulating layer 21 has a first through hole 23 and two second through holes 24.
第1貫通孔23は、第1方向における第1多孔質絶縁層21の中間部に配置される。第1方向は、面方向に含まれる。 The first through hole 23 is located in the middle of the first porous insulating layer 21 in the first direction. The first direction is included in the surface direction.
一の第2貫通孔24は、第1方向において第1貫通孔23の一方側に間隔を隔てて配置される。他の第2貫通孔24は、第1方向において第1貫通孔23の他方側に間隔を隔てて配置される。他の第2貫通孔24は、第1方向において、第1貫通孔23に対して一の第2貫通孔24の反対側に配置される。これにより、一の第2貫通孔24と、第1貫通孔23と、他の第2貫通孔24とは、第1方向に順に並ぶ。つまり、第1貫通孔23は、2つの第2貫通孔24の間に配置される。 One second through hole 24 is arranged on one side of the first through hole 23 in the first direction, spaced apart. The other second through hole 24 is arranged on the other side of the first through hole 23 in the first direction, spaced apart. The other second through hole 24 is arranged on the opposite side of the one second through hole 24 from the first through hole 23 in the first direction. As a result, the one second through hole 24, the first through hole 23, and the other second through hole 24 are lined up in order in the first direction. In other words, the first through hole 23 is arranged between two second through holes 24.
第1貫通孔23と2つの第2貫通孔24とのそれぞれは、第1多孔質絶縁層21を厚み方向に貫通する。第1多孔質絶縁層21において第1貫通孔23と2つの第2貫通孔24とのそれぞれを区画する内周面は、厚み方向に沿う。上記した内周面は、厚み方向の一方側に向かって断面積が次第に増大するテーパ形状を有してもよい。 The first through hole 23 and the two second through holes 24 each penetrate the first porous insulating layer 21 in the thickness direction. The inner circumferential surfaces that define the first through hole 23 and the two second through holes 24 in the first porous insulating layer 21 extend along the thickness direction. The inner circumferential surfaces may have a tapered shape in which the cross-sectional area gradually increases toward one side in the thickness direction.
2.2 第2多孔質絶縁層22
第2多孔質絶縁層22は、厚み方向において第1多孔質絶縁層21の他方側に配置される。第2多孔質絶縁層22は、厚み方向において第1多孔質絶縁層21と間隔を隔てる。
なお、第2多孔質絶縁層22は、後述する第2接着層62を介して第1多孔質絶縁層21に接着されている。
2.2 Second porous insulating layer 22
The second porous insulating layer 22 is disposed on the other side in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. The second porous insulating layer 22 is spaced apart from the first porous insulating layer 21 in the thickness direction.
The second porous insulating layer 22 is bonded to the first porous insulating layer 21 via a second adhesive layer 62, which will be described later.
第2多孔質絶縁層22は、厚みを有する。第2多孔質絶縁層22は、面方向に延びる。第2多孔質絶縁層22は、略平板形状を有する。第2多孔質絶縁層22は、2つの第3貫通孔25を有する。 The second porous insulating layer 22 has a thickness. The second porous insulating layer 22 extends in the planar direction. The second porous insulating layer 22 has a generally flat plate shape. The second porous insulating layer 22 has two third through holes 25.
2つの第3貫通孔25のそれぞれは、厚み方向に投影したときに、2つの第2貫通孔24のそれぞれと重なる。2つの第3貫通孔25は、第1方向に互いに間隔を隔てて並ぶ。 When projected in the thickness direction, each of the two third through holes 25 overlaps with each of the two second through holes 24. The two third through holes 25 are aligned at a distance from each other in the first direction.
2つの第3貫通孔25のそれぞれは、第2多孔質絶縁層22を厚み方向に貫通する。第2多孔質絶縁層22において2つの第3貫通孔25のそれぞれを区画する内周面は、厚み方向に沿う。上記した内周面は、厚み方向の他方側に向かって断面積が次第に増大するテーパ形状を有してもよい。 Each of the two third through holes 25 penetrates the second porous insulating layer 22 in the thickness direction. The inner circumferential surfaces that define each of the two third through holes 25 in the second porous insulating layer 22 are aligned in the thickness direction. The inner circumferential surfaces may have a tapered shape in which the cross-sectional area gradually increases toward the other side in the thickness direction.
2.3 多孔質絶縁層2の材料
多孔質絶縁層2の材料としては、樹脂が挙げられる。樹脂は、限定されない。樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、フッ化ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂、フッ素樹脂、および、液晶ポリマーが挙げられる。好ましくは、ポリイミド樹脂、および、液晶ポリマーが挙げられる。
2.3 Material of Porous Insulation Layer 2 Examples of materials for the porous insulation layer 2 include resins. There are no particular restrictions on the resins. Examples of resins include polycarbonate resins, polyimide resins, fluorinated polyimide resins, epoxy resins, phenolic resins, urea resins, melamine resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, thermosetting urethane resins, fluororesins, and liquid crystal polymers. Polyimide resins and liquid crystal polymers are preferred.
2.4 多孔質絶縁層2の物性
多孔質絶縁層2は、多孔質である。多孔質絶縁層2は、独立気泡および/または連続気泡を有する。
2.4 Physical Properties of Porous Insulating Layer 2 The porous insulating layer 2 is porous and has closed cells and/or open cells.
多孔質絶縁層2における空孔率は、例えば、50%以上、好ましくは、60%以上、より好ましくは、70%以上、さらに好ましくは、80%以上である。なお、多孔質絶縁層2の空孔率は、例えば、100%未満、さらには、99%以下である。多孔質絶縁層2の空孔率は、多孔質絶縁層2の材料がポリイミド樹脂である場合には、下記式に基づく計算により求められる。 The porosity of the porous insulating layer 2 is, for example, 50% or more, preferably 60% or more, more preferably 70% or more, and even more preferably 80% or more. The porosity of the porous insulating layer 2 is, for example, less than 100%, or even 99% or less. When the material of the porous insulating layer 2 is polyimide resin, the porosity of the porous insulating layer 2 can be calculated using the following formula:
多孔質絶縁層2の誘電率=空気の誘電率×空孔率+ポリイミドの誘電率×(1-空孔率)
ここで、空気の誘電率は1、ポリイミド樹脂の誘電率は3.5であるため、
多孔質絶縁層2の誘電率=空孔率+3.5(1-空孔率)
空孔率(%)=[(3.5-多孔質絶縁層2の誘電率)/2.5]×100
Dielectric constant of porous insulating layer 2=dielectric constant of air×porosity+dielectric constant of polyimide×(1−porosity)
Here, the dielectric constant of air is 1 and the dielectric constant of polyimide resin is 3.5, so
Dielectric constant of porous insulating layer 2 = porosity + 3.5 (1 - porosity)
Porosity (%)=[(3.5−dielectric constant of porous insulating layer 2)/2.5]×100
多孔質絶縁層2の周波数60GHzにおける誘電率は、例えば、2.5以下、好ましくは、1.9以下、より好ましくは、1.6以下であり、また、例えば、1.0超過である。多孔質絶縁層2の誘電率は、周波数の60GHzを用いる共振器法により、実測される。 The dielectric constant of the porous insulating layer 2 at a frequency of 60 GHz is, for example, 2.5 or less, preferably 1.9 or less, more preferably 1.6 or less, or, for example, greater than 1.0. The dielectric constant of the porous insulating layer 2 is measured using a resonator method at a frequency of 60 GHz.
多孔質絶縁層2の周波数60GHzにおける誘電正接は、例えば、0.006以下であり、また、例えば、0超過である。多孔質絶縁層2の誘電正接は、周波数の60GHzを用いる共振器法により、実測される。 The dielectric loss tangent of the porous insulating layer 2 at a frequency of 60 GHz is, for example, 0.006 or less, and is, for example, greater than 0. The dielectric loss tangent of the porous insulating layer 2 is measured using a resonator method at a frequency of 60 GHz.
3. 導体層3
導体層3は、第2方向に延びる。第2方向は、厚み方向および第1方向に交差する。具体的には、第2方向は、厚み方向および第1方向に直交する。
3. Conductor layer 3
The conductor layer 3 extends in a second direction that intersects the thickness direction and the first direction. Specifically, the second direction is perpendicular to the thickness direction and the first direction.
導体層3は、第1導体層31と、第2導体層32と、第3導体層33とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。 The conductor layer 3 comprises a first conductor layer 31, a second conductor layer 32, and a third conductor layer 33, arranged in that order toward the other side in the thickness direction.
3.1 第1導体層31
第1導体層31は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方側に配置される。具体的には、第1導体層31は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面に配置される。第1導体層31は、第1配線部の一例としての第1信号線34と、2つの第2配線部の一例としての2つの第1グランド線35とを有する。
3.1 First conductor layer 31
The first conductor layer 31 is disposed on one side in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. Specifically, the first conductor layer 31 is disposed on one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. The first conductor layer 31 has a first signal line 34 as an example of a first wiring portion, and two first ground lines 35 as examples of two second wiring portions.
3.1.1 第1信号線34
第1信号線34は、信号を第2方向に伝送する。信号としては、例えば、差動信号が挙げられる。信号は、例えば、1A未満、さらには、0.1A未満の小電流を含む。第1信号線34は、第1導体層31における第1方向の中間部に配置される。第1信号線34は、第1貫通孔23の厚み方向の一方側に配置される。第1信号線34は、第1貫通孔23の厚み方向の一端部を塞ぐ。第1信号線34は、第1多孔質絶縁層21において第1貫通孔23の周囲の厚み方向の一方面に接触する。第1信号線34は、信号端子341を含む。信号端子341は、第1信号線34の第2方向の端部に配置される。信号端子341には、図示しない外部基板の電極が接続される。
3.1.1 First signal line 34
The first signal line 34 transmits a signal in the second direction. Examples of the signal include a differential signal. The signal includes a small current, for example, less than 1 A, or even less than 0.1 A. The first signal line 34 is disposed in a middle portion of the first conductor layer 31 in the first direction. The first signal line 34 is disposed on one side of the first through hole 23 in the thickness direction. The first signal line 34 blocks one end of the first through hole 23 in the thickness direction. The first signal line 34 contacts one surface of the first porous insulating layer 21 in the thickness direction surrounding the first through hole 23. The first signal line 34 includes a signal terminal 341. The signal terminal 341 is disposed at an end of the first signal line 34 in the second direction. The signal terminal 341 is connected to an electrode of an external substrate (not shown).
第1信号線34は、次に説明する第1グランド線35より薄い。具体的には、第1信号線34の厚みT1は、例えば、50μm以下、好ましくは、35μm以下、より好ましくは、18μm以下であり、また、例えば、4μm以上である。なお、第1信号線34の厚みT1は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面と、第1信号線34の厚み方向の一方面との、厚み方向の長さである。 The first signal line 34 is thinner than the first ground line 35, which will be described next. Specifically, the thickness T1 of the first signal line 34 is, for example, 50 μm or less, preferably 35 μm or less, more preferably 18 μm or less, and is, for example, 4 μm or more. Note that the thickness T1 of the first signal line 34 is the length in the thickness direction between one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21 and one surface in the thickness direction of the first signal line 34.
3.1.2 2つの第1グランド線35
2つの第1グランド線35のそれぞれは、第1信号線34に影響を及ぼす微弱電流をアースする。微弱電流は、例えば、1A未満、さらには、0.1A未満の電流を含む。2つの第1グランド線35のそれぞれは、2つの第2貫通孔24のそれぞれの厚み方向の一方側に配置される。2つの第1グランド線35のそれぞれは、2つの第2貫通孔24のそれぞれの厚み方向の一端部を塞ぐ。2つの第1グランド線35のそれぞれは、第1多孔質絶縁層21において2つの第2貫通孔24の周囲の厚み方向の一方面に接触する。
3.1.2 Two first ground lines 35
Each of the two first ground lines 35 earths a weak current that affects the first signal line 34. The weak current includes, for example, a current less than 1 A, or even less than 0.1 A. Each of the two first ground lines 35 is disposed on one side in the thickness direction of each of the two second through holes 24. Each of the two first ground lines 35 closes one end of each of the two second through holes 24 in the thickness direction. Each of the two first ground lines 35 contacts one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21 surrounding the two second through holes 24.
2つの第1グランド線35は、第1方向に互いに間隔を隔てて配置される。一の第1グランド線35は、第1方向において第1信号線34の一方側に間隔を隔てて配置される。
他の第1グランド線35は、第1方向において第1信号線34の他方側に間隔を隔てて配置される。他の第1グランド線35は、第1方向において、第1信号線34に対して一の第1グランド線35の反対側に配置される。これにより、一の第1グランド線35と、第1信号線34と、他の第1グランド線35とは、第1方向に順に間隔を隔てて並ぶ。つまり、第1信号線34は、2つの第1グランド線35の間に配置されている。
The two first ground lines 35 are arranged at a distance from each other in the first direction. One first ground line 35 is arranged at a distance from the first signal line 34 on one side in the first direction.
The other first ground line 35 is arranged at a distance from the first signal line 34 on the other side in the first direction. The other first ground line 35 is arranged on the opposite side of the one first ground line 35 with respect to the first signal line 34 in the first direction. As a result, the one first ground line 35, the first signal line 34, and the other first ground line 35 are lined up in order at a distance from each other in the first direction. In other words, the first signal line 34 is arranged between two first ground lines 35.
2つの第1グランド線35の少なくともいずれかは、グランド端子351を含む。グランド端子351は、当該第1グランド線35の第2方向の端部に配置される。グランド端子351には、図示しないアース部材が接続される。 At least one of the two first ground lines 35 includes a ground terminal 351. The ground terminal 351 is disposed at the end of the first ground line 35 in the second direction. An earth member (not shown) is connected to the ground terminal 351.
2つの第1グランド線35のそれぞれは、第1信号線34より厚い。 Each of the two first ground lines 35 is thicker than the first signal line 34.
他方、2つの第1グランド線35のそれぞれが、第1信号線34と同じ厚みであれば、後述するプレスによって、厚み方向において第1信号線34および第1グランド線35と重なる多孔質絶縁層2の厚みが大きく変動し、第1信号線34の電気特性が大きく変動する。具体的には、第1信号線34の特性インピーダンスのミスマッチを生じる。 On the other hand, if each of the two first ground wires 35 has the same thickness as the first signal wire 34, the pressing described below will cause the thickness of the porous insulating layer 2 overlapping the first signal wire 34 and the first ground wire 35 to vary significantly in the thickness direction, resulting in significant variations in the electrical characteristics of the first signal wire 34. Specifically, this will result in a mismatch in the characteristic impedance of the first signal wire 34.
2つの第1グランド線35の厚みT2は、例えば、6μm以上、好ましくは、20μm以上、より好ましくは、40μm以上であり、また、例えば、52μm以下である。なお、第1グランド線35の厚みT2は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面と、第1グランド線35の厚み方向の一方面との、厚み方向の長さである。 The thickness T2 of the two first ground lines 35 is, for example, 6 μm or more, preferably 20 μm or more, more preferably 40 μm or more, and is, for example, 52 μm or less. The thickness T2 of the first ground line 35 is the length in the thickness direction between one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21 and one surface in the thickness direction of the first ground line 35.
第1信号線34の厚みT1に対する第1グランド線35の厚みT2の比(T2/T1)は、1超過、好ましくは、1.2以上、より好ましくは、1.4以上、さらに好ましくは、1.6以上である。第1信号線34の厚みT1に対する第1グランド線35の厚みT2の比(T2/T1)の上限は、限定されない。比(T2/T1)の上限は、例えば、13である。 The ratio (T2/T1) of the thickness T2 of the first ground wire 35 to the thickness T1 of the first signal wire 34 exceeds 1, preferably 1.2 or greater, more preferably 1.4 or greater, and even more preferably 1.6 or greater. There is no upper limit to the ratio (T2/T1) of the thickness T2 of the first ground wire 35 to the thickness T1 of the first signal wire 34. The upper limit of the ratio (T2/T1) is, for example, 13.
3.2 第2導体層32
第2導体層32は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の他方側に配置される。第2導体層32は、厚み方向において、第1多孔質絶縁層21に対して第1導体層31の反対側に配置される。第2導体層32は、厚み方向において第1多孔質絶縁層21と第2多孔質絶縁層22との間に配置される。第2導体層32は、第1導体層31と電気的に接続される。第2導体層32は、第2信号線36と、2つの第2グランド線37とを備える。
3.2 Second conductor layer 32
The second conductor layer 32 is disposed on the other side in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. The second conductor layer 32 is disposed on the opposite side of the first conductor layer 31 in the thickness direction with respect to the first porous insulating layer 21. The second conductor layer 32 is disposed between the first porous insulating layer 21 and the second porous insulating layer 22 in the thickness direction. The second conductor layer 32 is electrically connected to the first conductor layer 31. The second conductor layer 32 includes a second signal line 36 and two second ground lines 37.
3.2.1 第2信号線36
第2信号線36は、第1信号線34とともに上記した信号を第2方向に伝送する。第2信号線36は、厚み方向に投影したときに、第1信号線34と重なる。第2信号線36は、厚み方向において第1信号線34と電気的に接続される。
3.2.1 Second signal line 36
The second signal line 36 transmits the above-mentioned signal in the second direction together with the first signal line 34. When projected in the thickness direction, the second signal line 36 overlaps with the first signal line 34. The second signal line 36 is electrically connected to the first signal line 34 in the thickness direction.
3.2.2 2つの第2グランド線37
2つの第2グランド線37は、2つの第1グランド線35とともに、第1信号線34および第2信号線36に影響を及ぼす微弱電流をアースする。2つの第2グランド線37のそれぞれは、第2信号線36の第1方向の一方側および他方側のそれぞれにおいて、間隔を隔てて配置される。第2グランド線37は、厚み方向に投影したときに、第1グランド線35に重なる。
3.2.2 Two second ground lines 37
The two second ground lines 37, together with the two first ground lines 35, earth weak currents that affect the first signal line 34 and the second signal line 36. The two second ground lines 37 are arranged spaced apart on one side and the other side in the first direction of the second signal line 36. The second ground lines 37 overlap the first ground lines 35 when projected in the thickness direction.
2つの第2グランド線37のそれぞれは、第2信号線36と同一厚みを有する。 Each of the two second ground lines 37 has the same thickness as the second signal line 36.
3.3 第3導体層33
第3導体層33は、グランド層の一例である。つまり、第3導体層33は、第1信号線34および第2信号線36に影響を及ぼす微弱電流を、上記した第1グランド線35および第2グランド線37とともにアースする。
3.3 Third conductor layer 33
The third conductor layer 33 is an example of a ground layer. That is, the third conductor layer 33, together with the first ground line 35 and the second ground line 37, earths weak currents that affect the first signal line 34 and the second signal line 36.
第3導体層33は、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方側に配置される。具体的には、第3導体層33は、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面に配置される。第3導体層33は、厚み方向において、第2多孔質絶縁層22に対して第2導体層32の反対側に配置されている。第3導体層33は、第3配線部の一例としての第3グランド部38と、第4配線部の一例としての第4グランド部39とを有する。 The third conductor layer 33 is arranged on the other side in the thickness direction of the second porous insulating layer 22. Specifically, the third conductor layer 33 is arranged on the other surface in the thickness direction of the second porous insulating layer 22. The third conductor layer 33 is arranged on the opposite side of the second conductor layer 32 in the thickness direction with respect to the second porous insulating layer 22. The third conductor layer 33 has a third ground portion 38 as an example of a third wiring portion, and a fourth ground portion 39 as an example of a fourth wiring portion.
3.3.1 第3グランド部38
第3グランド部38は、2つの第3貫通孔25の間の第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面に配置される。第3グランド部38は、第1方向に延びる。第3グランド部38は、厚み方向に投影したときに、第1信号線34と重なる。第3グランド部38は、厚み方向に投影したときに、第1信号線34を包含する。具体的には、第3グランド部38は、重なり部分381と、非重なり部分382とを含む。重なり部分381は、第1信号線34と重なる。非重なり部分382は、第1信号線34と重ならない。本実施形態では、重なり部分381は、第3グランド部38における第1方向の中間部である。非重なり部分382は、重なり部分381の第1方向の一端部および他端部のそれぞれから外側に延びる。第3グランド部38は、平板形状を有する。
3.3.1 Third ground portion 38
The third ground portion 38 is disposed on the other surface in the thickness direction of the second porous insulating layer 22 between the two third through holes 25. The third ground portion 38 extends in the first direction. When projected in the thickness direction, the third ground portion 38 overlaps with the first signal line 34. When projected in the thickness direction, the third ground portion 38 encompasses the first signal line 34. Specifically, the third ground portion 38 includes an overlapping portion 381 and a non-overlapping portion 382. The overlapping portion 381 overlaps with the first signal line 34. The non-overlapping portion 382 does not overlap with the first signal line 34. In the present embodiment, the overlapping portion 381 is an intermediate portion of the third ground portion 38 in the first direction. The non-overlapping portion 382 extends outward from each of one end and the other end of the overlapping portion 381 in the first direction. The third ground portion 38 has a flat plate shape.
第3グランド部38は、次に説明する第4グランド部39より薄い。具体的には、第3グランド部38の厚みT3は、例えば、50μm以下、好ましくは、35μm以下、より好ましくは、18μm以下であり、また、例えば、4μm以上である。なお、第3グランド部38の厚みT3は、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面と、第3グランド部38の厚み方向の他方面との、厚み方向の長さである。 The third ground portion 38 is thinner than the fourth ground portion 39, which will be described next. Specifically, the thickness T3 of the third ground portion 38 is, for example, 50 μm or less, preferably 35 μm or less, more preferably 18 μm or less, and is, for example, 4 μm or more. The thickness T3 of the third ground portion 38 is the length in the thickness direction between the other surface in the thickness direction of the second porous insulating layer 22 and the other surface in the thickness direction of the third ground portion 38.
3.3.2 第4グランド部39
2つの第4グランド部39のそれぞれは、2つの第3貫通孔25のそれぞれの厚み方向の他方側に配置される。2つの第4グランド部39のそれぞれは、2つの第3貫通孔25のそれぞれの厚み方向の他端部を塞ぐ。2つの第4グランド部39のそれぞれは、第2多孔質絶縁層22において2つの第3貫通孔25の周囲の厚み方向の他方面に接触する。
3.3.2 Fourth ground portion 39
Each of the two fourth ground portions 39 is disposed on the other side in the thickness direction of each of the two third through holes 25. Each of the two fourth ground portions 39 closes the other end portion in the thickness direction of each of the two third through holes 25. Each of the two fourth ground portions 39 contacts the other surface in the thickness direction around the two third through holes 25 in the second porous insulating layer 22.
2つの第4グランド部39は、第1方向に互いに間隔を隔てて配置される。2つの第4グランド部39のそれぞれは、平板形状を有する。第4グランド部39は、厚み方向に投影したときに、第1グランド線35と重なる。一の第4グランド部39の厚み方向の一方側部分は、第3グランド部38の第1方向の一端部(重なり部分382)に連結する。他の第4グランド部39の厚み方向の一方側部分は、第3グランド部38の第1方向の他端部(重なり部分382)に連結する。これにより、2つの第4グランド部39は、第3グランド部38を介して互いに電気的に接続される。 The two fourth ground portions 39 are arranged at a distance from each other in the first direction. Each of the two fourth ground portions 39 has a flat plate shape. When projected in the thickness direction, the fourth ground portion 39 overlaps the first ground line 35. One side portion in the thickness direction of one fourth ground portion 39 is connected to one end portion in the first direction of the third ground portion 38 (overlapping portion 382). One side portion in the thickness direction of the other fourth ground portion 39 is connected to the other end portion in the first direction of the third ground portion 38 (overlapping portion 382). As a result, the two fourth ground portions 39 are electrically connected to each other via the third ground portion 38.
2つの第4グランド部39のそれぞれは、第3グランド部38より厚い。2つの第4グランド部39のそれぞれが、第3グランド部38より厚いと、後述するプレスによって、厚み方向において第3グランド部38および第4グランド部39と重なる多孔質絶縁層2の厚みが大きく変動することを抑制し、第1信号線34および第2信号線36の電気特性が大きく変動することを抑制できる。 Each of the two fourth ground portions 39 is thicker than the third ground portion 38. When each of the two fourth ground portions 39 is thicker than the third ground portion 38, the thickness of the porous insulating layer 2 that overlaps the third ground portion 38 and the fourth ground portion 39 in the thickness direction is prevented from fluctuating significantly during the pressing process described below, thereby preventing significant fluctuations in the electrical characteristics of the first signal line 34 and the second signal line 36.
2つの第4グランド部39の厚みT4は、例えば、6μm以上、好ましくは、20μm以上、より好ましくは、40μm以上であり、また、例えば、52μm以下である。第4グランド部39の厚みT4は、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面と、第4グランド部39の厚み方向の他方面との、厚み方向の長さである。 The thickness T4 of the two fourth ground portions 39 is, for example, 6 μm or more, preferably 20 μm or more, more preferably 40 μm or more, and is, for example, 52 μm or less. The thickness T4 of the fourth ground portion 39 is the length in the thickness direction between the other surface in the thickness direction of the second porous insulating layer 22 and the other surface in the thickness direction of the fourth ground portion 39.
第3グランド部38の厚みT3に対する第4グランド部39の厚みT4の比(T4/T3)は、1超過、好ましくは、1.2以上、より好ましくは、1.4以上、さらに好ましくは、1.6以上である。第3グランド部38の厚みT3に対する第4グランド部39の厚みT4の比(T4/T3)の上限は、限定されない。比(T4/T3)の上限は、例えば、13である。 The ratio (T4/T3) of the thickness T4 of the fourth ground portion 39 to the thickness T3 of the third ground portion 38 exceeds 1, preferably 1.2 or greater, more preferably 1.4 or greater, and even more preferably 1.6 or greater. There is no upper limit to the ratio (T4/T3) of the thickness T4 of the fourth ground portion 39 to the thickness T3 of the third ground portion 38. An upper limit to the ratio (T4/T3) is, for example, 13.
3.4 導体層3の材料
導体層3の材料は、限定されない。導体層3の材料として、例えば、銅、鉄、銀、金、アルミニウム、ニッケル、および、それらの合金(ステンレス、および、青銅)が挙げられる。導体層3の材料として、好ましくは、銅が挙げられる。
3.4 Material of the conductor layer 3
There are no limitations on the material of the conductor layer 3. Examples of the material of the conductor layer 3 include copper, iron, silver, gold, aluminum, nickel, and alloys thereof (stainless steel and bronze). A preferred material of the conductor layer 3 is copper.
4. 導体接続部4
導体接続部4は、厚み方向において第1導体層31および第2導体層32の間と、第2導体層32および第3導体層33の間とに配置される。導体接続部4は、第1貫通孔23、第2貫通孔24、および、第3貫通孔25に配置される。導体接続部4は、第1導体接続部41と、2つの第2導体接続部42と、2つの第3導体接続部43とを有する。
4. Conductor connection part 4
The conductor connecting portions 4 are arranged in the thickness direction between the first conductor layer 31 and the second conductor layer 32 and between the second conductor layer 32 and the third conductor layer 33. The conductor connecting portions 4 are arranged in the first through hole 23, the second through hole 24, and the third through hole 25. The conductor connecting portions 4 have a first conductor connecting portion 41, two second conductor connecting portions 42, and two third conductor connecting portions 43.
4.1 第1導体接続部41
第1導体接続部41の一部(主要部)は、第1貫通孔23に充填され、第2導体接続部42の残部(厚み方向の他端部)は、第1貫通孔23から厚み方向の他方側に向かって突出する。第1導体接続部41の厚み方向の一端部は、第1信号線34と接触(連続)する。第1導体接続部41の厚み方向の他端部は、第2信号線36と接触する。これによって、第1信号線34と第2信号線36とは、第1導体接続部41を介して電気的に接続される。従って、第1信号線34と第2信号線36と第1導体接続部41とは、断面視において略I字形状の信号パスを形成する。信号パスは、厚み方向および第2方向に延びる。
4.1 First conductor connecting portion 41
A portion (main portion) of the first conductor connecting portion 41 fills the first through hole 23, and the remaining portion (the other end in the thickness direction) of the second conductor connecting portion 42 protrudes from the first through hole 23 toward the other side in the thickness direction. One end in the thickness direction of the first conductor connecting portion 41 contacts (is continuous with) the first signal line 34. The other end in the thickness direction of the first conductor connecting portion 41 contacts the second signal line 36. This electrically connects the first signal line 34 and the second signal line 36 via the first conductor connecting portion 41. Therefore, the first signal line 34, the second signal line 36, and the first conductor connecting portion 41 form a signal path that is approximately I-shaped in cross section. The signal path extends in the thickness direction and the second direction.
4.2 第2導体接続部42
第2導体接続部42の一部(主要部)は、第2貫通孔24に充填され、第2導体接続部42の残部(厚み方向の他端部)は、第2貫通孔24から厚み方向の他方側に向かって突出する。第2導体接続部42の厚み方向の一端部は、第1グランド線35と接触(連続)する。第2導体接続部42の厚み方向の他端部は、第2グランド線37と接触する。これにより、第1グランド線35と第2グランド線37とは、第2導体接続部42を介して電気的に接続される。
4.2 Second conductor connecting portion 42
A part (main part) of the second conductor connecting part 42 fills the second through-hole 24, and the remainder (the other end in the thickness direction) of the second conductor connecting part 42 protrudes from the second through-hole 24 toward the other side in the thickness direction. One end in the thickness direction of the second conductor connecting part 42 contacts (is continuous with) the first ground wire 35. The other end in the thickness direction of the second conductor connecting part 42 contacts the second ground wire 37. As a result, the first ground wire 35 and the second ground wire 37 are electrically connected via the second conductor connecting part 42.
4.3 第3導体接続部43
第3導体接続部43の一部(主要部)は、第3貫通孔25に充填され、第3導体接続部43の残部(厚み方向の一端部)は、第3貫通孔25から厚み方向の一方側に向かって突出する。第3導体接続部43の厚み方向の他端部は、第4グランド部39と接触(連続)する。第3導体接続部43の厚み方向の一端部は、第2グランド線37と接触する。これにより、第2グランド線37と第3導体層33とは、第3導体接続部43を介して電気的に接続される。
4.3 Third conductor connecting portion 43
A portion (main portion) of the third conductor connection portion 43 fills the third through hole 25, and the remaining portion (one end portion in the thickness direction) of the third conductor connection portion 43 protrudes from the third through hole 25 toward one side in the thickness direction. The other end portion in the thickness direction of the third conductor connection portion 43 contacts (is continuous with) the fourth ground portion 39. The one end portion in the thickness direction of the third conductor connection portion 43 contacts the second ground wire 37. As a result, the second ground wire 37 and the third conductor layer 33 are electrically connected via the third conductor connection portion 43.
以上より、第1グランド線35と第2グランド線37と第3導体層33と第2導体接続部42と第3導体接続部43とは、断面視において、略U字形状のグランドパスを形成する。グランドパスは、断面視において、厚み方向の一方側に向かって開放される。 As a result, the first ground line 35, the second ground line 37, the third conductor layer 33, the second conductor connection portion 42, and the third conductor connection portion 43 form a ground path that is approximately U-shaped in cross section. The ground path is open toward one side in the thickness direction in cross section.
4.4 導体接続部4の材料
導体接続部4の材料は、上記した導体層3の材料と同様である。
4.4 Material of Conductor Connection Portion 4 The material of the conductor connection portion 4 is the same as the material of the conductor layer 3 described above.
5. カバー絶縁層5
カバー絶縁層5は、導体層3の厚み方向の一方側および他方側に配置される。カバー絶縁層5は、第1カバー絶縁層51と、第2カバー絶縁層52とを有する。
5. Cover insulating layer 5
The insulating cover layer 5 is disposed on one side and the other side in the thickness direction of the conductor layer 3. The insulating cover layer 5 has a first insulating cover layer 51 and a second insulating cover layer 52.
5.1 第1カバー絶縁層51
第1カバー絶縁層51は、厚み方向において第1導体層31の一方側に配置される。第1カバー絶縁層51は、配線回路基板1の厚み方向の一方面を形成する。第1カバー絶縁層51は、上記した信号端子341およびグランド端子351を露出する。第1カバー絶縁層51は、信号端子341およびグランド端子351以外の第1導体層31を被覆する。
5.1 First insulating cover layer 51
The first cover insulating layer 51 is disposed on one side of the first conductor layer 31 in the thickness direction. The first cover insulating layer 51 forms one surface in the thickness direction of the wired circuit board 1. The first cover insulating layer 51 exposes the signal terminals 341 and the ground terminals 351. The first cover insulating layer 51 covers the first conductor layer 31 except for the signal terminals 341 and the ground terminals 351.
5.2 第2カバー絶縁層52
第2カバー絶縁層52は、厚み方向において第3導体層33の他方側に配置される。第2カバー絶縁層52は、配線回路基板1の厚み方向の他方面を形成する。第2カバー絶縁層52は、第3導体層33を被覆する。
5.2 Second insulating cover layer 52
The second insulating cover layer 52 is disposed on the other side of the third conductor layer 33 in the thickness direction. The second insulating cover layer 52 forms the other surface in the thickness direction of the wired circuit board 1. The second insulating cover layer 52 covers the third conductor layer 33.
5.3 カバー絶縁層5の材料
カバー絶縁層5の材料としては、例えば、上記した樹脂が挙げられる。
5.3 Material of the Insulating Cover Layer 5 Examples of materials for the insulating cover layer 5 include the resins described above.
6. 接着層6
接着層6は、上記した各層間に配置される。接着層6の材料(または原料)は、限定されない。接着層6は、第1接着層61と、第2接着層62と、第3接着層63とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
6. Adhesive layer 6
The adhesive layer 6 is disposed between the above-described layers. There are no limitations on the material (or raw material) of the adhesive layer 6. The adhesive layer 6 includes a first adhesive layer 61, a second adhesive layer 62, and a third adhesive layer 63, which are arranged in this order toward the other side in the thickness direction.
6.1 第1接着層61
第1接着層61は、第1導体層31および第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面と、第1カバー絶縁層51の厚み方向の他方面とに配置されている。第1接着層61は、第1導体層31および第1多孔質絶縁層21と、第1カバー絶縁層51とを接着する。第1接着層61は、第1導体層31の厚み方向の一方面および側面と、第1導体層31の周囲の第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面とに接触する。第1接着層61は、第1カバー絶縁層51の厚み方向の他方面に接触する。
6.1 First adhesive layer 61
The first adhesive layer 61 is disposed on one thickness direction surface of the first conductor layer 31 and the first porous insulating layer 21 and on the other thickness direction surface of the first cover insulating layer 51. The first adhesive layer 61 bonds the first conductor layer 31 and the first porous insulating layer 21 to the first cover insulating layer 51. The first adhesive layer 61 contacts one thickness direction surface and a side surface of the first conductor layer 31 and one thickness direction surface of the first porous insulating layer 21 around the first conductor layer 31. The first adhesive layer 61 contacts the other thickness direction surface of the first cover insulating layer 51.
6.2 第2接着層62
第2接着層62は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の他方面と、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の一方面とに配置されている。つまり、第2接着層62は、第1多孔質絶縁層21と第2多孔質絶縁層22との間に配置されている。第2接着層62は、第2導体層32を厚み方向に埋設する。具体的には、第2接着層62は、第2導体層32の厚み方向の両方面および側面に接触する。また、第2接着層62は、上記した導体接続部4の残部の側面に接触する。具体的には、第2接着層62は、第1導体接続部41の厚み方向の他端部の周側面と、第2導体接続部42の厚み方向の他端部の周側面と、第3導体接続部43の厚み方向の一端部の周側面とに接触する。
6.2 Second adhesive layer 62
The second adhesive layer 62 is disposed on the other thickness-wise surface of the first porous insulating layer 21 and on one thickness-wise surface of the second porous insulating layer 22. That is, the second adhesive layer 62 is disposed between the first porous insulating layer 21 and the second porous insulating layer 22. The second adhesive layer 62 buries the second conductor layer 32 in the thickness direction. Specifically, the second adhesive layer 62 contacts both thickness-wise surfaces and the side surfaces of the second conductor layer 32. The second adhesive layer 62 also contacts the side surfaces of the remaining portion of the conductor connection portion 4 described above. Specifically, the second adhesive layer 62 contacts the peripheral side surface of the other thickness-wise end of the first conductor connection portion 41, the peripheral side surface of the other thickness-wise end of the second conductor connection portion 42, and the peripheral side surface of one thickness-wise end of the third conductor connection portion 43.
6.3 第3接着層63
第3接着層63は、第3導体層33および第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面と、第2カバー絶縁層52の厚み方向の一方面とに配置されている。なお、図1において、第3接着層63が第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面に配置される態様は、図示されていない。第3接着層63は、第3導体層33および第2多孔質絶縁層22と、第2カバー絶縁層52とを接着する。第3接着層63は、第3導体層33の厚み方向の他方面おおよび側面と、第3導体層33の周囲の第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面とに接触する。
6.3 Third adhesive layer 63
The third adhesive layer 63 is disposed on the other thickness direction surfaces of the third conductor layer 33 and the second porous insulating layer 22, and on one thickness direction surface of the second cover insulating layer 52. Note that Fig. 1 does not show the state in which the third adhesive layer 63 is disposed on the other thickness direction surface of the second porous insulating layer 22. The third adhesive layer 63 bonds the third conductor layer 33 and the second porous insulating layer 22 to the second cover insulating layer 52. The third adhesive layer 63 contacts the other thickness direction surface and side surface of the third conductor layer 33, and the other thickness direction surface of the second porous insulating layer 22 around the third conductor layer 33.
7.第4接着層64および補強層7
また、配線回路基板1は、仮想線で示す第4接着層64および補強層7をさらに備えてもよい。
7. Fourth adhesive layer 64 and reinforcing layer 7
The wired circuit board 1 may further include a fourth adhesive layer 64 and a reinforcing layer 7 shown by imaginary lines.
第4接着層64は、第2カバー絶縁層52の厚み方向の他方面に配置される。第4接着層64は、第2カバー絶縁層52と、次に説明する補強層7とを接着する。 The fourth adhesive layer 64 is disposed on the other thickness-wise surface of the second cover insulating layer 52. The fourth adhesive layer 64 bonds the second cover insulating layer 52 to the reinforcing layer 7, which will be described next.
補強層7は、第1信号線34および第3グランド部38を補強する。補強層7は、第2カバー絶縁層52の厚み方向の他方側に配置される。具体的には、補強層7は、第4接着層64を介して、第2カバー絶縁層52の厚み方向の他方面に接着される。補強層7は、厚み方向に投影したときに第1信号線34および第3グランド部38と重なる。補強層7は、平板形状を有する。補強層7の材料は、限定されない。補強層7の材料としては、例えば、金属、および、硬質樹脂が挙げられる。補強層7の材料としては、好ましくは、金属、具体的には、ステンレス、銅、鉄、および、アルミニウムが挙げられる。補強層7の厚みは、限定されない。 The reinforcing layer 7 reinforces the first signal line 34 and the third ground portion 38. The reinforcing layer 7 is disposed on the other thickness-wise side of the second cover insulating layer 52. Specifically, the reinforcing layer 7 is adhered to the other thickness-wise surface of the second cover insulating layer 52 via the fourth adhesive layer 64. The reinforcing layer 7 overlaps the first signal line 34 and the third ground portion 38 when projected in the thickness direction. The reinforcing layer 7 has a flat plate shape. The material of the reinforcing layer 7 is not limited. Examples of materials for the reinforcing layer 7 include metals and hard resins. Preferred materials for the reinforcing layer 7 include metals, specifically stainless steel, copper, iron, and aluminum. The thickness of the reinforcing layer 7 is not limited.
8. 配線回路基板1の製造方法
次に、配線回路基板1の製造方法を図1から図4Bを参照して説明する。
8. Method for Manufacturing Wired Circuit Board 1 Next, a method for manufacturing the wired circuit board 1 will be described with reference to FIGS. 1 to 4B.
8.1 第1多孔質積層体81の準備
図2Aに示すように、この方法では、まず、第1多孔質積層体81を準備する。
8.1 Preparation of First Porous Laminate 81 As shown in FIG. 2A, in this method, first, a first porous laminate 81 is prepared.
第1多孔質積層体81は、第2導体層32と、一方側第2接着層62Aと、第1多孔質絶縁層21と、第1下地層311とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。 The first porous laminate 81 comprises, in order toward one side in the thickness direction, a second conductor layer 32, a one-side second adhesive layer 62A, a first porous insulating layer 21, and a first base layer 311.
第1多孔質積層体81における第2導体層32は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の他方側に配置されている。第1多孔質積層体81における第2導体層32は、まだパターニングされる前であり、図1に示す配線回路基板1の第2導体層32ではない。 The second conductor layer 32 in the first porous laminate 81 is disposed on the other side in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. The second conductor layer 32 in the first porous laminate 81 has not yet been patterned and is not the second conductor layer 32 of the wired circuit board 1 shown in Figure 1.
一方側第2接着層62Aは、第2導体層32の厚み方向の一方面、および、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の他方面に配置されている。 The one-side second adhesive layer 62A is arranged on one thickness-wise surface of the second conductor layer 32 and on the other thickness-wise surface of the first porous insulating layer 21.
第1下地層311は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面に配置される。第1下地層311は、図1における配線回路基板1の第1導体層31に含まれる。 The first base layer 311 is disposed on one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. The first base layer 311 is included in the first conductor layer 31 of the printed circuit board 1 in Figure 1.
第1多孔質積層体81の準備方法は、例えば、特開2019-123851号公報に記載される。 A method for preparing the first porous laminate 81 is described, for example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2019-123851.
8.2 第1ビア91の形成
図2Bに示すように、次いで、第1ビア91を、第1下地層311と、第1多孔質絶縁層21と、一方側第2接着層62Aとに形成する。なお、第1多孔質絶縁層21における第1ビア91は、上記した第1貫通孔23である。
2B , the first via 91 is then formed in the first base layer 311, the first porous insulating layer 21, and the one-side second adhesive layer 62A. The first via 91 in the first porous insulating layer 21 corresponds to the first through hole 23 described above.
第1ビア91の形成方法としては、例えば、穿孔加工が挙げられる。穿孔加工としては、例えば、レーザー加工、ドリル加工およびブラスト法が挙げられる。好ましくは、レーザー加工が挙げられる。 The first via 91 can be formed, for example, by drilling. Examples of drilling methods include laser processing, drilling, and blasting. Laser processing is preferred.
8.3 第1めっき層312の形成
図2Cに示すように、次いで、第1めっき層312を、第1ビア91の内周面と、第1下地層311の厚み方向の一方面とに形成する。第1ビア91の内周面に形成される第1めっき層312は、上記した第1導体接続部41である。
2C , the first plating layer 312 is then formed on the inner circumferential surface of the first via 91 and one surface in the thickness direction of the first base layer 311. The first plating layer 312 formed on the inner circumferential surface of the first via 91 is the first conductor connection portion 41 described above.
8.4 第2導体層32のパターニング
図2Dに示すように、第2導体層32をパターニングして、第2信号線36と、2つの第2グランド線37とを形成する。第2導体層32のパターニングとしては、例えば、ウエットエッチングおよびドライエッチングが挙げられ、好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。
2D , the second conductor layer 32 is patterned to form the second signal line 36 and two second ground lines 37. Examples of methods for patterning the second conductor layer 32 include wet etching and dry etching, and preferably wet etching.
8.5 第2の多孔質積層体82の第2導体層32への貼り合わせ
図2Dの下側図および図3Aに示すように、第2の多孔質積層体82を、第2導体層32に貼り合わせる。
8.5 Bonding of Second Porous Laminate 82 to Second Conductor Layer 32 As shown in the lower view of FIG. 2D and FIG. 3A, the second porous laminate 82 is bonded to the second conductor layer 32.
図2Dの下側図に示すように、まず、第2の多孔質積層体82を準備する。第2の多孔質積層体82は、他方側第2接着層62Bと、第2多孔質絶縁層22と、第2下地層331とを厚み方の他方側に向かって順に備える。 As shown in the lower diagram of Figure 2D, first, a second porous laminate 82 is prepared. The second porous laminate 82 includes, in order toward the other side in the thickness direction, a second adhesive layer 62B on the other side, a second porous insulating layer 22, and a second base layer 331.
他方側第2接着層62Bは、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の一方面に配置される。 The other-side second adhesive layer 62B is arranged on one surface in the thickness direction of the second porous insulating layer 22.
第2下地層331は、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面に配置される。第2下地層331は、上記した第3導体層33に含まれる。 The second base layer 331 is disposed on the other surface in the thickness direction of the second porous insulating layer 22. The second base layer 331 is included in the third conductor layer 33 described above.
第2の多孔質積層体82の準備方法は、例えば、特開2019-123851号公報に記載される。 A method for preparing the second porous laminate 82 is described, for example, in JP 2019-123851 A.
次いで、図2Dの矢印および図3Aに示すように、第2の多孔質積層体82の他方側第2接着層62Bを、第2導体層32に貼り合わせる。この際、厚み方向にプレス可能なプレス機(図示せず)を用いる。プレスの圧力は、限定されない。プレスの圧力は、例えば、0.5MPa以上、好ましくは、3MPa以上であり、また、例えば、10MPa以下である。プレスの時間は、例えば、1分以上、好ましくは、10分以上であり、また、例えば、120分以下である。プレスは、熱プレスであってもよい。プレス温度は、例えば、80℃以上、好ましくは、120℃以上であり、また、例えば、300℃以下である。 Next, as shown by the arrow in Figure 2D and Figure 3A, the second adhesive layer 62B on the other side of the second porous laminate 82 is bonded to the second conductor layer 32. A press (not shown) capable of pressing in the thickness direction is used. The pressing pressure is not limited. The pressing pressure is, for example, 0.5 MPa or more, preferably 3 MPa or more, and, for example, 10 MPa or less. The pressing time is, for example, 1 minute or more, preferably 10 minutes or more, and, for example, 120 minutes or less. The pressing may be a heat press. The pressing temperature is, for example, 80°C or more, preferably 120°C or more, and, for example, 300°C or less.
上記した他方側第2接着層62Bの貼り合わせにおいて、一方側第2接着層62Aおよび他方側第2接着層62Bは、変形して、隣接する第2信号線36および第2グランド線37の間に入り込む。これによって、一方側第2接着層62Aと他方側第2接着層62Bとは、第2接着層62を形成する。図3Aから図4Bにおいて、一方側第2接着層62Aと他方側第2接着層62Bとの界面を、仮想線で示しているが、この界面は、観察されなくてもよい。一方側第2接着層62Aと他方側第2接着層62Bとは、一体をなす。 When the other-side second adhesive layer 62B is bonded as described above, the one-side second adhesive layer 62A and the other-side second adhesive layer 62B deform and enter between the adjacent second signal line 36 and second ground line 37. As a result, the one-side second adhesive layer 62A and the other-side second adhesive layer 62B form the second adhesive layer 62. In Figures 3A to 4B, the interface between the one-side second adhesive layer 62A and the other-side second adhesive layer 62B is shown with a virtual line, but this interface does not need to be observed. The one-side second adhesive layer 62A and the other-side second adhesive layer 62B form an integral unit.
8.6 第2ビア92および第3ビア93の形成
図3Bに示すように、第2ビア92を、第1めっき層312と、第1下地層311と、一方側第2接着層62Aとに形成する。なお、第1多孔質絶縁層21における第2ビア92は、第2貫通孔24である。
3B , the second via 92 is formed in the first plating layer 312, the first base layer 311, and the one-side second adhesive layer 62A. The second via 92 in the first porous insulating layer 21 is the second through hole 24.
併せて、第3ビア93を、第2下地層331と、第2多孔質絶縁層22と、他方側第2接着層62Bとに、形成する。なお、第2多孔質絶縁層22における第3ビア93は、第3貫通孔25である。 In addition, a third via 93 is formed in the second base layer 331, the second porous insulating layer 22, and the other-side second adhesive layer 62B. The third via 93 in the second porous insulating layer 22 is the third through hole 25.
第2ビア92および第3ビア93の形成方法としては、第1ビア91で例示した形成方法が挙げられる。 Methods for forming the second via 92 and the third via 93 include the same methods as those exemplified for the first via 91.
8.7 第2めっき層313および第3めっき層332の形成
次いで、図3Cに示すように、第2めっき層313を、第1めっき層312の厚み方向の一方面と、第2ビア92の内周面とに形成する。併せて、第3めっき層332を第2下地層331の厚み方向の他方面と、第3ビア93の内周面とに形成する。
3C , the second plating layer 313 is formed on one surface in the thickness direction of the first plating layer 312 and on the inner surface of the second via 92. At the same time, the third plating layer 332 is formed on the other surface in the thickness direction of the second base layer 331 and on the inner surface of the third via 93.
具体的には、第2めっき層313および第3めっき層332の形成の前に、図3Bに示すように、第1レジスト95と第2レジスト96とのそれぞれを、第1めっき層312の厚み方向の一方面と、第2下地層331の厚み方向の他方面とのそれぞれに配置する。第1レジスト95と第2レジスト96とは、いずれもめっきレジストである。第1レジスト95は、第2めっき層313の逆パターンを有する。第2レジスト96は、第3めっき層332の逆パターンを有する。 Specifically, before the second plating layer 313 and the third plating layer 332 are formed, as shown in FIG. 3B , a first resist 95 and a second resist 96 are respectively disposed on one thickness-wise surface of the first plating layer 312 and the other thickness-wise surface of the second base layer 331. Both the first resist 95 and the second resist 96 are plating resists. The first resist 95 has a reverse pattern of the second plating layer 313. The second resist 96 has a reverse pattern of the third plating layer 332.
その後、第1レジスト95が配置された第1めっき層312と、第2レジスト96が配置された第2下地層331とを備えるレジスト積層体83をめっき浴に浸漬して、めっき処理を実施する。 Then, the resist laminate 83, which includes the first plating layer 312 on which the first resist 95 is disposed and the second base layer 331 on which the second resist 96 is disposed, is immersed in a plating bath to perform the plating process.
第1レジスト95から露出する第1めっき層312の厚み方向の一方面と、第2ビア92の内周面とに、第2めっき層313が析出する。一方、第1レジスト95が配置された第1めっき層312の厚み方向の一方面には、第2めっき層313が析出しない。 The second plating layer 313 is deposited on one thickness-wise surface of the first plating layer 312 exposed from the first resist 95 and on the inner surface of the second via 92. On the other hand, the second plating layer 313 is not deposited on one thickness-wise surface of the first plating layer 312 on which the first resist 95 is disposed.
第2レジスト96から露出する第2下地層331の厚み方向の他方面と、第3ビア93の内周面とに、第3めっき層332が析出する。一方、第2レジスト96が配置された第2下地層331の厚み方向の他方面には、第3めっき層332が析出しない。 A third plating layer 332 is deposited on the other thickness-wise surface of the second base layer 331 exposed from the second resist 96 and on the inner surface of the third via 93. On the other hand, the third plating layer 332 is not deposited on the other thickness-wise surface of the second base layer 331 on which the second resist 96 is disposed.
これによって、第3グランド部38と第4グランド部39とを備える第3導体層33が形成される。 This forms the third conductor layer 33, which includes the third ground portion 38 and the fourth ground portion 39.
第3グランド部38は、第2下地層331から形成される。そのため、第3グランド部38の厚みT3は、第2下地層331の厚みと同一である。 The third ground section 38 is formed from the second base layer 331. Therefore, the thickness T3 of the third ground section 38 is the same as the thickness of the second base layer 331.
第4グランド部39は、第2下地層331と第3めっき層332とから形成される。そのため、第4グランド部39の厚みT4は、第2下地層331と第3めっき層332との合計厚みと同一である。 The fourth ground portion 39 is formed from the second base layer 331 and the third plating layer 332. Therefore, the thickness T4 of the fourth ground portion 39 is the same as the total thickness of the second base layer 331 and the third plating layer 332.
その後、上記した第1レジスト95と第2レジスト96とを除去する。 Then, the first resist 95 and second resist 96 are removed.
8.8 第1めっき層312および第1下地層311のパターニング
図4Aに示すように、第1めっき層312および第1下地層311をパターニングする。第1めっき層312および第1下地層311のパターニングとしては、例えば、ウエットエッチングおよびドライエッチングが挙げられ、好ましくは、ウエットエッチングが挙げられる。これによって、第1信号線34と、第1グランド線35とを備える31が形成される(第1工程の実施)。
8.8 Patterning of First Plating Layer 312 and First Underlayer 311 As shown in FIG. 4A , the first plating layer 312 and the first underlayer 311 are patterned. Examples of the patterning of the first plating layer 312 and the first underlayer 311 include wet etching and dry etching, and preferably wet etching. This forms the wiring 31 including the first signal line 34 and the first ground line 35 (performing the first step).
第1信号線34は、パターニングされた第1下地層311と、パターニングされた第1めっき層312とから形成される。そのため、第1信号線34の厚みT1は、第1下地層311と第1めっき層312との合計厚みである。 The first signal line 34 is formed from a patterned first base layer 311 and a patterned first plating layer 312. Therefore, the thickness T1 of the first signal line 34 is the total thickness of the first base layer 311 and the first plating layer 312.
第1グランド線35は、パターニングされた第1下地層311と、パターニングされた第1めっき層312と、第2めっき層313とから形成される。そのため、第1グランド線35の厚みT2は、第1下地層311と第1めっき層312と第2めっき層313との合計厚みである。 The first ground line 35 is formed from a patterned first base layer 311, a patterned first plating layer 312, and a second plating layer 313. Therefore, the thickness T2 of the first ground line 35 is the total thickness of the first base layer 311, the first plating layer 312, and the second plating layer 313.
8.9 第1カバー積層体85、および、第2カバー積層体86の貼り合わせ
図4Bに示すように、第1カバー積層体85を第1導体層31に貼り合わせる(第2工程の実施)。仮想線で示すように、第1カバー積層体85は、第1カバー絶縁層51と、第1接着層61とを厚み方向の他方側に向かって順に備える。
4B , the first cover laminate 85 is bonded to the first conductor layer 31 (performing the second step). As shown by the imaginary lines, the first cover laminate 85 includes a first insulating cover layer 51 and a first adhesive layer 61, which are arranged in this order toward the other side in the thickness direction.
併せて、第2カバー積層体86を第2導体層32に貼り合わせる。仮想線で示すように、第2カバー積層体86は、第2カバー絶縁層52と、第2接着層62とを厚み方向の一方側に向かって順に備える。 The second cover laminate 86 is then bonded to the second conductor layer 32. As shown by the imaginary lines, the second cover laminate 86 includes a second cover insulating layer 52 and a second adhesive layer 62, arranged in that order toward one side in the thickness direction.
上記した貼り合わせでは、上記したプレス機を用いる。プレスの条件は、上記と同様である。 The above-mentioned pressing machine is used for the above-mentioned lamination. The pressing conditions are the same as above.
上記した第1カバー積層体85の貼り合わせにおいて、第1接着層61は、隣接する第1信号線34と第1グランド線35との間に入り込む。第1接着層61は、第1信号線34と第1グランド線35とから露出する第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面に接触する。 When the first cover laminate 85 is bonded as described above, the first adhesive layer 61 penetrates between the adjacent first signal line 34 and first ground line 35. The first adhesive layer 61 contacts one thickness-wise surface of the first porous insulating layer 21 that is exposed from the first signal line 34 and first ground line 35.
上記した第2カバー積層体86の貼り合わせにおいて、第2接着層62は、第3導体層33の周囲の第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面に接触する。 When the second cover laminate 86 is bonded as described above, the second adhesive layer 62 contacts the other surface in the thickness direction of the second porous insulating layer 22 around the third conductor layer 33.
以上によって、多孔質絶縁層2と、導体層3と、導体接続部4と、カバー絶縁層5と、接着層6とを備える配線回路基板1が製造される。 This completes the manufacturing process of the wired circuit board 1, which includes the porous insulating layer 2, the conductor layer 3, the conductor connection portion 4, the cover insulating layer 5, and the adhesive layer 6.
さらに、図1に示すように、配線回路基板1に補強層7を設ける場合には、補強層7を第4接着層64を介して第2カバー絶縁層52に貼り合わせる。補強層7の貼り合わせでは、上記したプレス機を用いる。プレスの条件は、上記と同様である。 Furthermore, as shown in FIG. 1, when a reinforcing layer 7 is provided on the wired circuit board 1, the reinforcing layer 7 is bonded to the second cover insulating layer 52 via the fourth adhesive layer 64. The above-mentioned press machine is used to bond the reinforcing layer 7. The pressing conditions are the same as those described above.
9. 一実施形態の作用効果
この配線回路基板1では、第1グランド線35が第1信号線34より厚い。換言すれば、第1信号線34が第1グランド線35より薄い。
9. Effects of the First Embodiment In the wired circuit board 1, the first ground wire 35 is thicker than the first signal wire 34. In other words, the first signal wire 34 is thinner than the first ground wire 35.
そのため、例えば、第2の多孔質積層体82(図2D参照)を第2導体層32に貼り合わせる際、さらには、補強層7を配線回路基板1に設ける際に、第1多孔質絶縁層21を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第1信号線34と重なる第1多孔質絶縁層21は、厚み方向において第1グランド線35と重なる第1多孔質絶縁層21に比べて、小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第1信号線34と重なる第1多孔質絶縁層21の厚みの変動を、厚み方向において第1グランド線(第2配線部)35と重なる21の厚みの変動に比べて、抑制できる。具体的には、第1信号線34の特性インピーダンスのミスマッチを抑制できる。 Therefore, for example, when the second porous laminate 82 (see FIG. 2D ) is bonded to the second conductor layer 32, or when the reinforcing layer 7 is provided on the wired circuit board 1, if the first porous insulating layer 21 is pressed in the thickness direction, the first porous insulating layer 21 that overlaps the first signal line 34 in the thickness direction will be subjected to a smaller pressing pressure than the first porous insulating layer 21 that overlaps the first ground line 35 in the thickness direction. Therefore, the thickness variation of the first porous insulating layer 21 that overlaps the first signal line 34 in the thickness direction can be suppressed more effectively than the thickness variation of the 21 that overlaps the first ground line (second wiring portion) 35 in the thickness direction. Specifically, mismatching of the characteristic impedance of the first signal line 34 can be suppressed.
その結果、第1信号線34の電気特性の変動を、第1グランド線35の電気特性の変動よりも、抑制できる。 As a result, fluctuations in the electrical characteristics of the first signal line 34 can be suppressed more than fluctuations in the electrical characteristics of the first ground line 35.
他方、第1グランド線35と重なる第1多孔質絶縁層21は、大きく変動するものの、第1グランド線35に流れる微弱電流はアースされることから、第1グランド線35の電気特性の大きな変動は許容される。 On the other hand, although the first porous insulating layer 21 overlapping the first ground line 35 fluctuates significantly, the weak current flowing through the first ground line 35 is grounded, so large fluctuations in the electrical characteristics of the first ground line 35 are tolerated.
この配線回路基板1では、グランド層である第3導体層33が、第1信号線34に重なる第3グランド部38と、第1グランド線35に重なり、第3グランド部38より厚い第4グランド部39とを備える。そのため、配線回路基板1を厚み方向にプレスすると、厚み方向において第1信号線34と重なる多孔質絶縁層2(第1多孔質絶縁層21および第2多孔質絶縁層22)は、厚み方向において第1グランド線35と重なる多孔質絶縁層2に比べて、より一層小さなプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第1信号線34と重なる多孔質絶縁層2の厚みの変動を、厚み方向において第1グランド線35と重なる多孔質絶縁層2の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。具体的には、第1信号線34の特性インピーダンスのミスマッチをより一層抑制できる。 In this wired circuit board 1, the third conductor layer 33, which serves as the ground layer, includes a third ground portion 38 that overlaps the first signal line 34 and a fourth ground portion 39 that overlaps the first ground line 35 and is thicker than the third ground portion 38. Therefore, when the wired circuit board 1 is pressed in the thickness direction, the porous insulating layer 2 (first porous insulating layer 21 and second porous insulating layer 22) that overlaps the first signal line 34 in the thickness direction receives a smaller press pressure than the porous insulating layer 2 that overlaps the first ground line 35 in the thickness direction. Therefore, variation in the thickness of the porous insulating layer 2 that overlaps the first signal line 34 in the thickness direction can be more effectively suppressed than variation in the thickness of the porous insulating layer 2 that overlaps the first ground line 35 in the thickness direction. Specifically, mismatches in the characteristic impedance of the first signal line 34 can be more effectively suppressed.
また、上記した製造方法において、図4Bに示すように、第1カバー積層体85を第1導体層31に貼り合わせる工程で、多孔質絶縁層2(第1多孔質絶縁層21および第2多孔質絶縁層22)に大きなプレス圧がかかっても、上記したように、厚み方向において第1信号線34と重なる多孔質絶縁層2の厚みの変動を、厚み方向において第1グランド線35と重なる多孔質絶縁層2の厚みの変動に比べて、抑制できる。その結果、第1信号線34の電気特性の変動を、第1グランド線35の電気特性の変動よりも、抑制できる。 Furthermore, in the above-described manufacturing method, even if a large press pressure is applied to the porous insulating layer 2 (first porous insulating layer 21 and second porous insulating layer 22) during the process of bonding the first cover laminate 85 to the first conductor layer 31 as shown in FIG. 4B , as described above, the variation in the thickness of the porous insulating layer 2 overlapping the first signal line 34 in the thickness direction can be suppressed more than the variation in the thickness of the porous insulating layer 2 overlapping the first ground line 35 in the thickness direction. As a result, the variation in the electrical characteristics of the first signal line 34 can be suppressed more than the variation in the electrical characteristics of the first ground line 35.
10. 変形例
変形例において、一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。また、変形例は、特記する以外、一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。さらに、一実施形態およびその変形例を適宜組み合わせることができる。
10. Modifications In the modification, the same components and steps as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed descriptions thereof will be omitted. Furthermore, the modification can achieve the same effects as those in the first embodiment unless otherwise specified. Furthermore, the first embodiment and its modification can be combined as appropriate.
第1グランド線35、第2グランド線37および第3導体層33のそれぞれは、第1電源線、第2電源線および電源層のそれぞれであってもよい。第1電源線、第2電源線および電源層は、第2導体接続部42と第3導体接続部43ととともに、電源パスを形成する。電源パスには、例えば、1A以上、さらには、10A以上の大電流が流れる。 The first ground line 35, the second ground line 37, and the third conductor layer 33 may be the first power line, the second power line, and the power layer, respectively. The first power line, the second power line, and the power layer, together with the second conductor connection portion 42 and the third conductor connection portion 43, form a power path. A large current, for example, 1 A or more, or even 10 A or more, flows through the power path.
図1に示すように、第1信号線34は、2つの第1グランド線35の間に配置されている。図示しないが、変形例では、第1信号線34は、第1方向において一の第1グランド線35に対する他の第1グランド線35の反対側に配置されていてもよい。また、第1信号線34は、第1方向において他の第1グランド線35に対する一の第1グランド線35の反対側に配置されていてもよい。 As shown in FIG. 1, the first signal line 34 is arranged between two first ground lines 35. Although not shown, in a modified example, the first signal line 34 may be arranged on the opposite side of one first ground line 35 from the other first ground line 35 in the first direction. Also, the first signal line 34 may be arranged on the opposite side of one first ground line 35 from the other first ground line 35 in the first direction.
好ましくは、第1信号線34は、2つの第1グランド線35の間に配置されている。そうすれば、平板形状を有するプレス板を用いるプレス時に、厚み方向において2つの第1グランド線35と重なる多孔質絶縁層2が、大きなプレス圧をバランスよく受けることができるので、2つの第1グランド線35の間に配置される第1信号線34と重なる多孔質絶縁層2は、より一層小さいプレス圧を受ける。そのため、厚み方向において第1信号線34と重なる多孔質絶縁層2の厚みの変動を、厚み方向において第1グランド線35と重なる多孔質絶縁層2の厚みの変動に比べて、より一層抑制できる。 Preferably, the first signal line 34 is arranged between the two first ground lines 35. In this way, during pressing using a flat press plate, the porous insulating layer 2 that overlaps the two first ground lines 35 in the thickness direction can receive a large press pressure in a balanced manner, and the porous insulating layer 2 that overlaps the first signal line 34 arranged between the two first ground lines 35 receives a smaller press pressure. Therefore, fluctuations in the thickness of the porous insulating layer 2 that overlaps the first signal line 34 in the thickness direction can be more effectively suppressed than fluctuations in the thickness of the porous insulating layer 2 that overlaps the first ground line 35 in the thickness direction.
図示しないが、第1グランド線(第2配線部)35は1つであってもよい。 Although not shown, there may be only one first ground line (second wiring section) 35.
図5に示す配線回路基板1では、導体層3は、グランド層の一例としての第1導体層30を有する。第1導体層30は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面に配置されている。第1導体層30は、第1グランド部301と、第2グランド部302とを備える。 In the wired circuit board 1 shown in Figure 5, the conductor layer 3 has a first conductor layer 30 as an example of a ground layer. The first conductor layer 30 is disposed on one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. The first conductor layer 30 has a first ground portion 301 and a second ground portion 302.
第1グランド部301は、2つの第2貫通孔24の間の第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面に配置される。第1グランド部301は、第1方向に延びる。第1グランド部301は、厚み方向に投影したときに、第3グランド部38と重なる。第1グランド部301は、平板形状を有する。 The first ground portion 301 is disposed on one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21 between the two second through holes 24. The first ground portion 301 extends in the first direction. When projected in the thickness direction, the first ground portion 301 overlaps with the third ground portion 38. The first ground portion 301 has a flat plate shape.
一の第2グランド部302の厚み方向の他方側部分は、第1グランド部301の第1方向の一端部に連結される。他の第2グランド部302の厚み方向の他方側部分は、第1グランド部301の第1方向の他端部に連結される。これにより、2つの第2グランド部302は、第1グランド部301を介して互いに電気的に接続される。 The other side portion in the thickness direction of one second ground portion 302 is connected to one end portion in the first direction of the first ground portion 301. The other side portion in the thickness direction of the other second ground portion 302 is connected to the other end portion in the first direction of the first ground portion 301. As a result, the two second ground portions 302 are electrically connected to each other via the first ground portion 301.
従って、第1導体層30と、第2グランド線37と、第3導体層33と、導体接続部4とは、断面視において、略矩形枠形状のグランドパスを形成する。矩形枠は、断面視において、第2信号線36を囲む。 Therefore, the first conductor layer 30, the second ground line 37, the third conductor layer 33, and the conductor connection portion 4 form a ground path having a substantially rectangular frame shape in cross-section. The rectangular frame surrounds the second signal line 36 in cross-section.
図6に示すように、配線回路基板1は、1つの多孔質絶縁層2と、1つの導体層3と、2つの接着層6と、1つのカバー絶縁層5とを備える。 As shown in Figure 6, the wired circuit board 1 comprises one porous insulating layer 2, one conductor layer 3, two adhesive layers 6, and one cover insulating layer 5.
多孔質絶縁層2は、第1多孔質絶縁層21である。第1多孔質絶縁層21は、第2貫通孔24を備えない。 The porous insulating layer 2 is a first porous insulating layer 21. The first porous insulating layer 21 does not have a second through hole 24.
導体層3は、第1導体層31である。 The conductor layer 3 is the first conductor layer 31.
接着層6は、第1接着層61と、第2接着層62とを備える。 The adhesive layer 6 comprises a first adhesive layer 61 and a second adhesive layer 62.
カバー絶縁層5は、第1カバー絶縁層51である。 The cover insulating layer 5 is the first cover insulating layer 51.
図6に示す配線回路基板1では、第1多孔質絶縁層21と、第2接着層62と、第1導体層31と、第1接着層61と、第1カバー絶縁層51とが厚み方向の一方側に向かって順に配置される。 In the wired circuit board 1 shown in Figure 6, the first porous insulating layer 21, the second adhesive layer 62, the first conductor layer 31, the first adhesive layer 61, and the first cover insulating layer 51 are arranged in this order toward one side in the thickness direction.
図7に示す配線回路基板1では、導体層3は、上記した第1導体層31と、第3導体層40とを備える。 In the wired circuit board 1 shown in Figure 7, the conductor layer 3 includes the first conductor layer 31 and the third conductor layer 40 described above.
第3導体層40は、第2信号線36と、2つの第4グランド部39とを備える。 The third conductor layer 40 includes a second signal line 36 and two fourth ground sections 39.
図示しないが、多孔質絶縁層2は、厚み方向の一端部および/または他端部に位置するスキン層を含む。スキン層は、面方向に延びる。スキン層は、平滑である。例えば、第1多孔質絶縁層21は、厚み方向の一端部および/または他端部に配置されるスキン層を含む。第2多孔質絶縁層22は、厚み方向の一端部および/または他端部にスキン層を含む。 Although not shown, the porous insulating layer 2 includes a skin layer located at one end and/or the other end in the thickness direction. The skin layer extends in the surface direction. The skin layer is smooth. For example, the first porous insulating layer 21 includes a skin layer located at one end and/or the other end in the thickness direction. The second porous insulating layer 22 includes a skin layer at one end and/or the other end in the thickness direction.
厚み方向における第1多孔質絶縁層21の一端部に位置するスキン層は、厚み方向における第1多孔質絶縁層21の一方面を形成する。厚み方向における第1多孔質絶縁層21の他端部に位置するスキン層は、厚み方向における第1多孔質絶縁層21の他方面を形成する。第1多孔質絶縁層21の厚みに対するスキン層の厚みの比は、例えば、0.1未満である。スキン層の厚みは、スキン層の第1下地層311に対する剥離強度を担保できるように適宜調整される。具体的には、スキン層の厚みは、例えば、1μm以上であり、また、例えば、50μm以下、好ましくは、30μm以下である。 The skin layer located at one end of the first porous insulating layer 21 in the thickness direction forms one side of the first porous insulating layer 21 in the thickness direction. The skin layer located at the other end of the first porous insulating layer 21 in the thickness direction forms the other side of the first porous insulating layer 21 in the thickness direction. The ratio of the thickness of the skin layer to the thickness of the first porous insulating layer 21 is, for example, less than 0.1. The thickness of the skin layer is appropriately adjusted to ensure the peel strength of the skin layer to the first base layer 311. Specifically, the thickness of the skin layer is, for example, 1 μm or more, and, for example, 50 μm or less, preferably 30 μm or less.
厚み方向における第2多孔質絶縁層22の一端部に位置するスキン層は、厚み方向における第2多孔質絶縁層22の一方面を形成する。厚み方向における第2多孔質絶縁層22の他端部に位置するスキン層は、厚み方向における第2多孔質絶縁層22の他方面を形成する。第2多孔質絶縁層22の厚みに対するスキン層の厚みの比は、例えば、0.1未満である。スキン層の厚みは、スキン層の一方側第2接着層62Aに対する剥離強度を担保できるように適宜調整される。具体的には、スキン層の厚みは、例えば、1μm以上であり、また、例えば、50μm以下、好ましくは、30μm以下である。 The skin layer located at one end of the second porous insulating layer 22 in the thickness direction forms one side of the second porous insulating layer 22 in the thickness direction. The skin layer located at the other end of the second porous insulating layer 22 in the thickness direction forms the other side of the second porous insulating layer 22 in the thickness direction. The ratio of the thickness of the skin layer to the thickness of the second porous insulating layer 22 is, for example, less than 0.1. The thickness of the skin layer is appropriately adjusted to ensure peel strength from the second adhesive layer 62A on one side of the skin layer. Specifically, the thickness of the skin layer is, for example, 1 μm or more, and, for example, 50 μm or less, preferably 30 μm or less.
図示しないが、接着層6は、図示しない第4接着層および第5接着層を備える。 Although not shown, adhesive layer 6 includes a fourth adhesive layer and a fifth adhesive layer, which are also not shown.
第4接着層は、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面に配置さる。第4接着層は、第1多孔質絶縁層21と、第1導体層31との間に介在する。第4接着層は、第1多孔質絶縁層21と、第1導体層31とを接着する。この変形例では、第1多孔質絶縁層21の厚み方向の一方面および両方面のそれぞれに、第4接着層および第2接着層62(一方側第2接着層62A、図3C参照)のそれぞれが配置される。 The fourth adhesive layer is disposed on one surface in the thickness direction of the first porous insulating layer 21. The fourth adhesive layer is interposed between the first porous insulating layer 21 and the first conductor layer 31. The fourth adhesive layer bonds the first porous insulating layer 21 to the first conductor layer 31. In this modified example, the fourth adhesive layer and the second adhesive layer 62 (one-side second adhesive layer 62A, see Figure 3C) are disposed on one surface and both surfaces in the thickness direction of the first porous insulating layer 21, respectively.
第5接着層は、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の他方面に配置される。第5接着層は、第2多孔質絶縁層22と、第3導体層33との間に介在する。第5接着層は、第2多孔質絶縁層22と、第3導体層33とを接着する。この変形例では、第2多孔質絶縁層22の厚み方向の一方面および他方面のそれぞれに、第2接着層62(他方側第2接着層62B、図3C参照)および第5接着層のそれぞれ4が配置される。 The fifth adhesive layer is disposed on the other thickness-wise surface of the second porous insulating layer 22. The fifth adhesive layer is interposed between the second porous insulating layer 22 and the third conductor layer 33. The fifth adhesive layer bonds the second porous insulating layer 22 to the third conductor layer 33. In this modified example, a second adhesive layer 62 (other-side second adhesive layer 62B, see Figure 3C) and a fifth adhesive layer 4 are disposed on each of one and the other thickness-wise surfaces of the second porous insulating layer 22.
この変形例の配線回路基板1を製造するには、図2Aが参照されるように、第2導体層32と、一方側第2接着層62Aと、第1多孔質絶縁層21と、図示しない第4接着層と、第1下地層311とを厚み方向の一方側に向かって順に備える第1多孔質積層体81を準備する。 To manufacture this modified wired circuit board 1, as shown in Figure 2A, a first porous laminate 81 is prepared, which includes, in order toward one side in the thickness direction, a second conductor layer 32, a second adhesive layer 62A on one side, a first porous insulating layer 21, a fourth adhesive layer (not shown), and a first base layer 311.
図2Dの下側図が参照されるように、他方側第2接着層62Bと、第2多孔質絶縁層22と、図示しない第5接着層と、第2下地層331とを厚み方の他方側に向かって順に備える第2の多孔質積層体82を用いる。 As shown in the lower diagram of Figure 2D, a second porous laminate 82 is used, which includes, in order toward the other side of the thickness, a second adhesive layer 62B on the other side, a second porous insulating layer 22, a fifth adhesive layer (not shown), and a second base layer 331.
1 配線回路基板
2 多孔質絶縁層
3 導体層
4 導体接続部
5 カバー絶縁層
21 第1多孔質絶縁層
22 第2多孔質絶縁層
23 第1貫通孔
24 第2貫通孔
25 第3貫通孔
30,31 第1導体層
32 第2導体層
33,40 第3導体層(グランド層)
34 第1信号線(第1配線部)
35 第1グランド線(第2配線部)
36 第2信号線
37 第2グランド線
38 第3グランド部(第3配線部)
39 第4グランド部(第4配線部)
51 第1カバー絶縁層
52 第2カバー絶縁層
1 Wired circuit board 2 Porous insulating layer 3 Conductor layer 4 Conductor connection portion 5 Cover insulating layer 21 First porous insulating layer 22 Second porous insulating layer 23 First through hole 24 Second through hole 25 Third through hole 30, 31 First conductor layer 32 Second conductor layer 33, 40 Third conductor layer (ground layer)
34 First signal line (first wiring portion)
35 First ground line (second wiring portion)
36 Second signal line 37 Second ground line 38 Third ground section (third wiring section)
39 Fourth ground portion (fourth wiring portion)
51 First insulating cover layer 52 Second insulating cover layer
Claims (5)
前記多孔質絶縁層の厚み方向の他方面に配置されるグランド層をさらに備え、
前記導体層は、第1配線部と、前記第1配線部より厚い第2配線部とを有し、
前記グランド層は、厚み方向に投影したときに、前記第1配線部に重なる第3配線部と、前記第2配線部に重なる第4配線部とを有し、
前記第4配線部は、前記第3配線部より厚い、配線回路基板。 a porous insulating layer and a conductor layer are provided in this order toward one side in the thickness direction;
a ground layer disposed on the other surface of the porous insulating layer in the thickness direction;
the conductor layer has a first wiring portion and a second wiring portion that is thicker than the first wiring portion,
the ground layer has a third wiring portion overlapping the first wiring portion and a fourth wiring portion overlapping the second wiring portion when projected in a thickness direction;
The fourth wiring portion is thicker than the third wiring portion .
前記第1配線部は、2つの前記第2配線部の間に配置されている、請求項1に記載の配線回路基板。 two second wiring portions are arranged at an interval from each other in a direction perpendicular to the thickness direction,
The printed circuit board according to claim 1 , wherein the first wiring portion is disposed between two of the second wiring portions.
前記貫通孔に充填される導体接続部であって、前記導体層と前記グランド層とに接触する前記導体接続部をさらに備える、請求項1に記載の配線回路基板。 the porous insulating layer has through holes that penetrate the porous insulating layer in a thickness direction,
The printed circuit board according to claim 1 , further comprising a conductor connection portion filled in said through hole, said conductor connection portion being in contact with said conductor layer and said ground layer.
前記カバー絶縁層は、前記接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とを厚み方向の一方側から被覆する、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の配線回路基板。 Further comprising an adhesive layer and a cover insulating layer,
The wired circuit board according to claim 1 , wherein the cover insulating layer covers the conductor layer and the porous insulating layer from one side in a thickness direction via the adhesive layer.
カバー絶縁層を、接着層を介して、前記導体層と前記多孔質絶縁層とにプレスする第2工程と
を備える、配線回路基板の製造方法。 a first step of disposing a conductor layer having a first wiring portion and a second wiring portion thicker than the first wiring portion on one surface of a porous insulating layer in a thickness direction;
a second step of pressing a cover insulating layer onto the conductor layer and the porous insulating layer via an adhesive layer.
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