JP7764264B2 - Processing method of workpiece - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハのような板状の被加工物を加工する際に適用される被加工物の加工方法に関する。 The present invention relates to a workpiece processing method that is applied when processing plate-shaped workpieces such as wafers.
小型で軽量なデバイスチップを実現するために、集積回路等のデバイスが表面側に設けられたウェーハを薄く加工する機会が増えている。例えば、ウェーハの表面側をチャックテーブルで保持し、砥粒を含む研削砥石が固定された研削ホイールと、チャックテーブルと、を互いに回転させて、純水等の液体を供給しながらウェーハの裏面側に研削砥石を押し当てることで、このウェーハが研削され薄くなる。 In order to create small, lightweight device chips, there are increasing opportunities to thin wafers that have integrated circuits or other devices mounted on their front side. For example, the front side of the wafer is held by a chuck table, and the chuck table and a grinding wheel with abrasive grains attached to it are rotated relative to each other. The grinding wheel is pressed against the back side of the wafer while a liquid such as pure water is supplied, thereby grinding and thinning the wafer.
一方で、上述のような研削ホイール(研削砥石)でウェーハが研削されると、傷や歪を含むダメージ領域が被研削面に形成され、ウェーハの力学的な強度(抗折強度等)が不足し易い。そこで、ウェーハが研削された後には、このダメージ領域を除去するために、例えば、ウェーハの被研削面が研磨パッドで研磨される。近年では、このような加工が効率的に遂行されるように、研削と研磨とを連続的に実施できる構造の複合的な加工装置も提案されている(例えば、特許文献1参照)。 However, when a wafer is ground with a grinding wheel (grinding stone) like the one described above, damaged areas containing scratches and distortions are formed on the ground surface, which can easily result in a lack of mechanical strength (such as flexural strength) of the wafer. Therefore, after the wafer is ground, the ground surface of the wafer is polished with a polishing pad, for example, to remove these damaged areas. In recent years, multi-tasking processing equipment has been proposed that is designed to perform grinding and polishing continuously so that such processing can be carried out efficiently (see, for example, Patent Document 1).
上述の複合的な加工装置では、研削ホイールが配置された研削用の領域から、研磨パッドが配置された研磨用の領域へとチャックテーブルが移動することで、ウェーハの研削と研磨とが連続的に実施される。しかしながら、研削された後のウェーハやチャックテーブルには、研削の際に発生した屑が僅かに残留していることがあり、その状態でウェーハが研磨されると、ウェーハが屑で削られ被研磨面の平坦性が低下してしまう。 In the above-mentioned integrated processing equipment, the chuck table moves from the grinding area, where the grinding wheel is located, to the polishing area, where the polishing pad is located, allowing the wafer to be continuously ground and polished. However, after grinding, small amounts of debris generated during grinding may remain on the wafer and chuck table. If the wafer is polished in this state, the wafer will be scraped by the debris, reducing the flatness of the polished surface.
よって、本発明の目的は、被加工物を効率的に加工しながら被研磨面の高い平坦性を実現できる被加工物の加工方法を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to provide a method for processing a workpiece that can efficiently process the workpiece while achieving high flatness of the polished surface.
本発明の一側面によれば、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有する板状の被加工物を加工する際に適用される被加工物の加工方法であって、該被加工物を該第2面側から研削ホイールで研削する研削ステップと、該研削ステップの後、該被加工物の被研削面を洗浄する洗浄ステップと、該洗浄ステップの後、該被加工物を該被研削面側から研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を含み、該洗浄ステップでは、洗浄用ノズルから洗浄用の流体を供給しながら、該洗浄用ノズルを該研磨パッドとともに移動させる被加工物の加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a method for processing a workpiece that is applied when processing a plate-shaped workpiece having a first surface and a second surface opposite to the first surface, the method including: a grinding step in which the workpiece is ground from the second surface side with a grinding wheel; a cleaning step in which the grinding surface of the workpiece is cleaned after the grinding step; and a polishing step in which the workpiece is polished from the grinding surface side with a polishing pad after the cleaning step , wherein in the cleaning step, a cleaning fluid is supplied from a cleaning nozzle while the cleaning nozzle moves together with the polishing pad .
本発明の別の一側面によれば、第1面と該第1面とは反対側の第2面とを有する板状の被加工物を加工する際に適用される被加工物の加工方法であって、該被加工物の該第1面側をチャックテーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップの後、該チャックテーブルで保持された状態の該被加工物を該第2面側から研削ホイールで研削する研削ステップと、該研削ステップの後、該チャックテーブルで保持された状態の該被加工物の被研削面を該チャックテーブルとともに洗浄する洗浄ステップと、該洗浄ステップの後、該チャックテーブルで保持された状態の該被加工物を該被研削面側から研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を含み、該洗浄ステップでは、洗浄用ノズルから洗浄用の流体を供給しながら、該洗浄用ノズルを該研磨パッドとともに移動させる被加工物の加工方法が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for processing a workpiece that is applied when processing a plate-shaped workpiece having a first surface and a second surface opposite to the first surface, the method including: a holding step in which the first surface side of the workpiece is held by a chuck table; a grinding step in which, after the holding step, the workpiece held by the chuck table is ground from the second surface side with a grinding wheel; a cleaning step in which, after the grinding step, the surface to be ground of the workpiece held by the chuck table is cleaned together with the chuck table; and a polishing step in which, after the cleaning step, the workpiece held by the chuck table is polished from the surface to be ground with a polishing pad, wherein in the cleaning step, a cleaning nozzle is moved together with the polishing pad while a cleaning fluid is supplied from the cleaning nozzle .
本発明の一側面にかかる被加工物の加工方法では、被加工物を研削ホイールで研削した後、被加工物の被研削面を洗浄した上で、被加工物を研磨パッドで研磨するので、被加工物が研磨パッドで研磨される際には、研削の際に発生した屑が被研削面から十分に除去されている。 In one aspect of the present invention, a method for processing a workpiece involves grinding the workpiece with a grinding wheel, cleaning the workpiece's grinding surface, and then polishing the workpiece with a polishing pad. Therefore, when the workpiece is polished with the polishing pad, any debris generated during grinding has been sufficiently removed from the grinding surface.
そのため、研削と研磨とが連続的に実施される状況でも、被研磨面の高い平坦性が実現される。すなわち、本発明の一側面にかかる被加工物の加工方法によれば、被加工物を効率的に加工しながら被研磨面の高い平坦性を実現できる。 As a result, even when grinding and polishing are performed consecutively, a high level of flatness can be achieved on the polished surface. In other words, according to one aspect of the present invention, a method for processing a workpiece can be used to efficiently process the workpiece while achieving a high level of flatness on the polished surface.
同様に、本発明の別の一側面にかかる被加工物の加工方法では、被加工物を研削ホイールで研削した後、被加工物の被研削面をチャックテーブルとともに洗浄した上で、被加工物を研磨パッドで研磨するので、被加工物が研磨パッドで研磨される際には、研削の際に発生した屑が被研削面やチャックテーブルから十分に除去されている。 Similarly, in a method for processing a workpiece according to another aspect of the present invention, after the workpiece is ground with a grinding wheel, the grinding surface of the workpiece is cleaned together with the chuck table, and the workpiece is then polished with a polishing pad. Therefore, when the workpiece is polished with the polishing pad, any debris generated during grinding has been sufficiently removed from the grinding surface and the chuck table.
そのため、研削と研磨とが連続的に実施される状況でも、研磨パッドと被加工物との間への屑の巻き込み等が防止され、被研磨面の高い平坦性が実現される。すなわち、本発明の別の一側面にかかる被加工物の加工方法によれば、被加工物を効率的に加工しながら被研磨面の高い平坦性を実現できる。 As a result, even when grinding and polishing are performed consecutively, debris is prevented from getting caught between the polishing pad and the workpiece, achieving a high level of flatness on the polished surface. In other words, according to a method for processing a workpiece according to another aspect of the present invention, it is possible to efficiently process the workpiece while achieving a high level of flatness on the polished surface.
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。本実施形態にかかる被加工物の加工方法では、まず、加工の対象となる円板状の被加工物に保護部材が貼付される(貼付ステップ)。図1は、円板状の被加工物11に保護部材21が貼付される様子を模式的に示す斜視図である。 Embodiments of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings. In the method for processing a workpiece according to this embodiment, first, a protective member is attached to a disk-shaped workpiece to be processed (attaching step). Figure 1 is a perspective view schematically showing how a protective member 21 is attached to a disk-shaped workpiece 11.
被加工物11は、例えば、シリコン(Si)等の半導体で構成される円板状のウェーハである。つまり、この被加工物11は、円形状の表面(第1面)11aと、表面11aとは反対側の円形状の裏面(第2面)11bと、を有している。被加工物11の表面11a側は、互いに交差する複数のストリート(分割予定ライン)13で複数の小領域に区画されており、各小領域には、集積回路(IC:Integrated Circuit)等のデバイス15が形成されている。 The workpiece 11 is, for example, a disk-shaped wafer made of a semiconductor such as silicon (Si). That is, the workpiece 11 has a circular front surface (first surface) 11a and a circular back surface (second surface) 11b opposite the front surface 11a. The front surface 11a of the workpiece 11 is divided into multiple small regions by multiple intersecting streets (planned division lines) 13, and a device 15 such as an integrated circuit (IC) is formed in each small region.
本実施形態にかかる被加工物の加工方法では、この被加工物11の全体が薄くなるように、被加工物11が裏面11b側から加工される。より具体的には、本実施形態にかかる被加工物の加工方法では、被加工物11が裏面11b側から研削ホイールで研削された後に、研磨パッドで研磨される。 In the method for processing a workpiece according to this embodiment, the workpiece 11 is processed from the back surface 11b side so that the entire workpiece 11 becomes thinner. More specifically, in the method for processing a workpiece according to this embodiment, the workpiece 11 is ground from the back surface 11b side with a grinding wheel, and then polished with a polishing pad.
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体で構成される円板状のウェーハが被加工物11として用いられているが、被加工物11の材質、形状、構造、大きさ等は、この態様に制限されない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料で構成される基板等が被加工物11として用いられ得る。同様に、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等も、上述の態様に制限されない。被加工物11には、デバイス15が形成されていなくてもよい。 In this embodiment, a disk-shaped wafer made of a semiconductor such as silicon is used as the workpiece 11, but the material, shape, structure, size, etc. of the workpiece 11 are not limited to this. For example, a substrate made of other semiconductors, ceramics, resin, metal, or other materials may also be used as the workpiece 11. Similarly, the type, number, shape, structure, size, arrangement, etc. of the devices 15 are not limited to the above. The devices 15 do not have to be formed on the workpiece 11.
被加工物11に貼付される保護部材21は、代表的には、被加工物11と概ね同等の直径を持つ円形状の樹脂テープ(樹脂フィルム)、樹脂基板、被加工物11と同種又は異種のウェーハ等である。例えば、この保護部材21の表面21a側には、被加工物11に対する接着力を示す接着層が設けられている。そのため、図1に示されるように、保護部材21の表面21a側を被加工物11の表面11aに密着させることで、保護部材21は、被加工物11の表面11aに貼付される。 The protective member 21 attached to the workpiece 11 is typically a circular resin tape (resin film) with roughly the same diameter as the workpiece 11, a resin substrate, or a wafer of the same or different type as the workpiece 11. For example, an adhesive layer that exhibits adhesive strength to the workpiece 11 is provided on the surface 21a of this protective member 21. Therefore, as shown in Figure 1, the protective member 21 is attached to the surface 11a of the workpiece 11 by bringing the surface 21a of the protective member 21 into close contact with the surface 11a of the workpiece 11.
これにより、被加工物11が裏面11b側から加工される際に加わる衝撃が保護部材21で緩和され、表面11a側のデバイス15等が保護される。なお、接着層がなくとも被加工物11に対して保護部材21を密着させて固定できるようであれば、この保護部材21は、接着層を有していなくてよい。また、被加工物11が加工される際に加わる表面11a側への衝撃が問題にならない場合には、必ずしも被加工物11に保護部材21が貼付されなくてよい。 As a result, the protective member 21 absorbs the impact applied when the workpiece 11 is processed from the back surface 11b side, protecting the device 15 and the like on the front surface 11a side. Note that if the protective member 21 can be attached to the workpiece 11 in close contact without an adhesive layer, the protective member 21 does not need to have an adhesive layer. Also, if the impact applied to the front surface 11a side when the workpiece 11 is processed is not a problem, the protective member 21 does not necessarily need to be affixed to the workpiece 11.
被加工物11の表面11aに保護部材21が貼付された後には、この保護部材21を介して被加工物11の表面11a側がチャックテーブルに保持される(保持ステップ)。図2は、保護部材21を介して被加工物11が加工装置2のチャックテーブル4に保持される様子を模式的に示す断面図である。なお、以下の各工程では、図2等に示される複合的な加工装置2が使用される。 After the protective member 21 is attached to the surface 11a of the workpiece 11, the surface 11a of the workpiece 11 is held on the chuck table via the protective member 21 (holding step). Figure 2 is a cross-sectional view that schematically shows how the workpiece 11 is held on the chuck table 4 of the processing device 2 via the protective member 21. Note that the composite processing device 2 shown in Figure 2 and elsewhere is used in each of the following steps.
加工装置2は、被加工物11を保持できるように構成されたチャックテーブル4を備えている。チャックテーブル4は、例えば、セラミックス等で構成される円板状の枠体6を含む。枠体6の上面側には、円形状の開口を上端に持つ凹部6aが形成されており、凹部6aには、セラミックス等で多孔質の円板状に構成された保持板8が固定されている。 The processing device 2 is equipped with a chuck table 4 configured to hold a workpiece 11. The chuck table 4 includes a disk-shaped frame 6 made of, for example, ceramics. A recess 6a with a circular opening at its upper end is formed on the top surface of the frame 6, and a porous disk-shaped holding plate 8 made of, for example, ceramics is fixed to the recess 6a.
保持板8の上面8aは、例えば、円錐の側面に相当する形状に構成されており、被加工物11等を保持する保持面として機能する。なお、円錐の頂点に相当する保持板8の上面8aの中心8bと、保持板8の上面8aの外周縁と、の高さの差(高低差)は、10μm~30μm程度である。本実施形態では、この保持板8の上面(保持面)8aに、保護部材21の裏面21bが接触する。 The upper surface 8a of the holding plate 8 is configured, for example, in a shape corresponding to the side of a cone, and functions as a holding surface for holding the workpiece 11, etc. The difference in height (height difference) between the center 8b of the upper surface 8a of the holding plate 8, which corresponds to the apex of the cone, and the outer periphery of the upper surface 8a of the holding plate 8, is approximately 10 μm to 30 μm. In this embodiment, the back surface 21b of the protective member 21 contacts the upper surface (holding surface) 8a of the holding plate 8.
保持板8の下面側は、枠体6の内部に設けられた流路6bや、枠体6の外部に配置されたバルブ(不図示)等を介して、エジェクタ等の吸引源(不図示)に接続されている。そのため、保持板8の上面8aに保護部材21の裏面21bを接触させた状態で、バルブを開き、吸引源の負圧を作用させると、この保護部材21の裏面21bがチャックテーブル4により吸引される。すなわち、被加工物11は、その裏面11bが上方に露出するように、保護部材21を介してチャックテーブル4に保持される。 The underside of the holding plate 8 is connected to a suction source (not shown), such as an ejector, via a flow path 6b provided inside the frame 6 or a valve (not shown) located outside the frame 6. Therefore, when the back surface 21b of the protective member 21 is in contact with the upper surface 8a of the holding plate 8 and the valve is opened to apply negative pressure from the suction source, the back surface 21b of the protective member 21 is sucked by the chuck table 4. In other words, the workpiece 11 is held on the chuck table 4 via the protective member 21 so that the back surface 11b is exposed upward.
枠体6の下部には、モーター等の回転駆動源(不図示)が連結されている。チャックテーブル4は、この回転駆動源が生じる力によって、上面8aの中心8bが回転の中心となるように、鉛直方向に沿う軸、又は鉛直方向に対して僅かに傾いた軸の周りに回転する。また、枠体6は、モーター等の回転駆動源により回転できるターンテーブルに代表されるチャックテーブル移動機構(不図示)によって支持されており、チャックテーブル4は、このチャックテーブル移動機構が生じる力によって、水平方向に移動する。 A rotary drive source (not shown), such as a motor, is connected to the bottom of the frame 6. The force generated by this rotary drive source causes the chuck table 4 to rotate around an axis along the vertical direction or an axis slightly tilted relative to the vertical direction, with the center 8b of the upper surface 8a as the center of rotation. The frame 6 is also supported by a chuck table movement mechanism (not shown), typically a turntable that can be rotated by a rotary drive source such as a motor, and the force generated by this chuck table movement mechanism causes the chuck table 4 to move horizontally.
保護部材21を介して被加工物11がチャックテーブル4で保持された後には、このチャックテーブル4で保持された状態の被加工物11が裏面11b側から研削される(研削ステップ)。図3は、チャックテーブル4に保持された被加工物11が研削される様子を模式的に示す断面図である。なお、図3では、説明の便宜上、一部の要素の側面が示されている。 After the workpiece 11 is held by the chuck table 4 via the protective member 21, the workpiece 11 held by the chuck table 4 is ground from the back surface 11b side (grinding step). Figure 3 is a cross-sectional view that schematically shows how the workpiece 11 held by the chuck table 4 is ground. Note that for ease of explanation, Figure 3 shows the sides of some elements.
図3に示されるように、加工装置2のチャックテーブル4よりも上方の位置には、研削ユニット10が配置されている。研削ユニット10は、例えば、筒状のスピンドルハウジング(不図示)を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、柱状のスピンドル12が収容されている。スピンドル12の下端部には、例えば、円板状のマウント14が設けられている。マウント14の下面には、マウント14と概ね直径が等しい円環状の研削ホイール16が、ボルト(不図示)等で固定されている。 As shown in FIG. 3, a grinding unit 10 is disposed above the chuck table 4 of the processing device 2. The grinding unit 10 includes, for example, a cylindrical spindle housing (not shown). A columnar spindle 12 is housed in the space inside the spindle housing. A disk-shaped mount 14, for example, is provided at the lower end of the spindle 12. An annular grinding wheel 16 with roughly the same diameter as the mount 14 is fixed to the underside of the mount 14 with a bolt (not shown) or the like.
研削ホイール16は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属で構成された円環状のホイール基台18を含む。ホイール基台18の円環状の下面には、このホイール基台18の周方向に沿って複数の研削砥石20が固定されている。すなわち、複数の研削砥石20は、環状に配列されている。各研削砥石20は、例えば、ダイヤモンド等で構成される砥粒が樹脂等で構成される結合剤中に分散された構造を有している。 The grinding wheel 16 includes an annular wheel base 18 made of a metal such as stainless steel or aluminum. A plurality of grinding stones 20 are fixed to the annular underside of the wheel base 18 along the circumferential direction of the wheel base 18. In other words, the plurality of grinding stones 20 are arranged in an annular pattern. Each grinding stone 20 has a structure in which abrasive grains made of, for example, diamond or the like are dispersed in a binder made of, for example, resin.
スピンドル12の上端側には、モーター等の回転駆動源(不図示)が連結されている。研削ホイール16は、この回転駆動源が生じる力によって、鉛直方向に沿う軸、又は鉛直方向に対して僅かに傾いた軸の周りに回転する。スピンドルハウジングは、例えば、ボールねじ式の研削ユニット移動機構(不図示)によって支持されており、研削ユニット10は、この研削ユニット移動機構が生じる力によって、鉛直方向に移動する。 A rotary drive source (not shown), such as a motor, is connected to the upper end of the spindle 12. The force generated by this rotary drive source causes the grinding wheel 16 to rotate about an axis that is aligned vertically or slightly tilted relative to the vertical. The spindle housing is supported by, for example, a ball-screw type grinding unit movement mechanism (not shown), and the force generated by this grinding unit movement mechanism causes the grinding unit 10 to move vertically.
研削ホイール16の傍には、被加工物11と研削砥石20とが接触する部分に水等の研削用の液体(研削液)31を供給できる研削液供給ノズル22が配置されている。なお、この研削液供給ノズル22の代わりに、又は、研削液供給ノズル22とともに、液体31の供給に使用される研削液供給口が研削ホイール16等に設けられてもよい。 A grinding fluid supply nozzle 22 is located next to the grinding wheel 16, which can supply a grinding liquid (grinding fluid) 31, such as water, to the area where the workpiece 11 and grinding wheel 20 come into contact. Instead of, or in addition to, this grinding fluid supply nozzle 22, a grinding fluid supply port used to supply the liquid 31 may be provided on the grinding wheel 16, etc.
研削ユニット10(研削ホイール16)で被加工物11を研削する際には、まず、研削ユニット10の直下にチャックテーブル4が移動する。より具体的には、研削ホイール16を回転させた場合に、チャックテーブル4の中心8bの直上の空間を複数の研削砥石20が通るように、チャックテーブル移動機構がチャックテーブル4の水平方向の位置を調整する。 When grinding the workpiece 11 with the grinding unit 10 (grinding wheel 16), the chuck table 4 first moves to a position directly below the grinding unit 10. More specifically, when the grinding wheel 16 is rotated, the chuck table movement mechanism adjusts the horizontal position of the chuck table 4 so that multiple grinding wheels 20 pass through the space directly above the center 8b of the chuck table 4.
その後、チャックテーブル4と研削ホイール16とがそれぞれ回転し、研削ユニット10(研削ホイール16)が下降する。つまり、研削ホイール16と被加工物11とが相互に回転しながら、被加工物11の裏面11bと交差する鉛直方向に相対的に移動する。そして、この際には、研削液供給ノズル22から被加工物11や研削砥石20等に研削用の液体31が供給される。これにより、図3に示されるように、研削砥石20が裏面11b側から被加工物11に接触し、被加工物11の研削が開始される。 Then, the chuck table 4 and grinding wheel 16 each rotate, and the grinding unit 10 (grinding wheel 16) descends. In other words, the grinding wheel 16 and workpiece 11 rotate relative to each other while moving relatively in a vertical direction that intersects with the back surface 11b of the workpiece 11. At this time, grinding liquid 31 is supplied from the grinding fluid supply nozzle 22 to the workpiece 11, grinding wheel 20, etc. As a result, as shown in Figure 3, the grinding wheel 20 comes into contact with the workpiece 11 from the back surface 11b side, and grinding of the workpiece 11 begins.
なお、具体的な研削の条件に大きな制限はない。例えば、研削砥石20が相対的に大きな砥粒で構成され、この研削砥石20で被加工物11が粗く研削される際には、チャックテーブル4の回転数が、100rpm~600rpm、代表的には、300rpmに設定され、研削ホイール16の回転数が、1000rpm~7000rpm、代表的には、4500rpmに設定され、研削ユニット10の下降の速さ(研削送り速度)が、1.0μm/s~10.0μm/s、代表的には、6.0μm/sに設定される。 There are no significant limitations on the specific grinding conditions. For example, if the grinding wheel 20 is made of relatively large abrasive grains and the workpiece 11 is roughly ground using this grinding wheel 20, the rotation speed of the chuck table 4 is set to 100 rpm to 600 rpm, typically 300 rpm, the rotation speed of the grinding wheel 16 is set to 1000 rpm to 7000 rpm, typically 4500 rpm, and the descent speed of the grinding unit 10 (grinding feed rate) is set to 1.0 μm/s to 10.0 μm/s, typically 6.0 μm/s.
また、研削砥石20が相対的に小さな砥粒で構成され、この研削砥石20で被加工物11が高い精度で研削される際には、チャックテーブル4の回転数が、100rpm~600rpm、代表的には、300rpmに設定され、研削ホイール16の回転数が、1000rpm~7000rpm、代表的には、4000rpmに設定され、研削ユニット10の下降の速さが、0.1μm/s~1.5μm/s、代表的には、0.5μm/sに設定される。 Furthermore, when the grinding wheel 20 is made of relatively small abrasive grains and the workpiece 11 is ground with high precision using this grinding wheel 20, the rotation speed of the chuck table 4 is set to 100 rpm to 600 rpm, typically 300 rpm, the rotation speed of the grinding wheel 16 is set to 1000 rpm to 7000 rpm, typically 4000 rpm, and the descent speed of the grinding unit 10 is set to 0.1 μm/s to 1.5 μm/s, typically 0.5 μm/s.
もちろん、相対的に大きな砥粒を含む研削砥石と、相対的に小さな砥粒を含む研削砥石と、の双方で被加工物11が研削されてもよい。すなわち、相対的に大きな砥粒を含む研削砥石を用いて被加工物11が粗く研削された後に、相対的に小さな砥粒を含む研削砥石を用いて被加工物11が高い精度で研削されてもよい。予め設定された仕上げ厚みまで被加工物11が薄くなると、研削ユニット10が上昇し、被加工物11の研削が終了する。 Of course, the workpiece 11 may be ground using both a grinding wheel containing relatively large abrasive grains and a grinding wheel containing relatively small abrasive grains. That is, the workpiece 11 may be roughly ground using a grinding wheel containing relatively large abrasive grains, and then the workpiece 11 may be ground with high precision using a grinding wheel containing relatively small abrasive grains. When the workpiece 11 has thinned to a predetermined finishing thickness, the grinding unit 10 rises, and grinding of the workpiece 11 is completed.
ところで、被加工物11が研削される際には、研削液供給ノズル22から液体31が供給され、研削の際に発生する屑の大部分は、この液体31によって被加工物11やチャックテーブル4から除去される。一方で、研削液供給ノズル22は、研削砥石20と被加工物11とが接触する部分への液体31の供給を主な目的として構成されており、必ずしも被加工物11及びチャックテーブル4の洗浄には最適化されていない。よって、被加工物11やチャックテーブル4に僅かな屑が残留してしまうことがある。 When the workpiece 11 is ground, liquid 31 is supplied from the grinding fluid supply nozzle 22, and this liquid 31 removes most of the debris generated during grinding from the workpiece 11 and chuck table 4. However, the grinding fluid supply nozzle 22 is designed primarily to supply liquid 31 to the area where the grinding wheel 20 and workpiece 11 come into contact, and is not necessarily optimized for cleaning the workpiece 11 and chuck table 4. As a result, small amounts of debris may remain on the workpiece 11 and chuck table 4.
研削と研磨とが連続的に実施される構造の複合的な加工装置2では、研削された後の被加工物11がチャックテーブル4に保持された状態で移動し、そのまま研磨される。しかしながら、被加工物11やチャックテーブル4に屑が残留している状態で被加工物11が研磨されると、この屑によって被加工物11に傷が付き、被研磨面の平坦性が低下してしまうことがあった。 In a composite processing device 2 designed to perform grinding and polishing continuously, the workpiece 11 is moved after grinding while held on the chuck table 4, and is polished in that state. However, if the workpiece 11 is polished while there is debris remaining on the workpiece 11 or chuck table 4, the debris can scratch the workpiece 11, reducing the flatness of the polished surface.
そこで、本実施形態では、被加工物11が研削された後に、チャックテーブル4で保持された状態の被加工物11の被研削面とチャックテーブル4とが洗浄される(洗浄ステップ)。図4は、被加工物11の被研削面11cとチャックテーブル4とが洗浄される様子を模式的に示す断面図である。なお、図4では、説明の便宜上、一部の要素の側面が示されている。 Therefore, in this embodiment, after the workpiece 11 has been ground, the grinding surface of the workpiece 11 held by the chuck table 4 and the chuck table 4 are cleaned (cleaning step). Figure 4 is a cross-sectional view that schematically shows how the grinding surface 11c of the workpiece 11 and the chuck table 4 are cleaned. Note that for ease of explanation, Figure 4 shows the side views of some elements.
図4に示されるように、加工装置2のチャックテーブル4よりも上方の位置には、被加工物11の被研削面11c及びチャックテーブル4の洗浄に使用される洗浄用ノズル24が配置されている。洗浄用ノズル24は、例えば、ボールねじ式のノズル揺動機構(不図示)によって支持されており、このノズル揺動機構が生じる力によって水平方向に移動しながら、洗浄用の流体(洗浄流体)33を下方に噴射できる。洗浄用の流体33としては、例えば、水と空気とが混合された混合流体(二流体)が使用される。 As shown in FIG. 4, a cleaning nozzle 24 used to clean the grinding surface 11c of the workpiece 11 and the chuck table 4 is located above the chuck table 4 of the processing device 2. The cleaning nozzle 24 is supported, for example, by a ball-screw type nozzle swing mechanism (not shown), and can spray cleaning fluid 33 downward while moving horizontally due to the force generated by this nozzle swing mechanism. As the cleaning fluid 33, for example, a mixed fluid (two-fluid) of water and air is used.
洗浄用ノズル24で被加工物11の被研削面11cとチャックテーブル4とを洗浄する際には、まず、洗浄用ノズル24の直下にチャックテーブル4が移動する。より具体的には、ノズル揺動機構が洗浄用ノズル24をチャックテーブル4の中心8bの上方とチャックテーブル4の外周縁の上方との間で揺動させることができるように、チャックテーブル移動機構がチャックテーブル4の水平方向の位置を調整する。 When the cleaning nozzle 24 is used to clean the grinding surface 11c of the workpiece 11 and the chuck table 4, the chuck table 4 first moves to a position directly below the cleaning nozzle 24. More specifically, the chuck table movement mechanism adjusts the horizontal position of the chuck table 4 so that the nozzle swing mechanism can swing the cleaning nozzle 24 between above the center 8b of the chuck table 4 and above the outer periphery of the chuck table 4.
その後、例えば、チャックテーブル4が10rpm~500rpm程度の回転数で回転している状態で、洗浄用ノズル24が0.05MPa~0.15MPa程度の高圧で流体33を噴射しながら揺動する。これにより、被加工物11の被研削面11cの全体とチャックテーブル4の露出している部分とに流体33が吹き付けられ、被研削面11c及びチャックテーブル4から屑が十分に除去される。 Then, while the chuck table 4 is rotating at a speed of, for example, approximately 10 to 500 rpm, the cleaning nozzle 24 oscillates while spraying fluid 33 at a high pressure of approximately 0.05 to 0.15 MPa. This causes the fluid 33 to be sprayed onto the entire grinding surface 11c of the workpiece 11 and the exposed portion of the chuck table 4, thoroughly removing debris from the grinding surface 11c and the chuck table 4.
なお、本実施形態では、洗浄用ノズル24として、水と空気とが混合された混合流体を噴射できる、いわゆる二流体ノズルが使用されているが、洗浄用ノズル24として、洗浄用の液体(代表的には、水)をカーテン状に噴射してウォーターカーテンを形成できる、いわゆるウォーターカーテンノズルが使用されてもよい。 In this embodiment, a so-called two-fluid nozzle capable of spraying a mixed fluid of water and air is used as the cleaning nozzle 24. However, a so-called water curtain nozzle capable of spraying a cleaning liquid (typically water) in a curtain-like manner to form a water curtain may also be used as the cleaning nozzle 24.
この場合には、例えば、ウォーターカーテンノズルは、所定の位置に固定され揺動しない。ウォーターカーテンノズルによって形成されるウォーターカーテンをくぐるようにチャックテーブル4が移動することで、被加工物11の被研削面11cの全体とチャックテーブル4の露出している部分とに液体が吹き付けられ、被研削面11c及びチャックテーブル4から屑が十分に除去される。 In this case, for example, the water curtain nozzle is fixed in a predetermined position and does not swing. As the chuck table 4 moves through the water curtain formed by the water curtain nozzle, liquid is sprayed onto the entire grinding surface 11c of the workpiece 11 and the exposed portion of the chuck table 4, sufficiently removing debris from the grinding surface 11c and the chuck table 4.
なお、このウォーターカーテンノズルは、加工装置2内の研削用の領域と研磨用の領域との境界の付近に配置されてもよい。この場合には、被加工物11の研削の際にウォーターカーテンノズルでウォーターカーテンを形成することにより、研削用の領域から研磨用の領域への屑の飛散が抑制される。 The water curtain nozzle may be positioned near the boundary between the grinding area and the polishing area within the processing device 2. In this case, by forming a water curtain with the water curtain nozzle when grinding the workpiece 11, scattering of debris from the grinding area to the polishing area is suppressed.
被加工物11の被研削面11cとチャックテーブル4とが洗浄された後には、チャックテーブル4で保持された状態の被加工物11が被研削面11c側から化学的機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)等の方法で研磨される(研磨ステップ)。図5は、チャックテーブル4に保持された被加工物11が研磨される様子を模式的に示す断面図である。なお、図5では、説明の便宜上、一部の要素の側面が示されている。 After the grinding surface 11c of the workpiece 11 and the chuck table 4 have been cleaned, the workpiece 11 held by the chuck table 4 is polished from the grinding surface 11c side using a method such as chemical mechanical polishing (CMP) (polishing step). Figure 5 is a cross-sectional view that schematically shows how the workpiece 11 held on the chuck table 4 is polished. Note that for ease of explanation, Figure 5 shows the side faces of some elements.
図5に示されるように、加工装置2のチャックテーブル4よりも上方の位置には、研磨ユニット26が配置されている。研磨ユニット26は、例えば、筒状のスピンドルハウジング(不図示)を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、柱状のスピンドル28が収容されている。スピンドル28の下端部には、例えば、円板状のマウント30が設けられている。マウント30の下面には、円板状の研磨パッド32が、ボルト(不図示)等で固定されている。 As shown in FIG. 5, a polishing unit 26 is disposed above the chuck table 4 of the processing device 2. The polishing unit 26 includes, for example, a cylindrical spindle housing (not shown). A columnar spindle 28 is housed in the space inside the spindle housing. A disk-shaped mount 30, for example, is provided at the lower end of the spindle 28. A disk-shaped polishing pad 32 is fixed to the underside of the mount 30 with a bolt (not shown) or the like.
研磨パッド32は、例えば、砥粒を含まない不織布や高分子発泡体等で円板状に構成され、その中央部には、砥粒を含む薬液等の研磨用の液体(研磨液)の供給に使用される研磨液供給口(不図示)が設けられている。研磨液供給口は、例えば、マウント30やスピンドル28に設けられた流路等を介して研磨液供給源に接続される。なお、研磨パッド32は、砥粒を含んでいてもよい。その場合には、研磨用の液体として、砥粒を含まない薬液等が使用される。 The polishing pad 32 is formed in a disk shape from, for example, abrasive-free nonwoven fabric or polymer foam, and has a polishing liquid supply port (not shown) in its center that is used to supply polishing liquid (polishing liquid), such as a chemical solution containing abrasive particles. The polishing liquid supply port is connected to a polishing liquid source via, for example, a flow path provided in the mount 30 or spindle 28. The polishing pad 32 may contain abrasive particles. In that case, a chemical solution containing no abrasive particles is used as the polishing liquid.
スピンドル28の上端側には、モーター等の回転駆動源(不図示)が連結されている。研磨パッド32は、この回転駆動源が生じる力によって、鉛直方向に沿う軸、又は鉛直方向に対して僅かに傾いた軸の周りに回転する。スピンドルハウジングは、例えば、ボールねじ式の研磨ユニット移動機構(不図示)によって支持されており、研磨ユニット26は、この研磨ユニット移動機構が生じる力によって、鉛直方向に移動する。 A rotary drive source (not shown), such as a motor, is connected to the upper end of the spindle 28. The force generated by this rotary drive source causes the polishing pad 32 to rotate about an axis that is aligned vertically or slightly tilted relative to the vertical. The spindle housing is supported by, for example, a ball-screw type polishing unit movement mechanism (not shown), and the polishing unit 26 moves vertically due to the force generated by this polishing unit movement mechanism.
研磨ユニット26(研磨パッド32)で被加工物11の被研削面11cを研磨する際には、まず、研磨ユニット26の直下にチャックテーブル4が移動する。より具体的には、上方から見てチャックテーブル4に保持された被加工物11の被研削面11cの全体が研磨パッド32と重なるように、チャックテーブル移動機構がチャックテーブル4の水平方向の位置を調整する。 When the grinding surface 11c of the workpiece 11 is polished with the polishing unit 26 (polishing pad 32), the chuck table 4 first moves to a position directly below the polishing unit 26. More specifically, the chuck table movement mechanism adjusts the horizontal position of the chuck table 4 so that the entire grinding surface 11c of the workpiece 11 held on the chuck table 4 overlaps with the polishing pad 32 when viewed from above.
その後、チャックテーブル4と研磨パッド32とがそれぞれ回転し、研磨ユニット26(研磨パッド32)が下降する。つまり、研磨パッド32と被加工物11とが相互に回転しながら、被加工物11の被研削面11cと交差する鉛直方向に相対的に移動する。そして、この際には、研磨液供給口から被加工物11や研磨パッド32等に研磨用の液体が供給される。 Then, the chuck table 4 and polishing pad 32 each rotate, and the polishing unit 26 (polishing pad 32) descends. In other words, the polishing pad 32 and workpiece 11 rotate relative to each other while moving relatively in a vertical direction that intersects with the grinding surface 11c of the workpiece 11. At this time, polishing liquid is supplied to the workpiece 11, polishing pad 32, etc. from the polishing liquid supply port.
これにより、図5に示されるように、研磨パッド32が被研削面11c側から被加工物11に接触し、被加工物11の研磨が開始される。なお、図5では、説明の便宜上、被研削面11cの一部に研磨パッド32が接触する様子が描かれているが、上述の通り、チャックテーブル4の上面8aの中心8bと、上面8aの外周縁と、の高さの差は小さい。そのため、実際には、被研削面11cの全体に研磨パッド32が接触する。 As a result, as shown in Figure 5, the polishing pad 32 comes into contact with the workpiece 11 from the side of the surface 11c to be ground, and polishing of the workpiece 11 begins. Note that for ease of explanation, Figure 5 shows the polishing pad 32 contacting only part of the surface 11c to be ground. However, as mentioned above, there is only a small difference in height between the center 8b of the upper surface 8a of the chuck table 4 and the outer periphery of the upper surface 8a. Therefore, in reality, the polishing pad 32 comes into contact with the entire surface 11c to be ground.
なお、具体的な研磨の条件に大きな制限はない。例えば、チャックテーブル4の回転数が、10rpm~600rpm、代表的には、500rpmに設定され、研磨パッド32の回転数が、200rpm~600rpm、代表的には、500rpmに設定され、研磨パッド32から被加工物11にかかる荷重が、10kPa~35kPa、代表的には、25kPaに設定される。予め設定された時間が経過すると、研磨パッド32が上昇し、被加工物11の研磨が終了する。 There are no significant limitations on the specific polishing conditions. For example, the rotation speed of the chuck table 4 is set to 10 rpm to 600 rpm, typically 500 rpm, the rotation speed of the polishing pad 32 is set to 200 rpm to 600 rpm, typically 500 rpm, and the load applied by the polishing pad 32 to the workpiece 11 is set to 10 kPa to 35 kPa, typically 25 kPa. After a preset time has elapsed, the polishing pad 32 rises, completing the polishing of the workpiece 11.
本実施形態では、被加工物11が研削された後、研磨される前に、被加工物11の被研削面11cやチャックテーブル4が洗浄され、研削の際に発生した屑が被研削面11cやチャックテーブル4から十分に除去される。よって、被研削面11cに残留している屑によって被加工物11に傷が付くことはない。また、チャックテーブル4に残留している屑が研磨パッド32と被加工物11との間に巻き込まれて被加工物11に傷が付くこともない。 In this embodiment, after the workpiece 11 is ground and before it is polished, the grinding surface 11c of the workpiece 11 and the chuck table 4 are cleaned, and debris generated during grinding is thoroughly removed from the grinding surface 11c and the chuck table 4. As a result, debris remaining on the grinding surface 11c will not scratch the workpiece 11. Furthermore, debris remaining on the chuck table 4 will not get caught between the polishing pad 32 and the workpiece 11 and scratch the workpiece 11.
以上のように、本実施形態にかかる被加工物の加工方法では、被加工物11を研削ホイール16で研削した後、被加工物11の被研削面11cをチャックテーブル4とともに洗浄した上で、被加工物11を研磨パッド32で研磨するので、被加工物11が研磨パッド32で研磨される際には、研削の際に発生した屑が被研削面11cやチャックテーブル4から十分に除去されている。 As described above, in the workpiece processing method according to this embodiment, after the workpiece 11 is ground with the grinding wheel 16, the grinding surface 11c of the workpiece 11 is cleaned along with the chuck table 4, and then the workpiece 11 is polished with the polishing pad 32. Therefore, when the workpiece 11 is polished with the polishing pad 32, debris generated during grinding has been sufficiently removed from the grinding surface 11c and the chuck table 4.
そのため、研削と研磨とが連続的に実施される状況でも、研磨パッド32と被加工物11との間への屑の巻き込み等が防止され、被研磨面の高い平坦性が実現される。すなわち、本実施形態にかかる被加工物の加工方法によれば、被加工物11を効率的に加工しながら被研磨面の高い平坦性を実現できる。 As a result, even when grinding and polishing are performed consecutively, debris is prevented from getting caught between the polishing pad 32 and the workpiece 11, achieving a high level of flatness on the polished surface. In other words, the workpiece processing method according to this embodiment makes it possible to efficiently process the workpiece 11 while achieving a high level of flatness on the polished surface.
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、研磨ユニット移動機構等とは独立したノズル揺動機構によって洗浄用ノズル24が水平方向に揺動するが、研磨ユニット移動機構等がノズル揺動機構として使用されてもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment and can be implemented with various modifications. For example, in the above-described embodiment, the cleaning nozzle 24 is swung horizontally by a nozzle swinging mechanism that is independent of the polishing unit movement mechanism, etc., but the polishing unit movement mechanism, etc., may also be used as the nozzle swinging mechanism.
図6は、ノズル揺動機構としても使用される研磨ユニット移動機構34を模式的に示す側面図である。図6に示されるように、研磨ユニット移動機構34は、水平方向に対して概ね平行な一対のガイドレール36を備えている。このガイドレール36は、例えば、柱状の支持構造(不図示)の正面側に固定されている。また、ガイドレール36には、水平移動プレート38がスライドできる態様で取り付けられている。 Figure 6 is a side view showing a polishing unit movement mechanism 34, which is also used as a nozzle swing mechanism. As shown in Figure 6, the polishing unit movement mechanism 34 has a pair of guide rails 36 that are generally parallel to the horizontal direction. These guide rails 36 are fixed, for example, to the front side of a columnar support structure (not shown). A horizontal movement plate 38 is attached to the guide rails 36 in a slidable manner.
水平移動プレート38の背面側には、ボールねじを構成するナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、ガイドレール36に対して概ね平行なねじ軸40が回転できる態様で連結されている。ねじ軸40の一端部には、モーター等の回転駆動源42が接続されている。回転駆動源42によってねじ軸40を回転させることで、水平移動プレート38は、ガイドレール36に沿って移動する。 A nut (not shown) that constitutes a ball screw is provided on the rear side of the horizontal movement plate 38, and a screw shaft 40 that is generally parallel to the guide rail 36 is rotatably connected to this nut. A rotational drive source 42 such as a motor is connected to one end of the screw shaft 40. By rotating the screw shaft 40 with the rotational drive source 42, the horizontal movement plate 38 moves along the guide rail 36.
水平移動プレート38の正面側には、鉛直方向に対して概ね平行な一対のガイドレール44が固定されている。ガイドレール44には、鉛直移動プレート46がスライドできる態様で取り付けられている。 A pair of guide rails 44, which are generally parallel to the vertical direction, are fixed to the front side of the horizontal movement plate 38. A vertical movement plate 46 is attached to the guide rails 44 in a sliding manner.
鉛直移動プレート46の背面側には、ボールねじを構成するナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、ガイドレール44に対して概ね平行なねじ軸48が回転できる態様で連結されている。ねじ軸48の一端部には、モーター等の回転駆動源50が接続されている。回転駆動源50によってねじ軸48を回転させることで、鉛直移動プレート46は、ガイドレール44に沿って移動する。 A nut portion (not shown) that constitutes a ball screw is provided on the back side of the vertical movement plate 46, and a screw shaft 48 that is generally parallel to the guide rail 44 is rotatably connected to this nut portion. A rotational drive source 50 such as a motor is connected to one end of the screw shaft 48. By rotating the screw shaft 48 with the rotational drive source 50, the vertical movement plate 46 moves along the guide rail 44.
鉛直移動プレート46の正面側には、支持具52が設けられている。支持具52には、上述した実施形態の研磨ユニット26を構成するスピンドルハウジング54が支持されている。また、支持具52には、上述した実施形態の洗浄用ノズル24の基端側が支持されている。そのため、研磨ユニット移動機構34は、研磨ユニット26とともに洗浄用ノズル24を水平方向に揺動させることができる。 A support 52 is provided on the front side of the vertical movement plate 46. The support 52 supports the spindle housing 54 that constitutes the polishing unit 26 in the above-described embodiment. The support 52 also supports the base end of the cleaning nozzle 24 in the above-described embodiment. Therefore, the polishing unit movement mechanism 34 can swing the cleaning nozzle 24 horizontally together with the polishing unit 26.
この変形例にかかる研磨ユニット移動機構34が使用される場合には、例えば、被加工物11の研磨の際(研磨ステップ)に、研磨ユニット移動機構34が研磨ユニット26を水平方向に揺動させる。これにより、被加工物11の全体を研磨パッド32で均等に研磨して、被研磨面の平坦性を更に高めることができる。 When the polishing unit movement mechanism 34 according to this modified example is used, for example, when polishing the workpiece 11 (polishing step), the polishing unit movement mechanism 34 oscillates the polishing unit 26 in the horizontal direction. This allows the entire workpiece 11 to be polished evenly with the polishing pad 32, further improving the flatness of the polished surface.
また、被加工物11やチャックテーブル4が洗浄される際(洗浄ステップ)には、研磨ユニット移動機構34が洗浄用ノズル24を水平方向に揺動させることになる。つまり、洗浄用ノズル24は、洗浄用の流体を供給している状態で研磨パッド32とともに移動する。 Furthermore, when the workpiece 11 or chuck table 4 is cleaned (cleaning step), the polishing unit movement mechanism 34 swings the cleaning nozzle 24 horizontally. In other words, the cleaning nozzle 24 moves together with the polishing pad 32 while supplying cleaning fluid.
その他、上述の実施形態及び変形例にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施され得る。 In addition, the structures, methods, etc. of the above-described embodiments and variations may be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention.
11 :被加工物
11a :表面(第1面)
11b :裏面(第2面)
11c :被研削面
13 :ストリート(分割予定ライン)
15 :デバイス
21 :保護部材
21a :表面
21b :裏面
31 :液体(研削液)
33 :流体(洗浄流体)
2 :加工装置
4 :チャックテーブル
6 :枠体
6a :凹部
6b :流路
8 :保持板
8a :上面(保持面)
8b :中心
10 :研削ユニット
12 :スピンドル
14 :マウント
16 :研削ホイール
18 :ホイール基台
20 :研削砥石
22 :研削液供給ノズル
24 :洗浄用ノズル
26 :研磨ユニット
28 :スピンドル
30 :マウント
32 :研磨パッド
34 :研磨ユニット移動機構
36 :ガイドレール
38 :水平移動プレート
40 :ねじ軸
42 :回転駆動源
44 :ガイドレール
46 :鉛直移動プレート
48 :ねじ軸
50 :回転駆動源
52 :支持具
54 :スピンドルハウジング
11: Workpiece 11a: Surface (first surface)
11b: Back side (second side)
11c: grinding surface 13: street (planned division line)
15: Device 21: Protective member 21a: Front surface 21b: Back surface 31: Liquid (grinding fluid)
33: Fluid (cleaning fluid)
2: Processing device 4: Chuck table 6: Frame 6a: Recess 6b: Flow path 8: Holding plate 8a: Upper surface (holding surface)
8b: Center 10: Grinding unit 12: Spindle 14: Mount 16: Grinding wheel 18: Wheel base 20: Grinding stone 22: Grinding fluid supply nozzle 24: Cleaning nozzle 26: Polishing unit 28: Spindle 30: Mount 32: Polishing pad 34: Polishing unit movement mechanism 36: Guide rail 38: Horizontal movement plate 40: Screw shaft 42: Rotation drive source 44: Guide rail 46: Vertical movement plate 48: Screw shaft 50: Rotation drive source 52: Support 54: Spindle housing
Claims (2)
該被加工物を該第2面側から研削ホイールで研削する研削ステップと、
該研削ステップの後、該被加工物の被研削面を洗浄する洗浄ステップと、
該洗浄ステップの後、該被加工物を該被研削面側から研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を含み、
該洗浄ステップでは、洗浄用ノズルから洗浄用の流体を供給しながら、該洗浄用ノズルを該研磨パッドとともに移動させる被加工物の加工方法。 A method for processing a workpiece that is applied when processing a plate-shaped workpiece having a first surface and a second surface opposite to the first surface,
a grinding step of grinding the workpiece from the second surface side with a grinding wheel;
a cleaning step of cleaning the ground surface of the workpiece after the grinding step;
a polishing step of polishing the workpiece from the grinding surface side with a polishing pad after the cleaning step ,
In the cleaning step, a cleaning nozzle is moved together with the polishing pad while a cleaning fluid is supplied from the cleaning nozzle .
該被加工物の該第1面側をチャックテーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップの後、該チャックテーブルで保持された状態の該被加工物を該第2面側から研削ホイールで研削する研削ステップと、
該研削ステップの後、該チャックテーブルで保持された状態の該被加工物の被研削面を該チャックテーブルとともに洗浄する洗浄ステップと、
該洗浄ステップの後、該チャックテーブルで保持された状態の該被加工物を該被研削面側から研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を含み、
該洗浄ステップでは、洗浄用ノズルから洗浄用の流体を供給しながら、該洗浄用ノズルを該研磨パッドとともに移動させる被加工物の加工方法。 A method for processing a workpiece that is applied when processing a plate-shaped workpiece having a first surface and a second surface opposite to the first surface,
a holding step of holding the first surface side of the workpiece on a chuck table;
a grinding step of grinding the workpiece held by the chuck table from the second surface side with a grinding wheel after the holding step;
a cleaning step of cleaning the grinding surface of the workpiece held by the chuck table together with the chuck table after the grinding step;
a polishing step of polishing the workpiece held by the chuck table from the grinding surface side with a polishing pad after the cleaning step ,
In the cleaning step, a cleaning nozzle is moved together with the polishing pad while a cleaning fluid is supplied from the cleaning nozzle .
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