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JP7764703B2 - Micro LED display device - Google Patents
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JP7764703B2 - Micro LED display device - Google Patents

Micro LED display device

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JP7764703B2
JP7764703B2 JP2021128171A JP2021128171A JP7764703B2 JP 7764703 B2 JP7764703 B2 JP 7764703B2 JP 2021128171 A JP2021128171 A JP 2021128171A JP 2021128171 A JP2021128171 A JP 2021128171A JP 7764703 B2 JP7764703 B2 JP 7764703B2
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Description

本発明は、マイクロLED表示装置に関する。更に詳しくは、マイクロLED表示装置の隔壁構造に関する。 The present invention relates to a micro LED display device. More specifically, it relates to a partition structure for a micro LED display device.

表示装置として、有機エレクトロルミネセンス表示装置(以下、有機EL)が知られているが、有機EL層の発光効率が低いこと、また、発光が経時的に変化すること、寿命が短いこと、電流量を大きくすると焼き付きが生じやすいこと等の問題がある。最近では、モバイル機器の薄型化に貢献する表示装置として、無機材料で構成されるLEDを用いた表示装置(LEDディスプレイ)が期待されている。LEDは、有機ELより発光効率が高く、また、発光輝度を電流量で調整しやすい(より明るい表示ができる)ため、その注目度が向上している。 Organic electroluminescence display devices (hereinafter referred to as OLED) are well known as display devices, but they have problems such as low luminous efficiency of the OLED layer, changes in light emission over time, a short lifespan, and a tendency for burn-in to occur when the current is increased. Recently, displays using LEDs (LED displays) made from inorganic materials have been expected to contribute to thinner mobile devices. LEDs have attracted increasing attention because they have higher luminous efficiency than OLEDs and their luminance can be easily adjusted by the amount of current (allowing for brighter displays).

近年、およそ5μmから200μmサイズのLEDチップをマトリクス状に複数並べた構成を有するミニLEDと呼称される直下型のバックライトを液晶表示装置に用いる技術が注目されている。ミニLEDでは、赤色発光、緑色発光、青色発光の3種類のLEDチップを用いてフルカラーとする方式や、RGB色の波長成分を含む白色光を発光するLEDチップを光源として、さらにカラーフィルタを用いて素子ごとにRGB色に色分解することでフルカラーとする方式がある。 In recent years, attention has been focused on a technology for LCD displays that uses direct-type backlights known as mini-LEDs, which are made up of multiple LED chips measuring approximately 5 μm to 200 μm arranged in a matrix. Mini-LEDs include a full-color system that uses three types of LED chips (red, green, and blue) to produce full color, and a full-color system that uses LED chips that emit white light containing RGB wavelength components as a light source and further separates the light into RGB colors for each element using color filters.

近年、光源としてマイクロLEDチップを採用した表示装置は、複数のLEDチップの各々を個別駆動することによって表示を行うため、液晶シャッターを用いることなく表示を行うことができるため注目されている。 In recent years, display devices that use micro LED chips as light sources have been attracting attention because they can display images by individually driving multiple LED chips, eliminating the need for liquid crystal shutters.

そして、マイクロLED表示装置においては、発光ダイオードを含む発光素子は点光源であるため、発光輝度の分布が広くなっている。このため、発光素子から放たれた光の一部が隣接画素に迷光として入り込むことがあり、これが混色となって色再現性を低下させる原因となっているため、隣接する素子側へ光が入らないように隣接する発光素子との間に隔壁を設けることが多い(特許文献1参照)。 In micro LED display devices, light-emitting elements, including light-emitting diodes, are point light sources, resulting in a wide distribution of light emission brightness. As a result, some of the light emitted from the light-emitting elements can enter adjacent pixels as stray light, causing color mixing and reducing color reproducibility. Therefore, partitions are often provided between adjacent light-emitting elements to prevent light from entering the adjacent elements (see Patent Document 1).

しかし、従来提案されている隔壁は壁面が垂直面あるいは、一定の角度で傾いた斜面からなることが多く、隔壁で反射される光は、直線的に反射されるので、表示装置を観察する側からは、特定の角度の光が強調されるため、見る角度により明るさの違いとなって見えることがあった。 However, previously proposed partitions often have wall surfaces that are vertical or inclined at a certain angle, and since light reflected by the partitions is reflected linearly, light at certain angles is emphasized from the perspective of the viewer of the display device, which can result in perceived differences in brightness depending on the viewing angle.

特許公開2015-216104号公報Patent Publication No. 2015-216104

上記の事情に鑑み、本発明は見る角度が変わっても均一な明るさの映像となるマイクロLED表示装置を提供する事を課題とする。 In light of the above circumstances, the present invention aims to provide a micro LED display device that displays images with uniform brightness even when the viewing angle changes.

上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項1に記載の発明は、少なくとも、
基板上にグリッド状に配置された複数のLED素子と、前記複数のLED素子の個々を
仕切る隔壁とを有するマイクロLED表示装置であって、前記隔壁の側壁面が球面状となっていることを特徴とするマイクロLED表示装置である。
As a means for solving the above problems, the invention described in claim 1 of the present invention comprises at least:
A micro LED display device having a plurality of LED elements arranged in a grid pattern on a substrate and partitions separating the plurality of LED elements, characterized in that the side wall surfaces of the partitions are spherical.

また、請求項2に記載の発明は、前記側壁面の表面に拡散反射層が形成されている事を特徴とする請求項1に記載のマイクロLED表示装置である。 Furthermore, the invention described in claim 2 is the micro LED display device described in claim 1, characterized in that a diffuse reflection layer is formed on the surface of the side wall surface.

また、請求項3に記載の発明は、前記隔壁と前記LED素子を有する基板の表面の前記隔壁と前記LED素子の間に拡散反射層が形成されている事を特徴とする請求項2に記載のマイクロLED表示装置である。 Furthermore, the invention described in claim 3 is the micro LED display device described in claim 2, characterized in that a diffuse reflection layer is formed between the partition wall and the LED element on the surface of the substrate having the partition wall and the LED element.

また、請求項4に記載の発明は、前記複数のLED素子が、赤色、緑色、青色のいずれかを発光することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマイクロLED表示装置である。 Furthermore, the invention described in claim 4 is a micro LED display device described in any one of claims 1 to 3, characterized in that the multiple LED elements emit red, green, or blue light.

また、請求項5に記載の発明は、前記複数のLED素子が、白色光を発光するLED素子であって、前記側壁上にカラーフィルタ基板を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマイクロLED表示装置である。 Furthermore, the invention described in claim 5 is a micro LED display device described in any one of claims 1 to 3, characterized in that the multiple LED elements are LED elements that emit white light and a color filter substrate is provided on the side walls.

また、請求項6に記載の発明は、前記遮光性材料層が黒色感光性樹脂層である事を特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のマイクロLED表示装置である。 Furthermore, the invention described in claim 6 is a micro LED display device described in any one of claims 1 to 5, characterized in that the light-blocking material layer is a black photosensitive resin layer.

本発明のマイクロLED表示装置によれば、球面状の側壁により、LED素子から放射される光がキャビティ内で散乱された拡散光となって光が放射されるため、観察者の見る角度に依存せずに安定した表示画質が得られる。 In the micro LED display device of the present invention, the spherical sidewalls cause the light emitted from the LED element to be scattered within the cavity as diffused light, resulting in stable display quality that is independent of the viewer's viewing angle.

本発明のマイクロLED表示装置の第一の実施形態における隔壁に(a)拡散反射層なし、(b)拡散反射層あり、の状態の断面構造を示した説明図。3A and 3B are explanatory diagrams showing cross-sectional structures of the partition walls of the micro LED display device according to the first embodiment of the present invention, respectively, with and without a diffuse reflection layer; 本発明のマイクロLED表示装置の第二の実施形態における(a)拡散反射層なし、(b)拡散反射層あり、それぞれの断面構造を示した説明図。1A and 1B are explanatory diagrams showing cross-sectional structures of a micro LED display device according to a second embodiment of the present invention, with and without a diffuse reflection layer; 本発明のマイクロLED表示装置の第一の実施形態の製造工程を示すフロー図。FIG. 2 is a flow diagram showing the manufacturing process of the first embodiment of the micro LED display device of the present invention. 本発明のマイクロLED表示装置の第二の実施形態の製造工程を示すフロー図。FIG. 4 is a flow diagram showing the manufacturing process of a second embodiment of the micro LED display device of the present invention.

<マイクロLED表示装置>
(第一の実施形態)
本発明のマイクロLED表示装置の隔壁の第一の実施形態について、図1(a)を用いて説明する。
<Micro LED display device>
(First embodiment)
A first embodiment of the partition wall of the micro LED display device of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明のマイクロLED表示装置の隔壁の第一の実施形態の10-1のは、複数のLEDチップがXYマトリクス状に実装された基板1上の各LEDチップ3を、LEDチップ3を含む基板1上に形成した遮光性材料層4に形成したキャビティ5の底面8に配置したマイクロLED表示装置10である。 The first embodiment of the partition wall 10-1 of the micro LED display device of the present invention is a micro LED display device 10 in which each LED chip 3 on a substrate 1 on which multiple LED chips are mounted in an XY matrix is disposed on the bottom surface 8 of a cavity 5 formed in a light-blocking material layer 4 formed on the substrate 1 containing the LED chips 3.

LEDチップとして、それぞれ異なる発光色を備えたLEDチップ3-1、3-2、3-3を基板1上に実装した。
また、図示しないが、LEDチップ3-1、3-2、3-3を青色または紫外線域にピークを有する1種類のLED素子とし、さらにキャビティ5に赤または緑色に波長変換する材料や、青色カラーフィルタ材料を充填する構造により赤色光、緑色光、青色光を得る方
法を用いてもよい。
As the LED chips, LED chips 3-1, 3-2, and 3-3 each having a different light emission color were mounted on a substrate 1.
Furthermore, although not shown, the LED chips 3-1, 3-2, and 3-3 may be one type of LED element having a peak in the blue or ultraviolet region, and the cavity 5 may be filled with a material that converts the wavelength to red or green, or a blue color filter material, to obtain red light, green light, and blue light.

キャビティ5は、底面8と側壁面9からなる球面状の壁面を有する空間から成る。(空間とキャビティ5は同じである為、以後、空間5とも記載する。)底面8には、基板1が露出していても良いし、露出していなくても構わない。 The cavity 5 consists of a space with spherical walls consisting of a bottom surface 8 and side wall surfaces 9. (Since the space and the cavity 5 are the same, hereafter it will also be referred to as the space 5.) The substrate 1 may or may not be exposed on the bottom surface 8.

空間5の底面8とは反対側には、LEDチップ3から発せられた光が空間5の外部に出射可能な開口部6が備えられている。 On the side of the space 5 opposite the bottom surface 8, an opening 6 is provided, which allows light emitted from the LED chip 3 to exit the space 5.

キャビティ5の平面視における中心を通る切断線(図示省略)による断面において、キャビティ5の側壁面9の表面が形成する曲線が、キャビティ5の外側に凸な曲線である事が特徴である。例えば、図1(a)に例示した様に、ほぼ球形をした空洞や、直方体の側壁面9が外側に膨らんだ様な空洞、が該当するが、空洞の側壁面が外側に膨らんだ形態であれば、そのほかのいかなる立体的な空洞であっても構わない。その様な立体的な空洞の側壁面の表面が、面視における中心を通る切断線による断面において、形成する曲線は、すべて外側に凸である曲線を形成する。 A characteristic of this cavity is that in a cross section taken along a cutting line (not shown) passing through the center of the cavity 5 in a plan view, the curve formed by the surface of the side wall 9 of the cavity 5 is a curve that convex outward from the cavity 5. For example, as shown in Figure 1(a), this applies to a roughly spherical cavity or a cavity in which the side wall 9 of a rectangular parallelepiped bulges outward, but any other three-dimensional cavity can also be used as long as the side wall of the cavity is bulging outward. In a cross section taken along a cutting line passing through the center of the cavity in a plan view, the curves formed by the surface of the side wall of such a three-dimensional cavity are all curves that convex outward.

例えば、キャビティ5の側壁面9の断面が、逆テーパ状となった空間(開口部6の開口寸法が小さく、キャビティ5の底面8に向かって空洞の幅が広がっている空間)を形成している場合が該当する。LEDチップ3がその様な空間5の底部8に配置される事によって、LEDチップ3から出射される光のうち、基板1の表面に平行な方向の成分を効果的に遮光する事が可能となる。 For example, this applies when the cross section of the side wall surface 9 of the cavity 5 forms a reverse-tapered space (a space in which the opening dimensions of the opening 6 are small and the width of the hollow space widens toward the bottom surface 8 of the cavity 5). By placing the LED chip 3 at the bottom 8 of such a space 5, it becomes possible to effectively block the component of the light emitted from the LED chip 3 in a direction parallel to the surface of the substrate 1.

また、キャビティ5の側壁面9の断面が、逆テーパ状ではなく、図1(a)に例示した様に、テーパ形状の上に逆テーパ形状を組み合わせた形状であっても良い。これは、断面において、基板1側と基板1側とは反対側(底面8側)において、隔壁2の幅が、開口部6においては広く、開口部6から底面8に近くなるにつれて狭くなる。開口部6と底面8の中間点で隔壁2の幅が最も狭くなり、中間点を過ぎると再び広くなる形状である。この様な形態においては、キャビティ5の側壁面9の表面が形成する曲線が、隔壁2側に凸な曲線となっていれば良い。例えば、円周の一部である円弧であっても良い(空洞が球である場合)し、非球面の断面が形成する曲線であっても良い。 In addition, the cross section of the side wall surface 9 of the cavity 5 may not be inversely tapered, but may instead be a shape that combines an inverse tapered shape with a tapered shape, as shown in Figure 1(a). In this case, the width of the partition 2 is wide at the opening 6 on the substrate 1 side and on the side opposite to the substrate 1 side (bottom surface 8 side) in the cross section, and narrows as it moves from the opening 6 to the bottom surface 8. The width of the partition 2 is narrowest at the midpoint between the opening 6 and the bottom surface 8, and widens again once it passes the midpoint. In this type of configuration, the curve formed by the surface of the side wall surface 9 of the cavity 5 is sufficient as long as it is a curve that is convex toward the partition 2 side. For example, it may be an arc that is part of a circumference (if the cavity is spherical), or it may be a curve formed by an aspherical cross section.

以上の様に、隔壁2の断面形状が逆テーパ形状となっている為、LEDチップ3から様々な方向に向かって出射した光のうち、基板1の表面に平行な方向に近い角度に出射した光ほど、開口部6から外に出にくくなり、開口部6によって遮光される。例えば、開口部6側に向かう方向に出射した光は、一度は側壁面9で開口部6に向かう方向に反射しても、凹面鏡の様な構造によって、開口部6に向かって反射を続ける事ができない。反射を繰り返す事で光の強度は減衰する。側壁面9が黒色である場合は、反射せずに吸収される。その為、基板1の平面と平行な成分を少なくする事ができ、光の輝度ムラや色ムラの抑制する事ができる。一方、隔壁2の断面形状がテーパ形状である場合は、LEDチップ3から出射した光のうち、側壁面9で反射した光は、そのまま外部に向かって開口部6から出て行く。その為、基板1の平面と平行な成分を少なくする事ができない。隔壁2の断面形状が円筒状であっても同様である。 As described above, because the cross-sectional shape of the partition wall 2 is inversely tapered, of the light emitted in various directions from the LED chip 3, light emitted at angles closer to a direction parallel to the surface of the substrate 1 is less likely to escape through the opening 6 and is blocked by the opening 6. For example, even if light emitted toward the opening 6 is reflected once by the side wall surface 9 toward the opening 6, the concave mirror-like structure prevents it from continuing to reflect toward the opening 6. Repeated reflections attenuate the light intensity. If the side wall surface 9 is black, the light is absorbed without being reflected. This reduces the component parallel to the plane of the substrate 1, thereby suppressing uneven brightness and color. On the other hand, if the cross-sectional shape of the partition wall 2 is tapered, light emitted from the LED chip 3 that is reflected by the side wall surface 9 exits the opening 6 toward the outside. This makes it impossible to reduce the component parallel to the plane of the substrate 1. The same applies even if the cross-sectional shape of the partition wall 2 is cylindrical.

(第二の実施形態)
次に、本発明のマイクロLED表示装置の第二の実施形態について、図1(b)を用いて説明する。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the micro LED display device of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明のマイクロLED表示装置10-2の第二の実施形態と、第一の実施形態におけるマイクロLED表示装置10-1と、の相違点は、第二の実施形態におけるキャビティ
5の側壁面9の表面に、拡散反射層7が形成されている点である。
拡散反射層7が形成されている事により、開口部6から出射される光の強度を高める事ができる。
The difference between the second embodiment of the micro LED display device 10-2 of the present invention and the micro LED display device 10-1 of the first embodiment is that a diffuse reflection layer 7 is formed on the surface of the side wall surface 9 of the cavity 5 in the second embodiment.
By forming the diffuse reflection layer 7, the intensity of the light emitted from the opening 6 can be increased.

拡散反射層7は、光散乱性の白色層からなり、入射した光を可視光線領域で80%以上の高い反射率で反射し、散乱させる事ができる表面を備えた層である事が好ましい。 The diffuse reflection layer 7 is preferably made of a light-scattering white layer with a surface that can reflect and scatter incident light with a high reflectance of 80% or more in the visible light range.

拡散反射層7とする材料としては、各種の白色顔料を含有するものであることが望ましい。白色顔料としては、光散乱性のあるものであれば、特に限定されるものではないが、亜鉛華(酸化亜鉛)、硫酸バリウム、リトポン(硫酸バリウムBASO4と硫化亜鉛ZnSとの混合物)、チタンホワイト(酸化チタン(IV))などが好適に用いられる。そして、この白色顔料を、溶剤、バインダー、分散剤、平滑化剤等と混合し、白色顔料を均一に分散するように調製された白色塗料を用いてキャビティ5の内壁に光反射層7を形成する。 The material for the diffuse reflection layer 7 is preferably one containing various white pigments. The white pigment is not particularly limited as long as it has light-scattering properties, but zinc oxide (zinc oxide), barium sulfate, lithopone (a mixture of barium sulfate BASO4 and zinc sulfide ZnS), titanium white (titanium(IV) oxide), etc. are preferably used. The white pigment is then mixed with a solvent, binder, dispersant, leveling agent, etc., and the light-reflecting layer 7 is formed on the inner wall of the cavity 5 using a white paint prepared so as to uniformly disperse the white pigment.

拡散反射層7を形成する方法としては、図1(a)および図2(a)に示した基板の隔壁の平坦な面とLED3-1からLED3-3の表面を薄膜の樹脂等でマスクしたうえで、上記した白色塗料をノズルから噴射して塗布するスプレーコート方式が好適である。 The preferred method for forming the diffuse reflection layer 7 is to mask the flat surfaces of the partition walls of the substrate and the surfaces of LEDs 3-1 to 3-3 shown in Figures 1(a) and 2(a) with a thin film of resin or the like, and then spray coat the white paint described above from a nozzle.

(第三の実施形態)
次に、本発明のマイクロLED表示装置の第三の実施形態について、図2(a)を用いて説明する。
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the micro LED display device of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の第三の実施形態におけるマイクロLED表示装置10-3と、第一の実施形態におけるマイクロLED表示装置10-1と、の相違点は、第三の実施形態におけるマイクロLED表示装置10-3には、平坦化層11が備えられている点である。 The difference between the micro LED display device 10-3 of the third embodiment of the present invention and the micro LED display device 10-1 of the first embodiment is that the micro LED display device 10-3 of the third embodiment is provided with a planarization layer 11.

具体的には、以下に説明する。
複数のLEDチップ3がXYマトリクス状に実装された基板1上の各LEDチップ3を、LEDチップ3を含む基板上1に形成した遮光性材料層4に形成したキャビティ5の底面8に配置したマイクロLED表示装置10-3である。
More specifically, this will be explained below.
The micro LED display device 10-3 has a substrate 1 on which a plurality of LED chips 3 are mounted in an XY matrix, and each LED chip 3 is disposed on the bottom surface 8 of a cavity 5 formed in a light-shielding material layer 4 formed on the substrate 1 including the LED chips 3.

基板1上の各LEDチップ3からなる凸部は、その基板1上に形成された平坦化層11により平坦化されている。LEDチップ3の厚みは、150μm前後の厚さを有している場合がある。その為、基板1の表面から150μm前後の高さを持つ凸部または突起部となっている場合がある。 The convex portions of each LED chip 3 on the substrate 1 are planarized by a planarization layer 11 formed on the substrate 1. The thickness of the LED chip 3 may be approximately 150 μm. As a result, the LED chips 3 may have convex or protruding portions with a height of approximately 150 μm from the surface of the substrate 1.

その様な高さの突起部を備えた基板1上に、そのまま遮光性材料層4を形成する事は困難である。即ち、例えば、厚さが200μm程度の遮光性材料層4を形成する事は不可能ではないが、例えば、黒色感光性樹脂を用いた場合は、厚さが厚過ぎる為、正常にパターニングする事は不可能である。その為、まず基板1上の各LEDチップ3からなる突起を平坦化樹脂11により平坦化する。平坦化樹脂11は、感光性または非感光性の透明な樹脂を用いる事ができる。非感光性透明樹脂を用いる場合は、各LEDチップ3が埋まるように平坦化樹脂11層を設けた後、平坦化を行えば良い。感光性透明樹脂を用いる場合は、塗布条件と露光条件と現像条件を調整する事により平坦化を達成する事ができる。また、露光条件によれば、各LEDチップ3の部分のみ平坦化樹脂11層を薄くすることができるので、より高さのある隔壁2とすることが可能である。 It is difficult to form a light-shielding material layer 4 directly on a substrate 1 with protrusions of such height. While it is possible to form a light-shielding material layer 4 with a thickness of approximately 200 μm, for example, if a black photosensitive resin is used, the thickness would be too great to properly pattern. Therefore, the protrusions formed by each LED chip 3 on the substrate 1 are first planarized using a planarizing resin 11. A photosensitive or non-photosensitive transparent resin can be used as the planarizing resin 11. When using a non-photosensitive transparent resin, a layer of the planarizing resin 11 is applied so that each LED chip 3 is embedded, and then planarization is performed. When using a photosensitive transparent resin, planarization can be achieved by adjusting the application, exposure, and development conditions. Furthermore, depending on the exposure conditions, the layer of the planarizing resin 11 can be made thinner only in the area of each LED chip 3, allowing for the creation of taller partition walls 2.

基板1上のLEDチップ3の上面と、平坦化樹脂11層の上面が面一となるように平坦
化した基板に対して、遮光性材料層4を形成する。これ以降は、第一の実施形態と同様である。
The light-shielding material layer 4 is formed on the substrate 1, which has been planarized so that the top surface of the LED chip 3 on the substrate 1 is flush with the top surface of the planarizing resin layer 11. The subsequent steps are the same as those in the first embodiment.

(第四の実施形態)
次に、本発明のマイクロLED表示装置の第四の実施形態について、図2(b)を用いて説明する。
(Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the micro LED display device of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の第四の実施形態におけるマイクロLED表示装置10-4と、第三の実施形態におけるマイクロLED表示装置10-3と、の相違点は、第三の実施形態におけるキャビティ5の側壁面9の表面に、拡散反射層7が形成されている点である。
拡散反射層7が形成されている事により、開口部6から出射される光の強度を高める事ができる。
それ以外は、第三の実施形態と同様である。
The difference between the micro LED display device 10-4 of the fourth embodiment of the present invention and the micro LED display device 10-3 of the third embodiment is that a diffuse reflection layer 7 is formed on the surface of the side wall surface 9 of the cavity 5 in the third embodiment.
By forming the diffuse reflection layer 7, the intensity of the light emitted from the opening 6 can be increased.
Other than that, it is the same as the third embodiment.

<マイクロLED表示装置の製造方法>
次に、本発明のマイクロLED表示装置の製造方法について、図3と図4を用いて説明する。
図3は、LEDチップ3が実装された表面の平坦化処理を行わない製造方法、図4は、平坦化処理を行う製造方法、についての説明図である。
本発明のマイクロLED表示装置の製造方法は、少なくとも以下の工程から選択した幾つかの工程または全ての工程を備えている。
まず、基板1上に、XYマトリクス状にLEDチップ3(3-1、3-2、3-3)が実装された基板を用意する(図3(a)および図4(a))。その基板に対して、下記の処理工程の中から選択した工程を実施する。
(1)基板表面の平坦化工程(図4(b))
(2)遮光性材料層を形成する工程(図3(b)、図4(c))
(3)遮光性材料層にキャビティを形成する工程(図3(c)、(d)、図4(d)、(
e))
(4)キャビティの側壁面に散乱反射層を形成する工程(図3(e)、図4(f))
<Method of manufacturing a micro LED display device>
Next, a method for manufacturing a micro LED display device according to the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing method in which the surface on which the LED chip 3 is mounted is not planarized, and FIG. 4 is an explanatory diagram of a manufacturing method in which the surface is planarized.
The method for manufacturing a micro LED display device of the present invention includes at least some or all of the following steps:
First, a substrate 1 is prepared on which LED chips 3 (3-1, 3-2, 3-3) are mounted in an XY matrix (FIGS. 3A and 4A). The substrate is subjected to a process selected from the following processes.
(1) Substrate surface planarization step (FIG. 4(b))
(2) Step of forming a light-shielding material layer (FIG. 3(b) and FIG. 4(c))
(3) A process of forming a cavity in the light-shielding material layer (FIGS. 3(c), (d), 4(d), (
e)
(4) Step of forming a scattering reflection layer on the sidewall surface of the cavity (FIG. 3(e) and FIG. 4(f))

具体的には、下記の様な選択となる。
第一の実施形態のマイクロLED表示装置10-1の製造方法は、上記の工程のうち、少なくとも(2)と(3)を備えている。
第二の実施形態のマイクロLED表示装置10-2の製造方法は、上記の工程のうち、少なくとも(2)と(3)と(4)を備えている。
第三の実施形態のマイクロLED表示装置10-3の製造方法は、上記の工程のうち、少なくとも(1)と(2)と(3)を備えている。
第四の実施形態のマイクロLED表示装置10-4の製造方法は、上記の工程のうち、少なくとも(1)と(2)と(3)と(4)を備えている。
Specifically, the following selections are possible:
The manufacturing method of the micro LED display device 10-1 of the first embodiment includes at least the steps (2) and (3) of the above steps.
The manufacturing method of the micro LED display device 10-2 of the second embodiment includes at least the steps (2), (3), and (4) of the above steps.
The manufacturing method of the micro LED display device 10-3 of the third embodiment includes at least the steps (1), (2), and (3) of the above steps.
The manufacturing method of the micro LED display device 10-4 of the fourth embodiment includes at least the steps (1), (2), (3), and (4) of the above steps.

(1)基板表面の平坦化工程(図4(b)参照)
基板1上に実装されたLEDチップ3による突起を平坦化する必要がある場合、基板表面の平坦化処理を行う。例えば、遮光性材料層を形成する材料として液状の遮光性材料を使用する場合、LEDチップ3による突起が塗工の障害となる場合は、平坦化処理を行う。遮光性材料層を形成する材料として、LEDチップ3による突起と同等の厚さのドライフィルムをラミネートする場合や、LEDチップ3の厚さが十分薄い場合は、平坦化処理を行う必要は無い。
(1) Planarization of the substrate surface (see FIG. 4(b))
A planarization process is performed on the substrate surface when it is necessary to flatten the protrusions caused by the LED chip 3 mounted on the substrate 1. For example, when a liquid light-blocking material is used as the material for forming the light-blocking material layer, and the protrusions caused by the LED chip 3 hinder coating, the planarization process is performed. When a dry film having a thickness equivalent to the protrusions caused by the LED chip 3 is laminated as the material for forming the light-blocking material layer, or when the thickness of the LED chip 3 is sufficiently thin, there is no need to perform the planarization process.

少なくとも、樹脂と溶剤を含有する塗工液を、基板1上に塗布し乾燥する事により、乾燥後の膜厚が、基板1上に形成されたLEDチップ3の高さと同等の厚さになる条件にて
平坦化層11を形成する。塗工液には、樹脂と溶剤の他に、平坦化を促進するレベリング剤を含有している事が望ましい。
A coating liquid containing at least a resin and a solvent is applied onto the substrate 1 and dried to form the planarizing layer 11 under conditions such that the thickness of the film after drying is equal to the height of the LED chip 3 formed on the substrate 1. In addition to the resin and the solvent, the coating liquid preferably contains a leveling agent that promotes planarization.

塗工方法としては、LEDチップ3の高さと同等の厚さの塗工が可能な塗工方法を選択すれば良い。例えば、ナイフコーティングまたはバンクコーティングと呼ばれる塗工方法を挙げる事ができる。この塗工方法は、1000mPa・s(1Pa・s)以上の中粘度から高粘度の塗工液を用いて塗工する事により、50μm以上の厚さの塗工膜を得る事ができる。また、フォーワードロールコーティング、スロットダイコーティングなどの塗工方法を挙げる事ができる。これらの塗工方法を用いる事により、0.1Pa・s~10Pa・sの粘度の塗工液を用いて、厚さ200μm~300μm程度の塗工膜を形成する事ができる。 A coating method that can produce a coating thickness equivalent to the height of the LED chip 3 can be selected. Examples include knife coating and bank coating. These coating methods use a medium to high viscosity coating liquid of 1000 mPa·s (1 Pa·s) or more, making it possible to obtain a coating film thickness of 50 μm or more. Other coating methods include forward roll coating and slot die coating. These coating methods can be used to form a coating film thickness of approximately 200 μm to 300 μm using a coating liquid with a viscosity of 0.1 Pa·s to 10 Pa·s.

塗工液としては、非感光性の塗工液と感光性の塗工液を用いる事ができる。 Both non-photosensitive and photosensitive coating fluids can be used as coating fluids.

非感光性の塗工液の場合は、透明であっても不透明であっても構わない。塗工液の組成や粘度と塗工方法および塗工条件を調整する事により、LEDチップ3による突起と同等の厚さの平坦化膜11を形成し、塗工膜の表面の平坦化を実施する事が可能である。 In the case of a non-photosensitive coating liquid, it can be either transparent or opaque. By adjusting the composition and viscosity of the coating liquid, as well as the coating method and conditions, it is possible to form a planarizing film 11 with a thickness equivalent to the protrusions caused by the LED chip 3, thereby flattening the surface of the coating film.

感光性の塗工液の場合は、透明な塗工液を使用する。不透明な塗工液では、露光光が、膜厚方向の深い部分まで到達する事ができなくなる為、露光不十分となり、下地との密着力不足による剥離が発生する。感光性の塗布膜のメリットは、塗工液の組成と塗工条件と露光条件と現像条件のそれぞれの調整により、平坦化を行う事ができる。デメリットは、材料が高価である事である。 When using a photosensitive coating, a transparent coating is used. With an opaque coating, the exposure light cannot reach deep into the film thickness, resulting in insufficient exposure and peeling due to insufficient adhesion to the base. The advantage of a photosensitive coating is that it can be flattened by adjusting the composition of the coating, the coating conditions, the exposure conditions, and the development conditions. The disadvantage is that the material is expensive.

また、基板の平坦化工程に使用する平坦化層11の材料として、ドライフィルム状の
平坦化フィルムを使用し、LEDチップが実装された基板上に熱ラミネートする事もできる。この場合も、塗工液を用いる場合と同様に、感光性および非感光性の材料を使用する事ができる。
Furthermore, a dry film-like planarization film can be used as the material for the planarization layer 11 used in the substrate planarization process, and can be thermally laminated onto the substrate on which the LED chip is mounted. In this case, as in the case of using a coating liquid, both photosensitive and non-photosensitive materials can be used.

(2)遮光性材料層を形成する工程(図3(b)、図4(c)参照)
基板1にLEDチップ3が搭載された基板(図3(b))、または基板1にLEDチップ3が搭載され、更にLEDチップ3が平坦化層11によって平坦化された基板(図4(c))に、遮光性材料層4を形成する。遮光性材料層4は、液状の感光性遮光性材料を塗布しても良いし、ドライフィルム状の感光性遮光性材料をラミネートしても良い。
(2) Step of forming a light-shielding material layer (see FIG. 3(b) and FIG. 4(c))
A light-shielding material layer 4 is formed on a substrate 1 having an LED chip 3 mounted thereon (FIG. 3(b)), or on a substrate 1 having an LED chip 3 mounted thereon and further planarized by a planarization layer 11 (FIG. 4(c)). The light-shielding material layer 4 may be formed by applying a liquid photosensitive light-shielding material, or by laminating a dry film-like photosensitive light-shielding material.

図3(b)に示した様に、平坦化層11を形成する必要が無い程度にLEDチップ3の厚さが薄い場合においては、そのまま、遮光性材料層4を形成する事ができる。 As shown in Figure 3(b), if the thickness of the LED chip 3 is thin enough that there is no need to form a planarization layer 11, the light-blocking material layer 4 can be formed as is.

平坦化層11を形成する必要がある場合においては、まず、図4(b)に示した様に、基板1にLEDチップ3が搭載された基板(図4(a))の表面を、平坦化層11を形成する事により平坦化した後、遮光性材料層4を形成する。 If it is necessary to form a planarization layer 11, first, as shown in Figure 4(b), the surface of the substrate 1 (Figure 4(a)) on which the LED chip 3 is mounted is planarized by forming a planarization layer 11, and then the light-blocking material layer 4 is formed.

遮光性材料層4を形成する遮光性材料としては、LEDチップ3から出射された光を遮光可能な材料と、ネガ型の感光性樹脂と混合した感光性遮光性材料とする事ができるものであれば、特に限定する必要は無い。例えば、液晶表示装置用カラーフィルタのブラックマトリクスの形成に使用される液状またはドライフィルム状の黒色感光性樹脂を好適に使用する事ができる。 The light-blocking material that forms the light-blocking material layer 4 need not be particularly limited, as long as it can be a light-sensitive light-blocking material that is a mixture of a material capable of blocking light emitted from the LED chip 3 and a negative-type photosensitive resin. For example, a liquid or dry-film black photosensitive resin that is used to form the black matrix of color filters for liquid crystal display devices can be suitably used.

(3)遮光性材料層にキャビティを形成する工程(図3(c)、(d)および図4(d)、(e)参照)
遮光性材料層4を、所望のパターンを備えたフォトマスクを介して、露光する。次に、現像処理を行う(図3(c)および図4(d)参照)。現像処理が完了した段階では、形成されたキャビティ5となる穴の側壁面において、その穴の平面視における中心を通る切断線による断面において、その穴の側壁面の表面が形成する曲線は、その穴の外側に凸な曲線となっているが、無からずしも滑らかな曲線とはなっておらず、また、現像処理後の表面は必ずしも滑らかな表面ではない。
(3) Step of forming a cavity in the light-shielding material layer (see FIGS. 3(c) and 3(d) and FIGS. 4(d) and 4(e))
The light-shielding material layer 4 is exposed to light through a photomask having a desired pattern. Development is then performed (see FIGS. 3( c) and 4(d)). Upon completion of the development, the sidewall surface of the hole that will become the cavity 5 will have a curve that is convex outward from the hole in a cross section taken along a cutting line that passes through the center of the hole in a plan view. However, the curve is not necessarily smooth, and the surface after development is not necessarily smooth.

次に、遮光性材料層4を構成する遮光性材料の樹脂の軟化温度以上の加熱処理を行う。この処理によって図3(d)および図4(e)に示した様に、キャビティ5の平面視における中心を通る切断線による断面において、キャビティ5の側壁面9の表面が形成する曲線が、キャビティ5の外側に凸な曲線が滑らかな曲線となると同時に、側壁面の表面も滑らかな表面となる。 Next, a heat treatment is performed at a temperature equal to or higher than the softening temperature of the light-shielding resin that constitutes the light-shielding material layer 4. As a result of this treatment, as shown in Figures 3(d) and 4(e), in a cross section taken along a cutting line that passes through the center of the cavity 5 in a plan view, the curve formed by the surface of the side wall surface 9 of the cavity 5 becomes a smooth curve, rather than a curve that is convex outward from the cavity 5, and the surface of the side wall surface also becomes a smooth surface.

遮光性材料層4がネガ型の感光性樹脂層である場合、フォトマスクパターンは、隔壁2の部分が露光される様に形成されている。隔壁2の表面が最も強く露光され、表面から膜厚方向(基板1の表面に近づく方向)に深くなるにつれて、遮光性材料に対する露光量が減少する。露光量が不十分である場合、下地の基板1または平坦化層11と遮光性材料層4との密着性が弱くなり、下地から隔壁2が剥離する問題が生じる。現像後、隔壁2のパターンが剥離しない十分な露光量が必要となる。フォトマスクにより遮蔽され露光されていない部分は現像処理によって除去され、キャビティ5が形成される。 When the light-shielding material layer 4 is a negative photosensitive resin layer, the photomask pattern is formed so that the partition wall 2 portion is exposed. The surface of the partition wall 2 is most strongly exposed, and the amount of exposure to the light-shielding material decreases as the depth from the surface increases in the film thickness direction (toward the surface of the substrate 1). If the exposure amount is insufficient, the adhesion between the underlying substrate 1 or planarization layer 11 and the light-shielding material layer 4 weakens, causing the partition wall 2 to peel off from the underlying substrate. A sufficient amount of exposure is required so that the partition wall 2 pattern does not peel off after development. The unexposed portions shielded by the photomask are removed by the development process, forming cavities 5.

露光された遮光性材料層4は、表面から下地に近づくほど、露光量が少なくなっている為、現像処理によって溶解除去される量が多くなる。遮光性材料層4の溶解除去は、表面から等方的に進行する。その為、現像処理を行うと、遮光性材料層4の露光されていない部分から当方的に溶解除去が進行する事でキャビティ5が形成される。遮光性材料層4の露光されている部分は溶解除去されず残留するが、膜厚方向の深い方向に進むにつれて、露光量が減少する為、溶解除去が容易に進行する。その為、現像が進むにつれて逆テーパ形状が形成される。溶解除去が下地の基板1に到達した時点では、キャビティ5の平面視における中心を通る切断線による断面において、キャビティ5の側壁面9の表面が形成する曲線が、キャビティ5の外側に凸な曲線が形成される(図1(a)参照)。即ち、基板1側から開口部6に向かってテーパ状の形態が形成される。更に現像処理を行うと、下地に近い程、遮光性材料層4が除去され、隔壁2全体として逆テーパ形状(図示省略)となる。更に現状処理を進めると、隔壁2の下地が完全に除去され、隔壁2は剥離する。その為、現像処理は、隔壁2の断面形状が、上側(開口部6側)と下地側(基板1側)で広くなり、上側(開口部6側)と下側(基板1側)の中間部で最も狭くなる様に実施するか、隔壁2全体として逆テーパ形状となる様に実施するのが好ましい。 The amount of light-blocking material layer 4 that is exposed to light decreases as it approaches the substrate, resulting in a greater amount of dissolution and removal during development. Dissolution and removal of the light-blocking material layer 4 proceeds isotropically from the surface. Therefore, during development, the unexposed portions of the light-blocking material layer 4 are dissolved and removed isotropically, forming the cavity 5. The exposed portions of the light-blocking material layer 4 remain undissolved, but the amount of exposure decreases as the thickness increases, allowing for easier dissolution and removal. As development progresses, an inverse tapered shape forms. When the dissolution reaches the substrate 1, the curve formed by the surface of the sidewall 9 of the cavity 5 forms a convex curve outward from the cavity 5 in a cross section taken along a cutting line passing through the center of the cavity 5 in a plan view (see Figure 1(a)). This results in a tapered shape extending from the substrate 1 toward the opening 6. Further development removes more of the light-shielding material layer 4 closer to the base, resulting in an inversely tapered shape for the entire partition wall 2 (not shown). If the current processing is continued further, the base for the partition wall 2 will be completely removed, causing the partition wall 2 to peel off. For this reason, development is preferably performed so that the cross-sectional shape of the partition wall 2 is wider on the upper side (opening 6 side) and base side (substrate 1 side) and is narrowest midway between the upper side (opening 6 side) and the lower side (substrate 1 side), or so that the entire partition wall 2 has an inversely tapered shape.

(4)キャビティの側壁面に散乱反射層を形成する工程(図3(e)および図4(f)参照)
図3(d)または、図4(e)に示す基板のキャビティ5の側壁面9に拡散反射層7を形成する手順について説明する。
図3(d)または、図4(e)の隔壁2の平坦な面およびLED3-1からLED3-3の表面に、図示しない適宜の樹脂マスクを形成する。
次に、白色顔料を、溶剤、バインダー、分散剤、平滑化剤等と混合し、白色顔料が均一に分散された白色塗料をスプレーコート装置を用いて、キャビティ5内に塗布する。そして塗布した白色塗料の溶剤を蒸発させ、さらに密着力を高めるためのベーク処理を行い、拡散反射層7が形成される。
(4) Step of forming a scattering reflection layer on the sidewall surface of the cavity (see FIG. 3(e) and FIG. 4(f)).
The procedure for forming the diffuse reflection layer 7 on the side wall surface 9 of the cavity 5 of the substrate shown in FIG. 3(d) or FIG. 4(e) will be described.
An appropriate resin mask (not shown) is formed on the flat surface of the partition wall 2 and the surfaces of the LEDs 3-1 to 3-3 in FIG. 3(d) or FIG. 4(e).
Next, the white pigment is mixed with a solvent, a binder, a dispersant, a leveling agent, etc., and a white paint in which the white pigment is uniformly dispersed is applied to the inside of the cavity 5 using a spray coater. The solvent in the applied white paint is then evaporated, and a baking process is performed to further increase adhesion, thereby forming the diffuse reflective layer 7.

1・・・基板
2・・・(遮光性材料からなる)隔壁
3、3-1、3-2、3-3・・・LEDチップ
4・・・遮光性材料層
5・・・キャビティ
6・・・開口部
7・・・拡散反射層
8・・・底面
9・・・側壁面
10、10-1、10-2、10-3、10-4・・・マイクロLED表示装置
11・・・平坦化層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Substrate 2... Partition wall (made of light-shielding material) 3, 3-1, 3-2, 3-3... LED chip 4... Light-shielding material layer 5... Cavity 6... Opening 7... Diffuse reflection layer 8... Bottom surface 9... Side wall surface 10, 10-1, 10-2, 10-3, 10-4... Micro LED display device 11... Planarization layer

Claims (6)

少なくとも、基板上にグリッド状に配置された複数のLED素子と、前記複数のLED素子の個々を仕切る隔壁とを有するマイクロLED表示装置であって、
前記隔壁の側壁面が球面状となっており、
前記隔壁の断面における幅が、前記基板と反対側から前記隔壁の中間点に近くなるにつれて狭くなり、当該中間点を過ぎて前記基板側に近くなるにつれて広くなる、ことを特徴とするマイクロLED表示装置。
A micro LED display device having at least a plurality of LED elements arranged in a grid pattern on a substrate and partition walls separating the plurality of LED elements,
The side wall surface of the partition wall is spherical,
A micro LED display device, characterized in that the width of the cross section of the partition narrows as it approaches the midpoint of the partition from the side opposite the substrate, and widens as it passes the midpoint and approaches the substrate side.
前記側壁面の表面に拡散反射層が形成されている事を特徴とする請求項1に記載のマイクロLED表示装置。 The micro LED display device described in claim 1, characterized in that a diffuse reflection layer is formed on the surface of the side wall surface. 前記隔壁と前記LED素子を有する基板の表面の前記隔壁と前記LED素子の間に拡散反射層が形成されている事を特徴とする請求項2に記載のマイクロLED表示装置。 The micro LED display device described in claim 2, characterized in that a diffuse reflection layer is formed between the partition walls and the LED elements on the surface of the substrate bearing the partition walls and the LED elements. 前記複数のLED素子が、赤色、緑色、青色のいずれかを発光することを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマイクロLED表示装置。 A micro LED display device according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the plurality of LED elements emit red, green, or blue light. 前記複数のLED素子が、白色光を発光するLED素子であって、前記隔壁上にカラーフィルタ基板を備えることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載のマイクロLED表示装置。 4. The micro LED display device according to claim 1, wherein the plurality of LED elements are LED elements that emit white light, and a color filter substrate is provided on the partition wall . 前記隔壁が黒色感光性樹脂層である事を特徴とする請求項1~5のいずれかに記載のマイクロLED表示装置。 The micro LED display device described in any one of claims 1 to 5, characterized in that the partition wall is a black photosensitive resin layer.
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