JP7769538B2 - 基板支持台及びリングの交換方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板支持台及びリングの交換方法に関する。

特許文献１に開示のプラズマ処理装置の載置台は、ウェハ載置面と、リング載置面と、リフタピンと、駆動機構と、を備える。ウェハ載置面はウェハを載置する。リング載置面は、第１係合部を有する第１リングと、第１係合部の下面に至る貫通孔を有し第１係合部に係合する第２係合部を有する第２リングと、を載置する。また、リング載置面は、貫通孔に対応する位置に孔を有し、ウェハ載置面の外周側に設けられる。リフタピンは、貫通孔に嵌合する第１保持部と、当該第１保持部の軸方向に連接され第１保持部の外周から突出する突出部を有する第２保持部と、を有する。リフタピンは、第１保持部をリング載置面側にしてリング載置面の孔内に収容される。駆動機構は、リフタピンを昇降可能に駆動する。

特開２０２０－１１３６０３号公報

本開示にかかる技術は、基板支持台が備える２種類のリングを共通のリフタで交換可能にする。

本開示の一態様は、基板載置部と、前記基板載置部を囲むように設けられる第１リングと、前記第１リングを囲み且つ当該第１リングと平面視で重ならないように設けられる第２リングと、その内側部分が平面視で前記第１リングと重なり、その外側部分が平面視で前記第２リングと重なるように、前記第１リング及び前記第２リングの下方に設けられ、前記内側部分に孔を有する第３リングと、前記第３リングの前記孔から上方に突出して前記第１リングと係合する第１係合部と、前記第１係合部の下方に位置し前記第３リングと係合する第２係合部とが設けられたリフタと、前記リフタを昇降させるアクチュエータと、を備える。

本開示によれば、基板支持台が備える２種類のリングを共通のリフタで交換することができる。

本実施形態にかかるプラズマ処理装置を有するプラズマ処理システムの構成の概略を示す平面図である。 処理モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。 図２の部分拡大図である。 ウェハ支持台の周方向にかかる図２とは異なる部分の拡大断面図である。 エッジリング及び外側リングの両方の取り付け処理中の、ウェハ支持台の周囲の状態を示す図である。 エッジリング及び外側リングの両方の取り付け処理中の、ウェハ支持台の周囲の状態を示す図である。 エッジリング及び外側リングの両方の取り付け処理中の、ウェハ支持台の周囲の状態を示す図である。 エッジリング単体の取り付け処理中の、ウェハ支持台の周囲の状態を示す図である。 エッジリングが取り外された状態での外側リングの取り外し処理中の、ウェハ支持台の周囲の状態を示す図である。 外側リング及び搬送リングの他の例を示す図である。 外側リングと搬送リングの位置決め形態の他の例を示す図である。

半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対して、プラズマを用いて、エッチング等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理は、減圧された処理容器内の基板支持台に基板が載置された状態で行われる。

この基板支持台は、基板が載置される基板載置部の他、定期的な交換が必要な消耗部材を備える。消耗部材には、例えば、基板載置部上の基板に隣接するように配置されるエッジリングがある。エッジリングは、プラズマに晒されることによりエッチングされるため、交換が必要となる。エッジリングの交換は、例えば、エッジリングを支持した状態で昇降するリフタと、エッジリングを搬送する搬送装置とを用いて行われる。

ところで、基板支持台には、エッジリングに加えて、エッジリングの外側面を覆うように配置される他のリングも備える場合がある。この他のリングも、プラズマに晒されることによりエッチングされるため、定期的に交換するニーズ、すなわち、消耗部材として扱うニーズがある。
ただし、エッジリングの交換用と上記他のリングの交換用に別々のリフタを設けると、高コストとなってしまう。

そこで、本開示にかかる技術は、基板支持台が備える２種類のリングを共通のリフタで交換可能にする。

以下、本実施形態にかかる基板支持台、プラズマ処理装置及び基板支持台のリングの交換方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜プラズマ処理システム＞
図１は、本実施形態にかかるプラズマ処理装置を有するプラズマ処理システムの構成の概略を示す平面図である。
図１のプラズマ処理システム１では、基板としてのウェハＷに対して、プラズマを用いて例えばエッチング等のプラズマ処理を行う。

プラズマ処理システム１は、大気部１０と減圧部１１とを有し、これら大気部１０と減圧部１１とがロードロックモジュール２０、２１を介して一体に接続されている。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気（真空雰囲気）下においてウェハＷに所望の処理を行う処理モジュール６０を備える。

ロードロックモジュール２０、２１は、ゲートバルブ（図示せず）を介して、大気部１０に含まれるローダモジュール３０と、減圧部１１に含まれるトランスファモジュール５０を連結するように設けられている。ロードロックモジュール２０、２１は、ウェハＷを一時的に保持するように構成されている。また、ロードロックモジュール２０、２１は、内部を大気圧雰囲気と減圧雰囲気とに切り替えられるように構成されている。

大気部１０は、後述する搬送装置４０を備えたローダモジュール３０と、フープ３１を載置するロードポート３２とを有している。フープ３１は、複数のウェハＷを保管可能なものである。なお、ローダモジュール３０には、ウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール（図示せず）、複数のウェハＷを一時的に格納するバッファモジュール（図示せず）等が接続されていてもよい。

ローダモジュール３０は矩形の筐体を有し、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダモジュール３０の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば５つのロードポート３２が並設されている。ローダモジュール３０の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０、２１が並設されている。

ローダモジュール３０の筐体の内部には、ウェハＷを搬送可能に構成された搬送装置４０が設けられている。搬送装置４０は、ウェハＷを搬送時に支持する搬送アーム４１と、搬送アーム４１を回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した基台４３とを有している。また、ローダモジュール３０の内部には、ローダモジュール３０の長手方向に延伸するガイドレール４４が設けられている。基台４３はガイドレール４４上に設けられ、搬送装置４０はガイドレール４４に沿って移動可能に構成されている。

減圧部１１は、トランスファモジュール５０と、プラズマ処理装置としての処理モジュール６０と、収納部としての収納モジュール６１と、を有している。トランスファモジュール５０及び処理モジュール６０の内部（具体的には後述の減圧搬送室５１及びプラズマ処理チャンバ１００の内部）はそれぞれ、減圧雰囲気に維持され、収納モジュール６１の内部も減圧雰囲気に維持される。１つのトランスファモジュール５０に対し、処理モジュール６０は複数、例えば６つ設けられ、収納モジュール６１も複数、例えば２つ設けられている。なお、処理モジュール６０の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に設定することができ、後述のウェハ支持台を備える少なくとも１つの処理モジュールが設けられていればよい。また、収納モジュール６１の数及び配置も本実施形態に限定されず、任意に設定することができ、例えば、少なくとも１つ設けられる。

トランスファモジュール５０は、ウェハＷを搬送するように構成されている。また、トランスファモジュール５０は、後述のエッジリングＥ、外側リングＤ及び搬送リングＴを搬送するように構成されている。
このトランスファモジュール５０は、平面視多角形状（図示の例では平面視四角形状）の筐体を有する減圧搬送室５１を含み、減圧搬送室５１がロードロックモジュール２０、２１に接続されている。

トランスファモジュール５０は、ロードロックモジュール２０に搬入されたウェハＷを一の処理モジュール６０に搬送すると共に、処理モジュール６０で所望のプラズマの処理が行われたウェハＷを、ロードロックモジュール２１を介して大気部１０に搬出する。
また、トランスファモジュール５０は、収納モジュール６１内のエッジリングＥ、外側リングＤ及び搬送リングＴをまとめて一の処理モジュール６０に搬送すると共に、処理モジュール６０内のエッジリングＥ、外側リングＤ及び搬送リングＴをまとめて収納モジュール６１に搬出する場合がある。
さらに、トランスファモジュール５０は、収納モジュール６１内のエッジリングＥを単体で一の処理モジュール６０に搬送すると共に、処理モジュール６０内のエッジリングＥを単体で収納モジュール６１に搬出する場合がある。
また、トランスファモジュール５０は、収納モジュール６１内の外側リングＤ及び搬送リングＴをまとめて一の処理モジュール６０に搬送すると共に、処理モジュール６０内の外側リングＤ及び搬送リングＴをまとめて収納モジュール６１に搬出する場合がある。

処理モジュール６０は、トランスファモジュール５０から搬送されたウェハＷに対し、例えばエッチング等の所望のプラズマ処理を行う。また、処理モジュール６０は、ゲートバルブ６２を介してトランスファモジュール５０に接続されている。なお、この処理モジュール６０の具体的な構成は後述する。

収納モジュール６１は、エッジリングＥ、外側リングＤ及び搬送リングＴを収納する。エッジリングＥは、収納モジュール６１内に単体で収納され、または、外側リングＤを支持した搬送リングＴに支持された状態で収納される。また、外側リングＤは、搬送リングＴに支持された状態で収納される。搬送リングＴは、外側リングＤのみを支持した状態、または、外側リングＤ及びエッジリングＥの両方を支持した状態で収納される。搬送リングＴの具体的な構成は後述する。
また、収納モジュール６１は、ゲートバルブ６３を介してトランスファモジュール５０に接続されている。

トランスファモジュール５０の減圧搬送室５１の内部には、搬送装置７０が設けられている。搬送装置７０は、ウェハＷを保持して搬送可能に構成されている。また、搬送装置７０は、エッジリングＥと外側リングＤを支持した状態及び外側リングＤのみを支持した状態の搬送リングＴを保持して搬送可能に構成されている。さらに、搬送装置７０は、エッジリングＥ単体を保持して搬送可能に構成されている。

この搬送装置７０は、ウェハＷ、上述の状態の搬送リングＴ及びエッジリングＥ単体を搬送時に保持する搬送アーム７１と、搬送アーム７１を回転可能に支持する回転台７２と、回転台７２を搭載した基台７３と、を有している。また、トランスファモジュール５０の減圧搬送室５１の内部には、トランスファモジュール５０の長手方向に延伸するガイドレール７４が設けられている。基台７３はガイドレール７４上に設けられ、搬送装置７０はガイドレール７４に沿って移動可能に構成されている。

トランスファモジュール５０では、ロードロックモジュール２０内で保持されたウェハＷを搬送アーム７１が受け取り、処理モジュール６０に搬入する。また、処理モジュール６０内で保持されたウェハＷを搬送アーム７１が受け取り、ロードロックモジュール２１に搬出する。

さらに、トランスファモジュール５０では、収納モジュール６１内の、エッジリングＥと外側リングＤを支持した状態の搬送リングＴ、外側リングＤのみを支持した状態の搬送リングＴまたはエッジリングＥ単体を搬送アーム７１が受け取り、処理モジュール６０に搬入する場合がある。また、処理モジュール６０内の、エッジリングＥと外側リングＤを支持した状態の搬送リングＴ、外側リングＤのみを支持した状態の搬送リングＴまたはエッジリングＥ単体を搬送アーム７１が受け取り、収納モジュール６１に搬出する場合がある。

さらに、プラズマ処理システム１は制御装置８０を有する。一実施形態において、制御装置８０は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理システム１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御装置８０は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理システム１の他の要素それぞれを制御するように構成され得る。一実施形態において、制御装置８０の一部又は全てがプラズマ処理システム１の他の要素に含まれてもよい。制御装置８０は、例えばコンピュータ９０を含んでもよい。コンピュータ９０は、例えば、処理部（ＣＰＵ：Central Processing Unit）９１、記憶部９２、及び通信インターフェース９３を含んでもよい。処理部９１は、記憶部９２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部９２は、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）、ＳＳＤ（Solid State Drive）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース９３は、ＬＡＮ（Local Area Network）等の通信回線を介してプラズマ処理システム１の他の要素との間で通信してもよい。

＜プラズマ処理システム１のウェハ処理＞
次に、以上のように構成されたプラズマ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。

まず、搬送装置４０によって、所望のフープ３１からウェハＷが取り出され、ロードロックモジュール２０に搬入される。その後ロードロックモジュール２０内が密閉され、減圧される。その後、ロードロックモジュール２０の内部とトランスファモジュール５０の内部が連通される。

次に、搬送装置７０によってウェハＷが保持され、ロードロックモジュール２０からトランスファモジュール５０に搬送される。

次に、ゲートバルブ６２が開放され、搬送装置７０によって所望の処理モジュール６０にウェハＷが搬入される。その後、ゲートバルブ６２が閉じられ、処理モジュール６０においてウェハＷに所望の処理が行われる。なお、この処理モジュール６０においてウェハＷに対して行われる処理については後述する。

次に、ゲートバルブ６２が開放され、搬送装置７０によって処理モジュール６０からウェハＷが搬出される。その後、ゲートバルブ６２が閉じられる。

次に、搬送装置７０によって、ロードロックモジュール２１にウェハＷが搬入される。ロードロックモジュール２１にウェハＷが搬入されると、ロードロックモジュール２１内が密閉され、大気開放される。その後、ロードロックモジュール２１の内部とローダモジュール３０の内部が連通される。

次に、搬送装置４０によってウェハＷが保持され、ロードロックモジュール２１からローダモジュール３０を介して所望のフープ３１に戻されて収容される。これで、プラズマ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。

＜処理モジュール６０＞
続いて、処理モジュール６０について、図２及び図３を用いて説明する。図２は、処理モジュール６０の構成の概略を示す縦断面図である。図３は、図２の部分拡大図である。図４は、後述のウェハ支持台１０１の周方向にかかる図２とは異なる部分の拡大断面図である。

図２に示すように、処理モジュール６０は、処理容器としてのプラズマ処理チャンバ１００、ガス供給部１３０、ＲＦ（Radio Frequency：高周波）電力供給部１４０及び排気システム１５０を含む。また、処理モジュール６０は、ガス供給部１２５（図４参照）も含む。さらに、処理モジュール６０は、基板支持台としてのウェハ支持台１０１及び上部電極１０２を含む。

ウェハ支持台１０１は、減圧可能に構成されたプラズマ処理チャンバ１００内のプラズマ処理空間１００ｓの下部領域に配置される。上部電極１０２は、ウェハ支持台１０１の上方に配置され、プラズマ処理チャンバ１００の天部（ceiling）の一部として機能し得る。

ウェハ支持台１０１は、プラズマ処理空間１００ｓにおいてウェハＷを支持するように構成される。一実施形態において、ウェハ支持台１０１は、下部電極１０３、静電チャック１０４、支持体１０５、絶縁体１０６、リフタ１０７、リフタ１０８、エッジリングＥ、外側リングＤ及び搬送リングＴを含む。

下部電極１０３は、例えばアルミニウム等の導電性材料で形成されている。一実施形態において、下部電極１０３の内部には、温調流体の流路１０９が形成されている。流路１０９には、プラズマ処理チャンバ１００の外部に設けられたチラーユニット（図示せず）から温調流体が供給される。流路１０９に供給された温調流体は、チラーユニットに戻るようになっている。流路１０９の中に、温調流体として例えば低温のブラインを循環させることによって、例えば、ウェハ支持台１０１、ウェハ支持台１０１に載置されたウェハＷ、エッジリングＥまたは外側リングＤを所定の温度に冷却することができる。流路１０９の中に、温調流体として例えば高温のブラインを循環させることによって、例えば、ウェハ支持台１０１、ウェハ支持台１０１に載置されたウェハＷ、エッジリングＥまたは外側リングＤを所定の温度に加熱することができる。
なお、ウェハ支持台１０１に温調機構を設ける場合、温調機構の形態は、上述の流路１０９に限られず、例えば抵抗加熱式のヒータ等、他の形態であってもよい。また、ウェハ支持台１０１において温調機構が配設される部材は、下部電極１０３に限られず、他の部材であってもよい。

静電チャック１０４は、下部電極１０３上に設けられている。静電チャック１０４は、ウェハＷが載置されるものであり、一実施形態において、その中央部が基板載置部を構成する。また、一実施形態において、静電チャック１０４は、エッジリングＥも載置される。静電チャック１０４は、ウェハＷとエッジリングＥとの両方を静電力により吸着保持してもよい。一実施形態において、静電チャック１０４は、周縁部の上面に比べて中央部の上面が高く形成され、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａにウェハＷが載置され、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂにエッジリングＥが載置される。

エッジリングＥは、静電チャック１０４の中央部（具体的には中央部の外周）を囲むように設けられる部材である。言い換えると、エッジリングＥは、静電チャック１０４に載置された（具体的には静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに載置された）ウェハＷを囲むように配置される部材である。エッジリングＥは、本開示にかかる「第１リング」の一例であり、環状に形成され、より具体的には、平面視円環状に形成されている。
エッジリングＥの材料には、Ｓｉ、ＳｉＯ_２等の導電性材料が用いられる。

エッジリングＥの外側面を覆う部材が外側リングＤである。外側リングＤは、言い換えると、エッジリングＥ（具体的にはエッジリングＥの外周）を囲むように設けられる部材である。また、外側リングＤは、本開示にかかる「第２リング」の一例であり、環状に形成され、より具体的には、平面視円環状に形成されている。
外側リングＤの材料には、Ｓｉ、ＳｉＣ等の導電性材料が用いられる。エッジリングＥの材料と外側リングＤの材料とは同じであってもよいし、異なってもよい。

この外側リングＤは、エッジリングＥと平面視で重ならないように設けられる。具体的には、外側リングＤは、エッジリングＥと同心としたときに平面視で当該エッジリングＥと重ならないように形成されている。より具体的には、例えば、外側リングＤの最内周部の直径が、エッジリングＥの最外周部の直径より大きくなるように、外側リングＤは形成されている。
ウェハ支持台１０１における外側リングＤの交換は、搬送リングＴを用いて行われる。エッジリングＥの交換にも搬送リングＴが用いられることがある。

搬送リングＴは、平面視で、その内側部分がエッジリングＥと重なり、その外側部分が外側リングＤと重なるように、エッジリングＥ及び外側リングＤの下方に設けられる部材である。また、搬送リングＴは、本開示にかかる「第３リング」及び「内側リング」の一例であり、環状に形成され、より具体的には、平面視円環状に形成されている。例えば、搬送リングＴの最内周部の直径が、エッジリングＥの最外周部の直径より小さく、且つ、搬送リングＴの最外周部の直径が、外側リングＤの最内周部の直径より大きくなるように、搬送リングＴは形成されている。

搬送リングＴの材料には、例えば、ＳｉＯ_２、セラミックス材料（例えばＡｌ_２Ｏ_３）等の絶縁性材料が用いられる。また、搬送リングＴの材料は、エッジリングＥより電気抵抗率が高い、Ｓｉ、ＳｉＣ等の導電性材料、すなわち、エッジリングＥの材料より電気抵抗率が高くなるよう不純物濃度が調整された、Ｓｉ、ＳｉＣ等の導電性材料であってもよい。

また、搬送リングＴは、リフタ１０８それぞれに対応する位置に、リフタ１０８が挿通される孔Ｔａを有する。孔Ｔａは、平面視でエッジリングＥの外周部と重なる搬送リングＴの内周部に、当該搬送リングＴを貫通するように設けられている。
一実施形態において、図３に示すように、外側リングＤの最内周部には、外側リングＤの径方向外側に凹む凹部Ｄａが全周に亘って形成されている。搬送リングＴは、外側リングＤの凹部Ｄａに収まるように形成されている。

静電チャック１０４の中央部には、図２に示すように、ウェハＷを静電吸着により保持するための電極１１０が設けられている。静電チャック１０４の周縁部に、エッジリングＥを静電吸着により保持するための電極１１１が設けられていてもよい。電極１１１は、具体的には、平面視で、エッジリングＥと重なり且つ搬送リングＴと重ならない部分に設けられている。静電チャック１０４は、例えば絶縁材料からなる絶縁材の間に電極１１０、１１１を挟んだ構成を有する。

電極１１０には、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａにウェハＷが吸着保持される。同様に、電極１１１には、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加される。これにより生じる静電力により、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂにエッジリングＥが吸着保持される。電極１１１は、例えば、一対の電極１１１ａ、１１１ｂを含む双極型である。
本実施形態において、電極１１０が設けられる静電チャック１０４の中央部と、電極１１１が設けられる周縁部とは一体となっているが、これら中央部と周縁部とは別体であってもよい。
また、本実施形態において、エッジリングＥを吸着保持するための電極１１１は、双極型であるものとしたが、単極型であってもよい。

また、静電チャック１０４の中央部は、例えば、ウェハＷの直径よりも小径に形成されており、ウェハＷが静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに載置されたときに、ウェハＷの周縁部が静電チャック１０４の中央部から張り出すようになっている。
なお、エッジリングＥは、その上部に段差が形成されており、外周部の上面が内周部の上面より高く形成されている。エッジリングＥの内周部は、静電チャック１０４の中央部から張り出したウェハＷの周縁部の下側にもぐり込むように形成されている。つまり、エッジリングＥは、その内径が、ウェハＷの外径よりも小さく形成されている。

支持体１０５は、例えば石英等の絶縁性材料を用いて、平面視環状に形成された部材であり、下部電極１０３及び静電チャック１０４を支持する。一実施形態において、支持体１０５には、外側リングＤ及び搬送リングＴが載置される。

静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａは、ウェハＷが載置される基板載置面となる。また、支持体１０５の上面１０５ａは、外側リングＤ及び搬送リングＴが載置されるリング載置面となり、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂは、前述の基板載置部と上記リング載置面との間に位置する、エッジリングＥが載置される別のリング載置面となる。

絶縁体１０６は、セラミック等で形成された円筒状の部材であり、支持体１０５を支持する。絶縁体１０６は、例えば、支持体１０５の外径と同等の外径を有するように形成され、支持体１０５の周縁部を支持する。

リフタ１０７は、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに対して昇降する部材であり、例えば、セラミックを材料として柱状に形成される。リフタ１０７は、上昇したときに、その上端が上記上面１０４ａから突出し、ウェハＷを支持することが可能である。このリフタ１０７により、ウェハ支持台１０１と搬送装置７０の搬送アーム７１との間でウェハＷを受け渡すことができる。
なお、リフタ１０７は、互いに間隔を空けて３本以上設けられ、上下方向に延びるように設けられている。

リフタ１０７は、アクチュエータ１１２によって昇降する。アクチュエータ１１２は、例えば、複数のリフタ１０７を支持する支持部材１１３と、支持部材１１３を昇降させる駆動力を発生させ、複数のリフタ１０７を昇降させる駆動部１１４とを有する。駆動部１１４は、上記駆動力を発生する駆動源として、例えばモータ（図示せず）を有する。

リフタ１０７は、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａに上端が開口する挿通孔１１５に挿通される。挿通孔１１５は、例えば、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａから下方に延び下部電極１０３の底面まで至るように形成されている。

リフタ１０８は、前述のリング載置面を構成する支持体１０５の上面１０５ａに対して昇降する昇降部材であり、例えばセラミックを材料として柱状に形成される。リフタ１０８は、上昇したときに、その上端が支持体１０５の上面１０５ａから突出可能に構成されている。リフタ１０８は、具体的には、支持体１０５の内周部の上面１０５ａにおける平面視でエッジリングＥと搬送リングＴと重なる位置から突出可能に構成されている。
なお、リフタ１０８は、静電チャック１０４の周方向に沿って、互いに間隔を空けて３本以上設けられ、上下方向に延びるように設けられている。

リフタ１０８は、アクチュエータ１１６によって昇降する。アクチュエータ１１６は、例えば、複数のリフタ１０８を支持する支持部材１１７と、支持部材１１７を昇降させる駆動力を発生させ、複数のリフタ１０７を昇降させる駆動部１１８とを有する。駆動部１１８は、上記駆動力を発生する駆動源として、例えばモータ（図示せず）を有する。

リフタ１０８は、外側リングＤ及び搬送リングＴを支持する支持体１０５の上面１０５ａに上端が開口する挿通孔１１９に挿通される。挿通孔１１９は、支持体１０５の内周部に、例えば支持体１０５を貫通するように形成されている。

また、リフタ１０８は、図３に示すように、第１係合部１０８ａと第２係合部１０８ｂとを有する。
第１係合部１０８ａは、リフタ１０８の上部により構成され、搬送リングＴの孔Ｔａから上方に突出して、エッジリングＥと係合する。第１係合部１０８ａは、リフタ１０８が上昇したときに、搬送リングＴの孔Ｔａを通過し、エッジリングＥの底面に当接し、これにより、エッジリングＥを底面から支持するように構成されている。

第２係合部１０８ｂは、第１係合部１０８ａの下方に位置し、搬送リングＴと係合する。具体的には、第２係合部１０８ｂは、搬送リングＴの孔Ｔａを通過せずに搬送リングＴの底面に当接し、これにより、搬送リングＴを底面から支持するように構成されている。
また、第２係合部１０８ｂは、リフタ１０８の軸方向に沿って、第１係合部１０８ａの基端側に連接されている。また、第２係合部１０８ｂは、第１係合部１０８ａに連接する位置に、第１係合部１０８ａの外周から外側に向けて突出する突出部１０８ｃを有する。

第１係合部１０８ａ、第２係合部１０８ｂ及び突出部１０８ｃの具体的な形状は特に限定されない。例えば、第１係合部１０８ａ、第２係合部１０８ｂ及び突出部１０８ｃはそれぞれ、円柱状部材であって、互いに同軸となっていてもよい。

前述のアクチュエータ１１６は、第２係合部１０８ｂに搬送リングＴが係合したリフタ１０８を昇降させて、搬送リングＴに係合した外側リングＤを昇降させる。
また、アクチュエータ１１６は、第１係合部１０８ａにエッジリングＥが係合したリフタ１０８を昇降させて、エッジリングＥを昇降させる。

静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａには、当該上面１０４ａに載置されたウェハＷの裏面に伝熱ガスを供給するため、ガス供給穴（図示せず）が形成されている。ガス供給穴からは、ガス供給部（図示せず）からの伝熱ガスが供給される。ガス供給部は、１又はそれ以上のガスソース及び１又はそれ以上の圧力制御器を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部は、例えば、ガスソースからの伝熱ガスを、圧力制御器を介して上記ガス供給穴に供給するように、構成される。

さらに、図４に示すように、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂに対しては、伝熱ガス供給路１２０が形成されている。伝熱ガス供給路１２０は、上面１０４ｂに載置されたエッジリングＥの裏面に、ヘリウムガス等の伝熱ガスを供給する。伝熱ガス供給路１２０は、上面１０４ｂに流体連通するように設けられている。また、伝熱ガス供給路１２０の上面１０４ｂとは反対側は、ガス供給部１２５と流体連通している。ガス供給部１２５は、１又はそれ以上のガスソース１２６及び１又はそれ以上の流量制御器１２７を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部１２５は、例えば、ガスソース１２１から流量制御器１２７を介して伝熱ガス供給路に供給するように構成される。各流量制御器１２７は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。

図２に示すように、上部電極１０２は、ガス供給部１３０からの１又はそれ以上の処理ガスをプラズマ処理空間１００ｓに供給するシャワーヘッドとしても機能する。一実施形態において、上部電極１０２は、ガス入口１０２ａ、ガス拡散室１０２ｂ、及び複数のガス出口１０２ｃを有する。ガス入口１０２ａは、例えば、ガス供給部１３０及びガス拡散室１０２ｂと流体連通している。複数のガス出口１０２ｃは、ガス拡散室１０２ｂ及びプラズマ処理空間１００ｓと流体連通している。一実施形態において、上部電極１０２は、１又はそれ以上の処理ガスをガス入口１０２ａからガス拡散室１０２ｂ及び複数のガス出口１０２ｃを介してプラズマ処理空間１００ｓに供給するように構成される。

ガス供給部１３０は、１又はそれ以上のガスソース１３１及び１又はそれ以上の流量制御器１３２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部１３０は、例えば、１又はそれ以上の処理ガスを、それぞれに対応のガスソース１３１からそれぞれに対応の流量制御器１３２を介してガス入口１０２ａに供給するように構成される。各流量制御器１３２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部１３０は、１又はそれ以上の処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

ＲＦ電力供給部１４０は、ＲＦ電力、例えば１又はそれ以上のＲＦ信号を、下部電極１０３、上部電極１０２、又は、下部電極１０３及び上部電極１０２の双方のような１又はそれ以上の電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１００ｓに供給された１又はそれ以上の処理ガスからプラズマが生成される。したがって、ＲＦ電力供給部１４０は、プラズマ処理チャンバにおいて１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。ＲＦ電力供給部１４０は、例えば、２つのＲＦ生成部１４１ａ、１４１ｂ及び２つの整合回路１４２ａ、１４２ｂを含む。一実施形態において、ＲＦ電力供給部１４０は、第１のＲＦ信号を第１のＲＦ生成部１４１ａから第１の整合回路１４２ａを介して下部電極１０３に供給するように構成される。例えば、第１のＲＦ信号は、２７ＭＨｚ～１００ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。

また、一実施形態において、ＲＦ電力供給部１４０は、第２のＲＦ信号を第２のＲＦ生成部１４１ｂから第２の整合回路１４２ｂを介して下部電極１０３に供給するように構成される。例えば、第２のＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有してもよい。代わりに、第２のＲＦ生成部１４１ｂに代えて、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）パルス生成部を用いてもよい。

さらに、図示は省略するが、本開示においては他の実施形態が考えられる。例えば、代替実施形態において、ＲＦ電力供給部１４０は、第１のＲＦ信号をＲＦ生成部から下部電極１０３に供給し、第２のＲＦ信号を他のＲＦ生成部から下部電極１０３に供給し、第３のＲＦ信号をさらに他のＲＦ生成部から下部電極１０３に供給するように構成されてもよい。加えて、他の代替実施形態において、ＤＣ電圧が上部電極１０２に印加されてもよい。

またさらに、種々の実施形態において、１又はそれ以上のＲＦ信号（すなわち、第１のＲＦ信号、第２のＲＦ信号等）の振幅がパルス化又は変調されてもよい。振幅変調は、オン状態とオフ状態との間、あるいは、２又はそれ以上の異なるオン状態の間でＲＦ信号振幅をパルス化することを含んでもよい。

排気システム１５０は、例えばプラズマ処理チャンバ１００の底部に設けられた排気口１００ｅに接続され得る。排気システム１５０は、圧力弁及び真空ポンプを含んでもよい。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、粗引きポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

＜処理モジュール６０のウェハ処理＞
次に、処理モジュール６０を用いて行われるウェハ処理の一例について説明する。なお、処理モジュール６０では、ウェハＷに対して、例えばエッチング処理等の処理を行う。

先ず、搬送装置７０により、プラズマ処理チャンバ１００の内部にウェハＷが搬入され、リフタ１０７の昇降により静電チャック１０４上にウェハＷが載置される。その後、静電チャック１０４の電極１１０に直流電圧が印加され、これにより、ウェハＷが、静電力によって静電チャック１０４に静電吸着され、保持される。また、ウェハＷの搬入後、排気システム１５０によってプラズマ処理チャンバ１００の内部が所定の真空度まで減圧される。

次に、ガス供給部１３０から上部電極１０２を介してプラズマ処理空間１００ｓに処理ガスが供給される。また、ＲＦ電力供給部１４０からプラズマ生成用の高周波電力ＨＦが下部電極１０３に供給され、これにより、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、ＲＦ電力供給部１４０からイオン引き込み用の高周波電力ＬＦが供給されてもよい。そして、生成されたプラズマの作用によって、ウェハＷにプラズマ処理が施される。

なお、プラズマ処理中、静電チャック１０４の電極１１１に直流電圧が印加され、これにより、エッジリングＥが、静電力によって静電チャック１０４に静電吸着され、保持される。また、プラズマ処理中、静電チャック１０４に吸着保持されたウェハＷ及びエッジリングＥの底面に向けて、伝熱ガス供給路１２０等を介して、伝熱ガスが供給される。

プラズマ処理を終了する際には、ＲＦ電力供給部１４０からの高周波電力ＨＦの供給及びガス供給部１３０からの処理ガスの供給が停止される。プラズマ処理中に高周波電力ＬＦを供給していた場合には、当該高周波電力ＬＦの供給も停止される。次いで、静電チャック１０４によるウェハＷの吸着保持が停止される。また、ウェハＷの底面への伝熱ガスの供給が停止されるようにしてもよい。

その後、リフタ１０７によりウェハＷを上昇させ、静電チャック１０４からウェハＷを離脱させる。この離脱の際には、ウェハＷの除電処理を行ってもよい。そして、搬送装置７０によって、プラズマ処理チャンバ１００からウェハＷを搬出して、一連のウェハ処理が終了する。

＜外側リングＤの作用効果及び搬送リングＴを設けた理由＞
処理モジュール６０において、外側リングＤは導電性材料で形成されている。したがって、外側リングＤが絶縁性材料で形成されている場合と異なり、プラズマ処理の際に、外側リングＤの上方にシースが形成される。そのため、以下の効果がある。

（１）シースにより反応生成物が外側リングＤに付着しにくいため、外側リングＤに付着した反応生成物に起因したパーティクルがウェハＷに影響を及ぼすのを抑制することができる。
（２）シースにより外側リングＤの消耗が少ないため、外側リングＤを長寿命化することができる。
（３）外側リングＤの消耗が少ない結果、外側リングＤの消耗に起因したウェハＷの周縁部のエッチングレートの低下を抑制することができる。

ただし、外側リングＤもエッジリングＥと消耗するため、交換の必要があるが、消耗度合いは外側リングＤとエッジリングＥとでは異なる。そのため、外側リングＤとエッジリングＥとを別々に交換可能であることが好ましい。しかし、別々に交換するために外側リングＤとエッジリングＥとで個別にリフタ１０８を設けると高コストとなってしまう。高コスト化を防ぐためには、リング間で共通のリフタ１０８を利用することが好ましい。

また、導電性材料で形成された外側リングＤは、プラズマ処理中、電気的に浮いた状態にあるため、同様に導電性材料で形成されているエッジリングＥとの間でプラズマの影響により電位差が生じる。そのため、外側リングＤとエッジリングＥとの間の隙間が小さいと、上記電位差が大きくなった時等に異常放電が生じるおそれがある。また、外側リングＤとエッジリングＥとが平面視で重なるようにした場合、両者の間の隙間を大きく（例えば２ｍｍ以上）にすることは難しい。
したがって、本実施形態では、外側リングＤとエッジリングＥとが平面視で重ならず、外側リングＤの外周部とエッジリングＥの内周部との間に比較的な大きな隙間（例えば室温で０．１ｍｍ～３ｍｍ、より好ましくは、０．２ｍｍ～２．５ｍｍ）を設けるようにしている。

さらに、外側リングＤとエッジリングＥが上述のように形成される場合、対策を施さないと、リング間で共通のリフタ１０８を利用して、外側リングＤとエッジリングＥとの両方を交換することはできない。
そこで、外側リングＤとエッジリングＥとの両方を支持可能に構成された搬送リングＴと、エッジリングＥに係合する第１係合部１０８ａ及び外側リングＤを支持した搬送リングＴに係合する第２係合部１０８ｂを有するリフタ１０８を用いている。以下では、搬送リングＴ及びリフタ１０８を用いたエッジリングＥ及び外側リングＤの交換処理について説明する。

＜交換処理＞
まず、プラズマ処理システム１における、ウェハ支持台１０１のエッジリングＥ及び外側リングＤを同時に取り付ける処理の一例について、図５～図７を用いて説明する。図５～図７は、上記処理中のウェハ支持台１０１の周囲の状態を示す図である。なお、以下の処理は、制御装置８０による制御の下、行われる。

（ステップＳ１：搬入）
まず、収納モジュール６１内の、エッジリングＥ及び外側リングＤを支持した搬送リングＴが、搬送装置７０により、エッジリングＥ及び外側リングＤの取り付け対象である処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内に搬入される。
具体的には、収納モジュール６１内の上記搬送リングＴが、搬送装置７０の搬送アーム７１によって保持される。次いで、上記取り付け対象である処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、上記搬送リングＴを保持した搬送アーム７１が挿入される。この際、プラズマ処理チャンバ１００は減圧されていてもよい。そして、図５に示すように、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂ及び支持体１０５の上面１０５ａの上方へ、上記搬送リングＴが搬送アーム７１によって搬送される。

（ステップＳ２：載置）
続いて、エッジリングＥ及び外側リングＤが、搬送装置７０から静電チャック１０４及び支持体１０５に載置される。

具体的には、全てのリフタ１０８の上昇が行われ、図６に示すように、エッジリングＥが、搬送アーム７１に保持された搬送リングＴから、搬送リングＴの孔Ｔａを通過したリフタ１０８の第１係合部１０８ａへ、受け渡される。その後、全てのリフタ１０８の上昇が継続され、図７に示すように、搬送アーム７１からリフタ１０８の第２係合部１０８ｂへ、外側リングＤを支持した搬送リングＴが受け渡される。この際、リフタ１０８の上昇は、第２係合部１０８ｂの頂部が第１の所定の高さになるまで、行われる。ここでの第１の所定の高さは、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａと、第２係合部１０８ｂに支持された搬送された搬送リングＴ及び当該搬送リングＴに支持された外側リングＤとの間を、搬送アーム７１を挿抜させたときに、当該搬送アーム７１が外側リングＤ及び搬送リングＴ等と干渉しない高さである。

続いて、搬送アーム７１のプラズマ処理チャンバ１００からの抜き出しが行われる。また、リフタ１０８の下降が行われる。これにより、エッジリングＥ、外側リングＤ及び搬送リングＴが静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂ及び支持体１０５の上面１０５ａに載置される。具体的には、まず、搬送リングＴ及び外側リングＤが支持体１０５の上面１０５ａに載置され、次いで、エッジリングＥが静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂに載置される。つまり、エッジリングＥについては、支持体１０５の上面１０５ａ（すなわちリング載置面）に搬送リングＴ及び外側リングＤが載置された状態で、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂ（すなわち別のリング載置面）に載置される。
これで、エッジリングＥ及び外側リングＤを同時に取り付ける一連の処理が完了する。

なお、エッジリングＥの載置後、静電チャック１０４に設けられた電極１１１に、直流電源（図示せず）からの直流電圧が印加され、これによって生じる静電力により、エッジリングＥが吸着保持されてもよい。
また、一実施形態において、エッジリングＥの載置後の状態において、エッジリングＥの下面と搬送リングＴの上面との間には小さな隙間が設けられている。これは、エッジリングＥが静電チャック１０４に適切に載置されるようにするためである。

続いて、プラズマ処理システム１におけるウェハ支持台１０１のエッジリングＥ及び外側リングＤを同時に取り外す処理の一例について説明する。

（ステップＳ１１：エッジリングＥ及び外側リングＤの受け渡し）
まず、エッジリングＥ及び外側リングＤが、静電チャック１０４上からリフタ１０８に受け渡される。

具体的には、まず、電極１１１へ直流電圧の印加が行われていた場合は、当該引火が停止され、エッジリングＥの静電チャック１０４への吸着保持が解除される。
次いで、全てのリフタ１０８の上昇が行われ、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂから、挿通孔１１９及び搬送リングＴの孔Ｔａを通過したリフタ１０８の第１係合部１０８ａへ、エッジリングＥが受け渡される（後述の図８参照）。その後、全てのリフタ１０８の上昇が継続され、支持体１０５の上面１０５ａから、リフタ１０８の第２係合部１０８ｂへ、外側リングＤを支持した搬送リングＴが受け渡される。この際、リフタ１０８の上昇は、第２係合部１０８ｂの頂部が前述の第１の所定の高さになるまで行われる。

（ステップＳ１２：）
続いて、エッジリングＥ及び外側リングＤが、処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内から搬出される。

具体的には、減圧されたプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、搬送アーム７１が挿入される。そして、図７に示すように、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａと、リフタ１０８の第２係合部１０８ｂに支持された搬送リングＴ及び当該搬送リングＴに支持された外側リングＤとの間に、搬送アーム７１が移動される。

次いで、全てのリフタ１０８の下降が行われ、図６に示すように、リフタ１０８の第２係合部１０８ｂから搬送アーム７１へ、外側リングＤを支持した搬送リングＴが受け渡される。その後、全てのリフタ１０８の下降が継続され、図５に示すように、リフタ１０８の第１係合部１０８ａから搬送アーム７１に支持された搬送リングＴへ、エッジリングＥが受け渡される。
続いて、搬送アーム７１がプラズマ処理チャンバ１００から抜き出され、外側リングＤ及びエッジリングＥを支持した搬送リングＴが、処理モジュール６０外へ搬出される。搬出された外側リングＤ及びエッジリングＥを支持した搬送リングＴは、収納モジュール６１内に搬入される。
これで、エッジリングＥ及び外側リングＤを同時に取り外す一連の処理が完了する。

次に、エッジリングＥ単体の取り外し処理の一例について、図８を用いて説明する。図８は、上記処理中のウェハ支持台１０１の周囲の状態を示す図である。

（ステップＳ２１：エッジリングＥの受け渡し）
まず、エッジリングＥが、静電チャック１０４上からリフタ１０８に受け渡される。

具体的には、まず、電極１１１への直流電圧の印加が行われていた場合は、当該印加が停止され、エッジリングＥの静電チャック１０４の吸着保持が解除される。
次いで、全てのリフタ１０８の上昇が行われ、図８に示すように、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂから、挿通孔１１９及び搬送リングＴの孔Ｔａを通過したリフタ１０８の第１係合部１０８ａへ、エッジリングＥが受け渡される。この際、リフタ１０８の上昇は、第２係合部１０８ｂへ搬送リングＴが受け渡されない範囲で行われ、また、第１係合部１０８ａの頂部が第２の所定の高さになるまで行われる。ここでの第２の所定の高さは、支持体１０５に載置された外側リングＤと第１係合部１０８ａに支持されたエッジリングＥとの間を、搬送アーム７１を挿抜させたときに、当該搬送アーム７１が、エッジリングＥ及び外側リングＤ等と干渉しない高さである。

（ステップＳ２２：搬出）
続いて、エッジリングＥが処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内から搬出される。
具体的には、減圧されたプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、搬送アーム７１が挿入される。そして、支持体１０５に載置された外側リングＤと、リフタ１０８の第１係合部１０８ａに支持されたエッジリングＥとの間に、搬送アーム７１が移動される。

次いで、全てのリフタ１０８の下降が行われ、リフタ１０８の第１係合部１０８ａから搬送アーム７１へ、エッジリングＥが受け渡される。続いて、搬送アーム７１がプラズマ処理チャンバ１００から抜き出され、エッジリングＥ単体が、処理モジュール６０外へ搬出される。搬出されたエッジリングＥは、収納モジュール６１内に搬入される。
これで、一連の、エッジリングＥ単体の取り外し処理が完了する。

次に、エッジリングＥ単体を取り付ける処理の一例について説明する。

（ステップＳ３１：搬入）
まず、収納モジュール６１内のエッジリングＥが、搬送装置７０により、エッジリングＥの取り付け対象である処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内に搬入される。
具体的には、収納モジュール６１内のエッジリングＥが、搬送装置７０の搬送アーム７１によって保持される。次いで、上記取り付け対象である処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、エッジリングＥを保持した搬送アーム７１が挿入される。この際、プラズマ処理チャンバ１００は減圧されていてもよい。そして、静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂの上方へ、エッジリングＥが搬送アーム７１によって搬送される。このとき、支持体１０５の上面１０５ａには搬送リングＴ及び外側リングＤが載置された状態である。

（ステップＳ３２：載置）
続いて、エッジリングＥが、搬送装置７０から静電チャック１０４に載置される。

具体的には、全てのリフタ１０８の上昇が行われ、エッジリングＥが、搬送アーム７１から、搬送リングＴの孔Ｔａを通過したリフタ１０８の第１係合部１０８ａへ、受け渡される。この際、リフタ１０８の上昇は、第１係合部１０８ａの頂部が前述の第２の所定の高さになるまで行われる。
続いて、搬送アーム７１のプラズマ処理チャンバ１００からの抜き出しが行われる。また、リフタ１０８の下降が行われる。これにより、エッジリングＥが静電チャック１０４の周縁部の上面１０４ｂに載置される。
これで、一連の、エッジリングＥ単体の取り付け処理が完了する。

続いて、エッジリングＥが取り外された状態での、外側リングＤの取り外し処理の一例について、図９を用いて説明する。図９は、上記処理中のウェハ支持台１０１の周囲の状態を示す図である。

（ステップＳ４１：外側リングＤの受け渡し）
まず、外側リングＤを支持した搬送リングＴが、静電チャック１０４上からリフタ１０８に受け渡される。

具体的には、まず、全てのリフタ１０８の上昇が行われ、図９に示すように、支持体１０５の上面１０５ａから、挿通孔１１９及び搬送リングＴの孔Ｔａを通過したリフタ１０８の第２係合部１０８ｂへ、エッジリングＥが受け渡される。この際、リフタ１０８の上昇は、第２係合部１０８ｂの頂部が前述の第１の所定の高さになるまで行われる。

（ステップＳ４２：搬出）
続いて、外側リングＤを支持した搬送リングＴが処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内から搬出される。
具体的には、減圧されたプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、搬送アーム７１が挿入される。そして、静電チャック１０４の中央部の上面１０４ａと、リフタ１０８の第２係合部１０８ｂに支持された搬送リングＴ及び当該搬送リングＴに支持された外側リングＤとの間に、搬送アーム７１が移動される。

次いで、全てのリフタ１０８の下降が行われ、リフタ１０８の第２係合部１０８ｂから搬送アーム７１へ、外側リングＤを支持した搬送リングＴが受け渡される。続いて、搬送アーム７１がプラズマ処理チャンバ１００から抜き出され、外側リングＤを支持した搬送リングＴが、処理モジュール６０外へ搬出される。搬出された、外側リングＤを支持した搬送リングＴは、収納モジュール６１内に搬入される。
これで、一連の、エッジリングＥが取り外された状態での、外側リングＤの取り外し処理が完了する。

次に、外側リングＤ単体の取り付け処理の一例について説明する。

（ステップＳ５１：搬入）
まず、収納モジュール６１内の外側リングＤのみを支持した搬送リングＴが、搬送装置７０により、外側リングＤの取り付け対象である処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内に搬入される。
具体的には、収納モジュール６１内の外側リングのみを支持した搬送リングＴが、搬送装置７０の搬送アーム７１によって保持される。次いで、上記取り付け対象である処理モジュール６０のプラズマ処理チャンバ１００内に、搬入出口（図示せず）を介して、上記搬送リングＴを保持した搬送アーム７１が挿入される。この際、プラズマ処理チャンバ１００は減圧されていてもよい。そして、支持体１０５の上面１０５ａの上方へ、上記搬送リングＴが搬送アーム７１によって搬送される。

（ステップＳ５２：載置）
続いて、エッジリングＥが、搬送装置７０から静電チャック１０４に載置される。

具体的には、全てのリフタ１０８の上昇が行われ、外側リングＤのみを支持した搬送リングＴが、搬送アーム７１から、搬送リングＴの孔Ｔａを通過したリフタ１０８の第２係合部１０８ｂへ、受け渡される。この際、リフタ１０８の上昇は、第２係合部１０８ｂの頂部が前述の第１の所定の高さになるまで行われる。
続いて、搬送アーム７１のプラズマ処理チャンバ１００からの抜き出しが行われる。また、リフタ１０８の下降が行われる。これにより、外側リングＤ及び搬送リングＴが支持体１０５の上面１０５ａに載置される。
これで、一連の、外側リングＤ単体の取り付け処理が完了する。

＜効果等＞
以上のように、本実施形態によれば、ウェハ支持台１０１が備える、エッジリングＥと外側リングＤとの２種類のリングを、共通のリフタ１０８で交換することができる。
また、本実施形態によれば、エッジリングＥ及び外側リングＤの同時交換とエッジリングＥ単体での交換とを選択的に行うことができる。そのため、エッジリングＥの方が外側リングＤより消耗度合いが大きい場合に、エッジリングＥと外側リングＤの双方を適切なタイミングで交換することができ、その結果、双方の長寿命化を図ることができる。

さらに、本実施形態によれば、エッジリングＥと外側リングＤとを同時に交換することができるため、これらの交換に要する時間を短縮することができる。また、エッジリングＥと外側リングＤとでリフタ１０８が共通であるため、低コスト化・省スペース化を図ることができる。

また、前述のように、搬送リングＴの材料には、ＳｉＣやセラミックス材料を用いてもよい。ＳｉＣやセラミックス材料を用いることで、ＳｉＯ_２を用いる場合に比べて、搬送リングＴのプラズマに対する体制を高くすることができる。

なお、エッジリングＥ及び外側リングＤの両方を交換する場合、エッジリングＥ及び外側リングＤを同時に取り外すようにし、搬送リングＴを用いて外側リングＤを取り付けた後、搬送リングＴを用いずにエッジリングＥ単体の取り付けを行うようにしてもよい。これにより、外側リングＤ及びエッジリングＥの両方をより適切な位置に取り付けることができる。

＜外側リング及び搬送リングの変形例＞
図１０は、外側リング及び搬送リングの他の例を示す図である。
外側リングと搬送リングとの径方向にかかる位置ずれが生じないように、いずれか一方に突起を設け、いずれか他方にその突起と係合する凹部を設けてもよい。具体的には、図１０に示すように、外側リングＤ１の内周部の下面に、当該外側リングＤ１の湾曲に沿って全周に亘って上方に凹む凹部（以下、「環状凹部」という。）Ｄ１ｂが形成されていてもよい。そして、搬送リングＴ１の外周部の上面における環状凹部Ｄ１ｂと対応する位置に当該搬送リングＴ１の湾曲に沿って全周に亘って上方に突出する凸部（以下、「環状凸部」という。）Ｔ１ｂが形成されていてもよい。環状凹部Ｄ１ｂと環状凸部Ｔ１ｂとの係合により、外側リングＤ１と搬送リングＴ１との径方向にかかる位置ずれを抑制することができる。

上述の例に代えて、外側リングＤ１の内周部の下面に凸部が形成され、搬送リングＴ１の外周部の上面に外側リングＤ１の上記凹部に対応する形状の突起が形成されていてもよい。これによっても、外側リングＤ１と搬送リングＴ１との位置ずれを抑制することができる。

＜外側リング及び搬送リングの位置決め形態の変形例＞
図１１は、外側リングと搬送リングの位置決め形態の他の例を示す図である。
図１１に示すように、外側リングＤ２と搬送リングＴ２との径方向にかかる位置決めは、外側リングＤ２の内周部の下面と搬送リングＴ２の外周部の上面との両方に差し込まれる位置決めピンＰを用いて行ってもよい。位置決めピンＰは、上下方向に延びる柱状（具体的には円柱状）の部材である。また、位置決めピンＰは、外側リングＤ２及び搬送リングＴ２の周方向に沿って、互いに間隔を空けて３本以上設けられる。

また、外側リングと搬送リングとの径方向にかかる位置決めは、搬送リングに比べて外側リングの方が、熱膨張率が低い場合は、外側リングの内周部と搬送リングの外周部との嵌め合いにより行ってもよい。具体的には、例えば、外側リングに、搬送リングが嵌る部分を設け、これにより上記位置決めを行ってもよい。搬送リングに比べて外側リングの方が、熱膨張率が低ければ、上述のように嵌め合いで位置決めを行っても、搬送リング及び外側リングの両方が熱膨張したときに搬送リングや外側リングが破損することがない。

搬送リングは、外側リングより電気抵抗率が高い材料で形成されている。つまり、外側リングと搬送リングとは互いに異なる材料で形成されている。このように異種材料で形成されている外側リングと搬送リングとを溶着等によって一体化することにより、外側リングと搬送リングとの径方向にかかる位置決めを行ってもよい。

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。

１０１ ウェハ支持台
１０４ 静電チャック
１０８ リフタ
１０８ａ 第１係合部
１０８ｂ 第２係合部
１１６ アクチュエータ
Ｄ、Ｄ１、Ｄ２ 外側リング
Ｅ エッジリング
Ｔ、Ｔ１、Ｔ２ 搬送リング
Ｔａ 孔
Ｗ ウェハ

Claims (16)

1. 基板載置部と、
   前記基板載置部を囲むように設けられる第１リングと、
   前記第１リングを囲み且つ当該第１リングと平面視で重ならないように設けられる第２リングと、
   その内側部分が平面視で前記第１リングと重なり、その外側部分が平面視で前記第２リングと重なるように、前記第１リング及び前記第２リングの下方に設けられ、前記内側部分に孔を有する第３リングと、
   前記第３リングの前記孔から上方に突出して前記第１リングと係合する第１係合部と、前記第１係合部の下方に位置し前記第３リングと係合する第２係合部とが設けられたリフタと、
   前記リフタを昇降させるアクチュエータと、を備える、基板支持台。
2. 前記アクチュエータは、前記第２係合部に前記第３リングが係合した前記リフタを昇降させて、前記第３リングに係合した前記第２リングを昇降させる、請求項１に記載の基板支持台。
3. 前記第３リングは、絶縁性材料または前記第１リングの材料より電気抵抗率が高い導電性材料で形成される、請求項１または２に記載の基板支持台。
4. 前記第１リングは、導電性材料で形成される、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板支持台。
5. 前記第１リングは、エッジリングである、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板支持台。
6. 前記第２リングは、導電性材料で形成される、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板支持台。
7. 前記第２係合部は、前記リフタの軸方向に沿って前記第１係合部に連接され、当該第１係合部の外周から突出する突出部を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板支持台。
8. 前記アクチュエータは、前記第１係合部に前記第１リングが係合した前記リフタを昇降させて、前記第１リングを昇降させる、請求項１～７のいずれか１項に記載の基板支持台。
9. 前記アクチュエータは、前記第１リングの搬送時、前記第１係合部の頂部が所定の高さに到達するまで前記リフタを上昇させる、請求項１～８のいずれか１項に記載の基板支持台。
10. 前記アクチュエータは、前記第２リングが係合した前記第３リングの搬送時、前記第２係合部の頂部が所定の高さに到達するまで前記リフタを上昇させる、請求項１～９のいずれか１項に記載の基板支持台。
11. 前記アクチュエータは、前記第１リング及び前記第２リングが係合した前記第３リングの搬送時、前記第１係合部の頂部が所定の高さに到達するまで前記リフタを上昇させる、請求項１～１０のいずれか１項に記載の基板支持台。
12. 基板載置部の外周側に設けられ前記第２リング及び前記第３リングが載置されるリング載置面をさらに備える、請求項１～１１のいずれか１項に記載の基板支持台。
13. 前記第１リングは、前記第２リング及び前記第３リングが載置された前記リング載置面と前記基板載置部との間の別のリング載置面上に、載置される、請求項１２に記載の基板支持台。
14. 前記第１リングを前記別のリング載置面に静電吸着する電極と、
    前記別のリング載置面と前記第１リングの下面との間に伝熱ガスを供給するガス供給機構と、をさらに備える、請求項１３に記載の基板支持台。
15. 前記アクチュエータは、前記第１リング、前記第２リング及び前記第３リングのうち前記第１リングにのみ選択的に係合した前記リフタを昇降させる、請求項１～１４のいずれか１項に記載の基板支持台。
16. 基板支持台のリングの交換方法であって、
    前記基板支持台は、
    基板載置部と、
    前記基板載置部を囲むように設けられる第１リングと、
    前記第１リングを囲み且つ当該第１リングと平面視で重ならないように設けられる第２リングと、
    その内側部分が平面視で前記第１リングと重なり、その外側部分が平面視で前記第２リングと重なるように、前記第１リング及び前記第２リングの下方に設けられ、前記内側部分に孔を有する第３リングと、
    リフタと、を備え、
    前記第３リングの前記孔から上方に突出する前記リフタの第１係合部で前記第１リングを支持して当該第１リングを搬送し、前記第１係合部の下方に位置する前記リフタの第２係合部で前記第３リングを支持して当該第３リングを前記第２リングと共に搬送する、交換方法。