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JP7774238B2 - Management device and management method - Google Patents
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JP7774238B2 - Management device and management method - Google Patents

Management device and management method

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JP7774238B2 JP2021191688A JP2021191688A JP7774238B2 JP 7774238 B2 JP7774238 B2 JP 7774238B2 JP 2021191688 A JP2021191688 A JP 2021191688A JP 2021191688 A JP2021191688 A JP 2021191688A JP 7774238 B2 JP7774238 B2 JP 7774238B2
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Description

本発明は、リフロー装置を含む実装基板製造ラインの管理装置および管理方法に関する。 The present invention relates to a management device and a management method for a mounting board manufacturing line including a reflow device.

実装基板製造ラインでは、印刷装置により基板にはんだを印刷し、部品実装装置によりはんだが印刷された基板に部品を搭載し、リフロー装置により基板を搬送しながら加熱して基板に部品をはんだ付けすることにより、実装基板が製造される(例えば、特許文献1)。特許文献1に記載のリフロー装置は、複数の炉毎に温度調整可能な加熱装置と、酸素濃度などの雰囲気を調整する雰囲気調整部を備えており、各炉は温度や酸素濃度の計測結果に基づいて予め設定されたリフロー条件に合致するように温度や酸素濃度が制御されている。 In a printed circuit board production line, a printing device prints solder onto a board, a component mounting device mounts components onto the solder-printed board, and a reflow device heats the board while transporting it to solder the components to the board, thereby producing a printed circuit board (see, for example, Patent Document 1). The reflow device described in Patent Document 1 is equipped with a heating device that can adjust the temperature for each of multiple furnaces, and an atmosphere adjustment unit that adjusts the atmosphere, including the oxygen concentration, and the temperature and oxygen concentration of each furnace are controlled to match preset reflow conditions based on the results of temperature and oxygen concentration measurements.

特開2016-219636号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-219636

しかしながら特許文献1を含む従来技術では、リフロー装置の炉内の温度や酸素濃度は所定のリフロー条件に合致するように制御されているものの、炉内に順次投入される基板の影響で現実の温度と酸素濃度は変動しており、また、リフロー装置内の基板の位置を検出することができないため、基板が炉に位置していたときの温度や酸素濃度に基づいて実装基板の品質を管理したり、リフロー装置の温度や酸素濃度をより精密に制御したりするためには更なる改善の余地があった。 However, with prior art including Patent Document 1, although the temperature and oxygen concentration inside the furnace of the reflow device are controlled to match specified reflow conditions, the actual temperature and oxygen concentration fluctuate due to the influence of the substrates that are sequentially placed inside the furnace, and because it is not possible to detect the position of the substrate inside the reflow device, there is room for further improvement in order to manage the quality of mounted substrates based on the temperature and oxygen concentration when the substrate was located in the furnace, and to more precisely control the temperature and oxygen concentration of the reflow device.

そこで本発明は、基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる管理装置および管理方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a control device and a control method that can identify the temperature or oxygen concentration when a substrate was placed in a furnace.

本発明の管理装置は、基板を搬送しながら加熱するリフロー装置を少なくとも含む実装基板製造ラインの管理装置であって、前記リフロー装置の炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送履歴情報とを取得する取得部と、前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、前記雰囲気履歴情報に含まれる前記酸素濃度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記酸素濃度の変動傾向を解析する解析部と、を備え、前記解析部は、前記酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けること、または前記炉内の前記酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する
また、本発明の管理装置は、基板を搬送しながら加熱するリフロー装置を少なくとも含む実装基板製造ラインの管理装置であって、前記リフロー装置の炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送履歴情報とを取得する取得部と、前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、前記雰囲気履歴情報に含まれる前記温度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記温度の変動傾向を解析する解析部を、備え、前記解析部は、前記温度が低下傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けることを指令する。
The management device of the present invention is a management device for a mounting substrate manufacturing line that includes at least a reflow device that heats substrates while transporting them, and includes: an acquisition unit that acquires atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration inside a furnace of the reflow device, and transport history information of the substrate in the reflow device; an identification unit that identifies the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmospheric history information and the transport history information; and an analysis unit that analyzes the fluctuation trend of the oxygen concentration with respect to the transport interval of the substrate based on the oxygen concentration included in the atmospheric history information and the transport history information , and when the analysis unit determines that the oxygen concentration is on the rise, it commands at least one of increasing the interval at which substrates are loaded into the reflow device or decreasing the oxygen concentration in the furnace .
Furthermore, the management device of the present invention is a management device for a mounting substrate manufacturing line that includes at least a reflow device that heats a substrate while transporting it, and includes an acquisition unit that acquires atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration inside a furnace of the reflow device and transport history information of the substrate in the reflow device, an identification unit that identifies the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmospheric history information and the transport history information, and an analysis unit that analyzes the trend of temperature fluctuations relative to the transport interval of the substrate based on the temperature included in the atmospheric history information and the transport history information, and when the analysis unit determines that the temperature is on a decreasing trend, it commands the reflow device to increase the interval at which substrates are loaded.

本発明の管理方法は、基板を搬送しながら加熱するリフロー装置の炉に前記基板が位置していたときの前記炉内の温度または酸素濃度を特定する管理方法であって、前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における基板の搬送履歴情報とを取得し、前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報とに基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定し、前記雰囲気履歴情報に含まれる前記酸素濃度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記酸素濃度の変動傾向を解析し、前記酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けること、または前記炉内の前記酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する
また、本発明の管理方法は、基板を搬送しながら加熱するリフロー装置の炉に前記基板が位置していたときの前記炉内の温度または酸素濃度を特定する管理方法であって、前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における基板の搬送履歴情報とを取得し、前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報とに基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定し、前記雰囲気履歴情報に含まれる前記温度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記温度の変動傾向を解析し、前記温度が低下傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けることを指令する
The management method of the present invention is a management method for identifying the temperature or oxygen concentration inside a furnace of a reflow apparatus that heats a substrate while transporting it, when the substrate was located in the furnace, and obtains atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration inside the furnace and transport history information of the substrate in the reflow apparatus, and identifies the temperature or oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmospheric history information and the transport history information , analyzes the trend of change in the oxygen concentration relative to the transport interval of the substrate based on the oxygen concentration included in the atmospheric history information and the transport history information, and if it determines that the oxygen concentration is on the rise, issues a command to at least one of increasing the interval between loading substrates into the reflow apparatus or lowering the oxygen concentration inside the furnace .
Furthermore, the management method of the present invention is a management method for identifying the temperature or oxygen concentration inside a furnace of a reflow device that heats a substrate while transporting it, when the substrate was located in the furnace, and obtains atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration inside the furnace, and transport history information of the substrate in the reflow device, and identifies the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmospheric history information and the transport history information, analyzes the trend of temperature fluctuations relative to the transport interval of the substrate based on the temperature included in the atmospheric history information and the transport history information, and if it is determined that the temperature is on a decreasing trend, commands the reflow device to increase the interval at which substrates are loaded .

本発明によれば、基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる。 The present invention makes it possible to determine the temperature or oxygen concentration when the substrate was in the furnace.

本発明の一実施の形態の実装基板製造システムの構成説明図FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of a mounting substrate manufacturing system according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施の形態の実装基板製造ラインが備えるリフロー装置の要部の構造を示す説明図FIG. 1 is an explanatory diagram showing the structure of a main part of a reflow device provided in a mounting substrate manufacturing line according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施の形態の実装基板製造システムの構成を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a mounting substrate manufacturing system according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態の管理装置で使用される雰囲気履歴情報の一例の説明図FIG. 10 is an explanatory diagram of an example of atmosphere history information used in the management device according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態の管理装置で使用される搬送履歴情報の一例の説明図FIG. 10 is an explanatory diagram of an example of transport history information used in the management device according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施の形態のリフロー装置の炉内を搬送される基板と計測時刻の関係の説明図FIG. 1 is an explanatory diagram of the relationship between a substrate being transported in a furnace of a reflow apparatus according to an embodiment of the present invention and measurement time. (a)(b)本発明の一実施の形態のリフロー装置の炉内を搬送される基板の酸素濃度の特定方法の一例の説明図1A and 1B are explanatory diagrams illustrating an example of a method for determining the oxygen concentration of a substrate being transported in a furnace of a reflow apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態の管理装置で作成される基板別履歴情報の一例の説明図FIG. 10 is an explanatory diagram of an example of board-specific history information created by the management device according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施の形態のリフロー装置の炉内の酸素濃度の管理方法の一例の説明図FIG. 1 is an explanatory diagram of an example of a method for managing the oxygen concentration in the furnace of a reflow apparatus according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態の管理方法のフロー図1 is a flow diagram of a management method according to an embodiment of the present invention; 本発明の一実施の形態のリフロー装置の他の実施例を備える実装基板製造システムの構成を示すブロック図FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of a mounting substrate manufacturing system including another example of the reflow apparatus according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態のリフロー装置の他の実施例を備える実装基板製造システムの構成を示すブロック図FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of a mounting substrate manufacturing system including another example of the reflow apparatus according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態のリフロー装置の他の実施例の炉内を搬送される基板と計測時刻の関係の説明図FIG. 10 is an explanatory diagram of the relationship between the substrate being transported in the furnace of another example of the reflow apparatus according to the embodiment of the present invention and the measurement time. 本発明の一実施の形態の管理方法の他の実施例のフロー図FIG. 10 is a flow chart of another example of the management method according to the embodiment of the present invention.

以下に図面を用いて、本発明の一実施の形態を詳細に説明する。以下で述べる構成、形状等は説明のための例示であって、実装基板製造システム、管理装置、リフロー装置の仕様に応じ、適宜変更が可能である。以下では、全ての図面において対応する要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図2では、基板搬送方向のX軸(図2における左右方向)、水平面と直交する高さ方向としてZ軸(図2における上下方向)が示される。Z軸は、リフロー装置が水平面上に設置された場合の上下方向または直交方向である。 An embodiment of the present invention will be described in detail below using the drawings. The configurations, shapes, etc. described below are examples for explanatory purposes and can be modified as appropriate depending on the specifications of the mounting board manufacturing system, management device, and reflow device. Corresponding elements in all drawings will be given the same reference numerals below, and duplicate explanations will be omitted. In Figure 2, the X-axis (left-right direction in Figure 2) indicates the board transport direction, and the Z-axis (up-down direction in Figure 2) indicates the height direction perpendicular to the horizontal plane. The Z-axis is the up-down direction or perpendicular direction when the reflow device is installed on a horizontal plane.

まず図1を参照して、実装基板製造システム1の構成を説明する。実装基板製造システム1は、実装基板製造ラインPL1を通信ネットワーク2によって接続し、管理装置3によって管理する構成となっている。実装基板製造システム1は、基板に部品を実装した実装基板を連続して製造する機能を有している。実装基板製造ラインPL1は、基板搬送方向の上流(紙面左側)から下流(紙面右側)に向けて、基板供給装置M1、印刷装置M2、部品実装装置M3~M6、リフロー装置M7、基板回収装置M8などの生産作業を実行する生産設備を直列に連結して構成されている。 First, referring to Figure 1, the configuration of the mounted board manufacturing system 1 will be described. The mounted board manufacturing system 1 is configured to connect the mounted board manufacturing line PL1 via a communications network 2 and be managed by a management device 3. The mounted board manufacturing system 1 has the function of continuously manufacturing mounted boards, each with components mounted on it. The mounted board manufacturing line PL1 is configured by connecting production equipment that performs production tasks, such as a board supply device M1, a printing device M2, component mounting devices M3-M6, a reflow device M7, and a board removal device M8, in series from upstream (left side of the page) to downstream (right side of the page) in the board transport direction.

基板供給装置M1、印刷装置M2、部品実装装置M3~M6、リフロー装置M7、基板回収装置M8は、通信ネットワーク2を介して管理装置3に接続されている。管理装置3は、各装置で使用される制御プログラムなどを含む生産データなどを記憶し、各装置による製造作業を統括して制御する。なお、実装基板製造ラインPL1は通信ネットワーク2を介して接続される生産設備群であって、物理的に生産設備同士が連結されていなくてもよい。 Board supply device M1, printing device M2, component mounting devices M3-M6, reflow device M7, and board removal device M8 are connected to management device 3 via communication network 2. Management device 3 stores production data including the control programs used by each device, and controls the manufacturing work performed by each device. Note that mounted board production line PL1 is a group of production equipment connected via communication network 2, and the production equipment does not need to be physically connected to each other.

図1において、基板供給装置M1は、複数の基板を収納するラック等の収納部を備え、収納部から取り出した基板を下流の装置に供給する基板供給作業を実行する。また、基板供給装置M1は、基板に付されたバーコードや2次元コードなどの基板ラベルを読み取って基板を特定する基板の識別情報(基板ID)を読み取る内蔵リーダ(図示省略)を備えている。基板供給装置M1は、基板の基板ラベルから基板の識別情報を読み取って、管理装置3に送信する。印刷装置M2は、印刷作業部に装着されたスクリーンマスクを介して上流から搬入された基板にはんだを印刷するはんだ印刷作業を実行する。 In Figure 1, board supply device M1 has a storage unit such as a rack that stores multiple boards, and performs board supply work by removing boards from the storage unit and supplying them to downstream equipment. Board supply device M1 also has a built-in reader (not shown) that reads board labels such as barcodes or two-dimensional codes attached to boards to read board identification information (board ID) that identifies the board. Board supply device M1 reads the board identification information from the board label and sends it to management device 3. Printing device M2 performs solder printing work by printing solder on boards brought in from upstream using a screen mask attached to the printing work unit.

部品実装装置M3~M6は、はんだが印刷された基板に部品供給装置が供給する部品を実装ヘッドで搭載する部品実装作業を実行する。なお、実装基板製造システム1は、部品実装装置M3~M6が4台の構成に限定されることなく、部品実装装置M3~M6が1~3台であっても5台以上であってもよい。リフロー装置M7は、装置内に搬入された基板を加熱部によって加熱して基板上のはんだを融解させた後に硬化させ、基板の電極部と部品の電極とを接合する基板加熱作業を実行する。基板回収装置M8は、複数の基板を収納するラック等の収納部を備え、上流の装置が搬出する基板を受け取って収納部に回収する基板回収作業を実行する。 Component mounting devices M3-M6 perform component mounting work by using mounting heads to mount components supplied by component supply devices onto boards with solder printed on them. Note that the mounted board manufacturing system 1 is not limited to a configuration with four component mounting devices M3-M6; it may have one to three, or five or more component mounting devices M3-M6. Reflow device M7 performs a board heating operation by using a heating unit to heat a board carried into the device, melting and then hardening the solder on the board, thereby joining the electrodes of the board to the electrodes of the components. Board removal device M8 has a storage unit such as a rack that can store multiple boards, and performs a board removal operation by receiving boards carried out by upstream equipment and returning them to the storage unit.

次に図2を参照して、リフロー装置M7の構成と機能について説明する。リフロー装置M7は、6つの炉F1~F6を備えている。リフロー装置M7の基台4上には、リフロー装置M7において基板Bを上流から下流に移動させる基板搬送部5がX軸に沿って配置されている。各炉F1~F6には、炉F1~F6内を加熱する加熱部H1~H6と、炉F1~F6内の温度を計測する温度センサS1~S6がそれぞれ配置されている。以下、上流から順に第1炉F1、第2炉F2、第3炉F3、第4炉F4、第5炉F5、第6炉F6と称する。また、各炉F1~F6内であって、基板Bが移動しながら加熱される領域を、ゾーンZ1~Z6と称する。各ゾーンZ1~Z6内で基板Bが搬送される距離(ゾーンZ1~Z6の長さ)は、それぞれ搬送距離L1~L6である。 Next, referring to Figure 2, the configuration and functions of the reflow apparatus M7 will be described. The reflow apparatus M7 is equipped with six furnaces F1 to F6. A substrate transport unit 5, which moves substrates B from upstream to downstream in the reflow apparatus M7, is arranged along the X-axis on the base 4 of the reflow apparatus M7. Each furnace F1 to F6 is equipped with a heating unit H1 to H6 that heats the interior of the furnace F1 to F6, and a temperature sensor S1 to S6 that measures the temperature within the furnace F1 to F6. Hereinafter, from upstream to downstream, these furnaces will be referred to as the first furnace F1, second furnace F2, third furnace F3, fourth furnace F4, fifth furnace F5, and sixth furnace F6. Furthermore, within each furnace F1 to F6, the areas where substrates B are heated while moving will be referred to as zones Z1 to Z6. The distances transported by substrates B within each zone Z1 to Z6 (the lengths of zones Z1 to Z6) are transport distances L1 to L6, respectively.

部品実装装置M6から搬出された基板Bは、搬入口6からリフロー装置M7に投入される。搬入口6から投入された基板Bは、基板搬送部5により一定の搬送速度VでゾーンZ1~Z6を順に搬送されながら加熱され、搬出口7から基板回収装置M8に向けて搬出される。第5炉F5には、第5炉F5内に窒素などの不活性ガスを導入するガス導入部8と、第5炉F5内の酸素濃度を計測する酸素濃度センサ9が配置されている。すなわち、ガス導入部8は、酸素濃度が計測される第5炉F5内に不活性ガスを導入する。なお、ガス導入部8と酸素濃度センサ9は、第5炉F5以外の炉(例えば、第4炉F4)にも配置してよい。 The board B unloaded from the component mounting device M6 is loaded into the reflow device M7 through the loading port 6. The board B loaded through the loading port 6 is heated while being transported sequentially through zones Z1 to Z6 by the board transport unit 5 at a constant transport speed V, and is then unloaded through the unloading port 7 toward the board removal device M8. The fifth furnace F5 is equipped with a gas inlet 8 that introduces an inert gas such as nitrogen into the fifth furnace F5, and an oxygen concentration sensor 9 that measures the oxygen concentration within the fifth furnace F5. That is, the gas inlet 8 introduces an inert gas into the fifth furnace F5, where the oxygen concentration is measured. The gas inlet 8 and oxygen concentration sensor 9 may also be installed in furnaces other than the fifth furnace F5 (for example, the fourth furnace F4).

図2において、搬入口6の上方には、搬入口6から投入される基板Bを検出する遮光センサなどの搬入センサ10が配置されている。なお、搬入センサ10の配置位置は、搬入口6の下方であっても、搬入口6の側方であってもよい。また、各炉F1~F6内にも、基板Bが炉F1~F6内の所定位置を通過したことを検出するセンサを配置してもよい。 In Figure 2, an inlet sensor 10, such as a light-shielding sensor, is located above the inlet 6 to detect substrates B being introduced through the inlet 6. The inlet sensor 10 may be located below the inlet 6 or to the side of the inlet 6. Additionally, a sensor may be located within each furnace F1 to F6 to detect when a substrate B has passed a predetermined position within the furnace F1 to F6.

次に、図3を参照して、実装基板製造システム1の制御系の構成を説明する。ここでは、実装基板製造システム1が有する機能のうち、リフロー装置M7の炉F1~F6内の温度と酸素濃度を特定し、温度と酸素濃度が所定の状態に維持されるように管理する機能を中心に説明する。管理装置3、基板供給装置M1、印刷装置M2、部品実装装置M3~M6、リフロー装置M7、基板回収装置M8は、通信ネットワーク2を介して相互に接続されている。 Next, the configuration of the control system of the mounted substrate manufacturing system 1 will be described with reference to Figure 3. Here, we will focus on the functions of the mounted substrate manufacturing system 1, which identify the temperature and oxygen concentration within the furnaces F1-F6 of the reflow device M7 and manage them to maintain specified conditions. The management device 3, substrate supply device M1, printing device M2, component mounting devices M3-M6, reflow device M7, and substrate removal device M8 are interconnected via the communication network 2.

リフロー装置M7は、リフロー制御装置20、基板搬送部5、加熱部H1~H6、ガス導入部8、酸素濃度センサ9、搬入センサ10、温度センサS1~S6、タッチパネル27を備えている。リフロー制御装置20は、リフロー記憶部21、基板検出処理部22、温度計測処理部23、酸素計測処理部24、リフロー制御部25、リフロー通信部26を備えている。リフロー通信部26は、通信ネットワーク2を介して管理装置3と、リフロー装置M7に向けて基板Bを搬出する部品実装装置M6との間でデータの送受信を行う。タッチパネル27は、その表示部に各種情報を表示し、また表示部に表示される操作ボタンなどを使って作業者がデータ入力やリフロー装置M7の操作を行う。 The reflow soldering device M7 is equipped with a reflow soldering control device 20, a substrate transport unit 5, heating units H1-H6, a gas introduction unit 8, an oxygen concentration sensor 9, a carry-in sensor 10, temperature sensors S1-S6, and a touch panel 27. The reflow soldering control device 20 is equipped with a reflow soldering memory unit 21, a substrate detection processing unit 22, a temperature measurement processing unit 23, an oxygen measurement processing unit 24, a reflow soldering control unit 25, and a reflow soldering communication unit 26. The reflow soldering communication unit 26 transmits and receives data via the communication network 2 between the management device 3 and the component mounting device M6, which carries out the substrate B toward the reflow soldering device M7. The touch panel 27 displays various information on its display, and the operator inputs data and operates the reflow soldering device M7 using operation buttons and other controls displayed on the display.

図3において、リフロー記憶部21は記憶装置であり、リフロー条件21a、温度履歴21b、酸素濃度履歴21c、基板搬入履歴21dなどが記憶されている。リフロー条件21aには、各炉F1~F6の炉内の温度の設定値(設定炉内温度)、ガス導入部8と酸素濃度センサ9を備える第5炉F5の炉内の酸素濃度の設定値(設定酸素濃度)、リフロー装置M7の基板搬送部5が基板Bを搬送する搬送速度Vの設定値(設定搬送速度)、搬入口6からリフロー装置M7に基板Bを投入する間隔の最小値(設定投入間隔)などが記憶されている。 In FIG. 3, the reflow memory unit 21 is a storage device that stores reflow conditions 21a, temperature history 21b, oxygen concentration history 21c, and substrate loading history 21d. The reflow conditions 21a include the set temperature values inside each of the furnaces F1 to F6 (set furnace temperature), the set oxygen concentration value inside the fifth furnace F5, which is equipped with a gas inlet 8 and an oxygen concentration sensor 9 (set oxygen concentration), the set transport speed V (set transport speed) at which the substrate transport unit 5 of the reflow device M7 transports the substrate B, and the minimum interval (set loading interval) for loading substrates B from the load entrance 6 into the reflow device M7.

基板検出処理部22は、搬入センサ10の検出結果からリフロー装置M7の搬入口6を通過する基板Bを検出する。基板検出処理部22は、管理装置3から送信されたリフロー装置M7に投入される基板Bの識別情報と、基板Bが搬入口6で検出された時刻(第2時刻)を紐づけて、基板搬入履歴21dとしてリフロー記憶部21に記憶させる。このように、搬入センサ10と基板検出処理部22は、炉F1~F6より前のリフロー装置M7の所定位置(基板検出位置DP)を通過する基板Bを検出する基板検出部30を構成する。 The board detection processing unit 22 detects board B passing through the entrance 6 of the reflow device M7 based on the detection results of the entrance sensor 10. The board detection processing unit 22 associates the identification information of board B input into the reflow device M7, sent from the management device 3, with the time (second time) when board B was detected at the entrance 6, and stores this as board entry history 21d in the reflow memory unit 21. In this way, the entrance sensor 10 and board detection processing unit 22 constitute a board detection unit 30 that detects board B passing through a predetermined position (board detection position DP) in the reflow device M7 before the furnaces F1 to F6.

図3において、温度計測処理部23は、各炉F1~F6に設置された温度センサS1~S6による温度の計測結果から、各炉F1~F6の炉内温度を計測する。温度計測処理部23は、所定の時刻(例えば、1分間隔)に炉内温度を計測し、計測時刻と紐づけて温度履歴21bとしてリフロー記憶部21に記憶させる。このように、温度センサS1~S6と温度計測処理部23は、炉F1~F6内(ゾーンZ1~Z6内)の温度(炉内温度)を計測する温度計測部31を構成する。 In FIG. 3, the temperature measurement processing unit 23 measures the temperature inside each furnace F1 to F6 based on the temperature measurement results from temperature sensors S1 to S6 installed in each furnace F1 to F6. The temperature measurement processing unit 23 measures the temperature inside the furnace at predetermined times (e.g., one-minute intervals) and stores the temperature history 21b in the reflow memory unit 21 in association with the measurement time. In this way, the temperature sensors S1 to S6 and the temperature measurement processing unit 23 constitute a temperature measurement unit 31 that measures the temperatures (furnace temperatures) inside furnaces F1 to F6 (zones Z1 to Z6).

酸素計測処理部24は、第5炉F5に設置された酸素濃度センサ9による酸素濃度の計測結果から、第5炉F5の炉内酸素濃度を計測する。酸素計測処理部24は、所定の時刻(例えば、1分間隔)に炉内酸素濃度を計測し、計測時刻と紐づけて酸素濃度履歴21cとしてリフロー記憶部21に記憶させる。このように、酸素濃度センサ9と酸素計測処理部24は、第5炉F5内(ゾーンZ5内)の酸素濃度(炉内酸素濃度)を計測する酸素濃度計測部32を構成する。なお、温度計測部31と酸素濃度計測部32の計測時刻や計測間隔は、必ずしも同一である必要はない。 The oxygen measurement processing unit 24 measures the oxygen concentration inside the fifth furnace F5 based on the oxygen concentration measurement results obtained by the oxygen concentration sensor 9 installed in the fifth furnace F5. The oxygen measurement processing unit 24 measures the oxygen concentration inside the furnace at predetermined times (e.g., every minute) and stores the measured oxygen concentration in the reflow memory unit 21 as oxygen concentration history 21c, linked to the measurement time. In this way, the oxygen concentration sensor 9 and oxygen measurement processing unit 24 constitute an oxygen concentration measurement unit 32 that measures the oxygen concentration (furnace oxygen concentration) inside the fifth furnace F5 (in zone Z5). Note that the measurement times and measurement intervals of the temperature measurement unit 31 and the oxygen concentration measurement unit 32 do not necessarily have to be the same.

図3において、リフロー制御部25は、リフロー条件21aに含まれる各種の設定値、温度計測部31が計測した炉内温度、酸素濃度計測部32が計測した炉内酸素濃度、管理装置3から送信される各種の指令に基づいて、基板搬送部5、ガス導入部8、加熱部H1~H6を制御する。 In FIG. 3, the reflow control unit 25 controls the substrate transport unit 5, gas introduction unit 8, and heating units H1 to H6 based on various setting values included in the reflow conditions 21a, the furnace temperature measured by the temperature measurement unit 31, the furnace oxygen concentration measured by the oxygen concentration measurement unit 32, and various commands sent from the management device 3.

具体的には、リフロー制御部25は、リフロー装置M7内を搬送される基板Bの搬送速度Vがリフロー条件21aに含まれる設定搬送速度となるように、基板搬送部5を制御する。また、リフロー制御部25は、温度計測部31が計測した炉内温度に基づいて、各炉F1~F6の炉内温度がリフロー条件21aに含まれる設定炉内温度に維持されるように加熱部H1~H6をフィードバック制御する。 Specifically, the reflow control unit 25 controls the substrate transport unit 5 so that the transport speed V of the substrate B transported through the reflow device M7 is the set transport speed included in the reflow conditions 21a. Furthermore, the reflow control unit 25 performs feedback control of the heating units H1 to H6 based on the furnace temperatures measured by the temperature measurement unit 31 so that the furnace temperatures of each of the furnaces F1 to F6 are maintained at the set furnace temperatures included in the reflow conditions 21a.

また、リフロー制御部25は、酸素濃度計測部32が計測した炉内酸素濃度に基づいて、第5炉F5の炉内酸素濃度がリフロー条件21aに含まれる設定酸素濃度に維持されるようにガス導入部8が導入する不活性ガスの量をフィードバック制御する。また、リフロー制御部25は、管理装置3から送信される第5炉F5内の酸素濃度を下げる旨の指令に基づいて、ガス導入部8から導入される不活性ガスの量を増加させる。 The reflow control unit 25 also performs feedback control of the amount of inert gas introduced by the gas introduction unit 8 so that the oxygen concentration in the fifth furnace F5 is maintained at the set oxygen concentration included in the reflow conditions 21a, based on the oxygen concentration in the furnace measured by the oxygen concentration measurement unit 32. The reflow control unit 25 also increases the amount of inert gas introduced from the gas introduction unit 8 based on a command sent from the management device 3 to lower the oxygen concentration in the fifth furnace F5.

このように、リフロー装置M7は、基板Bを加熱するための炉F1~F6と、炉F1~F6内の少なくとも温度または酸素濃度を計測する計測部(温度計測部31、酸素濃度計測部32)と、基板Bを搬送する基板搬送部5と、炉F1~F6より前の所定位置(基板検出位置DP)を通過する基板Bを検出する基板検出部30を備えており、部品が搭載された基板Bを搬送しながら加熱してはんだを固化させる。 As such, the reflow device M7 is equipped with furnaces F1-F6 for heating the board B, measurement units (temperature measurement unit 31, oxygen concentration measurement unit 32) that measure at least the temperature or oxygen concentration within the furnaces F1-F6, a board transport unit 5 that transports the board B, and a board detection unit 30 that detects the board B passing a predetermined position (board detection position DP) before the furnaces F1-F6.The reflow device M7 heats the board B with components mounted on it while transporting it, solidifying the solder.

図3において、管理装置3が備える管理処理装置40は、管理記憶部41、取得部42、特定部43、算出部44、解析部45、入力部46、表示部47、管理通信部48を備えている。入力部46は、キーボード、タッチパネル、マウスなどの入力装置であり、操作コマンドやデータ入力時などに用いられる。表示部47は液晶パネルなどの表示装置であり、入力部46による操作のための操作画面などの各種画面などの各種情報を表示する。管理通信部48は通信インターフェースであり、通信ネットワーク2を介して基板供給装置M1、印刷装置M2、部品実装装置M3~M6、リフロー装置M7、基板回収装置M8との間で信号、データの授受を行う。 In FIG. 3, the management processing device 40 provided in the management device 3 includes a management memory unit 41, an acquisition unit 42, an identification unit 43, a calculation unit 44, an analysis unit 45, an input unit 46, a display unit 47, and a management communication unit 48. The input unit 46 is an input device such as a keyboard, touch panel, or mouse, and is used to input operation commands and data. The display unit 47 is a display device such as an LCD panel, and displays various information such as various screens, including an operation screen for operation using the input unit 46. The management communication unit 48 is a communication interface, and sends and receives signals and data between the board supply device M1, the printing device M2, the component mounting devices M3-M6, the reflow device M7, and the board recovery device M8 via the communication network 2.

管理記憶部41は記憶装置であり、生産データ41a、基板情報41b、雰囲気履歴情報41c、搬送履歴情報41d、搬送速度情報41e、搬送距離情報41f、基板別履歴情報41gなどを記憶する。生産データ41aには、実装基板の生産機種名(基板名)、基板Bに実装される部品の種類(部品名)、部品のサイズ、実装位置(XY座標)、実装方向(θ方向)などの情報が含まれている。 The management memory unit 41 is a storage device that stores production data 41a, board information 41b, atmosphere history information 41c, transport history information 41d, transport speed information 41e, transport distance information 41f, and board-specific history information 41g. The production data 41a includes information such as the production model name (board name) of the mounted board, the type of component (component name) to be mounted on board B, component size, mounting position (XY coordinates), and mounting direction (θ direction).

図3において、基板情報41bには、基板供給装置M1から送信される印刷装置M2に向けて搬出された基板Bの識別情報、印刷装置M2、部品実装装置M3~M6、リフロー装置M7、基板回収装置M8から送信される基板Bの搬入情報、搬出情報に基づいて、実装基板製造ラインPL1における基板Bの位置が識別情報に紐付けられて記憶されている。管理通信部48は、基板情報41bに基づいて、印刷装置M2、部品実装装置M3~M6、リフロー装置M7、基板回収装置M8に対して、上流の装置から搬入される基板Bの識別情報を送信する。例えば、リフロー装置M7に対しては、上流の部品実装装置M6から搬入される基板Bの識別情報が送信される。 In FIG. 3, board information 41b stores the position of board B in mounted board production line PL1 linked to the identification information based on the identification information of board B transported toward printing device M2 sent from board supply device M1, and board B carry-in and carry-out information sent from printing device M2, component mounting devices M3-M6, reflow device M7, and board recovery device M8. Based on board information 41b, management communication unit 48 transmits identification information of board B transported from upstream devices to printing device M2, component mounting devices M3-M6, reflow device M7, and board recovery device M8. For example, identification information of board B transported from upstream component mounting device M6 is transmitted to reflow device M7.

取得部42は、リフロー装置M7から温度履歴21bと酸素濃度履歴21cを取得して、雰囲気履歴情報41cとして管理記憶部41に記憶させる。なお、取得部42は、温度履歴21bと酸素濃度履歴21cの両方ではなく、いずれか一方のみを取得して雰囲気履歴情報41cとして記憶させるようにしてもよい。すなわち、取得部42は、所定時間毎に計測された、リフロー装置M7の炉F1~F6内の少なくとも温度(炉内温度)または酸素濃度(炉内酸素濃度)の計測結果を含む雰囲気履歴情報41cを取得する。 The acquisition unit 42 acquires the temperature history 21b and oxygen concentration history 21c from the reflow apparatus M7 and stores them as atmosphere history information 41c in the management memory unit 41. The acquisition unit 42 may acquire only one of the temperature history 21b and oxygen concentration history 21c, rather than both, and store them as atmosphere history information 41c. In other words, the acquisition unit 42 acquires atmosphere history information 41c that includes measurement results of at least the temperature (furnace temperature) or oxygen concentration (furnace oxygen concentration) inside the furnaces F1 to F6 of the reflow apparatus M7, measured at predetermined time intervals.

ここで、図4を参照して、雰囲気履歴情報41cの一例について説明する。雰囲気履歴情報41cには、計測時刻50毎に、第1炉F1の炉内温度51、第2炉F2の炉内温度52、第3炉F3の炉内温度53、第4炉F4の炉内温度54、第5炉F5の炉内温度55、第5炉F5の炉内酸素濃度56、第6炉F6の炉内温度57が記録されている。 Here, an example of the atmosphere history information 41c will be described with reference to Figure 4. The atmosphere history information 41c records, for each measurement time 50, the furnace temperature 51 of the first furnace F1, the furnace temperature 52 of the second furnace F2, the furnace temperature 53 of the third furnace F3, the furnace temperature 54 of the fourth furnace F4, the furnace temperature 55 of the fifth furnace F5, the furnace oxygen concentration 56 of the fifth furnace F5, and the furnace temperature 57 of the sixth furnace F6.

図3において、取得部42は、リフロー装置M7から基板搬入履歴21dを取得して、搬送履歴情報41dとして管理記憶部41に記憶させる。すなわち、取得部42は、リフロー装置M7の搬入口6(基板検出位置DP)を基板Bが通過した通過時刻(第2時刻)をリフロー装置M7における基板Bの搬送履歴情報41dとして取得する。 In FIG. 3, the acquisition unit 42 acquires the board loading history 21d from the reflow apparatus M7 and stores it in the management memory unit 41 as transport history information 41d. That is, the acquisition unit 42 acquires the passage time (second time) at which the board B passed through the loading entrance 6 (board detection position DP) of the reflow apparatus M7 as transport history information 41d for the board B in the reflow apparatus M7.

ここで、図5を参照して、搬送履歴情報41dの一例について説明する。搬送履歴情報41dには、基板Bの識別情報58毎に、基板Bが搬入口6(基板検出位置DP)を通過した通過時刻59が記録されている。この例では、基板Bが搬入口6を通過した順番で、基板Bの識別情報58が表示されている。このように、搬送履歴情報41dは、基板Bがリフロー装置M7の所定位置(基板検出位置DP)を通過した第2時刻(通過時刻59)を含んでいる。 Now, with reference to Figure 5, an example of the transport history information 41d will be described. In the transport history information 41d, the passage time 59 at which the board B passed through the carry-in entrance 6 (board detection position DP) is recorded for each identification information 58 of the board B. In this example, the identification information 58 of the board B is displayed in the order in which the board B passed through the carry-in entrance 6. In this way, the transport history information 41d includes the second time (passage time 59) at which the board B passed through a predetermined position (board detection position DP) of the reflow device M7.

なお、後述する基板別履歴情報41gの作成のみを目的とする場合は、取得部42は、実装基板の生産終了時点などに、雰囲気履歴情報41cと搬送履歴情報41dを取得する。また、基板別履歴情報41gの作成の他にリフロー装置M7の炉内温度と炉内酸素濃度の制御を目的とする場合は、取得部42は、所定の間隔(例えば、炉内温度や炉内酸素濃度が計測される毎)に、雰囲気履歴情報41cと搬送履歴情報41dを取得する。 If the only purpose is to create the board-specific history information 41g described below, the acquisition unit 42 acquires the atmosphere history information 41c and the transport history information 41d, for example, at the end of production of the mounted board. Furthermore, if the purpose is to control the furnace temperature and oxygen concentration in the reflow apparatus M7 in addition to creating the board-specific history information 41g, the acquisition unit 42 acquires the atmosphere history information 41c and the transport history information 41d at predetermined intervals (for example, each time the furnace temperature or oxygen concentration is measured).

図3において、搬送速度情報41eには、リフロー装置M7が基板Bを搬送する搬送速度Vが記憶されている。すなわち、搬送速度情報41eには、リフロー装置M7における基板Bの搬送速度Vに関する情報が含まれている。搬送距離情報41fには、各炉F1~F6内において基板Bが加熱されながら搬送される搬送距離L1~L6(図2参照)と、搬入センサ10が基板Bを検出する基板検出位置DPから第1炉F1までの搬送距離L0が記憶されている。すなわち、搬送距離情報41fには、リフロー装置M7における基板Bの搬送距離L0~L6に関する情報が含まれる。 In FIG. 3, transport speed information 41e stores the transport speed V at which reflow apparatus M7 transports board B. That is, transport speed information 41e includes information related to the transport speed V of board B in reflow apparatus M7. Transport distance information 41f stores transport distances L1 to L6 (see FIG. 2) over which board B is transported while being heated in each of furnaces F1 to F6, and transport distance L0 from board detection position DP, where input sensor 10 detects board B, to the first furnace F1. That is, transport distance information 41f includes information related to transport distances L0 to L6 of board B in reflow apparatus M7.

算出部44は、搬送履歴情報41dに含まれる基板Bがリフロー装置M7の所定位置(基板検出位置DP)を通過した第2時刻と、搬送速度情報41eに含まれる基板Bの搬送速度Vと、搬送距離情報41fに含まれる搬送距離L0~L6に基づいて、基板Bが炉F1~F6内の所定位置を通過した第1時刻を算出する。特定部43は、雰囲気履歴情報41cと搬送履歴情報41dから算出された第1時刻に基づいて、基板Bが複数の炉F1~F6に位置していたときの炉内温度(特定炉内温度)または炉内酸素濃度(特定酸素濃度)を特定する。 The calculation unit 44 calculates the first time when the substrate B passed a predetermined position in the furnaces F1 to F6 based on the second time when the substrate B, included in the transport history information 41d, passed a predetermined position (substrate detection position DP) in the reflow apparatus M7, the transport speed V of the substrate B, included in the transport speed information 41e, and the transport distances L0 to L6, included in the transport distance information 41f. The identification unit 43 identifies the furnace temperature (specific furnace temperature) or furnace oxygen concentration (specific oxygen concentration) when the substrate B was located in one of the multiple furnaces F1 to F6, based on the first time calculated from the atmosphere history information 41c and the transport history information 41d.

ここで、図6を参照しながら、算出部44による第1時刻の算出方法と、特定部43による基板Bが複数の炉F1~F6に位置していたときの炉内温度と第5炉F5に位置していたときの炉内酸素濃度の特定方法について説明する。ここでは、リフロー装置M7の各ゾーンZ1~Z6における基板Bの搬送距離L1~L6は等しい場合を例に説明する。また、基板Bが各炉F1~F6内の所定位置(例えば、第1炉F1と第2炉F2の境界や、第1炉F1の中心など)を通過する時刻を第1時刻とする。 Here, with reference to FIG. 6, we will explain how the calculation unit 44 calculates the first time, and how the identification unit 43 identifies the furnace temperature when substrate B is located in multiple furnaces F1 to F6 and the oxygen concentration in the furnace when substrate B is located in the fifth furnace F5. Here, we will explain an example where the transport distances L1 to L6 of substrate B in each zone Z1 to Z6 of reflow apparatus M7 are equal. Furthermore, the time when substrate B passes a predetermined position within each furnace F1 to F6 (for example, the boundary between the first furnace F1 and the second furnace F2, or the center of the first furnace F1) is defined as the first time.

図6では、リフロー装置M7における搬入口6から搬出口7までの位置関係が、紙面の上から下に向けて表示されている。また、紙面の左から右に向けて時刻が表示されている。図6には、リフロー装置M7に搬入された5枚の基板Bのリフロー装置M7内での位置と時刻の関係が示されている。以下、識別情報58が「B01」の基板Bを、単に「基板B01」などと称する。 In Figure 6, the positional relationship from the entrance 6 to the exit 7 in the reflow device M7 is shown from top to bottom on the page. Time is also shown from left to right on the page. Figure 6 shows the relationship between the position and time within the reflow device M7 of five boards B that were loaded into the reflow device M7. Hereinafter, the board B with identification information 58 of "B01" will be simply referred to as "board B01", etc.

この例では、ゾーンZ1からゾーンZ3は、設定炉内温度が160(℃)の予備加熱区間である。また、ゾーンZ4とゾーンZ5が本加熱区間であり、ゾーンZ4の設定炉内温度は240(℃)、ゾーンZ5の設定炉内温度は230(℃)であり、ゾーンZ5の設定酸素濃度は1000(ppm)である。また、ゾーンZ6は、設定炉内温度が150(℃)の冷却区間である。なお、各ゾーンZ1~Z6の設定炉内温度と設定酸素濃度は一例であり、基板やはんだなどに応じて適宜変更される。 In this example, zones Z1 to Z3 are preheating sections with a set furnace temperature of 160°C. Zones Z4 and Z5 are the main heating sections, with the set furnace temperature of zone Z4 being 240°C, the set furnace temperature of zone Z5 being 230°C, and the set oxygen concentration of zone Z5 being 1000 ppm. Zone Z6 is a cooling section with a set furnace temperature of 150°C. Note that the set furnace temperatures and set oxygen concentrations for zones Z1 to Z6 are examples and can be changed as appropriate depending on the board, solder, etc.

図6において、算出部44は、搬入センサ10により第2時刻TD01に基板検出位置DPで検出された基板B01が、第2時刻TD01から((搬送距離L0+搬送距離L1)/搬送速度V)後の第1時刻TC11にゾーンZ1を通過すると算出する。同様に、算出部44は、基板B01が第2時刻TD01から((搬送距離L0+搬送距離L1+搬送距離L2)/搬送速度V)後の第1時刻TC21にゾーンZ2を通過すると算出する。以下、同様であり、詳細な説明を省略する。すなわち、算出部44は、各基板B01~B05が基板検出位置DPを通過した第2時刻TD01~TD05から、搬送時間(搬送距離/搬送速度V)後に各ゾーンZ1~Z6を通過するとして第1時刻TC11~TC65を算出する。 In FIG. 6, the calculation unit 44 calculates that board B01, detected by the incoming sensor 10 at board detection position DP at second time TD01, will pass through zone Z1 at first time TC11, which is ((transport distance L0 + transport distance L1)/transport speed V) after second time TD01. Similarly, the calculation unit 44 calculates that board B01 will pass through zone Z2 at first time TC21, which is ((transport distance L0 + transport distance L1 + transport distance L2)/transport speed V) after second time TD01. The same applies below, and detailed explanations will be omitted. That is, the calculation unit 44 calculates first times TC11 to TC65 assuming that boards B01 to B05 will pass through zones Z1 to Z6 after the transport time (transport distance/transport speed V) from second times TD01 to TD05, when they passed board detection position DP.

特定部43は、第1時刻もしくは少なくとも第1時刻の前後に計測された炉F1~F6内の温度または酸素濃度に基づいて、基板Bが炉F1~F6に位置していたときの温度または酸素濃度を特定する。例えば、基板B01は、計測時刻TM03と計測時刻TM04の間の第1時刻に、第5炉F5を通過している。そこで、特定部43は、計測時刻TM03と計測時刻TM04の第5炉F5の炉内温度(230(℃)と228(℃))に基づいて、基板B01が第5炉F5に位置していたときの炉内温度(特定炉内温度)を特定する。また、特定部43は、計測時刻TM03と計測時刻TM04の第5炉F5の炉内酸素濃度(1000(ppm)と1200(ppm))に基づいて、基板B01が第5炉F5に位置していたときの炉内酸素濃度(特定酸素濃度)を特定する。 The identification unit 43 identifies the temperature or oxygen concentration when substrate B was located in the furnaces F1-F6 based on the temperature or oxygen concentration measured inside the furnaces F1-F6 at the first time or at least before and after the first time. For example, substrate B01 passes through the fifth furnace F5 at the first time between measurement times TM03 and TM04. Therefore, the identification unit 43 identifies the furnace temperature (specific furnace temperature) when substrate B01 was located in the fifth furnace F5 based on the furnace temperatures (230°C and 228°C) of the fifth furnace F5 at measurement times TM03 and TM04. Furthermore, the identification unit 43 identifies the furnace oxygen concentration (specific oxygen concentration) when substrate B01 was located in the fifth furnace F5 based on the furnace oxygen concentrations (1000 ppm and 1200 ppm) of the fifth furnace F5 at measurement times TM03 and TM04.

ここで、図7(a)、図7(b)を参照して、特定部43が、計測時刻TM01~TM10(横軸)に計測された第5炉F5の炉内酸素濃度(縦軸)に基づいて、基板B01~B05が第5炉F5に位置していたときの特定酸素濃度を特定する方法の例について説明する。すなわち、基板B01~B05が第5炉F5に位置していた第1時刻TC51~TC55における第5炉F5の炉内酸素濃度(特定酸素濃度)の特定方法(近似方法)について説明する。 Here, referring to Figures 7(a) and 7(b), an example of a method by which the identification unit 43 identifies the specific oxygen concentration when substrates B01-B05 were located in the fifth furnace F5 based on the in-furnace oxygen concentration (vertical axis) of the fifth furnace F5 measured at measurement times TM01-TM10 (horizontal axis) will be described. That is, a method for identifying (approximating) the in-furnace oxygen concentration (specific oxygen concentration) of the fifth furnace F5 at first times TC51-TC55 when substrates B01-B05 were located in the fifth furnace F5 will be described.

図7(a)では、計測時刻TM01~TM10における炉内酸素濃度の計測値に基づいて、階段状に第1時刻TC51~TC55における第5炉F5の炉内酸素濃度を特定する。すなわち、特定部43は、基板B01~B05が第5炉F5を通過する第1時刻TC51~TC55の直前(または、同時刻)に計測された炉内酸素濃度を、基板B01~B05が第5炉F5に位置していたときの特定酸素濃度CC51~CC55と特定する。例えば、特定部43は、第1時刻TC51の直前の計測時刻TM03に計測された炉内酸素濃度C53を、基板B01が第5炉F5に位置していたときの特定酸素濃度CC51として特定する。 In FIG. 7(a), the in-furnace oxygen concentration of the fifth furnace F5 at first times TC51 to TC55 is determined in a stepwise manner based on the in-furnace oxygen concentration measurement values at measurement times TM01 to TM10. That is, the determination unit 43 determines the in-furnace oxygen concentrations measured immediately before (or at) first times TC51 to TC55 when substrates B01 to B05 pass through the fifth furnace F5 as the specific oxygen concentrations CC51 to CC55 when substrates B01 to B05 were located in the fifth furnace F5. For example, the determination unit 43 determines the in-furnace oxygen concentration C53 measured at measurement time TM03, immediately before the first time TC51, as the specific oxygen concentration CC51 when substrate B01 was located in the fifth furnace F5.

図7(b)では、計測時刻TM01~TM10における炉内酸素濃度の計測値に基づいて、直線補完によって第1時刻TC51~TC55における第5炉F5の炉内酸素濃度を特定する。すなわち、特定部43は、基板B01~B05が第5炉F5を通過する第1時刻TC51~TC55の前後に計測された炉内酸素濃度を直線補完して、基板B01~B05が第5炉F5に位置していたときの特定酸素濃度CC51~CC55を特定する。例えば、特定部43は、第1時刻TC51の直前の計測時刻TM03に計測された炉内酸素濃度C53と、直後の計測時刻TM04に計測された炉内酸素濃度C54を直線補完して、基板B01が第5炉F5に位置していたときの特定酸素濃度CC51を特定する。 In FIG. 7(b), the in-furnace oxygen concentration of the fifth furnace F5 at the first times TC51 to TC55 is determined by linear interpolation based on the in-furnace oxygen concentration measurement values at measurement times TM01 to TM10. That is, the determination unit 43 linearly interpolates the in-furnace oxygen concentrations measured before and after the first times TC51 to TC55 when the substrates B01 to B05 pass through the fifth furnace F5, to determine the specific oxygen concentrations CC51 to CC55 when the substrates B01 to B05 were located in the fifth furnace F5. For example, the determination unit 43 linearly interpolates the in-furnace oxygen concentration C53 measured at the measurement time TM03 immediately before the first time TC51 and the in-furnace oxygen concentration C54 measured at the measurement time TM04 immediately after the first time TC51, to determine the specific oxygen concentration CC51 when the substrate B01 was located in the fifth furnace F5.

図3において、特定部43は、特定した特定炉内温度HC11~HC65または特定酸素濃度CC51~CC55を、基板B01~B05の識別情報58に紐づけて、基板別履歴情報41gとして管理記憶部41に記憶させる。すなわち、管理記憶部41は、特定された温度(特定炉内温度HC11~HC65)または酸素濃度(特定酸素濃度CC51~CC55)を、基板B01~B05の識別情報58に紐づけて記憶する記憶部である。記憶された基板別履歴情報41gは、実装基板の品質管理のためのトレース情報などとして使用される。 In FIG. 3, the identification unit 43 associates the identified specific furnace temperatures HC11-HC65 or specific oxygen concentrations CC51-CC55 with the identification information 58 of boards B01-B05 and stores them in the management memory unit 41 as board-specific history information 41g. In other words, the management memory unit 41 is a memory unit that stores the identified temperatures (specific furnace temperatures HC11-HC65) or oxygen concentrations (specific oxygen concentrations CC51-CC55) in association with the identification information 58 of boards B01-B05. The stored board-specific history information 41g is used, for example, as tracing information for quality control of mounted boards.

ここで、図8を参照して、基板別履歴情報41gの一例について説明する。基板別履歴情報41gには、基板Bの識別情報58毎に、ゾーンZ1の特定炉内温度60、ゾーンZ2の特定炉内温度61、ゾーンZ3の特定炉内温度62、ゾーンZ4の特定炉内温度63、ゾーンZ5の特定炉内温度64、ゾーンZ6の特定炉内温度65が記憶されている。また、基板別履歴情報41gには、基板Bの識別情報58毎に、ゾーンZ5の特定酸素濃度66が記憶されている。 Now, with reference to Figure 8, an example of the substrate-specific history information 41g will be described. The substrate-specific history information 41g stores, for each identification information 58 of substrate B, a specific furnace temperature 60 for zone Z1, a specific furnace temperature 61 for zone Z2, a specific furnace temperature 62 for zone Z3, a specific furnace temperature 63 for zone Z4, a specific furnace temperature 64 for zone Z5, and a specific furnace temperature 65 for zone Z6. The substrate-specific history information 41g also stores, for each identification information 58 of substrate B, a specific oxygen concentration 66 for zone Z5.

図3において、解析部45は、雰囲気履歴情報41cに含まれる炉内酸素濃度と搬送履歴情報41dから算出される基板Bの搬送間隔に基づいて、基板Bの搬送間隔に対する炉内酸素濃度の変動傾向を解析する。そして、解析部45は、炉内酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、リフロー装置M7に基板Bを投入する間隔を空けること、または第5炉F5内の炉内酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する。 In FIG. 3, the analysis unit 45 analyzes the fluctuation trend of the oxygen concentration in the furnace relative to the transfer interval of substrate B, based on the oxygen concentration in the furnace included in the atmosphere history information 41c and the transfer interval of substrate B calculated from the transfer history information 41d. If the analysis unit 45 determines that the oxygen concentration in the furnace is on the rise, it issues a command to at least one of increasing the interval at which substrate B is loaded into the reflow device M7 or decreasing the oxygen concentration in the furnace in the fifth furnace F5.

基板Bを投入する間隔を空ける指令を受信したリフロー装置M7のリフロー制御部25は、上流の部品実装装置M6に送信する基板搬出許可指令の送信間隔が空くように制御を変更する。また、第5炉F5内の炉内酸素濃度を下げる指令を受信したリフロー装置M7のリフロー制御部25は、第5炉F5のガス導入部8が導入する不活性ガスの量が増えるように制御を変更する。 The reflow control unit 25 of the reflow device M7, which has received a command to increase the interval between the introduction of boards B, changes its control so that the interval between sending board removal permission commands to the upstream component mounting device M6 increases. Furthermore, the reflow control unit 25 of the reflow device M7, which has received a command to decrease the oxygen concentration in the fifth furnace F5, changes its control so that the amount of inert gas introduced by the gas introduction unit 8 of the fifth furnace F5 increases.

ここで、図9を参照して、解析部45による第5炉F5を通過する基板Bの搬送間隔に対する炉内酸素濃度の変動傾向の解析方法について説明する。ここでは、所定の時間間隔で第5炉F5の炉内酸素濃度が計測されている。図9には、基板B11~B25が第5炉F5に存在する時刻を矩形で表している。すなわち、矩形の左端は基板B11~B25の前端が第5炉F5に進入した時刻を示しており、矩形の右端は基板B11~B25の後端が第5炉F5から退出した時刻を示している。基板B13~B22は、30秒間隔で上流の部品実装装置M6からリフロー装置M7に投入されている。基板B23~B25は、45秒間隔でリフロー装置M7に投入されている。 Now, referring to Figure 9, we will explain how the analysis unit 45 analyzes the fluctuation trend of the oxygen concentration inside the fifth furnace F5 relative to the transport interval of substrates B passing through the fifth furnace F5. Here, the oxygen concentration inside the fifth furnace F5 is measured at predetermined time intervals. In Figure 9, rectangles represent the time when substrates B11 to B25 are present in the fifth furnace F5. That is, the left edge of the rectangle indicates the time when the front ends of substrates B11 to B25 enter the fifth furnace F5, and the right edge of the rectangle indicates the time when the rear ends of substrates B11 to B25 exit the fifth furnace F5. Substrates B13 to B22 are loaded from the upstream component mounting device M6 into the reflow device M7 at 30-second intervals. Substrates B23 to B25 are loaded into the reflow device M7 at 45-second intervals.

解析部45は、雰囲気履歴情報41cに含まれる第5炉F5の炉内酸素濃度56が設定酸素濃度(1000(ppm))よりも多いか、少ないかを解析する。また、解析部45は、第5炉F5の炉内酸素濃度56が上限値(2000(ppm))を超えたか、否かを解析する。また、解析部45は、第5炉F5の炉内酸素濃度56が連続して増加しているか、連続して減少しているかを解析する。 The analysis unit 45 analyzes whether the in-furnace oxygen concentration 56 of the fifth furnace F5 included in the atmosphere history information 41c is higher or lower than the set oxygen concentration (1000 ppm). The analysis unit 45 also analyzes whether the in-furnace oxygen concentration 56 of the fifth furnace F5 exceeds the upper limit (2000 ppm). The analysis unit 45 also analyzes whether the in-furnace oxygen concentration 56 of the fifth furnace F5 is continuously increasing or decreasing.

図9において、解析部45は、第5炉F5の炉内酸素濃度56が設定酸素濃度よりも多く、かつ、3回連続して増加した場合は(楕円aで示す計測値)、酸素濃度が増加傾向にあると判断する。すなわち、この時間帯は、基板Bが第5炉F5に進入する際に流入してしまう酸素の量が、ガス導入部8より導入される不活性ガスの量を上回っている。そこで、解析部45は、リフロー装置M7に基板Bを投入する間隔を空けること、または第5炉F5内の炉内酸素濃度を下げることを指令する。この例では、基板B23をリフロー装置M7に投入するタイミングから投入間隔が30秒から45秒に変更されている。また、酸素濃度が増加傾向にあると判断されると直ぐに、第5炉F5のガス導入部8が導入する不活性ガスの量が増やされている。 In FIG. 9, if the oxygen concentration 56 in the fifth furnace F5 is greater than the set oxygen concentration and has increased three consecutive times (measured value indicated by ellipse a), the analysis unit 45 determines that the oxygen concentration is on the rise. In other words, during this time period, the amount of oxygen flowing into the fifth furnace F5 when substrate B enters it exceeds the amount of inert gas introduced through the gas inlet 8. Therefore, the analysis unit 45 instructs the reflow unit M7 to increase the interval between introductions of substrate B or to lower the oxygen concentration in the fifth furnace F5. In this example, the introduction interval is changed from 30 seconds to 45 seconds from the time substrate B23 is introduced into the reflow unit M7. Furthermore, as soon as it is determined that the oxygen concentration is on the rise, the amount of inert gas introduced through the gas inlet 8 of the fifth furnace F5 is increased.

その後、第5炉F5の炉内酸素濃度56は、導入される不活性ガスの増量の効果により減少傾向となる(楕円bで示す計測値)。解析部45は、不活性ガスの増量後に第5炉F5の炉内酸素濃度56が減少し、設定酸素濃度を下回ると(円cで示す計測値)、第5炉F5のガス導入部8が導入する不活性ガスの量を元の状態に戻すように指令する。その際、基板Bの投入間隔は45秒のままに維持される。これにより、第5炉F5の炉内酸素濃度56が過剰に減少することを防止することができる。その後も、解析部45は、炉内酸素濃度の変動傾向に基づいて、リフロー装置M7に基板を投入する間隔や、ガス導入部8が導入する不活性ガスの量の変更を指令する。 Then, the oxygen concentration 56 in the fifth furnace F5 tends to decrease due to the increased amount of inert gas being introduced (measurement value indicated by ellipse b). When the oxygen concentration 56 in the fifth furnace F5 decreases after the increase in the amount of inert gas and falls below the set oxygen concentration (measurement value indicated by circle c), the analysis unit 45 commands the gas introduction unit 8 of the fifth furnace F5 to return the amount of inert gas introduced to its original state. At that time, the interval between introductions of substrate B is maintained at 45 seconds. This prevents the oxygen concentration 56 in the fifth furnace F5 from decreasing excessively. Thereafter, the analysis unit 45 commands changes to the interval between introductions of substrates into the reflow apparatus M7 and the amount of inert gas introduced by the gas introduction unit 8 based on the trend in the oxygen concentration in the furnace.

図3において、解析部45は、雰囲気履歴情報41cに含まれる炉内温度と搬送履歴情報41dから算出される基板Bの搬送間隔に基づいて、基板Bの搬送間隔に対する炉内温度の変動傾向を解析する。そして、解析部45は、炉F1~F6の炉内温度が低下傾向にあると判断すると、リフロー装置M7に基板Bを投入する間隔を空けることを指令する。これにより、炉F1~F6の炉内温度の低下を抑制することができる。すなわち、炉F1~F6に進入する基板Bに起因して炉内温度が低減少する傾向がある場合は、炉内温度のさらなる減少を抑制するために、単位時間当たりに炉F1~F6に進入する基板Bの枚数を減少させる。なお、解析部45による炉内温度の変動傾向の解析は、炉内酸素濃度の変動傾向の解析と同様であり、詳細な説明は省略する。 In FIG. 3, the analysis unit 45 analyzes the trend in furnace temperature fluctuations relative to the transfer interval of substrate B, based on the furnace temperature included in the atmosphere history information 41c and the transfer interval of substrate B calculated from the transfer history information 41d. If the analysis unit 45 determines that the furnace temperature in furnaces F1 to F6 is on a downward trend, it instructs the reflow device M7 to increase the interval at which substrate B is loaded. This prevents the decrease in the furnace temperature in furnaces F1 to F6. In other words, if the furnace temperature is on a downward trend due to substrates B entering furnaces F1 to F6, the number of substrates B entering furnaces F1 to F6 per unit time is reduced to prevent further decrease in the furnace temperature. The analysis of the trend in furnace temperature fluctuations by the analysis unit 45 is similar to the analysis of the trend in oxygen concentration fluctuations in the furnace, and a detailed description will be omitted.

このように、本実施の形態の管理装置3は、リフロー装置M7の炉F1~F6内の少なくとも炉内温度51~55,57または炉内酸素濃度56の計測結果を含む雰囲気履歴情報41cと、リフロー装置M7における基板Bの搬送履歴情報41dとを取得する取得部42と、雰囲気履歴情報41cと搬送履歴情報41dとに基づいて、基板Bが炉F1~F6に位置していたときの特定炉内温度60~65または特定酸素濃度66を特定する特定部43と、を備えており、基板Bを搬送しながら加熱するリフロー装置M7を少なくとも含む実装基板製造ラインPL1を管理する。これによって、基板Bが炉F1~F6に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる。 In this way, the management device 3 of this embodiment is equipped with an acquisition unit 42 that acquires atmosphere history information 41c including measurement results of at least furnace temperatures 51-55, 57 or furnace oxygen concentration 56 in furnaces F1-F6 of reflow apparatus M7, and transport history information 41d of board B in reflow apparatus M7, and an identification unit 43 that identifies the specific furnace temperature 60-65 or specific oxygen concentration 66 when board B was located in furnaces F1-F6 based on the atmosphere history information 41c and transport history information 41d, and manages a mounting board production line PL1 that includes at least reflow apparatus M7, which heats board B while transporting it. This makes it possible to identify the temperature or oxygen concentration when board B was located in furnaces F1-F6.

次に、図10のフローに沿って、リフロー装置M7の炉F1~F6に基板Bが位置していたときの炉F1~F6内の温度または酸素濃度を特定する管理方法について説明する。ここでは、実装基板製造ラインPL1において実装基板を製造中にリフロー装置M7の炉F1~F6内の温度または酸素濃度を特定し、実装基板製造ラインPL1の製造作業にフィードバックする管理方法について説明する。 Next, following the flow chart in Figure 10, we will explain a management method for determining the temperature or oxygen concentration within furnaces F1 to F6 of reflow equipment M7 when substrate B is positioned in one of these furnaces. Here, we will explain a management method for determining the temperature or oxygen concentration within furnaces F1 to F6 of reflow equipment M7 while mounting substrates are being manufactured in mounting substrate manufacturing line PL1, and providing feedback to the manufacturing operations of mounting substrate manufacturing line PL1.

まず、管理装置3の取得部42は、リフロー装置M7から温度履歴21bと酸素濃度履歴21cを取得して、炉F1~F6内の炉内温度51~55,57または炉内酸素濃度56の計測結果を含む雰囲気履歴情報41cとして記憶させる。また、取得部42は、リフロー装置M7から基板搬入履歴21dを取得して、リフロー装置M7における基板Bの搬送履歴情報41dとして記憶させる(ST1:取得工程)。取得工程(ST1)は、リフロー装置M7で炉内温度や炉内酸素濃度が計測されたタイミングなどに実行される。 First, the acquisition unit 42 of the management device 3 acquires the temperature history 21b and oxygen concentration history 21c from the reflow apparatus M7 and stores them as atmosphere history information 41c, which includes measurement results of the furnace temperatures 51-55, 57 or the furnace oxygen concentration 56 in the furnaces F1-F6. The acquisition unit 42 also acquires the board loading history 21d from the reflow apparatus M7 and stores it as transport history information 41d for the board B in the reflow apparatus M7 (ST1: acquisition process). The acquisition process (ST1) is performed, for example, when the furnace temperature or furnace oxygen concentration is measured in the reflow apparatus M7.

図10において、次いで管理装置3の算出部44は、搬送履歴情報41dに含まれる基板B01~B05がリフロー装置M7の所定位置(基板検出位置DP)を通過した第2時刻TD01~TD05と、リフロー装置M7における基板B01~B05の搬送速度Vと、リフロー装置M7における基板B01~B05の搬送距離L0~L6に基づいて、基板B01~B05が炉F1~F6内の所定位置を通過した第1時刻TC11~TC61を算出する(ST2:算出工程)(図6参照)。 In FIG. 10, the calculation unit 44 of the management device 3 then calculates the first times TC11 to TC61 at which the boards B01 to B05 passed through the predetermined positions in the furnaces F1 to F6 based on the second times TD01 to TD05 at which the boards B01 to B05 passed through the predetermined positions (board detection position DP) in the reflow device M7, which are included in the transport history information 41d, the transport speed V of the boards B01 to B05 in the reflow device M7, and the transport distances L0 to L6 of the boards B01 to B05 in the reflow device M7 (ST2: calculation step) (see FIG. 6).

次いで管理装置3の特定部43は、算出された第1時刻TC51~TC55もしくは第1時刻TC51~TC55の前後に計測された炉F1~F6内の炉内温度51~55,57または炉内酸素濃度56に基づいて、基板B01~B05が炉F1~F6に位置していたときの特定炉内温度60~65または特定酸素濃度66を特定する(ST3:特定工程)(図7、図8参照)。すなわち、特定工程(ST3)において、雰囲気履歴情報41cと搬送履歴情報41dとに基づいて、基板B01~B05が炉F1~F6に位置していたときの特定炉内温度60~65または特定酸素濃度66が特定される。 Then, the identification unit 43 of the management device 3 identifies the specific in-furnace temperature 60-65 or the specific oxygen concentration 66 when the substrates B01-B05 were located in the furnaces F1-F6 based on the calculated in-furnace temperatures 51-55, 57 or in-furnace oxygen concentration 56 in the furnaces F1-F6 measured before and after the first times TC51-TC55 (ST3: identification step) (see Figures 7 and 8). That is, in the identification step (ST3), the specific in-furnace temperature 60-65 or the specific oxygen concentration 66 when the substrates B01-B05 were located in the furnaces F1-F6 is identified based on the atmosphere history information 41c and the transport history information 41d.

図10において、特定部43は、特定された特定炉内温度60~65または特定酸素濃度66を基板B01~B05の識別情報58に紐づけて、基板別履歴情報41gとして記憶させる(ST4:第1記憶工程)。これによって、基板B01~B05が炉F1~F6に位置していたときの温度または酸素濃度を、基板B01~B05毎に特定することができる。 In FIG. 10, the identification unit 43 associates the identified specific furnace temperature 60-65 or specific oxygen concentration 66 with the identification information 58 of the substrates B01-B05 and stores it as substrate-specific history information 41g (ST4: first storage step). This makes it possible to identify the temperature or oxygen concentration when the substrates B01-B05 were located in the furnaces F1-F6 for each substrate B01-B05.

次いで管理装置3の解析部45は、雰囲気履歴情報41cに含まれる炉内酸素濃度56と搬送履歴情報41dに基づいて、基板B11~B25の搬送間隔に対する炉内酸素濃度56の変動傾向を解析する(ST5:酸素濃度解析工程)(図9参照)。解析の結果、炉内酸素濃度56が増加傾向にある場合(ST5においてYes)(図9の楕円a)、解析部45は、リフロー装置M7に基板B23~B25を投入する間隔を空けること、または第5炉F5内の酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する(ST6:第1指令工程)。この指令に基づいて、投入間隔が30秒から45秒に変更され、第5炉F5のガス導入部8が導入する不活性ガスの量が増やされる。 Next, the analysis unit 45 of the management device 3 analyzes the trend of fluctuations in the in-furnace oxygen concentration 56 relative to the transfer interval of substrates B11-B25 based on the in-furnace oxygen concentration 56 contained in the atmosphere history information 41c and the transfer history information 41d (ST5: oxygen concentration analysis step) (see Figure 9). If the analysis shows that the in-furnace oxygen concentration 56 is on the rise (Yes in ST5) (ellipse a in Figure 9), the analysis unit 45 issues a command to the reflow device M7 to either increase the interval between the introduction of substrates B23-B25 or to reduce the oxygen concentration in the fifth furnace F5 (ST6: first command step). Based on this command, the introduction interval is changed from 30 seconds to 45 seconds, and the amount of inert gas introduced by the gas introduction unit 8 of the fifth furnace F5 is increased.

図10において、次いで解析部45は、雰囲気履歴情報41cに含まれる炉内温度51~55,57と搬送履歴情報41dに基づいて、基板B11~B25の搬送間隔に対する炉内温度51~55,57の変動傾向を解析する(ST7:温度解析工程)。解析の結果、炉内温度51~55,57が低下傾向にある場合(ST7においてYes)、解析部45は、リフロー装置M7に基板B19~B25を投入する間隔を空けることを指令する(ST8:第2指令工程)。 In FIG. 10, the analysis unit 45 then analyzes the fluctuation trends of the furnace temperatures 51-55, 57 relative to the transfer interval of the boards B11-B25 based on the furnace temperatures 51-55, 57 included in the atmosphere history information 41c and the transfer history information 41d (ST7: temperature analysis step). If the analysis shows that the furnace temperatures 51-55, 57 are on a downward trend (Yes in ST7), the analysis unit 45 instructs the reflow device M7 to increase the interval between loading the boards B19-B25 (ST8: second command step).

このように、雰囲気履歴情報41cに含まれる炉内酸素濃度56または炉内温度51~55,57と搬送履歴情報41dに基づき解析された基板B11~B25の搬送間隔に対する炉内酸素濃度56または炉内温度51~55,57の変動傾向に基づいて(ST5、ST7)、リフロー装置M7に基板B19~B25を投入する間隔、または第5炉F5のガス導入部8が導入する不活性ガスの量が変更される(ST6、ST8)。これによって、リフロー装置M7の炉内酸素濃度56や炉内温度51~55,57の変動が精密に制御され、製造される実装基板の品質の変動が抑制される。 In this way, the interval at which boards B19-B25 are loaded into reflow machine M7 or the amount of inert gas introduced by gas inlet 8 of fifth furnace F5 is changed (ST6, ST8) based on the trend in fluctuations in furnace oxygen concentration 56 or furnace temperatures 51-55, 57 relative to the transfer interval of boards B11-B25 analyzed based on atmosphere history information 41c, including atmospheric history information 41c, and transfer history information 41d. This precisely controls fluctuations in furnace oxygen concentration 56 and furnace temperatures 51-55, 57, suppressing variations in the quality of the manufactured mounted boards.

図10において、実装基板製造ラインPL1での実装基板の生産が終了していない場合(ST9においてNo)、取得工程(ST1)に戻って、雰囲気履歴情報41cと搬送履歴情報41dの取得(ST1)、基板別履歴情報41gの作成と記憶(ST2~ST4)、リフロー装置M7に基板B19~B25を投入する間隔や第5炉F5に導入する不活性ガスの量などのフィードバック(ST5~ST8)が繰り返し実行される。 In Figure 10, if the production of mounted boards on the mounted board production line PL1 has not finished (No in ST9), the process returns to the acquisition process (ST1) and repeatedly acquires atmosphere history information 41c and transport history information 41d (ST1), creates and stores board-specific history information 41g (ST2-ST4), and provides feedback (ST5-ST8) on the interval at which boards B19-B25 are introduced into the reflow device M7 and the amount of inert gas introduced into the fifth furnace F5, etc.

次に、図11を参照して、本発明の実施の形態の他の実施例のリフロー装置(以下、単に「リフロー装置M7A」と称する。)の構成を、リフロー装置M7Aを備える実装基板製造システム1Aのブロック図を用いて説明する。リフロー装置M7Aは、図3に示す管理装置3が備える基板別履歴情報41gを作成する機能などを備えるところが図3に示すリフロー装置M7とは異なる。以下、リフロー装置M7と同じ部分には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。 Next, with reference to Figure 11, the configuration of a reflow apparatus according to another embodiment of the present invention (hereinafter simply referred to as "reflow apparatus M7A") will be described using a block diagram of a mounted substrate manufacturing system 1A equipped with reflow apparatus M7A. Reflow apparatus M7A differs from reflow apparatus M7 shown in Figure 3 in that it is equipped with a function for creating board-specific history information 41g equipped in management apparatus 3 shown in Figure 3. Hereinafter, parts that are the same as those in reflow apparatus M7 will be assigned the same reference numerals, and detailed description will be omitted.

リフロー装置M7Aが備えるリフロー制御装置20Aは、リフロー記憶部21A、基板検出処理部22、温度計測処理部23、酸素計測処理部24、リフロー制御部25、リフロー通信部26の他、特定部33、算出部34、解析部35を備えている。また、リフロー記憶部21Aには、リフロー条件21a、温度履歴21b、酸素濃度履歴21c、基板搬入履歴21dの他、基板情報21e、搬送距離情報21f、基板別履歴情報21gなどが記憶されている。基板情報21eと搬送距離情報21fは、管理装置3の管理記憶部41が記憶する基板情報41bと搬送距離情報41fと同じであり、詳細な説明は省略する。 The reflow control device 20A provided in the reflow device M7A includes a reflow memory unit 21A, a substrate detection processing unit 22, a temperature measurement processing unit 23, an oxygen measurement processing unit 24, a reflow control unit 25, a reflow communication unit 26, an identification unit 33, a calculation unit 34, and an analysis unit 35. The reflow memory unit 21A also stores reflow conditions 21a, temperature history 21b, oxygen concentration history 21c, substrate loading history 21d, substrate information 21e, transport distance information 21f, and substrate-specific history information 21g. The substrate information 21e and transport distance information 21f are the same as the substrate information 41b and transport distance information 41f stored in the management memory unit 41 of the management device 3, and detailed description thereof will be omitted.

図11において、算出部34は、基板搬入履歴21dに含まれる第2時刻と、リフロー条件21aに含まれる搬送速度Vと、搬送距離情報21fに含まれる搬送距離L0~L6に基づいて、第1時刻を算出する他は、管理装置3の算出部44と同じであり、詳細な説明は省略する。特定部33は、温度履歴21bに含まれる炉F1~F6内の炉内温度と、酸素濃度履歴21cに含まれる第5炉F5の炉内酸素濃度と、基板搬入履歴21dに基づいて、特定炉内温度と特定酸素濃度を特定する他は、管理装置3の特定部43と同じであり、詳細な説明は省略する。 In FIG. 11, the calculation unit 34 calculates the first time based on the second time included in the substrate loading history 21d, the transport speed V included in the reflow conditions 21a, and the transport distances L0 to L6 included in the transport distance information 21f. Other than this, the calculation unit 34 is the same as the calculation unit 44 of the management device 3, and a detailed description thereof will be omitted. The identification unit 33 is the same as the identification unit 43 of the management device 3, and a detailed description thereof will be omitted. Other than this, the identification unit 33 identifies a specific furnace temperature and a specific oxygen concentration based on the furnace temperatures of the furnaces F1 to F6 included in the temperature history 21b, the furnace oxygen concentration of the fifth furnace F5 included in the oxygen concentration history 21c, and the substrate loading history 21d.

解析部35は、温度履歴21bに含まれる炉F1~F6内の炉内温度と、酸素濃度履歴21cに含まれる第5炉F5の炉内酸素濃度と、基板搬入履歴21dに基づいて、基板の搬送間隔に対する炉内温度と炉内酸素濃度の変動傾向を解析する他は、管理装置3の解析部45と同じであり、詳細な説明は省略する。 The analysis unit 35 is the same as the analysis unit 45 of the management device 3, except that it analyzes the trends in the temperature and oxygen concentration in the furnace relative to the substrate transport interval based on the furnace temperatures in the furnaces F1 to F6 contained in the temperature history 21b, the oxygen concentration in the fifth furnace F5 contained in the oxygen concentration history 21c, and the substrate loading history 21d, and so a detailed description will be omitted.

上記説明したように、本実施の形態の他の実施例のリフロー装置M7Aは、基板を加熱するための炉F1~F6と、炉F1~F6内の少なくとも炉内温度または炉内酸素濃度を計測する計測部(温度計測部31、酸素濃度計測部32)と、計測された炉内温度または炉内酸素濃度と、リフロー装置M7Aにおける基板の搬送情報(基板搬入履歴21d)に基づいて、基板が炉F1~F6に位置していたときの特定炉内温度または特定酸素濃度を特定する特定部33と、を備えている。これによって、リフロー装置M7Aが単独で、基板が炉F1~F6に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる。 As described above, the reflow soldering apparatus M7A of another example of this embodiment includes furnaces F1 to F6 for heating substrates, measurement units (temperature measurement unit 31, oxygen concentration measurement unit 32) that measure at least the furnace temperature or oxygen concentration within the furnaces F1 to F6, and an identification unit 33 that identifies the specific furnace temperature or specific oxygen concentration when the substrate was located in the furnaces F1 to F6 based on the measured furnace temperature or furnace oxygen concentration and substrate transport information (substrate carry-in history 21d) in the reflow soldering apparatus M7A. This allows the reflow soldering apparatus M7A to independently identify the temperature or oxygen concentration when the substrate was located in the furnaces F1 to F6.

次に、図12を参照して、本発明の実施の形態の他の実施例のリフロー装置(以下、単に「リフロー装置M7B」と称する。)の構成を、リフロー装置M7Bを備える実装基板製造システム1Bのブロック図を用いて説明する。リフロー装置M7Bは、炉F1~F6内に基板が搬送された時に炉内温度と炉内酸素濃度を計測するところがリフロー装置M7、リフロー装置M7Aとは異なる。以下、リフロー装置M7、リフロー装置M7Aと同じ部分には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。 Next, with reference to Figure 12, the configuration of a reflow apparatus according to another embodiment of the present invention (hereinafter simply referred to as "reflow apparatus M7B") will be described using a block diagram of a mounted substrate manufacturing system 1B equipped with reflow apparatus M7B. Reflow apparatus M7B differs from reflow apparatus M7 and reflow apparatus M7A in that it measures the temperature and oxygen concentration inside the furnace when a substrate is transported into furnaces F1 to F6. Hereinafter, parts that are the same as those in reflow apparatus M7 and reflow apparatus M7A will be assigned the same reference numerals, and detailed description will be omitted.

リフロー装置M7Bが備えるリフロー制御装置20Bは、リフロー記憶部21B、基板検出処理部22、温度計測処理部23B、酸素計測処理部24B、リフロー制御部25、リフロー通信部26、解析部35Bを備えている。また、リフロー記憶部21Aには、リフロー条件21a、基板情報21e、基板別履歴情報21gの他、計測条件21hなどが記憶されている。 The reflow control device 20B provided in the reflow device M7B includes a reflow memory unit 21B, a substrate detection processing unit 22, a temperature measurement processing unit 23B, an oxygen measurement processing unit 24B, a reflow control unit 25, a reflow communication unit 26, and an analysis unit 35B. The reflow memory unit 21A also stores reflow conditions 21a, substrate information 21e, and substrate-specific history information 21g, as well as measurement conditions 21h.

図12において、計測条件21hには、搬入センサ10がリフロー装置M7Bに投入される基板B08~B09を検出する基板検出位置DPから各炉F1~F6に設置された温度センサS1~S6または酸素濃度センサ9までの搬送距離L1B~L6Bが記憶されている(図13参照)。または、計測条件21hには、搬送距離L1B~L6Bとリフロー条件21aに含まれる基板B08~B09の搬送速度Vから算出される、基板検出位置DPを通過した基板B08~B09が温度センサS1~S6または酸素濃度センサ9に到達するまでの搬送時間(搬送距離L1B~L6B/搬送速度V)が記憶されている。 In Figure 12, measurement condition 21h stores transport distances L1B to L6B from substrate detection position DP, where input sensor 10 detects substrates B08 to B09 being introduced into reflow device M7B, to temperature sensors S1 to S6 or oxygen concentration sensor 9 installed in each furnace F1 to F6 (see Figure 13). Alternatively, measurement condition 21h stores the transport time (transport distances L1B to L6B/transport speed V) required for substrates B08 to B09 to pass substrate detection position DP and reach temperature sensors S1 to S6 or oxygen concentration sensor 9, calculated from transport distances L1B to L6B and transport speed V of substrates B08 to B09 included in reflow condition 21a.

温度計測部31Bは、基板検出部30が基板検出位置DPを通過する基板B08~B09を検出した後、所定時間後(搬送時間後)に炉内温度を計測する。また、酸素濃度計測部32Bは、基板検出部30が基板検出位置DPを通過する基板B08~B09を検出した後、所定時間後(搬送時間後)に炉内酸素濃度を計測する。また、所定時間(搬送時間)は、基板搬送部5が基板B08~B09を搬送する搬送速度Vと、基板検出部30が基板B08~B09を検出する基板検出位置DPから計測部(温度計測部31、酸素濃度検出部32)のセンサ(温度センサS1~S6、酸素濃度センサ9)が計測する位置までの搬送距離L1B~L6Bに基づいて算出される。 The temperature measurement unit 31B measures the temperature inside the furnace a predetermined time (transport time) after the substrate detection unit 30 detects substrates B08-B09 passing through the substrate detection position DP. The oxygen concentration measurement unit 32B measures the oxygen concentration inside the furnace a predetermined time (transport time) after the substrate detection unit 30 detects substrates B08-B09 passing through the substrate detection position DP. The predetermined time (transport time) is calculated based on the transport speed V at which the substrate transport unit 5 transports the substrates B08-B09 and the transport distances L1B-L6B from the substrate detection position DP at which the substrate detection unit 30 detects the substrates B08-B09 to the positions measured by the sensors (temperature sensors S1-S6, oxygen concentration sensor 9) of the measurement units (temperature measurement unit 31, oxygen concentration detection unit 32).

基板検出部30が基板B08~B09を検出した第2時刻、温度計測部31Bが計測した炉内温度と計測時刻、酸素濃度計測部32Bが計測した炉内酸素濃度と計測時刻は、計測された基板B08~B09の識別情報58と紐付され、基板別履歴情報21gとしてリフロー記憶部21Bに記憶される。すなわち、リフロー記憶部21Bは、基板B08~B09が検出された第2時刻と、計測された炉内温度または炉内酸素濃度がそれぞれ計測された計測時刻に、計測された基板B08~B09の識別情報58を紐づけて記憶する記憶部である。 The second time when substrate detection unit 30 detects substrates B08-B09, the furnace temperature and measurement time measured by temperature measurement unit 31B, and the furnace oxygen concentration and measurement time measured by oxygen concentration measurement unit 32B are linked to identification information 58 of measured substrates B08-B09 and stored in reflow memory unit 21B as substrate-specific history information 21g. In other words, reflow memory unit 21B is a memory unit that links and stores the second time when substrates B08-B09 were detected and the measurement time when the furnace temperature or furnace oxygen concentration was measured, respectively.

ここで、図13を参照しながら、温度計測部31Bと酸素濃度計測部32Bによる炉内温度と炉内酸素濃度の計測方法について説明する。基板B08は、第2時刻TD08に基板検出位置DPで基板検出部30(搬入センサ10)によって検出されている。その後、基板B10がゾーンZ1の温度センサS1の位置に到達する計測時刻TM18に、温度計測部31B(温度センサS1)により炉内温度HC18が計測される。 Now, with reference to Figure 13, we will explain how the temperature measurement unit 31B and oxygen concentration measurement unit 32B measure the furnace temperature and oxygen concentration. Substrate B08 is detected by the substrate detection unit 30 (incoming sensor 10) at substrate detection position DP at second time TD08. Thereafter, at measurement time TM18 when substrate B10 reaches the position of temperature sensor S1 in zone Z1, the furnace temperature HC18 is measured by temperature measurement unit 31B (temperature sensor S1).

同様に、基板B10がゾーンZ2~Z6の温度センサS2~S6の位置に到達する計測時刻TM28~TM68に、温度計測部31B(温度センサS2~S6)により炉内温度HC28~HC68が計測される。また、基板B10がゾーンZ5の酸素濃度センサ9の位置に到達する計測時刻TM58に、酸素濃度計測部32B(酸素濃度センサ9)により炉内酸素濃度CC58が計測される。 Similarly, at measurement times TM28 to TM68 when substrate B10 reaches the positions of temperature sensors S2 to S6 in zones Z2 to Z6, temperature measurement unit 31B (temperature sensors S2 to S6) measures furnace temperatures HC28 to HC68. Furthermore, at measurement time TM58 when substrate B10 reaches the position of oxygen concentration sensor 9 in zone Z5, oxygen concentration measurement unit 32B (oxygen concentration sensor 9) measures furnace oxygen concentration CC58.

図12において、解析部35Bは、リフロー記憶部21B(記憶部)に記憶された基板別履歴情報21gに含まれる基板B08~B09の第2時刻TD08~TD09、炉内温度HC18~HC69、計測時刻TM18~TM69に基づいて、基板B08~B09の搬送間隔に対する炉内温度HC18~HC69の傾向を解析する。そして、解析部35Bは、炉内温度HC18~HC69が低下傾向にあると判断すると、リフロー装置M7Bに基板B08~B09を投入する間隔を空けることを指令する。 In FIG. 12, the analysis unit 35B analyzes the trend of the furnace temperatures HC18-HC69 relative to the transfer interval of boards B08-B09 based on the second times TD08-TD09, furnace temperatures HC18-HC69, and measurement times TM18-TM69 for boards B08-B09 contained in the board-specific history information 21g stored in the reflow memory unit 21B (memory unit). If the analysis unit 35B determines that the furnace temperatures HC18-HC69 are on a downward trend, it instructs the reflow device M7B to increase the interval at which boards B08-B09 are loaded.

また、解析部35Bは、リフロー記憶部21B(記憶部)に記憶された基板別履歴情報21gに含まれる基板B08~B09の第2時刻TD08~TD09、炉内酸素濃度CC58~CC69、計測時刻TM18~TM69に基づいて、基板B08~B09の搬送間隔に対する炉内酸素濃度CC58~CC69の変動傾向を解析する。そして、解析部35Bは、炉内酸素濃度CC58~CC69が増加傾向にあると判断すると、リフロー装置M7Bに基板B08~B09を投入する間隔を空けること、またはガス導入部8が導入する不活性ガスの量を増やすこと、の少なくともいずれかを指令する。 The analysis unit 35B also analyzes the trend in the in-furnace oxygen concentrations CC58-CC69 relative to the transfer interval for substrates B08-B09 based on the second times TD08-TD09, in-furnace oxygen concentrations CC58-CC69, and measurement times TM18-TM69 for substrates B08-B09 contained in the substrate-specific history information 21g stored in the reflow memory unit 21B (memory unit). If the analysis unit 35B determines that the in-furnace oxygen concentrations CC58-CC69 are on the rise, it issues a command to either increase the interval between loading substrates B08-B09 into the reflow device M7B or to increase the amount of inert gas introduced by the gas introduction unit 8.

次に、図14のフローに沿って、リフロー装置M7Bの炉F1~F6に基板B08~B09が位置していたときの炉F1~F6内の炉内温度または炉内酸素濃度を計測する管理方法について説明する。以下、図10に示す管理方法と同じ工程には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。 Next, following the flow chart in Figure 14, we will explain the control method for measuring the temperature or oxygen concentration inside furnaces F1 to F6 of reflow equipment M7B when boards B08 to B09 are located in those furnaces. Below, the same steps as those in the control method shown in Figure 10 are given the same reference numerals, and detailed explanations will be omitted.

まず、基板検出部30によりリフロー装置M7Bに投入される基板B08~B09が検出されると(ST11においてYes)、その基板B08~B09が各炉F1~F6の温度センサS1~S6または酸素濃度センサ9に到達する計測時刻TM18~TM69が算出される(ST12:計測時刻算出工程)。次いで温度計測部31Bと酸素濃度計測部32Bは、計測時刻TM18~TM69に炉内温度HC18~HC69と炉内酸素濃度CC58~CC69を計測する(ST13:第3計測工程)。 First, when the board detection unit 30 detects boards B08-B09 being loaded into the reflow unit M7B (Yes in ST11), it calculates the measurement times TM18-TM69 at which the boards B08-B09 will reach the temperature sensors S1-S6 or oxygen concentration sensor 9 in each furnace F1-F6 (ST12: Measurement time calculation process). Next, the temperature measurement unit 31B and oxygen concentration measurement unit 32B measure the furnace temperatures HC18-HC69 and the furnace oxygen concentrations CC58-CC69 at measurement times TM18-TM69 (ST13: Third measurement process).

図14において、次いで基板検出部30が基板B08~B09を検出した第2時刻、計測された炉内温度HC18~HC69、炉内酸素濃度CC58~CC69、計測時刻TM18~TM69は、基板B08~B09の識別情報58と紐付けされて、基板別履歴情報21gとして記憶される(ST14:第2記憶工程)。その後、基板別履歴情報21gに基づいて、酸素濃度解析工程(ST5)、第1指令工程(ST6)、温度解析工程(ST7)、第2指令工程(ST8)が実行され、リフロー装置M7Bに基板B08~B09を投入する間隔、または第5炉F5のガス導入部8が導入する不活性ガスの量が変更される。 In FIG. 14, the second time when the substrate detection unit 30 detects substrates B08-B09, the measured furnace temperatures HC18-HC69, the furnace oxygen concentrations CC58-CC69, and the measurement times TM18-TM69 are linked to the identification information 58 of substrates B08-B09 and stored as substrate-specific history information 21g (ST14: second storage process). Thereafter, based on the substrate-specific history information 21g, the oxygen concentration analysis process (ST5), first command process (ST6), temperature analysis process (ST7), and second command process (ST8) are executed, and the interval at which substrates B08-B09 are introduced into the reflow device M7B or the amount of inert gas introduced by the gas introduction unit 8 of the fifth furnace F5 is changed.

上記説明したように、本実施の形態の他の実施例のリフロー装置M7Bは、基板B08~B09を加熱するための炉F1~F6と、炉F1~F6内の少なくとも炉内温度HC18~HC69または炉内酸素濃度CC58~CC69を計測する計測部(温度計測部31B、酸素濃度計測部32B)と、基板B08~B09を搬送する基板搬送部5と、炉F1~F6より前の所定位置(基板検出位置DP)を通過する基板B08~B09を検出する基板検出部30と、を備えている。 As explained above, the reflow soldering apparatus M7B according to another example of this embodiment includes furnaces F1-F6 for heating substrates B08-B09, measurement units (temperature measurement unit 31B, oxygen concentration measurement unit 32B) that measure at least the furnace temperatures HC18-HC69 or the furnace oxygen concentrations CC58-CC69 in the furnaces F1-F6, a substrate transport unit 5 that transports substrates B08-B09, and a substrate detection unit 30 that detects substrates B08-B09 as they pass through a predetermined position (substrate detection position DP) before the furnaces F1-F6.

そして、計測部は、基板検出部30が基板B08~B09を検出した後、所定時間後(計測時刻TM18~TM69)に炉内温度HC18~HC69または炉内酸素濃度CC58~CC69を計測する。これによって、基板B08~B09が炉F1~F6に位置していたときの温度または酸素濃度をリアルタイムに特定(計測)することができる。 Then, the measurement unit measures the furnace temperatures HC18-HC69 or the furnace oxygen concentrations CC58-CC69 a predetermined time later (measurement times TM18-TM69) after the substrate detection unit 30 detects substrates B08-B09. This makes it possible to identify (measure) in real time the temperatures or oxygen concentrations when substrates B08-B09 were located in furnaces F1-F6.

本発明の管理装置およびリフロー装置ならびに管理方法は、基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができるという効果を有し、部品を基板に実装する分野において有用である。 The control device, reflow device, and control method of the present invention have the effect of being able to identify the temperature or oxygen concentration when a substrate was in a furnace, and are useful in the field of mounting components to substrates.

1、1A、1B 実装基板製造システム
3 管理装置
5 基板搬送部
8 ガス導入部
B、B01~B05、B08~B09、B11~B25 基板
DP 基板検出位置(リフロー装置の所定位置)
F1 第1炉
F2 第2炉
F3 第3炉
F4 第4炉
F5 第5炉
F6 第6炉
L0~L6、L1B~L6B 搬送距離
M7、M7A、M7B リフロー装置
PL1 実装基板製造ライン
V 搬送速度
1, 1A, 1B Mounting board manufacturing system 3 Management device 5 Board transport section 8 Gas introduction section B, B01 to B05, B08 to B09, B11 to B25 Board DP Board detection position (predetermined position of reflow device)
F1 1st furnace F2 2nd furnace F3 3rd furnace F4 4th furnace F5 5th furnace F6 6th furnace L0 to L6, L1B to L6B Conveying distance M7, M7A, M7B Reflow equipment PL1 Mounting board production line V Conveying speed

Claims (10)

基板を搬送しながら加熱するリフロー装置を少なくとも含む実装基板製造ラインの管理装置であって、
前記リフロー装置の炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送履歴情報とを取得する取得部と、
前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、
前記雰囲気履歴情報に含まれる前記酸素濃度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記酸素濃度の変動傾向を解析する解析部と、を備え
前記解析部は、前記酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けること、または前記炉内の前記酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する、管理装置。
A management device for a mounting substrate manufacturing line including at least a reflow device that heats a substrate while transporting it,
an acquisition unit that acquires atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration in a furnace of the reflow apparatus and transport history information of the substrate in the reflow apparatus;
an identifying unit that identifies the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmosphere history information and the transfer history information;
an analysis unit that analyzes a tendency of fluctuation in the oxygen concentration relative to a transfer interval of the substrate based on the oxygen concentration included in the atmosphere history information and the transfer history information ,
When the analysis unit determines that the oxygen concentration is on the rise, it instructs the management device to at least one of increasing the interval between placing substrates in the reflow device or decreasing the oxygen concentration in the furnace .
特定された前記温度または前記酸素濃度を、前記基板の識別情報に紐づけて記憶する記憶部をさらに備える、請求項1に記載の管理装置。 The management device of claim 1 further includes a memory unit that stores the identified temperature or oxygen concentration in association with identification information for the substrate. 前記リフロー装置は、複数の前記炉を有し、
前記特定部は、前記基板が前記複数の前記炉の各々に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する、請求項1または2に記載の管理装置。
the reflow apparatus has a plurality of the furnaces,
The management device according to claim 1 , wherein the specifying unit specifies the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in each of the plurality of furnaces.
前記特定部は、前記基板が前記炉内の所定位置を通過した第1時刻に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する、請求項1から3のいずれか1項に記載の管理装置。 The management device described in any one of claims 1 to 3, wherein the identification unit identifies the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on a first time when the substrate passed a predetermined position within the furnace. 算出部をさらに備え、
前記搬送履歴情報は、前記基板が前記リフロー装置の所定位置を通過した第2時刻を含み、
前記算出部は、前記第2時刻と、前記リフロー装置における前記基板の搬送速度に関する搬送速度情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送距離に関する搬送距離情報に基づいて、前記第1時刻を算出する、請求項4に記載の管理装置。
A calculation unit is further provided,
the transport history information includes a second time when the substrate passed through a predetermined position in the reflow apparatus;
5. The management device according to claim 4, wherein the calculation unit calculates the first time based on the second time, transport speed information relating to a transport speed of the substrate in the reflow apparatus, and transport distance information relating to a transport distance of the substrate in the reflow apparatus.
前記特定部は、前記第1時刻もしくは少なくとも前記第1時刻の前後に計測された前記炉内の前記温度または前記酸素濃度に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する、請求項4または5に記載の管理装置。 The management device described in claim 4 or 5, wherein the determination unit determines the temperature or oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the temperature or oxygen concentration inside the furnace measured at the first time or at least before and after the first time. 前記雰囲気履歴情報は、所定時間毎に計測された、少なくとも前記温度または前記酸素濃度を含む、請求項1から6のいずれか1項に記載の管理装置。 The management device described in any one of claims 1 to 6, wherein the atmospheric history information includes at least the temperature or the oxygen concentration measured at predetermined time intervals. 基板を搬送しながら加熱するリフロー装置を少なくとも含む実装基板製造ラインの管理装置であって、
前記リフロー装置の炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送履歴情報とを取得する取得部と、
前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、
前記雰囲気履歴情報に含まれる前記温度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記温度の変動傾向を解析する解析部を、備え、
前記解析部は、前記温度が低下傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けることを指令する、管理装置。
A management device for a mounting substrate manufacturing line including at least a reflow device that heats a substrate while transporting it,
an acquisition unit that acquires atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration in a furnace of the reflow apparatus and transport history information of the substrate in the reflow apparatus;
an identifying unit that identifies the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmosphere history information and the transfer history information;
an analysis unit that analyzes a tendency of fluctuation in the temperature relative to a transfer interval of the substrate based on the temperature included in the atmosphere history information and the transfer history information ,
When the analysis unit determines that the temperature is decreasing, the management device instructs the reflow device to increase the interval at which the boards are loaded.
基板を搬送しながら加熱するリフロー装置の炉に前記基板が位置していたときの前記炉内の温度または酸素濃度を特定する管理方法であって、
前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における基板の搬送履歴情報とを取得し、
前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報とに基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定し、
前記雰囲気履歴情報に含まれる前記酸素濃度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記酸素濃度の変動傾向を解析し、
前記酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けること、または前記炉内の前記酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する、管理方法。
1. A management method for identifying a temperature or an oxygen concentration in a furnace of a reflow device that heats a substrate while transporting the substrate, when the substrate is positioned in the furnace, comprising:
Acquire atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration inside the furnace and transportation history information of the substrate in the reflow apparatus;
Identifying the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmosphere history information and the transport history information;
analyzing a variation trend of the oxygen concentration relative to a transfer interval of the substrate based on the oxygen concentration included in the atmosphere history information and the transfer history information;
When it is determined that the oxygen concentration is on the rise, the control method instructs at least one of increasing the intervals between placing substrates in the reflow device and lowering the oxygen concentration in the furnace .
基板を搬送しながら加熱するリフロー装置の炉に前記基板が位置していたときの前記炉内の温度または酸素濃度を特定する管理方法であって、1. A management method for identifying a temperature or an oxygen concentration in a furnace of a reflow device that heats a substrate while transporting the substrate, when the substrate is positioned in the furnace, comprising:
前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における基板の搬送履歴情報とを取得し、Acquire atmospheric history information including measurement results of at least the temperature or oxygen concentration inside the furnace and transportation history information of the substrate in the reflow apparatus;
前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報とに基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定し、Identifying the temperature or the oxygen concentration when the substrate was located in the furnace based on the atmosphere history information and the transport history information;
前記雰囲気履歴情報に含まれる前記温度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記温度の変動傾向を解析し、analyzing a tendency of fluctuation in the temperature relative to a transfer interval of the substrate based on the temperature included in the atmosphere history information and the transfer history information;
前記温度が低下傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けることを指令する、管理方法。When it is determined that the temperature is decreasing, a control method is provided in which an instruction is given to increase the interval at which the boards are put into the reflow device.
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