JP7774989B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、板処理方法および基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、チャンバ内に収容される基板を処理する基板処理方法を開示する。基板処理方法は、第１工程と第２工程と第３工程を有する。第１工程では、チャンバの内部が減圧された状態（decompressed state）において、イソプロピルアルコールの蒸気が基板に供給される。第２工程では、チャンバの内部が減圧された状態において、疎水化剤が基板に供給される。疎水化剤は基板の表面を疎水化する。第３工程では、チャンバの内部が減圧された状態において、イソプロピルアルコールの蒸気が基板に供給される。第３工程では、基板上において疎水化剤がイソプロピルアルコールに置換される。

特開２０１８－５６１５５公報

従来の基板処理方法では、多くのパーティクルが基板に付着することがある。基板上のパーティクルは、基板の清浄度を低下させる。基板上のパーティクルは、基板の処理品質を低下させる。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板上のパーティクルを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明者等は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。従来の基板処理方法の第２工程において、疎水化剤は基板および基板上のイソプロピルアルコールと接触する。このため、パーティクルが基板上に生成されることがある。また、疎水化剤の未反応分が基板上にそのまま残り、これが残留したパーティクルとなることがある。従来の基板処理方法の第３工程において、基板に供給されるイソプロピルアルコールは、気相である。よって、第３工程において基板が受けるイソプロピルアルコールの量は、少ない。例えば、第３工程において基板が受けるイソプロピルアルコールの質量は、少ない。基板が受けるイソプロピルアルコールの量が少ないので、基板上のパーティクルは適切に除去されないことがある。その結果、多くのパーティクルが基板上に残ることがある。

そこで、本発明者等は、第３工程を変更することを検討した。変更された第３工程では、イソプロピルアルコールの蒸気を基板に供給する代わりに、処理槽に貯留されるイソプロピルアルコールの液体に基板を浸漬する。変更された第３工程によれば、基板上のパーティクルは好適に除去されるかもしれない。

しかしながら、変更された第３工程が新たな問題を有することを、本発明者等は知見した。具体的には、チャンバの内部が減圧された状態では、変更された第３工程を実行することは困難である。チャンバの内部が減圧された状態では、イソプロピルアルコールが貯留された処理槽を準備することは困難である。

本発明は、これらの知見に基づいて、さらに鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、１つのチャンバに収容される複数の基板を一度に処理する基板処理方法であって、前記チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤の気体を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１ガス処理工程と、前記第１ガス処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内の前記基板に撥水剤を供給する撥水処理工程と、前記撥水処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内の前記基板に有機溶剤の液体を含む第１液を散布する散布工程と、を備える基板処理方法である。

基板処理方法は、１つのチャンバに収容される複数の基板を一度に処理することである。基板処理方法は、第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程を備える。第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程は、この順で実行される。第１ガス処理工程、撥水処理工程および散布工程では、チャンバの内部は減圧された状態にある。第１ガス処理工程では、第１ガスがチャンバ内の基板に供給される。基板は第１ガスの有機溶剤を受ける。第１ガスにおける有機溶剤の気体は、基板の表面において結露し、基板の表面において有機溶剤の液体に変わる。撥水処理工程では、撥水剤がチャンバ内の基板に供給される。基板は撥水剤を受ける。撥水剤は、基板の表面を撥水化する。撥水処理工程では、撥水剤は基板および基板上の有機溶剤と接触する。このため、基板上において、パーティクルが生成されることがある。散布工程では、第１液がチャンバ内の基板に散布される。チャンバの内部が減圧された状態においても、第１液を基板に散布することは容易である。第１液は、有機溶剤の液体を含む。基板は第１液を受ける。第１液は液体であるので、基板が散布工程において受ける第１液の量は、比較的に大きい。例えば、基板が散布工程において受ける第１液の質量は、比較的に大きい。よって、散布工程では、第１液は、基板上のパーティクルを好適に除去する。したがって、基板上のパーティクルの量は好適に低減される。その結果、基板の清浄度は好適に向上する。基板の処理品質は好適に向上する。

以上の通り、基板処理方法は、基板上のパーティクルを好適に低減できる。

上述の基板処理方法において、前記散布工程は、前記第１液の液滴および前記第１液のミストの少なくともいずれかを散布することが好ましい。散布工程では、第１液は基板に効率良く供給される。

上述の基板処理方法において、前記散布工程は、シャワーヘッドノズルおよび二流体ノズルの少なくともいずれによって、前記第１液を散布することが好ましい。散布工程では、第１液は基板に効率良く供給される。

上述の基板処理方法において、前記散布工程では、さらに、前記チャンバ内において前記基板が上下動または揺動されることが好ましい。散布工程では、第１液は、基板の全体に、一層均一に付着する。

上述の基板処理方法において、前記散布工程は、第１散布工程と第２散布工程の少なくともいずれかを含み、前記第１散布工程は、前記第１液として希釈された有機溶剤を散布し、前記第２散布工程は、前記第１液として希釈されていない有機溶剤を散布することが好ましい。第１散布工程では、第１液は希釈された有機溶剤である。このため、第１散布工程において使用される有機溶剤の量は好適に低減される。第２散布工程では、第１液は希釈されていない有機溶剤である。このため、第２散布工程では、第１液の表面張力は小さい。よって、第２散布工程では、第１液は、基板に有意な力を及ぼさない。その結果、第２散布工程では、基板は好適に保護される。

上述の基板処理方法において、前記撥水処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤の気体を含む第２ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第２ガス処理工程と、をさらに備えることが好ましい。第２ガス処理工程では、基板の全体は第２ガスに晒される。このため、第２ガス処理工程では、第２ガス由来の有機溶剤は、基板の全体に速やかに付着する。第２ガス処理工程では、第２ガス由来の有機溶剤は、基板の全体に均一に付着する。よって、第２ガス処理工程では、基板の全体にわたる基板の清浄度の均一性が向上する。

上述の基板処理方法において、前記散布工程において供給される前記第１液の量は、前記第２ガス処理工程において供給される前記第２ガスの量よりも大きいことが好ましい。散布工程において、基板が受ける第１液の量は、一層大きい。よって、散布工程では、第１液は基板上のパーティクルを一層適切に除去する。

上述の基板処理方法において、前記散布工程が実行される時間は、前記第２ガス処理工程が実行される時間よりも長いことが好ましい。散布工程において、基板が受ける第１液の量は、一層大きい。よって、散布工程では、基板上のパーティクルは一層好適に除去される。

上述の基板処理方法において、前記第１ガス処理工程の前に、前記チャンバ内に設置される処理槽に貯留される第２液に前記基板を浸漬する第１浸漬工程と、をさらに備え、前記第１ガス処理工程と前記撥水処理工程と前記散布工程において、前記基板は前記処理槽の上方に位置することが好ましい。基板処理方法は、第１浸漬工程を備える。第１浸漬工程では、処理槽は第２液を貯留する。第１浸漬工程の後、第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程は実行される。第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程では、チャンバの内部は減圧された状態にある。このため、第１浸漬工程の後、散布工程まで、チャンバの内部は減圧された状態にある。チャンバの内部が減圧された状態にあるとき、第２液をチャンバ外に排出することは難しい。よって、チャンバの内部が減圧された状態にあるとき、処理槽において第２液から第１液に置換することは難しい。したがって、第１浸漬工程の後、散布工程まで、第１浸漬工程の後において、第１液を基板に供給するために処理槽を使用することは難しい。散布工程では、処理槽を使わずに、第１液が基板に散布される。このため、第１浸漬工程は、散布工程の実行を制限しない。基板処理方法が第１浸漬工程を備える場合であっても、散布工程を実行することは容易である。むしろ、基板処理方法が第１浸漬工程を備える場合には、散布工程は著しく有用である。

さらに、第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程において、基板は処理槽の上方に位置する。このため、第１ガス処理工程では、基板は第１処理ガスを好適に受ける。撥水処理工程では、基板は撥水剤を好適に受ける。散布工程では、基板は第１液を好適に受ける。

上述の基板処理方法において、前記散布工程の後、前記チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと加圧する第１加圧工程と、前記第１加圧工程の後、前記チャンバの内部を常圧状態（atmospheric pressure state）に保ち、かつ、前記第２液を前記チャンバ外に排出する第１排液工程と、をさらに備えることが好ましい。第１加圧工程は、散布工程の後で、第１排液工程の前に実行される。第１加圧工程では、チャンバの内部は減圧された状態から常圧状態へと加圧される。このため、第１排液工程では、チャンバの内部を常圧状態に保つことは容易である。チャンバの内部が常圧状態にあるとき、チャンバ内における気体の圧力はチャンバ外における気体の圧力に近い。このため、第１排液工程では、チャンバ内の第２液をチャンバの外部に排出することは容易である。

上述の基板処理方法において、前記第１排液工程では、前記チャンバおよび前記処理槽のいずれかに連通接続される排液管がチャンバ外の大気に開放され、前記排液管を通じて前記第２液が前記チャンバ外に排出されることが好ましい。第１排液工程では、排液管はチャンバ外の大気に開放される。上述の通り、第１排液工程では、チャンバの内部は常圧状態にある。よって、第１排液工程では、排液管を通じて、チャンバ内の第２液をチャンバ外に排出することは容易である。

ここで、チャンバ内の第２液は、例えば、処理槽に貯留される第２液を含む。排液管が処理槽に連通接続される場合、処理槽に貯留される第２液は、排液管を通じてチャンバ外に排出される。チャンバ内の第２液は、例えば、処理槽から放出され、チャンバに溜まった第２液を含む。排液管がチャンバに連通接続される場合、チャンバに溜まった第２液は、排液管を通じてチャンバ外に排出される。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程では、有機溶剤と不活性ガスとを含む混合ガスが、前記チャンバ内の基板に供給されることが好ましい。混合ガスの不活性ガスは、チャンバの内部を、減圧された状態から常圧状態へと速やかに加圧する。混合ガスの有機溶媒は、チャンバ内の基板に付着して、基板を濡らす。このため、第１加圧工程では、第１加圧工程では基板は乾燥されない。まとめると、第１加圧工程では、チャンバ３内の基板を乾燥させずに、チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと速やかに加圧される。

上述の基板処理方法において、前記混合ガスは、前記有機溶剤の気体および前記有機溶剤の液体の少なくともいずれかを含むことが好ましい。混合ガスが有機溶剤の気体を含む場合、混合ガスにおける有機溶剤の気体は、基板の表面において結露し、基板の表面において有機溶剤の液体に変わる。混合ガスが有機溶剤の液体を含む場合、混合ガスにおける有機溶剤の液体は、基板の表面に付着する。混合ガスが有機溶剤の気体を含む場合であっても、混合ガスが有機溶剤の液体を含む場合であっても、混合ガス由来の有機溶剤は基板を好適に濡らす。よって、基板が乾燥されることを混合ガスは好適に防止する。

上述の基板処理方法において、前記第１排液工程の後、前記処理槽に貯留される第３液に前記基板を浸漬させる第２浸漬工程と、をさらに備えることが好ましい。第２浸漬工程では、第３液は基板上のパーティクルを一層好適に除去する。よって、基板上のパーティクルは一層好適に低減される。

上述の基板処理方法において、前記第１加圧工程から前記基板が前記第３液に浸漬されるまで、前記チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を含むことが好ましい。第１加圧工程から基板が第３液に浸漬されるまで、チャンバ内の雰囲気に含まれる有機溶剤は基板を濡らす。よって、散布工程の後で第２浸漬工程の前に、基板は乾燥されない。したがって、第２浸漬工程では、基板は適切な品質で処理される。

上述の基板処理方法において、前記第３液は、希釈された有機溶剤、および、純水のいずれかであることが好ましい。第３液が希釈された有機溶剤であるとき、第３液は基板上のパーティクルを適切に除去する。第３液が純水であるときも、第３液は基板上のパーティクルを適切に除去する。

本発明は、基板処理装置において、複数の基板を収容するチャンバと、前記チャンバの内部を減圧する減圧ユニットと、有機溶剤の気体を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１供給ユニットと、撥水剤を前記チャンバ内の前記基板に供給する第２供給ユニットと、有機溶剤の液体を含む第１液を前記チャンバ内の前記基板に散布する散布ユニットと、前記減圧ユニットと前記第１供給ユニットと前記第２供給ユニットと前記散布ユニットを制御して、第１ガス処理と撥水処理と散布処理とを実行させる制御部と、を備え、前記第１ガス処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記第１供給ユニットが前記第１ガスを前記基板に供給し、前記撥水処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記第２供給ユニットが前記撥水剤を前記基板に供給し、前記散布処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記散布ユニットが前記第１液を前記基板に散布する、基板処理装置である。

制御部は、第１ガス処理と撥水処理と散布処理を実行させるように、構成される。第１ガス処理、撥水処理および散布処理では、減圧ユニットはチャンバの内部を減圧された状態にする。第１ガス処理では、第１供給ユニットは第１ガスをチャンバ内の基板に供給する。基板は第１ガスの有機溶剤を受ける。撥水処理では、第２供給ユニットは撥水剤をチャンバ内の基板に供給する。基板は撥水剤を受ける。撥水剤は、基板の表面を撥水化する。撥水処理では、撥水剤は基板および基板上の有機溶剤と接触する。このため、基板上において、パーティクルが生成されることがある。散布処理では、散布ユニットは第１液をチャンバ内の基板に散布する。チャンバの内部が減圧された状態においても、散布ユニットは第１液を基板に容易に散布できる。第１液は、有機溶剤の液体を含む。基板は第１液を受ける。基板が散布処理において受ける第１液の量は、比較的に大きい。例えば、基板が散布処理において受ける第１液の質量は、比較的に大きい。よって、散布処理では、第１液は、基板上のパーティクルを好適に除去する。したがって、基板上のパーティクルの量は好適に低減される。その結果、基板の清浄度は好適に向上する。基板の処理品質は好適に向上する。

以上の通り、基板処理装置は、基板上のパーティクルを好適に低減できる。

本発明の基板処理方法および基板処理装置によれば、基板上のパーティクルを好適に低減できる。

第１実施形態の基板処理装置の内部を示す正面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 図４（ａ）－４（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 第２実施形態の基板処理装置の内部を示す正面図である。 第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。 図８（ａ）－８（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 図９（ａ）－９（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 図１０（ａ）－１０（ｅ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。 図１１（ａ）－１１（ｃ）はそれぞれ、基板処理方法における基板処理装置１を模式的に示す図である。

以下、図面を参照して本発明の基板処理方法および基板処理装置を説明する。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理装置の概要＞
図１は、第１実施形態の基板処理装置１の内部を示す正面図である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理を行う。基板処理装置１が行う処理は、乾燥処理を含む。基板処理装置１が行う処理は、さらに、洗浄処理を含んでもよい。基板処理装置１は、バッチ式に分類される。基板処理装置１は、複数枚の基板Ｗを一度に処理する。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、正面視で略円形状を有する。

基板Ｗは、表面を有する。基板Ｗの表面は、シリコン酸化膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜および金属膜の少なくともいずれかを含む。

図示を省略するが、基板Ｗはパターンを有する。パターンは、基板Ｗの表面に形成される。パターンは、凹凸形状を有する。パターンが形成される基板Ｗの表面を、パターン形成面と呼ぶ。

基板処理装置１は、チャンバ３を備える。チャンバ３は、複数の基板Ｗを収容する。チャンバ３は、複数の基板Ｗを一度に収容する。基板Ｗはチャンバ３の内部に配置される。具体的には、チャンバ３は、空間５を区画する容器である。空間５は、チャンバ３の内部に相当する。基板Ｗは、空間５に配置される。

チャンバ３は、開閉可能に構成される。チャンバ３が開くとき、空間５は開放される。チャンバ３が開くとき、空間５とチャンバ３の外部の間で基板Ｗが移動することを、チャンバ３は許容する。チャンバ３が閉じるとき、空間５は密閉される。すなわち、チャンバ３は密閉可能に構成される。

基板処理装置１は、処理槽１１を備える。処理槽１１は、チャンバ３内に設置される。処理槽１１は、処理液を貯留する。処理槽１１は、上方に開放される。

基板処理装置１は、保持部１３を備える。保持部１３は、チャンバ３内に設置される。保持部１３は、複数の基板Ｗを一度に保持する。保持部１３は、各基板Ｗを略垂直姿勢で保持する。保持部１３が基板Ｗを保持するとき、基板Ｗのパターン形成面は略鉛直である。保持部１３が複数の基板Ｗを保持するとき、複数の基板Ｗは方向Ｘに１列に並ぶ。方向Ｘは、水平である。方向Ｘは、基板Ｗのパターン形成面に対して略垂直である。

図１は、方向Ｘに加えて、方向Ｙと方向Ｚを示す。方向Ｙは、水平である。方向Ｙは、方向Ｘに垂直である。方向Ｚは、鉛直である。方向Ｚは、方向Ｘに垂直である。方向Ｚは、方向Ｙに垂直である。方向Ｚを適宜に鉛直方向Ｚと呼ぶ。

基板処理装置１は、昇降機構１５を備える。昇降機構１５は、保持部１３を昇降させる。昇降機構１５は、例えば鉛直方向Ｚに、保持部１３を移動させる。昇降機構１５が保持部１３を昇降させるとき、保持部１３に保持される基板Ｗは保持部１３と一体に昇降する。

昇降機構１５は、基板Ｗを、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２に移動させる。図１は、第１位置Ｐ１にある基板Ｗを実線で示す。図１は、第２位置Ｐ２にある基板Ｗを破線で示す。第１位置Ｐ１は、チャンバ３内に位置する。第１位置Ｐ１は、処理槽１１の上方に位置する。基板Ｗが第１位置Ｐ１に位置するとき、基板Ｗの全体は、処理槽１１内の処理液と接しない。第２位置Ｐ２は、チャンバ３内に位置する。第２位置Ｐ２は、第１位置Ｐ１の下方に位置する。第２位置Ｐ２は、処理槽１１内に位置する。基板Ｗが第２位置Ｐ２に位置するとき、基板Ｗの全体は、処理槽１１内の処理液中に浸漬される。

基板処理装置１は、供給ユニット２１、３１、４１、５１、６１を備える。供給ユニット２１は、不活性ガスをチャンバ３に供給する。供給ユニット３１は、撥水剤をチャンバ３に供給する。供給ユニット４１は、処理ガスをチャンバ３に供給する。供給ユニット５１は、第１液をチャンバ３に供給する。供給ユニット６１は、第２液を処理槽１１に供給する。

基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット２１は不活性ガスを基板Ｗに供給する。基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット３１は撥水剤を基板Ｗに供給する。基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット４１は処理ガスを基板Ｗに供給する。基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット５１は第１液を基板Ｗに供給する。

供給ユニット４１は、本発明における第１供給ユニットの例である。供給ユニット３１は、本発明における第２供給ユニットの例である。供給ユニット５１は、本発明における散布ユニットの例である。

供給ユニット２１が供給する不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。

供給ユニット３１が供給する撥水剤について説明する。撥水剤は、基板Ｗの表面を撥水化させる。撥水剤は、基板Ｗの表面を撥水性に改質する。撥水剤は、基板Ｗの表面と水との接触角を大きくする。撥水剤は、基板Ｗの表面に撥水膜を形成する。基板Ｗの表面は、撥水剤でコーティングされる。撥水剤は、界面改質剤とも呼ばれる。撥水剤は、疎水化剤とも呼ばれる。

撥水剤は、例えば、シリコン系撥水剤およびメタル系撥水剤の少なくともいずれかを含む。シリコン系撥水剤は、シリコンを撥水化させる。シリコン系撥水剤は、シリコンを含む化合物を撥水化させる。シリコン系撥水剤は、たとえば、シランカップリング剤である。シランカップリング剤は、たとえば、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、フッ素化アルキルクロロシラン、アルキルジシラザン、および、非クロロ系撥水剤の少なくとも一つを含む。非クロロ系撥水剤は、たとえば、ジメチルシリルジメチルアミン、ジメチルシリルジエチルアミン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノトリメチルシラン、Ｎ－（トリメチルシリル）ジメチルアミン、および、オルガノシラン化合物の少なくとも一つを含む。メタル系撥水剤は、金属を撥水化させる。メタル系撥水剤は、金属を含む化合物を撥水化させる。メタル系撥水剤は、たとえば、疎水基を有するアミン、および、有機シリコン化合物の少なくとも一つを含む。

撥水剤は、さらに、溶媒を含んでもよい。例えば、溶媒は、シリコン系撥水剤およびメタル系撥水剤の少なくともいずれかを希釈してもよい。溶媒は、有機溶媒と相溶解性を有することが好ましい。溶媒は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を少なくともいずれかを含む。

撥水剤は、撥水剤の気体および撥水剤の液体の少なくともいずれかを含む。供給ユニット３１は、撥水剤の気体および撥水剤の液体の少なくともいずれかを供給する。例えば、撥水剤の気体は、撥水剤の蒸気である。

供給ユニット４１が供給する処理ガスについて説明する。処理ガスは、有機溶剤の気体を含む。例えば、有機溶剤の気体は、有機溶剤の蒸気である。例えば、処理ガスにおける有機溶剤の濃度は、高い。例えば、処理ガスは、実質的に、有機溶剤の気体のみからなる。例えば、処理ガスは、実質的に、水（水蒸気）を含まない。処理ガスの有機溶剤は、親水性を有することが好ましい。例えば、処理ガスの有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

処理ガスは、撥水剤を含まない。

供給ユニット５１が供給する第１液について説明する。第１液は、有機溶剤の液体を含む。例えば、第１液は、実質的に、有機溶剤の液体のみからなる。例えば、第１液は、有機溶剤の原液である。例えば、第１液は、希釈されていない有機溶剤の液体である。例えば、第１液は、実質的に、水を含まない。あるいは、第１液は、希釈された有機溶剤の液体である。例えば、第１液は、純水によって希釈された有機溶剤である。例えば、第１液は、純水と有機溶剤の混合液である。例えば、第１液の有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

第１液は、撥水剤を含まない。

供給ユニット６１が供給する第２液について説明する。例えば、第２液は、リンス液である。例えば、第２液は、純水（ＤＩＷ）である。

供給ユニット２１、３１、４１、５１、６１の構造を例示する。

供給ユニット２１は、吐出部２２と配管２３と弁２４を備える。吐出部２２は、不活性ガスを吐出する。供給ユニット２１は、配管２３と弁２４を備える。配管２３は、吐出部２２に接続される。配管２３は、さらに、供給源２５に接続される。供給源２５は、不活性ガスを貯留する。弁２４は配管２３に設けられる。弁２４が開くとき、不活性ガスは配管２３を通じて供給源２５から吐出部２２に流れる。弁２４が開くとき、吐出部２２は不活性ガスを吐出する。弁２４が閉じるとき、不活性ガスは配管２３を通じて供給源２５から吐出部２２に流れない。弁２４が閉じるとき、吐出部２２は不活性ガスを吐出しない。

同様に、供給ユニット３１、４１、５１、６１はそれぞれ、吐出部３２、４２、５２、６２と配管３３、４３、５３、６３と弁３４、４４、５４、６４を備える。吐出部３２は、撥水剤を吐出する。吐出部４２は、処理ガスを吐出する。吐出部５２は、第１液を吐出する。吐出部６２は、第２液を吐出する。配管３３、４３、５３、６３はそれぞれ、吐出部３２、４２、５２、６２に接続される。配管３３、４３、５３、６３はそれぞれ、供給源３５、４５、５５、６５に接続される。供給源３５は撥水剤を貯留する。供給源４５は処理ガスを貯留する。供給源５５は第１液を貯留する。供給源６５は第２液を貯留する。弁３４、４４、５４、６４はそれぞれ、配管３３、４３、５３、６３に設けられる。弁３４、４４、５４、６４はそれぞれ、吐出部３２、４２、５２、６２による吐出を制御する。

吐出部２２、３２、４２、５２、６２はそれぞれ、チャンバ３内に設置される。吐出部２２、３２、４２、５２はそれぞれ、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部２２は、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部３２、４２、５２も、吐出部２２と同様に配置される。吐出部６２は、処理槽１１内に配置される。

吐出部２２は、管状部材を含む。管状部材は、方向Ｘに延びる。管状部材は、複数の吐出口（不図示）を有する。複数の吐出口は、方向Ｘに並ぶ。吐出部２２は、複数の吐出口から不活性ガスを吹き出す。吐出部３２、４２は、吐出部２２の構造と類似の構造を有する。

吐出部５２は、第１液をチャンバ３内に散布する。例えば、吐出部５２は、第１液の液滴および第１液のミストの少なくともいずれかをチャンバ３内に散布する。例えば、吐出部５２は、第１液を広角に散布する。例えば、吐出部５２は、第１液を広範囲に分配する。

例えば、吐出部５２は、複数（例えば２０個）のシャワーヘッドノズルを含む。複数のシャワーヘッドノズルは、方向Ｘに２列に並ぶ。各シャワーヘッドノズルは、複数の吐出口（不図示）を有する。各シャワーヘッドノズルは、複数の吐出口から第１液を吐出する。各シャワーヘッドノズルは、第１液をシャワー状に吐出する。各シャワーヘッドノズルは、第１液の多数の液滴を散布する。

供給源４５は、処理ガスを貯留することに加えて、さらに、処理ガスを生成してもよい。図示を省略するが、供給源４５は、例えば、タンクとヒータを備える。タンクは、配管４３に連通接続される。タンクは、有機溶剤の液体を貯留する。ヒータは、タンク内の有機溶剤の液体を暖める。タンク内において、有機溶剤の液体は、気化して、有機溶剤の蒸気になる。すなわち、タンク内において、処理ガスが生成される。

基板処理装置１は、減圧ユニット８１を備える。減圧ユニット８１は、チャンバ３の内部を減圧する。具体的には、減圧ユニット８１は、チャンバ３内の気体をチャンバ３の外部に排出する。ここで、減圧ユニット８１がチャンバ３の内部を減圧するとき、チャンバ３内における気体の圧力は、減少し続けてもよいし、減少し続けなくてもよい。減圧ユニット８１がチャンバ３の内部を減圧するとき、チャンバ３内における気体の圧力は、例えば、所定の負圧の範囲内に維持されてもよい。

減圧ユニット８１の構造を例示する。減圧ユニット８１は、配管８２と排気ポンプ８３を含む。配管８２および排気ポンプ８３はチャンバ３の外部に設けられる。配管８２はチャンバ３に連通接続される。排気ポンプ８３は配管８２に設けられる。排気ポンプ８３は、例えば、真空ポンプである。減圧ユニット８１が作動するとき、排気ポンプ８３は、配管８２を介して、チャンバ３内の気体をチャンバ３の外部に排出する。減圧ユニット８１が作動を停止するとき、排気ポンプ８３は、チャンバ３内の気体をチャンバ３の外部に排出しない。

図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、制御部１０１を備える。制御部１０１は、基板処理装置１の各要素を制御する。具体的には、制御部１０１は、昇降機構１５を制御する。制御部１０１は、供給ユニット２１、３１、４１、５１、６１を制御する。制御部１０１は、弁２４、３４、４４、５４、６４を制御する。制御部１０１は、減圧ユニット８１を制御する。制御部１０１は、排気ポンプ８３を制御する。

制御部１０１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。制御部１０１は、記憶媒体に予め格納される各種の情報を有する。制御部１０１が有する情報は、例えば、基板処理装置１を制御するための処理情報である。処理情報は、処理レシピとも呼ばれる。

＜１－２．基板処理装置の動作例＞
基板処理装置１とは異なる装置（不図示）においてウェットエッチング処理を基板Ｗに行う。ウェットエッチング処理は、例えば、基板Ｗにエッチング液を供給する処理である。その後、基板Ｗは基板処理装置１に搬送される。チャンバ３は開く。複数の基板Ｗがチャンバ３内に入る。保持部１３は、複数の基板Ｗを受ける。チャンバ３が基板Ｗを収容した状態で、チャンバ３は閉じる。

チャンバ３が閉じた状態で、基板処理装置１は基板Ｗに基板処理方法を実行する。基板処理方法は、チャンバ３内に収容される複数の基板Ｗを一度に処理することである。具体的な基板処理方法を以下に例示する。

図３は、第１実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、第１浸漬工程と第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程と乾燥工程を備える。第１浸漬工程と第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程と乾燥工程は、この順番で実行される。

図４（ａ）は、第１浸漬工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｂ）は、第１ガス処理工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｃ）は、撥水処理工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｄ）は、散布工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ｅ）は、乾燥工程における基板処理装置１を模式的に示す図である。図４（ａ）－４（ｅ）はそれぞれ、基板処理装置１を簡素に示す。例えば、図４（ａ）－４（ｅ）はそれぞれ、保持部１３および昇降機構１５の図示を省略する。以下の説明において、基板処理装置１の各要素は、制御部１０１の制御に従って、動作するものとする。

ステップＳ１：第１浸漬工程
図４（ａ）を参照する。処理槽１１は、供給ユニット６１から供給された第２液Ｌ２を貯留する。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。

ステップＳ２：第１ガス処理工程（第１ガス処理）
図４（ｂ）を参照する。供給ユニット４１は処理ガスをチャンバ３内に供給する。本明細書では、第１ガス処理工程においてチャンバ３に供給される処理ガスを、適宜に、「第１ガスＧ１」と呼ぶ。減圧ユニット８１は作動する。すなわち、減圧ユニット８１はチャンバ３内を減圧する。図４（ｂ）中の「ＶＡＣ」は、減圧ユニット８１が作動中であることを示す。チャンバ３の内部は、減圧された状態（decompressed state）Ｄになる。チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄであるとき、チャンバ３内における気体の圧力は負圧である。第１ガスＧ１の雰囲気がチャンバ３内に形成される。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動させる。基板Ｗは、処理槽１１内の第２液Ｌ２から引き上げられる。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにおいて、供給ユニット４１は第１ガスＧ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。基板Ｗは、第１ガスＧ１に晒される。第１ガスＧ１に含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において結露する。すなわち、第１ガスＧ１に含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。第１ガスＧ１由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗ上に付着する。第１ガスＧ１由来の有機溶剤は、基板Ｗ上の第２液Ｌ２を除去する。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにあるので、基板Ｗ上において第２液Ｌ２から有機溶剤に速やかに置換される。第１ガスＧ１由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。

ステップＳ３：撥水処理工程（撥水処理）
図４（ｃ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット４１は第１ガスＧ１の供給を停止する。供給ユニット３１は撥水剤Ｈをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。撥水剤Ｈは、基板Ｗに付着する。供給ユニット３１が撥水剤Ｈの気体を供給する場合、撥水剤Ｈの気体は、基板Ｗの表面において結露し、基板Ｗの表面において撥水剤Ｈの液体に変わる。供給ユニット３１が撥水剤Ｈの液体を供給する場合、撥水剤Ｈの液体は、基板Ｗの表面に付着する。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにあるので、基板Ｗ上において有機溶剤の液体から撥水剤Ｈに速やかに置換される。撥水剤Ｈは、基板Ｗの表面を覆う。撥水剤Ｈは、基板Ｗを撥水化する。

基板Ｗ上の撥水剤Ｈの一部は、撥水膜に変わる。撥水膜は、基板Ｗの表面に形成される。基板Ｗ上の撥水剤Ｈの他の一部は、撥水剤Ｈの未反応分となる。撥水剤Ｈの未反応分は、反応せず、基板Ｗ上にそのまま残る。撥水剤Ｈの未反応分は、撥水剤Ｈの残留分、または、撥水剤Ｈの余剰分とも呼ばれる。さらに、基板Ｗ上の撥水剤Ｈの別の一部は、パーティクルに変わることがある。パーティクルは、異物とも呼ばれる。撥水剤Ｈ由来のパーティクルは、例えば、撥水剤Ｈが有機溶剤と接触することによって生成される。撥水剤Ｈ由来のパーティクルは、例えば、撥水剤Ｈが基板Ｗと接触することによって生成される。さらに、撥水剤Ｈの未反応分は、撥水剤Ｈ由来のパーティクルになることがある。

ステップＳ４：散布工程（散布処理）
図４（ｄ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット３１は撥水剤Ｈの供給を停止する。供給ユニット５１は、第１液Ｌ１をチャンバ３内の基板Ｗに散布する。供給ユニット５１は、例えば、第１液Ｌ１の液滴および第１液Ｌ１のミストの少なくともいずれかを散布する。供給ユニット５１は、例えば、シャワーヘッドノズルによって、第１液Ｌ１を散布する。第１液Ｌ１は、基板Ｗに付着する。第１液Ｌ１は、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。第１液Ｌ１は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルも除去する。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにあるので、基板上において撥水剤Ｈから第１液Ｌ１に速やかに置換される。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにあるので、撥水剤Ｈ由来のパーティクルも速やかに基板Ｗから去る。第１液Ｌ１は、基板Ｗの表面を覆う。

散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、第１位置Ｐ１の近くで、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、基板Ｗを鉛直方向Ｚに上下動させてもよい。あるいは、昇降機構１５は、さらに、基板Ｗを揺動させる図示しない機構を備えたものであってもよい。昇降機構１５は、当該機構によって、基板Ｗを揺動させてもよい。基板Ｗが上下動または揺動する場合、基板Ｗの全体は、第１液Ｌ１を好適に受ける。基板Ｗが上下動または揺動する場合、第１液Ｌ１は、基板Ｗの表面の全体に、一層均一に付着する。

ステップＳ５：乾燥工程
基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット５１は第１液Ｌ１の散布を停止する。供給ユニット２１は、不活性ガスＮを基板Ｗに供給する。基板Ｗは、不活性ガスＮに晒される。不活性ガスＮは、基板Ｗ上の第１液Ｌ１を除去する。第１液Ｌ１が基板Ｗから除去されることによって、基板Ｗは乾燥される。

ここで、基板Ｗは撥水化されている。このため、第１液Ｌ１が基板Ｗから除去されるとき、第１液が基板Ｗに及ぼす力は小さい。チャンバ３内が減圧された状態Ｄにあるので、第１液Ｌ１は基板Ｗから、短時間で除去される。このため、第１液Ｌ１が基板Ｗから除去されるとき、第１液が基板Ｗに及ぼす力は一層小さい。したがって、第１液Ｌ１が基板Ｗから除去されるとき、基板Ｗは好適に保護される。第１液Ｌ１が基板Ｗから除去されるとき、基板Ｗ上のパターンは好適に保護される。例えば、第１液Ｌ１が基板Ｗから除去されるとき、パターンの倒壊は好適に防止される。

図示を省略するが、乾燥工程の後、チャンバ３の内部は加圧される。例えば、供給ユニット６１は不活性ガスＮを供給し、かつ、減圧ユニット８１は作動を停止する。これにより、チャンバ３内の圧力は上昇する。チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄから常圧状態（atmospheric pressure state）になる。

常圧状態について説明する。チャンバ３の内部が常圧状態であるとは、チャンバ３内における気体の圧力が常圧であることを意味する。常圧は、特定の１つの値ではなく、２つの異なる値で規定される範囲である。常圧は、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあるときのチャンバ３内における気体の圧力よりも高い。常圧は、チャンバ３の外部における気体の圧力に近い。例えば、常圧は、チャンバ３の外部における気体の圧力と実質的に等しい。例えば、常圧は、標準大気圧（１気圧、１０１３２５Ｐａ）を含む。

チャンバ３が常圧状態になった後、チャンバ３は開放される。そして、チャンバ３内の基板Ｗはチャンバ３外に搬出される。

＜１－３．第１実施形態の効果＞
基板処理方法は、第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程を備える。第１ガス処理工程では、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあり、かつ、第１ガスＧ１がチャンバ３内の基板Ｗに供給される。第１ガスＧ１は有機溶剤の気体を含む。撥水処理工程は、第１ガス処理工程の後に実行される。撥水処理工程では、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあり、かつ、撥水剤Ｈがチャンバ３内の基板Ｗに供給される。散布工程は、撥水処理の後に実行される。散布工程では、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあり、かつ、第１液Ｌ１がチャンバ３内の基板Ｗに散布される。チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにおいても、第１液Ｌ１を基板Ｗに散布することは容易である。第１液Ｌ１は、有機溶剤の液体を含む。第１液は液体であるので、第１液Ｌ１の密度は比較的に大きい。例えば、第１液Ｌ１の密度は、第１ガスＧ１の密度よりも大きい。このため、基板Ｗが散布工程において受ける第１液Ｌ１の量は、比較的に大きい。例えば、基板Ｗが散布工程において受ける第１液Ｌ１の質量は、比較的に大きい。よって、散布工程では、基板Ｗ上のパーティクルは好適に除去される。したがって、基板Ｗ上のパーティクルの量は好適に低減される。その結果、基板Ｗの清浄度は好適に向上する。基板Ｗの処理品質は好適に向上する。

撥水処理工程では、撥水剤Ｈ由来のパーティクルが基板Ｗ上に生成されることがある。その場合であっても、散布工程では、第１液Ｌ１は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルも、好適に除去する。

以上の通り、基板処理方法は、基板Ｗ上のパーティクルを好適に低減できる。

散布工程では、第１液Ｌ１の液滴および第１液Ｌ１のミストの少なくともいずれかを散布する。このため、散布工程では、第１液Ｌ１は基板Ｗに効率良く供給される。例えば、第１液Ｌ１の消費量を抑えつつ、第１液Ｌ１を基板Ｗの全体に付着させることができる。

散布工程では、シャワーヘッドノズルによって、第１液Ｌ１は散布される。このため、散布工程では、第１液Ｌ１は基板Ｗに効率良く供給される。例えば、第１液Ｌ１の消費量を抑えつつ、第１液Ｌ１を基板Ｗの全体に付着させることができる。

基板処理方法は、第１浸漬工程を備える。第１浸漬工程は、第１ガス処理工程の前に実行される。第１浸漬工程では、基板Ｗは、処理槽１１に貯留される第２液Ｌ２に浸漬される。処理槽１１は、チャンバ３内に設置される。第１浸漬工程の後、第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程は実行される。第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程では、チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄにある。このため、第１浸漬工程の後、散布工程まで、チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄにある。チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあるとき、第２液Ｌ２をチャンバ外に排出することは難しい。よって、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあるとき、処理槽１１において第２液Ｌ２から第１液Ｌ１に置換することは難しい。したがって、第１浸漬工程の後、散布工程まで、第１浸漬工程の後において、第１液Ｌ１を基板Ｗに供給するために処理槽１１を使用することは難しい。散布工程では、処理槽１１を使わずに、第１液Ｌ１が基板Ｗに散布される。このため、第１浸漬工程は、散布工程の実行を制限しない。基板処理方法が第１浸漬工程を備える場合であっても、散布工程を実行することは容易である。むしろ、基板処理方法が第１浸漬工程を備える場合には、散布工程は著しく有用である。

第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程において、基板Ｗは処理槽１１の上方に位置する。具体的には、第１ガス処理工程と撥水処理工程と散布工程において、基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。このため、第１ガス処理工程では、基板Ｗは第１ガスＧ１を好適に受ける。撥水処理工程では、基板Ｗは撥水剤Ｈを好適に受ける。散布工程では、基板Ｗは第１液Ｌ１を好適に受ける。

基板処理装置１は、チャンバ３と供給ユニット３１、４１、５１と減圧ユニット８１と制御部１０１を備える。チャンバ３は、複数の基板Ｗを収容する。供給ユニット３１は、撥水剤Ｈをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。供給ユニット４１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。供給ユニット５１は、第１液Ｌ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は、チャンバ３の内部を減圧する。制御部１０１は、供給ユニット３１、４１、５１と減圧ユニット８１を制御して、第１ガス処理と撥水処理と散布処理とを実行させる。第１ガス処理では、減圧ユニット８１はチャンバ３の内部を減圧し、かつ、供給ユニット４１は第１ガスＧ１を基板Ｗに供給する。撥水処理では、減圧ユニット８１はチャンバ３の内部を減圧し、かつ、供給ユニット３１は撥水剤Ｈを基板Ｗに供給する。散布処理では、減圧ユニット８１はチャンバ３の内部を減圧し、かつ、供給ユニット５１は第１液Ｌ１を基板Ｗに散布する。減圧ユニット８１がチャンバ３の内部を減圧しているときであっても、供給ユニット５１は第１液Ｌ１を基板Ｗに好適に散布できる。散布処理では、第１液Ｌ１は、基板Ｗ上のパーティクルを好適に除去する。したがって、基板Ｗ上のパーティクルの量は好適に低減される。その結果、基板Ｗの清浄度は好適に向上する。基板Ｗの処理品質は好適に向上する。

撥水処理では、撥水剤Ｈ由来のパーティクルが基板Ｗ上に生成されることがある。その場合であっても、散布処理では、第１液Ｌ１は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルも、好適に除去する。

以上の通り、基板処理装置１は、基板Ｗ上のパーティクルを好適に低減できる。

＜２．第２実施形態＞
図面を参照して、第２実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

＜２－１．基板処理装置の概要＞
図５は、第２実施形態の基板処理装置１の内部を示す正面図である。供給ユニット５１は、２種類の第１液Ｌ１を供給する。以下では、一方の種類の第１液Ｌ１を、「希釈第１液Ｌ１ａ」と呼ぶ。他方の種類の第１液を、「非希釈第１液Ｌ１ｂ」と呼ぶ。

希釈第１液Ｌ１ａは、希釈された有機溶剤である。希釈第１液Ｌ１ａは、純水によって希釈された有機溶剤である。希釈第１液Ｌ１ａは、純水と有機溶剤の混合液である。希釈第１液Ｌ１ａの有機溶剤は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

非希釈第１液Ｌ１ｂは、希釈されていない有機溶剤である。非希釈第１液Ｌ１ｂは、実質的に、有機溶剤の液体のみからなる。非希釈第１液Ｌ１ｂは、有機溶剤の原液である。非希釈第１液Ｌ１ｂは、実質的に、水を含まない。非希釈第１液Ｌ１ｂの有機溶剤は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。

供給ユニット５１の構造を例示する。供給ユニット５１は、吐出部５２ａ、５２ｂを備える。吐出部５２ａ、５２ｂはそれぞれ、チャンバ３内に配置される。吐出部５２ａ、５２ｂはそれぞれ、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部５２ａは、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部５２ａは、第１実施形態における吐出部５２の構造と類似の構造を有する。吐出部５２ａは、希釈第１液Ｌ１ａをチャンバ３内に散布する。同様に、吐出部５２ｂは、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部５２ｂは、非希釈第１液Ｌ１ｂをチャンバ３内に散布する。吐出部５２ｂは、第１実施形態における吐出部５２の構造と類似の構造を有する。

供給ユニット５１は、配管５３ａと弁５４ａを備える。配管５３ａは、吐出部５２ａに接続される。配管５３ａは、さらに、供給源５５ａに接続される。供給源５５ａは希釈第１液Ｌ１ａを貯留する。弁５４ａは配管５３ａに設けられる。弁５４ａは、吐出部５２ａによる希釈第１液Ｌ１ａの散布を制御する。同様に、供給ユニット５１は、配管５３ｂと弁５４ｂを備える。配管５３ｂは、吐出部５２ｂに接続される。配管５３ｂは、さらに、供給源５５ｂに接続される。供給源５５ｂは非希釈第１液Ｌ１ｂを貯留する。弁５４ｂは配管５３ｂに設けられる。弁５４ｂは、吐出部５２ｂによる非希釈第１液Ｌ１ｂの散布を制御する。

供給ユニット６１は、第２液Ｌ２に加えて、第３液Ｌ３を処理槽１１に供給する。第３液Ｌ３は、希釈された有機溶剤である。第３液Ｌ３は、例えば、純水によって希釈された有機溶剤である。第３液Ｌ３は、例えば、純水と有機溶剤の混合液である。

供給ユニット６１の構造を例示する。供給ユニット６１は、配管６７と弁６８を備える。配管６７は、吐出部６２に接続される。配管６７は、さらに、供給源６９に接続される。供給源６９は第３液Ｌ３を貯留する。弁６８は配管６７に設けられる。弁６８は、吐出部６２による第３液Ｌ３の吐出を制御する。

基板処理装置１は、供給ユニット７１を備える。供給ユニット７１は、混合ガスをチャンバ３に供給する。基板Ｗが位置Ｐ１に位置するとき、供給ユニット７１は混合ガスを基板Ｗに供給する。

混合ガスについて説明する。混合ガスは、有機溶剤と不活性ガスとを含む。混合ガスは、有機溶剤と不活性ガスの混合物である。混合ガスは、有機溶剤の気体および有機溶剤の液体の少なくともいずれかを含む。すなわち、混合ガスの有機溶剤は、気相および液相の少なくともいずれかである。混合ガスにおける有機溶剤の気体は、例えば、有機溶剤の蒸気である。混合ガスにおける有機溶剤の液体は、例えば、有機溶剤の液滴または有機溶剤のミストの少なくともいずれかである。混合ガスの有機溶剤は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）である。混合ガスの不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。

供給ユニット７１の構造を例示する。供給ユニット７１は、吐出部７２を有する。吐出部７２は、チャンバ３内に設置される。吐出部７２は、処理槽１１よりも高い位置に配置される。吐出部７２は、方向Ｙにおいて、第１位置Ｐ１に位置する基板Ｗの両側に配置される。吐出部７２は、混合ガスをチャンバ３内に吐出する。吐出部７２は、複数（例えば２０個）の二流体ノズルを含む。複数の二流体ノズルは、方向Ｘに２列に並ぶ。各二流体ノズルは、有機溶剤と不活性ガスを混合して混合ガスを生成する。例えば、各二流体ノズルは、有機溶剤の液滴および有機溶剤のミストの少なくともいずれかを生成する。各二流体ノズルは、１つの吐出口（不図示）を有する。各二流体ノズルは、吐出口から混合ガスを吐出する。各二流体ノズルは、吐出口から有機溶剤と不活性ガスの両方を吹き出す。各二流体ノズルは、有機溶剤の液滴および有機溶剤のミストの少なくともいずれかを、不活性ガスとともに、噴射する。

供給ユニット７１は、配管７３、７７と弁７４、７８を備える。配管７３、７７はそれぞれ、吐出部７２に接続される。配管７３は、さらに、供給源７５に接続される。供給源７５は有機溶剤を貯留する。弁７４は配管７３に設けられる。弁７４は、吐出部７２に対する有機溶剤の供給を制御する。配管７７は、さらに、供給源７９に接続される。供給源７９は不活性ガスを貯留する。弁７８は配管７７に設けられる。弁７８は、吐出部７２に対する不活性ガスの供給を制御する。弁７４、７８が同時に開くとき、吐出部７２は混合ガスを吐出する。

基板処理装置１は、圧力センサ８９を有する。圧力センサ８９は、チャンバ３内に設置される。圧力センサ８９は、チャンバ３内における気体の圧力を検出する。

処理槽１１は、開口１２ａと排出口１２ｂを有する。開口１２ａは処理槽１１の上部に配置される。開口１２ａは、十分に大きい。基板Ｗが第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の間を移動するとき、基板Ｗは開口１２ａを通過する。排出口１２ｂは処理槽１１の底部に配置される。

基板処理装置１は、ダンプユニット９１を備える。ダンプユニット９１は、処理槽１１内の処理液を放出する。チャンバ３は、処理槽１１から放出された処理液を受ける。処理槽１１から放出された処理液は、チャンバ３の底部に溜まる。ダンプユニット９１は、ダンプ弁９２を備える。ダンプ弁９２は、チャンバ３の内部に設置される。ダンプ弁９２は、処理槽１１の底部に取り付けられる。ダンプ弁９２は、排出口１２ｂに連通接続する。ダンプ弁９２が開くとき、処理液がダンプ弁９２を通じて処理槽１１の内部から処理槽１１の外部に流れ落ちることを、ダンプユニット９１は許容する。ダンプ弁９２が閉じるとき、処理槽１１が処理液を貯留することをダンプユニット９１は許容する。

基板処理装置１は、排液ユニット９５を備える。排液ユニット９５は、チャンバ３内の処理液を、チャンバ３の外部に排出する。排液ユニット９５は、配管９６とドレイン弁９７を備える。配管９６は、チャンバ３の外部に設けられる。配管９６は、チャンバ３に連通接続される。配管９６は、第１端と第２端を有する。配管９６の第１端は、チャンバ３に連通接続される。配管９６の第１端は、チャンバ３の底部に接続される。配管９６は、チャンバ３から下方に延びる。配管９６の第２端は、チャンバ３外の大気に開放される。ドレイン弁９７は、配管９６に設けられている。ドレイン弁９７は、配管９６を開閉する。ドレイン弁９７が開くとき、配管９６はチャンバ３の外部に開放される。ドレイン弁９７が開くとき、チャンバ３の内部は、配管９６を通じてチャンバ３の外部に開放される。ドレイン弁９７が開くとき、チャンバ３内の処理液が配管９６を通じてチャンバ３の外部に流出することを、排液ユニット９５は許容する。ドレイン弁９７が閉じるとき、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄになることを、排液ユニット９５は許容する。

配管９６は、本発明における排液管の例である。

図示を省略するが、制御部１０１は、弁６８を制御する。制御部１０１は、供給ユニット７１を制御する。制御部１０１は、弁７４、７８を制御する。制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果を取得する。制御部１０１は、ダンプユニット９１と排液ユニット９５を制御する。制御部１０１は、ダンプ弁９２とドレイン弁９７を制御する。

＜２－２．基板処理装置の動作例＞
図６、７はそれぞれ、第２実施形態の基板処理方法の手順を示すフローチャートである。基板処理方法は、ステップＳ１１－Ｓ２９を含む。ステップＳ１１－Ｓ１７は、この順番で実行される。ステップＳ１８－Ｓ２０は、ステップＳ１７の後で、ステップＳ２１の前に実行される。ステップＳ２１－Ｓ２９は、この順番で実行される。

図８（ａ）－８（ｅ）、９（ａ）－９（ｅ）、１０（ａ）－１０（ｅ）、１１（ａ）－１１（ｃ）はそれぞれ、ステップＳ１１－Ｓ２１、Ｓ２３－Ｓ２９における基板処理装置１を模式的に示す図である。図８（ａ）－８（ｅ）等はそれぞれ、基板処理装置１を簡素に示す。

ステップＳ１１：第１供給工程
図８（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。チャンバ３の内部は、常圧状態Ｊにある。供給ユニット６１は第２液Ｌ２を処理槽１１に供給する。ダンプ弁９２は閉じられている。処理槽１１は第２液Ｌ２を貯留する。その後、供給ユニット６１は第２液Ｌ２の供給を停止する。

ステップＳ１２：第１浸漬工程
図８（ｂ）を参照する。チャンバ３の内部は、常圧状態Ｊにある。昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。

ステップＳ１３：雰囲気形成工程
図８（ｃ）を参照する。基板Ｗは、第２位置Ｐ２に位置し、処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。供給ユニット２１は、不活性ガスＮをチャンバ３内に供給する。減圧ユニット８１は作動を開始する。ドレイン弁９７は閉じられている。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊから減圧された状態Ｄになる。不活性ガスＮの雰囲気がチャンバ３内に形成される。

ステップＳ１４：雰囲気形成工程
図８（ｄ）を参照する。基板Ｗは、第２位置Ｐ２に位置し、処理槽１１内の第２液Ｌ２に浸漬される。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット２１は、不活性ガスＮの供給を停止する。供給ユニット４１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内に供給する。第１ガスＧ１の雰囲気がチャンバ３内に形成される。

ステップＳ１５：第１ガス処理工程（第１ガス処理）
図８（ｅ）を参照する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット４１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内に供給する。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動させる。基板Ｗは、処理槽１１内の第２液Ｌ２から引き上げられる。基板Ｗは、第１ガスＧ１に晒される。第１ガスＧ１に含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。第１ガスＧ１由来の有機溶剤は、基板Ｗ上の第２液Ｌ２を除去する。第１ガスＧ１由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。

ステップＳ１６：ダンプ工程
図９（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット４１は、第１ガスＧ１をチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。ダンプ弁９２は開く。ダンプユニット９１は第２液Ｌ２を処理槽１１から放出する。ドレイン弁９７は閉じられている。第２液Ｌ２は、チャンバ３の底部に溜まる。

ステップＳ１７：撥水処理工程（撥水処理）
図９（ｂ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット４１は第１ガスＧ１の供給を停止する。供給ユニット３１は撥水剤Ｈをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。撥水剤Ｈは、基板Ｗに付着する。基板Ｗ上において、第１ガスＧ１由来の有機溶剤から撥水剤Ｈに置換される。撥水剤Ｈは、基板Ｗの表面を覆う。撥水剤Ｈは、基板Ｗを撥水化する。基板Ｗ上の撥水剤Ｈの一部は、撥水膜に変わる。基板Ｗ上の撥水剤Ｈの他の一部は、撥水剤Ｈの未反応分となる。さらに、基板Ｗ上の撥水剤Ｈの別の一部は、パーティクルに変わることがある。

その後、供給ユニット３１は撥水剤Ｈの供給を停止する。

ステップＳ１８：第２ガス処理工程
図９（ｃ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット４１は処理ガスをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。本明細書では、第２ガス処理工程においてチャンバ３に供給される処理ガスを、適宜に、「第２ガスＧ２」と呼ぶ。第２ガスＧ２に含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。第２ガスＧ２由来の有機溶剤は、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。第２ガスＧ２由来の有機溶剤は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルも助教する。第２ガスＧ２由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。その後、供給ユニット４１は第２ガスＧ２の供給を停止する。

ステップＳ１９：第１散布工程（散布処理）
図９（ｄ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット５１は、希釈第１液Ｌ１ａをチャンバ３内の基板Ｗに散布する。希釈第１液Ｌ１ａは、基板Ｗに付着する。希釈第１液Ｌ１ａは、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。希釈第１液Ｌ１ａは、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルも除去する。希釈第１液Ｌ１ａは、基板Ｗの表面を覆う。

第１散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、第１散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、第１位置Ｐ１の近くで、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、基板Ｗを鉛直方向Ｚに上下動させてもよい。あるいは、昇降機構１５は、さらに、基板Ｗを揺動させる図示しない機構を備えたものであってもよい。昇降機構１５は、当該機構によって、基板Ｗを揺動させてもよい。基板Ｗが上下動または揺動する場合、基板Ｗの全体は、希釈第１液Ｌ１ａを好適に受ける。基板Ｗが上下動または揺動する場合、希釈第１液Ｌ１ａは、基板Ｗの表面の全体に、一層均一に付着する。

その後、供給ユニット５１は希釈第１液Ｌ１ａの散布を停止する。

ステップＳ２０：第２散布工程（散布処理）
図９（ｅ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット５１は、非希釈第１液Ｌ１ｂをチャンバ３内の基板Ｗに散布する。非希釈第１液Ｌ１ｂは、基板Ｗに付着する。非希釈第１液Ｌ１ｂは、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。非希釈第１液Ｌ１ｂは、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルも除去する。非希釈第１液Ｌ１ｂは、基板Ｗの表面を覆う。

第２散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、第２散布工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、第１位置Ｐ１の近くで、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、基板Ｗを鉛直方向Ｚに上下動させてもよい。あるいは、昇降機構１５は、さらに、基板Ｗを揺動させる図示しない機構を備えたものであってもよい。昇降機構１５は、当該機構によって、基板Ｗを揺動させてもよい。基板Ｗが上下動または揺動する場合、基板Ｗの全体は、非希釈第１液Ｌ１ｂを好適に受ける。基板Ｗが上下動または揺動する場合、非希釈第１液Ｌ１ｂは、基板Ｗの表面の全体に、一層均一に付着する。

その後、供給ユニット５１は非希釈第１液Ｌ１ｂの散布を停止する。

ここで、第２処理ガス工程と第１散布工程と第２散布工程は、任意の順序で実行されてもよい。例えば、第２処理ガス工程の前に、第１散布工程が実行されてもよい。例えば、第２処理ガス工程の後に、第１散布工程が実行されてもよい。例えば、第１散布工程は、第２処理ガス工程と同時に実行されてもよい。同様に、例えば、第１散布工程の前および後の少なくともいずれかに、第２散布工程が実行されてもよい。例えば、第２散布工程は、第１散布工程と同時に実行されてもよい。例えば、第２散布工程の前および後の少なくともいずれかに、第２処理ガス工程が実行されてもよい。例えば、第２処理ガス工程は、第２散布工程と同時に実行されてもよい。

ここで、第１散布工程と第２散布工程を、散布工程と総称する。第１散布工程において供給ユニット５１が供給する希釈第１液Ｌ１ａの量を、量Ｍ１ａと呼ぶ。第２散布工程において供給ユニット５１が供給する非希釈第１液Ｌ１ｂの量を、量Ｍ１ｂと呼ぶ。量Ｍ１ａと量Ｍ１ｂの合計を、量Ｍ１と呼ぶ。量Ｍ１は、散布工程において供給ユニット５１が供給する第１液Ｌ１の量に相当する。第２ガス処理工程において供給ユニット４１が供給する第２ガスＧ２の量を、量Ｍ２と呼ぶ。量Ｍ１は、量Ｍ２よりも大きい。量Ｍ１は、例えば、量Ｍ２の２倍以上である。量Ｍ１ａは、例えば、量Ｍ２よりも大きい。量Ｍ１ａは、例えば、量Ｍ２の２倍以上である。量Ｍ１ｂは、例えば、量Ｍ２よりも大きい。量Ｍ１ｂは、例えば、量Ｍ２の２倍以上である。

量Ｍ１、Ｍ１ａ、Ｍ１ｂ、Ｍ２はそれぞれ、例えば、質量である。量Ｍ１、Ｍ１ａ、Ｍ１ｂ、Ｍ２はそれぞれ、例えば、体積である。量Ｍ１、Ｍ１ａ、Ｍ１ｂ、Ｍ２がそれぞれ、体積である場合、量Ｍ２は、液体に換算した値とする。例えば、量Ｍ２は、第２ガスＧ２が凝縮して得られる液体の体積である。例えば、量Ｍ２は、第２ガスＧ２を生成するために使用される液体の体積である。

第１散布工程が実行される時間を、時間Ｔ１ａと呼ぶ。第２散布工程が実行される時間を、時間Ｔ１ｂと呼ぶ。時間Ｔ１ａと時間Ｔ１ｂの合計を、時間Ｔ１と呼ぶ。時間Ｔ１は、散布工程が実行される時間に相当する。第２ガス処理工程が実行される時間を、時間Ｔ２と呼ぶ。時間Ｔ１は、時間Ｔ２よりも長い。時間Ｔ１ａは、例えば、時間Ｔ２よりも長い。時間Ｔ１ｂは、例えば、時間Ｔ２よりも長い。

単位時間当たりの量Ｍ１を、流量Ｒ１と呼ぶ。単位時間当たりの量Ｍ１ａを、流量Ｒ１ａと呼ぶ。単位時間当たりの量Ｍ１ｂを、流量Ｒ１ｂと呼ぶ。単位時間当たりの量Ｍ２を、流量Ｒ２と呼ぶ。流量Ｒ１は、例えば、量Ｍ１を時間Ｔ１で除した値である。流量Ｒ１ａは、例えば、量Ｍ１ａを時間Ｔ１ａで除した値である。流量Ｒ１ｂは、例えば、量Ｍ１ｂを時間Ｔ１ｂで除した値である。流量Ｒ２は、例えば、量Ｍ２を時間Ｔ２で除した値である。流量Ｒ１は、流量Ｒ２よりも大きい。流量Ｒ１は、例えば、流量Ｒ２の２倍以上である。流量Ｒ１ａは、例えば、流量Ｒ２よりも大きい。流量Ｒ１ａは、例えば、流量Ｒ２の２倍以上である。流量Ｒ１ｂは、例えば、流量Ｒ２よりも大きい。流量Ｒ１ｂは、例えば、流量Ｒ２の２倍以上である。

ステップＳ２１：第１加圧工程
図１０（ａ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動を停止する。供給ユニット７１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。これにより、チャンバ３の内部を、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧する。具体的には、混合ガスＫの不活性ガスは、チャンバ３の内部を、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと速やかに加圧する。言い換えれば、混合ガスＫの不活性ガスは、チャンバ３内における気体の圧力を速やかに上昇させる。不活性ガスは凝縮し難いからである。

混合ガスＫの有機溶剤は、基板Ｗを濡らす。例えば、混合ガスＫが有機溶剤の気体を含むとき、混合ガスＫに含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において結露し、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。例えば、混合ガスＫが有機溶剤の液体を含むとき、混合ガスＫに含まれる有機溶剤の気液体は、基板Ｗの表面に付着する。したがって、基板Ｗを乾燥させずに、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊになる。

第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１に静止させてもよい。あるいは、第１加圧工程では、昇降機構１５は、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、第１位置Ｐ１の近くで、基板Ｗを上下動させてもよい。例えば、昇降機構１５は、基板Ｗを鉛直方向Ｚに上下動させてもよい。あるいは、昇降機構１５は、さらに、基板Ｗを揺動させる図示しない機構を備えたものであってもよい。昇降機構１５は、当該機構によって、基板Ｗを揺動させてもよい。基板Ｗが上下動または揺動する場合、基板Ｗの全体は、混合ガスＫを好適に受ける。基板Ｗが上下動または揺動する場合、混合ガスＫの有機溶剤は、基板Ｗの表面の全体に、一層均一に付着する。

ステップＳ２２：判定工程
制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果に基づき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったか否かを判定する。例えば、制御部１０１は、圧力センサ８９の検出結果に基づいて、チャンバ３内における気体の圧力の計測値を取得する。制御部１０１は、計測値と基準値と比較する。基準値は、基板処理方法の実行前に、予め設定されている。基準値は、制御部１０１が有する処理情報に含まれる。計測値が基準値未満であるとき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１は判定しない。計測値が基準値以上であるとき、チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１は判定する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定しない場合、ステップＳ２１に戻り、第１加圧工程を継続する。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊになったと制御部１０１が判定した場合、第１加圧工程を終了し、ステップＳ２３に進む。

ステップＳ２３：第１排液工程
図１０（ｂ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット７１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫ由来の有機溶剤を含む。排液ユニット９５は、チャンバ３内の第２液Ｌ２をチャンバ３外に排出する。具体的には、ドレイン弁９７は、配管９６をチャンバ３外の大気に開放する。チャンバ３に溜まった第２液Ｌ２は、配管９６を通じて、チャンバ３外に排出される。第２液Ｌ２は、配管９６を通じて、チャンバ３の内部からチャンバ３の外部に流れる。

ステップＳ２４：第２供給工程
図１０（ｃ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット７１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫ由来の有機溶剤を含む。ダンプ弁９２は閉じる。供給ユニット６１は第３液Ｌ３を処理槽１１に供給する。処理槽１１は第３液Ｌ３を貯留する。

ステップＳ２５：第２浸漬工程
図１０（ｄ）を参照する。供給ユニット７１は混合ガスＫをチャンバ３内の基板Ｗに供給する。減圧ユニット８１は停止中である。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれる。チャンバ３内の雰囲気は、混合ガスＫ由来の有機溶剤を含む。昇降機構１５は、基板Ｗを第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２に移動させる。基板Ｗは処理槽１１内の第３液Ｌ３に浸漬される。第３液Ｌ３は基板Ｗを洗浄する。例えば、第３液Ｌ３は、基板Ｗ上における未反応の撥水剤Ｈを除去する。例えば、第３液Ｌ３は、基板Ｗ上における撥水剤Ｈ由来のパーティクルも除去する。

排液ユニット９５は、チャンバ３内の第３液Ｌ３をチャンバ３外に排出する。排液ユニット９５は、処理槽１１からオーバーフローした第３液Ｌ３をチャンバ３外に排出する。具体的には、供給ユニット６１は第３液Ｌ３を処理槽１１に供給し続ける。ダンプ弁９２は閉じている。第３液Ｌ３は、処理槽１１の開口１２ａからオーバーフローする。第３液Ｌ３が処理槽１１からオーバーフローするとき、基板Ｗから除去された撥水剤も、処理槽１１からオーバーフローする。第３液Ｌ３が処理槽１１からオーバーフローするとき、基板Ｗから除去された撥水剤Ｈ由来のパーティクルも、処理槽１１からオーバーフローする。処理槽１１からオーバーフローした第３液Ｌ３は、チャンバ３の底部に溜まる。ドレイン弁９７は、開いている。配管９６はチャンバ３外の大気に開放されている。チャンバ３の底部に溜まった第３液Ｌ３は、配管９６を通じてチャンバ３外に流れる。

ステップＳ２６：雰囲気形成工程
図１０（ｅ）を参照する。基板Ｗは、第２位置Ｐ２に位置し、処理槽１１内の第３液Ｌ３に浸漬される。供給ユニット６１は第３液Ｌ３の供給を停止する。ドレイン弁９７は閉じる。供給ユニット７１は混合ガスＫの供給を停止する。供給ユニット４１は処理ガスをチャンバ３内に供給する。本明細書では、第２浸漬工程の後にチャンバ３に供給される処理ガスを、適宜に、「第３ガスＧ３」と呼ぶ。減圧ユニット８１は作動を開始する。チャンバ３の内部は常圧状態Ｊから減圧された状態Ｄになる。第３ガスＧ３の雰囲気がチャンバ３内に形成される。

ステップＳ２７：第３ガス処理工程
図１１（ａ）を参照する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット４１は、第３ガスＧ３をチャンバ３内に供給する。昇降機構１５は、基板Ｗを第２位置Ｐ２から第１位置Ｐ１に移動させる。基板Ｗは、処理槽１１内の第３液Ｌ３から引き上げられる。供給ユニット４１は、第３ガスＧ３を基板Ｗに供給する。第３ガスＧ３に含まれる有機溶剤の気体は、基板Ｗの表面において有機溶剤の液体に変わる。第３ガスＧ３由来の有機溶剤は、基板Ｗ上の第３液Ｌ３を除去する。第３ガスＧ３由来の有機溶剤の液体は、基板Ｗの表面を覆う。

ステップＳ２８：乾燥工程
図１１（ｂ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。減圧ユニット８１は作動中である。チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄに保たれる。供給ユニット４１は第３ガスＧ３の供給を停止する。供給ユニット２１は、不活性ガスＮを基板Ｗに供給する。不活性ガスＮは、基板Ｗ上の有機溶剤を除去する。基板Ｗは乾燥される。

ステップＳ２９：第２加圧工程
図１１（ｃ）を参照する。基板Ｗは第１位置Ｐ１に位置する。供給ユニット２１は、不活性ガスＮを供給する。減圧ユニット８１は作動を停止する。チャンバ３の内部は、減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。

＜２－３．第２実施形態の効果＞
第２実施異形態によって、第１実施形態と同様な効果を奏する。例えば、第２実施形態の基板処理方法によっても、基板Ｗ上のパーティクルを好適に低減できる。さらに、第２実施形態によれば、以下の効果を奏する。

散布工程は、第１散布工程と第２散布工程を含む。第１散布工程では、第１液Ｌ１は希釈第１液Ｌ１ａである。第１散布工程では、第１液Ｌ１として希釈第１液Ｌ１ａが散布される。このため、第１散布工程において使用される有機溶剤の量は好適に低減される。第２散布工程では、第１液Ｌ１は非希釈第１液Ｌ１ｂである。第２散布工程では、第１液Ｌ１として非希釈第１液Ｌ１ｂが散布される。非希釈第１液Ｌ１ｂは、実質的に水を含まない。このため、非希釈第１液Ｌ１ｂの表面張力は小さい。よって、第２散布工程では、非希釈第１液Ｌ１ｂは、基板Ｗに有意な力を及ぼさない。その結果、第２散布工程では、基板Ｗは好適に保護される。第２散布工程では、基板Ｗの表面に形成されるパターンは好適に保護される。

基板処理方法は、第２ガス処理工程を含む。第２ガス処理工程は、撥水処理工程の後に実行される。第２ガス処理工程では、チャンバ３の内部が減圧された状態Ｄにあり、かつ、第２ガスＧ２がチャンバ３内の基板Ｗに供給される。第２ガスＧ２は、有機溶剤の気体を含む。第２ガス処理工程では、基板Ｗの全体は第２ガスＧ２に晒される。このため、第２ガス処理工程では、第２ガスＧ２由来の有機溶剤は、基板Ｗの全体に速やかに付着する。第２ガス処理工程では、第２ガスＧ２由来の有機溶剤は、基板Ｗの全体に均一に付着する。よって、第２ガス処理工程では、基板Ｗの全体にわたる基板Ｗの清浄度の均一性が向上する。

散布工程において供給される第１液Ｌ１の量Ｍ１は、第２ガス処理工程において供給される第２ガスＧ２の量Ｍ２よりも大きい。よって、散布工程では、第１液Ｌ１は、基板Ｗ上のパーティクルを一層適切に除去する。

散布工程が実行される時間Ｔ１は、第２ガス処理工程が実行される時間Ｔ２よりも長い。よって、散布工程では、基板Ｗ上のパーティクルは一層好適に除去される。

散布工程における第１液Ｌ１の流量Ｒ１は、第２ガス処理工程における第２ガスＧ２の流量Ｒ２よりも大きい。よって、散布工程では、第１液Ｌ１は、基板Ｗ上のパーティクルを一層適切に除去する。

基板処理方法は、第１加圧工程と第１排液工程を備える。第１加圧工程は、散布工程の後に実行される。第１加圧工程では、チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと加圧される。第１排液工程は、第１加圧工程の後に実行される。第１排液工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊに保たれ、かつ、第２液Ｌ２はチャンバ３外に排出される。チャンバ３の内部が常圧状態Ｊにあるとき、チャンバ３内における気体の圧力はチャンバ外３における気体の圧力に近い。このため、第１排液工程では、チャンバ３内の第２液Ｌ２をチャンバ３の外部に排出することは容易である。

第１排液工程では、配管９６がチャンバ３外の大気に開放される。配管９６は、チャンバ３に連通接続される。上述の通り、第１排液工程では、チャンバ３の内部は常圧状態Ｊにある。このため、第１排液工程では、第２液Ｌ２の自重によって、第２液Ｌ２は配管９６を通じてチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に流れる。第１排液工程では、第２液Ｌ２は配管９６を通じてチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に、自然に流れる。第１排液工程では、第２液Ｌ２をチャンバ３の内部からチャンバ３の外部に強制的に送ることを要しない。よって、第１排液工程では、配管９６を通じて、チャンバ内３の第２液Ｌ２をチャンバ３外に排出することは容易である。

第１加圧工程では、混合ガスＫが、チャンバ３内の基板Ｗに供給される。混合ガスＫは、有機溶剤と不活性ガスを含む。このため、第１加圧工程では、チャンバ３内の基板Ｗを乾燥させずに、チャンバ３の内部は減圧された状態Ｄから常圧状態Ｊへと速やかに加圧される。

混合ガスは、有機溶剤の気体および有機溶剤の液体の少なくともいずれかを含む。このため、混合ガスＫ由来の有機溶剤は、基板Ｗを好適に濡らす。よって、基板が乾燥されることを混合ガスＫは好適に防止する。

基板処理方法は、第２浸漬工程を備える。第２浸漬工程は、第１排液工程の後に実行される。第２浸漬工程では、基板Ｗは、処理槽１１に貯留される第３液Ｌ３に基板Ｗを浸漬される。このため、第２浸漬工程では、基板Ｗは多量の第３液Ｌ３を受ける。第２浸漬工程では、第３液Ｌ３は、基板Ｗ上のパーティクルを一層好適に除去する。よって、基板Ｗ上のパーティクルは一層好適に低減される。その結果、基板Ｗの清浄度は一層好適に向上する。基板Ｗの処理品質は一層好適に向上する。

第１加圧工程から基板Ｗが第３液Ｌ３に浸漬されるまで、チャンバ３内の雰囲気は有機溶剤を含む。このため、第１加圧工程から基板Ｗが第３液Ｌ３に浸漬されるまで、チャンバ３内の雰囲気に含まれる有機溶剤は基板Ｗを濡らす。よって、散布工程の後で第２浸漬工程の前に、基板Ｗは乾燥されない。したがって、第２浸漬工程では、基板Ｗは適切な品質で処理される。

第３液Ｌ３は、希釈された有機溶剤である。このため、第３液Ｌ３は基板Ｗ上のパーティクルを適切に除去する。

本発明は、第１、第２実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）第１、第２実施形態では、吐出部５２は、シャワーヘッドノズルを含む。但し、これに限られない。例えば、吐出部５２は、二流体ノズルを含んでもよい。例えば、吐出部５２は、シャワーヘッドノズルおよび二流体ノズルの少なくともいずれかを含んでもよい。吐出部５２の二流体ノズルは、例えば、吐出部７２の二流体ノズルの構造と略同じ構造を有する。吐出部５２の二流体ノズルは、例えば、第１液Ｌ１の液滴および第１液Ｌ１のミストの少なくともいずれかを、不活性ガスとともに、噴射する。よって、吐出部５２の二流体ノズルは、第１液Ｌ１を好適に散布する。

（２）第２実施形態では、散布工程は、第１散布工程と第２散布工程を含む。但し、これに限られない。例えば、散布工程は、第１散布工程と第２散布工程のいずれかを省略してもよい。例えば、散布工程は、第１散布工程と第２散布工程の少なくともいずれかを含んでもよい。

（３）第２実施形態では、排液ユニット９５の配管９６は、チャンバ３に連通接続される。但し、これに限られない。例えば、配管９６は、処理槽１１に連通接続されてもよい。具体的には、配管９６の第１端は、処理槽１１に接続されてもよい。本変形実施形態では、配管９６がチャンバ３外の大気に開放されるとき、処理槽１１内の処理液は、配管９６を通じてチャンバ３外に排出される。

（４）第２実施形態では、第３液Ｌ３は、希釈された有機溶剤である。但し、これに限られない。第３液Ｌ３は、例えば、純水（ＤＩＷ）でもよい。第３液Ｌ３が純水であるときも、第３液Ｌ３は基板Ｗ上のパーティクルを適切に除去する。

（５）第１、第２実施形態では、供給ユニット２１、３１、４１、５１，６１、７１の構成を例示した。但し、これに限られない。供給ユニット２１、３１、４１、５１，６１、７１の構成を適宜に変更してもよい。

第１、第２実施形態では、不活性ガスＮ、撥水剤Ｈ、第１ガスＧ１、第１液Ｌ１および混合ガスＫは、互いに異なる吐出部２２、３２、４２、５２、７２から吐出された。但し、これに限られない。不活性ガスＮ、撥水剤Ｈ、第１ガスＧ１、第１液Ｌ１および混合ガスＫの少なくとも２つは、同じ吐出部から吐出されてもよい。

供給ユニット６１は、生成された第３液Ｌ３を処理槽１１に供給した。但し、これに限られない。供給ユニット６１は、処理槽１１内で第３液Ｌ３を生成してもよい。例えば、供給ユニット６１は、希釈されていない有機溶剤と純水を個別に処理槽１１に供給してもよい。

吐出部７２（二流体ノズル）は混合ガスＫを生成した。但し、これに限られない。吐出部７２は、混合ガスＫを生成しなくてもよい。例えば、吐出部７２は、混合ガスＫを貯留する供給源に連通接続されてもよい。例えば、混合ガスＫを貯留する供給源は、さらに、混合ガスＫを生成してもよい。例えば、混合ガスＫを貯留する供給源は、有機溶剤の蒸気と不活性ガスを混合することによって、混合ガスＫを生成してもよい。

（６）第１、第２実施形態では、基板処理方法の手順を例示した。但し、これに限られない。基板処理方法の手順を適宜に変更してもよい。

例えば、第１、第２実施形態の基板処理方法は、第１浸漬工程を備えた。但し、これに限られない。第１浸漬工程を省略してもよい。

例えば、第２実施形態では、第１加圧工程から第２浸漬工程まで、供給ユニット７１は混合ガスＫをチャンバ３に供給した。但し、これに限られない。例えば、第１加圧工程から基板Ｗが処理槽１１内の第３液Ｌ３に浸漬されるまで、供給ユニット７１は混合ガスＫをチャンバ３内に供給してもよい。そして、基板Ｗが処理槽１１内の第３液Ｌ３に浸漬された後、供給ユニット７１は混合ガスＫの供給を停止してもよい。本変形実施形態によれば、第１加圧工程から第２浸漬工程まで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。

あるいは、第１加圧工程の後、供給ユニット７１は混合ガスＫの供給を停止してもよい。例えば、第１排液工程と第２供給工程と第２浸漬工程では、供給ユニット７１は混合ガスＫの供給を停止してもよい。第１加圧工程では、混合ガスＫの雰囲気がチャンバ３内に形成される。第１排液工程と第２供給工程と第２浸漬工程では、チャンバ３の内部は減圧されない。このため、第１加圧工程の後、第２浸漬工程まで、混合ガスＫの雰囲気はチャンバ３内に残る。よって、本変形実施形態によっても、第１加圧工程から第２浸漬工程まで、チャンバ３内の雰囲気は混合ガスＫの有機溶剤を好適に含む。

（７）第１－第３実施形態および上記（１）から（６）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
３ … チャンバ
１１ … 処理槽
３１ … 供給ユニット（第２供給ユニット）
４１ … 供給ユニット（第１供給ユニット）
５１ … 供給ユニット（散布ユニット）
５２ … 吐出部
８１ … 減圧ユニット
８９ … 圧力センサ
９５ … 排液ユニット
９６ … 配管（排液管）
１０１ … 制御部
Ｄ … 減圧された状態
Ｇ１ … 第１ガス
Ｇ２ … 第２ガス
Ｈ … 撥水剤
Ｊ … 常圧状態
Ｋ … 混合ガス
Ｌ１ … 第１液
Ｌ１ａ … 希釈第１液（希釈された有機溶剤）
Ｌ１ｂ … 非希釈第１液（希釈されていない有機溶剤）
Ｌ２ … 第２液
Ｌ３ … 第３液
Ｍ１ … 散布工程において供給される第１液の量
Ｍ２ … 第２ガス処理工程において供給される第２ガスの量
Ｐ１ … 第１位置
Ｐ２ … 第２位置
Ｔ１ … 散布工程が実行される時間
Ｔ２ … 第２ガス処理工程が実行される時間
Ｗ … 基板

Claims (17)

1. １つのチャンバに収容される複数の基板を一度に処理する基板処理方法であって、
   前記チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤の気体を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１ガス処理工程と、
   前記第１ガス処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内の前記基板に撥水剤を供給する撥水処理工程と、
   前記撥水処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内の前記基板に有機溶剤の液体を含む第１液を散布する散布工程と、
   前記撥水処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤の気体を含む第２ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第２ガス処理工程と、
   を備える基板処理方法。
2. 請求項１に記載の基板処理方法において、
   前記散布工程において供給される前記第１液の量は、前記第２ガス処理工程において供給される前記第２ガスの量よりも大きい、
   基板処理方法。
3. 請求項１または２に記載の基板処理方法において、
   前記散布工程が実行される時間は、前記第２ガス処理工程が実行される時間よりも長い、
   基板処理方法。
4. １つのチャンバに収容される複数の基板を一度に処理する基板処理方法であって、
   前記チャンバ内に設置される処理槽に貯留される第２液に前記基板を浸漬する第１浸漬工程と、
   前記第１浸漬工程の後に、前記チャンバの内部が減圧された状態において、有機溶剤の気体を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１ガス処理工程と、
   前記第１ガス処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内の前記基板に撥水剤を供給する撥水処理工程と、
   前記撥水処理工程の後、前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記チャンバ内の前記基板に有機溶剤の液体を含む第１液を散布する散布工程と、
   を備え、
   前記第１ガス処理工程と前記撥水処理工程と前記散布工程において、前記基板は前記処理槽の上方に位置する、
   基板処理方法。
5. 請求項４に記載の基板処理方法において、
   前記散布工程の後、前記チャンバの内部を減圧された状態から常圧状態へと加圧する第１加圧工程と、
   前記第１加圧工程の後、前記チャンバの内部を常圧状態に保ち、かつ、前記第２液を前記チャンバ外に排出する第１排液工程と、
   をさらに備える、
   基板処理方法。
6. 請求項５に記載の基板処理方法において、
   前記第１排液工程では、前記チャンバおよび前記処理槽のいずれかに連通接続される排液管がチャンバ外の大気に開放され、前記排液管を通じて前記第２液が前記チャンバ外に排出される、
   基板処理方法。
7. 請求項５または６に記載の基板処理方法において、
   前記第１加圧工程では、有機溶剤と不活性ガスとを含む混合ガスが、前記チャンバ内の基板に供給される、
   基板処理方法。
8. 請求項７に記載の基板処理方法において、
   前記混合ガスは、前記有機溶剤の気体および前記有機溶剤の液体の少なくともいずれかを含む、
   基板処理方法。
9. 請求項５から８のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記第１加圧工程の後、前記処理槽に貯留される第３液に前記基板を浸漬させる第２浸漬工程と、
   をさらに備える、
   基板処理方法。
10. 請求項９に記載の基板処理方法において、
    前記第１加圧工程から前記基板が前記第３液に浸漬されるまで、前記チャンバ内の雰囲気は有機溶剤を含む、
    基板処理方法。
11. 請求項９または１０に記載の基板処理方法において、
    前記第３液は、希釈された有機溶剤、および、純水のいずれかである、
    基板処理方法。
12. 請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記散布工程は、前記第１液の液滴および前記第１液のミストの少なくともいずれかを散布する、
    基板処理方法。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記散布工程は、シャワーヘッドノズルおよび二流体ノズルの少なくともいずれによって、前記第１液を散布する、
    基板処理方法。
14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記散布工程では、さらに、前記チャンバ内において前記基板が上下動または揺動される、
    基板処理方法。
15. 請求項１から１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
    前記散布工程は、第１散布工程と第２散布工程の少なくともいずれかを含み、
    前記第１散布工程は、前記第１液として希釈された有機溶剤を散布し、
    前記第２散布工程は、前記第１液として希釈されていない有機溶剤を散布する、
    基板処理方法。
16. 基板処理装置において、
    複数の基板を収容するチャンバと、
    前記チャンバの内部を減圧する減圧ユニットと、
    有機溶剤の気体を含む第１ガスと、有機溶剤の気体を含む第２ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１供給ユニットと、
    撥水剤を前記チャンバ内の前記基板に供給する第２供給ユニットと、
    有機溶剤の液体を含む第１液を前記チャンバ内の前記基板に散布する散布ユニットと、
    前記減圧ユニットと前記第１供給ユニットと前記第２供給ユニットと前記散布ユニットを制御して、第１ガス処理と撥水処理と散布処理と第２ガス処理を実行させる制御部と、
    を備え、
    前記第１ガス処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記第１供給ユニットが前記第１ガスを前記基板に供給し、
    前記撥水処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記第２供給ユニットが前記撥水剤を前記基板に供給し、
    前記散布処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記散布ユニットが前記第１液を前記基板に散布し、
    前記第２ガス処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記第１供給ユニットが前記第２ガスを前記基板に供給し、
    前記撥水処理の後、前記第２ガス処理は実行される、
    基板処理装置。
17. 基板処理装置において、
    複数の基板を収容するチャンバと、
    前記チャンバ内に設置されて第２液を貯留する処理槽と、
    複数の前記基板を保持する保持部と、
    前記チャンバの内部を減圧する減圧ユニットと、
    有機溶剤の気体を含む第１ガスを前記チャンバ内の前記基板に供給する第１供給ユニットと、
    撥水剤を前記チャンバ内の前記基板に供給する第２供給ユニットと、
    有機溶剤の液体を含む第１液を前記チャンバ内の前記基板に散布する散布ユニットと、
    前記減圧ユニットと前記第１供給ユニットと前記第２供給ユニットと前記散布ユニットを制御して、第１浸漬処理と第１ガス処理と撥水処理と散布処理とを実行させる制御部と、
    を備え、
    前記第１浸漬処理では、前記保持部は、前記処理槽に貯留される第２液に複数の前記基板を浸漬し、
    前記第１ガス処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記第１供給ユニットが前記第１ガスを前記基板に供給し、
    前記撥水処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記第２供給ユニットが前記撥水剤を前記基板に供給し、
    前記散布処理では、前記減圧ユニットによって前記チャンバの内部が減圧された状態において、前記散布ユニットが前記第１液を前記基板に散布し、
    前記第１ガス処理と前記撥水処理と前記散布処理において、前記基板は前記処理槽の上方に位置する、
    基板処理装置。