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JP7777433B2 - Inspection apparatus, inspection method, inspection program, and method for manufacturing semiconductor devices - Google Patents
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JP7777433B2 - Inspection apparatus, inspection method, inspection program, and method for manufacturing semiconductor devices - Google Patents

Inspection apparatus, inspection method, inspection program, and method for manufacturing semiconductor devices

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Description

本発明は、複数の工程を経て製造される製品の品質を判定する検査装置、検査方法、検査プログラムに関する。また、そのような検査装置を用いた半導体デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an inspection apparatus, an inspection method, and an inspection program for determining the quality of products manufactured through multiple processes. It also relates to a method for manufacturing semiconductor devices using such an inspection apparatus.

半導体デバイスの製造においては、完成した半導体デバイスを一定時間連続稼働させた後、その特性を検査する評価工程が実施される。特許文献1には、このような評価工程において利用可能なバーンイン試験装置が開示されている。 In the manufacture of semiconductor devices, a completed semiconductor device is operated continuously for a certain period of time, and then an evaluation process is carried out to inspect its characteristics. Patent Document 1 discloses a burn-in test device that can be used in this evaluation process.

特開2001-242215号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-242215

評価工程においては、通常、半導体デバイスに対して一定時間連続通電を行う必要がある。したがって、半導体デバイスの生産効率を向上させるうえで、評価工程が深刻なボトルネットとなっていた。このため、評価工程を実施する前に半導体デバイスが良品となるか不良品となるかを判定し、不良品となると判定された半導体デバイスについては、評価工程を省略することが好ましい。しかしながら、評価工程を実施する前に良品を選別する既存技術(光学的又は電気的な検査による選別技術)は不完全であり、このような既存技術を超える選別技術の確立が求められている。 The evaluation process typically requires that semiconductor devices be continuously energized for a certain period of time. Therefore, the evaluation process has been a serious bottleneck in improving semiconductor device production efficiency. For this reason, it is preferable to determine whether a semiconductor device will be a pass or fail before the evaluation process is carried out, and to skip the evaluation process for semiconductor devices that are determined to be failing. However, existing technologies for selecting pass or fail before the evaluation process (sorting technologies using optical or electrical inspection) are incomplete, and there is a need to establish a sorting technology that surpasses these existing technologies.

また、このような技術の実現は、半導体デバイスに限らず、複数の工程を経て製造される製品一般に対して恩恵をもたらす。全ての工程を実施し終える前に製品が良品となるか不良品となることを予測することができれば、それ以後の工程を省略することによって、その製品の生産効率を向上させることができるからである。 Furthermore, the realization of such technology will bring benefits not only to semiconductor devices, but to all products that are manufactured through multiple processes. If it is possible to predict whether a product will be good or bad before all processes are completed, subsequent processes can be omitted, thereby improving the production efficiency of that product.

本発明の一態様は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の工程を経て製造される製品に関して、全ての工程を実施し終える前に製品の品質を判定する技術を実現することにある。 One aspect of the present invention was made in consideration of the above-mentioned problems, and its purpose is to realize a technology that can determine the quality of a product that is manufactured through multiple processes before all of the processes are completed.

本発明の態様1に係る検査装置は、複数の工程の各々に関する工程情報を入力とし、前記複数の工程を経て製造される製品の品質を示すクラスを出力とするモデルであって、機械学習によって構築されたモデルを用いて、前記製品の品質を判定する判定工程を実行する少なくとも1つのプロセッサを備えている。 The inspection device according to aspect 1 of the present invention has at least one processor that executes a determination step of determining the quality of a product using a model constructed by machine learning, which receives process information relating to each of a plurality of processes as input and outputs a class indicating the quality of a product manufactured through the plurality of processes.

上記の構成によれば、複数の工程を経て製造される製品に関して、全ての工程を実施し終える前に製品の品質を判定することができる。 With the above configuration, the quality of a product that is manufactured through multiple processes can be determined before all of the processes are completed.

本発明の態様2に係る検査装置においては、態様1の構成に加えて、前記工程情報は、対応する工程にて用いられた材料に関する情報、対応する工程にて得られた生成物に関する情報、対応する工程にて用いられた製造装置に関する情報、及び、対応する工程を実施した環境に関する情報の少なくとも何れかを含む、という構成が採用されている。 In addition to the configuration of aspect 1, the inspection device according to aspect 2 of the present invention employs a configuration in which the process information includes at least one of information about the materials used in the corresponding process, information about the product obtained in the corresponding process, information about the manufacturing equipment used in the corresponding process, and information about the environment in which the corresponding process was carried out.

上記の構成によれば、複数の工程を経て製造される製品に関して、全ての工程を実施し終える前に製品の品質を精度良く判定することができる。 With the above configuration, the quality of a product that is manufactured through multiple processes can be accurately determined before all of the processes are completed.

本発明の態様3に係る検査装置においては、態様1又は2の構成に加えて、前記製品は、半導体チップを得るまでの前工程、及び、半導体チップを得てからの後工程を経て製造される半導体デバイスであり、前記モデルの入力は、前記前工程に関する工程情報である、という構成が採用されている。 In addition to the configuration of aspects 1 or 2, the inspection device according to aspect 3 of the present invention employs a configuration in which the product is a semiconductor device manufactured through a pre-process leading up to the production of semiconductor chips and a post-process following the production of the semiconductor chips, and the input to the model is process information relating to the pre-process.

上記の構成によれば、前工程及び後工程を経て製造される半導体デバイスに関して、後工程を実施する前に半導体デバイスの品質を判定することができる。 With the above configuration, the quality of semiconductor devices manufactured through pre-processing and post-processing can be determined before the post-processing is carried out.

本発明の態様4に係る検査装置においては、態様3の構成に加えて、前記前工程に関する工程情報は、結晶成長工程にて得られた半導体ウエハに関する第1の工程情報、及び、分離工程にて得られた半導体チップに関する第2の工程情報を含む、という構成が採用されている。 In addition to the configuration of aspect 3, the inspection device according to aspect 4 of the present invention employs a configuration in which the process information relating to the pre-processing step includes first process information relating to the semiconductor wafer obtained in the crystal growth step and second process information relating to the semiconductor chip obtained in the separation step.

上記の構成によれば、前工程及び後工程を経て製造される半導体デバイスに関して、後工程を実施する前に半導体デバイスの品質を精度良く判定することができる。 With the above configuration, the quality of semiconductor devices manufactured through pre-processing and post-processing can be accurately determined before the post-processing is carried out.

本発明の態様5に係る検査装置においては、態様4の構成に加えて、前記第1の工程情報は、前記半導体ウエハの外観を表す画像であり、前記第2の工程情報は、前記半導体チップの属性を表す数値列、及び、前記半導体チップの外観を表す画像を含む、という構成が採用されている。 In addition to the configuration of Aspect 4, the inspection device according to Aspect 5 of the present invention employs a configuration in which the first process information is an image representing the appearance of the semiconductor wafer, and the second process information includes a numerical sequence representing the attributes of the semiconductor chip and an image representing the appearance of the semiconductor chip.

上記の構成によれば、前工程及び後工程を経て製造される半導体デバイスに関して、後工程を実施する前に半導体デバイスの品質を更に精度良く判定することができる。 With the above configuration, the quality of semiconductor devices manufactured through pre-processing and post-processing can be determined with greater accuracy before the post-processing is carried out.

本発明の態様6に係る検査方法は、少なくとも1つのプロセッサが、複数の工程の各々に関する工程情報を入力とし、前記複数の工程を経て製造される製品の品質を示すクラスを出力とするモデルであって、機械学習によって構築されたモデルを用いて、前記製品の品質を判定する判定工程を含んでいる。 An inspection method according to aspect 6 of the present invention includes a determination step in which at least one processor determines the quality of the product using a model constructed by machine learning, which receives process information relating to each of a plurality of processes as input and outputs a class indicating the quality of the product manufactured through the plurality of processes.

上記の構成によれば、複数の工程を経て製造される製品に関して、全ての工程を実施し終える前に製品の品質を判定することができる。 With the above configuration, the quality of a product that is manufactured through multiple processes can be determined before all of the processes are completed.

本発明の態様7に係る検査プログラムは、前記プロセッサを備えたコンピュータを態様1~5の何れかの検査装置として動作させるための検査プログラムであって、前記プロセッサに前記判定工程を実行させる。 The inspection program according to aspect 7 of the present invention is an inspection program for causing a computer equipped with the processor to operate as an inspection device according to any one of aspects 1 to 5, and causes the processor to execute the determination process.

上記の構成によれば、複数の工程を経て製造される製品に関して、全ての工程を実施し終える前に製品の品質を判定することができる。 With the above configuration, the quality of a product that is manufactured through multiple processes can be determined before all of the processes are completed.

本発明の態様8に係る半導体デバイスの製造方法は、前記後工程を実施する前に態様3~5の何れかの検査装置を用いて半導体デバイスの品質を判定する判定工程を含み、前記判定工程にて良品と判定された場合に前記後工程を実施し、前記判定工程にて不良品と判定された場合に前記後工程を省略する。 A semiconductor device manufacturing method according to aspect 8 of the present invention includes a determination step in which the quality of the semiconductor device is determined using an inspection apparatus according to any one of aspects 3 to 5 before carrying out the post-processing step, and if the semiconductor device is determined to be a non-defective product in the determination step, the post-processing step is carried out, and if the semiconductor device is determined to be a defective product in the determination step, the post-processing step is omitted.

上記の構成によれば、半導体デバイスの生産効率を向上させることができる。 The above configuration can improve the production efficiency of semiconductor devices.

本発明の一態様によれば、複数の工程を経て製造される製品に関して、全ての工程を実施し終える前に製品の品質を判定する技術を実現することができる。 One aspect of the present invention makes it possible to realize a technology that determines the quality of a product that is manufactured through multiple processes before all of the processes are completed.

本発明の一実施形態に係る検査装置の構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a configuration of an inspection device according to an embodiment of the present invention; 図1に示す検査装置を用いて実施される半導体デバイスの製造方法の流れを示すフロー図である。2 is a flow chart showing the flow of a semiconductor device manufacturing method carried out using the inspection apparatus shown in FIG. 1 . 後工程の既存の選別方法にて明らかになっている1ロットあたりの良品数及び不良品数を半導体ウエハの時系列的に並べて示したグラフであり、図1に示す検査装置の一実施例を示す。2 is a graph showing the number of non-defective and defective products per lot, as determined by an existing sorting method in a later process, arranged in chronological order for semiconductor wafers, and shows one embodiment of the inspection apparatus shown in FIG. 1.

(検査装置の構成)
本発明の一実施形態に係る検査装置1の構成について、図1を参照して説明する。検査装置1は、製品の製造方法に含まれる複数の工程に関する工程情報に基づいて、その製品の品質を判定する装置である。本実施形態においては、製品として、半導体チップを含む半導体デバイス、特に、半導体レーザチップを含む半導体レーザユニットを想定する。
(Configuration of inspection device)
The configuration of an inspection apparatus 1 according to one embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. 1. The inspection apparatus 1 is an apparatus that judges the quality of a product based on process information relating to multiple processes included in a manufacturing method of the product. In this embodiment, the product is assumed to be a semiconductor device including a semiconductor chip, and in particular a semiconductor laser unit including a semiconductor laser chip.

検査装置1は、図1に示すように、メモリ11と、プロセッサ12と、ストレージ13と、を備えている。メモリ11、プロセッサ12、及びストレージ13は、不図示のバスを介して互いに接続されている。このバスには、更に、不図示の入出力インタフェース、及び、不図示の通信インタフェースが接続されていてもよい。この入出力インタフェースは、例えば、外部装置(例えば、カメラ、試験装置、製造装置など)から検査装置1に工程情報を入力するため、或いは、検査装置1から外部装置(例えば、ディスプレイなど)に検査結果を出力するために利用される。また、この通信インタフェースは、例えば、外部装置(例えば、カメラ、試験装置、製造装置に接続された他のコンピュータ)から提供された入力画像を検査装置1が受信するため、或いは、外部装置(例えば、ディスプレイに接続された他のコンピュータ)に提供する検査結果を検査装置1が送信するために利用される。 As shown in FIG. 1, the inspection device 1 includes a memory 11, a processor 12, and a storage 13. The memory 11, the processor 12, and the storage 13 are connected to one another via a bus (not shown). An input/output interface (not shown) and a communication interface (not shown) may also be connected to this bus. This input/output interface is used, for example, to input process information from an external device (e.g., a camera, test equipment, manufacturing equipment, etc.) to the inspection device 1, or to output inspection results from the inspection device 1 to an external device (e.g., a display, etc.). The communication interface is also used, for example, to allow the inspection device 1 to receive input images provided from an external device (e.g., a camera, test equipment, or another computer connected to the manufacturing equipment), or to allow the inspection device 1 to transmit inspection results to an external device (e.g., another computer connected to a display).

メモリ11は、後述する判定工程S104を実施するための検査プログラムPと、後述する判定工程S104で利用される、機械学習により構築されたモデルMとを記録するための構成である。なお、メモリ11としては、例えば、半導体RAM(Random Access Memory)等を用いることができる。また、モデルMとしては、例えば、CNN(Convolutional Neural Network)を用いることができる。また、ロジスティック回帰モデル、サポートベクトルマシン、ランダムフォレストなどを、モデルMとして用いてもよい。 Memory 11 is configured to record an inspection program P for performing the determination process S104 described below, and a model M constructed by machine learning that is used in the determination process S104 described below. For example, semiconductor RAM (Random Access Memory) can be used as memory 11. For example, a CNN (Convolutional Neural Network) can be used as model M. A logistic regression model, a support vector machine, a random forest, or the like can also be used as model M.

プロセッサ12は、メモリ11に記憶された検査プログラムPに従って、後述する判定工程S104を実行するための構成である。プロセッサ12としては、例えば、CPU(Central Processing Unit)、GPU(Graphic Processing Unit)、TPU(Tensor Processing Unit)、デジタルシグナルプロセッサ、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、又は、これらの組み合わせ等を用いることができる。 The processor 12 is configured to execute the determination process S104, described below, in accordance with the inspection program P stored in the memory 11. The processor 12 may be, for example, a CPU (Central Processing Unit), GPU (Graphic Processing Unit), TPU (Tensor Processing Unit), digital signal processor, microprocessor, microcontroller, or a combination of these.

ストレージ13は、上述した検査プログラムPと上述したモデルMとを格納(不揮発保存)するための構成である。プロセッサ12は、後述する判定工程S104を実行する際に、ストレージ13に格納された検査プログラムP及びモデルMをメモリ11上に展開して参照する。なお、ストレージ13としては、例えば、フラッシュメモリ、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、又は、これらの組み合わせ等を用いることができる。 Storage 13 is configured to store (non-volatilely store) the above-mentioned inspection program P and the above-mentioned model M. When executing the determination step S104 described below, processor 12 expands and references the inspection program P and model M stored in storage 13 in memory 11. Note that storage 13 may be, for example, a flash memory, HDD (Hard Disk Drive), SSD (Solid State Drive), or a combination of these.

なお、ここでは、後述する判定工程S104を単一のコンピュータに設けられた単一のプロセッサ12が実行する構成について説明したが、これに限定されない。すなわち、後述する判定工程S104を単一のコンピュータに設けられた、或いは、複数のコンピュータに分散して設けられた複数のプロセッサが共同して実行する構成を採用することも可能である。 Note that while the configuration described here is one in which the determination step S104, described below, is executed by a single processor 12 provided in a single computer, this is not limiting. In other words, it is also possible to adopt a configuration in which the determination step S104, described below, is executed jointly by multiple processors provided in a single computer or distributed across multiple computers.

また、ここでは、モデルMを単一のコンピュータに設けられた単一のメモリ11に記憶させる構成について説明したが、これに限定されない。すなわち、モデルMを単一のコンピュータに設けられた、或いは、複数のコンピュータに分散して設けられた複数のメモリに分散して記憶させる構成を採用することも可能である。 Furthermore, while the configuration described here is one in which model M is stored in a single memory 11 provided in a single computer, this is not limiting. In other words, it is also possible to adopt a configuration in which model M is stored in a single computer or in multiple memories distributed across multiple computers.

なお、プロセッサ12に判定工程S104を実行させるための検査プログラムPは、コンピュータ読み取り可能な一時的でない有形の記録媒体に記録され得る。この記録媒体は、メモリ11であってもよいし、ストレージ13であってもよいし、その他の記録媒体であってもよい。例えば、テープ、ディスク、カード、半導体メモリ、プログラマブル論理回路が、その他の記録媒体として利用可能である。 The inspection program P for causing the processor 12 to execute the determination step S104 may be recorded on a computer-readable, non-transitory, tangible recording medium. This recording medium may be memory 11, storage 13, or another recording medium. For example, a tape, a disk, a card, a semiconductor memory, or a programmable logic circuit may be used as the other recording medium.

(検査装置を用いた半導体デバイスの製造方法)
検査装置1を用いた半導体デバイスの製造方法S100について、図2を参照して説明する。図2は、半導体デバイスの製造方法S100の流れを示すフロー図である。上述したとおり、ここでは、半導体デバイスとして、半導体レーザチップを含む半導体レーザユニットを想定する。
(Method for manufacturing semiconductor devices using an inspection device)
A method S100 for manufacturing a semiconductor device using the inspection apparatus 1 will be described with reference to Fig. 2. Fig. 2 is a flow chart showing the flow of the method S100 for manufacturing a semiconductor device. As described above, a semiconductor laser unit including a semiconductor laser chip is assumed as the semiconductor device.

製造方法S100は、図2に示すように、半導体チップを得るまでの前工程S110と、半導体チップを得てからの後工程S120と、を含んでいる。 As shown in Figure 2, the manufacturing method S100 includes a pre-process S110 for obtaining a semiconductor chip, and a post-process S120 for obtaining the semiconductor chip.

前工程S110は、例えば図2に示すように、結晶成長工程S111、電極形成工程S112、第1分離工程113(「分離工程」の一例)、及び第2分離工程S114(「分離工程」の一例)により構成される。結晶成長工程S111は、結晶成長により半導体ウエハを得る工程である。電極形成工程S112は、半導体ウエハに表面電極及び裏面電極を形成する工程である。第1分離工程S113は、半導体ウエハを劈開又はダイシングすることにより半導体バーを得る工程である。得られた半導体バーの端面をコーティングする処理が第1分離工程S113に含まれていてもよい。第2分離工程S114は、半導体バーを劈開又はダイシングすることにより半導体チップを得る工程である。 As shown in FIG. 2, the pre-process S110 is composed of a crystal growth process S111, an electrode formation process S112, a first separation process S113 (an example of a "separation process"), and a second separation process S114 (an example of a "separation process"). The crystal growth process S111 is a process for obtaining a semiconductor wafer by crystal growth. The electrode formation process S112 is a process for forming a front electrode and a back electrode on the semiconductor wafer. The first separation process S113 is a process for obtaining semiconductor bars by cleaving or dicing the semiconductor wafer. The first separation process S113 may include a process for coating the end faces of the obtained semiconductor bars. The second separation process S114 is a process for obtaining semiconductor chips by cleaving or dicing the semiconductor bars.

後工程S120は、例えば図2に示すように、組立工程S121、及び評価工程S122により構成される。組立工程S121は、半導体チップを用いて半導体デバイスを組み立てる工程である。組立工程S121は、例えば、半導体チップを放熱マウントにダイボンドする処理、及び、電気的な接続を得るためのワイヤボンド処理により構成される。評価工程S122は、半導体デバイスを評価する工程である。評価工程S122は、例えば、一定時間にわたる連続通電により半導体デバイスをバーンインする処理、及び、バーンイン後の半導体デバイスの特性を検査する処理により構成される。 The post-process S120, as shown in FIG. 2, is composed of an assembly process S121 and an evaluation process S122. The assembly process S121 is a process of assembling a semiconductor device using semiconductor chips. The assembly process S121 is composed of, for example, die-bonding the semiconductor chip to a heat dissipation mount and wire-bonding to establish electrical connection. The evaluation process S122 is a process of evaluating the semiconductor device. The evaluation process S122 is composed of, for example, burning in the semiconductor device by continuously applying current for a certain period of time and inspecting the characteristics of the semiconductor device after burn-in.

本実施形態に係る製造方法S100において特徴的な点は、図2に示すように、ウエハ撮像工程S101、属性検査工程S102、チップ撮像工程S103、及び、判定工程S104が含まれている点である。 A distinctive feature of the manufacturing method S100 according to this embodiment is that it includes a wafer imaging process S101, an attribute inspection process S102, a chip imaging process S103, and a judgment process S104, as shown in FIG. 2.

ウエハ撮像工程S101は、結晶成長工程S111に関する工程情報(「第1の工程情報」の一例)として、結晶成長工程S111にて得られた半導体ウエハに含まれる各半導体チップの外観を表す画像を得る工程である。ウエハ撮像工程S101は、例えば、カメラにより実施され、ウエハ撮像工程S101にて得られた画像は、そのカメラから検査装置1に供給される。 The wafer imaging process S101 is a process for obtaining images representing the appearance of each semiconductor chip included in the semiconductor wafer obtained in the crystal growth process S111 as process information related to the crystal growth process S111 (an example of "first process information"). The wafer imaging process S101 is performed, for example, by a camera, and the images obtained in the wafer imaging process S101 are supplied from the camera to the inspection device 1.

属性検査工程S102は、第2分離工程S114に関する工程情報(「第2の工程情報」の一例)として、第2分離工程S114にて得られた半導体チップの属性を表す数値列を得る工程である。属性検査工程S102は、例えば、試験装置により実施され、属性検査工程S102にて得られた数値列は、その試験装置から検査装置1に供給される。なお、属性検査工程S102は、第1分離工程S113に関する工程情報として、第1分離工程S113にて得られた半導体ウエハに含まれる各半導体チップの属性を表す数値列を得る工程であってもよい。 The attribute inspection process S102 is a process of obtaining a numerical sequence representing the attributes of the semiconductor chips obtained in the second separation process S114 as process information related to the second separation process S114 (an example of "second process information"). The attribute inspection process S102 is performed, for example, by a test device, and the numerical sequence obtained in the attribute inspection process S102 is supplied from the test device to the inspection device 1. The attribute inspection process S102 may also be a process of obtaining a numerical sequence representing the attributes of each semiconductor chip included in the semiconductor wafer obtained in the first separation process S113 as process information related to the first separation process S113.

チップ撮像工程S103は、第2分離工程S114に関する工程情報(「第2の工程情報」の一例)として、第2分離工程S114にて得られた半導体チップの外観を表す画像を得る工程である。チップ撮像工程S103は、例えば、カメラにより実施され、チップ撮像工程S103にて得られた画像は、検査装置1に供給される。 The chip imaging process S103 is a process for obtaining an image showing the appearance of the semiconductor chip obtained in the second separation process S114 as process information related to the second separation process S114 (an example of "second process information"). The chip imaging process S103 is performed, for example, by a camera, and the image obtained in the chip imaging process S103 is supplied to the inspection device 1.

判定工程S104は、検査装置1が、機械学習により構築されたモデルMを用いて、半導体チップの品質を判定する工程である。モデルMの入力は、(1)ウエハ撮像工程S101にて得られた、判定対象となる半導体チップの外観を表す画像、(2)属性検査工程S102にて得られた、判定対象となる半導体チップの属性を表す数値列、及び、(3)チップ撮像工程S103にて得られた、判定対象となる半導体チップの外観を表す画像である。モデルMの出力は、判定対象となる半導体チップに後工程S120を施すことにより製造される半導体デバイスの品質を示すクラスである。 The judgment process S104 is a process in which the inspection device 1 judges the quality of the semiconductor chip using a model M constructed by machine learning. The inputs to the model M are (1) an image representing the appearance of the semiconductor chip to be judged, obtained in the wafer imaging process S101, (2) a numerical sequence representing the attributes of the semiconductor chip to be judged, obtained in the attribute inspection process S102, and (3) an image representing the appearance of the semiconductor chip to be judged, obtained in the chip imaging process S103. The output of the model M is a class indicating the quality of the semiconductor device manufactured by performing the post-process S120 on the semiconductor chip to be judged.

なお、機械学習においては、(1)ウエハ撮像工程S101にて得られた、判定対象となる半導体チップの外観を表す画像、(2)属性検査工程S102にて得られた、判定対象となる半導体チップの属性を表す数値、及び、(3)チップ撮像工程S103にて得られた、判定対象となる半導体チップの外観を表す画像に、(4)評価工程S122にて得られた、判定対象となる半導体チップを含む半導体デバイスの検査結果をラベルとして紐づけた教師データが用いられる。検査結果は、例えば、良品又は不良品の何れかである。典型的には、評価工程S122にて半導体デバイスに劣化が生じれば、その半導体デバイスの検査結果は不良品となり、評価工程S122にて半導体デバイスに劣化が生じなければ、その半導体デバイスの検査結果は良品となる。なお、検査装置1は、モデルMを用いて半導体デバイスの品質を判定する機能の他に、このような機械学習を行うことによりモデルMを構築する機能を有していてもよい。 In machine learning, training data is used, which is a label linking (1) an image representing the appearance of the semiconductor chip to be judged obtained in the wafer imaging process S101, (2) numerical values representing the attributes of the semiconductor chip to be judged obtained in the attribute inspection process S102, and (3) an image representing the appearance of the semiconductor chip to be judged obtained in the chip imaging process S103 with (4) the inspection results of the semiconductor device including the semiconductor chip to be judged obtained in the evaluation process S122. The inspection results are, for example, either a pass or a fail. Typically, if degradation occurs in the semiconductor device in the evaluation process S122, the inspection result for that semiconductor device is a fail, and if no degradation occurs in the semiconductor device in the evaluation process S122, the inspection result for that semiconductor device is a pass. In addition to the function of judging the quality of the semiconductor device using the model M, the inspection apparatus 1 may also have the function of constructing the model M by performing such machine learning.

判定工程S104におけるモデルMの出力が良品クラスであった場合、判定対象となる半導体チップに対する後工程S120を実施する。一方、判定工程S104におけるモデルMの出力が不良品クラスであった場合、判定対象となる半導体チップに対する後工程S120を省略することができる。この場合、半導体デバイスが不良品となる可能性が高い半導体チップに対して時間的及び金銭的コストの高い評価工程S122を実施することにより生じる生産効率の低下を、回避することができる。したがって、半導体デバイスの生産効率を向上させることができる。 If the output of model M in the judgment process S104 is in the non-defective class, the post-process S120 is carried out on the semiconductor chip to be judged. On the other hand, if the output of model M in the judgment process S104 is in the defective class, the post-process S120 can be omitted for the semiconductor chip to be judged. In this case, it is possible to avoid the decrease in production efficiency that occurs when the evaluation process S122, which is time- and financially costly, is carried out on semiconductor chips that are likely to be defective. Therefore, it is possible to improve the production efficiency of semiconductor devices.

(モデルの性能)
判定工程S104で用いるモデルMの性能について、図3及び表1~4を参照して説明する。
(Model performance)
The performance of the model M used in the determination step S104 will be described with reference to FIG.

図3は、各ロットに含まれる良品数及び不良品数を、時系列的に並べて示したグラフである。ここで、良品数とは、評価工程S122にて良品と判定された半導体デバイスの個数であり、不良品数とは、評価工程S122にて不良品と判定された半導体デバイスの個数である。図3に示したグラフから、不良品が多い期間と不良品が少ない期間とが存在することが分かった。 Figure 3 is a graph showing the number of good products and the number of defective products contained in each lot in chronological order. Here, the number of good products is the number of semiconductor devices determined to be good in the evaluation process S122, and the number of defective products is the number of semiconductor devices determined to be defective in the evaluation process S122. From the graph shown in Figure 3, it can be seen that there are periods with many defective products and periods with few defective products.

そこで、不良品が多い期間と不良品が少ない期間との各々について、モデルMの学習(Training)、検証(Validation)、及び評価(test)を行った。表1は、不良品が多い期間について、モデルMの学習、検証、及び評価に用いた半導体デバイスの個数を、良品と不良品とに分けて示した表である。表2は、不良品が少ない期間について、モデルMの学習、検証、及び評価に用いた半導体デバイスの個数を、良品と不良品とに分けて示した表である。 Therefore, training, validation, and testing of Model M were performed for both periods with a high number of defective products and periods with a low number of defective products. Table 1 shows the number of semiconductor devices used in training, validation, and testing of Model M for periods with a high number of defective products, divided into good and defective products. Table 2 shows the number of semiconductor devices used in training, validation, and testing of Model M for periods with a low number of defective products, divided into good and defective products.

表3は、不良品が多い期間について、モデルMの推論マトリックスを示した表である。 Table 3 shows the inference matrix for Model M for periods with high levels of defective products.

表3に示すように、評価工程S122にて良品と判定された半導体デバイスに含まれる1957個の半導体チップのうち、1702個の半導体チップが判定工程S104にて良品クラスに分類された。すなわち、良品再現率は、86.97%であった。また、評価工程S122にて不良品と判定された半導体デバイスに含まれる153個の半導体チップのうち、108個の半導体チップが判定工程S104にて不良品クラスに分類された。すなわち、不良品再現率は、70.59%であった。 As shown in Table 3, of the 1,957 semiconductor chips included in semiconductor devices judged to be good in the evaluation process S122, 1,702 semiconductor chips were classified into the good product class in the judgment process S104. In other words, the good product reproduction rate was 86.97%. Furthermore, of the 153 semiconductor chips included in semiconductor devices judged to be defective in the evaluation process S122, 108 semiconductor chips were classified into the defective product class in the judgment process S104. In other words, the defective product reproduction rate was 70.59%.

更に、表3に示すように、判定工程S104にて良品クラスに分類された半導体チップを含む1747個の半導体デバイスのうち、1702個の半導体デバイスが評価工程S122にて良品と判定された。すなわち、良品適合率は、97.42%であった。また、判定工程S104にて不良品クラスに分類された半導体チップを含む363個の半導体デバイスのうち、108個の半導体デバイスが評価工程S122にて不良品と判定された。すなわち、不良品適合率は、29.75%であった。 Furthermore, as shown in Table 3, of the 1,747 semiconductor devices containing semiconductor chips classified as good products in the judgment process S104, 1,702 semiconductor devices were judged to be good products in the evaluation process S122. In other words, the good product conformance rate was 97.42%. Furthermore, of the 363 semiconductor devices containing semiconductor chips classified as bad products in the judgment process S104, 108 semiconductor devices were judged to be bad products in the evaluation process S122. In other words, the bad product conformance rate was 29.75%.

これらの結果から、不良品が多い期間に関して、モデルMの良品F値は、0.919であり、モデルMの正解率は、85.78%であることが分かった。 From these results, we can see that during periods with many defective products, Model M's F-value for non-defective products was 0.919, and its accuracy rate was 85.78%.

表4は、良品が少ない期間について、モデルMの推論マトリックスを示した表である。 Table 4 shows the inference matrix for Model M for periods when there are few good products.

表4に示すように、評価工程S122にて良品と判定された半導体デバイスに含まれる4660個の半導体チップのうち、3369個の半導体チップが判定工程S104にて良品クラスに分類された。すなわち、良品再現率は、72.30%であった。また、評価工程S122にて不良品と判定された半導体デバイスに含まれる110個の半導体チップのうち、67個の半導体チップが判定工程S104にて不良品クラスに分類された。すなわち、不良品再現率は、60.91%であった。 As shown in Table 4, of the 4,660 semiconductor chips included in semiconductor devices determined to be good in the evaluation process S122, 3,369 semiconductor chips were classified into the good product class in the determination process S104. In other words, the good product reproduction rate was 72.30%. Furthermore, of the 110 semiconductor chips included in semiconductor devices determined to be defective in the evaluation process S122, 67 semiconductor chips were classified into the defective product class in the determination process S104. In other words, the defective product reproduction rate was 60.91%.

更に、表4に示すように、判定工程S104にて良品クラスに分類された半導体チップを含む3412個の半導体デバイスのうち、3369個の半導体デバイスが評価工程S122にて良品と判定された。すなわち、良品適合率は、98.74%であった。また、判定工程S104にて不良品クラスに分類された半導体チップを含む1358個の半導体デバイスのうち、67個の半導体デバイスが評価工程S122にて不良品と判定された。すなわち、不良品適合率は、4.93%であった。 Furthermore, as shown in Table 4, of the 3,412 semiconductor devices including semiconductor chips classified as good products in the judgment process S104, 3,369 semiconductor devices were judged to be good products in the evaluation process S122. In other words, the good product conformance rate was 98.74%. Furthermore, of the 1,358 semiconductor devices including semiconductor chips classified as bad products in the judgment process S104, 67 semiconductor devices were judged to be bad products in the evaluation process S122. In other words, the bad product conformance rate was 4.93%.

これらの結果から、不良品が少ない期間に関して、モデルMの良品F値は、0.8347であり、モデルMの正解率は、72.03%であるという結論が得られた。 From these results, we concluded that during periods when there were few defective products, Model M's F-value for non-defective products was 0.8347, and that Model M's accuracy rate was 72.03%.

(検査装置の変形例)
本実施形態においては、半導体デバイス、特に、半導体レーザユニットを検査対象としたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、複数の工程を経て製造される任意の製品を検査対象とすることができる。
(Modification of the inspection device)
In this embodiment, the semiconductor device, particularly the semiconductor laser unit, is the subject of inspection, but the present invention is not limited to this. In other words, any product manufactured through multiple processes can be the subject of inspection.

また、本実施形態においては、結晶成長工程S111にて得られる半導体ウエハの外観を表す画像、第2分離工程S114にて得られる半導体チップの属性を表す数値、及び、第2分離工程S114にて得られる半導体チップの外観を表す画像をモデルMの入力としたが、本発明はこれに限定されない。すなわち、任意の工程に関する工程情報をモデルMの入力とすることができる。各工程に関する工程情報としては、その工程にて得られる生成物に関する情報の他に、例えば、その工程にて用いられる材料に関する情報、その工程にて用いられる製造装置に関する情報、その工程を実施する環境に関する情報が挙げられる。これらの情報と製品の品質との間には、一定の相関関係が存在する。したがって、これらの情報をモデルMの入力とすれば、製品の品質を有効に推定することができる。 In addition, in this embodiment, the image representing the appearance of the semiconductor wafer obtained in the crystal growth process S111, the numerical values representing the attributes of the semiconductor chips obtained in the second separation process S114, and the image representing the appearance of the semiconductor chips obtained in the second separation process S114 are input to model M, but the present invention is not limited to this. That is, process information related to any process can be input to model M. Process information related to each process includes information about the product obtained in that process, as well as information about the materials used in that process, information about the manufacturing equipment used in that process, and information about the environment in which that process is carried out. There is a certain correlation between this information and product quality. Therefore, by inputting this information to model M, product quality can be effectively estimated.

なお、工程情報は、画像により表現されていてもよいし、数値又は数値列により表現されていてもよいし、文字又は文字列により表現されていてもよい。また、工程情報は、カメラ、マイク、ガスセンサ、加速度センサ、ジャイロセンサ、電流センサ、電圧センサ、温度センサ、湿度センサなど、各種センサにより取得することができる。製造装置に関する情報(例えば、設定値)については、その製造装置を制御するコントローラから取得してもよい。また、材料又は生成物に関する情報(例えば、特性値)については、その材料又は生成物を試験する試験装置から取得してもよい。 The process information may be represented by an image, a numerical value or a numerical string, or a character string. The process information may be acquired using various sensors, such as a camera, microphone, gas sensor, acceleration sensor, gyro sensor, current sensor, voltage sensor, temperature sensor, or humidity sensor. Information about manufacturing equipment (e.g., set values) may be acquired from a controller that controls the manufacturing equipment. Information about materials or products (e.g., characteristic values) may be acquired from testing equipment that tests the materials or products.

(付記事項)
本発明は、上述した実施形態に限定されるものでなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。上述した実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても、本発明の技術的範囲に含まれる。また、本発明の適用対象は、半導体デバイスに限定されず、複数の工程を経て製造される製品一般に適用することが可能である。
(Additional Notes)
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope of the claims. Embodiments obtained by appropriately combining the technical means disclosed in the above-described embodiments are also included in the technical scope of the present invention. Furthermore, the application of the present invention is not limited to semiconductor devices, and can be applied to general products manufactured through multiple processes.

1 検査装置
11 メモリ
12 プロセッサ
13 ストレージ
P 検査プログラム
M モデル
S100 製造方法
S101 ウエハ撮像工程
S102 属性検査工程
S103 チップ撮像工程
S104 判定工程
REFERENCE SIGNS LIST 1 Inspection device 11 Memory 12 Processor 13 Storage P Inspection program M Model S100 Manufacturing method S101 Wafer imaging process S102 Attribute inspection process S103 Chip imaging process S104 Judgment process

Claims (8)

複数の工程の各々に関する工程情報を入力とし、前記複数の工程を経て製造される個別の製品の品質を示すクラスを出力とする単一のモデルであって、機械学習によって構築されたモデルを用いて、前記製品の品質を判定する判定工程を実行する少なくとも1つのプロセッサを備えている
とを特徴とする検査装置。
a single model that receives process information relating to each of a plurality of processes as an input and outputs a class indicating the quality of an individual product manufactured through the plurality of processes, the single model comprising at least one processor that executes a determination step of determining the quality of the product using a model constructed by machine learning ;
An inspection device characterized by :
記工程情報は、対応する工程にて用いられた材料に関する情報、対応する工程にて得られた生成物に関する情報、対応する工程にて用いられた製造装置に関する情報、及び、対応する工程を実施した環境に関する情報の少なくとも何れかを含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の検査装置。
The process information includes at least one of information on materials used in the corresponding process, information on products obtained in the corresponding process, information on manufacturing equipment used in the corresponding process, and information on the environment in which the corresponding process was carried out.
2. The inspection device according to claim 1.
前記製品は、半導体チップを得るまでの前工程、及び、半導体チップを得てからの後工程を経て製造される半導体デバイスであり、
前記モデルの入力は、前記前工程に関する工程情報である、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の検査装置。
The product is a semiconductor device manufactured through a pre-process to obtain a semiconductor chip and a post-process after obtaining the semiconductor chip,
The input of the model is process information related to the previous process.
3. The inspection device according to claim 1 or 2.
前記前工程に関する工程情報は、結晶成長工程にて得られた半導体ウエハに関する第1の工程情報、及び、分離工程にて得られた半導体チップに関する第2の工程情報を含む、
ことを特徴とする請求項3に記載の検査装置。
The process information relating to the pre-process includes first process information relating to the semiconductor wafer obtained in the crystal growth process and second process information relating to the semiconductor chip obtained in the separation process.
4. The inspection device according to claim 3.
前記第1の工程情報は、前記半導体ウエハの外観を表す画像であり、
前記第2の工程情報は、前記半導体チップの属性を表す数値列、及び、前記半導体チップの外観を表す画像を含む、
ことを特徴とする請求項4に記載の検査装置。
the first process information is an image representing an appearance of the semiconductor wafer,
the second process information includes a numerical sequence representing an attribute of the semiconductor chip and an image representing an appearance of the semiconductor chip;
5. The inspection device according to claim 4.
少なくとも1つのプロセッサが、複数の工程の各々に関する工程情報を入力とし、前記複数の工程を経て製造される個別の製品の品質を示すクラスを出力とする単一のモデルであって、機械学習によって構築されたモデルを用いて、前記製品の品質を判定する判定工程を含んでいる、
とを特徴とする検査方法。
At least one processor receives process information relating to each of a plurality of processes as an input, and outputs a class indicating the quality of an individual product manufactured through the plurality of processes, and includes a determination step of determining the quality of the product using a single model constructed by machine learning .
An inspection method characterized by :
前記プロセッサを備えたコンピュータを請求項1~5の何れか一項に記載の検査装置として動作させるための検査プログラムであって、前記プロセッサに前記判定工程を実行させる検査プログラム。 An inspection program for causing a computer equipped with the processor to operate as the inspection device described in any one of claims 1 to 5, the inspection program causing the processor to execute the determination process. 前記後工程を実施する前に請求項3~5の何れか一項に記載の検査装置を用いて半導体デバイスの品質を判定する判定工程を含み、
前記判定工程にて良品と判定された場合に前記後工程を実施し、前記判定工程にて不良品と判定された場合に前記後工程を省略する、
ことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
a determining step of determining the quality of the semiconductor device using the inspection apparatus according to any one of claims 3 to 5 before carrying out the post-process;
If the product is determined to be a non-defective product in the determination process, the post-process is carried out, and if the product is determined to be a defective product in the determination process, the post-process is omitted.
1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
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