JP7779794B2 - Substrate Processing Equipment - Google Patents
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Description
本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.
半導体ウェーハなどの基板の表面に形成されたレジストを、SPM(硫酸と過酸化水素水とを混合してなる混合液)などの強い酸化力を有する処理液により除去する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置は、基板の表面に対向して設けられる処理液保持部を備える。処理液保持部は、供給機構から供給される処理液を保持する。処理液保持部には、処理液を加熱するヒータが設けられる。これにより、基板処理装置は、基板に高温の処理液を供給し、基板の表面に形成されたレジストを剥離する。 Substrate processing equipment is known that removes resist formed on the surface of substrates such as semiconductor wafers using a highly oxidizing processing liquid, such as SPM (a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide). Such substrate processing equipment includes a processing liquid holding unit that faces the surface of the substrate. The processing liquid holding unit holds the processing liquid supplied from a supply mechanism. The processing liquid holding unit is equipped with a heater that heats the processing liquid. This allows the substrate processing equipment to supply high-temperature processing liquid to the substrate, stripping the resist formed on the surface of the substrate.
処理液保持部は、基板に供給される前だけでなく、基板に供給された後も、処理液を加熱し、処理液を高温に維持する。そのため、処理液保持部は、特許文献1に示すように、基板よりも大径であり、基板の全面を覆うように設けられる。 The processing liquid holding unit heats the processing liquid not only before it is supplied to the substrate, but also after it is supplied to the substrate, maintaining the processing liquid at a high temperature. For this reason, as shown in Patent Document 1, the processing liquid holding unit has a larger diameter than the substrate and is arranged to cover the entire surface of the substrate.
基板処理の工程においては、基板に供給された高温の処理液に対して、この処理液を基板から洗い流すために常温のリンス液が供給される。このとき、処理液とリンス液との温度差により、リンス液が急激に加熱されて沸騰し、基板の全面において大量の湯気が発生する。なお、この湯気は、蒸気化した後に冷えてなるリンス液の湯気が大半であるが、処理液の湯気も含むものである。処理液は、基板に供給された際に基板を覆う液膜となるが、この液膜から生じた蒸気が冷えて湯気となる。基板処理装置が配置される処理室においては、通常、処理室の天井に設けられたFFU(ファンフィルタユニット)からダウンフローが生じているので、このような湯気は、処理室の下方に流され、基板を囲うように設けられるカップ部により外部に排気される。 During substrate processing, a room-temperature rinse liquid is supplied to a substrate after a high-temperature processing liquid has been supplied to rinse the processing liquid from the substrate. At this time, the temperature difference between the processing liquid and the rinse liquid causes the rinse liquid to rapidly heat up and boil, generating a large amount of steam over the entire surface of the substrate. While most of this steam is from the rinse liquid that cools after vaporization, it also contains steam from the processing liquid. When the processing liquid is supplied to the substrate, it forms a liquid film that covers the substrate, and the vapor generated from this liquid film cools and becomes steam. In the processing chamber where the substrate processing equipment is installed, a downflow typically occurs from an FFU (fan filter unit) installed in the ceiling of the processing chamber. This steam is directed downward within the processing chamber and exhausted to the outside by a cup that surrounds the substrate.
しかしながら、上述のように、基板よりも大径の処理液保持部が基板を覆うように設けられると、ダウンフローが遮られ、処理液保持部と基板との間に湯気が充満し、滞留してしまう。このような湯気は、ダウンフローにより処理室の下方に流されないため、カップ部により外部に排気されないおそれがある。このような状態で新たな基板(未処理の基板)が搬入されると、この基板に滞留した湯気が接触し、湯気に含まれる処理液の成分が基板の表面にパーティクルとして付着してしまうことがある。パーティクルが付着した状態で処理液により基板処理が行われても、パーティクルを除去し切れず、基板の品質不良につながるおそれがあった。 However, as mentioned above, when a processing liquid holding section with a diameter larger than the substrate is installed so as to cover the substrate, the downflow is blocked, and steam fills and accumulates between the processing liquid holding section and the substrate. This steam is not carried downwards in the processing chamber by the downflow, and there is a risk that it will not be exhausted to the outside by the cup section. When a new substrate (an unprocessed substrate) is loaded in this state, the substrate comes into contact with the accumulated steam, and processing liquid components contained in the steam may adhere to the surface of the substrate as particles. Even if the substrate is processed with the processing liquid while the particles are attached, the particles may not be completely removed, which could lead to poor quality of the substrate.
本発明は、基板の処理中に処理液保持部と基板との間に生じた湯気が新たに処理室に搬入される基板の表面に接触することを抑制する基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a substrate processing apparatus that prevents steam generated between a processing liquid holding unit and a substrate during substrate processing from coming into contact with the surface of a substrate being newly brought into the processing chamber.
実施形態に係る基板処理装置は、
処理室に搬入される基板を保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記基板を回転させる回転体と、
前記保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給し、前記基板の表面に供給された前記処理液に対してリンス液を供給する供給機構と、
前記保持部に保持された前記基板の表面に対向して設けられる、前記基板よりも大径の処理液保持部と、
前記処理液保持部を、前記基板の表面に形成された前記処理液の液膜に近接した処理位置と前記基板の表面から離間した退避位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記保持部に保持された前記基板の表面に供給された前記処理液を加熱する加熱部と、
加熱された前記処理液と加熱された前記処理液に対して供給された前記リンス液とから前記処理液保持部と前記基板との間に発生した湯気を除去する除去部と、を備え、
前記除去部は、前記基板の表面に向けてガスを供給する気体供給機構を有する。
The substrate processing apparatus according to the embodiment includes:
a holder for holding a substrate to be carried into a processing chamber;
a rotating body that rotates the substrate held by the holder;
a supply mechanism that supplies a processing liquid to the surface of the substrate held by the holder and supplies a rinse liquid to the processing liquid supplied to the surface of the substrate;
a processing liquid holding section having a diameter larger than that of the substrate, the processing liquid holding section being disposed opposite to a surface of the substrate held by the holding section;
a lifting mechanism that lifts and lowers the processing liquid holding unit between a processing position close to a liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate and a retracted position spaced apart from the surface of the substrate;
a heating unit that heats the processing liquid supplied to the surface of the substrate held by the holding unit;
a removal unit that removes steam generated between the processing liquid holding unit and the substrate from the heated processing liquid and the rinse liquid supplied to the heated processing liquid,
The removal unit has a gas supply mechanism that supplies a gas toward the surface of the substrate .
本発明の基板処理装置は、基板の処理中に処理液保持部と基板との間に生じた湯気が新たに処理室に搬入される基板の表面に接触することを抑制することが出来る。 The substrate processing apparatus of the present invention can prevent steam generated between the processing liquid holding unit and the substrate during substrate processing from coming into contact with the surface of a substrate being newly brought into the processing chamber.
[構成]
以下、本発明の実施形態(以下、本実施形態ともいう。)を、図面を参照して説明する。基板処理装置1は、基板Wを保持して回転させながら、基板Wの表面に処理液を供給し、基板Wを処理する装置である。処理対象となる基板Wは、例えば、円形のシリコン製の半導体ウェーハである。基板処理装置1は、図1に示すように、回転体10、保持部20、カップ部30、供給部40、除去部50、検出部60を有する。また、基板処理装置1には、基板処理装置1の各部を制御する制御装置70が接続される。なお、以下の説明では、重力に抗する方向を上、重力に従う方向を下とするが、基板処理装置1の設置方向を限定するものではない。
[composition]
An embodiment of the present invention (hereinafter also referred to as the present embodiment) will be described below with reference to the drawings. A substrate processing apparatus 1 processes a substrate W by holding and rotating the substrate W and supplying a processing liquid to the surface of the substrate W. The substrate W to be processed is, for example, a circular silicon semiconductor wafer. As shown in FIG. 1 , the substrate processing apparatus 1 includes a rotator 10, a holder 20, a cup 30, a supply unit 40, a remover 50, and a detector 60. A control device 70 that controls each unit of the substrate processing apparatus 1 is also connected to the substrate processing apparatus 1. Note that in the following description, the direction against gravity is referred to as "up" and the direction following gravity is referred to as "down," but this does not limit the installation direction of the substrate processing apparatus 1.
基板処理装置1は、例えば処理室に配置される。処理室の天井にはULPAフィルタなどのフィルタFが設けられている。処理室内部においては、フィルタFを介して設けられる図示しない給気口により、上方から下方に向けてダウンフローが生じている。ダウンフローは、後述するカップ部30の底部に開口した排気口Vから、排気口Vに連通する排気管Pを通って外部に排気される。具体的には、排気管Pは、基板処理装置1が設置される工場の排気設備に接続されている。これにより、ダウンフローは、排気管Pを通って外部に排気される。 The substrate processing apparatus 1 is placed, for example, in a processing chamber. A filter F, such as a ULPA filter, is installed on the ceiling of the processing chamber. Inside the processing chamber, a downflow from above to below is generated by an air intake port (not shown) installed through the filter F. The downflow is exhausted to the outside from an exhaust port V opening at the bottom of the cup portion 30 (described below) through an exhaust pipe P that communicates with the exhaust port V. Specifically, the exhaust pipe P is connected to the exhaust equipment of the factory in which the substrate processing apparatus 1 is installed. As a result, the downflow is exhausted to the outside through the exhaust pipe P.
回転体10は、図示しない設置面又は設置面に設置された架台に固定された固定ベース11上に、モータ12を有する回転機構13によって、回転軸Aを中心にして回転可能に設けられている。回転体10は、一端がテーブル10aによって塞がれた円筒形状である。テーブル10aは、基板Wよりも大径の円形の面であり、保持部20に保持された基板Wに間隔を空けて対向する。 The rotating body 10 is mounted on a fixed base 11, which is fixed to an installation surface (not shown) or a stand installed on the installation surface, and is rotatable about a rotation axis A by a rotation mechanism 13 having a motor 12. The rotating body 10 is cylindrical, one end of which is closed by a table 10a. The table 10a has a circular surface with a larger diameter than the substrate W, and faces the substrate W held by the holder 20 at a distance.
保持部20は、テーブル10aと平行に且つ間隔を空けて基板Wを保持する部材であり、回転体10に設けられている。すなわち、保持部20は、回転体10により回転可能に設けられている。保持部20は、テーブル10aの周囲に沿って等間隔に6つ設けられている。各保持部20は、回動部材21、保持部材22、駆動機構23を有する。 The holders 20 are members that hold the substrate W parallel to and spaced from the table 10a, and are provided on the rotating body 10. That is, the holders 20 are provided so that they can be rotated by the rotating body 10. Six holders 20 are provided at equal intervals around the periphery of the table 10a. Each holder 20 has a rotating member 21, a holding member 22, and a drive mechanism 23.
回動部材21は、図2に示すように、基板Wの周囲に沿って、等間隔に6つ配置された円柱形状の部材である。回動部材21は、回転体10の回転軸Aと平行な軸を中心に、回動可能に設けられている。回動部材21の天面は、テーブル10aから露出している。 As shown in FIG. 2, the rotating members 21 are six cylindrical members arranged at equal intervals around the periphery of the substrate W. The rotating members 21 are rotatable about an axis parallel to the rotation axis A of the rotating body 10. The top surface of the rotating members 21 is exposed from the table 10a.
保持部材22は、各回動部材21の天面の回動の中心から偏心した位置に、上方に突出するように設けられている。保持部材22は、回動部材21と同数の6つ設けられている。保持部材22は、傾斜面22aとチャックピン22bを有する。傾斜面22aは、回転体10の中心側から外周縁に向かって高くなるように傾斜した面であり、回動部材21の回動に従って、基板Wの縁部が接する。チャックピン22bは、保持部材22の頭頂であって、傾斜面22aの上端に設けられた円柱形状の突起である。チャックピン22bの側面には、基板Wの縁部が嵌る括れを有する。 The holding members 22 are provided on the top surface of each rotating member 21 at a position eccentric to the center of rotation, protruding upward. There are six holding members 22, the same number as the rotating members 21. Each holding member 22 has an inclined surface 22a and a chuck pin 22b. The inclined surface 22a is a surface that slopes upward from the center of the rotating body 10 toward the outer edge, and comes into contact with the edge of the substrate W as the rotating member 21 rotates. The chuck pin 22b is the top of the holding member 22 and is a cylindrical protrusion provided at the upper end of the inclined surface 22a. The side of the chuck pin 22b has a constriction that fits over the edge of the substrate W.
保持部材22は、回動部材21の回動に従って、基板Wの縁部に接することにより基板Wを保持する保持位置(図2(A)参照)と、基板Wの縁部から離れることにより基板Wを開放する開放位置(図2(B)参照)との間を移動する。本実施形態では、最終的に6つのチャックピン22bが基板Wの縁部に接することにより、基板Wを把持する。 As the rotating member 21 rotates, the holding member 22 moves between a holding position (see FIG. 2(A)) where it holds the substrate W by contacting the edge of the substrate W, and a release position (see FIG. 2(B)) where it releases the substrate W by moving away from the edge of the substrate W. In this embodiment, the six chuck pins 22b ultimately come into contact with the edge of the substrate W to grip the substrate W.
駆動機構23は、回動部材21を回動させることにより、保持部材22を保持位置と開放位置との間で移動させる。駆動機構23は、駆動軸231、小ギヤ232、大ギヤ233を有する。駆動軸231は、回動部材21の天面と反対側に、回動部材21の回動の軸と同軸に設けられた円柱形状の部材である。 The drive mechanism 23 moves the holding member 22 between the holding position and the release position by rotating the rotating member 21. The drive mechanism 23 has a drive shaft 231, a small gear 232, and a large gear 233. The drive shaft 231 is a cylindrical member located on the opposite side of the top surface of the rotating member 21, coaxial with the axis of rotation of the rotating member 21.
小ギヤ232は、駆動軸231の回動部材21と反対側の端部に設けられたセクタギヤである。大ギヤ233は、小ギヤ232に対応して、ギヤ溝が間欠的に形成されたギヤである。大ギヤ233は、回転体10を回転させる回転機構13によって、回転体10と同軸に回転自在に設けられている。大ギヤ233は、小ギヤ232と対応する間隔で、6つの凸部が周方向に所定間隔で形成されてなり、各凸部の先端外周面に、小ギヤ232に噛合するギヤ溝が形成されている。 The small gear 232 is a sector gear provided on the end of the drive shaft 231 opposite the rotating member 21. The large gear 233 is a gear with gear grooves formed intermittently to correspond to the small gear 232. The large gear 233 is rotatable coaxially with the rotating body 10 by the rotation mechanism 13 that rotates the rotating body 10. The large gear 233 has six protrusions formed at predetermined intervals around the circumference, at intervals corresponding to the small gear 232, and a gear groove that meshes with the small gear 232 is formed on the outer peripheral surface of the tip of each protrusion.
大ギヤ233は、図示しないバネ等の付勢部材によって、図2(A)に矢印αで示す回転方向(反時計方向)に付勢されている。これにより、小ギヤ232は、矢印β1で示す時計方向に付勢されるため、小ギヤ232の回動に回動部材21が連動し、チャックピン22bが回転体10の中心方向へ移動して、基板Wに当接する保持位置に維持される。なお、基板処理時には、この保持位置を維持した状態で、回動部材21、駆動軸231、チャックピン22b、小ギヤ232、大ギヤ233は、回転体10とともに回転する。 The large gear 233 is biased in the rotational direction (counterclockwise) indicated by arrow α in FIG. 2(A) by a biasing member such as a spring (not shown). As a result, the small gear 232 is biased in the clockwise direction indicated by arrow β1, so that the rotating member 21 is interlocked with the rotation of the small gear 232, and the chuck pin 22b moves toward the center of the rotating body 10, maintaining it in a holding position in contact with the substrate W. During substrate processing, the rotating member 21, drive shaft 231, chuck pin 22b, small gear 232, and large gear 233 rotate together with the rotating body 10 while maintaining this holding position.
また、大ギヤ233は、図示しないストッパ機構によって、回転が阻止される。大ギヤ233の回転が阻止された状態で、図2(B)に示すように、回転体10を矢印γ方向へ回転させると、回転が阻止された大ギヤ233に噛合している小ギヤ232が、矢印β2で示す反時計方向に回動する。これにより、回動部材21が回動するので、チャックピン22bが基板Wの縁部から離れる方向に移動して、開放位置に来る。 The large gear 233 is prevented from rotating by a stopper mechanism (not shown). When the rotating body 10 is rotated in the direction of arrow γ as shown in FIG. 2(B) while the rotation of the large gear 233 is prevented, the small gear 232 meshing with the prevented rotation of the large gear 233 rotates counterclockwise as indicated by arrow β2. This causes the rotating member 21 to rotate, and the chuck pin 22b moves away from the edge of the substrate W and reaches the release position.
カップ部30は、回転する基板Wから飛散する処理液を受ける円筒形状の部材であり、回転体10及び保持部20を囲うように設けられている。すなわち、カップ部30は、保持部20に保持された基板Wを囲うように設けられている。カップ部30の上方は、保持部20に保持された基板Wが露出するように開口している。また、カップ部30の上部は、径方向の内側に傾斜している。カップ部30は、図示しない昇降機構を備え、例えば処理液を受けるために上昇可能に、また基板Wを搬入、搬出する支障にならないように下降可能に設けられる。カップ部30に受けられた処理液は、カップ部30の内側を伝って流れ、カップ部30の底部に設けられた図示しない配管から排液される。また、カップ部30の底部には上述の排気口Vが設けられ、処理室内部に生じているダウンフローが排気される。このように、カップ部30は、基板Wから飛散する処理液を受けて排液し、処理室内部のダウンフローを排気する。 The cup 30 is a cylindrical member that receives processing liquid splashed from the rotating substrate W and is arranged to surround the rotor 10 and the holder 20. In other words, the cup 30 is arranged to surround the substrate W held by the holder 20. The upper part of the cup 30 is open, exposing the substrate W held by the holder 20. The upper part of the cup 30 is inclined radially inward. The cup 30 is equipped with a lifting mechanism (not shown), and is arranged so that it can be raised, for example, to receive processing liquid and lowered so as not to interfere with the loading and unloading of substrates W. The processing liquid received in the cup 30 flows along the inside of the cup 30 and is drained through piping (not shown) provided at the bottom of the cup 30. The bottom of the cup 30 is also provided with the above-mentioned exhaust port V, which exhausts the downflow occurring within the processing chamber. In this way, the cup 30 receives and drains processing liquid splashed from the substrate W and exhausts the downflow within the processing chamber.
供給部40は、基板Wの表面、つまり、保持部20に保持された基板Wのテーブル10aと反対側の面に処理液を供給する部材であり、回転体10及び保持部20の上方に設けられている。供給部40は、供給機構41、処理液保持部42、昇降機構43、加熱部44を有する。 The supply unit 40 is a component that supplies processing liquid to the surface of the substrate W, i.e., the surface of the substrate W held in the holder 20 opposite the table 10a, and is provided above the rotating body 10 and the holder 20. The supply unit 40 has a supply mechanism 41, a processing liquid holding unit 42, a lifting mechanism 43, and a heating unit 44.
供給機構41は、複数種の処理液またはリンス液を供給する機構である。本実施形態の供給機構41は、例えば、炭酸水、純水(DIW)、硫酸、過酸化水素水を供給する。また、供給機構41は、硫酸と過酸化水素水を同時に供給することにより、両者の混合液であるSPMを処理液として供給する。以下では、特にSPMを処理液、特に過酸化水素水をリンス液という。供給機構41は、処理液槽41a、送通管41b、処理液供給管41c、流量調整バルブ41d、流量計41eを有している。
The supply mechanism 41 is a mechanism for supplying multiple types of processing liquid or rinse liquid. In this embodiment, the supply mechanism 41 supplies, for example, carbonated water, deionized water ( DIW ), sulfuric acid, and hydrogen peroxide solution. The supply mechanism 41 also supplies sulfuric acid and hydrogen peroxide solution simultaneously to supply SPM, a mixture of the two, as the processing liquid. Hereinafter, SPM will be referred to as the processing liquid, and hydrogen peroxide solution will be referred to as the rinse liquid. The supply mechanism 41 includes a processing liquid tank 41a, a feed pipe 41b, a processing liquid supply pipe 41c, a flow rate adjustment valve 41d, and a flow meter 41e.
処理液槽41aは、それぞれの処理液を貯留する容器である。各処理液槽41aには、送通管41bが並列的に処理液供給管41cに結合されている。処理液供給管41cは、その先端部が保持部20に保持された基板Wに対向している。これにより、各処理液槽41aに貯留される処理液は、送通管41b及び処理液供給管41cを介して、基板Wの表面に供給される。各送通管41bには、処理液の流量を調整する流量調整バルブ41dと、処理液の流量を計測する流量計41eとが設けられている。 The processing liquid tanks 41a are containers that store the respective processing liquids. Each processing liquid tank 41a has a feed pipe 41b connected in parallel to a processing liquid supply pipe 41c. The tip of the processing liquid supply pipe 41c faces the substrate W held in the holder 20. As a result, the processing liquid stored in each processing liquid tank 41a is supplied to the surface of the substrate W via the feed pipe 41b and the processing liquid supply pipe 41c. Each feed pipe 41b is provided with a flow rate adjustment valve 41d that adjusts the flow rate of the processing liquid, and a flow meter 41e that measures the flow rate of the processing liquid.
処理液保持部42は、基板Wよりも大径の円形であり、周縁部に回転体10と反対側に立ち上がった壁が形成されることにより、盆形状をなしている。処理液保持部42の外底面は、基板Wに対向している。処理液保持部42には、処理液供給管41cの先端が挿通され、基板W側に露出する吐出口42aと、後述する除去部50の送通管51の先端が挿通され、基板W側に露出する吐出口42bとが形成されている。吐出口42aは、処理液保持部42の中心軸から偏心した位置に設けられている。この位置は、基板Wの表面中心に処理液を供給することの出来る位置となっている。 The processing liquid holding section 42 is circular and has a larger diameter than the substrate W, and has a tray-like shape with a wall rising up on the peripheral edge opposite the rotor 10. The outer bottom surface of the processing liquid holding section 42 faces the substrate W. The processing liquid holding section 42 is formed with a discharge port 42a exposed on the substrate W side, through which the tip of the processing liquid supply pipe 41c is inserted, and a discharge port 42b exposed on the substrate W side, through which the tip of the feed pipe 51 of the removal section 50, described below, is inserted. The discharge port 42a is located eccentrically from the central axis of the processing liquid holding section 42. This position allows the processing liquid to be supplied to the center of the surface of the substrate W.
昇降機構43は、基板Wに対して接離する方向に処理液保持部42を移動させる機構である。昇降機構43としては、例えば、シリンダ、ボールねじ機構など、回転体10の回転軸Aと平行な方向に処理液保持部42を移動させる種々の機構を適用可能である。昇降機構43は、処理液保持部42を、処理位置と退避位置との間で昇降させる。処理位置は、基板Wの表面に形成された処理液の液膜に対して、処理液保持部42の基板Wに対向する側の面が近接した位置である。退避位置は、基板処理装置1に対して基板Wの搬入、搬出を行うことの出来るように、処理液保持部42の基板Wに対向する側の面が基板Wの表面から離間した位置である。 The lifting mechanism 43 is a mechanism that moves the processing liquid holding unit 42 in a direction toward and away from the substrate W. Various mechanisms that move the processing liquid holding unit 42 in a direction parallel to the rotation axis A of the rotating body 10, such as a cylinder or a ball screw mechanism, can be used as the lifting mechanism 43. The lifting mechanism 43 raises and lowers the processing liquid holding unit 42 between a processing position and a retracted position. The processing position is a position where the surface of the processing liquid holding unit 42 facing the substrate W is close to the liquid film of processing liquid formed on the surface of the substrate W. The retracted position is a position where the surface of the processing liquid holding unit 42 facing the substrate W is separated from the surface of the substrate W so that the substrate W can be loaded and unloaded from the substrate processing apparatus 1.
加熱部44は、処理液保持部42の基板Wに対向する面と反対側の面に設けられたヒータ441を有し、ヒータ441により供給機構41から基板Wの表面に供給された処理液を、例えば180℃~200℃に加熱する。これにより、基板Wの表面に形成された処理液の液膜から蒸気が発生し、この蒸気が冷えて、処理液保持部42と基板Wとの間に湯気が生じる。ヒータ441は、円形のシート状である。ヒータ441には、処理液供給管41cが挿通された貫通孔441aと、後述する除去部50の先端が挿通された貫通孔441bとが形成されている。 The heating unit 44 has a heater 441 provided on the surface of the processing liquid holding unit 42 opposite to the surface facing the substrate W, and the heater 441 heats the processing liquid supplied from the supply mechanism 41 to the surface of the substrate W, for example, to 180°C to 200°C. As a result, steam is generated from the liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate W, and this steam cools, generating steam between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W. The heater 441 is in the form of a circular sheet. The heater 441 is formed with a through-hole 441a through which the processing liquid supply pipe 41c is inserted, and a through-hole 441b through which the tip of the removal unit 50, described later, is inserted.
なお、ヒータ441により基板Wの表面において加熱された処理液に対して、供給機構41により常温、例えば25℃のリンス液が供給されると、リンス液が急激に加熱されて沸騰することにより蒸発し、さらにこの蒸発したリンス液が冷えることにより、基板Wの全面から供給部40の処理液保持部42と基板Wとの間に大量の湯気が発生する。以下の説明では、この湯気と上述の処理液の液膜から生じる湯気とを合わせて湯気Mともいう。湯気Mは、処理液保持部42と基板Wの間に充満し、滞留する。 When a rinsing liquid at room temperature, for example 25°C, is supplied by the supply mechanism 41 to the processing liquid heated on the surface of the substrate W by the heater 441, the rinsing liquid is rapidly heated and boils, causing it to evaporate. As the evaporated rinsing liquid cools, a large amount of steam is generated from the entire surface of the substrate W between the processing liquid holding portion 42 of the supply unit 40 and the substrate W. In the following description, this steam, together with the steam generated from the liquid film of the processing liquid described above, will be referred to as steam M. Steam M fills and stagnates between the processing liquid holding portion 42 and the substrate W.
除去部50は、処理液保持部42と基板Wの間に滞留する湯気Mを除去する部材である。除去部50は、送通管51、気体供給機構52を有する。送通管51の一端は、処理液保持部42と加熱部44とに挿通され、基板W側に露出するように設けられる。すなわち、処理液保持部42の基板W側には、送通管51の開口51aが設けられている。送通管51の他端は、気体供給機構52に接続される。気体供給機構52は、送通管51にN2または空気などのガスGを送り出し、開口51aからガスGを供給する。これにより、除去部50は、開口51aから、湯気Mに対してガスGを供給し、湯気Mを処理液保持部42と基板Wの間から追い出す。 The removal unit 50 is a member that removes steam M remaining between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W. The removal unit 50 has a feed pipe 51 and a gas supply mechanism 52. One end of the feed pipe 51 is inserted through the processing liquid holding unit 42 and the heating unit 44 and is exposed on the substrate W side. That is, an opening 51a of the feed pipe 51 is provided on the substrate W side of the processing liquid holding unit 42. The other end of the feed pipe 51 is connected to the gas supply mechanism 52. The gas supply mechanism 52 sends gas G, such as N2 or air, to the feed pipe 51 and supplies the gas G from the opening 51a. In this way, the removal unit 50 supplies gas G to the steam M from the opening 51a, thereby expelling the steam M from between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W.
検出部60は、例えば光電センサなどのセンサであり、湯気Mを検出する。なお、本実施形態の光電センサは、投光部と受光部が一体となっている反射型のものとして説明する。検出部60は、処理液保持部42と基板Wの間の空間に光軸を向けるように、保持部20の側方であって、カップ部30の昇降動作に支障のない位置に設けられる。検出部60は、処理液保持部42と基板Wの間の空間に向けて赤外線などの光を照射し、処理液の湯気Mを検出する。検出部60は、湯気Mを検出したことを後述する制御装置70に送信する。 The detection unit 60 is a sensor such as a photoelectric sensor, and detects steam M. In this embodiment, the photoelectric sensor is described as a reflective type in which the light-emitting unit and light-receiving unit are integrated. The detection unit 60 is installed to the side of the holder 20 in a position that does not interfere with the raising and lowering movement of the cup unit 30, so that its optical axis is directed toward the space between the treatment liquid holder 42 and the substrate W. The detection unit 60 irradiates light such as infrared light toward the space between the treatment liquid holder 42 and the substrate W, and detects treatment liquid steam M. The detection unit 60 transmits the detection of steam M to the control device 70, which will be described later.
なお、検出部60が設けられる位置は、保持部20の側方に限らない。例えば、処理室の壁面に設けても良いし、カップ部30の傾斜した上部に設けられても良い。また、図示しない揺動アームに設けられても良い。この場合、検出部60は、揺動アームによりカップ部30と処理液保持部42との間に移動可能に設けられる。 The location where the detection unit 60 is provided is not limited to the side of the holding unit 20. For example, it may be provided on the wall of the processing chamber, or on the inclined upper part of the cup unit 30. It may also be provided on a swing arm (not shown). In this case, the detection unit 60 is provided so that it can move between the cup unit 30 and the processing liquid holding unit 42 by means of the swing arm.
さらに、検出部60は、処理液保持部42と基板Wの間に生じた湯気Mだけでなく、処理液保持部42と基板Wの間から漏れ出てくる湯気Mを検出するように、例えばカップ部30の内側に向けて赤外線を照射するように設けられても良い。これ限らず、検出部60の設置位置は、処理液保持部42と基板Wの間から漏れ出てくる湯気Mを検出することができる位置であればよい。 Furthermore, the detection unit 60 may be configured to irradiate infrared rays toward the inside of the cup unit 30, for example, so as to detect not only the steam M generated between the treatment liquid holding unit 42 and the substrate W, but also the steam M leaking out from between the treatment liquid holding unit 42 and the substrate W. However, the detection unit 60 may be installed at any position where it can detect the steam M leaking out from between the treatment liquid holding unit 42 and the substrate W.
制御装置70は、基板処理装置1に接続され、基板処理装置1の機能を実現するべく、プログラムを実行するプロセッサと、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。つまり、制御装置70は、回転体10、保持部20、供給部40、除去部50、検出部60などを制御する。また、制御装置70は、情報を入力する入力装置、情報を表示する表示装置を有している。 The control device 70 is connected to the substrate processing apparatus 1 and has a processor that executes programs to realize the functions of the substrate processing apparatus 1, a memory that stores various information such as programs and operating conditions, and a drive circuit that drives each element. In other words, the control device 70 controls the rotating body 10, holding unit 20, supply unit 40, removal unit 50, detection unit 60, etc. The control device 70 also has an input device for inputting information and a display device for displaying information.
[作用]
次に、基板処理装置1による基板処理について説明する。搬送ロボットのロボットハンドに搭載された基板Wが、処理液保持部42と回転体10との間に搬入され、その縁部が保持部20のチャックピン22bに支持されることにより、回転体10のテーブル10a上に保持される。
[Effect]
Next, a description will be given of substrate processing by the substrate processing apparatus 1. The substrate W loaded on the robot hand of the transport robot is carried between the processing liquid holder 42 and the rotating body 10, and its edge is supported by the chuck pins 22b of the holder 20, whereby the substrate W is held on the table 10a of the rotating body 10.
次いで、回転体10は、比較的低速な所定速度(例えば、50rpm程度)にて回転する。これにより、基板Wが保持部20とともに前記所定速度にて回転する。すなわち、回転体10は、保持部20が保持した基板Wを回転させる。そして、処理液保持部42は、上述の退避位置に位置付けられ、供給機構41は、処理液供給管41cから基板Wの表面に炭酸水を供給する。回転する基板Wの表面に炭酸水が供給されると、その炭酸水が基板Wの外周に向けて順次移動するため、基板Wの表面の帯電量が低下し、放電が抑制される。なお、基板Wの外周に向かって流れ出す処理液は、チャックピン22bの隙間から外部に排出される。 The rotor 10 then rotates at a relatively slow, predetermined speed (e.g., approximately 50 rpm). This causes the substrate W to rotate together with the holder 20 at the predetermined speed. That is, the rotor 10 rotates the substrate W held by the holder 20. The treatment liquid holder 42 is then positioned in the retracted position described above, and the supply mechanism 41 supplies carbonated water to the surface of the substrate W from the treatment liquid supply pipe 41c. As the carbonated water is supplied to the surface of the rotating substrate W, it gradually moves toward the outer periphery of the substrate W, reducing the amount of charge on the surface of the substrate W and suppressing discharge. The treatment liquid flowing out toward the outer periphery of the substrate W is discharged to the outside through the gaps in the chuck pins 22b.
次に、供給機構41は、炭酸水の供給を停止する。さらに、処理液保持部42は、上述の処理位置に位置付けられるように下降する。処理液保持部42が処理位置に位置付けられた状態で、供給機構41は、処理液保持部42と基板Wの表面との間の隙間にSPMを供給する。具体的には、各処理液槽41aから硫酸と過酸化水素水とが同時に供給され、処理液供給管41c内部で両者が混合されてSPMとなる。硫酸と過酸化水素水とを混合すると、化学反応により発熱するため、処理液供給管41c内部において、SPMは高温となっている。このような高温のSPMが、基板Wに供給される。このとき、基板Wの表面に形成されるSPMの液膜に対して、処理液保持部42の基板Wに対向する側の面が近接しているので、処理液保持部42と基板Wの表面との間に供給されるSPMは、処理液保持部42に設けられるヒータ441によって加熱され、さらに高温となる。 Next, the supply mechanism 41 stops the supply of carbonated water. Furthermore, the processing liquid holding unit 42 is lowered so that it is positioned at the above-mentioned processing position. With the processing liquid holding unit 42 positioned at the processing position, the supply mechanism 41 supplies SPM to the gap between the processing liquid holding unit 42 and the surface of the substrate W. Specifically, sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are simultaneously supplied from each processing liquid tank 41a, and the two are mixed inside the processing liquid supply pipe 41c to form SPM. When sulfuric acid and hydrogen peroxide solution are mixed, a chemical reaction generates heat, and the SPM inside the processing liquid supply pipe 41c reaches a high temperature. This high-temperature SPM is then supplied to the substrate W. At this time, the surface of the processing liquid holding unit 42 facing the substrate W is close to the liquid film of SPM formed on the surface of the substrate W. Therefore, the SPM supplied between the processing liquid holding unit 42 and the surface of the substrate W is heated by the heater 441 provided in the processing liquid holding unit 42, and reaches an even higher temperature.
このように、回転する基板Wの表面にSPMが連続的に供給されると、そのSPMが基板Wの外周に向けて順次移動することにより、基板Wの表面の炭酸水がSPMによって置換されつつ、SPMが有するカロ酸の強い酸化力により基板Wの表面上に形成されたレジストが除去される。この時、基板Wの表面に形成される高温のSPMの液膜は、ヒータ441に加熱されてさらに高温となり、蒸気化する。この蒸気化したSPMが冷えることにより湯気Mとなり、処理液保持部42と基板Wとの間に充満する。加熱された処理液から発生した湯気Mは、基板Wに対向して設けられる処理液保持部42により、処理室内部に生じているダウンフローの影響を受けにくいことから、処理液保持部42と基板Wとの間に滞留する。 When SPM is continuously supplied to the surface of the rotating substrate W in this way, the SPM moves sequentially toward the outer periphery of the substrate W, replacing the carbonated water on the surface of the substrate W while removing the resist formed on the surface of the substrate W due to the strong oxidizing power of the Caro's acid in the SPM. At this time, the high-temperature SPM liquid film formed on the surface of the substrate W is heated by the heater 441, further increasing its temperature and vaporizing. As this vaporized SPM cools, it becomes steam M, which fills the space between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W. Because the processing liquid holding unit 42, which is positioned opposite the substrate W, is less affected by the downflow occurring inside the processing chamber, the steam M generated from the heated processing liquid remains between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W.
次に、供給機構41は、硫酸の供給を停止して、処理液保持部42と基板Wの表面との間の隙間にリンス液として過酸化水素水を供給する。これは、基板Wの表面上に残留するSPM中の硫酸の成分がリンス液として供給される過酸化水素水と反応しながら洗い流すことで、基板Wの表面上に硫酸の成分が残留することを防ぐことができる。回転する基板Wの表面に過酸化水素水が供給されると、その過酸化水素水が基板Wの外周に向けて順次移動することにより、基板Wの表面のSPMが過酸化水素水に置換される。この時、高温のSPMは、ヒータ441によって加熱されてさらに高温となっているので、常温の過酸化水素水との温度差が大きいものとなり、基板Wの全面において大量の湯気Mが発生する。このように、加熱された処理液に対して供給されたリンス液から発生した大量の湯気Mは、処理液保持部42と基板Wとの間に充満する。なお、ここでは、常温の過酸化水素水がヒータ441によって加熱されて生じたものも湯気Mに含むものとする。湯気Mは、基板Wに対向して設けられる処理液保持部42により、処理室内部に生じているダウンフローの影響を受けにくいことから、処理液保持部42と基板Wとの間に滞留する。そして、処理液保持部42は、過酸化水素水の供給を停止する。 Next, the supply mechanism 41 stops the supply of sulfuric acid and supplies hydrogen peroxide solution as a rinse liquid into the gap between the processing liquid holding unit 42 and the surface of the substrate W. This prevents sulfuric acid components from remaining on the surface of the substrate W by reacting with and washing away the sulfuric acid components in the SPM remaining on the surface of the substrate W. When hydrogen peroxide solution is supplied to the surface of the rotating substrate W, the hydrogen peroxide solution moves gradually toward the outer periphery of the substrate W, replacing the SPM on the surface of the substrate W with hydrogen peroxide solution. At this time, the high-temperature SPM is heated by the heater 441 to an even higher temperature, resulting in a large temperature difference between the high-temperature SPM and the room-temperature hydrogen peroxide solution, and a large amount of steam M is generated over the entire surface of the substrate W. In this way, a large amount of steam M generated from the rinse liquid supplied to the heated processing liquid fills the space between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W. Note that, here, steam M also includes hydrogen peroxide solution at room temperature generated by heating the heater 441. Because the processing liquid holding unit 42 is positioned opposite the substrate W, the steam M is less affected by the downflow occurring inside the processing chamber, and so remains between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W. The processing liquid holding unit 42 then stops supplying hydrogen peroxide solution.
次に、検出部60は、処理液保持部42と基板Wの間に発生した湯気Mに向けて赤外線などの光を照射する。上述のように、検出部60は、処理液保持部42と基板Wとの間の空間に向けて赤外線を照射しても良いし、湯気Mが漏れ出てくるカップ部30の内側に向けて赤外線を照射しても良い。検出部60は、湯気Mを検出したことを制御装置70に送信する。 Next, the detection unit 60 irradiates light such as infrared rays toward the steam M generated between the treatment liquid holding unit 42 and the substrate W. As described above, the detection unit 60 may irradiate infrared rays toward the space between the treatment liquid holding unit 42 and the substrate W, or toward the inside of the cup unit 30 from which the steam M leaks out. The detection unit 60 then transmits the detection of steam M to the control device 70.
次に、制御装置70は、除去部50の気体供給機構52を作動させる。これにより、除去部50は、送通管51の開口51aからガスGを供給し、処理位置に位置付けられた処理液保持部42と基板Wとの間の狭い空間から湯気Mを押し出すように、湯気Mを追い出す。追い出された湯気Mは、処理室内部に生じているダウンフローに流され、カップ部30の底部に設けられた排気口Vから、排気口Vに連通する排気管Pを通って外部に排気される。なお、検出部60は、湯気Mを検出しなくなると、湯気Mを検出しないことを制御装置70に送信する。この場合、制御装置70は、除去部50の気体供給機構52を制御し、ガスGの供給を停止する。 Next, the control device 70 activates the gas supply mechanism 52 of the removal unit 50. This causes the removal unit 50 to supply gas G from the opening 51a of the supply pipe 51, expelling steam M by forcing it out of the narrow space between the processing liquid holding unit 42 positioned at the processing position and the substrate W. The expelled steam M is carried by the downflow occurring inside the processing chamber and exhausted to the outside from the exhaust port V provided at the bottom of the cup unit 30 through the exhaust pipe P communicating with the exhaust port V. Note that when the detection unit 60 no longer detects steam M, it notifies the control device 70 that steam M is not being detected. In this case, the control device 70 controls the gas supply mechanism 52 of the removal unit 50 to stop the supply of gas G.
最後に、処理液保持部42は、基板Wから離間した退避位置へと上昇して、吐出口42aから、処理液保持部42と基板Wの表面との間の隙間に純水を供給する。回転する基板Wの表面に純水が供給されると、その純水が基板Wの外周に向けて順次移動することにより、基板Wの表面の過酸化水素水が洗い流される。そして、所定の洗浄時間が経過すると、処理液保持部42は、純水の供給を停止する。 Finally, the processing liquid holding unit 42 rises to a retracted position away from the substrate W, and supplies pure water from the outlet 42a into the gap between the processing liquid holding unit 42 and the surface of the substrate W. As the pure water is supplied to the surface of the rotating substrate W, the pure water moves gradually toward the outer periphery of the substrate W, thereby rinsing away the hydrogen peroxide solution from the surface of the substrate W. Then, after a predetermined cleaning time has elapsed, the processing liquid holding unit 42 stops supplying pure water.
その後、搬送ロボットのロボットハンドが基板Wの下に挿入され、保持部20のチャックピン22bによる基板Wの保持が開放され、搬送ロボットのロボットハンドによって基板Wが搬出される。基板Wが搬出されると、次に処理される基板が搬入される。このように、本実施形態においては、新たな基板(未処理の基板)が処理室に搬入される前までに、除去部50による湯気Mの除去が行われる。 Then, the robot hand of the transport robot is inserted under the substrate W, the substrate W is released from the chuck pins 22b of the holder 20, and the substrate W is removed by the robot hand of the transport robot. Once the substrate W has been removed, the next substrate to be processed is carried in. In this manner, in this embodiment, the steam M is removed by the removal unit 50 before a new substrate (an unprocessed substrate) is carried into the processing chamber.
[効果]
(1)本実施形態の基板処理装置1は、処理室に搬入される基板Wを保持する保持部20と、保持部20に保持された基板Wを回転させる回転体10と、保持部20に保持された基板Wの表面に処理液を供給し、基板Wの表面に供給された処理液に対してリンス液を供給する供給機構41と、保持部20に保持された基板Wの表面に対向して設けられる、基板Wよりも大径の処理液保持部42と、処理液保持部42を、基板Wの表面に形成された処理液の液膜に近接した処理位置と基板Wの表面から離間した退避位置との間で昇降させる昇降機構43と、保持部20に保持された基板Wの表面に対して供給された処理液を加熱する加熱部44と、保持部20に保持された基板Wを囲うように設けられ、基板Wから飛散する処理液を受けて排液し、処理室内部のダウンフローを排気するカップ部30と、加熱された処理液と加熱された処理液に対して供給されたリンス液とから処理液保持部42と基板Wとの間に発生した湯気Mを除去する除去部50と、を有する。
[effect]
(1) The substrate processing apparatus 1 of this embodiment includes a holder 20 for holding a substrate W to be loaded into a processing chamber, a rotor 10 for rotating the substrate W held in the holder 20, a supply mechanism 41 for supplying a processing liquid to the surface of the substrate W held in the holder 20 and supplying a rinse liquid to the processing liquid supplied to the surface of the substrate W, a processing liquid holding part 42 having a diameter larger than that of the substrate W and disposed opposite the surface of the substrate W held in the holder 20, and a processing liquid holding part 42 disposed at a processing position close to a liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate W. The processing chamber has a lifting mechanism 43 that raises and lowers the processing liquid between the surface of the substrate W and a retracted position spaced apart from the surface of the substrate W, a heating section 44 that heats the processing liquid supplied to the surface of the substrate W held in the holding section 20, a cup section 30 that is arranged to surround the substrate W held in the holding section 20 and receives and drains the processing liquid that splashes from the substrate W and exhausts the downflow inside the processing chamber, and a removal section 50 that removes steam M generated between the processing liquid holding section 42 and the substrate W from the heated processing liquid and the rinse liquid supplied to the heated processing liquid.
従来の基板処理装置においては、基板が搬出された後も処理液保持部と基板との間に湯気が滞留していると、次に処理するために搬入される基板の表面を汚染するおそれがあった。一方で、本実施形態の基板処理装置1は、除去部50により、処理液保持部42と基板Wとの間に発生した湯気Mを除去することが出来る。これにより、次に処理するために搬入される基板の表面に湯気Mが付着し、この基板の表面を汚染するおそれが抑制される。図3(A)は、従来のように湯気が滞留した状態で搬入した基板の汚染度を、図3(B)は、本実施形態の除去部50により湯気Mを除去してから搬入した基板の汚染度を、それぞれ示している。図3(A)及び図3(B)を比較して明らかなように、除去部50により湯気Mを除去した場合、次に搬入される基板の汚染度が大きく低減される。 In conventional substrate processing apparatuses, if steam remains between the processing liquid holding unit 42 and the substrate after the substrate is removed, there is a risk of contaminating the surface of the next substrate being brought in for processing. In contrast, the substrate processing apparatus 1 of this embodiment uses the removal unit 50 to remove steam M generated between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W. This reduces the risk of steam M adhering to the surface of the next substrate being brought in for processing and contaminating the surface of that substrate. Figure 3(A) shows the contamination level of a substrate brought in with steam remaining, as in the conventional method, while Figure 3(B) shows the contamination level of a substrate brought in after steam M has been removed by the removal unit 50 of this embodiment. As is clear from a comparison of Figures 3(A) and 3(B), when steam M is removed by the removal unit 50, the contamination level of the next substrate being brought in is significantly reduced.
(2)本実施形態の除去部50は、処理液保持部42と基板Wとの間に発生した湯気Mに対してガスGを供給する気体供給機構52を有する。従来の基板処理装置においては、処理液保持部に遮られて、湯気Mが処理室内部のダウンフローでは排気されにくかった。一方で、本実施形態の除去部50は、気体供給機構52により、処理液保持部42と基板Wとの間から湯気Mを追い出すので、湯気Mを処理室内部のダウンフローに乗せて、排気管Pから排気させることが出来る。
(2) The removal unit 50 of this embodiment has a gas supply mechanism 52 that supplies gas G to the steam M generated between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W. In conventional substrate processing apparatuses, the steam M is blocked by the processing liquid holding unit and is difficult to exhaust by the downflow inside the processing chamber. On the other hand, the removal unit 50 of this embodiment uses the gas supply mechanism 52 to expel the steam M from between the processing liquid holding unit 42 and the substrate W, so that the steam M can be carried by the downflow inside the processing chamber and exhausted from the exhaust pipe P.
(3)本実施形態の基板処理装置1は、湯気Mを検出する検出部60を有し、除去部50は、湯気Mが検出された場合に湯気Mを除去する。これにより、例えば処理液とリンス液との温度差が少なく、湯気Mが発生しない工程などにおいて、除去部50を作動させる時間を省くことが出来るので、製造効率を向上させることが出来る。 (3) The substrate processing apparatus 1 of this embodiment has a detection unit 60 that detects steam M, and the removal unit 50 removes steam M when steam M is detected. This reduces the time required to operate the removal unit 50, for example, in processes where the temperature difference between the processing liquid and the rinse liquid is small and steam M is not generated, thereby improving manufacturing efficiency.
[変形例]
本実施形態は、上記のような態様には限定されない。例えば、除去部50の送通管51の本数は、1本に限られない。図4に示すように、供給部40に複数本の送通管51を挿通させても良い。これにより、供給部40と基板Wとの間の空間において、ガスGが満遍なく供給されるので、湯気Mを効率よく排出することが出来るので、湯気Mの除去にかかる時間を短縮することが出来る。なお、図4においては、説明を容易にするために、各部の図示を簡略化している。
[Modification]
This embodiment is not limited to the above-described embodiment. For example, the number of feed pipes 51 in the removal unit 50 is not limited to one. As shown in FIG. 4, a plurality of feed pipes 51 may be inserted into the supply unit 40. This allows the gas G to be supplied evenly throughout the space between the supply unit 40 and the substrate W, thereby enabling the steam M to be efficiently exhausted and shortening the time required to remove the steam M. Note that the illustration of each component in FIG. 4 is simplified for ease of explanation.
また、上記実施形態の除去部50は、ガスGを供給する気体供給機構52を有したが、これに限られない。図5に示すように、気体供給機構52の代わりに、気体吸引機構53を有しても良い。気体吸引機構53は、気体供給機構52と同様に、送通管51の他端に設けられる。気体吸引機構53は、図示しない負圧源などからなる排気機構であり、送通管51から、供給部40と基板Wとの間に発生した湯気Mを吸引する。気体吸引機構53は、排気管Pに接続され、吸引した湯気Mを排気管Pから排気する。これにより、処理室内部のダウンフローに頼ることなく、湯気Mを除去することが出来る。また、上述のように複数本の送通管51を挿通させる場合は、これに対応して複数の気体吸引機構53を設けても良い。なお、図5においては、説明を容易にするために、各部の図示を簡略化している。 While the removal unit 50 in the above embodiment includes a gas supply mechanism 52 that supplies gas G, this is not limiting. As shown in FIG. 5 , a gas suction mechanism 53 may be provided instead of the gas supply mechanism 52. Like the gas supply mechanism 52, the gas suction mechanism 53 is provided at the other end of the feed pipe 51. The gas suction mechanism 53 is an exhaust mechanism consisting of a negative pressure source (not shown), and sucks steam M generated between the supply unit 40 and the substrate W through the feed pipe 51. The gas suction mechanism 53 is connected to the exhaust pipe P and exhausts the sucked steam M from the exhaust pipe P. This allows steam M to be removed without relying on downflow within the processing chamber. Furthermore, when multiple feed pipes 51 are inserted as described above, multiple gas suction mechanisms 53 may be provided correspondingly. Note that the illustration of each component in FIG. 5 is simplified for ease of explanation.
また、除去部50は、気体供給機構52と気体吸引機構53とを有し、両方を併用して湯気Mを除去しても良い。この場合、供給部40に2本の送通管51を挿通させ、一方に気体供給機構52を、他方に気体吸引機構53を設けると良い。また、図6に示すように、送通管51の代わりに、基板Wを側方から挟むように一対のノズル54A、54Bを設けても良い。ノズル54A、54Bは、カップ部30の昇降動作、処理液保持部42の昇降動作、検出部60の検出に支障をきたさない位置に設けられる。ノズル54A、54Bの一端には、開口54aが設けられている。開口54aは、供給部40と基板Wの間の空間に向けて設けられている。ノズル54Aの他端には気体供給機構52が、ノズル54Bの他端には気体吸引機構53が、それぞれ設けられている。 The removal unit 50 may also have a gas supply mechanism 52 and a gas suction mechanism 53, and both may be used in combination to remove steam M. In this case, two feed pipes 51 may be inserted into the supply unit 40, with one provided with the gas supply mechanism 52 and the other provided with the gas suction mechanism 53. As shown in FIG. 6, instead of the feed pipe 51, a pair of nozzles 54A and 54B may be provided to sandwich the substrate W from the sides. The nozzles 54A and 54B are positioned so as not to interfere with the lifting and lowering of the cup unit 30, the lifting and lowering of the processing liquid holding unit 42, or the detection by the detection unit 60. An opening 54a is provided at one end of the nozzles 54A and 54B. The opening 54a faces the space between the supply unit 40 and the substrate W. The gas supply mechanism 52 is provided at the other end of the nozzle 54A, and the gas suction mechanism 53 is provided at the other end of the nozzle 54B.
気体供給機構52と気体吸引機構53とを同時に作動させることにより、ノズル54Aから供給されるガスGが、湯気Mをノズル54B側に追い出し、ノズル54Bは、湯気Mを吸引排気する。また、この変形例の動作は、処理液保持部42が退避位置に位置付けられるときに行われる。すなわち、上述の実施形態においては、除去部50が湯気Mを除去した後に処理液保持部42が退避位置に位置付けられたが、この変形例においては、処理液保持部42が退避位置に位置付けられた後に気体供給機構52と気体吸引機構53とが動作する。具体的には、処理液保持部42が退避位置に位置付けられた後、純水が供給されることにより、湯気Mが基板Wを中心にして周囲に広がる。この広がった湯気Mを検出部60が検出することにより、気体供給機構52と気体吸引機構53とが動作し、湯気Mが除去される。一方で、処理液保持部42が退避位置に位置付けられていない場合は、検出部60によって湯気Mが検出されたとしても、気体供給機構52と気体吸引機構53とが動作しないように制御しても良い。なお、図6においては、説明を容易にするために、各部の図示を簡略化している。 By simultaneously operating the gas supply mechanism 52 and the gas suction mechanism 53, gas G supplied from nozzle 54A expels steam M toward nozzle 54B, which then sucks and exhausts the steam M. This modified example is performed when the processing liquid holding unit 42 is positioned in the retracted position. In other words, in the above-described embodiment, the processing liquid holding unit 42 is positioned in the retracted position after the removal unit 50 removes steam M. In this modified example, the gas supply mechanism 52 and the gas suction mechanism 53 operate after the processing liquid holding unit 42 is positioned in the retracted position. Specifically, after the processing liquid holding unit 42 is positioned in the retracted position, pure water is supplied, causing steam M to spread around the substrate W. When the detection unit 60 detects this spread steam M, the gas supply mechanism 52 and the gas suction mechanism 53 operate, and the steam M is removed. On the other hand, when the treatment liquid holding unit 42 is not positioned in the retracted position, the gas supply mechanism 52 and the gas suction mechanism 53 may be controlled not to operate even if steam M is detected by the detection unit 60. Note that the illustration of each unit in Figure 6 is simplified for ease of explanation.
また、一対のノズル54A、54Bの代わりに、ノズル54Aだけを設けても良い。この場合、図7に示すように、クリーンルームの壁面に、排気管Pに連通する排気口Qと、排気口Qを開閉可能なシャッターRを設けても良い。排気口Qは、例えば、基板Wを挟んでノズル54Aに対向する位置に開口される。シャッターRは、エアシリンダまたはモータにより駆動され、排気口Qを開閉可能に設けられる。上述の一対のノズル54A、54Bを設ける場合と同様に、処理液保持部42が退避位置に位置付けられた後、気体供給機構52とシャッターRとを同時に作動させることにより、ノズル54Aから供給されるガスGが供給部40と基板Wの間から湯気Mを追い出し、排気口Qから排気することが出来る。なお、図7においては、説明を容易にするために、各部の図示を簡略化している。 Alternatively, instead of the pair of nozzles 54A, 54B, only the nozzle 54A may be provided. In this case, as shown in FIG. 7, an exhaust port Q communicating with the exhaust pipe P and a shutter R capable of opening and closing the exhaust port Q may be provided on the wall of the clean room. The exhaust port Q is opened, for example, at a position opposite the nozzle 54A across the substrate W. The shutter R is driven by an air cylinder or a motor and is provided to open and close the exhaust port Q. As in the case of providing the pair of nozzles 54A, 54B described above, after the processing liquid holding unit 42 is positioned in the retracted position, the gas supply mechanism 52 and the shutter R can be simultaneously operated. This allows the gas G supplied from the nozzle 54A to expel steam M from between the supply unit 40 and the substrate W and then be exhausted through the exhaust port Q. Note that the illustration of each component in FIG. 7 is simplified for ease of explanation.
上記実施形態の検出部60は、投光部と受光部が一体となっている反射型のものとしたが、これに限られない。検出部60として、投光部と受光部が別体となっている透過型のものを採用しても良い。この場合、投光部と受光部は、基板Wの上方の空間を側面から挟むように設けられると良い。また、検出部60は、光電センサに限らず、カメラなどの撮像部としても良い。この場合、撮像部が取得した撮像画像が制御装置70に送信され、制御装置70において、撮像画像に湯気Mが映っているか否かを判定すればよい。 In the above embodiment, the detection unit 60 is a reflective type in which the light-emitting unit and the light-receiving unit are integrated, but this is not limited to this. The detection unit 60 may also be a transmissive type in which the light-emitting unit and the light-receiving unit are separate units. In this case, the light-emitting unit and the light-receiving unit should be arranged to sandwich the space above the substrate W from the sides. Furthermore, the detection unit 60 is not limited to a photoelectric sensor, and may also be an imaging unit such as a camera. In this case, the captured image acquired by the imaging unit is transmitted to the control device 70, and the control device 70 determines whether steam M is visible in the captured image.
さらに、検出部60を省略しても良い。この場合、湯気Mが発生するタイミング、例えば過酸化水素水を供給するタイミングや、処理液保持部42が退避位置に位置付けられた後純水を供給するタイミングに合わせて除去部50を動作させればよい。また、除去部50を動作させた後は、所定の時間が経過した場合に、除去部50を自動的に停止させても良い。所定の時間は、例えば、除去部50の動作開始後、処理の終わった基板Wが搬出され、次に基板が搬入されるまでの時間である。 Furthermore, the detection unit 60 may be omitted. In this case, the removal unit 50 may be operated in accordance with the timing when steam M is generated, such as the timing when hydrogen peroxide solution is supplied, or the timing when pure water is supplied after the processing liquid holding unit 42 is positioned at the retracted position. After the removal unit 50 is operated, the removal unit 50 may be automatically stopped when a predetermined time has elapsed. The predetermined time is, for example, the time from when the removal unit 50 starts operating until the processed substrate W is unloaded and the next substrate is loaded.
上記実施形態の複数種の処理液は、供給機構41の処理液供給管41cから供給されたが、これに限られない。例えば、除去部50の送通管51から供給されても良い。例えば、送通管51の他端が二股に分かれ、その一方に気体供給機構52が設けられ、その他方に処理液槽41a、送通管41b、流量調整バルブ41d、流量計41eが設けられても良い。これにより、例えば、ガスGと純水の両方を送通管51から供給することが出来る。 In the above embodiment, the multiple types of processing liquid are supplied from the processing liquid supply pipe 41c of the supply mechanism 41, but this is not limited to this. For example, they may be supplied from the feed pipe 51 of the removal unit 50. For example, the other end of the feed pipe 51 may be bifurcated, with a gas supply mechanism 52 provided on one end and a processing liquid tank 41a, feed pipe 41b, flow rate adjustment valve 41d, and flow meter 41e provided on the other end. This makes it possible to supply both gas G and pure water from the feed pipe 51, for example.
また、供給機構41に加えて、供給機構41と同様に処理液槽や処理液供給管などを備える別の供給機構を設けても良い。これにより、例えば供給機構41からはSPMを供給し、別の供給機構からはリンス液として過酸化水素水と純水とを供給しても良い。この場合、別の供給機構の処理液供給管も、処理液供給管41cや送通管51と同様に、処理液保持部42に挿通される。 In addition to the supply mechanism 41, another supply mechanism may be provided that, like the supply mechanism 41, is equipped with a processing liquid tank, processing liquid supply pipe, etc. In this way, for example, SPM may be supplied from the supply mechanism 41, and hydrogen peroxide and deionized water may be supplied from the other supply mechanism as rinse liquid. In this case, the processing liquid supply pipe of the other supply mechanism is also inserted into the processing liquid holding unit 42, just like the processing liquid supply pipe 41c and the feed pipe 51.
[他の実施形態]
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。上述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。
Other Embodiments
Although the embodiments of the present invention and modifications of each part have been described above, these embodiments and modifications of each part are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments described above can be embodied in various other forms, and various omissions, substitutions, and modifications can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications are included within the scope and spirit of the invention, and are also included in the invention described in the claims.
1 基板処理装置
10 回転体
11 固定ベース
12 モータ
13 回転機構
20 保持部
21 回動部材
22 保持部材
23 駆動機構
231 駆動軸
232 小ギヤ
233 大ギヤ
30 カップ部
40 供給部
41 供給機構
42 処理液保持部
43 昇降機構
44 加熱部
441 ヒータ
50 除去部
51 送通管
52 気体供給機構
53 気体吸引機構
60 検出部
70 制御装置
A 回転軸
F フィルタ
G ガス
M 湯気
P 排気管
Q 排気口
R シャッター
V 排気口
W 基板
1 Substrate processing apparatus 10 Rotating body 11 Fixed base 12 Motor 13 Rotation mechanism 20 Holding part 21 Rotating member 22 Holding member 23 Drive mechanism 231 Drive shaft 232 Small gear 233 Large gear 30 Cup part 40 Supply part 41 Supply mechanism 42 Processing liquid holding part 43 Lifting mechanism 44 Heating part 441 Heater 50 Removal part 51 Transfer pipe 52 Gas supply mechanism 53 Gas suction mechanism 60 Detection part 70 Control device A Rotation shaft F Filter G Gas M Steam P Exhaust pipe Q Exhaust port R Shutter V Exhaust port W Substrate
Claims (6)
前記保持部に保持された前記基板を回転させる回転体と、
前記保持部に保持された前記基板の表面に処理液を供給し、前記基板の表面に供給された前記処理液に対してリンス液を供給する供給機構と、
前記保持部に保持された前記基板の表面に対向して設けられる、前記基板よりも大径の処理液保持部と、
前記処理液保持部を、前記基板の表面に形成された前記処理液の液膜に近接した処理位置と前記基板の表面から離間した退避位置との間で昇降させる昇降機構と、
前記保持部に保持された前記基板の表面に供給された前記処理液を加熱する加熱部と、
加熱された前記処理液と加熱された前記処理液に対して供給された前記リンス液とから前記処理液保持部と前記基板との間に発生した湯気を除去する除去部と、を備え、
前記除去部は、前記基板の表面に向けてガスを供給する気体供給機構を有する基板処理装置。 a holder for holding a substrate to be carried into a processing chamber;
a rotating body that rotates the substrate held by the holder;
a supply mechanism that supplies a processing liquid to the surface of the substrate held by the holder and supplies a rinse liquid to the processing liquid supplied to the surface of the substrate;
a processing liquid holding section having a diameter larger than that of the substrate, the processing liquid holding section being disposed opposite to a surface of the substrate held by the holding section;
a lifting mechanism that lifts and lowers the processing liquid holding unit between a processing position close to a liquid film of the processing liquid formed on the surface of the substrate and a retracted position spaced apart from the surface of the substrate;
a heating unit that heats the processing liquid supplied to the surface of the substrate held by the holding unit;
a removal unit that removes steam generated between the processing liquid holding unit and the substrate from the heated processing liquid and the rinse liquid supplied to the heated processing liquid,
The removal unit is a substrate processing apparatus having a gas supply mechanism that supplies gas toward the surface of the substrate .
請求項1に記載の基板処理装置。 the removal unit has a gas suction mechanism that sucks the steam generated between the processing liquid holding unit and the substrate.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
前記除去部は、前記検出部によって前記湯気が検出された場合に前記湯気を除去する、
請求項1記載の基板処理装置。 a detection unit for detecting the steam,
The removal unit removes the steam when the detection unit detects the steam.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。 the removal unit removes the steam generated between the processing liquid holding unit and the substrate while the processing liquid holding unit is positioned at the processing position.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。 the removal unit removes the steam generated between the processing liquid holding unit and the substrate while the processing liquid holding unit is positioned at the retracted position.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。 the removal unit removes the steam before a new substrate is carried into the processing chamber.
The substrate processing apparatus according to claim 1 .
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011090141A1 (en) | 2010-01-22 | 2011-07-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate treatment device and substrate treatment method |
| JP2015041727A (en) | 2013-08-23 | 2015-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3741842B2 (en) * | 1997-10-17 | 2006-02-01 | 株式会社アルバック | Vacuum deposition apparatus and thin film forming method |
| TWI445065B (en) * | 2009-12-18 | 2014-07-11 | J E T 股份有限公司 | Substrate processing device |
| US20120260947A1 (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Satoshi Kaneko | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable recording medium having substrate cleaning program recorded therein |
| CN105612598B (en) * | 2013-09-25 | 2019-09-24 | 芝浦机械电子株式会社 | The manufacturing method of absorptive table, laminating apparatus and adhesive substrates |
| KR101774185B1 (en) * | 2013-09-25 | 2017-09-01 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Substrate treatment device, method for separating bonded substrate, and method for removing adhesive |
| JP6734666B2 (en) * | 2015-03-30 | 2020-08-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Spin processing device |
| JP6824773B2 (en) * | 2017-02-20 | 2021-02-03 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing equipment and substrate processing method |
| KR102376830B1 (en) * | 2019-09-30 | 2022-03-21 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | Substrate treatment device |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011090141A1 (en) | 2010-01-22 | 2011-07-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate treatment device and substrate treatment method |
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