JP7780628B2 - 検出装置 - Google Patents

Description

本開示は、検出装置に関する。

人体から生体に関する情報を検出する装置が知られている。特許文献１には、被験者の行動を制約せずに脈波の測定を行うことが可能な脈波センサが開示されている。

特開２０１２－０６５９００号公報

環状の筐体の内部に、複数のフォトダイオードを有する光センサと、光源と、電池とがそれぞれ別々に固定され収納すると、筐体が大きくなる。

本開示の目的は、複数のフォトダイオードを有する光センサ、光源及び電池を、環状の筐体の内部に容易に収容可能であって、小型の検出装置を提供することにある。

本開示の一態様の検出装置は、環状の筐体と、前記環状の筐体の形状に沿って設けられる第１可撓性基板と、前記第１可撓性基板に設けられた電池と、前記第１可撓性基板に設けられた光源と、第２可撓性基板と、前記第２可撓性基板の検出領域に設けられた複数のフォトダイオードと、シート状の光センサと、を含み、前記光センサは、前記第１可撓性基板の一方の端部に、前記第２可撓性基板の一方の端部を重ねて、前記第２可撓性基板と前記第１可撓性基板とが電気的に接続される。

図１は、実施形態１の検出装置の内側に指を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。 図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ’断面における断面図である。 図３は、図２に示すＩＩＩ－ＩＩＩ’断面における断面図である。 図４は、図２に示すＩＶ－ＩＶ’断面における断面図である。 図５は、筐体に収容する前の、実施形態１に係る光センサモジュールの断面図である。 図６は、図５の光センサモジュールの上面図である。 図７は、図５の光センサモジュールの下面図である。 図８は、実施形態１の光センサを示す構成図である。 図９は、実施形態１の光センサの構成例を示すブロック図である。 図１０は、実施形態１の光センサの回路図である。 図１１は、センサ検出領域を示す回路図である。 図１２は、実施形態１の光センサの模式的な部分断面図である。 図１３は、実施形態１の第１可撓性基板へ光センサを取り付ける手順を説明する説明図である。 図１４は、筐体に収容する前の、実施形態２に係る光センサモジュールの断面図である。 図１５は、実施形態２の光センサの模式的な断面図である。 図１６は、筐体に収容する前の、実施形態３に係る光センサモジュールの断面図である。 図１７は、図１６の光センサモジュールの上面図である。 図１８は、図１６の光センサモジュールの下面図である。 図１９は、実施形態４の検出装置の内側に腕を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。

発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本開示において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

（実施形態１）
図１は、実施形態１の検出装置の内側に指を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。図２は、図１に示すＩＩ－ＩＩ’断面における断面図である。図３は、図２に示すＩＩＩ－ＩＩＩ’断面における断面図である。図４は、図２に示すＩＶ－ＩＶ’断面における断面図である。

図１及び図２に示す検出装置１００は、人体に着脱自在な指輪型のデバイスであり、人体の被検出体Ｆｇに装着される。実施形態１の被検出体Ｆｇは、指であり、拇指、示指、中指、薬指、小指等のいずれでもよい。検出装置１００は、装着された被検出体Ｆｇから生体に関する生体情報を検出できる。

図２に示すように、検出装置１００は、筐体２００と、少なくとも第１可撓性基板７０に設けられた光源６０及び光センサ１を少なくとも備える。筐体２００は、光源６０及び光センサ１を内部に収容する。図２では、筐体２００、第１可撓性基板７０、光源６０、光照射部６０Ｒ及び光センサ１以外の部品は、省略している。

筐体２００は、被検出体Ｆｇに装着可能なリング状（環状）に形成されており、生体に装着される装着部材である。筐体２００は、例えば、合成樹脂等の筐体材料によって形成されている。筐体２００の外側面は、遮光性の樹脂である。これにより、外部の光によるノイズを抑制する。筐体２００の内側面は、透光性の樹脂である。これにより、光源６０が照射した光を、被検出体Ｆｇへ照射し、被検出体Ｆｇからの光を光センサ１に受光させることができる。

実施形態１では、光源６０と筐体２００の中心とを結ぶ仮想線と、光センサ１と筐体２００の中心とを結ぶ仮想線とがなす角度が９０度となるように、光源６０と光センサ１とが離れた位置に配置される場合について説明するが、これに限定されない。光源６０と筐体２００の中心とを結ぶ仮想線と、光センサ１と筐体２００の中心とを結ぶ仮想線とがなす角度は、鋭角となるように配置してもよく、鈍角となるように配置してもよい。

図２及び図３に示すように、被検出体Ｆｇからの光を光センサ１に受光できるように、光センサ１が第１可撓性基板７０よりも内側に配置されている。図３に示すように、第１可撓性基板７０の外側には、制御回路１２３が配置されている。

図２及び図４に示すように、光源６０の光は、内側へ突出する光照射部６０Ｒを介して被検出体Ｆｇへ照射される。光照射部６０Ｒは、例えば透光性を有する凸レンズである。図４に示すように、第１可撓性基板７０の外側には、制御回路１２４が配置されている。

図５は、筐体に収容する前の、実施形態１に係る光センサモジュールの断面図である。図６は、図５の光センサモジュールの上面図である。図７は、図５の光センサモジュールの下面図である。

図２、図３、図４、図５、図６及び図７に示すように、光センサモジュール１２０は、光センサ１、光源６０、制御回路１２２、制御回路１２３、制御回路１２４、制御回路１２６、電池充電用コイル１２７、電池１２８が第１可撓性基板７０に組み付けられている。

図８に示すように、第２可撓性基板２１の第１方向Ｄｘの幅ＦＷは、センサ領域１０の幅ＳＷよりも大きく、第２可撓性基板２１の第２方向Ｄｙの長さＦＬは、センサ領域１０の長さＳＬよりも大きい。光センサ１の第１方向Ｄｘの幅ＦＷは、第１可撓性基板７０の第１方向Ｄｘの幅Ｗ以下であり、光センサ１の第２方向Ｄｙの長さＦＬは、第１可撓性基板７０の第２方向Ｄｙの長さＦＬＬよりも小さい。

光源６０は、第１可撓性基板７０の第２面７０Ａの第１領域ＡＲ１に設けられる。光センサ１の一方の端部１ＥＡは、第１可撓性基板７０の一方の端部７０ＥＡを重ねて設けられる。このため、光センサモジュール１２０の第２方向Ｄｙの長さＬは、光センサ１の第２方向Ｄｙの長さＦＬと第１可撓性基板７０の第２方向Ｄｙの長さＦＬＬとの和よりも小さくなる。

電池１２８に充電を行うための電池充電用コイル１２７は、第１可撓性基板７０の第２面７０Ａの第３領域ＡＲ３の内部で、導電体を巻回することで形成される。電池充電用コイル１２７は、光源６０及び電池１２８とは異なる位置であって、光源６０と電池１２８との間に配置されている。制御回路１２２は、第１可撓性基板７０の第２面７０Ａの第２領域ＡＲ２に設けられる。

制御回路１２４は、第１可撓性基板７０の第１面７０Ｂの第１領域ＡＦ１に設けられる。制御回路１２６は、第１可撓性基板７０の第１面７０Ｂの第２領域ＡＦ２に設けられる。制御回路１２３は、第１可撓性基板７０の第１面７０Ｂの第３領域ＡＦ３に設けられる。

図６に示すように、電池１２８は、フィルム型のリチウムイオン電池であり、湾曲可能である。電池１２８は、第１可撓性基板７０の第１面７０Ｂの第４領域ＡＦ４に設けられる。電池１２８の第１方向Ｄｘの幅は、第１可撓性基板７０の第１方向Ｄｘの幅Ｗ以下であり、電池１２８の第２方向Ｄｙの長さＢＬは、第１可撓性基板７０の第２方向Ｄｙの長さＬよりも小さい。これにより、電池１２８が第１可撓性基板７０からはみ出さないように、第１可撓性基板７０へ搭載できる。

制御回路１２４は、第１可撓性基板７０の第１領域ＡＲ１の反対側である第１領域ＡＦ１に配置される。制御回路１２４は、光源６０の発光を制御するので、光源６０と制御回路１２４との距離が短い状態で、光源６０と制御回路１２４とを電気的に接続でき、不要なノイズが抑制される。

検出回路４８を含む制御回路１２２は、第１可撓性基板７０の第２面７０Ａに配置され、かつ光センサ１に隣接した第２領域ＡＲ２に配置されている。

なお、制御回路１２２が第３領域ＡＦに配置され、制御回路１２３が第２領域ＡＲ２に配置されるようにしてもよい。第１可撓性基板７０において、光センサ１の反対側に検出回路４８が配置されることになり、光センサ１と検出回路４８との距離が短い状態で光センサ１と検出回路４８とを電気的に接続でき、不要なノイズが抑制される。

図７に示すように、光源６０は、例えば、無機ＬＥＤ（Light Emitting Diode）や、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）等が用いられる。光源６０は
、所定の波長の光を照射する。本実施形態では、光源６０は、赤色を照射する第１光源６１と、近赤外光を照射する第２光源６２を有する。第１光は、例えば６６０ｎｍ程度の波長を有し、第２光は、例えば８５０ｎｍ程度の波長を有している。

第１光源６１から出射された第１光および第２光源６２から出射された第２光に基づいて、光センサ１は、生体に関する情報として、脈波、脈拍や血管像に加えて、血中酸素濃度を検出することができる。血液に含まれている赤血球は、ヘモグロビンを有する。光源６０から照射される近赤外光は、ヘモグロビンにより吸光され易い。言い換えると、ヘモグロビンよる近赤外光の吸光係数は、体の内部の他の部分よりも吸光係数が高い。よって、複数のフォトダイオードＰＤの受光量を読み込み、近赤外光の受光量が相対的に少ない箇所を特定することで、静脈などの血管パターンを検出できる。

また、近赤外光と赤色光の反射光は、血液中の酸素飽和度（以下、血中酸素飽和度（ＳｐＯ_２）と称する）を測定するための情報を含む。なお、血中酸素飽和度（ＳｐＯ_２）は、血液中のヘモグロビンの全てに酸素が結合したと仮定した場合の総酸素量に対し、実際にヘモグロビンに結合している酸素量の比である。血中酸素飽和度（ＳｐＯ_２）の算出では、第１光により取得された脈波と、第２光により取得された脈波とを用いる。

血液中のヘモグロビンは、酸素化ヘモグロビンと、還元ヘモグロビンとを含む。血中酸素飽和度（ＳｐＯ_２）は、血液中のヘモグロビンが酸素と結合した場合（Ｏ_２Ｈｂ：酸素化ヘモグロビン）と結合していない場合（ＨＨｂ：還元ヘモグロビン）の比で決まる。

赤色光の吸光特性は、ＨＨｂ＞＞Ｏ_２Ｈｂであり、ＨＨｂの吸光度が著しく大きいのに対して、近赤外光の吸光特性は、ＨＨｂ≒Ｏ_２Ｈｂであり、わずかにＯ_２Ｈｂの吸光度が大きい。

この吸光特性の差を利用して、近赤外光の測定値とＲｅｄ光の測定値との比を用いて、血中酸素飽和度（ＳｐＯ_２）が評価できる。

なお、本開示において、光源６０から照射される光は上記に限定されない。光源６０は、用途に応じて、波長が８００以上１０００ｎｍ未満の近赤外光のみを照射してもよいし、波長が６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の赤色光のみを照射してもよい。

光センサ１は、第２可撓性基板２１と、第２可撓性基板２１の上に形成されたセンサ構造体２２と、センサ構造体２２を覆う保護膜２３とを有する。

図８は、実施形態１の光センサを示す構成図である。図８に示すように、光センサ１は、光電変換素子であるフォトダイオードＰＤを有する光センサである。光センサ１が有するフォトダイオードＰＤは、照射される光に応じた電気信号を、検出信号Ｖｄｅｔとして信号線選択回路１６に出力する。また、光センサ１は、ゲート線駆動回路１５から供給されるゲート駆動信号Ｖｇｃｌにしたがって検出を行う。

制御回路１２２には、検出回路４８（図９参照）を含む。制御回路１２２は、例えばＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）である。第２可撓性基板２１の第２接続端子２９には、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）７１（図５参照）を介して第１可撓性基板７０の制御回路１２２へ電気的に接続される。

制御回路１２２は、光センサ１、ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に制御信号を供給して、光センサ１におけるセンサ領域１０（図９参照）の検出動作を制御する。

充電用の制御回路１２３では、外部から電磁的手段により電気エネルギーが電池充電用コイル１２７へ到達したワイヤレス電力伝送の電力の制御が行われる。ワイヤレス電力伝送の結合方式は、電磁誘導方式、電磁共鳴方式、電波方式等のいずれかが選択される。制御回路１２３は、ワイヤレス電力伝送された電力を用いて電池１２８を充電する。

また、制御回路１２４は、光源６０に制御信号を供給して、光源６０の点灯又は非点灯を制御する。また、制御回路１２４は、電源電圧を光源６０に供給する。

電源マネージメントを行う制御回路１２６は、電池１２８の電力に基づいて、センサ電源信号ＶＤＤＳＮＳ（図１１参照）等の電圧信号を光センサ１、ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６に供給する。

第２可撓性基板２１は、検出領域ＡＡと、周辺領域ＧＡとを有する。検出領域ＡＡは、光センサ１が有する複数のフォトダイオードＰＤが設けられた領域である。周辺領域ＧＡは、検出領域ＡＡの外周と、第２可撓性基板２１の端部との間の領域であり、フォトダイオードＰＤと重ならない領域である。

矩形状の検出領域ＡＡと周辺領域ＧＡとの境界は、検出領域ＡＡの辺ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３及びＣＰ４である。検出領域ＡＡの第１方向Ｄｘの幅ＳＷは、辺ＣＰ３と辺ＣＰ４との距離である。検出領域ＡＡのＤＹ方向の長さＳＬは、辺ＣＰ１と辺ＣＰ２との距離である。なお、第２可撓性基板２１の第１方向Ｄｘの幅ＦＷは、幅ＳＷよりも大きく、第２可撓性基板２１の第２方向Ｄｙの長さＦＬは、長さＳＬよりも大きい。

ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６は、周辺領域ＧＡに設けられる。具体的には、ゲート線駆動回路１５は、周辺領域ＧＡのうち第２方向Ｄｙに沿って延在する領域に設けられる。信号線選択回路１６は、周辺領域ＧＡのうち第１方向Ｄｘに沿って延在する領域に設けられ、光センサ１と検出回路４８との間に設けられる。

なお、第１方向Ｄｘは、第２可撓性基板２１と平行な面内の一方向である。第２方向Ｄｙは、第２可撓性基板２１と平行な面内の一方向であり、第１方向Ｄｘと直交する方向である。なお、第２方向Ｄｙは、第１方向Ｄｘと直交しないで交差してもよい。また、第３方向Ｄｚは、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙと直交する方向であり、第２可撓性基板２１の法線方向である。

図９は、実施形態１の光センサの構成例を示すブロック図である。図９に示すように、検出装置１００は、さらに検出制御回路１１と検出部４０と、有する。検出制御回路１１の機能の一部又は全部は、制御回路１２２に含まれる。また、検出部４０のうち、検出回路４８以外の機能の一部又は全部は、制御回路１２２に含まれる。

検出制御回路１１は、ゲート線駆動回路１５、信号線選択回路１６及び検出部４０にそれぞれ制御信号を供給し、これらの動作を制御する回路である。検出制御回路１１は、スタート信号ＳＴＶ、クロック信号ＣＫ、リセット信号ＲＳＴ１等の各種制御信号をゲート線駆動回路１５に供給する。また、検出制御回路１１は、選択信号ＡＳＷ等の各種制御信号を信号線選択回路１６に供給する。また、検出制御回路１１は、各種制御信号を光源６０に供給して、それぞれの点灯及び非点灯を制御する。

ゲート線駆動回路１５は、各種制御信号に基づいて複数のゲート線ＧＣＬ（図１０参照）を駆動する回路である。ゲート線駆動回路１５は、複数のゲート線ＧＣＬを順次又は同時に選択し、選択されたゲート線ＧＣＬにゲート駆動信号Ｖｇｃｌを供給する。これにより、ゲート線駆動回路１５は、ゲート線ＧＣＬに接続された複数のフォトダイオードＰＤを選択する。

信号線選択回路１６は、複数の信号線ＳＧＬ（図１１参照）を順次又は同時に選択するスイッチ回路である。信号線選択回路１６は、例えばマルチプレクサである。信号線選択回路１６は、検出制御回路１１から供給される選択信号ＡＳＷに基づいて、選択された信号線ＳＧＬと検出回路４８とを接続する。これにより、信号線選択回路１６は、フォトダイオードＰＤの検出信号Ｖｄｅｔを検出部４０に出力する。

検出部４０は、検出回路４８と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、記憶回路４６と、検出タイミング制御回路４７と、画像処理回路４９と、を備える。検出タイミング制御回路４７は、検出制御回路１１から供給される制御信号に基づいて、検出回路４８と、信号処理回路４４と、座標抽出回路４５と、画像処理回路４９と、が同期して動作するように制御する。

検出回路４８は、例えばアナログフロントエンド回路（ＡＦＥ：Ａｎａｌｏｇ Ｆｒｏｎｔ Ｅｎｄ）である。検出回路４８は、少なくとも検出信号増幅回路４２及びＡ／Ｄ変換回路４３の機能を有する信号処理回路である。検出信号増幅回路４２は、検出信号Ｖｄｅｔを増幅する。Ａ／Ｄ変換回路４３は、検出信号増幅回路４２から出力されるアナログ信号をデジタル信号に変換する。

信号処理回路４４は、検出回路４８の出力信号に基づいて、光センサ１に入力された所定の物理量を検出する論理回路である。信号処理回路４４は、被検出体Ｆｇが検出面に接触又は近接した場合に、検出回路４８からの信号に基づいて被検出体Ｆｇや掌の生体表面の凹凸を検出できる。また、信号処理回路４４は、検出回路４８からの信号に基づいて生体に関する情報を検出できる。生体に関する情報は、例えば、被検出体Ｆｇの脈拍、血中酸素飽和度等である。

また、信号処理回路４４は、複数のフォトダイオードＰＤにより同時に検出された検出信号Ｖｄｅｔ（生体に関する情報）を取得し、これらを平均化する処理を実行してもよい。この場合、検出部４０は、ノイズや、被検出体Ｆｇ等の被検出体と光センサ１との相対的な位置ずれに起因する測定誤差を抑制して、安定した検出が可能となる。

記憶回路４６は、信号処理回路４４で演算された信号を一時的に保存する。記憶回路４６は、例えばＲＡＭ（Random Access Memory）、レジスタ回路等であってもよい。

座標抽出回路４５は、信号処理回路４４において指の接触又は近接が検出されたときに、指等の生体表面の凹凸の検出座標を求める論理回路である。また、座標抽出回路４５は、被検出体Ｆｇや掌の血管の検出座標を求める論理回路である。画像処理回路４９は、光センサ１の各フォトダイオードＰＤから出力される検出信号Ｖｄｅｔを組み合わせて、被検出体Ｆｇ等の生体表面の凹凸の形状を示す二次元情報及び被検出体Ｆｇや掌の血管の形状を示す二次元情報を生成する。なお、座標抽出回路４５は、検出座標を算出せずにセンサ出力Ｖｏとして検出信号Ｖｄｅｔを出力してもよい。また、座標抽出回路４５及び画像処理回路４９は、検出部４０に含まれていない場合であってもよい。

検出制御回路１１は、検出した生体に関する情報と予め記憶している認証情報とを比較し、比較結果に基づいて被認証者の認証を行う機能を有する。検出制御回路１１は、図示しない通信装置を介して、外部の装置に検出した生体に関する情報を送信する制御を行う機能を有する。

次に、検出装置１００の回路構成例について説明する。図１０は、実施形態１の光センサの回路図である。図１１は、センサ検出領域を示す回路図である。なお、図１１では、検出回路４８の回路構成も併せて示している。

図１０に示すように、光センサ１は、マトリクス状に配列された複数の単位検出領域ＰＡＡを有する。複数の単位検出領域ＰＡＡには、それぞれフォトダイオードＰＤが設けられている。

ゲート線ＧＣＬは、第１方向Ｄｘに延在し、第１方向Ｄｘに配列された複数の単位検出領域ＰＡＡのスイッチング素子と接続される。また、複数のゲート線ＧＣＬ（１）、ＧＣＬ（２）、…、ＧＣＬ（８）は、第２方向Ｄｙに配列され、それぞれゲート線駆動回路１５に接続される。なお、以下の説明において、複数のゲート線ＧＣＬ（１）、ＧＣＬ（２）、…、ＧＣＬ（８）を区別して説明する必要がない場合には、単にゲート線ＧＣＬと表す。また、図１１では説明を分かりやすくするために、８本のゲート線ＧＣＬを示しているが、あくまで一例であり、ゲート線ＧＣＬは、Ｍ本（Ｍは８以上、例えばＭ＝２５６）配列されていてもよい。

信号線ＳＧＬは、第２方向Ｄｙに延在し、第２方向Ｄｙに配列された複数の単位検出領域ＰＡＡのフォトダイオードＰＤに接続される。また、複数の信号線ＳＧＬ（１）、ＳＧＬ（２）、…、ＳＧＬ（１２）は、第１方向Ｄｘに配列されて、それぞれ信号線選択回路１６及びリセット回路１７に接続される。なお、以下の説明において、複数の信号線ＳＧＬ（１）、ＳＧＬ（２）、…、ＳＧＬ（１２）を区別して説明する必要がない場合には、単に信号線ＳＧＬと表す。

また、説明を分かりやすくするために、１２本の信号線ＳＧＬを示しているが、あくまで一例であり、信号線ＳＧＬは、Ｎ本（Ｎは１２以上、例えばＮ＝２５２）配列されていてもよい。また、図１０では、信号線選択回路１６とリセット回路１７との間にセンサ領域１０が設けられている。これに限定されず、信号線選択回路１６とリセット回路１７とは、信号線ＳＧＬの同じ方向の端部にそれぞれ接続されていてもよい。

ゲート線駆動回路１５は、スタート信号ＳＴＶ、クロック信号ＣＫ、リセット信号ＲＳＴ１等の各種制御信号を、制御回路１２２（図５参照）から受け取る。ゲート線駆動回路１５は、各種制御信号に基づいて、複数のゲート線ＧＣＬ（１）、ＧＣＬ（２）、…、ＧＣＬ（８）を時分割的に順次選択する。ゲート線駆動回路１５は、選択されたゲート線ＧＣＬにゲート駆動信号Ｖｇｃｌを供給する。これにより、ゲート線ＧＣＬに接続された複数の第１スイッチング素子Ｔｒにゲート駆動信号Ｖｇｃｌが供給され、第１方向Ｄｘに配列された複数の単位検出領域ＰＡＡが、検出対象として選択される。

なお、ゲート線駆動回路１５は、指紋の検出及び異なる複数の生体に関する情報（例えば、脈拍、血中酸素飽和度等）のそれぞれの検出モードごとに、異なる駆動を実行してもよい。例えば、ゲート線駆動回路１５は、複数のゲート線ＧＣＬを束ねて駆動してもよい。

具体的には、ゲート線駆動回路１５は、制御信号に基づいて、ゲート線ＧＣＬ（１）、ＧＣＬ（２）、…、ＧＣＬ（８）のうち、所定数のゲート線ＧＣＬを同時に選択する。例えば、ゲート線駆動回路１５は、６本のゲート線ＧＣＬ（１）からゲート線ＧＣＬ（６）を同時に選択し、ゲート駆動信号Ｖｇｃｌを供給する。ゲート線駆動回路１５は、選択された６本のゲート線ＧＣＬを介して、複数の第１スイッチング素子Ｔｒにゲート駆動信号Ｖｇｃｌを供給する。これにより、第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに配列された複数の単位検出領域ＰＡＡを含む検出領域グループＰＡＧ１、ＰＡＧ２が、それぞれ検出対象として選択される。ゲート線駆動回路１５は、所定数のゲート線ＧＣＬを束ねて駆動し、所定数のゲート線ＧＣＬごとに順次ゲート駆動信号Ｖｇｃｌを供給する。

信号線選択回路１６は、複数の選択信号線Ｌｓｅｌと、複数の出力信号線Ｌｏｕｔと、第３スイッチング素子ＴｒＳと、を有する。複数の第３スイッチング素子ＴｒＳは、それぞれ複数の信号線ＳＧＬに対応して設けられている。６本の信号線ＳＧＬ（１）、ＳＧＬ（２）、…、ＳＧＬ（６）は、共通の出力信号線Ｌｏｕｔ１に接続される。６本の信号線ＳＧＬ（７）、ＳＧＬ（８）、…、ＳＧＬ（１２）は、共通の出力信号線Ｌｏｕｔ２に接続される。出力信号線Ｌｏｕｔ１、Ｌｏｕｔ２は、それぞれ検出回路４８に接続される。

ここで、信号線ＳＧＬ（１）、ＳＧＬ（２）、…、ＳＧＬ（６）を第１信号線ブロックとし、信号線ＳＧＬ（７）、ＳＧＬ（８）、…、ＳＧＬ（１２）を第２信号線ブロックとする。複数の選択信号線Ｌｓｅｌは、１つの信号線ブロックに含まれる第３スイッチング素子ＴｒＳのゲートにそれぞれ接続される。また、１本の選択信号線Ｌｓｅｌは、複数の信号線ブロックの第３スイッチング素子ＴｒＳのゲートに接続される。

具体的には、選択信号線Ｌｓｅｌ１、Ｌｓｅｌ２、…、Ｌｓｅｌ６は、それぞれ信号線ＳＧＬ（１）、ＳＧＬ（２）、…、ＳＧＬ（６）に対応する第３スイッチング素子ＴｒＳと接続される。また、選択信号線Ｌｓｅｌ１は、信号線ＳＧＬ（１）に対応する第３スイッチング素子ＴｒＳと、信号線ＳＧＬ（７）に対応する第３スイッチング素子ＴｒＳと、に接続される。選択信号線Ｌｓｅｌ２は、信号線ＳＧＬ（２）に対応する第３スイッチング素子ＴｒＳと、信号線ＳＧＬ（８）に対応する第３スイッチング素子ＴｒＳと、に接続される。

制御回路１２２（図５参照）は、選択信号ＡＳＷを順次選択信号線Ｌｓｅｌに供給する。これにより、信号線選択回路１６は、第３スイッチング素子ＴｒＳの動作により、１つの信号線ブロックにおいて信号線ＳＧＬを時分割的に順次選択する。また、信号線選択回路１６は、複数の信号線ブロックでそれぞれ１本ずつ信号線ＳＧＬを選択する。

なお、信号線選択回路１６は、複数の信号線ＳＧＬを束ねて検出回路４８に接続してもよい。具体的には、制御回路１２２（図５参照）は、選択信号ＡＳＷを同時に複数の選択信号線Ｌｓｅｌに供給する。これにより、信号線選択回路１６は、第３スイッチング素子ＴｒＳの動作により、１つの信号線ブロックにおいて複数の信号線ＳＧＬ（例えば６本の信号線ＳＧＬ）を選択し、複数の信号線ＳＧＬと検出回路４８とを接続する。これにより、検出領域グループＰＡＧ１、ＰＡＧ２で検出された信号が検出回路４８に出力される。この場合、検出領域グループＰＡＧ１、ＰＡＧ２に含まれる複数の単位検出領域ＰＡＡ（フォトダイオードＰＤ）からの信号が統合されて検出回路４８に出力される。

ゲート線駆動回路１５及び信号線選択回路１６の動作により、検出領域グループＰＡＧ１、ＰＡＧ２ごとに検出を行うことで、１回の検出で得られる検出信号Ｖｄｅｔの強度が向上するのでセンサ感度を向上させることができる。また、検出に要する時間を短縮することができる。このため、検出装置１００は、検出を短時間で繰り返し実行することができるので、Ｓ／Ｎ比を向上させることができ、又、脈波等の生体に関する情報の時間的な変化を精度よく検出することができる。

図１０に示すように、リセット回路１７は、基準信号線Ｌｖｒ、リセット信号線Ｌｒｓｔ及び第４スイッチング素子ＴｒＲを有する。第４スイッチング素子ＴｒＲは、複数の信号線ＳＧＬに対応して設けられている。基準信号線Ｌｖｒは、複数の第４スイッチング素子ＴｒＲのソース又はドレインの一方に接続される。リセット信号線Ｌｒｓｔは、複数の第４スイッチング素子ＴｒＲのゲートに接続される。

制御回路１２２は、リセット信号ＲＳＴ２をリセット信号線Ｌｒｓｔに供給する。これにより、複数の第４スイッチング素子ＴｒＲがオンになり、複数の信号線ＳＧＬは基準信号線Ｌｖｒと電気的に接続される。制御回路１２３は、基準信号ＣＯＭを基準信号線Ｌｖｒに供給する。これにより、複数の単位検出領域ＰＡＡに含まれる容量素子Ｃａ（図１１参照）に基準信号ＣＯＭが供給される。

図１１に示すように、単位検出領域ＰＡＡは、フォトダイオードＰＤと、容量素子Ｃａと、第１スイッチング素子Ｔｒとを含む。図１１では、複数のゲート線ＧＣＬのうち、第２方向Ｄｙに並ぶ２つのゲート線ＧＣＬ（ｍ）、ＧＣＬ（ｍ＋１）を示す。また、複数の信号線ＳＧＬのうち、第１方向Ｄｘに並ぶ２つの信号線ＳＧＬ（ｎ）、ＳＧＬ（ｎ＋１）を示す。単位検出領域ＰＡＡは、ゲート線ＧＣＬと信号線ＳＧＬとで囲まれた領域である。第１スイッチング素子Ｔｒは、フォトダイオードＰＤに対応して設けられる。第１スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成されている。

第１方向Ｄｘに並ぶ複数の単位検出領域ＰＡＡに属する第１スイッチング素子Ｔｒのゲートは、ゲート線ＧＣＬに接続される。第２方向Ｄｙに並ぶ複数の単位検出領域ＰＡＡに属する第１スイッチング素子Ｔｒのソースは、信号線ＳＧＬに接続される。第１スイッチング素子Ｔｒのドレインは、フォトダイオードＰＤのカソード及び容量素子Ｃａに接続される。

フォトダイオードＰＤのアノードには、制御回路１２３からセンサ電源信号ＶＤＤＳＮＳが供給される。また、信号線ＳＧＬ及び容量素子Ｃａには、制御回路１２３から、信号線ＳＧＬ及び容量素子Ｃａの初期電位となる基準信号ＣＯＭが供給される。

単位検出領域ＰＡＡに光が照射されると、フォトダイオードＰＤには光量に応じた電流が流れ、これにより容量素子Ｃａに蓄積される電荷量が決まる。第１スイッチング素子Ｔｒがオンになると、容量素子Ｃａに蓄積された電荷に応じて、信号線ＳＧＬに電流が流れる。信号線ＳＧＬは、信号線選択回路１６の第３スイッチング素子ＴｒＳを介して検出回路４８に接続される。これにより、検出装置１００は、単位検出領域ＰＡＡごとに、又は検出領域グループＰＡＧ１、ＰＡＧ２ごとにフォトダイオードＰＤに照射される光の光量に応じた信号を検出できる。

検出回路４８は、読み出し期間にスイッチＳＳＷがオンになり、信号線ＳＧＬと接続される。検出回路４８の検出信号増幅回路４２は、信号線ＳＧＬから供給された電流の変動を電圧の変動に変換して増幅する。検出信号増幅回路４２の非反転入力部（＋）には、固定された電位を有する基準電圧Ｖｒｅｆが入力され、反転入力端子（－）には、信号線ＳＧＬが接続される。本実施形態では、基準電圧Ｖｒｅｆとして基準信号ＣＯＭと同じ信号が入力される。また、検出信号増幅回路４２は、容量素子Ｃｂ及びリセットスイッチＲＳＷを有する。リセット期間において、リセットスイッチＲＳＷがオンになり、容量素子Ｃｂの電荷がリセットされる。

このような構成により、検出装置１００は、複数のフォトダイオードＰＤを有することで、被検出体Ｆｇの静脈パターン、皮膚紋理、血中酸素飽和度、脈拍等の生体に関する情報を検出し、検出した情報を含む生体情報を装置の外部に供給することができる。

図１２は、実施形態１の光センサの模式的な部分断面図である。光センサ１は、第２可撓性基板２１と、センサ構造体２２と、保護膜２３と、を備える。第２可撓性基板２１は、絶縁性の基材であり、フィルム状の樹脂で形成された第２可撓性基板である。

センサ構造体２２は、ＴＦＴ層２２１と、カソード電極２２２と、フォトダイオードＰＤと、アノード電極２２６と、を有する。

ＴＦＴ層２２１には、第１スイッチング素子Ｔｒ等のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線が設けられる。第２可撓性基板２１及びＴＦＴ層２２１は、所定の単位検出領域ＰＡＡごとにセンサを駆動する駆動回路基板であり、バックプレーンとも呼ばれる。

フォトダイオードＰＤは、活性層２２４と、活性層２２４とカソード電極２２２との間に設けられた正孔輸送層２２３（第１キャリア輸送層）と、活性層２２４とアノード電極２２６との間に設けられた電子輸送層２２５（第２キャリア輸送層）と、を有する。言い換えると、フォトダイオードＰＤの正孔輸送層２２３、活性層２２４、電子輸送層２２５は、第２可撓性基板２１に垂直な方向で、この順で積層される。

活性層２２４は、照射される光に応じて特性（例えば、電圧電流特性や抵抗値）が変化する。活性層２２４の材料として、有機材料が用いられる。具体的には、活性層２２４は、ｐ型有機半導体と、ｎ型有機半導体であるｎ型フラーレン誘導体（ＰＣＢＭ）とが混在するバルクヘテロ構造である。活性層２２４として、例えば、低分子有機材料であるＣ_{６ ０}（フラーレン）、ＰＣＢＭ（フェニルＣ６１酪酸メチルエステル：Phenyl C61-butyric acid methyl ester）、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン：Copper Phthalocyanine）、Ｆ_１６ＣｕＰｃ（フッ素化銅フタロシアニン）、ｒｕｂｒｅｎｅ（ルブレン：5,6,11,12-tetraphenyltetracene）、ＰＤＩ（Perylene（ペリレン）の誘導体）等を用いることができる。

活性層２２４は、これらの低分子有機材料を用いて蒸着型（Dry Process）で形成することができる。この場合、活性層２２４は、例えば、ＣｕＰｃとＦ_１６ＣｕＰｃとの積層膜、又はｒｕｂｒｅｎｅとＣ_６０との積層膜であってもよい。活性層２２４は、塗布型（Wet Process）で形成することもできる。この場合、活性層２２４は、上述した低分子有機材料と高分子有機材料とを組み合わせた材料が用いられる。高分子有機材料として、例えばＰ３ＨＴ（poly（3-hexylthiophene））、Ｆ８ＢＴ（F8-alt-benzothiadiazole）等
を用いることができる。活性層２２４は、Ｐ３ＨＴとＰＣＢＭとが混合した状態の膜、又はＦ８ＢＴとＰＤＩとが混合した状態の膜とすることができる。

正孔輸送層２２３及び電子輸送層２２５は、活性層２２４で発生した正孔及び電子がカソード電極２２２又はアノード電極２２６に到達しやすくするために設けられる。正孔輸送層２２３は、カソード電極２２２の上に直接、接する。活性層２２４は、正孔輸送層２２３の上に直接、接する。正孔輸送層２２３は、酸化金属層とされる。酸化金属層として、酸化タングステン（ＷＯ_３）、酸化モリブデン等が用いられる。

電子輸送層２２５は、活性層２２４の上に直接、接し、アノード電極２２６は、電子輸送層２２５の上に直接、接する。電子輸送層２２５の材料は、エトキシ化ポリエチレンイミン（ＰＥＩＥ）が用いられる。

なお、正孔輸送層２２３、活性層２２４及び電子輸送層２２５の材料、製法はあくまで一例であり、他の材料、製法であってもよい。

カソード電極２２２と、アノード電極２２６とは、フォトダイオードＰＤを挟んで対向する。アノード電極２２６は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。カソード電極２２２は、例えば、銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料が用いられる。又は、カソード電極２２２は、これらの金属材料の少なくとも１以上を含む合金材料であってもよい。

カソード電極２２２の膜厚を制御することで、透光性を有する半透過型電極としてカソード電極２２２を形成できる。例えば、カソード電極２２２は、膜厚１０ｎｍのＡｇ薄膜で形成することで、６０％程度の透光性を有する。この場合、フォトダイオードＰＤは、光センサ１の、例えば第１面ＦＤ側から照射される第１光ＬＤを検出できる。

保護膜２３は、アノード電極２２６を覆って設けられる。保護膜２３は、パッシベーション膜であり、フォトダイオードＰＤを保護するために設けられている。光センサ１の、第２面ＦＵ（図１２参照）は、図５に示す第１可撓性基板７０の第２面７０Ａに対向する。

検出装置１００は、被検出体Ｆｇに装着された状態で、光源６０を検出タイミングに点灯させる。検出タイミングは、例えば、予め設定された日時又は時刻、検出の指示を受けた時等を含む。点灯させた光源６０の照射した光が被検出体Ｆｇを介して光センサ１が受光する。

以上説明したように、検出装置１００は、環状の筐体２００と、第１可撓性基板７０と、電池１２８と、光源６０と、光センサ１とを含む。第１可撓性基板７０は、環状の筐体２００の形状に沿って設けられる。電池１２８は、第１可撓性基板７０の第１面７０Ｂに設けられ、光源６０は、第１可撓性基板７０の第２面７０Ａに設けられる。光センサ１の第２可撓性基板２１は、第１可撓性基板７０の一方の端部７０ＥＡに、第２可撓性基板２１の一方の端部１ＥＡを重ねて、第２可撓性基板２１と第１可撓性基板７０とが電気的に接続される。これにより、光センサ１と第１可撓性基板７０とは端部７０ＥＡでのみ重なり、光センサ１が第１可撓性基板７０と重なる面積が小さくなる。光センサ１は、第１可撓性基板７０からはみ出している。その結果、第１可撓性基板７０が環状の筐体２００を周回して、光センサ１と重なっても厚みを小さくすることができる。

図２に示すように、第１可撓性基板７０が環状の筐体２００を周回して第１可撓性基板７０の他方の端部７０ＥＢが、第２可撓性基板２１と重なり、筐体２００の外側から内側をみて、電池１２８と光センサ１とが重畳する。電池１２８は、光センサ１と重なっても十分な容量を確保できるスペースを確保できる。

図２に示すように、第１可撓性基板７０が環状の筐体２００を周回して、光センサ１の第２可撓性基板２１と重なる範囲において、光センサ１は、第１可撓性基板７０よりも環状の筐体２００の内側にある。第１可撓性基板７０の第２面７０Ａは、環状の筐体２００の内側を向いているので、光は、光センサ１がある位置とは異なる位置で光源６０から照射され、被検出体Ｆｇを透過又は反射した光を受光することができる。

図１３は、実施形態１の第１可撓性基板へ光センサを取り付ける手順を説明する説明図である。実施形態１では、図１３に示す第２接続端子２９は、第１面２１Ｂに露出している。このように、光センサ１の第２可撓性基板２１は、第２可撓性基板２１の第１面２１Ｂに、第２接続端子２９を有している。そして、第２可撓性基板２１の第１面２１Ｂは、第１可撓性基板７０の第２面７０Ａと対向している。第２可撓性基板２１の第２接続端子２９は、第１可撓性基板７０の第２面７０Ａに露出する第１接続端子７９Ａと対向するように重ね合わせる。第１可撓性基板７０の第１接続端子７９Ａと、第２接続端子２９との間にＡＣＦ７１（図５）が介在し、第１接続端子７９Ａと、第２接続端子２９とを電気的に接続する。これにより、光センサ１と第１可撓性基板７０との電気的な接続が容易に行われる。

（実施形態２）
図１４は、筐体に収容する前の、実施形態２に係る光センサモジュールの断面図である。図１５は、実施形態２の光センサの模式的な断面図である。実施形態２では、実施形態１で説明した構成と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

実施形態２の光センサモジュール１２０では、実施形態１と異なり、光センサ１の向きが反対に取り付けられている。このため、図１４に示すように、第２可撓性基板２１の第１面２１Ｂは、第１可撓性基板７０の第１面７０Ｂと対向している。第２可撓性基板２１は、第２可撓性基板２１の第１面２１Ｂに、第２接続端子２９（図８参照）を有している。第２接続端子２９は、第１可撓性基板７０の第１面７０Ｂに露出する第１接続端子と対向するように重ね合わせる。第１可撓性基板７０の第１接続端子と、第２接続端子２９との間にＡＣＦ７１が介在し、第１接続端子と、第２接続端子２９とを電気的に接続する。これにより、光センサ１と第１可撓性基板７０との電気的な接続が容易に行われる。

図１５に示すように、フォトダイオードＰＤは、光センサ１の、例えば第２面ＦＵ側から照射される第１光ＬＤを検出できる。これにより、カソード電極２２２の厚みを大きくして、不透過としてもよくなり、カソード電極２２２の電気抵抗を小さくすることができる。

光センサ１と第１可撓性基板７０との電気的な接続は、半田などの低融点金属７１Ａを光センサ１の第２可撓性基板２１の端面を覆うように配置して行われる。

（実施形態３）
図１６は、筐体に収容する前の、実施形態３に係る光センサモジュールの断面図である。図１７は、図１６の光センサモジュールの上面図である。図１８は、図１６の光センサモジュールの下面図である。実施形態３では、実施形態１及び実施形態２で説明した構成と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

図１６、図１７及び図１８に示すように、電池充電用コイル１２７は、平面視で、電池１２８と重なる位置に配置される。

光センサ１の第２可撓性基板２１の第２方向Ｄｙの長さＦＬは、電池１２８の第２方向Ｄｙの長さＢＬよりも小さい。図２に示すように、第１可撓性基板７０が環状の筐体２００を周回して、光センサ１の第２可撓性基板２１と重なる範囲において、光センサ１は、第１可撓性基板７０よりも環状の筐体２００の内側に配置される。第１可撓性基板７０において、電池１２８と、光センサ１とが重畳する。平面視した電池１２８の面積が光センサ１よりも大きいので、電池１２８の外形は、光センサ１の外形を囲む。このため、筐体の形状に沿って、第１可撓性基板７０が湾曲しても、光センサ１に加わる応力が局所的に集中しにくい。その結果、光センサ１の品質が向上する。このとき、電池充電用コイル１２７は、光センサ１に重畳しない。

（実施形態４）
図１９は、実施形態４の検出装置の内側に腕を収めた状態を筐体の側方から見た場合の外観例を示す模式図である。実施形態４では、実施形態１、実施形態２及び実施形態３で説明した構成と同じ構成には、同じ符号を付して詳細な説明を省略する。

図１９に示す検出装置１００は、人体に着脱自在な指輪型のデバイスであり、人体の被検出体Ｆｇに装着される。実施形態４の被検出体Ｆｇは、手首である。検出装置１００は、装着された被検出体Ｆｇから生体に関する生体情報を検出できる。

上述した各実施形態は、各構成要素を適宜組み合わせることが可能である。また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと解される。

１ 光センサ
１０ センサ領域
２１ 第２可撓性基板
２２ センサ構造体
２３ 保護膜
２９ 第２接続端子
４８ 検出回路
６０ 光源
６０Ｒ 光照射部
６１ 第１発光素子
６２ 第２発光素子
７０ 第１可撓性基板
７１Ａ 低融点金属
７９Ａ 第１接続端子
１００ 検出装置
１２０ 光センサモジュール
１２２、１２３、１２４、１２６ 制御回路
１２７ 電池充電用コイル
１２８ 電池
２００ 筐体

Claims (10)

1. 被検出体から生体情報を検出する検出装置であって、
   前記被検出体が内部に装着される環状の筐体と、
   前記環状の筐体の形状に沿って設けられ、第１接続端子を有する第１可撓性基板と、
   前記第１可撓性基板に設けられた電池と、
   前記第１可撓性基板に設けられた光源と、
   第２接続端子を有する第２可撓性基板と、
   前記第２可撓性基板の検出領域に設けられた複数のフォトダイオードと、を含む光センサと、
   を含み、
   前記電池、前記光源及び前記光センサは、それぞれ前記第１可撓性基板の長手方向に並べられており、かつ、前記電池が前記光源と重畳しない位置に設けられ、
   前記第１可撓性基板の一方の端部に、前記第２可撓性基板の一方の端部を重ねて、前記第２接続端子が前記第１接続端子に電気的に接続しており、
   第１可撓性基板及び第２可撓性基板は、前記環状の筐体の円周方向に沿って前記環状の筐体に格納され、
   前記第１可撓性基板が前記環状の筐体を周回して、前記第１可撓性基板の他方の端部が、前記第２可撓性基板と重なり、前記環状の筐体の外側から内側をみて、前記電池と前記光センサとが重畳する、
   検出装置。
2. 前記第１接続端子は、前記第１可撓性基板の第２面に設けられ、
   前記第２可撓性基板は、前記フォトダイオードが形成されている前記第２可撓性基板の第１面と、前記第２可撓性基板の第１面と反対側の前記第２可撓性基板の第２面とを有し、
   前記第２接続端子は、前記第２可撓性基板の第１面に設けられ、
   前記第２可撓性基板の第１面は、前記第１可撓性基板の第２面と対向しており、
   前記第２接続端子が前記第１接続端子に電気的に接続している、
   請求項１に記載の検出装置。
3. 前記第１接続端子は、前記第１可撓性基板の第１面に設けられ、
   前記第２可撓性基板は、前記フォトダイオードが形成されている前記第２可撓性基板の第１面と、前記第２可撓性基板の第１面と反対側の前記第２可撓性基板の第２面とを有し、
   前記第２接続端子は、前記第２可撓性基板の第１面に設けられ、
   前記第２可撓性基板の第１面は、前記第１可撓性基板の第１面と対向しており、
   前記第２接続端子が前記第１接続端子に電気的に接続している、
   請求項１に記載の検出装置。
4. 前記第１可撓性基板が前記環状の筐体を周回して前記第２可撓性基板と重なる範囲において、前記光センサは、前記第１可撓性基板よりも前記環状の筐体の内側にある、請求項１に記載の検出装置。
5. 前記電池は、前記第１可撓性基板の第１面に設けられており、
   前記光源は、前記第１面とは反対側の前記第１可撓性基板の第２面の第１領域に設けられ、
   前記第１可撓性基板の第２面は、前記環状の筐体の内側を向いている、請求項１に記載の検出装置。
6. 前記第１可撓性基板の第１面に、前記光源の発光を制御する制御回路をさらに備え、
   前記制御回路は、前記第１領域の反対側に配置されている、
   請求項５に記載の検出装置。
7. 前記第１可撓性基板は、前記電池に充電を行うためのコイルをさらに有し、
   前記コイルは、前記光源及び前記電池とは異なる位置であって、前記光源と前記電池との間に配置されている、
   請求項５に記載の検出装置。
8. 前記電池は、前記第１可撓性基板の第１面に設けられており、
   さらに、前記第１面とは反対側の前記第１可撓性基板の第２面の第１領域に設けられ、前記電池に充電を行うためのコイルをさらに有し、
   前記コイルは、前記電池の反対側に配置され、前記筐体の外側から内側をみて、前記電池と前記コイルとが重畳する、
   請求項１に記載の検出装置。
9. 前記第１可撓性基板は、前記電池に充電を行うためのコイルをさらに有する
   請求項１から６のいずれか１項に記載の検出装置。
10. 前記第２可撓性基板は、前記第１可撓性基板よりも幅が小さい、
    請求項１から８のいずれか１項に記載の検出装置。