JP7786882B2 - フォトレジスト剥離液 - Google Patents

Description

本発明はフォトレジスト剥離液に関する。

半導体基板等は微細な配線を施した電極構造を有しており、その製造工程でフォトレジストが使用されている。電極構造は、例えば、基板上に形成されたアルミニウム等の導電性金属層やＳｉＯ_２膜等の絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、これに露光、現像の処理を施してレジストパターンを形成し、このパターニングされたレジストをマスクとして導電性金属層や絶縁膜等をエッチングし、微細配線を形成した後、不要となったフォトレジストをフォトレジスト剥離液で除去して製造される。フォトレジスト剥離液には、フォトレジストの剥離性能に加えて、低温でも凝固や沈殿が生じることのない保存安定性が求められる。

特許文献１には、フォトレジストを剥離する強アルカリ剤として水酸化第四級アンモニウムを含み、水酸化第四級アンモニウムをジメチルスルホキシドに溶解させるためにアルキレンアミン、並びに、多価アルコール及び／又は分子量１００以下のグリコールエーテルを含むフォトレジスト剥離液が開示されている。該剥離液は低温での保存安定性が改善されているが十分ではなく、またフォトレジストの剥離性能にはさらなる向上が求められていた。

特許文献２には、フォトレジスト剥離液に複数の有機溶剤を配合することにより、フォトレジストの剥離性能を改善することが開示されている。しかし、該剥離液では低温での保存安定性が十分とはいえなかった。

国際公開ＷＯ２０１７／０６５１５３号公報 特開２００７－２５４５５５号公報

本発明は、充分なレジスト剥離性を維持しつつ、保存安定性に優れたフォトレジスト剥離液を提供することを目的とする。

本発明者は、特定の有機溶剤を含むフォトレジスト剥離液が、充分なレジスト剥離性を維持しつつ、保存安定性にも優れることを見出し、本発明を完成した。

即ち、本発明は、水酸化第四級アンモニウム（Ａ）、水（Ｂ）、及び有機溶剤（Ｃ）を含むフォトレジスト剥離液であって、
有機溶剤（Ｃ）が以下の有機溶剤（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び（Ｃ３）：
ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が１５．０以上２１．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が６．０以上１４．０未満である有機溶剤（Ｃ１）
ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上１４．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が８．０以上３１．０未満である有機溶剤（Ｃ２）
ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上８．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が２．５以上８．０未満である有機溶剤（Ｃ３）
の混合物である、フォトレジスト剥離液に関する。

有機溶剤（Ｃ１）の含有量が１５～８０重量％であることが好ましい。

有機溶剤（Ｃ２）の含有量が１～５０重量％であることが好ましい。

有機溶剤（Ｃ３）の含有量が３～５０重量％であることが好ましい。

有機溶剤（Ｃ１）～（Ｃ３）の合計含有量が６０～９５重量％であることが好ましい。

フォトレジスト剥離液は、さらにアルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）を含むことが好ましい。

（Ｄ）成分がアルカノールアミンであることが好ましい。

有機溶剤（Ｃ１）がジメチルスルホキシドであることが好ましい。

フォトレジスト剥離液は、ドライフィルムレジストの剥離に用いられることが好ましい。

本発明のフォトレジスト剥離液は、水酸化第四級アンモニウム（Ａ）及び水（Ｂ）に加え、特定の有機溶剤（Ｃ１）～（Ｃ３）の混合物を含むため、充分なレジスト剥離性を維持しつつ、保存安定性にも優れる。

＜＜フォトレジスト剥離液＞＞
本発明のフォトレジスト剥離液は、水酸化第四級アンモニウム（Ａ）、水（Ｂ）、及び有機溶剤（Ｃ）を含むフォトレジスト剥離液であって、有機溶剤（Ｃ）が以下の有機溶剤（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び（Ｃ３）：
（Ｃ１）ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が１５．０以上２１．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が６．０以上１４．０未満である有機溶剤
（Ｃ２）ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上１４．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が８．０以上３１．０未満である有機溶剤
（Ｃ３）ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上８．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が２．５以上８．０未満である有機溶剤
の混合物であることを特徴とする。

＜（Ａ）水酸化第四級アンモニウム＞
水酸化第四級アンモニウムとしては、例えば下記一般式（１）で表される化合物を用いることができる。

一般式（１）中、Ｒ^１～Ｒ^４は炭素数１～１２のアルキル基、ヒドロキシ置換アルキル基又は芳香族置換アルキル基を表し、同一であっても異なっていてもよい。

水酸化第四級アンモニウムの具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化トリメチル（２－ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリプロピル（２－ヒドロキシエチル）アンモニウム、水酸化トリメチル（１－ヒドロキシプロピル）アンモニウム等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中では、レジスト剥離性の観点から、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウムが好ましい。また、分子量が最も小さく、単位重量当たりのモル濃度が高くなり、効果的に働くことから、水酸化テトラメチルアンモニウムがより好ましい。

本発明のフォトレジスト剥離液において、水酸化第四級アンモニウムの含有量は特に限定されないが、０．５～２０重量％であることが好ましく、０．８～８重量％であることがより好ましく、１～５％であることが更に好ましい。水酸化第四級アンモニウムの含有量が０．５重量％未満であると、レジスト剥離性が低下することがあり、２０重量％を超えると、金属腐食性が高くなることがある。

＜（Ｂ）水＞
水は水酸化第四級アンモニウムを溶解させるために配合する。水の含有量は特に限定されないが、レジスト剥離性の観点からは、３０重量％以下であることが好ましく、ネガ型レジスト剥離性の観点からは、２０重量％以下であることが好ましい。特に、後述するアルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）を含む本発明のフォトレジスト剥離液をネガ型ドライフィルムレジストの剥離に用いる場合、水の含有量は１０重量％以下であることがより好ましく、１～１０重量％であることがさらに好ましく、２～６重量％であることが特に好ましい。水の含有量が１重量％未満であると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがあり、１０重量％を超えると、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離性が低下することがある。一方、アルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）を含まない本発明のフォトレジスト剥離液をネガ型ドライフィルムレジストの剥離に用いる場合、水の含有量は２～１５重量％であることがより好ましく、４～１０重量％であることがさらに好ましい。水の含有量が２重量％未満であると、水酸化第四級アンモニウムの溶解性が低下することがあり、１５重量％を超えると、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離性が低下することがある。

＜（Ｃ）有機溶剤＞
有機溶剤（Ｃ）は有機溶剤（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び（Ｃ３）の混合物である。有機溶剤（Ｃ１）～（Ｃ３）は特定のハンセン溶解度パラメータを充足する溶剤である。なお、ハンセン溶解度パラメータは、ヒルデブランド（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ）による溶解度パラメータを、分散項ｄＤ、極性項ｄＰ、水素結合項ｄＨの３つのパラメータで表現するものである。分散項ｄＤ、極性項ｄＰ、水素結合項ｄＨは物質固有の物性値であり、例えば、「Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ：Ａ Ｕｓｅｒ’ｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，ＨＳＰｉＰ ３ｒｄ Ｅｄｉｔｉｏｎ ｖｅｒ．３．０．２０」に示されている。なお、水素結合項ｄＨは、前記文献に記載の値を使用することができる他、ニューラルネットワーク法であるＹ－ＭＢ法を用いて算出することもできる。

フォトレジスト剥離液全体に対する有機溶剤（Ｃ１）～（Ｃ３）の合計含有量は特に限定されないが、レジスト剥離性と保存安定性のバランスの観点から６０～９５重量％が好ましく、８０～９５重量％がより好ましく、８５～９５重量％がさらに好ましい。６０重量％未満では水酸化第四級アンモニウムや水の比率が高くなり金属腐食することがあり、９５重量％を超えると剥離性が不十分となることがある。

＜有機溶剤（Ｃ１）＞
有機溶剤（Ｃ１）は、ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が１５．０以上２１．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が６．０以上１４．０未満である。極性項（ｄＰ）は１５．５～２０が好ましく、１６～２０がより好ましい。極性項（ｄＰ）が１５．０未満では剥離性が不十分となる傾向があり、２１．０以上では保存安定性が不十分となる傾向がある。水素結合項（ｄＨ）は６～１３が好ましく、７～１２がより好ましい。水素結合項（ｄＨ）が６．０未満では保存安定性が不十分となる傾向があり、１４．０以上では剥離性が不十分となる傾向がある。

有機溶剤（Ｃ１）のハンセン溶解度パラメータの分散項（ｄＤ）は特に限定されないが、１５～２１が好ましく、１７～２１がより好ましい。１５未満、又は２１を超えると剥離性が不十分となる場合がある。

有機溶剤（Ｃ１）の具体例としては、ジメチルスルホキシド、スルフォラン、ジメチルスルフォン、２－ピロリドン、γ－ブチロラクトン等が挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、２以上を混合して使用してもよい。

フォトレジスト剥離液全体に対する有機溶剤（Ｃ１）の含有量は特に限定されないが、１５～８０重量％が好ましく、５０～８０重量％がより好ましく、５０～７８重量％がさらに好ましい。１５重量％未満や８０重量％を超えるとレジスト剥離性が不十分となることがある。

＜有機溶剤（Ｃ２）＞
有機溶剤（Ｃ２）は、ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上１４．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が８．０以上３１．０未満である。極性項（ｄＰ）は３．５～１３が好ましく、４～１３がより好ましい。極性項（ｄＰ）が３．０未満では剥離性が不十分となる傾向があり、１４．０以上では保存安定性が不十分となる傾向がある。水素結合項（ｄＨ）は８．５～３０が好ましく、９～３０がより好ましい。水素結合項（ｄＨ）が８．０未満では保存安定性が不十分となる傾向があり、３１．０以上では剥離性が不十分となる傾向がある。

有機溶剤（Ｃ２）のハンセン溶解度パラメータの分散項（ｄＤ）は特に限定されないが、１０～２５が好ましく、１４～２０がより好ましい。１０未満では剥離性が不十分となる場合があり、２５を超えると保存安定性が不十分となる場合がある。

有機溶剤（Ｃ２）の具体例としては、グリセロール等の多価アルコール類；１－ブトキシ－２－プロパノール、３－メトキシ－３－メチルブタノール等のメトキシブタノール類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール等のグリコール類；エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールヘキシルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールヘキシルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、トリエチレングリコールブチルエーテル、トリエチレングリコールヘキシルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールエチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールヘキシルエーテル等のグリコールモノエーテル類が挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、２以上を混合して使用してもよい。

以上に挙げた中でも、有機溶剤（Ｃ２）としては、少量添加でも効果を奏するという点で、多価アルコール類、メトキシブタノール類、グリコール類が好ましい。

フォトレジスト剥離液全体に対する有機溶剤（Ｃ２）の含有量は特に限定されないが、１～５０重量％が好ましく、２～３０重量％がより好ましい。１重量％未満では保存安定性が不十分となることがあり、５０重量％を超えるとレジスト剥離性が不十分となることがある。

＜有機溶剤（Ｃ３）＞
有機溶剤（Ｃ３）は、ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上８．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が２．５以上８．０未満である。極性項（ｄＰ）は４．０～７．５が好ましく、４．５～７．０がより好ましい。極性項（ｄＰ）が３．０未満では剥離性が不十分となる傾向があり、８．０以上では保存安定性が不十分となる傾向がある。水素結合項（ｄＨ）は３～７．５が好ましく、４．０～７．０がより好ましい。水素結合項（ｄＨ）が２．５未満では剥離性が不十分となる傾向があり、８．０以上では保存安定性が不十分となる傾向がある。

有機溶剤（Ｃ３）のハンセン溶解度パラメータの分散項（ｄＤ）は特に限定されないが、１０～２０が好ましく、１３～１８がより好ましい。１０未満では保存安定性が不十分となる場合があり、２０を超えると保存安定性が不十分となる場合がある。

有機溶剤（Ｃ３）の具体例としては、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールメチルブチルエーテル、エチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールメチルブチルエーテル、トリエチレングリコールメチルブチルエーテル、プロピレングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリコールメチルブチルエーテル、プロピレングリコールメチルブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルブチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルブチルエーテル等のグリコールジエーテル類が挙げられる。これらの溶剤は、単独で用いてもよく、２以上を混合して使用してもよい。

以上に挙げた中でも、有機溶剤（Ｃ３）としては、剥離性が良好という点で、ジメチルエーテル類が好ましい。

フォトレジスト剥離液全体に対する有機溶剤（Ｃ３）の含有量は特に限定されないが、３～５０重量％が好ましく、５～４０重量％がより好ましい。３重量％未満では保存安定性が不十分となることがあり、５０重量％を超えると剥離性が不十分となることがある。

＜任意成分＞
本発明のフォトレジスト剥離液は、前述した（Ａ）～（Ｃ）成分に加えて、他の任意成分を含有していてもよい。任意成分としては、アルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）、防食剤、（Ｃ）成分以外の有機溶剤、界面活性剤、消泡剤等が挙げられる。

フォトレジスト剥離剤がアルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）を含む場合、アルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）は水酸化第四級アンモニウムの溶解剤として作用する。

アルキレンアミンとしては、特に限定されず下記一般式（２）で表される化合物を用いることができる。

（一般式（２）中、ｍ、ｎは１～５の整数を表す。Ｒ^５、Ｒ^６は、互いにそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数１～３のアルキル基を表す。Ｒ^５、Ｒ^６が複数ある場合は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。）

アルキレンアミンの具体例としては、エチレンジアミン（ＥＤＡ）、ジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、テトラエチレンペンタミン（ＴＥＰＡ）、ペンタエチレンヘキサミン（ＰＥＨＡ）等の下記一般式（３）で表されるエチレンアミン、プロピレンジアミン等が挙げられる。これらの中では、二酸化炭素の吸収性の観点から、下記一般式（３）で表されるエチレンアミンが好ましく、ｎ＝２以上のポリエチレンアミンがより好ましく、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミンがさらに好ましい。これらのアルキレンアミンは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
（一般式（３）中、ｎは１～５の整数を表す。）

アルカノールアミンの具体例としては、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ－メチルエタノールアミン（ＭＭＡ）、モノメチルジエタノールアミン（ＭＤＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）が挙げられる。これらの中でも保存安定性の観点でモノエタノールアミンが好ましい。

本発明のフォトレジスト剥離液において、アルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）を配合する場合、その含有量は特に限定されないが、０．５～２５重量％であることが好ましく、１～２０重量％であることがより好ましい。アルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）の含有量が０．５重量％未満であると、経時安定性が低下することがあり、２５重量％を超えると、レジスト剥離性が低下することがある。また、アルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）の含有量は、経時安定性の観点から、水酸化第四級アンモニウム１００重量部に対して１０重量部以上であることが好ましい。

防食剤としては、特に限定されないが、例えば、ベンゾトリアゾール、アミノテトラゾール、５－アミノ －１－フェニルテトラゾール、５－アミノ－１－（１－ナフチル）テトラゾール、１－メ チル－５－アミノテトラゾール、１，５－ジアミノテトラゾール、イミダゾール、インドール、プリン、ピラゾール、ピリジン、ピリミジン、ピロール、ピロリジン、ピロリン等の含窒素複素環化合物、マルトール、クレアチニン等を挙げることができる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよいが、複数金属に対する防食性の観点からは、マルトール及びクレアチニンを含有することが望ましい。Ｃｕに対する防食性の観点からは、ベンゾトリアゾール、インドール、ピロリンを含有することが望ましい。防食剤の含有量は０．０１～５重量％が好ましい。

（Ｃ）成分以外の有機溶剤としては、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、Ｎ－メチルピロリドン等が挙げられる。これらの有機溶剤の含有量は、１～１０重量％が好ましい。

界面活性剤としては、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム等のカチオン系界面活性剤、アルキルベンゼンスルホン酸塩等のアニオン系界面活性剤、コカミドプロピルベタイン等の両性界面活性剤、ポリオキシエチレンアルキルエーテル等のノニオン系界面活性剤、等が挙げられる。界面活性剤の含有量は０．０１～１重量％が好ましい。

消泡剤としては、シリコーンオイル、脂肪酸エステル等が挙げられる。消泡剤の含有量は０．０１～１重量％が好ましい。

本発明のフォトレジスト剥離液は、上述した各成分を常法により混合することで調製することができる。調整後は－５～４０℃の温度で、濁り、凝固、沈殿を生じることなく保存することができる。

本発明のフォトレジスト剥離液は、半導体基板やフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板等の製造工程において、金属配線等のエッチング処理後に不要となったフォトレジストを剥離するために用いることができる。本発明のフォトレジスト剥離液は常温のほか、例えば３０℃～８０℃に加熱して使用することができる。剥離に要する時間は、フォトレジストの変質度合い等によるが、一般には、例えば３０秒～１０分間程度である。処理後、必要に応じて水洗、空気ブロー乾燥等を行うことができる。

本発明のフォトレジスト剥離液を用いて、銅層又は銅合金層を有する金属配線基板のフォトレジストを剥離するには、フォトレジストを使用して銅層又は銅合金層を有する金属配線を基板上に形成する際に、銅層又は銅合金層の腐食を防止するために、不要となったフォトレジストを本発明のフォトレジスト剥離液を使用して剥離除去すればよい。より具体的には、基板を本発明のフォトレジスト剥離液中に、例えば室温～８０℃、１～３０分間浸漬する。このとき、必要によりフォトレジスト剥離液を攪拌するか、又は基板を振動してもよい。または、本発明のフォトレジスト剥離液を基板にシャワーやスプレー等で吹き付けることもできる。この際、ブラシ洗浄を併用することにより、レジスト剥離性を向上させることもできる。

フォトレジストを溶解又は剥離した後、好ましくは純水で、溶解したレジストを含むフォトレジスト剥離液を洗浄除去し、レジストを基板上から除去する。その後、エアナイフ等で、基板上の液体を吹き飛ばし、基板を乾燥させる。こうすることにより、銅層又は銅合金層が過度に腐食して銅配線又は銅合金配線の線幅がやせてしまうことを防止でき、エッチングで形成された配線断面形状を損なうことなく、良好な金属配線が形成される。金属配線の多層態様としては、上層から順に、銅又は銅合金の１層配線、銅又は銅合金／上層とは異なる組成の銅又は銅合金の２層配線、銅又は銅合金／モリブテン、チタン等のキャップメタルの２層配線、モリブデン、チタン等のキャップメタル／銅又は銅合金／モリブテン、チタン等のキャップメタルの３層配線等が挙げられる。

本発明のフォトレジスト剥離液は、ポジ型、ネガ型のいずれのフォトレジストの剥離にも使用することができるが、高いフォトレジスト剥離性を有することから、ネガ型ドライフィルムレジストの剥離に好適に用いられる。

以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。

実施例で用いた有機溶剤のハンセン溶解度パラメータを表１に示す。

（実施例１～１２、比較例１～５）
下記表２に示す重量比で（Ａ）～（Ｄ）成分を混合し、フォトレジスト剥離液を得た。後述する方法により、得られたフォトレジスト剥離液の液状態、レジスト剥離性を評価した。結果を表２に示す。

（評価方法）
１．液状態
フォトレジスト剥離液の－５℃、０℃、２４℃での液状態を目視で観察し、以下の基準で評価した。
◎：濁りなし
○：わずかな濁りあり
△：濁りあり
×：凝固あり
××：沈殿あり

２．レジスト剥離性
Ｓｉ基板上にＴｉ膜及び銅シード層をそれぞれスパッタリングで形成した上に、フォトレジスト（ネガ型ドライフィルムレジスト：旭化成株式会社製 サンフォート「ＴＳ－Ｂ４００」）を膜厚２４０μｍとなるようロールラミネートし、ＵＶ露光及び現像によりフォトレジストのパターニングを行った後、電気めっきにて銅めっき層（膜厚２００μｍ）を形成した。この基板を７０℃に調整したフォトレジスト剥離液に浸漬し、３０分間処理をした。浸漬処理後、基板を水洗及び空気ブロー乾燥した。電子顕微鏡を用いてドライフィルムレジストの剥離具合を確認し、以下の基準で評価した。
◎：基板上にドライフィルムレジストは存在せず、剥離液中に完全に溶解している
〇：基板上にドライフィルムレジストは存在しないが、剥離液中に少し残渣が残る
△：基板上に薄く残渣が残る。剥離液中にも残渣が残る
×：基板上に厚く残渣が残る。剥離液中にも残渣が残る
××：ドライフィルムレジストはほぼ溶解せず、剥離処理前とほぼ変化なし

比較例１は有機溶剤（Ｃ３）を含まないため、レジスト剥離性に劣っていた。比較例２は有機溶剤（Ｃ２）を含まないため凝固点が高く、低温では水酸化第四級アンモニウムが析出し、液状態とレジスト剥離性のいずれも劣っていた。比較例３は有機溶剤（Ｃ１）を含まないため、レジスト剥離性に劣っていた。比較例４～５は有機溶剤（Ｃ３）を含まないためレジスト剥離性に劣っており、また、凝固点が高く低温では凝固した。実施例１～１２は低温でも液状態が安定しており、レジスト剥離性も良好であった。

Claims (9)

1. 水酸化第四級アンモニウム（Ａ）、水（Ｂ）、有機溶剤（Ｃ）、及びアルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）を含むフォトレジスト剥離液であって、
   有機溶剤（Ｃ）が以下の有機溶剤（Ｃ１）、（Ｃ２）、及び（Ｃ３）：
   ジメチルスルホキシドである有機溶剤（Ｃ１）
   ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上１４．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が８．０以上３１．０未満である有機溶剤（Ｃ２）
   ハンセン溶解度パラメータの極性項（ｄＰ）が３．０以上８．０未満であり、水素結合項（ｄＨ）が２．５以上８．０未満であり、ジメチルエーテル類である有機溶剤（Ｃ３）
   の混合物であり、
   水酸化第四級アンモニウム（Ａ）の含有量が５重量％以下であり、
   有機溶剤（Ｃ１）の含有量が５０～８０重量％であり、
   有機溶剤（Ｃ２）の含有量が１～５０重量％であり、
   有機溶剤（Ｃ３）の含有量が３～５０重量％である、
   金属配線基板上のフォトレジストを剥離するためのフォトレジスト剥離液。
2. 有機溶剤（Ｃ１）の含有量が５０～７８重量％である請求項１に記載のフォトレジスト剥離液。
3. 有機溶剤（Ｃ２）の含有量が２～３０重量％である請求項１又は２に記載のフォトレジスト剥離液。
4. 有機溶剤（Ｃ３）の含有量が５～４０重量％である請求項１～３のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
5. 有機溶剤（Ｃ１）～（Ｃ３）の合計含有量が６０～９５重量％である請求項１～４のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
6. アルキレンアミン又はアルカノールアミン（Ｄ）の含有量が０．５～２５重量％である請求項１～５のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
7. （Ｄ）成分がアルカノールアミンである請求項１～６のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
8. 有機溶剤（Ｃ３）がトリエチレングリコールジメチルエーテルである請求項１～７のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
9. ドライフィルムレジストの剥離に用いるための、請求項１～８のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。