JP7789097B2 - 複合配線基板、電子部品収容用パッケージ及び電子装置 - Google Patents

Description

本開示は、複合配線基板、電子部品収容用パッケージ及び電子装置に関する。

国際公開第２０１９／０５００４６号には、電子部品収容用パッケージとフレキシブル基板との接続構造が示されている。

本開示に係る複合配線基板は、
第１接合領域を有する配線基板と、
前記第１接合領域に重なる第２接合領域を有するフレキシブル基板とを備え、
前記配線基板は、
第１信号線路と、
前記第１信号線路に隣り合う切欠きと、を有し、
前記フレキシブル基板は、
前記第１信号線路と接合される第２信号線路と、
前記第２信号線路に隣り合うスリットと、を有し、
平面透視で前記切欠きが前記第１接合領域に位置し、
平面透視で前記スリットが前記第２接合領域に位置し、
平面透視において前記切欠きと前記スリットとが少なくとも一部で重なっている。

本開示に係る電子部品収容用パッケージは、
上記の複合配線基板と、
前記配線基板上に位置する枠体と、
を備える。

本開示に係る電子装置は、
上記の電子部品収容用パッケージと、
前記枠体内に位置する電子部品と、
を備える。

本開示の実施形態１に係る複合配線基板の要部を示す斜視図である。 本開示の実施形態１に係る複合配線基板の要部を示す裏側斜視図である。 フレキシブル基板の要部を示す表側の平面図である。 フレキシブル基板の要部を示す裏側の平面図である。 配線基板の要部を示す平面図である。 信号線路の接合部周辺を示す縦断面図である。 信号線路の接合部周辺を示す平面図である。 図４ＢのＡ－Ａ線における断面において各部の幅を説明する図である。 図４ＢのＡ－Ａ線における断面において重畳領域を説明する図である。 実施形態１の複合配線基板と比較例の周波数特性を示すグラフである。 実施形態１の複合配線基板と比較例のインピーダンス特性を示すグラフである。 実施形態２の複合配線基板を示す断面図である。 実施形態３の複合配線基板を示す断面図である。 実施形態４の複合配線基板を示す斜視図である。 実施形態１～４のスリットを示す図である。 スリットの変形例１を示す図である。 スリットの変形例２を示す図である。 スリットの変形例３を示す図である。 スリットの変形例４を示す図である。 スリットの変形例５を示す図である。 スリットの変形例６を示す図である。 配線基板の切欠きの変形例７を示す縦断面図である。 配線基板の切欠きの変形例８を示す縦断面図である。 配線基板の切欠きの変形例９を示す縦断面図である。 本開示の実施形態に係る電子部品収容用パッケージ及び電子装置を示す斜視図である。 本開示の実施形態に係る電子部品収容用パッケージのもう一つの例を示す斜視図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

（実施形態１）
図１Ａは、本開示の実施形態１に係る複合配線基板の要部を示す斜視図である。図１Ｂは、本開示の実施形態１に係る複合配線基板の要部を示す裏側斜視図である。図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれフレキシブル基板の要部を示す表側の平面図と裏側の平面図である。図３は、配線基板の要部を示す平面図である。

実施形態１に係る複合配線基板１０は、配線基板２０と、フレキシブル基板３０とを備える。

＜配線基板＞
配線基板２０は、絶縁基板２１と、絶縁基板２１に位置する第１信号線路２２と、切欠きとしての凹部２４と、を有する。

凹部２４は、第１信号線路２２に隣り合う。第１信号線路２２と凹部２４とが隣り合う方向は、第１信号線路２２の線幅方向であってよいし、線路方向であってもよいし、線幅方向に対して斜めの方向であってもよい。隣り合う際に、第１信号線路２２の線路方向における中心線と凹部２４の長手方向における中心線とは平行であってもよいし、平行でなくてもよい。凹部２４は、第１信号線路２２の周辺に位置してもよい。第１信号線路２２の周辺とは、第１信号線路２２の伝送特性に影響を及ぼす程度に近いことを意味し、第１信号線路２２からの距離が、第１信号線路２２の線幅の２倍以下であることを意味してもよい。

配線基板２０は、さらに、絶縁基板２１に位置する接地導体２３を有してもよい。

絶縁基板２１は、セラミックであってもよいし、樹脂であってもよい。図１～図５では、配線基板２０が枠体５２と一体化されている例を示しているが、枠体５２は無くてもよい。絶縁基板２１は、枠体５２の無い板状であってもよい。また、枠体５２は、配線基板２０と一体形成されたものでもよいし、別体として形成されたものが配線基板２０に接合されたものであってもよい。絶縁基板２１と枠体５２との間に別の部材を有していてもよい。

第１信号線路２２は、高周波信号を伝送する信号線路である。第１信号線路２２は、１本の信号線路であるシングルエンドの構成でもよいし、２本の信号線路、すなわち、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとを含んでいてもよい。第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとは互いに並列していてもよい。第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとは差動信号が伝送される信号線路であってもよい。

第１信号線路２２（すなわち、第１ａ信号線路２２ａ及び第１ｂ信号線路２２ｂ）は、絶縁基板２１の上面に位置していてもよい。第１信号線路２２は、一部が絶縁基板２１の上面に位置し、残りの部分が絶縁基板２１の内部又は裏面に位置してもよい。枠体５２を有する場合、第１信号線路２２の一部は枠体５２の内部（例えば、枠体５２と絶縁基板２１との間など）に位置してもよい。

凹部２４は、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとの間に位置してもよい。凹部２４は、信号線路に沿った方向に長い形状を有してもよい。凹部２４は、平面透視で長丸形状であってもよいし、矩形状であってもよい。平面透視とは、第１信号線路２２が位置する配線基板２０の基板面に垂直な方向から透視することを意味する。凹部２４は、基板面に開口していてもよい。凹部２４は、断面視において、テーパ状、逆テーパ状および階段形状であってもよい。テーパ状とは凹部２４の開放側が底側よりも広い形状であり、逆テーパ状とは凹部２４の底側が開放側よりも広い形状である。また、凹部２４は、第１ａ信号線路２２ａおよび第１ｂ信号線路２２ｂと間を空けていてもよいし、接していてもよい。

接地導体２３は、第１信号線路２２（すなわち、第１ａ信号線路２２ａ及び第１ｂ信号線路２２ｂ）の両側に位置する接地膜導体２３ａ、２３ｂ（図３を参照）と、凹部２４の底面に位置する接地膜導体２３ｃ（図３を参照）と、第１信号線路２２よりも下層に広がる接地膜導体２３ｄ（図１Ａを参照）と、枠体５２を有する場合に枠体５２内の第１信号線路２２よりも上層に広がる接地膜導体２３ｅ（図１Ａを参照）と、接地膜導体２３ａ、２３ｂ、２３ｃと下層の接地膜導体２３ｄとを導通する接地ビア導体２３ｖ１（図１Ａを参照）と、接地膜導体２３ａ、２３ｂと上層の接地膜導体２３ｅとを導通する接地ビア導体２３ｖ２（図１Ａを参照）とを含んでもよい。接地導体２３は、さらに、第１ａ信号線路２２ａ及び第１ｂ信号線路２２ｂの間に位置する接地線路２３ｈ（図３を参照）と、接地線路２３ｈと下層又は上層の接地膜導体２３ｄ、２３ｅとを導通する接地ビア導体（図示略）とを含んでもよい。

接地膜導体２３ａ、２３ｂは、第１信号線路２２（すなわち、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂ）との間に間隙を挟んで、信号線路に沿った方向と信号線路の線幅方向とに広がる膜状であってもよい。

接地線路２３ｈは、凹部２４が位置する領域以外で、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとの間に位置してもよい。

＜配線基板の第１接合領域の詳細＞
配線基板２０は、図１Ａ、図１Ｂ及び図３に示すように、フレキシブル基板３０が重なる第１接合領域Ｒ１を有する。配線基板２０は、基板面の一方に第１信号線路２２の延長線と交差する第１縁部Ｅ２０を有し、第１接合領域Ｒ１は第１縁部Ｅ２０を含む領域であってもよい。枠体５２を有する場合、第１接合領域Ｒ１は枠体５２の裾部まで広がっていてもよい。つまり、枠体５２とフレキシブル基板３０の縁部とが接触していてもよい。

第１接合領域Ｒ１には、図３に示すように、前述した、第１信号線路２２（すなわち、第１ａ信号線路２２ａ及び第１ｂ信号線路２２ｂ）の一部と、凹部２４と、接地膜導体２３ａ、２３ｂの一部と、接地膜導体２３ｃとが位置していてもよい。

第１ａ信号線路２２ａ及び第１ｂ信号線路２２ｂは、線路端を含む一部が第１接合領域Ｒ１に位置してもよい。第１ａ信号線路２２ａの一端及び第１ｂ信号線路２２ｂの一端は、第１縁部Ｅ２０から離間していてもよい。第１ａ信号線路２２ａ及び第１ｂ信号線路２２ｂは、第１接合領域Ｒ１上に露出していてもよい。

凹部２４は、全体が第１接合領域Ｒ１に位置していてもよい。

接地膜導体２３ａ、２３ｂは、第１接合領域Ｒ１における第１縁部Ｅ２０から反対側の縁部まで広がっていてもよい。つまり、接地膜導体２３ａ、２３ｂは、平面透視において第１縁部Ｅ２０からフレキシブル基板３０の第２縁部Ｅ３０に重なる位置まで延在していてもよい。第１接合領域Ｒ１において、第１信号線路２２を挟んで位置する２つの接地膜導体２３ａ、２３ｂの間隔（具体的には信号線路の線幅方向の間隔）は、第１縁部Ｅ２０側において狭く、第１接合領域Ｒ１の中央部において広く、第１縁部Ｅ２０の反対側の縁部において狭くてもよい。接地膜導体２３ａ、２３ｂは第１接合領域Ｒ１上に露出していてもよい。

接地膜導体２３ｃは、凹部２４の底面に位置してもよい。凹部２４の底面、接地膜導体２３ｃの上側には絶縁膜２５が覆っていてもよい。絶縁膜２５はアルミナコートであってもよい。例えば、第１信号線路２２または凹部２４が第１縁部Ｅ２０に接していてもよい。例えば、凹部２４が配線基板２０の端面に対して開口していてもよい。また、凹部２４は配線基板２０の上面から下面まで貫通する孔部であってもよい。

＜フレキシブル基板＞
フレキシブル基板３０は、図２Ａ、図２Ｂに示すように、可撓性を有するシート状の絶縁基体３１を有してもよい。絶縁基体３１は、第１面Ｓ１と、第１面Ｓ１とは反対側に位置する第２面Ｓ２とを有する。

フレキシブル基板３０は、第１面Ｓ１に位置する第２信号線路３２を有する。第２信号線路３２は、配線基板２０の第１信号線路２２に一部が接合される線路であり、第１信号線路２２と同一の線路数を有してもよい。したがって、第２信号線路３２は、２本の信号線路、すなわち、第２ａ信号線路３２ａと第２ｂ信号線路３２ｂとを含んでもよい。第２ａ信号線路３２ａと第２ｂ信号線路３２ｂとは互いに並列していてもよい。第２ａ信号線路３２ａと第２ｂ信号線路３２ｂとは差動信号が伝送される信号線路であってもよい。第２信号線路３２は、線幅が他の部位よりも広い電極パッド３２ｃ、３２ｄを有してもよい。電極パッド３２ｃ、３２ｄは、信号線路に沿った方向に長い形状を有し、第２信号線路３２の端に位置してもよい。

フレキシブル基板３０は、さらに、第２信号線路３２に隣り合うスリット３５を有する。第２信号線路３２とスリット３５とが隣り合う方向は、第２信号線路３２の線幅方向であってよいし、線路方向であってもよいし、線幅方向に対して斜めの方向であってもよい。隣り合う際に、第２信号線路３２の線路方向の中心線とスリット３５の長手方向の中心線とは平行である必要はない。スリット３５は、第２信号線路３２の周辺に位置してもよい。第２信号線路３２の周辺とは、第２信号線路３２の伝送特性に影響を及ぼす程度に近いことを意味し、第２信号線路３２からの距離が、第２信号線路３２の線幅の２倍以下であることを意味してもよい。スリット３５は、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２にかけて位置してもよい。スリット３５内は空隙であってもよい。スリット３５の形状は、矩形状、円形状、長円形状、楕円状などであってもよい。また、スリット３５の幅は、第２縁部Ｅ３０から離れるにつれて、大きくなってもよいし、逆に、第２縁部Ｅ３０から離れるにつれて、小さくなってもよい。スリット３５は、断面視において、テーパ状、逆テーパ状および階段形状であってもよい。テーパ状とは第１面Ｓ１の高さにおける寸法よりも第２面Ｓ２の高さにおける寸法の方が大きくなるように側面が傾斜している形状である。逆テーパ状とは第１面Ｓ１の高さにおける寸法よりも第２面Ｓ２の高さにおける寸法の方が小さくなるように側面が傾斜している形状である。また、スリット３５は、第２信号線路３２と間を空けていてもよいし、接していてもよい。

フレキシブル基板３０は、さらに、第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２に位置する後述する膜導体と、第１面Ｓ１から第２面Ｓ２にかけて位置する後述するビア導体と、を有してもよい。

上記の膜導体は、第２面Ｓ２に位置する電極膜導体３３ａ、３３ｂと、第２面Ｓ２に位置する第２接地膜導体３３ｅと、第１面Ｓ１の第２信号線路３２を挟んだ両側に位置する第１接地膜導体３３ｃ、３３ｄとを含んでもよい。電極膜導体３３ａ、３３ｂは、第２信号線路３２の電極パッド３２ｃ、３２ｄに対向するように位置してもよい。第２接地膜導体３３ｅは、間隙を挟んで電極膜導体３３ａ、３３ｂの周囲に広がり、電極膜導体３３ａ、３３ｂを三方向から囲う構成であってもよい。三方向とは、信号線路の線幅方向の両方と、信号線路に沿った一つの方向である。

上記のビア導体は、電極パッド３２ｃ、３２ｄと電極膜導体３３ａ、３３ｂとを接続する電極ビア導体３４ａ～３４ｄと、第１接地膜導体３３ｃ、３３ｄと第２接地膜導体３３ｅとを接続する複数の接地ビア導体（図示略）とを含んでよい。複数の接地ビア導体は、第２ａ信号線路３２ａ及び第２ｂ信号線路３２ｂを挟んだ両側に、信号線路に沿って並んでいてもよい。

＜フレキシブル基板の第２接合領域の詳細＞
フレキシブル基板３０は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、配線基板２０の第１接合領域Ｒ１と重なる第２接合領域Ｒ２を有する。フレキシブル基板３０は、一方に第２信号線路３２の延長線と交差する第２縁部Ｅ３０を有し、第２接合領域Ｒ２は第２縁部Ｅ３０を含む領域であってもよい。

第２接合領域Ｒ２には、前述した、第２信号線路３２の電極パッド３２ｃ、３２ｄと、第１接地膜導体３３ｃ、３３ｄの一部と、スリット３５とが位置していてもよい。

第２接合領域Ｒ２の反対の面には、電極膜導体３３ａ、３３ｂと、第２接地膜導体３３ｅの一部と、スリット３５とが位置していてもよい。

第２接合領域Ｒ２において、電極パッド３２ｃ、３２ｄ、第１接地膜導体３３ｃ、３３ｄ、電極膜導体３３ａ、３３ｂ、第２接地膜導体３３ｅは、第２縁部Ｅ３０から離間していてもよい。スリット３５は第２縁部Ｅ３０にかけて位置してもよい。

電極膜導体３３ａ、３３ｂは、図２Ａに示すように、電極ビア導体３４ａ～３４ｄと接続する部分が、他の部分よりも幅広であってもよい。すなわち、電極膜導体３３ａ、３３ｂの外形線は、信号線路に沿った方向において、線幅方向に突出した部分と線幅方向に凹んだ部分とが交互に位置する凹凸（具体的には幅の狭い部分の凹と幅広の部分の凸と）Ｎ１、Ｎ２を有してもよい。

第２接地膜導体３３ｅは、電極膜導体３３ａ、３３ｂに信号線路の線幅方向から対向する部分に、線幅方向に突出した部分と線幅方向に凹んだ部分とが交互に位置する凹凸Ｎ３、Ｎ４を有してもよい。突出した部分は、接地ビア導体が接続される部分であってもよい。そして、電極膜導体３３ａ、３３ｂの凹凸Ｎ１、Ｎ２と、第２接地膜導体３３ｅの凹凸Ｎ３、Ｎ４とは、千鳥配置であってもよい。すなわち、凹凸Ｎ１、Ｎ２の凹部と、凹凸Ｎ３、Ｎ４の凸部とが、線幅方向に並び、凹凸Ｎ１、Ｎ２の凸部と、凹凸Ｎ３、Ｎ４の凹部とが、線幅方向に並んでいてもよい。

＜接合＞
図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ信号線路の接合部周辺を示す縦断面図と平面図である。図５Ａ及び図５Ｂは、図４ＢのＡ－Ａ線における断面図である。図５Ａと図５Ｂとは同一箇所を示している。

配線基板２０の第１接合領域Ｒ１とフレキシブル基板３０の第２接合領域Ｒ２とは重なる。そして、第１接合領域Ｒ１の一部と第２接合領域Ｒ２の一部とが、ろう材などの導電性を有する接合材Ｆを介して接合されてもよい（図４Ａ、図５Ａ、図５Ｂを参照）。詳細には、第１接合領域Ｒ１の第１信号線路２２と、第２接合領域Ｒ２の電極パッド３２ｃ、３２ｄとが接合材Ｆを介して接合され（すなわち第２信号線路３２が接合され）、第１接合領域Ｒ１の接地膜導体２３ａ、２３ｂと第２接合領域Ｒ２の第１接地膜導体３３ｃ、３３ｄ（図２Ｂを参照）とが接合材Ｆを介して接合されてもよい。

接合時、第１接合領域Ｒ１と第２接合領域Ｒ２とが重なった状態で、フレキシブル基板３０の第２接合領域Ｒ２の反対側から熱が加えられることで、フレキシブル基板３０の導体を介して各部の接合材Ｆに熱が伝わり、接合材Ｆが溶融する。その後、冷却されることで接合材Ｆが凝結し、第１接合領域Ｒ１と第２接合領域Ｒ２とが接合される。

＜接合部の詳細＞
前述したように、配線基板２０は、第１信号線路２２と、第１信号線路２２に隣り合う切欠きとしての凹部２４とを有する。フレキシブル基板３０は、第２信号線路３２と第２信号線路３２に隣り合うスリット３５とを有する。そして、平面透視で、凹部２４は第１接合領域Ｒ１に位置し、スリット３５は第２接合領域Ｒ２に位置する。当該構成によれば、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部の周辺において、容量成分（例えば静電容量成分）の増加を低減することができる。すなわち、接合部に比誘電率の高い配線基板２０や絶縁基体３１があることで、第１信号線路２２と第２信号線路３２周辺の容量成分が高くなり、特性インピーダンスが低下しやすい。しかし、スリット３５があることで絶縁基体３１の第２信号線路３２周辺の比誘電率を低減することができる。したがって、接合部において第２信号線路３２の容量成分が増加してしまうことを低減できる。また、凹部２４があることで絶縁基板２１の第１信号線路２２周辺の比誘電率を低減することができる。したがって、接合部において第１信号線路２２の容量成分が増加することを低減できる。以上のことから、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部において、容量成分が増加する可能性が低減され、特性インピーダンスの整合性を向上できる。よって、複合配線基板１０の高周波信号の伝送特性を向上できる。

スリット３５は、前述したように、フレキシブル基板３０の第２縁部Ｅ３０にかけて位置してもよい。当該構成によれば、第２信号線路３２周辺の容量成分が増加することをより低減することができる。したがって、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部における容量成分の増加を効率的に低減することができる。よって、接合部において特性インピーダンスの整合性をより向上でき、高周波信号の伝送特性をより向上できる。

第２信号線路３２は、互いに並列した第２ａ信号線路３２ａ及び第２ｂ信号線路３２ｂを含み、前述したように、スリット３５は、第２ａ信号線路３２ａと第２ｂ信号線路３２ｂとの間に位置してもよい。当該構成においては、第１信号線路２２と第２信号線路３２との対称性から、配線基板２０の第１信号線路２２は、第１ａ信号線路２２ａ及び第１ｂ信号線路２２ｂを含む。上記のようにスリット３５があることで、第２ａ信号線路３２ａ及び第２ｂ信号線路３２ｂ間における容量成分の増加を低減することができる。したがって、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部における容量成分の増加を効率的に低減することができ、高周波信号の伝送特性を向上できる。

切欠きとしての凹部２４とスリット３５とは、平面透視において少なくとも一部で重なっていてもよい（図４Ｂを参照）。当該構成によれば、絶縁基板２１側と絶縁基体３１側との対称的な箇所において絶縁基板２１の容量成分と絶縁基体３１の容量成分とを低減することができる。したがって、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部と、当該接合部の前段及び後段との特性インピーダンスの差異を低減できる。したがって、高周波信号の伝送特性を向上できる。また、凹部２４とスリット３５それぞれが平面透視の面積比で５０％以上重なっていること（すなわち、平面透視において凹部２４の総面積の５０％以上がスリット３５と重なり、かつ、スリット３５の総面積の５０％以上が凹部２４と重なっていること）が好ましい。面積比で５０％以上重なっていることでより絶縁基板２１の容量成分と絶縁基体３１の容量成分を低減することができる。

信号線路に沿った方向におけるスリット３５の寸法Ｌ２（図２Ｂを参照）は、当該方向における凹部２４の寸法Ｌ１（図３を参照）よりも長くてもよい。当該構成によれば、信号線路に沿った方向の接合位置に誤差が生じても、スリット３５と凹部２４との重なる長さを安定的に確保できる。したがって、接合部において安定的に容量成分の増加を低減することができ、高周波信号の伝送特性を安定的に向上できる。

凹部２４の幅Ｗ１（具体的には信号線路の線幅方向の幅、図３及び図５Ａを参照）は、スリット３５の幅Ｗ２（具体的には信号線路の線幅方向の幅、図２Ｂ及び図５Ａを参照）よりも広くてもよい。当該構成によれば、信号線路の幅方向の接合位置に誤差が生じても、第１信号線路２２の一部にスリット３５が重なってしまうことを低減できる。したがって、第１接合領域Ｒ１において第１信号線路２２の上にフレキシブル基板３０が重なるという構造を安定的に実現することができる。よって、特性インピーダンスに大きな個体差が生じることを低減できる。したがって、高周波信号の安定的な伝送特性を実現できる。

凹部２４の厚みＤ１（すなわち基板面に垂直な方向の長さ）は、スリット３５の厚みＤ２よりも大きくてもよい（図５Ａを参照）。複合配線基板１０のインピーダンス整合への影響が第１信号線路２２の容量成分に多く起因する場合、厚みＤ１が厚みＤ２より大きいことにより、配線基板２０の容量成分増加をより低減できる。したがって、複合配線基板１０において、高周波信号の安定的な伝送特性を実現できる。なお、凹部２４の厚みＤ１とは、例えば、基板面から凹部２４の底面までの最小の距離と定義してもよい。

信号線路に沿った方向において、スリット３５の寸法Ｌ２（図２Ｂを参照）は、重畳領域Ｍの寸法Ｌ３（図４Ｂを参照）よりも長くてもよい。重畳領域Ｍとは、第１信号線路２２と第２信号線路３２とが接合される領域（すなわち接合材Ｆが位置する領域）に相当する（図４Ｂ及び図５Ｂを参照）。図４Ｂにおいて、重畳領域Ｍをあみ掛けにより示す。当該構成によれば、接合部における第２信号線路３２周辺の容量成分をより低減しやすい。したがって、上記の容量成分をより効率的に低減でき、高周波信号の伝送特性を向上できる。

重畳領域Ｍにおいて、第１ａ信号線路２２ａの線幅Ｗ３は、第２ａ信号線路３２ａの線幅Ｗ４（具体的には電極パッド３２ｃの幅Ｗ４）よりも狭くてもよい（図５Ａを参照）。当該構成によれば、信号線路の幅方向の接合位置に誤差が生じても、平面透視で第１ａ信号線路２２ａが、第２ａ信号線路３２ａ（具体的には電極パッド３２ｃ）からはみ出してしまうことを低減できる。したがって、重畳領域Ｍにおいて第１ａ信号線路２２ａの上に第２ａ信号線路３２ａ（具体的には電極パッド３２ｃ）が重なるという構造を安定的に実現することができる。よって、特性インピーダンスに大きな個体差が生じることを低減できる。したがって、高周波信号の安定的な伝送特性を実現できる。ここで、第１ａ信号線路２２ａの線幅Ｗ３とは、第１ａ信号線路２２ａの線幅Ｗ３の最大の寸法であってもよい。

同様に、重畳領域Ｍにおいて、第１ｂ信号線路２２ｂの線幅Ｗ３は、第２ｂ信号線路３２ｂの線幅Ｗ４（具体的には電極パッド３２ｄの幅Ｗ４）よりも狭くてもよい（図５Ａを参照）。当該構成によれば、信号線路の幅方向の接合位置に誤差が生じても、平面透視で第１ｂ信号線路２２ｂが、第２ｂ信号線路３２ｂ（具体的には電極パッド３２ｄ）からはみ出してしまうことを低減できる。したがって、重畳領域Ｍにおいて第１ｂ信号線路２２ｂの上に第２ｂ信号線路３２ｂ（具体的には電極パッド３２ｄ）が重なるという構造を安定的に実現することができる。よって、特性インピーダンスに大きな個体差が生じることを低減できる。したがって、高周波信号の安定的な伝送特性を実現できる。

電極膜導体（第１膜導体に相当）３３ａ、３３ｂの面積は、重畳領域Ｍの面積よりも小さくてもよい（図４Ｂを参照）。当該構成によっても、電極膜導体３３ａ、３３ｂを介して第２面Ｓ２から第１面Ｓ１に位置する電極パッド３２ｃ、３２ｄに熱を伝導させ、接合材Ｆを溶融させることができる。さらに、電極膜導体３３ａ、３３ｂの面積が小さいことによって、第２信号線路３２に加わる容量成分のうち、電極膜導体３３ａ、３３ｂによって発生する容量成分を低減できる。したがって、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部における特性インピーダンスの整合性を向上し、高周波信号の伝送特性を向上できる。

スリット３５は、フレキシブル基板３０の第２縁部Ｅ３０から遠い側に位置する第１スリット端部ｔ３５（図４Ｂを参照）を有する。そして、平面透視において、第１スリット端部ｔ３５は、第１接合領域Ｒ１の第１縁部Ｅ２０から離間して第１接合領域Ｒ１上に位置してもよい。当該構成によれば、第１スリット端部ｔ３５が湾曲することを低減できるため、スリット３５に応力が加わりにくい。したがって、フレキシブル基板３０が第１スリット端部ｔ３５で破損してしまう恐れを低減できる。

凹部２４は、配線基板２０の基板面に開口していてもよい。そして、配線基板２０は凹部２４の底面に位置する絶縁膜２５（図３を参照）を有してもよい。当該構成によれば、第１信号線路２２と第２信号線路３２とを接合する接合材Ｆが凹部２４に垂れ込んでも、凹部２４内の接地膜導体２３ｃと第１信号線路２２及び第２信号線路３２とが短絡してしまうおそれを低減できる。したがって、複合配線基板１０の高周波信号の伝送特性を向上できる。

第２信号線路３２は、平面透視においてスリット３５と間隙Ｑ（図２Ｂを参照）を空けて位置していてもよい。当該構成によれば、第１信号線路２２と第２信号線路３２とを接合する接合材Ｆがスリット３５の内周面まで広がって、接合部の特性インピーダンスに影響を及ぼしてしまうことを低減できる。したがって、複合配線基板１０の高周波信号の伝送特性を向上できる。

＜高周波信号の伝送特性＞
図６Ａは、実施形態１の複合配線基板と比較例の周波数特性を示すグラフである。図６Ｂは、実施形態１の複合配線基板と比較例のインピーダンス特性を示すグラフである。当該グラフは、実施形態の複合配線基板１０と比較例の複合配線基板についてのシミュレーション結果をそれぞれ示す。周波数特性は挿入損失と反射損失とを含み、インピーダンス特性はＴＤＲ（Time Domain Reflectometry）により表わす。シミュレーションでは、実施形態の複合配線基板１０として、前述の各構成要素を含んだ図１～図６の構成を適用した。比較例の複合配線基板としては、実施形態の構成からスリット３５を省略した構成を適用した。

図６Ａは、第１接合領域Ｒ１に凹部２４が位置し、第２接合領域Ｒ２にスリット３５が位置することで、３ＧＨｚ～４０ＧＨｚにおいて反射損失が低くなり、かつ、高帯域に亘って挿入損失特性の劣化が低減されていることを示す。

図６Ｂは、第１接合領域Ｒ１に凹部２４が位置し、第２接合領域Ｒ２にスリット３５が位置することで、接合部周辺と接合部前段との特性インピーダンスの差分、並びに、接合部周辺と接合部後段との特性インピーダンスの差分が小さくなり、特性インピーダンスの整合性が向上していることを示す。ＴＤＲにおいて２０ｐｓ～４０ｐｓの時間領域が接合部周辺のインピーダンスを表わしている。

以上のように、上記実施形態に係る複合配線基板１０によれば、配線基板２０とフレキシブル基板３０との接合部において特性インピーダンスの整合性が向上し、高周波信号の伝送特性を向上できる。

（実施形態２）
図７は、実施形態２の複合配線基板を示す断面図である。図７の断面位置は、図５Ａの断面位置と同じである。実施形態２の複合配線基板１０は、一部の要素が異なる他は、実施形態１と同様である。以下、実施形態１と異なる要素について説明する。

重畳領域Ｍ（図４Ｂ及び図５Ｂを参照）において、第１ａ信号線路２２ａの線幅方向における中心ＣＬ１は、第２ａ信号線路３２ａ（具体的には電極パッド３２ｃ）の線幅方向における中心ＣＬ２よりも、線幅方向の一方に外れて位置してもよい（図７を参照）。第１ａ信号線路２２ａの中心ＣＬ１は第２ａ信号線路３２ａ（具体的には電極パッド３２ｃ）の中心ＣＬ２よりも凹部２４に近い方へ外れて位置してもよい。つまり、凹部２４と第１ａ信号線路２２ａの線幅方向における中心ＣＬ１との距離は、凹部２４と第２ａ信号線路３２ａの線幅方向における中心ＣＬ２との距離よりも小さくてもよい。

同様に、重畳領域Ｍ（図４Ｂ及び図５Ｂを参照）において、第１ｂ信号線路２２ｂの線幅方向における中心ＣＬ３は、第２ｂ信号線路３２ｂ（具体的には電極パッド３２ｄ）の線幅方向における中心ＣＬ４よりも、線幅方向の一方に外れて位置してもよい（図７を参照）。第１ｂ信号線路２２ｂの中心ＣＬ３は第２ｂ信号線路３２ｂ（具体的には電極パッド３２ｃ）の中心ＣＬ４よりも凹部２４に近い方へ外れて位置してもよい。つまり、凹部２４と第１ｂ信号線路２２ｂの線幅方向における中心ＣＬ３との距離は、凹部２４と第２ｂ信号線路３２ｂの線幅方向における中心ＣＬ４との距離よりも小さくてもよい。

上記の中心ＣＬ３、ＣＬ４の位置関係により、凹部２４とスリット３５との重なる部分を大きくできる。したがって、複合配線基板１０の高周波信号の伝送特性をより向上できる。

（実施形態３）
図８は、実施形態３の複合配線基板を示す断面図である。図８の断面位置は、図５Ａの断面位置と同じである。実施形態３の複合配線基板１０は、一部の要素が異なる他は、実施形態１と同様である。以下、実施形態１と異なる要素について説明する。

凹部２４は、上層部２４１と下層部２４２とを含み、上層部２４１と下層部２４２とが上下に連なっていてもよい。上層部２４１の幅Ｗ１（具体的には信号線路の線幅方向の幅）と下層部２４２の幅Ｗ１ａ（具体的には信号線路の線幅方向の幅）とが異なってもよく、例えば、幅Ｗ１ａ＞幅Ｗ１であってもよい。すなわち、幅Ｗ１ａは幅Ｗ１よりも大きくてもよい。

さらに、上層部２４１の幅Ｗ１＜第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとの間隔Ｗ５＜下層部２４２の幅Ｗ１ａであってもよい。すなわち、上層部２４１の幅Ｗ１は間隔Ｗ５よりも小さく、かつ、下層部２４２の幅Ｗ１ａは間隔Ｗ５よりも大きくてもよい。間隔Ｗ５は、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとの間の距離である。

さらに、上層部２４１の幅Ｗ１は、スリット３５の幅Ｗ２よりも広く、下層部２４２の幅Ｗ２はスリット３５の幅Ｗ２よりも広くてもよい。

上層部２４１の幅方向における中央と下層部２４２の幅方向における中央とは平面透視で重なっていてもよい。

絶縁基板２１は、複数の誘電体層が積み重なった積層構造を有していてもよい。この場合において、凹部２４の上層部２４１は絶縁基板２１の第ｎ番目の誘電体層に位置し、凹部２４の下層部２４２は絶縁基板２１の第ｎ＋１番目の誘電体層に位置してもよい。

上記の構成によれば、上層部２４１の幅Ｗ１は、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂにより制限されるが、下層部２４２の幅Ｗ１ａは上記の制限が課されないので広くすることができる。下層部２４２の幅Ｗ１ａが広いことで、絶縁基板２１の第１信号線路２２の周辺の比誘電率をより低減することができる。したがって、接合部において第１信号線路２２の容量成分が増加することをより低減できる。以上のことから、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部において、容量成分が増加してしまうことが低減され、特性インピーダンスの整合性を向上できる。よって、複合配線基板１０の高周波信号の伝送特性を向上できる。

（実施形態４）
図９は、実施形態４に係る複合配線基板を示す斜視図である。実施形態４の複合配線基板１０は、一部の要素が異なる他は、実施形態１と同様である。以下、実施形態１と異なる要素について説明する。

フレキシブル基板３０は、図９に示すように、第１面Ｓ１において第２信号線路３２（導体層に相当）の一部と第１接地膜導体３３ｃ、３３ｄ（導体層に相当）の一部とを覆って保護する保護膜３７ａを有してもよい。さらに、フレキシブル基板３０は、第２面Ｓ２において第２接地膜導体３３ｅ（導体層に相当）の一部を覆って保護する保護膜３７ｂを有してもよい。保護膜３７ａ、３７ｂはカバーレイと呼んでもよい。

第１面Ｓ１の保護膜３７ａは、第１接合領域Ｒ１以外の領域に位置してもよい。保護膜３７ａとスリット３５とは平面透視において重ならなくてもよい。

第２面Ｓ２の保護膜３７ｂは、第２信号線路３２と導通される電極膜導体３３ａ、３３ｂと、第２接地膜導体３３ｅにおいて電極膜導体３３ａ、３３ｂと並ぶ範囲（具体的には信号線路の線幅方向に並ぶ範囲）以外の領域に位置してもよい。保護膜３７ｂとスリット３５とは重ならなくてもよい。

実施形態４の複合配線基板１０によれば、保護膜３７ａ、３７ｂにより、フレキシブル基板３０の第１面Ｓ１上の導体、並びに、第２面Ｓ２上の導体を保護し、導体に短絡等が生じることを低減できる。さらに、保護膜３７ａ、３７ｂによりフレキシブル基板３０の強度を向上できる。さらに、スリット３５が保護膜３７ａ、３７ｂに重ならないので、スリット３５による特定インピーダンスの整合性を向上する作用に、保護膜３７ａ、３７ｂが影響を与えてしまうことを低減できる。

（スリットの変形例）
図１０Ａは、実施形態１～４のスリットを示す。図１０Ｂ～図１０Ｇは、スリットの変形例１～変形例６をそれぞれ示す。フレキシブル基板３０のスリット３５は、図１０Ａの構成に限られない。スリット３５の幅Ｗ２および長さＬ２は、必ずしも一定でなくてもよく、適切なインピーダンスに調整できるよう適宜決めることができる。

図１０Ｂに示すように、フレキシブル基板３０は、スリット３５に加えて、第２ａ信号線路３２ａと第１接地膜導体３３ｃとの間のスリット３５ａと、第２ｂ信号線路３２ｂと第１接地膜導体３３ｄとの間のスリット３５ｂと、を有してもよい。スリット３５ａ、３５ｂは、信号線路に沿った方向に長く、信号線路の線幅方向において、第２ａ信号線路３２ａ及び第２ｂ信号線路３２ｂと並んでいてもよい。当該構成によれば、スリット３５ａ、３５ｂが加わることで、フレキシブル基板３０の絶縁基体３１による接合部周辺の容量成分の増加をより低減できる。スリット３５、スリット３５ａ、スリット３５ｂの幅及び長さは、全て同じであってもよいし、異なっていてもよい。例えば、一実施形態において、スリット３５の幅は、スリット３５ａの幅及び／又はスリット３５ｂの幅よりも大きくてもよい。

図１０Ｃに示すように、フレキシブル基板３０は、第２縁部Ｅ３０から離間したスリット３５ｃを有してもよい。当該構成によれば、接合部周辺の容量成分を低減しつつ、フレキシブル基板３０の強度を維持できる。

図１０Ｄに示すように、フレキシブル基板３０のスリット３５ｄは、信号線路に沿った方向において互いに分断された複数の子スリットｓを有してもよい。当該構成によれば、フレキシブル基板３０の強度を維持しつつ、スリット３５ｄにより接合部周辺において絶縁基体３１の容量成分が増加してしまうことを低減できる。なお、子スリットｓの形状は矩形状、正方形状、円形状など設計条件に合わせて適宜適切に選択してよい。

図１０Ｅに示すように、フレキシブル基板３０は複数のスリット３５ｅ、３５ｆ、３５ｇを有し、かつ、各スリット３５ｅ、３５ｆ、３５ｇは、信号線路に沿った方向において互いに分断された複数の子スリットｓを有してもよい。スリット３５ｅ、３５ｆ、３５ｇは、図１０Ｂのスリット３５、３５ａ、３５ｂと同様の箇所に位置してもよい。当該構成によれば、フレキシブル基板３０の強度を維持しつつ、絶縁基体３１の容量成分の増加をより低減することができる。

図１０Ｆに示すように、フレキシブル基板３０は、第２ａ信号線路３２ａと第１接地膜導体３３ｃとの間に、第２縁部Ｅ３０から離間して位置するスリット３５ｈを有してもよい。同様に、フレキシブル基板３０は、第２ｂ信号線路３２ｂと第１接地膜導体３３ｄとの間に、第２縁部Ｅ３０から離間して位置するスリット３５ｉを有してもよい。同様に、フレキシブル基板３０は、第２ａ信号線路３２ａと第２ｂ信号線路３２ｂとの間に、第２縁部Ｅ３０から離間して位置するスリット３５ｊを有してもよい。当該構成によれば、フレキシブル基板３０の強度を維持しつつ、絶縁基体３１を介した容量成分の増加をより低減することができる

図１０Ｇに示すように、フレキシブル基板３０は、第２ａ信号線路３２ａと第１接地膜導体３３ｃとの間と、第２ｂ信号線路３２ｂと第１接地膜導体３３ｄとの間とに位置する２つのスリット３５ｋ、３５ｌを有し、第２ａ信号線路３２ａと第２ｂ信号線路３２ｂとの間にはスリットが無くてもよい。当該構成によれば、第２ａ信号線路３２ａと第２ｂ信号線路３２ｂとの間隔が狭いときでも、スリット３５ｋ、３５ｌによって、接合部周辺において絶縁基体３１の容量成分の増加を低減することができる。

配線基板２０の切欠きとしての凹部２４は、図１０Ｂ～図１０Ｇの各スリット３５ｂ～３５ｌに対向するように、１つの凹部２４又は複数の凹部２４を有してもよい。すなわち、凹部２４は、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとの間、第１ａ信号線路２２ａと接地膜導体２３ａとの間、並びに、第１ｂ信号線路２２ｂと接地膜導体２３ｂとの間に位置してもよい。また、凹部２４は、第１ａ信号線路２２ａと接地膜導体２３ａとの間と、第１ｂ信号線路２２ｂと接地膜導体２３ｂとの間に位置する一方、第１ａ信号線路２２ａと第１ｂ信号線路２２ｂとの間に位置しなくてもよい。

さらに、本実施形態に係る複合配線基板１０は、上記のいずれかの位置に凹部２４を有する配線基板２０と、上記のいずれかの位置にスリット３５を有するフレキシブル基板３０とが接合される構成であってもよい。凹部２４とスリット３５とは互いに対向しない位置にあってもよい。

（切欠きの変形例）
図１１Ａ～図１１Ｃは、それぞれ配線基板の切欠きの変形例７、変形例８及び変形例９を示す縦断面図である。図１１Ａ、図１１Ｂ及び図１１Ｃは、切欠きが位置する箇所で切断した配線基板２０の断面を示す。上記の実施形態では、配線基板２０の切欠きとして、凹部２４を示した。しかし、図１１Ａに示すように、凹部２４の代わりに、基板内部の切欠き２４ａが適用されてもよい。切欠き２４ａは、基板面よりも配線基板２０の内方に位置し、基板面上或いは基板の端面に開口しない。切欠き２４ａは、平面透視において、前述した凹部２４と同様の形状を有し、凹部２４と同様の箇所に位置してもよい。

図１１Ｂに示すように、凹部２４の代わりに、基板面上に開口せず、基板の端面Ｓ１１に開口した切欠き２４ｂが適用されてもよい。切欠き２４ｂは、平面透視において、第１接合領域Ｒ１の第１縁部Ｅ２０にかけて位置することの他は、前述した凹部２４と同様の形状を有し、凹部２４と同様の箇所に位置してもよい。

切欠き２４ａ、２４ｂが適用されることで、接合材Ｆが切り欠きに垂れ込む可能性を低減できる。さらに、切欠き２４ａ、２４ｂが適用された場合にも、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部の周辺において、容量成分が増加してしまうことを低減できる。

図１１Ｃに示すように、凹部２４の代わりに、配線基板２０の基板面から反対側の面に架けて貫通した切欠き２４ｃが適用されてもよい。切欠き２４ｃは、平面透視において、前述した凹部２４と同様の形状を有し、凹部２４と同様の箇所に位置してもよい。切欠き２４ｃが適用されることで、第１信号線路２２の周辺で絶縁基板２１の容量成分をより低減することができる。したがって、第１信号線路２２と第２信号線路３２との接合部においてインピーダンスが低下してしまうことをより低減できる。

（電子部品収容用パッケージ及び電子装置）
図１２は、本開示の実施形態に係る電子部品収容用パッケージ及び電子装置を示す斜視図である。

本実施形態の電子部品収容用パッケージ５０は、複合配線基板１０と、配線基板２０と一体化された枠体５２とを備える。枠体５２は、電子部品８０の収容部５１の周りを囲う。枠体５２は、更に収容部５１の底を覆い、かつ、上部が開口していてもよい。開口は図示略のリッドが接合されることで塞がれてもよい。

配線基板２０の第１接合領域Ｒ１は、枠体５２の外側に位置してもよい。

図１２では、１組の第１信号線路２２及び第２信号線路３２を有する複合配線基板１０及び電子部品収容用パッケージ５０を示しているが、複合配線基板１０及び電子部品収容用パッケージ５０は、複数組の第１信号線路２２及び第２信号線路３２を有する構成であってもよい。複数組の第１信号線路２２及び第２信号線路３２は、同一方向に並んでいてもよいし、複数箇所に別方向を向いて位置していてもよい。

本実施形態の電子装置１００は、電子部品収容用パッケージ５０と、収容部５１に収容された電子部品８０とを備える。配線基板２０の第１信号線路２２は、枠体５２の外側から枠体５２の内側にかけて位置し、収容部５１の電子部品８０に接合部材（例えば、ろう材、線状導体又は帯状導体など）を介して電気的に接続されてもよい。電子部品８０は、高周波帯の電気信号を受けて光を出力する素子、光信号を入力して高周波帯の電気信号を出力する素子、あるいは、高周波帯の信号を入力又は出力する様々な素子であってもよい。

（電子部品収容用パッケージのその他の例）
図１３は、本開示の実施形態に係る電子部品収容用パッケージのもう一つの例を示す斜視図である。図１３は、電子部品収容用パッケージ５０Ａの裏面側の斜視図である。

電子部品収容用パッケージ５０Ａは、ＴＯ（Transistor Outline）パッケージ型（例えばＴＯ－ＣＡＮ型）の構造を有し、配線基板２０Ａの上面（すなわち図１３の下側）に電子部品の収容部５１Ａを有し、配線基板２０Ａの上方（すなわち図１３の下方）に枠体５２Ａが接合されることで収容部５１Ａが覆われる。すなわち、電子部品収容用パッケージ５０Ａは、配線基板２０Ａ及びフレキシブル基板３０Ａを有する複合配線基板１０Ａと枠体５２Ａとを有する。このとき、枠体５２Ａは、例えば金属部材またはセラミック部材であってもよい。配線基板２０Ａと枠体５２Ａとは、一体に形成されていてもよいし、別体に形成されたものが接合されていてもよい。配線基板２０Ａと枠体５２Ａとは、共にセラミックを有する材料で構成され、一体に焼成されたものであってもよい。

配線基板２０Ａの下面Ｓ２１には、第１信号線路２２Ａと、第１接合領域Ｒ１とが位置する。そして、第１接合領域Ｒ１にフレキシブル基板３０Ａの第２接合領域Ｒ２が接合される。

第１信号線路２２Ａは、配線基板２０Ａの下面Ｓ２１と、下面Ｓ２１から上面にかけて位置する。第１信号線路２２Ａは、下面Ｓ２１においてフレキシブル基板３０Ａの第２信号線路３２Ａに接合される一方、上面において電気的に電子部品に接続される。

図１３の例において、配線基板２０Ａの第１信号線路２２Ａは、シングルエンドの信号線路であり、切欠きとしての凹部２４Ａ、２４Ｂは、第１信号線路２２Ａの線幅方向の両側、すなわち、第１信号線路２２Ａと第１接地膜導体２３Ａａとの間、並びに、第１信号線路２２Ａと第２接地膜導体２３Ａｂとの間に位置してもよい。第１接地膜導体２３Ａａと第２接地膜導体２３Ａｂとは、第１信号線路２２Ａを挟んで、第１信号線路２２Ａの両側に位置する。

また、フレキシブル基板３０Ａの第２信号線路３２Ａは、シングルエンドの信号線路であり、スリット３５Ａ、３５Ｂが、第２信号線路３２Ａの線幅方向の両側、すなわち、第２信号線路３２Ａと第１接地膜導体３３ｃ、３３ｄとの間に位置する。

本実施形態に係る電子部品収容用パッケージ５０、５０Ａ及び電子装置１００によれば、実施形態の複合配線基板１０、１０Ａを有することで、高周波信号の伝送特性を向上できる。

以上、本開示の実施形態について説明した。しかし、本開示の複合配線基板、電子素子収容用パッケージ及び電子装置は、上記実施形態に限られるものでなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で適宜に変更可能である。なお、各実施形態、各変形例、各特徴部の種々の組み合わせは上述の例に限定されない。また、各実施形態同士、各変形例同士、各特徴部同士の組み合わせも可能である。

本開示は、複合配線基板、電子部品収容用パッケージ及び電子装置に利用できる。

１０ 複合配線基板
２０、２０Ａ 配線基板
２１ 絶縁基板
２２、２２Ａ 第１信号線路
２２ａ 第１ａ信号線路
２２ｂ 第１ｂ信号線路
２３ 接地導体
２３ａ～２３ｅ 接地膜導体
２３Ａａ 第１接地膜導体
２３Ａｂ 第２接地膜導体
２３ｈ 接地線路
２３ｖ１ 接地ビア導体
２３ｖ２ 接地ビア導体
２４ 凹部
２４ａ 切欠き
２４ｂ 切欠き
２４Ａ 凹部
２４Ｂ 凹部
２５ 絶縁膜
３０、３０Ａ フレキシブル基板
３１ 絶縁基体
３２、３２Ａ 第２信号線路
３２ａ 第２ａ信号線路
３２ｂ 第２ｂ信号線路
３２ｃ、３２ｄ 電極パッド
３３ａ、３３ｂ 電極膜導体（第１膜導体）
３３ｃ、３３ｄ 第１接地膜導体
３３ｅ 第２接地膜導体
３４ａ～３４ｄ 電極ビア導体
３５、３５ａ～３５ｌ、３５Ａ、３５Ｂ スリット
ｓ 子スリット
３７ａ、３７ｂ 保護膜
５０、５０Ａ 電子部品収容用パッケージ
５１、５１Ａ 収容部
５２、５２Ａ 枠体
８０ 電子部品
１００ 電子装置
Ｍ 重畳領域
Ｑ 間隙
Ｒ１ 第１接合領域
Ｅ２０ 第１縁部
Ｒ２ 第２接合領域
Ｅ３０ 第２縁部
Ｓ１ 第１面
Ｓ２ 第２面
ｔ３５ 第１スリット端部

Claims (23)

1. 第１接合領域を有する配線基板と、
   前記第１接合領域に重なる第２接合領域を有するフレキシブル基板とを備え、
   前記配線基板は、
   第１信号線路と、
   前記第１信号線路に隣り合う切欠きと、を有し、
   前記フレキシブル基板は、
   前記第１信号線路と接合される第２信号線路と、
   前記第２信号線路に隣り合うスリットと、を有し、
   平面透視で前記切欠きが前記第１接合領域に位置し、
   平面透視で前記スリットが前記第２接合領域に位置し、
   平面透視において前記切欠きと前記スリットとが少なくとも一部で重なっている、
   複合配線基板。
2. 前記スリットは、前記フレキシブル基板の端部にかけて位置する、
   請求項１記載の複合配線基板。
3. 前記スリットは、前記フレキシブル基板の端部から離間している、
   請求項１記載の複合配線基板。
4. 前記第１信号線路は、シングルエンドの信号線路であり、
   前記配線基板は、前記第１信号線路を挟んで該第１信号線路の一方の側に位置する第１接地膜導体ともう一方の側に位置する第２接地膜導体とを有し、
   平面透視において、前記切欠きは、前記第１信号線路と前記第１接地膜導体との間と、前記第１信号線路と前記第２接地膜導体との間とに位置する、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
5. 前記第１信号線路は、互いに並列した第１ａ信号線路及び第１ｂ信号線路を含み、
   前記切欠きは、前記第１ａ信号線路と前記第１ｂ信号線路との間、あるいは、前記第１ａ信号線路及び前記第１ｂ信号線路の両側に位置し、
   前記第２信号線路は、互いに並列した第２ａ信号線路及び第２ｂ信号線路を含み、
   前記スリットは、前記第２ａ信号線路と前記第２ｂ信号線路との間、あるいは、前記第２ａ信号線路及び前記第２ｂ信号線路の両側に位置し、
   前記第１ａ信号線路と第２ａ信号線路とが接合され、前記第１ｂ信号線路と前記第２ｂ信号線路とが接合される、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
6. 前記スリットは、互いに分断された複数の子スリットを含む、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
7. 平面透視において、前記スリットの幅方向における全体が、前記切欠きに重なっている、
   請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
8. 前記第１信号線路に沿った方向における前記切欠きの寸法よりも、前記第２信号線路に沿った方向における前記スリットの寸法の方が長い、
   請求項７に記載の複合配線基板。
9. 前記第１信号線路の線幅方向における前記切欠きの幅の方が、前記第２信号線路の線幅方向における前記スリットの幅よりも広い、
   請求項７に記載の複合配線基板。
10. 前記切欠きの厚みは、前記スリットの厚みよりも大きい、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
11. 前記第１信号線路と前記第２信号線路とが重なって接合される重畳領域を有し、
    前記第１信号線路に沿った方向において前記スリットの寸法は前記重畳領域の寸法よりも長い、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
12. 前記フレキシブル基板は、前記第２信号線路を有する第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、前記第２面に位置しかつ前記第２信号線路と導通した第１膜導体と、を有し、
    平面透視において前記第１膜導体の面積は前記重畳領域の面積よりも小さい、
    請求項１１に記載の複合配線基板。
13. 前記第１信号線路と前記第２信号線路とが重なって接合される重畳領域を有し、
    前記重畳領域において前記第１信号線路の線幅よりも前記第２信号線路の線幅の方が広い、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
14. 前記第１信号線路と前記第２信号線路とが重なって接合される重畳領域を有し、
    前記重畳領域において前記第１信号線路の線幅方向の中心が、前記第２信号線路の線幅方向の中心よりも、線幅方向の一方に外れて位置する、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
15. 前記第１接合領域は、前記配線基板の基板面の第１縁部を含み、
    前記スリットは、前記フレキシブル基板の端部から遠い側の第１スリット端部を有し、
    平面透視において前記スリットの前記第１スリット端部が前記第１縁部から離間しかつ前記第１接合領域上に位置する、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
16. 前記切欠きは前記配線基板の基板面に開口した凹部であり、
    前記配線基板は、
    前記凹部の底面に位置する絶縁膜を有する、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
17. 前記凹部の底面に位置する接地膜導体を有し、
    前記絶縁膜は前記接地膜導体を覆う、
    請求項１６に記載の複合配線基板。
18. 前記フレキシブル基板は、導体層と、前記導体層を覆う保護膜とを有し、
    平面透視において前記スリットと前記保護膜とが離間している、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
19. 前記切欠きは、前記配線基板の基板面よりも前記配線基板の内方に位置する、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
20. 前記切欠きは、前記配線基板の基板面から反対側の面にかけて貫通している、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
21. 平面透視において前記第２信号線路と前記スリットとの間に間隙を有する、
    請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板。
22. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の複合配線基板と、
    前記配線基板と一体化された枠体と、
    を備える電子部品収容用パッケージ。
23. 請求項２２に記載の電子部品収容用パッケージと、
    前記枠体内に位置する電子部品と、
    を備える電子装置。