JP7789658B2 - Resin film, composite sheet, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、樹脂フィルム、複合シート、及び半導体装置の製造方法に関する。
本願は、2020年2月27日に日本に出願された特願2020-031717号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
The present invention relates to a resin film, a composite sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.
This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-031717, filed on February 27, 2020, the contents of which are incorporated herein by reference.
従来、MPUやゲートアレー等に用いる多ピンのLSIパッケージをプリント配線基板に実装する場合には、半導体チップとして、その接続パッド部に共晶ハンダ、高温ハンダ、金等からなる凸状電極(以下、本明細書においては「バンプ」と称する)が形成されたものを用い、所謂フェースダウン方式により、それらのバンプをチップ搭載用基板上の相対応する端子部に対面、接触させ、溶融/拡散接合するフリップチップ実装方法が採用されてきた。 Traditionally, when mounting high-pin LSI packages used in MPUs, gate arrays, etc. on printed wiring boards, semiconductor chips with convex electrodes (hereinafter referred to as "bumps" in this specification) made of eutectic solder, high-temperature solder, gold, etc. on their connection pads have been used, and the so-called face-down method of flip-chip mounting has been used, in which these bumps are brought face-to-face and into contact with corresponding terminal portions on the chip-mounting substrate, and melt/diffusion bonded.
この実装方法で用いる半導体チップは、例えば、回路面にバンプが形成された半導体ウエハの、回路面(換言するとバンプ形成面)とは反対側の面を研削したり、ダイシングして個片化することにより得られる。このような半導体チップを得る過程においては、通常、半導体ウエハのバンプ形成面及びバンプを保護する目的で、硬化性樹脂フィルムをバンプ形成面に貼付し、このフィルムを硬化させることによって、バンプ形成面に保護膜を形成する。 The semiconductor chips used in this packaging method are obtained, for example, by grinding or dicing the surface opposite the circuit surface (i.e., the bump-formed surface) of a semiconductor wafer with bumps formed on its circuit surface into individual pieces. In the process of obtaining such semiconductor chips, a curable resin film is typically applied to the bump-formed surface of the semiconductor wafer to protect the bumps and the bumps themselves, and this film is then cured to form a protective film on the bump-formed surface.
一方で、半導体装置には、より高い機能を有することが期待され、半導体チップのサイズが拡大する傾向にある。しかし、サイズが拡大された半導体チップは、基板に実装された状態での反りの発生によって、バンプが変形し易く、特に半導体チップの端部やその近傍に位置するバンプにクラックが発生し易い。バンプ形成面に形成された保護膜には、このようなバンプの破損を抑制することも期待される。 At the same time, semiconductor devices are expected to have higher functionality, and the size of semiconductor chips is tending to increase. However, larger-sized semiconductor chips are more likely to warp when mounted on a substrate, causing the bumps to deform, and cracks are particularly likely to occur in the bumps located at or near the edges of the semiconductor chip. A protective film formed on the bump-forming surface is also expected to suppress such bump damage.
半導体ウエハのバンプ形成面における保護膜の形成方法について、図8A~図8Dを参照しながら説明する。
保護膜の形成には、図8Aに示すような保護膜形成用シート8を用いる。保護膜形成用シート8は、基材81上に緩衝層83及び硬化性樹脂フィルム82がこの順に積層されて、構成されている。緩衝層83は、緩衝層83とこれに隣接する層へ加えられる力に対して、緩衝作用を有する。
A method for forming a protective film on the bump-formed surface of a semiconductor wafer will be described with reference to FIGS. 8A to 8D.
To form the protective film, a protective film formation sheet 8 as shown in Fig. 8A is used. The protective film formation sheet 8 is configured by laminating a buffer layer 83 and a curable resin film 82 in this order on a substrate 81. The buffer layer 83 has a buffering effect against forces applied to the buffer layer 83 and adjacent layers.
まず、保護膜形成用シート8を、その硬化性樹脂フィルム82が半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに対向するように配置する。
次いで、保護膜形成用シート8を半導体ウエハ9に圧着させて、図8Bに示すように、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに、保護膜形成用シート8の硬化性樹脂フィルム82を貼り合わせる。このときの硬化性樹脂フィルム82の貼り合わせは、硬化性樹脂フィルム82を加熱しながら行う。これにより、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aと、バンプ91の表面91aには、硬化性樹脂フィルム82が密着するが、バンプ91が硬化性樹脂フィルム82を貫通すれば、バンプ91の表面91aの一部には、緩衝層83も密着する。
このような硬化性樹脂フィルム82の貼り合わせの後、さらに必要に応じて、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aとは反対側の面(裏面)9bを研削した後、半導体ウエハ9の裏面9bに別途、この裏面9bを保護するための保護膜形成用シートを貼付する(図示略)。
First, the protective film forming sheet 8 is placed so that the curable resin film 82 faces the bump formation surface 9 a of the semiconductor wafer 9 .
Next, the protective film formation sheet 8 is pressed against the semiconductor wafer 9, and as shown in Fig. 8B, the curable resin film 82 of the protective film formation sheet 8 is bonded to the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9. The bonding of the curable resin film 82 at this time is performed while heating the curable resin film 82. As a result, the curable resin film 82 is in close contact with the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9 and the surfaces 91a of the bumps 91, but if the bumps 91 penetrate the curable resin film 82, the buffer layer 83 is also in close contact with part of the surfaces 91a of the bumps 91.
After bonding such a curable resin film 82, if necessary, the surface (back surface) 9b of the semiconductor wafer 9 opposite the bump formation surface 9a is ground, and then a protective film forming sheet is separately attached to the back surface 9b of the semiconductor wafer 9 to protect this back surface 9b (not shown).
次いで、図8Cに示すように、硬化性樹脂フィルム82から基材81及び緩衝層83を取り除く。
次いで、硬化性樹脂フィルム82を硬化させて、図8Dに示すように、保護膜82’を形成する。
Next, as shown in FIG. 8C, the substrate 81 and the buffer layer 83 are removed from the curable resin film 82.
The curable resin film 82 is then cured to form a protective film 82' as shown in FIG. 8D.
このような保護膜の形成方法では、バンプ91の上部910が保護膜82’を貫通して突出した状態となることが必要である。そのためには、基材81及び緩衝層83を剥離させた段階で、上記のように、バンプ91の上部910が硬化性樹脂フィルム82を貫通して突出しており、バンプ91の上部910に、硬化性樹脂フィルム82が残存していない状態とすることが重要である。これとは逆に、バンプ91の上部910に、硬化性樹脂フィルム82が残存してしまっている状態の一例を図9に示す。ここでは、バンプ91の表面91aの全面が硬化性樹脂フィルム82で被覆されてしまっている例を示しているが、これは硬化性樹脂フィルム82の残存状態の一例であり、例えば、バンプ91の上部910において、表面91aの一部が硬化性樹脂フィルム82によって被覆されずに露出している場合もある。In this protective film formation method, it is necessary for the upper portion 910 of the bump 91 to protrude through the protective film 82'. To achieve this, it is important that, as described above, when the substrate 81 and buffer layer 83 are peeled off, the upper portion 910 of the bump 91 protrudes through the curable resin film 82, with no curable resin film 82 remaining on the upper portion 910 of the bump 91. Conversely, Figure 9 shows an example of a state in which the curable resin film 82 remains on the upper portion 910 of the bump 91. Here, an example is shown in which the entire surface 91a of the bump 91 is covered with the curable resin film 82. However, this is only one example of a state in which the curable resin film 82 remains; for example, in some cases, a portion of the surface 91a of the upper portion 910 of the bump 91 is exposed and not covered by the curable resin film 82.
このように、バンプの上部での硬化性樹脂フィルムの残存を伴わずに保護膜を形成可能な保護膜形成用シートとしては、温度90℃、周波数1Hzの条件で、緩衝層に300%のひずみを発生させたときの、緩衝層のせん断弾性率が、同じ条件で硬化性樹脂フィルムに300%のひずみを発生させたときの、硬化性樹脂フィルムのせん断弾性率に対して、同等以上となるように構成された保護膜形成用シートが開示されている(特許文献1参照)。 As such, a protective film forming sheet capable of forming a protective film without leaving any curable resin film remaining on top of the bumps has been disclosed, which is configured so that when a 300% strain is generated in the buffer layer under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, the shear modulus of the buffer layer is equal to or greater than the shear modulus of the curable resin film when a 300% strain is generated in the curable resin film under the same conditions (see Patent Document 1).
一方、先に説明したように、保護膜形成用シート中の硬化性樹脂フィルムを加熱しながら、この硬化性樹脂フィルムによって、保護膜形成用シートを半導体ウエハのバンプ形成面に貼付した段階(例えば、図8Bの段階)では、貼付前の段階よりも、硬化性樹脂フィルムの幅が広がってしまい、硬化性樹脂フィルムが当初の大きさからはみ出してしまうことがある。そして、上記のような、バンプの上部での残存を抑制できる硬化性樹脂フィルムでは、このようなはみ出しが生じ易い。このように硬化性樹脂フィルムのはみ出しが生じると、半導体ウエハ又はこれを分割して得られた半導体チップを取り扱う以降の各工程において、各種装置が、はみ出した硬化性樹脂フィルムの付着によって、汚染されてしまうことがある。そして、従来の保護膜形成用シートには、このような硬化性樹脂フィルムのはみ出しの抑制を考慮されたものがない。On the other hand, as explained above, when the protective film forming sheet is attached to the bump-forming surface of the semiconductor wafer using the curable resin film while the curable resin film in the protective film forming sheet is heated (for example, the stage shown in Figure 8B), the width of the curable resin film increases compared to the stage before attachment, and the curable resin film may protrude from its original size. Such protrusion is likely to occur with curable resin films that can prevent the film from remaining on the top of the bumps, as described above. If protrusion of the curable resin film occurs in this way, various equipment used in subsequent processes involving handling the semiconductor wafer or the semiconductor chips obtained by dividing the semiconductor wafer may be contaminated by the adhesion of the protruding curable resin film. However, no conventional protective film forming sheets have been designed to prevent such protrusion of the curable resin film.
ここまでは、半導体ウエハのバンプ形成面に、硬化性樹脂フィルムを貼付する場合を例に挙げて説明したが、硬化性樹脂フィルムに限定されず、樹脂フィルムには、半導体ウエハのバンプ形成面以外の凹凸面に貼付されることがある。そして、凹凸面の凸部の上部において、バンプの上部の場合と同様に、樹脂フィルムの残存の抑制が求められることがある。これに対して、このような凹凸面への貼付全般で、樹脂フィルムのはみ出しが生じる可能性がある。 So far, we have used the example of applying a curable resin film to the bump-formed surface of a semiconductor wafer as an explanation, but this is not limited to curable resin films; resin films may also be applied to uneven surfaces other than the bump-formed surface of a semiconductor wafer. Furthermore, just as with the upper portions of bumps, it may be necessary to prevent the resin film from remaining on the tops of the convex parts of the uneven surface. However, when applying a film to such uneven surfaces in general, there is a possibility that the resin film may overflow.
本発明は、凹凸面への貼付に適用可能な樹脂フィルムであって、凹凸面への貼付時に、凸部の貫通が可能であり、凸部の上部での残存を抑制でき、当初の大きさからのはみ出しを抑制できる樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの凹凸面への貼付時に用いる、前記樹脂フィルムを備えた複合シートと、を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide a resin film that can be applied to an uneven surface, which, when applied to the uneven surface, can penetrate the convex parts, can prevent the convex parts from remaining at the top, and can prevent the film from protruding from its original size, and a composite sheet comprising the resin film that is used when applying the resin film to an uneven surface.
本発明は、樹脂フィルムであって、温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記試験片のひずみが1%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記試験片のひずみが300%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満である、樹脂フィルムを提供する。
The present invention relates to a resin film, wherein strain is generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece is measured, and when the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 1% is defined as Gc1 and the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 300% is defined as Gc300, the storage modulus of the test piece can be expressed by the following formula:
X=Gc1/Gc300
The resin film has an X value calculated by the following formula: 19 or more and less than 10,000.
本発明の樹脂フィルムは、凹凸面への貼付用であってもよい。
本発明の樹脂フィルムは、硬化性であってもよい。
The resin film of the present invention may be applied to an uneven surface.
The resin film of the present invention may be curable.
また、本発明は、基材と、前記基材上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられた樹脂フィルムと、を備え、前記樹脂フィルムが、上述の本発明の樹脂フィルムである、複合シートを提供する。
また、本発明は、上述の本発明の複合シート中の、硬化性である前記樹脂フィルムを、半導体ウエハのバンプを有する面に貼付し、前記バンプの頭頂部を前記樹脂フィルムから突出させることにより、前記半導体ウエハに前記複合シートを設ける貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記複合シートのうち、前記樹脂フィルム以外の層を、前記樹脂フィルムから取り除く除去工程と、前記除去工程の後に、前記樹脂フィルムを硬化させることにより、第1保護膜を形成する硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記半導体ウエハを分割することにより、半導体チップを作製する分割工程と、前記硬化工程の後に、前記第1保護膜を切断する切断工程と、前記分割工程及び切断工程の後に得られた、前記半導体チップと、前記半導体チップのバンプを有する面に設けられた第1保護膜と、を備え、前記バンプの頭頂部が前記第1保護膜から突出している第1保護膜付き半導体チップを、前記バンプの頭頂部において、基板にフリップチップ接続する実装工程と、を有する、半導体装置の製造方法を提供する。
The present invention also provides a composite sheet comprising a substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer, wherein the resin film is the resin film of the present invention described above.
The present invention also provides a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: an attachment step of attaching the curable resin film in the composite sheet of the present invention to a surface of a semiconductor wafer having bumps and causing the tops of the bumps to protrude from the resin film, thereby providing the composite sheet on the semiconductor wafer; a removal step of removing layers of the composite sheet other than the resin film from the resin film after the attachment step; a curing step of curing the resin film to form a first protective film after the removal step; a dividing step of dividing the semiconductor wafer to produce semiconductor chips after the curing step; a cutting step of cutting the first protective film after the curing step; and a mounting step of flip-chip connecting the semiconductor chip with the first protective film, the semiconductor chip having the tops of the bumps protruding from the first protective film, to a substrate at the tops of the bumps.
本発明によれば、凹凸面への貼付に適用可能な樹脂フィルムであって、凹凸面への貼付時に、凸部の貫通が可能であり、凸部の上部での残存を抑制でき、当初の大きさからのはみ出しを抑制できる樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの凹凸面への貼付時に用いる、前記樹脂フィルムを備えた複合シートと、が提供される。 The present invention provides a resin film that can be applied to an uneven surface, which, when applied to the uneven surface, can penetrate the convex parts, can prevent the upper parts of the convex parts from remaining, and can prevent the resin film from protruding beyond its original size, and a composite sheet comprising the resin film that is used when applying the resin film to the uneven surface.
◇樹脂フィルム及びその製造方法
本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムは、温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記試験片のひずみが1%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記試験片のひずみが300%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満となるものである。
Resin film and method for producing same In a resin film according to one embodiment of the present invention, a strain is generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece is measured. When the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 1% is defined as Gc1 and the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 300% is defined as Gc300, the storage modulus of the test piece can be expressed by the following formula:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by the above formula is 19 or more and less than 10,000.
ひずみ分散測定を行う前記試験片は、フィルム状であり、その平面形状は円形である。
前記試験片は、厚さ1mmの単層の前記樹脂フィルムであってもよいが、作製が容易である点では、厚さ1mm未満の単層の前記樹脂フィルムが複数枚積層されて構成された積層フィルムであることが好ましい。
前記積層フィルムを構成する複数枚の単層の前記樹脂フィルムの厚さは、すべて同じであってもよいし、すべて異なっていてもよいし、一部のみ同じであってもよいが、作製が容易である点では、すべて同じであることが好ましい。
The test piece for measuring the strain dispersion is in the form of a film, and its planar shape is circular.
The test piece may be a single layer of the resin film having a thickness of 1 mm, but in terms of ease of preparation, it is preferable that the test piece be a laminated film composed of multiple single layer resin films having a thickness of less than 1 mm.
The thicknesses of the multiple single-layer resin films that make up the laminated film may all be the same, all different, or only some of them may be the same, but from the standpoint of ease of production, it is preferable that they all be the same.
本明細書においては、前記Gc1及びGc300に限らず、「試験片の貯蔵弾性率」とは、「温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させたときの、このひずみに対応した試験片の貯蔵弾性率」を意味する。 In this specification, "storage modulus of a test specimen" refers not only to Gc1 and Gc300 but also to "the storage modulus of a test specimen corresponding to the strain generated when a strain is generated in a resin film test specimen having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz."
本実施形態の樹脂フィルムは、例えば、後述するように、基材及び緩衝層と積層することで、複合シートを構成できる。 The resin film of this embodiment can be laminated with a substrate and a buffer layer, for example, as described below, to form a composite sheet.
図1は、本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムの一例を模式的に示す断面図である。
なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a resin film according to one embodiment of the present invention.
In addition, the figures used in the following explanation may show enlarged essential parts for the sake of convenience in order to make the features of the present invention easier to understand, and the dimensional ratios of each component may not necessarily be the same as in reality.
ここに示す樹脂フィルム12は、その一方の面(本明細書においては、「第1面」と称することがある)12a上に第1剥離フィルム151を備え、前記第1面12aとは反対側の他方の面(本明細書においては、「第2面」と称することがある)12b上に第2剥離フィルム152を備えている。
このような樹脂フィルム12は、例えば、ロール状として保存するのに好適である。
The resin film 12 shown here has a first release film 151 on one of its surfaces (sometimes referred to as the "first surface" in this specification) 12a, and a second release film 152 on the other surface (sometimes referred to as the "second surface" in this specification) 12b opposite the first surface 12a.
Such a resin film 12 is suitable for storage, for example, in a roll form.
樹脂フィルム12の試験片のX値は、19以上10000未満である。 The X value of the test piece of resin film 12 is greater than or equal to 19 and less than 10,000.
第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152は、いずれも公知のものでよい。
第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152は、互いに同じものであってもよいし、例えば、樹脂フィルム12から剥離させるときに必要な剥離力が互いに異なるなど、互いに異なるものであってもよい。
The first release film 151 and the second release film 152 may both be of known types.
The first release film 151 and the second release film 152 may be the same as each other, or may be different from each other, for example, in that they require different peeling forces when peeled from the resin film 12 .
図1に示す樹脂フィルム12は、第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152のいずれか一方が取り除かれ、生じた露出面が、前記凹凸面への貼付面となる。そして、第1剥離フィルム151及び第2剥離フィルム152の残りの他方が取り除かれ、生じた露出面が、後述する複合シートを構成するための他の層(例えば緩衝層等)の貼付面となる。 When either the first release film 151 or the second release film 152 is removed from the resin film 12 shown in Figure 1, the resulting exposed surface becomes the surface to be attached to the uneven surface. Then, when the other remaining first release film 151 or second release film 152 is removed, the resulting exposed surface becomes the surface to be attached to other layers (e.g., a buffer layer) that will form the composite sheet described below.
図1においては、剥離フィルムが樹脂フィルム12の両面(第1面12a、第2面12b)に設けられている例を示しているが、剥離フィルムは、樹脂フィルム12のいずれか一方の面のみ、すなわち、第1面12aのみ、又は第2面12bのみに、設けられていてもよい。 Figure 1 shows an example in which a release film is provided on both sides (first side 12a, second side 12b) of the resin film 12, but the release film may be provided on only one side of the resin film 12, i.e., only the first side 12a or only the second side 12b.
本実施形態の樹脂フィルムは、硬化性であってもよいし、非硬化性であってもよい。例えば、前記樹脂フィルムは、その硬化によって保護膜(例えば、後述する第1保護膜。以下同様。)として機能するものであってもよいし、硬化していない状態で保護膜として機能するものであってもよい。
硬化性の樹脂フィルムは、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであってもよく、熱硬化性及びエネルギー線硬化性の両方の特性を有していてもよい。
The resin film of the present embodiment may be curable or non-curable. For example, the resin film may function as a protective film (e.g., a first protective film described later; the same applies hereinafter) when cured, or may function as a protective film in an uncured state.
The curable resin film may be either thermosetting or energy ray curable, or may have both thermosetting and energy ray curable properties.
本実施形態の樹脂フィルムを用いて保護膜を形成する場合には、より保護能が高い保護膜を形成可能である点では、前記樹脂フィルムは硬化性であることが好ましい。 When forming a protective film using the resin film of this embodiment, it is preferable that the resin film be curable, as this allows for the formation of a protective film with higher protective properties.
本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味する。エネルギー線の例としては、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はLEDランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
また、本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
また、「非硬化性」とは、加熱やエネルギー線の照射等、如何なる手段によっても、硬化しない性質を意味する。非硬化性の保護膜形成用フィルムは、目的とする対象物に設けられた(形成された)段階以降、保護膜であるとみなす。
In this specification, "energy rays" refers to electromagnetic waves or charged particle beams that have an energy quantum. Examples of energy rays include ultraviolet rays, radioactive rays, and electron beams. Ultraviolet rays can be irradiated using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, or an LED lamp as an ultraviolet light source. Electron beams can be irradiated using those generated by an electron beam accelerator or the like.
In addition, in this specification, "energy ray curable" means a property of being cured by irradiation with energy rays, and "non-energy ray curable" means a property of not being cured even when irradiated with energy rays.
Furthermore, "non-curable" means a property that does not cure by any means such as heating, irradiation with energy rays, etc. A non-curable film for forming a protective film is considered to be a protective film after it is provided (formed) on a target object.
本実施形態の樹脂フィルムは、樹脂成分を含有し、樹脂成分以外の成分を含有していてもよいし、含有していなくてもよい。
好ましい樹脂フィルムとしては、例えば、樹脂成分と、充填材と、これら(樹脂成分と充填材)のいずれにも該当せず、かつ樹脂フィルムの貯蔵弾性率の調節効果を有する各種添加剤と、を含有するものが挙げられる。
The resin film of the present embodiment contains a resin component, and may or may not contain components other than the resin component.
Preferred resin films include, for example, those containing a resin component, a filler, and various additives that do not fall into either of these categories (resin component and filler) and have the effect of adjusting the storage modulus of the resin film.
樹脂フィルムの貯蔵弾性率の調節効果を有する前記添加剤としては、例えば、レオロジーコントロール剤(チキソトロピック剤)、界面活性剤、シリコーンオイル等が挙げられる。 Examples of additives that have the effect of adjusting the storage modulus of the resin film include rheology control agents (thixotropic agents), surfactants, silicone oils, etc.
本実施形態の樹脂フィルムは、軟質であり、凹凸面への貼付用として好適である。
本実施形態の樹脂フィルムを、加熱しながら凹凸面へ貼付したときには、凹凸面の凸部が前記樹脂フィルムを貫通し、前記凸部の上部が前記樹脂フィルムから突出する。そして、軟化した樹脂フィルムは、前記凸部を覆うようにして凸部間に広がり、凹凸面と密着するとともに、凸部の表面、特に凹凸面の近傍部位の表面を覆って、凸部の基部を埋め込む。この状態で、前記凸部の上部においては、樹脂フィルムの残存が抑制される。そして、樹脂フィルムが硬化性である場合には、この状態の樹脂フィルムの硬化物も当然に、前記凸部の上部においては、その付着が抑制される。さらに、この貼付後の樹脂フィルムにおいては、当初の大きさからのはみ出しが抑制されるため、例えば、前記凹凸面からの樹脂フィルムのはみ出しが抑制される。このように、前記樹脂フィルムの残存とはみ出しが抑制される理由は、樹脂フィルムが前記X値の条件(19≦X値<10000)を満たしているためである。
さらに、前記樹脂フィルムを用いた場合には、前記樹脂フィルム及びその硬化物が前記凹凸面に設けられた状態で、凹凸面の凸部のうち、その上部以外の領域(例えば、凹凸面近傍の基部)、又は、凹凸面の凸部近傍の領域が、意図せずに前記樹脂フィルム及びその硬化物で覆われずに露出してしまうこと、いわゆるハジキが抑制される。このように、前記樹脂フィルムの基本的特性が良好である理由も、樹脂フィルムが前記X値の条件(19≦X値<10000)を満たしているためである。
このように、本実施形態の樹脂フィルムは、凸部を露出させつつ、樹脂フィルム自体及びその硬化物によって、凹凸面全体を被覆できる点で、極めて優れた特性を有する。
The resin film of this embodiment is soft and suitable for application to uneven surfaces.
When the resin film of this embodiment is applied to an uneven surface while being heated, the convex portions of the uneven surface penetrate the resin film, causing the upper portions of the convex portions to protrude from the resin film. The softened resin film then spreads between the convex portions, covering them, and adheres closely to the uneven surface. It also covers the surfaces of the convex portions, particularly the surfaces near the uneven surface, burying the bases of the convex portions. In this state, the resin film is prevented from remaining above the convex portions. If the resin film is curable, the cured resin film in this state is also naturally prevented from adhering to the upper portions of the convex portions. Furthermore, after application, the resin film is prevented from protruding from its original size, thereby preventing, for example, the resin film from protruding from the uneven surface. The reason for this prevention of the resin film remaining and protruding is that the resin film satisfies the X value condition (19≦X value<10,000).
Furthermore, when the resin film is used, when the resin film and its cured product are provided on the uneven surface, regions of the convex portions of the uneven surface other than the upper portions (for example, base portions near the uneven surface) or regions near the convex portions of the uneven surface are unintentionally exposed without being covered with the resin film and its cured product, i.e., so-called repelling is suppressed. The reason why the basic properties of the resin film are thus good is also because the resin film satisfies the condition of the X value (19≦X value<10000).
As described above, the resin film of this embodiment has extremely excellent properties in that the entire uneven surface can be covered with the resin film itself and its cured product while leaving the convex portions exposed.
本実施形態の樹脂フィルムを凹凸面へ貼付するときの、樹脂フィルムの加熱温度、貼付圧力は、その他の貼付条件に応じて、適宜調節できるが、例えば、後述する半導体ウエハのバンプ形成面への貼付時と、同じとすることができる。 When applying the resin film of this embodiment to an uneven surface, the heating temperature and application pressure of the resin film can be adjusted appropriately depending on other application conditions, but can be the same as when applying it to the bump-forming surface of a semiconductor wafer, as described below.
凹凸面の凸部の上部における、樹脂フィルムの残存の有無は、例えば、前記凸部の上部について、SEMの撮像データを取得することにより、確認できる。
また、前記凹凸面からの樹脂フィルムのはみ出しの有無と、凹凸面上における、樹脂フィルムのハジキの有無は、例えば、前記凹凸面上の該当部位について、SEMの撮像データを取得することにより、確認できる。
The presence or absence of the resin film remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface can be confirmed, for example, by obtaining SEM image data of the tops of the convex portions.
Furthermore, whether or not the resin film is protruding from the uneven surface and whether or not the resin film is repelling from the uneven surface can be confirmed, for example, by obtaining SEM image data of the relevant portion on the uneven surface.
本実施形態の樹脂フィルムの凹凸面への貼付時には、本実施形態の樹脂フィルムを備えた前記複合シートを用いることができる。複合シートについては、後ほど詳しく説明する。 When applying the resin film of this embodiment to an uneven surface, the composite sheet provided with the resin film of this embodiment can be used. The composite sheet will be described in more detail later.
前記凹凸面を備えた、前記樹脂フィルムの貼付対象物として、より具体的には、例えば、バンプを有する半導体ウエハが挙げられる。
すなわち、前記樹脂フィルムは、半導体チップへと分割する前の半導体ウエハに対して貼付できる。この場合、前記樹脂フィルムは、半導体ウエハのバンプを有する面に貼付して使用される。
More specifically, an example of an object to which the resin film is to be attached, which has an uneven surface, is a semiconductor wafer having bumps.
That is, the resin film can be attached to a semiconductor wafer before it is divided into semiconductor chips. In this case, the resin film is attached to the surface of the semiconductor wafer having bumps.
本明細書においては、半導体ウエハ及び半導体チップのいずれにおいても、そのバンプを有する面のことを「バンプ形成面」と称することがある。 In this specification, the surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip that has bumps may be referred to as the "bump-forming surface."
このとき、前記樹脂フィルムを加熱しながらバンプ形成面に貼付することで、バンプは樹脂フィルムを貫通し、バンプの頭頂部が前記樹脂フィルムから突出する。そして、軟化した樹脂フィルムは、バンプを覆うようにしてバンプ間に広がり、バンプ形成面と密着するとともに、バンプの表面、特にバンプ形成面の近傍部位の表面を覆って、バンプの基部を埋め込む。この状態で、バンプの頭頂部をはじめとする上部においては、樹脂フィルムの残存が抑制される。そして、樹脂フィルムが硬化性である場合には、この状態の樹脂フィルムの硬化物も当然に、バンプの上部においては、その付着が抑制される。さらに、この貼付後の樹脂フィルムにおいては、当初の大きさからのはみ出しが抑制されるため、例えば、半導体ウエハのバンプ形成面からの樹脂フィルムのはみ出しが抑制される。さらに、前記樹脂フィルムを用いた場合には、前記樹脂フィルム及びその硬化物がバンプ形成面に設けられた状態で、バンプの上部以外の領域、又は、バンプ形成面のバンプ近傍の領域が、意図せずに露出してしまうこと(すなわちハジキ)が抑制される。これらの効果が得られる理由は、上述のとおりである。When the resin film is applied to the bump-forming surface while being heated, the bumps penetrate the resin film, causing the tops of the bumps to protrude from the resin film. The softened resin film then spreads between the bumps, covering them and adhering to the bump-forming surface. It also covers the bump surfaces, particularly the surfaces near the bump-forming surface, and embeds the bases of the bumps. In this state, the resin film is prevented from remaining in the tops and other upper portions of the bumps. If the resin film is curable, the cured resin film is also naturally prevented from adhering to the tops of the bumps. Furthermore, after application, the resin film is prevented from protruding from its original size, thereby preventing, for example, the resin film from protruding from the bump-forming surface of the semiconductor wafer. Furthermore, when the resin film and its cured resin are applied to the bump-forming surface, unintentional exposure (i.e., repelling) of areas other than the tops of the bumps or areas of the bump-forming surface near the bumps is prevented. The reasons why these effects are obtained are as described above.
前記樹脂フィルムが硬化性である場合には、この状態(バンプの基部を埋め込んだ状態)の樹脂フィルムは、この後、硬化によって最終的に第1保護膜を形成し、前記樹脂フィルムが非硬化性である場合には、この状態(バンプの基部を埋め込んだ状態)以降の樹脂フィルムが第1保護膜となる。 If the resin film is curable, the resin film in this state (with the base of the bump embedded) will then harden to ultimately form the first protective film; if the resin film is non-curable, the resin film from this state (with the base of the bump embedded) onwards will become the first protective film.
本明細書においては、このように、半導体ウエハ又は半導体チップのバンプ形成面に設けられている保護膜を「第1保護膜」と称する。そして、半導体ウエハ又は半導体チップのバンプ形成面とは反対側の面(すなわち裏面)に設けられている保護膜を「第2保護膜」と称する。In this specification, the protective film provided on the bump-formed surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip is referred to as the "first protective film." The protective film provided on the surface opposite the bump-formed surface of a semiconductor wafer or semiconductor chip (i.e., the back surface) is referred to as the "second protective film."
樹脂フィルムを凹凸面へ貼付したときなど、貼付対象物へ貼付したときに、樹脂フィルムが当初の大きさからはみ出した場合には、このはみ出している状態の樹脂フィルムを、その上方から見下ろして平面視し、このときの樹脂フィルムの外周上の異なる二点間を結ぶ線分の長さの最大値を求め、さらに、この最大値を示す前記線分と重なる位置での、当初(すなわち、はみ出す前)の樹脂フィルムの幅の値を求め、前記線分の長さの最大値から、前記樹脂フィルムの幅の値を減じることにより、樹脂フィルムのはみ出し量を算出できる。 If a resin film protrudes from its original size when it is applied to an object, such as when it is applied to an uneven surface, the resin film in this protruding state can be viewed in a planar view from above, and the maximum length of the line segment connecting two different points on the circumference of the resin film at this time can be found.Furthermore, the original width of the resin film (i.e., before it protruded) at the position where it overlaps with the line segment indicating this maximum length can be found, and the width of the resin film can be calculated by subtracting the value of the width of the resin film from the maximum length of the line segment.
図2は、樹脂フィルムの平面形状が円形である場合の、樹脂フィルムのはみ出し量を模式的に説明するための平面図である。
なお、図2以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
FIG. 2 is a plan view for schematically explaining the amount of protrusion of a resin film when the planar shape of the resin film is circular.
In FIG. 2 and subsequent figures, the same components as those shown in the figures already described are given the same reference numerals as in the figures already described, and detailed description thereof will be omitted.
ここに示す樹脂フィルム101は、貼付対象物102に貼付された状態で、当初の大きさからはみ出した状態となっている。符号101’で示しているのは、当初の大きさの樹脂フィルムであり、はみ出し量を理解し易くするために、便宜的に示している。当初の樹脂フィルム101’の平面形状は、ここでは円形であるが、はみ出した状態となっている樹脂フィルム101の平面形状は、非円形である。ただし、これは一例であり、はみ出した状態となっている樹脂フィルム101の平面形状は、ここに示すものに限定されない。 The resin film 101 shown here protrudes from its original size when attached to the object 102. The resin film has its original size indicated by the reference symbol 101', which is shown for convenience to make it easier to understand the amount of protrusion. The original planar shape of the resin film 101' is circular here, but the planar shape of the protruding resin film 101 is non-circular. However, this is just one example, and the planar shape of the protruding resin film 101 is not limited to that shown here.
樹脂フィルム101のはみ出し量を求めるためには、樹脂フィルム101の外周1010上のうちの一点1010aと、これとは異なる他の一点1010bと、の間を結ぶ線分の長さD1の最大値を求め、さらに、この最大値を示す前記線分と重なる位置での、当初(すなわち、はみ出す前)の樹脂フィルム101’の幅の値D0を求めればよい。D1とD0との差(D1-D0)が、前記はみ出し量となる。
樹脂フィルム101における、最大値を示す前記線分は、平面視にて、当初の樹脂フィルム101’における円の中心を通ることがあり、その場合、この最大値を示す前記線分と重なる位置での、当初の樹脂フィルム101’の幅の値は、樹脂フィルム101’の直径となる。
To find the amount of protrusion of resin film 101, the maximum value of length D1 of the line segment connecting point 1010a on outer periphery 1010 of resin film 101 and another point 1010b is found, and then the value D0 of the initial width of resin film 101' (i.e., before protrusion) at the position where it overlaps with the line segment showing this maximum value is found. The difference between D1 and D0 ( D1 - D0 ) is the amount of protrusion.
The line segment indicating the maximum value in resin film 101 may pass through the center of the circle in original resin film 101' when viewed in a plane, in which case the width value of original resin film 101' at the position where it overlaps with the line segment indicating this maximum value becomes the diameter of resin film 101'.
ここでは、図面を参照して、樹脂フィルムの平面形状が円形である場合の、樹脂フィルムのはみ出し量について説明したが、平面形状が円形以外である場合にも、同様の方法で樹脂フィルムのはみ出し量を算出できる。 Here, we have explained the amount of resin film protruding when the planar shape of the resin film is circular, with reference to the drawings. However, the amount of resin film protruding can also be calculated in a similar manner when the planar shape is other than circular.
樹脂フィルムを貼付対象物の凹凸面へ貼付するときには、凹凸面の凸部の上部(貼付対象物がバンプを有する半導体ウエハである場合には、バンプの上部)が樹脂フィルムを貫通して突出しようとする中盤段階と、凸部の上部が樹脂フィルムを貫通して突出した後に、樹脂フィルムが凸部の基部を埋め込む終盤段階とでは、樹脂フィルムのひずみの程度は、大きく異なる。より具体的には、前記中盤段階での樹脂フィルムのひずみは大きく、前記終盤段階での樹脂フィルムのひずみは小さい。
本実施形態の樹脂フィルムは、そのひずみが小さいときの貯蔵弾性率としてGc1を採用し、そのひずみが大きいときの貯蔵弾性率としてGc300を採用して、Gc1が高く、Gc300が低くなるようにして、X値(=Gc1/Gc300)を特定範囲に規定することにより、先に説明した優れた効果を奏する。
When a resin film is applied to the uneven surface of an object to be applied, the degree of distortion of the resin film differs significantly between the middle stage when the tops of the convex portions of the uneven surface (the tops of the bumps if the object to be applied is a semiconductor wafer with bumps) penetrate the resin film and protrude, and the final stage when the resin film embeds the bases of the convex portions after the tops of the convex portions have penetrated the resin film and protrude. More specifically, the distortion of the resin film is large in the middle stage and small in the final stage.
The resin film of this embodiment employs Gc1 as the storage modulus when the strain is small and Gc300 as the storage modulus when the strain is large, and by setting the X value (= Gc1/Gc300) to a specific range by making Gc1 high and Gc300 low, the excellent effects described above are achieved.
前記樹脂フィルムにおいて、X値は、19以上10000未満であればよいが、例えば、X値は、5000以下、2000以下、1000以下、500以下、300以下、100以下、及び70以下のいずれかであってもよい。
例えば、X値は、19~5000、19~2000、19~1000、19~500、19~300、19~100、及び19~70のいずれかであってもよい。
In the resin film, the X value may be 19 or more and less than 10,000. For example, the X value may be any of 5,000 or less, 2,000 or less, 1,000 or less, 500 or less, 300 or less, 100 or less, and 70 or less.
For example, the X value may be any of 19 to 5000, 19 to 2000, 19 to 1000, 19 to 500, 19 to 300, 19 to 100, and 19 to 70.
本実施形態の樹脂フィルムとは異なり、X値が10000以上である他の樹脂フィルムは、凹凸面への貼付によって、凸部の上部が他の樹脂フィルムから突出しても、ハジキの抑制効果が見られず、他の樹脂フィルムの硬化物も、ハジキが生じている状態のままとなる。 Unlike the resin film of this embodiment, other resin films with an X value of 10,000 or more do not exhibit the effect of suppressing repelling, even when the tops of the convex portions protrude from the other resin film when applied to an uneven surface, and the cured product of the other resin film also remains in a state where repelling occurs.
前記樹脂フィルムにおいて、Gc1は、X値が19以上10000未満となる限り、特に限定されない。
ただし、先に説明したように、凸部の上部において樹脂フィルムの残存が抑制される効果と、樹脂フィルムのはみ出しが抑制される効果と、樹脂フィルム及びその硬化物のハジキが抑制される効果とが、いずれも高い次元で発揮される点では、Gc1は、1×104~1×106Paであることが好ましい。
In the resin film, Gc1 is not particularly limited as long as the X value is 19 or more and less than 10,000.
However, as explained above, it is preferable that Gc1 is 1 x 10 4 to 1 x 10 6 Pa in order to achieve a high level of the effects of suppressing the resin film from remaining on the top of the convex portions, the effects of suppressing the resin film from protruding, and the effects of suppressing the resin film and its cured product from cissing.
前記樹脂フィルムにおいて、Gc300は、X値が19以上10000未満となる限り、特に限定されない。
ただし、上記のGc1の場合と同様の理由で、Gc300は、1~5000Paであることが好ましい。
In the resin film, Gc300 is not particularly limited as long as the X value is 19 or more and less than 10,000.
However, for the same reason as in the case of Gc1 above, Gc300 is preferably 1 to 5000 Pa.
前記樹脂フィルムにおいては、上述の条件をともに満たすこと、すなわち、Gc1が1×104~1×106Paであり、かつGc300が1~5000Paであることが好ましい。 It is preferable that the resin film satisfies both of the above conditions, that is, Gc1 is 1×10 4 to 1×10 6 Pa and Gc300 is 1 to 5000 Pa.
前記樹脂フィルムの貯蔵弾性率は、Gc1及びGc300の場合に限らず、樹脂フィルムの含有成分の種類又は含有量を調節することで、容易に調節できる。そのためには、樹脂フィルムを形成するための組成物中の含有成分の種類又は含有量を調節すればよい。例えば、後述する熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物(III)を用いる場合には、この組成物中の重合体成分(A)、充填材(D)等の、主たる含有成分の種類又は含有量を調節したり、レオロジーコントロール剤、界面活性剤又はシリコーンオイル等の添加剤(I)の種類又は含有量を調節することで、樹脂フィルムの貯蔵弾性率を容易に調節できる。
例えば、熱硬化性樹脂フィルム及び前記組成物(III)の前記充填材(D)又は添加剤(I)の含有量を増大させると、X値は大きくなり易い。
The storage modulus of the resin film can be easily adjusted by adjusting the type or content of the components contained in the resin film, not limited to Gc1 and Gc300. To achieve this, the type or content of the components contained in the composition for forming the resin film can be adjusted. For example, when using the thermosetting resin film-forming composition (III) described below, the storage modulus of the resin film can be easily adjusted by adjusting the type or content of the main components contained in the composition, such as the polymer component (A) and the filler (D), or by adjusting the type or content of the additive (I), such as a rheology control agent, a surfactant, or a silicone oil.
For example, when the content of the filler (D) or the additive (I) in the thermosetting resin film and the composition (III) is increased, the value of X tends to increase.
前記樹脂フィルムが硬化性及び非硬化性のいずれであるかによらず、そして、硬化性である場合には、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、樹脂フィルムは、1層(単層)からなるものであってもよいし、2層以上の複数層からなるものであってもよい。樹脂フィルムが複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 Regardless of whether the resin film is curable or non-curable, and if it is curable, regardless of whether it is heat-curable or energy ray-curable, the resin film may consist of one layer (single layer) or two or more layers. When the resin film consists of multiple layers, these multiple layers may be the same or different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.
本明細書においては、前記樹脂フィルムの場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。In this specification, not only in the case of the resin film, "multiple layers may be the same or different" means "all layers may be the same, all layers may be different, or only some layers may be the same," and further, "multiple layers are different" means "at least one of the constituent materials and thicknesses of each layer is different from each other."
前記樹脂フィルムが硬化性及び非硬化性のいずれであるかによらず、そして、硬化性である場合には、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、前記樹脂フィルムの厚さは、1~100μmであることが好ましく、5~75μmであることがより好ましく、5~50μmであることが特に好ましい。樹脂フィルムの厚さが前記下限値以上であることで、樹脂フィルムが奏する効果が、より高くなる。例えば、樹脂フィルムを用いて保護膜を形成する場合には、保護能がより高い保護膜を形成できる。一方、樹脂フィルムの厚さが前記上限値以下であることで、過剰な厚さとなることが抑制される。
ここで、「樹脂フィルムの厚さ」とは、樹脂フィルム全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる樹脂フィルムの厚さとは、樹脂フィルムを構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
Regardless of whether the resin film is curable or non-curable, and if it is curable, regardless of whether it is thermosetting or energy ray-curable, the thickness of the resin film is preferably 1 to 100 μm, more preferably 5 to 75 μm, and particularly preferably 5 to 50 μm. When the thickness of the resin film is equal to or greater than the lower limit, the effect of the resin film is enhanced. For example, when a protective film is formed using a resin film, a protective film with higher protective ability can be formed. On the other hand, when the thickness of the resin film is equal to or less than the upper limit, excessive thickness is prevented.
Here, "thickness of the resin film" means the thickness of the entire resin film, and for example, the thickness of a resin film consisting of multiple layers means the total thickness of all layers that make up the resin film.
<<樹脂フィルム形成用組成物>>
前記樹脂フィルムは、その構成材料を含有する樹脂フィルム形成用組成物を用いて形成できる。例えば、前記樹脂フィルムは、その形成対象面に樹脂フィルム形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、形成できる。樹脂フィルム形成用組成物における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、樹脂フィルムにおける前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、15~25℃の温度等が挙げられる。
<<Resin film-forming composition>>
The resin film can be formed using a resin film-forming composition containing its constituent materials. For example, the resin film can be formed by applying the resin film-forming composition to the surface to be formed and drying it as necessary. The ratio of the contents of the components that do not vaporize at room temperature in the resin film-forming composition is usually the same as the ratio of the contents of the components in the resin film. In this specification, "room temperature" means a temperature that is not particularly cooled or heated, i.e., an ordinary temperature, and examples thereof include a temperature of 15 to 25°C.
熱硬化性樹脂フィルムは、熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物を用いて形成でき、エネルギー線硬化性樹脂フィルムは、エネルギー線硬化性樹脂フィルム形成用組成物を用いて形成でき、非硬化性樹脂フィルムは、非硬化性樹脂フィルム形成用組成物を用いて形成できる。なお、本明細書においては、樹脂フィルムが、熱硬化性及びエネルギー線硬化性の両方の特性を有する場合、その硬化(例えば、保護膜の形成)に対して、樹脂フィルムの熱硬化の寄与が、エネルギー線硬化の寄与よりも大きい場合には、樹脂フィルムを熱硬化性のものとして取り扱う。反対に、その硬化に対して、樹脂フィルムのエネルギー線硬化の寄与が、熱硬化の寄与よりも大きい場合には、樹脂フィルムをエネルギー線硬化性のものとして取り扱う。 A thermosetting resin film can be formed using a thermosetting resin film-forming composition, an energy ray-curable resin film can be formed using an energy ray-curable resin film-forming composition, and a non-curable resin film can be formed using a non-curable resin film-forming composition. In this specification, when a resin film has both thermosetting and energy ray-curable properties, and the contribution of the thermosetting of the resin film to its curing (e.g., formation of a protective film) is greater than the contribution of the energy ray-curing, the resin film is treated as thermosetting. Conversely, when the contribution of the energy ray-curing of the resin film to its curing is greater than the contribution of the thermosetting, the resin film is treated as energy ray-curable.
前記樹脂フィルムにおいて、樹脂フィルムの総質量に対する、樹脂フィルムの1種又は2種以上の後述する含有成分の合計含有量の割合は、100質量%を超えない。
同様に、樹脂フィルム形成用組成物において、樹脂フィルム形成用組成物の総質量に対する、樹脂フィルム形成用組成物の1種又は2種以上の後述する含有成分の合計含有量の割合は、100質量%を超えない。
In the resin film, the ratio of the total content of one or more components contained in the resin film, which will be described later, to the total mass of the resin film does not exceed 100% by mass.
Similarly, in the resin film-forming composition, the ratio of the total content of one or more components described below contained in the resin film-forming composition to the total mass of the resin film-forming composition does not exceed 100 mass %.
樹脂フィルム形成用組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。 The resin film-forming composition may be applied by any known method, such as using various coaters such as an air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater, Meyer bar coater, or kiss coater.
前記樹脂フィルムが硬化性及び非硬化性のいずれであるかによらず、そして、硬化性である場合には、熱硬化性及びエネルギー線硬化性のいずれであるかによらず、樹脂フィルム形成用組成物の乾燥条件は、特に限定されない。ただし、樹脂フィルム形成用組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。そして、溶媒を含有する樹脂フィルム形成用組成物は、例えば、70~130℃で10秒~5分の条件で、加熱乾燥させることが好ましい。ただし、熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物は、この組成物自体と、この組成物から形成された熱硬化性樹脂フィルムと、が熱硬化しないように、加熱乾燥させることが好ましい。 Regardless of whether the resin film is curable or non-curable, and if it is curable, regardless of whether it is heat-curable or energy ray-curable, the drying conditions for the resin film-forming composition are not particularly limited. However, if the resin film-forming composition contains a solvent, as described below, it is preferable to heat-dry it. Furthermore, a resin film-forming composition containing a solvent is preferably heat-dried, for example, at 70 to 130°C for 10 seconds to 5 minutes. However, it is preferable to heat-dry a thermosetting resin film-forming composition so that neither the composition itself nor the thermosetting resin film formed from this composition is thermally cured.
以下、熱硬化性樹脂フィルム及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムについて、さらに詳細に説明する。 Thermosetting resin films and energy ray-curable resin films are described in further detail below.
◎熱硬化性樹脂フィルム
熱硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化物とするとき、特に保護膜を形成するときの硬化条件は、前記硬化物が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り、特に限定されず、熱硬化性樹脂フィルムの種類、前記硬化物の用途等に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、保護膜を形成する場合であれば、熱硬化性樹脂フィルムの硬化時の加熱温度は、100~200℃であることが好ましく、110~170℃であることがより好ましく、120~150℃であることが特に好ましい。そして、前記熱硬化時の加熱時間は、0.5~5時間であることが好ましく、0.5~4時間であることがより好ましく、1~3時間であることが特に好ましい。
Thermosetting Resin Film When a thermosetting resin film is cured to form a cured product, particularly when a protective film is formed, the curing conditions are not particularly limited as long as the cured product has a degree of curing that allows it to fully exhibit its functions. The curing conditions may be appropriately selected depending on the type of thermosetting resin film, the application of the cured product, etc.
For example, in the case of forming a protective film, the heating temperature during curing of the thermosetting resin film is preferably 100 to 200° C., more preferably 110 to 170° C., and particularly preferably 120 to 150° C. The heating time during the thermal curing is preferably 0.5 to 5 hours, more preferably 0.5 to 4 hours, and particularly preferably 1 to 3 hours.
<熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物>
熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物としては、例えば、重合体成分(A)と、熱硬化性成分(B)と、充填材(D)と、添加剤(I)と、を含有する熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物(III)(本明細書においては、単に「組成物(III)」と称することがある)等が挙げられる。
<Thermosetting Resin Film-Forming Composition>
Examples of the composition for forming a thermosetting resin film include a composition for forming a thermosetting resin film (III) (sometimes simply referred to as "composition (III)" in this specification) containing a polymer component (A), a thermosetting component (B), a filler (D), and an additive (I).
[重合体成分(A)]
重合体成分(A)は、熱硬化性樹脂フィルムに造膜性や可撓性等を付与するための重合体化合物である。なお、本明細書において重合体化合物には、重縮合反応の生成物も含まれる。
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する重合体成分(A)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Polymer component (A)]
The polymer component (A) is a polymer compound for imparting film-forming properties, flexibility, etc. to the thermosetting resin film. In this specification, the polymer compound also includes products of polycondensation reactions.
The polymer component (A) contained in the composition (III) and the thermosetting resin film may be one type or two or more types, and when two or more types are contained, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
重合体成分(A)としては、例えば、ポリビニルアセタール、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、重合体成分(A)は、ポリビニルアセタールであることが好ましい。
Examples of the polymer component (A) include polyvinyl acetal, acrylic resin, urethane resin, phenoxy resin, silicone resin, saturated polyester resin, and the like.
Among these, the polymer component (A) is preferably polyvinyl acetal.
重合体成分(A)における前記ポリビニルアセタールとしては、公知のものが挙げられる。
なかでも、好ましいポリビニルアセタールとしては、例えば、ポリビニルホルマール、ポリビニルブチラール等が挙げられ、ポリビニルブチラールがより好ましい。
ポリビニルブチラールとしては、下記式(i)-1、(i)-2及び(i)-3で表される構成単位を有するものが挙げられる。
The polyvinyl acetal in the polymer component (A) may be any known polyvinyl acetal.
Of these, preferred polyvinyl acetals include, for example, polyvinyl formal and polyvinyl butyral, with polyvinyl butyral being more preferred.
Examples of polyvinyl butyral include those having structural units represented by the following formulas (i)-1, (i)-2 and (i)-3.
ポリビニルアセタールの重量平均分子量(Mw)は、5000~200000であることが好ましく、8000~100000であることがより好ましい。ポリビニルアセタールの重量平均分子量がこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂フィルムを前記凹凸面に貼付したときに、凹凸面の凸部の上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果(例えば、熱硬化性樹脂フィルムを前記バンプ形成面に貼付したときに、バンプの上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果。以下、同様。)と、前記凹凸面での熱硬化性樹脂フィルムの当初の大きさからのはみ出しを抑制する効果(例えば、熱硬化性樹脂フィルムを前記バンプ形成面に貼付したときに、バンプ形成面での熱硬化性樹脂フィルムの当初の大きさからのはみ出しを抑制する効果。以下、同様。)と、前記凹凸面上での、熱硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果(例えば、熱硬化性樹脂フィルムを前記バンプ形成面に貼付したときに、バンプ形成面上での、熱硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果。以下、同様。)と、がより高くなる。 The weight average molecular weight (Mw) of the polyvinyl acetal is preferably 5,000 to 200,000, and more preferably 8,000 to 100,000. When the weight-average molecular weight of the polyvinyl acetal is within this range, the following effects are enhanced: when a thermosetting resin film is applied to the uneven surface, the effect of suppressing the thermosetting resin film from remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface (for example, when a thermosetting resin film is applied to the bump-forming surface, the effect of suppressing the thermosetting resin film from remaining on the tops of the bumps; the same applies hereinafter); when a thermosetting resin film is applied to the bump-forming surface, the effect of suppressing the thermosetting resin film from protruding from its original size on the uneven surface (for example, when a thermosetting resin film is applied to the bump-forming surface, the effect of suppressing the thermosetting resin film from protruding from its original size on the bump-forming surface; the same applies hereinafter); and when a thermosetting resin film and its cured product are suppressed from repelling on the uneven surface (for example, when a thermosetting resin film is applied to the bump-forming surface, the effect of suppressing the thermosetting resin film and its cured product from repelling on the bump-forming surface; the same applies hereinafter).
なお、本明細書において、「重量平均分子量」とは、特に断りのない限り、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値である。 In this specification, unless otherwise specified, "weight average molecular weight" refers to a polystyrene-equivalent value measured by gel permeation chromatography (GPC).
ポリビニルアセタールのガラス転移温度(Tg)は、40~80℃であることが好ましく、50~70℃であることがより好ましい。ポリビニルアセタールのTgがこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂フィルムを前記凹凸面に貼付したときに、凹凸面の凸部の上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果と、前記凹凸面での熱硬化性樹脂フィルムのはみ出しを抑制する効果と、前記凹凸面上での、熱硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果と、がより高くなる。 The glass transition temperature (Tg) of the polyvinyl acetal is preferably 40 to 80°C, and more preferably 50 to 70°C. Having a Tg of polyvinyl acetal in this range enhances the effects of preventing the thermosetting resin film from remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface when the thermosetting resin film is applied to the uneven surface, preventing the thermosetting resin film from protruding from the uneven surface, and preventing the thermosetting resin film and its cured product from repelling on the uneven surface.
ポリビニルアセタールを構成する3種以上のモノマーの比率は任意に選択できる。 The ratio of the three or more monomers that make up the polyvinyl acetal can be selected arbitrarily.
重合体成分(A)における前記アクリル樹脂としては、公知のアクリル重合体が挙げられる。
アクリル樹脂の重量平均分子量(Mw)は、5000~1000000であることが好ましく、8000~800000であることがより好ましい。アクリル樹脂の重量平均分子量がこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂フィルムを前記凹凸面に貼付したときに、凹凸面の凸部の上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果と、前記凹凸面での熱硬化性樹脂フィルムのはみ出しを抑制する効果と、前記凹凸面上での、熱硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果と、がより高くなる。
The acrylic resin in the polymer component (A) may be any known acrylic polymer.
The weight-average molecular weight (Mw) of the acrylic resin is preferably 5,000 to 1,000,000, and more preferably 8,000 to 800,000. When the weight-average molecular weight of the acrylic resin is in this range, when the thermosetting resin film is attached to the uneven surface, the effects of suppressing the thermosetting resin film from remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface, suppressing the thermosetting resin film from protruding from the uneven surface, and suppressing repelling of the thermosetting resin film and its cured product on the uneven surface are enhanced.
アクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、-50~70℃であることが好ましく、-30~60℃であることがより好ましい。アクリル樹脂のTgがこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂フィルムを前記凹凸面に貼付したときに、凹凸面の凸部の上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果と、前記凹凸面での熱硬化性樹脂フィルムのはみ出しを抑制する効果と、前記凹凸面上での、熱硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果と、がより高くなる。 The glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin is preferably -50 to 70°C, and more preferably -30 to 60°C. Having an acrylic resin Tg within this range enhances the effects of preventing the thermosetting resin film from remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface when the thermosetting resin film is applied to the uneven surface, preventing the thermosetting resin film from spilling over the uneven surface, and preventing the thermosetting resin film and its cured product from repelling on the uneven surface.
アクリル樹脂が2種以上の構成単位を有する場合には、そのアクリル樹脂のガラス転移温度(Tg)は、Foxの式を用いて算出できる。このとき用いる、前記構成単位を誘導するモノマーのTgとしては、高分子データ・ハンドブック又は粘着ハンドブックに記載されている値を使用できる。When an acrylic resin has two or more structural units, the glass transition temperature (Tg) of the acrylic resin can be calculated using the Fox equation. The Tg of the monomer from which the structural units are derived can be calculated using the values listed in the Polymer Data Handbook or the Adhesive Handbook.
アクリル樹脂を構成するモノマーは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The monomers constituting the acrylic resin may be of one type only, or of two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
アクリル樹脂としては、例えば、1種又は2種以上の(メタ)アクリル酸エステルの重合体;
(メタ)アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びN-メチロールアクリルアミド等から選択される2種以上のモノマーの共重合体;
1種又は2種以上の(メタ)アクリル酸エステルと、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン及びN-メチロールアクリルアミド等から選択される1種又は2種以上のモノマーと、の共重合体等が挙げられる。
Examples of acrylic resins include polymers of one or more (meth)acrylic acid esters;
A copolymer of two or more monomers selected from (meth)acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, N-methylolacrylamide, and the like;
Examples include copolymers of one or more (meth)acrylic acid esters with one or more monomers selected from (meth)acrylic acid, itaconic acid, vinyl acetate, acrylonitrile, styrene, N-methylolacrylamide, and the like.
本明細書において、「(メタ)アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。(メタ)アクリル酸と類似の用語につても同様であり、例えば、「(メタ)アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「(メタ)アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。In this specification, the term "(meth)acrylic acid" encompasses both "acrylic acid" and "methacrylic acid." The same applies to terms similar to (meth)acrylic acid; for example, "(meth)acrylate" encompasses both "acrylate" and "methacrylate," and "(meth)acryloyl group" encompasses both "acryloyl group" and "methacryloyl group."
アクリル樹脂を構成する前記(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸n-ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリル)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチル)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチル)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリル)等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が1~18の鎖状構造である(メタ)アクリル酸アルキルエステル;
(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル等の(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ベンジル等の(メタ)アクリル酸アラルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル;
(メタ)アクリル酸イミド;
(メタ)アクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステル;
(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等の水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル;
(メタ)アクリル酸N-メチルアミノエチル等の置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、アミノ基の1個又は2個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基を意味する。
Examples of the (meth)acrylic acid ester constituting the acrylic resin include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, sec-butyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, p) (meth)acrylic acid alkyl esters in which the alkyl group constituting the alkyl ester has a chain structure and has 1 to 18 carbon atoms, such as isononyl acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate (lauryl (meth)acrylate), tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate (myristyl (meth)acrylate), pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate (palmityl (meth)acrylate), heptadecyl (meth)acrylate, and octadecyl (meth)acrylate (stearyl (meth)acrylate);
(meth)acrylic acid cycloalkyl esters such as isobornyl (meth)acrylate and dicyclopentanyl (meth)acrylate;
(Meth)acrylic acid aralkyl esters such as benzyl (meth)acrylate;
(Meth)acrylic acid cycloalkenyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyl ester;
(Meth)acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyloxyethyl ester;
(Meth)acrylic acid imide;
glycidyl group-containing (meth)acrylic acid esters such as glycidyl (meth)acrylate;
hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid esters such as hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate;
Examples include substituted amino group-containing (meth)acrylic acid esters such as N-methylaminoethyl (meth)acrylate. Here, the term "substituted amino group" refers to a group in which one or two hydrogen atoms of an amino group are substituted with a group other than a hydrogen atom.
アクリル樹脂は、ビニル基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の他の化合物と結合可能な官能基を有していてもよい。アクリル樹脂の前記官能基は、後述する架橋剤(F)を介して他の化合物と結合してもよいし、架橋剤(F)を介さずに他の化合物と直接結合していてもよい。アクリル樹脂が前記官能基により他の化合物と結合することで、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性が向上する傾向がある。The acrylic resin may have functional groups capable of bonding with other compounds, such as vinyl groups, (meth)acryloyl groups, amino groups, hydroxyl groups, carboxy groups, and isocyanate groups. The functional groups of the acrylic resin may bond with other compounds via a crosslinking agent (F), which will be described later, or may bond directly with other compounds without the use of a crosslinking agent (F). Bonding of the acrylic resin with other compounds via the functional groups tends to improve the reliability of packages obtained using, for example, a thermosetting resin film.
組成物(III)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する重合体成分(A)の含有量の割合(すなわち、熱硬化性樹脂フィルムにおける、熱硬化性樹脂フィルムの総質量に対する、重合体成分(A)の含有量の割合)は、重合体成分(A)の種類によらず、5~25質量%であることが好ましく、5~15質量%であることがより好ましい。In composition (III), the ratio of the content of polymer component (A) to the total content of all components other than the solvent (i.e., in the thermosetting resin film, the ratio of the content of polymer component (A) to the total mass of the thermosetting resin film) is preferably 5 to 25% by mass, and more preferably 5 to 15% by mass, regardless of the type of polymer component (A).
[熱硬化性成分(B)]
熱硬化性成分(B)は、熱硬化性を有し、熱硬化性樹脂フィルムを熱硬化させて、硬質の硬化物を形成するための成分である。
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する熱硬化性成分(B)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[Thermosetting component (B)]
The thermosetting component (B) has thermosetting properties and is a component for thermally curing the thermosetting resin film to form a hard cured product.
The thermosetting component (B) contained in the composition (III) and the thermosetting resin film may be one type or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
熱硬化性成分(B)としては、例えば、エポキシ系熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、熱硬化性成分(B)は、エポキシ系熱硬化性樹脂であることが好ましい。
Examples of the thermosetting component (B) include epoxy-based thermosetting resins, polyimide resins, and unsaturated polyester resins.
Among these, the thermosetting component (B) is preferably an epoxy-based thermosetting resin.
(エポキシ系熱硬化性樹脂)
エポキシ系熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)からなる。
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有するエポキシ系熱硬化性樹脂は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
(epoxy thermosetting resin)
The epoxy thermosetting resin comprises an epoxy resin (B1) and a thermosetting agent (B2).
The epoxy-based thermosetting resin contained in the composition (III) and the thermosetting resin film may be one type or two or more types, and when two or more types are contained, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
・エポキシ樹脂(B1)
エポキシ樹脂(B1)としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールAジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、2官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
Epoxy resin (B1)
Examples of the epoxy resin (B1) include known epoxy resins, such as bifunctional or higher functional epoxy compounds, including polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and its hydrogenated products, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, and phenylene skeleton-type epoxy resins.
エポキシ樹脂(B1)は、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂であってもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性が向上する傾向がある。 The epoxy resin (B1) may be an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group. Epoxy resins having an unsaturated hydrocarbon group have higher compatibility with acrylic resins than epoxy resins without an unsaturated hydrocarbon group. Therefore, the use of an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group tends to improve the reliability of packages obtained using, for example, a thermosetting resin film.
不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、多官能系エポキシ樹脂のエポキシ基の一部が不飽和炭化水素基を有する基に変換されてなる化合物が挙げられる。このような化合物は、例えば、エポキシ基へ(メタ)アクリル酸又はその誘導体を付加反応させることにより得られる。
また、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を構成する芳香環等に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合した化合物等が挙げられる。
不飽和炭化水素基は、重合性を有する不飽和基であり、その具体的な例としては、エテニル基(ビニル基)、2-プロペニル基(アリル基)、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基等が挙げられ、アクリロイル基が好ましい。
Examples of epoxy resins having unsaturated hydrocarbon groups include compounds obtained by converting some of the epoxy groups of a polyfunctional epoxy resin into groups having unsaturated hydrocarbon groups. Such compounds can be obtained, for example, by subjecting the epoxy groups to an addition reaction with (meth)acrylic acid or a derivative thereof.
Furthermore, examples of epoxy resins having an unsaturated hydrocarbon group include compounds in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to an aromatic ring or the like constituting the epoxy resin.
The unsaturated hydrocarbon group is a polymerizable unsaturated group, and specific examples thereof include an ethenyl group (vinyl group), a 2-propenyl group (allyl group), a (meth)acryloyl group, and a (meth)acrylamide group, with an acryloyl group being preferred.
エポキシ樹脂(B1)の数平均分子量は、特に限定されないが、熱硬化性樹脂フィルムの硬化性、並びに、熱硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の強度及び耐熱性の点から、300~30000であることが好ましく、400~10000であることがより好ましく、500~3000であることが特に好ましい。
エポキシ樹脂(B1)のエポキシ当量は、100~1000g/eqであることが好ましく、200~800g/eqであることがより好ましい。
The number average molecular weight of the epoxy resin (B1) is not particularly limited, but from the viewpoints of the curability of the thermosetting resin film and the strength and heat resistance of the cured product of the thermosetting resin film (for example, a protective film), it is preferably 300 to 30,000, more preferably 400 to 10,000, and particularly preferably 500 to 3,000.
The epoxy equivalent of the epoxy resin (B1) is preferably 100 to 1000 g/eq, more preferably 200 to 800 g/eq.
エポキシ樹脂(B1)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 Epoxy resin (B1) may be used alone or in combination of two or more types. When two or more types are used in combination, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
・熱硬化剤(B2)
熱硬化剤(B2)は、エポキシ樹脂(B1)に対する硬化剤として機能する。
熱硬化剤(B2)としては、例えば、1分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を2個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
Heat curing agent (B2)
The heat curing agent (B2) functions as a curing agent for the epoxy resin (B1).
The thermosetting agent (B2) may be, for example, a compound having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in one molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxyl group, and an anhydride group of an acid group. A phenolic hydroxyl group, an amino group, or an anhydride group of an acid group is preferred, and a phenolic hydroxyl group or an amino group is more preferred.
熱硬化剤(B2)のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
熱硬化剤(B2)のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド(以下、「DICY」と略記することがある)等が挙げられる。
Among the heat curing agents (B2), examples of phenolic curing agents having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-type phenolic resins, and aralkyl-type phenolic resins.
Among the heat curing agents (B2), examples of amine-based curing agents having an amino group include dicyandiamide (hereinafter sometimes abbreviated as "DICY").
熱硬化剤(B2)は、不飽和炭化水素基を有していてもよい。
不飽和炭化水素基を有する熱硬化剤(B2)としては、例えば、フェノール樹脂の水酸基の一部が、不飽和炭化水素基を有する基で置換されてなる化合物、フェノール樹脂の芳香環に、不飽和炭化水素基を有する基が直接結合してなる化合物等が挙げられる。
熱硬化剤(B2)における前記不飽和炭化水素基は、上述の不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂における不飽和炭化水素基と同様のものである。
The heat curing agent (B2) may have an unsaturated hydrocarbon group.
Examples of the thermosetting agent (B2) having an unsaturated hydrocarbon group include a compound in which some of the hydroxyl groups of a phenolic resin are substituted with a group having an unsaturated hydrocarbon group, and a compound in which a group having an unsaturated hydrocarbon group is directly bonded to an aromatic ring of a phenolic resin.
The unsaturated hydrocarbon group in the heat curing agent (B2) is the same as the unsaturated hydrocarbon group in the epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group described above.
熱硬化剤(B2)のうち、例えば、多官能フェノール樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等の樹脂成分の数平均分子量は、300~30000であることが好ましく、400~10000であることがより好ましく、500~3000であることが特に好ましい。
熱硬化剤(B2)のうち、例えば、ビフェノール、ジシアンジアミド等の非樹脂成分の分子量は、特に限定されないが、例えば、60~500であることが好ましい。
Of the thermosetting agents (B2), for example, the number average molecular weight of resin components such as polyfunctional phenolic resins, novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-type phenolic resins, and aralkyl-type phenolic resins is preferably 300 to 30,000, more preferably 400 to 10,000, and particularly preferably 500 to 3,000.
Of the thermosetting agents (B2), the molecular weight of the non-resin components such as biphenol and dicyandiamide is not particularly limited, but is preferably 60 to 500, for example.
熱硬化剤(B2)は、1種を単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよく、2種以上を併用する場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 Thermal curing agents (B2) may be used singly or in combination of two or more types. When two or more types are used in combination, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムにおいて、熱硬化剤(B2)の含有量は、エポキシ樹脂(B1)の含有量100質量部に対して、0.1~500質量部であることが好ましく、1~200質量部であることがより好ましく、例えば、5~150質量部、10~100質量部、及び15~75質量部のいずれかであってもよい。熱硬化剤(B2)の前記含有量が前記下限値以上であることで、熱硬化性樹脂フィルムの硬化がより進行し易くなる。熱硬化剤(B2)の前記含有量が前記上限値以下であることで、熱硬化性樹脂フィルムの吸湿率が低減されて、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。In composition (III) and the thermosetting resin film, the content of the thermosetting agent (B2) is preferably 0.1 to 500 parts by mass, more preferably 1 to 200 parts by mass, per 100 parts by mass of the epoxy resin (B1), and may be, for example, any of 5 to 150 parts by mass, 10 to 100 parts by mass, and 15 to 75 parts by mass. When the content of the thermosetting agent (B2) is equal to or greater than the lower limit, curing of the thermosetting resin film proceeds more easily. When the content of the thermosetting agent (B2) is equal to or less than the upper limit, the moisture absorption rate of the thermosetting resin film is reduced, thereby further improving the reliability of, for example, a package obtained using the thermosetting resin film.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムにおいて、熱硬化性成分(B)の含有量(例えば、エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)の総含有量)は、重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であることが好ましい。熱硬化性成分(B)の前記含有量がこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂フィルムを前記凹凸面に貼付したときに、凹凸面の凸部の上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果と、前記凹凸面での熱硬化性樹脂フィルムのはみ出しを抑制する効果と、前記凹凸面上での、熱硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果と、がより高くなり、かつ硬質な硬化物(例えば、保護膜)を形成できる。
さらに、このような効果がより顕著に得られる点から、熱硬化性成分(B)の含有量は、重合体成分(A)の種類に応じて、適宜調節してもよい。
In the composition (III) and the thermosetting resin film, the content of the thermosetting component (B) (e.g., the total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2)) is preferably 600 to 1,000 parts by mass per 100 parts by mass of the content of the polymer component (A). When the content of the thermosetting component (B) is in this range, when the thermosetting resin film is attached to the uneven surface, the effects of suppressing the thermosetting resin film from remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface, suppressing the thermosetting resin film from protruding from the uneven surface, and suppressing cissing of the thermosetting resin film and its cured product on the uneven surface are enhanced, and a hard cured product (e.g., a protective film) can be formed.
Furthermore, in order to obtain such effects more significantly, the content of the thermosetting component (B) may be appropriately adjusted depending on the type of the polymer component (A).
例えば、重合体成分(A)が前記ポリビニルアセタールである場合、組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムにおいて、熱硬化性成分(B)の含有量は、重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であることが好ましく、650~1000質量部であることがより好ましく、650~950質量部であることが特に好ましい。For example, when polymer component (A) is the polyvinyl acetal, the content of thermosetting component (B) in composition (III) and the thermosetting resin film is preferably 600 to 1,000 parts by mass, more preferably 650 to 1,000 parts by mass, and particularly preferably 650 to 950 parts by mass, per 100 parts by mass of polymer component (A).
[充填材(D)]
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルム中の充填材(D)の量を調節することで、前記X値をより容易に調節できる。また、組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルム中の充填材(D)の量を調節することで、熱硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の熱膨張係数を、より容易に調節でき、例えば、保護膜(例えば、第1保護膜)の熱膨張係数を保護膜の形成対象物に対して最適化することで、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、充填材(D)を含有する熱硬化性樹脂フィルムを用いることにより、熱硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
[Filler (D)]
By adjusting the amount of filler (D) in the composition (III) and the thermosetting resin film, the X value can be more easily adjusted. Furthermore, by adjusting the amount of filler (D) in the composition (III) and the thermosetting resin film, the thermal expansion coefficient of the cured product of the thermosetting resin film (e.g., a protective film) can be more easily adjusted. For example, by optimizing the thermal expansion coefficient of the protective film (e.g., a first protective film) for the object on which the protective film is formed, the reliability of the package obtained using the thermosetting resin film can be further improved. Furthermore, by using a thermosetting resin film containing filler (D), the moisture absorption rate of the cured product of the thermosetting resin film (e.g., a protective film) can be reduced and the heat dissipation properties can be improved.
充填材(D)は、有機充填材及び無機充填材のいずれであってもよいが、無機充填材であることが好ましい。
好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末;これら無機充填材を球形化したビーズ;これら無機充填材の表面改質品;これら無機充填材の単結晶繊維;ガラス繊維等が挙げられる。
これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
The filler (D) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.
Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, boron nitride, and the like; beads obtained by spheronizing these inorganic fillers; surface-modified products of these inorganic fillers; single-crystal fibers of these inorganic fillers; and glass fibers.
Among these, the inorganic filler is preferably silica or alumina.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する充填材(D)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The filler (D) contained in composition (III) and the thermosetting resin film may be one type only or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(III)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する充填材(D)の含有量の割合(すなわち、熱硬化性樹脂フィルムにおける、熱硬化性樹脂フィルムの総質量に対する、充填材(D)の含有量の割合)は、5~45質量%であることが好ましく、5~40質量%であることがより好ましく、5~30質量%であることがさらに好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、熱硬化性樹脂フィルムを前記凹凸面に貼付したときに、凹凸面の凸部の上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果と、前記凹凸面での熱硬化性樹脂フィルムのはみ出しを抑制する効果と、前記凹凸面上での、熱硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果と、がより高くなるとともに、上記の熱膨張係数を、さらに容易に調節できる。In composition (III), the ratio of the content of filler (D) to the total content of all components other than the solvent (i.e., the ratio of the content of filler (D) in the thermosetting resin film to the total mass of the thermosetting resin film) is preferably 5 to 45% by mass, more preferably 5 to 40% by mass, and even more preferably 5 to 30% by mass. Having this ratio within this range enhances the effects of suppressing the thermosetting resin film from remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface when the thermosetting resin film is applied to the uneven surface, suppressing the thermosetting resin film from protruding from the uneven surface, and suppressing cissing of the thermosetting resin film and its cured product on the uneven surface, while also making it easier to adjust the thermal expansion coefficient.
[添加剤(I)]
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルム中の添加剤(I)の種類又は量を調節することで、前記X値をより容易に調節できる。
なかでも、前記X値をより容易に調節できる点で好ましい添加剤(I)としては、例えば、レオロジーコントロール剤、界面活性剤、シリコーンオイル等が挙げられる。
[Additive (I)]
The X value can be more easily adjusted by adjusting the type or amount of the additive (I) in the composition (III) and the thermosetting resin film.
Among these, examples of the additive (I) that are preferable in terms of making it easier to adjust the X value include rheology control agents, surfactants, and silicone oils.
より具体的には、前記レオロジーコントロール剤としては、例えば、ポリヒドロキシカルボン酸エステル、多価カルボン酸、ポリアミド樹脂等が挙げられる。
前記界面活性剤としては、例えば、変性シロキサン、アクリル重合体等が挙げられる。
前記シリコーンオイルとしては、例えば、アラルキル変性シリコーンオイル、変性ポリジメチルシロキサン等が挙げられ、変性基としては、アラルキル基;ヒドロキシ基等の極性基;ビニル基、フェニル基等の不飽和結合を有する基が挙げられる。
More specifically, examples of the rheology control agent include polyhydroxycarboxylic acid esters, polycarboxylic acids, and polyamide resins.
Examples of the surfactant include modified siloxane and acrylic polymer.
Examples of the silicone oil include aralkyl-modified silicone oil and modified polydimethylsiloxane, and examples of the modifying group include aralkyl groups; polar groups such as hydroxy groups; and groups having an unsaturated bond such as vinyl groups and phenyl groups.
添加剤(I)としては、上記以外のものとして、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、ゲッタリング剤、紫外線吸収剤、粘着付与剤等の、他の各種汎用添加剤も挙げられる。 Additives (I) other than those mentioned above may also include various other general-purpose additives such as plasticizers, antistatic agents, antioxidants, gettering agents, ultraviolet absorbers, and tackifiers.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する添加剤(I)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The additive (I) contained in composition (III) and the thermosetting resin film may be one type only or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムの添加剤(I)の含有量は、特に限定されず、その種類や目的に応じて、適宜調節できる。
例えば、前記X値の調節が目的である場合には、組成物(III)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する添加剤(I)の含有量の割合(すなわち、熱硬化性樹脂フィルムにおける、熱硬化性樹脂フィルムの総質量に対する、添加剤(I)の含有量の割合)は、0.5~10質量%であることが好ましく、0.5~7質量%であることがより好ましく、0.5~5質量%であることがさらに好ましい。
The content of the composition (III) and the additive (I) in the thermosetting resin film is not particularly limited and can be adjusted appropriately depending on the type and purpose.
For example, when the purpose is to adjust the X value, the ratio of the content of additive (I) to the total content of all components other than the solvent in composition (III) (i.e., the ratio of the content of additive (I) in the thermosetting resin film to the total mass of the thermosetting resin film) is preferably 0.5 to 10 mass%, more preferably 0.5 to 7 mass%, and even more preferably 0.5 to 5 mass%.
[硬化促進剤(C)]
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムは、硬化促進剤(C)を含有していてもよい。硬化促進剤(C)は、組成物(III)の硬化速度を調整するための成分である。
好ましい硬化促進剤(C)としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の第3級アミン;2-メチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-フェニル-4-メチルイミダゾール、2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール、2-フェニル-4-メチル-5-ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類(1個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール);トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類(1個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン);テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
[Curing accelerator (C)]
The composition (III) and the thermosetting resin film may contain a curing accelerator (C). The curing accelerator (C) is a component for adjusting the curing rate of the composition (III).
Preferred curing accelerators (C) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol; imidazoles (imidazoles in which one or more hydrogen atoms are substituted with groups other than hydrogen atoms) such as 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, and 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole; organic phosphines (phosphines in which one or more hydrogen atoms are substituted with organic groups) such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine; and tetraphenylboron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenylborate and triphenylphosphine tetraphenylborate.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する硬化促進剤(C)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The curing accelerator (C) contained in composition (III) and the thermosetting resin film may be one type or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
硬化促進剤(C)を用いる場合、組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムにおいて、硬化促進剤(C)の含有量は、熱硬化性成分(B)の含有量100質量部に対して、0.01~10質量部であることが好ましく、0.1~5質量部であることがより好ましい。硬化促進剤(C)の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤(C)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。硬化促進剤(C)の前記含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤(C)が、高温・高湿度条件下で熱硬化性樹脂フィルム中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、例えば、熱硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。When a curing accelerator (C) is used, the content of the curing accelerator (C) in the composition (III) and the thermosetting resin film is preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the thermosetting component (B). When the content of the curing accelerator (C) is at or above the lower limit, the effects of using the curing accelerator (C) are more pronounced. When the content of the curing accelerator (C) is at or below the upper limit, for example, the effect of suppressing the highly polar curing accelerator (C) from migrating and segregating to the adhesive interface with the adherend under high temperature and high humidity conditions is enhanced, thereby further improving the reliability of packages obtained using the thermosetting resin film.
[カップリング剤(E)]
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムは、カップリング剤(E)を含有していてもよい。カップリング剤(E)として、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有するものを用いることにより、熱硬化性樹脂フィルムの被着体に対する接着性及び密着性を向上させることができる。また、カップリング剤(E)を用いることで、熱硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)は、耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。
[Coupling agent (E)]
The composition (III) and the thermosetting resin film may contain a coupling agent (E). By using a coupling agent (E) having a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound, the adhesiveness and adhesion of the thermosetting resin film to an adherend can be improved. Furthermore, by using the coupling agent (E), the water resistance of the cured product of the thermosetting resin film (e.g., a protective film) can be improved without impairing the heat resistance.
カップリング剤(E)は、重合体成分(A)、熱硬化性成分(B)等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
好ましい前記シランカップリング剤としては、例えば、3-グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、3-グリシジルオキシメチルジエトキシシラン、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3-(2-アミノエチルアミノ)プロピルメチルジエトキシシラン、3-(フェニルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3-アニリノプロピルトリメトキシシラン、3-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス(3-トリエトキシシリルプロピル)テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。
The coupling agent (E) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with the functional group of the polymer component (A), the thermosetting component (B), etc., and is more preferably a silane coupling agent.
Preferred examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-glycidyloxymethyldiethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethylamino)propyltrimethoxysilane, 3-(2- Examples thereof include bis(3-(aminoethylamino)propylmethyldiethoxysilane, 3-(phenylamino)propyltrimethoxysilane, 3-anilinopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, bis(3-triethoxysilylpropyl)tetrasulfane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, and imidazole silane.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有するカップリング剤(E)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The coupling agent (E) contained in composition (III) and the thermosetting resin film may be one type only or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
カップリング剤(E)を用いる場合、組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムにおいて、カップリング剤(E)の含有量は、重合体成分(A)及び熱硬化性成分(B)の総含有量100質量部に対して、0.03~20質量部であることが好ましく、0.05~10質量部であることがより好ましく、0.1~5質量部であることが特に好ましい。カップリング剤(E)の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材(D)の樹脂への分散性の向上や、熱硬化性樹脂フィルムの被着体との接着性の向上など、カップリング剤(E)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。カップリング剤(E)の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。When coupling agent (E) is used, the content of coupling agent (E) in composition (III) and the thermosetting resin film is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the total content of polymer component (A) and thermosetting component (B). When the content of coupling agent (E) is at or above the lower limit, the effects of using coupling agent (E), such as improved dispersibility of filler (D) in the resin and improved adhesion of the thermosetting resin film to the adherend, are more pronounced. When the content of coupling agent (E) is at or below the upper limit, outgassing is further suppressed.
[架橋剤(F)]
重合体成分(A)として、他の化合物と結合可能なビニル基、(メタ)アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムは、架橋剤(F)を含有していてもよい。架橋剤(F)は、重合体成分(A)中の前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための成分であり、このように架橋することにより、熱硬化性樹脂フィルムの初期接着力及び凝集力を調節できる。
[Crosslinking agent (F)]
When the polymer component (A) has a functional group capable of bonding to other compounds, such as a vinyl group, a (meth)acryloyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or an isocyanate group, the composition (III) and the thermosetting resin film may contain a crosslinking agent (F). The crosslinking agent (F) is a component for bonding the functional group in the polymer component (A) to other compounds to form a crosslink, and by crosslinking in this manner, the initial adhesive strength and cohesive strength of the thermosetting resin film can be adjusted.
架橋剤(F)としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤(金属キレート構造を有する架橋剤)、アジリジン系架橋剤(アジリジニル基を有する架橋剤)等が挙げられる。 Examples of crosslinking agents (F) include organic polyvalent isocyanate compounds, organic polyvalent imine compounds, metal chelate crosslinking agents (crosslinking agents having a metal chelate structure), and aziridine crosslinking agents (crosslinking agents having an aziridinyl group).
前記有機多価イソシアネート化合物としては、例えば、芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物及び脂環族多価イソシアネート化合物(以下、これら化合物をまとめて「芳香族多価イソシアネート化合物等」と略記することがある);前記芳香族多価イソシアネート化合物等の三量体、イソシアヌレート体及びアダクト体;前記芳香族多価イソシアネート化合物等とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマー等が挙げられる。前記「アダクト体」は、前記芳香族多価イソシアネート化合物、脂肪族多価イソシアネート化合物又は脂環族多価イソシアネート化合物と、エチレングリコール、プロピレングリコール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン又はヒマシ油等の低分子活性水素含有化合物との反応物を意味する。前記アダクト体の例としては、後述するようなトリメチロールプロパンのキシリレンジイソシアネート付加物等が挙げられる。また、「末端イソシアネートウレタンプレポリマー」とは、ウレタン結合を有するとともに、分子の末端部にイソシアネート基を有するプレポリマーを意味する。Examples of the organic polyisocyanate compounds include aromatic polyisocyanate compounds, aliphatic polyisocyanate compounds, and alicyclic polyisocyanate compounds (hereinafter, these compounds may be collectively referred to as "aromatic polyisocyanate compounds, etc."); trimers, isocyanurates, and adducts of the aromatic polyisocyanate compounds; and isocyanate-terminated urethane prepolymers obtained by reacting the aromatic polyisocyanate compounds, etc. with polyol compounds. The "adduct" refers to the reaction product of the aromatic polyisocyanate compound, aliphatic polyisocyanate compound, or alicyclic polyisocyanate compound with a low-molecular-weight active hydrogen-containing compound such as ethylene glycol, propylene glycol, neopentyl glycol, trimethylolpropane, or castor oil. Examples of the adduct include the xylylene diisocyanate adduct of trimethylolpropane, as described below. Furthermore, the term "isocyanate-terminated urethane prepolymer" refers to a prepolymer having a urethane bond and an isocyanate group at the end of the molecule.
前記有機多価イソシアネート化合物として、より具体的には、例えば、2,4-トリレンジイソシアネート;2,6-トリレンジイソシアネート;1,3-キシリレンジイソシアネート;1,4-キシレンジイソシアネート;ジフェニルメタン-4,4’-ジイソシアネート;ジフェニルメタン-2,4’-ジイソシアネート;3-メチルジフェニルメタンジイソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネート;イソホロンジイソシアネート;ジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート;ジシクロヘキシルメタン-2,4’-ジイソシアネート;トリメチロールプロパン等のポリオールのすべて又は一部の水酸基に、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート及びキシリレンジイソシアネートのいずれか1種又は2種以上が付加した化合物;リジンジイソシアネート等が挙げられる。 More specifically, examples of the organic polyisocyanate compound include 2,4-tolylene diisocyanate; 2,6-tolylene diisocyanate; 1,3-xylylene diisocyanate; 1,4-xylylene diisocyanate; diphenylmethane-4,4'-diisocyanate; diphenylmethane-2,4'-diisocyanate; 3-methyldiphenylmethane diisocyanate; hexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate; dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate; dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate; compounds in which one or more of tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and xylylene diisocyanate are added to all or some of the hydroxyl groups of a polyol such as trimethylolpropane; lysine diisocyanate, etc.
前記有機多価イミン化合物としては、例えば、N,N’-ジフェニルメタン-4,4’-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)、トリメチロールプロパン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、テトラメチロールメタン-トリ-β-アジリジニルプロピオネート、N,N’-トルエン-2,4-ビス(1-アジリジンカルボキシアミド)トリエチレンメラミン等が挙げられる。 Examples of the organic polyvalent imine compounds include N,N'-diphenylmethane-4,4'-bis(1-aziridinecarboxamide), trimethylolpropane-tri-β-aziridinylpropionate, tetramethylolmethane-tri-β-aziridinylpropionate, N,N'-toluene-2,4-bis(1-aziridinecarboxamide)triethylenemelamine, etc.
架橋剤(F)として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分(A)としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤(F)がイソシアネート基を有し、重合体成分(A)が水酸基を有する場合、架橋剤(F)と重合体成分(A)との反応によって、熱硬化性樹脂フィルムに架橋構造を簡便に導入できる。When an organic polyisocyanate compound is used as the crosslinking agent (F), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the polymer component (A). When the crosslinking agent (F) contains an isocyanate group and the polymer component (A) contains a hydroxyl group, a crosslinked structure can be easily introduced into the thermosetting resin film by the reaction between the crosslinking agent (F) and the polymer component (A).
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する架橋剤(F)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The crosslinking agent (F) contained in composition (III) and the thermosetting resin film may be one type or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
架橋剤(F)を用いる場合、組成物(III)において、架橋剤(F)の含有量は、重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、0.01~20質量部であることが好ましく、0.1~10質量部であることがより好ましく、0.5~5質量部であることが特に好ましい。架橋剤(F)の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤(F)を用いたことによる効果がより顕著に得られる。架橋剤(F)の前記含有量が前記上限値以下であることで、架橋剤(F)の過剰使用が抑制される。 When crosslinking agent (F) is used, the content of crosslinking agent (F) in composition (III) is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.5 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of polymer component (A). When the content of crosslinking agent (F) is at or above the lower limit, the effects of using crosslinking agent (F) are more pronounced. When the content of crosslinking agent (F) is at or below the upper limit, excessive use of crosslinking agent (F) is suppressed.
[他の成分]
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述の重合体成分(A)と、熱硬化性成分(B)と、充填材(D)と、添加剤(I)と、硬化促進剤(C)と、カップリング剤(E)と、架橋剤(F)と、のいずれにも該当しない、他の成分を含有していてもよい。
前記他の成分としては、例えば、エネルギー線硬化性樹脂、光重合開始剤等が挙げられる。
[Other ingredients]
The composition (III) and the thermosetting resin film may contain other components that do not fall under any of the above-mentioned polymer component (A), thermosetting component (B), filler (D), additive (I), curing accelerator (C), coupling agent (E), and crosslinking agent (F), as long as the effects of the present invention are not impaired.
Examples of the other components include an energy ray curable resin and a photopolymerization initiator.
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する前記他の成分は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムの前記他の成分の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
The other components contained in the composition (III) and the thermosetting resin film may be one type only or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
The contents of the composition (III) and the other components in the thermosetting resin film are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
[溶媒]
組成物(III)は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する組成物(III)は、取り扱い性が良好となる。
前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素;メタノール、エタノール、2-プロパノール、イソブチルアルコール(2-メチルプロパン-1-オール)、1-ブタノール等のアルコール;酢酸エチル等のエステル;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン;テトラヒドロフラン等のエーテル;ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン等のアミド(アミド結合を有する化合物)等が挙げられる。
組成物(III)が含有する溶媒は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
[solvent]
Composition (III) preferably further contains a solvent, since composition (III) containing a solvent has good handleability.
The solvent is not particularly limited, but preferred examples include hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol; esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; and amides (compounds having an amide bond) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone.
The composition (III) may contain only one type of solvent, or two or more types of solvents. When two or more types of solvents are contained, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(III)が含有する溶媒で、より好ましいものとしては、例えば、組成物(III)中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等が挙げられる。 A more preferred solvent contained in composition (III) is, for example, methyl ethyl ketone, etc., which allows the components contained in composition (III) to be mixed more uniformly.
組成物(III)の溶媒の含有量は、特に限定されず、例えば、溶媒以外の成分の種類に応じて適宜選択すればよい。The solvent content of composition (III) is not particularly limited and may be selected appropriately depending on, for example, the types of components other than the solvent.
<熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物の製造方法>
組成物(III)等の熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、2種以上の成分を同時に添加してもよい。
配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法;ミキサーを用いて混合する方法;超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は15~30℃であることが好ましい。
<Method for producing thermosetting resin film-forming composition>
A thermosetting resin film-forming composition such as composition (III) can be obtained by blending the components that constitute the composition.
The order of addition of the components when blending is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.
The method for mixing the components during blending is not particularly limited, and may be appropriately selected from known methods such as a method of mixing by rotating a stirrer or stirring blades, a method of mixing using a mixer, or a method of mixing by applying ultrasound.
The temperature and time for adding and mixing each component are not particularly limited as long as the components do not deteriorate, and may be adjusted appropriately. A temperature of 15 to 30°C is preferred.
◎エネルギー線硬化性樹脂フィルム
エネルギー線硬化性樹脂フィルムを硬化させて、硬化物とするとき、特に保護膜を形成するときの硬化条件は、前記硬化物が十分にその機能を発揮する程度の硬化度となる限り、特に限定されず、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの種類、前記硬化物の用途等に応じて、適宜選択すればよい。
例えば、保護膜を形成する場合であれば、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの硬化時における、エネルギー線の照度は、180~280mW/cm2であることが好ましい。そして、前記硬化時における、エネルギー線の光量は、450~1000mJ/cm2であることが好ましい。
Energy Ray-Curable Resin Film When the energy ray-curable resin film is cured to form a cured product, particularly when a protective film is formed, the curing conditions are not particularly limited as long as the cured product has a degree of curing that allows it to fully exhibit its functions, and may be appropriately selected depending on the type of energy ray-curable resin film, the application of the cured product, etc.
For example, when forming a protective film, the illuminance of the energy rays during curing of the energy ray-curable resin film is preferably 180 to 280 mW/ cm2 . The light amount of the energy rays during curing is preferably 450 to 1000 mJ/ cm2 .
<エネルギー線硬化性樹脂フィルム形成用組成物>
エネルギー線硬化性樹脂フィルム形成用組成物としては、例えば、エネルギー線硬化性成分(a)と、充填材と、添加剤と、を含有するエネルギー線硬化性樹脂フィルム形成用組成物(IV)(本明細書においては、単に「組成物(IV)」と称することがある)等が挙げられる。
<Energy ray-curable resin film-forming composition>
[0043] Examples of the composition for forming an energy ray-curable resin film include a composition for forming an energy ray-curable resin film (IV) (sometimes simply referred to as "composition (IV)" in this specification) containing an energy ray-curable component (a), a filler, and an additive.
[エネルギー線硬化性成分(a)]
エネルギー線硬化性成分(a)は、エネルギー線の照射によって硬化する成分であり、エネルギー線硬化性樹脂フィルムに造膜性や、可撓性等を付与するための成分でもある。
エネルギー線硬化性成分(a)は、未硬化であることが好ましく、粘着性を有することが好ましく、未硬化でかつ粘着性を有することがより好ましい。
[Energy ray-curable component (a)]
The energy ray-curable component (a) is a component that is cured by irradiation with energy rays, and is also a component that imparts film-forming properties, flexibility, etc. to the energy ray-curable resin film.
The energy ray-curable component (a) is preferably uncured and has adhesive properties, and more preferably uncured and has adhesive properties.
エネルギー線硬化性成分(a)としては、例えば、エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000~2000000の重合体(a1)、及びエネルギー線硬化性基を有する、分子量が100~80000の化合物(a2)が挙げられる。前記重合体(a1)は、その少なくとも一部が架橋剤によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。 Examples of the energy ray-curable component (a) include a polymer (a1) having an energy ray-curable group and a weight-average molecular weight of 80,000 to 2,000,000, and a compound (a2) having an energy ray-curable group and a molecular weight of 100 to 80,000. The polymer (a1) may be at least partially crosslinked with a crosslinking agent, or may not be crosslinked.
(エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000~2000000の重合体(a1))
エネルギー線硬化性基を有する、重量平均分子量が80000~2000000の重合体(a1)としては、例えば、他の化合物が有する基と反応可能な官能基を有するアクリル重合体(a11)と、前記官能基と反応する基、及びエネルギー線硬化性二重結合等のエネルギー線硬化性基を有するエネルギー線硬化性化合物(a12)と、が重合してなるアクリル樹脂(a1-1)が挙げられる。
(Polymer (a1) having an energy ray-curable group and a weight-average molecular weight of 80,000 to 2,000,000)
Examples of the polymer (a1) having an energy ray-curable group and a weight average molecular weight of 80,000 to 2,000,000 include an acrylic resin (a1-1) obtained by polymerizing an acrylic polymer (a11) having a functional group capable of reacting with a group possessed by another compound and an energy ray-curable compound (a12) having a group reactive with the functional group and an energy ray-curable group such as an energy ray-curable double bond.
他の化合物が有する基と反応可能な前記官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基(アミノ基の1個又は2個の水素原子が水素原子以外の基で置換されてなる基)、エポキシ基等が挙げられる。ただし、半導体ウエハや半導体チップ等の回路の腐食を防止するという点では、前記官能基はカルボキシ基以外の基であることが好ましい。
これらの中でも、前記官能基は、水酸基であることが好ましい。
Examples of the functional group capable of reacting with a group possessed by another compound include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group (a group in which one or two hydrogen atoms of an amino group are substituted with a group other than a hydrogen atom), an epoxy group, etc. However, from the viewpoint of preventing corrosion of circuits of a semiconductor wafer, a semiconductor chip, etc., it is preferable that the functional group be a group other than a carboxy group.
Among these, the functional group is preferably a hydroxyl group.
・官能基を有するアクリル重合体(a11)
前記官能基を有するアクリル重合体(a11)としては、例えば、前記官能基を有するアクリルモノマーと、前記官能基を有しないアクリルモノマーと、が共重合してなるものが挙げられ、これらモノマー以外に、さらにアクリルモノマー以外のモノマー(非アクリルモノマー)が共重合したものであってもよい。
また、前記アクリル重合体(a11)は、ランダム共重合体であってもよいし、ブロック共重合体であってもよい。
Acrylic polymer (a11) having a functional group
The acrylic polymer (a11) having a functional group may be, for example, a polymer obtained by copolymerizing an acrylic monomer having the functional group with an acrylic monomer not having the functional group. In addition to these monomers, the acrylic polymer may also be a polymer obtained by copolymerizing a monomer other than the acrylic monomer (a non-acrylic monomer).
The acrylic polymer (a11) may be a random copolymer or a block copolymer.
前記官能基を有するアクリルモノマーとしては、例えば、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、置換アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of acrylic monomers having the functional group include hydroxyl group-containing monomers, carboxyl group-containing monomers, amino group-containing monomers, substituted amino group-containing monomers, and epoxy group-containing monomers.
前記水酸基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等の(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキル;ビニルアルコール、アリルアルコール等の非(メタ)アクリル不飽和アルコール((メタ)アクリロイル骨格を有しない不飽和アルコール)等が挙げられる。 Examples of the hydroxyl group-containing monomer include hydroxyalkyl (meth)acrylates such as hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; non-(meth)acrylic unsaturated alcohols (unsaturated alcohols without a (meth)acryloyl skeleton) such as vinyl alcohol and allyl alcohol; and the like.
前記カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸(エチレン性不飽和結合を有するモノカルボン酸);フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸(エチレン性不飽和結合を有するジカルボン酸);前記エチレン性不飽和ジカルボン酸の無水物;2-カルボキシエチルメタクリレート等の(メタ)アクリル酸カルボキシアルキルエステル等が挙げられる。 Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids (monocarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids (dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid; anhydrides of the above ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; and (meth)acrylic acid carboxyalkyl esters such as 2-carboxyethyl methacrylate.
前記官能基を有するアクリルモノマーは、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。 The acrylic monomer having the functional group is preferably a hydroxyl group-containing monomer or a carboxyl group-containing monomer, and more preferably a hydroxyl group-containing monomer.
前記アクリル重合体(a11)を構成する、前記官能基を有するアクリルモノマーは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The acrylic monomer having the functional group that constitutes the acrylic polymer (a11) may be of only one type or of two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
前記官能基を有しないアクリルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n-プロピル、(メタ)アクリル酸イソプロピル、(メタ)アクリル酸n-ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸sec-ブチル、(メタ)アクリル酸tert-ブチル、(メタ)アクリル酸ペンチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ヘプチル、(メタ)アクリル酸2-エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸n-ノニル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸デシル、(メタ)アクリル酸ウンデシル、(メタ)アクリル酸ドデシル((メタ)アクリル酸ラウリル)、(メタ)アクリル酸トリデシル、(メタ)アクリル酸テトラデシル((メタ)アクリル酸ミリスチル)、(メタ)アクリル酸ペンタデシル、(メタ)アクリル酸ヘキサデシル((メタ)アクリル酸パルミチル)、(メタ)アクリル酸ヘプタデシル、(メタ)アクリル酸オクタデシル((メタ)アクリル酸ステアリル)等の、アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が1~18の鎖状構造である(メタ)アクリル酸アルキルエステル等が挙げられる。 Examples of acrylic monomers not having the functional group include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, sec-butyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, and isopropyl (meth)acrylate. Examples thereof include alkyl (meth)acrylates in which the alkyl group constituting the alkyl ester has a chain structure and has 1 to 18 carbon atoms, such as sononyl, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate (lauryl (meth)acrylate), tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate (myristyl (meth)acrylate), pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate (palmityl (meth)acrylate), heptadecyl (meth)acrylate, and octadecyl (meth)acrylate (stearyl (meth)acrylate).
前記官能基を有しないアクリルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸メトキシメチル、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸エトキシメチル、(メタ)アクリル酸エトキシエチル等のアルコキシアルキル基含有(メタ)アクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸フェニル等の(メタ)アクリル酸アリールエステル等を含む、芳香族基を有する(メタ)アクリル酸エステル;非架橋性の(メタ)アクリルアミド及びその誘導体;(メタ)アクリル酸N,N-ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸N,N-ジメチルアミノプロピル等の非架橋性の3級アミノ基を有する(メタ)アクリル酸エステル等も挙げられる。 Examples of acrylic monomers that do not have the functional group include (meth)acrylic acid esters containing an alkoxyalkyl group, such as methoxymethyl (meth)acrylate, methoxyethyl (meth)acrylate, ethoxymethyl (meth)acrylate, and ethoxyethyl (meth)acrylate; (meth)acrylic acid esters with an aromatic group, including aryl (meth)acrylate esters such as phenyl (meth)acrylate; non-crosslinkable (meth)acrylamide and its derivatives; and (meth)acrylic acid esters with a non-crosslinkable tertiary amino group, such as N,N-dimethylaminoethyl (meth)acrylate and N,N-dimethylaminopropyl (meth)acrylate.
前記アクリル重合体(a11)を構成する、前記官能基を有しないアクリルモノマーは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The acrylic monomer not having a functional group constituting the acrylic polymer (a11) may be of only one type or of two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
前記非アクリルモノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。
前記アクリル重合体(a11)を構成する前記非アクリルモノマーは、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
Examples of the non-acrylic monomer include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; and styrene.
The non-acrylic monomer constituting the acrylic polymer (a11) may be one kind or two or more kinds, and when two or more kinds are used, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
前記アクリル重合体(a11)において、これを構成する構成単位の全量に対する、前記官能基を有するアクリルモノマーから誘導された構成単位の量の割合(含有量)は、0.1~50質量%であることが好ましく、1~40質量%であることがより好ましく、3~30質量%であることが特に好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、前記アクリル重合体(a11)と前記エネルギー線硬化性化合物(a12)との共重合によって得られた前記アクリル樹脂(a1-1)において、エネルギー線硬化性基の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の硬化の程度を好ましい範囲に容易に調節可能となる。In the acrylic polymer (a11), the proportion (content) of the structural units derived from the acrylic monomer having the functional group relative to the total amount of structural units constituting the acrylic polymer (a11) is preferably 0.1 to 50% by mass, more preferably 1 to 40% by mass, and particularly preferably 3 to 30% by mass. When the proportion is within this range, the content of energy ray-curable groups in the acrylic resin (a1-1) obtained by copolymerization of the acrylic polymer (a11) and the energy ray-curable compound (a12) makes it possible to easily adjust the degree of curing of the cured product (e.g., protective film) of the energy ray-curable resin film within a preferred range.
前記アクリル樹脂(a1-1)を構成する前記アクリル重合体(a11)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The acrylic polymer (a11) constituting the acrylic resin (a1-1) may be of only one type or of two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(IV)において、溶媒以外の成分の総含有量に対する、アクリル樹脂(a1-1)の含有量の割合(すなわち、エネルギー線硬化性樹脂フィルムにおける、前記フィルムの総質量に対する、アクリル樹脂(a1-1)の含有量の割合)は、1~40質量%であることが好ましく、2~30質量%であることがより好ましく、3~20質量%であることが特に好ましい。In composition (IV), the ratio of the content of acrylic resin (a1-1) to the total content of components other than the solvent (i.e., the ratio of the content of acrylic resin (a1-1) to the total mass of the energy ray-curable resin film) is preferably 1 to 40% by mass, more preferably 2 to 30% by mass, and particularly preferably 3 to 20% by mass.
・エネルギー線硬化性化合物(a12)
前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、前記アクリル重合体(a11)が有する官能基と反応可能な基として、イソシアネート基、エポキシ基及びカルボキシ基からなる群より選択される1種又は2種以上を有するものが好ましく、前記基としてイソシアネート基を有するものがより好ましい。前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、例えば、前記基としてイソシアネート基を有する場合、このイソシアネート基が、前記官能基として水酸基を有するアクリル重合体(a11)のこの水酸基と容易に反応する。
Energy ray-curable compound (a12)
The energy ray-curable compound (a12) preferably has one or more groups selected from the group consisting of an isocyanate group, an epoxy group, and a carboxy group as a group reactive with the functional group of the acrylic polymer (a11), and more preferably has an isocyanate group as the group. For example, when the energy ray-curable compound (a12) has an isocyanate group as the group, the isocyanate group easily reacts with the hydroxyl group of the acrylic polymer (a11) having a hydroxyl group as the functional group.
前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、1分子中に前記エネルギー線硬化性基を1~5個有することが好ましく、1~2個有することがより好ましい。 The energy ray-curable compound (a12) preferably has 1 to 5 of the energy ray-curable groups in one molecule, and more preferably has 1 to 2 of the energy ray-curable groups in one molecule.
前記エネルギー線硬化性化合物(a12)としては、例えば、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ-イソプロペニル-α,α-ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、1,1-(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネート;
ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物;
ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル(メタ)アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物等が挙げられる。
これらの中でも、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートであることが好ましい。
Examples of the energy ray-curable compound (a12) include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, and 1,1-(bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate;
an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth)acrylate;
Examples of the isocyanate include an acryloyl monoisocyanate compound obtained by reacting a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with a polyol compound and hydroxyethyl (meth)acrylate.
Among these, the energy ray-curable compound (a12) is preferably 2-methacryloyloxyethyl isocyanate.
前記アクリル樹脂(a1-1)を構成する前記エネルギー線硬化性化合物(a12)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The energy ray-curable compound (a12) constituting the acrylic resin (a1-1) may be of only one type or of two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
前記アクリル樹脂(a1-1)において、前記アクリル重合体(a11)に由来する前記官能基の含有量に対する、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)に由来するエネルギー線硬化性基の含有量の割合は、20~120モル%であることが好ましく、35~100モル%であることがより好ましく、50~100モル%であることが特に好ましい。前記含有量の割合がこのような範囲であることで、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の接着力がより大きくなる。なお、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)が一官能(前記基を1分子中に1個有する)化合物である場合には、前記含有量の割合の上限値は100モル%となるが、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)が多官能(前記基を1分子中に2個以上有する)化合物である場合には、前記含有量の割合の上限値は100モル%を超えることがある。In the acrylic resin (a1-1), the ratio of the content of the energy ray-curable groups derived from the energy ray-curable compound (a12) to the content of the functional groups derived from the acrylic polymer (a11) is preferably 20 to 120 mol%, more preferably 35 to 100 mol%, and particularly preferably 50 to 100 mol%. This range of content ratio increases the adhesive strength of the cured product (e.g., protective film) of the energy ray-curable resin film. Note that when the energy ray-curable compound (a12) is a monofunctional compound (having one such group per molecule), the upper limit of this content ratio is 100 mol%. However, when the energy ray-curable compound (a12) is a polyfunctional compound (having two or more such groups per molecule), the upper limit of this content ratio may exceed 100 mol%.
前記重合体(a1)の重量平均分子量(Mw)は、100000~2000000であることが好ましく、300000~1500000であることがより好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of the polymer (a1) is preferably 100,000 to 2,000,000, and more preferably 300,000 to 1,500,000.
前記重合体(a1)が、その少なくとも一部が架橋剤によって架橋されたものである場合、前記重合体(a1)は、前記アクリル重合体(a11)を構成するものとして説明した、上述のモノマーのいずれにも該当せず、かつ架橋剤と反応する基を有するモノマーが重合して、前記架橋剤と反応する基において架橋されたものであってもよいし、前記エネルギー線硬化性化合物(a12)に由来する、前記官能基と反応する基において、架橋されたものであってもよい。When the polymer (a1) is at least partially crosslinked with a crosslinking agent, the polymer (a1) may be formed by polymerizing a monomer that does not fall under any of the above-mentioned monomers described as constituting the acrylic polymer (a11) and has a group reactive with the crosslinking agent, and crosslinking the group reactive with the crosslinking agent; or the polymer (a1) may be formed by crosslinking a group reactive with the functional group derived from the energy ray-curable compound (a12).
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する前記重合体(a1)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The polymer (a1) contained in composition (IV) and the energy ray-curable resin film may be one type or two or more types, and if two or more types are contained, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
(エネルギー線硬化性基を有する、分子量が100~80000の化合物(a2))
エネルギー線硬化性基を有する、分子量が100~80000の化合物(a2)中の前記エネルギー線硬化性基としては、エネルギー線硬化性二重結合を含む基が挙げられ、好ましいものとしては、(メタ)アクリロイル基、ビニル基等が挙げられる。
(Compound (a2) having an energy ray-curable group and a molecular weight of 100 to 80,000)
[0047] Examples of the energy ray-curable group in the compound (a2) having an energy ray-curable group and having a molecular weight of 100 to 80,000 include groups containing an energy ray-curable double bond, and preferred examples thereof include a (meth)acryloyl group and a vinyl group.
前記化合物(a2)は、上記の条件を満たすものであれば、特に限定されないが、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂等が挙げられる。 The compound (a2) is not particularly limited as long as it satisfies the above conditions, but examples include low-molecular-weight compounds having energy ray-curable groups, epoxy resins having energy ray-curable groups, and phenolic resins having energy ray-curable groups.
前記化合物(a2)のうち、エネルギー線硬化性基を有する低分子量化合物としては、例えば、多官能のモノマー又はオリゴマー等が挙げられ、(メタ)アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
前記アクリレート系化合物としては、例えば、2-ヒドロキシ-3-(メタ)アクリロイルオキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロポキシ化エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシポリエトキシ)フェニル]プロパン、エトキシ化ビスフェノールAジ(メタ)アクリレート、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシジエトキシ)フェニル]プロパン、9,9-ビス[4-(2-(メタ)アクリロイルオキシエトキシ)フェニル]フルオレン、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシポリプロポキシ)フェニル]プロパン、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、1,10-デカンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,9-ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、2,2-ビス[4-((メタ)アクリロキシエトキシ)フェニル]プロパン、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エトキシ化ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-1,3-ジ(メタ)アクリロキシプロパン等の2官能(メタ)アクリレート;
トリス(2-(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ε-カプロラクトン変性トリス-(2-(メタ)アクリロキシエチル)イソシアヌレート、エトキシ化グリセリントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート;
ウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー等の多官能(メタ)アクリレートオリゴマー等が挙げられる。
Among the compounds (a2), examples of the low molecular weight compound having an energy ray-curable group include polyfunctional monomers or oligomers, and acrylate compounds having a (meth)acryloyl group are preferred.
Examples of the acrylate compounds include 2-hydroxy-3-(meth)acryloyloxypropyl methacrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, propoxylated ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolyethoxy)phenyl]propane, ethoxylated bisphenol A di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxydiethoxy)phenyl]propane, 9,9-bis[4-(2-(meth)acryloyloxyethoxy)phenyl]fluorene, 2,2-bis[4-((meth)acryloxypolypropoxy)phenyl]propane, tricyclodecane dimethanol di(meth)acrylate, 1,10-decanediol ... bifunctional (meth)acrylates such as 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, 1,9-nonanediol di(meth)acrylate, dipropylene glycol di(meth)acrylate, tripropylene glycol di(meth)acrylate, polypropylene glycol di(meth)acrylate, polytetramethylene glycol di(meth)acrylate, ethylene glycol di(meth)acrylate, diethylene glycol di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, 2,2-bis[4-((meth)acryloxyethoxy)phenyl]propane, neopentyl glycol di(meth)acrylate, ethoxylated polypropylene glycol di(meth)acrylate, and 2-hydroxy-1,3-di(meth)acryloxypropane;
polyfunctional (meth)acrylates such as tris(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ε-caprolactone-modified tris-(2-(meth)acryloxyethyl)isocyanurate, ethoxylated glycerin tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ditrimethylolpropane tetra(meth)acrylate, ethoxylated pentaerythritol tetra(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol poly(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate;
Examples include polyfunctional (meth)acrylate oligomers such as urethane (meth)acrylate oligomers.
前記化合物(a2)のうち、エネルギー線硬化性基を有するエポキシ樹脂、エネルギー線硬化性基を有するフェノール樹脂としては、例えば、「特開2013-194102号公報」の段落0043等に記載されているものを用いることができる。このような樹脂は、後述する熱硬化性成分を構成する樹脂にも該当するが、本発明においては前記化合物(a2)として取り扱う。 Of the compounds (a2), examples of epoxy resins having energy ray-curable groups and phenolic resins having energy ray-curable groups that can be used include those described in paragraph 0043 of JP 2013-194102 A. Although such resins also fall under the category of resins that constitute the thermosetting component described below, they are treated as compound (a2) in the present invention.
前記化合物(a2)の重量平均分子量は、100~30000であることが好ましく、300~10000であることがより好ましい。 The weight average molecular weight of the compound (a2) is preferably 100 to 30,000, and more preferably 300 to 10,000.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する前記化合物(a2)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The compound (a2) contained in composition (IV) and the energy ray-curable resin film may be one type or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
[エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)]
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムは、前記エネルギー線硬化性成分(a)として前記化合物(a2)を含有する場合、さらにエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)も含有することが好ましい。
前記重合体(b)は、その少なくとも一部が架橋剤によって架橋されたものであってもよいし、架橋されていないものであってもよい。
[Polymer (b) having no energy ray-curable group]
When the composition (IV) and the energy ray-curable resin film contain the compound (a2) as the energy ray-curable component (a), they preferably further contain a polymer (b) having no energy ray-curable group.
The polymer (b) may be at least partially crosslinked with a crosslinking agent, or may not be crosslinked.
エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、アクリル重合体、フェノキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル、ゴム系樹脂、アクリルウレタン樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、前記重合体(b)は、アクリル重合体(以下、「アクリル重合体(b-1)」と略記することがある)であることが好ましい。
Examples of the polymer (b) having no energy ray-curable group include acrylic polymers, phenoxy resins, urethane resins, polyesters, rubber-based resins, and acrylic urethane resins.
Among these, the polymer (b) is preferably an acrylic polymer (hereinafter sometimes abbreviated as "acrylic polymer (b-1)").
アクリル重合体(b-1)は、公知のものでよく、例えば、1種のアクリルモノマーの単独重合体であってもよいし、2種以上のアクリルモノマーの共重合体であってもよいし、1種又は2種以上のアクリルモノマーと、1種又は2種以上のアクリルモノマー以外のモノマー(非アクリルモノマー)と、の共重合体であってもよい。 The acrylic polymer (b-1) may be a known polymer, for example, a homopolymer of one type of acrylic monomer, a copolymer of two or more types of acrylic monomers, or a copolymer of one or more types of acrylic monomers and one or more types of monomers other than acrylic monomers (non-acrylic monomers).
アクリル重合体(b-1)を構成する前記アクリルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステル、グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステル、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステル、置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステル等が挙げられる。ここで、「置換アミノ基」とは、先に説明したとおりである。 Examples of the acrylic monomer that constitutes the acrylic polymer (b-1) include (meth)acrylic acid alkyl esters, (meth)acrylic acid esters with a cyclic skeleton, glycidyl group-containing (meth)acrylic acid esters, hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid esters, and substituted amino group-containing (meth)acrylic acid esters. Here, the term "substituted amino group" is as described above.
前記(メタ)アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、先に説明した、アクリル重合体(a11)を構成する、前記官能基を有しないアクリルモノマー(アルキルエステルを構成するアルキル基が、炭素数が1~18の鎖状構造である、(メタ)アクリル酸アルキルエステル等)と同じものが挙げられる。 Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester include the same as the acrylic monomer not having the functional group that constitutes the acrylic polymer (a11) described above (e.g., a (meth)acrylic acid alkyl ester in which the alkyl group constituting the alkyl ester has a chain structure containing 1 to 18 carbon atoms).
前記環状骨格を有する(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンタニル等の(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ベンジル等の(メタ)アクリル酸アラルキルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルエステル;
(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニルオキシエチルエステル等の(メタ)アクリル酸シクロアルケニルオキシアルキルエステル等が挙げられる。
Examples of the (meth)acrylic acid ester having a cyclic skeleton include (meth)acrylic acid cycloalkyl esters such as isobornyl (meth)acrylate and dicyclopentanyl (meth)acrylate;
(Meth)acrylic acid aralkyl esters such as benzyl (meth)acrylate;
(Meth)acrylic acid cycloalkenyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyl ester;
(Meth)acrylic acid cycloalkenyloxyalkyl esters such as (meth)acrylic acid dicyclopentenyloxyethyl ester are included.
前記グリシジル基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸グリシジル等が挙げられる。
前記水酸基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸ヒドロキシメチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸2-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸3-ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸4-ヒドロキシブチル等が挙げられる。
前記置換アミノ基含有(メタ)アクリル酸エステルとしては、例えば、(メタ)アクリル酸N-メチルアミノエチル等が挙げられる。
Examples of the glycidyl group-containing (meth)acrylic acid ester include glycidyl (meth)acrylate.
Examples of the hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester include hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate.
Examples of the substituted amino group-containing (meth)acrylic acid ester include N-methylaminoethyl (meth)acrylate.
アクリル重合体(b-1)を構成する前記非アクリルモノマーとしては、例えば、エチレン、ノルボルネン等のオレフィン;酢酸ビニル;スチレン等が挙げられる。 Examples of the non-acrylic monomers that constitute the acrylic polymer (b-1) include olefins such as ethylene and norbornene; vinyl acetate; styrene; etc.
少なくとも一部が架橋剤によって架橋された、前記エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、前記重合体(b)中の反応性官能基が架橋剤と反応したものが挙げられる。
前記反応性官能基は、架橋剤の種類等に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。例えば、架橋剤がポリイソシアネート化合物である場合には、前記反応性官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基等が挙げられ、これらの中でも、イソシアネート基との反応性が高い水酸基が好ましい。また、架橋剤がエポキシ系化合物である場合には、前記反応性官能基としては、カルボキシ基、アミノ基、アミド基等が挙げられ、これらの中でもエポキシ基との反応性が高いカルボキシ基が好ましい。ただし、半導体ウエハや半導体チップの回路の腐食を防止するという点では、前記反応性官能基はカルボキシ基以外の基であることが好ましい。
The polymer (b) having no energy ray-curable group and at least a portion of which is crosslinked with a crosslinking agent may be, for example, a polymer in which a reactive functional group in the polymer (b) has reacted with a crosslinking agent.
The reactive functional group may be appropriately selected depending on the type of crosslinking agent, and is not particularly limited. For example, when the crosslinking agent is a polyisocyanate compound, examples of the reactive functional group include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, etc., and among these, a hydroxyl group, which has high reactivity with an isocyanate group, is preferred. When the crosslinking agent is an epoxy compound, examples of the reactive functional group include a carboxyl group, an amino group, an amide group, etc., and among these, a carboxyl group, which has high reactivity with an epoxy group, is preferred. However, from the viewpoint of preventing corrosion of the circuits of a semiconductor wafer or a semiconductor chip, it is preferable that the reactive functional group be a group other than a carboxyl group.
前記反応性官能基を有する、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)としては、例えば、少なくとも前記反応性官能基を有するモノマーを重合させて得られたものが挙げられる。アクリル重合体(b-1)の場合であれば、これを構成するモノマーとして挙げた、前記アクリルモノマー及び非アクリルモノマーのいずれか一方又は両方として、前記反応性官能基を有するものを用いればよい。反応性官能基として水酸基を有する前記重合体(b)としては、例えば、水酸基含有(メタ)アクリル酸エステルを重合して得られたものが挙げられ、これ以外にも、先に挙げた前記アクリルモノマー又は非アクリルモノマーにおいて、1個又は2個以上の水素原子が前記反応性官能基で置換されてなるモノマーを重合して得られたものが挙げられる。 Examples of the polymer (b) having the reactive functional group but not the energy ray-curable group include those obtained by polymerizing at least a monomer having the reactive functional group. In the case of acrylic polymer (b-1), it is sufficient to use one or both of the acrylic monomers and non-acrylic monomers listed as the constituent monomers that have the reactive functional group. Examples of the polymer (b) having a hydroxyl group as a reactive functional group include those obtained by polymerizing a hydroxyl group-containing (meth)acrylic acid ester, and also those obtained by polymerizing a monomer in which one or more hydrogen atoms in the acrylic monomers or non-acrylic monomers listed above have been substituted with the reactive functional group.
反応性官能基を有する前記重合体(b)において、これを構成する構成単位の全量に対する、反応性官能基を有するモノマーから誘導された構成単位の量の割合(含有量)は、1~20質量%であることが好ましく、2~10質量%であることがより好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、前記重合体(b)において、架橋の程度がより好ましい範囲となる。In the polymer (b) having a reactive functional group, the proportion (content) of the structural units derived from the monomer having a reactive functional group relative to the total amount of structural units constituting the polymer (b) is preferably 1 to 20% by mass, and more preferably 2 to 10% by mass. Having this proportion within this range results in a more preferable range for the degree of crosslinking in the polymer (b).
エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の重量平均分子量(Mw)は、組成物(IV)の造膜性がより良好となる点から、10000~2000000であることが好ましく、100000~1500000であることがより好ましい。 The weight average molecular weight (Mw) of polymer (b) that does not have an energy ray-curable group is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000, in order to improve the film-forming properties of composition (IV).
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The polymer (b) not having an energy ray-curable group contained in composition (IV) and the energy ray-curable resin film may be one type or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(IV)としては、前記重合体(a1)及び前記化合物(a2)のいずれか一方又は両方を含有するものが挙げられる。そして、組成物(IV)は、前記化合物(a2)を含有する場合、さらにエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)も含有することが好ましく、この場合、さらに前記(a1)を含有することも好ましい。また、組成物(IV)は、前記化合物(a2)を含有せず、前記重合体(a1)、及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)をともに含有していてもよい。 Examples of composition (IV) include compositions containing either or both of the polymer (a1) and the compound (a2). When composition (IV) contains compound (a2), it preferably also contains polymer (b) that does not have an energy ray-curable group, and in this case, it is also preferable that composition (IV) further contains (a1). Alternatively, composition (IV) may contain both polymer (a1) and polymer (b) that does not have an energy ray-curable group without containing compound (a2).
組成物(IV)が、前記重合体(a1)、前記化合物(a2)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)を含有する場合、組成物(IV)において、前記化合物(a2)の含有量は、前記重合体(a1)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の総含有量100質量部に対して、10~400質量部であることが好ましく、30~350質量部であることがより好ましい。 When composition (IV) contains the polymer (a1), the compound (a2), and the polymer (b) that does not have an energy ray-curable group, the content of the compound (a2) in composition (IV) is preferably 10 to 400 parts by mass, and more preferably 30 to 350 parts by mass, per 100 parts by mass of the total content of the polymer (a1) and the polymer (b) that does not have an energy ray-curable group.
組成物(IV)において、溶媒以外の成分の総含有量に対する、前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量の割合(すなわち、エネルギー線硬化性樹脂フィルムにおける、前記フィルムの総質量に対する、前記エネルギー線硬化性成分(a)及びエネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)の合計含有量の割合)は、5~90質量%であることが好ましく、10~80質量%であることがより好ましく、20~70質量%であることが特に好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、エネルギー線硬化性樹脂フィルムのエネルギー線硬化性がより良好となる。In composition (IV), the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) not having an energy ray-curable group to the total content of components other than the solvent (i.e., in the energy ray-curable resin film, the ratio of the total content of the energy ray-curable component (a) and the polymer (b) not having an energy ray-curable group to the total mass of the film) is preferably 5 to 90% by mass, more preferably 10 to 80% by mass, and particularly preferably 20 to 70% by mass. Having this ratio within this range improves the energy ray curability of the energy ray-curable resin film.
[充填材]
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルム中の充填材の量を調節することで、前記X値をより容易に調節できる。また、組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルム中の充填材の量を調節することで、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の熱膨張係数を、より容易に調節でき、例えば、保護膜(例えば、第1保護膜)の熱膨張係数を保護膜の形成対象物に対して最適化することで、エネルギー線硬化性樹脂フィルムを用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、充填材を含有するエネルギー線硬化性樹脂フィルムを用いることにより、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
[Filling material]
The X value can be more easily adjusted by adjusting the amount of filler in the composition (IV) and the energy ray-curable resin film. Furthermore, by adjusting the amount of filler in the composition (IV) and the energy ray-curable resin film, the thermal expansion coefficient of the cured product of the energy ray-curable resin film (e.g., a protective film) can be more easily adjusted. For example, by optimizing the thermal expansion coefficient of the protective film (e.g., a first protective film) for the object on which the protective film is formed, the reliability of the package obtained using the energy ray-curable resin film can be further improved. Furthermore, by using an energy ray-curable resin film containing a filler, the moisture absorption rate of the cured product of the energy ray-curable resin film (e.g., a protective film) can be reduced and the heat dissipation properties can be improved.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する前記充填材は、先に説明した組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する充填材(D)と同じである。 The filler contained in composition (IV) and the energy ray-curable resin film is the same as the filler (D) contained in composition (III) and the thermosetting resin film described above.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムの充填材の含有の態様は、組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムの充填材(D)の含有の態様と同様であってよい。 The manner in which the filler is contained in composition (IV) and the energy ray-curable resin film may be the same as the manner in which the filler (D) is contained in composition (III) and the thermosetting resin film.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する充填材は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The filler contained in composition (IV) and the energy ray-curable resin film may be one type or two or more types, and if two or more types are contained, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(IV)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する充填材の含有量の割合(すなわち、エネルギー線硬化性樹脂フィルムにおける、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの総質量に対する、充填材の含有量の割合)は、例えば、5~45質量%であってよい。前記割合がこのような範囲であることで、エネルギー線硬化性樹脂フィルムを前記凹凸面に貼付したときに、凹凸面の凸部の上部でのエネルギー線硬化性樹脂フィルムの残存を抑制する効果と、前記凹凸面でのエネルギー線硬化性樹脂フィルムのはみ出しを抑制する効果と、前記凹凸面上での、エネルギー線硬化性樹脂フィルム及びその硬化物のハジキを抑制する効果と、がより高くなるとともに、上記の熱膨張係数を、さらに容易に調節できる。In composition (IV), the ratio of the filler content to the total content of all components other than the solvent (i.e., the ratio of the filler content to the total mass of the energy ray-curable resin film in the energy ray-curable resin film) may be, for example, 5 to 45 mass%. By having this ratio within this range, when the energy ray-curable resin film is applied to the uneven surface, the effects of suppressing the energy ray-curable resin film from remaining on the tops of the convex portions of the uneven surface, suppressing protrusion of the energy ray-curable resin film from the uneven surface, and suppressing repelling of the energy ray-curable resin film and its cured product on the uneven surface are further enhanced, and the thermal expansion coefficient can be more easily adjusted.
[添加剤]
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルム中の添加剤の種類又は量を調節することで、前記X値をより容易に調節できる。
[Additives]
The X value can be more easily adjusted by adjusting the type or amount of additives in the composition (IV) and the energy ray-curable resin film.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する前記添加剤は、先に説明した組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムが含有する添加剤(I)と同じである。
例えば、前記X値をより容易に調節できる点で好ましい添加剤としては、レオロジーコントロール剤、界面活性剤、シリコーンオイル等が挙げられる。
The additives contained in the composition (IV) and the energy ray-curable resin film are the same as the additives (I) contained in the composition (III) and the thermosetting resin film described above.
For example, preferred additives that allow for easier adjustment of the X value include rheology control agents, surfactants, silicone oils, and the like.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムの添加剤の含有の態様は、組成物(III)及び熱硬化性樹脂フィルムの添加剤(I)の含有の態様と同様であってよい。 The manner in which the additives in composition (IV) and the energy ray-curable resin film are contained may be the same as the manner in which the additives in composition (III) and the thermosetting resin film are contained (I).
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する添加剤は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The additives contained in composition (IV) and the energy ray-curable resin film may be one type only or two or more types, and if there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムの添加剤の含有量は、特に限定されず、その種類や目的に応じて、適宜調節できる。
例えば、前記X値の調節が目的である場合には、組成物(IV)において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する添加剤の含有量の割合(すなわち、エネルギー線硬化性樹脂フィルムにおける、エネルギー線硬化性樹脂フィルムの総質量に対する、添加剤の含有量の割合)は、例えば、0.5~10質量%であってもよい。
The content of the additives in the composition (IV) and the energy ray-curable resin film is not particularly limited, and can be adjusted appropriately depending on the type and purpose.
For example, when the purpose is to adjust the X value, the ratio of the content of the additive to the total content of all components other than the solvent in composition (IV) (i.e., the ratio of the content of the additive to the total mass of the energy ray-curable resin film in the energy ray-curable resin film) may be, for example, 0.5 to 10 mass%.
[他の成分]
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムは、本発明の効果を損なわない範囲内において、エネルギー線硬化性成分(a)と、前記充填材と、前記添加剤と、エネルギー線硬化性基を有しない重合体(b)と、のいずれにも該当しない、他の成分を含有していてもよい。
前記他の成分としては、例えば、熱硬化性成分、光重合開始剤、カップリング剤、架橋剤等が挙げられる。例えば、前記エネルギー線硬化性成分(a)及び熱硬化性成分を含有する組成物(IV)を用いることにより、エネルギー線硬化性樹脂フィルムは、その加熱によって被着体に対する接着力が向上し、このエネルギー線硬化性樹脂フィルムの硬化物(例えば、保護膜)の強度も向上する。
[Other ingredients]
The composition (IV) and the energy ray-curable resin film may contain other components that do not fall under any of the energy ray-curable component (a), the filler, the additive, and the polymer (b) having no energy ray-curable group, within a range that does not impair the effects of the present invention.
Examples of the other components include a thermosetting component, a photopolymerization initiator, a coupling agent, a crosslinking agent, etc. For example, by using the composition (IV) containing the energy ray-curable component (a) and the thermosetting component, the adhesive strength of the energy ray-curable resin film to an adherend is improved by heating, and the strength of the cured product of the energy ray-curable resin film (e.g., a protective film) is also improved.
組成物(IV)における前記熱硬化性成分、光重合開始剤、カップリング剤及び架橋剤としては、それぞれ、組成物(III)における熱硬化性成分(B)、光重合開始剤、カップリング剤(E)及び架橋剤(F)と同じものが挙げられる。The thermosetting component, photopolymerization initiator, coupling agent, and crosslinking agent in composition (IV) may be the same as the thermosetting component (B), photopolymerization initiator, coupling agent (E), and crosslinking agent (F) in composition (III), respectively.
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムが含有する前記他の成分は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
組成物(IV)及びエネルギー線硬化性樹脂フィルムの前記他の成分の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
The other components contained in the composition (IV) and the energy ray-curable resin film may be one type only or two or more types. When two or more types are contained, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
The contents of the composition (IV) and the other components in the energy ray-curable resin film are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
[溶媒]
組成物(IV)は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する組成物(IV)は、取り扱い性が良好となる。
組成物(IV)が含有する溶媒としては、例えば、先に説明した組成物(III)が含有する溶媒と同じものが挙げられる。
組成物(IV)が含有する溶媒は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
組成物(IV)の溶媒の含有量は、特に限定されず、例えば、溶媒以外の成分の種類に応じて適宜選択すればよい。
[solvent]
Composition (IV) preferably further contains a solvent, since composition (IV) containing a solvent has good handleability.
Examples of the solvent contained in the composition (IV) include the same solvents as those contained in the composition (III) described above.
The composition (IV) may contain only one type of solvent, or two or more types of solvents. When two or more types of solvents are contained, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
The content of the solvent in the composition (IV) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on, for example, the types of components other than the solvent.
<エネルギー線硬化性樹脂フィルム形成用組成物の製造方法>
組成物(IV)等のエネルギー線硬化性樹脂フィルム形成用組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
エネルギー線硬化性樹脂フィルム形成用組成物は、例えば、配合成分の種類が異なる点を除けば、先に説明した熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物の場合と同じ方法で製造できる。
<Method for producing energy ray-curable resin film-forming composition>
The energy ray-curable resin film-forming composition such as composition (IV) can be obtained by blending the components constituting the composition.
The energy ray-curable resin film-forming composition can be produced by the same method as the thermosetting resin film-forming composition described above, except that the types of ingredients used are different.
本実施形態の好ましい樹脂フィルムの一例としては、樹脂フィルムであって、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記試験片のひずみが1%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記試験片のひずみが300%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満であり、
前記樹脂フィルムが、重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)を含有する熱硬化性樹脂フィルムであり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)の含有量の割合が、5~25質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記熱硬化剤(B2)の含有量が、前記エポキシ樹脂(B1)の含有量100質量部に対して、0.1~500質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)の総含有量が、前記重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記充填材(D)の含有量の割合が、5~45質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記添加剤(I)の含有量の割合が、0.5~10質量%であり、
ただし、前記樹脂フィルムにおいて、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)の合計含有量の割合は、100質量%を超えない、樹脂フィルムが挙げられる。
An example of a preferable resin film of the present embodiment is a resin film,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece was measured. When the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 1% is defined as Gc1, and the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 300% is defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by is 19 or more and less than 10,000,
the resin film is a thermosetting resin film containing a polymer component (A), an epoxy resin (B1), a thermosetting agent (B2), a filler (D), and an additive (I),
the content of the polymer component (A) in the resin film is 5 to 25% by mass relative to the total mass of the resin film;
the content of the thermosetting agent (B2) in the resin film is 0.1 to 500 parts by mass per 100 parts by mass of the epoxy resin (B1);
a total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) in the resin film is 600 to 1000 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer component (A);
The content ratio of the filler (D) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 5 to 45 mass%,
The content ratio of the additive (I) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 0.5 to 10 mass%,
However, in the resin film, the ratio of the total content of the polymer component (A), the epoxy resin (B1), the thermosetting agent (B2), the filler (D), and the additive (I) to the total mass of the resin film does not exceed 100 mass%.
本実施形態の好ましい樹脂フィルムの他の例としては、樹脂フィルムであって、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記試験片のひずみが1%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記試験片のひずみが300%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満であり、
前記樹脂フィルムが、重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)を含有する熱硬化性樹脂フィルムであり、
前記重合体成分(A)がポリビニルアセタールであり、
前記添加剤(I)が、レオロジーコントロール剤、界面活性剤及びシリコーンオイルからなる群より選択される1種又は2種以上であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)の含有量の割合が、5~25質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記熱硬化剤(B2)の含有量が、前記エポキシ樹脂(B1)の含有量100質量部に対して、0.1~500質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)の総含有量が、前記重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記充填材(D)の含有量の割合が、5~45質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記添加剤(I)の含有量の割合が、0.5~10質量%であり、
ただし、前記樹脂フィルムにおいて、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)の合計含有量の割合は、100質量%を超えない、樹脂フィルムが挙げられる。
Another example of a preferable resin film of the present embodiment is a resin film,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece was measured. When the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 1% is defined as Gc1, and the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 300% is defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by is 19 or more and less than 10,000,
the resin film is a thermosetting resin film containing a polymer component (A), an epoxy resin (B1), a thermosetting agent (B2), a filler (D), and an additive (I),
the polymer component (A) is polyvinyl acetal,
the additive (I) is one or more selected from the group consisting of a rheology control agent, a surfactant, and a silicone oil,
the content of the polymer component (A) in the resin film is 5 to 25% by mass relative to the total mass of the resin film;
the content of the thermosetting agent (B2) in the resin film is 0.1 to 500 parts by mass per 100 parts by mass of the epoxy resin (B1);
a total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) in the resin film is 600 to 1000 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer component (A);
The content ratio of the filler (D) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 5 to 45 mass%,
The content ratio of the additive (I) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 0.5 to 10 mass%,
However, in the resin film, the ratio of the total content of the polymer component (A), the epoxy resin (B1), the thermosetting agent (B2), the filler (D), and the additive (I) to the total mass of the resin film does not exceed 100 mass%.
◇複合シート
本発明の一実施形態に係る複合シートは、基材と、前記基材上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられた樹脂フィルムと、を備え、前記樹脂フィルムが、上述の本発明の一実施形態に係る樹脂フィルムである。
本実施形態の複合シートを用いることで、先に説明したように、前記樹脂フィルムを、その貼付対象物の凹凸面に良好に貼付でき、このとき、凹凸面の凸部の上部において、樹脂フィルムの残存が抑制され、樹脂フィルムの当初の大きさ状からのはみ出しが抑制され、凹凸面上において、樹脂フィルム及びその硬化物のハジキが抑制されるという優れた効果が得られる。
Composite Sheet A composite sheet according to one embodiment of the present invention comprises a substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer, wherein the resin film is the resin film according to one embodiment of the present invention described above.
As described above, by using the composite sheet of this embodiment, the resin film can be successfully attached to the uneven surface of the object to which it is to be attached, and at this time, the excellent effects of suppressing the resin film from remaining on top of the convex parts of the uneven surface, suppressing the resin film from protruding from its original size, and suppressing the resin film and its cured product from repelling on the uneven surface are obtained.
なお、本明細書においては、前記樹脂フィルムを前記第1保護膜の形成用として用いる場合には、前記複合シートを「第1保護膜形成用シート」と称し、第1保護膜形成用シート中の前記基材を「第1基材」と称する。
一方、半導体ウエハ又は半導体チップのバンプ形成面とは反対側の面(裏面)に第2保護膜を設けるためには、第2保護膜を形成するための第2保護膜形成用フィルムを備えて構成された、第2保護膜形成用シートを用いる。第2保護膜形成用シートとしては、例えば、ダイシングシートと、前記ダイシングシート上に設けられた第2保護膜形成用フィルムと、を備えて構成されたものが挙げられる。ダイシングシートが、前記基材と同様のものを備えている場合には、この基材を「第2基材」と称する。
In this specification, when the resin film is used to form the first protective film, the composite sheet is referred to as a "sheet for forming the first protective film," and the substrate in the sheet for forming the first protective film is referred to as a "first substrate."
On the other hand, to provide a second protective film on the surface (back surface) opposite to the bump-formed surface of the semiconductor wafer or semiconductor chip, a second protective film-forming sheet is used, which is configured to include a second protective film-forming film for forming the second protective film. Examples of the second protective film-forming sheet include a sheet configured to include a dicing sheet and a second protective film-forming film provided on the dicing sheet. When the dicing sheet includes the same material as the substrate, this substrate is referred to as a "second substrate."
図3は、本実施形態の複合シートの一例を模式的に示す断面図である。
ここに示す複合シート1は、基材11と、基材11上に設けられた緩衝層13と、緩衝層13上(緩衝層13の基材11側とは反対側の上部)に設けられた樹脂フィルム12と、を備えて構成されている。
すなわち、複合シート1は、基材11、緩衝層13及び樹脂フィルム12がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成されている。
符号13aは、緩衝層13の樹脂フィルム12が設けられている側の面(以下、「第1面」と称することがある)を示している。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of the composite sheet of this embodiment.
The composite sheet 1 shown here is composed of a substrate 11, a buffer layer 13 provided on the substrate 11, and a resin film 12 provided on the buffer layer 13 (the upper part of the buffer layer 13 on the side opposite the substrate 11).
That is, the composite sheet 1 is constructed by laminating a substrate 11, a buffer layer 13, and a resin film 12 in this order in the thickness direction.
Reference numeral 13a denotes the surface of the buffer layer 13 on which the resin film 12 is provided (hereinafter, sometimes referred to as the "first surface").
図4は、本実施形態の複合シートの他の例を模式的に示す断面図である。
ここに示す複合シート2は、基材11と緩衝層13との間に、密着層14を備えている(換言すると、基材11上に設けられた密着層14と、密着層14上に設けられた緩衝層13と、を備えている)点以外は、図3に示す複合シート1と同じである。
すなわち、複合シート2は、基材11、密着層14、緩衝層13及び樹脂フィルム12がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing another example of the composite sheet of the present embodiment.
The composite sheet 2 shown here is the same as the composite sheet 1 shown in Figure 3, except that it has an adhesive layer 14 between the substrate 11 and the buffer layer 13 (in other words, it has an adhesive layer 14 provided on the substrate 11 and a buffer layer 13 provided on the adhesive layer 14).
That is, the composite sheet 2 is constructed by laminating a substrate 11, an adhesive layer 14, a buffer layer 13, and a resin film 12 in this order in the thickness direction.
本実施形態の複合シートは、図3及び図4に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図3及び図4に示すものにおいて、一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
例えば、本実施形態の複合シートは、基材とは反対側の最表層(図3及び図4に示す複合シートにおいては樹脂フィルム12)上に、剥離フィルムを備えていてもよい。
次に、本実施形態の複合シートを構成する各層について説明する。
The composite sheet of this embodiment is not limited to that shown in FIGS. 3 and 4, and some of the configurations shown in FIGS. 3 and 4 may be changed, deleted, or added, as long as the effects of the present invention are not impaired.
For example, the composite sheet of this embodiment may have a release film on the outermost layer (resin film 12 in the composite sheets shown in FIGS. 3 and 4) on the side opposite to the substrate.
Next, each layer constituting the composite sheet of this embodiment will be described.
◎基材
前記基材は、シート状又はフィルム状であり、その構成材料としては、例えば、各種樹脂が挙げられる。
前記樹脂としては、例えば、低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)、高密度ポリエチレン(HDPE)等のポリエチレン;ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ノルボルネン樹脂等のポリエチレン以外のポリオレフィン;エチレン-酢酸ビニル共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ノルボルネン共重合体等のエチレン系共重合体(モノマーとしてエチレンを用いて得られた共重合体);ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂(モノマーとして塩化ビニルを用いて得られた樹脂);ポリスチレン;ポリシクロオレフィン;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリエチレン-2,6-ナフタレンジカルボキシレート、すべての構成単位が芳香族環式基を有する全芳香族ポリエステル等のポリエステル;2種以上の前記ポリエステルの共重合体;ポリ(メタ)アクリル酸エステル;ポリウレタン;ポリウレタンアクリレート;ポリイミド;ポリアミド;ポリカーボネート;フッ素樹脂;ポリアセタール;変性ポリフェニレンオキシド;ポリフェニレンスルフィド;ポリスルホン;ポリエーテルケトン等が挙げられる。
また、前記樹脂としては、例えば、前記ポリエステルとそれ以外の樹脂との混合物等のポリマーアロイも挙げられる。前記ポリエステルとそれ以外の樹脂とのポリマーアロイは、ポリエステル以外の樹脂の量が比較的少量であるものが好ましい。
また、前記樹脂としては、例えば、ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上が架橋した架橋樹脂;ここまでに例示した前記樹脂の1種又は2種以上を用いたアイオノマー等の変性樹脂も挙げられる。
Substrate The substrate is in the form of a sheet or film, and examples of the constituent materials thereof include various resins.
Examples of the resin include polyethylenes such as low-density polyethylene (LDPE), linear low-density polyethylene (LLDPE), and high-density polyethylene (HDPE); polyolefins other than polyethylene such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, and norbornene resin; ethylene-based copolymers (copolymers obtained using ethylene as a monomer) such as ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, and ethylene-norbornene copolymer; and vinyl chloride-based resins (copolymers obtained using vinyl chloride as a monomer) such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer. Examples of the polyester include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2,6-naphthalenedicarboxylate, and wholly aromatic polyesters in which all structural units have aromatic cyclic groups; copolymers of two or more of the above polyesters; poly(meth)acrylic acid esters; polyurethanes; polyurethane acrylates; polyimides; polyamides; polycarbonates; fluororesins; polyacetals; modified polyphenylene oxides; polyphenylene sulfides; polysulfones; and polyether ketones.
Further, examples of the resin include polymer alloys such as mixtures of the polyester and other resins. The polymer alloys of the polyester and other resins preferably contain a relatively small amount of resin other than polyester.
Examples of the resin include crosslinked resins in which one or more of the resins exemplified above are crosslinked; and modified resins such as ionomers using one or more of the resins exemplified above.
基材を構成する樹脂は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。 The resin constituting the base material may be one type only, or two or more types, and if two or more types are used, the combination and ratio of these can be selected arbitrarily.
基材は1層(単層)のみであってもよいし、2層以上の複数層であってもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 The substrate may be a single layer (single layer) or may be two or more layers. If it is a multiple layer substrate, these layers may be the same or different from each other, and there are no particular limitations on the combination of these layers.
基材の厚さは、5~1000μmであることが好ましく、10~500μmであることがより好ましく、15~300μmであることがさらに好ましく、20~150μmであることが特に好ましい。
ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
The thickness of the substrate is preferably 5 to 1000 μm, more preferably 10 to 500 μm, even more preferably 15 to 300 μm, and particularly preferably 20 to 150 μm.
Here, the "thickness of the substrate" means the thickness of the entire substrate, and for example, the thickness of a substrate consisting of multiple layers means the total thickness of all layers that make up the substrate.
基材は、厚さの精度が高いもの、すなわち、部位によらず厚さのばらつきが抑制されたものが好ましい。上述の構成材料のうち、このような厚さの精度が高い基材を構成するのに使用可能な材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリエチレン以外のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、エチレン-酢酸ビニル共重合体等が挙げられる。 It is preferable that the substrate has a high degree of thickness precision, i.e., that thickness variation is suppressed regardless of location. Among the above-mentioned constituent materials, materials that can be used to form substrates with such high thickness precision include, for example, polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, and ethylene-vinyl acetate copolymer.
基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤(可塑剤)等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。 In addition to the main constituent materials such as the resin, the substrate may contain various known additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, and softeners (plasticizers).
基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよいし、他の層が蒸着されていてもよい。
前記樹脂フィルムがエネルギー線硬化性である場合、基材はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
The substrate may be transparent or opaque, may be colored according to the purpose, or may have other layers vapor-deposited thereon.
When the resin film is energy ray curable, the substrate is preferably one that transmits energy rays.
基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する基材は、前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。 The substrate can be manufactured by a known method. For example, a substrate containing a resin can be manufactured by molding a resin composition containing the resin.
◎緩衝層
緩衝層は、緩衝層とこれに隣接する層へ加えられる力に対して、緩衝作用を有する。ここで「緩衝層と隣接する層」とは、主に前記樹脂フィルムと、その硬化物に相当する層(例えば、第1保護膜等の保護膜)である。
Buffer Layer The buffer layer has a buffering effect against forces applied to the buffer layer and layers adjacent thereto. Here, "layers adjacent thereto" mainly refer to the resin film and layers corresponding to the cured product thereof (for example, protective films such as the first protective film).
緩衝層の構成材料は、特に限定されない。 The material constituting the buffer layer is not particularly limited.
好ましい緩衝層としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレート等を含有するものが挙げられる。 Preferred buffer layers include, for example, those containing urethane (meth)acrylate.
上述の前記樹脂フィルムの場合と同様に、温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの緩衝層の試験片にひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記試験片のひずみが300%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGb300としたとき、Gb300はGc300以上(Gb300≧Gc300)であることが好ましい。このような条件を満たす前記複合シートを用いて、前記樹脂フィルムを凹凸面へ貼付することにより、凹凸面の凸部(例えば、半導体ウエハのバンプ)の上部が、より容易に樹脂フィルムを貫通する。As with the resin film described above, strain is generated in a test piece of a buffer layer with a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm at a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece is measured. When the storage modulus of the test piece at a strain of 300% is designated as Gb300, it is preferable that Gb300 be greater than or equal to Gc300 (Gb300 ≥ Gc300). By using the composite sheet that satisfies these conditions and applying the resin film to an uneven surface, the upper parts of the convex portions of the uneven surface (e.g., bumps on a semiconductor wafer) can more easily penetrate the resin film.
上述のように、緩衝層の試験片に0.01%~1000%の範囲でひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率Gbを測定し、前記樹脂フィルムの試験片に0.01%~1000%の範囲でひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率Gcを測定し、ひずみが同じである場合のGbとGcを比較したとき、ひずみが0.01%~1000%のすべての範囲で、GbはGc以上(Gb≧Gc)であることがより好ましく、ひずみが10%~1000%のすべての範囲で、GbはGc以上であることがさらに好ましい。このような条件を満たす前記複合シートを用いて、前記樹脂フィルムを凹凸面へ貼付することにより、凹凸面の凸部(例えば、半導体ウエハのバンプ)の上部が、さらに容易に樹脂フィルムを貫通する。As described above, when a strain ranging from 0.01% to 1000% is applied to a test piece of the buffer layer and the storage modulus Gb of the test piece is measured, and a strain ranging from 0.01% to 1000% is applied to a test piece of the resin film and the storage modulus Gc of the test piece is measured, and Gb and Gc are compared for the same strain, it is more preferable that Gb is equal to or greater than Gc (Gb ≥ Gc) over the entire strain range of 0.01% to 1000%, and even more preferable that Gb is equal to or greater than Gc over the entire strain range of 10% to 1000%. By using the composite sheet that satisfies these conditions to attach the resin film to an uneven surface, the upper parts of the convex portions of the uneven surface (e.g., bumps on a semiconductor wafer) can more easily penetrate the resin film.
緩衝層は1層(単層)のみであってもよいし、2層以上の複数層であってもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 The buffer layer may be a single layer (monolayer) or may consist of two or more layers. If there are multiple layers, these layers may be the same or different from each other, and there are no particular restrictions on the combination of these layers.
緩衝層の厚さは、150~1000μmであることが好ましく、150~800μmであることがより好ましく、200~600μmであることがさらに好ましく、250~500μmであることが特に好ましい。
ここで、「緩衝層の厚さ」とは、緩衝層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる緩衝層の厚さとは、緩衝層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
The thickness of the buffer layer is preferably 150 to 1000 μm, more preferably 150 to 800 μm, even more preferably 200 to 600 μm, and particularly preferably 250 to 500 μm.
Here, the "thickness of the buffer layer" means the thickness of the entire buffer layer, and for example, the thickness of a buffer layer consisting of multiple layers means the total thickness of all layers that make up the buffer layer.
<<緩衝層形成用組成物>>
緩衝層は、前記樹脂等の、緩衝層の構成材料を含有する緩衝層形成用組成物を用いて形成できる。例えば、緩衝層の形成対象面に対して、緩衝層形成用組成物を押出成形することにより、目的とする部位に緩衝層を形成できる。緩衝層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。緩衝層形成用組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、緩衝層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
<<Buffer layer forming composition>>
The buffer layer can be formed using a buffer layer-forming composition containing the constituent materials of the buffer layer, such as the resin. For example, the buffer layer can be formed at the desired location by extruding the buffer layer-forming composition onto the surface on which the buffer layer is to be formed. A more specific method for forming the buffer layer will be described in detail later, along with methods for forming other layers. The ratio of the contents of the components that do not vaporize at room temperature in the buffer layer-forming composition is usually the same as the ratio of the contents of the components of the buffer layer.
<緩衝層形成用組成物(V)>
緩衝層形成用組成物としては、例えば、ウレタン(メタ)アクリレートを含有する緩衝層形成用組成物(V)等が挙げられる。
<Buffer layer forming composition (V)>
The buffer layer-forming composition may be, for example, a buffer layer-forming composition (V) containing urethane (meth)acrylate.
緩衝層形成用組成物(V)及び緩衝層のウレタン(メタ)アクリレートの含有量は、80~100質量%であることが好ましい。 The content of urethane (meth)acrylate in the buffer layer forming composition (V) and the buffer layer is preferably 80 to 100% by mass.
[他の成分]
緩衝層形成用組成物(V)及び緩衝層は、本発明の効果を損なわない範囲内において、ウレタン(メタ)アクリレート以外の、他の成分を含有していてもよい。
前記他の成分としては、特に限定されず、目的に応じて適宜選択できる。
[Other ingredients]
The buffer layer-forming composition (V) and the buffer layer may contain components other than the urethane (meth)acrylate within the range that does not impair the effects of the present invention.
The other components are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose.
緩衝層形成用組成物(V)及び緩衝層が含有する前記他の成分は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
緩衝層形成用組成物(V)及び緩衝層の前記他の成分の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
The other components contained in the buffer layer-forming composition (V) and the buffer layer may be one type or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
The contents of the buffer layer-forming composition (V) and the other components of the buffer layer are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
◎樹脂フィルム
本実施形態の複合シートにおける樹脂フィルムは、先に説明したものと同じであるため、ここでは、その詳細な説明を省略する。
Resin Film The resin film in the composite sheet of this embodiment is the same as that described above, and therefore a detailed description thereof will be omitted here.
◎密着層
密着層は、基材及び緩衝層の密着性を向上させ、複合シートにおいて、基材及び緩衝層の剥離を高度に抑制する。したがって、密着層を備えた複合シートは、その使用時において、基材、密着層及び緩衝層の積層構造をより安定して維持できる。
Adhesion Layer The adhesion layer improves the adhesion between the substrate and the buffer layer, and highly suppresses peeling between the substrate and the buffer layer in the composite sheet. Therefore, the composite sheet having the adhesion layer can more stably maintain the laminated structure of the substrate, adhesion layer, and buffer layer during use.
密着層は、シート状又はフィルム状である。
好ましい密着層としては、例えば、エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂(EVA)等を含有するものが挙げられる。
The adhesive layer is in the form of a sheet or a film.
A preferred adhesive layer is, for example, one containing an ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA).
密着層は1層(単層)のみであってもよいし、2層以上の複数層であってもよく、複数層である場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。 The adhesive layer may be only one layer (single layer), or may be two or more layers. If there are multiple layers, these layers may be the same or different from each other, and the combination of these layers is not particularly limited.
密着層の厚さは、10~100μmであることが好ましく、25~85μmであることがより好ましく、40~70μmであることが特に好ましい。
ここで、「密着層の厚さ」とは、密着層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる密着層の厚さとは、密着層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
The thickness of the adhesive layer is preferably 10 to 100 μm, more preferably 25 to 85 μm, and particularly preferably 40 to 70 μm.
Here, "thickness of the adhesive layer" means the thickness of the entire adhesive layer, for example, the thickness of an adhesive layer consisting of multiple layers means the total thickness of all layers that make up the adhesive layer.
<<密着層形成用組成物>>
密着層は、その構成材料を含有する密着層形成用組成物を用いて形成できる。例えば、密着層の形成対象面に対して、密着層形成用組成物を押出成形することにより、目的とする部位に密着層を形成できる。密着層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。密着層形成用組成物中の、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、密着層の前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
<<Adhesion layer-forming composition>>
The adhesion layer can be formed using a composition for forming an adhesion layer containing its constituent materials. For example, the adhesion layer can be formed at the desired location by extruding the composition for forming an adhesion layer onto the surface on which the adhesion layer is to be formed. A more specific method for forming the adhesion layer will be described in detail later, along with methods for forming other layers. The ratio of the contents of the components that do not vaporize at room temperature in the composition for forming an adhesion layer is usually the same as the ratio of the contents of the components of the adhesion layer.
<密着層形成用組成物(VI)>
密着層形成用組成物としては、例えば、エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂(EVA)を含有する密着層形成用組成物(VI)等が挙げられる。
<Adhesion layer-forming composition (VI)>
The adhesive layer-forming composition may be, for example, an adhesive layer-forming composition (VI) containing an ethylene-vinyl acetate copolymer resin (EVA).
エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂の密度は、1100kg/m3以下であることが好ましく、850~1100kg/m3であることがより好ましく、900~1000kg/m3であることが特に好ましい。
本明細書において、「エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂の密度」とは、特に断りのない限り、JIS K7112:1999に準拠して測定した値を意味する。
The density of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin is preferably 1100 kg/m 3 or less, more preferably 850 to 1100 kg/m 3 , and particularly preferably 900 to 1000 kg/m 3 .
In this specification, the "density of an ethylene-vinyl acetate copolymer resin" means a value measured in accordance with JIS K7112:1999, unless otherwise specified.
エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂の融点は、50~95℃であることが好ましく、65~85℃であることがより好ましい。 The melting point of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin is preferably 50 to 95°C, and more preferably 65 to 85°C.
エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂の190℃でのメルトフローレイト(MFR)は、1~10g/10分であることが好ましく、3~8g/10分であることがより好ましい。
本明細書において、「エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂のメルトフローレイト」とは、特に断りのない限り、JIS K7210:1999に準拠して測定した値を意味する。
The melt flow rate (MFR) of the ethylene-vinyl acetate copolymer resin at 190° C. is preferably 1 to 10 g/10 min, more preferably 3 to 8 g/10 min.
In this specification, the "melt flow rate of an ethylene-vinyl acetate copolymer resin" means a value measured in accordance with JIS K7210:1999, unless otherwise specified.
密着層形成用組成物(VI)及び密着層のエチレン-酢酸ビニル共重合樹脂の含有量は、80~100質量%であることが好ましい。 The content of the adhesion layer-forming composition (VI) and the ethylene-vinyl acetate copolymer resin in the adhesion layer is preferably 80 to 100% by mass.
[他の成分]
密着層形成用組成物(VI)及び密着層は、本発明の効果を損なわない範囲内において、エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂以外の、他の成分を含有していてもよい。
前記他の成分としては、特に限定されず、目的に応じて適宜選択できる。
[Other ingredients]
The adhesion layer-forming composition (VI) and the adhesion layer may contain components other than the ethylene-vinyl acetate copolymer resin within the range that does not impair the effects of the present invention.
The other components are not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose.
密着層形成用組成物(VI)及び密着層が含有する前記他の成分は、1種のみであってもよいし、2種以上であってもよく、2種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
密着層形成用組成物(VI)及び密着層の前記他の成分の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
The other components contained in the adhesion layer-forming composition (VI) and the adhesion layer may be one type only or two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be selected arbitrarily.
The contents of the adhesion layer-forming composition (VI) and the other components of the adhesion layer are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.
本実施形態の好ましい複合シートの一例としては、基材と、前記基材上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられた樹脂フィルムと、を備え、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記試験片のひずみが1%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記試験片のひずみが300%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満であり、
前記樹脂フィルムが、重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)を含有する熱硬化性樹脂フィルムであり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)の含有量の割合が、5~25質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記熱硬化剤(B2)の含有量が、前記エポキシ樹脂(B1)の含有量100質量部に対して、0.1~500質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)の総含有量が、前記重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記充填材(D)の含有量の割合が、5~45質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記添加剤(I)の含有量の割合が、0.5~10質量%であり、
ただし、前記樹脂フィルムにおいて、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)の合計含有量の割合は、100質量%を超えない、複合シートが挙げられる。
An example of a preferred composite sheet of the present embodiment includes a substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece was measured. When the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 1% is defined as Gc1 and the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 300% is defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by is 19 or more and less than 10,000,
the resin film is a thermosetting resin film containing a polymer component (A), an epoxy resin (B1), a thermosetting agent (B2), a filler (D), and an additive (I),
the content of the polymer component (A) in the resin film is 5 to 25% by mass relative to the total mass of the resin film;
the content of the thermosetting agent (B2) in the resin film is 0.1 to 500 parts by mass per 100 parts by mass of the epoxy resin (B1);
a total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) in the resin film is 600 to 1000 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer component (A);
The content ratio of the filler (D) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 5 to 45 mass%,
The content ratio of the additive (I) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 0.5 to 10 mass%,
However, in the resin film, the ratio of the total content of the polymer component (A), the epoxy resin (B1), the thermosetting agent (B2), the filler (D), and the additive (I) to the total mass of the resin film does not exceed 100 mass%.
本実施形態の好ましい複合シートの他の例としては、基材と、前記基材上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられた樹脂フィルムと、を備え、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが1%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが300%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満であり、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記緩衝層の試験片にひずみを発生させて、前記緩衝層の試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記緩衝層の試験片のひずみが300%のときの、前記緩衝層の試験片の貯蔵弾性率をGb300としたとき、前記Gb300が前記Gc300以上である、複合シートが挙げられる。
Another example of a preferred composite sheet of the present embodiment includes a substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic modulus of the test piece of the resin film was measured. When the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 1% was defined as Gc1, and when the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 300% was defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by is 19 or more and less than 10,000,
A composite sheet in which strain is generated in a test piece of the buffer layer having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece of the buffer layer is measured, and when the storage modulus of the test piece of the buffer layer when the strain of the test piece of the buffer layer is 300% is defined as Gb300, Gb300 is equal to or greater than Gc300 is an example.
本実施形態の好ましい複合シートのさらに他の例としては、基材と、前記基材上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられた樹脂フィルムと、を備え、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが1%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが300%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満であり、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記緩衝層の試験片に、0.01%~1000%の範囲でひずみを発生させて、前記緩衝層の試験片の貯蔵弾性率Gbを測定し、前記樹脂フィルムの試験片に0.01%~1000%の範囲でひずみを発生させて、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率Gcを測定し、前記ひずみが同じである場合の前記Gbと前記Gcを比較したとき、前記ひずみが0.01%~1000%のすべての範囲で、前記Gbが前記Gc以上である、複合シートが挙げられる。
Yet another example of a preferable composite sheet of the present embodiment includes a substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic modulus of the test piece of the resin film was measured. When the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 1% was defined as Gc1, and when the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 300% was defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by is 19 or more and less than 10,000,
A composite sheet in which a strain in the range of 0.01% to 1000% is generated in a test piece of the buffer layer having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, the storage modulus Gb of the test piece of the buffer layer is measured, and a strain in the range of 0.01% to 1000% is generated in a test piece of the resin film, the storage modulus Gc of the test piece of the resin film is measured, and when Gb and Gc are compared for the same strain, Gb is equal to or greater than Gc over the entire range of 0.01% to 1000% strain.
本実施形態の好ましい複合シートのさらに他の例としては、基材と、前記基材上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられた樹脂フィルムと、を備え、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが1%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが300%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満であり、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記緩衝層の試験片にひずみを発生させて、前記緩衝層の試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記緩衝層の試験片のひずみが300%のときの、前記緩衝層の試験片の貯蔵弾性率をGb300としたとき、前記Gb300が前記Gc300以上であり、
前記樹脂フィルムが、重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)を含有する熱硬化性樹脂フィルムであり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)の含有量の割合が、5~25質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記熱硬化剤(B2)の含有量が、前記エポキシ樹脂(B1)の含有量100質量部に対して、0.1~500質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)の総含有量が、前記重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記充填材(D)の含有量の割合が、5~45質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記添加剤(I)の含有量の割合が、0.5~10質量%であり、
ただし、前記樹脂フィルムにおいて、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)の合計含有量の割合は、100質量%を超えない、複合シートが挙げられる。
Yet another example of a preferable composite sheet of the present embodiment includes a substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic modulus of the test piece of the resin film was measured. When the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 1% was defined as Gc1, and when the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 300% was defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by is 19 or more and less than 10,000,
a strain is generated in a test piece of the buffer layer having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece of the buffer layer is measured; when the storage modulus of the test piece of the buffer layer when the strain of the test piece of the buffer layer is 300% is defined as Gb300, Gb300 is equal to or greater than Gc300;
the resin film is a thermosetting resin film containing a polymer component (A), an epoxy resin (B1), a thermosetting agent (B2), a filler (D), and an additive (I),
the content of the polymer component (A) in the resin film is 5 to 25% by mass relative to the total mass of the resin film;
the content of the thermosetting agent (B2) in the resin film is 0.1 to 500 parts by mass per 100 parts by mass of the epoxy resin (B1);
a total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) in the resin film is 600 to 1000 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer component (A);
The content ratio of the filler (D) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 5 to 45 mass%,
The content ratio of the additive (I) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 0.5 to 10 mass%,
However, in the resin film, the ratio of the total content of the polymer component (A), the epoxy resin (B1), the thermosetting agent (B2), the filler (D), and the additive (I) to the total mass of the resin film does not exceed 100 mass%.
本実施形態の好ましい複合シートのさらに他の例としては、基材と、前記基材上に設けられた緩衝層と、前記緩衝層上に設けられた樹脂フィルムと、を備え、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが1%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記樹脂フィルムの試験片のひずみが300%のときの、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満であり、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記緩衝層の試験片に、0.01%~1000%の範囲でひずみを発生させて、前記緩衝層の試験片の貯蔵弾性率Gbを測定し、前記樹脂フィルムの試験片に0.01%~1000%の範囲でひずみを発生させて、前記樹脂フィルムの試験片の貯蔵弾性率Gcを測定し、前記ひずみが同じである場合の前記Gbと前記Gcを比較したとき、前記ひずみが0.01%~1000%のすべての範囲で、前記Gbが前記Gc以上であり、
前記樹脂フィルムが、重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)を含有する熱硬化性樹脂フィルムであり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)の含有量の割合が、5~25質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記熱硬化剤(B2)の含有量が、前記エポキシ樹脂(B1)の含有量100質量部に対して、0.1~500質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)の総含有量が、前記重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記充填材(D)の含有量の割合が、5~45質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記添加剤(I)の含有量の割合が、0.5~10質量%であり、
ただし、前記樹脂フィルムにおいて、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)の合計含有量の割合は、100質量%を超えない、複合シートが挙げられる。
Yet another example of a preferable composite sheet of the present embodiment includes a substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage elastic modulus of the test piece of the resin film was measured. When the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 1% was defined as Gc1, and when the storage elastic modulus of the test piece of the resin film when the strain of the test piece of the resin film was 300% was defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The X value calculated by is 19 or more and less than 10,000,
a test piece of the buffer layer having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm is strained in the range of 0.01% to 1000% under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus Gb of the test piece of the buffer layer is measured; a test piece of the resin film is strained in the range of 0.01% to 1000%, and the storage modulus Gc of the test piece of the resin film is measured; and when Gb and Gc are compared for the same strain, Gb is equal to or greater than Gc over the entire range of 0.01% to 1000%,
the resin film is a thermosetting resin film containing a polymer component (A), an epoxy resin (B1), a thermosetting agent (B2), a filler (D), and an additive (I),
the content of the polymer component (A) in the resin film is 5 to 25% by mass relative to the total mass of the resin film;
the content of the thermosetting agent (B2) in the resin film is 0.1 to 500 parts by mass per 100 parts by mass of the epoxy resin (B1);
a total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) in the resin film is 600 to 1000 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer component (A);
The content ratio of the filler (D) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 5 to 45 mass%,
The content ratio of the additive (I) in the resin film relative to the total mass of the resin film is 0.5 to 10 mass%,
However, in the resin film, the ratio of the total content of the polymer component (A), the epoxy resin (B1), the thermosetting agent (B2), the filler (D), and the additive (I) to the total mass of the resin film does not exceed 100 mass%.
◇複合シートの製造方法
前記複合シートは、上述の各層を対応する位置関係となるように順次積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
Manufacturing Method of Composite Sheet The composite sheet can be manufactured by laminating the above-mentioned layers in order so that they are in a corresponding positional relationship. The method of forming each layer is as described above.
例えば、基材、緩衝層及び樹脂フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成されている複合シートは、以下に示す方法で製造できる。
すなわち、基材に対して、緩衝層形成用組成物を押出成形することにより、基材上に緩衝層を積層する。また、剥離フィルムの剥離処理面上に、上述の樹脂フィルム形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、樹脂フィルムを積層する。そして、この剥離フィルム上の樹脂フィルムを、基材上の緩衝層と貼り合わせることで、基材、緩衝層、樹脂フィルム及び剥離フィルムがこの順に積層されて構成された複合シートを得る。樹脂フィルム上の剥離フィルムは、複合シートの使用時に取り除けばよい。
For example, a composite sheet constructed by laminating a substrate, a buffer layer, and a resin film in this order in the thickness direction can be produced by the method described below.
That is, a buffer layer is laminated on the substrate by extrusion molding a buffer layer-forming composition onto the substrate. The resin film-forming composition described above is then coated on the release-treated surface of a release film, and dried as necessary to laminate a resin film. The resin film on the release film is then bonded to the buffer layer on the substrate, yielding a composite sheet in which the substrate, buffer layer, resin film, and release film are laminated in this order. The release film on the resin film can be removed when the composite sheet is used.
上述の各層以外の他の層を備えた複合シートは、上述の製造方法において、前記他の層の積層位置が適切な位置となるように、前記他の層の形成工程及び積層工程のいずれか一方又は両方を適宜追加して行うことで、製造できる。 Composite sheets comprising layers other than those described above can be produced by appropriately adding either or both of the formation process and lamination process of the other layers to the above-mentioned manufacturing method so that the lamination position of the other layers is appropriate.
例えば、基材、密着層、緩衝層及び樹脂フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された複合シートは、以下に示す方法で製造できる。
すなわち、基材に対して、密着層形成用組成物及び緩衝層形成用組成物を共押出成形することにより、基材上に密着層及び緩衝層をこの順に積層する。そして、上記と同じ方法で、別途、剥離フィルム上に樹脂フィルムを積層する。次いで、この剥離フィルム上の樹脂フィルムを、基材及び密着層上の緩衝層と貼り合わせることで、基材、密着層、緩衝層、樹脂フィルム及び剥離フィルムがこの順に積層されて構成された複合シートを得る。樹脂フィルム上の剥離フィルムは、複合シートの使用時に取り除けばよい。
For example, a composite sheet constructed by laminating a substrate, an adhesive layer, a buffer layer, and a resin film in this order in the thickness direction can be produced by the method shown below.
That is, the adhesive layer-forming composition and the buffer layer-forming composition are co-extruded onto the substrate, thereby laminating the adhesive layer and buffer layer in this order on the substrate. Then, using the same method as above, a resin film is separately laminated on a release film. Next, the resin film on the release film is bonded to the substrate and the buffer layer on the adhesive layer, thereby obtaining a composite sheet in which the substrate, adhesive layer, buffer layer, resin film, and release film are laminated in this order. The release film on the resin film can be removed when the composite sheet is used.
◇半導体装置の製造方法(樹脂フィルム及び複合シートの使用方法)
先の説明のように、本実施形態の樹脂フィルムは、その貼付対象物の凹凸面に対して貼付したときに、凸部を貫通させてその上部を露出させつつ、凹凸面全体を被覆できる点で、極めて優れた特性を有する。すなわち、本実施形態の樹脂フィルムは、凹凸面を有する貼付対象物の前記凹凸面への貼付用として、好適である。
このような本実施形態の樹脂フィルムは、例えば、半導体チップと、前記半導体チップのバンプを有する面(バンプ形成面)に設けられた第1保護膜と、を備えた第1保護膜付き半導体チップの製造に用いるのに、特に好適である。この場合、前記凹凸面は半導体チップのバンプ形成面であり、凸部はバンプである。そして、第1保護膜付き半導体チップは、その中のバンプにおいて、基板にフリップチップ接続することにより、半導体装置の製造に用いるのに好適である。
本実施形態の樹脂フィルムは、上述の複合シートの形態で用いるのに好適である。
以下、前記複合シートを用いた場合の、半導体装置の製造方法について説明する。
◇ Manufacturing method of semiconductor device (method of using resin film and composite sheet)
As explained above, the resin film of this embodiment has an extremely excellent property in that, when attached to an uneven surface of an object, it can cover the entire uneven surface while penetrating the convex portions and exposing the upper portions of the convex portions. In other words, the resin film of this embodiment is suitable for attachment to the uneven surface of an object having an uneven surface.
The resin film of this embodiment is particularly suitable for use in manufacturing a semiconductor chip with a first protective film, which includes, for example, a semiconductor chip and a first protective film provided on the bump-bearing surface (bump-formed surface) of the semiconductor chip. In this case, the uneven surface is the bump-formed surface of the semiconductor chip, and the convex portions are the bumps. The semiconductor chip with the first protective film is suitable for use in manufacturing a semiconductor device by flip-chip bonding the bumps to a substrate.
The resin film of this embodiment is suitable for use in the form of the composite sheet described above.
A method for manufacturing a semiconductor device using the composite sheet will now be described.
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、上述の本発明の一実施形態に係る複合シート中の、硬化性である前記樹脂フィルムを、半導体ウエハのバンプを有する面(バンプ形成面)に貼付し、前記バンプの頭頂部を前記樹脂フィルムから突出させることにより、前記半導体ウエハに前記複合シートを設ける貼付工程と、前記貼付工程の後に、前記複合シートのうち、前記樹脂フィルム以外の層を、前記樹脂フィルムから取り除く除去工程と、前記除去工程の後に、前記樹脂フィルムを硬化させることにより、第1保護膜を形成する硬化工程と、前記硬化工程の後に、前記半導体ウエハを分割することにより、半導体チップを作製する分割工程と、前記硬化工程の後に、前記第1保護膜を切断する切断工程と、前記分割工程及び切断工程の後に得られた、前記半導体チップと、前記半導体チップのバンプを有する面(バンプ形成面)に設けられた第1保護膜と、を備え、前記バンプの頭頂部が前記第1保護膜から突出している第1保護膜付き半導体チップを、前記バンプの頭頂部において、基板にフリップチップ接続する実装工程と、を有する。A method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention includes: an attachment step in which the curable resin film in the composite sheet according to the embodiment of the present invention is attached to a bump-bearing surface of a semiconductor wafer (bump-forming surface) and the tops of the bumps are protruded from the resin film, thereby providing the composite sheet on the semiconductor wafer; a removal step in which, after the attachment step, layers of the composite sheet other than the resin film are removed from the resin film; a curing step in which, after the removal step, the resin film is cured to form a first protective film; a dividing step in which, after the curing step, the semiconductor wafer is divided to produce semiconductor chips; a cutting step in which, after the curing step, the first protective film is cut; and a mounting step in which the semiconductor chips obtained after the dividing and cutting steps and the first protective film provided on the bump-bearing surface of the semiconductor chip, the tops of the bumps of which protrude from the first protective film, are flip-chip connected to a substrate at the tops of the bumps.
図5A~図5Dは、図3に示す複合シート1を用いた場合の、半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
ここでは、硬化性樹脂フィルムを第1保護膜の形成用として用いるため、「複合シート1」を「第1保護膜形成用シート1」と称し、「基材11」を「第1基材11」と称する。
5A to 5D are cross-sectional views that schematically show an example of a method for manufacturing a semiconductor device when the composite sheet 1 shown in FIG. 3 is used.
Here, since the curable resin film is used for forming the first protective film, the "composite sheet 1" will be referred to as the "sheet 1 for forming the first protective film" and the "substrate 11" will be referred to as the "first substrate 11".
<貼付工程>
前記貼付工程においては、図5A~図5Bに示すように、第1保護膜形成用シート1中の硬化性樹脂フィルム12を、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに貼付し、バンプ91の頭頂部9101を硬化性樹脂フィルム12から突出させることにより、半導体ウエハ9に第1保護膜形成用シート1を設ける。
<Attachment process>
In the bonding process, as shown in Figures 5A to 5B, the curable resin film 12 in the first protective film forming sheet 1 is bonded to the bump forming surface 9a of the semiconductor wafer 9, and the tops 9101 of the bumps 91 are caused to protrude from the curable resin film 12, thereby providing the first protective film forming sheet 1 on the semiconductor wafer 9.
前記貼付工程においては、例えば、まず図5Aに示すように、第1保護膜形成用シート1を、その硬化性樹脂フィルム12が半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに対向するように配置する。 In the bonding process, for example, as shown in Figure 5A, the first protective film forming sheet 1 is first positioned so that its curable resin film 12 faces the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9.
バンプ91の高さは特に限定されないが、120~300μmであることが好ましく、150~270μmであることがより好ましく、180~240μmであることが特に好ましい。バンプ91の高さが前記下限値以上であることで、バンプ91の機能をより向上させることができる。バンプ91の高さが前記上限値以下であることで、バンプ91上部での硬化性樹脂フィルム12の残存を抑制する効果がより高くなる。
本明細書において、「バンプの高さ」とは、バンプのうち、バンプ形成面から最も高い位置に存在する部位での高さを意味する。
The height of the bumps 91 is not particularly limited, but is preferably 120 to 300 μm, more preferably 150 to 270 μm, and particularly preferably 180 to 240 μm. When the height of the bumps 91 is equal to or greater than the lower limit, the function of the bumps 91 can be further improved. When the height of the bumps 91 is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the curable resin film 12 on the bumps 91 can be further improved.
In this specification, the "height of a bump" means the height of the bump at the highest point from the bump formation surface.
バンプ91の幅は特に限定されないが、170~350μmであることが好ましく、200~320μmであることがより好ましく、230~290μmであることが特に好ましい。バンプ91の幅が前記下限値以上であることで、バンプ91の機能をより向上させることができる。バンプ91の幅が前記上限値以下であることで、バンプ91上部での硬化性樹脂フィルム12の残存を抑制する効果がより高くなる。
本明細書において、「バンプの幅」とは、バンプ形成面に対して垂直な方向からバンプを見下ろして平面視したときに、バンプ表面上の異なる2点間を直線で結んで得られる線分の長さの最大値を意味する。
The width of the bump 91 is not particularly limited, but is preferably 170 to 350 μm, more preferably 200 to 320 μm, and particularly preferably 230 to 290 μm. When the width of the bump 91 is equal to or greater than the lower limit, the function of the bump 91 can be further improved. When the width of the bump 91 is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the curable resin film 12 on the bump 91 can be further improved.
In this specification, the "width of a bump" means the maximum length of a line segment obtained by connecting two different points on the bump surface when the bump is viewed in a plan view looking down on the bump from a direction perpendicular to the bump-forming surface.
隣り合うバンプ91間の距離は、特に限定されないが、250~800μmであることが好ましく、300~600μmであることがより好ましく、350~500μmであることが特に好ましい。前記距離が前記下限値以上であることで、バンプ91の機能をより向上させることができる。前記距離が前記上限値以下であることで、バンプ91上部での硬化性樹脂フィルム12の残存を抑制する効果がより高くなる。
本明細書において、「隣り合うバンプ間の距離」とは、隣り合うバンプ同士の表面間の距離の最小値を意味する。
The distance between adjacent bumps 91 is not particularly limited, but is preferably 250 to 800 μm, more preferably 300 to 600 μm, and particularly preferably 350 to 500 μm. When the distance is equal to or greater than the lower limit, the function of the bumps 91 can be further improved. When the distance is equal to or less than the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the curable resin film 12 on the upper parts of the bumps 91 can be further improved.
In this specification, the "distance between adjacent bumps" means the minimum distance between the surfaces of adjacent bumps.
次いで、前記貼付工程においては、半導体ウエハ9上のバンプ91に硬化性樹脂フィルム12を接触させて、第1保護膜形成用シート1を半導体ウエハ9に押し付ける。これにより、硬化性樹脂フィルム12の第1面12aを、バンプ91の表面91a及び半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに、順次圧着させる。このとき、硬化性樹脂フィルム12を加熱することで、硬化性樹脂フィルム12は軟化し、バンプ91を覆うようにしてバンプ91間に広がり、バンプ形成面9aに密着するとともに、バンプ91の表面91a、特にバンプ形成面9aの近傍部位の表面91aを覆って、バンプ91の基部を埋め込む。
以上により、図5Bに示すように、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに、第1保護膜形成用シート1中の硬化性樹脂フィルム12を貼付する。
Next, in the bonding step, the curable resin film 12 is brought into contact with the bumps 91 on the semiconductor wafer 9, and the first protective film-forming sheet 1 is pressed against the semiconductor wafer 9. This causes the first surface 12a of the curable resin film 12 to be pressed against the surfaces 91a of the bumps 91 and the bump-forming surface 9a of the semiconductor wafer 9, successively. At this time, by heating the curable resin film 12, the curable resin film 12 softens and spreads between the bumps 91 so as to cover the bumps 91, adheres to the bump-forming surface 9a, and covers the surfaces 91a of the bumps 91, particularly the surfaces 91a in the vicinity of the bump-forming surface 9a, thereby embedding the bases of the bumps 91.
As a result of the above, the curable resin film 12 in the first protective film forming sheet 1 is attached to the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9, as shown in FIG. 5B.
上記のように、第1保護膜形成用シート1を半導体ウエハ9に圧着させる方法としては、各種シートを対象物に圧着させて貼付する公知の方法を適用でき、例えば、ラミネートローラーを用いる方法等が挙げられる。 As described above, the method of pressing the first protective film forming sheet 1 onto the semiconductor wafer 9 can be any known method of pressing various sheets onto an object to attach them, such as a method using a laminating roller.
半導体ウエハ9に圧着させるときの第1保護膜形成用シート1(硬化性樹脂フィルム12)の加熱温度は、硬化性樹脂フィルム12の硬化が全く又は過度に進行しない程度の温度であればよく、例えば、80~100℃であってもよい。
ただし、バンプ91の上部での硬化性樹脂フィルム12の残存を抑制する効果と、バンプ形成面9aでの硬化性樹脂フィルム12のはみ出しを抑制する効果と、バンプ形成面9a面上での硬化性樹脂フィルム12のハジキを抑制する効果と、がより高くなる点では、前記加熱温度は、85~95℃であることがより好ましい。
The heating temperature of the first protective film-forming sheet 1 (curable resin film 12) when it is pressed onto the semiconductor wafer 9 may be a temperature at which the curable resin film 12 is not cured at all or does not cure excessively, and may be, for example, 80 to 100°C.
However, the heating temperature is more preferably 85 to 95°C, since this more effectively suppresses the remaining of the curable resin film 12 on the top of the bump 91, the more effectively suppresses the protrusion of the curable resin film 12 on the bump-forming surface 9a, and the more effectively suppresses the repelling of the curable resin film 12 on the bump-forming surface 9a.
第1保護膜形成用シート1(硬化性樹脂フィルム12)を半導体ウエハ9に圧着させるときの圧力は、特に限定されず、例えば、0.1~1.5MPaであってもよい。
ただし、バンプ91の上部での硬化性樹脂フィルム12の残存を抑制する効果と、バンプ形成面9aでの硬化性樹脂フィルム12のはみ出しを抑制する効果と、バンプ形成面9a面上での硬化性樹脂フィルム12のハジキを抑制する効果と、がより高くなる点では、前記圧力は、0.3~1MPaであることがより好ましい。
The pressure when the first protective film forming sheet 1 (curable resin film 12) is pressed onto the semiconductor wafer 9 is not particularly limited, and may be, for example, 0.1 to 1.5 MPa.
However, it is more preferable that the pressure be 0.3 to 1 MPa, since this will improve the effects of suppressing the remaining of the curable resin film 12 on the top of the bump 91, suppressing the protrusion of the curable resin film 12 on the bump forming surface 9a, and suppressing the repelling of the curable resin film 12 on the bump forming surface 9a.
上記のように、第1保護膜形成用シート1を半導体ウエハ9に圧着させると、第1保護膜形成用シート1中の硬化性樹脂フィルム12及び緩衝層13は、バンプ91から圧力を加えられ、初期には、硬化性樹脂フィルム12の第1面12a及び緩衝層13の第1面13aが凹状に変形する。そして、このままバンプ91から圧力を加えられた硬化性樹脂フィルム12において、破れが生じる。最終的に、硬化性樹脂フィルム12の第1面12aが半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに圧着された段階では、バンプ91の頭頂部9101を含む上部910が、硬化性樹脂フィルム12を貫通して突出した状態となる。なお、この最終段階において、通常、バンプ91の上部910は、緩衝層13を貫通しない。これは、緩衝層13がバンプ91から加えられる圧力に対して、緩衝作用を有するためである。As described above, when the first protective film forming sheet 1 is pressure-bonded to the semiconductor wafer 9, the curable resin film 12 and buffer layer 13 in the first protective film forming sheet 1 are subjected to pressure from the bumps 91. Initially, the first surface 12a of the curable resin film 12 and the first surface 13a of the buffer layer 13 are deformed concavely. Then, as pressure from the bumps 91 continues to be applied, the curable resin film 12 tears. Finally, when the first surface 12a of the curable resin film 12 is pressure-bonded to the bump-forming surface 9a of the semiconductor wafer 9, the upper portion 910, including the apex 9101, of the bump 91 protrudes through the curable resin film 12. Note that, in this final stage, the upper portion 910 of the bump 91 typically does not penetrate the buffer layer 13. This is because the buffer layer 13 provides a buffering effect against the pressure applied by the bumps 91.
図5Bに示すように、前記貼付工程が終了した段階では、バンプ91の頭頂部9101を含む上部910に、硬化性樹脂フィルム12は全く又はほぼ残存せず、バンプ91の上部910においては、硬化性樹脂フィルム12の残存が抑制される。なお、本明細書において「バンプの上部に硬化性樹脂フィルムがほぼ残存しない」とは、特に断りのない限り、バンプの上部に硬化性樹脂フィルムが僅かに残存しているものの、その残存量が、このバンプを備えた半導体チップを基板にフリップチップ接続したときに、半導体チップと基板との電気的接続を妨げない程度の量であることを意味する。 As shown in Figure 5B, at the stage when the attachment process is completed, no or almost no curable resin film 12 remains on the upper portion 910 including the top portion 9101 of the bump 91, and the remaining curable resin film 12 is suppressed on the upper portion 910 of the bump 91. In this specification, unless otherwise specified, "almost no curable resin film remains on the upper portion of the bump" means that although a small amount of curable resin film remains on the upper portion of the bump, the remaining amount is such that it does not interfere with the electrical connection between the semiconductor chip and the substrate when the semiconductor chip having this bump is flip-chip connected to the substrate.
さらに、前記貼付工程が終了した段階では、硬化性樹脂フィルム12においては、当初の大きさからのはみ出しが抑制されるため、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aからの、硬化性樹脂フィルム12のはみ出しが抑制される。 Furthermore, once the bonding process is completed, the curable resin film 12 is prevented from protruding from its original size, thereby preventing the curable resin film 12 from protruding from the bump-forming surface 9a of the semiconductor wafer 9.
さらに、前記貼付工程が終了した段階では、バンプ形成面9a上において、硬化性樹脂フィルム12のハジキが抑制される。より具体的には、バンプ形成面9aに硬化性樹脂フィルム12が設けられた状態で、バンプ91のうち、その上部910以外の領域(例えば、バンプ形成面9a近傍の基部)、又は、バンプ形成面9aのバンプ91近傍の領域が、意図せずに硬化性樹脂フィルム12で覆われずに露出してしまう現象が抑制される。Furthermore, once the application process is complete, repelling of the curable resin film 12 onto the bump-forming surface 9a is suppressed. More specifically, with the curable resin film 12 provided on the bump-forming surface 9a, the phenomenon of regions of the bumps 91 other than their upper portions 910 (e.g., base portions near the bump-forming surface 9a) or regions of the bump-forming surface 9a near the bumps 91 being unintentionally exposed without being covered by the curable resin film 12 is suppressed.
このように、バンプ91の上部910において、硬化性樹脂フィルム12の残存が抑制され、バンプ形成面9aでの硬化性樹脂フィルム12のはみ出しが抑制され、バンプ形成面9aでの硬化性樹脂フィルム12のハジキが抑制される理由は、先の説明のように、硬化性樹脂フィルム12が前記X値の条件(19≦X値<10000)を満たしているためである。 In this way, the reason why the remaining curable resin film 12 is suppressed on the upper part 910 of the bump 91, the protrusion of the curable resin film 12 on the bump forming surface 9a is suppressed, and the repelling of the curable resin film 12 on the bump forming surface 9a is suppressed is because, as explained above, the curable resin film 12 satisfies the X value condition (19≦X value<10,000).
前記貼付工程の後は、さらに必要に応じて、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aとは反対側の面(裏面)9bを研削した後、この裏面9bに第2保護膜形成用シート(図示略)を貼付する。 After the above-mentioned attachment process, if necessary, the surface (back surface) 9b of the semiconductor wafer 9 opposite the bump formation surface 9a is ground, and then a second protective film formation sheet (not shown) is attached to this back surface 9b.
<除去工程>
前記貼付工程の後、前記除去工程においては、図5Cに示すように、第1保護膜形成用シート1のうち、硬化性樹脂フィルム12以外の層を、硬化性樹脂フィルム12から取り除く。ここで取り除く層は、より具体的には、第1基材11及び緩衝層13である。
除去工程を行うことによって、半導体ウエハ9と、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに設けられた硬化性樹脂フィルム12と、を備えた樹脂フィルム付き半導体ウエハが得られる。
<Removal process>
5C , in the removing step after the attaching step, the layers of the first protective film-forming sheet 1 other than the curable resin film 12 are removed from the curable resin film 12. More specifically, the layers to be removed here are the first substrate 11 and the buffer layer 13.
By carrying out the removing step, a semiconductor wafer with a resin film is obtained, which includes the semiconductor wafer 9 and the curable resin film 12 provided on the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9.
<硬化工程>
前記除去工程の後、前記硬化工程においては、硬化性樹脂フィルム12を硬化させることにより、第1保護膜を形成する。
前記硬化工程においては、硬化性樹脂フィルム12が熱硬化性である場合には、硬化性樹脂フィルム12を加熱によって硬化させ、硬化性樹脂フィルム12がエネルギー線硬化性である場合には、硬化性樹脂フィルム12をエネルギー線の照射によって硬化させる。このときの加熱条件及びエネルギー線の照射条件は、先に説明したとおりである。
<Curing process>
After the removing step, in the curing step, the curable resin film 12 is cured to form a first protective film.
In the curing step, if the curable resin film 12 is thermosetting, the curable resin film 12 is cured by heating, and if the curable resin film 12 is energy ray curable, the curable resin film 12 is cured by irradiating with energy rays. The heating conditions and energy ray irradiation conditions at this time are as described above.
<分割工程、切断工程>
前記硬化工程の後、前記分割工程においては、半導体ウエハ9を分割することにより、半導体チップ9’を作製し、前記切断工程においては、前記第1保護膜を切断する。
前記分割工程及び切断工程は、公知の方法で行うことができる。
<Dividing process, cutting process>
After the hardening step, in the dividing step, the semiconductor wafer 9 is divided to produce semiconductor chips 9', and in the cutting step, the first protective film is cut.
The dividing step and cutting step can be carried out by known methods.
前記分割工程及び切断工程を行う順序は、特に限定されないが、分割工程及び切断工程を同時に行うか、又は、分割工程及び切断工程の順に行うことが好ましい。分割工程及び切断工程をこの順に行う場合には、例えば、公知のダイシングによって、分割工程を行い、その後に連続して直ちに切断工程を行ってもよい。
前記切断工程においては、半導体ウエハ9の分割予定箇所又は分割された箇所(換言すると、半導体チップ9’の外周)に沿って、第1保護膜を切断する。
The order in which the dividing step and the cutting step are performed is not particularly limited, but it is preferable to perform the dividing step and the cutting step simultaneously, or to perform the dividing step and the cutting step in that order. When the dividing step and the cutting step are performed in this order, for example, the dividing step may be performed by a known dicing method, and then the cutting step may be performed immediately thereafter.
In the cutting step, the first protective film is cut along the planned or completed dividing points of the semiconductor wafer 9 (in other words, along the outer periphery of the semiconductor chip 9').
前記硬化工程、分割工程及び切断工程を行うことにより、図5Dに示すように、半導体チップ9’と、半導体チップ9’のバンプ形成面9a’に設けられた、切断後の第1保護膜(本明細書においては、単に「第1保護膜」と称することがある)120’と、を備えて構成された第1保護膜付き半導体チップ9120’が得られる。 By performing the curing process, dividing process, and cutting process, a semiconductor chip 9120' with a first protective film is obtained, as shown in Figure 5D, which is composed of a semiconductor chip 9' and a first protective film (sometimes simply referred to as the "first protective film" in this specification) 120' after cutting, which is provided on the bump-forming surface 9a' of the semiconductor chip 9'.
第1保護膜付き半導体チップ9120’においては、バンプ91の頭頂部9101が第1保護膜120’ から突出しており、バンプ91の頭頂部9101を含む上部910に、第1保護膜は全く又はほぼ付着しておらず、バンプ91の上部910での第1保護膜の付着が抑制されている。
さらに、第1保護膜付き半導体チップ9120’においては、半導体チップ9’のバンプ形成面9a’での第1保護膜120’のはみ出しが抑制されている。
さらに、半導体チップ9’のバンプ形成面9a’での第1保護膜120’のハジキが抑制される。より具体的には、バンプ形成面9a’に第1保護膜120’が設けられた状態で、バンプ91のうち、その上部910以外の領域(例えば、バンプ形成面9a’近傍の基部)、又は、バンプ形成面9a’のバンプ91近傍の領域が、意図せずに第1保護膜120’で覆われずに露出してしまう現象が抑制される。
In the semiconductor chip 9120' with the first protective film, the tops 9101 of the bumps 91 protrude from the first protective film 120', and the first protective film is not or hardly adheres to the upper parts 910 including the tops 9101 of the bumps 91, thereby suppressing adhesion of the first protective film to the upper parts 910 of the bumps 91.
Furthermore, in the semiconductor chip 9120' with the first protective film, the first protective film 120' is prevented from protruding from the bump formation surface 9a' of the semiconductor chip 9'.
Furthermore, repelling of the first protective film 120' is suppressed on the bump-forming surface 9 a' of the semiconductor chip 9'. More specifically, with the first protective film 120' provided on the bump-forming surface 9 a', a phenomenon in which regions of the bumps 91 other than their upper portions 910 (for example, base portions near the bump-forming surface 9 a') or regions of the bump-forming surface 9 a' near the bumps 91 are unintentionally exposed without being covered by the first protective film 120' is suppressed.
<実装工程>
前記分割工程及び切断工程の後、前記実装工程においては、第1保護膜付き半導体チップ9120’を、バンプ91の頭頂部9101において、基板にフリップチップ接続する(図示略)。このとき、第1保護膜付き半導体チップ9120’は、基板の回路形成面に接続する。
第1保護膜付き半導体チップ9120’中のバンプ91の上部910は、第1保護膜の付着が抑制されているため、本工程においては、半導体チップ9’と基板との電気的接続度が高い。
<Mounting process>
After the dividing and cutting steps, in the mounting step, the semiconductor chip 9120′ with the first protective film is flip-chip connected to the substrate at the tops 9101 of the bumps 91 (not shown). At this time, the semiconductor chip 9120′ with the first protective film is connected to the circuit formation surface of the substrate.
Since the adhesion of the first protective film to the upper portions 910 of the bumps 91 in the semiconductor chip 9120' with the first protective film is suppressed, the degree of electrical connection between the semiconductor chip 9' and the substrate is high in this step.
第2保護膜形成用シートを用いた場合には、第1保護膜付き半導体チップ9120’は、そのフリップチップ接続に先立ち、第2保護膜形成用シート中のダイシングシート(図示略)から引き離して、ピックアップする。
第1保護膜付き半導体チップ9120’は、公知の方法でピックアップできる。
第2保護膜形成用シートを用いた場合には、第1保護膜付き半導体チップ9120’中の半導体チップ9’は、その裏面9b’に、切断後の第2保護膜を備える(図示略)。
When the second protective film formation sheet is used, the semiconductor chip 9120' with the first protective film is picked up by separating it from the dicing sheet (not shown) in the second protective film formation sheet prior to flip-chip connection.
The semiconductor chip 9120' with the first protective film can be picked up by a known method.
When the second protective film forming sheet is used, the semiconductor chip 9' in the semiconductor chip 9120' with the first protective film has the second protective film after cutting on the rear surface 9b' (not shown).
第2保護膜形成用シート中の第2保護膜形成用フィルムが、硬化性である場合には、第2保護膜形成用フィルムは、その種類に応じて、適切なタイミングで硬化させることで第2保護膜とする。そして、第2保護膜は、その種類に応じて、適切なタイミングで切断する。 If the film for forming a second protective film in the sheet for forming a second protective film is curable, the film for forming a second protective film is cured at an appropriate time depending on its type to form the second protective film. The second protective film is then cut at an appropriate time depending on its type.
第2保護膜形成用フィルムは、硬化性樹脂フィルム12の場合と同じ方法で硬化させることができ、硬化性樹脂フィルム12と同時に硬化させてもよいし、硬化性樹脂フィルム12とは別々に硬化させてもよい。 The film for forming the second protective film can be cured in the same manner as the curable resin film 12, and may be cured simultaneously with the curable resin film 12 or separately from the curable resin film 12.
第2保護膜は、第1保護膜の場合と同じ方法で切断できる。
前記分割工程と、第2保護膜の切断と、を行う順序は、特に限定されないが、分割工程と、第2保護膜の切断と、を同時に行うか、又は、分割工程後に第2保護膜の切断を行うことが好ましい。分割工程と第2保護膜の切断をこの順に行う場合には、例えば、公知のダイシングによって、分割工程を行い、その後に連続して直ちに、第2保護膜の切断を行ってもよい。
第2保護膜は、半導体ウエハ9の分割予定箇所又は分割された箇所(換言すると、半導体チップ9’の外周)に沿って、切断する。
The second protective film can be cut in the same manner as the first protective film.
The order in which the dividing step and the cutting of the second protective film are performed is not particularly limited, but it is preferable to perform the dividing step and the cutting of the second protective film simultaneously, or to perform the cutting of the second protective film after the dividing step. When the dividing step and the cutting of the second protective film are performed in this order, for example, the dividing step may be performed by a known dicing method, and then the cutting of the second protective film may be performed immediately and continuously thereafter.
The second protective film is cut along the planned or completed dividing points of the semiconductor wafer 9 (in other words, along the outer periphery of the semiconductor chip 9').
以降は、このようにして得られた、半導体チップ9’を実装済みの回路基板を用い、公知の方法に従って、半導体パッケージを作製し、この半導体パッケージを用いることにより、目的とする半導体装置を製造できる(図示略)。 Then, using the circuit board thus obtained and already equipped with the semiconductor chip 9', a semiconductor package is produced according to a known method, and the desired semiconductor device can be manufactured using this semiconductor package (not shown).
ここでは、図3に示す複合シート(第1保護膜形成用シート)1を用いた場合について説明したが、図4に示す複合シート2等、他の実施形態の複合シートを用いた場合も、この複合シートは複合シート1を用いた場合と同様の効果を奏する。 Here, we have explained the use of the composite sheet (first protective film forming sheet) 1 shown in Figure 3, but even when using other embodiments of composite sheets, such as composite sheet 2 shown in Figure 4, this composite sheet will achieve the same effects as when composite sheet 1 is used.
図6A~図6Dは、図4に示す複合シート(第1保護膜形成用シート)2を用いた場合の、半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
第1保護膜形成用シート2の使用時にも、前記貼付工程においては、図6A~図6Bに示すように、第1保護膜形成用シート2中の、硬化性樹脂フィルム12を、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに貼付し、バンプ91の頭頂部9101を硬化性樹脂フィルム12から突出させることにより、半導体ウエハ9に第1保護膜形成用シート2を設ける。
6A to 6D are cross-sectional views schematically showing an example of a method for manufacturing a semiconductor device when the composite sheet (first protective film forming sheet) 2 shown in FIG. 4 is used.
Even when using the first protective film forming sheet 2, in the attachment process, as shown in Figures 6A to 6B, the curable resin film 12 in the first protective film forming sheet 2 is attached to the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9, and the top portions 9101 of the bumps 91 protrude from the curable resin film 12, thereby providing the first protective film forming sheet 2 on the semiconductor wafer 9.
前記貼付工程においては、例えば、まず図6Aに示すように、第1保護膜形成用シート2を、その硬化性樹脂フィルム12が半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに対向するように配置する。 In the bonding process, for example, as shown in Figure 6A, the first protective film forming sheet 2 is first positioned so that its curable resin film 12 faces the bump formation surface 9a of the semiconductor wafer 9.
次いで、前記貼付工程においては、半導体ウエハ9上のバンプ91に硬化性樹脂フィルム12を接触させて、第1保護膜形成用シート2を半導体ウエハ9に押し付ける。これにより、硬化性樹脂フィルム12の第1面12aを、バンプ91の表面91a及び半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに、順次圧着させる。以上により、図6Bに示すように、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに、第1保護膜形成用シート2中の硬化性樹脂フィルム12を貼付する。
このとき、第1保護膜形成用シート2は、第1保護膜形成用シート1を用いた場合と同様の方法で、半導体ウエハ9に圧着させることができる。
Next, in the bonding step, the curable resin film 12 is brought into contact with the bumps 91 on the semiconductor wafer 9, and the first protective film-forming sheet 2 is pressed against the semiconductor wafer 9. This causes the first surface 12a of the curable resin film 12 to be sequentially pressure-bonded to the surfaces 91a of the bumps 91 and the bump-forming surface 9a of the semiconductor wafer 9. As a result, the curable resin film 12 in the first protective film-forming sheet 2 is bonded to the bump-forming surface 9a of the semiconductor wafer 9, as shown in FIG. 6B .
At this time, the first protective film forming sheet 2 can be pressure-bonded to the semiconductor wafer 9 in the same manner as when the first protective film forming sheet 1 is used.
上記のように、第1保護膜形成用シート2を半導体ウエハ9に圧着させると、第1保護膜形成用シート2中の硬化性樹脂フィルム12及び緩衝層13は、バンプ91から圧力を加えられ、初期には、硬化性樹脂フィルム12の第1面12a及び緩衝層13の第1面13aが凹状に変形する。そして、このままバンプ91から圧力を加えられた硬化性樹脂フィルム12において、破れが生じる。最終的に、硬化性樹脂フィルム12の第1面12aが半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに圧着された段階では、バンプ91の頭頂部9101を含む上部910が、硬化性樹脂フィルム12を貫通して突出した状態となる。この最終段階において、通常、バンプ91の上部910は、緩衝層13を貫通しない。
また、第1保護膜形成用シート2を用いていることにより、上記のように、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aに硬化性樹脂フィルム12を貼り合わせる過程において、密着層14は、第1基材11及び緩衝層13の剥離を高度に抑制し、第1基材11、密着層14及び緩衝層13の積層構造がより安定して維持される。
As described above, when the first protective film-forming sheet 2 is pressure-bonded to the semiconductor wafer 9, the curable resin film 12 and the buffer layer 13 in the first protective film-forming sheet 2 are subjected to pressure from the bumps 91, and initially, the first surface 12a of the curable resin film 12 and the first surface 13a of the buffer layer 13 are deformed into a concave shape. Then, in this state, the curable resin film 12, to which pressure is applied from the bumps 91, breaks. Finally, at the stage where the first surface 12a of the curable resin film 12 is pressure-bonded to the bump-forming surface 9a of the semiconductor wafer 9, the upper portion 910 including the apex 9101 of the bump 91 protrudes through the curable resin film 12. In this final stage, the upper portion 910 of the bump 91 usually does not penetrate the buffer layer 13.
Furthermore, by using the first protective film forming sheet 2, as described above, in the process of bonding the curable resin film 12 to the bump forming surface 9a of the semiconductor wafer 9, the adhesion layer 14 highly suppresses peeling of the first substrate 11 and the buffer layer 13, and the laminated structure of the first substrate 11, adhesion layer 14 and buffer layer 13 is maintained more stably.
図6Bに示すように、前記貼付工程が終了した段階では、第1保護膜形成用シート1の場合と同様の作用により、バンプ91の頭頂部9101を含む上部910に、硬化性樹脂フィルム12は全く又はほぼ残存しない。
さらに、前記貼付工程が終了した段階では、第1保護膜形成用シート1の場合と同様の作用により、硬化性樹脂フィルム12においては、当初の大きさからのはみ出しが抑制されるため、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aからの、硬化性樹脂フィルム12のはみ出しが抑制される。
さらに、前記貼付工程が終了した段階では、第1保護膜形成用シート1の場合と同様の作用により、バンプ形成面9a上において、硬化性樹脂フィルム12のハジキが抑制される。
As shown in Figure 6B, at the stage when the bonding process is completed, due to the same effect as in the case of the first protective film forming sheet 1, no or almost no curable resin film 12 remains on the upper part 910 including the top part 9101 of the bump 91.
Furthermore, at the stage when the above-mentioned bonding process is completed, the same action as in the case of the first protective film forming sheet 1 prevents the curable resin film 12 from protruding from its original size, thereby preventing the curable resin film 12 from protruding from the bump forming surface 9a of the semiconductor wafer 9.
Furthermore, at the stage where the attaching step is completed, the same action as in the case of the first protective film forming sheet 1 prevents the curable resin film 12 from repelling on the bump forming surface 9a.
前記貼付工程の後は、さらに必要に応じて、半導体ウエハ9のバンプ形成面9aとは反対側の面(裏面)9bを研削した後、この裏面9bに第2保護膜形成用シート(図示略)を貼付する。 After the above-mentioned attachment process, if necessary, the surface (back surface) 9b of the semiconductor wafer 9 opposite the bump formation surface 9a is ground, and then a second protective film formation sheet (not shown) is attached to this back surface 9b.
第1保護膜形成用シート2の使用時にも、前記貼付工程の後、前記除去工程においては、図6Cに示すように、第1保護膜形成用シート2のうち、硬化性樹脂フィルム12以外の層を、硬化性樹脂フィルム12から取り除く。ここで取り除く層は、より具体的には、第1基材11、密着層14及び緩衝層13である。
除去工程を行うことによって、樹脂フィルム付き半導体ウエハが得られるが、これは、第1保護膜形成用シート1の使用時に得られるものと同じである。
6C , in the removing step after the attaching step, the layers of the first protective film-forming sheet 2 other than the curable resin film 12 are removed from the curable resin film 12. More specifically, the layers to be removed here are the first substrate 11, the adhesion layer 14, and the buffer layer 13.
By carrying out the removing step, a semiconductor wafer with a resin film is obtained, which is the same as that obtained when the first protective film forming sheet 1 is used.
以降は、第1保護膜形成用シート1の使用時と同じ方法で、半導体装置を製造できる。
すなわち、前記除去工程の後、第1保護膜形成用シート1の使用時と同じ方法で、前記硬化工程においては、硬化性樹脂フィルム12を硬化させることにより、第1保護膜を形成する。
前記硬化工程の後、第1保護膜形成用シート1の使用時と同じ方法で、前記分割工程においては、半導体ウエハ9を分割することにより、半導体チップ9’を作製し、前記切断工程においては、前記第1保護膜を切断する。
硬化工程及び分割工程を行うことにより、図6Dに示すように、第1保護膜付き半導体チップ9120’が得られる。ここで得られる第1保護膜付き半導体チップ9120’は、第1保護膜形成用シート1の使用時に得られるものと同じである。
さらに、第1保護膜形成用シート1の使用時と同じ方法で、前記実装工程を行い、これにより得られた、半導体チップ9’を実装済みの回路基板を用い、半導体パッケージを作製し、目的とする半導体装置を製造できる(図示略)。
Thereafter, a semiconductor device can be manufactured in the same manner as when the first protective film forming sheet 1 is used.
That is, after the removing step, the curable resin film 12 is cured in the curing step in the same manner as when the first protective film-forming sheet 1 is used, thereby forming the first protective film.
After the hardening process, in the dividing process, the semiconductor wafer 9 is divided to produce semiconductor chips 9' in the same manner as when using the first protective film forming sheet 1, and in the cutting process, the first protective film is cut.
By performing the curing step and the dividing step, a semiconductor chip 9120' with a first protective film is obtained, as shown in Fig. 6D. The semiconductor chip 9120' with a first protective film obtained here is the same as that obtained when the first protective film-forming sheet 1 is used.
Furthermore, the mounting process is carried out in the same manner as when using the first protective film forming sheet 1, and the resulting circuit board with the semiconductor chip 9' mounted thereon is used to create a semiconductor package, thereby manufacturing the desired semiconductor device (not shown).
本実施形態の半導体装置の製造方法においては、バンプの上部での、硬化性樹脂フィルム又は保護膜の残存の有無は、例えば、バンプについてSEMの撮像データを取得することにより、確認できる。
また、半導体ウエハのバンプ形成面での硬化性樹脂フィルムのはみ出しの有無と、バンプ形成面上での硬化性樹脂フィルムのハジキの有無は、いずれも、例えば、半導体ウエハのバンプ形成面上の該当部位について、SEMの撮像データを取得することにより、確認できる。
In the method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment, whether or not the curable resin film or protective film remains on the top of the bumps can be confirmed by, for example, obtaining SEM image data of the bumps.
In addition, whether or not the curable resin film is protruding from the bump-forming surface of the semiconductor wafer and whether or not the curable resin film is repelling from the bump-forming surface can both be confirmed, for example, by obtaining SEM image data of the relevant area on the bump-forming surface of the semiconductor wafer.
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail below with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to the examples shown below.
<樹脂フィルム形成用組成物の製造原料>
樹脂フィルム形成用組成物の製造に用いた原料を以下に示す。
[重合体成分(A)]
(A)-1:下記式(i)-1、(i)-2及び(i)-3で表される構成単位を有するポリビニルブチラール(積水化学工業社製「エスレックBL-10」、重量平均分子量25000、ガラス転移温度59℃)。
(A)-2:アクリル酸ブチル(55質量部)、アクリル酸メチル(10質量部)、メタクリル酸グリシジル(20質量部)及びアクリル酸-2-ヒドロキシエチル(15質量部)を共重合して得られたアクリル樹脂(重量平均分子量800000、ガラス転移温度-28℃)。
<Raw materials for producing resin film-forming composition>
The raw materials used in the production of the resin film-forming composition are shown below.
[Polymer component (A)]
(A)-1: Polyvinyl butyral having structural units represented by the following formulas (i)-1, (i)-2, and (i)-3 ("S-LEC BL-10" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd., weight average molecular weight 25,000, glass transition temperature 59°C).
(A)-2: Acrylic resin (weight average molecular weight: 800,000, glass transition temperature: −28° C.) obtained by copolymerizing butyl acrylate (55 parts by mass), methyl acrylate (10 parts by mass), glycidyl methacrylate (20 parts by mass), and 2-hydroxyethyl acrylate (15 parts by mass).
[エポキシ樹脂(B1)]
(B1)-1:液状変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂(DIC社製「エピクロンEXA-4850-150」、分子量900、エポキシ当量450g/eq)
(B1)-2:液状ビスフェノールF型エポキシ樹脂(三菱化学社製「YL983U」、エポキシ当量165~175g/eq)
(B1)-3:多官能芳香族型エポキシ樹脂(日本化薬社製「EPPN-502H」)、エポキシ当量158~178g/eq)
(B1)-4:ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(DIC社製「エピクロンHP-7200HH」、エポキシ当量254~264g/eq)
[熱硬化剤(B2)]
(B2)-1:O-クレゾール型ノボラック樹脂(DIC社製「フェノライトKA-1160」)
(B2)-2:ノボラック型フェノール樹脂(昭和電工社製「BRG-556」)
[充填材(D)]
(D)-1:エポキシ基で修飾された球状シリカ(アドマテックス社製「アドマナノ YA050C-MKK」、平均粒子径50nm)
[添加剤(I)]
(I)-1:レオロジーコントロール剤(ポリヒドロキシカルボン酸エステル、BYK社製「BYK-R606」)
(I)-2:界面活性剤(アクリル重合体、BYK社製「BYK-361N」)
(I)-3:シリコーンオイル(アラルキル変性シリコーンオイル、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製「XF42-334」)
[硬化促進剤(C)]
(C)-1:2-フェニル-4,5-ジヒドロキシメチルイミダゾール(四国化成工業社製「キュアゾール2PHZ-PW」)
[Epoxy resin (B1)]
(B1)-1: Liquid modified bisphenol A epoxy resin (manufactured by DIC Corporation, "Epiclon EXA-4850-150", molecular weight 900, epoxy equivalent 450 g/eq)
(B1)-2: Liquid bisphenol F epoxy resin ("YL983U" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent: 165 to 175 g/eq)
(B1)-3: Polyfunctional aromatic epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H"), epoxy equivalent 158 to 178 g/eq)
(B1)-4: Dicyclopentadiene-type epoxy resin (DIC Corporation, "Epicron HP-7200HH", epoxy equivalent: 254 to 264 g/eq)
[Thermal curing agent (B2)]
(B2)-1: O-cresol novolak resin (DIC Corporation, "Phenolite KA-1160")
(B2)-2: Novolac phenolic resin ("BRG-556" manufactured by Showa Denko K.K.)
[Filler (D)]
(D)-1: Spherical silica modified with epoxy groups ("Admanano YA050C-MKK" manufactured by Admatechs Co., Ltd., average particle size 50 nm)
[Additive (I)]
(I)-1: Rheology control agent (polyhydroxycarboxylic acid ester, "BYK-R606" manufactured by BYK Corporation)
(I)-2: Surfactant (acrylic polymer, "BYK-361N" manufactured by BYK Corporation)
(I)-3: Silicone oil (aralkyl-modified silicone oil, "XF42-334" manufactured by Momentive Performance Materials Japan, Inc.)
[Curing accelerator (C)]
(C)-1: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole ("Curezol 2PHZ-PW" manufactured by Shikoku Chemicals Corporation)
[実施例1]
<<第1保護膜形成用シートの製造>>
<熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物の製造>
重合体成分(A)-1(100質量部)、エポキシ樹脂(B1)-1(350質量部)、エポキシ樹脂(B1)-4(270質量部)、(B2)-1(190質量部)、硬化促進剤(C)-1(2質量部)、充填材(D)-1(90質量部)及び添加剤(I)-1(9質量部)を、メチルエチルケトンに溶解又は分散させて、23℃で撹拌することで、熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物として、溶媒以外のすべての成分の合計濃度が45質量%である組成物(III)を得た。なお、ここに示す溶媒以外の成分の配合量はすべて、溶媒を含まない目的物の配合量である。
[Example 1]
<<Production of Sheet for Forming First Protective Film>>
<Production of Thermosetting Resin Film-Forming Composition>
Polymer component (A)-1 (100 parts by mass), epoxy resin (B1)-1 (350 parts by mass), epoxy resin (B1)-4 (270 parts by mass), (B2)-1 (190 parts by mass), curing accelerator (C)-1 (2 parts by mass), filler (D)-1 (90 parts by mass), and additive (I)-1 (9 parts by mass) were dissolved or dispersed in methyl ethyl ketone and stirred at 23°C to obtain composition (III) as a thermosetting resin film-forming composition, in which the total concentration of all components other than the solvent was 45% by mass. Note that the blending amounts of all components other than the solvent shown here are the blending amounts of the target product excluding the solvent.
<第1保護膜形成用シートの製造>
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた組成物(III)を塗工し、120℃で2分加熱乾燥させることにより、厚さ30μmの熱硬化性樹脂フィルムを形成した。
<Production of Sheet for Forming First Protective Film>
A release film ("SP-PET381031" manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) made of polyethylene terephthalate, one side of which had been subjected to a silicone treatment for release, was used, and the composition (III) obtained above was applied to the release-treated surface, followed by heating and drying at 120°C for 2 minutes, thereby forming a thermosetting resin film having a thickness of 30 μm.
第1基材と、密着層と、緩衝層と、の積層物に相当する積層シート(リンテック社製「E-9485」、厚さ485μm)を用い、この積層シート中の緩衝層と、上記で得られた剥離フィルム上の熱硬化性樹脂フィルムと、を貼り合わせた。これにより、第1基材と、密着層と、緩衝層と、熱硬化性樹脂フィルムと、剥離フィルムと、がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、図4に示す構成の第1保護膜形成用シートを得た。 A laminate sheet ("E-9485" manufactured by Lintec Corporation, thickness 485 μm) corresponding to a laminate of a first substrate, an adhesive layer, and a buffer layer was used, and the buffer layer in this laminate sheet was bonded to the thermosetting resin film on the release film obtained above. This resulted in a first protective film-forming sheet having the configuration shown in Figure 4, in which the first substrate, adhesive layer, buffer layer, thermosetting resin film, and release film were laminated in this order in the thickness direction.
<<第1保護膜形成用シートの評価>>
<熱硬化性樹脂フィルムのGc1及びGc300の測定、並びにX値の算出>
組成物(III)の塗工量を変更した点以外は、上記と同様の方法で、厚さ50μmの熱硬化性樹脂フィルムを20枚作製した。次いで、これら熱硬化性樹脂フィルムを積層し、得られた積層フィルムを直径25mmの円板状に裁断することにより、厚さ1mmの熱硬化性樹脂フィルムの試験片を作製した。
粘弾性測定装置(アントンパール社製「MCR301」)における、試験片の設置箇所を、あらかじめ90℃で保温しておき、この設置箇所へ、上記で得られた熱硬化性樹脂フィルムの試験片を載置し、この試験片の上面に測定治具を押し当てることで、試験片を前記設置箇所に固定した。
次いで、温度90℃、測定周波数1Hzの条件で、試験片に発生させるひずみを0.01%~1000%の範囲で段階的に上昇させ、試験片の貯蔵弾性率Gcを測定した。そして、Gc1及びGc300の測定値から、X値を算出した。結果を表1に示す。
<<Evaluation of the sheet for forming the first protective film>>
<Measurement of Gc1 and Gc300 of Thermosetting Resin Film and Calculation of X Value>
Twenty 50 μm-thick thermosetting resin films were prepared in the same manner as above, except that the coating amount of composition (III) was changed. These thermosetting resin films were then laminated, and the resulting laminated film was cut into a disk shape with a diameter of 25 mm to prepare a 1 mm-thick thermosetting resin film test piece.
The location where the test piece was to be placed in the viscoelasticity measuring device ("MCR301" manufactured by Anton Paar) was kept warm at 90°C in advance, and the test piece of the thermosetting resin film obtained above was placed on this location, and the test piece was fixed to the location by pressing a measuring jig against the upper surface of the test piece.
Next, the strain generated in the test piece was increased stepwise from 0.01% to 1000% at a temperature of 90°C and a measurement frequency of 1 Hz, and the storage modulus Gc of the test piece was measured. The X value was calculated from the measured values of Gc1 and Gc300. The results are shown in Table 1.
<熱硬化性樹脂フィルムのはみ出し量の測定>
ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルム(リンテック社製「SP-PET381031」、厚さ38μm)を用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた組成物(III)を塗工し、120℃で2分加熱乾燥させることにより、厚さ30μmの熱硬化性樹脂フィルムを形成した。
次いで、この熱硬化性樹脂フィルムを、前記剥離フィルムとともに、直径170mmの円形状に加工することにより、剥離フィルム付きの試験片を作製した。
得られた試験片の露出面(換言すると、剥離フィルムを備えている側とは反対側の面)全面を、透明な帯状のバックグラインドテープ(リンテック社製「E-8180」)の表面と貼り合わせることにより、図7に示す積層物を得た。図7は、得られた積層物を、その中のバックグラインドテープ側の上方から見下ろしたときの状態を、模式的に示す平面図である。
ここに示すように、得られた積層物101は、バックグラインドテープ7と、試験片120(熱硬化性樹脂フィルム12)と、剥離フィルムと、がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて、構成されている。
<Measurement of protrusion amount of thermosetting resin film>
A release film ("SP-PET381031" manufactured by Lintec Corporation, thickness 38 μm) made of polyethylene terephthalate, one side of which had been subjected to a silicone treatment for release, was used, and the composition (III) obtained above was applied to the release-treated surface, followed by heating and drying at 120°C for 2 minutes, thereby forming a thermosetting resin film having a thickness of 30 μm.
Next, this thermosetting resin film was processed together with the release film into a circular shape having a diameter of 170 mm to prepare a test piece with a release film.
The entire exposed surface of the obtained test piece (in other words, the surface opposite to the side provided with the release film) was bonded to the surface of a transparent strip-shaped backgrind tape ("E-8180" manufactured by Lintec Corporation) to obtain the laminate shown in Figure 7. Figure 7 is a plan view schematically showing the state of the obtained laminate as viewed from above the backgrind tape side.
As shown here, the obtained laminate 101 is composed of a backgrind tape 7, a test piece 120 (thermosetting resin film 12), and a release film, laminated in this order in the thickness direction.
次いで、得られた積層物から前記剥離フィルムを取り除き、新たに生じた前記試験片の露出面(換言すると、前記試験片の、前記バックグラインドテープを備えている側とは反対側の面)を、直径12インチのシリコンウエハの一方の表面に圧着させることで、シリコンウエハの表面に前記試験片を貼付した。このとき、試験片の貼付は、貼付装置(ローラー式ラミネータ、リンテック社製「RAD-3510 F/12」)を用いて、テーブル温度90℃、貼付速度2mm/sec、貼付圧力0.5MPa、ローラー貼付高さ-200μmの条件で、熱硬化性樹脂フィルムを加熱しながら行った。
次いで、シリコンウエハに貼付されている、バックグラインドテープ付きの前記試験片について、その外周上の異なる二点間を結ぶ線分の長さの最大値を測定し、その測定値(前記線分の長さの最大値)を用いて、図2を参照して説明した方法により、前記試験片(換言すると熱硬化性樹脂フィルム)のはみ出し量(mm)を算出した。
Next, the release film was removed from the obtained laminate, and the newly exposed surface of the test piece (in other words, the surface of the test piece opposite to the side provided with the backgrind tape) was pressed against one surface of a 12-inch diameter silicon wafer, thereby attaching the test piece to the surface of the silicon wafer. At this time, the test piece was attached to the surface of the silicon wafer using a laminating device (a roller-type laminator, "RAD-3510 F/12" manufactured by Lintec Corporation) under conditions of a table temperature of 90°C, an attachment speed of 2 mm/sec, an attachment pressure of 0.5 MPa, and a roller attachment height of -200 μm, while heating the thermosetting resin film.
Next, for the test piece with back-grinding tape attached to the silicon wafer, the maximum length of a line segment connecting two different points on the outer periphery was measured, and the measured value (maximum length of the line segment) was used to calculate the protrusion amount (mm) of the test piece (in other words, the thermosetting resin film) by the method described with reference to Figure 2.
<バンプの上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存有無の確認>
上記で得られた第1保護膜形成用シートにおいて、剥離フィルムを取り除き、これにより露出した熱硬化性樹脂フィルムの表面(露出面)を、バンプを有する、直径8インチの半導体ウエハのバンプ形成面に圧着させることで、剥離フィルムを取り除いた第1保護膜形成用シートを半導体ウエハのバンプ形成面に貼付した。このとき、半導体ウエハとしては、バンプの高さが210μmであり、バンプの幅が250μmであり、バンプ間の距離が400μmであるものを用いた。また、第1保護膜形成用シートの貼付は、貼付装置(ローラー式ラミネータ、リンテック社製「RAD-3510 F/12」)を用いて、テーブル温度90℃、貼付速度2mm/sec、貼付圧力0.5MPa、ローラー貼付高さ-200μmの条件で、第1保護膜形成用シートを加熱しながら行った。
次いで、マルチウェハマウンター(リンテック社製「RAD-2700 F/12」)を用いて、熱硬化性樹脂フィルムから第1基材、密着層及び緩衝層を取り除き、熱硬化性樹脂フィルムを露出させた。
次いで、走査型電子顕微鏡(SEM、キーエンス社製「VE-9700」)を用いて、半導体ウエハのバンプ形成面に対して垂直な方向と60°の角度を為す方向から、半導体ウエハのバンプの表面を観察し、バンプの上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存の有無を確認した。結果を表1に示す。
<Checking whether or not the thermosetting resin film remains on top of the bump>
The release film was removed from the first protective film-forming sheet obtained above, and the surface (exposed surface) of the thermosetting resin film thus exposed was pressed against the bump-forming surface of an 8-inch diameter semiconductor wafer. This resulted in the first protective film-forming sheet from which the release film had been removed being attached to the bump-forming surface of the semiconductor wafer. The semiconductor wafer used had bumps with a height of 210 μm, a width of 250 μm, and a distance between the bumps of 400 μm. The first protective film-forming sheet was attached while being heated using an attachment device (a roller-type laminator, manufactured by Lintec Corporation, model RAD-3510 F/12) under conditions of a table temperature of 90°C, an attachment speed of 2 mm/sec, an attachment pressure of 0.5 MPa, and a roller attachment height of -200 μm.
Next, the first substrate, the adhesive layer, and the buffer layer were removed from the thermosetting resin film using a multi-wafer mounter ("RAD-2700 F/12" manufactured by Lintec Corporation) to expose the thermosetting resin film.
Next, the surfaces of the bumps on the semiconductor wafer were observed using a scanning electron microscope (SEM, Keyence Corporation "VE-9700") from a direction perpendicular to the bump-forming surface of the semiconductor wafer at an angle of 60° to check whether any thermosetting resin film remained on the top of the bumps. The results are shown in Table 1.
<バンプ形成面での熱硬化性樹脂フィルムの熱硬化物のハジキ有無の確認>
上述の「バンプの上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存有無の確認」の場合と同じ方法で、同じ半導体ウエハを用い、そのバンプ形成面に第1保護膜形成用シートを貼付し、熱硬化性樹脂フィルムから第1基材、密着層及び緩衝層を取り除いた。
次いで、半導体ウエハに貼付されている熱硬化性樹脂フィルムを、加圧オーブン(リンテック社製「RAD-9100」)を用いて、温度130℃、時間2h、炉内圧力0.5MPaの加熱条件で加熱処理することにより、熱硬化性樹脂フィルムを熱硬化させた。
次いで、走査型電子顕微鏡(SEM、キーエンス社製「VE-9700」)を用いて、熱硬化性樹脂フィルムの硬化物(換言すると第1保護膜)と半導体ウエハとの積層物全体を、前記硬化物側から観察した。そして、バンプの基部、又は、半導体ウエハのバンプ形成面を直接確認できる領域が存在する場合には「ハジキあり」と判定し、バンプの基部、又は、半導体ウエハのバンプ形成面を直接確認できる領域が存在しない場合には「ハジキなし」と判定した。
<Checking for repelling of the thermosetting resin film on the bump formation surface>
Using the same method as in the above-mentioned "Confirming whether or not the thermosetting resin film remains on top of the bumps," the same semiconductor wafer was used, a first protective film forming sheet was attached to the bump-forming surface, and the first substrate, adhesion layer, and buffer layer were removed from the thermosetting resin film.
Next, the thermosetting resin film attached to the semiconductor wafer was heat-treated using a pressure oven ("RAD-9100" manufactured by Lintec Corporation) under heating conditions of a temperature of 130°C, a time of 2 hours, and an internal furnace pressure of 0.5 MPa, thereby thermally curing the thermosetting resin film.
Next, using a scanning electron microscope (SEM, Keyence Corporation "VE-9700"), the entire laminate of the cured product of the thermosetting resin film (in other words, the first protective film) and the semiconductor wafer was observed from the cured product side. If there was an area where the base of the bump or the bump-formed surface of the semiconductor wafer could be directly observed, it was judged as "cissing present," and if there was no area where the base of the bump or the bump-formed surface of the semiconductor wafer could be directly observed, it was judged as "cissing absent."
[実施例2、比較例1~3]
<<第1保護膜形成用シートの製造及び評価>>
熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物の含有成分の種類及び含有量が、表1に示すとおりとなるように、熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物の製造時における、配合成分の種類及び配合量のいずれか一方又は両方を変更した点以外は、実施例1の場合と同じ方法で、第1保護膜形成用シートを製造し、評価した。結果を表1に示す。
なお、表1中の含有成分の欄の「-」との記載は、熱硬化性樹脂フィルム形成用組成物がその成分を含有していないことを意味する。
[Example 2, Comparative Examples 1 to 3]
<<Production and Evaluation of Sheet for Forming First Protective Film>>
A first protective film-forming sheet was produced and evaluated in the same manner as in Example 1, except that either or both of the types and amounts of the components blended during the production of the thermosetting resin film-forming composition were changed so that the types and contents of the components contained in the thermosetting resin film-forming composition were as shown in Table 1. The results are shown in Table 1.
In Table 1, the notation "-" in the column for contained components means that the thermosetting resin film-forming composition does not contain that component.
上記結果から明らかなように、実施例1~2においては、熱硬化性樹脂フィルムのはみ出し量が0mmであり(熱硬化性樹脂フィルムのはみ出しが認められず)、また、バンプの上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存が認められなかった。
さらに、実施例1~2においては、バンプ形成面での熱硬化性樹脂フィルムの熱硬化物のハジキが認められず、熱硬化性樹脂フィルムの基本的特性が良好であった。また、このとき同時に、バンプの上部を観察した結果、熱硬化性樹脂フィルムの熱硬化物は、当然に認められなかった。
実施例1~2においては、X値が29~65であった。
As is clear from the above results, in Examples 1 and 2, the amount of protrusion of the thermosetting resin film was 0 mm (no protrusion of the thermosetting resin film was observed), and no remaining thermosetting resin film was observed on the top of the bumps.
Furthermore, in Examples 1 and 2, no repellency of the thermosetting resin film was observed on the bump-forming surface, demonstrating that the basic properties of the thermosetting resin film were good. At the same time, when the top of the bump was observed, no thermosetting resin film was observed.
In Examples 1 and 2, the X value was 29 to 65.
これに対して、比較例1においては、熱硬化性樹脂フィルムのはみ出しが抑制されていなかった。
比較例1においては、X値が18であり、実施例1~2の場合よりも明らかに小さかった。これは、比較例1においては、Gc1が低過ぎたからであった。
In contrast to this, in Comparative Example 1, the extrusion of the thermosetting resin film was not suppressed.
In Comparative Example 1, the X value was 18, which was clearly smaller than those in Examples 1 and 2. This was because Gc1 in Comparative Example 1 was too low.
比較例2においては、バンプ形成面での熱硬化性樹脂フィルムの熱硬化物のハジキが認められ、熱硬化性樹脂フィルムの基本的特性が劣っていた。
比較例2においては、X値が10000以上であり、実施例1~2の場合よりも明らかに大きかった。これは、比較例2においては、Gc300が低過ぎたからであった。比較例2においては、Gc300が検出限界値以下であるために特定不能であり、X値は、10000以上であることを特定できるのにとどまった。
In Comparative Example 2, cissing of the thermosetting material of the thermosetting resin film was observed on the bump formation surface, and the basic properties of the thermosetting resin film were poor.
In Comparative Example 2, the X value was 10,000 or more, which was clearly larger than those in Examples 1 and 2. This was because Gc300 was too low in Comparative Example 2. In Comparative Example 2, Gc300 was below the detection limit and could not be identified, and the X value could only be identified as being 10,000 or more.
比較例3においては、バンプの上部での熱硬化性樹脂フィルムの残存が認められた。熱硬化性樹脂フィルムの熱硬化物のハジキの有無の確認時に、同時に、バンプの上部を観察した結果、熱硬化性樹脂フィルムの熱硬化物も認められた。
比較例3においては、X値が18であり、実施例1~2の場合よりも明らかに小さかった。これは、比較例3においては、Gc300が高過ぎたからであった。
In Comparative Example 3, residual thermosetting resin film was found on the top of the bump. When checking for the presence or absence of cissing of the thermoset product of the thermosetting resin film, the top of the bump was also observed, and as a result, the thermoset product of the thermosetting resin film was also found.
In Comparative Example 3, the X value was 18, which was clearly smaller than those in Examples 1 and 2. This was because Gc300 in Comparative Example 3 was too high.
なお、実施例1~2においては、前記積層シート中の緩衝層について、上述の熱硬化性樹脂フィルムの試験片と同様の試験片(直径25mm、厚さ1mmの円板状)を作製し、熱硬化性樹脂フィルムの試験片の場合と同様に、この緩衝層の試験片に発生させるひずみを0.01%~1000%の範囲で段階的に上昇させ、緩衝層の試験片の貯蔵弾性率Gbを測定した。
その結果、ひずみが同じである場合のGbとGcを比較したとき、ひずみが0.01%~1000%のすべての範囲で、GbはGc以上(Gb≧Gc)であった。
In Examples 1 and 2, for the buffer layer in the laminate sheet, test pieces (disk-shaped, 25 mm in diameter and 1 mm in thickness) similar to the test pieces of the thermosetting resin film described above were prepared, and the strain generated in the test pieces of the buffer layer was increased stepwise in the range of 0.01% to 1000%, as in the case of the test pieces of the thermosetting resin film, and the storage modulus Gb of the test pieces of the buffer layer was measured.
As a result, when Gb and Gc were compared for the same strain, Gb was equal to or greater than Gc (Gb≧Gc) in the entire strain range of 0.01% to 1000%.
本発明は、フリップチップ接続方法で使用される、接続パッド部にバンプを有する半導体チップ等の製造に利用可能である。 The present invention can be used in the manufacture of semiconductor chips and the like having bumps on their connection pads, which are used in flip-chip connection methods.
1,2・・・複合シート(第1保護膜形成用シート)、11・・・基材(第1基材)、12・・・樹脂フィルム(硬化性樹脂フィルム)、12a・・・樹脂フィルム(硬化性樹脂フィルム)の第1面、120’・・・第1保護膜(切断後の第1保護膜)、13・・・緩衝層、13a・・・緩衝層の第1面、14・・・密着層、9・・・半導体ウエハ、9a・・・半導体ウエハのバンプ形成面、9’・・・半導体チップ、9a’・・・半導体チップのバンプ形成面、91・・・バンプ、91a・・・バンプの表面、910・・・バンプの上部、9101・・・バンプの頭頂部1, 2... composite sheet (sheet for forming first protective film), 11... substrate (first substrate), 12... resin film (curable resin film), 12a... first surface of resin film (curable resin film), 120'... first protective film (first protective film after cutting), 13... buffer layer, 13a... first surface of buffer layer, 14... adhesion layer, 9... semiconductor wafer, 9a... bump-forming surface of semiconductor wafer, 9'... semiconductor chip, 9a'... bump-forming surface of semiconductor chip, 91... bump, 91a... surface of bump, 910... upper part of bump, 9101... top of bump
Claims (4)
前記樹脂フィルムが、重合体成分(A)、エポキシ樹脂(B1)、熱硬化剤(B2)、充填材(D)及び添加剤(I)を含有し、
前記重合体成分(A)がポリビニルアセタールであり、
前記添加剤(I)が、レオロジーコントロール剤、界面活性剤又はシリコーンオイルであり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記重合体成分(A)の含有量の割合が、5~25質量%であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記エポキシ樹脂(B1)及び熱硬化剤(B2)の総含有量が、前記重合体成分(A)の含有量100質量部に対して、600~1000質量部であり、
前記樹脂フィルムにおける、前記樹脂フィルムの総質量に対する、前記添加剤(I)の含有量の割合が、0.5~10質量%あり、
温度90℃、周波数1Hzの条件で、直径25mm、厚さ1mmの前記樹脂フィルムの試験片にひずみを発生させて、前記試験片の貯蔵弾性率を測定し、前記試験片のひずみが1%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc1とし、前記試験片のひずみが300%のときの、前記試験片の貯蔵弾性率をGc300としたとき、下記式:
X=Gc1/Gc300
により算出されるX値が、19以上10000未満である、樹脂フィルム。 A thermosetting resin film,
the resin film contains a polymer component (A), an epoxy resin (B1), a thermosetting agent (B2), a filler (D), and an additive (I),
the polymer component (A) is polyvinyl acetal,
the additive (I) is a rheology control agent, a surfactant, or a silicone oil;
the content of the polymer component (A) in the resin film is 5 to 25% by mass relative to the total mass of the resin film;
a total content of the epoxy resin (B1) and the thermosetting agent (B2) in the resin film is 600 to 1000 parts by mass per 100 parts by mass of the polymer component (A);
The content of the additive (I) in the resin film is 0.5 to 10% by mass relative to the total mass of the resin film,
A strain was generated in a test piece of the resin film having a diameter of 25 mm and a thickness of 1 mm under conditions of a temperature of 90°C and a frequency of 1 Hz, and the storage modulus of the test piece was measured. When the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 1% is defined as Gc1, and the storage modulus of the test piece when the strain of the test piece is 300% is defined as Gc300, the following formula was obtained:
X=Gc1/Gc300
The resin film has an X value calculated by the above formula: 19 or more and less than 10,000.
前記樹脂フィルムが、請求項1又は2に記載の樹脂フィルムである、複合シート。 A substrate, a buffer layer provided on the substrate, and a resin film provided on the buffer layer,
A composite sheet, wherein the resin film is the resin film according to claim 1 or 2.
前記貼付工程の後に、前記複合シートのうち、前記樹脂フィルム以外の層を、前記樹脂フィルムから取り除く除去工程と、
前記除去工程の後に、前記樹脂フィルムを熱硬化させることにより、第1保護膜を形成する硬化工程と、
前記硬化工程の後に、前記半導体ウエハを分割することにより、半導体チップを作製する分割工程と、
前記硬化工程の後に、前記第1保護膜を切断する切断工程と、
前記分割工程及び切断工程の後に得られた、前記半導体チップと、前記半導体チップのバンプを有する面に設けられた第1保護膜と、を備え、前記バンプの頭頂部が前記第1保護膜から突出している第1保護膜付き半導体チップを、前記バンプの頭頂部において、基板にフリップチップ接続する実装工程と、を有する、半導体装置の製造方法。 a bonding step of bonding the resin film in the composite sheet according to claim 3 to a surface of a semiconductor wafer having bumps, with the tops of the bumps protruding from the resin film, thereby providing the composite sheet on the semiconductor wafer;
a removing step of removing layers of the composite sheet other than the resin film from the resin film after the attaching step;
a curing step of thermally curing the resin film to form a first protective film after the removing step;
a dividing step of dividing the semiconductor wafer after the curing step to produce semiconductor chips;
a cutting step of cutting the first protective film after the curing step;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a mounting process in which the semiconductor chip with the first protective film, which is obtained after the dividing process and the cutting process, and a first protective film provided on a surface of the semiconductor chip having bumps, and the tops of the bumps protruding from the first protective film, are flip-chip connected to a substrate at the tops of the bumps.
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