JP7789766B2 - マルチメッシュ処理チャンバ用プッシュプル電源 - Google Patents

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関連出願の相互参照
本出願は、２０２０年１０月１３日出願の「ＰＵＳＨ－ＰＵＬＬ ＰＯＷＥＲ ＳＵＰＰＬＹ ＦＯＲ ＭＵＬＴＩ－ＭＥＳＨ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＣＨＡＭＢＥＲＳ」と題された米国非仮出願第１７／０６８，９９４号の利益及び優先権を主張するものであり、その内容を全て、参照により本明細書に援用する。

本開示は、概して、半導体基板製造プロセスにおいてプラズマを調整するためのシステム及び方法に関する。より具体的には、本開示は、プラズマを均一に制御するために、ペデスタルの異なる導電性メッシュに印加される個々の高周波（ＲＦ）電圧を制御するシステム及び方法について説明する。

集積回路及びその他の電子デバイスの製造では、様々な材料層の堆積又はエッチングにプラズマプロセスが使用されることが多い。プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスは、少なくとも１つの前駆体ガス又は前駆体蒸気に電磁エネルギーを印加して前駆体を反応性プラズマに変換する化学プロセスである。プラズマは、処理チャンバの内部、すなわちインシトゥで生成され得る、又は処理チャンバから遠隔に位置決めされた遠隔プラズマジェネレータで生成され得る。このプロセスは、高品質で高性能な半導体デバイスを製造するために、基板上に材料を堆積させるのに広く使用されている。

トランジスタ構造は、特徴サイズが縮小するにつれ、ますます複雑で困難になってきている。処理の要求に応えるためには、コストを抑制し、基板及びダイの歩留まりを最大限に高めるための高度な処理制御技法が有用である。通常、プラズマが基板の表面積全体で均一に制御されていないと、基板の特定の場所にあるダイは歩留まりの問題に晒される。基板処理レベルでは、プラズマを制御する際に、基板全体にわたる包括的な処理調整だけでなく、微細で局所的な処理調整を可能にする、プロセスの均一性制御の進歩が求められる。したがって、基板の全体にわたって微細で局所的なプロセス調整を可能にする方法及び装置が必要である。

［０００５］幾つかの実施形態では、処理チャンバの多電極カソード用の高周波（ＲＦ）電源回路は、ＲＦ源と、ＲＦ源に導電結合された１又は複数の誘導素子と、１又は複数の誘導素子に誘導結合された第１の誘導素子とを含み得る。第１の誘導素子は、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を１又は複数の誘導素子を通して受信し、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給するように構成され得る。電源回路は、１又は複数の誘導素子に誘導結合された第２の誘導素子も含み得る。第２の誘導素子は、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を１又は複数の誘導素子を通して受信し、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給するように構成され得る。

［０００６］幾つかの実施形態では、処理チャンバの多電極カソード用のＲＦ電源回路は、ＲＦ源と、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を受信し、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給するように構成され得る第１の誘導素子とを含み得る。電源回路は、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を受信し、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給するように構成され得る第２の誘導素子も含み得る。電源回路は、第１の誘導素子を第２の誘導素子から分離し得る容量素子も含み得る。

［０００７］幾つかの実施形態では、処理チャンバの多電極カソードに電力供給する方法は、ＲＦ源を用いてＲＦ電力を生成することと、ＲＦ源に導電結合された１又は複数の誘導素子を通してＲＦ電力を伝送することと、ＲＦ電力の第１の部分を１又は複数の誘導素子から第１の誘導素子に誘導結合させることと、ＲＦ電力の第１の部分を第１の誘導素子から処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給することと、ＲＦ電力の第２の部分を１又は複数の誘導素子から第２の誘導素子に誘導結合させることと、ＲＦ電力の第２の部分を第２の誘導素子から処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給することとを含み得る。

［０００８］任意の実施形態では、以下の特徴のいずれか及び／又は全てが、任意の組み合わせで、制限なく含まれ得る。１又は複数の誘導素子は、第３の誘導素子と第４の誘導素子とを含んでいてよく、第３の誘導素子は第１の誘導素子に誘導結合されていてよく、第４の誘導素子は第２の誘導素子に誘導結合されていてよい。電源回路はまた、第１の誘導素子に導電結合された第１のＤＣ源と、第２の誘導素子に導電結合された第２のＤＣ源とを含んでいてよく、容量素子は第１のＤＣ源を第２のＤＣ源から絶縁し得る。第１のＤＣ源と第２のＤＣ源との間の電圧差は、処理チャンバで基板をペデスタルに保持するバイポーラチャック電圧を表し得る。電源回路は、第１のペデスタル電極に供給される電力が第２のペデスタル電極に供給される電力とは異なったものとなるように、ＲＦ電力の一部を吸い上げるように構成された同調回路も含み得る。同調回路は、寄生インダクタを含み得る。同調回路は、寄生キャパシタを含み得る。第１のペデスタル電極は、ワイヤメッシュを含み得る。ＲＦ源と第２のＲＦ源との間の位相差は、処理チャンバのプラズマに伝達されるエネルギーを回転させ得る。第１のペデスタル電極、第２のペデスタル電極、第３のペデスタル電極、及び第４のペデスタル電極は、処理チャンバのペデスタルの別々の象限に位置し得る。第１のペデスタル電極は、ペデスタルの中心部に円形メッシュを含んでいてよく、第２のペデスタル電極は、ペデスタルの外周部にリングメッシュを含み得る。第１の誘導素子は、約１μＨの誘導値を含み得る。

［０００９］
任意の実施形態では、電源回路はまた、第２のＲＦ源と、ＲＦ源に導電結合された第２の１又は複数の誘導素子と、第２の１又は複数の誘導素子に誘導結合され得る第３の誘導素子とを含んでいてよく、第３の誘導素子は、第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を第２の１又は複数の誘導素子を通して受信し、第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給するように構成され得る。電源回路は、第２の１又は複数の誘導素子に誘導結合され得る第４の誘導素子を更に含んでいてよく、第４の誘導素子は、第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を第２の１又は複数の誘導素子を通して受信し、第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給するように構成され得る。第３の誘導素子及び第４の誘導素子は、同じインダクタンスを有し得る。第３の誘導素子及び第４の誘導素子は、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力を遮断するように構成され得る。第１の誘導素子及び第２の誘導素子は、第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力を遮断するように構成され得る。ＲＦ源は約１３ＭＨｚの周波数を有し得、第２のＲＦ源は約４０ＭＨｚの周波数を有し得る。

［００１０］
開示された技術の性質及び利点の更なる理解は、本明細書の残りの部分及び図面を参照することによって得ることができ、同様の参照番号は、同様の構成要素を参照する幾つかの図面にわたって使用されている。幾つかの例では、複数の類似の構成要素のうちの１つを示すために、サブラベルが参照番号に関連付けられている。既存のサブラベルを指定せずに参照数字に言及する場合、そのような複数の類似の構成要素のすべてを参照することが意図される。

幾つかの実施形態に係る処理チャンバを示す断面図である。 幾つかの実施形態に係る２つのペデスタル電極のための構成を示す図である。 幾つかの実施形態に係る複数のペデスタル電極のための代替構成を示す図である。 幾つかの実施形態に係る支持アセンブリの中央部分と支持アセンブリの外側部分との間でＲＦエネルギーのバランスをとるために使用されるペデスタル電極の構成を示す図である。 幾つかの実施形態に係る２つのペデスタル電極間で等化プッシュプル信号を維持しながら、異なるペデスタル電極間の電気経路を絶縁するために誘導結合を使用する電源回路の構成を示す図である。 幾つかの実施形態に係るペデスタル電極に２つの異なるＲＦ信号を注入することができる電源回路を示す図である。 幾つかの実施形態に係る各ペデスタル電極に送られるＲＦ信号の均一性をスキューするための同調回路を含む電源回路を示す図である。 幾つかの実施形態に係る同調回路を有する支持アセンブリの同心円状配置のペデスタル電極を示す図である。 幾つかの実施形態に係る４象限の実装態様における電源回路を示す図である 幾つかの実施形態に係る図９に示す４電極構成における回転ＲＦフィールドの効果を示す一連の図である。 幾つかの実施形態に係る処理チャンバの多電極カソードに電力供給するための方法を示すフロー図である。

［００２２］本明細書では、基板の表面積全体でプラズマを制御するための実施形態を説明する。本開示は、静電チャックとしても機能する基板支持体又はペデスタルに埋め込まれた複数のメッシュに対するＲＦ電力の分布を調整するための高周波（ＲＦ）回路及び方法を提供する。本明細書に記載の方法及びシステムは、埋め込まれたメッシュがＲＦ電力の供給源（例えば、１つの電極又は複数の電極）であるか、又はメッシュがＲＦ電力の供給先（例えば、グラウンド）であるかにかかわらず適用され得る。本明細書に開示される実施形態は、基板の上方のプラズマプロファイルの均一性を変調することを可能にする。プラズマ分布を変化させることで、例えば、堆積速度、膜応力、屈折率、ならびに他のパラメータを含む基板上の膜パラメータに改善された均一性がもたらされる。

［００２３］図１は、幾つかの実施形態に係る処理チャンバ１００を示す断面図である。図示したように、処理チャンバ１００は、基板１５４をエッチングするのに適したエッチングチャンバであってよい。本明細書に記載の実施形態の恩恵を受けるように適合され得る処理チャンバの例としては、カリフォルニア州サンタクララに位置するアプライドマテリアルズ社から市販されているＰｒｏｄｕｃｅｒ（登録商標）Ｅｔｃｈ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｃｈａｍｂｅｒ、及びＰｒｅｃｉｓｉｏｎ（商標）Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｃｈａｍｂｅｒが挙げられ得る。他の製造業者からのものを含む他の処理チャンバが、これらの実施形態から利益を得るように適合され得ると考えられる。

［００２４］処理チャンバ１００は、様々なプラズマプロセスに使用することができる。例えば、処理チャンバ１００は、１又は複数のエッチング剤を用いたドライエッチングを実行するために使用され得る。処理チャンバは、前駆体Ｃ_ｘＦ_ｙ（ｘ及びｙは既知の化合物の値を表す）、Ｏ_２、ＮＦ_３、又はそれらの組み合わせからのプラズマ点火に使用することができる。別の例では、処理チャンバ１００は、１又は複数の前駆体を用いたプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスに使用され得る。

［００２５］処理チャンバ１００は、チャンバ本体１０２と、リッドアセンブリ１０６と、支持アセンブリ１０４とを含み得る。リッドアセンブリ１０６は、チャンバ本体１０２の上端部に位置決めされる。支持アセンブリ１０４は、チャンバ本体１０２内に配置されていてよく、リッドアセンブリ１０６は、チャンバ本体１０２に結合され、支持アセンブリ１０４を処理領域１２０に封入し得る。チャンバ本体１０２は、チャンバ本体１０２の側壁に形成されたスリットバルブを含み得る移送ポート１２６を含み得る。移送ポート１２６は、基板移送のための基板ハンドリングロボット（図示せず）による処理領域１２０の内部へのアクセスを可能にするために、選択的に開閉され得る。

［００２６］電極１０８は、リッドアセンブリ１０６の一部として設けることができる。電極１０８は、プロセスガスを処理領域１２０内に受け入れるための複数の開口部１１８を有するガス分配プレート１１２としても機能し得る。プロセスガスは、導管１１４を介して処理チャンバ１００に供給することができ、プロセスガスは、開口部１１８を通って流れる前に、ガス混合領域１１６に入り得る。電極１０８は、ＲＦジェネレータ、ＤＣ電力、パルスＤＣ電力、パルスＲＦ等の電力源に結合され得る。アイソレータ１１０は、電極１０８に接触し、電極１０８をチャンバ本体１０２から電気的及び熱的に分離させることができる。アイソレータ１１０は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、及び／又は他のセラミック又は金属酸化物等の誘電体材料を用いて構築され得る。ヒータ１１９は、ガス分配プレート１１２に結合され得る。ヒータ１１９はまた、ＡＣ電源にも結合され得る。

［００２７］支持アセンブリ１０４は、チャンバ本体１０２の底面を通って延在するシャフト１４４を介してリフト機構に結合され得る。リフト機構は、シャフト１４４の周囲からの真空漏れを防止するベローズによってチャンバ本体１０２に柔軟に密閉され得る。リフト機構は、基板１５４を電極１０８に近接して載置するために、チャンバ本体１０２内において移送位置と多数のプロセス位置との間で支持アセンブリ１０４を垂直に移動させることを可能にし得る。

［００２８］支持アセンブリ１０４は、金属材料又はセラミック材料から形成されていてよい。例えば、アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム／窒化物混合物等の金属酸化物、窒化物、又は酸化物／窒化物混合物、及び／又は他の同様の材料を使用することができる。典型的な実装態様では、支持アセンブリ１０４に１又は複数のペデスタル電極が含まれていてよい。１又は複数のペデスタル電極は、処理領域１２０のプラズマにＲＦエネルギーを供給するように構成され得る。例えば、支持アセンブリ１０４の１又は複数のペデスタル電極にＲＦエネルギーを供給するために、ＲＦ源１６０がチャンバ本体１０２の外側に設けられていてよい。ＲＦエネルギーは、１又は複数のペデスタル電極を通して、ガス分配プレート１１２（「シャワーヘッド」とも称される）を通して堆積される処理領域１２０のガスに伝達され、プラズマを生成し得る。プラズマは、基板１５４上に材料の層を堆積させるために、基板１５４の上方に維持され得る。基板１５４上に材料を均一に堆積させるために、プラズマに伝達されるエネルギーは、基板１５４の表面積にわたって均一に維持されるべきである。

［００２９］多くの技術的課題により、この均一なプラズマの維持において困難が生じる可能性がある。第１の技術的課題は、プラズマに印加されるＲＦエネルギーの波長の大きさに関連する基板１５４の大きさを含む。ＲＦ源１６０は、約１３ＭＨｚ等の典型的な電圧で動作し得る。基板１５４が約２．０ｍから２．５ｍである場合、１３ＭＨｚにおける波長の大きさは、基板１５４の直径のかなりの割合であり得る。プラズマ環境の内部では、その波長は、効果的に２分の１又は３分の１に縮小し得る。例えば、１／４波長が最小電圧と最大電圧との間で振動すると、エネルギーがチャンバ本体１０２のプラズマに伝達されるときに、基板１５４の表面全体に定在波が形成され得る。これにより、プラズマに著しい不均一性が生じ、基板１５４への材料の堆積が不均一になる場合がある。この効果は、全波長が基板１５４のサイズに匹敵し得る４０ＭＨｚ等の高電圧で更に顕著になる。波が振動すると、プラズマの電圧が最大の領域と、電圧がゼロの領域とが存在し、非常に不均一なプロセスとなり得る。したがって、ペデスタル電極によって生成された定在波が回転したとき、又は他の方法で経時的に移動したときに、不均一性が経時的に平均化され得るように、複数のペデスタル電極にわたってＲＦ電圧を変調するための解決策が必要である。以下に説明するように、ＲＦ信号は、支持アセンブリ１０４の複数のポイントで複数の電極に印加され得る、及び／又は、定在波の形状は、異なる電極に印加される異なるＲＦ信号の位相を調整することによって変調され得る。定在波パターンがプラズマを横切って素早く移動すると、不均一性が経時的に平均化され、プラズマが特定の結晶屈折を維持して、アモルファスの状態が保たれ得る。

［００３０］第２の技術的課題は、複数のペデスタル電極の各々に供給されるＲＦ信号が等しくなるようにすることを含む。例えば、図１では、第１のペデスタル電極１７２と第２のペデスタル電極１７４とを用いたバイポーラチャッキングとして知られる方法が使用されている。バイポーラチャッキングは、第１のペデスタル電極１７２と第２のペデスタル電極１７４との間にＤＣ電圧差を印加する方法である。この静電差は、基板１５４を支持アセンブリ１０４に保持する役割を果たす。これは、単一のペデスタル電極のみが使用される、又は単一のペデスタル電極にのみＤＣ電圧が印加されるモノポーラチャッキングと対比され得る。モノポーラチャッキングは、回路を完成させるためにプラズマにエネルギーが印加されたときにのみ有効になる。バイポーラチャッキングは、ＲＦ源１６０から第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４の各々への２つの別々の電気経路を用いる。図１の例では、第１のＤＣ電圧源１６２が、第１のペデスタル電極１７２の第１の電気経路に適用される。第２のＤＣ電圧源１６４は、第２のペデスタル電極１７４の第２の電気経路に適用される。第１の電気経路は、ＤＣ電圧源１６２、１６４を互いに絶縁するために、第１のキャパシタ１６６を含んでいてよく、第２の電気経路は、第２のキャパシタ１６８を含んでいてよい。幾つかの実施形態では、各キャパシタ１６６、１６８は、ＤＣ電圧を遮断するために、５０ｎＦ等の比較的大きいものであってよい。しかしながら、ＲＦ源１６０の出力を２つの電気経路に分割すると、各ペデスタル電極１７２、１７４に伝送されるＲＦエネルギーの量が異なることがある。したがって、２つのペデスタル電極１７２，１７４間のプッシュプル等化を確保しつつ、絶縁を維持するための解決策が必要である。

［００３１］第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４は、支持アセンブリ１０４に設けることができる。第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４は、支持アセンブリ１０４内に埋め込まれ得る、及び／又は支持アセンブリ１０４の表面に結合され得る。第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４は、プレート、有孔プレート、メッシュ、ワイヤスクリーン、又は任意の他の分散型導電性配置であってよい。図１に２つのペデスタル電極のみを図示したが、他の実施形態では、以下に詳細に説明するように、支持アセンブリ１０４において異なる形状寸法及び／又は配置を有する２つより多いペデスタル電極を使用することができる。

［００３２］図２は、幾つかの実施形態に係る２つのペデスタル電極の構成を示す図である。この例では、第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４は、支持アセンブリ１０４を半分に分割していてよく、ペデスタル電極１７２、１７４は各々、実質的に支持アセンブリ１０４の約半分を占めるように配置される。例えば、各ペデスタル電極１７２、１７４は、支持アセンブリ１０４の面積のほぼ半分を占める「Ｄ」又は半円の形状であってよい。支持アセンブリ１０４の中心において２つのペデスタル電極１７２、１７４間に間隙が維持されていてよく、これにより、ペデスタル電極１７２、１７４が支持アセンブリ１０４内で互いに電気的に絶縁されたままになり得る。

［００３３］図２は、各ペデスタル電極１７２、１７４を、矩形パターンに形成されたワイヤメッシュとして図示している。例えば、ワイヤメッシュは、支持アセンブリ１０４に使用される材料と同様の熱膨張係数を有するモリブデン等の材料から形成されていてよい。これにより、処理チャンバが動作しているときに熱が支持アセンブリ１０４及び基板１５４に加わると、支持アセンブリ１０４及びペデスタル電極１７２、１７４が均一に膨張及び収縮する。幾つかの実施形態では、ペデスタル電極１７２、１７４によって形成されるメッシュ矩形パターンは、厚さ約０．０５ｍｍのワイヤを有する約１．０ｍｍピッチの正矩形パターンを含み得る。

［００３４］図３は、幾つかの実施形態に係る複数のペデスタル電極の代替構成を示す図である。この例では、支持アセンブリ１０４は、支持アセンブリ１０４の象限に配置された４つのペデスタル電極３０２、３０４、３０６、３０８を含み得る。各電極３０２、３０４、３０６、３０８は、上述したように、ワイヤメッシュを用いて形成され得る。ワイヤメッシュは、支持アセンブリ１０４の象限を実質的に満たすパイ型形状寸法を形成するように配置され得る。図３に図示した４つのペデスタル電極３０２、３０４、３０６、３０８は、例示としてのみ提供されるものであり、限定するものではないことに留意されたい。他の実施形態では、支持アセンブリ１０４の形状寸法を任意の数の小区画に分割することによって、より多くの又はより少ないペデスタル電極を使用することができる。例えば、支持アセンブリ１０４を８つの八分体に分割することによって８つのペデスタル電極を使用することができ、ペデスタル電極は、結果として生じる８つの各八分体を実質的に満たすように形成され得る。

［００３５］図４は、幾つかの実施形態に係る支持アセンブリ１０４の中心部分と支持アセンブリ１０４の外側部分との間でＲＦエネルギーのバランスをとるために使用されるペデスタル電極構成を示す図である。この例では、第１のペデスタル電極４０４は、支持アセンブリ１０４の中央部分をほぼ占める円形メッシュとして、第１の円形形状を形成し得る。第２のペデスタル電極４０２は、第１のペデスタル電極４０４の周囲にリングを形成して、支持アセンブリ１０４の外側エッジと第１のペデスタル電極４０４の外側境界との間に残る空間を実質的に占めるリングメッシュを形成し得る。第２のペデスタル電極４０２は、第１のペデスタル電極４０４の周囲に同心円状のリングを形成し得る。この形状寸法により、中央の第１のペデスタル電極４０４に第１のＲＦ信号を印加し、第２のペデスタル電極４０２に第２のＲＦ信号を印加することができる。これら２つのＲＦ信号間の相対的な位相の調整を使用して、支持アセンブリ１０４の中央部分と支持アセンブリ１０４の外側部分との間でプラズマに発生するエネルギーの形状を振動させることができる。

［００３６］図５は、幾つかの実施形態に係る２つのペデスタル電極間の等化プッシュプル信号を維持しながら、誘導結合を使用して異なるペデスタル電極間の電気経路を絶縁するＲＦ電源回路５７０の構成を示す図である。ＲＦ電源回路５７０は、ＲＦ源５０２を含み得る。ＲＦ源には、ローエンドの３５０ｋＨｚから超高周波（ＶＨＦ）範囲の周波数まで、様々な周波数が使用され得る。例えば、幾つかの実施形態では、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ、又は４０．６８ＭＨｚ等の周波数が使用され得る。ＲＦ源５０２は、ＲＦ電力を伝播し、ＲＦ源５０２から発信されるものとして説明されるＲＦ信号を生成し得る。ＲＦ源５０２は、１又は複数の誘導素子と直列に結合され得る。例えば、図５は、誘導素子５０４及び別の誘導素子５０６を図示する。幾つかの実施形態では、誘導素子５０４、５０６の値は、約１μＨ等の値とほぼ等しく、約０．１μＨから約１０μＨの範囲であってよい。ＲＦ源５０２、誘導素子５０４、及び誘導素子５０６は、電源回路５７０において「第１の」回路経路と称され得る連続的な回路経路を形成し得る。１又は複数の誘導素子は、誘導素子５０４及び誘導素子５０６等の２つの離散誘導素子を含み得る。また、１又は複数の誘導素子は、２つより多い又は２つより少ない誘導素子を含み得る。また、１又は複数の誘導素子は、図５に示すように、導電又は有線経路を通してＲＦ源５０２に導電結合されていてよく、これは、従来の誘導結合と対比され得る。

［００３７］電源回路５７０はまた、第１の回路経路から導電的に絶縁され得る第２の回路経路を含み得る。直接的な導電経路を有する代わりに、第２の回路経路は、第１の回路経路に誘導結合されていてよい。例えば、第２の回路経路は、誘導素子５０８と別の誘導素子５１０とを含み得る。これらの誘導素子５０８、５１０は、ＲＦ源５０２から供給されるＲＦ信号が誘導素子５０４、５０６から誘導素子５０８、５１０に伝達されるように誘導素子５０４、５０６に誘導結合され得る。幾つかの実施形態では、誘導素子５０４及び誘導素子５０８は、誘導素子５０４、５０８間の誘導結合を最大限に高めるために、トロイド構成でインターリーブされ得る。誘導素子５０６及び誘導素子５１０も、同様の方法で配置され得る。

［００３８］誘導素子５０８及び誘導素子５１０は、容量素子５１２によって分離され得る。容量素子５１２は、約５０ｎＦ以上等の比較的大きい容量値を有するキャパシタを使用して実装され得る。容量素子５１２の容量値は、ＲＦ源５０２からのＲＦ信号に低インピーダンスを提供し、そうでなければ誘導素子５０８と誘導素子５１０との間を通過するであろう全てのＤＣ信号を遮断するのに十分に大きいものとなるように、比較的大きくてよい。誘導素子５０４及び誘導素子５０６を「１又は複数の誘導素子」と呼ぶ場合、誘導素子５０８及び誘導素子５１０は、それぞれ第１／第２の誘導素子と呼ばれ得ることに留意されたい。

［００３９］電源回路５７０はまた、第１のＤＣ電圧源１６２及び第２のＤＣ電圧源１６４を含み得る。第１のＤＣ電圧源１６２は、誘導素子５０８に導電結合されていてよく、第２のＤＣ電圧源１６４は、素子５１０に導電結合されていてよい。第１のＤＣ電圧源１６２及び第２のＤＣ電圧源１６４は、第１のＤＣ電圧源１６２と第２のＤＣ電圧源１６４との間に電圧差が確立し得るように構成され得る。容量素子５１２は、ＲＦ電源回路５７０において、第１のＤＣ電圧源１６２からのＤＣ信号を第２のＤＣ電圧源１６４からのＤＣ信号から絶縁し得る。これらのＤＣ電圧源１６２，１６４間の電圧差は、容量素子５１２全体で確立され得る。

［００４０］第１のＤＣ電圧源１６２に導電結合された誘導素子５０８の出力は、第１のペデスタル電極１７２に結合され得る。同様に、第２のＤＣ電圧源１６４に導電結合された誘導素子５１０の出力も、第２のペデスタル電極１７４に導電結合され得る。これらのＲＦ信号は、ペデスタル電極１７２、１７４への電気経路を提供する２つのロッドを通過し得る。この配置により、第１のＤＣ電圧源１６２と第２のＤＣ電圧源１６４との間の電圧差によって、基板１５４を支持アセンブリ１０４上に保持するためにバイポーラチャッキングを使用することが可能になる。したがって、誘導素子５０８は、１又は複数の誘導素子（例えば、誘導素子５０８、５１０）に誘導結合され、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を１又は複数の誘導素子を通して受信し、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を処理チャンバ１２０の第１のペデスタル電極１７２に供給するよう構成された「第１の」誘導素子とみなすことができる。同様に、誘導素子５１０は、１又は複数の誘導素子（例えば、誘導素子５０８、５１０）に誘導結合され、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を１又は複数の誘導素子を通して受信し、ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を処理チャンバ１２０の第２のペデスタル電極１７４に供給するように構成された「第２の」誘導素子とみなすことができる。

［００４１］容量素子５１２は、２つのペデスタル電極１７２、１７４の間にＤＣ絶縁を提供するためのブロッキングキャパシタとして機能し得る。これにより、バイポーラチャッキングが可能になり、ＲＦが容量素子５１２を通過することができる。この配置はまた、第１のペデスタル電極１７２に結合されたＲＦ信号と第２のペデスタル電極１７４に結合されたＲＦ信号との間にプッシュプル関係を確立する。これにより、各ペデスタル電極１７２，１７４において信号が同じになる。プッシュプル関係を有するペデスタル電極１７２，１７４によってＲＦ信号が支持アセンブリ１０４に供給される場合、２つの電極位置は各々、約１８０°位相がずれていてよい。

［００４２］一実装態様では、第２のペデスタル電極１７４は、第１のペデスタル電極１７２よりも大きい表面積を有し得る。一実装態様では、第２のペデスタル電極１７４は、第１のペデスタル電極１７２よりも大きい直径を有し得る。第２のペデスタル電極１７４は、第１のペデスタル電極１７２を囲んでいてよい。一実装態様では、第１のペデスタル電極１７２は、第１のＲＦ電極として機能しつつ、チャック電極として機能し得る。第２のペデスタル電極１７４は、第１のペデスタル電極１７２と共にプラズマを調整する第２のＲＦ電極であってよい。第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４は、同じ周波数で電力を印加し得る、又は異なる周波数で電力を印加し得る。プラズマを調整するために、第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４の一方又は両方へのＲＦ電力を変化させることが可能である。例えば、第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４の一方又は両方からのＲＦエネルギーを監視するために、センサ（図示せず）が使用され得る。センサデバイスからのデータは、伝達され、第１のペデスタル電極１７２のＲＦ源及び／又は第２のペデスタル電極１７４のＲＦ源５０２に印加される電力を変化させるために利用され得る。

［００４３］本明細書で使用する第１、第２、第３、第４、第５等の用語は、単に同様の回路素子の異なる例を区別するために使用される。例えば、「第１の」誘導素子５０８は、「第２の」誘導素子５１０と区別され得る。この用語は、これらの素子の順序、優先順位、重要性、又はその他任意の実質的な特性を意味するものではなく、１つの素子を他の素子から区別するためにのみ使用される。また、これにより、第１／第２ラベルが任意の２つの素子を区別するために使用され得ることに留意されたい。したがって、これらのラベルは絶対的なものではなく、相対的なものである。

［００４４］図６は、幾つかの実施形態に係る２つの異なるＲＦ信号をペデスタル電極に注入し得る電源回路６７０を示す図である。この例では、第２のＲＦ源６０２が、電源回路６７０に追加され得る。幾つかの実施形態では、ＲＦ源５０２に１３．５６ＭＨｚの周波数を使用し、第２のＲＦ源６０２に４０．６８ＭＨｚの信号を使用し得る。第２のＲＦ源６０２の周波数は、ＲＦ源５０２の周波数とは異なっていてよい。第２のＲＦ源６０２は、ＲＦ源５０２の第１の回路経路について上述したように配置された誘導素子６０４、６０６を含む第３の回路経路を形成し得る。第３の回路経路は、容量素子６１２によって分離された誘導素子６０８、６１０を用いて第２の回路経路に誘導結合され得る。容量素子６１２は、容量素子５１２と同様であってよく、約５０ｎＦ以上等の比較的大きい容量値を有し、これにより、第１のＤＣ電圧源１６２が第２のＤＣ電圧源１６４から絶縁された状態が保たれる。場合によっては、第１及び第３の回路経路間の誘導素子６０４、６０６、６０８、６１０の値は、第１及び第２の回路経路間の誘導素子５０４、５０６、５０８、５１０に用いられる値と異なっていてよい。例えば、誘導素子６０４、６０６、６０８、６１０は、ＲＦ源５０２からのＲＦ信号を遮断しながら第２のＲＦ源６０２からのＲＦ信号を通過させるインダクタンス値で構成され得る。同様に、誘導素子５０４、５０６、５０８、５１０は、第２のＲＦ源６０２からのＲＦ信号を遮断しながらＲＦ源５０２からのＲＦ信号を通過させるインダクタンス値を有するように構成され得る。

［００４５］この配置により、２つの異なる周波数をペデスタル電極１７２、１７４に同時に注入することができる。２つのペデスタル電極１７２、１７４の使用は、例示のためにのみ提供され、限定するものではないことに留意されたい。他の実施形態では、図６に示す回路素子を複製することによって、任意の数のペデスタル電極を使用することができる。同様に、２つの異なる周波数の使用は、例示のためにのみ提供され、限定することを意味するものではない。他の実施形態では、異なる周波数及び対応するインダクタンス値を有するＲＦ源を用いて図６に示す回路経路を複製することによって、任意の数の異なる周波数をペデスタル電極に注入することができる。

［００４６］図７は、幾つかの実施形態に係る各ペデスタル電極１７２、１７４に送られるＲＦ信号の均一性をスキューするための同調回路を含む電源回路７７０を示す図である。図７の電源回路７７０は、同調回路が第１のペデスタル電極１７２の入力に追加されていることを除いて、図５のＲＦ電源回路５７０と同様である。同調回路は、第１のペデスタル電極１７２に供給される前にＲＦ信号から電流を吸い上げるための寄生インダクタ７０２及び／又は寄生キャパシタ７０４を含み得る。その結果、これにより、第１のペデスタル電極１７２及び第２のペデスタル電極１７４によって送られるＲＦ信号が非対称になる。これは、処理チャンバの不規則性を補償するために使用され得る。理想的な処理チャンバは、純粋に対称的なＲＦ出力から利益を得ることができるが、多くの処理チャンバ（特に、小さいチャンバ）は、処理チャンバの電気的及び／又は物理的特性に基づいてプラズマに固有の異常が発生することがある。同調回路を使用して、電源回路７７２の一方の側の出力を調整することで、処理チャンバの異常を補償することができる。例えば、寄生キャパシタ７０４及び／又は寄生インダクタ７０２を用いた第１のペデスタル電極１７２のＲＦ出力の調整を使用することで、プラズマで生成されるＲＦ波形を一方から他方にスキューすることができる。

［００４７］図８は、幾つかの実施形態に係る同調回路を有する支持アセンブリ１０４における同心円状配置のペデスタル電極８０２、８０４を示す図である。図８の電源回路７７０は、図７の電源回路７７０と同じであってよい。しかしながら、第１のペデスタル電極８０２は、支持アセンブリ１０４の中央部に円形のワイヤメッシュを形成し、第２のペデスタル電極８０４は、支持アセンブリ１０４の外周部に同心のリングを形成し得る。例えば、第１のペデスタル電極８０２及び第２のペデスタル電極８０４は、図４に示すように配置され得る。同調回路を上記のように使用して、処理チャンバに起因する中心からエッジまでの不均一性に対してプラズマで生成されるＲＦ波形をスキューすることによって、処理チャンバの異常を補償することができる。

［００４８］図９は、幾つかの実施形態に係る４象限の実装態様のための電源回路９７０を示す図である。第１のペデスタル電極９１０及び第２のペデスタル電極９１６は、図４に示すように、支持アセンブリ１０４の対向する象限を占めていてよい。同様に、第３のペデスタル電極９１２及び第４のペデスタル電極９１４もまた、対向する象限を占めていてよい。第１／第２のペデスタル電極９１０、９１６を駆動する電源回路９７０の回路（例えば、ＲＦ源５０２、誘導素子５０４、５０６、５０８、５１０、容量素子５１２等）は、第３／第４のペデスタル電極９１２、９１４（例えば、ＲＦ源９０２、誘導素子９０４、９０６、９０８、９１０、容量素子９１３、同調回路キャパシタ９１５及び同調インダクタ９９９）に個別に電力供給するために複製することができる。

［００４９］この構成は、プラズマ周囲で振動フィールドを円形に回転させる回転プッシュプル回路を生成する。幾つかの実施形態では、ＲＦ源５０２とＲＦ源９０２との間の周波数差により、フィールドがプラズマにおいて回転する速度が制御され得る。例えば、周波数差は、約１ｋＨｚから約１００ｋＨｚであってよい。１ｋＨｚの差では、プラズマ周囲の回転は約１ミリ秒かかる場合があり、１００ｋＨｚの差では、プラズマ周囲の回転は約１０マイクロ秒かかる場合がある。一般に、プラズマにおけるフィールドの移動が、経時的に全ての瞬間的不均一性を平均化するのに十分であるためには、この範囲内の回転速度が望ましい。幾つかの実施形態では、周波数差は、ＲＦ源５０２が安定した電力を生成することを困難にし得る反射電力変動に関する問題を回避するために、５ｋＨｚ以上に保たれ得る。

［００５０］図１０は、幾つかの実施形態に係る図９に示す４電極構成における回転ＲＦフィールドの効果を示す一連の図である。この例では、メッシュは、支持アセンブリ１０４上の４つの対になった象限に細分化され得る。プッシュプル駆動構成で動作する場合、定在波は、プラズマ周囲を振動及び回転の両方が可能である。プッシュプル対がわずかに異なる周波数で動作すると、プラズマの直径にわたる全体的なプッシュプルは、周波数差に等しい速度で滑らかに回転し、異なるメッシュの組み合わせの間を行ったり来たりし得る。図９に示すように同調素子を追加することができる、又は１８０度からずれたプッシュプル位相差を導入して、同じく回転する中心－エッジ成分を追加することができる。

［００５１］図１１は、幾つかの実施形態に係る処理チャンバの多電極カソードに電力供給するための方法を示すフロー図１１００である。本方法は、ＲＦ源を用いてＲＦ電力を生成する（１１０２）ことを含み得る。ＲＦ源は、上述の周波数のいずれかを使用することができ、上述の図５～９のＲＦ源５０２によって示すように、電源回路に統合され得る。

［００５２］本方法は、ＲＦ源に導電結合された１又は複数の誘導素子を通してＲＦ電力を伝送すること（１１０４）も含み得る。１又は複数の誘導素子は、上記の図５～図９に示す誘導素子５０４、５０６等の１又は複数のインダクタを含み得る。単一の誘導素子が使用され得る、又は異なる実施形態では２つ以上の誘導素子が使用され得ることに留意されたい。

［００５３］本方法は、ＲＦ電力の第１の部分を１又は複数の誘導素子から第１の誘導素子に誘導結合させること（１１０６）を追加的に含み得る。例えば、ＲＦ電力の第１の部分は、ＲＦ源５０２からのＲＦ電力のうち、上記の図５～図９において誘導素子５０４から誘導素子５０８に誘導結合される部分であってよい。

［００５４］本方法は更に、ＲＦ電力の第１の部分を第１の誘導素子から処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給すること（１１０８）を含み得る。例えば、ＲＦ電力のこの第１の部分は、上記の図５～図９に示すように、誘導素子５０８から第１のペデスタル電極１７２に供給され得る。

［００５５］本方法は、ＲＦ電力の第２の部分を１又は複数の誘導素子から第２の誘導素子に誘導結合させること（１１１０）も含み得る。例えば、ＲＦ電力の第２の部分は、ＲＦ源５０２からのＲＦ電力のうち、上記の図５～図９において誘導素子５０６から誘導素子５１０に誘導結合される部分であってよい。

［００５６］本方法は、ＲＦ電力の第２の部分を第２の誘導素子から処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給すること（１１１２）を追加的に含み得る。例えば、ＲＦ電力のこの第２の部分は、上記の図５～図９に示すように、誘導素子５１０から第２のペデスタル電極１７４に供給され得る。

［００５７］図１１に示す具体的なステップは、様々な実施形態に係る処理チャンバの多電極カソードに電力供給する特定の方法を提供することを理解されたい。ステップの他の順序も、代替的な実施形態により実行され得る。例えば、代替的な実施形態は、上記に概説したステップを異なる順序で実行することができる。更に、図１１に示す個々のステップは、個々のステップに適した様々な順序で実行され得る複数のサブステップを含み得る。更に、特定の用途に応じて、更なるステップを追加又は削除することができる。多くの変形、修正、及び代替案もまた、本開示の範囲内にある。

［００５８］本開示全体における用語「約」は、記載された値の－１５％から＋１５％の範囲内で発生する値を説明するために使用され得る。例えば、約１００ｎＦの容量は、８５ｎＦから１１５ｎＦの範囲内に入り得る。

［００５９］上記の記述では、説明の目的で、様々な実施形態を十分に理解できるように、多数の具体的な詳細が記載されている。しかしながら、幾つかの実施形態は、これらの具体的な詳細の一部がなくても実施され得ることが当業者には明らかとなろう。他の例では、周知の構造及びデバイスがブロック図の形態で示されている。

［００６０］前述の説明は、例示的な実施形態のみを提供するものであり、本開示の範囲、適用性、又は構成を限定することを意図していない。むしろ、さまざまな実施形態の前述の説明は、当業者に、少なくとも１つの実施形態を実装するための可能な開示を提供するものである。添付の特許請求の範囲に明記されるような幾つかの実施形態の主旨及び範囲から逸脱することなく、要素の機能及び配置に様々な変更を加えることができることを理解されたい。

［００６１］前述の説明では、実施形態を十分に理解するために、具体的な詳細を示している。しかしながら、当業者であれば、実施形態はこれらの具体的な詳細なしに実施され得ることが理解されよう。例えば、回路、システム、ネットワーク、プロセス、及び他の構成要素は、不必要な詳細で実施形態を不明瞭にしないために、ブロック図の形態で構成要素として示されている場合がある。他の例では、周知の回路、プロセス、アルゴリズム、構造、及び技法が、実施形態を不明瞭にしないために、不必要な詳細なしに示されている場合がある。

［００６２］また、個々の実施形態は、フローチャート、フロー図、データフロー図、構造図、又はブロック図として図示したプロセスとして説明されている場合があることに留意されたい。フローチャートは、工程を連続的なプロセスとして描写している場合があるが、工程の多くは並行して又は同時に実行することができる。更に、工程の順序を入れ替えることも可能である。プロセスは、その工程が完了した時点で終了するが、図に含まれない追加のステップを有することもあり得る。プロセスは、方法、機能、手順、サブルーチン、サブプログラム等に対応し得る。プロセスが機能に対応する場合、その終了は、呼び出し機能又は主機能に機能が戻ることに対応し得る。

［００６３］前述の明細書において、特徴をその具体的な実施形態を参照して説明したが、すべての実施形態がそれに限定されないことを認識すべきである。幾つかの実施形態の様々な特徴及び態様が、個別に又は共同で使用され得る。更に、実施形態は、本明細書のより広い主旨及び範囲から逸脱することなく、本明細書に記載されたものを超える任意の数の環境及び用途で利用され得る。したがって、本明細書及び図面は、限定的なものではなく、例示的なものとみなされる。

Claims (20)

1. 処理チャンバの多電極カソード用の高周波（ＲＦ）電源回路であって、
   ＲＦ源と、
   前記ＲＦ源に導電結合された１又は複数の誘導素子と、
   前記１又は複数の誘導素子に誘導結合された第１の誘導素子であって、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を前記１又は複数の誘導素子を通して受信し、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を前記処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給するように構成された第１の誘導素子と、
   前記１又は複数の誘導素子に誘導結合された第２の誘導素子であって、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を前記１又は複数の誘導素子を通して受信し、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を前記処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給するように構成された第２の誘導素子と、
   前記第１の誘導素子を前記第２の誘導素子から分離する容量素子と
   を備える、ＲＦ電源回路。
2. 前記１又は複数の誘導素子は、第３の誘導素子と第４の誘導素子とを含み、前記第３の誘導素子は前記第１の誘導素子に誘導結合され、前記第４の誘導素子は前記第２の誘導素子に誘導結合される、請求項１に記載のＲＦ電源回路。
3. 処理チャンバの多電極カソード用の高周波（ＲＦ）電源回路であって、
   ＲＦ源と、
   前記ＲＦ源に導電結合された１又は複数の誘導素子と、
   前記１又は複数の誘導素子に誘導結合された第１の誘導素子であって、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を前記１又は複数の誘導素子を通して受信し、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を前記処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給するように構成された第１の誘導素子と、
   前記１又は複数の誘導素子に誘導結合された第２の誘導素子であって、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を前記１又は複数の誘導素子を通して受信し、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を前記処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給するように構成された第２の誘導素子と、
   第２のＲＦ源と、
   前記ＲＦ源に導電結合された第２の１又は複数の誘導素子と、
   前記第２の１又は複数の誘導素子に誘導結合された第３の誘導素子であって、前記第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を前記第２の１又は複数の誘導素子を通して受信し、前記第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を前記処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給するように構成された第３の誘導素子と、
   前記第２の１又は複数の誘導素子に誘導結合された第４の誘導素子であって、前記第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を前記第２の１又は複数の誘導素子を通して受信し、前記第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を前記処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給するように構成された第４の誘導素子と
   を備える、ＲＦ電源回路。
4. 前記第３の誘導素子及び前記第４の誘導素子は、同じインダクタンスを有する、請求項３に記載のＲＦ電源回路。
5. 前記第３の誘導素子及び前記第４の誘導素子は、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力を遮断するように構成される、請求項３に記載のＲＦ電源回路。
6. 第１の誘導素子及び第２の誘導素子は、第２のＲＦ源から発信されるＲＦ電力を遮断するように構成される、請求項５に記載のＲＦ電源回路。
7. 前記ＲＦ源は約１３ＭＨｚの周波数を有し、前記第２のＲＦ源は約４０ＭＨｚの周波数を有する、請求項３に記載のＲＦ電源回路。
8. 処理チャンバの多電極カソード用のＲＦ電源回路であって、
   ＲＦ源と、
   前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を受信し、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第１の部分を前記処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給するように構成された第１の誘導素子と、
   前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を受信し、前記ＲＦ源から発信されるＲＦ電力の第２の部分を前記処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給するように構成された第２の誘導素子と、
   前記第１の誘導素子を前記第２の誘導素子から分離する容量素子と
   を備える、ＲＦ電源回路。
9. 前記第１の誘導素子に導電結合された第１のＤＣ源と、
   前記第２の誘導素子に導電結合された第２のＤＣ源と
   を更に備え、前記容量素子は、前記第１のＤＣ源を前記第２のＤＣ源から絶縁する、請求項８に記載のＲＦ電源回路。
10. 前記第１のＤＣ源と前記第２のＤＣ源との間の電圧差による静電力で、前記処理チャンバにおいて基板をペデスタルに保持する、請求項９に記載のＲＦ電源回路。
11. 前記第１のペデスタル電極に供給される電力が前記第２のペデスタル電極に供給される電力とは異なったものとなるように、前記ＲＦ電力の一部を吸い上げるように構成された同調回路
    を更に備える、請求項８に記載のＲＦ電源回路。
12. 前記同調回路は、寄生インダクタを含む、請求項１１に記載のＲＦ電源回路。
13. 前記同調回路は、寄生キャパシタを含む、請求項１１に記載のＲＦ電源回路。
14. 前記第１のペデスタル電極は、ワイヤメッシュを含む、請求項８に記載のＲＦ電源回路。
15. 処理チャンバの多電極カソードに電力供給する方法であって、
    ＲＦ源を用いてＲＦ電力を生成することと、
    前記ＲＦ源に導電結合された１又は複数の誘導素子を通してＲＦ電力を伝送することと、
    前記ＲＦ電力の第１の部分を前記１又は複数の誘導素子から第１の誘導素子に誘導結合させることと、
    前記ＲＦ電力の第１の部分を前記第１の誘導素子から前記処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給することと、
    前記ＲＦ電力の第２の部分を前記１又は複数の誘導素子から第２の誘導素子に誘導結合させることと、
    前記ＲＦ電力の第２の部分を前記第２の誘導素子から前記処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給することと、
    前記第１の誘導素子を前記第２の誘導素子から容量素子を用いて分離することと
    を含む方法。
16. 処理チャンバの多電極カソードに電力供給する方法であって、
    ＲＦ源を用いてＲＦ電力を生成することと、
    前記ＲＦ源に導電結合された１又は複数の誘導素子を通してＲＦ電力を伝送することと、
    前記ＲＦ電力の第１の部分を前記１又は複数の誘導素子から第１の誘導素子に誘導結合させることと、
    前記ＲＦ電力の第１の部分を前記第１の誘導素子から前記処理チャンバの第１のペデスタル電極に供給することと、
    前記ＲＦ電力の第２の部分を前記１又は複数の誘導素子から第２の誘導素子に誘導結合させることと、
    前記ＲＦ電力の第２の部分を前記第２の誘導素子から前記処理チャンバの第２のペデスタル電極に供給することと、
    第２のＲＦ源を用いて第２のＲＦ電力を生成することと、
    前記第２のＲＦ源に導電結合された第２の１又は複数の誘導素子を通して前記第２のＲＦ電力を伝送することと、
    前記第２のＲＦ電力の第１の部分を前記第２の１又は複数の誘導素子から第３の誘導素子に誘導結合させることと、
    前記ＲＦ電力の第１の部分を前記第３の誘導素子から前記処理チャンバの第３のペデスタル電極に供給することと、
    前記第２のＲＦ電力の第２の部分を前記第２の１又は複数の誘導素子から第４の誘導素子に誘導結合させることと、
    前記第２のＲＦ電力の第２の部分を前記第４の誘導素子から前記処理チャンバの第４のペデスタル電極に供給することと
    を含む、方法。
17. ＲＦ源と前記第２のＲＦ源との間の位相差は、前記処理チャンバのプラズマに伝達されるエネルギーを回転させる、請求項１６に記載の方法。
18. 第１のペデスタル電極、第２のペデスタル電極、前記第３のペデスタル電極、及び前記第４のペデスタル電極は各々、前記処理チャンバのペデスタルの別々の象限に位置する、請求項１６に記載の方法。
19. 前記第１のペデスタル電極は、ペデスタルの中心部に円形メッシュを含み、前記第２のペデスタル電極は、前記ペデスタルの外周部にリングメッシュを含む、請求項１５に記載の方法。
20. 前記第１の誘導素子は、約１μＨの誘導値を含む、請求項１５に記載の方法。