JP7791641B2 - Sintering ink, metal particles, their manufacturing method, and circuit board manufacturing method - Google Patents
Sintering ink, metal particles, their manufacturing method, and circuit board manufacturing methodInfo
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Description
本発明は、導電性粒子が溶媒に分散されたインクを焼結して配線パターンを形成する技術に関する。 The present invention relates to a technology for forming wiring patterns by sintering ink in which conductive particles are dispersed in a solvent.
導電性粒子を溶媒に分散させたペースト状の組成物(インク)を基材に塗布し、加熱することにより溶媒を蒸発させるとともに導電性粒子を焼結し、配線等を基材上に形成する技術が知られている。導電性粒子として、数nm~数十μmの微粒子を用いることにより、比較的低温で導電性粒子を焼結することができるため、樹脂製の基材を用いることも可能である。 A known technique involves applying a paste-like composition (ink) in which conductive particles are dispersed in a solvent to a substrate, then heating it to evaporate the solvent and sinter the conductive particles, forming wiring and other structures on the substrate. By using fine particles ranging in size from a few nanometers to several tens of micrometers, the conductive particles can be sintered at relatively low temperatures, making it possible to use a resin substrate.
特許文献1には、製造時の導電性粒子の凝集防止のために有機物でその表面を覆い、さらにその有機物を、酸性および塩基性官能基を有する高分子分散剤に置換することが開示されている。これにより、低温度で焼結でき、かつ、基材への接着性が十分に得られるペースト状組成物を得ることができると特許文献1には記載されている。なお、置換の程度は、導電性微粒子の示差熱分析結果に上記有機物の熱分解による発熱ピークが検出されなくなる程度とされている。 Patent Document 1 discloses that the surfaces of conductive particles are covered with an organic substance to prevent aggregation during production, and that the organic substance is then replaced with a polymer dispersant having acidic and basic functional groups. Patent Document 1 states that this makes it possible to obtain a paste-like composition that can be sintered at low temperatures and has sufficient adhesion to the substrate. The degree of substitution is such that no exothermic peak due to thermal decomposition of the organic substance is detected in the differential thermal analysis of the conductive microparticles.
また、特許文献2には、加熱に伴う体積収縮率を小さくして焼結体に割れが生じるのを抑制しつつ、耐食性を向上させるため、平均一次粒子径が1~150nmの導電性粒子と、1~10μmの導電性粒子とを所定の比率で混合したものを、還元性を有する有機溶媒に分散させたペーストが開示されている。マイクロサイズの導電性粒子が、ナノサイズの導電性微粒子の自由な移動を制限することで、体積収縮率が小さくなり、粗大ボイドやクラックの発生が抑制される。また、有機分散剤で被覆されたナノサイズの導電性粒子を用いることにより、焼結体表面に有機化合物層が残存し、耐食性が向上する。 Patent Document 2 also discloses a paste in which conductive particles with an average primary particle size of 1 to 150 nm and conductive particles with an average primary particle size of 1 to 10 μm are mixed in a specified ratio and dispersed in a reducing organic solvent in order to reduce the volumetric shrinkage rate associated with heating, thereby preventing cracks in the sintered compact and improving corrosion resistance. The micro-sized conductive particles restrict the free movement of the nano-sized conductive fine particles, thereby reducing the volumetric shrinkage rate and preventing the occurrence of coarse voids and cracks. Furthermore, by using nano-sized conductive particles coated with an organic dispersant, an organic compound layer remains on the surface of the sintered compact, improving corrosion resistance.
大電流を供給可能にするために、厚膜(例えば厚さ10μm以上)の配線パターンを、導電性粒子を焼結して形成することが望まれている。しかしながら、発明者らの実験によると、導電性粒子を溶媒に分散させた組成物(ペースト)を基板に厚く塗布した後、加熱することにより焼結して厚膜の配線を形成した場合、配線にクラックが発生しやすく、配線の耐熱衝撃性が低下することがわかった。 To enable the supply of large currents, it is desirable to form thick-film (e.g., 10 μm or thicker) wiring patterns by sintering conductive particles. However, experiments by the inventors have shown that when a thick-film wiring is formed by applying a thick layer of a composition (paste) in which conductive particles are dispersed in a solvent to a substrate and then heating and sintering the resulting material, cracks are likely to occur in the wiring, and the thermal shock resistance of the wiring is reduced.
また、特許文献2の技術のように、ナノサイズの導電性粒子にマイクロサイズの金属微粒子を混合した組成物は、マイクロサイズの導電性粒子を焼結するために焼結温度を高くする必要があり、基板の材質として耐熱性の高いものを用いなければならないという制約がある。 Furthermore, compositions in which nano-sized conductive particles are mixed with micro-sized metal microparticles, such as the technology in Patent Document 2, require a high sintering temperature to sinter the micro-sized conductive particles, and are therefore subject to the constraint that a highly heat-resistant substrate material must be used.
本発明の目的は、焼結後の配線にクラックが発生するのを抑制可能な焼結用インクを提供することにある。 The object of the present invention is to provide a sintering ink that can prevent cracks from occurring in wiring after sintering.
上記目的を達成するために、本発明によれば、金属粒子が溶媒に分散された焼結用インクであって、金属粒子は、示差熱分析法により加熱しながら基準物質との温度差を求めた場合、温度と前記温度差との関係を示す示差熱分析チャートが、200℃以下にピークを有し、100℃から、前記ピークの頂点温度までの温度範囲において、変曲点を持たず、かつ、100℃から、少なくとも前記ピークの頂点温度より20℃低い温度の範囲において、線形である。 To achieve the above objective, the present invention provides a sintering ink in which metal particles are dispersed in a solvent, and when the temperature difference between the metal particles and a reference material is measured while the metal particles are heated using differential thermal analysis, the differential thermal analysis chart showing the relationship between the temperature and the temperature difference has a peak below 200°C, has no inflection point in the temperature range from 100°C to the peak temperature, and is linear in the temperature range from 100°C to at least 20°C lower than the peak temperature.
本発明の焼結用インクを塗布して焼結して配線を製造した場合、クラックの発生が抑制され、断線等を防ぎ信頼性を向上させることができる。 When wiring is produced by applying and sintering the sintering ink of the present invention, the occurrence of cracks is suppressed, preventing breakage and improving reliability.
本発明の一実施形態について以下に説明する。まず、実施形態の焼成用インクについて説明する。 One embodiment of the present invention will be described below. First, the baking ink of this embodiment will be described.
<<焼結用インク>>
本実施形態の焼結用インクは、金属粒子が溶媒に分散されたものである。この焼結用インクを基板上に所望の形状に塗布して膜を形成し、所定の温度まで加熱することにより、焼結用インクに含まれる金属粒子を焼結し、配線を形成することができる。以下、詳しく説明する。
<<Sintering ink>>
The sintering ink of this embodiment is a dispersion of metal particles in a solvent. This sintering ink is applied to a substrate in a desired shape to form a film, and by heating it to a predetermined temperature, the metal particles contained in the sintering ink are sintered to form wiring. This is described in detail below.
[金属粒子]
焼結用インクに分散されている金属粒子は、本実施形態では、製造時の凝集を防止するため、表面が有機分散剤で被覆されている。
[Metal particles]
In this embodiment, the surfaces of the metal particles dispersed in the sintering ink are coated with an organic dispersant to prevent aggregation during production.
この表面が有機金属分散材で被覆された金属粒子は、示差熱分析(DTA)法により加熱しながら基準物質との温度差を求めた場合、示差熱分析チャートは、一例を図1(a)に示すように、200℃以下にピークP1を有する。また、示差熱分析チャートは、100℃から、ピークP1の頂点温度までの温度範囲において、変曲点を持たず、かつ、100℃から、少なくともピークの頂点温度より20℃低い温度の範囲において、線形である。なお、200℃以下にピークが複数ある場合、最も低温側のピークについて、上記特徴を備えている。 When these metal particles, the surface of which is coated with an organic metal dispersion material, are heated by differential thermal analysis (DTA) to determine the temperature difference with a reference material, the differential thermal analysis chart has a peak P1 below 200°C, as shown in Figure 1(a), for example. Furthermore, the differential thermal analysis chart has no inflection points in the temperature range from 100°C to the apex temperature of peak P1, and is linear in the temperature range from 100°C to at least 20°C lower than the apex temperature of the peak. Furthermore, if there are multiple peaks below 200°C, the lowest-temperature peak has the above characteristics.
上記DTA法の基準物質は、加熱炉の温度に追従して温度変化する物質であり、DTAで一般的に用いられる基準物質を用いる。 The reference material for the above DTA method is a material whose temperature changes in accordance with the temperature of the heating furnace, and is a reference material commonly used in DTA.
ここでいう、変曲点とは、曲線が凹から凸へ、または、凸から凹へと変化する点であると定義される一般的な変曲点のほか、傾斜が変化する点を含む。したがって、本実施形態において、示差熱分析チャートが変曲点を持たないとは、チャートの傾斜が一定(線形)もしくは、なだらかな変化のみであることを言い、傾斜が急激に大きくなったり、傾斜が2段になったりしていないことを言う。 The term "inflection point" used here refers not only to a general inflection point, which is defined as a point where a curve changes from concave to convex, or from convex to concave, but also to a point where the slope changes. Therefore, in this embodiment, when a differential thermal analysis chart has no inflection point, this means that the slope of the chart is constant (linear) or changes only gradually, and that the slope does not suddenly increase or have two steps.
示差熱分析チャートの線形である部分の傾きは、1μV/℃以下であることが望ましく、特に、0.5μV/℃以下であることが望ましく、さらに0.3μV/℃以下であることが望ましい。なお、測定に用いた試料重量は平均10mgで、5~15mgに調整したサンプルを用いて計測している。 The slope of the linear portion of the differential thermal analysis chart should desirably be 1 μV/°C or less, particularly 0.5 μV/°C or less, and even more desirably 0.3 μV/°C or less. The sample weight used for measurement is an average of 10 mg, and measurements are taken using samples adjusted to 5-15 mg.
なお、ピークP1の頂点付近の傾斜は、それよりも低い温度の傾斜よりも緩やかになっていてもよい。すなわち、ピークの頂点温度より20℃低い温度から、ピークの頂点温度までの温度範囲における温度差(示差熱)の変化の傾きは、100℃から、ピークの頂点の温度より20℃低い温度までの温度範囲における温度差の変化の傾きよりも緩やかであってもよい。 The slope near the apex of peak P1 may be gentler than the slope at lower temperatures. In other words, the slope of the change in temperature difference (differential thermal) in the temperature range from a temperature 20°C lower than the peak temperature to the peak temperature may be gentler than the slope of the change in temperature difference in the temperature range from 100°C to a temperature 20°C lower than the peak temperature.
金属粒子は、銀粒子、銅粒子および金粒子のいずれかであることが望ましく、特に銀粒子であることが望ましい。また、金属粒子を被覆する有機分散剤は、ポリビニルピロリドンであることが望ましい。 The metal particles are preferably silver particles, copper particles, or gold particles, with silver particles being particularly preferred. Furthermore, the organic dispersant that coats the metal particles is preferably polyvinylpyrrolidone.
金属粒子の粒径は、250nm以下であることが望ましく、200nm以下である場合、さらに望ましい。 The particle size of the metal particles is preferably 250 nm or less, and even more preferably 200 nm or less.
なお、粒径は、電界放出型走査電子顕微鏡(FE-SEM)により測定した観察像より算出したものである。 The particle size was calculated from images observed using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM).
[インク用溶媒]
金属粒子を分散させる溶媒としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコールなどのグリコールやプロパンジオール、ブタンジオール、ベンゼンジオールなどのジオール、ジエチルエーテル、ジフェニルエーテルなどのエーテルを用いることができる。特に、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコールが好適である。
[Ink solvent]
Examples of solvents that can be used to disperse metal particles include glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, and polyethylene glycol, diols such as propanediol, butanediol, and benzenediol, and ethers such as diethyl ether and diphenyl ether. Ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, and polyethylene glycol are particularly preferred.
このような金属粒子が分散された焼結用インクは、配線形状の膜状に塗布して200℃まで加熱して焼結した場合、焼結後の配線にクラックが発生するのを抑制できる。その理由は、金属粒子は、図1(a)に示すように、傾斜が一定で緩やかな発熱反応を生じ、これにより、ゆっくりと焼結が進むため、金属粒子の収縮(焼き縮み)が小さくなるためであると推測される。 When sintering ink with dispersed metal particles like this is applied to a wiring-shaped film and heated to 200°C for sintering, it can prevent cracks from occurring in the sintered wiring. This is thought to be because, as shown in Figure 1(a), the metal particles undergo a gentle exothermic reaction with a constant gradient, which allows sintering to proceed slowly and reduces the shrinkage (shrunkness) of the metal particles.
<<焼結用インクの製造方法>>
つぎに、本実施形態の焼結用インクの製造方法について説明する。
<<Method of manufacturing sintering ink>>
Next, a method for producing the sintering ink of this embodiment will be described.
まず、金属粒子の製造方法について説明する。 First, we will explain the method for manufacturing metal particles.
[金属粒子の製造方法]
まず、溶媒に有機分散剤を溶解した有機分散剤溶液を、予め定めた反応温度(170℃未満)に加熱する。
[Metal particle manufacturing method]
First, an organic dispersant solution prepared by dissolving an organic dispersant in a solvent is heated to a predetermined reaction temperature (less than 170° C.).
つぎに、有機分散剤溶液に金属イオンを含む金属イオン溶液を滴下することにより、有機分散剤に被覆された金属粒子を析出させる。 Next, a metal ion solution containing metal ions is added dropwise to the organic dispersant solution, causing metal particles coated with the organic dispersant to precipitate.
そして、有機分散剤溶液から金属粒子を取り出す。これにより、有機分散剤に被覆された金属粒子を製造することができる。 Then, the metal particles are extracted from the organic dispersant solution. This allows for the production of metal particles coated with organic dispersant.
溶媒としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコールなどのグリコールや、プロパンジオール、ブタンジオール、ベンゼンジオールなどのジオール、アミン、アルコール、エーテル、芳香族、ケトン、ニトリルなどの有機溶媒や、水などを用いることができる。特に、エチレングリコール、ジエチレングリコールやプロパンジオールであることが好ましい。 Solvents that can be used include glycols such as ethylene glycol, diethylene glycol, triethylene glycol, and polyethylene glycol; diols such as propanediol, butanediol, and benzenediol; organic solvents such as amines, alcohols, ethers, aromatic compounds, ketones, and nitriles; and water. Ethylene glycol, diethylene glycol, and propanediol are particularly preferred.
溶媒の沸点は、260℃未満であることが望ましい。ここでいう溶媒の沸点とは、例えば、示差熱分析装置によって測定した、溶媒と基準物質との温度差がピークとなる温度である。 The boiling point of the solvent is preferably below 260°C. The boiling point of the solvent here refers to the temperature at which the temperature difference between the solvent and a reference substance peaks, as measured, for example, using a differential thermal analyzer.
有機分散剤としては、ポリビニルピロリドンやポリビニルアルコール(PVA)などのポリマーや、オレイルアミンやブチルアミンなどのアミンや、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基、カルボニル基、エステル基、メルカプト基等の官能基を含む化合物などを用いることができる。特に、ポリビニルピロリドンを用いることが好ましい。 Examples of organic dispersants that can be used include polymers such as polyvinylpyrrolidone and polyvinyl alcohol (PVA), amines such as oleylamine and butylamine, and compounds containing functional groups such as hydroxyl groups, carboxyl groups, alkoxy groups, carbonyl groups, ester groups, and mercapto groups. Polyvinylpyrrolidone is particularly preferred.
発明者らは、金属イオンを滴下する際の、有機分散剤溶液を170℃未満に設定することにより、示差熱分析した場合に、200℃以下にピークP1を有し、100℃から、ピークP1の頂点温度までの温度範囲における、基準物質との温度差の変化が、温度の上昇に対して線形であるという特徴を示す金属粒子を製造することができることを見出したものである。 The inventors discovered that by setting the temperature of the organic dispersant solution to less than 170°C when the metal ions are dropped, it is possible to produce metal particles that, when subjected to differential thermal analysis, have a peak P1 at or below 200°C, and exhibit a linear change in the temperature difference with respect to the rise in temperature from a reference material in the temperature range from 100°C to the peak temperature of peak P1.
[インク用溶媒への金属粒子の分散]
上記製造方法により製造された金属粒子を、インク用溶媒へ分散させる。
[Dispersion of metal particles in ink solvent]
The metal particles produced by the above-described production method are dispersed in an ink solvent.
インク用溶媒としては、上述したものを用いる。インク用溶媒に対する金属粒子の分散濃度としては、例えば10wt%~95wt%程度とすることができる。このとき、インクジェット方式等に用いられる焼結用インクは低濃度とし、スクリーン印刷等に用いられる焼結用インクは、高濃度にすることが好ましい。特に、厚い配線を形成する場合は、高濃度に調整した焼結用インクを用いてスクリーン印刷する事が好ましい。また、必要に応じてインク溶媒中に、金属粒子の分散性向上させる高分子・有機物などを添加しても良い。 The ink solvent used is the one described above. The dispersion concentration of the metal particles in the ink solvent can be, for example, about 10 wt% to 95 wt%. In this case, it is preferable that the sintering ink used in inkjet methods, etc., is low concentration, and that the sintering ink used in screen printing, etc., is high concentration. In particular, when forming thick wiring, it is preferable to use a sintering ink adjusted to a high concentration for screen printing. Furthermore, if necessary, polymers or organic substances that improve the dispersibility of the metal particles may be added to the ink solvent.
以上により、焼結用インクを製造することができる。 This allows the sintering ink to be produced.
なお、焼結用インクから金属粒子を取り出すことも可能である。具体的には、インク用溶媒を溶解する溶媒を焼結用インクに混合してインク用溶媒を溶解した後、フィルタや遠心分離にかけることより、金属粒子を取り出すことができる。取り出された金属粒子は、有機分散材で被覆された状態であるため、示差熱分析を行うことにより、DTAチャートを得た場合、上述の200℃以下にピークP1を有し、その立ち上がりの傾斜が上述のように線形の特徴を持つものと考えられる。 It is also possible to extract metal particles from the sintering ink. Specifically, a solvent that dissolves the ink solvent is mixed with the sintering ink to dissolve the ink solvent, and then the metal particles can be extracted by filtering or centrifuging. Because the extracted metal particles are coated with an organic dispersant, when a DTA chart is obtained by differential thermal analysis, it is believed that there is a peak P1 below 200°C as mentioned above, and the slope of the rising edge has the linear characteristic as mentioned above.
<<回路基板の製造方法>>
本実施形態の焼結用インクを用いて回路基板を製造する方法について説明する。
<<Circuit board manufacturing method>>
A method for manufacturing a circuit board using the sintering ink of this embodiment will be described.
基板の上に、焼結用インクを配線の形状に塗布して配線形状の膜を形成する。塗布方法としては、例えば、インクジェット、ディスペンス、フレキソ、グラビア、グラビアオフセット、スクリーン印刷方法を用いることができる。膜厚は、焼結後に所望の厚さになるように、予め求めておいた厚さに塗布する。塗布後に、次工程の焼結工程の温度よりも低い温度で加熱してインクの溶媒を蒸発させてもよいし、濃縮される程度に溶媒を蒸発させても良い。 The sintering ink is applied to the substrate in the shape of a wiring to form a film in the shape of a wiring. Application methods that can be used include, for example, inkjet, dispensing, flexography, gravure, gravure offset, and screen printing. The film is applied to a predetermined thickness so that the desired thickness is achieved after sintering. After application, the ink solvent can be evaporated by heating at a temperature lower than the temperature of the subsequent sintering process, or the solvent can be evaporated to the extent that the ink is concentrated.
つぎに、配線形状の膜を、ピークの頂点温度以上の予め定めた温度(例えば、200℃)まで加熱する。これにより焼結用インクに含まれる金属粒子を焼結する。このとき、金属粒子は、100℃から、200℃以下のピークの頂点温度までの温度範囲におけるDTAの基準物質との温度差(示差)が、温度の上昇に対して線形であるため、焼結はゆっくり進行すると推測される。 Next, the wiring-shaped film is heated to a predetermined temperature (e.g., 200°C) above the peak apex temperature. This sinters the metal particles contained in the sintering ink. At this time, the temperature difference (differential) between the metal particles and the DTA reference material in the temperature range from 100°C to the peak apex temperature of 200°C or less is linear with increasing temperature, so sintering is presumed to proceed slowly.
上記工程により、基板上にクラックが抑制された配線が形成され、回路基板を製造することができる。特に、配線の厚さは、10μm以上であってもクラックの発生を抑制することができる。 The above process allows for the formation of wiring on the substrate with reduced cracking, enabling the manufacture of circuit boards. In particular, cracking can be suppressed even when the wiring is 10 μm or thicker.
上記回路基板に用いる基板の材質としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリカーボネート(PC)、アクリル、エポキシ、シリコーン、液晶ポリマー、ガラスエポキシ、紙フェノール、セラミック、ガラス含有シリコーンガラス、ガラス等の他、表面を絶縁層で被覆した金属などを用いることができる。 Materials for the substrate used in the above circuit boards include polyimide, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), acrylic, epoxy, silicone, liquid crystal polymer, glass epoxy, paper phenol, ceramic, glass-containing silicone glass, glass, etc., as well as metals coated with an insulating layer on the surface.
以下、本発明の実施例について説明する。 The following describes an example of the present invention.
<銀粒子の合成>
まず、実施例および比較例の金属粒子として銀粒子を合成した。この銀粒子は、製造過程における凝集を防止するため、表面が有機分散剤であるポリビニルピロリドンで被覆されている。
<Synthesis of silver particles>
First, silver particles were synthesized as metal particles for the examples and comparative examples. The surfaces of these silver particles were coated with polyvinylpyrrolidone, an organic dispersant, to prevent aggregation during the manufacturing process.
(実施例1-10)
銀粒子は、ポリオール法により合成した。まず、ポリビニルピロリドン(分子量10000、PVPと称す)10g~30gと、溶媒であるジエチレングリコール200gとを撹拌して、PVPを溶媒に溶解させ、このPVP溶液を150℃または160の反応温度まで加熱した。
(Examples 1-10)
The silver particles were synthesized by the polyol method. First, 10 to 30 g of polyvinylpyrrolidone (molecular weight 10,000, referred to as PVP) was dissolved in 200 g of diethylene glycol as a solvent by stirring, and the PVP solution was heated to a reaction temperature of 150°C or 160°C.
硝酸銀8gとジエチレングリコール40gとを撹拌し、硝酸銀をジエチレングリコールに溶解させ、銀イオン含有溶液を用意した。 8g of silver nitrate and 40g of diethylene glycol were stirred to dissolve the silver nitrate in the diethylene glycol, preparing a solution containing silver ions.
銀イオン含有溶液を、反応温度まで加熱したPVP溶液に滴下した後、溶液を所定時間、反応温度に保ちながら撹拌し続けた。 The silver ion-containing solution was added dropwise to the PVP solution heated to the reaction temperature, and the solution was then stirred for the specified time while being maintained at the reaction temperature.
反応後、降温させ、銀粒子を回収し、アルコールなどで希釈後、フィルタや遠心分離を行うことで、PVPで被覆された銀粒子を得た。遠心分離は不要物を除去するために行うものであり、ろ過などの方法を用いることもできる。 After the reaction, the temperature is lowered, the silver particles are collected, diluted with alcohol, etc., and then filtered or centrifuged to obtain silver particles coated with PVP. Centrifugation is performed to remove unnecessary substances, and methods such as filtration can also be used.
実施例1-10のそれぞれのPVPの量および反応温度は、表1に示した通りである。
(比較例1-10)
比較例1-10では、反応温度を170℃または180℃にした。それ以外は、実施例1-10と同様に銀粒子を製造した。
(Comparative Examples 1-10)
In Comparative Example 1-10, the reaction temperature was set to 170° C. or 180° C. Except for this, silver particles were produced in the same manner as in Example 1-10.
比較例1-10のそれぞれのPVPの量および反応温度は、表1に示した通りである。 The amount of PVP and reaction temperature for each of Comparative Examples 1-10 are as shown in Table 1.
<粒径の測定>
実施例9、10、比較例9、10の銀粒子を、電界放出形走査電子顕微鏡(FE-SEM)により、10,000~100,000倍程度で撮影し、得られた画像を解析することにより、銀粒子の粒径を測定した。実施例9は、15nm~70nm、実施例10は、15nm~80nm、比較例9は、15nm~80nm、比較例10は、15nm~85nmであった。
<Measurement of particle size>
The silver particles of Examples 9 and 10 and Comparative Examples 9 and 10 were photographed at approximately 10,000 to 100,000 magnifications using a field emission scanning electron microscope (FE-SEM), and the resulting images were analyzed to measure the particle size of the silver particles. The particle sizes were 15 to 70 nm for Example 9, 15 to 80 nm for Example 10, 15 to 80 nm for Comparative Example 9, and 15 to 85 nm for Comparative Example 10.
<TG/DTA装置による熱分析>
実施例9~10および比較例9~10の焼結用組成物(導電性インク)を基準物質とともにTG/DTA装置の加熱炉内に配置し、5℃/minの昇温速度で加熱し、30℃~600℃の範囲における重量減少率と、30℃~600℃の範囲におけるTG/DTAチャートをそれぞれ測定した。TG/DTA装置としては、示差熱熱重量同時測定装置(島津製作所製 DTG-60A 型)を用い、雰囲気は(大気)とした。リファレンスは、空のアルミカップを用いた(すなわち、基準物質は空気とした)。なお、ここでは基準物質を空気としたが、一般的に示差熱分析において用いられる基準物質を用いることももちろん可能であり、例えば酸化アルミニウム(α-アルミナ)や塩化カリウムを用いることができる。
<Thermal analysis using a TG/DTA device>
The sintering compositions (conductive inks) of Examples 9 and 10 and Comparative Examples 9 and 10 were placed in the heating furnace of a TG/DTA apparatus together with a reference material and heated at a temperature increase rate of 5°C/min. The weight loss rate in the range of 30°C to 600°C and the TG/DTA chart in the range of 30°C to 600°C were measured. A simultaneous differential thermal and thermogravimetric analyzer (Shimadzu Corporation, Model DTG-60A) was used as the TG/DTA apparatus, and the atmosphere was air. An empty aluminum cup was used as the reference (i.e., air was used as the reference material). Note that while air was used as the reference material here, it is of course possible to use reference materials commonly used in differential thermal analysis, such as aluminum oxide (α-alumina) or potassium chloride.
実施例9と比較例10のTGチャートとDTAチャートを図1(a),(b)に示す。 The TG charts and DTA charts for Example 9 and Comparative Example 10 are shown in Figures 1(a) and (b).
実施例1-10の銀粒子の特徴として、200℃以下に立上りの緩やかな傾きを持つDTAピークP1(発熱反応)を持っていた。実施例1-10のように、銀粒子の製造時、反応温度を150℃もしくは160℃に設定して製造した銀粒子は、200℃以下になだらかなDTAピークしか出来なかった。しかし、比較例1-10のように、反応温度を170℃もしくは180℃に設定して製造した銀粒子は、200℃以下に立上りのきつい(2段の傾きを持つ)発熱反応が存在し、重量比も、この発熱反応において低下する。これは、PVP量(10~30g)と反応温度(150~180℃)の組み合わせの20条件(実施例1-10および比較例1-10)の全てに共通する特徴であった。 A characteristic of the silver particles of Example 1-10 was that they had a DTA peak P1 (exothermic reaction) with a gentle rise below 200°C. Silver particles produced at a reaction temperature of 150°C or 160°C, as in Example 1-10, only exhibited a gentle DTA peak below 200°C. However, silver particles produced at a reaction temperature of 170°C or 180°C, as in Comparative Example 1-10, exhibited an exothermic reaction with a steep rise (two-step slope) below 200°C, and the weight ratio also decreased during this exothermic reaction. This was a characteristic common to all 20 combinations of PVP amount (10-30g) and reaction temperature (150-180°C) (Examples 1-10 and Comparative Examples 1-10).
なお、200℃以下の立上りの傾きの緩やかな発熱反応の部分は、金属粒子の焼結による。比較例1-10のように傾きが2段階で、そのうちの急な傾きの部分は、金属粒子の周りに付着したPVPの影響が、金属粒子の焼結の発熱反応に対して大きく表れているものと考えられる。例えば、金属粒子の周りに付着しているPVPが変質しているため、傾きが2段階になった可能性が推測される。また、理由は不明だが、粒子表面のPVPの燃焼温度は、銀粒子の合成時の反応温度によって変動すると考えられる。 The gently rising exothermic reaction below 200°C is due to the sintering of the metal particles. As in Comparative Example 1-10, the slope is two-stage, and the steeper slope is thought to be due to the significant influence of the PVP attached around the metal particles on the exothermic reaction of sintering the metal particles. For example, it is speculated that the two-stage slope may be due to the PVP attached around the metal particles being altered. Furthermore, although the reason is unknown, it is thought that the combustion temperature of the PVP on the particle surface varies depending on the reaction temperature during silver particle synthesis.
また、実施例1-10の銀粒子のDTAチャートについて、100℃から、ピークの頂点温度より20℃低い温度の範囲のDTAチャートの傾斜を算出したところ、表1に示す通り、0.18μV/℃以上0.21μV/℃以下であった。 Furthermore, when the slope of the DTA chart for the silver particles of Example 1-10 was calculated in the temperature range from 100°C to a temperature 20°C lower than the peak temperature, it was found to be 0.18 μV/°C or more and 0.21 μV/°C or less, as shown in Table 1.
これに対し、比較例1-10の銀粒子のDTAチャートについて、100℃から、ピークの頂点温度より20℃低い温度の範囲のDTAチャートの傾斜を算出したところ、表1に示す通り、0.23以上0.25以下であり、実施例1-10の傾斜より急な傾きであった。また、比較例1-10の銀粒子のDTAチャートは、ピークの頂点温度より13℃から23℃低い温度に変曲点(傾斜が変化する点)を有していた。さらに、ピークの頂点温度より20℃低い温度からピークの頂点温度の範囲のDTAチャートの傾斜を算出したところ、表1に示す通り、0.88以上1.98以下であり、実施例1-10の傾斜よりも急な傾きであった。 In contrast, when the slope of the DTA chart for the silver particles of Comparative Example 1-10 was calculated in the range from 100°C to a temperature 20°C lower than the peak apex temperature, it was 0.23 or greater and 0.25 or less, as shown in Table 1, which was a steeper slope than the slope of Example 1-10. Furthermore, the DTA chart for the silver particles of Comparative Example 1-10 had an inflection point (the point where the slope changes) at a temperature 13°C to 23°C lower than the peak apex temperature. Furthermore, when the slope of the DTA chart was calculated in the range from a temperature 20°C lower than the peak apex temperature to the peak apex temperature, it was 0.88 or greater and 1.98 or less, as shown in Table 1, which was a steeper slope than the slope of Example 1-10.
なお、反応温度によって、200℃以下のDTAピークの傾斜がなだらかになったり、急傾斜(2段の傾きを持つ)になる理由は解明できていないが、銀粒子の周りに付着するPVPが影響しており、条件によってPVPに変質が生じたり、付着の仕方が異なったりするためと考えられる。 It is not clear why the slope of the DTA peak below 200°C becomes gentler or steeper (having a two-step slope) depending on the reaction temperature, but this is thought to be due to the influence of the PVP that adheres to the silver particles, with the PVP changing quality or adhering differently depending on the conditions.
<焼結用インクの製造>
つぎに、実施例1-10および比較例1-10の銀粒子を用いて焼結用インクを製造した。
<Production of sintering ink>
Next, sintering inks were produced using the silver particles of Examples 1-10 and Comparative Examples 1-10.
溶媒であるポリエチレングリコール(平均分子量200)に、Ag濃度が85wt%-88wt%になるよう銀粒子を加え撹拌した。これにより、実施例1-10および比較例1-10の焼結用インクを製造した。 Silver particles were added to the solvent polyethylene glycol (average molecular weight 200) and stirred to an Ag concentration of 85 wt%-88 wt%. This produced the sintering inks of Examples 1-10 and Comparative Examples 1-10.
<配線基板の製造>
実施例1-10および比較例1-10の銀粒子を含む焼結用組成物インクを基板上にスクリーン印刷し、温度200℃で1時間加熱して銀粒子を焼結し、配線を形成した。厚みは、焼結後に10μm以上となるようにした。
<Manufacturing of wiring boards>
The sintering composition inks containing silver particles of Examples 1-10 and Comparative Examples 1-10 were screen-printed onto a substrate, and the silver particles were sintered by heating at a temperature of 200°C for 1 hour to form wiring. The thickness was set to be 10 µm or more after sintering.
<クラックの測定>
焼結した焼結物(配線)を実体顕微鏡で撮影した。これにより、焼結物にクラックが発生しているかどうかを確認した。また、クラックの面積を画像上で求めることにより、焼結物全体に占めるクラックの面積を算出した。焼結物(配線)の画像と、クラックの面積率を図3に示す。
<Crack measurement>
The sintered product (wiring) was photographed using a stereo microscope. This confirmed whether cracks had occurred in the sintered product. In addition, the area of the cracks was measured on the image to calculate the area of the cracks relative to the entire sintered product. The image of the sintered product (wiring) and the area ratio of the cracks are shown in Figure 3.
図3のように実施例1-10の焼結用インクで製造した配線には、クラックは全く発生していなかった。比較例1-10は、クラックが13%以上の面積率で発生していた。 As shown in Figure 3, no cracks occurred in the wiring produced using the sintering ink of Example 1-10. In Comparative Example 1-10, cracks occurred at an area rate of 13% or more.
このようにクラックの発生に実施例1-10と比較例1-10とで大きな差が生じたのは、DTAチャートにおいて、200℃以下のDTAピークの傾き度合いが異なるためであると考えられる。すなわち、200℃以下のDTAピークの傾斜がきつい比較例1-10の銀粒子は、加熱されることにより、急激に発熱し、急激な焼結を生じることによりクラックが発生しやすくなっていると考えられる。 This large difference in crack occurrence between Example 1-10 and Comparative Example 1-10 is thought to be due to the difference in the slope of the DTA peak below 200°C in the DTA chart. In other words, the silver particles of Comparative Example 1-10, which have a steep slope of the DTA peak below 200°C, generate heat rapidly when heated, causing rapid sintering and making them more susceptible to crack occurrence.
さらに説明すると、200℃以下になだらかなDTAピークを持つ銀粒子を含有した実施例1-10の焼結用インクを200℃の条件で焼結する場合と、200℃以下に立上りの傾斜のきつい(2段の傾きを持つ)DTAピークを持つ銀粒子を含有した比較例1-10の焼結用インクを200℃の条件で焼結する場合では、比較例1-10の焼結用インクの方が、急激に焼結されるため、焼結時のストレスが大きく、配線にクラックが現れやすくなる。一方、なだらかな傾きを持つDTAピークを持つ実施例1-10の焼結用インクは、ゆっくり焼結されるため焼結時のストレスを低くしたまま焼結体を作成出来るため、配線にクラックが発生しにくくなると考えられる。 To explain further, when the sintering ink of Example 1-10, which contains silver particles with a gentle DTA peak below 200°C, is sintered at 200°C, and the sintering ink of Comparative Example 1-10, which contains silver particles with a DTA peak with a steep rise (two-step slope) below 200°C, is sintered at 200°C, the sintering ink of Comparative Example 1-10 is sintered more rapidly, resulting in greater stress during sintering and making cracks more likely to appear in the wiring. On the other hand, the sintering ink of Example 1-10, which has a gentle DTA peak, is sintered more slowly, allowing for a sintered body to be created with lower stress during sintering, which is thought to make the wiring less susceptible to cracks.
<空隙率の測定>
また、実施例9と比較例10の配線のクラックが発生していない領域のSEM(走査型電子顕微鏡)画像を撮影した。その画像を図4に示す。この画像から銀粒子と銀粒子の間に空隙が存在していることが確認できる。全体に占める空隙の面積の割合(空隙率)を算出したところ、実施例9は14.5%であったのに対し、比較例10は4.9%であった。
<Porosity measurement>
In addition, SEM (scanning electron microscope) images were taken of areas of the wiring in Example 9 and Comparative Example 10 where no cracks had occurred. The images are shown in Figure 4. From these images, it can be seen that voids exist between the silver particles. When the proportion of the void area to the total area (void ratio) was calculated, it was 14.5% for Example 9 and 4.9% for Comparative Example 10.
実施例9の焼結インクで製造した配線は、緩やかに焼結されたため焼き縮みが少なく、比較例10の焼結インクで製造した配線は、急激に焼結されたため焼き縮みが大きいため空隙率に差が生じたためであると推察される。 It is believed that the difference in porosity is due to the wiring produced with the sintered ink of Example 9 being sintered slowly and therefore suffering from little shrinkage, while the wiring produced with the sintered ink of Comparative Example 10 being sintered rapidly and therefore suffering from greater shrinkage.
上述してきた実施形態および実施例の銀粒子を用いて焼結物を製造することにより、クラックが発生しにくいため、プリンテッドエレクトロニクス関連に使用される配線や、タッチパネルならびに透明スクリーンなど配線や、車載機器、照明装置、通信装置、遊技機、OA機器、産業機器、一般民生家電機器などの回路基板の配線を形成する用途に好適である。 By producing a sintered product using the silver particles of the above-described embodiments and examples, cracks are less likely to occur, making it suitable for use in forming wiring used in printed electronics, wiring for touch panels and transparent screens, and wiring for circuit boards in automotive equipment, lighting devices, communication devices, gaming machines, office automation equipment, industrial equipment, and general consumer electronics devices.
また、実施形態および実施例の銀粒子は、配線だけでなく、接合部に使用することにより、クラック発生率の低い接合体が作製可能になる。例えば、LEDの接合部に用いることにより、順方向電圧VFが低くなり、熱抵抗が低くなり、LEDからの発熱量も低減出来る。 Furthermore, by using the silver particles of the embodiments and examples not only in wiring but also in joints, it becomes possible to create joints with a low crack occurrence rate. For example, by using them in the joints of LEDs, the forward voltage VF is lowered, the thermal resistance is lowered, and the amount of heat generated by the LED can also be reduced.
Claims (7)
金属イオンを含む金属イオン溶液を前記有機分散剤溶液に滴下することにより、前記有機分散剤に被覆された金属粒子を析出させる工程と、
前記有機分散剤溶液から前記有機分散剤に被覆された金属粒子を取り出す工程とを含み、
前記有機分散剤は、ポリビニルピロリドンであり、
前記反応温度は、170℃未満である金属粒子の製造方法によって製造された金属粒子が、インク用溶媒に分散された焼結用インク。 a step of heating an organic dispersant solution obtained by dissolving an organic dispersant in a solvent to a predetermined reaction temperature;
a step of dropping a metal ion solution containing metal ions into the organic dispersant solution to precipitate metal particles coated with the organic dispersant;
and removing the metal particles coated with the organic dispersant from the organic dispersant solution.
the organic dispersant is polyvinylpyrrolidone,
A sintering ink in which metal particles produced by the method for producing metal particles , in which the reaction temperature is less than 170°C, are dispersed in an ink solvent.
金属イオンを含む金属イオン溶液を前記有機分散剤溶液に滴下することにより、前記有機分散剤に被覆された金属粒子を析出させる工程と、
前記有機分散剤溶液から前記有機分散剤に被覆された金属粒子を取り出す工程とを含み、
前記有機分散剤は、ポリビニルピロリドンであり、前記反応温度は、170℃未満である金属粒子の製造方法によって製造された金属粒子であって、
示差熱分析法により加熱しながら基準物質との温度差を求めた場合、温度と前記温度差との関係を示す示差熱分析チャートが、200℃以下にピークを有し、100℃から、前記ピークの頂点温度までの温度範囲において、変曲点を持たず、かつ、100℃から、少なくとも前記ピークの頂点温度より20℃低い温度の範囲において、線形である金属粒子が、インク用溶媒に分散された焼結用インク。 a step of heating an organic dispersant solution obtained by dissolving an organic dispersant in a solvent to a predetermined reaction temperature;
a step of dropping a metal ion solution containing metal ions into the organic dispersant solution to precipitate metal particles coated with the organic dispersant;
and removing the metal particles coated with the organic dispersant from the organic dispersant solution.
The organic dispersant is polyvinylpyrrolidone, and the reaction temperature is less than 170°C.
A sintering ink in which metal particles are dispersed in an ink solvent, and when the temperature difference with a reference material is determined while heating by differential thermal analysis, the differential thermal analysis chart showing the relationship between temperature and said temperature difference has a peak at or below 200°C, has no inflection point in the temperature range from 100°C to the peak temperature of said peak, and is linear in the temperature range from 100°C to at least 20°C lower than the peak temperature of said peak.
金属イオンを含む金属イオン溶液を前記有機分散剤溶液に滴下することにより、前記有機分散剤に被覆された金属粒子を析出させる工程と、
前記有機分散剤溶液から前記有機分散剤に被覆された金属粒子を取り出す工程とを含み、
前記有機分散剤は、ポリビニルピロリドンであり、前記反応温度は、170℃未満である金属粒子の製造方法によって製造された金属粒子であって、
示差熱分析法により加熱しながら基準物質との温度差を求めた場合、温度と前記温度差との関係を示す示差熱分析チャートが、当該金属粒子の焼結を示すピークを有し、100℃から、前記ピークの頂点温度までの温度範囲において、変曲点を持たず、かつ、100℃から、少なくとも前記ピークの頂点温度より20℃低い温度の範囲において、線形である金属粒子が、インク用溶媒に分散された焼結用インク。 a step of heating an organic dispersant solution obtained by dissolving an organic dispersant in a solvent to a predetermined reaction temperature;
a step of dropping a metal ion solution containing metal ions into the organic dispersant solution to precipitate metal particles coated with the organic dispersant;
and removing the metal particles coated with the organic dispersant from the organic dispersant solution.
The organic dispersant is polyvinylpyrrolidone, and the reaction temperature is less than 170°C.
A sintering ink in which metal particles are dispersed in an ink solvent, and when the temperature difference with a reference material is determined while heating using differential thermal analysis, a differential thermal analysis chart showing the relationship between temperature and said temperature difference has a peak indicating sintering of the metal particles, has no inflection point in the temperature range from 100°C to the peak temperature of said peak, and is linear in the temperature range from 100°C to a temperature at least 20°C lower than the peak temperature of said peak.
前記膜を予め定めた温度まで加熱することにより前記焼結用インクに含まれる前記金属粒子を焼結し、配線を形成する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 A step of applying the sintering ink according to claim 1 onto a substrate to form a film;
and heating the film to a predetermined temperature to sinter the metal particles contained in the sintering ink to form wiring.
前記膜を前記ピークの頂点温度以上まで加熱することにより前記焼結用インクに含まれる前記金属粒子を焼結し、配線を形成する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 A step of applying the sintering ink according to claim 2 onto a substrate to form a film;
and heating the film to a temperature equal to or higher than the peak temperature to sinter the metal particles contained in the sintering ink and form wiring.
前記膜を前記ピークの頂点温度以上まで加熱することにより前記焼結用インクに含まれる前記金属粒子を焼結し、配線を形成する工程とを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。 A step of applying the sintering ink according to claim 3 onto a substrate to form a film;
and heating the film to a temperature equal to or higher than the peak temperature to sinter the metal particles contained in the sintering ink and form wiring.
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