JP7794577B2 - processing equipment - Google Patents
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- JP7794577B2 JP7794577B2 JP2021104620A JP2021104620A JP7794577B2 JP 7794577 B2 JP7794577 B2 JP 7794577B2 JP 2021104620 A JP2021104620 A JP 2021104620A JP 2021104620 A JP2021104620 A JP 2021104620A JP 7794577 B2 JP7794577 B2 JP 7794577B2
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Description
本発明は、表面側及び裏面側の各外周部に面取り部が形成されているウェーハの表面側の面取り部、又は、表面側及び裏面側の両方の面取り部を除去する加工装置に関する。 The present invention relates to a processing device that removes the chamfer on the front side of a wafer that has chamfers formed on the outer periphery of both the front and back sides, or the chamfers on both the front and back sides.
半導体デバイスチップの製造には、例えば、シリコン製のウェーハが使用される。ウェーハの表(おもて)面側の外周部と、裏面側の外周部とには、加工時や搬送時にウェーハの外周部に欠け等が生じることを防ぐために、面取り部が形成されている。 Semiconductor device chips are manufactured using, for example, silicon wafers. The outer periphery of the front and back surfaces of the wafers are chamfered to prevent chipping or other damage to the wafer's periphery during processing or transportation.
半導体デバイスチップの製造工程では、ウェーハの表面側にデバイスを形成した後、半導体デバイスチップの薄化のためにウェーハの裏面側を研削する。しかし、例えば、当初厚さの半分以下にウェーハを薄化すると、ウェーハの外周部にシャープエッジ(ナイフエッジとも言う)が形成される。 In the manufacturing process of semiconductor device chips, after devices are formed on the front side of the wafer, the back side of the wafer is ground to thin the semiconductor device chips. However, if the wafer is thinned to, for example, less than half its original thickness, a sharp edge (also known as a knife edge) is formed on the outer periphery of the wafer.
シャープエッジは、薄化されたウェーハの欠けや破損につながる。そこで、裏面側を研削する前に、表面側の面取り部の除去(エッジトリミングとも言う)が行われる(例えば、特許文献1参照)。 Sharp edges can lead to chipping or breakage of the thinned wafer. Therefore, before grinding the backside, the chamfer on the front side is removed (also known as edge trimming) (see, for example, Patent Document 1).
エッジトリミングでは、例えば、ウェーハの裏面側全体をチャックテーブルの保持面で吸引保持し、ウェーハの表面側の外周部の所定深さに切削ブレードを切り込んだ状態で、チャックテーブルを所定方向に回転させる。しかし、裏面側全体を保持面で吸引保持することに起因して裏面側が汚染され、この汚染が後続する工程で問題を起こすことがある。 In edge trimming, for example, the entire backside of the wafer is held by suction on the holding surface of a chuck table, and the chuck table is rotated in a predetermined direction while the cutting blade cuts into the outer periphery of the front side of the wafer to a predetermined depth. However, holding the entire backside by suction on the holding surface can cause contamination of the backside, which can cause problems in subsequent processes.
例えば、エッジトリミングが施されたウェーハの清浄度が比較的低く、裏面側に微細な塵(パーティクル)が付着していると、このウェーハの裏面側に他のウェーハを張り合わせる際に、ウェーハの割れが生じる。 For example, if the cleanliness of a wafer that has undergone edge trimming is relatively low and fine dust (particles) are attached to the backside, the wafer may crack when another wafer is bonded to the backside of this wafer.
そこで、ウェーハの清浄度を高めるために、エッジトリミング時にウェーハを吸引保持する領域を裏面側の外周部近傍の環状領域に制限し、更に、エッジトリミング後に、裏面側の外周部近傍の環状領域を、ウェーハの表面側と共に洗浄することが提案されている(例えば、特許文献2参照)。 In order to improve the cleanliness of the wafer, it has been proposed to limit the area in which the wafer is suction-held during edge trimming to an annular area near the outer periphery on the backside, and further to clean this annular area near the outer periphery on the backside together with the frontside of the wafer after edge trimming (see, for example, Patent Document 2).
具体的には、まず、裏面側の外周部近傍の環状領域を環状吸引部で吸引保持した状態で表面側にエッジトリミングを施す。その後、環状吸引部の径よりも小さな外径の保持面を有するチャックテーブルで、ウェーハの裏面側の中央部を吸引保持し、裏面側のうち環状吸引部で吸引されていた領域を露出させる。 Specifically, edge trimming is first performed on the front side while the annular region near the outer periphery of the back side is held by suction with an annular suction part. Then, the central part of the back side of the wafer is held by suction with a chuck table having a holding surface with an outer diameter smaller than the diameter of the annular suction part, exposing the area of the back side that was held by the annular suction part.
この状態で、チャックテーブルを回転させながら、ウェーハの裏面側に洗浄水を噴射して裏面側を洗浄する。しかし、この手法を採用しても、裏面側の中央部と保持面とが接触するので、裏面側には微小な傷が形成されたり、パーティクルが付着したりする。 In this state, the chuck table is rotated while cleaning water is sprayed onto the backside of the wafer to clean it. However, even with this method, the center of the backside comes into contact with the holding surface, which can cause tiny scratches to form on the backside or particles to adhere.
そこで、ウェーハの裏面側と保持面との接触を回避するために、4個のローラを用いてウェーハの径方向でウェーハをクランプすると共に各ローラを回転させることで、ウェーハを回転させながら洗浄する洗浄装置が提案されている(例えば、特許文献3参照)。 In order to avoid contact between the backside of the wafer and the holding surface, a cleaning device has been proposed that uses four rollers to clamp the wafer in the radial direction and rotates each roller to clean the wafer while rotating it (see, for example, Patent Document 3).
しかし、この洗浄装置を用いて裏面側を洗浄し、次いで、表面側を洗浄するとなると、当該洗浄装置を用いてウェーハを洗浄する時間が長くなり、加工工程全体の進捗が、当該洗浄装置での洗浄工程の進捗により制限される。また、ウェーハの表裏面を反転させる機構が別途必要になる。 However, if this cleaning equipment is used to clean the backside and then the frontside, the time required to clean the wafer using the cleaning equipment increases, and the progress of the entire processing process is limited by the progress of the cleaning process using the cleaning equipment. Furthermore, a separate mechanism is required to flip the wafer over.
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、エッジトリミングを施した後、ウェーハの表面側及び裏面側とチャックテーブルの保持面とを接触させずに、且つ、ウェーハの表裏面を反転させることなく、表面側及び裏面側をそれぞれ洗浄すると共に、加工工程全体の進捗が洗浄工程の進捗により制限される度合を低減することを目的とする。 The present invention was made in consideration of these problems, and aims to clean the front and back sides of the wafer after edge trimming without bringing them into contact with the holding surface of the chuck table and without inverting the wafer, while also reducing the degree to which the progress of the cleaning process limits the progress of the entire processing process.
本発明の一態様によれば、表面側と、該表面とは反対側に位置する裏面側と、の各々の外周部に面取り部が形成されているウェーハの該表面側の該面取り部、又は、該表面側及び該裏面側の両方の該面取り部を除去する加工装置であって、該ウェーハが収容されたカセットが載置されるカセットテーブルと、該カセットテーブルに載置された該カセットに対して該ウェーハを搬出及び搬入可能な搬出入ロボットと、該ウェーハを吸引保持する保持テーブルと、該搬出入ロボットによって搬出された該ウェーハを該保持テーブルへ搬送する第1搬送ユニットと、スピンドルを有し、該保持テーブルで吸引保持された該ウェーハの該表面側の該面取り部、又は、該表面側及び該裏面側の両方の該面取り部を、該スピンドルに装着された切削ブレードで切削して除去する切削ユニットと、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを洗浄するための洗浄エッジクランプ機構を有し、該切削ユニットで切削された該ウェーハの該裏面側を洗浄する第1洗浄ユニットと、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第2搬送エッジクランプ機構を有し、該保持テーブルと該第1洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第2搬送ユニットと、該ウェーハを吸引保持せずに該ウェーハの移動を所定範囲に規制した状態で該ウェーハを洗浄するための移動規制機構を有し、該第1洗浄ユニットで洗浄された該ウェーハの該表面側を洗浄する第2洗浄ユニットと、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第3搬送エッジクランプ機構を有し、該第1洗浄ユニットと該第2洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第3搬送ユニットと、を備え、該保持テーブルは、環状支持面を含む環状支持部と、該環状支持部の径方向において該環状支持部の内側に位置し上面が該環状支持面よりも低い位置にある円板状のベース部材と、該ベース部材の径方向の中央部に位置する円板状の凹部に設けられた円板状の突き上げ部と、を有し、該突き上げ部が該ウェーハを突き上げないときには、該突き上げ部の上面は、該環状支持面よりも低い位置にあるが、該突き上げ部が該ウェーハを突き上げるときには、該突き上げ部の該上面に設けられた流路からエア又は水を該突き上げ部の該上面に供給すると共に該突き上げ部を上昇させることで、該突き上げ部の該上面が該エア又は該水の層により該ウェーハに直接接することなく、該突き上げ部が該ウェーハを突き上げ、該第2洗浄ユニットは、該移動規制機構が設けられた円板状の基台を有し、該移動規制機構は、該基台の上面に設けられ該ウェーハの該裏面側の外周部を支持するための複数のピンと、それぞれ鉤状であり、該基台の側部に設けられ、該基台の径方向及び該基台の厚さ方向における該ウェーハの移動を規制する3つ以上の規制部材と、それぞれ対応して設けられている該規制部材を動かす3つ以上の駆動機構と、を有し、各規制部材は、該ウェーハの最外周部に接触可能なエッジ規制部と、該エッジ規制部の上端部から該基台の中心側へ所定量だけ突出する態様で設けられた上面規制部と、を有する加工装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a processing device for removing a chamfered portion on a front surface side of a wafer, or the chamfered portion on both the front surface side and the back surface side opposite the front surface, the processing device including: a cassette table on which a cassette containing the wafer is placed; a carry-in/out robot capable of carrying the wafer into and out of the cassette placed on the cassette table; a holding table that holds the wafer by suction; a first transport unit that transports the wafer carried out by the carry-in/out robot to the holding table; and a cutting unit having a spindle, the cutting unit cutting and removing the chamfered portion on the front surface side of the wafer held by suction on the holding table, or the chamfered portion on both the front surface side and the back surface side, by using a cutting blade attached to the spindle. a first cleaning unit having a cleaning edge clamp mechanism for cleaning the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and cleaning the back side of the wafer cut by the cutting unit; a second transport unit having a second transport edge clamp mechanism for transporting the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and transporting the wafer between the holding table and the first cleaning unit; a second cleaning unit having a movement restriction mechanism for cleaning the wafer while restricting the movement of the wafer within a predetermined range without holding the wafer by suction, and cleaning the front side of the wafer cleaned by the first cleaning unit; and a third transport unit having a third transport edge clamp mechanism for transporting the wafer while clamped and held at at least three points, and transporting the wafer between the first cleaning unit and the second cleaning unit, wherein the holding table has an annular support portion including an annular support surface, a disk-shaped base member located inside the annular support portion in a radial direction thereof and having an upper surface lower than the annular support surface, and a disk-shaped push-up portion provided in a disk-shaped recess located in the radial center of the base member, wherein when the push-up portion does not push up the wafer, the upper surface of the push-up portion is lower than the annular support surface, but when the push-up portion pushes up the wafer, air or water is supplied to the upper surface of the push-up portion from a flow path provided in the upper surface of the push-up portion and the push- up portion By raising the lifting portion , the lifting portion lifts the wafer without the upper surface of the lifting portion coming into direct contact with the wafer due to the air or water layer , and the second cleaning unit has a disk-shaped base on which the movement restriction mechanism is provided, and the movement restriction mechanism has a plurality of pins provided on the upper surface of the base for supporting the outer periphery of the back side of the wafer, three or more hook-shaped restriction members provided on the sides of the base for restricting movement of the wafer in the radial direction and the thickness direction of the base, and three or more drive mechanisms for moving the restriction members provided corresponding to each other, and each restriction member has an edge restriction portion capable of contacting the outermost periphery of the wafer, and an upper surface restriction portion provided in a manner that protrudes a predetermined amount from the upper end of the edge restriction portion toward the center of the base .
好ましくは、該搬出入ロボットは、該ウェーハのエッジをクランプして保持するためのエッジクランプ機構が設けられたロボットハンドを有する。 Preferably, the transfer robot has a robot hand equipped with an edge clamping mechanism for clamping and holding the edge of the wafer.
好ましくは、該第1搬送ユニットは、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第1搬送エッジクランプ機構を有する。 Preferably, the first transport unit has a first transport edge clamping mechanism for transporting the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer.
好ましくは、該第2搬送ユニット及び該第3搬送ユニットの少なくとも一方は、該ウェーハに水を供給可能な水供給ユニットを有する。 Preferably, at least one of the second transport unit and the third transport unit has a water supply unit capable of supplying water to the wafer.
本発明の他の態様によれば、表面側と、該表面とは反対側に位置する裏面側と、の各々の外周部に面取り部が形成されているウェーハの該表面側の該面取り部、又は、該表面側及び該裏面側の両方の該面取り部を除去する加工装置であって、該ウェーハが収容されたカセットが載置されるカセットテーブルと、該カセットテーブルに載置された該カセットに対して該ウェーハを搬出及び搬入可能な搬出入ロボットと、該ウェーハを吸引保持する保持テーブルと、該搬出入ロボットによって搬出された該ウェーハを該保持テーブルへ搬送する第1搬送ユニットと、スピンドルを有し、該保持テーブルで吸引保持された該ウェーハの該表面側の該面取り部、又は、該表面側及び該裏面側の両方の該面取り部を、該スピンドルに装着された切削ブレードで切削して除去する切削ユニットと、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを洗浄するための洗浄エッジクランプ機構を有し、該切削ユニットで切削された該ウェーハの該裏面側を洗浄する第1洗浄ユニットと、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第2搬送エッジクランプ機構を有し、該保持テーブルと該第1洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第2搬送ユニットと、該ウェーハを吸引保持せずに該ウェーハの移動を所定範囲に規制した状態で該ウェーハを洗浄するための移動規制機構を有し、該第1洗浄ユニットで洗浄された該ウェーハの該表面側を洗浄する第2洗浄ユニットと、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第3搬送エッジクランプ機構を有し、該第1洗浄ユニットと該第2洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第3搬送ユニットと、を備え、該第2搬送ユニット及び該第3搬送ユニットの少なくとも一方は、超音波振動子を有し、該超音波振動子から超音波振動が付与された水を、該ウェーハに吐出するための超音波水吐出ノズルを有し、該第2搬送ユニット及び該第3搬送ユニットは、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するエッジクランプ機構をそれぞれ有する加工装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for removing a chamfered portion on a front surface side of a wafer, or removing the chamfered portion on both the front surface side and the back surface side of the wafer, the processing apparatus comprising: a cassette table on which a cassette containing the wafer is placed; a carry-in/out robot capable of carrying the wafer into and out of the cassette placed on the cassette table; a holding table that holds the wafer by suction; and a first transport unit that transports the wafer carried out by the carry-in/out robot to the holding table. a cutting unit having a spindle and configured to cut and remove the chamfered portion on the front side of the wafer held by suction on the holding table, or the chamfered portions on both the front side and the back side of the wafer, with a cutting blade attached to the spindle; a first cleaning unit having a cleaning edge clamping mechanism for clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer and cleaning the back side of the wafer cut by the cutting unit; a second transfer unit having a second transfer edge clamp mechanism for transporting the wafer while holding it by suction, and for transporting the wafer between the holding table and the first cleaning unit; a second cleaning unit having a movement restriction mechanism for cleaning the wafer while restricting the movement of the wafer within a predetermined range without holding the wafer by suction, and for cleaning the front side of the wafer cleaned by the first cleaning unit; and a third transfer edge clamp for transporting the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer. and a third transport unit having a clamping mechanism for transporting the wafer between the first cleaning unit and the second cleaning unit, at least one of the second transport unit and the third transport unit having an ultrasonic vibrator and an ultrasonic water discharge nozzle for discharging water to which ultrasonic vibrations have been imparted from the ultrasonic vibrator onto the wafer , and the second transport unit and the third transport unit each having an edge clamping mechanism for transporting the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer .
好ましくは、該第2搬送ユニットの該第2搬送エッジクランプ機構と、該第3搬送ユニットの該第3搬送エッジクランプ機構とは、同じ構造の搬送エッジクランプ機構を有する。 Preferably, the second transport edge clamp mechanism of the second transport unit and the third transport edge clamp mechanism of the third transport unit have transport edge clamp mechanisms of the same structure.
好ましくは、該第2洗浄ユニットは、外周部に該移動規制機構が設けられた円板状の基台を有し、該移動規制機構は、該基台の上面に設けられ、該ウェーハの該裏面側の外周部を支持するための複数のピンと、該基台の側部の少なくとも3箇所に設けられ、該基台の径方向及び該基台の厚さ方向における該ウェーハの移動を規制する鉤状の規制部材と、を有する。また、好ましくは、該保持テーブルは、環状溝が設けられ、該ウェーハの外周部を支持可能な環状支持面と、該環状溝に接続され、該環状支持面で支持された該ウェーハの該裏面側の外周部を吸引保持する吸引路と、を有する環状支持部と、該環状支持部よりも内側に位置し、該環状支持面で支持された該ウェーハの該裏面側を突き上げて、該ウェーハを該環状支持面よりも上方に持ち上げる突き上げ部と、を有する。 Preferably, the second cleaning unit has a disk-shaped base on whose outer periphery the movement restricting mechanism is provided, the movement restricting mechanism including: a plurality of pins provided on an upper surface of the base for supporting the outer periphery of the backside of the wafer; and hook-shaped restricting members provided at least at three locations on a side of the base for restricting movement of the wafer in the radial direction and the thickness direction of the base. Also preferably, the holding table has an annular support part having an annular support surface provided with an annular groove for supporting the outer periphery of the wafer, and a suction path connected to the annular groove for suction-holding the outer periphery of the backside of the wafer supported on the annular support surface, and a push-up part located inward of the annular support part for pushing up the backside of the wafer supported on the annular support surface to lift the wafer above the annular support surface.
本発明の一態様に係る加工装置は、ウェーハを洗浄するための洗浄ユニットを2つ備える。具体的には、切削ユニットで切削されたウェーハの裏面側を洗浄する第1洗浄ユニットと、第1洗浄ユニットで洗浄されたウェーハの表面側を洗浄する第2洗浄ユニットと、を備える。 A processing apparatus according to one aspect of the present invention has two cleaning units for cleaning wafers. Specifically, it has a first cleaning unit that cleans the backside of the wafer that has been cut by the cutting unit, and a second cleaning unit that cleans the frontside of the wafer that has been cleaned by the first cleaning unit.
第1洗浄ユニットは、ウェーハの径方向においてウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で、ウェーハを洗浄するための洗浄エッジクランプ機構を有する。第2洗浄ユニットは、ウェーハを吸引保持せずにウェーハの移動を所定範囲に規制した状態でウェーハを洗浄するための移動規制機構を有する。 The first cleaning unit has a cleaning edge clamping mechanism for cleaning the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer. The second cleaning unit has a movement restriction mechanism for cleaning the wafer without holding it by suction while restricting its movement within a predetermined range.
それゆえ、ウェーハにエッジトリミングを施した後、ウェーハの裏面側と、チャックテーブルの保持面とを接触させずに、裏面側を洗浄でき、更に、ウェーハの表面側と、チャックテーブルの保持面とを接触させずに、表面側を洗浄できる。また、ウェーハの表裏面を反転させる必要も無い。 As a result, after edge trimming is performed on the wafer, the back side of the wafer can be cleaned without contact between the back side and the holding surface of the chuck table, and the front side of the wafer can be cleaned without contact between the front side and the holding surface of the chuck table. There is also no need to flip the wafer over.
加えて、1つ目のウェーハの表面側を第2洗浄ユニットで洗浄する間に、2つ目のウェーハの裏面側を第1洗浄ユニットで洗浄できるので、1つの洗浄ユニットを用いてウェーハの裏面側及び表面側を順次洗浄する場合に比べて、加工工程全体の進捗が洗浄工程の進捗により制限される度合を低減できる。 In addition, while the front side of the first wafer is being cleaned in the second cleaning unit, the back side of the second wafer can be cleaned in the first cleaning unit, which reduces the degree to which the progress of the cleaning process limits the progress of the entire processing process compared to when one cleaning unit is used to sequentially clean the back and front sides of wafers.
更に、ウェーハをそれぞれ搬送する第2搬送ユニット及び第3搬送ユニットは、ウェーハの径方向においてウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態でウェーハを搬送する。搬送時におけるウェーハの表面側及び裏面側との接触を抑制できるので、搬送時におけるウェーハの表面側及び裏面側への傷の形成やパーティクルの付着を防止できる。 Furthermore, the second and third transport units, which transport the wafers, transport the wafers while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer. This reduces contact with the front and back sides of the wafer during transport, preventing scratches on the front and back sides of the wafer and particle adhesion during transport.
この様に、エッジトリミング後に、ウェーハのエッジをクランプした搬送と、洗浄エッジクランプ機構を有する第1洗浄ユニットでのウェーハの裏面側の洗浄と、移動規制機構を有する第2洗浄ユニットでのウェーハの表面側の洗浄と、を総合的に行うことで、エッジトリミング後のウェーハの清浄度を高くできる。 In this way, by comprehensively performing the following processes after edge trimming: transporting the wafer while clamping its edge, cleaning the backside of the wafer in a first cleaning unit with a cleaning edge clamping mechanism, and cleaning the frontside of the wafer in a second cleaning unit with a movement restriction mechanism, it is possible to increase the cleanliness of the wafer after edge trimming.
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図1は、ウェーハ11の外周部に対してエッジトリミングを施す加工装置2の斜視図である。なお、図1に示すX軸方向、Y軸方向、及び、Z軸方向は、互いに直交する。 An embodiment of one aspect of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Figure 1 is a perspective view of a processing device 2 that performs edge trimming on the outer periphery of a wafer 11. Note that the X-axis direction, Y-axis direction, and Z-axis direction shown in Figure 1 are mutually orthogonal.
加工装置2は、フレーム(不図示)、カバー部材等を含む直方体状の基台4を有する。基台4は、加工装置2の各構成要素を支持する。基台4の前方(Y軸方向の一方)の端部には、2つのカセットテーブル6a、6bが設けられている。 The processing device 2 has a rectangular parallelepiped base 4 that includes a frame (not shown), a cover member, etc. The base 4 supports each component of the processing device 2. Two cassette tables 6a and 6b are provided at the front end of the base 4 (one end in the Y-axis direction).
2つのカセットテーブル6a、6bの一方(又は両方)には、複数のウェーハ11を収容したカセット8が載置される。カセット8には、それぞれウェーハ11が載置される複数の棚(不図示)が設けられている。 A cassette 8 containing multiple wafers 11 is placed on one (or both) of the two cassette tables 6a, 6b. Each cassette 8 has multiple shelves (not shown) on which the wafers 11 are placed.
ここで、図2(A)及び図2(B)を参照し、ウェーハ11について説明する。図2(A)は、ウェーハ11の斜視図であり、図2(B)は、ウェーハ11の断面図である。ウェーハ11は、例えば、主としてシリコンで形成された半導体ウェーハである。 Now, the wafer 11 will be described with reference to Figures 2(A) and 2(B). Figure 2(A) is a perspective view of the wafer 11, and Figure 2(B) is a cross-sectional view of the wafer 11. The wafer 11 is, for example, a semiconductor wafer made primarily of silicon.
但し、ウェーハ11の材質、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体材料、ガラス、SOI(Silicon on Insulator)等のウェーハや基板を用いることもできる。 However, there are no restrictions on the material, structure, size, etc. of the wafer 11. For example, wafers or substrates made of other semiconductor materials, glass, SOI (Silicon on Insulator), etc. can also be used.
ウェーハ11の径は、例えば、300mm(12インチ)である。ウェーハ11の表面11a側には、複数の分割予定ライン13が設定されている。複数の分割予定ライン13で区画された各矩形領域には、IC(Integrated Circuit)等のデバイス15が形成されている。 The diameter of the wafer 11 is, for example, 300 mm (12 inches). A plurality of planned division lines 13 are set on the front surface 11a of the wafer 11. A device 15 such as an IC (Integrated Circuit) is formed in each rectangular area defined by the plurality of planned division lines 13.
但し、デバイス15の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。ウェーハ11は、デバイス15が形成されていないウェーハ(例えば、ベアウェーハ)であってもよい。 However, there are no restrictions on the type, quantity, shape, structure, size, arrangement, etc. of the devices 15. The wafer 11 may be a wafer on which no devices 15 are formed (e.g., a bare wafer).
複数のデバイス15が形成されているデバイス領域17aを囲む様に、デバイス領域17aの外周部には、デバイス15が形成されておらず略平坦な外周余剰領域17bが存在する。なお、表面11a側とは反対側に位置する裏面11b側は、略平坦である。 A peripheral excess area 17b, where no devices 15 are formed, surrounds the device area 17a, where multiple devices 15 are formed, and is generally flat. The back surface 11b, located opposite the front surface 11a, is also generally flat.
図2(B)に示す様に、表面11a側及び裏面11b側の各外周部には、面取り部11c(ベベル部とも言う)が形成されている。ウェーハ11の厚さ方向において、表面11a側の面取り部11cと、裏面11b側の面取り部11cと、の間には、ウェーハ11の径を規定する最外周部11dが存在する。 As shown in Figure 2(B), a chamfered portion 11c (also called a bevel portion) is formed on each outer periphery of the front surface 11a and back surface 11b. In the thickness direction of the wafer 11, between the chamfered portion 11c on the front surface 11a and the chamfered portion 11c on the back surface 11b, there is an outermost periphery 11d that defines the diameter of the wafer 11.
最外周部11dは、例えば、ウェーハ11の厚さの略半分の位置に存在する。なお、本実施形態では、表面11a側及び裏面11b側の面取り部11cと、最外周部11dと、を併せて、ウェーハ11のエッジ11eと称する。 The outermost periphery 11d is located, for example, at a position approximately halfway through the thickness of the wafer 11. In this embodiment, the chamfered portions 11c on the front surface 11a and back surface 11b and the outermost periphery 11d are collectively referred to as the edge 11e of the wafer 11.
ウェーハ11の裏面11b側には、樹脂製の保護テープが貼り付けられておらず、裏面11bは露出している。ウェーハ11は、例えば、表面11aが上方を向き、裏面11bが下方を向く態様で、カセット8に収容されている。 No resin protective tape is attached to the back surface 11b of the wafer 11, leaving the back surface 11b exposed. The wafer 11 is stored in the cassette 8, for example, with the front surface 11a facing upward and the back surface 11b facing downward.
図1に戻り、2つのカセットテーブル6a、6bの後方(Y軸方向の他方)には、矩形状の開口4aが形成されている。開口4aには、オープンループ構造を有する水平多関節型の搬出入ロボット10が設けられている。図3(A)は、搬出入ロボット10の斜視図である。 Returning to Figure 1, a rectangular opening 4a is formed behind the two cassette tables 6a, 6b (the other side in the Y-axis direction). A horizontally articulated loading/unloading robot 10 with an open-loop structure is installed in the opening 4a. Figure 3(A) is a perspective view of the loading/unloading robot 10.
搬出入ロボット10は、加工前のウェーハ11をカセット8から搬出し、加工後のウェーハ11をカセット8へ搬入する。搬出入ロボット10は、複数(例えば3つ)のアームを有し、最上部に位置するアームの先端部には、ロボットハンド12が設けられている。 The loading/unloading robot 10 unloads unprocessed wafers 11 from the cassette 8 and loads processed wafers 11 into the cassette 8. The loading/unloading robot 10 has multiple arms (e.g., three), and a robot hand 12 is attached to the tip of the uppermost arm.
ロボットハンド12のZ軸方向の厚さは、カセット8の高さ方向で隣接する棚に各々配置された2つのウェーハ11の間に進入できる程に、十分に薄い。ロボットハンド12は、互いに略平行に配置された2つの細長い長手部12aを有する。 The thickness of the robot hand 12 in the Z-axis direction is thin enough to allow it to fit between two wafers 11 placed on adjacent shelves in the height direction of the cassette 8. The robot hand 12 has two elongated longitudinal portions 12a arranged approximately parallel to each other.
2つの長手部12aの基端側は、接続部12bで接続されている。各長手部12aの先端側と、基端側とには、それぞれ1つのクランプ爪12cが設けられている。図3(A)に示す例では、合計4つのクランプ爪12cが設けられている。 The base ends of the two longitudinal portions 12a are connected by a connecting portion 12b. One clamp claw 12c is provided on each of the distal and proximal ends of each longitudinal portion 12a. In the example shown in Figure 3(A), a total of four clamp claws 12c are provided.
但し、3つ以上のクランプ爪12cが設けられていればよく、クランプ爪12cの数は、4つに限定されるものではない。図3(B)は、ロボットハンド12の正面図である。図3(B)に示す様に、クランプ爪12cは、円錐台及び逆円錐台の各小径円が接続されたくびれ形状を有する。 However, the number of clamping claws 12c is not limited to four, as long as three or more clamping claws 12c are provided. Figure 3(B) is a front view of the robot hand 12. As shown in Figure 3(B), the clamping claws 12c have a constricted shape in which the small diameter circles of a truncated cone and an inverted truncated cone are connected.
クランプ爪12cの外表面は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等のフッ素樹脂で被覆されている。クランプ爪12cの下部にはピン(不図示)が設けられており、このピンは、長手部12aの上面に形成されている長穴12d(図3(A)参照)に沿って移動可能である。 The outer surface of the clamp claw 12c is coated with a fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE). A pin (not shown) is provided at the bottom of the clamp claw 12c, and this pin can move along an elongated hole 12d (see Figure 3(A)) formed on the top surface of the longitudinal portion 12a.
例えば、4つのクランプ爪12cは、第1駆動ユニット(不図示)により、長穴12dに沿って略同じ距離だけ移動する。4つのクランプ爪12c、第1駆動ユニット等は、ウェーハ11を保持するエッジクランプ機構12eを構成する。 For example, the four clamp claws 12c are moved by a first drive unit (not shown) by approximately the same distance along the elongated hole 12d. The four clamp claws 12c, the first drive unit, etc. constitute an edge clamp mechanism 12e that holds the wafer 11.
第1駆動ユニットは、例えば、先端側の2つのクランプ爪12cを長手部12aに沿って移動させるエアシリンダ等の第1アクチュエータと、基端側の2つのクランプ爪12cを長手部12aに沿って移動させるエアシリンダ等の第2アクチュエータと、を含む。 The first drive unit includes, for example, a first actuator such as an air cylinder that moves the two clamp claws 12c at the tip along the longitudinal portion 12a, and a second actuator such as an air cylinder that moves the two clamp claws 12c at the base along the longitudinal portion 12a.
ロボットハンド12でウェーハ11を保持するためには、先端側の2つのクランプ爪12cと、基端側の2つのクランプ爪12cとを互いに接近させ、4つのクランプ爪12cを用いてウェーハ11の径方向でエッジ11eをクランプする。 To hold the wafer 11 with the robot hand 12, the two clamp claws 12c at the tip end and the two clamp claws 12c at the base end are brought close to each other, and the four clamp claws 12c are used to clamp the edge 11e of the wafer 11 in the radial direction.
この様に、ロボットハンド12は、表面11a及び裏面11bに接することなく、ウェーハ11を保持できるので、表面11a及び裏面11bへの傷の形成や、パーティクルの付着を防止できる。なお、クランプ爪12cに代えて、ベルヌーイ型の非接触吸引パッド(不図示)により、ウェーハ11を非接触で吸引保持してもよい。 In this way, the robot hand 12 can hold the wafer 11 without contacting the front surface 11a or back surface 11b, preventing scratches on the front surface 11a or back surface 11b and particle adhesion. Instead of the clamp claws 12c, the wafer 11 may be held by suction without contact using a Bernoulli-type non-contact suction pad (not shown).
搬出入ロボット10によりカセット8から搬出されたウェーハ11は、位置合わせテーブル14へ搬送される(図1参照)。図4(A)に示す様に、位置合わせテーブル14は、略正方形のテーブル14aを有する。 The wafer 11 removed from the cassette 8 by the transfer robot 10 is transferred to the alignment table 14 (see Figure 1). As shown in Figure 4(A), the alignment table 14 has a substantially square table 14a.
テーブル14a上には、赤色光又は近赤外光を利用してウェーハ11のノッチ位置を検出するためのカメラ(不図示)が設けられている。テーブル14a上においてカメラと異なる領域には、4つの位置調整ユニット16が、設けられている。 A camera (not shown) is provided on table 14a to detect the notch position of wafer 11 using red or near-infrared light. Four position adjustment units 16 are provided in a different area of table 14a from the camera.
4つの位置調整ユニット16は、テーブル14aの上面の一点を中心とする1つの円の外周上に、略等間隔で配置されている。テーブル14aには、位置調整ユニット16の移動方向に応じた長穴(不図示)が形成されている。 The four position adjustment units 16 are arranged at approximately equal intervals on the periphery of a circle centered at a single point on the top surface of the table 14a. The table 14a has elongated holes (not shown) formed in it that correspond to the movement direction of the position adjustment units 16.
各位置調整ユニット16は、第2駆動ユニット(不図示)により、この円の径方向に沿って略同じ距離だけ移動可能に構成されている。第2駆動ユニットは、例えば、円板状の回動プレートを有する。 Each position adjustment unit 16 is configured to be movable by approximately the same distance along the radial direction of this circle by a second drive unit (not shown). The second drive unit has, for example, a circular rotating plate.
回動プレートには、回動プレートを回動させるためのエアシリンダが連結されている。また、回動プレートの周方向に沿って略等間隔に、回動プレートの径方向に沿って突出する態様で複数の突出部が設けられている。各突出部の先端部には、直線状のアームが、ピンを介して回転可能に連結されている。 An air cylinder is connected to the rotating plate to rotate it. Multiple protrusions are provided at approximately equal intervals around the circumference of the rotating plate, protruding in the radial direction of the rotating plate. A straight arm is rotatably connected to the tip of each protrusion via a pin.
アームの先端部には、位置調整ユニット16が固定されている。エアシリンダで回動プレートを回転させると、互いに近づく又は遠ざかる様に各位置調整ユニット16を同じ距離だけ移動させることができる。なお、第2駆動ユニットのメカニズムには、この例に限定されず、他のメカニズムを採用してもよい。 A position adjustment unit 16 is fixed to the tip of the arm. By rotating the rotating plate with an air cylinder, each position adjustment unit 16 can be moved the same distance toward or away from each other. Note that the mechanism of the second drive unit is not limited to this example, and other mechanisms may also be used.
位置調整ユニット16は、円板状の支持台16aを有する。支持台16aは、モータ(不図示)を内蔵しており、モータのシャフトの上端部には、ウレタンゴム等の合成ゴムで形成された円柱状のローラ16bが設けられている。 The position adjustment unit 16 has a disk-shaped support base 16a. The support base 16a houses a motor (not shown), and a cylindrical roller 16b made of synthetic rubber such as urethane rubber is attached to the upper end of the motor shaft.
図4(A)は、ウェーハ11の中心位置合わせを示す図である。中心位置合わせを行う場合、ウェーハ11の外周部が4つの支持台16aで支持される様に、搬出入ロボット10が位置合わせテーブル14へウェーハ11を搬送する。 Figure 4(A) shows the center alignment of the wafer 11. When performing center alignment, the transfer robot 10 transports the wafer 11 to the alignment table 14 so that the outer periphery of the wafer 11 is supported by the four support tables 16a.
このとき、ウェーハ11の径方向において最外周部11dから内側に所定長さ(例えば、2.5mm)以下の裏面11b側の範囲が、支持台16aに接する。 At this time, the area on the back surface 11b of the wafer 11 extending inward from the outermost periphery 11d in the radial direction of the wafer 11, within a predetermined length (e.g., 2.5 mm), comes into contact with the support base 16a.
搬送後、各支持台16aをテーブル14aの上面の中心側に移動させることで、ウェーハ11の表面11aの中心位置を所定位置に調整すると共に、4つのローラ16bによりウェーハ11のエッジ11eを四方でクランプする。 After transport, each support table 16a is moved toward the center of the top surface of the table 14a to adjust the center position of the surface 11a of the wafer 11 to a predetermined position, and the edge 11e of the wafer 11 is clamped on all four sides by the four rollers 16b.
中心位置合わせの後、各ローラ16bを所定方向に回転させてウェーハ11を回転させながら、カメラでウェーハ11の外周部を観察する。図4(B)は、ウェーハ11の向き調整を示す図である。ノッチ11fが所定の位置に来たら、ローラ16bの回転を止めることで、ウェーハ11の向きを所定の向きに調整する。 After center alignment, the rollers 16b are rotated in a predetermined direction to rotate the wafer 11, while the outer periphery of the wafer 11 is observed with a camera. Figure 4(B) shows how the orientation of the wafer 11 is adjusted. When the notch 11f reaches the predetermined position, the rotation of the rollers 16b is stopped, thereby adjusting the orientation of the wafer 11 to the predetermined orientation.
位置及び向きが調整されたウェーハ11は、第1搬送ユニット18(図1参照)により、位置合わせテーブル14の後方に位置する搬入搬出領域Aへ搬送される。第1搬送ユニット18は、Y軸方向に略平行に配置されたガイドレール20に沿って移動可能である。 Once the position and orientation of the wafer 11 have been adjusted, it is transported by the first transport unit 18 (see Figure 1) to the loading/unloading area A located behind the alignment table 14. The first transport unit 18 is movable along guide rails 20 that are arranged approximately parallel to the Y-axis direction.
ガイドレール20には、移動ブロック22がスライド可能に取り付けられている(図5(B)参照)。移動ブロック22の裏面側にはナット部(不図示)が設けられており、このナット部には、Y軸方向に略平行に配置されたボールねじ(不図示)が回転可能に連結されている。 A moving block 22 is slidably attached to the guide rail 20 (see Figure 5(B)). A nut portion (not shown) is provided on the back side of the moving block 22, and a ball screw (not shown) arranged approximately parallel to the Y-axis direction is rotatably connected to this nut portion.
移動ブロック22は、エアシリンダ等のアクチュエータ(不図示)を有する。アクチュエータの可動部は、Z軸方向に沿って昇降する(図5(A)参照)。当該可動部には、腕部24の基端部が連結されている。 The moving block 22 has an actuator (not shown), such as an air cylinder. The movable part of the actuator moves up and down along the Z-axis direction (see Figure 5(A)). The base end of the arm 24 is connected to this movable part.
腕部24の先端部には、ハンド部26が設けられている。ハンド部26は、直方体状の掌部26aを有する。掌部26aの先端側の一側面と、当該一側面に隣接する両側面とには、それぞれ1つの指部26bが設けられている。 A hand portion 26 is provided at the tip of the arm portion 24. The hand portion 26 has a rectangular parallelepiped palm portion 26a. One finger portion 26b is provided on one side of the tip of the palm portion 26a and on both side surfaces adjacent to that side.
3つの指部26bは、上面視において、掌部26a内の一点を中心に放射状に配置されており、各指部26bの先端部は、当該一点を中心とする円の周方向に、略120°だけ互いに離れている(図5(B)参照)。なお、指部26bの数は、3つ以上であればよく、3つのみに限定されない。 When viewed from above, the three fingers 26b are arranged radially around a single point on the palm 26a, with the tips of the fingers 26b spaced apart by approximately 120° in the circumferential direction of a circle centered on that point (see Figure 5(B)). The number of fingers 26b may be three or more, and is not limited to three.
図5(A)に示す様に、指部26bの下面側の先端部には、指部26bの長手方向に沿って移動可能な、移動ピン28が設けられている。図5(A)は、第1搬送ユニット18の正面図である。 As shown in Figure 5(A), a moving pin 28 that can move along the longitudinal direction of the finger portion 26b is provided at the tip of the underside of the finger portion 26b. Figure 5(A) is a front view of the first transport unit 18.
各移動ピン28は、エアシリンダ、回動プレート、リンク等を有する第3駆動ユニット(不図示)により、所定の円の径方向に沿って略同じ距離だけ移動可能に構成されている。なお、第3駆動ユニットのメカニズムには、この例に限定されず、他のメカニズムを採用してもよい。 Each moving pin 28 is configured to be movable by approximately the same distance along the radial direction of a predetermined circle by a third drive unit (not shown) that includes an air cylinder, a rotating plate, a link, etc. Note that the mechanism of the third drive unit is not limited to this example, and other mechanisms may also be used.
移動ピン28の下端部には、クランプ爪30が設けられている。クランプ爪30は、円錐台及び逆円錐台の各小径円が接続されたくびれ形状を有する。クランプ爪30の外表面は、PTFE等のフッ素樹脂で被覆されている。本例のハンド部26は、3組のクランプ爪30及び移動ピン28を有する。 A clamp claw 30 is provided at the lower end of the moving pin 28. The clamp claw 30 has a constricted shape formed by connecting small diameter circles of a truncated cone and an inverted truncated cone. The outer surface of the clamp claw 30 is coated with a fluororesin such as PTFE. In this example, the hand unit 26 has three sets of clamp claws 30 and moving pins 28.
3組のクランプ爪30及び移動ピン28、第3駆動ユニット等は、ウェーハ11の径方向においてエッジ11eを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で、ウェーハ11を搬送するための第1搬送エッジクランプ機構32を構成する。 The three sets of clamping claws 30, the moving pin 28, the third drive unit, etc. constitute a first transport edge clamping mechanism 32 for transporting the wafer 11 while clamping and holding the edge 11e of the wafer 11 at at least three points in the radial direction.
テーブル14aの上方に配置された腕部24を下降させ、各クランプ爪30を位置調整ユニット16とはX-Y平面で異なる位置であってウェーハ11と略同じ高さに位置付けた後、移動ピン28を互いに接近させる。 The arm 24 positioned above the table 14a is lowered, and each clamp claw 30 is positioned at a different position in the X-Y plane from the position adjustment unit 16 and at approximately the same height as the wafer 11, and then the moving pins 28 are moved closer to each other.
第1搬送ユニット18は、表面11a及び裏面11bに接することなく、3つのクランプ爪30でウェーハ11を保持できるので、表面11a及び裏面11bへの傷の形成や、パーティクルの付着を防止できる。 The first transport unit 18 can hold the wafer 11 with three clamp claws 30 without contacting the front surface 11a or back surface 11b, preventing scratches on the front surface 11a or back surface 11b and particle adhesion.
なお、第1搬送ユニット18は、4つ以上のクランプ爪30でウェーハ11をクランプしてもよい。また、第1搬送ユニット18は、クランプ爪30に代えて、ベルヌーイ型の非接触吸引パッド(不図示)により、ウェーハ11を非接触で吸引保持してもよい。 The first transport unit 18 may clamp the wafer 11 using four or more clamp claws 30. Instead of the clamp claws 30, the first transport unit 18 may also suction and hold the wafer 11 in a non-contact manner using a Bernoulli-type non-contact suction pad (not shown).
図5(B)は、第1搬送ユニット18でウェーハ11を搬送する様子を示す図である。ウェーハ11をクランプした後、腕部24を上昇させ、移動ブロック22をY軸方向にスライドさせる。第1搬送ユニット18は、ウェーハ11を搬入搬出領域A(図1参照)の保持テーブル36へ搬送する。 Figure 5(B) shows how the first transport unit 18 transports the wafer 11. After clamping the wafer 11, the arm 24 is raised and the moving block 22 slides in the Y-axis direction. The first transport unit 18 transports the wafer 11 to the holding table 36 in the loading/unloading area A (see Figure 1).
保持テーブル36は、ボールねじ式のX軸移動機構(不図示)により、X軸方向に沿って配置された搬入搬出領域Aと、切削領域Bとの間を移動する。図6に拡大して示す様に、保持テーブル36は、セラミックス製の円筒状の環状支持部38を有する。 The holding table 36 moves between the loading/unloading area A and the cutting area B, which are arranged along the X-axis direction, using a ball-screw type X-axis movement mechanism (not shown). As shown enlarged in Figure 6, the holding table 36 has a cylindrical, annular support portion 38 made of ceramic.
図6は、保持テーブル36等の斜視図である。環状支持部38の上面は、ウェーハ11の裏面11b側の外周部を支持可能な環状支持面38aである。なお、環状支持面38aに接する裏面11b側の外周部は、ウェーハ11の径方向において最外周部11dから内側に所定長さ(例えば、2.5mm)以下の範囲である。 Figure 6 is a perspective view of the holding table 36 and other components. The upper surface of the annular support member 38 is an annular support surface 38a that can support the outer periphery of the back surface 11b of the wafer 11. The outer periphery of the back surface 11b that contacts the annular support surface 38a extends inward from the outermost periphery 11d in the radial direction of the wafer 11 by a predetermined length (e.g., 2.5 mm) or less.
環状支持面38aには、環状溝38bが設けられている。本例の環状溝38bは、環状支持面38aの一周に亘って途切れなく形成されている。図7(A)に示す様に、環状溝38bには吸引路40が接続されている。 An annular groove 38b is provided on the annular support surface 38a. In this example, the annular groove 38b is formed continuously around the entire circumference of the annular support surface 38a. As shown in Figure 7(A), a suction path 40 is connected to the annular groove 38b.
吸引路40は、電磁弁42を介して、エジェクタ等の吸引源44に接続されている。吸引源44の動作時に電磁弁42を開状態にすると、環状溝38bには負圧が発生する。この負圧により、環状支持面38aで支持されたウェーハ11の裏面11b側の外周部が吸引保持される。 The suction path 40 is connected to a suction source 44, such as an ejector, via a solenoid valve 42. When the solenoid valve 42 is open while the suction source 44 is operating, negative pressure is generated in the annular groove 38b. This negative pressure suction-holds the outer periphery of the back surface 11b of the wafer 11 supported by the annular support surface 38a.
環状支持部38の内側には、円板状のベース部材46が設けられている。ベース部材46の上面46aは、環状支持面38aよりも低い位置に固定されている。ベース部材46の中央部には、円板状の凹部46bが形成されている。 A disk-shaped base member 46 is provided inside the annular support portion 38. The upper surface 46a of the base member 46 is fixed at a position lower than the annular support surface 38a. A disk-shaped recess 46b is formed in the center of the base member 46.
凹部46bには、円板状の突き上げ部48が配置されている。突き上げ部48の下部には、エアシリンダ等のアクチュエータ(不図示)が連結されており、突き上げ部48は、Z軸方向に沿って昇降可能である。 A disc-shaped push-up portion 48 is disposed in the recess 46b. An actuator (not shown), such as an air cylinder, is connected to the bottom of the push-up portion 48, allowing the push-up portion 48 to move up and down along the Z-axis direction.
突き上げ部48が下降状態のとき、突き上げ部48の上面48aは、ベース部材46の上面46aと略面一となり(図7(A)参照)、突き上げ部48が上昇状態のとき、上面48aは、環状支持面38aよりも高い位置にある(図7(B)参照)。 When the push-up portion 48 is in the lowered position, the upper surface 48a of the push-up portion 48 is substantially flush with the upper surface 46a of the base member 46 (see Figure 7(A)). When the push-up portion 48 is in the raised position, the upper surface 48a is higher than the annular support surface 38a (see Figure 7(B)).
上面48aの略中央には、突き上げ部48の厚さ方向に沿って突き上げ部48を貫通する様に、流路50が形成されている。流路50は、電磁弁52を介して、エア供給源又は純水供給源等の流体供給源54に接続されている。 A flow path 50 is formed in approximately the center of the upper surface 48a, penetrating the push-up portion 48 along the thickness direction of the push-up portion 48. The flow path 50 is connected to a fluid supply source 54, such as an air supply source or a pure water supply source, via an electromagnetic valve 52.
エア供給源は、例えば、エアコンプレッサに接続され、パーティクル等が除去された清浄なエアが充填されたエアタンクを有する。純水供給源は、例えば、ポンプが接続され、純水が貯留された水槽を有する。 The air supply source is, for example, connected to an air compressor and has an air tank filled with clean air from which particles and other contaminants have been removed. The pure water supply source is, for example, connected to a pump and has a water tank in which pure water is stored.
突き上げ部48を環状支持面38aよりも上方に持ち上げる場合には、エア又は純水を上面48aに供給することで、上面48aにエア層又は水層(いずれも不図示)を形成する。 When the push-up portion 48 is raised above the annular support surface 38a, air or pure water is supplied to the upper surface 48a to form an air layer or water layer (neither shown) on the upper surface 48a.
これにより、突き上げ部48は、上面48aがウェーハ11に直接接することなく、エア層又は水層を介して環状支持面38aで外周部が支持されたウェーハ11の裏面11b側を突き上げることができる。 As a result, the push-up portion 48 can push up the back surface 11b side of the wafer 11, whose outer periphery is supported by the annular support surface 38a, via an air layer or water layer, without the upper surface 48a coming into direct contact with the wafer 11.
保持テーブル36の下部には、モータ等の第1回転駆動源(不図示)が設けられている。第1回転駆動源を動作させると、保持テーブル36は、Z軸方向と略平行な回転軸の周りに回転する。 A first rotary drive source (not shown), such as a motor, is provided below the holding table 36. When the first rotary drive source is operated, the holding table 36 rotates around a rotation axis that is approximately parallel to the Z-axis direction.
図1に戻って、保持テーブル36の上方には、切削ユニット56が設けられている。切削ユニット56は、長手部がY軸方向に略平行に配置された筒状のスピンドルハウジング58を有する。 Returning to Figure 1, a cutting unit 56 is provided above the holding table 36. The cutting unit 56 has a cylindrical spindle housing 58 whose longitudinal portion is arranged approximately parallel to the Y-axis direction.
切削ユニット56には、スピンドルハウジング58をZ軸方向に沿って移動させるボールねじ式の切り込み送りユニット(不図示)が連結されている。切り込み送りユニットには、ボールねじ式のY軸方向移動ユニット(不図示)が連結されている。 A ball screw type cutting feed unit (not shown) that moves the spindle housing 58 along the Z-axis direction is connected to the cutting unit 56. A ball screw type Y-axis movement unit (not shown) is connected to the cutting feed unit.
切り込み送りユニット及びY軸方向移動ユニットにより、切削ユニット56は、保持テーブル36に対して相対的に、Z軸方向及びY軸方向に移動可能である。スピンドルハウジング58には、円柱状のスピンドル60(図7(A)参照)が回転可能に収容されている。 The cutting unit 56 can move in the Z-axis and Y-axis directions relative to the holding table 36 using the cutting feed unit and the Y-axis movement unit. A cylindrical spindle 60 (see Figure 7(A)) is rotatably housed in the spindle housing 58.
スピンドル60の基端部には、モータ等の第2回転駆動源(不図示)が設けられており、スピンドル60の先端部には、切削ブレード62が装着されている。切削ブレード62は、例えば、マウントフランジと押さえフランジとにより挟持される、ワッシャー型(ハブレス型)のブレードであるが、ハブ型のブレードであってもよい。 A second rotational drive source (not shown), such as a motor, is provided at the base end of the spindle 60, and a cutting blade 62 is attached to the tip end of the spindle 60. The cutting blade 62 is, for example, a washer-type (hubless) blade that is clamped between a mount flange and a press flange, but it may also be a hub-type blade.
切削ブレード62の上方は、ブレードカバー64により覆われている(図1参照)。図1に示す様に、ブレードカバー64には、複数の切削水ノズル66が設けられている。複数の切削水ノズル66は、例えば切削ブレード62とウェーハ11とが接触する加工点に、純水等の切削水を供給する。 The cutting blade 62 is covered from above by a blade cover 64 (see Figure 1). As shown in Figure 1, the blade cover 64 is provided with multiple cutting water nozzles 66. The multiple cutting water nozzles 66 supply cutting water, such as pure water, to the processing point where the cutting blade 62 and the wafer 11 come into contact.
ブレードカバー64のX軸方向の一方側には、顕微鏡カメラユニット68が設けられている。顕微鏡カメラユニット68は、レンズ等の所定の光学系と、CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)又はCCD(Charge-Coupled Device)イメージセンサ等の撮像素子と、を有する。 A microscope camera unit 68 is provided on one side of the blade cover 64 in the X-axis direction. The microscope camera unit 68 has a predetermined optical system such as a lens, and an imaging element such as a CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) or CCD (Charge-Coupled Device) image sensor.
ウェーハ11に対して切削加工を施す切削工程では、まず、保持テーブル36を搬入搬出領域Aに配置する。そして、第1搬送ユニット18でウェーハ11を搬送して保持テーブル36に載置する。 In the cutting process, in which the wafer 11 is cut, the holding table 36 is first placed in the loading/unloading area A. Then, the first transport unit 18 transports the wafer 11 and places it on the holding table 36.
次いで、電磁弁42を開状態とすることで、ウェーハ11の裏面11b側の外周部を保持テーブル36で吸引保持する。保持テーブル36を切削領域Bへ移動させた後、保持テーブル36を所定の速度で回転させながら、顕微鏡カメラユニット68でウェーハ11の外周部の少なくとも3箇所を撮像する。 Next, the solenoid valve 42 is opened, and the outer periphery of the back surface 11b of the wafer 11 is held by suction on the holding table 36. After the holding table 36 is moved to the cutting area B, the holding table 36 is rotated at a predetermined speed while the microscope camera unit 68 captures images of at least three locations on the outer periphery of the wafer 11.
これにより、表面11a側の中心と、保持テーブル36の中心とのずれ(中心ずれ)を、検出する。そして、加工点に切削水を供給しながら、所定の回転数で高速回転させた切削ブレード62の下端を、表面11a側の面取り部11cに切り込む(図7(A)参照)。 This allows the offset (center misalignment) between the center of the surface 11a and the center of the holding table 36 to be detected. Then, while supplying cutting water to the processing point, the lower end of the cutting blade 62, which is rotated at a predetermined speed, cuts into the chamfered portion 11c on the surface 11a (see Figure 7(A)).
例えば、切削ブレード62の下端を、ウェーハ11の厚さの略半分の深さまで切り込む。保持テーブル36を回転させると共に、検出された中心ずれに応じて、保持テーブル36に対する切削ブレード62の下端の相対的な位置を調整することで、表面11a側の面取り部11cが切削され除去する(エッジトリミング)。 For example, the lower end of the cutting blade 62 is cut into the wafer 11 to a depth of approximately half the thickness of the wafer. The holding table 36 is rotated, and the relative position of the lower end of the cutting blade 62 with respect to the holding table 36 is adjusted according to the detected center misalignment, thereby cutting and removing the chamfered portion 11c on the front surface 11a (edge trimming).
図7(A)は、エッジトリミング時の保持テーブル36等の一部断面側面図である。なお、エッジトリミングでは、切削ブレード62の下端を環状支持面38aまで切り込むことで、表面11a側及び裏面11b側の両方の面取り部11cを除去してもよい。 Figure 7(A) is a partial cross-sectional side view of the holding table 36 and other components during edge trimming. Note that during edge trimming, the lower end of the cutting blade 62 may be inserted down to the annular support surface 38a to remove the chamfered portion 11c on both the front surface 11a and back surface 11b.
エッジトリミングが終了した後、保持テーブル36を搬入搬出領域Aに移動させる。そして、図7(B)に示す様に、電磁弁42を閉状態、電磁弁52を開状態とし、上面48aにエア層又は水層(いずれも不図示)を形成すると共に、突き上げ部48を上方に持ち上げる。 After edge trimming is complete, the holding table 36 is moved to the loading/unloading area A. Then, as shown in Figure 7(B), the solenoid valve 42 is closed and the solenoid valve 52 is opened, forming an air layer or water layer (neither shown) on the upper surface 48a and lifting the push-up portion 48 upward.
図7(B)は、持ち上げ時の保持テーブル36等の一部断面側面図である。突き上げ部48で持ち上げられたウェーハ11は、搬入搬出領域Aの上方に待機していた第2搬送ユニット70により洗浄領域Cへ搬送される。 Figure 7(B) is a partial cross-sectional side view of the holding table 36 and other components during lifting. The wafer 11 lifted by the push-up unit 48 is transported to the cleaning area C by the second transport unit 70, which has been waiting above the loading/unloading area A.
図8は、洗浄領域Cの拡大斜視図である。まず、洗浄領域Cに設けられている第2搬送ユニット70について説明する。第2搬送ユニット70は、直方体上の腕部72を有する。腕部72の基端部には、移動ブロック74が連結されている。 Figure 8 is an enlarged perspective view of cleaning area C. First, we will explain the second transport unit 70 provided in cleaning area C. The second transport unit 70 has a rectangular parallelepiped arm 72. A moving block 74 is connected to the base end of the arm 72.
移動ブロック74には、モータ等の第3回転駆動源(不図示)が内蔵されている。第3回転駆動源は、腕部72を所定の角度(例えば、略90度)の範囲で回動させる(図8の両矢印74a参照)。 The moving block 74 has a third rotary drive source (not shown) such as a motor built in. The third rotary drive source rotates the arm 72 within a predetermined angle (e.g., approximately 90 degrees) (see the double-headed arrow 74a in Figure 8).
移動ブロック74の下部には、移動ブロック74をZ軸方向に沿って移動させるためのエアシリンダ等のアクチュエータ(不図示)が連結されている。アクチュエータの動作により、腕部72は、Z軸方向に沿って移動する(図8の両矢印74b参照)。 An actuator (not shown), such as an air cylinder, is connected to the bottom of the moving block 74 to move the moving block 74 along the Z-axis direction. Operation of the actuator causes the arm 72 to move along the Z-axis direction (see double-headed arrow 74b in Figure 8).
アクチュエータの下部には、ボールねじ式のX軸方向移動ユニット(不図示)が設けられている。X軸方向移動ユニットにより移動ブロック74がX軸方向に沿って移動することで、腕部72はX軸方向に沿って移動する(図8の両矢印74c参照)。 A ball screw-type X-axis movement unit (not shown) is provided below the actuator. The X-axis movement unit moves the moving block 74 along the X-axis, causing the arm 72 to move along the X-axis (see double-headed arrow 74c in Figure 8).
腕部72の先端部には、ハンド部76が設けられている。ハンド部76は、直方体状の掌部76aを有する。掌部76aの先端側の一側面と、当該一側面に隣接する両側面とには、それぞれ1つの指部76bが設けられている。 A hand portion 76 is provided at the tip of the arm portion 72. The hand portion 76 has a rectangular parallelepiped palm portion 76a. One finger portion 76b is provided on one side of the tip of the palm portion 76a and on both side surfaces adjacent to that side.
3つの指部76bは、上面視において、掌部76a内の一点を中心に放射状に配置されており、各指部76bの先端部は、当該一点を中心とする円の周方向に、略120°だけ互いに離れている。なお、指部76bの数は、3つ以上であればよく、3つのみに限定されない。 When viewed from above, the three fingers 76b are arranged radially around a single point on the palm 76a, with the tips of the fingers 76b spaced approximately 120° apart from one another in the circumferential direction of a circle centered on that point. The number of fingers 76b may be three or more, and is not limited to three.
図9(A)に示す様に、指部76bの下面側の先端部には、指部76bの長手方向に沿って移動可能な、移動ピン78が設けられている。各移動ピン78は、エアシリンダ、回動プレート、リンク等を有する第4駆動ユニット(不図示)により、所定の円の径方向に沿って略同じ距離だけ移動可能に構成されている。なお、第4駆動ユニットのメカニズムには、この例に限定されず、他のメカニズムを採用してもよい。 As shown in Figure 9 (A), a movable pin 78 is provided at the tip of the underside of the finger 76b, which is movable along the longitudinal direction of the finger 76b. Each movable pin 78 is configured to be movable by approximately the same distance along the radial direction of a predetermined circle by a fourth drive unit (not shown) which has an air cylinder, a rotating plate, a link, etc. Note that the mechanism of the fourth drive unit is not limited to this example, and other mechanisms may also be used.
移動ピン78の下端部には、クランプ爪80が設けられている。クランプ爪80は、円錐台及び逆円錐台の各小径円が接続されたくびれ形状を有する。クランプ爪80の外表面は、PTFE等のフッ素樹脂で被覆されている。本例のハンド部76は、3組のクランプ爪80及び移動ピン78を有する。 A clamp claw 80 is provided at the lower end of the moving pin 78. The clamp claw 80 has a constricted shape formed by connecting small diameter circles of a truncated cone and an inverted truncated cone. The outer surface of the clamp claw 80 is coated with a fluororesin such as PTFE. In this example, the hand unit 76 has three sets of clamp claws 80 and moving pins 78.
3組のクランプ爪80及び移動ピン78、第4駆動ユニット等は、ウェーハ11の径方向においてウェーハ11のエッジ11eを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で、ウェーハ11を搬送するための第2搬送エッジクランプ機構82を構成する。 The three sets of clamping claws 80, the moving pin 78, the fourth drive unit, etc. constitute a second transport edge clamping mechanism 82 for transporting the wafer 11 while clamping and holding the edge 11e of the wafer 11 at at least three points in the radial direction of the wafer 11.
図9(A)は、第2搬送エッジクランプ機構82等の一部断面側面図である。第2搬送ユニット70は、腕部72を下降させ、移動ピン78を互いに接近させることで、保持テーブル36上のウェーハ11を、3つのクランプ爪80を用いてクランプする。 Figure 9 (A) is a partial cross-sectional side view of the second transport edge clamp mechanism 82, etc. The second transport unit 70 lowers the arm 72 and moves the moving pins 78 closer to each other, thereby clamping the wafer 11 on the holding table 36 using the three clamp claws 80.
なお、第2搬送ユニット70は、4つ以上のクランプ爪80でウェーハ11をクランプしてもよい。また、第2搬送ユニット70は、クランプ爪80に代えて、ベルヌーイ型の非接触吸引パッド(不図示)により、ウェーハ11を非接触で吸引保持してもよい。 The second transport unit 70 may clamp the wafer 11 using four or more clamp claws 80. Instead of the clamp claws 80, the second transport unit 70 may also suction and hold the wafer 11 in a non-contact manner using a Bernoulli-type non-contact suction pad (not shown).
いずれにしても、第2搬送ユニット70は、表面11a及び裏面11bに接することなく、ウェーハ11を保持できるので、表面11a及び裏面11bへの傷の形成や、パーティクルの付着を防止できる。 In either case, the second transfer unit 70 can hold the wafer 11 without contacting the front surface 11a or back surface 11b, thereby preventing scratches on the front surface 11a or back surface 11b and particle adhesion.
ところで、ハンド部76には、掌部76aを貫通する流路76a1が形成されている。流路76a1には、チューブ84を介して純水86(図9(B)参照)を供給する純水供給源88が連結されている。 A flow path 76a1 that passes through the palm 76a is formed in the hand portion 76. A pure water supply source 88 that supplies pure water 86 (see FIG. 9B) is connected to the flow path 76a1 via a tube 84.
純水供給源88は、例えば、純水が貯留された水槽を有する。水槽には、チューブ84へ純水86を送るためのポンプが接続されている。チューブ84には、電磁弁90が接続されており、電磁弁90を開状態にすると、流路76a1から下方に純水が供給される。 The pure water supply source 88 has, for example, a water tank in which pure water is stored. A pump is connected to the water tank to send pure water 86 to the tube 84. A solenoid valve 90 is connected to the tube 84, and when the solenoid valve 90 is opened, pure water is supplied downward from the flow path 76a1 .
流路76a1、チューブ84、純水供給源88、電磁弁90等は、第2搬送ユニット70でウェーハ11を搬送するときに、ウェーハ11に純水86を供給するため水供給ユニット92を構成する(図9(A)参照)。 The flow path 76a1 , the tube 84, the pure water supply source 88, the solenoid valve 90, etc. constitute a water supply unit 92 for supplying pure water 86 to the wafer 11 when the wafer 11 is transported by the second transport unit 70 (see Figure 9(A)).
エッジトリミング後のウェーハ11に付着した切削屑等が乾燥して固着すると、洗浄によっても除去できないことがあるが、流路76a1から供給される純水86により、搬送中のウェーハ11の乾燥を防止できる。 If cutting debris and the like adhering to the wafer 11 after edge trimming dries and sticks to the wafer 11, it may not be possible to remove the debris even by washing. However, the pure water 86 supplied from the flow path 76a1 can prevent the wafer 11 from drying out during transportation.
掌部76aには、留め具94を介して超音波水吐出ノズル96が固定されている。図10は、超音波水吐出ノズル96の一部断面側面図である。超音波水吐出ノズル96は、円柱状の筐体96aを有する。 An ultrasonic water discharge nozzle 96 is fixed to the palm portion 76a via a fastener 94. Figure 10 is a partial cross-sectional side view of the ultrasonic water discharge nozzle 96. The ultrasonic water discharge nozzle 96 has a cylindrical housing 96a.
筐体96aの内部には、円柱状の第1空間96b1が形成されている。第1空間96b1の頂部には、円板状の超音波振動子98が設けられている。超音波振動子98は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等の圧電セラミックスを有する。 A cylindrical first space 96b 1 is formed inside the housing 96a. A disk-shaped ultrasonic vibrator 98 is provided at the top of the first space 96b 1. The ultrasonic vibrator 98 has piezoelectric ceramics such as lead zirconate titanate (PZT).
超音波振動子98には、電源ユニット100が接続されている。電源ユニット100は、超音波振動子98を駆動するための高周波電力を発生させる発振器(不図示)等を含む。電源ユニット100から超音波振動子98には、例えば、40W以上100W以下の所定値の電力が供給される。 A power supply unit 100 is connected to the ultrasonic vibrator 98. The power supply unit 100 includes an oscillator (not shown) that generates high-frequency power to drive the ultrasonic vibrator 98. A predetermined amount of power, for example, between 40 W and 100 W, is supplied from the power supply unit 100 to the ultrasonic vibrator 98.
超音波振動子98は、この電力を機械的振動に変換し、500kHz以上1.5MHz以下の所定の振動数で振動する。筐体96aの側面には、第1空間96b1に接続する流路102が設けられている。流路102には、電磁弁104を介して、上述の純水供給源88が接続されている。 The ultrasonic vibrator 98 converts this electric power into mechanical vibrations, and vibrates at a predetermined frequency of 500 kHz to 1.5 MHz. A flow path 102 connected to the first space 96b- 1 is provided on the side of the housing 96a. The pure water supply source 88 is connected to the flow path 102 via an electromagnetic valve 104.
第1空間96b1の下部には、逆円錐台形状の第2空間96b2の大径部が接続している。また、第2空間96b2の小径部は、筐体96aの底面に露出している開口96b3に対応する。 The large diameter portion of the second space 96b2 , which has an inverted truncated cone shape, is connected to the lower portion of the first space 96b1 . The small diameter portion of the second space 96b2 corresponds to an opening 96b3 exposed on the bottom surface of the housing 96a.
第1空間96b1に供給された純水には、超音波振動子98から振動が付与され、当該純水は、筐体96aの底面に位置する開口96b3から、例えば、0.5L/分以上1.5L/分以下の所定の流量で噴射される。 The pure water supplied to the first space 96b1 is vibrated by an ultrasonic vibrator 98, and the pure water is sprayed from an opening 96b3 located on the bottom surface of the housing 96a at a predetermined flow rate of, for example, 0.5 L/min or more and 1.5 L/min or less.
図9(B)は、第2搬送ユニット70でのウェーハ11の洗浄を示す図である。搬送時には、流路76a1からウェーハ11に純水86を供給すると共に、超音波水吐出ノズル96から、超音波振動が付与された純水98aをウェーハ11に吐出する。 9B is a diagram showing cleaning of the wafer 11 in the second transfer unit 70. During transfer, pure water 86 is supplied to the wafer 11 from the flow path 76a -1 , and pure water 98a to which ultrasonic vibrations have been applied is discharged from the ultrasonic water discharge nozzle 96 onto the wafer 11.
超音波振動が付与された純水98aを吐出することにより、搬送時にウェーハ11を洗浄できる。純水98aでの洗浄は、後述する表面側洗浄ユニット140での洗浄に要する時間、流量等の低減に寄与し得る。 By discharging pure water 98a to which ultrasonic vibrations have been applied, the wafer 11 can be cleaned during transport. Cleaning with pure water 98a can contribute to reducing the time and flow rate required for cleaning in the front-side cleaning unit 140, which will be described later.
ここで、図8に戻り、洗浄領域Cに配置された他の構成要素について説明する。第2搬送ユニット70の近傍には、ウェーハ11の径以上の径を有する円形の開口4bが形成されている。開口4bには、裏面側洗浄ユニット(第1洗浄ユニット)106が設けられている。 Now, returning to Figure 8, we will explain the other components arranged in cleaning area C. A circular opening 4b with a diameter equal to or greater than that of the wafer 11 is formed near the second transfer unit 70. A backside cleaning unit (first cleaning unit) 106 is provided in opening 4b.
裏面側洗浄ユニット106は、円柱状のロールブラシ108を有する。ロールブラシ108は、円柱状の基部を有する。円柱状の基部における円形の両面の間の長さは、開口4bの径と略同じである。基部の側面には、ポリアミド合成樹脂等の樹脂で形成された繊維の束が離散的に固定されている。複数の束は、基部の側面全体に一様に設けられている。 The back surface cleaning unit 106 has a cylindrical roll brush 108. The roll brush 108 has a cylindrical base. The length between the two circular faces of the cylindrical base is approximately the same as the diameter of the opening 4b. Fiber bundles made of a resin such as polyamide synthetic resin are discretely fixed to the side of the base. The multiple bundles are evenly distributed across the entire side of the base.
ロールブラシ108は、開口4b内において、その回転軸がX-Y平面と略平行となる様に配置されている。開口4b内において、ロールブラシ108の近傍には、上方に向けて純水(不図示)を噴射する洗浄ノズル110が配置されている。 The roll brush 108 is positioned within the opening 4b so that its rotation axis is approximately parallel to the X-Y plane. A cleaning nozzle 110 is positioned within the opening 4b near the roll brush 108, spraying pure water (not shown) upward.
なお、開口4b内において、ロールブラシ108及び洗浄ノズル110とは異なる領域には、ウェーハ11の裏面11b側を非接触で吸引するための1又は複数の吸引部(不図示)が設けられてもよい。 In addition, one or more suction units (not shown) may be provided in an area within the opening 4b separate from the roll brush 108 and cleaning nozzle 110 for non-contact suction of the back surface 11b of the wafer 11.
開口4bの周囲には、開口4bの周方向に沿って略等間隔に、4つの回転ユニット112が設けられている(なお、図8では、2つの回転ユニット112が示されている)。回転ユニット112は、位置調整ユニット16と同様に、円板状の支持台112aを有する。 Four rotation units 112 are provided around the opening 4b at approximately equal intervals along the circumferential direction of the opening 4b (note that two rotation units 112 are shown in Figure 8). Similar to the position adjustment unit 16, the rotation units 112 have a disk-shaped support base 112a.
開口4bの周囲には、回転ユニット112の移動方向に応じた長穴(不図示)が形成されており、各支持台112aは、エアシリンダ、回動プレート、リンク等を有する第5駆動ユニット(不図示)により、所定の円の径方向に沿って略同じ距離だけ移動可能に構成されている。なお、第5駆動ユニットのメカニズムには、この例に限定されず、他のメカニズムを採用してもよい。 Elongated holes (not shown) are formed around the opening 4b in accordance with the direction of movement of the rotation unit 112, and each support base 112a is configured to be movable by approximately the same distance along the radial direction of a predetermined circle by a fifth drive unit (not shown) that includes an air cylinder, a rotating plate, a link, etc. Note that the mechanism of the fifth drive unit is not limited to this example, and other mechanisms may also be used.
支持台112aは、モータ(不図示)を内蔵しており、モータのシャフトの上端部には、ウレタンゴム等の合成ゴムで形成された円柱状のローラ112bが設けられている。 The support base 112a houses a motor (not shown), and a cylindrical roller 112b made of synthetic rubber such as urethane rubber is attached to the upper end of the motor shaft.
4つの回転ユニット112、第5駆動ユニット等は、ウェーハ11の径方向においてエッジ11eを4箇所(少なくとも3箇所)でクランプして保持した状態で、ウェーハ11を洗浄するための洗浄エッジクランプ機構114を構成する。 The four rotation units 112, the fifth drive unit, etc. constitute a cleaning edge clamping mechanism 114 for cleaning the wafer 11 by clamping and holding the edge 11e at four points (at least three points) in the radial direction of the wafer 11.
エッジトリミング後に、第2搬送ユニット70により保持テーブル36から裏面側洗浄ユニット106へ搬送されたウェーハ11は、裏面11b側が洗浄される。裏面側洗浄工程では、まず、4つの支持台112aでウェーハ11の外周部が支持される様に、第2搬送ユニット70がウェーハ11を搬送する。 After edge trimming, the wafer 11 is transported by the second transport unit 70 from the holding table 36 to the back surface cleaning unit 106, where the back surface 11b is cleaned. In the back surface cleaning process, the second transport unit 70 first transports the wafer 11 so that the outer periphery of the wafer 11 is supported by the four support stages 112a.
搬送後、各支持台112aが開口4bの中心側に移動することで、ウェーハ11を開口4bの内側に配置すると共に、4つのローラ112bでエッジ11eの四方をクランプする。 After transport, each support table 112a moves toward the center of the opening 4b, positioning the wafer 11 inside the opening 4b and clamping the four sides of the edge 11e with the four rollers 112b.
このとき、ウェーハ11の径方向で最外周部11dから内側に所定長さ(例えば、2.5mm)以下の裏面11b側の範囲が、支持台112aに接する。各ローラ112bを所定方向に回転させることで、ウェーハ11をZ軸方向に略平行な回転軸の周りに回転させる(類似する態様として図4(B)を参照)。 At this time, the area of the back surface 11b of the wafer 11 extending radially inward from the outermost periphery 11d by a predetermined length (e.g., 2.5 mm) or less contacts the support base 112a. By rotating each roller 112b in a predetermined direction, the wafer 11 rotates around an axis of rotation substantially parallel to the Z-axis direction (see Figure 4(B) for a similar example).
ウェーハ11を回転させると共に、洗浄ノズル110から純水を噴射させながら、回転するロールブラシ108の毛先をウェーハ11の径方向に亘って裏面11b側に接触させろことで、裏面11b側を洗浄する。 While rotating the wafer 11, pure water is sprayed from the cleaning nozzle 110, and the bristles of the rotating roll brush 108 are brought into contact with the back surface 11b of the wafer 11 in the radial direction, thereby cleaning the back surface 11b.
裏面側洗浄工程では、チャックテーブルの保持面で負圧によりウェーハ11を吸引保持せずに、エッジ11eがクランプされたウェーハ11を回転させることで、環状支持部38に接触した裏面11b側の領域を含め、裏面11b側の全体を洗浄できる。 In the backside cleaning process, the wafer 11 is not held by suction using negative pressure on the holding surface of the chuck table, but rather the wafer 11 is rotated with its edge 11e clamped, allowing the entire backside 11b to be cleaned, including the area of the backside 11b that is in contact with the annular support portion 38.
所定時間の洗浄の後、純水の噴射と、ロールブラシ108及びローラ112bの回転と、を止める。裏面側洗浄工程の後、第3搬送ユニット120により、裏面側洗浄ユニット106から表面側洗浄ユニット(第2洗浄ユニット)140へウェーハ11を搬送する。 After the specified cleaning time, the spraying of pure water and the rotation of the roll brush 108 and roller 112b are stopped. After the backside cleaning process, the third transport unit 120 transports the wafer 11 from the backside cleaning unit 106 to the frontside cleaning unit (second cleaning unit) 140.
ここで、第3搬送ユニット120について説明する。第3搬送ユニット120は、腕部122を有する。腕部122の基端部には、移動ブロック124が連結されている。 Now, we will explain the third transport unit 120. The third transport unit 120 has an arm 122. A moving block 124 is connected to the base end of the arm 122.
移動ブロック124の下部には、エアシリンダ等のアクチュエータ(不図示)が連結されている。アクチュエータの動作により、腕部122は、Z軸方向に沿って移動する(図8の両矢印124a参照)。 An actuator (not shown), such as an air cylinder, is connected to the bottom of the moving block 124. Operation of the actuator causes the arm 122 to move along the Z-axis direction (see double-headed arrow 124a in Figure 8).
アクチュエータの下部には、移動ブロック124をY軸方向に沿って移動させるボールねじ式のY軸方向移動ユニット(不図示)が設けられている。Y軸方向移動ユニットにより、腕部122はY軸方向に沿って移動する(図8の両矢印124b参照)。 A ball-screw type Y-axis movement unit (not shown) is provided below the actuator, which moves the moving block 124 along the Y-axis direction. The Y-axis movement unit moves the arm 122 along the Y-axis direction (see double-headed arrow 124b in Figure 8).
腕部122の先端部には、ハンド部126が設けられている。掌部126aの先端側の一側面と、当該一側面に隣接する両側面とには、それぞれ1つの指部126bが設けられている。なお、指部126bの数は、3つ以上であればよい。 A hand portion 126 is provided at the tip of the arm portion 122. One finger portion 126b is provided on one side of the tip of the palm portion 126a and on both side surfaces adjacent to that side. The number of finger portions 126b may be three or more.
指部126bの下面側の先端部には、指部126bの長手方向に沿って移動可能な、移動ピン(不図示)が設けられている。各移動ピンは、エアシリンダ、回動プレート、リンク等を有する第6駆動ユニット(不図示)により、所定の円の径方向に沿って略同じ距離だけ移動可能に構成されている。なお、第6駆動ユニットのメカニズムには、この例に限定されず、他のメカニズムを採用してもよい。 A movable pin (not shown) is provided at the tip of the underside of finger 126b, which is movable along the longitudinal direction of finger 126b. Each movable pin is configured to be movable by approximately the same distance along the radial direction of a predetermined circle by a sixth drive unit (not shown) which includes an air cylinder, a rotating plate, a link, etc. Note that the mechanism of the sixth drive unit is not limited to this example, and other mechanisms may also be used.
移動ピンの下端部には、クランプ爪128が設けられている。クランプ爪128は、円錐台及び逆円錐台の各小径円が接続されたくびれ形状を有する。クランプ爪128の外表面は、PTFE等のフッ素樹脂で被覆されている。本例のハンド部126は、3組のクランプ爪128及び移動ピンを有する。 A clamp claw 128 is provided at the lower end of the moving pin. The clamp claw 128 has a constricted shape formed by connecting small diameter circles of a truncated cone and an inverted truncated cone. The outer surface of the clamp claw 128 is coated with a fluororesin such as PTFE. In this example, the hand unit 126 has three sets of clamp claws 128 and moving pins.
3組のクランプ爪128及び移動ピン、第6駆動ユニット等は、ウェーハ11の径方向においてウェーハ11の裏面11b側のエッジ11eを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で、ウェーハ11を搬送するための第3搬送エッジクランプ機構130を構成する。 The three sets of clamping claws 128, the moving pin, the sixth drive unit, etc. constitute a third transport edge clamping mechanism 130 for transporting the wafer 11 while clamping and holding the edge 11e of the back surface 11b of the wafer 11 at at least three points in the radial direction of the wafer 11.
この様に、第3搬送エッジクランプ機構130は、第2搬送エッジクランプ機構82と同じ構造を有する。また、掌部126aには流路(不図示)が形成されており、チューブ132、電磁弁(不図示)、純水供給源88等は、純水を供給するため水供給ユニット134を構成する。 In this way, the third transport edge clamping mechanism 130 has the same structure as the second transport edge clamping mechanism 82. Furthermore, a flow path (not shown) is formed in the palm portion 126a, and the tube 132, solenoid valve (not shown), pure water supply source 88, etc. constitute a water supply unit 134 for supplying pure water.
第3搬送ユニット120は、超音波水吐出ノズル96と同じ構成の超音波水吐出ノズル136を有する。超音波水吐出ノズル136は、上述の超音波水吐出ノズル96と同じであるので、説明を省略する。 The third conveying unit 120 has an ultrasonic water discharge nozzle 136 that has the same configuration as the ultrasonic water discharge nozzle 96. Since the ultrasonic water discharge nozzle 136 is the same as the ultrasonic water discharge nozzle 96 described above, a description thereof will be omitted.
第3搬送ユニット120の動作について説明する。腕部122を下降させ、移動ピンを互いに接近させることで、第3搬送ユニット120は、開口4b上に位置するウェーハ11を、3つのクランプ爪128を用いてウェーハ11の径方向でクランプする。 The operation of the third transport unit 120 will now be described. By lowering the arm 122 and bringing the moving pins closer to each other, the third transport unit 120 clamps the wafer 11 positioned above the opening 4b in the radial direction of the wafer 11 using the three clamp claws 128.
なお、第3搬送ユニット120は、4つ以上のクランプ爪128でウェーハ11をクランプしてもよい。また、第3搬送ユニット120は、クランプ爪128に代えて、ベルヌーイ型の非接触吸引パッド(不図示)により、ウェーハ11を非接触で吸引保持してもよい。 The third transport unit 120 may clamp the wafer 11 using four or more clamp claws 128. Instead of the clamp claws 128, the third transport unit 120 may also suction and hold the wafer 11 in a non-contact manner using a Bernoulli-type non-contact suction pad (not shown).
いずれにしても、第3搬送ユニット120は、表面11a及び裏面11bに接することなく、ウェーハ11を保持できるので、表面11a及び裏面11bへの傷の形成や、パーティクルの付着を防止できる。 In either case, the third transfer unit 120 can hold the wafer 11 without contacting the front surface 11a or back surface 11b, thereby preventing scratches on the front surface 11a or back surface 11b and particle adhesion.
また、搬送時には、純水86でウェーハ11の乾燥を防止すると共に、超音波水吐出ノズル136から超音波振動が付与された純水を吐出してウェーハ11を洗浄できる。これにより、後述する表面側洗浄ユニット140において、洗浄に要する時間、流量等を更に低減できる。 In addition, during transport, the pure water 86 prevents the wafer 11 from drying out, and the pure water imparted with ultrasonic vibrations is ejected from the ultrasonic water ejection nozzle 136 to clean the wafer 11. This further reduces the time and flow rate required for cleaning in the front-side cleaning unit 140, which will be described later.
裏面側洗浄ユニット106の前方には、円板状の表面側洗浄ユニット(第2洗浄ユニット)140が設けられている。なお、表面側洗浄ユニット140と裏面側洗浄ユニット106との間には、スライド式の第1シャッタ(不図示)が設けられている。 A disc-shaped front-side cleaning unit (second cleaning unit) 140 is provided in front of the back-side cleaning unit 106. A sliding first shutter (not shown) is provided between the front-side cleaning unit 140 and the back-side cleaning unit 106.
また、表面側洗浄ユニット140と搬出入ロボット10との間には、スライド式の第2シャッタ(不図示)が設けられている。この様に、表面側洗浄ユニット140は、第1及び第2シャッタにより隔離され、高い清浄度を維持可能な空間に配置されている。 In addition, a sliding second shutter (not shown) is provided between the front surface cleaning unit 140 and the carry-in/out robot 10. In this way, the front surface cleaning unit 140 is isolated by the first and second shutters and is placed in a space where a high level of cleanliness can be maintained.
表面側洗浄ユニット140は、ウェーハ11を保持するための円板状の保持ユニット142を有する。保持ユニット142の下部には、モータ等の第4回転駆動源(不図示)が設けられている。 The front surface side cleaning unit 140 has a disk-shaped holding unit 142 for holding the wafer 11. A fourth rotation drive source (not shown), such as a motor, is provided below the holding unit 142.
第4回転駆動源は、Z軸方向に略平行な回転軸の周りに、低速(例えば、50rpm以上100rpm以下の所定値)、又は、高速(例えば、1000rpm以上2000rpm以下の所定値)で、保持ユニット142を回転させる。 The fourth rotary drive source rotates the holding unit 142 around a rotation axis substantially parallel to the Z-axis direction at a low speed (e.g., a predetermined value of 50 rpm or more and 100 rpm or less) or at a high speed (e.g., a predetermined value of 1000 rpm or more and 2000 rpm or less).
第4回転駆動源の下部には昇降機構(不図示)が設けられている。昇降機構は、ウェーハ11の搬入及び搬出時に保持ユニット142を円筒状のカバー部材140aの上方に配置し(図8参照)、ウェーハ11の洗浄時に保持ユニット142をカバー部材140aの内部空間に配置する。 An elevator mechanism (not shown) is provided below the fourth rotary drive source. The elevator mechanism positions the holding unit 142 above the cylindrical cover member 140a when loading and unloading the wafer 11 (see Figure 8), and positions the holding unit 142 in the internal space of the cover member 140a when cleaning the wafer 11.
図11(A)は、保持ユニット142の斜視図である。保持ユニット142は、円板状の基台144を備える。基台144の上面は、PTFE等のフッ素樹脂でコーティングされている。 Figure 11 (A) is a perspective view of the holding unit 142. The holding unit 142 has a disk-shaped base 144. The top surface of the base 144 is coated with a fluororesin such as PTFE.
基台144の上面の外周部には、複数(本実施形態では、6個)の支持ピン146が、基台144の外周に沿って所定の間隔で配置されている。各支持ピン146は、PTFE等のフッ素樹脂で形成されている。 A number of support pins 146 (six in this embodiment) are arranged at predetermined intervals around the outer periphery of the top surface of the base 144. Each support pin 146 is made of a fluororesin such as PTFE.
複数の支持ピン146は、基台144の上面に対する上端の高さがそれぞれ同じ値(例えば、約20mm)に設定されており、ウェーハ11の裏面11b側の外周部を支持する(図12(B)等参照)。 The upper ends of the multiple support pins 146 are each set to the same height (e.g., approximately 20 mm) relative to the top surface of the base 144, and support the outer periphery of the back surface 11b of the wafer 11 (see Figure 12(B), etc.).
なお、支持ピン146に接する裏面11b側の外周部は、ウェーハ11の径方向で最外周部11dから内側に所定長さ(例えば、2.5mm)以下の範囲である。各支持ピン146は、この範囲で裏面11bに点接触するので、チャックテーブルの保持面で吸引保持する場合に比べて、接触面積を著しく低減できる。 The outer periphery of the back surface 11b that contacts the support pins 146 is within a range of a predetermined length (e.g., 2.5 mm) inward from the outermost periphery 11d in the radial direction of the wafer 11. Each support pin 146 makes point contact with the back surface 11b within this range, significantly reducing the contact area compared to when the wafer is held by suction using the holding surface of a chuck table.
基台144の側部には、各々鉤状の複数(本実施形態では、3個)の規制部材148が、基台144の外周に沿って所定の間隔で配置されている。なお、規制部材148の数は、3個以上であればよく、3個に限定されるものではない。 A number of hook-shaped restricting members 148 (three in this embodiment) are arranged on the sides of the base 144 at predetermined intervals along the outer periphery of the base 144. The number of restricting members 148 may be three or more, and is not limited to three.
規制部材148の下端部には、エアアクチュエータ等の駆動機構150が設けられている。駆動機構150は、規制部材148を閉位置(図11(A)参照)と、開位置(図11(B)参照)と、に移動させる。 A drive mechanism 150, such as an air actuator, is provided at the lower end of the restricting member 148. The drive mechanism 150 moves the restricting member 148 between a closed position (see Figure 11(A)) and an open position (see Figure 11(B)).
図11(B)は、規制部材148が開位置にあるときの保持ユニット142の側面図である。規制部材148は、PTFE等のフッ素樹脂で形成された直方体状のエッジ規制部148aを有する。 Figure 11(B) is a side view of the holding unit 142 when the restricting member 148 is in the open position. The restricting member 148 has a rectangular parallelepiped edge restricting portion 148a made of a fluororesin such as PTFE.
エッジ規制部148aは、閉位置のときに支持ピン146で支持されたウェーハ11の最外周部11dに接触し、基台144の径方向でのウェーハ11の移動を規制する。例えば、3個のエッジ規制部148aは、ウェーハ11の径方向でエッジ11eをクランプできる。 When in the closed position, the edge restriction portions 148a come into contact with the outermost peripheral portion 11d of the wafer 11 supported by the support pins 146, restricting movement of the wafer 11 in the radial direction of the base 144. For example, three edge restriction portions 148a can clamp the edge 11e of the wafer 11 in the radial direction.
エッジ規制部148aの上端部には、基台144の中心側へ所定量(例えば、0.5mm)だけ突出する態様で、PTFE等のフッ素樹脂で形成された直方体状の上面規制部148bが設けられている。上面規制部148bは、閉位置のときに、支持ピン146で支持されたウェーハ11の基台144の厚さ方向での移動を規制する。 A rectangular parallelepiped top surface restriction portion 148b made of a fluororesin such as PTFE is provided at the upper end of the edge restriction portion 148a, protruding a predetermined amount (e.g., 0.5 mm) toward the center of the base 144. When in the closed position, the top surface restriction portion 148b restricts movement of the wafer 11 supported by the support pins 146 in the thickness direction of the base 144.
なお、基台144を静止させて、支持ピン146でウェーハ11を支持し、規制部材148を閉位置にしたとき、上面規制部148bの下面と、ウェーハ11の表面11aとの間には、隙間148cが形成される(図12(B)参照)。 When the base 144 is stationary, the support pins 146 support the wafer 11, and the restricting member 148 is in the closed position, a gap 148c is formed between the lower surface of the upper surface restricting portion 148b and the surface 11a of the wafer 11 (see Figure 12 (B)).
複数の支持ピン146と、複数の規制部材148及び駆動機構150とは、基台144の外周部に設けられた移動規制機構152を構成し、基台144の回転時における、基台144の径方向及び厚さ方向でのウェーハ11の移動を所定範囲に規制する。 The multiple support pins 146, multiple regulating members 148, and drive mechanism 150 constitute a movement regulating mechanism 152 provided on the outer periphery of the base 144, which regulates the movement of the wafer 11 in the radial and thickness directions of the base 144 within a predetermined range when the base 144 rotates.
図8に戻って、基台144の中央部の上方には、噴射口が下方を向く様に配置された洗浄ノズル154が設けられている。洗浄ノズル154には、薬液供給源(不図示)が接続されている。 Returning to Figure 8, a cleaning nozzle 154 is provided above the center of the base 144, with its nozzle facing downward. A chemical supply source (not shown) is connected to the cleaning nozzle 154.
薬液供給源は、薬液154a(図13(B)参照)を貯留するタンク(不図示)を有する。薬液154aは、オゾン水、フッ化水素酸と硝酸との混合液(所謂、フッ硝酸)、クエン酸水等である。薬液供給源と、洗浄ノズル154との間の流路には、洗浄ノズル154への薬液154aの供給を制御する電磁弁(不図示)が設けられている。 The chemical solution supply source has a tank (not shown) that stores chemical solution 154a (see Figure 13(B)). Chemical solution 154a is ozone water, a mixture of hydrofluoric acid and nitric acid (so-called fluoronitric acid), citric acid water, etc. A solenoid valve (not shown) is provided in the flow path between the chemical solution supply source and the cleaning nozzle 154 to control the supply of chemical solution 154a to the cleaning nozzle 154.
基台144の側方において、所定距離だけ離れた位置には、揺動機構156が設けられている。揺動機構156は、Z軸方向に略平行に配置された直方体状の基部156aを有する。基部156aの底部には、モータ等の駆動源(不図示)が連結されている。 A swing mechanism 156 is provided at a predetermined distance to the side of the base 144. The swing mechanism 156 has a rectangular parallelepiped base 156a that is arranged approximately parallel to the Z-axis direction. A drive source (not shown), such as a motor, is connected to the bottom of the base 156a.
当該駆動源は、X-Y平面内において所定の角度範囲で基部156aを揺動させる。駆動源の下部には、駆動源及び基部156aをZ軸方向に沿って昇降させるアクチュエータ(不図示)が設けられている。 The drive source swings the base 156a within a predetermined angular range within the X-Y plane. An actuator (not shown) is provided below the drive source to raise and lower the drive source and base 156a along the Z-axis direction.
基部156aの上端部は、基台144よりも上方に位置しており、当該上端部には、基台144の中心側へ突出する様に配置されたアーム158の基端部が連結されている。アーム158の先端部の底面には、洗浄用具160が設けられている。 The upper end of the base 156a is located above the base 144, and the base end of an arm 158 is connected to this upper end so as to protrude toward the center of the base 144. A cleaning tool 160 is provided on the bottom surface of the tip of the arm 158.
洗浄用具160は、略平坦な円板状であり、柔軟性及び吸水性が比較的高いスポンジである。スポンジの材料としては、例えば、PVA(polyvinyl alcohol)が使用される。なお、洗浄用具160は、円板の下面に複数の突起が設けられたスポンジブラシであってもよい。 The cleaning tool 160 is a sponge with a generally flat, disc-like shape that is relatively flexible and absorbent. The sponge is made of, for example, PVA (polyvinyl alcohol). The cleaning tool 160 may also be a sponge brush with multiple protrusions on the underside of the disc.
表面側洗浄工程について説明する。まず、第1シャッタを開状態にし、裏面側洗浄ユニット106で裏面11b側が洗浄されたウェーハ11を、規制部材148が開位置にされた表面側洗浄ユニット140へ、第3搬送ユニット120が搬送する。 The front surface side cleaning process will now be described. First, the first shutter is opened, and the third transport unit 120 transports the wafer 11, whose back surface 11b side has been cleaned in the back surface side cleaning unit 106, to the front surface side cleaning unit 140, whose regulating member 148 is in the open position.
その後、第1シャッタを閉状態とし、規制部材148を閉位置にする。このとき、ウェーハ11の最外周部11dにはエッジ規制部148aが接し、ウェーハ11は、ウェーハ11の径方向で保持される。 Then, the first shutter is closed and the restricting member 148 is set to the closed position. At this time, the edge restricting portion 148a contacts the outermost periphery 11d of the wafer 11, and the wafer 11 is held in the radial direction of the wafer 11.
また、このとき、表面11a側の外周部の上方には、上面規制部148bが位置する。図12(A)は、ウェーハ11を保持した保持ユニット142の斜視図であり、図12(B)は、ウェーハ11を保持した保持ユニット142の側面図である。 At this time, the upper surface restriction portion 148b is located above the outer periphery on the front surface 11a side. Figure 12(A) is a perspective view of the holding unit 142 holding the wafer 11, and Figure 12(B) is a side view of the holding unit 142 holding the wafer 11.
ウェーハ11の保持後、保持ユニット142をカバー部材140aの内部空間に配置する。そして、基台144を所定方向に低速(例えば、60rpm)で回転させながら、洗浄ノズル154から表面11a側へ薬液154aを噴射する。これと共に、洗浄用具160を表面11a側に接触させた状態でアーム158を所定の角度範囲で揺動させる。 After holding the wafer 11, the holding unit 142 is placed in the internal space of the cover member 140a. Then, while the base 144 is rotated in a predetermined direction at a low speed (e.g., 60 rpm), the chemical solution 154a is sprayed from the cleaning nozzle 154 toward the surface 11a. At the same time, the arm 158 is swung within a predetermined angle range while the cleaning tool 160 is in contact with the surface 11a.
なお、仮に、基台144の回転時に、基台144の厚さ方向(Z軸方向)にウェーハ11が少し浮き上がったとしても、ウェーハ11の上方向への移動は、上面規制部148bにより規制される。 Even if the wafer 11 were to rise slightly in the thickness direction (Z-axis direction) of the base 144 when the base 144 rotates, the upward movement of the wafer 11 would be restricted by the upper surface restricting portion 148b.
この様にして、ウェーハ11をチャックテーブルの保持面で吸引保持することなくウェーハ11の移動を規制しながら、表面11a側の略全体を洗浄する。図13(A)は、洗浄時の保持ユニット142の上面図であり、図13(B)は、洗浄時の保持ユニット142の側面図である。 In this way, the wafer 11 is cleaned almost entirely on the front surface 11a side while restricting its movement without being held by suction on the holding surface of the chuck table. Figure 13(A) is a top view of the holding unit 142 during cleaning, and Figure 13(B) is a side view of the holding unit 142 during cleaning.
表面11a側の洗浄終了後、薬液154aの噴射を停止し、洗浄用具160を退避させると共に、基台144を所定方向に高速(例えば、2000rpm)で回転させて、ウェーハ11を乾燥させる。 After cleaning of the front surface 11a is complete, spraying of the chemical solution 154a is stopped, the cleaning tool 160 is retracted, and the base 144 is rotated in a predetermined direction at high speed (e.g., 2000 rpm) to dry the wafer 11.
この様に、表面側洗浄ユニット140では、表面11a側の洗浄に引き続き、スピン乾燥を行うことができる。スピン乾燥後、基台144をカバー部材140aの上方に移動させ、第2シャッタを開状態とし、搬出入ロボット10が表面側洗浄ユニット140からカセット8へウェーハ11を搬送する。 In this way, in the front surface side cleaning unit 140, spin drying can be performed following cleaning of the front surface 11a side. After spin drying, the base 144 is moved above the cover member 140a, the second shutter is opened, and the transfer robot 10 transfers the wafer 11 from the front surface side cleaning unit 140 to the cassette 8.
ところで、加工装置2の各構成要素の動作は、制御ユニット162(図1参照)により制御される。制御ユニット162は、例えば、CPU(Central Processing Unit)に代表されるプロセッサ(処理装置)と、主記憶装置と、補助記憶装置と、を含むコンピュータによって構成されている。 The operation of each component of the processing device 2 is controlled by a control unit 162 (see Figure 1). The control unit 162 is configured, for example, by a computer including a processor (processing device) represented by a CPU (Central Processing Unit), a main memory device, and an auxiliary memory device.
主記憶装置は、例えば、DRAM(Dynamic Random Access Memory)、SRAM(Static Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)等を有する。また、補助記憶装置は、例えば、フラッシュメモリ、ハードディスクドライブ、ソリッドステートドライブ等を有する。 The main storage device may include, for example, dynamic random access memory (DRAM), static random access memory (SRAM), or read-only memory (ROM). The auxiliary storage device may include, for example, flash memory, a hard disk drive, or a solid-state drive.
補助記憶装置には、所定のプログラムを含むソフトウェアが記憶されている。このソフトウェアに従い処理装置等を動作させることによって、制御ユニット162の機能が実現される。 The auxiliary storage device stores software including specific programs. The functions of the control unit 162 are realized by operating the processing device and other components in accordance with this software.
本実施形態では、裏面側洗浄ユニット106及び表面側洗浄ユニット140を用いることにより、エッジトリミング後のウェーハ11の裏面11b側及び表面11a側と、チャックテーブルの保持面とを接触させずに、裏面11b側及び表面11a側を洗浄できる。また、ウェーハ11の表裏面を反転させる必要も無い。 In this embodiment, by using the back surface cleaning unit 106 and the front surface cleaning unit 140, the back surface 11b and front surface 11a of the wafer 11 after edge trimming can be cleaned without contacting the back surface 11b and front surface 11a with the holding surface of the chuck table. There is also no need to flip the wafer 11 over.
更に、裏面側洗浄ユニット106で裏面11b側を洗浄し、次いで、表面側洗浄ユニット140で表面11a側を洗浄するので、1つ目のウェーハ11の表面11a側を表面側洗浄ユニット140で洗浄する間に、2つ目のウェーハ11の裏面11b側を裏面側洗浄ユニット106で洗浄できる。 Furthermore, the back surface 11b side is cleaned in the back surface cleaning unit 106, and then the front surface 11a side is cleaned in the front surface cleaning unit 140. Therefore, while the front surface 11a side of the first wafer 11 is being cleaned in the front surface cleaning unit 140, the back surface 11b side of the second wafer 11 can be cleaned in the back surface cleaning unit 106.
それゆえ、1つの洗浄ユニットを用いてウェーハ11の裏面11b側及び表面11a側を順次洗浄する場合に比べて、加工工程全体の進捗が洗浄工程の進捗により制限される度合を低減できる。 This reduces the degree to which the progress of the cleaning process limits the progress of the entire processing process compared to when a single cleaning unit is used to sequentially clean the back surface 11b and front surface 11a of the wafer 11.
なお、加工工程全体とは、エッジトリミングを施す切削加工、第2搬送ユニット70及び第3搬送ユニット120での搬送時の水供給や超音波洗浄、裏面側洗浄ユニット106での裏面側洗浄工程、表面側洗浄ユニット140での表面側洗浄工程等を含む。 The entire processing process includes cutting for edge trimming, water supply and ultrasonic cleaning during transport by the second transport unit 70 and the third transport unit 120, the back-side cleaning process by the back-side cleaning unit 106, and the front-side cleaning process by the front-side cleaning unit 140.
また、第2搬送ユニット70及び第3搬送ユニット120は、ウェーハ11の径方向においてウェーハ11のエッジ11eを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態でウェーハ11を搬送する。搬送時における表面11a側及び裏面11b側との接触を抑制できるので、表面11a側及び裏面11b側への傷の形成やパーティクルの付着を防止できる。 The second transfer unit 70 and the third transfer unit 120 transfer the wafer 11 while clamping and holding the edge 11e of the wafer 11 at at least three points in the radial direction of the wafer 11. This reduces contact with the front surface 11a and back surface 11b during transfer, preventing scratches on the front surface 11a and back surface 11b and particle adhesion.
この様に、エッジトリミング後に、エッジ11eをクランプした搬送と、洗浄エッジクランプ機構114を有する裏面側洗浄ユニット106での裏面11b側の洗浄と、移動規制機構152を有する表面側洗浄ユニット140での表面11a側の洗浄と、を総合的に行うことで、エッジトリミング後のウェーハ11の清浄度を高くできる。 In this way, after edge trimming, the wafer 11 can be transported while its edge 11e is clamped, its back surface 11b side is cleaned in the back surface side cleaning unit 106 having the cleaning edge clamping mechanism 114, and its front surface 11a side is cleaned in the front surface side cleaning unit 140 having the movement restriction mechanism 152, all of which are performed in a comprehensive manner, thereby increasing the cleanliness of the wafer 11 after edge trimming.
その他、上述の実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, etc. related to the above-described embodiments may be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention.
上述の実施形態では、第2搬送ユニット70が水供給ユニット92を有し、且つ、第3搬送ユニット120が水供給ユニット134を有する例を説明した。しかし、第2搬送ユニット70及び第3搬送ユニット120のどちらか一方が水供給ユニットを有してもよい。 In the above embodiment, an example was described in which the second transport unit 70 has a water supply unit 92 and the third transport unit 120 has a water supply unit 134. However, either the second transport unit 70 or the third transport unit 120 may have a water supply unit.
また、上述の実施形態では、第2搬送ユニット70が超音波水吐出ノズル96を有し、且つ、第3搬送ユニット120が超音波水吐出ノズル136を有する例を説明した。しかし、第2搬送ユニット70及び第3搬送ユニット120のどちらか一方が超音波水吐出ノズルを有してもよい。 Furthermore, in the above-described embodiment, an example was described in which the second conveying unit 70 has an ultrasonic water discharge nozzle 96, and the third conveying unit 120 has an ultrasonic water discharge nozzle 136. However, either the second conveying unit 70 or the third conveying unit 120 may have an ultrasonic water discharge nozzle.
2:加工装置、4:基台、4a,4b:開口
6a,6b:カセットテーブル、8:カセット、10:搬出入ロボット
11:ウェーハ、11a:表面、11b:裏面
11c:面取り部、11d:最外周部、11e:エッジ、11f:ノッチ
12:ロボットハンド、12a:長手部、12b:接続部
12c:クランプ爪、12d:長穴、12e:エッジクランプ機構
13:分割予定ライン、15:デバイス、17a:デバイス領域、17b:外周余剰領域
14:位置合わせテーブル、14a:テーブル
16:位置調整ユニット、16a:支持台、16b:ローラ
18:第1搬送ユニット、20:ガイドレール、22:移動ブロック、24:腕部
26:ハンド部、26a:掌部、26b:指部
28:移動ピン、30:クランプ爪、32:第1搬送エッジクランプ機構
36:保持テーブル、38:環状支持部、38a:環状支持面、38b:環状溝
40:吸引路、42:電磁弁、44:吸引源
46:ベース部材、46a:上面、46b:凹部、48:突き上げ部、48a:上面
50:流路、52:電磁弁、54:流体供給源
56:切削ユニット、58:スピンドルハウジング、60:スピンドル
62:切削ブレード、64:ブレードカバー、66:切削水ノズル
68:顕微鏡カメラユニット、70:第2搬送ユニット、72:腕部
74:移動ブロック、74a,74b,74c:両矢印
76:ハンド部、76a:掌部、76a1:流路、76b:指部
78:移動ピン、80:クランプ爪、82:第2搬送エッジクランプ機構
84:チューブ、86:純水、88:純水供給源、90:電磁弁
92:水供給ユニット、94:留め具、96:超音波水吐出ノズル
96a:筐体、96b1:第1空間、96b2:第2空間、96b3:開口
98:超音波振動子、98a:純水
100:電源ユニット、102:流路、104:電磁弁
106:裏面側洗浄ユニット(第1洗浄ユニット)、108:ロールブラシ
110:洗浄ノズル、112:回転ユニット、112a:支持台、112b:ローラ
114:洗浄エッジクランプ機構
120:第3搬送ユニット、122:腕部、124:移動ブロック
124a,124b:両矢印
126:ハンド部、126a:掌部、126b:指部、128:クランプ爪
130:第3搬送エッジクランプ機構、132:チューブ、134:水供給ユニット
136:超音波水吐出ノズル、140:表面側洗浄ユニット(第2洗浄ユニット)
140a:カバー部材、142:保持ユニット、144:基台、146:支持ピン
148:規制部材、148a:エッジ規制部、148b:上面規制部、148c:隙間
150:駆動機構、152:移動規制機構、154:洗浄ノズル、154a:薬液
156:揺動機構、156a:基部、158:アーム、160:洗浄用具
162:制御ユニット、A:搬入搬出領域、B:切削領域、C:洗浄領域
2: Processing device, 4: Base, 4a, 4b: Openings, 6a, 6b: Cassette table, 8: Cassette, 10: Carry-in/out robot, 11: Wafer, 11a: Front surface, 11b: Back surface, 11c: Chamfered portion, 11d: Outermost periphery, 11e: Edge, 11f: Notch, 12: Robot hand, 12a: Long portion, 12b: Connection portion, 12c: Clamp claw, 12d: Slot, 12e: Edge clamp mechanism, 13: Planned division line, 15: Device, 17a: Device area, 17b: Outer surplus area, 14: Alignment table, 14a: Table, 16: Position adjustment unit, 16a: Support base, 16b: Roller, 18: First transport unit, 20: Guide rail, 22: Moving block, 24: Arm portion, 26: Hand portion, 2 6a: palm portion, 26b: finger portion, 28: moving pin, 30: clamp claw, 32: first conveying edge clamp mechanism, 36: holding table, 38: annular support portion, 38a: annular support surface, 38b: annular groove, 40: suction path, 42: solenoid valve, 44: suction source, 46: base member, 46a: upper surface, 46b: recess, 48: push-up portion, 48a: upper surface, 50: flow path, 52: solenoid valve, 54: fluid supply source, 56: cutting unit, 58: spindle housing, 60: spindle, 62: cutting blade, 64: blade cover, 66: cutting water nozzle, 68: microscope camera unit, 70: second conveying unit, 72: arm portion, 74: moving block, 74a, 74b, 74c: double arrow, 76: hand portion, 76a: palm portion, 76a 1 : Flow path, 76b: Finger portion 78: Moving pin, 80: Clamp claw, 82: Second conveying edge clamp mechanism 84: Tube, 86: Pure water, 88: Pure water supply source, 90: Solenoid valve 92: Water supply unit, 94: Fastener, 96: Ultrasonic water discharge nozzle 96a: Housing, 96b 1 : First space, 96b 2 : Second space, 96b 3 : Opening 98: ultrasonic vibrator, 98a: pure water 100: power supply unit, 102: flow path, 104: solenoid valve 106: back surface side cleaning unit (first cleaning unit), 108: roll brush 110: cleaning nozzle, 112: rotation unit, 112a: support base, 112b: roller 114: cleaning edge clamp mechanism 120: third transport unit, 122: arm portion, 124: moving block 124a, 124b: double arrow 126: hand portion, 126a: palm portion, 126b: finger portion, 128: clamp claw 130: third transport edge clamp mechanism, 132: tube, 134: water supply unit 136: ultrasonic water discharge nozzle, 140: front surface side cleaning unit (second cleaning unit)
140a: Cover member, 142: Holding unit, 144: Base, 146: Support pin, 148: Restricting member, 148a: Edge restricting portion, 148b: Upper surface restricting portion, 148c: Gap, 150: Driving mechanism, 152: Movement restricting mechanism, 154: Cleaning nozzle, 154a: Chemical solution, 156: Swinging mechanism, 156a: Base, 158: Arm, 160: Cleaning tool, 162: Control unit, A: Loading/unloading area, B: Cutting area, C: Cleaning area
Claims (8)
該ウェーハが収容されたカセットが載置されるカセットテーブルと、
該カセットテーブルに載置された該カセットに対して該ウェーハを搬出及び搬入可能な搬出入ロボットと、
該ウェーハを吸引保持する保持テーブルと、
該搬出入ロボットによって搬出された該ウェーハを該保持テーブルへ搬送する第1搬送ユニットと、
スピンドルを有し、該保持テーブルで吸引保持された該ウェーハの該表面側の該面取り部、又は、該表面側及び該裏面側の両方の該面取り部を、該スピンドルに装着された切削ブレードで切削して除去する切削ユニットと、
該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを洗浄するための洗浄エッジクランプ機構を有し、該切削ユニットで切削された該ウェーハの該裏面側を洗浄する第1洗浄ユニットと、
該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第2搬送エッジクランプ機構を有し、該保持テーブルと該第1洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第2搬送ユニットと、
該ウェーハを吸引保持せずに該ウェーハの移動を所定範囲に規制した状態で該ウェーハを洗浄するための移動規制機構を有し、該第1洗浄ユニットで洗浄された該ウェーハの該表面側を洗浄する第2洗浄ユニットと、
該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第3搬送エッジクランプ機構を有し、該第1洗浄ユニットと該第2洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第3搬送ユニットと、を備え、
該保持テーブルは、
環状支持面を含む環状支持部と、
該環状支持部の径方向において該環状支持部の内側に位置し上面が該環状支持面よりも低い位置にある円板状のベース部材と、
該ベース部材の径方向の中央部に位置する円板状の凹部に設けられた円板状の突き上げ部と、を有し、
該突き上げ部が該ウェーハを突き上げないときには、該突き上げ部の上面は、該環状支持面よりも低い位置にあるが、
該突き上げ部が該ウェーハを突き上げるときには、該突き上げ部の該上面に設けられた流路からエア又は水を該突き上げ部の該上面に供給すると共に該突き上げ部を上昇させることで、該突き上げ部の該上面が該エア又は該水の層により該ウェーハに直接接することなく、該突き上げ部が該ウェーハを突き上げ、
該第2洗浄ユニットは、該移動規制機構が設けられた円板状の基台を有し、
該移動規制機構は、該該基台の上面に設けられ該ウェーハの該裏面側の外周部を支持するための複数のピンと、それぞれ鉤状であり、該基台の側部に設けられ、該基台の径方向及び該基台の厚さ方向における該ウェーハの移動を規制する3つ以上の規制部材と、それぞれ対応して設けられている該規制部材を動かす3つ以上の駆動機構と、を有し、
各規制部材は、該ウェーハの最外周部に接触可能なエッジ規制部と、該エッジ規制部の上端部から該基台の中心側へ所定量だけ突出する態様で設けられた上面規制部と、を有することを特徴とする加工装置。 A processing apparatus for removing a chamfered portion on a front surface side or both the front surface side and the back surface side of a wafer, the chamfered portion being formed on the outer periphery of each of the front surface side and the back surface side, the processing apparatus comprising:
a cassette table on which a cassette containing the wafers is placed;
a carry-in/out robot capable of carrying the wafer into and out of the cassette placed on the cassette table;
a holding table that holds the wafer by suction;
a first transfer unit that transfers the wafer carried out by the carry-in/out robot to the holding table;
a cutting unit having a spindle, which cuts and removes the chamfered portion on the front surface side of the wafer held by suction on the holding table, or the chamfered portions on both the front surface side and the back surface side of the wafer, using a cutting blade attached to the spindle;
a first cleaning unit having a cleaning edge clamping mechanism for cleaning the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and for cleaning the back side of the wafer cut by the cutting unit;
a second transfer unit having a second transfer edge clamp mechanism for transferring the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and for transferring the wafer between the holding table and the first cleaning unit;
a second cleaning unit having a movement restriction mechanism for cleaning the wafer in a state where the movement of the wafer is restricted within a predetermined range without suction holding the wafer, and for cleaning the front surface side of the wafer cleaned in the first cleaning unit;
a third transfer unit having a third transfer edge clamp mechanism for transferring the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and for transferring the wafer between the first cleaning unit and the second cleaning unit;
The holding table is
an annular support portion including an annular support surface;
a disk-shaped base member located inside the annular support portion in the radial direction of the annular support portion, the upper surface of the base member being located lower than the annular support surface;
a disc-shaped push-up portion provided in a disc-shaped recess located at a radial center portion of the base member,
When the push-up portion does not push up the wafer, the upper surface of the push-up portion is located at a position lower than the annular support surface.
When the push-up portion pushes up the wafer, air or water is supplied to the upper surface of the push-up portion from a flow path provided on the upper surface of the push-up portion , and the push-up portion is raised , so that the upper surface of the push-up portion does not come into direct contact with the wafer due to the layer of air or water, and the push-up portion pushes up the wafer ,
the second cleaning unit has a disk-shaped base on which the movement restriction mechanism is provided,
the movement restriction mechanism includes a plurality of pins provided on the upper surface of the base for supporting the outer periphery of the back surface side of the wafer, three or more hook-shaped restriction members provided on the sides of the base for restricting movement of the wafer in the radial direction and the thickness direction of the base, and three or more drive mechanisms for moving the restriction members provided corresponding to the restriction members,
A processing apparatus characterized in that each regulating member has an edge regulating portion that can contact the outermost periphery of the wafer, and an upper surface regulating portion that is arranged in a manner that protrudes a predetermined amount from the upper end of the edge regulating portion toward the center of the base .
該ウェーハが収容されたカセットが載置されるカセットテーブルと、
該カセットテーブルに載置された該カセットに対して該ウェーハを搬出及び搬入可能な搬出入ロボットと、
該ウェーハを吸引保持する保持テーブルと、
該搬出入ロボットによって搬出された該ウェーハを該保持テーブルへ搬送する第1搬送ユニットと、
スピンドルを有し、該保持テーブルで吸引保持された該ウェーハの該表面側の該面取り部、又は、該表面側及び該裏面側の両方の該面取り部を、該スピンドルに装着された切削ブレードで切削して除去する切削ユニットと、
該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを洗浄するための洗浄エッジクランプ機構を有し、該切削ユニットで切削された該ウェーハの該裏面側を洗浄する第1洗浄ユニットと、
該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第2搬送エッジクランプ機構を有し、該保持テーブルと該第1洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第2搬送ユニットと、
該ウェーハを吸引保持せずに該ウェーハの移動を所定範囲に規制した状態で該ウェーハを洗浄するための移動規制機構を有し、該第1洗浄ユニットで洗浄された該ウェーハの該表面側を洗浄する第2洗浄ユニットと、
該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するための第3搬送エッジクランプ機構を有し、該第1洗浄ユニットと該第2洗浄ユニットとの間で該ウェーハを搬送する第3搬送ユニットと、を備え、
該第2搬送ユニット及び該第3搬送ユニットの少なくとも一方は、超音波振動子を有し、該超音波振動子から超音波振動が付与された水を、該ウェーハに吐出するための超音波水吐出ノズルを有し、
該第2搬送ユニット及び該第3搬送ユニットは、該ウェーハの径方向において該ウェーハのエッジを少なくとも3箇所でクランプして保持した状態で該ウェーハを搬送するエッジクランプ機構をそれぞれ有することを特徴とする加工装置。 A processing apparatus for removing a chamfered portion on a front surface side or both the front surface side and the back surface side of a wafer, the chamfered portion being formed on the outer periphery of each of the front surface side and the back surface side, the processing apparatus comprising:
a cassette table on which a cassette containing the wafers is placed;
a carry-in/out robot capable of carrying the wafer into and out of the cassette placed on the cassette table;
a holding table that holds the wafer by suction;
a first transfer unit that transfers the wafer carried out by the carry-in/out robot to the holding table;
a cutting unit having a spindle, which cuts and removes the chamfered portion on the front surface side of the wafer held by suction on the holding table, or the chamfered portions on both the front surface side and the back surface side of the wafer, using a cutting blade attached to the spindle;
a first cleaning unit having a cleaning edge clamping mechanism for cleaning the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and for cleaning the back side of the wafer cut by the cutting unit;
a second transfer unit having a second transfer edge clamp mechanism for transferring the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and for transferring the wafer between the holding table and the first cleaning unit;
a second cleaning unit having a movement restriction mechanism for cleaning the wafer in a state where the movement of the wafer is restricted within a predetermined range without suction holding the wafer, and for cleaning the front surface side of the wafer cleaned in the first cleaning unit;
a third transfer unit having a third transfer edge clamp mechanism for transferring the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer, and for transferring the wafer between the first cleaning unit and the second cleaning unit;
At least one of the second transfer unit and the third transfer unit has an ultrasonic vibrator and an ultrasonic water discharge nozzle for discharging water to which ultrasonic vibrations have been applied from the ultrasonic vibrator onto the wafer;
The processing apparatus is characterized in that the second transport unit and the third transport unit each have an edge clamping mechanism that transports the wafer while clamping and holding the edge of the wafer at at least three points in the radial direction of the wafer .
該移動規制機構は、
該基台の上面に設けられ、該ウェーハの該裏面側の外周部を支持するための複数のピンと、
該基台の側部の少なくとも3箇所に設けられ、該基台の径方向及び該基台の厚さ方向における該ウェーハの移動を規制する鉤状の規制部材と、
を有することを特徴とする請求項5に記載の加工装置。 the second cleaning unit has a disk-shaped base on the outer periphery of which the movement restriction mechanism is provided;
The movement restriction mechanism includes:
a plurality of pins provided on the upper surface of the base for supporting the outer periphery of the back surface side of the wafer;
Hook-shaped restricting members are provided at least at three positions on the side of the base, and restrict movement of the wafer in the radial direction and the thickness direction of the base;
6. The processing apparatus according to claim 5 , further comprising:
環状溝が設けられ、該ウェーハの外周部を支持可能な環状支持面と、該環状溝に接続され、該環状支持面で支持された該ウェーハの該裏面側の外周部を吸引保持する吸引路と、を有する環状支持部と、an annular support part having an annular support surface provided with an annular groove and capable of supporting an outer periphery of the wafer, and a suction path connected to the annular groove and suction-holding the outer periphery of the back surface side of the wafer supported by the annular support surface;
該環状支持部よりも内側に位置し、該環状支持面で支持された該ウェーハの該裏面側を突き上げて、該ウェーハを該環状支持面よりも上方に持ち上げる突き上げ部と、a push-up portion located inside the annular support portion and configured to push up the back surface of the wafer supported by the annular support surface, thereby lifting the wafer above the annular support surface;
を有することを特徴とする請求項5に記載の加工装置。6. The processing apparatus according to claim 5, further comprising:
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