JP7797515B2 - 円形ボンドフィンガーパッド - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、その全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、２０２１年１月２８日に出願された「ＣＩＲＣＵＬＡＲ ＢＯＮＤ ＦＩＮＧＥＲ ＰＡＤ」と題する米国非仮出願第１７／１６１，１０５号の利益を主張する。

本開示は、一般に集積回路（ＩＣ）パッケージに関し、より詳細には、限定はされないが、たとえば５Ｇデバイスのための円形ボンドフィンガーパッドに関する。

集積回路技術は、能動部品を小型化することによって計算能力を向上させるうえで大きな進歩を実現している。パッケージデバイスは、プロセッサ、サーバ、無線周波数（ＲＦ）集積回路などを含む多数の電子デバイスにおいて見出され得る。パッケージング技術は、ピン数の多いデバイスおよび／または生産量の多い部品において費用対効果の高いものになっている。

例示的な従来のＩＣパッケージには、基板に接した、ベースバンドモデムなどのフリップチップ（ＦＣ）ダイがある。メモリダイはベースバンドモデムより上にあり、それらの間にはダイ接着剤がある。モールドが、基板に接して、かつその上に、ベースバンドモデムおよびメモリダイを封入する。基板は、ベースバンドモデムのはんだバンプと電気的に結合するようにトレースがその中で配線される、メタライゼーション層を含む。モールド内で、トレースを通じてメモリダイをベースバンドモデムと電気的に結合するために、ワイヤボンド（たとえば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などで形成される）が使用される。ワイヤボンドは、トレースに接したボンドフィンガーパッドを通じてトレースに接続する。典型的には、パッドはニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）めっきされた表面である。これは、トレースが電気めっきプロセスから形成されることを意味する。すなわち、トレースはめっきトレースである。したがって、めっきトレースは基板の端まで延長される。端におけるトレースは、ボンドフィンガーパッドの上部の電気めっきのために使用されることになる、ボンドフィンガーパッドのすべてに電気的に接続するめっきラインに接続される。

ボンドフィンガーパッド（たとえば、Ｃｕから形成される）の形状は、典型的には長方形または楕円形である。これは、パッドがｎｏｎ－ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ（ＮＳＭＤ）であり、ＮＳＭＤではパッドが金属により画定されソルダーマスク開口がパッドよりも幅が広いからである。これは、ソルダーマスク開口とパッドとの間にクリアランスがあるので、Ｃｕパッドの全体が露出することを意味する。

ソルダーマスク開口は、あらゆる方向に動き得る。これは、Ｎｉ／Ａｕめっきにより、ＮＳＭＤボンドフィンガーパッドが通常は、間隔について緩い設計ルールを必要とすることを意味する。残念ながら、これによりボンドフィンガー領域においてＣｕ密度が低くなる。また、ボンドフィンガーは、めっきトレースの配線をより簡単にするために、従来のパッケージングでは基板の端の近くに位置する。これは、メモリダイをボンドフィンガーに接続するために長いワイヤボンドが必要であることを意味する。これは、ワイヤボンドの電気抵抗を増やす。また、長いワイヤボンドは実現がより難しい。

したがって、本明細書において提供される方法、システム、および装置を含む、従来のパッケージの欠点を克服するシステム、装置、および方法が必要とされている。

以下は、本明細書で開示される装置および方法に関連する１つまたは複数の態様および／または例に関する簡略化された概要を提示する。したがって、以下の概要は、すべての企図される態様および／または例に関する広範な概説と見なされるべきではなく、また、以下の概要は、すべての企図される態様および／もしくは例に関する主要もしくは重要な要素を特定するか、または任意の特定の態様および／もしくは例に関連する範囲を定めると見なされるべきでもない。したがって、以下の概要は、以下に提示される詳細な説明に先立って、本明細書で開示される装置および方法に関する１つもしくは複数の態様および／または例に関する特定の概念を簡略化された形で提示することが唯一の目的である。

例示的な集積回路（ＩＣ）パッケージが開示される。ＩＣパッケージは、基板と、フリップチップ（ＦＣ）ダイと、ＦＣダイより上に配設されるワイヤボンドダイと、ワイヤボンドダイに接続されるワイヤボンドと、基板に接するモールドとを備え得る。モールドは、ＦＣダイと、ワイヤボンドダイと、ワイヤボンドとを封入し得る。基板は、第１のメタライゼーション層を含む１つまたは複数のメタライゼーション層を備え得る。第１のメタライゼーション層は、第１の基板層と、トレースと、ボンドフィンガーパッドとを備え得る。トレースは、第１の基板層に接して形成され、ＦＣダイの１つまたは複数のＦＣインターコネクトと電気的に結合するように第１のメタライゼーション層内で配線され得る。ボンドフィンガーパッドは、トレースに接して形成され得る。ボンドフィンガーパッドの形状は、実質的に円形であり得る。ワイヤボンドは、ワイヤボンド、ボンドフィンガーパッド、およびトレースを通じてワイヤボンドダイがＦＣダイと電気的に結合されるように、ボンドフィンガーパッドに電気的に接続し得る。

集積回路（ＩＣ）パッケージを製作する方法が開示される。方法は、基板を形成するステップを備え得る。方法はまた、基板に接してフリップチップ（ＦＣ）ダイを配設するステップを備え得る。方法はさらに、ＦＣダイより上にワイヤボンドダイを配設するステップを備え得る。方法はまた、ワイヤボンドダイに接続されるワイヤボンドを形成するステップを備え得る。方法はまたさらに、基板に接してモールドを形成するステップを備えてもよく、モールドは、ＦＣダイと、ワイヤボンドダイと、ワイヤボンドとを封入する。基板は、第１のメタライゼーション層を含む１つまたは複数のメタライゼーション層を備えるように形成され得る。第１のメタライゼーション層は、第１の基板層と、トレースと、ボンドフィンガーパッドとを備え得る。トレースは、第１の基板層に接して形成され、ＦＣダイの１つまたは複数のＦＣインターコネクトと電気的に結合するように第１のメタライゼーション層内で配線され得る。ボンドフィンガーパッドは、トレースに接して形成され得る。ボンドフィンガーパッドの形状は、実質的に円形であり得る。ワイヤボンドは、ワイヤボンド、ボンドフィンガーパッド、およびトレースを通じてワイヤボンドダイがＦＣダイと電気的に結合されるように、ボンドフィンガーパッドに電気的に接続するように形成され得る。

本明細書で開示される装置および方法に関連する他の特徴および利点は、添付の図面および詳細な説明に基づいて、当業者に明らかになるであろう。

以下の詳細な説明を参照して、本開示を限定するためではなく単に例示するために提示される添付の図面とともに検討されれば、本開示の態様およびその付随する利点の多くがよりよく理解されるようになるので、それらに関するより完全な諒解が容易に得られるであろう。

従来の集積回路（ＩＣ）パッケージの例を示す図である。 従来のＩＣパッケージのボンドフィンガーパッドを示す図である。 本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージの例を示す図である。 本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージのボンドフィンガーパッドを示す図である。 本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージのさらなる例を示す図である。 本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージのさらなる例を示す図である。 本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージのための基板を製作する様々な段階のプロセスフローである。 本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージを組み立てる様々な段階のプロセスフローである。 本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージを製造する例示的な方法のフローチャートである。 本開示の１つまたは複数の態様を利用し得る様々な電子デバイスを示す図である。

本明細書で開示される態様に関連する他の目的および利点は、添付の図面および詳細な説明に基づいて、当業者に明らかとなろう。慣例に従って、図面によって示される特徴は、一定の縮尺で描かれていないことがある。したがって、図示された特徴の寸法は、明快にするために、任意に拡大または縮小されていることがある。慣例に従って、図面のうちのいくつかは、明快にするために簡略化されている。したがって、図面は、特定の装置または方法のすべての構成要素を示すとは限らない。さらに、同様の参照番号は、本明細書および図の全体で同様の特徴を示す。

特定の実施形態を対象とする以下の説明および関係する図面において、本開示の態様が例示される。本明細書における教示の範囲を逸脱することなく、代替の態様または実施形態が考案され得る。加えて、本明細書の例示的な実施形態のよく知られている要素は、本開示における教示の関連する詳細を不明瞭にしないように、詳細には説明されないことがあり、または省略されることがある。

いくつかの説明される例示的な実装形態において、様々な構成要素の構造および動作の一部が既知の従来の技法から得られ、そして１つまたは複数の例示的な実施形態に従って構成され得るような事例が特定される。そのような事例では、本明細書で開示される例示的な態様において例示される概念を曖昧にする可能性をなくすことの助けとして、既知の従来の構成要素の構造および／または動作の一部の内部の詳細が省略されることがある。

本明細書で使用される用語は、特定の実施形態を説明するためのものにすぎず、限定することを意図したものではない。本明細書では、単数形の「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、文脈によって別段に規定されていない限り、複数形も含むことが意図される。「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」、「備える（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」および／または「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」という用語は、本明細書で使用されるとき、述べられた特徴、整数、ステップ、動作、要素、および／または構成要素の存在を明示するが、１つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、および／またはそれらのグループの存在または追加を排除しないことをさらに理解されたい。

本明細書の様々な態様によれば、従来のＩＣパッケージに関連する問題に対処することが提案される。背景について説明するために、従来のＩＣパッケージの例が図１に示されている。従来のＩＣパッケージ１００は、３層基板に接したベースバンドモデム１１０を含み、これはフリップチップ（ＦＣ）ダイである。メモリダイ１２０はベースバンドモデム１１０より上にあり、それらの間にはダイ接着剤１３０がある。モールド１４０が、基板に接して、かつその上に、ベースバンドモデム１１０およびメモリダイ１２０を封入する。

３層基板は、メタライゼーション層Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３を含む。Ｍ１層は第１の基板層１７０を含み、Ｍ２層は第２の基板層１８０を含み、Ｍ３層は第３の基板層１９０を含む。メタライゼーション層Ｍ１内で、ベースバンドモデム１１０のはんだバンプ１１５と電気的に結合するように、トレース１７２が配線される。やはりメタライゼーション層Ｍ１内で、ソルダーレジスト（ＳＲ）１７８がトレース１７２に接して、ならびに第１の基板１７０に接して形成される。ボンドフィンガーパッド１５０（これについては以下でさらに触れる）が、ソルダーレジスト１７８の開口内でトレース１７２に接して形成される。はんだボール１６５が、第３の基板層１９０の下面に接して形成される。

モールド１４０内で、トレース１７２を通じてメモリダイ１２０をベースバンドモデム１１０と電気的に結合するために、ワイヤボンド１６０（たとえば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などで形成される）が使用される。ワイヤボンド１６０は、ボンドフィンガーパッド１５０を通じてトレース１７２に電気的に接続する。

通常、ボンドフィンガーパッド１５０は、トレース１７２の表面にめっきされるニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ）である。したがって、トレース１７２はめっきトレースとも呼ばれ得る。めっきトレース１７２は、基板の端まで延長される。端におけるめっきトレース１７２は、ボンドフィンガーパッド１５０の上部の電気めっきのために使用されることになる、ボンドフィンガーパッド１５０に電気的に接続する１つまたは複数のめっきライン（図示せず）に接続される。

図１において、ボンドフィンガーパッド１５０の近傍が、破線の円により強調されている。ボンドフィンガーパッド１５０は、ソルダーレジスト１７８の開口内に形成されることに留意されたい。ボンドフィンガーパッド１５０の両側で、ボンドフィンガーパッド１５０とソルダーレジスト１７８との間に間隙があることにも留意されたい。すなわち、ソルダーレジスト開口（ＳＲＯ）とも呼ばれる、ソルダーレジスト１７８の開口は、ボンドフィンガーパッド１５０よりも幅が広い。

ボンドフィンガーパッドの近傍のＭ１層の上面図が図２に示されている。ここで、２つのボンドフィンガーパッド１５０がＳＲＯ内に形成されるものとして示されており、ＳＲＯはソルダーレジスト１７８により覆われないトレース１７２の領域である。見られるように、ボンドフィンガーパッド１５０の形状（たとえば、Ｎｉ／Ａｕめっきから形成される）は、典型的には長方形または楕円形である。たとえば、各ボンドフィンガーパッド１５０の寸法は、１００μｍ（たとえば、図２の横方向）対５０μｍ（たとえば、図２の縦方向）であり得る。

ボンドフィンガーパッド１５０は、ｎｏｎ－ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ（ＮＳＭＤ）パッドの例である。示されるように、ＳＲＯはボンドフィンガーパッド１５０よりも幅が広い。これは、ボンドフィンガーパッド１５０の形状がソルダーレジスト１７８（ソルダーマスクとも呼ばれる）によって画定されないことを意味する。むしろ、ボンドフィンガーパッド１５０は金属により画定される。

ＳＲＯはボンドフィンガーパッド１５０よりも幅が広いので、ボンドフィンガーパッド１５０の全体が、ＳＲＯとボンドフィンガーパッド１５０との間の隙間により露出する。ＳＲＯはあらゆる方向に動き得る。これは、Ｎｉ／Ａｕめっきにより、ボンドフィンガーパッド１５０が間隔について緩い設計ルールを必要とすることを意味する。これは、ボンドフィンガーパッド１５０が形成されるときに、任意のトレース１７２を含むＳＲＯにおいて露出するいずれの金属も、めっきを受ける可能性があるからである。これは、トレース１７２が厚くなり得ることを意味する。結果として、隣り合うトレース１７２が短絡することがある。間隔について緩い設計とは、望ましくない短絡などの問題が発生するのを防ぐために、隣接するボンドフィンガーパッド１５０間に十分な間隔が設けられることを意味する。隣接するボンドフィンガーパッド１５０間の間隔は大きく、たとえば２５μｍ以上であり得る。残念ながら、緩い間隔によりＳＲＯ領域においてＣｕ密度が低くなる。プリント回路基板（ＰＣＢ）では、Ｃｕ密度の低い領域には、反り（たとえば、２ｍｍ以上）などの望ましくない問題が生じ得る。これは、プリプレグＰＣＢでは特に当てはまり得る。

別の問題は以下の通りである。図１を再び参照すると、ＮＳＭＤボンドフィンガーパッド１５０は、基板の端へのめっきトレースの配線をより簡単にするために、基板の端の近くに位置する。これは、ワイヤボンド１６０が非常に長くなければならないことを意味する。残念ながら、長いワイヤボンドは、電気的な問題（たとえば、大きい抵抗）およびプロセスの問題（たとえば、ワイヤの短絡）に関連する。

本明細書で開示される様々な態様によれば、従来のＩＣパッケージに関連する問題に対処するために、ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ（ＳＭＤ）である円形ボンドフィンガーパッドを提供することが提案される。ＳＭＤパッドでは、ソルダーマスクは、ボンドフィンガーパッドを構成する実際の金属よりも小さい。これは、電気めっきプロセスが実行されるときに、開口、すなわちソルダーマスク開口（ＳＭＯ）のみが、ボンドフィンガーパッドを形成するためにめっきされることを示唆する。トレースはめっきを受けない。結果として、短絡発生の懸念なしで、隣接するボンドフィンガーパッド間の間隔を、たとえば１５μｍまたはそれ未満まで減らすことができる。これは、金属密度（たとえば、Ｃｕ密度）を高くできることを意味し、これは反りが減ること、またはなくなることにすらつながる。

提案されるＳＭＤボンドフィンガーパッドの別の利点は、どこでも見つけることができる。従来のＮＳＭＤボンドフィンガーパッド１５０の位置は、基板の端の近くに限定されることを思い出されたい。しかしながら、提案されるＳＭＤボンドフィンガーパッドは、基板上のどこにでも配置することができる。たとえば、提案されるＳＭＤボンドフィンガーパッドは、メモリダイの近くに配置することができる。結果として、ワイヤボンドを短くすることができ、これは電気抵抗を減らし、またワイヤ短絡の可能性も減らすことができる。

本開示の１つまたは複数の態様によるＩＣパッケージの例が、図３に示される。例示的なＩＣパッケージ３００は、フリップチップ（ＦＣ）ダイ３１０を含み得る。ベースバンドモデムダイは、ＦＣダイ３１０の例であり得る。ＦＣダイ３１０は、１つまたは複数のメタライゼーション層（以下でさらに説明される）を含む基板に接していてもよい。ワイヤボンドダイ３２０（たとえば、メモリダイ）は、ＦＣダイ３１０より上に配設されてもよく、それらの間にはダイ接着剤３３０がある。モールド３４０が、基板に接して、かつその上に、ＦＣダイ３１０およびワイヤボンドダイ３２０を封入し得る。

図３において、３つのメタライゼーション層Ｍ１、Ｍ２、およびＭ３をもつ基板が示されている。これは例にすぎない。メタライゼーション層の実際の数はそのように限定されない。すなわち、基板は１つまたは複数のメタライゼーション層を含んでもよい。各メタライゼーション層は基板層を含み得る。たとえば、Ｍ１メタライゼーション層（または第１のメタライゼーション層）は、第１の基板層３７０を含み得る。同様に、Ｍ２メタライゼーション層（または第２のメタライゼーション層）は第２の基板層３８０を含んでもよく、Ｍ３メタライゼーション層（または第３のメタライゼーション層）は第３の基板層３９０を含んでもよく、以下同様である。基板層３７０、３８０、３９０は各々、絶縁層であり得る。

メタライゼーション層の１つ、いくつか、すべての中で、ＦＣダイ３１０のＦＣインターコネクト３１５（たとえば、バンプ）と電気的に結合するように、トレースが配線され得る。たとえば、図３では、第１のメタライゼーション層Ｍ１内で、トレース３７２が、第１の基板層３７０に接して形成され、ＦＣインターコネクト３１５と電気的に結合するように配線され得る。トレース３７２は、Ｃｕ、アルミニウム（Ａｌ）などの導電性の金属から形成され得る。

やはり第１のメタライゼーション層Ｍ１内で、ソルダーマスク（ＳＭ）３７８（たとえば、ソルダーレジスト）がトレース３７２に接して、ならびに第１の基板層３７０に接して形成され得る。ボンドフィンガーパッド３５０は、ソルダーマスク３７８のソルダーマスク開口（ＳＭＯ、これについては以下でさらに触れる）内でトレース３７２に接して形成され得る。外部インターコネクト３６５（たとえば、はんだボール）が、基板の下面に接して形成され得る。この事例では、外部インターコネクト３６５は、この事例では基板層３９０である基板の最下層の下面に接して形成され得る。

モールド３４０内で、ワイヤボンドダイ３２０をＦＣダイ３１０と電気的に結合するように、ワイヤボンド３６０が形成され得る。たとえば、ワイヤボンド３６０の端部は、ワイヤボンドダイ３２０およびボンドフィンガーパッド３５０に接続され得る。こうして、ワイヤボンドダイ３２０は、ワイヤボンド３６０、ボンドフィンガーパッド３５０、およびトレース３７２を通じて、ＦＣダイ３１０と電気的に結合され得る。ワイヤボンド３６０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などの金属から形成され得る。

示されていないが、実際には、複数のワイヤボンド３６０、複数のボンドフィンガーパッド３５０、および複数のトレース３７２がある可能性が高いことに留意されたい。しかしながら、記述と説明を簡単にするために、１つだけのワイヤボンド３６０および対応する１つのボンドフィンガーパッド３５０が示されている。

ボンドフィンガーパッド３５０は、トレース３７２の表面にめっきされる金属（たとえば、ニッケル／金（Ｎｉ／Ａｕ））であり得る。トレース３７２は、基板の端におけるトレース３７２がボンドフィンガーパッド３５０と電気的に結合されるように、第１のメタライゼーション層Ｍ１内でボンドフィンガーパッド３５０から基板の端まで延長され得る。こうして、トレース３７２は、ボンドフィンガーパッド３５０の電気めっきのために、基板の端において１つまたは複数のめっきライン（図示せず）に接続され得る。

図３において、ボンドフィンガーパッド３５０の近傍が、破線の円により強調されている。ボンドフィンガーパッド３５０が、ソルダーマスク３７８の開口内で、すなわちソルダーマスク開口（ＳＭＯ）内で形成され得る。しかし、従来のＩＣパッケージ１００のボンドフィンガーパッド１５０とは異なり、ボンドフィンガーパッド３５０とソルダーマスク３７８との間に間隙はない。すなわち、ＳＭＯはボンドフィンガーパッド３５０よりも幅が広くない。

ボンドフィンガーパッドの近傍のＭ１層の上面図が図４に示されている。ここで、単一のボンドフィンガーパッド３５０が、ＳＭＯ内で形成されるものとして示されている。ＳＭＯは、ソルダーマスク３７８により覆われない、第１の基板層３７０およびトレース３７２より上の領域として定義され得る。第１の基板層３７０およびトレース３７２は、この上面図では見えないことに留意されたい。これは、第１の基板層３７０およびトレース３７２が、少なくともボンドフィンガーパッド３５０の近傍では、ソルダーマスク３７８およびボンドフィンガーパッド３５０によって完全に覆われているからである。

従来のボンドフィンガーパッド１５０とは異なり、ボンドフィンガーパッド３５０（たとえば、形成された金属（たとえば、Ｎｉ／Ａｕ）めっき）の形状は、円形または実質的に円形であり得る。また、ボンドフィンガーパッド３５０の寸法または大きさを小さくすることができる。たとえば、ボンドフィンガーパッド３５０は直径５０μｍ以下であってもよく、これは、ＳＭＯも５０μｍ以下であってもよいことを意味する。ボンドフィンガーパッド３５０は、ｓｏｌｄｅｒ ｍａｓｋ ｄｅｆｉｎｅｄ（ＭＳＤ）パッドの例である。言い換えると、ボンドフィンガーパッド３５０の特性（たとえば、大きさ、形状など）は、少なくとも一部、ソルダーマスク３７８によって画定され得る。

従来のＩＣパッケージ１００では、間隔について緩い設計が必要であることを、上記から思い出されたい。しかし、ＳＭＤボンドフィンガーパッド３５０では、間隔は狭められてもよい。これは、トレース３７２がソルダーマスク３７８によって覆われる、すなわちトレース３７２が露出しないからである。より具体的には、ボンドフィンガーパッド３５０が形成されるトレース３７２の部分、すなわち、ＳＭＯに対応するトレース３７２の部分を除き、トレース３７２は露出しない。

したがって、トレース３７２がボンドフィンガーパッド３５０を形成するための電気めっきプロセスにおいて使用されるときでも、トレース３７２自体はめっきを受けない。したがって、めっきの間、トレース３７２の大きさは、少なくとも大幅には変化しない。これは、トレース３７２間で短絡が生じる可能性を大きく減らせることを意味する。結果として、ボンドフィンガーパッド３５０間の間隔を、たとえば１５μｍ以下に狭めることができる。

トレース３７２間の間隔を狭めることができるので、これは、トレース３７２の密度がそれに応じて増大し得ることを示唆する。言い換えると、ＳＭＤボンドフィンガーパッド３５０により金属密度（たとえば、Ｃｕ密度）が増大し得る。これは、反りを減らす（たとえば、２ｍｍ未満）、またはなくすことすらできるという点で、有利である。

再び図３を参照すると、ボンドフィンガーパッド３５０はワイヤボンドダイ３２０の近くに位置することに留意されたい。実際に、ワイヤボンドダイ３２０からボンドフィンガーパッド３５０までの距離として定義され得るダイ－パッド距離が、基板の端からボンドフィンガーパッド３５０までの距離として定義され得る端－パッド距離未満となるように、ボンドフィンガーパッド３５０が配置されてもよいと言うことができる。これは、ダイ－パッド距離が端－パッド距離よりもはるかに長い従来のＩＣパッケージとは反対である。短いダイ－パッド距離により、それに対応してワイヤボンド３６０をより短くすることができる。結果として、電気的特性を改善することができ（たとえば、より低い抵抗）、プロセスの問題を減らすことができる（たとえば、より低いワイヤ短絡の可能性）。

また、ワイヤボンド３６０はリバースワイヤボンドであり得る。すなわち、ワイヤボンド３６０の一方の端部はボンドフィンガーパッド３５０にボールボンディングされてもよく、他方の端部はワイヤボンドダイ３２０にステッチボンディングされてもよい。示されていないが、ＦＣダイ３１０より上に複数のワイヤボンドダイ３２０があってもよく、すべてのワイヤボンドダイ３２０およびＦＣダイ３１０がモールド３４０によって封入されてもよい。また、複数のワイヤボンドダイ３２０の各々が、対応するワイヤボンド３６０およびボンドフィンガーパッド３５０を通じてＦＣダイ３１０に電気的に結合されてもよい。

図５は、本開示の１つまたは複数の態様による、ＩＣパッケージ５００の別の例を示す。ＩＣパッケージ５００は、基板に接したフリップチップ（ＦＣ）ダイ５１０（たとえば、ベースバンドモデム）と、ＦＣダイ５１０より上に配設されＦＣダイ５１０との間にダイ接着剤５３０があるワイヤボンドダイ５２０（たとえば、メモリダイ）と、基板に接して、かつ基板より上にある、ＦＣダイ５１０およびワイヤボンドダイ５２０を封入するモールド５４０とを含み得る。基板は１つまたは複数のメタライゼーション層（たとえば、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３など）を含んでもよく、各メタライゼーション層は対応する基板層（たとえば、第１の基板層５７０、第２の基板層５８０、第３の基板層５９０など）を含んでもよい。

メタライゼーション層の１つ、いくつか、すべての中で、ＦＣダイ５１０のＦＣインターコネクト５１５（たとえば、バンプ）と電気的に結合するように、トレースが配線され得る。たとえば、図５では、第１のメタライゼーション層Ｍ１内で、トレース５７２－１が、第１の基板層５７０に接して形成され、ＦＣインターコネクト５１５と電気的に結合するように配線され得る。以下で論じられる理由で、トレース５７２－１は第１の層１トレース５７２－１とも呼ばれ得る。

やはり第１のメタライゼーション層Ｍ１内で、ソルダーマスク（ＳＭ）５７８（たとえば、ソルダーレジスト）が第１の層１トレース５７２－１に接して、かつ第１の基板層５７０に接して形成され得る。ボンドフィンガーパッド５５０は、ＳＭＯ内で第１の層１トレース５７２－１に接して形成され得る。外部インターコネクト５６５（たとえば、はんだボール）が、基板の下面に接して（たとえば、基板の最下層である第３の基板層５９０の下面に接して）形成され得る。

モールド５４０内で、ワイヤボンドダイ５２０をＦＣダイ５１０と電気的に結合するように、ワイヤボンド５６０が形成され得る。たとえば、ワイヤボンド５６０の端部は、ワイヤボンドダイ５２０およびボンドフィンガーパッド５５０に接続され得る。こうして、ワイヤボンドダイ５２０は、ワイヤボンド５６０、ボンドフィンガーパッド５５０、および第１の層１トレース５７２－１を通じて、ＦＣダイ５１０と電気的に結合され得る。ワイヤボンド５６０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などの金属から形成され得る。

図５のＩＣパッケージ５００は、図３のＩＣパッケージ３００と同様である。ＩＣパッケージ５００と３００の１つの主な違いは、トレースの配線にある。図３では、トレース３７２は、完全に第１のメタライゼーション層Ｍ１内でボンドフィンガーパッド３５０から基板の端まで延長され得ることを思い出されたい。めっきライン（図示せず）は、電気めっきのために第１のメタライゼーション層Ｍ１においてトレース３７２と電気的に結合し得る。

図５では、ボンドフィンガーパッド５５０をめっきするためのめっきラインへの電気的な結合はまた、第１のメタライゼーション層Ｍ１において生じる。しかしながら、第１のメタライゼーション層Ｍ１内でボンドフィンガーパッド５５０から基板の端にトレースを単純に延長するのは、難しいことがあり、または不可能ですらあることがある。たとえば、第１のメタライゼーション層Ｍ１内で配線される必要のある複数のトレースがあり、ボンドフィンガーパッド５５０から端までトレースを延長すると、第１のメタライゼーション層Ｍ１内で他のトレースを配線するのが難しくなることがある、ということがあり得る。

しかしながら、めっきのためのトレースの配線を、他のメタライゼーション層を通じて達成できる場合、トレースの配線が全体としてより最適化され得る。図５において見られるように、第１の層１トレース５７２－１に加えて、第１のメタライゼーション層Ｍ１は、第２の層１トレース５７２－２、第１の層１ビア５７４－１、および第２の層１ビア５７４－２も含み得る。第２の層１トレース５７２－２は、第１の基板層５７０に接して形成され得る。第１の層１ビア５７４－１および第２の層１ビア５７４－２は、それぞれ、第１の層１トレース５７２－１および第２の層１トレース５７２－２から第１のメタライゼーション層Ｍ１の下面まで、第１の基板層５７０を通って形成され得る。第１の層１トレース５７２－１および第２の層１トレース５７２－２、ならびに第１の層１ビア５７４－１および第２の層１ビア５７４－２の各々は、Ｃｕ、Ａｌなどの導電性の金属から形成され得る。

第２のメタライゼーション層Ｍ２は、第２の基板層５８０に接して形成される層２トレース５８２を含み得る。層２トレース５８２はまた、Ｃｕ、Ａｌなどの導電性の金属から形成され得る。見られるように、ボンドフィンガーパッド５５０から基板の端までのめっきのための配線は、順番に、第１の層１トレース５７２－１、第１の層１ビア５７４－１、層２トレース５８２、第２の層１ビア５７４－２、および第２の層１トレース５７２－２を通ってもよい。

第２の層１トレース５７２－２は、基板の端における第２の層１トレース５７２－２がボンドフィンガーパッド５５０と電気的に結合されるように、第１のメタライゼーション層Ｍ１内で内部から基板の端に延長され得る。こうして、第２の層１トレース５７２－２は、ボンドフィンガーパッド５５０の電気めっきのために、基板の端において１つまたは複数のめっきライン（図示せず）に接続され得る。

複数のメタライゼーション層があるとき、めっきラインが第１のメタライゼーション層Ｍ１においてトレース（たとえば、トレース３７２、第２の層１トレース５７２－２など）と常に結合することは必要ではない。たとえば、図５に関して、層２トレース５８２を基板の端（図示せず）に延ばすことが選択肢であり得る。そうすると、層２トレース５８２は、ボンドフィンガーパッド５５０の電気めっきのために、１つまたは複数のめっきラインに接続され得る。

開示の１つまたは複数の態様による例示的なＩＣパッケージ６００を示す、別の代替例が図６に示されている。ＩＣパッケージ６００は、基板に接したフリップチップ（ＦＣ）ダイ６１０（たとえば、ベースバンドモデム）と、ＦＣダイ６１０より上に配設されＦＣダイ６１０との間にダイ接着剤６３０があるワイヤボンドダイ６２０（たとえば、メモリダイ）と、基板に接して、かつ基板より上にある、ＦＣダイ６１０およびワイヤボンドダイ６２０を封入するモールド６４０とを含み得る。基板は１つまたは複数のメタライゼーション層（たとえば、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３など）を含んでもよく、各メタライゼーション層は対応する基板層（たとえば、第１の基板層６７０、第２の基板層６８０、第３の基板層６９０など）を含んでもよい。

メタライゼーション層の１つ、いくつか、すべての中で、ＦＣダイ６１０のＦＣインターコネクト６１５（たとえば、バンプ）と電気的に結合するように、トレースが配線され得る。たとえば、図６では、第１のメタライゼーション層Ｍ１内で、層１トレース６７２が、第１の基板層６７０に接して形成され、ＦＣインターコネクト６１５と電気的に結合するように配線され得る。

やはり第１のメタライゼーション層Ｍ１内で、ソルダーマスク（ＳＭ）６７８（たとえば、ソルダーレジスト）が層１トレース６７２に接して、ならびに第１の基板層６７０に接して形成され得る。ボンドフィンガーパッド６５０は、ＳＭＯ内で層１トレース６７２－１に接して形成され得る。外部インターコネクト６６５（たとえば、はんだボール）が、基板の下面に接して（たとえば、基板の最下層である第３の基板層６９０の下面に接して）形成され得る。

モールド６４０内で、ワイヤボンドダイ６２０をＦＣダイ６１０と電気的に結合するように、ワイヤボンド６６０が形成され得る。たとえば、ワイヤボンド６６０の端部は、ワイヤボンドダイ６２０およびボンドフィンガーパッド６５０に接続され得る。こうして、ワイヤボンドダイ６２０は、ワイヤボンド６６０、ボンドフィンガーパッド６５０、および層１トレース６７２を通じて、ＦＣダイ６１０と電気的に結合され得る。ワイヤボンド３６０は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などの金属から形成され得る。

図６のＩＣパッケージ６００は、図３および図５のＩＣパッケージ３００および５００と同様である。１つの主な違いは、めっきライン（図示せず）が、ボンドフィンガーパッド６５０の電気めっきのために、第１のメタライゼーション層Ｍ１以外のメタライゼーション層においてトレースと電気的に結合し得るということである。

図６において、第１のメタライゼーション層Ｍ１は、層１トレース６７２に加えて層１ビア６７４も含み得る。層１ビア６７４は、第１の基板層３７０を通って形成され得る。第２のメタライゼーション層Ｍ２は、層２トレース６８２および層２ビア６８４を含み得る。層２トレース６８２は第２の基板層６８０に接して形成されてもよく、層２ビア６８４は第２の基板層６８０を通って形成されてもよい。第３のメタライゼーション層Ｍ３は、第３の基板層６９０に接して形成される層３を含み得る。層１トレース６７２、層１ビア６７４、層２トレース６８２、層２ビア６８４、および層３トレース６９２の各々は、Ｃｕ、Ａｌなどの導電性の金属から形成され得る。

見られるように、ボンドフィンガーパッド６５０から基板の端までのめっきのための配線は、順番に、層１トレース６７２、層１ビア６７４、層２トレース６８２、層２ビア６８４、および層３トレース６９２を通ってもよい。層３トレース６９２は、基板の端における層３トレース６９２がボンドフィンガーパッド６５０と電気的に結合されるように、第３のメタライゼーション層Ｍ３内で内部から基板の端に延長され得る。こうして、層３トレース６９２は、ボンドフィンガーパッド６５０の電気めっきのために、基板の端において１つまたは複数のめっきライン（図示せず）に接続され得る。

図７は、ＩＣパッケージのための基板を製作する様々な段階のプロセスフロー７００を示す。ブロック７０５において、ソルダーレジストが塗布され得る。ブロック７１０において、プラズマエッチングが行われ得る。ブロック７１５において、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）ラミネーションが行われてもよく、ブロック７２０における露光およびブロック７２５における現像がそれに続く。ブロック７３０において、Ｎｉ／Ａｕめっきが（たとえば、ボンドフィンガーパッド３５０、５５０、６５０を形成するために）実行され得る。ブロック７３５において、基板が剥離され得る。

ブロック７４０において、別のＤＦＲラミネーションが実行されてもよく、ブロック７４５における露光およびブロック７５０における別の現像がそれに続く。次いで、ブロック７５５において、めっきバーエッチングが実行されてもよく、ブロック７６０における剥離およびブロック７６５におけるストリップ配線がそれに続く。ブロック７７０において、ｏｒｇａｎｉｃ ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ（ＯＳＰ）などの保護材が塗布され得る。ブロック７７５において、基板がパッケージングされ得る。

図８は、ＩＣパッケージ３００、５００、６００を組み立てる様々な段階のプロセスフロー８００を示す。ブロック８０５において、ダイシングが実行され得る。ブロック８１０において、フリップチップ（ＦＣ）ダイ３１０、５１０、６１０が基板に接合され得る。ブロック８１５において、ダイ接着剤３３０、５３０、６３０が、ＦＣダイ３１０、５１０、６１０に配設され得る。ブロック８２０において、ワイヤボンドダイ３２０、５２０、６２０が、ダイ接着剤３３０、５３０、６３０を通じてＦＣダイ３１０、５１０、６１０に接着され得る。

ブロック８２５において、リフローが実行されてもよく、ブロック８３０におけるフラックス洗浄がそれに続く。ブロック８３５において、ボンドフィンガーパッド３５０、５５０、６５０およびワイヤボンドダイ３２０、５２０、６２０と接続するワイヤボンド３６０、５６０、６６０を形成するために、リバースワイヤボンディングが実行され得る。ブロック８４０において、ＦＣダイ３１０、５１０、６１０、ワイヤボンドダイ３２０、５２０、６２０、およびワイヤボンド３６０、５６０、６６０を封入するために、モールド３４０、５４０、６４０が形成され得る。

ブロック８４５において、レーザーマークが行われてもよく、ブロック８５０におけるボールマウンティングおよびブロック８５５における基板切断がそれに続く。ブロック８６０において、ＦＴ Ｏ／Ｓが実行され得る。ブロック８６５において、ＩＣパッケージ３００、５００、６００が検査され、ブロック８７０において出荷され得る。

図９は、ＩＣパッケージ３００、５００、６００のいずれかなどのＩＣパッケージを製作する例示的な方法９００のフローチャートを示す。ブロック９１０において、基板が形成され得る。

ブロック９２０において、フリップチップ（ＦＣ）ダイ（たとえば、ＦＣダイ３１０、５１０、６１０）が基板に配設され得る。

ブロック９３０において、ワイヤボンドダイ（たとえば、ワイヤボンドダイ３２０、５２０、６２０）がＦＣダイより上に配設され得る。たとえば、ダイ接着剤（たとえば、ダイ接着剤３３０、５３０、６３０）が使用され得る。

ブロック９４０において、ワイヤボンド（たとえば、ワイヤボンド３６０、５６０、６６０）がワイヤボンドダイに接続するために形成され得る。

ブロック９５０において、ＦＣダイ、ワイヤボンドダイ、およびワイヤボンドを封入するために、モールドが基板に接して形成され得る。

ある態様では、基板は、第１のメタライゼーション層（Ｍ１）（たとえば、メタライゼーション層Ｍ１）を含む１つまたは複数のメタライゼーション層を備えるように、ブロック９１０において形成され得る。第１のメタライゼーション層は、第１の基板層（たとえば、第１の基板層３７０、５７０、６７０）、１つまたは複数のＦＣインターコネクト（たとえば、ＦＣインターコネクト３１５、５１５、６１５）と電気的に結合するように第１の基板層に接して形成され第１のメタライゼーション層内で配線されるトレース（たとえば、トレース３７２、第１の層１トレース５７２－１、層１トレース６７２）、およびトレースに接して形成されるボンドフィンガーパッド（たとえば、ボンドフィンガーパッド３５０、５５０、６５０）を備え得る。ボンドフィンガーパッドの形状は、円形または実質的に円形であり得る。ワイヤボンドは、ワイヤボンド、ボンドフィンガーパッド、およびトレースを通じてワイヤボンドダイがＦＣダイと電気的に結合されるように、ボンドフィンガーパッドに電気的に接続するように形成され得る。

第１のメタライゼーション層はさらに、トレースおよび第１の基板層に接して形成されるソルダーマスク（たとえば、ソルダーマスク３７８、５７８、６７８）を備え得る。ボンドフィンガーパッドは、ＳＭＯ内で形成され得る。

一態様では、トレース（たとえば、トレース３７２）は、第１のメタライゼーション層内でボンドフィンガーパッドから基板の端まで延長され得る（たとえば、図３参照）。

別の態様では、トレースは第１の層１トレース（たとえば、第１の層１トレース５７２－１）であってもよく、第１のメタライゼーション層はさらに、第１の基板層（たとえば、第１の基板層５７０）に接して形成され第１のメタライゼーション層内で配線される第２の層１トレース（たとえば、第２の層１トレース５７２－２）を備え得る。第２の層１トレースは、第１の層１トレースと電気的に結合され、第１のメタライゼーション層内で基板の内部から基板の端に延長され得る（たとえば、図５参照）。

さらに別の態様では、トレースは層１トレース（たとえば、層１ ６７２）であってもよく、基板はさらに第１のメタライゼーション層（Ｍ１）より下に追加のメタライゼーション層（たとえば、第３のメタライゼーション層Ｍ３）を備える。追加のメタライゼーション層は、追加の基板層（たとえば、第３の基板層６９０）と、追加の基板層に接して形成され追加のメタライゼーション層内で配線される追加のトレース（たとえば、層３トレース６９２）とを備え得る。追加のトレースは、層１トレース（６７２）と電気的に結合され、追加のメタライゼーション層内で基板の内部から基板の端に延長され得る（たとえば、図６参照）。

図１０は、本開示の様々な例による、上記の集積回路パッケージ３００、５００、６００のいずれかと一体化され得る様々な電子デバイスを示す。たとえば、携帯電話デバイス１００２、ラップトップコンピュータデバイス１００４、および固定位置端末デバイス１００６は各々、一般にユーザ機器（ＵＥ）と見なされてもよく、本明細書で説明されるようなＩＣパッケージ３００、５００、６００を組み込む装置１０００を含んでもよい。図１０に示されるデバイス１００２、１００４、１００６は、例にすぎない。また、他の電子デバイスは、限定はされないが、モバイルデバイス、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、携帯情報端末などのポータブルデータユニット、全地球測位システム（ＧＰＳ）対応デバイス、ナビゲーションデバイス、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、メータ読取り機器などの固定位置データユニット、通信デバイス、スマートフォン、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、サーバ、ルータ、自動車車両内に実装される電子デバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、またはデータもしくはコンピュータ命令を記憶し、もしくは取り出す任意の他のデバイス、あるいはそれらの任意の組合せを含む、ＩＣパッケージ３００、５００、６００も含み得る。

上記で開示されたデバイスおよび機能は、コンピュータ可読媒体に記憶されたコンピュータファイル（たとえば、ＲＴＬ、ＧＤＳＩＩ、ＧＥＲＢＥＲなど）へと設計および構成されてもよい。そのようなファイルの一部またはすべてが、そのようなファイルに基づいてデバイスを製作する製作業者に提供されてもよい。得られる製品には、次いで半導体ダイへと切断されて本明細書で説明されるようにパッケージングされる半導体ウェハがあり得る。

以下は、本開示の実施例の概要を提供する。

実施例１：基板と、基板に接して配設されるフリップチップ（ＦＣ）ダイと、ＦＣダイより上に配設されるワイヤボンドダイと、ワイヤボンドダイに接続されるワイヤボンドと、基板に接し、ＦＣダイ、ワイヤボンドダイ、およびワイヤボンドを封入するモールドとを備える、集積回路（ＩＣ）パッケージであって、基板が第１のメタライゼーション層を含む１つまたは複数のメタライゼーション層を備え、第１のメタライゼーション層が、第１の基板層と、第１の基板層に接して形成されＦＣダイの１つまたは複数のＦＣインターコネクトと電気的に結合するように第１のメタライゼーション層内で配線されるトレースと、トレースに接して形成されるボンドフィンガーパッドとを備え、ボンドフィンガーパッドの形状が実質的に円形であり、ワイヤボンドは、ワイヤボンド、ボンドフィンガーパッド、およびトレースを通じてワイヤボンドダイがＦＣダイと電気的に結合されるように、ボンドフィンガーパッドに電気的に接続する、ＩＣパッケージ。

実施例２：第１のメタライゼーション層がさらに、トレースおよび第１の基板層に接して形成されるソルダーマスクを備え、ボンドフィンガーパッドが、ソルダーマスクによって覆われない第１の基板層より上の領域を画定するソルダーマスク開口（ＳＭＯ）内で形成される、実施例１のＩＣパッケージ。

実施例３：ボンドフィンガーパッドとソルダーマスクとの間に間隙がない、実施例２のＩＣパッケージ。

実施例４：トレースが、第１のメタライゼーション層内でボンドフィンガーパッドから基板の端に延長される、実施例１から３のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例５：トレースが第１の層１トレースであり、第１のメタライゼーション層がさらに、第１の基板層に接して形成され第１のメタライゼーション層内で配線される第２の層１トレースを備え、第２の層１トレースが、第１の層１トレースと電気的に結合され、第１のメタライゼーション層内で基板の内部から基板の端に延長される、実施例１から３のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例６：第１のメタライゼーション層がさらに、第１の層１トレースから第１のメタライゼーション層の下面へと第１の基板層を通って形成される第１の層１ビアと、第２の層１トレースから第１のメタライゼーション層の下面へと第１の基板層を通って形成される第２の層１ビアとを備え、基板がさらに第１のメタライゼーション層より下に第２のメタライゼーション層を備え、第２のメタライゼーション層が、第２の基板層と、層２トレースとを備え、層２トレースが、第２の基板層に接して形成され、順番に第１の層１トレース、第１の層１ビア、層２トレース、および第２の層１ビアを通って第２の層１トレースとボンドフィンガーパッドが電気的に結合されるように、第１の層１ビアおよび第２の層１ビアと電気的に結合するように第２のメタライゼーション層内で配線される、実施例５のＩＣパッケージ。

実施例７：トレースが層１トレースであり、基板がさらに、第１のメタライゼーション層より下に追加のメタライゼーション層を備え、追加のメタライゼーション層が、追加の基板層と、追加の基板層に接して形成され追加のメタライゼーション層内で配線される追加のトレースとを備え、追加のトレースが、層１トレースと電気的に結合され、追加のメタライゼーション層内で基板の内部から基板の端に延長される、実施例１から３のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例８：追加のメタライゼーション層が第３のメタライゼーション層であり、追加の基板層が第３の基板層であり、追加のトレースが層３トレースであり、基板がさらに、第１のメタライゼーション層と第３のメタライゼーション層との間に第２のメタライゼーション層を備え、第１のメタライゼーション層がさらに、層１トレースから第１のメタライゼーション層の下面へ第１の基板層を通って形成される層１ビアを備え、第２のメタライゼーション層が、第２の基板層と、第２の基板層に接して形成され第２のメタライゼーション層内で配線される層２トレースと、層２トレースから第２のメタライゼーション層の下面へ第２の基板層を通って形成される層２ビアとを備え、ボンドフィンガーパッドが、順番に層１トレース、層１ビア、層２トレース、および層２ビアを通って層３トレースと電気的に結合される、実施例７のＩＣパッケージ。

実施例９：ダイ－パッド距離が端－パッド距離未満であり、ダイ－パッド距離がワイヤボンドダイからボンドフィンガーパッドまでの距離であり、端－パッド距離が基板の端からボンドフィンガーパッドまでの距離である、実施例１から８のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１０：ＩＣパッケージがＦＣダイより上に複数のワイヤボンドダイを備え、複数のワイヤボンドダイの各々が対応するワイヤボンドおよびボンドフィンガーパッドを通じてＦＣダイに電気的に結合される、実施例１から９のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１１：トレースが銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）から形成される、実施例１から１０のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１２：ボンドフィンガーパッドがめっきされた金属である、実施例１から１１のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１３：めっきされた金属がめっきされたニッケルまたは金または両方を備える、実施例１２のＩＣパッケージ。

実施例１４：ワイヤボンドが、一方の端部がボンドフィンガーパッドにボールボンディングされ他方の端部がワイヤボンドダイにステッチボンディングされるようなリバースワイヤボンドである、実施例１から１３のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１５：ＦＣダイがベースバンドモデムダイである、実施例１から１４のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１６：ワイヤボンドダイがメモリダイである、実施例１から１５のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１７：ＩＣパッケージが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなる群から選択される装置へと組み込まれる、実施例１から１６のいずれかのＩＣパッケージ。

実施例１８：集積回路（ＩＣ）パッケージを製作する方法であって、基板を形成するステップと、基板に接してフリップチップ（ＦＣ）ダイを配設するステップと、ＦＣダイより上にワイヤボンドダイを配設するステップと、ワイヤボンドダイに接続されるワイヤボンドを形成するステップと、基板に接してモールドを形成するステップとを備え、モールドがＦＣダイ、ワイヤボンドダイ、およびワイヤボンドを封入し、基板が、第１のメタライゼーション層を含む１つまたは複数のメタライゼーション層を備えるように形成され、第１のメタライゼーション層が、第１の基板層と、第１の基板層に接して形成されＦＣダイの１つまたは複数のＦＣインターコネクトと電気的に結合するように第１のメタライゼーション層内で配線されるトレースと、トレースに接して形成されるボンドフィンガーパッドとを備え、ボンドフィンガーパッドの形状が実質的に円形であり、ワイヤボンドは、ワイヤボンド、ボンドフィンガーパッド、およびトレースを通じてワイヤボンドダイがＦＣダイと電気的に結合されるように、ボンドフィンガーパッドに電気的に接続するように形成される、方法。

実施例１９：第１のメタライゼーション層がさらにトレースおよび第１の基板層に接して形成されるソルダーマスクを備えるように基板が形成され、ボンドフィンガーパッドが、ソルダーマスクによって覆われない第１の基板層より上の領域を画定するソルダーマスク開口（ＳＭＯ）内で形成される、実施例１８の方法。

実施例２０：ボンドフィンガーパッドとソルダーマスクとの間に間隙がない、実施例１９の方法。

実施例２１：トレースが第１のメタライゼーション層内でボンドフィンガーパッドから基板の端に延長されるように基板が形成される、実施例１８から２０のいずれかの方法。

実施例２２：トレースが第１の層１トレースであり、第１のメタライゼーション層がさらに第１の基板層に接して形成され第１のメタライゼーション層内で配線される第２の層１トレースを備えるように基板が形成され、第２の層１トレースが、第１の層１トレースと電気的に結合され、第１のメタライゼーション層内で基板の内部から基板の端に延長される、実施例１８から２０のいずれかの方法。

実施例２３：第１のメタライゼーション層がさらに、第１の層１トレースから第１のメタライゼーション層の下面へと第１の基板層を通って形成される第１の層１ビアと、第２の層１トレースから第１のメタライゼーション層の下面へと第１の基板層を通って形成される第２の層１ビアとを備えるように、基板が形成され、基板が第１のメタライゼーション層より下に第２のメタライゼーション層をさらに備えるように形成され、第２のメタライゼーション層が、第２の基板層と、層２トレースとを備え、層２トレースが、第２の基板層に接して形成され、順番に第１の層１トレース、第１の層１ビア、層２トレース、および第２の層１ビアを通って第２の層１トレースとボンドフィンガーパッドが電気的に結合されるように、第１の層１ビアおよび第２の層１ビアと電気的に結合するように第２のメタライゼーション層内で配線される、実施例２２の方法。

実施例２４：トレースが層１トレースであり、基板が第１のメタライゼーション層より下に追加のメタライゼーション層をさらに備えるように形成され、追加のメタライゼーション層が、追加の基板層と、追加の基板層に接して形成され追加のメタライゼーション層内で配線される追加のトレースとを備え、追加のトレースが、層１トレースと電気的に結合され、追加のメタライゼーション層内で基板の内部から基板の端に延長される、実施例１８から２０のいずれかの方法。

実施例２５：追加のメタライゼーション層が第３のメタライゼーション層であり、追加の基板層が第３の基板層であり、追加のトレースが層３トレースであり、基板が第１のメタライゼーション層と第３のメタライゼーション層との間に第２のメタライゼーション層をさらに備えるように形成され、第１のメタライゼーション層がさらに層１トレースから第１のメタライゼーション層の下面へ第１の基板層を通って形成される層１ビアを備えるように基板が形成され、第２のメタライゼーション層が、第２の基板層と、第２の基板層に接して形成され第２のメタライゼーション層内で配線される層２トレースと、層２トレースから第２のメタライゼーション層の下面へ第２の基板層を通って形成される層２ビアとを備えるように、基板が形成され、ボンドフィンガーパッドが、順番に層１トレース、層１ビア、層２トレース、および層２ビアを通って層３トレースと電気的に結合するように形成される、実施例２４の方法。

実施例２６：ダイ－パッド距離が端－パッド距離未満であり、ダイ－パッド距離がワイヤボンドダイからボンドフィンガーパッドまでの距離であり、端－パッド距離が基板の端からボンドフィンガーパッドまでの距離である、実施例１８から２５のいずれかの方法。

実施例２７：複数のワイヤボンドダイがＦＣダイより上に形成され、複数のワイヤボンドダイの各々が対応するワイヤボンドおよびボンドフィンガーパッドを通じてＦＣダイに電気的に結合される、実施例１８から２６のいずれかの方法。

実施例２８：ワイヤボンドが、一方の端部がボンドフィンガーパッドにボールボンディングされ他方の端部がワイヤボンドダイにステッチボンディングされるようなリバースワイヤボンドとして形成される、実施例１８から２７のいずれかの方法。

本明細書では、「ユーザ機器」（または「ＵＥ」）、「ユーザデバイス」、「ユーザ端末」、「クライアントデバイス」、「通信デバイス」、「ワイヤレスデバイス」、「ワイヤレス通信デバイス」、「ハンドヘルドデバイス」、「モバイルデバイス」、「モバイル端末」、「移動局」、「ハンドセット」、「アクセス端末」、「加入者デバイス」、「加入者端末」、「加入者局」、「端末」などの用語は、ワイヤレス通信および／またはナビゲーション信号を受信することができる任意の適切なモバイルデバイスまたは固定デバイスを互換的に指すことがある。これらの用語は、限定はされないが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、自動車車両内の自動車デバイス、および／または通常、人によって携帯され、かつ／もしくは通信機能を有する（たとえば、ワイヤレス、セルラー、赤外線、短距離無線など）他のタイプのポータブル電子デバイスを含む。これらの用語はまた、衛星信号受信、支援データ受信、および／または位置関連処理がそのデバイスにおいて行われるか、または他のデバイスにおいて行われるかにかかわらず、短距離ワイヤレス接続、赤外線接続、有線接続、または他の接続などによってワイヤレス通信および／またはナビゲーション信号を受信することができる別のデバイスと通信するデバイスを含むものとする。さらに、これらの用語は、無線アクセスネットワーク（ＲＡＮ）を介してコアネットワークと通信することができる、ワイヤレスおよび有線通信デバイスを含むすべてのデバイスを含むものとし、コアネットワークを通じて、ＵＥは、インターネットなどの外部ネットワークおよび他のＵＥに接続することができる。当然、有線アクセスネットワーク、ワイヤレスローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）（たとえば、ＩＥＥＥ ８０２．１１などに基づく）などを介した、コアネットワークおよび／またはインターネットに接続する他の機構もＵＥにとって可能である。ＵＥは、限定はされないが、プリント回路（ＰＣ）カード、コンパクトフラッシュ（登録商標）デバイス、外部または内部モデム、ワイヤレスまたは有線電話、スマートフォン、タブレット、追跡デバイス、アセットタグなどを含む、いくつかのタイプのデバイスのいずれかによって具現化され得る。ＵＥが信号をＲＡＮに送信することができる通信リンクは、アップリンクチャネル（たとえば、逆方向トラフィックチャネル、逆方向制御チャネル、アクセスチャネルなど）と呼ばれる。ＲＡＮが信号をＵＥに送信することができる通信リンクは、ダウンリンクチャネルまたは順方向リンクチャネル（たとえば、ページングチャネル、制御チャネル、ブロードキャストチャネル、順方向トラフィックチャネルなど）と呼ばれる。本明細書で使用されるトラフィックチャネル（ＴＣＨ）という用語は、アップリンク／逆方向トラフィックチャネル、またはダウンリンク／順方向トラフィックチャネルのいずれかを指すことができる。

電子デバイス間のワイヤレス通信は、符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）、Ｗ－ＣＤＭＡ、時分割多元接続（ＴＤＭＡ）、周波数分割多元接続（ＦＤＭＡ）、直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）、Ｇｌｏｂａｌ Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｍｏｂｉｌｅ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（ＧＳＭ）、３ＧＰＰ（登録商標） Ｌｏｎｇ Ｔｅｒｍ Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ（ＬＴＥ）、５Ｇ Ｎｅｗ Ｒａｄｉｏ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（ＢＴ）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ（ＢＬＥ）、ＩＥＥＥ ８０２．１１（ＷｉＦｉ）、およびＩＥＥＥ ８０２．１５．４（Ｚｉｇｂｅｅ／Ｔｈｒｅａｄ）または、ワイヤレス通信ネットワークもしくはデータ通信ネットワーク内で使用され得る他のプロトコルなどの、様々な技術に基づき得る。Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ（Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ ＬＥ、ＢＬＥおよびＢｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｓｍａｒｔとしても知られる）は、同様の通信距離を維持しながら電力消費量およびコストをかなり低減することを目的とした、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｓｐｅｃｉａｌ Ｉｎｔｅｒｅｓｔ Ｇｒｏｕｐによって設計され販売されているワイヤレスパーソナルエリアネットワーク技術である。ＢＬＥは、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ Ｃｏｒｅ Ｓｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎ Ｖｅｒｓｉｏｎ ４．０を採用することによって、２０１０年に主なＢｌｕｅｔｏｏｔｈ規格に統合され、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ ５において更新された。

「例示的」という語は、「例、事例、または例示として機能すること」を意味するように本明細書で使用される。「例示的」として本明細書で説明されるいずれの詳細も、他の例よりも有利であると解釈されるべきでない。同様に、「例」という用語は、すべての例が説明される特徴、利点または動作モードを含むことを意味しない。さらに、特定の特徴および／または構造は、１つまたは複数の他の特徴および／または構造と組み合わせられ得る。その上、本明細書において説明される装置の少なくとも一部分は、本明細書において説明される方法の少なくとも一部分を実行するように構成され得る。

「接続される」、「結合される」という用語、またはそれらのいかなる変形も、接続が直接接続されるものとして明示的に開示されない限り、要素間の直接的または間接的な任意の接続または結合を意味し、仲介要素を介して一緒に「接続される」または「結合される」２つの要素間の中間要素の存在を包含し得ることに留意されたい。

本明細書における「第１の」、「第２の」などの呼称を使用する要素へのあらゆる言及は、これらの要素の数量および／または順序を限定するものではない。むしろ、これらの呼称は、２つ以上の要素、および／または要素の実例を区別する都合のよい方法として使用されている。また、別段に記載されていない限り、要素のセットは、１つまたは複数の要素を備えることができる。

情報および信号が様々な異なる技術および技法のいずれかを使用して表され得ることを、当業者は諒解されよう。たとえば、上記の説明全体にわたって言及され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、およびチップは、電圧、電流、電磁波、磁場もしくは磁性粒子、光場もしくは光学粒子、またはそれらの任意の組合せによって表されてもよい。

本出願において述べられ、または図示され、または示されるもののいずれも、構成要素、行為、特徴、利益、利点、または均等物が特許請求の範囲に記載されているかどうかにかかわらず、それらの構成要素、行為、特徴、利益、利点、または均等物を公に供することを意図していない。

上記の発明を実施するための形態では、例において様々な特徴が一緒にグループ化されることがわかる。この開示の方式は、特許請求された例が、それぞれの請求項に明示的に述べられたものよりも多い特徴を有するものとして理解されるべきでない。むしろ、本開示は、開示される個々の例のすべてよりも少数の特徴を含むことがある。したがって、以下の特許請求の範囲は、これによって本説明に組み込まれたものと見なされるべきであり、各請求項は単独で別個の例として存在することができる。各請求項は単独で別個の例として存在することができるが、従属請求項は、特許請求の範囲内で１つまたは複数の請求項との具体的な組合せを参照することができ、一方で、他の例は、前記従属請求項と任意の他の従属請求項の主題との組合せ、または任意の特徴と他の従属請求項および独立請求項との組合せを包含するか、または含むことが可能であることに留意されたい。そのような組合せは、具体的な組合せが意図されていないことが明示的に表されない限り、本明細書で提案される。さらに、請求項の特徴は、前記請求項が独立請求項に直接従属していなくても、任意の他の独立請求項に含まれ得ることも意図される。

本説明または特許請求の範囲で開示される方法、システムおよび装置は、開示される方法のそれぞれの行為および／または機能を実行するための手段を備えるデバイスによって実施され得ることにさらに留意されたい。

さらに、いくつかの例では、個々の行為は、１つまたは複数の部分行為へ再分割されるか、または１つまたは複数の部分行為を含み得る。そのような部分行為は、個々の行為の開示に含まれ、個々の行為の開示の一部分となり得る。

上記の開示は本開示の例を示すが、添付の特許請求の範囲によって定義される本開示の範囲から逸脱することなく、本明細書で様々な変形および変更を行うことができることに留意されたい。本明細書において説明される本開示の例による方法クレームの機能および／または行為は、どのような特定の順序で実行される必要もない。加えて、本明細書で開示された態様および例の関連する詳細を不明瞭にしないように、よく知られている要素は詳細には説明されず、または省略されることがある。さらに、本開示の要素は、単数形で説明または特許請求されることがあるが、単数形に限定することが明示的に述べられていない限り、複数形が企図される。

１００ 従来のＩＣパッケージ
１１０ ベースバンドモデム
１１５ はんだバンプ
１２０ メモリダイ
１３０ ダイ接着剤
１４０ モールド
１５０ ボンドフィンガーパッド
１６０ ワイヤボンド
１６５ はんだボール
１７０ 第１の基板層
１７２ トレース
１７８ ソルダーレジスト
１８０ 第２の基板層
１９０ 第３の基板層
３００ ＩＣパッケージ
３１０ ＦＣダイ
３１５ ＦＣインターコネクト
３２０ ワイヤボンドダイ
３３０ ダイ接着剤
３４０ モールド
３５０ ボンドフィンガーパッド
３６０ ワイヤボンド
３６５ 外部インターコネクト
３７０ 第１の基板層
３７２ トレース
３７８ ソルダーマスク
３８０ 第２の基板層
３９０ 第３の基板層
５００ ＩＣパッケージ
５１０ ＦＣダイ
５１５ ＦＣインターコネクト
５２０ ワイヤボンドダイ
５３０ ダイ接着剤
５４０ モールド
５５０ ボンドフィンガーパッド
５６０ ワイヤボンド
５６５ 外部インターコネクト
５７０ 第１の基板層
５７２ トレース
５７４ 層１ビア
５７８ ソルダーマスク
５８０ 第２の基板層
５８２ トレース
５９０ 第３の基板層
６００ ＩＣパッケージ
６１０ ＦＣダイ
６１５ ＦＣインターコネクト
６２０ ワイヤボンドダイ
６３０ ダイ接着剤
６４０ モールド
６５０ ボンドフィンガーパッド
６６０ ワイヤボンド
６６５ 外部インターコネクト
６７０ 第１の基板層
６７２ 層１トレース
６７４ 層１ビア
６７８ ソルダーマスク
６８０ 第２の基板層
６８２ 層２トレース
６８４ 層２ビア
６９０ 第３の基板層
６９２ 層３トレース
１０００ 装置
１００２ 携帯電話デバイス
１００４ ラップトップコンピュータデバイス
１００６ 固定位置端末デバイス

Claims (15)

1. 集積回路（ＩＣ）パッケージであって、
   基板と、
   前記基板に接して配設されるフリップチップ（ＦＣ）ダイと、
   前記ＦＣダイより上に配設されるワイヤボンドダイと、
   前記ワイヤボンドダイに接続されるワイヤボンドと、
   前記基板に接し、前記ＦＣダイ、前記ワイヤボンドダイ、および前記ワイヤボンドを封入するモールドとを備え、
   前記基板が、第１のメタライゼーション層を含む１つまたは複数のメタライゼーション層を備え、前記第１のメタライゼーション層が、
   第１の基板層と、
   前記第１の基板層に接して形成され、前記ＦＣダイの１つまたは複数のＦＣインターコネクトと電気的に結合するように前記第１のメタライゼーション層内で配線される、トレースと、
   前記トレースに接して形成されるボンドフィンガーパッドであって、前記ボンドフィンガーパッドの形状が実質的に円形である、ボンドフィンガーパッドと
   を備え、
   前記ワイヤボンドは、前記ワイヤボンド、前記ボンドフィンガーパッド、および前記トレースを通じて前記ワイヤボンドダイが前記ＦＣダイと電気的に結合されるように、前記ボンドフィンガーパッドに電気的に接続し、
   前記第１のメタライゼーション層がさらに、
   前記トレースおよび前記第１の基板層に接して形成されるソルダーマスクを備え、
   前記ボンドフィンガーパッドが、前記ソルダーマスクによって覆われない前記第１の基板層より上の領域を画定するソルダーマスク開口（ＳＭＯ）内で形成されるソルダーマスク定義（ＳＭＤ）パッドである、ＩＣパッケージ。
2. 前記ボンドフィンガーパッドと前記ソルダーマスクとの間に間隙がない、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
3. 前記トレースが、前記第１のメタライゼーション層内で前記ボンドフィンガーパッドから前記基板の端に延長される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
4. 前記トレースが第１の層１トレースであり、
   前記第１のメタライゼーション層がさらに、
   前記第１の基板層に接して形成され前記第１のメタライゼーション層内で配線される第２の層１トレースであって、前記第１の層１トレースと電気的に結合され、前記第１のメタライゼーション層内で前記基板の内部から前記基板の端に延長される、第２の層１トレースと、
   前記第１の層１トレースから前記第１のメタライゼーション層の下面へ前記第１の基板層を通って形成される第１の層１ビアと、
   前記第２の層１トレースから前記第１のメタライゼーション層の前記下面へ前記第１の基板層を通って形成される第２の層１ビアと
   を備え、
   前記基板がさらに、前記第１のメタライゼーション層より下に第２のメタライゼーション層を備え、前記第２のメタライゼーション層が、
   第２の基板層と、
   層２トレースとを備え、前記層２トレースが、前記第２の基板層に接して形成され、順番に前記第１の層１トレース、前記第１の層１ビア、前記層２トレース、および前記第２の層１ビアを通って前記第２の層１トレースと前記ボンドフィンガーパッドが電気的に結合されるように、前記第１の層１ビアおよび前記第２の層１ビアと電気的に結合するように前記第２のメタライゼーション層内で配線される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
5. 前記トレースが層１トレースであり、
   前記基板がさらに、前記第１のメタライゼーション層より下に追加のメタライゼーション層を備え、前記追加のメタライゼーション層が、
   追加の基板層と、
   前記追加の基板層に接して形成され前記追加のメタライゼーション層内で配線される追加のトレースとを備え、前記追加のトレースが、前記層１トレースと電気的に結合され、前記追加のメタライゼーション層内で前記基板の内部から前記基板の端に延長され、
   前記追加のメタライゼーション層が第３のメタライゼーション層であり、前記追加の基板層が第３の基板層であり、前記追加のトレースが層３トレースであり、
   前記基板がさらに、前記第１のメタライゼーション層と前記第３のメタライゼーション層との間に第２のメタライゼーション層を備え、
   前記第１のメタライゼーション層がさらに、
   前記層１トレースから前記第１のメタライゼーション層の下面へ前記第１の基板層を通って形成される層１ビアを備え、
   前記第２のメタライゼーション層が、
   第２の基板層と、
   前記第２の基板層に接して形成され前記第２のメタライゼーション層内で配線される層２トレースと、
   前記層２トレースから前記第２のメタライゼーション層の下面へ前記第２の基板層を通って形成される層２ビアと
   を備え、
   前記ボンドフィンガーパッドが、順番に前記層１トレース、前記層１ビア、前記層２トレース、および前記層２ビアを通って前記層３トレースと電気的に結合される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
6. ダイ－パッド距離が端－パッド距離未満であり、前記ダイ－パッド距離が前記ワイヤボンドダイから前記ボンドフィンガーパッドまでの距離であり、前記端－パッド距離が前記基板の端から前記ボンドフィンガーパッドまでの距離である、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
7. 前記ＩＣパッケージが前記ＦＣダイより上に複数のワイヤボンドダイを備え、前記複数のワイヤボンドダイの各々が対応するワイヤボンドおよびボンドフィンガーパッドを通じて前記ＦＣダイに電気的に結合される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
8. 前記トレースが銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）から形成される、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
9. 前記ボンドフィンガーパッドがめっきされた金属であり、
   前記めっきされた金属がめっきされたニッケルまたは金または両方を備える、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
10. 前記ワイヤボンドが、一方の端部が前記ボンドフィンガーパッドにボールボンディングされ他方の端部が前記ワイヤボンドダイにステッチボンディングされるようなリバースワイヤボンドである、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
11. 前記ＦＣダイがベースバンドモデムダイであり、
    前記ワイヤボンドダイがメモリダイである、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
12. 前記ＩＣパッケージが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、コンピュータ、ウェアラブルデバイス、モノのインターネット（ＩｏＴ）デバイス、ラップトップコンピュータ、サーバ、および自動車車両の中のデバイスからなる群から選択される装置へと組み込まれる、請求項１に記載のＩＣパッケージ。
13. 集積回路（ＩＣ）パッケージを製作する方法であって、
    基板を形成するステップと、
    前記基板に接してフリップチップ（ＦＣ）ダイを配設するステップと、
    前記ＦＣダイより上にワイヤボンドダイを配設するステップと、
    前記ワイヤボンドダイに接続されるワイヤボンドを形成するステップと、
    前記基板に接してモールドを形成するステップであって、前記モールドが、前記ＦＣダイ、前記ワイヤボンドダイ、および前記ワイヤボンドを封入する、ステップとを備え、
    前記基板が、第１のメタライゼーション層を含む１つまたは複数のメタライゼーション層を備えるように形成され、前記第１のメタライゼーション層が、
    第１の基板層と、
    前記第１の基板層に接して形成され、前記ＦＣダイの１つまたは複数のＦＣインターコネクトと電気的に結合するように前記第１のメタライゼーション層内で配線される、トレースと、
    前記トレースに接して形成されるボンドフィンガーパッドであって、前記ボンドフィンガーパッドの形状が実質的に円形である、ボンドフィンガーパッドと
    を備え、
    前記ワイヤボンドは、前記ワイヤボンド、前記ボンドフィンガーパッド、および前記トレースを通じて前記ワイヤボンドダイが前記ＦＣダイと電気的に結合されるように、前記ボンドフィンガーパッドに電気的に接続するように形成され、
    前記第１のメタライゼーション層がさらに、
    前記トレースおよび前記第１の基板層に接して形成されるソルダーマスクを備えるように、前記基板が形成され、
    前記ボンドフィンガーパッドが、前記ソルダーマスクによって覆われない前記第１の基板層より上の領域を画定するソルダーマスク開口（ＳＭＯ）内で形成されるソルダーマスク定義（ＳＭＤ）パッドである、方法。
14. 前記トレースが第１の層１トレースであり、
    前記第１のメタライゼーション層がさらに、
    前記第１の基板層に接して形成され前記第１のメタライゼーション層内で配線される第２の層１トレースであって、前記第１の層１トレースと電気的に結合され、前記第１のメタライゼーション層内で前記基板の内部から前記基板の端に延長される、第２の層１トレースと、
    前記第１の層１トレースから前記第１のメタライゼーション層の下面へ前記第１の基板層を通って形成される第１の層１ビアと、
    前記第２の層１トレースから前記第１のメタライゼーション層の前記下面へ前記第１の基板層を通って形成される第２の層１ビアと
    を備え、
    前記基板が、前記第１のメタライゼーション層より下に第２のメタライゼーション層をさらに備えるように形成され、前記第２のメタライゼーション層が、
    第２の基板層と、
    層２トレースとを備え、前記層２トレースが、前記第２の基板層に接して形成され、順番に前記第１の層１トレース、前記第１の層１ビア、前記層２トレース、および前記第２の層１ビアを通って前記第２の層１トレースと前記ボンドフィンガーパッドが電気的に結合されるように、前記第１の層１ビアおよび前記第２の層１ビアと電気的に結合するように前記第２のメタライゼーション層内で配線される、請求項１３に記載の方法。
15. 前記トレースが層１トレースであり、
    前記基板が、前記第１のメタライゼーション層より下に追加のメタライゼーション層をさらに備えるように形成され、前記追加のメタライゼーション層が、
    追加の基板層と、
    前記追加の基板層に接して形成され前記追加のメタライゼーション層内で配線される追加のトレースとを備え、前記追加のトレースが、前記層１トレースと電気的に結合され、前記追加のメタライゼーション層内で前記基板の内部から前記基板の端に延長され、
    前記追加のメタライゼーション層が第３のメタライゼーション層であり、前記追加の基板層が第３の基板層であり、前記追加のトレースが層３トレースであり、
    前記基板が、前記第１のメタライゼーション層と前記第３のメタライゼーション層との間に第２のメタライゼーション層をさらに備えるように形成され、
    前記第１のメタライゼーション層がさらに、
    前記層１トレースから前記第１のメタライゼーション層の下面へ前記第１の基板層を通って形成される層１ビア
    を備えるように、前記基板が形成され、
    前記第２のメタライゼーション層が、
    第２の基板層と、
    前記第２の基板層に接して形成され前記第２のメタライゼーション層内で配線される層２トレースと、
    前記層２トレースから前記第２のメタライゼーション層の下面へ前記第２の基板層を通って形成される層２ビアと
    を備えるように、前記基板が形成され、
    前記ボンドフィンガーパッドが、順番に前記層１トレース、前記層１ビア、前記層２トレース、および前記層２ビアを通って前記層３トレースと電気的に結合するように形成される、請求項１３に記載の方法。