JP7797566B2 - 発光デバイス - Google Patents

Description

本発明の一態様は、ホスト材料用アントラセン化合物、発光素子、発光デバイス、ディス
プレイモジュール、照明モジュール、表示装置、発光装置、電子機器及び照明装置に関す
る。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発
明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本
発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジショ
ン・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本
発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照
明装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法
を一例として挙げることができる。

有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃ
ｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬ素子）の実用化が進んでいる。これら発光
デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光材料を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟
んだものである。この素子に電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合
エネルギーを利用することにより、発光材料からの発光を得ることができる。

このような発光デバイスは自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ視認性が高くデ
ィスプレイの画素として好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレ
イは、バックライトが不要であり薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに
非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。

また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため
、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、ある
いは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源と
しての利用価値も高い。

このように発光デバイスを用いたディスプレイや照明装置はさまざまな電子機器に適用好
適であるが、より良好な効率、寿命を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められて
いる。

発光デバイスの特性は、目覚ましく向上してきたが効率や耐久性をはじめ、あらゆる特性
に対する高度な要求に対応するには未だ不十分と言わざるを得ない。特に、ＥＬ特有の問
題として未だあげつらわれる焼き付きなどの問題を解決する為には、劣化による効率の低
下は小さければ小さいほど都合が良い。

劣化に関しては、発光中心物質やその周辺の材料により大きく左右されるため、良好な特
性を有するホスト材料の開発が盛んにおこなわれている。

特開２００４－５９５３５号公報

そこで、本発明の一態様では、新規ホスト材料用化合物を提供することを目的とする。ま
たは、本発明の一態様では、発光デバイスの寿命を向上させることが可能なホスト材料用
化合物を提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、寿命の良好な発光デ
バイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、ガラス転移点等の熱
物性が高い材料を提供することを目的とする。

または、本発明の他の一態様では、信頼性の高い発光装置、電子機器及び表示装置を各々
提供することを目的とする。

本発明は上述の課題のうちいずれか一を解決すればよいものとする。

本発明の一態様は下記一般式（Ｇ１）で表されるホスト用アントラセン化合物である。

但し、一般式（Ｇ１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^７はそれぞれ独立に、水素、または炭素数１
乃至２５のアリール基を表す。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、Ｒ^１乃至Ｒ^７のうち１が炭素数１乃
至２５のアリール基を表し、その他が水素であるホスト用アントラセン化合物である。

または、本発明の他の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表されるホスト材料用アントラセ
ン化合物である。

但し、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^４は、水素、または炭素数１乃至２５のアリール
基を表す。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記炭素数１乃至２５のアリール基
がフェニル基であるホスト材料用アントラセン化合物である。

または、本発明の他の一態様は、下記構造式（１００）で表されるホスト用アントラセン
化合物である。

または、本発明の他の一態様は、陽極と、陰極と、前記陽極と陰極との間に位置するＥＬ
層とを有し、前記ＥＬ層は、発光中心物質とホスト材料とを有し、前記ホスト材料が、上
記構成を有するホスト材料用アントラセン化合物である発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記発光中心物質が青色の蛍光を発
する発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記構成を有する発光デバイスと、トランジスタまたは
基板とを有する発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成を有する発光装置と、センサ、操作ボタン、ス
ピーカまたはマイクを有する電子機器である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成を有する発光装置と、筐体とを有する照明装置
である。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光デバイスを用いた画像表示デバイスを含む
。また、発光デバイスにコネクター、例えば異方導電性フィルム又はＴＣＰ（Ｔａｐｅ
Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント
配線板が設けられたモジュール、又は発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓ
ｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも、発光装置に含む場合が
ある。さらに、照明器具等は、発光装置を有する場合がある。

本発明の一態様では、新規有機化合物を提供することができる。または、正孔輸送性を有
する新規有機化合物を提供することができる。または、新規正孔輸送材料を提供すること
ができる。または、新規発光デバイスを提供することができる。または、寿命の良好な発
光デバイスを提供することができる。または、発光効率の良好な発光デバイスを提供する
ことができる。または、駆動電圧の低い発光デバイスを提供することができる。または、
駆動時間の蓄積に伴う電圧変化が小さい素子を提供することができる。

または、本発明の他の一態様では、信頼性の高い発光装置、電子機器及び表示装置を各々
提供することができる。または、本発明の他の一態様では、消費電力の小さい発光装置、
電子機器及び表示装置を各々提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ１、図１Ａ２、図１Ｂ、図１Ｃは発光デバイスの概略図である。 図２Ａ、図２Ｂはアクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図３Ａ、図３Ｂはアクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図４はアクティブマトリクス型発光装置の概念図である。 図５Ａ、図５Ｂはパッシブマトリクス型発光装置の概念図である。 図６Ａ、図６Ｂは照明装置を表す図である。 図７Ａ、図７Ｂ１、図７Ｂ２、図７Ｃは電子機器を表す図である。 図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃは電子機器を表す図である。 図９は照明装置を表す図である。 図１０は照明装置を表す図である。 図１１は車載表示装置及び照明装置を表す図である。 図１２Ａ、図１２Ｂは電子機器を表す図である。 図１３Ａ、図１３Ｂ、図１３Ｃは電子機器を表す図である。 図１４Ａ、図１４Ｂは２αＮ－αＮＰｈＡの^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１５は２αＮ－αＮＰｈＡのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。 図１６は２αＮ－αＮＰｈＡの薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。 図１７Ａ、図１７Ｂは２ＰαＮ－αＮＰｈＡの^１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１８は２ＰαＮ－αＮＰｈＡのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。 図１９は２ＰαＮ－αＮＰｈＡの薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。 図２０は発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の輝度－電流密度特性である。 図２１は発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の電流効率－輝度特性である。 図２２は発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の輝度－電圧特性である。 図２３は発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の電流－電圧特性である。 図２４は発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の外部量子効率－輝度特性である。 図２５は発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の発光スペクトルである。 図２６は発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の規格化輝度－時間変化特性である。 図２７は発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の輝度－電流密度特性である。 図２８は発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の電流効率－輝度特性である。 図２９は発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の輝度－電圧特性である。 図３０は発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の電流－電圧特性である。 図３１は発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の外部量子効率－輝度特性である。 図３２は発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の発光スペクトルである。 図３３は発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の規格化輝度－時間変化特性である。 図３４は発光デバイス３、発光デバイス４、および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の輝度－電流密度特性である。 図３５は発光デバイス３、発光デバイス４、および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の電流効率－輝度特性である。 図３６は発光デバイス３、発光デバイス４、および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の輝度－電圧特性である。 図３７は発光デバイス３、発光デバイス４、および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の電流－電圧特性である。 図３８は発光デバイス３、発光デバイス４、および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の外部量子効率－輝度特性である。 図３９は発光デバイス３、発光デバイス４、および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の発光スペクトルである。 図４０は発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の輝度－電流密度特性である。 図４１は発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の電流効率－輝度特性である。 図４２は発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の輝度－電圧特性である。 図４３は発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の電流－電圧特性である。 図４４は発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の外部量子効率－輝度特性である。 図４５は発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の発光スペクトルである。 図４６は発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の規格化輝度－時間変化特性である。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される有
機化合物である。

但し、上記一般式（Ｇ１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^７はそれぞれ独立に水素または炭素数６
乃至２５のアリール基を表すものとする。

炭素数６乃至２５のアリール基としては、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基
、トリフェニレニル基、フルオランテニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、クアテル
フェニル基等を挙げることができる。

Ｒ^１乃至Ｒ^７は全て水素であること、または、一が炭素数６乃至２５のアリール基であり
残りが水素であることが好ましい。また、一が炭素数６乃至２５のアリール基であり残り
が水素である場合、下記一般式（Ｇ２）のように、Ｒ^４がアリール基であることがより好
ましい。

以上のような構成を有する本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物は、有機化
合物を用いた発光デバイスの発光層におけるホスト材料として用いることで、寿命の長い
発光デバイスを提供することが可能となる。

なお、上記一般式（Ｇ１）で表される化合物をホスト材料として用いた発光デバイスは、
上記一般式（Ｇ１）で表される化合物におけるアントラセン骨格の９位および１０位に結
合するナフチル基およびフェニル基のいずれかに置換基がある化合物をホスト材料として
用いた発光デバイスよりも良好な寿命を有する発光デバイスとすることができる。

また、同様に、上記一般式（Ｇ１）で表される化合物をホスト材料として用いた発光デバ
イスは、上記一般式（Ｇ１）で表される化合物におけるアントラセン骨格の９位および２
位に結合するナフチル基のいずれかにアルキル基またはアルキルシリル基が結合する化合
物をホスト材料として用いた発光デバイスよりも良好な寿命を有する発光デバイスとする
ことができる。なお、上記一般式（Ｇ１）で表される化合物におけるアントラセン骨格の
２位に結合するナフチル基に炭素数６乃至２５のアリール基が結合した化合物をホスト材
料として用いた発光デバイスは良好な寿命を有する発光デバイスとすることができる。

上記構成を有する有機化合物の具体的な例を以下に示す。

以上のような有機化合物は、下記合成スキームなどにより合成することができる。

本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物（Ｇ１）は、以下のような合成スキー
ムにより合成することができる。すなわち、アントラセン誘導体のハロゲン化合物もしく
はトリフラート基を持つ化合物（ａ１）と、ナフタレン化合物のボロン酸、又は有機ホウ
素化合物（ａ２）とを、鈴木・宮浦反応によりカップリングすることで、本発明の一態様
のアントラセン化合物（Ｇ１）を得ることができる。

上記合成スキームにおいて、Ｒ^１乃至Ｒ^７はそれぞれ独立に水素、又は炭素数６乃至２５
のアリール基のいずれか一を表す。また、Ｒ^８、Ｒ^９はそれぞれ独立に水素、又は炭素数
１乃至６のアルキル基のいずれかを表し、Ｒ^８およびＲ^９は互いに結合して環を形成して
いても良い。

また、Ｘはハロゲン、又は、トリフラート基を表し、Ｘがハロゲンの場合は特に塩素、臭
素、ヨウ素が好ましい。

上記合成スキームで表される反応において用いることができるパラジウム触媒としては、
酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられる。

上記パラジウム触媒の配位子としては、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン
、トリ（オルト－トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシ
ルホスフィン等が挙げられる。

上記合成スキームで表される反応において用いることができる塩基としては、ナトリウム
ｔｅｒｔ－ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等
が挙げられる。

上記合成スキームで表される反応において、用いることができる溶媒としては、トルエン
と水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の
混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶
媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチル
エーテル等のエーテル類と水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエー
テル類とエタノール等のアルコールの混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることが
できる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、又はトルエンとエタ
ノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合
溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類とエタノール等のアルコール
の混合溶媒がより好ましい。

上記合成スキームで用いることができるカップリング反応としては、化合物（ａ２）で示
される有機ホウ素化合物又はボロン酸を用いる鈴木・宮浦カップリング反応の代わりに、
有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカ
ップリング反応を用いてもよい。また、上記合成スキームに示す反応において、アントラ
セン化合物の有機ホウ素化合物又はボロン酸と、ナフタレン化合物のハロゲン化物又はト
リフラート置換体を、鈴木・宮浦反応によりカップリングしてもよい。

本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物は以上のように合成することが可能で
ある。

（実施の形態２）
図１Ａ１に、本発明の一態様の発光デバイスを表す図を示す。本発明の一態様の発光デバ
イスは、第１の電極１０１と、第２の電極１０２、ＥＬ層１０３を有し、ＥＬ層１０３は
発光層１１３を有しており、当該発光層に実施の形態１で述べた本発明の一態様のホスト
材料用アントラセン誘導体を含んでいる。

ＥＬ層１０３は、発光層１１３の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送
層１１４および電子注入層１１５を有していても良く、その他キャリアブロック層、励起
子ブロック層、電荷発生層など様々な層を有していても良い。なお、正孔輸送層１１２は
、図１Ａ２のように、第１の正孔輸送層１１２－１、第２の正孔輸送層１１２－２のよう
に２層に分けて異なる材料を用いて形成しても良い。なお、第２の正孔輸送層１１２－２
は、電子ブロック層としても機能する。

当該ホスト材料用アントラセン化合物は、発光層１１３に含まれるホスト材料として用い
る。当該ホスト材料用アントラセン化合物をホスト材料として用いた本発明の一態様の発
光デバイスは、寿命の長い発光デバイスとすることができる。

第１の電極１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電
性化合物、およびこれらの混合物などを用いて形成することが好ましい。具体的には、例
えば、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ
素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛
、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる
。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル－ゲ
ル法などを応用して作製しても構わない。作製方法の例としては、酸化インジウム－酸化
亜鉛は、酸化インジウムに対し１～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてス
パッタリング法により形成する方法などがある。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を
含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．
５～５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１～１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング
法により形成することもできる。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）
、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（
Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタ
ン）等が挙げられる。グラフェンも用いることができる。なお、後述する複合材料をＥＬ
層１０３における第１の電極１０１と接する層に用いることで、仕事関数に関わらず、電
極材料を選択することができるようになる。

ＥＬ層１０３の積層構造については、本実施の形態では、図１Ａ１に示すように、正孔注
入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３に加えて、電子輸送層１１４及び電子注入
層１１５を有する構成、及び図１Ｂに示すように、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２
、発光層１１３に加えて、電子輸送層１１４及び電荷発生層１１６を有する構成の２種類
の構成について説明する。各層を構成する材料について以下に具体的に示す。

正孔注入層１１１は、アクセプタ性を有する物質を含む層である。アクセプタ性を有する
物質としては、電子吸引基（ハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を用いることができ
、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称
：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、３，６－ジフルオロ－２，５，７，７，８，８－ヘキサシアノキノ
ジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，
９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８
－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）等の電
子吸引基を有する化合物等を用いることができる。アクセプタ性を有する有機化合物とし
ては、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合してい
る化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハ
ロゲン基やシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため
好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリ
ス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’
，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロー３，５
－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’
’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフル
オロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。アクセプタ性を有する物質としては以
上で述べた有機化合物以外にも、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシア
ニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の錯体化
合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］
ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）ア
ミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジア
ミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４－エチレンジオ
キシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等に
よっても正孔注入層１１１を形成することができる。アクセプタ性を有する物質は、隣接
する正孔輸送層（あるいは正孔輸送材料）から、電界の印加により電子を引き抜くことが
できる。

また、正孔注入層１１１として、正孔輸送性を有する物質にアクセプタ性物質を含有させ
た複合材料を用いることもできる。なお、正孔輸送性の物質にアクセプタ性物質を含有さ
せた複合材料を用いることにより、仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことがで
きる。つまり、第１の電極１０１として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小
さい材料も用いることができるようになる。当該アクセプタ性物質としては、上記したア
クセプタ性を有する物質を用いることが可能であるが、中でも酸化モリブデンは大気中で
も安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

複合材料に用いる正孔輸送性の物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体
、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々
の有機化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる正孔輸送性の物質としては
、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。なお
、本発明の一態様の有機化合物も好適に用いることができる。以下では、複合材料におけ
る正孔輸送性の物質として用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

複合材料に用いることのできる芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル
）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’
－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略
称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル
｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：Ｄ
ＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。カルバゾール誘導体
としては、具体的には、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェ
ニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ
－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカル
バゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニル
カルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１
）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリ
ス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１
０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、
１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニル
ベンゼン等を用いることができる。芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブ
チル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅ
ｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－
ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１
０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－
ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン
（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ
）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２
－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、
９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テト
ラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル
－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’
－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）
－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニ
ル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリ
レン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、
この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。ビニル骨格を有していてもよい
。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジ
フェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジ
フェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルア
ミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略
称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもで
きる。

正孔注入層１１１を形成することによって、正孔の注入性が良好となり、駆動電圧の小さ
い発光デバイスを得ることができる。また、アクセプタ性を有する有機化合物は蒸着が容
易で成膜がしやすいため、用いやすい材料である。

正孔輸送層１１２は、正孔輸送材料を含んで形成される。正孔輸送材料としては、１×１
０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有していることが好ましい。当該正孔輸送材料と
しては、上記複合材料に用いることができる正孔輸送性材料として挙げた有機化合物を用
いることが可能である。

発光層１１３は、発光材料とホスト材料とを含む層である。発光材料は蛍光発光物質であ
っても、りん光発光物質であっても、熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示す物質であって
も、その他の発光材料であっても構わない。また、単層であっても、異なる発光材料が含
まれる複数の層からなっていても良い。なお、本発明の一態様は、発光層１１３が蛍光発
光を呈する層、特に、青色の蛍光発光を呈する層である場合により好適に適用することが
できる。

発光層１１３において、蛍光発光物質として用いることが可能な材料としては、例えば以
下のようなものが挙げられる。また、これ以外の蛍光発光物質も用いることができる。

５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，２’－ビピリ
ジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－９－アントリ
ル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，
Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル
）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－
９－イル）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ
）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジ
フェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾ
ール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略
称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジフェ
ニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジフェ
ニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール
－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ－（ｔｅｒｔ
－ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’
－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢ
ＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４
，１－フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン
］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－
２－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ
）、Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’
，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリ
セン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ－（９
，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３
－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－
イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略
称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，
１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－
トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０－ビ
ス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）
フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，
Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５
４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２
－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－６，１１－ジフェニルテトラセン（略称：
ＢＰＴ）、２－（２－｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝－６－メチ
ル－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２－｛２－
メチル－６－［２－（２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノ
リジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略
称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－
５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３
，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）、２－｛２－イソプロピル－６－［２－（
１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［
ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニ
トリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２－｛２－ｔｅｒｔ－ブチル－６－［２－（１，１，７，
７－テトラメチル－２，３，６，７－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリ
ジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称
：ＤＣＪＴＢ）、２－（２，６－ビス｛２－［４－（ジメチルアミノ）フェニル］エテニ
ル｝－４Ｈ－ピラン－４－イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２－
｛２，６－ビス［２－（８－メトキシ－１，１，７，７－テトラメチル－２，３，６，７
－テトラヒドロ－１Ｈ，５Ｈ－ベンゾ［ｉｊ］キノリジン－９－イル）エテニル］－４Ｈ
－ピラン－４－イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）、Ｎ，Ｎ’－
（ピレン－１，６－ジイル）ビス［（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－
ｄ］フラン）－８－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）、３，１０－ビス［
Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ナフト［
２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ（ＩＶ）
－０２）、３，１０－ビス［Ｎ－（ジベンゾフラン－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］
ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＦｒＡ２Ｎｂｆ
（ＩＶ）－０２）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎや１，６ｍＭｅｍＦＬ
ＰＡＰｒｎ、１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３のようなピレンジアミン化合物に代表される縮
合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているた
め好ましい。

発光層１１３において、発光中心材料としてりん光発光物質を用いる場合、用いることが
可能な材料としては、例えば以下のようなものが挙げられる。

トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ
－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）_３］）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェ
ニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔ
ｚ）_３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ
－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３
ｂ）_３］）のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス
［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリア
ゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）_３］）、トリス（１
－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）_３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨
格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピル
フェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（ｉＰｒｐｍｉ）_３］）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミ
ダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐ
ｉｍｐｔ－Ｍｅ）_３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、
ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（
ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’
，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナ
ート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フ
ェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（
ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ）］）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリ
ジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃ
ａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イ
リジウム錯体が挙げられる。これらは青色のりん光発光を示す化合物であり、４４０ｎｍ
から５２０ｎｍに発光のピークを有する化合物である。

また、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス
（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐ
ｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－
フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃ
ａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニルピ
リミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、
（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニル
ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］
）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニ
ルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）
］）、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラ
ジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）
のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２－フェニルピリジ
ナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２－
フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：
［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（Ｉ
ＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベ
ンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス
（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）
_３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア
セトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有
機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テ
ルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属
錯体が挙げられる。これらは主に緑色のりん光発光を示す化合物であり、５００ｎｍ～６
００ｎｍに発光のピークを有する。なお、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯
体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジ
ナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス
［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ（
ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金
属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナ
ト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，
３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス
（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄ
ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ト
リス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジ
ン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８
－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のよ
うな白金錯体や、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェ
ナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、
トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナン
トロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のよう
な希土類金属錯体が挙げられる。これらは、赤色のりん光発光を示す化合物であり、６０
０ｎｍから７００ｎｍに発光のピークを有する。また、ピラジン骨格を有する有機金属イ
リジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、以上で述べたりん光性化合物の他、公知のりん光性発光材料を選択し、用いてもよ
い。

ＴＡＤＦ材料としてはフラーレン及びその誘導体、アクリジン及びその誘導体、エオシン
誘導体等を用いることができる。またマグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム
（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐ
ｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例
えば、以下の構造式に示されるプロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏ
ｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、
ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポル
フィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍ
ｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポ
ルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン
－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等も挙げられる。

また、以下の構造式に示される２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フ
ェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（
略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）や、９－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－
イル）－９’－フェニル－９Ｈ，９’Ｈ－３，３’－ビカルバゾール（略称：ＰＣＣｚＴ
ｚｎ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カ
ルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略
称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル
］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４
－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－
ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジ
メチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲ
ＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］
スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［ア
クリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子
過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環の一方または両方を有する複素環化合物も用
いることができる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳
香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が共に高く、好ましい。中でも、π電子不
足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピ
ラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好
ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピ
ラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプター性が高く、信頼性が良好なため好
ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノ
キサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は
、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、
フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン
骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾー
ル骨格、インドロカルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３－（９－フェニル－９Ｈ－
カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰
型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香
環の電子供与性とπ電子不足型複素芳香環の電子受容性が共に強くなり、Ｓ_１準位とＴ_１
準位のエネルギー差が小さくなるため、熱活性化遅延蛍光を効率よく得られることから特
に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が
結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フ
ェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格
、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダ
ゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランやボラントレン等の含ホウ素骨格、ベ
ンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環や複素
芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等
を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳
香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いること
ができる。

なお、ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重
項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる機能を
有する材料である。そのため、三重項励起エネルギーをわずかな熱エネルギーによって一
重項励起エネルギーにアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態を効率
よく生成することができる。また、三重項励起エネルギーを発光に変換することができる
。

また、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレッ
クスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、
三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料とし
ての機能を有する。

なお、Ｔ１準位の指標としては、低温（例えば７７Ｋから１０Ｋ）で観測される燐光スペ
クトルを用いればよい。ＴＡＤＦ材料としては、その蛍光スペクトルの短波長側の裾にお
いて接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とし、燐光スペクトルの短波
長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とした際に、そ
のＳ１とＴ１の差が０．３ｅＶ以下であることが好ましく、０．２ｅＶ以下であることが
さらに好ましい。

また、ＴＡＤＦ材料を発光中心材料として用いる場合、ホスト材料のＳ１準位はＴＡＤＦ
材料のＳ１準位より高い方が好ましい。また、ホスト材料のＴ１準位はＴＡＤＦ材料のＴ
１準位より高いことが好ましい。

発光層のホスト材料としては、実施の形態１で説明した本発明の一態様のホスト材料用ア
ントラセン化合物を用いることが好ましい。当該ホスト材料用アントラセン化合物を用い
ることによって、寿命の良好な発光デバイスを提供することが可能となる。

また、ホスト材料として実施の形態１に記載のホスト材料用アントラセン化合物を用いな
い場合、電子輸送性を有する材料や正孔輸送性を有する材料など様々なキャリア輸送材料
を用いることができる。

正孔輸送性を有する材料としては、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，
Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、
４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルア
ミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン
－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－
フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フ
ェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（
略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフ
チル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（
略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ
－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメ
チル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェ
ニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－
フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン
－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３
－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリ
ル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－
フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４，４’，４
’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ
３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９
－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（
９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフ
ェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，
４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３
Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル
］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有
する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾ
ール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低
減にも寄与するため好ましい。また、実施の形態１に記載の有機化合物も好適に用いるこ
とができる。

電子輸送性を有する材料としては、例えば、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリ
ナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト
）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－
キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）
フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）
フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体や、２－（４－ビフェニ
リル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称
：ＰＢＤ）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフ
ェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２－［３’－（９，９－ジメチ
ル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－１，１’－ビフェニル－３－イル］－４，６－ジフ
ェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ｍＦＢＰＴｚｎ）、１，３－ビス［５－（ｐ－
ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略
称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イ
ル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’－（１，３
，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：
ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－
１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、２－｛４－［９，１０－ジ
（ナフタレン－２－イル）－２－アントリル］フェニル｝－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ
イミダゾール（略称：ＺＡＤＮ）などのポリアゾール骨格を有する複素環化合物や、２－
［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（
略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビ
フェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－
ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベン
ゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６－ビス［３－（フェナ
ントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－
ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２
Ｐｍ－ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５－ビス［３－（９Ｈ－
カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５
－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジ
ン骨格を有する複素環化合物が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素
環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、
ジアジン（ピリミジンやピラジン）骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆
動電圧低減にも寄与する。

蛍光発光物質を発光材料として用いる場合、ホスト材料としては、アントラセン骨格を有
する材料が好適である。アントラセン骨格を有する物質を蛍光発光物質のホスト材料とし
て用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。アントラ
セン骨格を有する材料はＨＯＭＯ準位が深い材料が多い為、本発明の一態様を好適に適用
することができる。ホスト材料として用いるアントラセン骨格を有する物質としては、ジ
フェニルアントラセン骨格、特に９，１０－ジフェニルアントラセン骨格を有する物質が
化学的に安定であるため好ましい。また、ホスト材料がカルバゾール骨格を有する場合、
正孔の注入・輸送性が高まるため好ましいが、カルバゾールにベンゼン環がさらに縮合し
たベンゾカルバゾール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅
くなり、正孔が入りやすくなるためより好ましい。特に、ホスト材料がジベンゾカルバゾ
ール骨格を含む場合、カルバゾールよりもＨＯＭＯが０．１ｅＶ程度浅くなり、正孔が入
りやすくなる上に、正孔輸送性にも優れ、耐熱性も高くなるため好適である。したがって
、さらにホスト材料として好ましいのは、９，１０－ジフェニルアントラセン骨格および
カルバゾール骨格（あるいはベンゾカルバゾール骨格やジベンゾカルバゾール骨格）を同
時に有する物質である。なお、上記の正孔注入・輸送性の観点から、カルバゾール骨格に
換えて、ベンゾフルオレン骨格やジベンゾフルオレン骨格を用いてもよい。このような物
質の例としては、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニ
ル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニ
ル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェ
ニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４
－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾ
ール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル
）フェニル］－ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、
９－フェニル－１０－｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル
－４’－イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）等が挙げられる。特に、ＣｚＰＡ、ｃ
ｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好まし
い選択である。

なお、本発明の一態様の発光デバイスは、特に青色の蛍光発光を呈する発光デバイスに適
用することが好ましい。

なお、ホスト材料は複数種の物質を混合した材料であっても良く、混合したホスト材料を
用いる場合は、電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料とを混合することが
好ましい。電子輸送性を有する材料と、正孔輸送性を有する材料を混合することによって
、発光層１１３の輸送性を容易に調整することができ、再結合領域の制御も簡便に行うこ
とができる。正孔輸送性を有する材料と電子輸送性を有する材料の含有量の比は、正孔輸
送性を有する材料：電子輸送性を有する材料＝１：９～９：１とすればよい。

また、これら混合された材料同士で励起錯体を形成しても良い。当該励起錯体は発光材料
の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するよ
うな組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光が得
られるため好ましい。また、当該構成を用いることで駆動電圧も低下するため好ましい。

電子輸送層１１４は、電子輸送性を有する物質を含む層である。電子輸送性を有する物質
としては、上記ホスト材料に用いることが可能な電子輸送性を有する物質として挙げたも
のを用いることができる。

電子輸送層１１４と第２の電極１０２との間に、電子注入層１１５として、フッ化リチウ
ム（ＬｉＦ）、８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）、フッ化セシウム
（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金
属又はそれらの化合物を含む層を設けても良い。電子注入層１１５は、電子輸送性を有す
る物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を含有させ
たものや、エレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウ
ムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。

また、電子注入層１１５の代わりに電荷発生層１１６を設けても良い（図１Ｂ）。電荷発
生層１１６は、電位をかけることによって当該層の陰極側に接する層に正孔を、陽極側に
接する層に電子を注入することができる層のことである。電荷発生層１１６には、少なく
ともＰ型層１１７が含まれる。Ｐ型層１１７は、上述の正孔注入層１１１を構成すること
ができる材料として挙げた複合材料を用いて形成することが好ましい。またＰ型層１１７
は、複合材料を構成する材料として上述したアクセプタ材料を含む膜と正孔輸送材料を含
む膜とを積層して構成しても良い。Ｐ型層１１７に電位をかけることによって、電子輸送
層１１４に電子が、陰極である第２の電極１０２に正孔が注入され、発光デバイスが動作
する。

なお、電荷発生層１１６はＰ型層１１７の他に電子リレー層１１８及び電子注入バッファ
層１１９のいずれか一又は両方がもうけられていることが好ましい。

電子リレー層１１８は少なくとも電子輸送性を有する物質を含み、電子注入バッファ層１
１９とＰ型層１１７との相互作用を防いで電子をスムーズに受け渡す機能を有する。電子
リレー層１１８に含まれる電子輸送性を有する物質のＬＵＭＯ準位は、Ｐ型層１１７にお
けるアクセプタ性物質のＬＵＭＯ準位と、電子輸送層１１４における電荷発生層１１６に
接する層に含まれる物質のＬＵＭＯ準位との間であることが好ましい。電子リレー層１１
８に用いられる電子輸送性を有する物質におけるＬＵＭＯ準位の具体的なエネルギー準位
は－５．０ｅＶ以上、好ましくは－５．０ｅＶ以上－３．０ｅＶ以下とするとよい。なお
、電子リレー層１１８に用いられる電子輸送性を有する物質としてはフタロシアニン系の
材料又は金属－酸素結合と芳香族配位子を有する金属錯体を用いることが好ましい。

電子注入バッファ層１１９には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、および
これらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リ
チウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン
化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含
む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。

また、電子注入バッファ層１１９が、電子輸送性を有する物質とドナー性物質を含んで形
成される場合には、ドナー性物質として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属
、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物
、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、
ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭
酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチ
ルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性を有する物質と
しては、先に説明した電子輸送層１１４を構成する材料と同様の材料を用いて形成するこ
とができる。

第２の電極１０２を形成する物質としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以
下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。
このような陰極材料の具体例としては、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカ
リ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等
の元素周期表の第１族または第２族に属する元素、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、
ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれ
らを含む合金等が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０２と電子輸送層との間に、
電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ
素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム－酸化スズ等様々な導電性材料を第２の
電極１０２として用いることができる。
これら導電性材料は、真空蒸着法やスパッタリング法などの乾式法、インクジェット法、
スピンコート法等を用いて成膜することが可能である。また、ゾル－ゲル法を用いて湿式
法で形成しても良いし、金属材料のペーストを用いて湿式法で形成してもよい。

また、ＥＬ層１０３の形成方法としては、乾式法、湿式法を問わず、種々の方法を用いる
ことができる。例えば、真空蒸着法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印
刷法、インクジェット法またはスピンコート法など用いても構わない。

また上述した各電極または各層を異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。

なお、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間に設けられる層の構成は、上記のもの
には限定されない。しかし、発光領域と電極やキャリア注入層に用いられる金属とが近接
することによって生じる消光が抑制されるように、第１の電極１０１および第２の電極１
０２から離れた部位に正孔と電子とが再結合する発光領域を設けた構成が好ましい。

また、発光層１１３に接する正孔輸送層や電子輸送層、特に発光層１１３における再結合
領域に近いキャリア輸送層は、発光層で生成した励起子からのエネルギー移動を抑制する
ため、そのバンドギャップが発光層を構成する発光材料もしくは、発光層に含まれる発光
材料が有するバンドギャップより大きいバンドギャップを有する物質で構成することが好
ましい。

続いて、複数の発光ユニットを積層した構成の発光デバイス（積層型素子、タンデム型素
子ともいう）の態様について、図１Ｃを参照して説明する。この発光デバイスは、陽極と
陰極との間に、複数の発光ユニットを有する発光デバイスである。一つの発光ユニットは
、図１Ａ１、図１Ａ２および図１Ｂなどで示したＥＬ層１０３とほぼ同様な構成を有する
。つまり、図１Ｃで示す発光デバイスは複数の発光ユニットを有する発光デバイスであり
、図１Ａ１、図１Ａ２や図１Ｂで示した発光デバイスは、１つの発光ユニットを有する発
光デバイスであるということができる。

図１Ｃにおいて、陽極５０１と陰極５０２との間には、第１の発光ユニット５１１と第２
の発光ユニット５１２が積層されており、第１の発光ユニット５１１と第２の発光ユニッ
ト５１２との間には電荷発生層５１３が設けられている。陽極５０１と陰極５０２はそれ
ぞれ図１Ａ１などにおける第１の電極１０１と第２の電極１０２に相当し、図１Ａ１の説
明で述べたものと同じものを適用することができる。また、第１の発光ユニット５１１と
第２の発光ユニット５１２は同じ構成であっても異なる構成であってもよい。

電荷発生層５１３は、陽極５０１と陰極５０２に電圧を印加したときに、一方の発光ユニ
ットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入する機能を有する。すなわち、図
１Ｃにおいて、陽極の電位の方が陰極の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、
電荷発生層５１３は、第１の発光ユニット５１１に電子を注入し、第２の発光ユニット５
１２に正孔を注入するものであればよい。

電荷発生層５１３は、図１Ｂにて説明した電荷発生層１１６と同様の構成で形成すること
が好ましい。有機化合物と金属酸化物の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に
優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニット
の陽極側の面が電荷発生層５１３に接している場合は、電荷発生層５１３が発光ユニット
の正孔注入層の役割も担うことができるため、発光ユニットは正孔注入層を設けなくとも
良い。

また、電荷発生層５１３に電子注入バッファ層１１９を設ける場合、当該電子注入バッフ
ァ層１１９が陽極側の発光ユニットにおける電子注入層の役割を担うため、陽極側の発光
ユニットには必ずしも電子注入層を形成する必要はない。

図１Ｃでは、２つの発光ユニットを有する発光デバイスについて説明したが、３つ以上の
発光ユニットを積層した発光デバイスについても、同様に適用することが可能である。本
実施の形態に係る発光デバイスのように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生
層５１３で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし
、さらに長寿命な素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置
を実現することができる。

また、それぞれの発光ユニットの発光色を異なるものにすることで、発光デバイス全体と
して、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つの発光ユニットを有する発光デ
バイスにおいて、第１の発光ユニットで赤と緑の発光色、第２の発光ユニットで青の発光
色を得ることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることも可能で
ある。また、３層構造である場合、第１の発光ユニットで青の発光色、第２の発光ユニッ
トで赤と緑の発光色、第３の発光ユニットで青の発光色を得る事で白色発光を得ても良い
。

また、上述のＥＬ層１０３や第１の発光ユニット５１１、第２の発光ユニット５１２及び
電荷発生層などの各層や電極は、例えば、蒸着法（真空蒸着法を含む）、液滴吐出法（イ
ンクジェット法ともいう）、塗布法、グラビア印刷法等の方法を用いて形成することがで
きる。また、それらは低分子材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、ま
たは高分子材料を含んでも良い。

（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いた発光
装置について説明する。

本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いて作製
された発光装置について図２を用いて説明する。なお、図２Ａは、発光装置を示す上面図
、図２Ｂは図２ＡをＡ－ＢおよびＣ－Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、発光
デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース線駆動回路）
６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート線駆動回路）６０３を含んでいる。また、６
０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０
７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース線駆動回路６０１及びゲート線駆動回路６０３に入力
される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリ
ントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等
を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配
線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装
置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとす
る。

次に、断面構造について図２Ｂを用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び
画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース線駆動回路６０１と、画
素部６０２中の一つの画素が示されている。

素子基板６１０はガラス、石英、有機樹脂、金属、合金、半導体などからなる基板の他、
ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニル
フロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いて作製す
ればよい。

画素や駆動回路に用いられるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、逆スタガ
型のトランジスタとしてもよいし、スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップ
ゲート型のトランジスタでもボトムゲート型トランジスタでもよい。トランジスタに用い
る半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、窒化
ガリウム等を用いることができる。または、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、イン
ジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、上記画素や駆動回路に設けられるトランジスタの他、後述するタッチセンサ等に
用いられるトランジスタなどの半導体装置には、酸化物半導体を適用することが好ましい
。特にシリコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を適用することが好ましい。シ
リコンよりもバンドギャップの広い酸化物半導体を用いることで、トランジスタのオフ状
態における電流を低減できる。

上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）又は亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ま
しい。また、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、
Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む酸化物半導体であることがよ
り好ましい。

ここで、本発明の一態様に用いることができる酸化物半導体について、以下に説明を行う
。

酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けら
れる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉ
ｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結
晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎｏ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈ
ｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、および非晶質酸化物半
導体などがある。

ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向性を有し、かつａ－ｂ面方向において複数のナノ結晶が連結
し、歪みを有した結晶構造となっている。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領
域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の
向きが変化している箇所を指す。

ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合が
ある。また、歪みにおいて、五角形、および七角形などの格子配列を有する場合がある。
なお、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウン
ダリーともいう）を確認することは難しい。すなわち、格子配列の歪みによって、結晶粒
界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向にお
いて酸素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が
変化することなどによって、歪みを許容することができるためである。

また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、インジウム、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素
Ｍ、亜鉛、および酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構
造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換
可能であり、（Ｍ，Ｚｎ）層の元素Ｍがインジウムと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ，Ｚｎ）
層と表すこともできる。また、Ｉｎ層のインジウムが元素Ｍと置換した場合、（Ｉｎ，Ｍ
）層と表すこともできる。

ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶性の高い酸化物半導体である。一方、ＣＡＡＣ－ＯＳは、明確な結
晶粒界を確認することが難しいため、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにく
いといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下
する場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損（Ｖ_Ｏ：ｏｘｙｇｅｎ
ｖａｃａｎｃｙともいう）など）の少ない酸化物半導体ともいえる。したがって、ＣＡＡ
Ｃ－ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを
有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。

ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３
ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナノ
結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。した
がって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体
と区別が付かない場合がある。

なお、インジウムと、ガリウムと、亜鉛と、を有する酸化物半導体の一種である、インジ
ウム－ガリウム－亜鉛酸化物（以下、ＩＧＺＯ）は、上述のナノ結晶とすることで安定な
構造をとる場合がある。特に、ＩＧＺＯは、大気中では結晶成長がし難い傾向があるため
、大きな結晶（ここでは、数ｍｍの結晶、または数ｃｍの結晶）よりも小さな結晶（例え
ば、上述のナノ結晶）とする方が、構造的に安定となる場合がある。

ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半
導体である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。すなわち、ａ－ｌｉ
ｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳおよびＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。

酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の
酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ、ｎｃ
－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

また、上述の酸化物半導体以外として、ＣＡＣ（Ｃｌｏｕｄ－Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｏｍｐ
ｏｓｉｔｅ）－ＯＳを用いてもよい。

ＣＡＣ－ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有
し、材料の全体では半導体としての機能を有する。なお、ＣＡＣ－ＯＳを、トランジスタ
の半導体層に用いる場合、導電性の機能は、キャリアとなる電子（またはホール）を流す
機能であり、絶縁性の機能は、キャリアとなる電子を流さない機能である。導電性の機能
と、絶縁性の機能とを、それぞれ相補的に作用させることで、スイッチングさせる機能（
Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳに付与することができる。ＣＡＣ－ＯＳにおい
て、それぞれの機能を分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。

また、ＣＡＣ－ＯＳは、導電性領域、及び絶縁性領域を有する。導電性領域は、上述の導
電性の機能を有し、絶縁性領域は、上述の絶縁性の機能を有する。また、材料中において
、導電性領域と、絶縁性領域とは、ナノ粒子レベルで分離している場合がある。また、導
電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ材料中に偏在する場合がある。また、導電性領域
は、周辺がぼけてクラウド状に連結して観察される場合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳにおいて、導電性領域と、絶縁性領域とは、それぞれ０．５ｎｍ以上
１０ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上３ｎｍ以下のサイズで材料中に分散している場
合がある。

また、ＣＡＣ－ＯＳは、異なるバンドギャップを有する成分により構成される。例えば、
ＣＡＣ－ＯＳは、絶縁性領域に起因するワイドギャップを有する成分と、導電性領域に起
因するナローギャップを有する成分と、により構成される。当該構成の場合、キャリアを
流す際に、ナローギャップを有する成分において、主にキャリアが流れる。また、ナロー
ギャップを有する成分が、ワイドギャップを有する成分に相補的に作用し、ナローギャッ
プを有する成分に連動してワイドギャップを有する成分にもキャリアが流れる。このため
、上記ＣＡＣ－ＯＳをトランジスタのチャネル形成領域に用いる場合、トランジスタのオ
ン状態において高い電流駆動力、つまり大きなオン電流、及び高い電界効果移動度を得る
ことができる。

すなわち、ＣＡＣ－ＯＳは、マトリックス複合材（ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）
、または金属マトリックス複合材（ｍｅｔａｌ ｍａｔｒｉｘ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）と
呼称することもできる。

半導体層として上述の酸化物半導体材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信
頼性の高いトランジスタを実現できる。

また、上述の半導体層を有するトランジスタはその低いオフ電流により、トランジスタを
介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。このようなトラ
ンジスタを画素に適用することで、各表示領域に表示した画像の階調を維持しつつ、駆動
回路を停止することも可能となる。その結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実
現できる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（
Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。

なお、ＦＥＴ６２３は駆動回路部６０１に形成されるトランジスタの一つを示すものであ
る。また、駆動回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成
すれば良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示
すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく外部に形成することもできる
。

また、画素部６０２はスイッチング用ＦＥＴ６１１と、電流制御用ＦＥＴ６１２とそのド
レインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成されている
が、これに限定されず、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部としても
よい。

なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ
型の感光性アクリルを用いることにより形成することができる。

また、後に形成するＥＬ層等の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部ま
たは下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料と
してポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．
２μｍ～３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、
ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができる。

第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されて
いる。ここで、第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いる
ことが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２
～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステ
ン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜
との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等
を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオー
ミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法
等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６は、実施の形態１および実施の形態２
で説明したような構成を含んでいる。また、ＥＬ層６１６を構成する他の材料としては、
低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い
。

さらに、ＥＬ層６１６上に形成された第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数
の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物（ＭｇＡｇ、Ｍｇ
Ｉｎ、ＡｌＬｉ等）等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２
の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜
と、透明導電膜（ＩＴＯ、２～２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含
有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

なお、第１の電極６１３、ＥＬ層６１６、第２の電極６１７でもって、発光デバイスが形
成されている。当該発光デバイスは実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイ
スである。なお、画素部は複数の発光デバイスが形成されてなっているが、本実施の形態
における発光装置では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスと、それ
以外の構成を有する発光デバイスの両方が含まれていても良い。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素
子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光デバ
イス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されて
おり、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材で充填される場
合もある。封止基板には凹部を形成し、そこに乾燥材を設けることで水分の影響による劣
化を抑制することができ、好ましい構成である。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また
、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、
封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒ
ｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエス
テルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

図２には示されていないが、陰極上に保護膜を設けても良い。保護膜は有機樹脂膜や無機
絶縁膜で形成すればよい。また、シール材６０５の露出した部分を覆うように、保護膜が
形成されていても良い。また、保護膜は、一対の基板の表面及び側面、封止層、絶縁層、
等の露出した側面を覆って設けることができる。

保護膜には、水などの不純物を透過しにくい材料を用いることができる。したがって、水
などの不純物が外部から内部に拡散することを効果的に抑制することができる。

保護膜を構成する材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、三元化合物、金属
またはポリマー等を用いることができ、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハ
フニウムシリケート、酸化ランタン、酸化珪素、チタン酸ストロンチウム、酸化タンタル
、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化イットリウム
、酸化セリウム、酸化スカンジウム、酸化エルビウム、酸化バナジウムまたは酸化インジ
ウム等を含む材料や、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化珪素、窒化タンタル、窒
化チタン、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化ジルコニウムまたは窒化ガリウム等を含む
材料、チタンおよびアルミニウムを含む窒化物、チタンおよびアルミニウムを含む酸化物
、アルミニウムおよび亜鉛を含む酸化物、マンガンおよび亜鉛を含む硫化物、セリウムお
よびストロンチウムを含む硫化物、エルビウムおよびアルミニウムを含む酸化物、イット
リウムおよびジルコニウムを含む酸化物等を含む材料を用いることができる。

保護膜は、段差被覆性（ステップカバレッジ）の良好な成膜方法を用いて形成することが
好ましい。このような手法の一つに、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法がある。ＡＬＤ法を用いて形成することができる材料を、保護
膜に用いることが好ましい。ＡＬＤ法を用いることで緻密な、クラックやピンホールなど
の欠陥が低減された、または均一な厚さを備える保護膜を形成することができる。また、
保護膜を形成する際に加工部材に与える損傷を、低減することができる。

例えばＡＬＤ法を用いて保護膜を形成することで、複雑な凹凸形状を有する表面や、タッ
チパネルの上面、側面及び裏面にまで均一で欠陥の少ない保護膜を形成することができる
。

以上のようにして、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いて作製
された発光装置を得ることができる。

本実施の形態における発光装置は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイ
スを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実
施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは寿命の長い発光デバイスであるた
め、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、実施の形態１および実施の形態
２に記載の発光デバイスを用いた発光装置は発光効率が良好なため、消費電力の小さい発
光装置とすることが可能である。

図３には白色発光を呈する発光デバイスを形成し、着色層（カラーフィルタ）等を設ける
ことによってフルカラー化した発光装置の例を示す。図３Ａには基板１００１、下地絶縁
膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第１の
層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆
動回路部１０４１、発光デバイスの陽極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４
Ｂ、隔壁１０２５、ＥＬ層１０２８、発光デバイスの第２の電極１０２９、封止基板１０
３１、シール材１０３２などが図示されている。

また、図３Ａでは着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着
色層１０３４Ｂ）は透明な基材１０３３に設けている。また、ブラックマトリクス１０３
５をさらに設けても良い。着色層及びブラックマトリクスが設けられた透明な基材１０３
３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及びブラックマトリクス
１０３５は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図３Ａにおいては、光が
着色層を透過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が出る発光
層とがあり、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、緑、青となることか
ら、４色の画素で映像を表現することができる。

図３Ｂでは着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１
０３４Ｂ）をゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示
した。このように、着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられていても良
い。

また、以上に説明した発光装置では、ＦＥＴが形成されている基板１００１側に光を取り
出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取
り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。トップエミッション型の
発光装置の断面図を図４に示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いるこ
とができる。ＦＥＴと発光デバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボト
ムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電
極１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層
間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜と同様の材料の他、他の公知の材料を用いて形成す
ることができる。

発光デバイスの陽極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂはここでは陽極で
あるが、陰極として形成しても構わない。また、図４のようなトップエミッション型の発
光装置である場合、陽極を反射電極とすることが好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実
施の形態１および実施の形態２においてＥＬ層１０３として説明したような構成とし、且
つ、白色の発光が得られるような素子構造とする。

図４のようなトップエミッションの構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着
色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うこと
ができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するようにブラックマトリクス
１０３５を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、
青色の着色層１０３４Ｂ）やブラックマトリックスはオーバーコート層によって覆われて
いても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いることとする。また、こ
こでは赤、緑、青、白の４色でフルカラー表示を行う例を示したが特に限定されず、赤、
黄、緑、青の４色や赤、緑、青の３色でフルカラー表示を行ってもよい。

トップエミッション型の発光装置では、マイクロキャビティ構造の適用が好適に行える。
マイクロキャビティ構造を有する発光デバイスは、陽極を反射電極、陰極を半透過・半反
射電極とすることにより得られる。反射電極と半透過・半反射電極との間には少なくとも
ＥＬ層を有し、少なくとも発光領域となる発光層を有している。

なお、反射電極は、可視光の反射率が４０％乃至１００％、好ましくは７０％乃至１００
％であり、かつその抵抗率が１×１０^－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・
半反射電極は、可視光の反射率が２０％乃至８０％、好ましくは４０％乃至７０％であり
、かつその抵抗率が１×１０^－２Ωｃｍ以下の膜であるとする。

ＥＬ層に含まれる発光層から射出される発光は、反射電極と半透過・半反射電極とによっ
て反射され、共振する。

当該発光デバイスは、透明導電膜や上述の複合材料、キャリア輸送材料などの厚みを変え
ることで反射電極と半透過・半反射電極の間の光学的距離を変えることができる。これに
より、反射電極と半透過・半反射電極との間において、共振する波長の光を強め、共振し
ない波長の光を減衰させることができる。

なお、反射電極によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、発光層から半透過
・半反射電極に直接入射する光（第１の入射光）と大きな干渉を起こすため、反射電極と
発光層の光学的距離を（２ｎ－１）λ／４（ただし、ｎは１以上の自然数、λは増幅した
い発光の波長）に調節することが好ましい。当該光学的距離を調節することにより、第１
の反射光と第１の入射光との位相を合わせ発光層からの発光をより増幅させることができ
る。

なお、上記構成においては、ＥＬ層に複数の発光層を有する構造であっても、単一の発光
層を有する構造であっても良く、例えば、上述のタンデム型発光デバイスの構成と組み合
わせて、一つの発光デバイスに電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ
層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成に適用してもよい。

マイクロキャビティ構造を有することで、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが
可能となるため、低消費電力化を図ることができる。なお、赤、黄、緑、青の４色の副画
素で映像を表示する発光装置の場合、黄色発光による輝度向上効果のうえ、全副画素にお
いて各色の波長に合わせたマイクロキャビティ構造を適用できるため良好な特性の発光装
置とすることができる。

本実施の形態における発光装置は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイ
スを用いているため、良好な特性を備えた発光装置を得ることができる。具体的には、実
施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは寿命の長い発光デバイスであるた
め、信頼性の良好な発光装置とすることができる。また、実施の形態１および実施の形態
２に記載の発光デバイスを用いた発光装置は発光効率が良好なため、消費電力の小さい発
光装置とすることが可能である。

ここまでは、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、以下からはパッシ
ブマトリクス型の発光装置について説明する。図５には本発明を適用して作製したパッシ
ブマトリクス型の発光装置を示す。なお、図５Ａは、発光装置を示す斜視図、図５Ｂは図
５ＡをＸ－Ｙで切断した断面図である。図５において、基板９５１上には、電極９５２と
電極９５６との間にはＥＬ層９５５が設けられている。電極９５２の端部は絶縁層９５３
で覆われている。そして、絶縁層９５３上には隔壁層９５４が設けられている。隔壁層９
５４の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなっ
ていくような傾斜を有する。つまり、隔壁層９５４の短辺方向の断面は、台形状であり、
底辺（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接する辺）の方が上辺
（絶縁層９５３の面方向と同様の方向を向き、絶縁層９５３と接しない辺）よりも短い。
このように、隔壁層９５４を設けることで、静電気等に起因した発光デバイスの不良を防
ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装置においても、実施の形態１およ
び実施の形態２に記載の発光デバイスを用いており、信頼性の良好な発光装置、又は消費
電力の小さい発光装置とすることができる。

以上、説明した発光装置は、マトリクス状に配置された多数の微小な発光デバイスをそれ
ぞれ制御することが可能であるため、画像の表現を行う表示装置として好適に利用できる
発光装置である。

また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを照明装置と
して用いる例を図６を参照しながら説明する。図６Ｂは照明装置の上面図、図６Ａは図６
Ｂにおけるｅ－ｆ断面図である。

本実施の形態における照明装置は、支持体である透光性を有する基板４００上に、第１の
電極４０１が形成されている。第１の電極４０１は実施の形態２における第１の電極１０
１に相当する。第１の電極４０１側から発光を取り出す場合、第１の電極４０１は透光性
を有する材料により形成する。

第２の電極４０４に電圧を供給するためのパッド４１２が基板４００上に形成される。

第１の電極４０１上にはＥＬ層４０３が形成されている。ＥＬ層４０３は実施の形態１お
よび実施の形態２におけるＥＬ層１０３の構成、又は発光ユニット５１１、５１２及び電
荷発生層５１３を合わせた構成などに相当する。なお、これらの構成については当該記載
を参照されたい。

ＥＬ層４０３を覆って第２の電極４０４を形成する。第２の電極４０４は実施の形態２に
おける第２の電極１０２に相当する。発光を第１の電極４０１側から取り出す場合、第２
の電極４０４は反射率の高い材料によって形成される。第２の電極４０４はパッド４１２
と接続することによって、電圧が供給される。

以上、第１の電極４０１、ＥＬ層４０３、及び第２の電極４０４を有する発光デバイスを
本実施の形態で示す照明装置は有している。当該発光デバイスは発光効率の高い発光デバ
イスであるため、本実施の形態における照明装置は消費電力の小さい照明装置とすること
ができる。

以上の構成を有する発光デバイスが形成された基板４００と、封止基板４０７とをシール
材４０５、４０６を用いて固着し、封止することによって照明装置が完成する。シール材
４０５、４０６はどちらか一方でもかまわない。また、内側のシール材４０６（図６Ｂで
は図示せず）には乾燥剤を混ぜることもでき、これにより、水分を吸着することができ、
信頼性の向上につながる。

また、パッド４１２と第１の電極４０１の一部をシール材４０５、４０６の外に伸張して
設けることによって、外部入力端子とすることができる。また、その上にコンバーターな
どを搭載したＩＣチップ４２０などを設けても良い。

以上、本実施の形態に記載の照明装置は、ＥＬ素子に実施の形態１および実施の形態２に
記載の発光デバイスを用いており、高温下における信頼性の良好な発光装置とすることが
できる。また、消費電力の小さい発光装置とすることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをその一部に
含む電子機器の例について説明する。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバ
イスは寿命が良好であり、高温下における信頼性の良好な発光デバイスである。その結果
、本実施の形態に記載の電子機器は、高温下における信頼性の良好な発光部を有する電子
機器とすることが可能である。

上記発光デバイスを適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、また
はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジ
タルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置とも
いう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機
などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を以下に示す。

図７Ａは、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置は、筐体７１０１に
表示部７１０３が組み込まれている。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１
０１を支持した構成を示している。表示部７１０３により、映像を表示することが可能で
あり、表示部７１０３は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをマト
リクス状に配列して構成されている。

テレビジョン装置の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作
機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９
により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を
操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０
から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般
のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信
ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者
と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図７Ｂ１はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボ
ード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。な
お、このコンピュータは、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスをマト
リクス状に配列して表示部７２０３に用いることにより作製される。図７Ｂ１のコンピュ
ータは、図７Ｂ２のような形態であっても良い。図７Ｂ２のコンピュータは、キーボード
７２０４、ポインティングデバイス７２０６の代わりに第２の表示部７２１０が設けられ
ている。第２の表示部７２１０はタッチパネル式となっており、第２の表示部７２１０に
表示された入力用の表示を指や専用のペンで操作することによって入力を行うことができ
る。また、第２の表示部７２１０は入力用表示だけでなく、その他の画像を表示すること
も可能である。また表示部７２０３もタッチパネルであっても良い。二つの画面がヒンジ
で接続されていることによって、収納や運搬をする際に画面を傷つける、破損するなどの
トラブルの発生も防止することができる。

図７Ｃは、携帯端末の一例を示している。携帯電話機は、筐体７４０１に組み込まれた表
示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、
マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機は、実施の形態１および実施の形態
２に記載の発光デバイスをマトリクス状に配列して作製された表示部７４０２を有してい
る。

図７Ｃに示す携帯端末は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力すること
ができる構成とすることもできる。この場合、電話を掛ける、或いはメールを作成するな
どの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表
示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示
モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を
主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合
、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが好
ましい。

また、携帯端末内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出
装置を設けることで、携帯端末の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表
示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作
ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類に
よって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画の
データであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示
部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モード
から表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４
０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。ま
た、表示部に近赤外光を発光するバックライトまたは近赤外光を発光するセンシング用光
源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

なお、本実施の形態に示す構成は、実施の形態１乃至実施の形態４に示した構成を適宜組
み合わせて用いることができる。

以上の様に実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを備えた発光装置の適
用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能であ
る。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを用いることにより高温下に
おける信頼性の高い電子機器を得ることができる。

図８Ａは、掃除ロボットの一例を示す模式図である。

掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された複
数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されてい
ないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃
除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセ
ンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット５
１００は、無線による通信手段を備えている。

掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口か
らゴミを吸引することができる。

また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具または
段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラ
シ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めることが
できる。

ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量や、吸引したゴミの量などを表示すること
ができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させても
よい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディスプ
レイ５１０１に設けてもよい。

掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信することが
できる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることがで
きる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知る
ことができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器
で確認することもできる。

本発明の一態様の発光装置はディスプレイ５１０１に用いることができる。

図８Ｂに示すロボット２１００は、演算装置２１１０、照度センサ２１０１、マイクロフ
ォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５、下部カ
メラ２１０６および障害物センサ２１０７、移動機構２１０８を備える。

マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。また
、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフォ
ン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが
可能である。

ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は、
使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレイ
２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ２１０５は取り外
しのできる情報端末であっても良く、ロボット２１００の定位置に設置することで、充電
およびデータの受け渡しを可能とする。

上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する機
能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１０
０が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２１
００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用いて
、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。本発明の一態様の発光装置は
ディスプレイ２１０５に用いることができる。

図８Ｃはゴーグル型ディスプレイの一例を表す図である。ゴーグル型ディスプレイは、例
えば、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、接続
端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離
、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線
、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロ
フォン５００８、表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有する。

本発明の一態様の発光装置は表示部５００１および表示部５００２に用いることができる
。

図９は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを、照明装置である電気
スタンドに用いた例である。図９に示す電気スタンドは、筐体２００１と、光源２００２
を有し、光源２００２としては、実施の形態３に記載の照明装置を用いても良い。

図１０は、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスを、室内の照明装置３
００１として用いた例である。実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは
高温下における信頼性の高い発光デバイスであるため、高温下における信頼性の良い照明
装置とすることができる。また、実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイス
は大面積化が可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、実施
の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは、薄型であるため、薄型化した照明
装置として用いることが可能となる。

実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デバイスは、自動車のフロントガラスやダ
ッシュボードにも搭載することができる。図１１に実施の形態１および実施の形態２に記
載の発光デバイスを自動車のフロントガラスやダッシュボードに用いる一態様を示す。表
示領域５２００乃至表示領域５２０３は実施の形態１および実施の形態２に記載の発光デ
バイスを用いて設けられた表示領域である。

表示領域５２００と表示領域５２０１は自動車のフロントガラスに設けられた実施の形態
１および実施の形態２に記載の発光デバイスを搭載した表示装置である。実施の形態１お
よび実施の形態２に記載の発光デバイスは、陽極と陰極を透光性を有する電極で作製する
ことによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態の表示装置とすることが
できる。シースルー状態の表示であれば、自動車のフロントガラスに設置したとしても、
視界の妨げになることなく設置することができる。なお、駆動のためのトランジスタなど
を設ける場合には、有機半導体材料による有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたト
ランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いると良い。

表示領域５２０２はピラー部分に設けられた実施の形態１および実施の形態２に記載の発
光デバイスを搭載した表示装置である。表示領域５２０２には、車体に設けられた撮像手
段からの映像を映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。
また、同様に、ダッシュボード部分に設けられた表示領域５２０３は車体によって遮られ
た視界を、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角
を補い、安全性を高めることができる。見えない部分を補完するように映像を映すことに
よって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。

表示領域５２０３はナビゲーション情報、速度計や回転数、走行距離、燃料計、ギア状態
、空調の設定などを表示することで、様々な情報を提供することができる。表示は使用者
の好みに合わせて適宜その表示項目やレイアウトを変更することができる。なお、これら
情報は表示領域５２００乃至表示領域５２０２にも設けることができる。また、表示領域
５２００乃至表示領域５２０３は照明装置として用いることも可能である。

また、図１２Ａ、図１２Ｂに、折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０を示す。折りたた
み可能な携帯情報端末５１５０は筐体５１５１、表示領域５１５２および屈曲部５１５３
を有している。図１２Ａに展開した状態の携帯情報端末５１５０を示す。図１２Ｂに折り
たたんだ状態の携帯情報端末を示す。携帯情報端末５１５０は、大きな表示領域５１５２
を有するにも関わらず、折りたためばコンパクトで可搬性に優れる。

表示領域５１５２は屈曲部５１５３により半分に折りたたむことができる。屈曲部５１５
３は伸縮可能な部材と複数の支持部材とで構成されており、折りたたむ場合は、伸縮可能
な部材が伸び、屈曲部５１５３は２ｍｍ以上、好ましくは３ｍｍ以上の曲率半径を有して
折りたたまれる。

なお、表示領域５１５２は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力
装置）であってもよい。本発明の一態様の発光装置を表示領域５１５２に用いることがで
きる。

また、図１３Ａ～図１３Ｃに、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図１３Ａ
に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１３Ｂに展開した状態又は折りたたん
だ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図１３Ｃに
折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたん
だ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一
覧性に優れる。

表示パネル９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持され
ている。なお、表示パネル９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネ
ル（入出力装置）であってもよい。また、表示パネル９３１１は、ヒンジ９３１３を介し
て２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態
から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を
表示パネル９３１１に用いることができる。

本実施例では、本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物である２，９－ジ（１
－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）の合成方法に
ついて詳しく説明する。２αＮ－αＮＰｈＡの構造式を以下に示す。

２００ｍＬ３口フラスコに２－クロロ－９－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン１．１ｇ（２．７ｍｍｏｌ）、１－ナフチルボロン酸０．９３ｇ（５．４ｍｍｏｌ）
、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン０．１１ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、リ
ン酸三カリウム１．９ｇ（９．０ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．６７ｇ（
９．０ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にジエチレングリコー
ルジメチルエーテル１４ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気した。この混合物に、酢
酸パラジウム（ＩＩ）３４ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１３０℃で１
２時間攪拌した。

撹拌後、この混合物に水を加え、吸引濾過して得た固体をトルエンに溶解し、セライト（
和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１－１６８５５（以下同じ））・アルミナ・
フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０－００１３５（以下同じ）
）を通して吸引濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、高速液体クロマトグラフ
ィー（ＨＰＬＣ）により精製し、さらにトルエンで再結晶したところ、目的物の淡黄色固
体を収量１．０ｇ、収率７３％で得た。本合成方法の合成スキームを以下に示す。

得られた淡黄色固体１．０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、圧力３．８Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、淡黄色固体を２２０
℃で加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を０．９２ｇ、回収率９２％で得た。

得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。
また、^１Ｈ－ＮＭＲチャートを図１４Ａ、図１４Ｂに示す。なお、図１４Ｂは、図１４Ａ
における７．０ｐｐｍ～８．２ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。この結果
から、本実施例において、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機
化合物、２αＮ－αＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．１０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，
１Ｈ）、７．２１（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．３０－７．９１（ｍ，２２Ｈ）、
８．０５－８．１０（ｍ，２Ｈ）。

次に、２αＮ－αＮＰｈＡのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定
した結果を図１５に示す。また、薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを図１６に
示す。固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。トルエン溶液の吸収スペクトル
は、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いて測定し、トルエンの
みを石英セルに入れて測定したスペクトルを差し引いて算出した。また、薄膜の吸収スペ
クトルは、分光光度計（（株）日立ハイテクノロジーズ製 分光光度計Ｕ４１００）を用
いて測定し、基板を含めた透過率と反射率から求めた吸光度（－ｌｏｇ_１０ ［％Ｔ／（
１００－％Ｒ）］より算出した。た。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（
株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。

２αＮ－αＮＰｈＡのトルエン溶液では、４０３ｎｍ、３８２ｎｍ、３６３ｎｍ、３１０
ｎｍ、２８３ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４４３ｎｍ、４２０ｎｍ付近（励起波長３
８２ｎｍ）に発光波長のピークが見られた。また、２αＮ－αＮＰｈＡの固体薄膜では、
４０９ｎｍ、３８７ｎｍ、３６７ｎｍ、２９１ｎｍ、２６６ｎｍ付近に吸収ピークが見ら
れ、５３６ｎｍ、４９８ｎｍ、４６６ｎｍ、４４０ｎｍ付近（励起波長３７０ｎｍ）に発
光波長のピークが見られた。

なお、２αＮ－αＮＰｈＡは青色に発光することを確認した。２αＮ－αＮＰｈＡは、発
光物質や可視域の蛍光発光物質のホストとしても利用可能であることがわかった。また、
２αＮ－αＮＰｈＡの薄膜は、大気下においても凝集しにくく、形態の変化が小さい良好
な膜質であることがわかった。

次に、２αＮ－αＮＰｈＡのＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をサイクリックボルタンメ
トリ（ＣＶ）測定を元に算出した。算出方法を以下に示す。
測定装置としては電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデ
ル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチ
ルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７
０５－６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ－ｎ－ブチルアンモニウム（ｎ－Ｂ
ｕ_４ＮＣｌＯ_４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／
Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶
解させて調製した。

また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補
助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ－３用Ｐｔカウンター電極（
５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ^＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７
非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、測定は室温（２０以上２５℃以下）で行
った。

また、ＣＶ測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一し、参照電極に対する酸化
電位Ｅａ［Ｖ］および還元電位Ｅｃ［Ｖ］を測定した。Ｅａは酸化－還元波の中間電位と
し、Ｅｃは還元－酸化波の中間電位とした。ここで、本実施例で用いる参照電極の真空準
位に対するポテンシャルエネルギーは、－４．９４［ｅＶ］であることが分かっているた
め、ＨＯＭＯ準位［ｅＶ］＝－４．９４－Ｅａ、ＬＵＭＯ準位［ｅＶ］＝－４．９４－Ｅ
ｃという式から、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をそれぞれ求めることができる。

この結果、２αＮ－αＮＰｈＡの酸化電位Ｅａ［Ｖ］の測定において、ＨＯＭＯ準位は－
５．８１ｅＶであることがわかった。一方、還元電位Ｅｃ［Ｖ］の測定において、ＬＵＭ
Ｏ準位は－２．７９ｅＶであることがわかった。

本実施例では、本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物である９－（１－ナフ
チル）－１０－フェニル－２－（５－フェニル－１－ナフチル）アントラセン（略称：２
ＰαＮ－αＮＰｈＡ）の合成方法について詳しく説明する。２ＰαＮ－αＮＰｈＡの構造
式を以下に示す。

２００ｍＬ３口フラスコに２－クロロ－９－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン１．３ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、２－（５－フェニル－１－ナフチル）－４，４，５，
５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン１．２ｇ（３．７ｍｍｏｌ）、ジ（１
－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン０．１３ｇ（０．３６ｍｍｏｌ）、リン酸三カ
リウム２．０ｇ（９．２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．６８ｇ（９．１ｍ
ｍｏｌ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル１５ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事
で脱気した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）３７ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）を加
え、窒素気流下、１３０℃で８時間攪拌した。撹拌後、この混合物に水を加え、析出した
固体を吸引濾過により回収した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
トルエン：ヘキサン＝１：４）で精製し、さらに高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ
）で精製して、固体を得た。得られた固体をトルエンにて再結晶したところ、目的物の白
色粉末を収量０．９５ｇ、収率５４％で得た。本合成方法の合成スキームを以下に示す。

得られた白色粉末０．９５ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、圧力３．４Ｐａ、アルゴン流量１０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、白色粉末を２７５℃で
１８時間加熱して行った。昇華精製後、淡黄色粉末を０．７２ｇ、回収率７６％で得た。

得られた淡黄色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。
また、^１Ｈ－ＮＭＲチャートを図１７Ａ、図１７Ｂに示す。なお、図１７Ｂは、図１７Ａ
における７．０ｐｐｍ～８．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。この結果
から、本実施例において、上述の構造式（１０１）で表される２ＰαＮ－αＮＰｈＡが得
られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ＝７．２３－７．８０（ｍ、２７Ｈ）
、７．８８（ｄｄ、Ｊ＝９．０Ｈｚ、０．９Ｈｚ、１Ｈ）、７．９７－８．０２（ｍ、２
Ｈ）。

次に、２ＰαＮ－αＮＰｈＡのトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測
定した結果を図１８、図１９に示す。測定は実施例１と同様に行った。

図１８より、４０３ｎｍ、３８２ｎｍ、３６３ｎｍ、３１６ｎｍ付近に吸収ピークが見ら
れ、４２１ｎｍ、４４３ｎｍ付近（励起波長３８２ｎｍ）に発光波長のピークが見られた
。また、図１９の結果より、２ＰαＮ－αＮＰｈＡの固体薄膜では、４０５ｎｍ、３８６
ｎｍ、３６７ｎｍ、３３３ｎｍ、３２１ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４３０ｎｍ、４
５３ｎｍ付近（励起波長３７０ｎｍ）に発光波長のピークが見られた。

なお、２ＰαＮ－αＮＰｈＡは青色に発光することを確認した。本発明の一態様である有
機化合物、２ＰαＮ－αＮＰｈＡは、発光物質や可視域の蛍光発光物質のホストとしても
利用可能である。また、２ＰαＮ－αＮＰｈＡの薄膜は、大気下においても凝集しにくく
、形態の変化が小さい良好な膜質であることがわかった。

続いて、２ＰαＮ－αＮＰｈＡのＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をサイクリックボルタ
ンメトリ（ＣＶ）測定を元に算出した結果を示す。算出方法は実施例１と同じである。

この結果、２ＰαＮ－αＮＰｈＡの酸化電位Ｅａ［Ｖ］の測定によって、ＨＯＭＯ準位は
－５．８６ｅＶであることがわかった。一方、還元電位Ｅｃ［Ｖ］の測定によって、ＬＵ
ＭＯ準位は－２．８０ｅＶであることがわかった。

本実施例では、実施の形態１で説明した本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合
物をホスト材料として使用した発光デバイス１について説明する。また、本発明の一態様
のホスト材料用アントラセン化合物と類似の構造を有する有機化合物をホスト材料に用い
た比較発光デバイス１および比較発光デバイス２についても同時に示した。発光デバイス
１および比較発光デバイス１、比較発光デバイス２で用いた有機化合物の構造式を以下に
示す。

（発光デバイス１の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、第１の電極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面
積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１０１が形成さ
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、
抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｉ）で表されるＮ－（１，１’－ビフェニル
－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］
－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、ＡＬＤ
－ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１Ｓ２０１７０１２４）とを、
重量比で１：０．１（＝ＰＣＢＢｉＦ：ＡＬＤ－ＭＰ００１Ｑ）となるように、１０ｎｍ
共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２－１として、ＰＣＢＢｉＦを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２－２として、上記構造式（ｉｉ）
で表されるＮ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－
ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送
層１１２を形成した。なお、第２の正孔輸送層１１２－２は電子ブロック層としても機能
する。

続いて、上記構造式（１００）で表される２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニル
アントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）と上記構造式（ｉｉｉ）で表される３，１０
－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］
ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ
（ＩＶ）－０２）とを、重量比１：０．０１５（＝２αＮ－αＮＰｈＡ：３，１０ＰＣＡ
２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｉｖ）で表される２－［３’－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）を１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖ）で表
される２，９－ジ（２－ナフチル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン
（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を１０ｎｍとなるように蒸着して電子輸送層１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで第２の電極１０２を形成して本実施例の発光デバイス１を作製した。

（比較発光デバイス１の作製方法）
比較発光デバイス１は、発光デバイス１における２αＮ－αＮＰｈＡを上記構造式（ｖｉ
）で表される２－（１－ナフチル）－９－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラセ
ン（略称：２αＮ－βＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス１と同様に作製した。

（比較発光デバイス２の作製方法）
比較発光デバイス２は、発光デバイス１における２αＮ－αＮＰｈＡを、上記構造式（ｖ
ｉｉ）で表される２，１０－ジ（１－ナフチル）－９－フェニルアントラセン（略称：３
αＮ－αＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス１と同様に作製した。

発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の素子構造を以下の表に
まとめる。

これらの発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大
気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、
封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特
性及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の輝度－電流密度特性を
図２０に、電流効率－輝度特性を図２１に、輝度－電圧特性を図２２に、電流－電圧特性
を図２３に、外部量子効率－輝度特性を図２４に、発光スペクトルを図２５に示す。また
、発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の１０００ｃｄ／ｍ^２
付近における主要な特性を表２に示す。

図２０乃至図２５及び表２より、発光デバイス１および比較発光デバイス１および比較発
光デバイス２は、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２とした場合の駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフ
を図２６に示す。本発明の一態様の発光デバイス１は、β位でナフチル基が置換している
アントラセン化合物をホスト材料として用いた比較発光デバイス１、およびアントラセン
の２位と１０位にα－ナフチル基が結合し、且つ９位にフェニル基が結合したアントラセ
ン化合物をホスト材料として用いた比較発光デバイス２よりも良好な寿命を示す発光デバ
イスであることがわかった。

本実施例では、実施の形態１で説明した本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合
物を用いた発光デバイス２について説明する。また、本発明の一態様のアントラセン化合
物と類似の構造を有する有機化合物をホスト材料として用いた比較発光デバイス３および
比較発光デバイス４についても同様に示した。発光デバイス２、比較発光デバイス３およ
び比較発光デバイス４で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス２の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、第１の電極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面
積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１０１が形成さ
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、
抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｖｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ－ビス（４－ビ
フェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称
：ＢＢＡＢｎｆ）と、ＡＬＤ－ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１
Ｓ２０１７０１２４）とを、重量比で１：０．１（＝ＢＢＡＢｎｆ：ＡＬＤ－ＭＰ００１
Ｑ）となるように、１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２－１として、ＢＢＡＢｎｆを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２－２として、上記構造式（ｉｘ）
で表される３，３’－（ナフタレン－１，４－ジイル）ビス（９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送層１１２を形
成した。なお、第２の正孔輸送層１１２－２は電子ブロック層としても機能する。

続いて、上記構造式（１００）で表される２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニル
アントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）と上記構造式（ｉｉｉ）で表される３，１０
－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］
ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ
（ＩＶ）－０２）とを、重量比１：０．０１５（＝２αＮ－αＮＰｈＡ：３，１０ＰＣＡ
２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｉｖ）で表される２－［３’－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）を１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖ）で表
される２，９－ジ（２－ナフチル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン
（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を１０ｎｍとなるように蒸着して電子輸送層１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで第２の電極１０２を形成して本実施例の発光デバイス２を作製した。

（比較発光デバイス３の作製方法）
比較発光デバイス３は、発光デバイス２における２αＮ－αＮＰｈＡを上記構造式（ｖｉ
ｉ）で表される２－（１－ナフチル）－９－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン（略称：２αＮ－βＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス２と同様に作製した。

（比較発光デバイス４の作製方法）
比較発光デバイス４は、発光デバイス２における２αＮ－αＮＰｈＡを、上記構造式（ｘ
）で表される９－（１－ナフチル）－２－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラセ
ン（略称：２βＮ－αＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス２と同様に作製した。

発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の素子構造を以下の表に
まとめる。

これらの発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大
気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、
封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特
性及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の輝度－電流密度特性を
図２７に、電流効率－輝度特性を図２８に、輝度－電圧特性を図２９に、電流－電圧特性
を図３０に、外部量子効率－輝度特性を図３１に、発光スペクトルを図３２に示す。また
、発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の１０００ｃｄ／ｍ^２
付近における主要な特性を表４に示す。

図２７乃至図３２及び表４より、本発明の一態様である発光デバイス２、比較発光デバイ
ス３および比較発光デバイス４は、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった
。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２とした場合の駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフ
を図３３に示す。本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物をホスト材料として
用いた発光デバイス２は、β位でナフチル基が結合したアントラセン化合物をホスト材料
として用いた比較発光デバイス３および比較発光デバイス４よりも良好な特性を示した。

本実施例では、実施の形態１で説明した本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合
物を用いた発光デバイス３および発光デバイス４について説明する。また、本発明の一態
様のアントラセン化合物と類似の構造を有する有機化合物をホスト材料として用いた比較
発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０についても同様に示した。発光デバイス３、発
光デバイス４、および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０で用いた有機化合物
の構造式を以下に示す。

（発光デバイス３の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、第１の電極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面
積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１０１が形成さ
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、
抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｖｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ－ビス（４－ビ
フェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称
：ＢＢＡＢｎｆ）と、ＡＬＤ－ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１
Ｓ２０１７０１２４）とを、重量比で１：０．１（＝ＢＢＡＢｎｆ：ＡＬＤ－ＭＰ００１
Ｑ）となるように、１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２－１として、ＢＢＡＢｎｆを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２－２として、上記構造式（ｉｘ）
で表される３，３’－（ナフタレン－１，４－ジイル）ビス（９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送層１１２を形
成した。なお、第２の正孔輸送層１１２－２は電子ブロック層としても機能する。

続いて、上記構造式（１００）で表される２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニル
アントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）と上記構造式（ｉｉｉ）で表される３，１０
－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］
ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ
（ＩＶ）－０２）とを、重量比１：０．０１５（＝２αＮ－αＮＰｈＡ：３，１０ＰＣＡ
２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｉｖ）で表される２－［３’－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）を１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖ）で表
される２，９－ジ（２－ナフチル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン
（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を１０ｎｍとなるように蒸着して電子輸送層１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで第２の電極１０２を形成して本実施例の発光デバイス３を作製した。

（発光デバイス４の作製方法）
発光デバイス４は、発光デバイス３における２αＮ－αＮＰｈＡを、上記構造式（１０１
）で表される９－（１－ナフチル）－１０－フェニル－２－（５－フェニル－１－ナフチ
ル）アントラセン（略称：２ＰαＮ－αＮＰｈＡ）に変えた他は発光デバイス３と同様に
作製した。

（比較発光デバイス５の作製方法）
比較発光デバイス５は、発光デバイス３における２αＮ－αＮＰｈＡを上記構造式（ｘｉ
）で表される２－（１－ナフチル）－１０－フェニル－９－（５－フェニル－１－ナフチ
ル）アントラセン（略称：２αＮ－ＰαＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス３と同様
に作製した。

（比較発光デバイス６の作製方法）
比較発光デバイス６は、発光デバイス３における２αＮ－αＮＰｈＡを、上記構造式（ｘ
ｉｉ）で表される２－（４－メチル－１－ナフチル）－９－（１－ナフチル）－１０－フ
ェニルアントラセン（略称：２ＭｅαＮ－αＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス３と
同様に作製した。

（比較発光デバイス７の作製方法）
比較発光デバイス７は、発光デバイス３における２αＮ－αＮＰｈＡを上記構造式（ｘｉ
ｉｉ）で表される９－（４－メチル－１－ナフチル）－２－（１－ナフチル）－１０－フ
ェニルアントラセン（略称：２αＮ－ＭｅαＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス３と
同様に作製した。

（比較発光デバイス８の作製方法）
比較発光デバイス８は、発光デバイス３における２αＮ－αＮＰｈＡを、上記構造式（ｘ
ｉｖ）で表される１０－（４－ビフェニル）－２，９－ジ（１－ナフチル）アントラセン
（略称：２αＮ－αＮＢＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス３と同様に作製した。

（比較発光デバイス９の作製方法）
比較発光デバイス９は、発光デバイス３における２αＮ－αＮＰｈＡを上記構造式（ｘｖ
）で表される２－（１－ナフチル）－１０－フェニル－９－（５－トリメチルシリル－１
－ナフチル）アントラセン（略称：２αＮ－ＴＭＳαＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバ
イス３と同様に作製した。

（比較発光デバイス１０の作製方法）
比較発光デバイス１０は、発光デバイス３における２αＮ－αＮＰｈＡを、上記構造式（
ｘｖｉ）で表される９－（１－ナフチル）－１０－フェニル－２－（５－トリメチルシリ
ル－１－ナフチル）アントラセン（略称：２ＴＭＳαＮ－αＮＰｈＡ）に変えた他は、発
光デバイス３と同様に作製した。

発光デバイス３、発光デバイス４および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の
素子構造を以下の表にまとめる。

これらの発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大
気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、
封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特
性及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス３、発光デバイス４および比較発光デバイス５乃至比較発光デバイス１０の
輝度－電流密度特性を図３４に、電流効率－輝度特性を図３５に、輝度－電圧特性を図３
６に、電流－電圧特性を図３７に、外部量子効率－輝度特性を図３８に、発光スペクトル
を図３９に示す。また、発光デバイス３、発光デバイス４および比較発光デバイス５乃至
比較発光デバイス１０の１０００ｃｄ／ｍ^２付近における主要な特性を表６に示す。

図３４乃至図３９及び表６より、発光デバイス３、発光デバイス４および比較発光デバイ
ス５乃至比較発光デバイス１０は、特性の良好な青色発光デバイスであることがわかった
。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２とした場合の、各発光デバイスにおけるＬＴ９７（初期
輝度の９７％に劣化するまでの時間）およびＬＴ９５（同９５％に劣化するまでの時間）
を以下の表にまとめた。

表より、本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物をホスト材料として用いた発
光デバイスは、良好な特性を示した。

発光デバイス３、比較発光デバイス６、比較発光デバイス７、比較発光デバイス９および
比較発光デバイス１０より、本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物へのアル
キル基およびアルキルシリル基の結合は、信頼性に影響を及ぼすことがわかった。特に、
アルキルシリル基の影響は大きいが、一方で、メチル基は小さい基であるにも関わらず、
比較的大きな影響を及ぼしていることがわかる。

本実施例では、実施の形態１で説明した本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合
物を用いた発光デバイス５について説明する。また、本発明の一態様のアントラセン化合
物と類似の構造を有する有機化合物をホスト材料として用いた比較発光デバイス１１およ
び比較発光デバイス１２についても同様に示した。発光デバイス５、比較発光デバイス１
１および比較発光デバイス１２で用いた有機化合物の構造式を以下に示す。

（発光デバイス５の作製方法）
まず、ガラス基板上に、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリン
グ法にて成膜し、第１の電極１０１を形成した。なお、その膜厚は７０ｎｍとし、電極面
積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

次に、基板上に発光デバイスを形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２
００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着
装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板を３０分程度
放冷した。

次に、第１の電極１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１０１が形成さ
れた基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、第１の電極１０１上に、
抵抗加熱を用いた蒸着法により上記構造式（ｖｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ－ビス（４－ビ
フェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称
：ＢＢＡＢｎｆ）と、ＡＬＤ－ＭＰ００１Ｑ（分析工房株式会社、材料シリアル番号：１
Ｓ２０１７０１２４）とを、重量比で１：０．１（＝ＢＢＡＢｎｆ：ＡＬＤ－ＭＰ００１
Ｑ）となるように、１０ｎｍ共蒸着して正孔注入層１１１を形成した。

次に、正孔注入層１１１上に、第１の正孔輸送層１１２－１として、ＢＢＡＢｎｆを２０
ｎｍとなるように蒸着した後、第２の正孔輸送層１１２－２として、上記構造式（ｉｘ）
で表される３，３’－（ナフタレン－１，４－ジイル）ビス（９－フェニル－９Ｈ－カル
バゾール）（略称：ＰＣｚＮ２）を１０ｎｍとなるように蒸着して正孔輸送層１１２を形
成した。なお、第２の正孔輸送層１１２－２は電子ブロック層としても機能する。

続いて、上記構造式（１００）で表される２，９－ジ（１－ナフチル）－１０－フェニル
アントラセン（略称：２αＮ－αＮＰｈＡ）と上記構造式（ｉｉｉ）で表される３，１０
－ビス［Ｎ－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］
ナフト［２，３－ｂ；６，７－ｂ’］ビスベンゾフラン（略称：３，１０ＰＣＡ２Ｎｂｆ
（ＩＶ）－０２）とを、重量比１：０．０１５（＝２αＮ－αＮＰｈＡ：３，１０ＰＣＡ
２Ｎｂｆ（ＩＶ）－０２）となるように２５ｎｍ共蒸着して発光層１１３を形成した。

その後、発光層１１３上に、上記構造式（ｉｖ）で表される２－［３’－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）を１５ｎｍとなるように蒸着した後、上記構造式（ｖ）で表
される２，９－ジ（２－ナフチル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン
（略称：ＮＢＰｈｅｎ）を１０ｎｍとなるように蒸着して電子輸送層１１４を形成した。

電子輸送層１１４を形成した後、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚１ｎｍとなるように蒸
着して電子注入層１１５を形成し、続いてアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように
蒸着することで第２の電極１０２を形成して本実施例の発光デバイス５を作製した。

（比較発光デバイス１１の作製方法）
比較発光デバイス１１は、発光デバイス５における２αＮ－αＮＰｈＡを上記構造式（ｘ
ｉ）で表される２－（１－ナフチル）－１０－フェニル－９－（５－フェニル－１－ナフ
チル）アントラセン（略称：２αＮ－ＰαＮＰｈＡ）に変えた他は、発光デバイス５と同
様に作製した。

（比較発光デバイス１２の作製方法）
比較発光デバイス１２は、発光デバイス５における２αＮ－αＮＰｈＡを、上記構造式（
ｘｖｉｉ）で表される２，９，１０－トリ（１－ナフチル）アントラセン（略称：αＴＮ
Ａ）に変えた他は、発光デバイス５と同様に作製した。

発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の素子構造を以下の
表にまとめる。

これらの発光デバイスを、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光デバイスが大
気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、
封止時にＵＶ処理、８０℃にて１時間熱処理）を行った後、これら発光デバイスの初期特
性及び信頼性について測定を行った。なお、測定は室温で行った。

発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の輝度－電流密度特
性を図４０に、電流効率－輝度特性を図４１に、輝度－電圧特性を図４２に、電流－電圧
特性を図４３に、外部量子効率－輝度特性を図４４に、発光スペクトルを図４５に示す。
また、発光デバイス５、比較発光デバイス１１および比較発光デバイス１２の１０００ｃ
ｄ／ｍ^２付近における主要な特性を表９に示す。

図４０乃至図４５及び表９より、本発明の一態様である発光デバイス５、比較発光デバイ
ス１１および比較発光デバイス１２は、特性の良好な青色発光デバイスであることがわか
った。

また、電流密度５０ｍＡ／ｃｍ^２とした場合の駆動時間に対する輝度の変化を表すグラフ
を図４６に示す。本発明の一態様のホスト材料用アントラセン化合物をホスト材料として
用いた発光デバイス５は、フェニル基の結合したナフチル基が９位に結合しているアント
ラセン化合物をホスト材料として用いた比較発光デバイス１１および３つのナフチル基が
結合しているアントラセン化合物をホスト材料として用いた比較発光デバイス１２よりも
良好な特性を示した。

＜参考例１＞
本参考例では、実施例で比較例として使用した有機化合物である２－（４－メチル－１－
ナフチル）－９－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２ＭｅαＮ－
αＮＰｈＡ）の合成方法について詳しく説明する。２ＭｅαＮ－αＮＰｈＡの構造式を以
下に示す。

２００ｍＬ３口フラスコに２－クロロ－９－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン１．４ｇ（３．４ｍｍｏｌ）、４－メチル－１－ナフチルボロン酸０．７７ｇ（４．
１ｍｍｏｌ）、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン０．１３ｇ（０．３６ｍ
ｍｏｌ）、リン酸三カリウム２．２ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０
．７９ｇ（１１ｍｍｏｌ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル１７ｍＬを加え、減
圧下で攪拌する事で脱気した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）４１ｍｇ（０．１
８ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１３０℃で６時間攪拌した。撹拌後、得られた混合物
に水を加え、水層をトルエンにより抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄後、有
機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を濾過し、濾液を濃縮した。この溶液を
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：９）で精製し、さらに
酢酸エチルにより再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．１ｇ、収率６４％で得
た。本参考例における合成スキームを以下に示す。

得られた白色粉末１．１ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製
は、圧力３．４Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎ、加熱温度２４０℃で１６時間行
った。昇華精製後、黄色粉末を１．０ｇ、回収率８８％で得た。

得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。こ
の結果から、２ＭｅαＮ－αＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ＝２．６４（ｓ、３Ｈ）、７．１７－
７．５２（ｍ、１２Ｈ）、７．５７－７．７０（ｍ、７Ｈ）、８．８５（ｄ、Ｊ＝８．７
Ｈｚ、２Ｈ）、７．８４（ｄｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１．５Ｈｚ、１Ｈ）、７．９６－８．
０１（ｍ、３Ｈ）。

＜参考例２＞
本参考例では、実施例で比較例として使用した有機化合物である９－（４－メチル－１－
ナフチル）－２－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－Ｍｅ
αＮＰｈＡ）の合成方法について詳しく説明する。２αＮ－ＭｅαＮＰｈＡの構造式を以
下に示す。

２００ｍＬ３口フラスコに２－クロロ－９－（４－メチル－１－ナフチル）－１０－フェ
ニルアントラセン２．４ｇ（５．６ｍｍｏｌ）、１－ナフタレンボロン酸１．７ｇ（１０
ｍｍｏｌ）、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン０．２０ｇ（０．５６ｍｍ
ｏｌ）、リン酸三カリウム３．６ｇ（１７ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール１．
２ｇ（１７ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にジエチレングリ
コールジメチルエーテル２８ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気した。この混合物に
、酢酸パラジウム（ＩＩ）６３ｍｇ（０．２８ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１３０℃
で３時間攪拌した。

撹拌後、この混合物に水を加え、吸引濾過して得た固体をトルエンに溶解し、セライト・
アルミナ・フロリジールを通して吸引濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、高
速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により精製し、さらにトルエンで再結晶したとこ
ろ、目的物の淡黄色固体を収量２．２ｇ、収率７４％で得た。本参考例における合成スキ
ームを以下に示す。

得られた淡黄色固体０．９５ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製は、圧力３．６Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎ、加熱温度２３０℃で行った
。昇華精製後、白色粉末を０．８５ｇ、回収率８９％で得た。

得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。こ
の結果から、２αＮ－ＭｅαＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝２．７６（ｓ，３Ｈ），７．１２
（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．２３（ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ）、７．２９－７
．７６（ｍ，１９Ｈ）、７．８０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，１Ｈ）、７．８６（ｄ，Ｊ＝８
．１Ｈｚ，１Ｈ）、７．９１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，Ｊ＝８．１
Ｈｚ，１Ｈ）。

＜参考例３＞
本参考例では、実施例で比較例として使用した有機化合物である２－（１－ナフチル）－
１０－フェニル－９－（５－フェニル－１－ナフチル）アントラセン（略称：２αＮ－Ｐ
αＮＰｈＡ）の合成方法について詳しく説明する。２αＮ－ＰαＮＰｈＡの構造式を以下
に示す。

５０ｍＬ３口フラスコに２－クロロ－１０－フェニル－９－（５－フェニル－１－ナフチ
ル）アントラセン０．６９ｇ（１．４ｍｍｏｌ）、１－ナフタレンボロン酸０．４８ｇ（
２．８ｍｍｏｌ）、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン５０ｍｇ（０．１４
ｍｍｏｌ）、リン酸三カリウム０．８９ｇ（４．２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコ
ール０．３１ｇ（４．２ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にジ
エチレングリコールジメチルエーテル７．０ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気した
。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）１６ｍｇ（０．０７０ｍｍｏｌ）を加え、窒素
気流下、１３０℃で４時間攪拌した。

撹拌後、この混合物に水を加え、吸引濾過して得た固体をトルエンに溶解し、セライト・
アルミナ・フロリジールを通して吸引濾過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、高
速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により精製し、さらにトルエンで再結晶したとこ
ろ、目的物の淡黄色固体を収量０．６５ｇ、収率７９％で得た。本参考例における合成ス
キームを以下に示す。

得られた淡黄色固体０．６５ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製は、圧力３．６Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎ、加熱温度２５０℃で行った
。昇華精製後、淡黄色固体を０．５６ｇ、回収率８６％で得た。

得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。
この結果から、２αＮ－ＰαＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．１０（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，
１Ｈ）、７．２５（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ）、７．３４－７．９７（ｍ，２８Ｈ）。

＜参考例４＞
本参考例では、実施例で比較例として使用した有機化合物である９－（１－ナフチル）－
１０－フェニル－２－（５－トリメチルシリル－１－ナフチル）アントラセン（略称：２
ＴＭＳαＮ－αＮＰｈＡ）の合成方法について詳しく説明する。２ＴＭＳαＮ－αＮＰｈ
Ａの構造式を以下に示す。

２００ｍＬ３口フラスコに２－クロロ－９－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン１．２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、２－（５－トリメチルシリル－１－ナフチル）－４，
４，５，５－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン１．２ｇ（３．６ｍｍｏｌ）
、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン０．１１ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、リ
ン酸三カリウム１．９ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．７１ｇ（
９．５ｍｍｏｌ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル１５ｍＬを加え、減圧下で攪
拌する事で脱気した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）３８ｍｇ（０．１８ｍｍｏ
ｌ）を加え、窒素気流下、１３０℃で４時間攪拌した。撹拌後、得られた混合物に水を加
え、水層をトルエンにより抽出した。得られた有機層を飽和食塩水で洗浄後、有機層を硫
酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を濾過し、濾液を濃縮した。この溶液をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：４）で精製し油状物を得た。得
られた油状物を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で精製し、油状物を得た。得ら
れた油状物にメタノールを加え析出した固体を回収したところ、目的物の白色粉末を収量
１．１ｇ、収率６２％で得た。本参考例における合成スキームを以下に示す。

得られた白色粉末０．７３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、圧力３．５Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎ、加熱温度２３０℃で１８時間
行った。昇華精製後、淡黄色粉末を０．６０ｇ、回収率８２％で得た。

得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。こ
の結果から、２ＴＭＳαＮ－αＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ＝０．４２（ｓ、９Ｈ）、７．１４－
７．５２（ｍ、１１Ｈ）、７．５７－７．７２（ｍ、８Ｈ）、７．７８（ｄ、Ｊ＝８．７
Ｈｚ、２Ｈ）、７．８５（ｄｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、１．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．９５－８．
０３（ｍ、３Ｈ）。

＜参考例５＞
本参考例では、実施例で比較例として使用した有機化合物である２－（１－ナフチル）－
１０－フェニル－９－（５－トリメチルシリル－１－ナフチル）アントラセン（略称：２
αＮ－ＴＭＳαＮＰｈＡ）の合成方法について詳しく説明する。２αＮ－ＴＭＳαＮＰｈ
Ａの構造式を以下に示す。

３００ｍＬナスフラスコに２－クロロ－９－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン１．２ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、ナフタレン－１－ボロン酸０．８６ｇ（５．０ｍｍｏ
ｌ）、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン９０ｍｇ（０．２５ｍｍｏｌ）、
リン酸三カリウム１．６ｇ（７．５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．５６ｇ
（７．５ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にジエチレングリコ
ールジメチルエーテル１２ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気した。この混合物に、
酢酸パラジウム（ＩＩ）２８ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１３０℃で
６時間攪拌した。

撹拌後、この混合物に水を加え、この混合物の水層をトルエンにより抽出し、抽出溶液と
有機層を合わせて、飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムにより乾燥し、こ
の混合物を自然ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体をシリカゲルカラムクロマト
グラフィー（展開溶媒 ヘキサン：トルエン＝５：１）で精製したところ、固体を得た。
得られた固体を、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により精製し、さらにヘキサ
ン／トルエンで再結晶したところ、目的物の淡黄色固体を収量１．２ｇ、収率８１％で得
た。本参考例における合成スキームを以下に示す。

得られた淡黄色固体１．２ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、圧力３．６Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎ、加熱温度２４０℃で行った。
昇華精製後、白色固体を１．１ｇ、回収率９３％で得た。

得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。
この結果から、２αＮ－ＴＭＳαＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝０．４８（ｓ，９Ｈ）、７．１２
－７．１９（ｍ，２Ｈ）、７．２６－７．４６（ｍ，８Ｈ）、７．５３－７．８７（ｍ，
１４Ｈ）、８．２３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）。

＜参考例６＞
本参考例では、実施例で比較例として使用した有機化合物である２－（１－ナフチル）－
９－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２αＮ－βＮＰｈＡ）の合
成方法について詳しく説明する。２αＮ－βＮＰｈＡの構造式を以下に示す。

２００ｍＬナスフラスコに２－クロロ－９－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン２．１ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、１－ナフチルボロン酸１．３ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、
ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン０．３６ｇ（１．０ｍｍｏｌ）、リン酸
三カリウム３．２ｇ（１５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール１．１ｇ（１５ｍｍ
ｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にジエチレングリコールジメチル
エーテル２５ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気した。この混合物に、酢酸パラジウ
ム（ＩＩ）０．１１ｇ（０．５０ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１３０℃で１０時間攪
拌した。

撹拌後、この混合物にトルエンを加え、吸引濾過し、得られたろ液を濃縮した。得られた
溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン：トルエン＝４：１）
で精製し、油状物を得た。得られた油状物を、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）
により精製し、さらに酢酸エチルとヘキサンの混合溶媒で再結晶したところ、目的物の淡
黄色固体を収量１．０ｇ、収率４０％で得た。

得られた淡黄色固体１．０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、圧力３．６Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、淡黄色固体を２３０
℃で加熱して行った。昇華精製後、白色固体を０．８４ｇ、回収率８４％で得た。

得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。こ
の結果から、２αＮ－βＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．３９－７．７８（ｍ，１９Ｈ
）、７．８６－７．９６（ｍ，３Ｈ）、８．００－８．０５（ｍ，２Ｈ）、８．１２－８
．１５（ｍ，２Ｈ）。

＜参考例７＞
本参考例では、実施例で比較例として使用した有機化合物である９－（１－ナフチル）－
２－（２－ナフチル）－１０－フェニルアントラセン（略称：２βＮ－αＮＰｈＡ）の合
成方法について詳しく説明する。２βＮ－αＮＰｈＡの構造式を以下に示す。

２００ｍＬナスフラスコに２－クロロ－９－（１－ナフチル）－１０－フェニルアントラ
セン１．４ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、２－ナフチルボロン酸１．１ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、
ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン０．１２ｇ（０．３４ｍｍｏｌ）、リン
酸三カリウム２．１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．７４ｇ（１０
ｍｍｏｌ）を加え、フラスコ内を窒素置換した。この混合物にジエチレングリコールジメ
チルエーテル１７ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気した。この混合物に、酢酸パラ
ジウム（ＩＩ）３７ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、１３０℃で５時間攪
拌した。

撹拌後、この混合物にトルエンを加え、吸引濾過し、得られたろ液を濃縮した。得られた
溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン：トルエン＝２：１）
で精製し、さらに酢酸エチル／ヘキサンで再結晶したところ、目的物の淡黄色固体を収量
１．３ｇ、収率７７％で得た。

得られた淡黄色固体１．３ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精
製は、圧力３．６Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、淡黄色固体を２１０
℃で加熱して行った。昇華精製後、淡黄色固体を１．２ｇ、回収率９３％で得た。

得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を以下に示す。
この結果から、２βＮ－αＮＰｈＡが得られたことがわかった。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ－ｄ_６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．０４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，
１Ｈ）、７．２９－７．９４（ｍ，２２Ｈ）、７．９７（ｓ，１Ｈ）、８．１５（ｄ，Ｊ
＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）、８．２３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ）。

１０１：第１の電極、１０２：第２の電極、１０３：ＥＬ層、１１１：正孔注入層、１１
２：正孔輸送層、１１２－１：第１の正孔輸送層、１１２－２：第２の正孔輸送層、１１
３：発光層、１１４：電子輸送層、１１５：電子注入層、１１６：電荷発生層、１１７：
Ｐ型層、１１８：電子リレー層、１１９：電子注入バッファ層、４００：基板、４０１：
第１の電極、４０３：ＥＬ層、４０４：第２の電極、４０５：シール材、４０６：シール
材、４０７：封止基板、４１２：パッド、４２０：ＩＣチップ、５０１：第１の電極、５
０２：第２の電極、５１１：第１の発光ユニット、５１２：第２の発光ユニット、５１３
：電荷発生層、６０１：駆動回路部（ソース線駆動回路）、６０２：画素部、６０３：駆
動回路部（ゲート線駆動回路）、６０４：封止基板、６０５：シール材、６０７：空間、
６０８：配線、６０９：ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）、６１０：素子基板
、６１１：スイッチング用ＦＥＴ、６１２：電流制御用ＦＥＴ、６１３：第１の電極、６
１４：絶縁物、６１６：ＥＬ層、６１７：第２の電極、６１８：発光デバイス、９５１：
基板、９５２：電極、９５３：絶縁層、９５４：隔壁層、９５５：ＥＬ層、９５６：電極
、１００１：基板、１００２：下地絶縁膜、１００３：ゲート絶縁膜、１００６：ゲート
電極、１００７：ゲート電極、１００８：ゲート電極、１０２０：第１の層間絶縁膜、１
０２１：第２の層間絶縁膜、１０２２：電極、１０２４Ｗ：陽極、１０２４Ｒ：陽極、１
０２４Ｇ：陽極、１０２４Ｂ：陽極、１０２５：隔壁、１０２８：ＥＬ層、１０２９：第
２の電極、１０３１：封止基板、１０３２：シール材、１０３３：透明な基材、１０３４
Ｒ：赤色の着色層、１０３４Ｇ：緑色の着色層、１０３４Ｂ：青色の着色層、１０３５：
ブラックマトリクス、１０３７：第３の層間絶縁膜、１０４０：画素部、１０４１：駆動
回路部、１０４２：周辺部、２００１：筐体、２００２：光源、２１００：ロボット、２
１１０：演算装置、２１０１：照度センサ、２１０２：マイクロフォン、２１０３：上部
カメラ、２１０４：スピーカ、２１０５：ディスプレイ、２１０６：下部カメラ、２１０
７：障害物センサ、２１０８：移動機構、３００１：照明装置、５０００：筐体、５００
１：表示部、５００２：表示部、５００３：スピーカ、５００４：ＬＥＤランプ、５００
６：接続端子、５００７：センサ、５００８：マイクロフォン、５０１２：支持部、５０
１３：イヤホン、５１００：掃除ロボット、５１０１：ディスプレイ、５１０２：カメラ
、５１０３：ブラシ、５１０４：操作ボタン、５１５０：携帯情報端末、５１５１：筐体
、５１５２：表示領域、５１５３：屈曲部、５１２０：ゴミ、５２００：表示領域、５２
０１：表示領域、５２０２：表示領域、５２０３：表示領域、７１０１：筐体、７１０３
：表示部、７１０５：スタンド、７１０７：表示部、７１０９：操作キー、７１１０：リ
モコン操作機、７２０１：本体、７２０２：筐体、７２０３：表示部、７２０４：キーボ
ード、７２０５：外部接続ポート、７２０６：ポインティングデバイス、７２１０：第２
の表示部、７４０１：筐体、７４０２：表示部、７４０３：操作ボタン、７４０４：外部
接続ポート、７４０５：スピーカ、７４０６：マイク、９３１０：携帯情報端末、９３１
１：表示パネル、９３１３：ヒンジ、９３１５：筐体

Claims (6)

1. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、ホスト材料として下記式（Ｇ１）で表されるアントラセン化合物を有する発光デバイス。
   （式（Ｇ１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^７はそれぞれ独立に、水素、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９，９´―スピロビフルオレニル基、９，９－ジフェニルフルオレニル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、フルオランテニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、及びクアテルフェニル基のいずれかを表す。）
2. 請求項１において、
   Ｒ^１乃至Ｒ^７のうち、いずれか一が、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９，９´―スピロビフルオレニル基、９，９－ジフェニルフルオレニル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、フルオランテニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、及びクアテルフェニル基のいずれかであり、残りが水素であるアントラセン化合物である発光デバイス。
3. 請求項１において、
   Ｒ^１乃至Ｒ^７のうち、いずれか一が、フェニル基であり、残りが水素であるアントラセン化合物である発光デバイス。
4. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、ホスト材料として下記式（Ｇ２）で表されるアントラセン化合物を有する発光デバイス。
   （式（Ｇ２）において、Ｒ^４は、水素、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、９，９´―スピロビフルオレニル基、９，９－ジフェニルフルオレニル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、フルオランテニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、及びクアテルフェニル基のいずれかを表す。）
5. 請求項４において、
   Ｒ^４は、水素またはフェニル基であるアントラセン化合物である発光デバイス。
6. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、ホスト材料として下記式（１００）または式（１０１）で表されるアントラセン化合物を有する発光デバイス。