Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7797574B2 - Light-emitting device, manufacturing method thereof, and image-forming device - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7797574B2 - Light-emitting device, manufacturing method thereof, and image-forming device - Google Patents

Light-emitting device, manufacturing method thereof, and image-forming device

Info

Publication number
JP7797574B2
JP7797574B2 JP2024093862A JP2024093862A JP7797574B2 JP 7797574 B2 JP7797574 B2 JP 7797574B2 JP 2024093862 A JP2024093862 A JP 2024093862A JP 2024093862 A JP2024093862 A JP 2024093862A JP 7797574 B2 JP7797574 B2 JP 7797574B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
moisture
element array
emitting element
resistant ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2024093862A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2025036099A (en
Inventor
精二 真下
彰 沖田
聖志 三浦
悠行 望月
英輔 権守
達也 領木
瑞樹 永▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to US18/813,282 priority Critical patent/US20250081806A1/en
Priority to CN202411201136.9A priority patent/CN119546095A/en
Priority to KR1020240116550A priority patent/KR20250033069A/en
Priority to EP24197456.7A priority patent/EP4518626A3/en
Publication of JP2025036099A publication Critical patent/JP2025036099A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7797574B2 publication Critical patent/JP7797574B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、発光装置およびその製造方法、ならびに画像形成装置に関する。 The present invention relates to a light-emitting device, a manufacturing method thereof, and an image forming device.

ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数の機能層が蒸着マスクを使った蒸着工程において形成される発光装置がある。蒸着マスクは、複数の開口を有し、蒸着工程では、複数の開口を通して機能層の材料が基板に蒸着されうる。一方、複数の機能層を有する発光素子に対する水分の浸入を防止するために、発光装置には耐湿リングが設けられうる。特許文献1には、矩形状のガードリングを有する発光装置が記載されている。 There are light-emitting devices in which multiple functional layers, such as a hole injection layer, hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer, and electron injection layer, are formed in a vapor deposition process using a vapor deposition mask. The vapor deposition mask has multiple openings, and in the vapor deposition process, materials for the functional layers can be vapor-deposited onto a substrate through the multiple openings. Meanwhile, a moisture-resistant ring can be provided in the light-emitting device to prevent moisture from penetrating into a light-emitting element having multiple functional layers. Patent Document 1 describes a light-emitting device with a rectangular guard ring.

特開2018-29070号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-29070

蒸着マスクは、蒸着マスクのパターン部と材料基板との間の間隙を一定に維持するためにリブ等と呼ばれる突出部を有しうる。蒸着工程では、突出部が材料基板の接触許容領域(突出部を接触させることが許容されている領域)に接触するように蒸着マスクが配置されうる。接触許容領域が耐湿リングの外側に配置されている場合、材料基板上において隣り合う発光装置は、接触許容領域を隔てて配置されることになるので、1枚の基板から得ることができる発光装置の個数が制限される。これは、発光装置の製造コストの増加をもたらしうる。 The deposition mask may have protrusions called ribs or the like to maintain a constant gap between the pattern portion of the deposition mask and the material substrate. During the deposition process, the deposition mask may be positioned so that the protrusions come into contact with the contact-permitted area of the material substrate (the area where contact with the protrusions is permitted). If the contact-permitted area is located outside the moisture-resistant ring, adjacent light-emitting devices on the material substrate will be separated by the contact-permitted area, which limits the number of light-emitting devices that can be obtained from a single substrate. This can increase the manufacturing costs of the light-emitting devices.

本発明は、耐湿リング構造を有する発光装置の製造コストを低減するために有利な技術を提供することを目的とする。 The present invention aims to provide an advantageous technology for reducing the manufacturing costs of light-emitting devices with moisture-resistant ring structures.

本発明の1つの側面は、第1方向に平行な第1辺および第2辺および前記第1方向に直交する第2方向に平行な第3辺および第4辺を有する板を有する発光装置に係り、前記発光装置は、前記板に配置された複数の発光素子を有する発光素子アレイと、前記第1辺と前記発光素子アレイとの間に位置するように前記板に配置されたパッドと、前記発光素子アレイおよび前記パッドに対する水分の浸入を抑えるように前記板に配置された耐湿リング構造と、を備え、前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイと前記第1辺との間に配置された耐湿壁を含み、前記第2方向における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との最短距離が、前記第2方向に平行かつ前記発光素子アレイおよび前記パッドを通る仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との距離より小さい。 One aspect of the present invention relates to a light-emitting device having a substrate having first and second sides parallel to a first direction and third and fourth sides parallel to a second direction perpendicular to the first direction, the light-emitting device comprising: a light-emitting element array having a plurality of light-emitting elements arranged on the substrate ; a pad arranged on the substrate so as to be positioned between the first side and the light-emitting element array; and a moisture-resistant ring structure arranged on the substrate so as to prevent moisture from penetrating into the light-emitting element array and the pad, the moisture-resistant ring structure including a moisture-resistant wall arranged between the light-emitting element array and the first side, and the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall in the second direction is smaller than the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on an imaginary line parallel to the second direction and passing through the light-emitting element array and the pad.

本発明によれば、耐湿リング構造を有する発光装置の製造コストを低減するために有利な技術が提供される。 The present invention provides an advantageous technology for reducing the manufacturing costs of light-emitting devices with moisture-resistant ring structures.

材料基板に配置された製造途中の複数の発光装置を模式的に示す平面図。FIG. 1 is a plan view schematically showing a plurality of light emitting devices in the process of being manufactured, arranged on a material substrate. 蒸着マスクを例示する平面図。FIG. 1 is a plan view illustrating an example of a deposition mask. 図2の蒸着マスクの一部を拡大した平面図。FIG. 3 is an enlarged plan view of a portion of the deposition mask of FIG. 2 . 互いに重ねて配置された材料基板および蒸着マスクを模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a material substrate and a deposition mask arranged on top of each other. 他の蒸着マスクを例示する平面図。FIG. 10 is a plan view illustrating another deposition mask. 第1実施形態の発光装置の構成を模式的に示す平面図。FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a light emitting device according to a first embodiment. 図6のB-B’断面を模式的に示す断面図。FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the B-B' cross section of FIG. 6; 図6のC-C’断面を模式的に示す断面図。A cross-sectional view schematically showing the C-C' cross section of Figure 6. 比較例の発光装置の構成を模式的に示す平面図。FIG. 10 is a plan view schematically showing the configuration of a light emitting device of a comparative example. 第2実施形態の発光装置の構成を模式的に示す平面図。FIG. 10 is a plan view schematically showing the configuration of a light emitting device according to a second embodiment. 第3実施形態の発光装置の構成を模式的に示す平面図。FIG. 10 is a plan view schematically showing the configuration of a light emitting device according to a third embodiment. 一実施形態の画像形成装置の構成を模式的に示す図。FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an image forming apparatus according to an embodiment. 複数の発光装置の配列の例示する図。FIG. 10 is a diagram illustrating an example of an arrangement of a plurality of light emitting devices. 第1乃至第3実施形態の発光装置の変形例を説明するための図。10A to 10C are diagrams for explaining modified examples of the light emitting devices according to the first to third embodiments. 図6のD-D’断面を模式的に示す断面図。A cross-sectional view schematically showing the D-D' cross section of Figure 6. 第4実施形態の発光装置の基板配置及び蒸着マスクの配置。10 shows the arrangement of substrates and deposition masks in the light-emitting device of the fourth embodiment. 第4実施形態の発光装置の一例の断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view of an example of a light emitting device according to a fourth embodiment. 第4実施形態の発光装置の一例の平面図。FIG. 10 is a plan view of an example of a light emitting device according to a fourth embodiment. 図18のE-E’平面における一例の断面図。19 is a cross-sectional view of an example taken along the E-E' plane in FIG. 18. 第5実施形態の発光装置の一例の平面図。FIG. 13 is a plan view of an example of a light emitting device according to a fifth embodiment. 第6施形態の発光装置の一例の平面図。FIG. 13 is a plan view of an example of a light emitting device according to a sixth embodiment. 図21のF-F’平面における一例の断面図。A cross-sectional view of an example taken along the F-F' plane in Figure 21.

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 The following describes the embodiments in detail with reference to the attached drawings. Note that the following embodiments do not limit the scope of the claimed invention. While the embodiments describe multiple features, not all of these features are necessarily essential to the invention, and multiple features may be combined in any desired manner. Furthermore, in the attached drawings, the same reference numbers are used to designate identical or similar components, and redundant explanations will be omitted.

以下、第1実施形態の発光装置2の構造およびその製造方法を例示的に説明する。ここで説明される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、限定することを明示しない限り、開示範囲を限定するものではない。発光装置2は、シリコンウエハ等の材料基板を加工することによって製造されうる。なお、本明細書では、説明の煩雑化を防止するために、製造途中の発光装置についても、発光装置として説明することがある。また、本明細書および図面では、XYZ座標系に従って方向が説明される。ここで、XYZ座標系は、材料基板または発光装置の主面がXY平面に平行になるように定義される。以下では、説明の便宜のため、X方向を第1方向、Y方向を第1方向に直交する第2方向として説明されるが、例えば、Y方向を第1方向、X方向を第2方向としてもよい。以下の説明において、平面図は、平面視と同義であり、また、XY平面への正射影とも同義である。 The structure of the light-emitting device 2 of the first embodiment and a method for manufacturing it are described below as examples. The numerical values, shapes, materials, components, component arrangements, and connection configurations described herein do not limit the scope of the disclosure unless explicitly stated otherwise. The light-emitting device 2 can be manufactured by processing a material substrate such as a silicon wafer. To avoid complication, this specification may also refer to a light-emitting device in the process of being manufactured. Furthermore, directions are described in this specification and drawings according to the XYZ coordinate system. Here, the XYZ coordinate system is defined so that the principal surface of the material substrate or light-emitting device is parallel to the XY plane. For ease of explanation, the X direction is described as the first direction and the Y direction as the second direction perpendicular to the first direction. However, for example, the Y direction may be described as the first direction and the X direction as the second direction. In the following description, a plan view is synonymous with a planar view and also with an orthogonal projection onto the XY plane.

図1には、シリコンウエハ等の材料基板1に配置された製造途中の複数の発光装置2が模式的に示されている。各発光装置2には、発光素子アレイ3が設けられ、または、発光素子アレイ3が定義される。発光素子アレイ3が定義されるとは、発光素子アレイ3が形成されることが予定された領域が定義されているが、発光素子アレイ3がまだ完成していないことを意味する。完成した発光素子アレイ3は、複数の発光素子を有する。発光素子アレイ3あるいは複数の発光素子は、個別に制御されうる複数の第1電極と、複数の第1電極の上に配置される有機膜と、有機膜の上に配置される第2電極とを含みうる。一例において、有機膜および第2電極は、複数の発光素子において共有されうる。有機膜は、複数の機能層で構成されうる。複数の機能層の各々は、有機材料で構成されうる。他の観点において、複数の発光素子の各々は、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を含みうる。 Figure 1 schematically shows multiple light-emitting devices 2 in the process of being manufactured, arranged on a material substrate 1 such as a silicon wafer. Each light-emitting device 2 is provided with a light-emitting element array 3, or a light-emitting element array 3 is defined. A defined light-emitting element array 3 means that the area where the light-emitting element array 3 is planned to be formed has been defined, but the light-emitting element array 3 is not yet complete. A completed light-emitting element array 3 has multiple light-emitting elements. The light-emitting element array 3 or the multiple light-emitting elements may include multiple first electrodes that can be individually controlled, an organic film disposed on the multiple first electrodes, and a second electrode disposed on the organic film. In one example, the organic film and the second electrode may be shared by multiple light-emitting elements. The organic film may be composed of multiple functional layers. Each of the multiple functional layers may be composed of an organic material. In another aspect, each of the multiple light-emitting elements may include a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.

図2には、複数の発光装置2を製造するための蒸着マスク4が模式的に示されている。図2中の点線で示された図形あるいは円は、材料基板1が配置される領域を示している。図3は、図2の一部の拡大図である。ここで、図2および図3に示された蒸着マスク4は、各発光装置2の発光素子アレイ3に複数の有機膜を蒸着によって形成するために使用されうる。図4には、互いに重ねて配置された材料基板1および蒸着マスク4が模式的に示されている。図4は、図2のA-A’断面に相当する。蒸着マスク4は、複数の発光装置2にそれぞれ対応する複数の矩形領域RRを有するパターン部PPと、複数の突出部6とを有し、各矩形基板領域RRは、有機膜を形成するための1つの開口5を有しうる。なお、各矩形基板領域RRは、複数の開口5を有してもよい。蒸着工程では、材料ガスの供給源から放出される材料ガスが各開口5を通過して材料基板1に提供されうる。 Figure 2 schematically shows a vapor deposition mask 4 for manufacturing multiple light-emitting devices 2. The dotted lines or circles in Figure 2 indicate the areas where the material substrate 1 is disposed. Figure 3 is an enlarged view of a portion of Figure 2. The vapor deposition mask 4 shown in Figures 2 and 3 can be used to form multiple organic films by vapor deposition on the light-emitting element array 3 of each light-emitting device 2. Figure 4 schematically shows the material substrate 1 and vapor deposition mask 4 stacked on top of each other. Figure 4 corresponds to the A-A' cross section of Figure 2. The vapor deposition mask 4 has a pattern portion PP with multiple rectangular regions RR corresponding to the multiple light-emitting devices 2, and multiple protrusions 6. Each rectangular substrate region RR can have one opening 5 for forming an organic film. Each rectangular substrate region RR may also have multiple openings 5. During the vapor deposition process, material gas emitted from a material gas supply source can pass through each opening 5 and be supplied to the material substrate 1.

材料基板1、あるいは、製造途中の複数の発光装置2は、蒸着マスク4の突出部6を接触させることが許容された領域である接触許容領域10を有する。接触許容領域10は、典型的には、材料基板1の上に積層された層の上面の一部の領域でありうるが、ここでは、簡単化のために、そのような領域も材料基板1の接触許容領域10として表現する。製造途中の各発光装置2は、少なくとも1つの接触許容領域10、好ましくは、少なくとも2つの接触許容領域10を有しうる。 The material substrate 1, or multiple light-emitting devices 2 in the process of being manufactured, has a contact-permitting region 10, which is an area that is permitted to come into contact with the protrusion 6 of the deposition mask 4. The contact-permitting region 10 may typically be a part of the upper surface of a layer stacked on the material substrate 1, but for simplicity, such an area will also be expressed here as the contact-permitting region 10 of the material substrate 1. Each light-emitting device 2 in the process of being manufactured may have at least one contact-permitting region 10, and preferably at least two contact-permitting regions 10.

蒸着マスク4は、突出部6が対応する接触許容領域10に接触する以外は、材料基板1(および材料基板1に積層された層)に接触しない。蒸着マスク4の突出部6を材料基板1の接触許容領域10に接触させることにより材料基板1と蒸着マスク4のパターン部PPとの間隙が規定される。このような方式は、材料基板1と蒸着マスク4のパターン部PPとの間に正確な間隙を維持しながら材料基板1とパターン部PPとを近接して配置するために有利である。これは不要な領域への蒸着を抑制するために、更には個々の発光装置2を小型化するために有用である。接触許容領域10には、発光装置2の製造工程において蒸着マスク4の一部である突出部6が接触した痕跡が形成されうる。そのような痕跡は、例えば、傷でありうる。 The deposition mask 4 does not contact the material substrate 1 (and the layers laminated on the material substrate 1) except when the protrusions 6 contact the corresponding contact-permitting regions 10. The gap between the material substrate 1 and the pattern portion PP of the deposition mask 4 is defined by contacting the protrusions 6 of the deposition mask 4 with the contact-permitting regions 10 of the material substrate 1. This method is advantageous for arranging the material substrate 1 and the pattern portion PP of the deposition mask 4 in close proximity while maintaining an accurate gap between them. This is useful for suppressing deposition in unnecessary regions and for miniaturizing individual light-emitting devices 2. Traces of contact by the protrusions 6, which are part of the deposition mask 4, may be left on the contact-permitting regions 10 during the manufacturing process of the light-emitting device 2. Such traces may be scratches, for example.

蒸着マスク4を材料基板1に固定するためにマグネットが使用されうる。この場合、蒸着マスク4は、インバーなどの磁性体で形成されうる。あるいは、蒸着マスク4を材料基板1に固定するために、蒸着マスク4を材料基板1に押し付ける加圧機構などが使用されてもよい。 A magnet can be used to secure the deposition mask 4 to the material substrate 1. In this case, the deposition mask 4 can be made of a magnetic material such as invar. Alternatively, a pressure mechanism that presses the deposition mask 4 against the material substrate 1 can be used to secure the deposition mask 4 to the material substrate 1.

図2および図3に示された蒸着マスク4を使って発光素子アレイ3に有機膜(複数の機能層)が形成された後に、図5に模式的に示された蒸着マスク4を使用して第2電極が形成されうる。図5中の点線で示された図形あるいは円は、材料基板1が配置される領域を示している。蒸着マスク4は、複数の発光装置2にそれぞれ対応する複数の矩形基板領域RRを有するパターン部PPと、複数の突出部6とを有し、各矩形基板領域RRは、第2電極を形成するための1つの開口5を有しうる。複数の第2電極の形成の後、材料基板1の複数の第2電極を覆うように材料基板1の全域に保護膜が形成されうる。これにより、有機膜(複数の機能層)への水分の浸入が抑制されうる。 After an organic film (multiple functional layers) is formed on the light-emitting element array 3 using the vapor deposition mask 4 shown in Figures 2 and 3, a second electrode can be formed using the vapor deposition mask 4 schematically shown in Figure 5. The dotted lines or circles in Figure 5 indicate the area where the material substrate 1 is located. The vapor deposition mask 4 has a pattern portion PP with multiple rectangular substrate regions RR corresponding to the multiple light-emitting devices 2, and multiple protrusions 6, and each rectangular substrate region RR can have one opening 5 for forming a second electrode. After the multiple second electrodes are formed, a protective film can be formed over the entire material substrate 1 to cover the multiple second electrodes on the material substrate 1. This can prevent moisture from penetrating the organic film (multiple functional layers).

図6には、1つの発光装置2の構成が模式的に示されている。発光装置2は、X方向(第1方向)に平行な第1辺S1および第2辺S2、および、X方向(第1方向)に直交するY方向(第2方向)に平行な第3辺S3および第4辺S4を有する矩形基板RSを有する。矩形基板RSは、材料基板1の一部分、より詳しくは、材料基板1からダイシングによってチップ化された部分である。発光装置2はまた、矩形基板RSに配置された複数の発光素子で構成される発光素子アレイ3と、第1辺S1と発光素子アレイ3との間に位置するように矩形基板RSに配置された1又は複数のパッド8とを備えうる。発光装置2はまた、発光素子アレイ3および全てのパッド8に対する水分の浸入を抑えるように矩形基板RSに配置された耐湿リング構造70を備えうる。パッドは外部回路に接続されてよい。 Figure 6 shows a schematic diagram of one light-emitting device 2. The light-emitting device 2 has a rectangular substrate RS with a first side S1 and a second side S2 parallel to the X direction (first direction) and a third side S3 and a fourth side S4 parallel to the Y direction (second direction) perpendicular to the X direction (first direction). The rectangular substrate RS is a portion of the material substrate 1, more specifically, a portion that has been diced into chips from the material substrate 1. The light-emitting device 2 may also include a light-emitting element array 3 composed of multiple light-emitting elements arranged on the rectangular substrate RS, and one or more pads 8 arranged on the rectangular substrate RS so as to be located between the first side S1 and the light-emitting element array 3. The light-emitting device 2 may also include a moisture-resistant ring structure 70 arranged on the rectangular substrate RS to prevent moisture from penetrating into the light-emitting element array 3 and all pads 8. The pads may be connected to an external circuit.

耐湿リング構造70は、発光素子アレイ3と第1辺S1との間に配置された耐湿壁71を含みうる。図6において、耐湿リング構造70における耐湿壁71は、グレーの太線で示されている。Y方向(第2方向)における発光素子アレイ3と耐湿壁71との最短距離は、距離d1である。Y方向(第2方向)に平行かつ発光素子アレイ3およびパッド8を通る仮想直線VSL上における発光素子アレイ3と耐湿壁71との距離は、距離d2である。第1実施形態では、距離d1は、距離d2より小さい。これは、材料基板1においてY方向において隣り合う発光装置2の間の距離(間隔)を小さくし、これにより材料基板1に形成可能な発光装置2の個数を増大させ、発光装置2の製造コストを低下させるために有利である。 The moisture-resistant ring structure 70 may include a moisture-resistant wall 71 disposed between the light-emitting element array 3 and the first edge S1. In FIG. 6 , the moisture-resistant wall 71 in the moisture-resistant ring structure 70 is indicated by a bold gray line. The shortest distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant wall 71 in the Y direction (second direction) is distance d1. The distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant wall 71 on an imaginary line VSL parallel to the Y direction (second direction) and passing through the light-emitting element array 3 and the pad 8 is distance d2. In the first embodiment, distance d1 is smaller than distance d2. This is advantageous for reducing the distance (spacing) between adjacent light-emitting devices 2 in the Y direction on the material substrate 1, thereby increasing the number of light-emitting devices 2 that can be formed on the material substrate 1 and reducing the manufacturing costs of the light-emitting devices 2.

耐湿リング構造70は、発光素子アレイ3およびパッド8を取り囲むように配置された第1耐湿リング7を含みうる。耐湿壁71は、第1耐湿リング7の一部でありうる。第1耐湿リング7は、発光素子アレイ3を全周にわたって取り囲むように配置されうる。 The moisture-resistant ring structure 70 may include a first moisture-resistant ring 7 arranged to surround the light-emitting element array 3 and the pad 8. The moisture-resistant wall 71 may be part of the first moisture-resistant ring 7. The first moisture-resistant ring 7 may be arranged to surround the entire periphery of the light-emitting element array 3.

発光装置2は、発光素子アレイ3の複数の発光素子を駆動するための信号または電位を受けるように矩形基板RSに配置された複数のコンタクト領域9を更に備えうる。複数のコンタクト領域9は、複数の発光素子の第2電極と電気的に接続されうる。耐湿リング構造70は、発光素子アレイ3および複数のパッド8の他、複数のコンタクト領域9に対する水分の浸入を抑えるように矩形基板RSに配置されうる。より具体的には、耐湿リング構造70の第1耐湿リング7は、発光素子アレイ3、複数のパッド8および複数のコンタクト領域9を取り囲むように矩形基板RSに配置されうる。第1耐湿リング7は、好ましくは、発光素子アレイ3、複数のパッド8および複数のコンタクト領域9を全周にたって取り囲むように矩形基板RSに配置されうる。 The light-emitting device 2 may further include a plurality of contact regions 9 arranged on the rectangular substrate RS to receive signals or potentials for driving the plurality of light-emitting elements of the light-emitting element array 3. The plurality of contact regions 9 may be electrically connected to second electrodes of the plurality of light-emitting elements. The moisture-resistant ring structure 70 may be arranged on the rectangular substrate RS to prevent moisture from penetrating into the light-emitting element array 3, the plurality of pads 8, and the plurality of contact regions 9. More specifically, the first moisture-resistant ring 7 of the moisture-resistant ring structure 70 may be arranged on the rectangular substrate RS to surround the light-emitting element array 3, the plurality of pads 8, and the plurality of contact regions 9. The first moisture-resistant ring 7 may preferably be arranged on the rectangular substrate RS to surround the entire periphery of the light-emitting element array 3, the plurality of pads 8, and the plurality of contact regions 9.

発光素子アレイ3に外接する最小矩形(仮想的な最小矩形)は、X方向(第1方向)の寸法がY方向(第2方向)の寸法より大きいことが好ましい。例えば、発光素子アレイ3に外接する最小矩形(仮想的な最小矩形)は、X方向(第1方向)の寸法がY方向(第2方向)の寸法の2倍以上、3倍以上、または、5倍以上でありうる。 It is preferable that the dimension in the X direction (first direction) of the smallest rectangle (virtual minimum rectangle) circumscribing the light-emitting element array 3 is greater than the dimension in the Y direction (second direction). For example, the dimension in the X direction (first direction) of the smallest rectangle (virtual minimum rectangle) circumscribing the light-emitting element array 3 can be two or more times, three or more times, or five or more times the dimension in the Y direction (second direction).

複数のコンタクト領域9は、第1コンタクト領域9a、第2コンタクト領域9bおよび第3コンタクト領域9cを含みうる。第1コンタクト領域9aは、発光素子アレイ3と第1辺S1との間に配置され、第2コンタクト領域9bは、発光素子アレイ3と第3辺S3との間に配置され、第3コンタクト領域9cは、発光素子アレイ3と第4辺S4との間に配置される。なお、図6では、複数のコンタクト領域9を相互に区別するために、符号9a、9b、9cが符号9とともに付されている。また、図6では、複数のパッド8を相互に区別するために、符号8a、8b、8c、8dが符号8とともに付されている。一例において、耐湿壁71のうち最短距離d1を規定する部分は、仮想直線VSL上の第1パッド8bと第1コンタクト領域9aとの間に配置されうる。複数のパッド8は、仮想直線VSL上の第1パッド8bの他に、第1辺S1と発光素子アレイ3との間に位置するように矩形基板RSに配置された第2パッド8cを含みうる。耐湿壁71のうち最短距離d1を規定する部分は、第1パッド8bと第2パッド8cとの間に配置されうる。 The multiple contact regions 9 may include a first contact region 9a, a second contact region 9b, and a third contact region 9c. The first contact region 9a is disposed between the light-emitting element array 3 and the first side S1, the second contact region 9b is disposed between the light-emitting element array 3 and the third side S3, and the third contact region 9c is disposed between the light-emitting element array 3 and the fourth side S4. In FIG. 6, the multiple contact regions 9 are labeled 9a, 9b, and 9c to distinguish them from one another. In FIG. 6, the multiple pads 8 are labeled 8a, 8b, 8c, and 8d to distinguish them from one another. In one example, the portion of the moisture-resistant wall 71 that defines the shortest distance d1 may be disposed between the first pad 8b and the first contact region 9a on the imaginary line VSL. The multiple pads 8 may include a first pad 8b on the virtual straight line VSL as well as a second pad 8c arranged on the rectangular substrate RS so as to be located between the first side S1 and the light-emitting element array 3. The portion of the moisture-resistant wall 71 that defines the shortest distance d1 may be located between the first pad 8b and the second pad 8c.

図7には、図6のB-B’断面が模式的に示されている。ただし、図7において、発光素子アレイ3を構成する発光素子19の第1電極13よりも下に配置された構成要素は省略されている。発光素子19は、第1電極13と、第1電極13の上に配置された有機膜14と、有機膜14の上に配置された第2電極15とを含みうる。有機膜14は、複数の機能層を含みうる。第1電極13は、各発光素子19に設けられる独立電極であり、第2電極15は、複数の発光素子19に対して共通に設けられる共通電極でありうる。 Figure 7 schematically shows the B-B' cross section of Figure 6. However, in Figure 7, components arranged below the first electrode 13 of the light-emitting element 19 that constitutes the light-emitting element array 3 are omitted. The light-emitting element 19 may include the first electrode 13, an organic film 14 arranged on the first electrode 13, and a second electrode 15 arranged on the organic film 14. The organic film 14 may include multiple functional layers. The first electrode 13 may be an independent electrode provided for each light-emitting element 19, and the second electrode 15 may be a common electrode provided in common to multiple light-emitting elements 19.

発光素子19で発生した光は、第2電極15を通過して発光装置2から放射されるので、第2電極15は、透明または半透明の層で構成される。第2電極15は、例えば、金属材料の薄膜で構成されるため、比較的高い配線抵抗を有しうる。発光素子アレイ3がX方向に長い形状を有し、コンタクト領域9が発光素子アレイ3の長手方向にのみ配置されている場合、第2電極15における電圧降下により、コンタクト領域9から離れるに従い輝度が変化するシェーディングが発生する。その対策のため、図6にコンタクト領域9aとして例示されるように、発光素子アレイ3の長手方向の長さに応じた個数のコンタクト領域9が長手方向における適所に配置されうる。 Light generated by the light-emitting elements 19 passes through the second electrode 15 before being emitted from the light-emitting device 2, so the second electrode 15 is composed of a transparent or translucent layer. The second electrode 15 is composed of, for example, a thin film of a metal material, and therefore can have a relatively high wiring resistance. If the light-emitting element array 3 is elongated in the X direction and the contact regions 9 are arranged only in the longitudinal direction of the light-emitting element array 3, a voltage drop in the second electrode 15 will cause shading, in which the brightness changes with increasing distance from the contact region 9. To address this issue, as exemplified by contact region 9a in Figure 6, a number of contact regions 9 corresponding to the longitudinal length of the light-emitting element array 3 can be arranged at appropriate locations in the longitudinal direction.

図8には、図6のC-C‘の断面が模式的に示されている。第1耐湿リング7は、例えば、コンタクトプラグと金属配線との積層により構成されうる。第1耐湿リング7の表面は保護膜16で覆われ、第1耐湿リング7の外側から内側の領域(発光素子アレイ3を含む)への水分の浸入が抑制される。 Figure 8 shows a schematic cross section taken along line C-C' in Figure 6. The first moisture-resistant ring 7 can be formed, for example, by laminating contact plugs and metal wiring. The surface of the first moisture-resistant ring 7 is covered with a protective film 16, which prevents moisture from penetrating from the outside of the first moisture-resistant ring 7 to the inner region (including the light-emitting element array 3).

図15には、図6のD-D’断面が模式的に示されている。図15には、発光素子23と、発光素子23に接続されるトランジスタ20の例が模式的に示されている。トランジスタ20は、能動素子の一例である。トランジスタ20は、薄膜トランジスタ(TFT)であってもよい。 Figure 15 schematically shows the D-D' cross section of Figure 6. Figure 15 also shows an example of a light-emitting element 23 and a transistor 20 connected to the light-emitting element 23. The transistor 20 is an example of an active element. The transistor 20 may be a thin-film transistor (TFT).

トランジスタ20のドレイン25およびソース24は、材料基板1に配され、トランジスタ20のゲート26は、材料基板1の上にゲート絶縁膜(不図示)を介して配される。 The drain 25 and source 24 of the transistor 20 are arranged on the material substrate 1, and the gate 26 of the transistor 20 is arranged on the material substrate 1 via a gate insulating film (not shown).

トランジスタ20のドレイン25と発光素子23とを電気的に接続する複数のコンタクトプラグ21_1~22_4と複数の金属配線22_1~22_4からなる配線27があり、配線間には絶縁層28が設けられている。図15では、絶縁層28を1つの層の如く図示をしているが、絶縁層28は、複数の層からなる積層構造を有してもよい。 There are multiple contact plugs 21_1 to 22_4 that electrically connect the drain 25 of the transistor 20 to the light-emitting element 23, and wiring 27 made up of multiple metal wirings 22_1 to 22_4, with an insulating layer 28 provided between the wirings. While Figure 15 illustrates the insulating layer 28 as a single layer, the insulating layer 28 may have a stacked structure made up of multiple layers.

発光素子23は、第1電極13、発光層を有する有機膜14、および第2電極15によって構成されうる。図15では、有機膜14を1つの層の如く図示をしているが、有機膜14は、複数の層で構成されてもよい。発光素子23において、第2電極14は透明電極であり、有機膜14からの光は、第2電極15を通して外部に取り出される。第2電極15の上には、発光素子23の劣化を低減するための保護層16が設けられている。発光素子23の第2電極15は、複数の発光素子23で共有されており、共通電極となっている。 The light-emitting element 23 can be composed of a first electrode 13, an organic film 14 having a light-emitting layer, and a second electrode 15. In Figure 15, the organic film 14 is illustrated as a single layer, but the organic film 14 may be composed of multiple layers. In the light-emitting element 23, the second electrode 14 is a transparent electrode, and light from the organic film 14 is extracted to the outside through the second electrode 15. A protective layer 16 is provided on the second electrode 15 to reduce deterioration of the light-emitting element 23. The second electrode 15 of the light-emitting element 23 is shared by multiple light-emitting elements 23 and serves as a common electrode.

発光素子アレイでは、発光素子23とトランジスタ20との組み合わせで構成される構成単位が行方向および列方向に繰り返し配置されうる。発光素子23とトランジスタ20に含まれる電極(ソース電極、ドレイン電極)との電気接続の方式は、図15に示される態様に限られるものではない。発光素子23の第1電極13の極性や、トランジスタ20の極性に応じて、トランジスタ20のソース電極またはドレイン電極のいずれか一方が発光素子23の第1電極13と電気接続されていればよい。図15では、スイッチング素子としてトランジスタが使用されているが、これに代えて他のスイッチング素子が使用されてもよい。 In a light-emitting element array, structural units each consisting of a combination of a light-emitting element 23 and a transistor 20 can be repeatedly arranged in the row and column directions. The electrical connection method between the light-emitting element 23 and the electrodes (source electrode, drain electrode) included in the transistor 20 is not limited to the form shown in Figure 15. Depending on the polarity of the first electrode 13 of the light-emitting element 23 and the polarity of the transistor 20, it is sufficient that either the source electrode or the drain electrode of the transistor 20 is electrically connected to the first electrode 13 of the light-emitting element 23. In Figure 15, a transistor is used as the switching element, but other switching elements may be used instead.

また、トランジスタ20は、単結晶シリコンウエハに形成されるトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層としては、例えば、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体が挙げられる。 Furthermore, the transistor 20 is not limited to a transistor formed on a single-crystal silicon wafer, but may also be a thin-film transistor having an active layer on the insulating surface of a substrate. Examples of active layers include non-single-crystal silicon such as single-crystal silicon, amorphous silicon, and microcrystalline silicon, and non-single-crystal oxide semiconductors such as indium zinc oxide and indium gallium zinc oxide.

また、耐湿リング7と発光素子23の保護層16とは、物理的に接触しており、外部から発光素子23への水分の浸透を低減、または防いでいる。また、耐湿リング7を構成する複数のコンタクトプラグ21_1~22_4と複数の金属配線22_1~22_4の少なくとも1つは、部分的に、保護層16と同様の材料の層によって置換されてもよい。保護層16は、水分の浸透を低減できる材料で形成されているため、このような置換をしても、耐湿リング7の耐湿性を維持することができる。本実施形態では、このような置換を有する構造も、耐湿リングと称する。 The moisture-resistant ring 7 and the protective layer 16 of the light-emitting element 23 are in physical contact, reducing or preventing the penetration of moisture from the outside into the light-emitting element 23. At least one of the multiple contact plugs 21_1-22_4 and multiple metal wirings 22_1-22_4 that make up the moisture-resistant ring 7 may be partially replaced with a layer of the same material as the protective layer 16. Because the protective layer 16 is made of a material that can reduce moisture penetration, the moisture resistance of the moisture-resistant ring 7 can be maintained even with such a substitution. In this embodiment, a structure having such a substitution is also referred to as a moisture-resistant ring.

図6に示された例では、蒸着マスク4の突出部6が接触する接触許容領域10が発光装置の2箇所に設けられている。よって、図6に示されるような平面視(平面図)において、第1耐湿リング7の一部を構成する耐湿壁71は、2箇所において第1辺S1から遠ざかるように凹部を有し、それらの凹部に接触許容領域10が配置されている。接触許容領域10には、パッド、駆動回路、コンタクト領域といった構成要素は存在しない。接触許容領域10を可能な範囲で広げることにより、第1耐湿リング7によって取り囲まれた保護領域が狭くなり、保護領域に欠陥が生じる可能性を低減し発光装置2の信頼性を向上させることができる。なお、保護領域に生じうる欠陥としては、保護領域上の保護膜16の損傷による水分の浸入を挙げることができる。 In the example shown in FIG. 6 , contact-tolerant regions 10, with which the protrusions 6 of the deposition mask 4 come into contact, are provided in two locations on the light-emitting device. Therefore, in the plan view (top view) shown in FIG. 6 , the moisture-resistant wall 71 constituting part of the first moisture-resistant ring 7 has two recesses away from the first edge S1, and the contact-tolerant regions 10 are located in these recesses. Components such as pads, drive circuits, and contact regions are not present in the contact-tolerant regions 10. By expanding the contact-tolerant regions 10 as much as possible, the protective region surrounded by the first moisture-resistant ring 7 is narrowed, reducing the possibility of defects occurring in the protective region and improving the reliability of the light-emitting device 2. Possible defects in the protective region include moisture penetration due to damage to the protective film 16 on the protective region.

蒸着マスク4のパターン部PPは、突出部6によって材料基板1から離隔される。パターン部PPと材料基板1との間隙(突出部6の高さ)が大き過ぎると、材料基板1にはパターン部PPの開口5よりも広い範囲にわたって蒸着によって膜が形成されうる。そこで、パターン部PPと材料基板1との間隙(突出部6の高さ)は、例えば、20μm以下であることが望ましく、10μm以下であることが更に望ましい。パターン部PPと材料基板1との間隙(突出部6の高さ)の最小値は、パターン部PPと材料基板1との接触がしないことが保証されるように決定されうる。 The pattern portion PP of the deposition mask 4 is separated from the material substrate 1 by the protrusions 6. If the gap between the pattern portion PP and the material substrate 1 (the height of the protrusions 6) is too large, a film may be formed by deposition on the material substrate 1 over an area wider than the openings 5 of the pattern portion PP. Therefore, the gap between the pattern portion PP and the material substrate 1 (the height of the protrusions 6) is preferably, for example, 20 μm or less, and more preferably 10 μm or less. The minimum value of the gap between the pattern portion PP and the material substrate 1 (the height of the protrusions 6) can be determined to ensure that the pattern portion PP and the material substrate 1 do not come into contact with each other.

隣り合う突出部6の間隔も考慮されうる。隣り合う突出部6の間隔が広過ぎると、突出部6と突出部6との間の部分で蒸着マスク4のパターン部PPと材料基板1とが接触しうる。表1には、突出部6の間隔およびパターン部PPの厚さ(板厚)を変化させながらパターン部PPと材料基板1とが接触するかどうかを確認した結果が例示されている。突出部6の高さを10μm、蒸着マスク4を材料基板1に固定するための磁力を150ガウス、Y方向における隣り合う開口5の間隔を250μmとした。パターン部PPと材料基板1との接触については、蒸着マスク4の突出部6を材料基板1に接触させた後の材料基板1の接触許容領域10以外の領域のパーティクルをパーティクルカウンタで測定することによって評価した。ここで、パーティクルがなかった場合は「接触なし」(○)、パーティクルがあった場合は「接触あり」(×)とした。 The spacing between adjacent protrusions 6 can also be considered. If the spacing between adjacent protrusions 6 is too wide, the pattern portion PP of the deposition mask 4 and the material substrate 1 may come into contact with each other in the areas between the protrusions 6. Table 1 illustrates the results of checking whether the pattern portion PP and the material substrate 1 come into contact with each other while varying the spacing between the protrusions 6 and the thickness (plate thickness) of the pattern portion PP. The height of the protrusions 6 was 10 μm, the magnetic force for fixing the deposition mask 4 to the material substrate 1 was 150 gauss, and the spacing between adjacent openings 5 in the Y direction was 250 μm. The contact between the pattern portion PP and the material substrate 1 was evaluated by measuring particles in areas of the material substrate 1 other than the contact-permitted area 10 after the protrusions 6 of the deposition mask 4 were brought into contact with the material substrate 1 using a particle counter. Here, if there were no particles, it was marked "no contact" (○), and if there were particles, it was marked "contact" (×).


図9は、比較例の発光装置2”の構成が示されている。比較例の発光装置2”は、矩形の耐湿リング7を有し、耐湿リング7の外側に接触許容領域10が配置されている。このような構成では、発光装置2”のY方向(第2方向)の寸法eよりも、発光装置2”および接触許容領域10からなるユニットのY方向の寸法fが大きくなる。これにより1枚の材料基板1から得られる発光装置2”の個数が少なくなりうる。

FIG. 9 shows the configuration of a light emitting device 2" of the comparative example. The light emitting device 2" of the comparative example has a rectangular moisture-resistant ring 7, and a contact-tolerant region 10 is arranged outside the moisture-resistant ring 7. In such a configuration, the dimension f in the Y direction of the unit consisting of the light emitting device 2" and the contact-tolerant region 10 is larger than the dimension e in the Y direction (second direction) of the light emitting device 2". This can reduce the number of light emitting devices 2" that can be obtained from one material substrate 1.

第1実施形態の発光装置2を製造するための製造方法は、各々矩形基板RSとなるべき複数の矩形基板領域を有する材料基板1に蒸着マスク4を用いて機能層の形成材料を蒸着する蒸着工程を有しうる。材料基板1の複数の矩形基板領域の各々は、耐湿壁71のうち最短距離d1を規定する部分と第1辺S1との間に接触許容領域10を有する。蒸着マスク4は、複数の矩形基板領域における接触許容領域10にそれぞれ接触する複数の突出部6と、複数の開口5を有するパターン部PPとを備えうる。蒸着工程では、複数の突出部6によって材料基板1とパターン部PPとの距離が規定される。 A manufacturing method for producing the light emitting device 2 of the first embodiment may include a vapor deposition process in which a functional layer formation material is deposited using a vapor deposition mask 4 on a material substrate 1 having multiple rectangular substrate regions that will each become a rectangular substrate RS. Each of the multiple rectangular substrate regions of the material substrate 1 has a contact tolerance region 10 between the first side S1 and a portion of the moisture-resistant wall 71 that defines the shortest distance d1. The vapor deposition mask 4 may include multiple protrusions 6 that respectively contact the contact tolerance regions 10 in the multiple rectangular substrate regions, and a pattern portion PP having multiple openings 5. In the vapor deposition process, the multiple protrusions 6 define the distance between the material substrate 1 and the pattern portion PP.

以下、図10を参照しながら第2実施形態の発光装置2について説明する。図10には、第2実施形態における1つの発光装置2の構成が模式的に示されている。なお、第2実施形態として言及しない事項は、矛盾が生じない限り第1実施形態に従いうる。 The light-emitting device 2 of the second embodiment will now be described with reference to Figure 10. Figure 10 schematically shows the configuration of one light-emitting device 2 in the second embodiment. Note that matters not mentioned in the second embodiment may follow those of the first embodiment unless they cause any contradictions.

発光装置2は、発光素子アレイ3および全てのパッド8に対する水分の浸入を抑えるように矩形基板RSに配置された耐湿リング構造70を備えうる。耐湿リング構造70は、発光素子アレイ3と第1辺S1との間に配置された耐湿壁71、72を含みうる。図10において、耐湿リング構造70における耐湿壁71、72は、グレーの太線で示されている。Y方向(第2方向)における発光素子アレイ3と耐湿壁71、72との最短距離は、距離d1’である。Y方向(第2方向)に平行かつ発光素子アレイ3およびパッド8を通る仮想直線VSL上における発光素子アレイ3と耐湿壁71との距離は、距離d2である。第2実施形態では、距離d1’は、距離d2より小さい。これは、材料基板1においてY方向において隣り合う発光装置2の間の距離(間隔)を小さくし、これにより材料基板1に形成可能な発光装置2の個数を増大させ、発光装置2の製造コストを低下させるために有利である。 The light-emitting device 2 may include a moisture-resistant ring structure 70 disposed on the rectangular substrate RS to prevent moisture from penetrating the light-emitting element array 3 and all pads 8. The moisture-resistant ring structure 70 may include moisture-resistant walls 71, 72 disposed between the light-emitting element array 3 and the first edge S1. In FIG. 10 , the moisture-resistant walls 71, 72 in the moisture-resistant ring structure 70 are indicated by bold gray lines. The shortest distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant walls 71, 72 in the Y direction (second direction) is distance d1'. The distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant walls 71 on an imaginary line VSL parallel to the Y direction (second direction) and passing through the light-emitting element array 3 and the pads 8 is distance d2. In the second embodiment, distance d1' is smaller than distance d2. This reduces the distance (spacing) between adjacent light-emitting devices 2 in the Y direction on the material substrate 1, thereby increasing the number of light-emitting devices 2 that can be formed on the material substrate 1 and reducing the manufacturing costs of the light-emitting devices 2.

耐湿リング構造70は、発光素子アレイ3およびパッド8を取り囲むように配置された第1耐湿リング7と、発光素子アレイ3およびパッド8を取り囲まず、かつ、第1耐湿リング7によって取り囲まれるように配置された第2耐湿リング11とを含みうる。第1耐湿リング7は、仮想直線VSL上における発光素子アレイ3と耐湿壁71、72との距離d2を規定する部分を含み、第2耐湿リング11は、発光素子アレイ3と耐湿壁71、72との最短距離d1’を規定する部分を含みうる。第1耐湿リング7は、発光素子アレイ3およびパッド8を全周にわたって取り囲むように配置されうる。第2耐湿リング11は、第2耐湿リング11の内側に配置された構造体を全周にわたって取り囲むように配置されうる。 The moisture-resistant ring structure 70 may include a first moisture-resistant ring 7 arranged to surround the light-emitting element array 3 and pads 8, and a second moisture-resistant ring 11 arranged to be surrounded by the first moisture-resistant ring 7 but not surrounding the light-emitting element array 3 and pads 8. The first moisture-resistant ring 7 may include a portion that defines the distance d2 between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant walls 71, 72 on the imaginary line VSL, and the second moisture-resistant ring 11 may include a portion that defines the shortest distance d1' between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant walls 71, 72. The first moisture-resistant ring 7 may be arranged to surround the light-emitting element array 3 and pads 8 all around. The second moisture-resistant ring 11 may be arranged to surround the structure arranged inside the second moisture-resistant ring 11 all around.

以下、図11を参照しながら第3実施形態の発光装置2について説明する。図11には、第3実施形態における1つの発光装置2の構成が模式的に示されている。なお、第3実施形態として言及しない事項は、矛盾が生じない限り第1および第2実施形態の少なくとも一方に従いうる。 The light-emitting device 2 of the third embodiment will now be described with reference to Figure 11. Figure 11 schematically shows the configuration of one light-emitting device 2 in the third embodiment. Please note that matters not mentioned in the third embodiment may follow at least one of the first and second embodiments, provided no contradictions arise.

発光装置2は、発光素子アレイ3および全てのパッド8に対する水分の浸入を抑えるように矩形基板RSに配置された耐湿リング構造70を備えうる。耐湿リング構造70は、発光素子アレイ3と第1辺S1との間に配置された耐湿壁71、72を含みうる。図11において、耐湿リング構造70における耐湿壁71、72は、グレーの太線で示されている。Y方向(第2方向)における発光素子アレイ3と耐湿壁71、72との最短距離は、距離d1’である。図11の例では、Y方向(第2方向)における発光素子アレイ3と耐湿壁71との最短距離も、Y方向(第2方向)における発光素子アレイ3と耐湿壁72との最短距離も、距離d1’である。しかしながら、Y方向(第2方向)における発光素子アレイ3と耐湿壁71との最短距離、および、Y方向(第2方向)における発光素子アレイ3と耐湿壁72との最短距離の少なくとも一方を距離d1’としてもよい。Y方向(第2方向)に平行かつ発光素子アレイ3およびパッド8を通る仮想直線VSL上における発光素子アレイ3と耐湿壁71との距離は、距離d2である。第3実施形態では、距離d1’は、距離d2より小さい。これは、材料基板1においてY方向において隣り合う発光装置2の間の距離(間隔)を小さくし、これにより材料基板1に形成可能な発光装置2の個数を増大させ、発光装置2の製造コストを低下させるために有利である。 The light-emitting device 2 may include a moisture-resistant ring structure 70 disposed on the rectangular substrate RS to prevent moisture from penetrating the light-emitting element array 3 and all pads 8. The moisture-resistant ring structure 70 may include moisture-resistant walls 71, 72 disposed between the light-emitting element array 3 and the first edge S1. In FIG. 11 , the moisture-resistant walls 71, 72 in the moisture-resistant ring structure 70 are indicated by bold gray lines. The shortest distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant walls 71, 72 in the Y direction (second direction) is distance d1'. In the example of FIG. 11 , both the shortest distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant wall 71 in the Y direction (second direction) and the shortest distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant wall 72 in the Y direction (second direction) are distance d1'. However, at least one of the shortest distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant wall 71 in the Y direction (second direction) and the shortest distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant wall 72 in the Y direction (second direction) may be distance d1'. The distance between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant wall 71 on an imaginary line VSL that is parallel to the Y direction (second direction) and passes through the light-emitting element array 3 and the pads 8 is d2. In the third embodiment, the distance d1' is smaller than the distance d2. This reduces the distance (spacing) between adjacent light-emitting devices 2 in the Y direction on the material substrate 1, thereby increasing the number of light-emitting devices 2 that can be formed on the material substrate 1 and reducing the manufacturing cost of the light-emitting devices 2.

耐湿リング構造70は、発光素子アレイ3およびパッド8を取り囲むように配置された第1耐湿リング7と、発光素子アレイ3およびパッド8を取り囲まず、かつ、第1耐湿リング7によって取り囲まれるように配置された第2耐湿リング11とを含みうる。第1耐湿リング7は、仮想直線VSL上における発光素子アレイ3と耐湿壁71、72との距離d2を規定する部分を含みうる。第1耐湿リング7および第2耐湿リング11の少なくとも一方は、発光素子アレイ3と耐湿壁71、72との最短距離d1’を規定する部分を含みうる。第1耐湿リング7は、光素子アレイ3およびパッド8を全周にわたって取り囲むように配置されうる。第2耐湿リング11は、第2耐湿リング11の内側に配置された構造体を全周にわたって取り囲むように配置されうる。 The moisture-resistant ring structure 70 may include a first moisture-resistant ring 7 arranged to surround the light-emitting element array 3 and pads 8, and a second moisture-resistant ring 11 arranged to be surrounded by the first moisture-resistant ring 7 but not surrounding the light-emitting element array 3 and pads 8. The first moisture-resistant ring 7 may include a portion that defines the distance d2 between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant walls 71, 72 on the imaginary line VSL. At least one of the first moisture-resistant ring 7 and the second moisture-resistant ring 11 may include a portion that defines the shortest distance d1' between the light-emitting element array 3 and the moisture-resistant walls 71, 72. The first moisture-resistant ring 7 may be arranged to surround the entire periphery of the light-emitting element array 3 and pads 8. The second moisture-resistant ring 11 may be arranged to surround the entire periphery of the structure arranged inside the second moisture-resistant ring 11.

以下、図16乃至図21を参照しながら第4実施形態の発光装置402について説明する。なお、第4実施形態として言及しない事項は、矛盾が生じない限り第1乃至第3実施形態の少なくとも1つに従いうる。ここで説明される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、限定することを明示しない限り、開示範囲を限定するものではない。 The light-emitting device 402 of the fourth embodiment will be described below with reference to Figures 16 to 21. It should be noted that matters not mentioned in the fourth embodiment may conform to at least one of the first to third embodiments unless a contradiction arises. The numerical values, shapes, materials, components, component arrangements, and connection configurations described herein do not limit the scope of the disclosure unless expressly stated to be limiting.

以下において、発光素子としてOLEDを例として説明する。なお、本開示は、OLEDに限定されるものではなく、本開示は、電流駆動型の発光デバイス全般に適用することが可能である。 In the following, an OLED will be used as an example of a light-emitting element. Note that this disclosure is not limited to OLEDs, and can be applied to current-driven light-emitting devices in general.

図16(a)は、第4実施形態に係る発光装置402がシリコンウエハ等の材料基板401上に形成される例を示す。発光装置402は、基板401上に行列状に形成されうる。矩形の発光装置402の場合、短辺方向のサイズによって、1枚の材料基板401での収量が大きく変わるため、短辺方向を可能な限り短くすることが低コスト化に有効となる。また、発光装置402を製造するための基板としてシリコンウエハを用いた場合は、駆動回路を微細に形成することが可能となる。その結果、OLEDの高密度化が可能となる。高密度化によって、より高精細な画像形成が可能となる。 Figure 16(a) shows an example in which a light-emitting device 402 according to the fourth embodiment is formed on a material substrate 401 such as a silicon wafer. The light-emitting devices 402 can be formed in a matrix on the substrate 401. In the case of rectangular light-emitting devices 402, the yield per material substrate 401 varies greatly depending on the size of the short side, so making the short side as short as possible is effective in reducing costs. Furthermore, when a silicon wafer is used as the substrate for manufacturing the light-emitting device 402, it becomes possible to form the drive circuitry finely. As a result, it becomes possible to increase the density of the OLED. This increase in density enables the formation of higher-resolution images.

図16(b)は、発光装置402上にOLEDを形成するための蒸着マスク403の一例を示す。蒸着マスク403には複数の開口404が配置されており、複数の開口404の配置間隔と複数の発光装置402の配置間隔とは、互いに等しい。材料基板401上の発光装置402と蒸着マスク403の開口404を平面視で重ねたのちに、材料基板401と蒸着マスク403のリブ405とを密着させ、真空蒸着法により、電極や有機層を発光デバイス上に蒸着することでOLEDを形成する。 Figure 16(b) shows an example of a vapor deposition mask 403 for forming an OLED on a light-emitting device 402. The vapor deposition mask 403 has multiple openings 404 arranged at equal intervals between the multiple openings 404 and the multiple light-emitting devices 402. After the light-emitting devices 402 on the material substrate 401 and the openings 404 in the vapor deposition mask 403 are overlapped in plan view, the material substrate 401 and the ribs 405 of the vapor deposition mask 403 are brought into close contact, and electrodes and organic layers are vapor-deposited onto the light-emitting device by vacuum vapor deposition to form an OLED.

図16(c)は、材料401と蒸着マスク403のリブ405との密着時の断面構造の一例を示す。蒸着マスク403のリブ405によって、材料基板401と蒸着マスク403のリブ405とを密着させた際に、材料基板401と蒸着マスク403のパターン部(リブ405以外の部分)との間隔を一定の距離に保つことができる。また、リブ405によって、蒸着マスク403が発光デバイス402に触れる面積を最小にし、発光デバイス402への異物転写・キズ発生を防ぎ、封止不良の発生を防ぐことができる。 Figure 16(c) shows an example of the cross-sectional structure when the material 401 and the ribs 405 of the deposition mask 403 are in close contact. The ribs 405 of the deposition mask 403 make it possible to maintain a constant distance between the material substrate 401 and the pattern portion of the deposition mask 403 (portions other than the ribs 405) when the material substrate 401 and the ribs 405 of the deposition mask 403 are in close contact with each other. The ribs 405 also minimize the area where the deposition mask 403 comes into contact with the light-emitting device 402, preventing foreign matter from being transferred to and scratches on the light-emitting device 402 and preventing sealing defects.

図17は、OLED420と、OLED420に接続されるトランジスタ414との例を示す断面模式図である。トランジスタは、能動素子の一例である。トランジスタは薄膜トランジスタ(TFT)であってもよい。図17には、OLED420とトランジスタ414が記載されている。トランジスタ414のドレイン412およびソース411は、シリコン基板410に配され、トランジスタ414のゲート413は、シリコン基板410の上にゲート絶縁膜(不図示)を介して配される。 Figure 17 is a cross-sectional schematic diagram showing an example of an OLED 420 and a transistor 414 connected to the OLED 420. The transistor is an example of an active element. The transistor may be a thin-film transistor (TFT). Figure 17 shows the OLED 420 and the transistor 414. The drain 412 and source 411 of the transistor 414 are disposed on the silicon substrate 410, and the gate 413 of the transistor 414 is disposed on the silicon substrate 410 via a gate insulating film (not shown).

トランジスタ414のドレイン412とOLED420とを電気的に接続する複数のコンタクトプラグ415_1~415_4と複数の金属配線416_1~416_4からなる配線417があり、各配線間には絶縁層419が設けられている。図17では、絶縁層419を1つの層の如く図示をしているが、絶縁層419は、複数の層からなる積層構造を有してもよい。 There are multiple contact plugs 415_1 to 415_4 that electrically connect the drain 412 of the transistor 414 to the OLED 420, and wiring 417 consisting of multiple metal wirings 416_1 to 416_4, with insulating layers 419 provided between each wiring. Insulating layer 419 is illustrated as a single layer in Figure 17, but insulating layer 419 may have a stacked structure consisting of multiple layers.

OLED420は、第1電極416-4、発光層を有する有機膜421、および第2電極422によって構成されうる。図17では、有機膜421を1つの層の如く図示をしているが、有機膜421は、複数の層で構成されてもよい。OLED420において、第2電極422は透明電極であり、有機膜421からの光は、第2電極422を通して外部に取り出される。第2電極422の上には、OLED420の劣化を低減するための保護層425が設けられている。OLED420の第2電極422は、複数のOLED420で共有されており、共通電極となっている。 The OLED 420 can be composed of a first electrode 416-4, an organic film 421 having an emitting layer, and a second electrode 422. Although the organic film 421 is illustrated as a single layer in FIG. 17, the organic film 421 may be composed of multiple layers. In the OLED 420, the second electrode 422 is a transparent electrode, and light from the organic film 421 is extracted to the outside through the second electrode 422. A protective layer 425 is provided on the second electrode 422 to reduce deterioration of the OLED 420. The second electrode 422 of the OLED 420 is shared by multiple OLEDs 420 and serves as a common electrode.

発光装置402では、OLED420とトランジスタ414との組み合わせで構成される構成単位が行方向および列方向に繰り返し配置される。各OLED420間には、有機膜421の直下の層に大きな段差を有す構造427が形成されうる。構造427により、有機膜421を電気的に分離しつつ、第2電極422は電気的な接続を果たすように形成してよい。OLED420とトランジスタ414に含まれる電極(ソース電極、ドレイン電極)との電気接続の方式は、図17に示される態様に限られるものではない。OLED420と第1電極416_4の極性や、トランジスタ414の極性に応じて、トランジスタ414のソース電極またはドレイン電極のいずれか一方がOLED420の第1電極416_4と電気接続されていればよい。図17では、スイッチング素子としてトランジスタが使用されているが、これに代えて他のスイッチング素子が使用されてもよい。 In the light-emitting device 402, structural units each consisting of a combination of an OLED 420 and a transistor 414 are repeatedly arranged in the row and column directions. Between each OLED 420, a structure 427 having a large step may be formed in the layer directly below the organic film 421. The structure 427 may be formed to electrically isolate the organic film 421 while electrically connecting the second electrode 422. The electrical connection between the OLED 420 and the electrodes (source electrode, drain electrode) included in the transistor 414 is not limited to the form shown in FIG. 17. Depending on the polarity of the OLED 420 and the first electrode 416_4 and the polarity of the transistor 414, either the source electrode or the drain electrode of the transistor 414 may be electrically connected to the first electrode 416_4 of the OLED 420. While a transistor is used as the switching element in FIG. 17, other switching elements may be used instead.

また、トランジスタは、単結晶シリコンウエハに形成されるトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層としては、例えば、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコンなどの非単結晶シリコン、インジウム亜鉛酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体が挙げられる。 In addition, the transistor is not limited to a transistor formed on a single-crystal silicon wafer, but may also be a thin-film transistor having an active layer on the insulating surface of a substrate. Examples of active layers include single-crystal silicon, amorphous silicon, microcrystalline silicon, and other non-single-crystal silicon, as well as non-single-crystal oxide semiconductors such as indium zinc oxide and indium gallium zinc oxide.

図18は、第4実施形態に係る発光装置402の一形態を示す概略図である。第4実施形態の発光装置402は、第1方向に平行な長辺と、第1方向と交差する方向に平行な短辺とを有する矩形形状を有する。 Figure 18 is a schematic diagram showing one form of a light-emitting device 402 according to the fourth embodiment. The light-emitting device 402 of the fourth embodiment has a rectangular shape with long sides parallel to the first direction and short sides parallel to a direction intersecting the first direction.

発光装置402において、発光領域102が長辺方向に沿って形成される場合、コンタクト領域等の発光領域102以外の部材は、発光領域102の周辺領域のうち、発光領域102に対して短辺方向に隣接した領域に配することができる。 In the light-emitting device 402, when the light-emitting region 102 is formed along the long side direction, components other than the light-emitting region 102, such as contact regions, can be arranged in the peripheral region of the light-emitting region 102, in the region adjacent to the light-emitting region 102 in the short side direction.

基板101は、矩形形状を有する。本明細書においては、矩形の基板101の長辺方向を第1方向と称し、長辺方向と直交する短辺方向を第2方向と称する。矩形の基板101上には、発光装置402の内部への水分の浸入を防止する役割を果たす耐湿リング100が配置される。また、耐湿リング100によって囲まれた領域に、発光領域102、第1コンタクト領域103_1及び第2コンタクト領域103_2、パッド104_1及び104_2が配置される。発光領域102には、複数の発光素子が行列方向に並べて配置されている。第1コンタクト領域103_1及び第2コンタクト領域103_2は、OLEDの共通電極と電気的に接続する配線が配置される領域である。パッド104_1及び104_2は、コンタクト領域と電気的に接続される。 The substrate 101 has a rectangular shape. In this specification, the long side direction of the rectangular substrate 101 is referred to as the first direction, and the short side direction perpendicular to the long side direction is referred to as the second direction. A moisture-resistant ring 100 is disposed on the rectangular substrate 101, and serves to prevent moisture from entering the light-emitting device 402. In addition, a light-emitting region 102, a first contact region 103_1, a second contact region 103_2, and pads 104_1 and 104_2 are disposed in the area surrounded by the moisture-resistant ring 100. A plurality of light-emitting elements are arranged in a matrix in the light-emitting region 102. The first contact region 103_1 and the second contact region 103_2 are regions where wiring is disposed that electrically connects to the common electrode of the OLED. The pads 104_1 and 104_2 are electrically connected to the contact regions.

発光領域102には、複数の発光素子が行列状に配置される。それぞれの発光素子は、上述したように、発光層と、発光層を挟持する第1電極および第2電極から構成され、第1電極は各発光素子にそれぞれ設けられる独立電極であり、第2電極は各発光素子に共通して設けられる共通電極である。 In the light-emitting region 102, multiple light-emitting elements are arranged in a matrix. As described above, each light-emitting element is composed of a light-emitting layer and a first electrode and a second electrode that sandwich the light-emitting layer. The first electrode is an independent electrode provided for each light-emitting element, and the second electrode is a common electrode provided for all light-emitting elements.

第1コンタクト領域103_1及び第2コンタクト領域103_2は、基板101の発光領域102の隣接領域であって、耐湿リング100によって囲まれた領域に設けられる。また、凹部105、第1コンタクト領域103_1及び第2コンタクト領域103_2、およびパッド104_1及び104_2は、発光領域102と基板101の一方の長辺端部との間に配置される。言い換えると、凹部105、第1コンタクト領域103_1及び第2コンタクト領域103_2、およびパッド104_1及び104_2は、発光領域102にから見て、1つの短辺方向に配置されうる。また、凹部105は、第1コンタクト領域103_1と第2コンタクト領域103_2との間に配置されうる。さらに、凹部105、第1コンタクト領域103_1及び第2コンタクト領域103_2、およびパッド104_1及び104_2は、長辺方向に沿って直列に配置される。図18の例では、パッド104_1、第1コンタクト領域103_1、凹部105、第2コンタクト領域103_2、およびパッド104_2の順で、長辺方向に沿って直列に配置される。 The first contact region 103_1 and the second contact region 103_2 are provided in an area adjacent to the light-emitting region 102 of the substrate 101 and surrounded by the moisture-resistant ring 100. The recess 105, the first contact region 103_1 and the second contact region 103_2, and the pads 104_1 and 104_2 are arranged between the light-emitting region 102 and one long side end of the substrate 101. In other words, the recess 105, the first contact region 103_1 and the second contact region 103_2, and the pads 104_1 and 104_2 can be arranged in the direction of one short side when viewed from the light-emitting region 102. The recess 105 can be arranged between the first contact region 103_1 and the second contact region 103_2. Furthermore, the recess 105, the first contact region 103_1 and the second contact region 103_2, and the pads 104_1 and 104_2 are arranged in series along the long side direction. In the example of FIG. 18, the pad 104_1, the first contact region 103_1, the recess 105, the second contact region 103_2, and the pad 104_2 are arranged in series along the long side direction in this order.

耐湿リング100は、配線層により構成されるガードリングであり、発光領域102、第1コンタクト領域103_1、第2コンタクト領域103_2、パッド104_1及び104_2を囲うように設けられる。耐湿リング100は、基板の長辺のうち一方の辺において、1つ以上の凹部105を有しうる。耐湿リング100は、幅狭部100_2と、幅狭部100_2の長辺方向(第1方向)の両側にそれぞれ設けられる幅広部100_1及び100_3を有しうる。幅狭部100_2の短辺方向(第2方向)の幅は、幅広部100_1及び100_3の短辺方向の幅よりも短く、幅広部100_1及び100_3の短辺方向の幅は幅狭部100_2の短辺方向の幅よりも長くてよい。幅狭部100_2と幅広部100_1,100_3の一方の長辺の短辺方向位置は一致してよく、他方の長辺の短辺方向位置が異なってよい。幅狭部100_2の存在により、耐湿リング100は外周が凹形状の部分を有する。この部分を本実施例では、凹部105と称する。凹部105は、成膜工程において蒸着マスク403の一部であるリブ405を当接させる当接領域として利用されてよい。幅狭部100_2は、凹部105の短辺方向の幅の分だけ幅広部100_1および100_3よりも短辺方向の幅が短くてよい。第1コンタクト領域103_1及び第2コンタクト領域103_2は、それぞれ耐湿リング100の幅広部100_1及び100_3の内側に配置される。 The moisture-resistant ring 100 is a guard ring made of a wiring layer and is arranged to surround the light-emitting region 102, the first contact region 103_1, the second contact region 103_2, and the pads 104_1 and 104_2. The moisture-resistant ring 100 may have one or more recesses 105 on one of the long sides of the substrate. The moisture-resistant ring 100 may have a narrow portion 100_2 and wide portions 100_1 and 100_3, respectively, arranged on both sides of the narrow portion 100_2 in the long side direction (first direction). The width of the narrow portion 100_2 in the short side direction (second direction) may be shorter than the width of the wide portions 100_1 and 100_3 in the short side direction, and the width of the wide portions 100_1 and 100_3 in the short side direction may be longer than the width of the narrow portion 100_2 in the short side direction. The position of one of the long sides of the narrow portion 100_2 and the wide portions 100_1 and 100_3 in the short-side direction may be the same, and the position of the other long side in the short-side direction may be different. Due to the presence of the narrow portion 100_2, the moisture-resistant ring 100 has a concave portion on its outer periphery. This portion is referred to as the recess 105 in this embodiment. The recess 105 may be used as a contact region for abutting a rib 405, which is part of the vapor deposition mask 403, during the film formation process. The narrow portion 100_2 may have a shorter width in the short-side direction than the wide portions 100_1 and 100_3 by the width of the recess 105 in the short-side direction. The first contact region 103_1 and the second contact region 103_2 are disposed inside the wide portions 100_1 and 100_3 of the moisture-resistant ring 100, respectively.

耐湿リング100の内側に発光装置402の駆動回路を形成されうる(不図示)。OLEDの形成時には、耐湿リング100の凹部105、言い換えると幅狭部100_2における耐湿リング100の外側に蒸着マスク403のリブ005が当接し、基板とマスク403のパターン部との距離が一定に保たれる。リブ405は、蒸着マスク403と発光装置402とが触れる面を最小にし、発光装置402への異物転写・キズ発生を防ぎ、封止不良の発生を防ぐ役割を果たす。またリブ405が基板に当接すると、基板上の絶縁膜にキズが発生し、発光装置402の封止性能が低下する恐れがある。本実施形態では、耐湿リングの外側にリブ405の当接領域となる凹部105を配置することで、発光装置402の封止性能を担保するようにしている。 A drive circuit for the light-emitting device 402 may be formed inside the moisture-resistant ring 100 (not shown). During OLED formation, the rib 005 of the vapor deposition mask 403 abuts against the recess 105 of the moisture-resistant ring 100, or in other words, the outside of the moisture-resistant ring 100 at the narrow portion 100_2, maintaining a constant distance between the substrate and the pattern portion of the mask 403. The rib 405 minimizes the contact surface between the vapor deposition mask 403 and the light-emitting device 402, preventing foreign matter from being transferred to and scratching the light-emitting device 402 and preventing sealing defects. Furthermore, if the rib 405 abuts against the substrate, scratches may be generated in the insulating film on the substrate, potentially reducing the sealing performance of the light-emitting device 402. In this embodiment, the recess 105, which serves as the abutment area for the rib 405, is positioned on the outside of the moisture-resistant ring to ensure the sealing performance of the light-emitting device 402.

本実施形態のOLEDの第2電極(上部電極・共通電極)422は、透明電極材料で構成されるため、配線抵抗が比較的高い。また、第2電極422は、共通電極でもあるため複数のOLEDから電流が流れ、第2電極422での電圧降下量が大きくなる。そのため、電位が供給されるコンタクト領域からの距離によって、各OLEDに印加される電圧に差が生じうる。これにより、同じ輝度を発光させるための電圧を印加したOLEDの間で、実際の発光輝度が異なり、シェーディング等が生じることがある。 The second electrode (upper electrode/common electrode) 422 of the OLED in this embodiment is made of a transparent electrode material, and therefore has a relatively high wiring resistance. Furthermore, because the second electrode 422 is also a common electrode, current flows from multiple OLEDs, resulting in a large voltage drop across the second electrode 422. Therefore, differences in the voltage applied to each OLED can occur depending on the distance from the contact region where the potential is supplied. This can result in differences in actual emission brightness between OLEDs to which a voltage is applied to emit light with the same brightness, potentially resulting in shading and other issues.

本実施形態の発光装置402は、発光装置402の長辺端に沿って、第2電極(上部電極・共通電極)422と電源配線とのコンタクト領域を少なくとも2つ(103_1、103_2)有しうる。抵抗が低い電源配線に対して、第2電極422が長辺方向における複数の位置でコンタクトすることで第2電極422における電圧降下を下げることができる。そのため、複数のOLEDにおいて共通の第2電極422を有していても、第2電極422の位置に依存する電圧降下を抑制し、発光輝度のシェーディングを抑制することができる。 The light-emitting device 402 of this embodiment may have at least two contact regions (103_1, 103_2) between the second electrode (upper electrode/common electrode) 422 and the power supply wiring along the long side edge of the light-emitting device 402. By having the second electrode 422 contact the low-resistance power supply wiring at multiple positions along the long side, it is possible to reduce the voltage drop in the second electrode 422. Therefore, even if multiple OLEDs have a common second electrode 422, it is possible to reduce the voltage drop that depends on the position of the second electrode 422 and suppress shading in the emitted light brightness.

第1コンタクト領域103_1または第2コンタクト領域103_2と蒸着マスク403のリブ405の当接領域とを発光装置402の短辺方向に沿って直列に配置することも考えられる。しかしながら、その場合、短辺方向において、発光装置402と発光装置402の間に、リブ専用の領域が設けられることになり、リブ専用領域の分だけ発光装置402のサイズが大きくなってしまう。本実施形態の発光装置402は、第1コンタクト領域103_1と第2コンタクト領域103_2との間に、リブ当接領域である耐湿リングの凹部105を配することで、短辺方向の発光装置402間の距離を縮めることができる。そのため、1つの基板内に短辺方向で配置できる発光装置402の数を増やし収率を増やすことができる。 It is also possible to arrange the first contact region 103_1 or the second contact region 103_2 and the abutment region of the rib 405 of the vapor deposition mask 403 in series along the short side of the light emitting device 402. However, in that case, a dedicated rib area would be provided between the light emitting devices 402 in the short side direction, and the size of the light emitting device 402 would increase by the amount of the dedicated rib area. In the light emitting device 402 of this embodiment, the recess 105 of the moisture-resistant ring, which is the rib abutment area, is arranged between the first contact region 103_1 and the second contact region 103_2, thereby reducing the distance between the light emitting devices 402 in the short side direction. This increases the number of light emitting devices 402 that can be arranged in the short side direction on a single substrate, thereby improving yield.

図19は、図18の発光装置402におけるE-E´断面図である。耐湿リング100_2は、コンタクトプラグ445_1~445_4と金属配線446_1~046_4が積層された積層構造を有し、発光装置402の表面から、回路素子が形成されているシリコン基板410に達する深さまで延びている。耐湿リング100_2を構成するコンタクトプラグ445_1~445_4と金属配線446_1~446_4は、配線417を構成するコンタクトプラグ415_1~415_4、金属配線416_1~416_4と同一の層で形成される。このように耐湿リング100_2は、内部回路の多層配線構造と同じ層構造を有し、内部回路と共通の工程により、同時に形成することが可能である。 Figure 19 is an E-E' cross-sectional view of the light-emitting device 402 of Figure 18. The moisture-resistant ring 100_2 has a layered structure in which contact plugs 445_1 to 445_4 and metal wiring 446_1 to 446_4 are stacked, and extends from the surface of the light-emitting device 402 to a depth that reaches the silicon substrate 410 on which the circuit elements are formed. The contact plugs 445_1 to 445_4 and metal wiring 446_1 to 446_4 that make up the moisture-resistant ring 100_2 are formed in the same layer as the contact plugs 415_1 to 415_4 and metal wiring 416_1 to 416_4 that make up the wiring 417. In this way, the moisture-resistant ring 100_2 has the same layer structure as the multilayer wiring structure of the internal circuit, and can be formed simultaneously with the internal circuit using common processes.

耐湿リング100_1の断面構造は、発光装置402内のいずれの箇所でも耐湿リング040_2と同じ構造を有しうる。 The cross-sectional structure of the moisture-resistant ring 100_1 can have the same structure as the moisture-resistant ring 040_2 at any location within the light-emitting device 402.

また、耐湿リング100_1、100_2とOLED420の保護層025とは、物理的に接触しており、OLED420への水分浸透を防ぐ役割を果たす。 In addition, the moisture-resistant rings 100_1 and 100_2 are in physical contact with the protective layer 025 of the OLED 420, which serves to prevent moisture from penetrating into the OLED 420.

スクライブ領域441では、OLED420の保護層425は除去されている。これによって、シリコン基板410から発光装置402を割断する際に保護層425の欠けを防止することができる。 In the scribe area 441, the protective layer 425 of the OLED 420 is removed. This prevents the protective layer 425 from chipping when the light-emitting device 402 is cut from the silicon substrate 410.

コンタクト領域103_1では、OLED420の第2電極(共通電極)422と金属配線456_4が物理的に接触している。パッド104_1は、金属配線456_3と同層の金属配線によって構成される。パッド104_1からコンタクト領域103_1の直下まで低抵抗な金属配線456_3を引き、コンタクトプラグ455-4によって、金属配線456_3および金属配線456_4を低抵抗に電気的導通をとる構造となっている。本実施形態では、パッド104_1を金属配線456_3と同層としたが、例えば、金属配線456_4と同層の配線であってもよい。 In the contact region 103_1, the second electrode (common electrode) 422 of the OLED 420 and the metal wiring 456_4 are in physical contact. The pad 104_1 is composed of metal wiring in the same layer as the metal wiring 456_3. A low-resistance metal wiring 456_3 is drawn from the pad 104_1 to directly below the contact region 103_1, and a contact plug 455-4 provides low-resistance electrical conduction between the metal wiring 456_3 and the metal wiring 456_4. In this embodiment, the pad 104_1 is in the same layer as the metal wiring 456_3, but it may also be in the same layer as the metal wiring 456_4, for example.

本実施形態に記載の構成をとることで、発光装置402の輝度のシェーディングを抑制しつつ、収率を向上させ低コストに製造する効果を得ることができる。 By adopting the configuration described in this embodiment, it is possible to suppress shading in the brightness of the light-emitting device 402 while improving yield and achieving low-cost manufacturing.

以下、図20を参照しながら第5実施形態の発光装置402について説明する。なお、第5実施形態として言及しない事項は、矛盾が生じない限り第4実施形態に従いうる。図20は、第5実施形態に係る発光装置の構成を示す概略図である。 The light-emitting device 402 of the fifth embodiment will be described below with reference to Figure 20. It should be noted that matters not mentioned in the fifth embodiment may follow those of the fourth embodiment unless a contradiction arises. Figure 20 is a schematic diagram showing the configuration of the light-emitting device of the fifth embodiment.

矩形の基板101上には、耐湿リング200、行列方向に並ぶ発光画素が配される発光領域102、OLEDの共通電極と電気的に接続するコンタクト領域203_1~203_5、前記コンタクト領域と電気的に接続するパッド204_1~204_3が配置される。 Arranged on the rectangular substrate 101 are a moisture-resistant ring 200, a light-emitting area 102 in which light-emitting pixels are arranged in rows and columns, contact areas 203_1 to 203_5 that electrically connect to the OLED common electrode, and pads 204_1 to 204_3 that electrically connect to the contact areas.

本実施形態においては、耐湿リング200は、5つの幅広部200_1,200_3,200_5,200_7,200_9と、4つの幅狭部200_2,200_4,200_6,200_8とが交互に配置されて構成される。幅狭部200_2,200_4,200_6,200_8は短辺方向の幅が幅広部200_1,200_3,200_5,200_7,200_9の短辺方向の幅よりも短い部分である。ここでは、幅狭部が4個の例を示しているが、その数は特に限定されない。 In this embodiment, the moisture-resistant ring 200 is configured by alternating five wide portions 200_1, 200_3, 200_5, 200_7, and 200_9 and four narrow portions 200_2, 200_4, 200_6, and 200_8. The narrow portions 200_2, 200_4, 200_6, and 200_8 have a shorter width in the short side direction than the wide portions 200_1, 200_3, 200_5, 200_7, and 200_9. While an example with four narrow portions is shown here, the number is not particularly limited.

幅広部200_1,200_3,200_5,200_7,200_9の存在により、耐湿リング200の外周形状は、複数の凹んだ部分を含む。この部分を耐湿リングの凹部205_1~205_4と称する。凹部205_1~205_4は、成膜工程において蒸着マスクの一部であるリブを当接させる当接領域として利用されてよい。本実施形態において、耐湿リング200の凹部205_1~205_4は、発光装置の長辺に沿って複数配置される。そのため、基板101上のリブ当接領域の配置間隔を狭くでき、蒸着マスクの撓みを抑制できる。更にリブ当接領域の配置間隔が狭くなることによって、当接領域となる凹部の1つあたりの長辺方向の長さを短くでき、第1コンタクト領域と第2コンタクト領域の間隔を小さくできる。よって、発光装置の中央部における共通電極の抵抗をより低減することができ、発光装置の輝度シェーディングをより抑制することができる。発光装置上に共通電極と電源配線のコンタクト領域203_1~203_3と耐湿リングの凹部205_1~205_3を交互に配置することで、複数個所で共通電極の低抵抗化を実施できる。 Due to the presence of the wide portions 200_1, 200_3, 200_5, 200_7, and 200_9, the outer peripheral shape of the moisture-resistant ring 200 includes multiple recessed portions. These portions are referred to as recessed portions 205_1 to 205_4 of the moisture-resistant ring. Recessed portions 205_1 to 205_4 may be used as contact areas for ribs, which are part of a deposition mask, during the film-forming process. In this embodiment, multiple recessed portions 205_1 to 205_4 of the moisture-resistant ring 200 are arranged along the long sides of the light-emitting device. This allows for narrower spacing between the rib contact areas on the substrate 101, thereby suppressing deflection of the deposition mask. Furthermore, narrowing the spacing between the rib contact areas allows for shorter lengths of each recessed portion, which serves as a contact area, along the long sides, and thus reduces the distance between the first and second contact regions. This further reduces the resistance of the common electrode in the center of the light-emitting device, thereby further suppressing brightness shading in the light-emitting device. By alternately arranging the common electrode and power supply wiring contact regions 203_1-203_3 and the moisture-resistant ring recesses 205_1-205_3 on the light-emitting device, the resistance of the common electrode can be reduced in multiple locations.

発光装置のコンタクト領域等の発光領域以外の部材を、長辺方向に対して直列配置することで更に発光装置を小型化でき、基板上の収量を増加し低コスト化できる。本明細書において部材Aと部材Bが第一方向に対して直列配置されるとは、当該第一方向に対して垂直な面に対して当該第一方向から平面視したときに、部材Aと部材Bが重なる部分を有することを指す。 By arranging components other than the light-emitting region, such as the contact region of the light-emitting device, in series in the long side direction, the light-emitting device can be further miniaturized, increasing the yield on the substrate and reducing costs. In this specification, "component A and component B being in series in a first direction" means that component A and component B have an overlapping portion when viewed in plan from the first direction on a surface perpendicular to the first direction.

以下、図21を参照しながら第6実施形態の発光装置402について説明する。なお、第6実施形態として言及しない事項は、矛盾が生じない限り第5実施形態に従いうる。図21は、第6実施形態に係る発光装置の構成を示す概略図である。図20の発光装置と比較すると、発光素子をそれぞれ駆動するための回路206_1、206_2が追加されている。回路206_1~206_2は長辺方向に対して直列に配置される。言い換えると、回路206_1~206_3は長辺方向に垂直な面に対する平面視において重なるように追加で配置されている。また、回路206_1~206_2は、コンタクト領域203_1~203_3、およびパッド204_1~204_3とも、長辺方向に対して直列配置されている。 The light-emitting device 402 of the sixth embodiment will be described below with reference to FIG. 21. Note that matters not mentioned in the sixth embodiment may follow those of the fifth embodiment unless a contradiction arises. FIG. 21 is a schematic diagram showing the configuration of a light-emitting device according to the sixth embodiment. Compared to the light-emitting device of FIG. 20, circuits 206_1 and 206_2 for driving the light-emitting elements have been added. The circuits 206_1 to 206_2 are arranged in series along the long side. In other words, the circuits 206_1 to 206_3 are additionally arranged so as to overlap in a plan view perpendicular to the long side. The circuits 206_1 to 206_2 are also arranged in series along the long side with the contact regions 203_1 to 203_3 and the pads 204_1 to 204_3.

回路206_1~206_2の具体的な例として、入力保護回路、各駆動用のデータが入力される入力回路、データを処理するためのロジック回路などが挙げられるが、これに限られない。回路の種類によらず、回路領域をコンタクト領域およびパッド領域と同じ短辺方向の位置に設け、当該回路領域に回路を配置することで発光デバイスの短辺方向の長さを縮小することが可能となる。 Specific examples of circuits 206_1-206_2 include, but are not limited to, input protection circuits, input circuits to which drive data is input, and logic circuits for processing data. Regardless of the type of circuit, by locating the circuit area in the same position along the short side as the contact area and pad area and arranging the circuit in this circuit area, it is possible to reduce the length of the light-emitting device along the short side.

図22は、図21の発光デバイスにおけるF-F’断面図である。図19に対して、回路206_1、206_2が追加された構造となっている。 Figure 22 is a cross-sectional view of the light-emitting device of Figure 21 taken along the line F-F'. Compared to Figure 19, circuits 206_1 and 206_2 have been added.

本実施形態に記載の構成をとることで、発光装置の輝度のシェーディングを効果的に抑制することができる。 By adopting the configuration described in this embodiment, shading of the brightness of the light-emitting device can be effectively suppressed.

以下、図12を参照しながら第1乃至第6実施形態に代表される発光装置2が組み込まれた画像形成装置100について例示的に説明する。図12には、画像形成装置100の構成が模式的に示されている。画像形成装置100は、電子写真方式の画像形成装置として構成されうる。画像形成装置100は、感光体101と、感光体101を帯電させる帯電部102と、感光体101の表面に静電潜像を形成するように該表面を露光する露光部103と、該静電潜像を現像する現像部104とを備えうる。露光部103は、前述の発光装置2を光源として含みうる。現像部104は、例えば、静電潜像にトナーを付着させることによって画像を形成しうる。画像形成装置100は、更に、現像部104によって形成された画像を記録媒体107に転写する転写部105と、記録媒体107に転写された画像を定着させる定着部108を備えてもよい。 An image forming apparatus 100 incorporating a light-emitting device 2 representative of the first to sixth embodiments will now be described with reference to FIG. 12. FIG. 12 schematically illustrates the configuration of the image forming apparatus 100. The image forming apparatus 100 may be configured as an electrophotographic image forming apparatus. The image forming apparatus 100 may include a photoreceptor 101, a charging unit 102 that charges the photoreceptor 101, an exposure unit 103 that exposes the surface of the photoreceptor 101 to light to form an electrostatic latent image on the surface, and a development unit 104 that develops the electrostatic latent image. The exposure unit 103 may include the light-emitting device 2 described above as a light source. The development unit 104 may form an image, for example, by attaching toner to the electrostatic latent image. The image forming apparatus 100 may further include a transfer unit 105 that transfers the image formed by the development unit 104 to a recording medium 107, and a fixing unit 108 that fixes the image transferred to the recording medium 107.

図中のX方向を列(が並ぶ方向)、Y方向を行(が並ぶ方向)と表現する。ここで、X方向は、画像形成装置100の感光体101の回転軸方向に沿った方向であってよい。露光部103の光源を構成するために、複数の発光装置2が配列されうる。一例において、複数の発光装置2は、図13に例示されるように、千鳥配置を構成するように配置されうる。各発光素子アレイ3における発光素子は、1行に配置されてもよいし、複数行を構成するように配置されてもよい。各発光素子アレイ3において複数行を構成するように発光素子が配置された構成は、階調表現のために有利であり、また、各発光素子の発光量を低減させ発光素子を長寿命化するために有利である。各発光素子アレイ3において複数行を構成するように発光素子を配置する場合、図14に例示されるように、4行の発光素子がある場合、1行目の発光素子の最初の位置と2行目の発光素子の最初の位置とを発光素子のX方向寸法の1/4だけX方向にずらしてもよい。n行の場合は、1行目の発光素子の最初の位置と2行目の発光素子の最初の位置を発光素子のX方向寸法の1/nだけX方向にずらしてもよい。このような構成は、解像度を向上させるために有利である。 In the figure, the X direction represents columns (the direction in which the light is arranged), and the Y direction represents rows (the direction in which the light is arranged). Here, the X direction may be along the rotational axis of the photosensitive element 101 of the image forming apparatus 100. Multiple light-emitting devices 2 may be arranged to form a light source for the exposure unit 103. In one example, multiple light-emitting devices 2 may be arranged in a staggered configuration, as illustrated in FIG. 13. The light-emitting elements in each light-emitting element array 3 may be arranged in a single row or multiple rows. Arranging the light-emitting elements in multiple rows in each light-emitting element array 3 is advantageous for gradation expression and for reducing the light emission output of each light-emitting element and extending the life of the light-emitting elements. When arranging the light-emitting elements in multiple rows in each light-emitting element array 3, if there are four rows of light-emitting elements, as illustrated in FIG. 14, the initial positions of the light-emitting elements in the first row and the second row may be offset in the X direction by 1/4 of the X-direction dimension of the light-emitting elements. In the case of n rows, the initial positions of the light-emitting elements in the first row and the second row may be shifted in the X direction by 1/n of the X-direction dimension of the light-emitting elements. This configuration is advantageous for improving resolution.

以下、発光装置2の各構成要素の詳細を例示的に説明する。
[有機発光素子の構成]
有機発光素子は、基板の上に、絶縁層、第一電極、有機膜、第二電極を形成して設けられる。陰極の上には、保護層、カラーフィルタ、マイクロレンズ等を設けてよい。カラーフィルタを設ける場合は、保護層との間に平坦化層を設けてよい。平坦化層はアクリル樹脂等で構成することができる。カラーフィルタとマイクロレンズとの間において、平坦化層を設ける場合も同様である。
[基板]
基板は、石英、ガラス、シリコンウエハ、樹脂、金属等が挙げられる。また、基板上には、トランジスタなどのスイッチング素子や配線を備え、その上に絶縁層を備えてもよい。絶縁層としては、第一電極との間に配線が形成可能なように、コンタクトホールを形成可能で、かつ接続しない配線との絶縁を確保できれば、材料は問わない。例えば、ポリイミド等の樹脂、酸化シリコン、窒化シリコンなどを用いることができる。
[電極]
電極は、一対の電極を用いることができる。一対の電極は、陽極と陰極であってよい。有機発光素子が発光する方向に電界を印加する場合に、電位が高い電極が陽極であり、他方が陰極である。また、発光層にホールを供給する電極が陽極であり、電子を供給する電極が陰極であるということもできる。
Hereinafter, each component of the light emitting device 2 will be described in detail by way of example.
[Configuration of organic light-emitting element]
The organic light-emitting element is provided by forming an insulating layer, a first electrode, an organic film, and a second electrode on a substrate. A protective layer, a color filter, a microlens, etc. may be provided on the cathode. When a color filter is provided, a planarizing layer may be provided between the protective layer. The planarizing layer may be made of acrylic resin, etc. The same applies when a planarizing layer is provided between the color filter and the microlens.
[substrate]
Examples of the substrate include quartz, glass, a silicon wafer, a resin, and a metal. Furthermore, the substrate may be provided with a switching element such as a transistor and wiring, and an insulating layer thereon. Any material can be used for the insulating layer, as long as it allows for the formation of a contact hole so that wiring can be formed between the first electrode and the insulating layer, and ensures insulation from wiring that is not connected. For example, resins such as polyimide, silicon oxide, silicon nitride, etc. can be used.
[electrode]
A pair of electrodes can be used. The pair of electrodes may be an anode and a cathode. When an electric field is applied in the direction in which the organic light-emitting element emits light, the electrode with a higher potential is the anode, and the other is the cathode. It can also be said that the electrode that supplies holes to the light-emitting layer is the anode, and the electrode that supplies electrons is the cathode.

陽極の構成材料としては仕事関数がなるべく大きいものが良い。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン、等の金属単体やこれらを含む混合物、あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム(ITO)、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。またポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。 The material that makes up the anode should have as high a work function as possible. For example, metals such as gold, platinum, silver, copper, nickel, palladium, cobalt, selenium, vanadium, and tungsten, as well as mixtures containing these metals or alloys combining these metals, and metal oxides such as tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and zinc indium oxide can also be used. Conductive polymers such as polyaniline, polypyrrole, and polythiophene can also be used.

これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。 One of these electrode materials may be used alone, or two or more may be used in combination. The anode may consist of a single layer or multiple layers.

反射電極として用いる場合には、例えばクロム、アルミニウム、銀、チタン、タングステン、モリブデン、又はこれらの合金、積層したものなどを用いることができる。上記の材料にて、電極としての役割を有さない、反射膜として機能することも可能である。また、透明電極として用いる場合には、酸化インジウム錫(ITO)、酸化インジウム亜鉛などの酸化物透明導電層などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。電極の形成には、フォトリソグラフィ技術を用いることができる。 When used as a reflective electrode, for example, chromium, aluminum, silver, titanium, tungsten, molybdenum, or alloys or laminates of these can be used. The above materials can also function as a reflective film without acting as an electrode. Furthermore, when used as a transparent electrode, transparent conductive oxide layers such as indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide can be used, but are not limited to these. Photolithography techniques can be used to form the electrode.

一方、陰極の構成材料としては仕事関数の小さなものがよい。例えばリチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体またはこれらを含む混合物が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えばマグネシウム-銀、アルミニウム-リチウム、アルミニウム-マグネシウム、銀-銅、亜鉛-銀等が使用できる。酸化錫インジウム(ITO)等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。中でも銀を用いることが好ましく、銀の凝集を低減するため、銀合金とすることがさらに好ましい。銀の凝集が低減できれば、合金の比率は問わない。例えば、銀:他の金属が、1:1、3:1等であってよい。 On the other hand, materials with a low work function are preferred for the cathode. Examples include alkali metals such as lithium, alkaline earth metals such as calcium, and metals such as aluminum, titanium, manganese, silver, lead, and chromium, as well as mixtures containing these. Alloys combining these metals can also be used. For example, magnesium-silver, aluminum-lithium, aluminum-magnesium, silver-copper, and zinc-silver can be used. Metal oxides such as indium tin oxide (ITO) can also be used. These electrode materials can be used alone or in combination. The cathode can have either a single-layer or multi-layer structure. Among these, silver is preferred, and a silver alloy is even more preferred to reduce silver agglomeration. The alloy ratio is not important as long as silver agglomeration is reduced. For example, the silver:other metal ratio can be 1:1, 3:1, etc.

陰極は、ITOなどの酸化物導電層を使用してトップエミッション素子としてもよいし、アルミニウム(Al)などの反射電極を使用してボトムエミッション素子としてもよいし、特に限定されない。陰極の形成方法としては、特に限定されないが、直流及び交流スパッタリング法などを用いると、膜のカバレッジがよく、抵抗を下げやすいためより好ましい。
[画素分離層]
画素分離層は、化学気相堆積法(CVD法)を用いて形成されたシリコン窒化物(SiN)膜やシリコン酸窒化物(SiON)膜やシリコン酸化物(SiO)膜で形成される。有機膜の面内方向の抵抗を上げるために、有機膜の膜厚、特に正孔輸送層、は、画素分離層の側壁において薄く成膜されることが好ましい。具体的には、画素分離層の側壁のテーパー角や画素分離層の膜厚を大きくし、蒸着時のケラレを増加させることにより、側壁の膜厚を薄く成膜することができる。
The cathode may be a top-emission element using an oxide conductive layer such as ITO, or a bottom-emission element using a reflective electrode such as aluminum (Al), and is not particularly limited. The method for forming the cathode is not particularly limited, but DC and AC sputtering methods are more preferable because they provide good film coverage and make it easier to reduce resistance.
[Pixel isolation layer]
The pixel separation layer is formed of a silicon nitride (SiN) film, a silicon oxynitride (SiON) film, or a silicon oxide (SiO) film formed using a chemical vapor deposition (CVD) method. To increase the in-plane resistance of the organic film, it is preferable that the organic film, particularly the hole transport layer, be thinly formed on the sidewall of the pixel separation layer. Specifically, the thickness of the sidewall can be thinned by increasing the taper angle of the sidewall of the pixel separation layer or the thickness of the pixel separation layer, thereby increasing vignetting during deposition.

一方で、画素分離層は、その上に形成される保護層に空隙が形成されない程度に、画素分離層の側壁テーパー角や画素分離層の膜厚を調整することが好ましい。保護層に空隙が形成されないため、保護層に欠陥が発生することを低減できる。保護層に欠陥の発生を低減するので、ダークスポットの発生や、第二電極の導通不良の発生などの信頼性低下を低減することができる。 On the other hand, it is preferable to adjust the sidewall taper angle and film thickness of the pixel separation layer to such an extent that voids are not formed in the protective layer formed on top of it. Since voids are not formed in the protective layer, the occurrence of defects in the protective layer can be reduced. Since the occurrence of defects in the protective layer is reduced, it is possible to reduce reliability degradation such as the occurrence of dark spots and poor conductivity of the second electrode.

本実施形態によれば、画素分離層の側壁のテーパー角が急峻でなくとも、隣接画素への電荷漏れを効果的に抑制することが可能になる。本検討の結果、テーパー角が60度以上90度以下の範囲であれば十分低減できることが分かった。画素分離層の膜厚は10nm以上から150nm以下であることが望ましい。また、画素分離層を有さない画素電極のみで構成されていても同様の効果が得られる。ただし、この場合画素電極の膜厚は有機層の半分以下するか、画素電極端部を60°未満の順テーパーにすることが有機発光素子の短絡が低減できるので好ましい。
[有機膜]
有機膜は、単層で形成されても、複数層で形成されてもよい。複数層を有する場合には、その機能によって、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロッキング層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、と呼ばれてよい。有機膜は、主に有機化合物で構成されるが、無機原子、無機化合物を含んでいてもよい。例えば、銅、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、イリジウム、白金、モリブデン、亜鉛等を有してよい。有機膜は、第一電極と第二電極との間に配置されてよく、第一電極及び第二電極に接して配されてよい。
According to this embodiment, charge leakage to adjacent pixels can be effectively suppressed even if the taper angle of the sidewall of the pixel separation layer is not steep. As a result of this study, it was found that sufficient reduction is possible if the taper angle is in the range of 60 degrees or more and 90 degrees or less. The thickness of the pixel separation layer is preferably 10 nm or more and 150 nm or less. Similar effects can also be achieved even if the pixel electrode is composed only of a pixel electrode without a pixel separation layer. However, in this case, it is preferable that the thickness of the pixel electrode be half or less than that of the organic layer, or that the edge of the pixel electrode be forward tapered at less than 60 degrees, in order to reduce short circuits in the organic light-emitting element.
[Organic film]
The organic film may be formed as a single layer or as multiple layers. When multiple layers are included, they may be called hole injection layer, hole transport layer, electron blocking layer, light-emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, or electron injection layer depending on their functions. The organic film is mainly composed of organic compounds, but may also contain inorganic atoms or inorganic compounds. For example, the organic film may contain copper, lithium, magnesium, aluminum, iridium, platinum, molybdenum, zinc, or the like. The organic film may be disposed between the first electrode and the second electrode, or may be disposed in contact with the first electrode and the second electrode.

発光層を複数有する場合には、第一発光層、第二発光層の間に電荷発生部を有してよい。電荷発生部は最低非占有分子軌道エネルギー(LUMO)が-5.0eV以下の有機化合物を有してよい。第二発光層、第三発光層の間に電荷発生部を有する場合も同様である。
[保護層]
第二電極の上に、保護層を設けてもよい。例えば、第二電極上に吸湿剤を設けたガラスを接着することで、有機膜に対する水等の浸入を低減し、表示不良の発生を低減することができる。また、別の実施形態としては、陰極上に窒化ケイ素等のパッシベーション膜を設け、有機膜に対する水等の浸入を低減してもよい。例えば、陰極を形成後に真空を破らずに別のチャンバーに搬送し、CVD法で厚さ2μmの窒化ケイ素膜を形成することで、保護層としてもよい。CVD法の成膜の後で原子堆積法(ALD法)を用いた保護層を設けてもよい。ALD法による膜の材料は限定されないが、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等であってよい。ALD法で形成した膜の上に、さらにCVD法で窒化ケイ素を形成してよい。ALD法による膜は、CVD法で形成した膜よりも小さい膜厚であってよい。具体的には、50%以下、さらには、10%以下であってよい。
[カラーフィルタ]
保護層の上にカラーフィルタを設けてもよい。例えば、有機発光素子のサイズを考慮したカラーフィルタを別の基板上に設け、それと有機発光素子を設けた基板と貼り合わせてもよいし、上記で示した保護層上にフォトリソグラフィ技術を用いて、カラーフィルタをパターニングしてもよい。カラーフィルタは、高分子で構成されてよい。
[平坦化層]
カラーフィルタと保護層との間に平坦化層を有してもよい。平坦化層は、下の層の凹凸を低減する目的で設けられる。目的を制限せずに、材質樹脂層と呼ばれる場合もある。平坦化層は有機化合物で構成されてよく、低分子であっても、高分子であってもよいが、高分子であることが好ましい。
When a plurality of light-emitting layers are provided, a charge generation portion may be provided between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer. The charge generation portion may include an organic compound having a lowest unoccupied molecular orbital energy (LUMO) of −5.0 eV or less. The same applies when a charge generation portion is provided between the second light-emitting layer and the third light-emitting layer.
[Protective layer]
A protective layer may be provided on the second electrode. For example, by adhering glass provided with a moisture absorbent to the second electrode, the infiltration of water and the like into the organic film can be reduced, thereby reducing the occurrence of display defects. In another embodiment, a passivation film such as silicon nitride may be provided on the cathode to reduce the infiltration of water and the like into the organic film. For example, after forming the cathode, the cathode may be transported to another chamber without breaking the vacuum, and a 2 μm-thick silicon nitride film may be formed by CVD to serve as a protective layer. A protective layer may be provided using atomic layer deposition (ALD) after the CVD film formation. The material of the film formed by ALD is not limited, and may be silicon nitride, silicon oxide, aluminum oxide, etc. Silicon nitride may be further formed on the film formed by ALD by CVD. The film formed by ALD may have a thickness smaller than that of the film formed by CVD. Specifically, it may be 50% or less, or even 10% or less.
[Color filter]
A color filter may be provided on the protective layer. For example, a color filter taking into consideration the size of the organic light-emitting element may be provided on a separate substrate and then bonded to the substrate on which the organic light-emitting element is provided, or a color filter may be patterned on the protective layer described above using photolithography technology. The color filter may be made of a polymer.
[Planarization layer]
A planarization layer may be provided between the color filter and the protective layer. The planarization layer is provided for the purpose of reducing the unevenness of the underlying layer. It may also be called a material resin layer without limiting its purpose. The planarization layer may be composed of an organic compound, and may be either a low molecular weight or a high molecular weight, but a high molecular weight is preferred.

平坦化層は、カラーフィルタの上下に設けられてもよく、その構成材料は同じであっても異なってもよい。具体的には、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ABS樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等があげられる。
[マイクロレンズ]
有機発光装置は、その光出射側にマイクロレンズ等の光学部材を有してよい。マイクロレンズは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等で構成されうる。マイクロレンズは、有機発光装置から取り出す光量の増加、取り出す光の方向の制御を目的としてよい。マイクロレンズは、半球の形状を有してよい。半球の形状を有する場合、当該半球に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半球との接点がマイクロレンズの頂点である。マイクロレンズの頂点は、任意の断面図においても同様に決定することができる。つまり、断面図におけるマイクロレンズの半円に接する接線のうち、絶縁層と平行になる接線があり、その接線と半円との接点がマイクロレンズの頂点である。
The planarizing layer may be provided above or below the color filter, and may be made of the same or different materials, such as polyvinyl carbazole resin, polycarbonate resin, polyester resin, ABS resin, acrylic resin, polyimide resin, phenol resin, epoxy resin, silicone resin, and urea resin.
[Microlens]
The organic light-emitting device may have an optical component such as a microlens on its light-emitting side. The microlens may be made of acrylic resin, epoxy resin, or the like. The microlens may be used to increase the amount of light extracted from the organic light-emitting device and to control the direction of the extracted light. The microlens may have a hemispherical shape. When the microlens has a hemispherical shape, among the tangents to the hemisphere, there is a tangent that is parallel to the insulating layer, and the point of contact between this tangent and the hemisphere is the vertex of the microlens. The vertex of the microlens can be determined in the same way in any cross-sectional view. In other words, among the tangents to the semicircle of the microlens in the cross-sectional view, there is a tangent that is parallel to the insulating layer, and the point of contact between this tangent and the semicircle is the vertex of the microlens.

また、マイクロレンズの中点を定義することもできる。マイクロレンズの断面において、円弧の形状が終了する点から別の円弧の形状が終了する点までの線分を仮想し、当該線分の中点がマイクロレンズの中点と呼ぶことができる。頂点、中点を判別する断面は、絶縁層に垂直な断面であってよい。 The midpoint of a microlens can also be defined. In the cross section of the microlens, a line segment can be imagined from the point where an arc shape ends to the point where another arc shape ends, and the midpoint of this line segment can be called the midpoint of the microlens. The cross section used to determine the vertex and midpoint may be a cross section perpendicular to the insulating layer.

マイクロレンズは凸部を有する第一面と、第一面と反対の第二面を有する。第二面が第一面よりも機能層側に配されていることが好ましい。このような構成を取るためには、発光装置上にマイクロレンズを形成する必要がある。機能層が有機層の場合には、製造工程において高温になるプロセスは避ける方が好ましい。また、第二面が第一面よりも機能層側に配されている構成を取る場合には、有機層を構成する有機化合物のガラス転移温度がすべて100℃以上であることが好ましく、130℃以上であることがより好ましい。
[対向基板]
平坦化層の上には、対向基板を有してよい。対向基板は、前述の基板と対応する位置に設けられるため、対向基板と呼ばれる。対向基板の構成材料は、前述の基板と同じであってよい。対向基板は、前述の基板を第一基板とした場合、第二基板であってよい。
[有機層]
本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機膜(正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等)は、以下に示す方法により形成される。
The microlens has a first surface having a convex portion and a second surface opposite the first surface. It is preferable that the second surface is disposed closer to the functional layer than the first surface. To achieve this configuration, it is necessary to form the microlens on the light-emitting device. When the functional layer is an organic layer, it is preferable to avoid processes that result in high temperatures during the manufacturing process. Furthermore, when the second surface is disposed closer to the functional layer than the first surface, it is preferable that the glass transition temperatures of all of the organic compounds that make up the organic layer are 100°C or higher, and more preferably 130°C or higher.
[Counter substrate]
An opposing substrate may be provided on the planarization layer. The opposing substrate is called an opposing substrate because it is provided at a position corresponding to the aforementioned substrate. The constituent material of the opposing substrate may be the same as that of the aforementioned substrate. When the aforementioned substrate is defined as a first substrate, the opposing substrate may be a second substrate.
[Organic layer]
The organic films (hole injection layer, hole transport layer, electron blocking layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer, etc.) constituting the organic light emitting device according to one embodiment of the present invention are formed by the method shown below.

本発明の一実施形態に係る有機発光素子を構成する有機膜は、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ等のドライプロセスを用いることができる。またドライプロセスに代えて、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法(例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、LB法、インクジェット法等)により層を形成するウェットプロセスを用いることもできる。 The organic film that constitutes the organic light-emitting device according to one embodiment of the present invention can be formed using dry processes such as vacuum deposition, ionization deposition, sputtering, and plasma. Instead of a dry process, a wet process can also be used in which the material is dissolved in an appropriate solvent and a layer is formed using a known coating method (e.g., spin coating, dipping, casting, LB method, inkjet method, etc.).

ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。 Here, if a layer is formed using a vacuum deposition method or solution coating method, crystallization is unlikely to occur and the layer has excellent stability over time. Furthermore, when forming a film using a coating method, it is also possible to form a film by combining it with an appropriate binder resin.

上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ABS樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Examples of the binder resin include, but are not limited to, polyvinyl carbazole resin, polycarbonate resin, polyester resin, ABS resin, acrylic resin, polyimide resin, phenolic resin, epoxy resin, silicone resin, and urea resin.

また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。 These binder resins may be used singly as homopolymers or copolymers, or as a mixture of two or more types. Furthermore, known additives such as plasticizers, antioxidants, and ultraviolet absorbers may be used in combination, if necessary.

以下、本明細書および図面の開示事項について例示的に説明する。本明細書および図面は、少なくとも以下の事項を開示している。
(項目1)
第1方向に平行な第1辺および第2辺および前記第1方向に直交する第2方向に平行な第3辺および第4辺を有する矩形基板を有する発光装置であって、
前記矩形基板に配置された複数の発光素子で構成される発光素子アレイと、
前記第1辺と前記発光素子アレイとの間に位置するように前記矩形基板に配置されたパッドと、
前記発光素子アレイおよび前記パッドに対する水分の浸入を抑えるように前記矩形基板に配置された耐湿リング構造と、を備え、
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイと前記第1辺との間に配置された耐湿壁を含み、
前記第2方向における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との最短距離が、前記第2方向に平行かつ前記発光素子アレイおよび前記パッドを通る仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との距離より小さい、
ことを特徴とする発光装置。
(項目2)
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングを含み、
前記耐湿壁は、前記第1耐湿リングの一部である、
ことを特徴とする項目1に記載の発光装置。
(項目3)
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第2耐湿リングは、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする項目1に記載の発光装置。
(項目4)
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第1耐湿リングおよび第2耐湿リングの少なくとも一方は、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする項目1に記載の発光装置。
(項目5)
前記第1耐湿リングは、前記発光素子アレイを全周にわたって取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする項目2乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
(項目6)
前記第1耐湿リングは、前記発光素子アレイおよび前記パッドを全周にわたって取り囲むように配置され、
前記第2耐湿リングは、前記第2耐湿リングの内側に配置された構造体を全周にわたって取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする項目3又は4に記載の発光装置。
(項目7)
前記発光素子アレイに外接する最小矩形は、前記第1方向の寸法が前記第2方向の寸法より大きい、
ことを特徴とする項目2乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
(項目8)
前記複数の発光素子の各々は、有機材料で構成された複数の機能層を含む、
ことを特徴とする項目1乃至7のいずれか1項に記載の発光装置。
(項目9)
前記複数の発光素子を駆動するための信号または電位を受けるように前記矩形基板に配置された複数のコンタクト領域を更に備え、
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドの他、前記複数のコンタクト領域に対する水分の浸入を抑えるように前記矩形基板に配置されている、
ことを特徴とする項目1乃至8のいずれか1項に記載の発光装置。
(項目10)
前記複数のコンタクト領域は、前記発光素子アレイと前記第1辺との間に配置された第1コンタクト領域と、前記発光素子アレイと前記第3辺との間に配置された第2コンタクト領域と、前記発光素子アレイと前記第4辺との間に配置された第3コンタクト領域と、を含む、
ことを特徴とする項目9に記載の発光装置。
(項目11)
前記耐湿壁のうち前記最短距離を規定する部分は、前記パッドと前記第1コンタクト領域との間に配置されている、
ことを特徴とする項目10に記載の発光装置。
(項目12)
前記第1辺と前記発光素子アレイとの間に位置するように前記矩形基板に配置された第2パッドを更に備え、
前記耐湿壁のうち前記最短距離を規定する部分は、前記パッドと前記第2パッドとの間に配置されている、
ことを特徴とする項目1乃至11のいずれか1項に記載の発光装置。
(項目13)
前記耐湿壁と前記第1辺との間に、前記複数の発光素子を形成するための蒸着マスクの一部が接触した痕跡を有する、
ことを特徴とする項目1乃至12のいずれか1項に記載の発光装置。
(項目14)
感光体と、
前記感光体を帯電させる帯電部と、
前記感光体の表面に静電潜像を形成するように前記表面を露光する露光部と、
前記静電潜像を現像する現像部と、を備え、
前記露光部は、項目1乃至13のいずれか1項に記載の発光装置を含む、
ことを特徴とする画像形成装置。
(項目15)
発光装置の製造方法であって、
前記発光装置は、第1方向に平行な第1辺および第2辺および前記第1方向に直交する第2方向に平行な第3辺および第4辺を有する矩形基板と、前記矩形基板に配置された複数の発光素子で構成される発光素子アレイと、前記第1辺と前記発光素子アレイとの間に位置するように前記矩形基板に配置されたパッドと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように前記矩形基板に配置された耐湿リング構造とを備え、前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイと前記第1辺との間に配置された耐湿壁を含み、前記第2方向における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との最短距離が、前記第2方向に平行かつ前記発光素子アレイおよび前記パッドを通る仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との距離より小さく、
前記製造方法は、各々前記矩形基板となるべき複数の矩形基板領域を有する材料基板に蒸着マスクを用いて機能層の形成材料を蒸着する蒸着工程を有し、
前記材料基板の前記複数の矩形基板領域の各々は、前記耐湿壁のうち前記最短距離を規定する部分と前記第1辺との間に接触許容領域を有し、
前記蒸着マスクは、前記複数の矩形基板領域における前記接触許容領域にそれぞれ接触する複数の突出部と、複数の開口を有するパターン部とを備え、
前記蒸着工程では、前記複数の突出部によって前記材料基板と前記パターン部との距離を規定する、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
(項目16)
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングを含み、
前記耐湿壁は、前記第1耐湿リングの一部である、
ことを特徴とする項目15に記載の発光装置の製造方法。
(項目17)
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第2耐湿リングは、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする項目15に記載の発光装置の製造方法。
(項目18)
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第1耐湿リングおよび第2耐湿リングの少なくとも一方は、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする項目15に記載の発光装置の製造方法。
(項目19)
前記第1耐湿リングは、前記発光素子アレイを全周にわたって取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする項目16乃至18のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
The disclosure of the present specification and drawings will be described below by way of example. The present specification and drawings disclose at least the following items.
(Item 1)
A light emitting device having a rectangular substrate having first and second sides parallel to a first direction and third and fourth sides parallel to a second direction perpendicular to the first direction,
a light-emitting element array configured with a plurality of light-emitting elements arranged on the rectangular substrate;
a pad disposed on the rectangular substrate so as to be located between the first side and the light-emitting element array;
a moisture-resistant ring structure disposed on the rectangular substrate so as to prevent moisture from entering the light-emitting element array and the pads;
the moisture-resistant ring structure includes a moisture-resistant wall disposed between the light-emitting element array and the first side,
the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall in the second direction is shorter than the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on an imaginary line that is parallel to the second direction and passes through the light-emitting element array and the pad;
A light emitting device characterized by:
(Item 2)
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad;
the moisture-resistant wall is a part of the first moisture-resistant ring;
2. The light emitting device according to claim 1.
(Item 3)
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
2. The light emitting device according to claim 1.
(Item 4)
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
at least one of the first moisture-resistant ring and the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
2. The light emitting device according to claim 1.
(Item 5)
the first moisture-resistant ring is disposed so as to surround the entire periphery of the light-emitting element array;
5. The light emitting device according to any one of items 2 to 4.
(Item 6)
the first moisture-resistant ring is disposed so as to surround the light-emitting element array and the pads over the entire periphery;
the second moisture-proof ring is disposed so as to surround the entire periphery of the structure disposed inside the second moisture-proof ring;
5. The light-emitting device according to item 3 or 4.
(Item 7)
the minimum rectangle circumscribing the light-emitting element array has a dimension in the first direction greater than a dimension in the second direction;
5. The light emitting device according to any one of items 2 to 4.
(Item 8)
Each of the plurality of light-emitting elements includes a plurality of functional layers made of an organic material.
8. The light emitting device according to any one of items 1 to 7.
(Item 9)
a plurality of contact regions disposed on the rectangular substrate to receive signals or potentials for driving the plurality of light-emitting elements;
the moisture-resistant ring structure is disposed on the rectangular substrate so as to prevent moisture from entering the light-emitting element array, the pads, and the plurality of contact regions;
9. The light emitting device according to any one of items 1 to 8.
(Item 10)
The plurality of contact regions include a first contact region disposed between the light-emitting element array and the first side, a second contact region disposed between the light-emitting element array and the third side, and a third contact region disposed between the light-emitting element array and the fourth side.
10. The light emitting device according to item 9.
(Item 11)
a portion of the moisture-resistant wall that defines the shortest distance is disposed between the pad and the first contact region;
11. The light emitting device according to item 10.
(Item 12)
a second pad disposed on the rectangular substrate so as to be located between the first side and the light-emitting element array;
a portion of the moisture-resistant wall that defines the shortest distance is disposed between the pad and the second pad;
12. The light emitting device according to any one of items 1 to 11.
(Item 13)
a trace of contact of a part of a vapor deposition mask for forming the plurality of light-emitting elements between the moisture-resistant wall and the first edge;
13. The light emitting device according to any one of items 1 to 12.
(Item 14)
A photoreceptor;
a charging unit that charges the photosensitive member;
an exposure unit that exposes the surface of the photoreceptor to light so as to form an electrostatic latent image on the surface of the photoreceptor;
a developing unit that develops the electrostatic latent image,
The exposure unit includes the light-emitting device according to any one of items 1 to 13.
An image forming apparatus characterized by:
(Item 15)
A method for manufacturing a light emitting device, comprising:
the light emitting device comprises a rectangular substrate having first and second sides parallel to a first direction and third and fourth sides parallel to a second direction perpendicular to the first direction, a light emitting element array composed of a plurality of light emitting elements arranged on the rectangular substrate, a pad arranged on the rectangular substrate so as to be located between the first side and the light emitting element array, and a moisture-resistant ring structure arranged on the rectangular substrate so as to surround the light emitting element array and the pad, the moisture-resistant ring structure including a moisture-resistant wall arranged between the light emitting element array and the first side, the shortest distance between the light emitting element array and the moisture-resistant wall in the second direction being shorter than the distance between the light emitting element array and the moisture-resistant wall on an imaginary line parallel to the second direction and passing through the light emitting element array and the pad,
The manufacturing method includes a vapor deposition step of depositing a functional layer formation material on a material substrate having a plurality of rectangular substrate regions each of which is to become the rectangular substrate, using a vapor deposition mask;
each of the plurality of rectangular substrate regions of the material substrate has a contact allowance region between a portion of the moisture-resistant wall that defines the shortest distance and the first side;
the deposition mask includes a pattern portion having a plurality of protrusions that contact the contact-allowing regions in the plurality of rectangular substrate regions, and a plurality of openings;
In the vapor deposition step, the distance between the material substrate and the pattern portion is defined by the plurality of protrusions.
A method for manufacturing a light emitting device comprising the steps of:
(Item 16)
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad;
the moisture-resistant wall is a part of the first moisture-resistant ring;
Item 16. The method for manufacturing a light-emitting device according to item 15.
(Item 17)
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
Item 16. The method for manufacturing a light-emitting device according to item 15.
(Item 18)
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
at least one of the first moisture-resistant ring and the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
Item 16. The method for manufacturing a light-emitting device according to item 15.
(Item 19)
the first moisture-resistant ring is disposed so as to surround the entire periphery of the light-emitting element array;
19. The method for manufacturing a light emitting device according to any one of items 16 to 18.

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are appended to clarify the scope of the invention.

1:材料基板、2:発光装置、3:発光素子アレイ、4:蒸着マスク、5:開口、6:突出部、7:第1耐湿リング、8:パッド、9:コンタクト領域、10:接触許容領域、11:第2耐湿リング、12:絶縁層、13:第1電極、14:有機膜、15:第2電極、16:保護膜、RS:矩形基板、70:耐湿リング構造、71:耐湿壁、72:耐湿壁、VSL:仮想直線、S1:第1辺、S2:第2辺、S3:第3辺、S4:第4辺 1: Material substrate, 2: Light-emitting device, 3: Light-emitting element array, 4: Vapor deposition mask, 5: Opening, 6: Protrusion, 7: First moisture-resistant ring, 8: Pad, 9: Contact area, 10: Contact-permitted area, 11: Second moisture-resistant ring, 12: Insulating layer, 13: First electrode, 14: Organic film, 15: Second electrode, 16: Protective film, RS: Rectangular substrate, 70: Moisture-resistant ring structure, 71: Moisture-resistant wall, 72: Moisture-resistant wall, VSL: Virtual straight line, S1: First edge, S2: Second edge, S3: Third edge, S4: Fourth edge

Claims (18)

第1方向に平行な第1辺および第2辺および前記第1方向に直交する第2方向に平行な第3辺および第4辺を有する基板を有する発光装置であって、
前記基板に配置された複数の発光素子を有する発光素子アレイと、
前記第1辺と前記発光素子アレイとの間に位置するように前記基板に配置されたパッドと、
前記発光素子アレイおよび前記パッドに対する水分の浸入を抑えるように前記基板に配置された耐湿リング構造と、を備え、
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイと前記第1辺との間に配置された耐湿壁を含み、
前記第2方向における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との最短距離が、前記第2方向に平行かつ前記発光素子アレイおよび前記パッドを通る仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との距離より小さい、
ことを特徴とする発光装置。
A light emitting device having a substrate having first and second sides parallel to a first direction and third and fourth sides parallel to a second direction perpendicular to the first direction,
a light-emitting element array having a plurality of light-emitting elements arranged on the substrate;
a pad disposed on the substrate so as to be located between the first side and the light-emitting element array;
a moisture-resistant ring structure disposed on the substrate so as to prevent moisture from entering the light-emitting element array and the pads;
the moisture-resistant ring structure includes a moisture-resistant wall disposed between the light-emitting element array and the first side,
the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall in the second direction is shorter than the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on an imaginary line that is parallel to the second direction and passes through the light-emitting element array and the pad;
A light-emitting device characterized by:
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングを含み、
前記耐湿壁は、前記第1耐湿リングの一部である、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad;
the moisture-resistant wall is a part of the first moisture-resistant ring;
2. The light emitting device according to claim 1.
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第2耐湿リングは、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
2. The light emitting device according to claim 1.
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第1耐湿リングおよび第2耐湿リングの少なくとも一方は、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
at least one of the first moisture-resistant ring and the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
2. The light emitting device according to claim 1.
前記第1耐湿リングは、前記発光素子アレイを全周にわたって取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
the first moisture-resistant ring is disposed so as to surround the entire periphery of the light-emitting element array;
5. The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.
前記第1耐湿リングは、前記発光素子アレイおよび前記パッドを全周にわたって取り囲むように配置され、
前記第2耐湿リングは、前記第2耐湿リングの内側に配置された構造体を全周にわたって取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする請求項3又は4に記載の発光装置。
the first moisture-resistant ring is disposed so as to surround the light-emitting element array and the pads over the entire periphery;
the second moisture-proof ring is disposed so as to surround the entire periphery of the structure disposed inside the second moisture-proof ring;
5. The light emitting device according to claim 3 or 4.
前記発光素子アレイに外接する最小矩形は、前記第1方向の寸法が前記第2方向の寸法より大きい、
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
the minimum rectangle circumscribing the light-emitting element array has a dimension in the first direction greater than a dimension in the second direction;
5. The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.
前記複数の発光素子の各々は、有機材料で構成された複数の機能層を含む、
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
Each of the plurality of light-emitting elements includes a plurality of functional layers made of an organic material.
5. The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.
前記複数の発光素子を駆動するための信号または電位を受けるように前記基板に配置された複数のコンタクト領域を更に備え、
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドの他、前記複数のコンタクト領域に対する水分の浸入を抑えるように前記基板に配置されている、
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
a plurality of contact regions disposed on the substrate to receive signals or potentials for driving the plurality of light-emitting elements;
the moisture-resistant ring structure is disposed on the substrate so as to prevent moisture from entering the light-emitting element array, the pads, and the plurality of contact regions;
5. The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.
前記複数のコンタクト領域は、前記発光素子アレイと前記第1辺との間に配置された第1コンタクト領域と、前記発光素子アレイと前記第3辺との間に配置された第2コンタクト領域と、前記発光素子アレイと前記第4辺との間に配置された第3コンタクト領域と、を含む、
ことを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
The plurality of contact regions include a first contact region disposed between the light-emitting element array and the first side, a second contact region disposed between the light-emitting element array and the third side, and a third contact region disposed between the light-emitting element array and the fourth side.
10. The light emitting device according to claim 9.
前記耐湿壁のうち前記最短距離を規定する部分は、前記パッドと前記第1コンタクト領域との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
a portion of the moisture-resistant wall that defines the shortest distance is disposed between the pad and the first contact region;
11. The light emitting device according to claim 10.
前記第1辺と前記発光素子アレイとの間に位置するように前記基板に配置された第2パッドを更に備え、
前記耐湿壁のうち前記最短距離を規定する部分は、前記パッドと前記第2パッドとの間に配置されている、
ことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
a second pad disposed on the substrate so as to be located between the first side and the light-emitting element array;
a portion of the moisture resistant wall that defines the shortest distance is disposed between the pad and the second pad;
5. The light emitting device according to claim 2, wherein the light emitting device is a light emitting device.
感光体と、
前記感光体を帯電させる帯電部と、
前記感光体の表面に静電潜像を形成するように前記表面を露光する露光部と、
前記静電潜像を現像する現像部と、を備え、
前記露光部は、請求項1に記載の発光装置を含む、
ことを特徴とする画像形成装置。
A photoreceptor;
a charging unit that charges the photosensitive member;
an exposure unit that exposes the surface of the photoreceptor to light so as to form an electrostatic latent image on the surface of the photoreceptor;
a developing unit that develops the electrostatic latent image,
The exposure unit includes the light-emitting device according to claim 1.
An image forming apparatus characterized by:
発光装置の製造方法であって、
前記発光装置は、第1方向に平行な第1辺および第2辺および前記第1方向に直交する第2方向に平行な第3辺および第4辺を有する基板と、前記基板に配置された複数の発光素子を有する発光素子アレイと、前記第1辺と前記発光素子アレイとの間に位置するように前記基板に配置されたパッドと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように前記基板に配置された耐湿リング構造とを備え、前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイと前記第1辺との間に配置された耐湿壁を含み、前記第2方向における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との最短距離が、前記第2方向に平行かつ前記発光素子アレイおよび前記パッドを通る仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との距離より小さく、
前記製造方法は、各々前記基板となるべき複数の基板領域を有する材料基板に蒸着マスクを用いて機能層の形成材料を蒸着する蒸着工程を有し、
前記材料基板の前記複数の基板領域の各々は、前記耐湿壁のうち前記最短距離を規定する部分と前記第1辺との間に接触許容領域を有し、
前記蒸着マスクは、前記複数の基板領域における前記接触許容領域にそれぞれ接触する複数の突出部と、複数の開口を有するパターン部とを備え、
前記蒸着工程では、前記複数の突出部によって前記材料基板と前記パターン部との距離を規定する、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。
A method for manufacturing a light emitting device, comprising:
the light-emitting device comprises a substrate having first and second sides parallel to a first direction and third and fourth sides parallel to a second direction perpendicular to the first direction, a light-emitting element array having a plurality of light-emitting elements arranged on the substrate, a pad arranged on the substrate so as to be located between the first side and the light-emitting element array, and a moisture-resistant ring structure arranged on the substrate so as to surround the light-emitting element array and the pad, the moisture-resistant ring structure including a moisture-resistant wall arranged between the light-emitting element array and the first side, and the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall in the second direction is shorter than the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on an imaginary line parallel to the second direction and passing through the light-emitting element array and the pad,
The manufacturing method includes a vapor deposition step of depositing a functional layer formation material on a material substrate having a plurality of substrate regions each to become the substrate, using a vapor deposition mask;
each of the plurality of substrate regions of the material substrate has a contact allowance region between a portion of the moisture-resistant wall that defines the shortest distance and the first edge;
the deposition mask includes a pattern portion having a plurality of protrusions that contact the contact-allowing regions in the plurality of substrate regions, and a plurality of openings;
In the vapor deposition step, the distance between the material substrate and the pattern portion is defined by the plurality of protrusions.
A method for manufacturing a light emitting device comprising the steps of:
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングを含み、
前記耐湿壁は、前記第1耐湿リングの一部である、
ことを特徴とする請求項14に記載の発光装置の製造方法。
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad;
the moisture-resistant wall is a part of the first moisture-resistant ring;
15. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 14 .
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第2耐湿リングは、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする請求項14に記載の発光装置の製造方法。
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
15. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 14 .
前記耐湿リング構造は、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲むように配置された第1耐湿リングと、前記発光素子アレイおよび前記パッドを取り囲まず、かつ、前記第1耐湿リングによって取り囲まれるように配置された第2耐湿リングとを含み、
前記第1耐湿リングは、前記仮想直線の上における前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記距離を規定する部分を含み、
前記第1耐湿リングおよび第2耐湿リングの少なくとも一方は、前記発光素子アレイと前記耐湿壁との前記最短距離を規定する部分を含む、
ことを特徴とする請求項14に記載の発光装置の製造方法。
the moisture-resistant ring structure includes a first moisture-resistant ring arranged to surround the light-emitting element array and the pad, and a second moisture-resistant ring arranged not to surround the light-emitting element array and the pad but to be surrounded by the first moisture-resistant ring;
the first moisture-resistant ring includes a portion that defines the distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall on the imaginary straight line,
at least one of the first moisture-resistant ring and the second moisture-resistant ring includes a portion that defines the shortest distance between the light-emitting element array and the moisture-resistant wall;
15. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 14 .
前記第1耐湿リングは、前記発光素子アレイを全周にわたって取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする請求項15乃至17のいずれか1項に記載の発光装置の製造方法。
the first moisture-resistant ring is disposed so as to surround the entire periphery of the light-emitting element array;
18. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 15 .
JP2024093862A 2023-08-31 2024-06-10 Light-emitting device, manufacturing method thereof, and image-forming device Active JP7797574B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US18/813,282 US20250081806A1 (en) 2023-08-31 2024-08-23 Light emitting apparatus, manufacturing method thereof, and image forming apparatus
CN202411201136.9A CN119546095A (en) 2023-08-31 2024-08-29 Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, and imaging device
KR1020240116550A KR20250033069A (en) 2023-08-31 2024-08-29 Light emitting apparatus, manufacturing method thereof, and image forming apparatus
EP24197456.7A EP4518626A3 (en) 2023-08-31 2024-08-30 Light emitting apparatus, manufacturing method thereof, and image forming apparatus

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023141383 2023-08-31
JP2023141383 2023-08-31
JP2023178387 2023-10-16
JP2023178387 2023-10-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2025036099A JP2025036099A (en) 2025-03-14
JP7797574B2 true JP7797574B2 (en) 2026-01-13

Family

ID=94928798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024093862A Active JP7797574B2 (en) 2023-08-31 2024-06-10 Light-emitting device, manufacturing method thereof, and image-forming device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7797574B2 (en)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120104937A1 (en) 2010-10-28 2012-05-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device, manufacturing method of the display device, organic light emitting diode display
JP2012133302A (en) 2010-12-17 2012-07-12 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and organic light-emitting display device
JP2015017307A (en) 2013-07-11 2015-01-29 大日本印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method
JP2017216150A (en) 2016-05-31 2017-12-07 京セラディスプレイ株式会社 Light-emitting device
JP2018029070A (en) 2017-10-02 2018-02-22 セイコーエプソン株式会社 Light-emitting device and electronic apparatus
JP2019075229A (en) 2017-10-13 2019-05-16 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
WO2020021722A1 (en) 2018-07-27 2020-01-30 シャープ株式会社 Method for manufacturing display device
WO2020194525A1 (en) 2019-03-26 2020-10-01 シャープ株式会社 Display device and method for manufacturing same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220094445A (en) * 2020-12-29 2022-07-06 엘지디스플레이 주식회사 Display apparatus

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120104937A1 (en) 2010-10-28 2012-05-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Display device, manufacturing method of the display device, organic light emitting diode display
JP2012133302A (en) 2010-12-17 2012-07-12 Samsung Mobile Display Co Ltd Display device and organic light-emitting display device
JP2015017307A (en) 2013-07-11 2015-01-29 大日本印刷株式会社 Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, and organic semiconductor element manufacturing method
JP2017216150A (en) 2016-05-31 2017-12-07 京セラディスプレイ株式会社 Light-emitting device
JP2018029070A (en) 2017-10-02 2018-02-22 セイコーエプソン株式会社 Light-emitting device and electronic apparatus
JP2019075229A (en) 2017-10-13 2019-05-16 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
WO2020021722A1 (en) 2018-07-27 2020-01-30 シャープ株式会社 Method for manufacturing display device
WO2020194525A1 (en) 2019-03-26 2020-10-01 シャープ株式会社 Display device and method for manufacturing same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2025036099A (en) 2025-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101980780B1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN108122944B (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
CN108242457B (en) display device
CN108231830B (en) Organic light emitting display device
US9236419B2 (en) Organic light emitting display device having electrodes of subpixels with different thicknesses and method of manufacturing the same
KR101920770B1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101920769B1 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101878186B1 (en) Organic light emitting display and fabricating method thereof
WO2021077332A1 (en) Display substrate, preparation method therefor, and display device
WO2021081765A1 (en) Display substrate, preparation method therefor, and display device
TWI697115B (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
KR20180013226A (en) Organic light emitting display and fabricating method thereof
KR20150134953A (en) Organic light emitting diode display device and the emthod fof fabricating the same
KR101992914B1 (en) Organic light emitting display and fabricating method thereof
JP7797574B2 (en) Light-emitting device, manufacturing method thereof, and image-forming device
KR20230095704A (en) Electroluminescent display device
US20240107837A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
US20250081806A1 (en) Light emitting apparatus, manufacturing method thereof, and image forming apparatus
CN117441128B (en) Display substrate
WO2025065493A9 (en) Display substrate and display device
CN118201404A (en) Light-emitting display device and method of manufacturing the same
JP7802862B2 (en) Light-emitting devices
CN223274466U (en) Display substrate, display device
US20250081791A1 (en) Oled chip, exposure head, image forming apparatus, and method of manufacturing oled chip
JP5004722B2 (en) Method for manufacturing organic EL panel and method for manufacturing organic EL display

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240729

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240729

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20250829

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20250905

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20251028

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20251125

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20251224

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7797574

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150