JP7797583B2 - 発光デバイス - Google Patents

Description

本発明の一態様は、発光デバイス、有機化合物または該発光デバイスを有する表示装置、電子機器及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光デバイスの研究開発が盛んに行われている。これら発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層（ＥＬ層）を挟んだ構成である。この電極間に電圧を印加することにより、発光性の物質から発光を得ることができる。

上述の発光デバイスは自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れる、バックライトが不要、消費電力が小さい等の特徴を有する。さらに、薄型軽量に作製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。

このような発光デバイスの場合、一対の電極間に電圧が印加されると、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）がそれぞれＥＬ層に注入され、電流が流れる。そして、注入された電子及び正孔が再結合することによって発光性の物質が励起状態となり発光を得ることができる。

上記発光性の物質が有機化合物である場合、当該有機化合物が形成する励起状態の種類には、一重項励起状態（Ｓ^＊）と三重項励起状態（Ｔ^＊）の二種類があり、一重項励起状態からの発光は蛍光、三重項励起状態からの発光はりん光と呼ばれている。電流励起である上記発光デバイスにおけるそれら励起状態の統計的な生成比率は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であるため、発光デバイスに用いる発光性の物質としては、一重項励起状態のエネルギーを発光に変換する蛍光性材料を用いるより、三重項励起状態のエネルギーを発光に変換するりん光性材料を用いた方が、高い発光効率を示す発光デバイスを得やすい。したがって、りん光性材料を用いた発光デバイスの開発が近年盛んに行われている。

しかし、りん光性材料を用いた発光デバイスのうち、特に青色の発光を呈する発光デバイスは、高い三重項励起エネルギー準位を有する安定な化合物の開発が困難を極めており、未だ実用化には至っていない。そのため、主として青色発光デバイスに適用することを目的に、安定な蛍光性材料を用いた高い発光効率を示す発光デバイスの開発も活発に行われている。

三重項励起状態のエネルギーを発光に変換することが可能な材料としては、りん光性材料の他に、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が知られている。ＴＡＤＦ材料は、三重項励起状態から逆項間交差により一重項励起状態が生成され、一重項励起状態から発光する。

ＴＡＤＦ材料を発光材料として用いた発光デバイスの発光効率を高めるためには、ＴＡＤＦ材料の三重項励起状態から一重項励起状態が効率よく生成するだけでなく、生成した一重項励起状態から効率よく発光が得られること、すなわちＴＡＤＦ材料自体の蛍光量子収率が高いことが重要となる。しかしながら、この２つを同時に満たす発光材料を設計することは容易ではない。

この問題に関して特許文献１では、ＴＡＤＦ材料をホスト材料、蛍光性材料をゲスト材料（発光材料）とし、ＴＡＤＦ材料が三重項励起エネルギーから変換した一重項励起エネルギーを蛍光性材料へと移動させ、蛍光性材料から発光を得る発光デバイスが提案されている。このような発光デバイスは、三重項励起エネルギーも発光に寄与するため、発光材料が蛍光性材料であっても高い発光効率を実現することができ、また発光材料である蛍光性材料が安定であるため、りん光発光デバイスと比較して良好な寿命を実現することも可能である。

特開２０１４－４５１７９号公報

Ｈｉｒｏｋｉ Ｕｏｙａｍａ ｅｔ ａｌ．，"Ｎａｔｕｒｅ"， ２０１２， ｖｏｌ． ４９２， ２３４

蛍光発光デバイスを高効率化させる方法の一つとして、特許文献１のように、ＴＡＤＦ材料などの三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーへ変換可能なホスト材料と、蛍光性材料であるゲスト材料を有する発光層を用いて、ホスト材料の三重項励起子を一重項励起子に変換後に、ゲスト材料である蛍光性材料へ一重項励起エネルギーを移動させる方法がある。

しかし、この方法の場合、ホスト材料が有する三重項励起エネルギーが一重項励起エネルギーに変換される過程は、三重項励起エネルギーが失活する過程と競合する。そのため、ホスト材料の三重項励起エネルギーが十分に一重項励起エネルギーに変換されず、期待されたような効率向上効果が得られない場合がある。

このような三重項励起エネルギーが失活する過程の一つとして、ホスト材料が有する三重項励起エネルギーが蛍光性材料であるゲスト材料が有する最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）に移動してしまう経路がある。

この失活経路に関しては、ゲスト材料の濃度を薄くすることで抑制可能であるが、その場合、同時にホスト材料からゲスト材料の一重項励起状態へのエネルギー移動も抑制されるため、劣化物や不純物による消光が起こりやすくなり、発光効率や信頼性の低下を招いてしまう。

そこで、本発明の一態様では、発光効率と寿命の良好な蛍光発光デバイスを実現することが可能な有機化合物を提供することを目的とする。また、本発明の一態様では、発光デバイスが有する発光層のホスト材料とゲスト材料において、ホスト材料の三重項励起エネルギーが蛍光性材料であるゲスト材料のＴ１準位へ移動することを抑制し、ホスト材料の三重項励起エネルギーを効率良くゲスト材料の一重項励起エネルギーへ変換し、蛍光発光デバイスの発光効率を高めることが可能なゲスト材料として用いることができる有機化合物を提供することを目的とする。また、本発明の一態様では発光効率が良好で且つ信頼性に優れた発光デバイスを実現することができる有機化合物を提供することを目的とする。

また、本発明の一態様では、発光層のホスト材料とゲスト材料において、ホスト材料の三重項励起エネルギーが蛍光性材料であるゲスト材料のＴ１準位へ移動することを抑制し、ホスト材料の三重項励起エネルギーを効率良くゲスト材料の一重項励起エネルギーへ変換し、発光デバイスの蛍光発光効率を高めることが可能な発光デバイスを提供することを目的とする。また、本発明の一態様では発光効率が良好で且つ信頼性に優れた発光デバイスを提供することを目的とする。また、本発明の一態様では、色純度の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。また、本発明の一態様では、色純度が良好で、且つ発光効率の良好な発光デバイスを提供することを目的とする。

また、本発明の一態様では、消費電力が低減された発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、新規な発光デバイスを提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することを目的とする。または、本発明の一態様では、新規な表示装置を提供することを目的とする。または、本発明の一態様では新規な有機化合物を提供することを目的とする。

なお、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。上記以外の課題は、明細書等の記載から自ずと明らかであり、明細書等の記載から上記以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物である。

ただし、上記一般式（Ｇ１－１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ独立に置換基を有する炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表す。なお、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、置換基として炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基のいずれかを少なくとも１以上各々有するものとする。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が、置換基を有するフェニル基である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、下記一般式（Ｇ１－２）で表される有機化合物である。

ただし、上記一般式（Ｇ１－２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ独立に３つ以上の置換基を有する炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表す。なお、Ａｒ^１およびＡｒ^２が有する置換基は、炭素数１乃至１０のアルキル基および炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基から選ばれた複数であるものとする。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基の数は、３乃至５である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が置換基を有するフェニル基である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基が、Ａｒ^１およびＡｒ^２のオルト位およびパラ位の両方に結合している有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が有する置換基の数が、各々３つである有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基がシクロヘキシル基である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物である。

ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０およびＲ^２１乃至Ｒ^２４はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ｘ^１乃至Ｘ^６は、それぞれ独立に炭素数１乃至１０のアルキル基および炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基のいずれか一を表す。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ｒ^２１乃至Ｒ^２４が水素である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ｘ^１乃至Ｘ^６が炭素数３乃至１２のシクロアルキル基である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ｘ^１乃至Ｘ^６がシクロヘキシル基である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記構成において、前記Ｒ^１乃至Ｒ^１０が水素である有機化合物である。

または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の有機化合物を含む発光材料である。

または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の有機化合物を含む発光デバイス用材料である。

または、本発明の他の一態様は、発光層において、３重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料から励起エネルギーを受け取り、１重項励起状態からの発光に変換するための上記いずれかの有機化合物を含む発光素子用発光材料である。

または、本発明の他の一態様は、上記いずれかに記載の有機化合物を含む発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、発光層に、３重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料と、上記いずれかに記載の有機化合物を含む発光デバイスである。

または、本発明の他の一態様は、上記発光デバイスと、センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器である。

または、本発明の他の一態様は、上記発光デバイスと、トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置である。

または、本発明の他の一態様は、上記発光デバイスと、筐体と、を有する照明装置である。

また、本発明の一態様は、発光デバイスを有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器も範疇に含める。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられた表示モジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられた表示モジュール、または発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装された表示モジュールも発光（表示）装置を含む場合がある。

本発明により、発光効率が高い発光デバイスを得ることが可能な有機化合物を提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性が高い発光デバイスを得ることが可能な有機化合物を提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力が低減された発光デバイスを得ることが可能な有機化合物を提供することができる。また、本発明の一態様では、色純度の良好な発光デバイスを提供することができる。また、本発明の一態様では、色純度が良好で、且つ発光効率の良好な発光デバイスを提供することができる。

本発明の一態様により、発光効率が高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性が高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、消費電力が低減された発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、新規な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、新規な発光装置を提供することができる。または、本発明の一態様では、新規な表示装置を提供することができる。または、新規な有機化合物を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ、図１Ｂは本発明の一態様の発光デバイスの発光層の断面模式図、図１Ｃはエネルギー準位の相関を説明する図である。 図２Ａおよび図２Ｂは従来のゲスト材料と本発明の一態様の発光デバイスに用いるゲスト材料の概念図である。 図３Ａおよび図３Ｂは本発明の一態様の発光デバイスの用いるゲスト材料の構造式及び球棒図である。 図４Ａは本発明の一態様の発光デバイスの発光層の断面模式図、図４Ｂ乃至図４Ｄは本発明の一態様の発光デバイスのエネルギー準位の相関を説明する図である。 図５Ａは本発明の一態様の発光デバイスの発光層の断面模式図、図５Ｂおよび図５Ｃはエネルギー準位の相関を説明する図である。 図６Ａは本発明の一態様の発光デバイスの発光層の断面模式図、図６Ｂおよび図６Ｃはエネルギー準位の相関を説明する図である。 図７は本発明の一態様の発光デバイスの断面模式図である。 図８Ａは本発明の一態様の表示装置を説明する上面図、図８Ｂは断面模式図である。 図９Ａおよび図９Ｂは本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図である。 図１０Ａおよび図１０Ｂは本発明の一態様の表示装置を説明する断面模式図である。 図１１Ａ乃至図１１Ｄは本発明の一態様の表示モジュールを説明する斜視図である。 図１２Ａ乃至図１２Ｃは本発明の一態様の電子機器について説明する図である。 図１３Ａおよび図１３Ｂは本発明の一態様の表示装置を説明する斜視図である。 図１４は本発明の一態様の照明装置について説明する図である。 図１５Ａおよび図１５Ｂはｃｈ３Ｐ２Ｑｄの１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図１６はｃｈ３Ｐ２Ｑｄの溶液状態における吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。 図１７は発光デバイス１及び比較発光デバイス１の輝度－電流密度特性である。 図１８は発光デバイス１、比較発光デバイス１及び比較発光デバイス２の電流効率－輝度特性である。 図１９は発光デバイス１、比較発光デバイス１及び比較発光デバイス２の輝度－電圧特性である。 図２０は発光デバイス１、比較発光デバイス１及び比較発光デバイス２の電流－電圧特性である。 図２１は発光デバイス１、比較発光デバイス１及び比較発光デバイス２の電力効率－輝度特性である。 図２２は発光デバイス１、比較発光デバイス１及び比較発光デバイス２の外部量子効率－輝度特性である。 図２３は発光デバイス１、比較発光デバイス１及び比較発光デバイス２の発光スペクトルである。 図２４Ａおよび図２４Ｂは３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの１Ｈ－ＮＭＲチャートである。 図２５は３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの溶液状態における吸収スペクトルおよび発光スペクトルである。 図２６は発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の輝度－電流密度特性である。 図２７は発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の電流効率－輝度特性である。 図２８は発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の輝度－電圧特性である。 図２９は発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の電流－電圧特性である。 図３０は発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の電力効率－輝度特性である。 図３１は発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の外部量子効率－輝度特性である。 図３２は発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の発光スペクトルである。 図３３はドーパント濃度が発光効率に及ぼす影響を表すグラフである。 図３４は発光デバイス３及び比較発光デバイス５の輝度－電流密度特性である。 図３５は発光デバイス３及び比較発光デバイス５の電流効率－輝度特性である。 図３６は発光デバイス３及び比較発光デバイス５の輝度－電圧特性である。 図３７は発光デバイス３及び比較発光デバイス５の電流－電圧特性である。 図３８は発光デバイス３及び比較発光デバイス５の電力効率－輝度特性である。 図３９は発光デバイス３及び比較発光デバイス５の外部量子効率－輝度特性である。 図４０は発光デバイス３及び比較発光デバイス５の発光スペクトルである。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得る。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されない。

また、本明細書等において、一重項励起状態（Ｓ^＊）は、励起エネルギーを有する一重項状態のことである。また、Ｓ１準位は最も低い一重項励起状態（Ｓ１状態）の励起エネルギー準位のことである。また、三重項励起状態（Ｔ^＊）は、励起エネルギーを有する三重項状態のことである。また、Ｔ１準位は、最も低い三重項励起状態（Ｔ１状態）の励起エネルギー準位のことである。なお、本明細書等において、単に一重項励起状態および一重項励起エネルギー準位と表記した場合であっても、Ｓ１状態およびＳ１準位を表す場合がある。また、単に三重項励起状態および三重項励起エネルギー準位と表記した場合であっても、Ｔ１状態およびＴ１準位を表す場合がある。

また、本明細書等において蛍光性材料とは、一重項励起状態から基底状態へ緩和する際に可視光領域に発光を与える化合物である。りん光性材料とは、三重項励起状態から基底状態へ緩和する際に、室温において可視光領域に発光を与える化合物である。換言するとりん光性材料とは、三重項励起エネルギーを可視光へ変換可能な化合物の一つである。なお、本明細書等において、室温とは０℃以上４０℃以下の範囲の温度をいう。

また、本明細書等において、青色の波長領域は、４００ｎｍ以上４９０ｎｍ未満であり、青色の発光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、緑色の波長領域は、４９０ｎｍ以上５８０ｎｍ未満であり、緑色の発光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。また、赤色の波長領域は、５８０ｎｍ以上６８０ｎｍ以下であり、赤色の発光は、該波長領域に少なくとも一つの発光スペクトルピークを有する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、発光層に三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料と一重項励起エネルギーを発光に変換することができる（蛍光性材料である）ゲスト材料とを有する発光デバイスにおいて、ホスト材料の三重項励起エネルギーを効率的に発光に変換することができるゲスト材料として用いることが可能な有機化合物について説明する。

三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料から、一重項励起エネルギーを発光に変換することができるゲスト材料へ励起エネルギーを移動させたい場合、ホスト材料の三重項励起エネルギー準位からゲスト材料の三重項励起エネルギー準位への三重項励起エネルギーの移動が生じてしまうと、ゲスト材料の三重項励起エネルギーは無放射失活が支配的となってしまうので、発光に寄与しないエネルギーが発生してしまう。この望ましくないエネルギー移動は、デクスター機構に基づくエネルギー移動であることから、これを抑制するためにゲスト材料のドープ濃度を薄くする対策が取られる場合がある。しかしこの場合、デクスター機構に基づくエネルギー移動だけでなく、フェルスター機構に基づくエネルギー移動も同時に抑制されてしまい、効率や寿命に悪影響を及ぼしてしまうことがあった。

一般に、ホスト材料とゲスト材料の距離が１ｎｍ以下ではデクスター機構が優勢となり、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下ではフェルスター機構が優勢となることがわかっている。なお、この場合の距離とは、本質的には、ホスト材料とゲスト材料の発光を担う骨格（発光団）との距離を意味している。

上述のゲスト材料のドープ濃度を薄くする対策では、デクスター機構、フェルスター機構どちらのエネルギー移動も抑制されてしまう。

すなわち、発光層に三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料と一重項励起エネルギーを発光に変換することができる（蛍光性材料である）ゲスト材料を有する発光デバイスにおいては、ホスト材料とゲスト材料の発光団との距離を適切に保つことによって、ホスト材料の三重項励起エネルギー準位からゲスト材料の三重項励起エネルギー準位へのデクスター機構に基づくエネルギー移動と、その後の無放射失活によるエネルギー失活経路を遮断し、フェルスター機構に基づくエネルギー移動を主とした、発光効率および寿命の良好な発光デバイスを得ることができる。このとき、ホスト材料とゲスト材料の発光団との距離は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下が好ましい。そのため、ゲスト材料は、発光団とホスト材料との距離を適切に保つ機能を有する嵩高い置換基を有すると好ましい。

そこで、本発明の一態様では、このような発光デバイスを可能とする保護基を有する有機化合物を提供する。なお、保護基とは、ホスト材料と発光団との距離を適切に保つ機能を有する置換基を意味している。

すなわち、本発明の一態様の有機化合物は、下記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物である。

ただし、上記一般式（Ｇ１－１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ独立に置換基を有する炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表す。なお、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、置換基として炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、又は架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基を少なくとも１以上各々有するものとする。

上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物は、キナクリドン骨格が発光団であり、Ａｒ^１およびＡｒ^２に結合した置換基が保護基として機能する。当該保護基が、炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、又は架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基であることによって、上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物はホスト材料との距離を適切に保つことができ、デクスター機構に基づくエネルギー移動を有効に抑制することができる。このことから、上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物は、発光層に三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料と一重項励起エネルギーを発光に変換することができるゲスト材料とを有する発光デバイスのゲスト材料として用いることで、デクスター機構に基づくエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構に基づくエネルギー移動により、効率的にホスト材料からエネルギーを受け取ることができる。

また、上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物は、発光団としてキナクリドン骨格を有しており蛍光量子収率も大きいことから、非常に良好な発光効率を示す発光デバイスの実現を可能とする。

なお、上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物は、Ａｒ^１およびＡｒ^２がフェニル基であることが、合成が簡便であり、昇華性が高いため好ましい。

また、本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ１－２）で表される有機化合物である。

ただし、上記一般式（Ｇ１－２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ独立に３つ以上の置換基を有する炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表す。なお、Ａｒ^１およびＡｒ^２が有する置換基は、炭素数１乃至１０のアルキル基、炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基から選ばれた複数であるものとする。

上記一般式（Ｇ１－２）で表される有機化合物はキナクリドン骨格が発光団であり、Ａｒ^１およびＡｒ^２が有する置換基が保護基として機能する。Ａｒ^１およびＡｒ^２に、当該保護基が各々３つ以上、好ましくは３つ以上５つ以下結合していることによって、上記一般式（Ｇ１－２）で表される有機化合物は、ホスト材料との距離を適切に保つことができ、デクスター機構に基づくエネルギー移動を有効に抑制することができる。このことから、上記一般式（Ｇ１－２）で表される有機化合物は、発光層に三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料と一重項励起エネルギーを発光に変換することができるゲスト材料とを有する発光デバイスのゲスト材料として用いることで、フェルスター機構に基づくエネルギー移動によりホスト材料からエネルギーを効率的に受け取ることができる。

なお、上記一般式（Ｇ１－２）で表される有機化合物は、Ａｒ^１およびＡｒ^２がフェニル基であることが、合成が簡便であり、昇華性が高いため好ましい。

また、前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基は、Ａｒ^１およびＡｒ^２のオルト位およびパラ位の両方に結合していることで、昇華性が良好となり好ましい。また、Ａｒ^１およびＡｒ^２が有する置換基の数は、各々３つであることが、合成が簡便であり、より昇華性が高く、デクスター機構によるエネルギー移動を有効に抑制できるため好ましい。

またＡｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基が、シクロアルキル基、好ましくはシクロヘキシル基であると、デクスター機構によるエネルギー移動をより有効に抑制できるため好ましい。

上述のように、本発明の一態様の有機化合物は、Ａｒ^１およびＡｒ^２がフェニル基であり、当該フェニル基に結合する保護基は、オルト位およびパラ位の両方に結合していることが好ましい。すなわち、本発明の一態様の有機化合物は、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物であることが好ましい。

ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０およびＲ^２１乃至Ｒ^２４はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ｘ^１乃至Ｘ^６は、それぞれ独立に炭素数１乃至１０のアルキル基および炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基のいずれか一を表す。

上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物はキナクリドン骨格が発光団であり、Ｘ^１乃至Ｘ^６は、保護基として機能する。これにより上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物は、ホスト材料との距離を適切に保つことができ、デクスター機構に基づくエネルギー移動を有効に抑制することができる。このことから、上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物は、発光層に三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料と一重項励起エネルギーを発光に変換することができるゲスト材料とを有する発光デバイスのゲスト材料として用いることで、フェルスター機構に基づくエネルギー移動によりホスト材料からエネルギーを効率的に受け取ることができる。

なお、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^２１乃至Ｒ^２４が水素であることが、合成が簡便であるため好ましい。また、Ｘ^１乃至Ｘ^６は炭素数３乃至１２のシクロアルキル基のいずれかであることが、合成が簡便であるため好ましく、より好ましくはシクロヘキシル基である。

また、上記一般式（Ｇ１－１）、（Ｇ１－２）および（Ｇ２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０が水素であることが、合成が簡便であるため好ましい。

このような構成を有する本発明の有機化合物は、当該有機化合物が有する発光団と、ホスト材料との距離を適切に保つことができることから、望ましくないエネルギー移動を有効に抑制することができ、本発明の有機化合物を用いることで発光効率が良好な発光素子を提供することができる。また、寿命の良好な発光素子を提供できる。

なお、また、上記一般式（Ｇ１－１）、（Ｇ１－２）および（Ｇ２）で表される有機化合物は、蛍光量子収率も大きいことから、非常に良好な発光効率を示す発光デバイスの実現を可能とする。

なお、本実施の形態において、炭素数３以上１０以下のアルキル基としては、具体的には、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基を挙げることができ、また、炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノナニル基、シクロデシル基を挙げることができる。

また、同様に、本実施の形態において、炭素数１乃至１０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ネオペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基を、炭素数３乃至１２のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノナニル基、シクロデシル基、シクロドデシル基を、また、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基としては、アダマンチル基、ノルボルナニル基、テトラヒドロジシクロペンタジエニル基を挙げることができる。

このような有機化合物の具体的な例としては、例えば、以下に示す構造式（１００）から（１４０）で表されるような有機化合物を挙げることができる。

続いて、以上のような有機化合物の合成法の一例について、一般式（Ｇ１－１）及び（Ｇ２）で表される有機化合物を例に説明する。

＜一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物の合成方法＞
下記一般式（Ｇ１－１）で表される本発明の一態様の有機化合物は、あらゆる有機反応を利用することで合成することができるが以下、例として、二種の方法を示す。

なお、上記一般式（Ｇ１－１）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ独立に置換基を有する炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表す。なお、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、置換基として炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、又は架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基を少なくとも１以上各々有するものとする。

一つ目の手法は、以下の合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－６）から成り立つ合成法である。最初の工程は、アニリン化合物（化合物１）と１，４－シクロヘキサジエン－２，５－ジカルボン酸化合物（化合物２）の脱水縮合反応により、アミン化合物（化合物３）を得る工程である。該工程をスキーム（Ｓ－１）に示す。

次いで、アミン化合物（化合物３）とアニリン誘導体（化合物４）を縮合反応させることで１，４ーシクロヘキサジエン化合物（化合物５）を得ることができる。化合物５を得る工程をスキーム（Ｓ－２）に示す。

また、１，４ーシクロヘキサジエン化合物（化合物５）において、同じ構造のアミノ基を導入する場合は、合成スキーム（Ｓ－１）において２等量のアニリン化合物（化合物１）を加えて同反応を行うことが好ましい。その場合、化合物２のカルボニル基に反応選択性が無くても単一の目的物を得ることができる。

次に、１，４ーシクロヘキサジエン化合物（化合物５）を空気中において酸化させることによりテレフタル酸化合物（化合物６）を得ることができる。化合物６を得る工程をスキーム（Ｓ－３）に示す。

続いて、テレフタル酸化合物（化合物６）を、酸を用いて分子内環化させることにより、キナクリドン化合物（化合物７）を得ることができる。化合物７を得る工程をスキーム（Ｓ－４）に示す。

その後、キナクリドン化合物（化合物７）とハロゲン化アリール化合物（化合物８）をカップリングすることにより、キナクリドン化合物（化合物９）を得ることができる。化合物９を得る工程をスキーム（Ｓ－５）に示す。

こののち、キナクリドン化合物（化合物９）とハロゲン化アリール化合物（化合物１０）をカップリングすることにより、上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物を得ることができる。該工程をスキーム（Ｓ－６）に示す。

また、一般式（Ｇ１－１）においてＡｒ１とＡｒ２が同じ構造の場合、スキーム（Ｓ－５）において同じハロゲン化アリール化合物（化合物８）を２つカップリングすることができるため、２等量のハロゲン化アリール化合物（化合物８）を加えて同反応を行うことが好ましい。その場合、化合物７のアミノ基に反応選択性が無くても単一の目的物を得ることができる。

二つ目の手法は、以下の合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－３）と（Ｓ－７）乃至（Ｓ－９）から成り立つ。（Ｓ－１）乃至（Ｓ－３）の説明は上記の通りである。

スキーム（Ｓ－３）により得られたテレフタル酸化合物（化合物６）とハロゲン化アリール化合物（化合物８）をカップリングすることにより、ジアミン化合物（化合物１１）を得ることができる。化合物１１を得る工程をスキーム（Ｓ－７）に示す。

次いで、ジアミン化合物（化合物１１）とハロゲン化アリール化合物（化合物１０）をカップリングすることにより、ジアミン化合物（化合物１２）を得ることができる。化合物１２を得る工程をスキーム（Ｓ－８）に示す。

また、ジアミン化合物（化合物１２）においてＡｒ１とＡｒ２が同じ構造の場合、テレフタル酸化合物（化合物６）に一段階で同じハロゲン化アリール化合物２分子をカップリングすることができるため、２等量のハロゲン化アリール化合物（化合物８）を加えて同反応を行うことが好ましい。その場合、化合物６のアミノ基に反応選択性が無くても単一の目的物が得られる。

最後に、ジアミン化合物（化合物１２）を、酸を用いて縮環させることで、上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物を得ることができる。該工程をスキーム（Ｓ－９）に示す。

スキーム（Ｓ－９）において、対称的な構造を有するジアミン化合物（化合物１２）を用いることで、上記一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物を合成することが可能である。

合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－４）及び（Ｓ－７）乃至（Ｓ－９）において、Ａｌ^１は炭素数１－４のアルキル基を表す。

合成スキーム（Ｓ－５）乃至（Ｓ－８）において、Ｙ^１とＹ^２は塩素、臭素、ヨウ素、トリフラート基を表す。

合成スキーム（Ｓ－３）においては、大気中の酸素で酸化することもできるが、酸化剤としてヨウ素などを用いることがより好ましい。

合成スキーム（Ｓ－５）乃至（Ｓ－８）においては、高温下で反応を進めることが出来、比較的高収率で目的化合物を得られることから、ウルマン反応を行うことが好ましい。当該反応で用いることができる試薬は、銅もしくは銅化合物、塩基としては、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。当該反応において、用いることができる溶媒は、２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオン、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジフェニルエーテル等が挙げられる。ウルマン反応では、反応温度が１００℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、沸点の高い２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオン、ＤＭＰＵ、キシレン、ジフェニルエーテルを用いることが好ましい。また、反応温度は１５０℃以上のより高温が更に好ましいため、より好ましくはＤＭＰＵ、ジフェニルエーテルを用いることとする。当該反応において、用いることができる試薬類は、上記試薬類に限られるものではない。

合成スキーム（Ｓ－５）乃至（Ｓ－８）において、パラジウム触媒を用いたブッフバルト・ハートウィッグ反応を行うことが出来、当該反応では、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、［１，１－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、アリルパラジウム（ＩＩ）クロリド（ダイマー）等のパラジウム化合物と、トリ（ｔｅｒｔ－ブチル）ホスフィン、トリ（ｎ－ヘキシル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル、トリ（オルトートリル）ホスフィン、（Ｓ）－（６，６’－ジメトキシビフェニル－２，２’－ジイル）ビス（ジイソプロピルホスフィン）（略称：ｃＢＲＩＤＰ（登録商標））等の配位子を用いる事ができる。当該反応では、ナトリウム ｔｅｒｔ－ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等を用いることができる。当該反応では、溶媒として、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等を用いることができる。当該反応で用いることができる試薬類は、上記試薬類に限られるものではない。

また、本発明の一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物を合成するための方法は合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－９）に限られるものではない。

一般式（Ｇ１－１）においてＲ^１乃至Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表す。具体例としては、水素、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロプロピル基、ｎ－ヘキシル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノナニル基、シクロデシル基などが挙げられる。

一般式（Ｇ１－１）において、Ａｒ^１及びＡｒ^２はそれぞれ独立に置換基を有する炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表す。なお、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、置換基として炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、又は架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基を少なくとも１以上各々有するものとする。具体例としては、２－シクロプロピルフェニル基、２－シクロブチルフェニル基、２－シクロペンチルフェニル基、２－シクロヘキシフェニル基、２－シクロへプチルフェニル基、２－シクロオクチルフェニル基、２－アダマンチルフェニル基、２－ノルボルナニルフェニル基、２－テトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、３－シクロプロピルフェニル基、３－シクロブチルフェニル基、３－シクロペンチルフェニル基、３－シクロヘキシルフェニル基、３－シクロへプチルフェニル基、３－シクロオクチルフェニル基、３－アダマンチルフェニル基、３－ノルボルナニルフェニル基、３－テトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、４－シクロプロピルフェニル基、４－シクロブチルフェニル基、４－シクロペンチルフェニル基、４－シクロヘキシルフェニル基、４－シクロへプチルフェニル基、４－シクロオクチルフェニル基、４－アダマンチルフェニル基、４－ノルボルナニルフェニル基、４－テトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、１，３－ジシクロプロピルフェニル基、１，３－ジシクロブチルフェニル基、１，３－ジシクロペンチルフェニル基、１，３－ジシクロヘキシルフェニル基、１，３－ジシクロへプチルフェニル基、１，３－ジシクロオクチルフェニル基、１，３－ジアダマンチルフェニル基、１，３－ジノルボルナニルフェニル基、１，３－ジテトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、１，５－ジシクロプロピルフェニル基、１，５－ジシクロブチルフェニル基、１，５－ジシクロペンチルフェニル基、１，５－ジシクロヘキシルフェニル基、１，５－ジシクロへプチルフェニル基、１，５－ジシクロオクチルフェニル基、１，５－ジアダマンチルフェニル基、１，５－ジノルボルナニルフェニル基、１，５－ジテトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、３，４－ジシクロプロピルフェニル基、３，４－ジシクロブチルフェニル基、３，４－ジシクロペンチルフェニル基、３，４－ジシクロヘキシルフェニル基、３，４－ジシクロへプチルフェニル基、３，４－ジシクロオクチルフェニル基、３，４－ジアダマンチルフェニル基、３，４－ジノルボルナニルフェニル基、３，４－ジテトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、４－トリシクロペンチルフェニル基、２，３，４－トリシクロヘキシルフェニル基、２，３，４－トリシクロへプチルフェニル基、２，３，４－トリシクロオクチルフェニル基、２，３，４－トリアダマンチルフェニル基、２，３，４－トリノルボルナニルフェニル基、２，３，４－トリテトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、３，４，５－トリシクロプロピルフェニル基、３，４，５－トリシクロブチルフェニル基、３，４，５－トリシクロペンチルフェニル基、３，４，５－トリシクロヘキシルフェニル基、３，４，５－トリシクロへプチルフェニル基、３，４，５－トリシクロオクチルフェニル基、３，４，５－トリアダマンチルフェニル基、３，４，５－トリノルボルナニルフェニル基、３，４，５－トリテトラヒドロジシクロペンタジエニルフェニル基、３－シクロヘキシル－２－ナフチル基、８－シクロヘキシル－１－ナフチル基、９，９－ジシクロヘキシル－９Ｈ－フルオレン－３－イル基、９，９－ジシクロヘキシル－９Ｈ－フルオレン－２－イル基などが挙げられる。

また、本発明の一般式（Ｇ１－１）で表される有機化合物を合成するための方法は合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－９）に限られるものではない。

＜一般式（Ｇ２）で表される有機化合物の合成方法＞
下記一般式（Ｇ２）で表される本発明の一態様の有機化合物は、あらゆる有機反応を利用することで合成することができる。例として、二種の方法を下記に示す。

一つ目の手法は、以下の合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－４）、（Ｓ－１０）、（Ｓ－１１）から成り立つ。（Ｓ－１）乃至（Ｓ－４）の説明は上記の通りである。合成スキーム（Ｓ－４）に次いで、キナクリドン化合物（化合物７）とハロゲン化アリール化合物（化合物１３）をカップリングすることにより、キナクリドン化合物（化合物１４）を得ることができる。化合物１４を得る工程をスキーム（Ｓ－１０）に示す。ただし、一段階で同じハロゲン化アリール化合物（化合物１３）を２つカップリングすることができ、同じ構造のアミノ基を導入する場合は、２等量のハロゲン化アリール化合物（化合物１３）を加えて同反応を行うことが好ましい。その場合、化合物７のアミノ基に反応選択性が無くても単一の目的物が得られる。

次いで、キナクリドン化合物（化合物１４）とハロゲン化アリール化合物（化合物１５）をカップリングすることにより、上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を得ることができる。該工程をスキーム（Ｓ－１１）に示す。

また、化合物（Ｇ２）においてフェニル基上の置換基が同じ構造の場合、スキーム（Ｓ－１０）において同じハロゲン化アリール化合物（化合物１３）を２つカップリングすることができるため、２等量のハロゲン化アリール化合物（化合物１３）を加えて同反応を行うことが好ましい。その場合、化合物７のアミノ基に反応選択性が無くても単一の目的物が得られる。

二つ目の手法は、以下の合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－３）と、（Ｓ－１２）乃至（Ｓ－１４）から成り立つ。（Ｓ－１）乃至（Ｓ－３）の説明は上記の通りである。（Ｓ－３）に次いで、テレフタル酸化合物（化合物６）とハロゲン化アリール化合物（化合物１３）をカップリングすることにより、ジアミン化合物（化合物１６）を得ることができる。化合物１６を得る工程をスキーム（Ｓ－１２）に示す。

次いで、ジアミン化合物（化合物１６）とハロゲン化アリール（化合物１５）をカップリングすることにより、ジアミン化合物（化合物１７）を得ることができる。化合物１７を得る工程をスキーム（Ｓ－１３）に示す。

また、テレフタル酸化合物（化合物１７）においてフェニル基上の置換基が同じ構造の場合、一段階で同じハロゲン化アリール化合物２分子をカップリングすることができ、同じ構造のアミノ基を導入する場合は、２等量のハロゲン化アリール化合物（化合物１３）を加えて同反応を行うことが好ましい。その場合、化合物６のアミノ基に反応選択性が無くても単一の目的物が得られる。

最後に、テレフタル酸化合物（化合物１７）を、酸を用いて縮環させることで、上記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を得ることができる。該工程をスキーム（Ｓ－１４）に示す。

合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－４）及び（Ｓ－１２）乃至（Ｓ－１４）において、Ａｌ^１は炭素数１－４のアルキル基を表す。

合成スキーム（Ｓ－１０）乃至（Ｓ－１３）において、Ｙ^１とＹ^２はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素、トリフラート基を表す。

合成スキーム（Ｓ－１０）乃至（Ｓ－１３）においては、高温下で反応を進めることが出来、比較的高収率で目的化合物を得られることから、ウルマン反応を行うことが好ましい。当該反応で用いることができる試薬は、銅もしくは銅化合物、塩基としては、炭酸カリウム、水素化ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。当該反応において、用いることができる溶媒は、２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオン、１，３－ジメチル－３，４，５，６－テトラヒドロ－２（１Ｈ）ピリミジノン（ＤＭＰＵ）、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジフェニルエーテル等が挙げられる。ウルマン反応では、反応温度が１００℃以上の方がより短時間かつ高収率で目的物が得られるため、沸点の高い２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオン、ＤＭＰＵ、キシレン、ジフェニルエーテルを用いることが好ましい。また、反応温度は１５０℃以上のより高温が更に好ましいため、より好ましくはＤＭＰＵ、ジフェニルエーテルを用いることとする。当該反応において、用いることができる試薬類は、上記試薬類に限られるものではない。

合成スキーム（Ｓ－１０）乃至（Ｓ－１３）において、パラジウム触媒を用いたブッフバルト・ハートウィッグ反応を行うことが出来、当該反応では、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、［１，１－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、アリルパラジウム（ＩＩ）クロリド（ダイマー）等のパラジウム化合物と、トリ（ｔｅｒｔ－ブチル）ホスフィン、トリ（ｎ－ヘキシル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル、トリ（オルトートリル）ホスフィン、（Ｓ）－（６，６’－ジメトキシビフェニル－２，２’－ジイル）ビス（ジイソプロピルホスフィン）（略称：ｃＢＲＩＤＰ（登録商標））等の配位子を用いる事ができる。当該反応では、ナトリウム ｔｅｒｔ－ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等を用いることができる。当該反応では、溶媒として、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等を用いることができる。当該反応で用いることができる試薬類は、上記試薬類に限られるものではない。

また、本発明の一般式（Ｇ２）で表される有機化合物を合成するための方法は合成スキーム（Ｓ－１）乃至（Ｓ－４）、（Ｓ－１０）乃至（Ｓ－１４）に限られるものではない。

上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０およびＲ^２１乃至Ｒ^２４はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表す。具体例としては、水素、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノナニル基、シクロデシル基などが挙げられる。

上記一般式（Ｇ２）において、Ｘ^１乃至Ｘ^３とＸ^４乃至Ｘ^６は、それぞれ独立に炭素数１乃至１０のアルキル基および炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基のいずれか一を表す。具体例としては、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロへプチル基、シクロオクチル基、シクロノナニル基、シクロデシル基、アダマンチル基、ノルボルナニル基、テトラヒドロジシクロペンタジエニル基などが挙げられる。

以上、本発明の一態様であり、一般式（Ｇ１－１）および一般式（Ｇ２）で表される有機化合物の合成方法について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他の合成方法によって合成してもよい。

（実施の形態２）
本発明の一態様の発光デバイスについて、図１乃至図６を用いて以下説明する。

＜発光デバイスの構成例＞
まず、本発明の一態様の発光デバイスの構成について、図１を用いて、以下説明する。

図１Ａは、本発明の一態様の発光デバイス１５０の断面模式図である。

発光デバイス１５０は、一対の電極（電極１０１及び電極１０２）を有し、該一対の電極間に設けられたＥＬ層１００を有する。ＥＬ層１００は、少なくとも発光層１３０を有する。

また、図１Ａに示すＥＬ層１００は、発光層１３０の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９等の機能層を有する。

なお、本実施の形態においては、一対の電極のうち、電極１０１を陽極として、電極１０２を陰極として説明するが、発光デバイス１５０の構成としては、その限りではない。つまり、電極１０１を陰極とし、電極１０２を陽極とし、当該電極間の各層の積層を、逆の順番にしてもよい。すなわち、陽極側から、正孔注入層１１１と、正孔輸送層１１２と、発光層１３０と、電子輸送層１１８と、電子注入層１１９と、が積層する順番とすればよい。

なお、ＥＬ層１００の構成は、図１Ａに示す構成に限定されず、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９の中から選ばれた少なくとも一つを有する構成とすればよい。あるいは、ＥＬ層１００は、正孔または電子の注入障壁を低減する層、正孔または電子の輸送性を向上する層、正孔または電子の輸送性を阻害する層、または電極による消光現象を抑制する層、等の機能層を有する構成としてもよい。なお、機能層はそれぞれ単層であっても、複数の層が積層された構成であってもよい。

＜発光デバイスの発光機構＞
次に、発光層１３０の発光機構について、以下説明を行う。本発明の一態様の発光デバイス１５０は、発光層に三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料と一重項励起エネルギーを発光に変換することができる（蛍光性材料である）ゲスト材料とを有する発光デバイスである。三重項励起エネルギーを発光に変換することができるホスト材料を用いることによって三重項励起子を発光に寄与させることができ、発光デバイスの発光効率を向上させることができる。また、ゲスト材料が安定な蛍光性材料であることによって、寿命の良好な発光デバイスを実現することができる。

三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料の一つとしては、りん光を発することができる化合物（以下、りん光性材料ともいう）を挙げることができる。本明細書等において、りん光性材料とは、室温以下の温度範囲において、りん光を呈し、且つ蛍光を呈さない化合物のことをいう。該りん光性材料は、スピン軌道相互作用の大きい金属元素を有する化合物であることが好ましく、具体的には遷移金属元素を有している化合物であることが好ましく、特に白金族元素（ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、または白金（Ｐｔ））を有する化合物であることが好ましい。中でもイリジウムは、該りん光性材料の一重項基底状態と三重項励起状態との間の直接遷移に係わる遷移確率を高めることができるため好ましい。

また、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料としては、ＴＡＤＦ材料も挙げることができる。ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく、逆項間交差によって三重項励起エネルギーから一重項励起エネルギーへエネルギーを変換することができる材料である。そのため、ＴＡＤＦ材料を使用することで三重項励起状態から一重項励起状態を効率よく生成することができる。なお、２種類の物質で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）も、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、ＴＡＤＦ材料と同等の機能を有する。

なお、Ｔ１準位を直接求めることは難しいが、その指標は、低温（例えば１０Ｋ）で観測されるりん光スペクトルより求めることができる。すなわち、当該スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴ１準位とみなすことができる。

また、同様にＳ１準位の指標は、室温または低温における蛍光スペクトルより求めることができる。すなわち、蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ１準位とみなすことができる。

ＴＡＤＦ材料としての機能を有するためにはＳ１準位とＴ１準位の差が０．２ｅＶ以下であることが好ましい。

また、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料としては、ペロブスカイト構造を有する遷移金属化合物のナノ構造体を挙げることもできる。特に金属ハロゲン化物ペロブスカイト類のナノ構造体がこのましい。該ナノ構造体としては、ナノ粒子、ナノロッドが好ましい。

図１Ｂは本発明の一態様である発光デバイスの発光層１３０を表す断面模式図である。本発明の一態様では、発光層１３０は化合物１３１及び化合物１３２を有する。化合物１３１は三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料であり、化合物１３２は一重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料、すなわち蛍光性材料である。蛍光性材料は安定性が高いため、化合物１３２として蛍光性材料を用いることで信頼性の高い発光デバイスを得ることができる。ここで、化合物１３１はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。

＜発光層の構成例１＞
図１Ｃは、化合物１３１にＴＡＤＦ材料を用いた本発明の一態様の発光デバイス中の発光層におけるエネルギー準位の相関を表す図である。なお、図１Ｃにおける表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ（１３１）：化合物１３１
・Ｇｕｅｓｔ（１３２）：化合物１３２
・Ｔ_Ｃ１：化合物１３１のＴ１準位
・Ｓ_Ｃ１：化合物１３１のＳ１準位
・Ｓ_Ｇ：化合物１３２のＳ１準位
・Ｔ_Ｇ：化合物１３２のＴ１準位

ここで、電流励起によって生じた化合物１３１の三重項励起エネルギーに着目する。本構成例において化合物１３１はＴＡＤＦ性を有する。そのため、化合物１３１は三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換することができる（図１Ｃ ルートＡ_１）。化合物１３１が有する一重項励起エネルギーは、化合物１３２へ移動することができる。（図１Ｃ ルートＡ_２）。このとき、Ｓ_Ｃ１≧Ｓ_Ｇであると好ましい。

化合物１３１で生じた三重項励起エネルギーが、上記ルートＡ_１及びルートＡ_２を経てゲスト材料である化合物１３２のＳ１準位へエネルギー移動し化合物１３２が発光することによって、蛍光発光デバイスの発光効率を高めることができる。

ここで、化合物１３２が通常の蛍光性材料である場合、上記ルートＡ_１及びルートＡ_２と競合して化合物１３１の三重項励起エネルギーが化合物１３２の三重項励起エネルギーへ変換される過程（図１ＣルートＡ_３）も同時に起こり得る。蛍光性材料である化合物１３２の三重項励起エネルギーは発光に寄与しないことから、ルートＡ_３のエネルギー移動が生じると発光デバイスの発光効率は低下してしまう。（なお実際は、Ｔ_Ｃ１からＴ_Ｇへのエネルギー移動（ルートＡ_３）は、直接ではなく、化合物１３２のＴ_Ｇよりも高位の三重項励起状態に一度エネルギー移動し、その後内部変換によりＴ_Ｇになる経路もあり得るが、図中ではその過程を省略している。以降の本明細書中におけるＴ_Ｇへの失活過程は、全て同様である。）

ここで、分子間のエネルギー移動機構として、フェルスター機構（双極子－双極子相互作用）と、デクスター機構（電子交換相互作用）が知られている。エネルギーアクセプターである化合物１３２が蛍光性材料である場合、ルートＡ_３のエネルギー移動はデクスター機構が支配的である。一般的に、デクスター機構はエネルギードナーである化合物１３１とエネルギーアクセプターである化合物１３２の距離が１ｎｍ以下で有意に生じる。そのため、ルートＡ_３を抑制するためには、ホスト材料とゲスト材料の距離、すなわちエネルギードナーとエネルギーアクセプターの距離を遠ざけることが重要である。

そこで、エネルギーアクセプタ（化合物１３２）とエネルギードナー（化合物１３１）との距離を遠ざけるための手法として、発光層１３０が化合物１３２と化合物１３１との混合膜であることから、当該混合膜中の化合物１３２の濃度を低くする方法が採られる場合がある。

しかし、混合膜中のエネルギーアクセプターの濃度を低くすると、エネルギードナーからエネルギーアクセプターへのデクスター機構に基づくエネルギー移動だけでなく、フェルスター機構に基づくエネルギー移動も抑制されてしまう。その結果、ルートＡ_２がフェルスター機構に基づくエネルギー移動であるため、発光デバイスの発光効率の低下や信頼性の低下といった問題が生じる。

ここで一般に、エネルギーアクセプターが有する発光団とエネルギードナーの距離が１ｎｍ以下ではデクスター機構が優勢となり、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下ではフェルスター機構が優勢となる。一般にエネルギーアクセプターとエネルギードナーの距離が１０ｎｍ以上ではエネルギー移動は生じにくい。すなわち、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、フェルスター機構によるエネルギー移動の抑制を避けるためには、エネルギーアクセプターとエネルギードナーとの距離を１ｎｍ以上１０ｎｍ以下に厳密に保つ必要がある。そこで、本発明者らはエネルギーアクセプターとして、エネルギードナーとの距離を遠ざけるための保護基を有する蛍光性材料を用いることで、上記発光効率の低下を抑制可能であることを見出した。

ここで、蛍光発光材料のＴ１準位は、当該材料中の発光団に由来するエネルギー準位であることが多い。そのため、より厳密にルートＡ_２の経路を保ちつつルートＡ_３を抑制するためには、エネルギーアクセプターである化合物１３２が有する発光団とエネルギードナーである化合物１３１との距離を制御することが重要である。発光団とは、蛍光性材料において、発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団は一般的にπ結合を有しており、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。また、他の態様として、発光団とは、環平面上に遷移双極子ベクトルが存在する芳香環を含む原子団（骨格）と見なすことができる。また、一つの蛍光性材料が複数の縮合芳香環または縮合複素芳香環を有する場合、該複数の縮合芳香環または縮合複素芳香環のうち、最も低いＳ１準位を有する骨格を該蛍光性材料の発光団と考える場合がある。また、該複数の縮合芳香環または縮合複素芳香環のうち、最も長波長側に吸収端を有する骨格を該蛍光性材料の発光団と考える場合がある。また、該複数の縮合芳香環または縮合複素芳香環それぞれの発光スペクトルの形状から該蛍光性材料の発光団を予想できる場合がある。

縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、フェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光性材料は蛍光量子収率が高いため好ましい。

図２Ａに一般的な蛍光性材料である、保護基を有さない蛍光性材料をゲスト材料としてホスト材料に分散させた場合と、図２Ｂ本発明の一態様の発光デバイスに用いる、保護基を有する蛍光性材料をゲスト材料としてホスト材料に分散させた場合の概念図を示す。ホスト材料はエネルギードナー、ゲスト材料はエネルギーアクセプターと読み替えても構わない。また、エネルギードナーは図１における化合物１３１、エネルギーアクセプターは化合物１３２に相当する。

ここで、保護基は、発光団とホスト材料との距離を遠ざける機能を有する。図２Ａにおいて、ゲスト材料３０１は保護基を有さない通常の蛍光性材料であり、発光団３１０を有する。ゲスト材料３０１はエネルギーアクセプターとしての機能を有する。一方、図２Ｂにおいて、ゲスト材料３０２は発光団３１０と保護基３２０を有する。また、図２Ａ及び図２Ｂにおいてゲスト材料３０１及びゲスト材料３０２はホスト材料３３０に囲まれている。図２Ａでは発光団とホスト材料の距離が近いため、ホスト材料３３０からゲスト材料３０１へのエネルギー移動として、フェルスター機構によるエネルギー移動（ルートＡ_４）とデクスター機構によるエネルギー移動（ルートＡ_５）の両方が生じうる。デクスター機構によってホスト材料の三重項励起エネルギー準位からゲスト材料の三重項励起エネルギー準位へのエネルギー移動が生じると、ゲスト材料が蛍光性材料である場合、三重項励起エネルギーが無放射失活するため、発光効率低下の一因となる。

一方、図２Ｂでは、ゲスト材料３０２は保護基３２０を有している。そのため、発光団３１０とホスト材料３３０の距離を適切に遠ざけることができ、デクスター機構によるエネルギー移動（ルートＡ_５）を抑制することができる。

ここで、図２Ｂのようにデクスター機構によるエネルギー移動を抑制した状態でゲスト材料３０２が発光するためには、ゲスト材料３０２はフェルスター機構によるエネルギー移動によりホスト材料３３０からエネルギーを受け取る必要がある。すなわち、デクスター機構によるエネルギー移動は抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動を効率良く利用できることが好ましい。

よって、保護基３２０は発光団３１０から１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲に広がると好ましい。より好ましくは１ｎｍ以上５ｎｍ以下である。該構成とすることで、ホスト材料３３０とゲスト材料との距離を適切に保つことができ、ホスト材料３３０からゲスト材料３０２へのデクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、効率良くフェルスター機構によるエネルギー移動を利用することができる。そのため、高い発光効率を有する発光デバイスを作製することができる。

保護基として用いられる置換基は、当該保護基へのエネルギー移動を防ぐため、発光団及びホスト材料が有するＴ１準位よりも高い三重項励起エネルギー準位を有する必要がある。π結合を有さない置換基は三重項励起エネルギー準位が高いことから、当該保護基としては、飽和炭化水素基を用いることが好ましい。

また、π結合を有さない置換基は、キャリア（電子またはホール）を輸送する機能が低いため、飽和炭化水素基はホスト材料の励起状態またはキャリア輸送性にほとんど影響を与えずに、発光団とホスト材料の距離を適切に保つことができる。

また、π結合を有さない置換基とπ共役系を有する置換基を同時に有する有機化合物においては、π共役系を有する置換基側にフロンティア軌道｛ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最高被占軌道ともいう）及びＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ、最低空軌道ともいう）｝が存在する場合が多く、特に発光団がフロンティア軌道を有する場合が多い。ここで、デクスター機構によるエネルギー移動には、エネルギードナー及びエネルギーアクセプターＨＯＭＯの重なりと、ＬＵＭＯの重なりが重要になる。そのため、飽和炭化水素基を保護基に用いることによって、エネルギードナーであるホスト材料のフロンティア軌道と、エネルギーアクセプターであるゲスト材料のフロンティア軌道との距離を遠ざけることができ、デクスター機構によるエネルギー移動を有効に抑制することができる。

保護基の具体例としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数３乃至１２のシクロアルキル基、および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基が挙げられる。保護基は発光団とホスト材料との距離を遠ざける必要があるため、嵩高い置換基が好ましい。そのため、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基を好適に用いることができる。特にアルキル基としては、嵩高い分岐鎖アルキル基およびシクロアルキル基が好ましい。また、該置換基は環状構造を有すると嵩高い置換基となり、デクスター機構によるエネルギー移動の抑制効果が高いためより好ましく、安定性からシクロヘキシル基が特に好ましい。

また、発光団と保護基を結ぶ２価以上の置換基はπ共役系を有する置換基であると好ましい。該構成とすることで、ゲスト材料の発光色やＨＯＭＯ準位、ガラス転移点等の物性を調整することができる。なお、保護基は発光団を中心に分子構造を見た際に、最も外側に配置されると好ましい。

このようなゲスト材料として、本発明の一態様の発光デバイスでは実施の形態１で説明した有機化合物を用いる。

なお、フェルスター機構によるエネルギー移動効率を高める（エネルギー移動速度を向上させる）ためには、ホスト材料３３０に対するゲスト材料３０１またはゲスト材料３０２の濃度比を高めることが好ましい。

通常はゲスト材料の濃度が高まると、デクスター機構のエネルギー移動速度も促進してしまい、発光効率の低下を招いてしまうため、ゲスト材料の濃度を高めることは困難であった。しかし、本発明の一態様の発光デバイスでは、発光層に発光団に保護基を有するゲスト材料を用いており、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制することができるため、エネルギーアクセプターであるゲスト材料の濃度を高めても、デクスター機構に由来する発光効率低下が起こりにくい。その結果、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めるという、本来相矛盾する現象を可能とする。

また、上述の構成によりフェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることによって、発光層中のエネルギーのドナー励起寿命が短くなるため、劣化が抑制され発光デバイスの信頼性を向上させることができる。

なお、発光デバイスにおけるエネルギー移動は、常に劣化物や不純物の影響による消光過程と競合する。しかし上述の通り、本発明の一態様では、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつも、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を従来の発光デバイスよりも高めることができるため、消光過程との競合の影響を小さくし、発光デバイスを長寿命化させることができる。

ゲスト材料の濃度はホスト材料に対して、２ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下が好ましく、より好ましくは５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下、さらに好ましくは５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である。該構成とすることによって、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができるため、発光効率が高い発光デバイスを得ることができる。また、エネルギードナーの励起寿命が短くなることで、信頼性の良好な発光デバイスを得ることができる。なお、上記濃度は発光層において、主として発光を呈する材料をゲスト材料とし、ゲスト材料以外の材料をホスト材料とした場合の濃度である。

＜発光層の構成例２＞
図４Ｃは、本発明の一態様の発光デバイス１５０の発光層１３０におけるエネルギー準位の相関の一例である。図４Ａに示す発光層１３０は、化合物１３１と、化合物１３２と、さらに化合物１３３と、を有する。本構成例では、化合物１３２は実施の形態１に示した保護基を有する蛍光性材料であり、化合物１３１と化合物１３３は励起錯体を形成する組合せである。

化合物１３１と化合物１３３との組み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔を輸送する機能（正孔輸送性）を有する化合物であり、他方が電子を輸送する機能（電子輸送性）を有する化合物であることが、より好ましい。この場合、ドナー－アクセプター型の励起錯体を形成しやすくなり、効率よく励起錯体を形成することができる。また、化合物１３１と化合物１３３との組み合わせが、正孔輸送性を有する化合物と電子輸送性を有する化合物との組み合わせである場合、その混合比によってキャリアバランスを容易に制御することが可能となる。正孔輸送性を有する化合物：電子輸送性を有する化合物＝１：９から９：１（重量比）の範囲が好ましい。また、該構成を有することで、キャリアバランスを制御することが容易であることから、キャリア再結合領域の制御も簡便に行うことができる。

また、効率よく励起錯体を形成するホスト材料の組み合わせとしては、化合物１３１及び化合物１３３のうち一方のＨＯＭＯ準位が他方のＨＯＭＯ準位より高く、一方のＬＵＭＯ準位が他方のＬＵＭＯ準位より高いことが好ましい。なお、化合物１３１のＨＯＭＯ準位が化合物１３３のＨＯＭＯ準位と同等、または化合物１３１のＬＵＭＯ準位が化合物１３３のＬＵＭＯ準位と同等であってもよい。

なお、化合物のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される化合物の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。

例えば、化合物１３１が正孔輸送性を有し、化合物１３３が電子輸送性を有する場合、図４Ｂに示すエネルギーバンド図のように、化合物１３１｛Ｃｏｍｐ（１３１）｝のＨＯＭＯ準位が化合物１３３｛Ｃｏｍｐ（１３３）｝のＨＯＭＯ準位より高いことが好ましく、化合物１３１のＬＵＭＯ準位が化合物１３３のＬＵＭＯ準位より高いことが好ましい。このようなエネルギー準位の相関とすることで、一対の電極（電極１０１および電極１０２）から注入されたキャリアである正孔及び電子が、化合物１３１および化合物１３３に、それぞれ注入されやすくなり好適である。

なお、図４Ｂにおいて、ΔＥ_Ｃ１は化合物１３１のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位とのエネルギー差を表し、ΔＥ_Ｃ３は化合物１３２のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位とのエネルギー差を表し、ΔＥ_Ｅは化合物１３３のＬＵＭＯ準位と化合物１３１のＨＯＭＯ準位とのエネルギー差を表す、表記及び符号である。

また、化合物１３１と化合物１３３とが形成する励起錯体は、化合物１３１にＨＯＭＯの分子軌道を有し、化合物１３３にＬＵＭＯの分子軌道を有する励起錯体となる。また、該励起錯体の励起エネルギーは、化合物１３３のＬＵＭＯ準位と化合物１３１のＨＯＭＯ準位とのエネルギー差（ΔＥ_Ｅ）に概ね相当し、化合物１３１のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位とのエネルギー差（ΔＥ_Ｃ１）及び化合物１３３のＬＵＭＯ準位とＨＯＭＯ準位とのエネルギー差（ΔＥ_Ｃ３）より小さくなる。したがって、化合物１３１と化合物１３３とで励起錯体を形成することで、より低い励起エネルギーで励起状態を形成することが可能となる。また、より低い励起エネルギーを有するため、該励起錯体は、安定な励起状態を形成することができる。

また、発光層１３０における化合物１３１と、化合物１３２と、化合物１３３と、のエネルギー準位の相関を図４Ｃに示す。なお、図４Ｃにおける表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｃｏｍｐ（１３１）：化合物１３１
・Ｃｏｍｐ（１３３）：化合物１３３
・Ｇｕｅｓｔ（１３２）：化合物１３２
・Ｓ_Ｃ１：化合物１３１のＳ１準位
・Ｔ_Ｃ１：化合物１３１のＴ１準位
・Ｓ_Ｃ３：化合物１３３のＳ１準位
・Ｔ_Ｃ３：化合物１３３のＴ１準位
・Ｔ_Ｇ：化合物１３２のＴ１準位
・Ｓ_Ｅ：励起錯体のＳ１準位
・Ｔ_Ｅ：励起錯体のＴ１準位

本発明の一態様の発光デバイスにおいては、発光層１３０が有する化合物１３１と化合物１３３とで励起錯体を形成する。励起錯体のＳ１準位（Ｓ_Ｅ）と励起錯体のＴ１準位（Ｔ_Ｅ）とは、互いに隣接したエネルギー準位となる（図４Ｃ ルートＡ_６参照）。

励起錯体の励起エネルギー準位（Ｓ_ＥおよびＴ_Ｅ）は、励起錯体を形成する各物質（化合物１３１および化合物１３３）のＳ１準位（Ｓ_Ｃ１およびＳ_Ｃ３）より低くなるため、より低い励起エネルギーで励起状態を形成することが可能となる。これによって、発光デバイス１５０の駆動電圧を低減することができる。

励起錯体のＳ１準位（Ｓ_Ｅ）とＴ１準位（Ｔ_Ｅ）は、互いに隣接したエネルギー準位であるため、逆項間交差しやすく、ＴＡＤＦ性を有する。そのため、励起錯体は三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図４Ｃ ルートＡ_７）。励起錯体が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動する。（図４Ｃ ルートＡ_８）。このとき、Ｓ_Ｅ≧Ｓ_Ｇであると好ましい。ルートＡ_８において、励起錯体がエネルギードナーであり、化合物１３２がエネルギーアクセプターとして機能する。また、Ｓ_Ｅ≧Ｓ_Ｇであることが好ましい。

なお、励起錯体におけるアップコンバージョンの効率を保つために、化合物１３１および化合物１３３の双方のＴ１準位、すなわちＴ_Ｃ１およびＴ_Ｃ３が、Ｔ_Ｅ以上であることが好ましい。または、Ｓ_Ｅ－Ｔ_Ｃ１≦０．２ｅＶ、かつ、Ｓ_Ｅ－Ｔ_Ｃ３≦０．２ｅＶであることが好ましい。

発光層１３０で生じた三重項励起エネルギーが、上記ルートＡ_６及び励起錯体のＳ１準位からゲスト材料へのＳ１準位へのエネルギー移動（ルートＡ_８）を経ることで、ゲスト材料が発光することができる。

ここで、本発明の一態様である発光デバイスでは、上述したような化合物１３２の発光団に保護基を有するゲスト材料を用いる。該構成とすることで、上述のように、ルートＡ_９で表されるデクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、三重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。そのため、発光効率の高い蛍光発光デバイスを得ることができる。

上記に示したような励起錯体から蛍光性材料への励起エネルギーの供与過程であるルートＡ_６乃至Ａ_８を、本明細書等において、ＥｘＳＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｓｉｎｇｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）またはＥｘＥＦ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）と呼称する場合がある。

＜発光層の構成例３＞
本構成例では、構成例２における励起錯体を形成する化合物の一方にりん光性材料を用いた場合について説明する。

本構成例では励起錯体を形成する一方の化合物として重原子を有するりん光性材料を用いる。これにより、当該りん光性材料を一方の化合物として形成された励起錯体においても、重原子効果により一重項状態と三重項状態との間の項間交差が起こりやすくなるため、三重項励起状態から一重項基底状態への遷移が可能（すなわちりん光を呈することが可能）となる。

なお、上記構成で用いるりん光性材料が有する重原子としてはＩｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｐｄ等を挙げることができる。

このような励起錯体の場合、三重項励起エネルギー準位（Ｔ_Ｅ）がフェルスター機構に基づくエネルギー移動のドナー準位となるため、Ｔ_Ｅが発光材料である化合物１３２の一重項励起エネルギー準位（Ｓ_Ｇ）以上であること、具体的には、Ｔ_Ｅ≧Ｓ_Ｇであることが好ましい。

このような構成を有する発光層では、生成した励起錯体の三重項励起エネルギーは、励起錯体の三重項励起エネルギー準位（Ｔ_Ｅ）から化合物１３２の一重項励起エネルギー準位（Ｓ_Ｇ）へエネルギー移動することができる。

なお、励起錯体のＳ１準位（Ｓ_Ｅ）とＴ１準位（Ｔ_Ｅ）は、互いに隣接したエネルギー準位であるため、発光スペクトルにおいて、蛍光とりん光とを明確に区別することが困難な場合がある。その場合、発光寿命によって、蛍光またはりん光を区別することが可能な場合がある。

また、本構成例ではりん光性材料はエネルギードナーとして機能するため、励起錯体が有する三重項励起エネルギー準位からゲスト材料の一重項励起エネルギー準位へのエネルギー移動が許容遷移であれば、りん光性材料の量子収率は高くても低くても構わない。

上述のようなりん光性材料から構成される励起錯体やりん光性材料からゲスト材料へのエネルギー移動は、エネルギードナーの三重項励起エネルギー準位からゲスト材料（エネルギーアクセプター）の一重項励起エネルギー準位へのエネルギー移動が許容遷移となるため、図４Ｃ中のルートＡ_７の過程を経ることなく、励起錯体の三重項励起エネルギーをルートＡ_８の過程によってゲスト材料のＳ１準位（Ｓ_Ｇ）へ移動させることができることから、発光までのエネルギー移動の過程が短く、材料の劣化やエネルギーロスを抑制することができるため好ましい。

ここで、本発明の一態様である発光デバイスでは、上述したような化合物１３２に発光団に保護基を有するゲスト材料を用いる。該構成とすることで、上述のように、ルートＡ_９で表されるデクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、三重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。そのため、発光効率の高い蛍光発光デバイスを得ることができる。

＜発光層の構成例４＞
本構成例では構成例２における発光デバイスの化合物１３３として、ＴＡＤＦ性を有する材料を用いた場合について図４Ｄを用いて説明する。

化合物１３３はＴＡＤＦ材料であるため、三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図４Ｄ ルートＡ_１０）。化合物１３３が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動することができる。（図４Ｄ ルートＡ_１１）。このとき、Ｓ_Ｃ３≧Ｓ_Ｇであると好ましい。

本構成例の発光デバイスでは、図４Ｄ中のルートＡ_６乃至ルートＡ_８を経て、三重項励起エネルギーがゲスト材料である化合物１３２へ移動する経路と、図４Ｄ中のルートＡ_１０及びルートＡ_１１を経て化合物１３２へ移動する経路が存在する。三重項励起エネルギーが蛍光性材料へ移動する経路が複数存在することで、本構成の発光デバイスはさらに発光効率を高めることができる。

ここで、本発明の一態様である発光デバイスでは、上述したような化合物１３２の発光団に保護基を有するゲスト材料を用いる。該構成とすることで、上述のように、ルートＡ_９で表されるデクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、三重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。そのため、発光効率の高い蛍光発光デバイスを得ることができる。

本構成例においては、励起錯体及び化合物１３３がエネルギードナーであり、化合物１３２がエネルギーアクセプターとして機能する。

＜発光層の構成例５＞
図５Ａは発光層１３０に４種の材料を用いた場合について示している。図５Ａにおいて発光層１３０は化合物１３１、化合物１３２、化合物１３３、化合物１３４と、を有する。本構成例では化合物１３３がりん光性材料である場合について説明する。化合物１３２は、実施の形態１に示した保護基を有する蛍光発光を呈するゲスト材料である。また、化合物１３１は化合物１３４と励起錯体を形成する有機化合物である。

また、発光層１３０における化合物１３１と、化合物１３２と、化合物１３３と、化合物１３４のエネルギー準位の相関図を図５Ｂに示す。なお、図５Ｂにおける表記及び符号は、以下の通りであり、その他の表記及び符号は図４Ｂに示す表記及び符号と同様である。
・Ｓ_Ｃ４：化合物１３４のＳ１準位
・Ｔ_Ｃ４：化合物１３４のＴ１準位

本構成例に示す、本発明の一態様の発光デバイスにおいて、化合物１３１と化合物１３４とは、励起錯体を形成する。励起錯体のＳ１準位（Ｓ_Ｅ）と励起錯体のＴ１準位（Ｔ_Ｅ）とは、近接したエネルギー準位となる（図５Ｂ ルートＡ_１２参照）。

上記の過程によって生成した励起錯体は、励起エネルギーを失うことによって、また、当該励起錯体を形成していた２種類の別々の物質として振る舞う。

励起錯体の励起エネルギー準位（Ｓ_ＥおよびＴ_Ｅ）は、励起錯体を形成する各物質（化合物１３１および化合物１３４）のＳ１準位（Ｓ_Ｃ１およびＳ_Ｃ４）より低くなるため、より低い励起エネルギーで励起状態を形成することが可能となる。これによって、発光デバイス１５０の駆動電圧を低減することができる。

ここで、化合物１３３はりん光性材料であり、一重項状態と三重項状態との間の項間交差が許容される。このことから、励起錯体が有する一重項励起エネルギー及び三重項励起エネルギーの双方が速やかに化合物１３３へと移動する（ルートＡ_１３）。このとき、Ｔ_Ｅ≧Ｔ_Ｃ３であると好ましい。

ここで、図５Ｂに示すように、Ｔ_Ｅ≧Ｔ_Ｃ３≧Ｓ_Ｇであると、化合物１３３の励起エネルギーが一重項励起エネルギーとして効率良くゲスト材料である化合物１３２へ移動するため好ましい（ルートＡ_１４）。

このとき、化合物１３１と化合物１３４との組み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔輸送性を有する化合物であり、他方が電子輸送性を有する化合物であることが、より好ましい。

また、効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、化合物１３１及び化合物１３４のうち一方のＨＯＭＯ準位が他方のＨＯＭＯ準位より高く、一方のＬＵＭＯ準位が他方のＬＵＭＯ準位より高いことが好ましい。

なお、化合物１３１と化合物１３４とのエネルギー準位の相関は、図５Ｂに限定されない。すなわち、化合物１３１の一重項励起エネルギー準位（Ｓ_Ｃ１）は、化合物１３４の一重項励起エネルギー準位（Ｓ_Ｃ４）より高くても低くてもよい。また、化合物１３１の三重項励起エネルギー準位（Ｔ_Ｃ１）は、化合物１３４の三重項励起エネルギー準位（Ｔ_Ｃ４）より高くても低くてもよい。

また、本発明の一態様における発光デバイスにおいて、化合物１３１はπ電子不足骨格を有すると好ましい。該構成とすることで、化合物１３１のＬＵＭＯ準位が低くなり、励起錯体の形成に好適となる。

また、本発明の一態様における発光デバイスにおいて、化合物１３１はπ電子過剰骨格を有すると好ましい。該構成とすることで、化合物１３１のＨＯＭＯ準位が高くなり、励起錯体の形成に好適となる。

ここで、本発明の一態様である発光デバイスでは、上述したような化合物１３２の発光団に保護基を有するゲスト材料を用いる。該構成とすることで、上述のように、ルートＡ_１５で表されるデクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、三重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。そのため、発光効率の高い蛍光発光デバイスを得ることができる。

なお、上記に示すような励起錯体から化合物１３３への励起エネルギーの供与があるルートＡ_１２及びＡ_１３の過程を、本明細書等においてＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）と呼称する場合がある。よって、本構成例は、ＥｘＴＥＴを利用可能な発光層に保護基を有する蛍光性材料を混合した構成と言うことができる。

＜発光層の構成例６＞
本構成例では、上述の発光層の構成例５で説明した化合物１３４にＴＡＤＦ性を有する材料を用いた場合について説明する。

図５Ｃにおいて発光層１３０は化合物１３１、化合物１３２、化合物１３３、化合物１３４と、を有する。本発明の一態様において、化合物１３３は三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する。化合物１３２は、実施の形態１に示した保護基を有する蛍光発光を呈するゲスト材料である。また、化合物１３１は化合物１３４と励起錯体を形成する有機化合物である。

ここで、化合物１３４はＴＡＤＦ材料であるため、励起錯体を形成していない化合物１３４は、三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図５Ｃ ルートＡ_１６）。化合物１３４が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動する。（図５Ｃ ルートＡ_１７）。このとき、Ｓ_Ｃ４≧Ｓ_Ｇであると好ましい。

本構成例の発光層を有する本発明の一態様の発光デバイスでは、ルートＡ_１２乃至ルートＡ_１４を経て、三重項励起エネルギーがゲスト材料である化合物１３２へ移動する経路と、ルートＡ_１６及びルートＡ_１７を経て化合物１３２へ移動する経路が存在する。三重項励起エネルギーが蛍光性材料へ移動する経路が複数存在することで、さらに発光効率を高めることができる。ルートＡ_１４において、化合物１３３はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。また、ルートＡ_１７において、化合物１３４はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。

ここで、本発明の一態様である発光デバイスでは、上述したような化合物１３２の発光団に保護基を有するゲスト材料を用いる。該構成とすることで、上述のように、ルートＡ_１５で表されるデクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、三重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。そのため、発光効率の高い蛍光発光デバイスを得ることができる。

＜発光層の構成例７＞
図６Ａに示す発光層１３０は、化合物１３１と、化合物１３２と、さらに化合物１３３と、を有する。本発明の一態様において、化合物１３２は、実施の形態１に示した保護基を有する蛍光性材料である。また、化合物１３３は、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する。本構成例では化合物１３３がりん光性材料である場合について説明する。

図６Ｂは、本発明の一態様の発光デバイス１５０の発光層１３０におけるエネルギー準位の相関の一例である。図６Ｂにおける表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｃｏｍｐ（１３１）：化合物１３１
・Ｃｏｍｐ（１３３）：化合物１３３
・Ｇｕｅｓｔ（１３２）：化合物１３２
・Ｓ_Ｃ１：化合物１３１のＳ１準位
・Ｔ_Ｃ１：化合物１３１のＴ１準位
・Ｔ_Ｃ３：化合物１３３のＴ１準位
・Ｔ_Ｇ：化合物１３２のＴ１準位
・Ｓ_Ｇ：化合物１３２のＳ１準位

本発明の一態様の発光デバイスにおいては、発光層１３０が有する化合物１３１において主としてキャリアの再結合が生じることにより、一重項励起子及び三重項励起子が生じる。ここで化合物１３３はりん光性材料であるため、Ｔ_Ｃ３≦Ｔ_Ｃ１という関係の材料を選択することで、化合物１３１で生じた一重項及び三重項励起エネルギー双方を化合物１３３のＴ_Ｃ３準位へ移動することができる（図６ＢルートＡ_１８）。

りん光性材料がエネルギードナーである場合、エネルギードナーの三重項励起エネルギー準位からゲスト材料（エネルギーアクセプター）の一重項励起エネルギー準位へのエネルギー移動が許容遷移となるため好ましい。よって、化合物１３３の三重項励起エネルギーをルートＡ_１９の過程によってゲスト材料のＳ１準位（Ｓ_Ｇ）へ移動させることができる。ルートＡ_１９において、化合物１３３はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。この場合、Ｔ_Ｃ３≧Ｓ_Ｇであると、化合物１３３の励起エネルギーが効率良くゲスト材料である化合物１３２の一重項励起状態へ移動するため好ましい。

ここで、本発明の一態様である発光デバイスでは、化合物１３２に発光団に保護基を有するゲスト材料を用いる。該構成とすることで、上述のように、ルートＡ_２０で表されるデクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、三重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。そのため、発光効率の高い蛍光発光デバイスを得ることができる。

＜発光層の構成例８＞
図６Ｃは、本発明の一態様の発光デバイス１５０の発光層１３０におけるエネルギー準位の相関の一例である。図６Ｃに示す発光層１３０は、化合物１３１と、化合物１３２と、さらに化合物１３３と、を有する。本発明の一態様において、化合物１３２は、実施の形態１に示した保護基を有する蛍光性材料である。また、化合物１３３は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する。本構成例では化合物１３３がＴＡＤＦ性を有する化合物である場合について説明する。

図６Ｃにおける表記及び符号は、以下の通りであり、その他の表記及び符号は図６Ｂに示す表記及び符号と同様である。
・Ｓ_Ｃ３：化合物１３３のＳ１準位

本発明の一態様の発光デバイスにおいては、発光層１３０が有する化合物１３１において主としてキャリアの再結合が生じることにより、一重項励起子及び三重項励起子が生じる。ここでＳ_Ｃ３≦Ｓ_Ｃ１かつＴ_Ｃ３≦Ｔ_Ｃ１という関係の材料を選択することで、化合物１３１で生じた一重項励起エネルギー及び三重項励起エネルギー双方を化合物１３３のＳ_Ｃ３及びＴ_Ｃ３準位へ移動することができる（図６ＣルートＡ_２１）。なお、一部のキャリアは、化合物１３３で再結合し得る。

ここで、化合物１３４はＴＡＤＦ材料であるため、三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図６Ｃ ルートＡ_２２）。また、化合物１３３が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動することができる。（図６Ｃ ルートＡ_２３）。このとき、Ｓ_Ｃ３≧Ｓ_Ｇであると好ましい。具体的には、化合物１３３の蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳ_Ｃ３とし、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーをＳ_Ｇとした際に、Ｓ_Ｃ３≧Ｓ_Ｇであることが好ましい。ルートＡ_２１乃至ルートＡ_２３の過程を経ることで、発光層１３０中の三重項励起エネルギーを化合物１３２の蛍光発光へ変換することができる。ルートＡ_２３において、化合物１３３はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。

ここで、本発明の一態様である発光デバイスでは、化合物１３２に発光団に保護基を有するゲスト材料を用いる。該構成とすることで、上述のように、ルートＡ_２４で表されるデクスター機構によるエネルギー移動を抑制し、三重項励起エネルギーの失活を抑制することができる。そのため、発光効率の高い蛍光発光デバイスを得ることができる。

＜材料＞
次に、本発明の一態様に係わる発光デバイスの構成要素の詳細について、以下説明を行う。

≪発光層≫
発光層１３０に用いることができる材料について、それぞれ以下に説明する。本発明の一態様の発光デバイスの発光層には、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有するエネルギードナーと、発光団及び保護基を有するエネルギーアクセプターを用いる。三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料としては、ＴＡＤＦ材料、励起錯体及びりん光性材料等が挙げられる。

エネルギーアクセプターとして機能する化合物１３２が有する発光団としては、例えばフェナントレン骨格、スチルベン骨格、アクリドン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格等が挙げられる。特にナフタレン骨格、アントラセン骨格、フルオレン骨格、クリセン骨格、トリフェニレン骨格、テトラセン骨格、ピレン骨格、ペリレン骨格、クマリン骨格、キナクリドン骨格、ナフトビスベンゾフラン骨格を有する蛍光性材料は蛍光量子収率が高いため好ましい。

また、保護基としては炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、炭素数３以上１０以下の分岐鎖アルキル基、炭素数３以上１２以下のトリアルキルシリル基が好ましい。

炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられるが、後述する炭素数３以上１０以下の分岐鎖アルキル基が特に好ましい。なお、該アルキル基はこれらに限定されない。

炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。該シクロアルキル基はこれらに限定されない。また該シクロアルキル基が置換基を有する場合、該置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基のような炭素数１以上７以下のアルキル基や、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、８，９，１０－トリノルボルナニル基、のような炭素数５以上７以下のシクロアルキル基や、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基のような炭素数６以上１２以下のアリール基等が挙げられる。

炭素数３以上１０以下の分岐鎖アルキル基としては、イソプロピル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、イソヘキシル基、３－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、２－エチルブチル基、１，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基等が挙げられる。該分岐鎖アルキル基はこれらに限定されない。

炭素数３以上１２以下のトリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。該トリアルキルシリル基はこれらに限定されない。

また、該エネルギーアクセプターの分子構造としては、発光団と２つ以上のアリール基が結合し、アリール基のそれぞれが少なくとも一つの保護基を有する構造であると好ましい。該アリール基のそれぞれに少なくとも２つの保護基が結合するとさらに好ましい。保護基の数が多い方が、発光層に該ゲスト材料を用いた場合、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制する効果が大きいためである。なお、分子量の増大を抑制し、昇華性を保つため、アリール基はフェニル基であることが好ましい。なお、発光団とアリール基は発光団が有する窒素原子で結合を有する構造が好ましい。

また、発光団に２つ以上のアリール基を結合させることによって、発光色を調整しつつ、量子収率が高い蛍光性材料を得ることができる。また、該アリール基は発光団に対して対称の位置に結合すると好ましい。該構成とすることによって、高い量子収率を有する蛍光性材料とすることができる。

また、発光団に直接保護基を導入するのではなく、アリール基を介して保護基を導入しても構わない。該構成とすることで、発光団を覆うように保護基を配置することができるため、どの方向からでもホスト材料と発光団との距離を遠ざけることができるため好ましい。また、発光団に直接保護基を結合させない場合、保護基は発光団１つに対して４つ以上導入することが好ましい。

また、図３で示したように、複数の保護基を構成する原子の少なくとも一つが、発光団すなわち縮合芳香環または縮合複素芳香環の一方の面の直上に位置し、かつ、複数の保護基を構成する原子の少なくとも一つが、該縮合芳香環または該縮合複素芳香環の他方の面の直上に位置する構成が好ましい。その具体的な手法としては、以下のような構成が挙げられる。すなわち、発光団である縮合芳香環または縮合複素芳香環が、２以上のフェニル基と結合し、該２以上のフェニル基は、それぞれ独立に、オルト位に保護基を有する。

このような構成とすることで、図３にて示したように、フェニル基上のオルト位の保護基が、発光団である縮合芳香環または縮合複素芳香環の直上に来るような立体配置を取ることができる。その結果、該縮合芳香環または該縮合複素芳香環の面の上方及び下方を効率良く覆うことができ、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制することができる。

以上で述べたようなエネルギーアクセプター材料としては、特に、実施の形態１で示した有機化合物が好ましい。

化合物１３１、化合物１３３および化合物１３４のいずれかに用いることが可能なＴＡＤＦ材料としては、正孔輸送性を有する骨格と、電子輸送性を有する骨格と、を有することが好ましい。または、π電子過剰骨格または芳香族アミン骨格と、π電子不足骨格と、を有することが好ましい。そうすることで、分子内でドナー－アクセプター型の励起状態を形成しやすくなる。さらに、分子内でドナー性とアクセプター性が共に強くなるよう、電子輸送性を有する骨格と、正孔輸送性を有する骨格と、が直接結合する構造を有することが好ましい。あるいは、π電子過剰骨格または芳香族アミン骨格と、π電子不足骨格と、が直接結合する構造を有すると好ましい。分子内でのドナー性とアクセプター性を共に強くすることで、ＨＯＭＯにおける分子軌道が分布する領域と、ＬＵＭＯにおける分子軌道が分布する領域との重なりを小さくすることができ、一重項励起エネルギー準位と三重項励起エネルギー準位とのエネルギー差を小さくすることが可能となる。また、三重項励起エネルギー準位を高いエネルギーに保つことが可能となる。ＴＡＤＦ材料のＳ１準位とＴ１準位とのエネルギー差は小さいことが好ましく、具体的には０ｅＶより大きく０．２ｅＶ以下であることが好ましい。

ＴＡＤＦ材料としては、例えば以下の材料を用いることができる。

まず、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン－塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。

また、一種の材料から構成されるＴＡＤＦ材料としては、π電子過剰骨格及びπ電子不足骨格の一方または双方を有する複素環化合物も用いることができる。具体的には、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－ＴＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジメチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［アクリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、４－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ）、４－［４－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＰＢｆｐｍ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）等が挙げられる。該複素環化合物は、π電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有するため、電子輸送性及び正孔輸送性が高く、好ましい。中でも、π電子不足型複素芳香環を有する骨格のうち、ピリジン骨格、ジアジン骨格（ピリミジン骨格、ピラジン骨格、ピリダジン骨格）、およびトリアジン骨格は、安定で信頼性が良好なため好ましい。特に、ベンゾフロピリミジン骨格、ベンゾチエノピリミジン骨格、ベンゾフロピラジン骨格、ベンゾチエノピラジン骨格はアクセプター性が高く、信頼性が良好なため好ましい。また、π電子過剰型複素芳香環を有する骨格の中でも、アクリジン骨格、フェノキサジン骨格、フェノチアジン骨格、フラン骨格、チオフェン骨格、及びピロール骨格は、安定で信頼性が良好なため、当該骨格の少なくとも一を有することが好ましい。なお、フラン骨格としてはジベンゾフラン骨格が、チオフェン骨格としてはジベンゾチオフェン骨格が、それぞれ好ましい。また、ピロール骨格としては、インドール骨格、カルバゾール骨格、ビカルバゾール骨格、３－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール骨格が特に好ましい。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強く、一重項励起状態の準位と三重項励起状態の準位の差が小さくなるため、特に好ましい。なお、π電子不足型複素芳香環の代わりに、シアノ基のような電子吸引基が結合した芳香環を用いても良い。また、π電子過剰型骨格として、芳香族アミン骨格、フェナジン骨格等を用いることができる。また、π電子不足型骨格として、キサンテン骨格、チオキサンテンジオキサイド骨格、オキサジアゾール骨格、トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、アントラキノン骨格、フェニルボランやボラントレン等の含ホウ素骨格、ベンゾニトリルまたはシアノベンゼン等のニトリル基またはシアノ基を有する芳香環や複素芳香環、ベンゾフェノン等のカルボニル骨格、ホスフィンオキシド骨格、スルホン骨格等を用いることができる。このように、π電子不足型複素芳香環およびπ電子過剰型複素芳香環の少なくとも一方の代わりにπ電子不足型骨格およびπ電子過剰型骨格を用いることができる。

また、化合物１３１、化合物１３３および化合物１３４のいずれかに用いることが可能なりん光性材料としては、イリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体が挙げられる。また、ポルフィリン配位子を有する白金錯体や有機イリジウム錯体が挙げられ、中でも例えば、イリジウム系オルトメタル錯体等の有機イリジウム錯体が好ましい。オルトメタル化する配位子としては４Ｈ－トリアゾール配位子、１Ｈ－トリアゾール配位子、イミダゾール配位子、ピリジン配位子、ピリミジン配位子、ピラジン配位子、あるいはイソキノリン配位子などが挙げられる。この場合、化合物１３３（りん光性材料）は三重項ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移の吸収帯を有する。また、当該りん光性材料をエネルギードナーとして用いる場合、当該りん光性材料の発光ピークが、化合物１３２（蛍光性材料）の最も長波長側（低エネルギー側）の吸収帯と重なるよう材料を選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光デバイスとすることができる。当該りん光性材料としては、具体的には以下のようなものが挙げられる。

青色または緑色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ^２］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）_３）、トリス（５－メチル－３，４－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ－３ｂ）_３）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）_３）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３－メチル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）_３）、トリス（１－メチル－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）_３）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）_３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ－トリアゾール骨格、１Ｈ－トリアゾール骨格およびイミダゾール骨格のような含窒素五員複素環骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、高い三重項励起エネルギーを有し、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ましい。

また、緑色または黄色に発光ピークを有する物質としては、例えば、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３）、（アセチルアセトナト）ビス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［４－（２－ノルボルニル）－６－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチルフェニル）－４－ピリミジニル－κＮ^３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（４，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_３）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_３）、ビス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス（２，４－ジフェニル－１，３－オキサゾラト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ－ＰＦ－ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））など有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、黄色または赤色に発光ピークを有する物質としては、例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ））、ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ））、ビス［４，６－ジ（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ））のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、化合物１３１、化合物１３３および化合物１３４のいずれかが励起錯体を形成する場合、上記ＴＡＤＦ材料およびりん光性材料のほかに亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体などが挙げられる。他の例としては、芳香族アミンやカルバゾール誘導体などが挙げられる。

また、以下の正孔輸送性材料および電子輸送性材料を用いることができる。

正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、スチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。

これら正孔輸送性の高い材料として、例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

また、カルバゾール誘導体としては、具体的には、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、カルバゾール誘導体としては、他に、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３，５，６－テトラフェニルベンゼン等を用いることができる。

また、芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４乃至炭素数４２である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔輸送性の高い材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’－ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニルアミノ－９Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４－フェニルジフェニル－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９－ジメチル－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、２－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２，７－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－（４－フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９－ジメチルフルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、３－［４－（９－フェナントリル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、１，３，５－トリ（ジベンゾチオフェン－４－イル）－ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、４－［３－（トリフェニレン－２－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ－ＩＩ）等のアミン化合物、カルバゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。

電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい材料（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物や金属錯体などを用いることができる。具体的には、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などが挙げられる。

例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等が挙げられる。また、この他ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ－ＩＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物や、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）などのトリアジン骨格を有する複素環化合物や、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

なお、励起錯体を形成する化合物にＴＡＤＦ材料やりん光性材料が含まれない場合、一方が電子を輸送する機能を有し、他方が正孔を輸送する機能を有すると好ましい。また、一方がπ電子不足型複素芳香環を有し、他方がπ電子過剰型複素芳香環を有すると好ましい。

また、励起錯体の発光ピークは、化合物１３２（蛍光性材料）の最も長波長側（低エネルギー側）の吸収帯と重なるように化合物１３１と化合物１３３または化合物１３１と化合物１３４、および化合物１３２（蛍光性材料）を選択することが好ましい。これにより、発光効率が飛躍的に向上した発光デバイスとすることができる。

また、りん光性材料を一方の材料として励起錯体を形成する場合、りん光性材料は常温で発光する必要はなく、励起錯体を形成した際に常温で発光できればよい。この場合、例えば、Ｉｒ（ｐｐｚ）_３などをりん光性材料として用いることができる。

なお、発光層１３０は２層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層１３０とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。

また、発光層１３０において、化合物１３１、化合物１３２、化合物１３３及び化合物１３４以外の材料（化合物１３５（図示せず））が含まれていても良い。その場合、化合物１３１及び化合物１３３（または化合物１３４）が効率よく励起錯体を形成するためには、化合物１３１及び化合物１３３（または化合物１３４）のうち一方のＨＯＭＯ準位が発光層１３０中の材料のうち最も高いＨＯＭＯ準位を有し、他方のＬＵＭＯ準位が発光層１３０中の材料のうち最も低いＬＵＭＯ準位を有すると好ましい。そのようなエネルギー準位の相関とすることで、化合物１３１と化合物１３５とで励起錯体を形成する反応を抑制することができる。

例えば、化合物１３１が正孔輸送性を有し、化合物１３３（または化合物１３４）が電子輸送性を有する場合、化合物１３１のＨＯＭＯ準位が化合物１３３のＨＯＭＯ準位および化合物１３５のＨＯＭＯ準位より高いことが好ましく、化合物１３３のＬＵＭＯ準位が化合物１３１のＬＵＭＯ準位および化合物１３５のＬＵＭＯ準位より低いことが好ましい。この場合、化合物１３５のＬＵＭＯ準位は、化合物１３１のＬＵＭＯ準位より高くても低くてもよい。また、化合物１３５のＨＯＭＯ準位は、化合物１３３のＨＯＭＯ準位より高くても低くてもよい。

化合物１３５としては、特に限定はないが、例えば、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’－オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン－２，７，１０，１５－テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－トリ（１－ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。また、これら及び公知の物質の中から、上記化合物１３１及び化合物１３２のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。

≪一対の電極≫
電極１０１及び電極１０２は、発光層１３０へ正孔と電子を注入する機能を有する。電極１０１及び電極１０２は、金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物や積層体などを用いて形成することができる。金属としてはアルミニウム（Ａｌ）が典型例であり、その他、銀（Ａｇ）、タングステン、クロム、モリブデン、銅、チタンなどの遷移金属、リチウム（Ｌｉ）やセシウムなどのアルカリ金属、カルシウム、マグネシウム（Ｍｇ）などの第２族金属を用いることができる。遷移金属としてイッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属を用いても良い。合金としては、上記金属を含む合金を使用することができ、例えばＭｇＡｇ、ＡｌＬｉなどが挙げられる。導電性化合物としては、例えば、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯ）、珪素または酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、タングステン及び亜鉛を含有したインジウム酸化物などの金属酸化物が挙げられる。導電性化合物としてグラフェンなどの無機炭素系材料を用いても良い。上述したように、これらの材料の複数を積層することによって電極１０１及び電極１０２の一方または双方を形成しても良い。

また、発光層１３０から得られる発光は、電極１０１及び電極１０２の一方または双方を通して取り出される。したがって、電極１０１及び電極１０２の少なくとも一つは可視光を透過する機能を有する。光を透過する機能を有する導電性材料としては、可視光の透過率が４０％以上１００％以下、好ましくは６０％以上１００％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。また、光を取り出す方の電極は、光を透過する機能と、光を反射する機能と、を有する導電性材料により形成されても良い。該導電性材料としては、可視光の反射率が２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下であり、かつその抵抗率が１×１０^－２Ω・ｃｍ以下の導電性材料が挙げられる。光を取り出す方の電極に金属や合金などの光透過性の低い材料を用いる場合には、可視光を透過できる程度の厚さ（例えば、１ｎｍから１０ｎｍの厚さ）で電極１０１及び電極１０２の一方または双方を形成すればよい。

なお、本明細書等において、光を透過する機能を有する電極には、可視光を透過する機能を有し、且つ導電性を有する材料を用いればよく、例えば上記のようなＩＴＯに代表される酸化物導電体層に加えて、酸化物半導体層、または有機物を含む有機導電体層を含む。有機物を含む有機導電体層としては、例えば、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を含む層、有機化合物と電子受容体（アクセプター）とを混合してなる複合材料を含む層等が挙げられる。また、透明導電層の抵抗率としては、好ましくは１×１０^５Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは１×１０^４Ω・ｃｍ以下である。

また、電極１０１及び電極１０２の成膜方法は、スパッタリング法、蒸着法、印刷法、塗布法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。

≪正孔注入層≫
正孔注入層１１１は、一対の電極の一方（電極１０１または電極１０２）からのホール注入障壁を低減することでホール注入を促進する機能を有し、例えば遷移金属酸化物、フタロシアニン誘導体、あるいは芳香族アミンなどによって形成される。遷移金属酸化物としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物などが挙げられる。フタロシアニン誘導体としては、フタロシアニンや金属フタロシアニンなどが挙げられる。芳香族アミンとしてはベンジジン誘導体やフェニレンジアミン誘導体などが挙げられる。ポリチオフェンやポリアニリンなどの高分子化合物を用いることもでき、例えば自己ドープされたポリチオフェンであるポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）などがその代表例である。

正孔注入層１１１として、正孔輸送性材料と、これに対して電子受容性を示す材料の複合材料を有する層を用いることもできる。あるいは、電子受容性を示す材料を含む層と正孔輸送性材料を含む層の積層を用いても良い。これらの材料間では定常状態、あるいは電界存在下において電荷の授受が可能である。電子受容性を示す材料としては、キノジメタン誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを挙げることができる。具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）等の電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する化合物を挙げることができる。特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。また、遷移金属酸化物、例えば第４族から第８族金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどである。中でも酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

正孔輸送性材料としては、電子よりも正孔の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する材料であることが好ましい。具体的には、発光層１３０に用いることができる正孔輸送性材料として挙げた芳香族アミンおよびカルバゾール誘導体を用いることができる。また、芳香族炭化水素およびスチルベン誘導体などを用いることができる。また、該正孔輸送性材料は高分子化合物であっても良い。

芳香族炭化水素としては、例えば、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス（４－フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＢＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン（略称：ｔ－ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０－ビス（４－メチル－１－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、９，１０－ビス［２－（１－ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（１－ナフチル）アントラセン、２，３，６，７－テトラメチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン、９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ジフェニル－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス（２－フェニルフェニル）－９，９’－ビアントリル、１０，１０’－ビス［（２，３，４，５，６－ペンタフェニル）フェニル］－９，９’－ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン等が挙げられる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４以上炭素数４２以下である芳香族炭化水素を用いることがより好ましい。

なお、芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’－ビス（２，２－ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０－ビス［４－（２，２－ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもできる。

≪正孔輸送層≫
正孔輸送層１１２は正孔輸送性材料を含む層であり、正孔注入層１１１の材料として例示した材料を使用することができる。正孔輸送層１１２は正孔注入層１１１に注入された正孔を発光層１３０へ輸送する機能を有するため、正孔注入層１１１のＨＯＭＯ準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準位を有することが好ましい。

上記正孔輸送性材料として、正孔注入層１１１の材料として例示した材料を用いることができる。また、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外の物質を用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。

≪電子輸送層≫
電子輸送層１１８は、電子注入層１１９を経て一対の電極の他方（電極１０１または電極１０２）から注入された電子を発光層１３０へ輸送する機能を有する。電子輸送性材料としては、正孔よりも電子の輸送性の高い材料を用いることができ、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する材料であることが好ましい。電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性を有する材料）としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族や金属錯体などを用いることができる。具体的には、発光層１３０に用いることができる電子輸送性材料として挙げたキノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体が挙げられる。また、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などが挙げられる。また、１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。また、電子輸送層１１８は、単層だけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層してもよい。

また、電子輸送層１１８と発光層１３０との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。電子キャリアの移動を制御する層は、上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した層であり、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節することが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。

≪電子注入層≫
電子注入層１１９は電極１０２からの電子注入障壁を低減することで電子注入を促進する機能を有し、例えば第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩などを用いることができる。また、先に示す電子輸送性材料と、これに対して電子供与性を示す材料の複合材料を用いることもできる。電子供与性を示す材料としては、第１族金属、第２族金属、あるいはこれらの酸化物などを挙げることができる。具体的には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１１９にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。また、電子注入層１１９に、電子輸送層１１８で用いることが出来る物質を用いても良い。

また、電子注入層１１９に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１８を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

なお、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法、ノズルプリント法、グラビア印刷等の方法で形成することができる。また、上述した、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層には、上述した材料の他、量子ドットなどの無機化合物または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）を用いてもよい。

なお、量子ドットとしては、コロイド状量子ドット、合金型量子ドット、コア・シェル型量子ドット、コア型量子ドット、などを用いてもよい。また、２族と１６族、１３族と１５族、１３族と１７族、１１族と１７族、または１４族と１５族の元素グループを含む量子ドットを用いてもよい。または、カドミウム（Ｃｄ）、セレン（Ｓｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、インジウム（Ｉｎ）、テルル（Ｔｅ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、アルミニウム（Ａｌ）、等の元素を有する量子ドットを用いてもよい。

ウェットプロセスに用いる液媒体としては、たとえば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いることができる。

また、発光層に用いることができる高分子化合物としては、例えば、ポリ［２－メトキシ－５－（２－エチルヘキシルオキシ）－１，４－フェニレンビニレン］（略称：ＭＥＨ－ＰＰＶ）、ポリ（２，５－ジオクチル－１，４－フェニレンビニレン）等のポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体、ポリ（９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレニル－２，７－ジイル）（略称：ＰＦ８）、ポリ［（９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ａｌｔ－（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール－４，８－ジイル）］（略称：Ｆ８ＢＴ）、ポリ［（９，９－ジ－ｎ－オクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ａｌｔ－（２，２’－ビチオフェン－５，５’－ジイル）］（略称Ｆ８Ｔ２）、ポリ［（９，９－ジオクチル－２，７－ジビニレンフルオレニレン）－ａｌｔ－（９，１０－アントラセン）］、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ａｌｔ－（２，５－ジメチル－１，４－フェニレン）］等のポリフルオレン誘導体、ポリ（３－ヘキシルチオフェン－２，５－ジイル）（略称：Ｐ３ＨＴ）等のポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）誘導体、ポリフェニレン誘導体等が挙げられる。また、これらの高分子化合物や、ＰＶＫ、ポリ（２－ビニルナフタレン）、ポリ［ビス（４－フェニル）（２，４，６－トリメチルフェニル）アミン］（略称：ＰＴＡＡ）等の高分子化合物に、発光性の化合物をドープして発光層に用いてもよい。発光性の化合物としては、先に挙げた発光性の化合物を用いることができる。

≪基板≫
また、本発明の一態様に係る発光デバイスは、ガラス、プラスチックなどからなる基板上に作製すればよい。基板上に作製する順番としては、電極１０１側から順に積層しても、電極１０２側から順に積層しても良い。

なお、本発明の一態様に係る発光デバイスを形成できる基板としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレートからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光デバイス、及び光学素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。あるいは、発光デバイス、及び光学素子を保護する機能を有するものであればよい。

例えば、本発明の一態様においては、様々な基板を用いて発光デバイスを形成することが出来る。基板の種類は、特に限定されない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含むセルロースナノファイバ（ＣＮＦ）や紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下が挙げられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。

また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、発光デバイスを形成してもよい。または、基板と発光デバイスとの間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に発光デバイスを一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも発光デバイスを転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。

つまり、ある基板を用いて発光デバイスを形成し、その後、別の基板に発光デバイスを転置し、別の基板上に発光デバイスを配置してもよい。発光デバイスが転置される基板の一例としては、上述した基板に加え、セロファン基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、壊れにくい発光デバイス、耐熱性の高い発光デバイス、軽量化された発光デバイス、または薄型化された発光デバイスとすることができる。

また、上述した基板上に、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を形成し、ＦＥＴと電気的に接続された電極上に発光デバイス１５０を作製してもよい。これにより、ＦＥＴによって発光デバイスの駆動を制御するアクティブマトリクス型の表示装置を作製できる。

以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態においては、実施の形態１に示す発光デバイスの構成と異なる構成の発光デバイスについて、図７を用いて、以下説明を行う。なお、図７において、図１Ａに示す符号と同様の機能を有する箇所には、同様のハッチパターンとし、符号を省略する場合がある。また、同様の機能を有する箇所には、同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。

＜発光デバイスの構成例２＞
図７は、発光デバイス２５０の断面模式図である。

図７に示す発光デバイス２５０は、一対の電極（電極１０１及び電極１０２）の間に、複数の発光ユニット（発光ユニット１０６及び発光ユニット１０８）を有する。複数の発光ユニットのうちいずれか一つの発光ユニットは、図１Ａに示した、ＥＬ層１００と同様な構成を有すると好ましい。つまり、図１Ａで示した発光デバイス１５０は、１つの発光ユニットを有し、発光デバイス２５０は、複数の発光ユニットを有すると好ましい。なお、発光デバイス２５０において、電極１０１が陽極として機能し、電極１０２が陰極として機能するとして、以下説明するが、発光デバイス２５０の構成としては、逆であっても構わない。

また、図７に示す発光デバイス２５０において、発光ユニット１０６と発光ユニット１０８とが積層されており、発光ユニット１０６と発光ユニット１０８との間には電荷発生層１１５が設けられる。なお、発光ユニット１０６と発光ユニット１０８は、同じ構成でも異なる構成でもよい。例えば、発光ユニット１０８に、ＥＬ層１００と同様な構成を用いると好ましい。

また、発光デバイス２５０は、発光層１２０と、発光層１７０と、を有する。また、発光ユニット１０６は、発光層１２０の他に、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１３、及び電子注入層１１４を有する。また、発光ユニット１０８は、発光層１７０の他に、正孔注入層１１６、正孔輸送層１１７、電子輸送層１１８、及び電子注入層１１９を有する。

発光デバイス２５０は発光ユニット１０６及び発光ユニット１０８が有するいずれかの層に本発明の一態様に係る化合物が含まれていればよい。なお、該化合物が含まれる層として好ましくは発光層１２０または発光層１７０である。

電荷発生層１１５は、正孔輸送性材料に電子受容体であるアクセプター性物質が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体であるドナー性物質が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。

電荷発生層１１５に、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料が含まれる場合、該複合材料には実施の形態１に示す正孔注入層１１１に用いることができる複合材料を用いればよい。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール化合物、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔移動度が１×１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい。ただし、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。有機化合物とアクセプター性物質の複合材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、低電圧駆動、低電流駆動を実現することができる。なお、発光ユニットの陽極側の面が電荷発生層１１５に接している場合は、電荷発生層１１５が該発光ユニットの正孔注入層または正孔輸送層の役割も担うことができるため、該発光ユニットには正孔注入層または正孔輸送層を設けない構成であっても良い。あるいは、発光ユニットの陰極側の面が電荷発生層１１５に接している場合は、電荷発生層１１５が該発光ユニットの電子注入層または電子輸送層の役割も担うことができるため、該発光ユニットには電子注入層または電子輸送層を設けない構成であっても良い。

なお、電荷発生層１１５は、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と他の材料により構成される層を組み合わせた積層構造として形成してもよい。例えば、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、電子供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わせて形成してもよい。また、有機化合物とアクセプター性物質の複合材料を含む層と、透明導電膜を含む層とを組み合わせて形成してもよい。

なお、発光ユニット１０６と発光ユニット１０８とに挟まれる電荷発生層１１５は、電極１０１と電極１０２とに電圧を印加したときに、一方の発光ユニットに電子を注入し、他方の発光ユニットに正孔を注入するものであれば良い。例えば、図７において、電極１０１の電位の方が電極１０２の電位よりも高くなるように電圧を印加した場合、電荷発生層１１５は、発光ユニット１０６に電子を注入し、発光ユニット１０８に正孔を注入する。

なお、電荷発生層１１５は、光取出し効率の点から、可視光に対して透光性（具体的には、電荷発生層１１５に対する可視光の透過率が４０％以上）を有することが好ましい。また、電荷発生層１１５は、一対の電極（電極１０１及び電極１０２）よりも低い導電率であっても機能する。

上述した材料を用いて電荷発生層１１５を形成することにより、発光層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

また、図７においては、２つの発光ユニットを有する発光デバイスについて説明したが、３つ以上の発光ユニットを積層した発光デバイスについても、同様に適用することが可能である。発光デバイス２５０に示すように、一対の電極間に複数の発光ユニットを電荷発生層で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度発光を可能とし、さらに長寿命な発光デバイスを実現できる。また、消費電力が低い発光デバイスを実現することができる。

なお、上記各構成において、発光ユニット１０６及び発光ユニット１０８、に用いるゲスト材料が呈する発光色としては、互いに同じであっても異なっていてもよい。発光ユニット１０６及び発光ユニット１０８、で互いに同じ色の発光を呈する機能を有するゲスト材料を有する場合、発光デバイス２５０は少ない電流値で高い発光輝度を呈する発光デバイスとなり好ましい。また、発光ユニット１０６及び発光ユニット１０８、で互いに異なる色の発光を呈する機能を有するゲスト材料を有する場合、発光デバイス２５０は多色発光を呈する発光デバイスとなり好ましい。この場合、発光層１２０及び発光層１７０のいずれか一方もしくは双方、に発光波長の異なる複数の発光材料を用いることによって、発光デバイス２５０が呈する発光スペクトルは異なる発光ピークを有する発光が合成された光となるため、少なくとも二つの極大値を有する発光スペクトルとなる。

上記の構成は白色発光を得るためにも好適である。発光層１２０及び発光層１７０、の光を互いに補色の関係とすることによって、白色発光を得ることができる。特に、演色性の高い白色発光、あるいは少なくとも赤色と緑色と青色とを有する発光、になるようゲスト材料を選択することが好適である。

発光層１２０及び発光層１７０の一方または両方に実施の形態１で示した発光層１３０の構成を用いると好ましい。該構成にすることによって、発光効率及び信頼性が良好な発光デバイスを得ることができる。発光層１３０に含まれるゲスト材料は蛍光性材料である。そのため、発光層１２０及び発光層１７０の一方または両方に実施の形態１で示した発光層１３０の構成を用いることで、高効率、高信頼性を有する発光デバイスを得ることができる。

また、３つ以上の発光ユニットを積層した発光デバイスの場合、それぞれの発光ユニットに用いるゲスト材料が呈する発光色は、互いに同じであっても異なっていてもよい。同色の発光を呈する発光ユニットを複数有する場合、この複数の発光ユニットが呈する発光色は、小さい電流値で高い発光輝度を得ることができる。このような構成は、発光色の調整に好適に用いることができる。特に、発光効率が異なり且つ、異なる発光色を呈するゲスト材料を用いる場合に好適である。例えば、３層の発光ユニットを有する場合、同色の蛍光性材料を有する発光ユニットを２層、該蛍光性材料とは異なる発光色を呈するりん光材料を有する発光ユニットを１層とすることで、蛍光発光とりん光発光の発光強度を調整することができる。すなわち、発光ユニットの数によって発光色の強度を調整可能である。

このような蛍光発光ユニットを２層、りん光発光ユニットを１層有する発光デバイスの場合、青色蛍光性材料を含む発光ユニットを２層及び黄色りん光材料を含む発光ユニットを１層含有する発光デバイス、青色蛍光性材料を含む発光ユニットを２層及び、赤りん光材料及び緑りん光材料を含む発光ユニットを１層有する発光デバイスまたは、青色蛍光性材料を含む発光ユニットを２層及び赤りん光材料、黄色りん光材料及び緑りん光材料を含む発光ユニットを１層有する発光デバイス、であると効率良く白色発光が得られるため好ましい。このように本発明の一態様の発光デバイスは、りん光発光ユニットと適宜組み合わせることができる。

また、上述のりん光発光ユニットは青色以外の発光色を呈する。この青色以外の発光ユニットとして実施の形態１で示した発光層１３０の構成を用いることが可能である。この場合、青色以外の発光ユニットは蛍光性材料を有する。例えば、青色蛍光性材料を含む発光ユニットを２層及び黄色蛍光性材料を含む発光ユニットを１層含有する発光デバイス、青色蛍光性材料を含む発光ユニットを２層及び、赤蛍光性材料及び緑蛍光性材料を含む発光ユニットを１層有する発光デバイスまたは、青色蛍光性材料を含む発光ユニットを２層及び赤蛍光性材料、黄色蛍光性材料及び緑蛍光性材料を含む発光ユニットを１層有する発光デバイスが考えられる。この場合、発光デバイスが有する発光ユニットの中で、青色以外の発光を呈する発光ユニット、上述の発光ユニットの組合せの場合、赤、緑、黄色の発光ユニットに実施の形態１で示した発光層１３０の構成も用いる構成が考えられる。該構成とすることで、効率良く白色発光が得られるため好ましい。この場合、青色蛍光発光ユニットが有する発光層には下記の材料を用いることができる。また、該青色蛍光発光ユニットが有する発光層に含まれるホスト材料のＴ１準位とゲスト材料のＴ１準位の関係はホスト材料のＴ１準位＜ゲスト材料のＴ１準位であると、三重項－三重項消滅（ＴＴＡ：ｔｒｉｐｌｅｔ－ｔｒｉｐｌｅｔ ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）による高効率化が期待できるため好ましい。もちろん、青色蛍光発光ユニットに実施の形態１で示した発光層１３０の構成も用いても構わない。

また、発光層１２０または発光層１７０の少なくとも一つを層状にさらに分割し、当該分割した層ごとに異なる発光材料を含有させるようにしても良い。すなわち、発光層１２０、または発光層１７０の少なくとも一つが２層以上の複数層でもって構成することもできる。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する材料を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する材料を用いる構成などがある。この場合、第１の発光層と第２の発光層とが有する発光材料は、同じ材料あっても異なる材料であってもよく、同じ色の発光を呈する機能を有する材料であっても、異なる色の発光を呈する機能を有する材料であってもよい。互いに異なる色の発光を呈する機能を有する複数の発光材料を有する構成により、三原色や、４色以上の発光色からなる演色性の高い白色発光を得ることもできる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態４）
本実施の形態では実施の形態１及び実施の形態３で説明した発光デバイスを用いた発光装置について、図８Ａ及び図８Ｂを用いて説明する。

図８Ａは、発光装置を示す上面図、図８Ｂは図８ＡをＡ－ＢおよびＣ－Ｄで切断した断面図である。この発光装置は、発光デバイスの発光を制御するものとして、点線で示された駆動回路部（ソース側駆動回路）６０１、画素部６０２、駆動回路部（ゲート側駆動回路）６０３を含んでいる。また、６０４は封止基板、６２５は乾燥材、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。

なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態を含むものとする。

次に、上記発光装置の断面構造について図８Ｂを用いて説明する。素子基板６１０上に駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と画素部６０２中の一つの画素が示されている。

なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路は種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路等で形成しても良い。また本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、駆動回路を基板上ではなく、外部に形成することもできる。

また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆うように絶縁物６１４が形成されている。絶縁物６１４は、ポジ型の感光性樹脂膜を用いることにより形成することができる。

また、絶縁物６１４上に形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料として感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲面をもたせることが好ましい。該曲面の曲率半径は０．２μｍ以上０．３μｍ以下が好ましい。また、絶縁物６１４として、ネガ型、ポジ型、いずれの感光材料も使用することができる。

第１の電極６１３上には、ＥＬ層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、またはケイ素を含有したインジウム錫酸化物膜、２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、ＥＬ層６１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、インクジェット法、スピンコート法等の種々の方法によって形成される。ＥＬ層６１６を構成する材料としては、低分子化合物、または高分子化合物（オリゴマー、デンドリマーを含む）であっても良い。

さらに、ＥＬ層６１６上に形成され、陰極として機能する第２の電極６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ等）を用いることが好ましい。なお、ＥＬ層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、ケイ素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

なお、第１の電極６１３、ＥＬ層６１６、第２の電極６１７により、発光デバイス６１８が形成されている。発光デバイス６１８は実施の形態１及び実施の形態２の構成を有する発光デバイスであると好ましい。なお、画素部は複数の発光デバイスが形成されてなっているが、本実施の形態における発光装置では、実施の形態２で説明した構成を有する発光デバイスと、それ以外の構成を有する発光デバイスの両方が含まれていても良い。

さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光デバイス６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、充填材が充填されており、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、樹脂若しくは乾燥材又はその両方で充填される場合もある。

なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、実施の形態２で説明した発光デバイスを用いた発光装置を得ることができる。

＜発光装置の構成例１＞
図９には発光装置の一例として、白色発光を呈する発光デバイスを形成し、着色層（カラーフィルタ）を形成した発光装置の例を示す。

図９Ａには基板１００１、下地絶縁膜１００２、ゲート絶縁膜１００３、ゲート電極１００６、１００７、１００８、第１の層間絶縁膜１０２０、第２の層間絶縁膜１０２１、周辺部１０４２、画素部１０４０、駆動回路部１０４１、発光デバイスの第１の電極１０２４Ｗ、１０２４Ｒ、１０２４Ｇ、１０２４Ｂ、隔壁１０２６、ＥＬ層１０２８、発光デバイスの第２の電極１０２９、封止基板１０３１、シール材１０３２、赤色画素１０４４Ｒ、緑色画素１０４４Ｇ、青色画素１０４４Ｂ、白色画素１０４４Ｗなどが図示されている。

また、図９Ａ、図９Ｂには着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を透明な基材１０３３に設けている。また、黒色層（ブラックマトリックス）１０３５をさらに設けても良い。着色層及び黒色層が設けられた透明な基材１０３３は、位置合わせし、基板１００１に固定する。なお、着色層、及び黒色層は、オーバーコート層１０３６で覆われている。また、図９Ａにおいては、光が着色層を透過せずに外部へと出る発光層と、各色の着色層を透過して外部に光が出る発光層とがあり、着色層を透過しない光は白、着色層を透過する光は赤、青、緑となることから、４色の画素で映像を表現することができる。

図９Ｂでは赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂをゲート絶縁膜１００３と第１の層間絶縁膜１０２０との間に形成する例を示した。図９Ｂに示すように着色層は基板１００１と封止基板１０３１の間に設けられても良い。

また、以上に説明した発光装置では、ＴＦＴが形成されている基板１００１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としたが、封止基板１０３１側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置としても良い。

＜発光装置の構成例２＞
トップエミッション型の発光装置の断面図を図１０Ａ及び図１０Ｂに示す。この場合、基板１００１は光を通さない基板を用いることができる。ＴＦＴと発光デバイスの陽極とを接続する接続電極を作製するまでは、ボトムエミッション型の発光装置と同様に形成する。その後、第３の層間絶縁膜１０３７を電極１０２２を覆って形成する。この絶縁膜は平坦化の役割を担っていても良い。第３の層間絶縁膜１０３７は第２の層間絶縁膜１０２１と同様の材料の他、他の様々な材料を用いて形成することができる。

発光デバイスの下部電極１０２５Ｗ、下部電極１０２５Ｒ、下部電極１０２５Ｇ、下部電極１０２５Ｂはここでは陽極とするが、陰極であっても構わない。また、図１０Ａ及び図１０Ｂのようなトップエミッション型の発光装置である場合、下部電極１０２５Ｗ、下部電極１０２５Ｒ、下部電極１０２５Ｇ、下部電極１０２５Ｂは反射電極とすることが好ましい。なお、第２の電極１０２９は光を反射する機能と、光を透過する機能を有すると好ましい。また、第２の電極１０２９と下部電極１０２５Ｗ、下部電極１０２５Ｒ、下部電極１０２５Ｇ、下部電極１０２５Ｂとの間でマイクロキャビティ構造を適用し特定波長の光を増幅する機能を有すると好ましい。ＥＬ層１０２８の構成は、実施の形態１及び実施の形態３で説明したような構成とし、白色の発光が得られるような素子構造とする。

図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ及び図１０Ｂにおいて、白色の発光が得られるＥＬ層の構成としては、発光層を複数層用いること、複数の発光ユニットを用いることなどにより実現すればよい。なお、白色発光を得る構成はこれらに限られない。

図１０Ａ及び図１０Ｂのようなトップエミッション構造では着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）を設けた封止基板１０３１で封止を行うことができる。封止基板１０３１には画素と画素との間に位置するように黒色層（ブラックマトリックス）１０３０を設けても良い。着色層（赤色の着色層１０３４Ｒ、緑色の着色層１０３４Ｇ、青色の着色層１０３４Ｂ）はオーバーコート層によって覆われていても良い。なお封止基板１０３１は透光性を有する基板を用いる。

また、図１０Ａでは赤、緑、青の３色でフルカラー表示を行う構成を示したが、図１０Ｂに示すように、赤、緑、青、白の４色でフルカラー表示を行っても構わない。また、フルカラー表示を行う構成はこれらに限定されない。例えば、また、赤、緑、青、黄の４色でフルカラー表示を行ってもよい。

本発明の一態様に係る発光デバイスは、ゲスト材料として蛍光性材料を用いる。蛍光性材料はりん光材料と比較し、スペクトルがシャープであるため、色純度が高い発光を得ることができる。そのため、本実施の形態に示す発光装置に該発光デバイスを用いることによって、色再現性が高い発光装置を得ることができる。

以上のようにして、実施の形態２で説明した発光デバイスを用いた発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び表示装置について説明する。

本発明の一態様によって、平面を有し、発光効率が良好な、信頼性の高い電子機器及び表示装置を作製できる。また、本発明の一態様により、曲面を有し、発光効率が良好な、信頼性の高い電子機器及び表示装置を作製できる。また、上述のように色再現性が高い発光デバイスを得ることができる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

図１１Ａ、図１１Ｂに示す携帯情報端末９００は、筐体９０１、筐体９０２、表示部９０３、及びヒンジ部９０５等を有する。

筐体９０１と筐体９０２は、ヒンジ部９０５で連結されている。携帯情報端末９００は、折り畳んだ状態（図１１Ａ）から、図１１Ｂに示すように展開させることができる。これにより、持ち運ぶ際には可搬性に優れ、使用するときには大きな表示領域により、視認性に優れる。

携帯情報端末９００には、ヒンジ部９０５により連結された筐体９０１と筐体９０２に亘って、フレキシブルな表示部９０３が設けられている。

本発明の一態様を用いて作製された発光装置を、表示部９０３に用いることができる。これにより、高信頼性を有する携帯情報端末を作製することができる。

表示部９０３は、文書情報、静止画像、及び動画像等のうち少なくとも一つを表示することができる。表示部に文書情報を表示させる場合、携帯情報端末９００を電子書籍端末として用いることができる。

携帯情報端末９００を展開すると、表示部９０３が曲率半径が大きい状態で保持される。例えば、曲率半径１ｍｍ以上５０ｍｍ以下、好ましくは５ｍｍ以上３０ｍｍ以下に湾曲した部分を含んで、表示部９０３が保持される。表示部９０３の一部は、筐体９０１から筐体９０２にかけて、連続的に画素が配置され、曲面状の表示を行うことができる。

表示部９０３は、タッチパネルとして機能し、指やスタイラスなどにより操作することができる。

表示部９０３は、一つのフレキシブルディスプレイで構成されていることが好ましい。これにより、筐体９０１と筐体９０２の間で途切れることのない連続した表示を行うことができる。なお、筐体９０１と筐体９０２のそれぞれに、ディスプレイが設けられる構成としてもよい。

ヒンジ部９０５は、携帯情報端末９００を展開したときに、筐体９０１と筐体９０２との角度が所定の角度よりも大きい角度にならないように、ロック機構を有することが好ましい。例えば、ロックがかかる（それ以上に開かない）角度は、９０度以上１８０度未満であることが好ましく、代表的には、９０度、１２０度、１３５度、１５０度、または１７５度などとすることができる。これにより、携帯情報端末９００の利便性、安全性、及び信頼性を高めることができる。

ヒンジ部９０５がロック機構を有すると、表示部９０３に無理な力がかかることなく、表示部９０３が破損することを防ぐことができる。そのため、信頼性の高い携帯情報端末を実現できる。

筐体９０１及び筐体９０２は、電源ボタン、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク等を有していてもよい。

筐体９０１または筐体９０２のいずれか一方には、無線通信モジュールが設けられ、インターネットやＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、Ｗｉ－Ｆｉ（登録商標）などのコンピュータネットワークを介して、データを送受信することが可能である。

図１１Ｃに示す携帯情報端末９１０は、筐体９１１、表示部９１２、操作ボタン９１３、外部接続ポート９１４、スピーカ９１５、マイク９１６、カメラ９１７等を有する。

本発明の一態様を用いて作製された発光装置を、表示部９１２に用いることができる。これにより、高い歩留まりで携帯情報端末を作製することができる。

携帯情報端末９１０は、表示部９１２にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部９１２に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン９１３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部９１２に表示される画像の種類の切り替えを行うことができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

また、携帯情報端末９１０の内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯情報端末９１０の向き（縦か横か）を判断して、表示部９１２の画面表示の向きを自動的に切り替えることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部９１２に触れること、操作ボタン９１３の操作、またはマイク９１６を用いた音声入力等により行うこともできる。

携帯情報端末９１０は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとして用いることができる。携帯情報端末９１０は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、動画再生、インターネット通信、ゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

図１１Ｄに示すカメラ９２０は、筐体９２１、表示部９２２、操作ボタン９２３、シャッターボタン９２４等を有する。またカメラ９２０には、着脱可能なレンズ９２６が取り付けられている。

本発明の一態様を用いて作製された発光装置を、表示部９２２に用いることができる。これにより、高信頼性を有するカメラを作製することができる。

ここではカメラ９２０を、レンズ９２６を筐体９２１から取り外して交換することが可能な構成としたが、レンズ９２６と筐体９２１とが一体となっていてもよい。

カメラ９２０は、シャッターボタン９２４を押すことにより、静止画または動画を撮像することができる。また、表示部９２２はタッチパネルとしての機能を有し、表示部９２２をタッチすることにより撮像することも可能である。

なお、カメラ９２０は、ストロボ装置や、ビューファインダーなどを別途装着することができる。または、これらが筐体９２１に組み込まれていてもよい。

図１２Ａは、掃除ロボットの一例を示す模式図である。

掃除ロボット５１００は、上面に配置されたディスプレイ５１０１、側面に配置された複数のカメラ５１０２、ブラシ５１０３、操作ボタン５１０４を有する。また図示されていないが、掃除ロボット５１００の下面には、タイヤ、吸い込み口等が備えられている。掃除ロボット５１００は、その他に赤外線センサ、超音波センサ、加速度センサ、ピエゾセンサ、光センサ、ジャイロセンサなどの各種センサを備えている。また、掃除ロボット５１００は、無線による通信手段を備えている。

掃除ロボット５１００は自走し、ゴミ５１２０を検知し、下面に設けられた吸い込み口からゴミを吸引することができる。

また、掃除ロボット５１００はカメラ５１０２が撮影した画像を解析し、壁、家具または段差などの障害物の有無を判断することができる。また、画像解析により、配線などブラシ５１０３に絡まりそうな物体を検知した場合は、ブラシ５１０３の回転を止めることができる。

ディスプレイ５１０１には、バッテリーの残量や、吸引したゴミの量などを表示することができる。掃除ロボット５１００が走行した経路をディスプレイ５１０１に表示させてもよい。また、ディスプレイ５１０１をタッチパネルとし、操作ボタン５１０４をディスプレイ５１０１に設けてもよい。

掃除ロボット５１００は、スマートフォンなどの携帯電子機器５１４０と通信することができる。カメラ５１０２が撮影した画像は、携帯電子機器５１４０に表示させることができる。そのため、掃除ロボット５１００の持ち主は、外出先からでも、部屋の様子を知ることができる。また、ディスプレイ５１０１の表示をスマートフォンなどの携帯電子機器５１４０で確認することもできる。

本発明の一態様の発光装置はディスプレイ５１０１に用いることができる。

図１２Ｂに示すロボット２１００は、演算装置２１１０、照度センサ２１０１、マイクロフォン２１０２、上部カメラ２１０３、スピーカ２１０４、ディスプレイ２１０５、下部カメラ２１０６、障害物センサ２１０７および移動機構２１０８を備える。

マイクロフォン２１０２は、使用者の話し声及び環境音等を検知する機能を有する。また、スピーカ２１０４は、音声を発する機能を有する。ロボット２１００は、マイクロフォン２１０２およびスピーカ２１０４を用いて、使用者とコミュニケーションをとることが可能である。

ディスプレイ２１０５は、種々の情報の表示を行う機能を有する。ロボット２１００は、使用者の望みの情報をディスプレイ２１０５に表示することが可能である。ディスプレイ２１０５は、タッチパネルを搭載していてもよい。また、ディスプレイ２１０５は取り外しのできる情報端末であっても良く、ロボット２１００の定位置に設置することで、充電およびデータの受け渡しを可能とする。

上部カメラ２１０３および下部カメラ２１０６は、ロボット２１００の周囲を撮像する機能を有する。また、障害物センサ２１０７は、移動機構２１０８を用いてロボット２１００が前進する際の進行方向における障害物の有無を察知することができる。ロボット２１００は、上部カメラ２１０３、下部カメラ２１０６および障害物センサ２１０７を用いて、周囲の環境を認識し、安全に移動することが可能である。

本発明の一態様の発光装置はディスプレイ２１０５に用いることができる。

図１２Ｃはゴーグル型ディスプレイの一例を表す図である。ゴーグル型ディスプレイは、例えば、筐体５０００、表示部５００１、スピーカ５００３、ＬＥＤランプ５００４、接続端子５００６、センサ５００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン５００８、第２の表示部５００２、支持部５０１２、イヤホン５０１３等を有する。

本発明の一態様の発光装置は表示部５００１および第２の表示部５００２に用いることができる。

また、図１３Ａ、図１３Ｂに、折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０を示す。折りたたみ可能な携帯情報端末５１５０は筐体５１５１、表示領域５１５２および屈曲部５１５３を有している。図１３Ａに展開した状態の携帯情報端末５１５０を示す。図１３Ｂに折りたたんだ状態の携帯情報端末５１５０を示す。携帯情報端末５１５０は、大きな表示領域５１５２を有するにも関わらず、折りたためばコンパクトで可搬性に優れる。

表示領域５１５２は屈曲部５１５３により半分に折りたたむことができる。屈曲部５１５３は伸縮可能な部材と複数の支持部材とで構成されており、折りたたむ場合は、伸縮可能な部材が伸びて、屈曲部５１５３は２ｍｍ以上、好ましくは５ｍｍ以上の曲率半径を有して折りたたまれる。

なお、表示領域５１５２は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。本発明の一態様の発光装置を表示領域５１５２に用いることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光デバイスを様々な照明装置に適用する一例について、図１４を用いて説明する。本発明の一態様である発光デバイスを用いることで、発光効率が良好な、信頼性の高い照明装置を作製できる。

本発明の一態様の発光デバイスを、可撓性を有する基板上に作製することで、曲面を有する発光領域を有する電子機器、照明装置を実現することができる。

また、本発明の一態様の発光デバイスを適用した発光装置は、自動車の照明にも適用することができ、例えば、フロントガラス、天井等に照明を設置することもできる。

図１４は、発光デバイスを室内の照明装置８５０１として用いた例である。なお、発光デバイスは大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８５０２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光デバイスは薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８５０３を備えても良い。また、照明装置８５０１、８５０２、８５０３に、タッチセンサを設けて、電源のオンまたはオフを行ってもよい。

また、発光デバイスをテーブルの表面側に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８５０４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光デバイスを用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のようにして、本発明の一態様の発光デバイスを適用して照明装置及び電子機器を得ることができる。なお、適用できる照明装置及び電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の照明装置及び電子機器に適用することが可能である。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１００）で表される有機化合物である５，１２－ビス（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（略称：ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）の合成方法について説明する。ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの構造式を以下に示す。

＜ステップ１：ジメチル ２，５－ジヒドロ－３，６－ビス（フェニルアミノ）テレフタラートの合成＞
２０ｇ（８８ｍｍｏｌ）の１，４－シクロヘキサンジオン－２，５－ジカルボン酸ジメチルと、２６ｇ（２８０ｍｍｏｌ）のアニリンを、５００ｍＬ三口フラスコに入れ、この混合物を８０℃で５時間加熱した。析出した固体を吸引ろ過で回収し、得られた固体をヘキサンとメタノールを用いて洗浄したところ、目的物と、目的物が酸化された化合物の混合物を３３ｇ得た。この混合物をステップ２にそのまま用いた。ステップ１の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ２：ジメチル ２，５－ビス（フェニルアミノ）テレフタラートの合成＞
ステップ１で得られた３３ｇのジメチル ２，５－ジヒドロ－３，６－ビス（フェニルアミノ）テレフタラートとその酸化物の合物と、１０ｇのヨウ素と、２２０ｍＬのトルエンを、還流管を付けた５００ｍＬ三口フラスコに入れ、１２０℃で１６時間還流した。撹拌後、得られた混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた有機層を水、チオ硫酸ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムにて乾燥した。得られた混合物から自然ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮したところ、２０ｇの赤色固体を得た。この固体をエタノールとアセトンで再結晶し、目的物の赤色固体を１３ｇ、収率４０％で得た。ステップ２の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ３：ジメチル ２，５－ビス［（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）フェニルアミノ］テレフタラートの合成＞
ステップ２で得られた１．７ｇ（４．５ｍｍｏｌ）のジメチル ２，５－ビス（フェニルアミノ）テレフタラートと、４．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）の１－ブロモ－２，４，６－トリシクロヘキシルベンゼンと、０．５７ｇ（９．０ｍｍｏｌ）の銅と０．８６ｇ（４．５ｍｍｏｌ）のヨウ化銅と、１．４ｇ（１０ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムと、５ｍＬのジフェニルエーテルを、還流管を付けた２００ｍＬ三口フラスコに入れ、混合物の減圧脱気をした後、系内を窒素置換した。この混合物を２３５℃で１１時間攪拌した。得られた混合物にトルエンと水を加え、この混合物を吸引濾過し、不溶物を除去した。得られたろ液を有機層と水層に分離し、有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。得られた混合物から自然ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮したところ、黒褐色の粘性固体を得た。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン：トルエン＝１：１）にて精製し、橙黄色固体を０．５８ｇ、収率１３％で得た。また、得られた橙黄色固体は、ＬＣ＼ＭＳ分析の結果ｍ／ｚが１０２１．６８であり、目的物であることがわかった。ステップ３の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ４：５，１２－ビス（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（略称：ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）の合成＞
ステップ３で得られた０．５８ｇのジメチル ２，５－ビス［Ｎ，Ｎ’－（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）フェニルアミノ］テレフタラートと、５ｍＬのメタンスルホン酸を、１００ｍＬ三口フラスコに入れ、１４０℃で１．５時間攪拌した。冷却後、反応物を氷水へ加えて反応を停止させた。得られた混合物にトルエンを加え、水層を抽出した。得られた有機層を水で洗浄し、続けて飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で中和した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。得られた混合物から自然ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮したところ、橙黄色固体０．４９ｇを得た。得られた固体をアセトンと少量のトルエンで２回洗浄し、得られた橙黄色固体を乾燥させたところ、橙黄色固体を０．３２ｇ、収率５９％で得た。ステップ４のスキームを以下に示す。

０．２２ｇのステップ４で得られた橙黄色固体を、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、アルゴンを５ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、圧力３．４Ｐａ、３２０℃で固体を８時間加熱して行った。昇華精製後に目的物の橙黄色固体を０．１５ｇ、回収率６８％で得た。

得られた固体の^１Ｈ ＮＭＲのチャートを図１５Ａ及び図１５Ｂに、数値データを以下に示す。これにより、目的化合物が得られたことがわかった。
^１Ｈ ＮＭＲ（ジクロロメタン－ｄ_２，３００ＭＨｚ）：δ＝８．４２（ｄｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１．５Ｈｚ，２Ｈ），７．９０（ｓ，２Ｈ），７．５０（ｔ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．３４（ｓ，４Ｈ），７．２２（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ），６．７１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），２．７８－２．７０（ｍ，２Ｈ），２．１３－１．２６（ｍ，５２Ｈ），１．１１－１．０３（ｍ，４Ｈ），０．７６－０．６１（ｍ，８Ｈ）

次に、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄのジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）、発光スペクトルおよび発光量子収率を測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ－５５０）を用いた。なお溶液の吸収スペクトルは、石英セルにジクロロメタンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いて算出した。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（日本分光 ＦＰ－８６００）を用いた。量子収率の測定には絶対ＰＬ量子収率測定装置（（株）浜松ホトニクス製 Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ－ＱＹ）を用いた。

得られたジクロロメタン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図１６に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。図１６の結果より、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄのジクロロメタン溶液では、５１５ｎｍ、４８２ｎｍ、４５６ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、６１７ｎｍ、５６５ｎｍ、５２８ｎｍ（励起波長：４８０ｎｍ）に発光波長のピークが見られた。また、ジクロロメタン溶液での量子収率を測定したところ、９４％と非常に高く、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄは発光材料として好適であることがわかった。

ｃｈ３Ｐ２ＱｄのＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を元に算出した。測定装置としては電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５－６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ－ｎ－ブチルアンモニウム（ｎ－Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。
また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ－３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。なお、測定は室温（２０以上２５℃以下）で行った。
また、ＣＶ測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一し、参照電極に対する酸化電位Ｅａ［Ｖ］および還元電位Ｅｃ［Ｖ］を測定した。Ｅａは酸化－還元波の中間電位とし、Ｅｃは還元－酸化波の中間電位とした。ここで、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、－４．９４［ｅＶ］であることが分かっているため、ＨＯＭＯ準位［ｅＶ］＝－４．９４－Ｅａ、ＬＵＭＯ準位［ｅＶ］＝－４．９４－Ｅｃという式から、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をそれぞれ求めることができる。

また、ＣＶ測定を１００回繰り返し行い、１００サイクル目の測定での酸化－還元波と、１サイクル目の酸化－還元波を比較して、化合物の電気的安定性を調べた。
この結果、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの酸化電位Ｅａ［Ｖ］の測定において、ＨＯＭＯ準位は－５．７８ｅＶであることがわかった。一方、還元電位Ｅｃ［Ｖ］の測定において、ＬＵＭＯ準位は－３．２４ｅＶであることがわかった。また、酸化－還元波の繰り返し測定において１サイクル目と１００サイクル後の波形と比較したところ、Ｅｃ測定においては８４％のピーク強度を保っていた。

また、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの示差熱分析（：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ－Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。測定には高真空差動型示差熱天秤（ブルカー・エイエックスエス株式会社製、ＴＧ－ＤＴＡ２４１０ＳＡ）を用いた。測定は、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、１０Ｐａ、窒素気流下（流速２．０ｍＬ／ｍｉｎ）の条件で行った。熱重量測定－示差熱分析において、熱重量測定から求めた重量が測定開始時から５％減少する温度は２６１℃であることがわかった。
また、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの構造より全てのシクロヘキシル基を除いた５，１２－ジフェニル－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（ＤＰＱｄ）を同様の条件で測定した場合の同温度は２９４℃となった。この結果より、シクロヘキシル基を導入することで昇華温度を下げ、昇華しやすくする効果が得られることがわかった。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスと比較発光デバイスの作製例と該発光デバイスの特性について説明する。本実施例で作製した発光デバイスの構成は図１Ａと同様である。使用した化合物の構造と略称を以下に示す。

＜発光デバイス１の作製方法＞
ガラス基板上に電極１０１として、ＩＴＳＯ膜を厚さが７０ｎｍになるように形成した。なお、電極１０１の電極面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、電極１０１上に正孔注入層１１１として、上記構造式（ｉ）で表される４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）と、を重量比（ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：ＭｏＯ_３）が１：０．５になるように、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。

次に、正孔注入層１１１上に正孔輸送層１１２として、上記構造式（ｉｉ）で表される９－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＣｚＦＬＰ）を厚さが２０ｎｍになるように蒸着した。

次に、正孔輸送層１１２上に発光層１３０として、上記構造式（ｉｉｉ）で表される８－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－４－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－［１］ベンゾフロ［３，２－ｄ］ピリミジン（略称：８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）と、上記構造式（ｉｖ）で表される３，３’－９Ｈ－カルバゾール－９－イル－ビフェニル（略称：ｍＣＢＰ）と、上記構造式（ｖ）で表される、２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル（略称：４ＣｚＩＰＮ）と、上記構造式（ｖｉ）で表される５，１２－ビス（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（略称：ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）とを、重量比０．６：０．４：１：０．０５５（＝８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ：ｍＣＢＰ：４ＣｚＩＰＮ：ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）となるように、且つ厚さが３１ｎｍになるように共蒸着した。

本発光デバイスにおいては、４ＣｚＩＰＮがＴＡＤＦ性材料であることが非特許文献１より知られている。また、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄが保護基を有する蛍光性材料である。

次に、発光層１３０上に、８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍを厚さが２０ｎｍになるように蒸着した後、ＮＢＰｈｅｎを厚さが１５ｎｍになるよう蒸着し、電子輸送層１１８を形成した。その後、電子輸送層１１８上に、電子注入層１１９として、ＬｉＦを厚さが１ｎｍになるように蒸着した。

それから、電子注入層１１９上に、電極１０２として、アルミニウム（Ａｌ）を厚さが２００ｎｍになるように形成し、発光デバイス１を作成した。

続いて、窒素雰囲気のグローブボックス内において、ガラス基板に形成した有機材料の周囲にシール材を塗布し、該ガラス基板と封止するためのガラス基板とを貼り合わせ、波長が３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、８０℃にて１時間熱処理し、有機材料を形成したガラス基板に固定することで、発光デバイス１を封止した。

＜比較発光デバイスの作製方法＞
比較発光デバイス１は、発光デバイス１の発光層におけるｃｈ３Ｐ２Ｑｄを上記構造式（ｖｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）に変え、重量比を８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ：ｍＣＢＰ：４ＣｚＩＰＮ：ＤＰＱｄ＝０．６：０．４：１：０．０５２とした他は、発光デバイス１と同様に形成した。すなわち、比較発光デバイス１は、保護基を有さない蛍光性材料を用いた発光デバイスである。また、比較発光デバイス２は、発光デバイス１における発光層を、重量比で８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ：ｍＣＢＰ：４ＣｚＩＰＮ＝０．６：０．４：１、且つ厚さが３０ｎｍになるように共蒸着して形成した。すなわち、比較発光デバイス２は、実施の形態１で説明した有機化合物を用いない発光デバイスである。

発光デバイス１および比較発光デバイス１の素子構造を以下に示す。

＜発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の特性＞
次に、上記作製した発光デバイス１、比較発光デバイス１および比較発光デバイス２の特性を測定した。輝度、ＣＩＥ色度、および電界発光（ＥＬ）スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。

発光デバイス１、比較発光デバイス１及び比較発光デバイス２の輝度－電流密度特性を図１７に、電流効率－輝度特性を図１８に、輝度－電圧特性を図１９に、電流密度－電圧特性を図２０に、電力効率－輝度特性を図２１に、外部量子効率－輝度特性を図２２に示す。また、各発光デバイスに２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の電界発光スペクトルを図２３に示す。なお、測定は室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。

また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における、発光デバイス１、比較発光デバイス１、及び比較発光デバイス２の素子特性を下記表４に示す。

発光デバイス１は、４ＣｚＩＰＮがエネルギードナーとなって、実施の形態１に示した有機化合物（蛍光性材料）であるｃｈ３Ｐ２Ｑｄにエネルギー移動し、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄから発光を得る発光素子である。また、比較発光デバイス１は、４ＣｚＩＰＮがエネルギードナーとなって、保護基を有さない有機化合物（蛍光性材料）であるＤＰＱｄにエネルギー移動し、ＤＰＱｄから発光を得る発光素子である。また、比較発光デバイス２は、４ＣｚＩＰＮから発光を得る発光素子である。

図２３に示すように、発光デバイス１のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５２１ｎｍで半値全幅が２６ｎｍの非常にシャープなスペクトル形状を示した。これは、蛍光性材料であるｃｈ３Ｐ２Ｑｄに基づく発光である。また、比較発光デバイス１のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５２６ｎｍで半値全幅が５３ｎｍのシャープなスペクトル形状を示した。これは、蛍光性材料であるＤＰＱｄに基づく発光である。また、比較発光デバイス２のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５４０ｎｍで半値全幅が８１ｎｍのスペクトル形状を示した。これは、ＴＡＤＦ材料である４ＣｚＩＰＮに基づく発光である。比較発光デバイス２は、発光デバイス１および比較発光デバイス１の発光スペクトルとは明らかに異なった形状をしていることから、各々異なる発光物質からの発光を観測していることがわかる。

なお、図２０より分かるように、発光デバイス１、比較発光デバイス１、及び比較発光デバイス２の駆動電圧はほぼ同一である。

比較発光デバイス２は、外部量子効率が最大で２０％を超える高い値を示した。このことから、４ＣｚＩＰＮがＴＡＤＦ材料として良好な発光効率を示すことが分かる。また、発光デバイス１の外部量子効率は、最大で１８％を超える高い値が得られている。一般に、一対の電極から注入されたキャリア（正孔及び電子）の再結合によって生成する一重項励起子の生成確率が最大で２５％であるため、外部への光取り出し効率を３０％とした場合、蛍光発光デバイスの外部量子効率は、最大で７．５％となる。発光デバイス１においては、外部量子効率が７．５％より高い効率が得られていることから、一重項励起子に由来する発光に加えて、三重項励起子からのエネルギー移動に由来する発光が蛍光性材料より得られていることが分かる。一方、比較発光デバイス１の外部量子効率は、最大でも８％程度と、発光デバイス１の半分以下の効率となっている。そのため、比較発光デバイス１においては、三重項励起エネルギーが効率よく発光に変換できていないことが分かる。すなわち、本発明の一態様の化合物であるｃｈ３Ｐ２Ｑｄを用いることにより、三重項励起子の無放射失活が抑制され、一重項励起エネルギーと三重項励起エネルギーの双方が蛍光性材料の発光に効率良く変換されていると言える。

また、発光デバイス１は高い発光効率を示し、且つ発光スペクトルは半値幅が狭いことから、２．５ｍＡ／ｃｍ^２におけるピーク強度を比較すると、図２３のように発光デバイス１のピーク強度が最も高いことがわかった。さらに、発光デバイス１は、発光スペクトルの半値幅が狭く、色純度が良好であることから、ディスプレイ用途として好適である。

また、発光デバイス１のＥＬスペクトルのピーク波長は、比較発光デバイス２のＥＬスペクトルのピーク波長より短波長であった。そのため、表４に示すように、発光デバイス１は、比較発光デバイス２より色純度が良く、色度ｙが大きい良好な緑色発光を示しており、ディスプレイ用途に好適である。これは、図１６に示したように、ｃｈ３Ｐ２Ｑｄのストークスシフトが小さいためである。このように、発光団として、キナクリドンのような縮合複素芳香環を用いるとストークスシフトが小さい蛍光性発光材料が得られるため好ましい。

次に、各発光デバイスの発光層に用いた、８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍとｍＣＢＰの電気化学的特性（酸化反応特性および還元反応特性）をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定した結果を示す。測定方法は実施例１と同様である。

ＣＶ測定の結果より算出した８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍのＨＯＭＯ準位は－６．２１ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は－３．０１ｅＶ、ｍＣＢＰのＨＯＭＯ準位は－５．９３ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は－２．２２ｅＶであった。

以上のように、８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍのＬＵＭＯ準位は、ｍＣＢＰのＬＵＭＯ準位より低く、ｍＣＢＰのＨＯＭＯ準位は、８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍのＨＯＭＯ準位より高い。そのため、発光層に該化合物を用いた場合、電子および正孔が、効率よく８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍとｍＣＢＰにそれぞれ注入され、８ＢＰ－４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍとｍＣＢＰとで励起錯体を形成することができる。

≪合成例２≫
本実施例では、本発明の一態様の有機化合物である３，１０－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，１２－ビス（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（略称：３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）の合成方法について説明する。３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの構造式を以下に示す。

＜ステップ１：ジメチル ２，５－ジヒドロ－３，６－ビス｛（３－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ）テレフタラートの合成＞
５．０ｇ（２２ｍｍｏｌ）の１，４－シクロヘキサンジオン－２，５－ジカルボン酸ジメチルと、７．５ｇ（５０ｍｍｏｌ）の３－ｔｅｒｔ－ブチルアニリンと、７５ｍＬの酢酸と、７５ｍＬのエタノールを、還流管を付けた３００ｍＬ三口フラスコに入れ、１１５℃で７時間還流した。混合物を冷却した後、析出した赤色固体を吸引ろ過で回収し、得られた固体をヘキサンとメタノールを用いて洗浄した。また、吸引ろ過にて得られたろ液に水を加え、トルエンで水層を抽出した。有機層を炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムによって乾燥した。得られた混合物から自然ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、得られた溶液を濃縮した。吸引ろ過及び濃縮により得られた固体を合わせて５．６ｇの赤色固体を得た。また、得られた赤色固体は、ＬＣ＼ＭＳ分析の結果ｍ／ｚが４９１と４８９であり、目的物と目的物酸化物であることがわかった。この混合物をステップ２にそのまま用いた。ステップ１の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ２：ジメチル ２，５－ビス｛（３－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ｝テレフタラートの合成＞
ステップ１で得られた５．６ｇのジメチル ２，５－ジヒドロ－３，６－ビス｛（３－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ）テレフタラート及びその酸化物の混合物と、４．５ｇ（３５ｍｍｏｌ）のヨウ素と、０．１５Ｌのトルエンを、還流管を付けた５００ｍＬ三口フラスコに入れ、１２０℃で１０時間攪拌しながら還流した。撹拌後、析出した固体を吸引ろ過で回収し、得られた固体をヘキサンとメタノールを用いて洗浄し、２．７ｇの赤色固体を得た。吸引ろ過により得られたろ液に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた有機層を水で洗浄し、続けてチオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。得られた混合物から自然ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮したところ、赤色固体を得た。この固体にメタノールを入れてスラリー化させ、吸引ろ過にて固体を回収し、固体をメタノールとヘキサンで洗浄した。この作業により、２．０ｇの赤色固体を得た。この固体と吸引ろ過にて得られた固体と合わせ、目的化合物を４．７ｇ、収率４４％で得た。また、得られた赤色固体は、ＬＣ＼ＭＳ分析の結果ｍ／ｚが４８９であり、目的物であることがわかった。ステップ２の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ３：ジメチル ２，５－ビス［｛３－（ｔｅｒｔ－ブチル）フェニル｝（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）アミノ］テレフタラートの合成＞
ステップ２で得られた２．４ｇ（５．０ｍｍｏｌ）の１，４－ベンゼンジカルボン酸，２，５－ビス｛（３－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ｝－，ジメチルエステルと、４．４ｇ（１１ｍｍｏｌ）の１－ブロモ－２，４，６－トリシクロヘキシルベンゼンと、１．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）の銅と、０．９５ｇ（５．０ｍｍｏｌ）のヨウ化銅と、２．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）の炭酸カリウムと、１０ｍＬのジフェニルエーテルを還流管を付けた２００ｍＬ三口フラスコに入れ、混合物の減圧脱気をした後系内を窒素置換した。この混合物を２４０℃で８時間、更に２６０℃で２時間攪拌した。得られた混合物にトルエンと水を加え、この混合物を吸引濾過し不溶物を除去した。得られたろ液を有機層と水層に分離し、有機層を水で２回洗浄した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。得られた混合物から自然ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮したところ黒褐色の粘性固体を得た。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン：トルエン＝２：１）にて精製し、目的物の橙黄色固体を０．９９ｇ、収率１７％で得た。また、得られた橙黄色固体は、ＬＣ＼ＭＳ分析の結果ｍ／ｚが１１３３であり、目的物であることがわかった。ステップ３の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ４：３，１０－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，１２－ビス（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（略称：３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）の合成＞
０．７３ｇのステップ３で得られた１，４－ベンゼンジカルボン酸，２，５－ビス｛（３－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）アミノ｝－，Ｎ’－（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）アミノ］－，ジメチルエステルと、１０ｍＬのメタンスルホン酸を、１００ｍＬ三口フラスコに入れ、１４０℃で１時間攪拌した。混合物を冷却した後、反応物を氷水へ加えて反応を停止させた。得られた混合物にトルエンを加え、水層を抽出した。得られた有機層を水で洗浄し、続けて飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。得られた混合物から自然ろ過にて硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮したところ、橙黄色固体０．６２ｇを得た。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）にて精製し、目的物の橙色固体を０．３９ｇ、収率５７％で得た。ステップ４のスキームを以下に示す。

得られた橙色固体０．３０ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、アルゴンを１０ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、圧力５．０Ｐａ、３４５℃で固体を１６時間加熱して行った。昇華精製後に目的物の橙色固体を０．２５ｇ、回収率８３％で得た。

得られた固体の^１Ｈ ＮＭＲのチャートを図２４Ａ及び図２４Ｂに、数値データを以下に示す。これにより、目的化合物が得られたことがわかった。
^１Ｈ ＮＭＲ（ジクロロメタン－ｄ_２，３００ＭＨｚ）：δ＝８．４６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．９８（ｓ，２Ｈ），７．３５（ｓ，４Ｈ），７．３１（ｄｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，１．８Ｈｚ，２Ｈ），６．６１（ｄ，Ｊ＝１．５Ｈｚ，２Ｈ），２．８１－２．６５（ｍ，２Ｈ），２．１６－２．０５（ｍ，４Ｈ），２．００－１．７７（ｍ，１０Ｈ），１．７１－１．２８（ｍ，３８Ｈ），１．１６（ｓ，１８Ｈ），１．１３－０．９８（ｍ，４Ｈ），０．８５－０．５２（ｍ，８Ｈ）

次に、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄのジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ－５５０）を用いた。なお溶液の吸収スペクトルは、石英セルにジクロロメタンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いて算出した。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（日本分光 ＦＰ－８６００）を用いた。量子収率は絶対ＰＬ量子収率測定装置（（株）浜松ホトニクス製 Ｑｕａｎｔａｕｒｕｓ－ＱＹ）を用いた。

得られたジクロロメタン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図２５に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。図２５の結果より、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄのジクロロメタン溶液では、５１２ｎｍ、４８０ｎｍ、４４９ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、６１７ｎｍ、５６５ｎｍ、５２８ｎｍ（励起波長：４８０ｎｍ）に発光波長のピークが見られた。

また、ジクロロメタン溶液での量子収率を測定したところ、９１％と非常に高く、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄは発光材料として好適であることがわかった。

３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２ＱｄのＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を元に算出した。測定装置としては電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５－６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ－ｎ－ブチルアンモニウム（ｎ－Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。

また、ＣＶ測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一し、参照電極に対する酸化電位Ｅａ［Ｖ］および還元電位Ｅｃ［Ｖ］を測定した。Ｅａは酸化－還元波の中間電位とし、Ｅｃは還元－酸化波の中間電位とした。ここで、本実施例で用いる参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーは、－４．９４［ｅＶ］であることが分かっているため、ＨＯＭＯ準位［ｅＶ］＝－４．９４－Ｅａ、ＬＵＭＯ準位［ｅＶ］＝－４．９４－Ｅｃという式から、ＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位をそれぞれ求めることができる。

また、ＣＶ測定を１００回繰り返し行い、１００サイクル目の測定での酸化－還元波と、１サイクル目の酸化－還元波を比較して、化合物の電気的安定性を調べた。この結果、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄの酸化電位Ｅａ［Ｖ］の測定において、ＨＯＭＯ準位は－５．７７ｅＶであることがわかった。一方、還元電位Ｅｃ［Ｖ］の測定において、ＬＵＭＯ準位は－３．１８ｅＶであることがわかった。また、酸化－還元波の繰り返し測定において１サイクル目と１００サイクル後の波形と比較したところ、Ｅａ測定においては７５％のピーク強度を保っていた。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスと比較発光デバイスの作製例と該発光デバイスの特性について説明する。本実施例で作製した発光デバイスの構成は図１Ａと同様である。使用した化合物の構造と略称を以下に示す。

＜発光デバイス２の作製方法＞
ガラス基板上に電極１０１として、ＩＴＳＯ膜を厚さが７０ｎｍになるように形成した。なお、電極１０１の電極面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、電極１０１上に正孔注入層１１１として、上記構造式（ｉ）で表される４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と、酸化モリブデンと、を重量比（ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：酸化モリブデン）が１：０．５になるように、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。

次に、正孔注入層１１１上に正孔輸送層１１２として、上記構造式（ｉｉ）で表される９－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＣｚＦＬＰ）を厚さが２０ｎｍになるように蒸着した。

次に、正孔輸送層１１２上に発光層１３０として、上記構造式（ｉｖ）で表される３，３’－９Ｈ－カルバゾール－９－イル－ビフェニル（略称：ｍＣＢＰ）と上記構造式（ｖ）で表される、２，４，５，６－テトラ（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）イソフタロニトリル（略称：４ＣｚＩＰＮ）と、上記構造式（ｉｘ）で表される３，１０－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，１２－ビス（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（略称：３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）とを、重量比１：１：０．０５（＝ｍＣＢＰ：４ＣｚＩＰＮ：３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）となるように、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。

本発光デバイスにおいては、４ＣｚＩＰＮがＴＡＤＦ性材料であることが非特許文献１より知られている。また、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄが保護基を有する蛍光性材料である。

次に、発光層１３０上に、上記構造式（ｘ）で表される９，９’－（ピリミジン－４，６－ジイルジ－３，１－フェニレン）ビス（９Ｈ－カルバゾール）（略称：４，６ＣｚＰ２Ｐｍ）を厚さが２０ｎｍになるように蒸着した後、ＮＢＰｈｅｎを厚さが１５ｎｍになるよう蒸着し、電子輸送層１１８を形成した。その後、電子輸送層１１８上に、電子注入層１１９として、ＬｉＦを厚さが１ｎｍになるように蒸着した。

その後、電子注入層１１９上に、電極１０２として、アルミニウム（Ａｌ）を厚さが２００ｎｍになるように形成し、発光デバイス２を作成した。

続いて、窒素雰囲気のグローブボックス内において、ガラス基板に形成した有機材料の周囲にシール材を塗布し、該ガラス基板と封止するためのガラス基板とを貼り合わせ、波長が３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、８０℃にて１時間熱処理し、有機材料を形成したガラス基板に固定することで、発光デバイス２を封止した。

＜比較発光デバイスの作製方法＞
比較発光デバイス３は、発光デバイス２の発光層における３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄを上記構造式（ｖｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）に変え、重量比をｍＣＢＰ：４ＣｚＩＰＮ：ＤＰＱｄ＝１：１：０．０５、且つ厚さが３０ｎｍとなるように形成した他は、発光デバイス２と同様に形成した。すなわち、比較発光デバイス３は、本発明の有機化合物の代わりに保護基を有さない蛍光性材料を用いた発光デバイスである。また、比較発光デバイス４は、発光デバイス２における発光層を、重量比でｍＣＢＰ：４ＣｚＩＰＮ＝１：１、且つ厚さが３０ｎｍになるように形成した他は、発光デバイス２と同様に作製した。すなわち、比較発光デバイス４は、本発明の有機化合物を用いない発光デバイスである。

発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の素子構造を以下に示す。

＜発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の特性＞
次に、上記作製した発光デバイス２、比較発光デバイス３および比較発光デバイス４の特性を測定した。輝度、ＣＩＥ色度、および電界発光（ＥＬ）スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。

発光デバイス２、比較発光デバイス３及び比較発光デバイス４の輝度－電流密度特性を図２６に、電流効率－輝度特性を図２７に、輝度－電圧特性を図２８に、電流密度－電圧特性を図２９に、電力効率－輝度特性を図３０に、外部量子効率－輝度特性を図３１に示す。また、各発光デバイスに２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の電界発光スペクトルを図３２に示す。なお、測定は室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。

また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における、発光デバイス２、比較発光デバイス３、及び比較発光デバイス４の素子特性を表８に示す。

発光デバイス２は、ＴＡＤＦ材料である４ＣｚＩＰＮがエネルギードナーとなって、本発明の一態様の有機化合物（蛍光性材料）である３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄにエネルギー移動し、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄから発光を得る発光素子である。また、比較発光デバイス３は、４ＣｚＩＰＮがエネルギードナーとなって、保護基を有さない有機化合物（蛍光性材料）であるＤＰＱｄにエネルギー移動し、ＤＰＱｄから発光を得る発光素子である。また、比較発光デバイス４は、４ＣｚＩＰＮが発光する発光デバイスである。

図３２に示すように、発光デバイス２のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５２１ｎｍで半値全幅が５３ｎｍの非常にシャープなスペクトル形状を示した。これは、蛍光性材料である３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄに基づく発光である。また、比較発光デバイス３のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５２６ｎｍで半値全幅が５６ｎｍのシャープなスペクトル形状を示した。これは、蛍光性材料であるＤＰＱｄに基づく発光である。また、比較発光デバイス４のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５４３ｎｍで半値全幅が８２ｎｍのスペクトル形状を示した。これは、ＴＡＤＦ材料である４ＣｚＩＰＮに基づく発光である。比較発光デバイス４は、発光デバイス２および比較発光デバイス３の発光スペクトルとは明らかに異なった形状をしていることから、各々異なる発光物質からの発光を観測していることがわかる。

比較発光デバイス４は、外部量子効率が最大で２０％程度の高い値を示した。このことから、４ＣｚＩＰＮがＴＡＤＦ材料として良好な発光効率を示すことが分かる。また、発光デバイス２の外部量子効率は、最大で１８％を超える高い値が得られている。一般に、一対の電極から注入されたキャリア（正孔及び電子）の再結合によって生成する一重項励起子の生成確率が最大で２５％であるため、外部への光取り出し効率を３０％とした場合、蛍光発光デバイスの外部量子効率は、最大で７．５％となる。発光デバイス２においては、外部量子効率が７．５％より高い効率が得られていることから、一重項励起子に由来する発光に加えて、三重項励起子からのエネルギー移動に由来する発光が蛍光性材料より得られていることが分かる。一方、比較発光デバイス３の外部量子効率は、最大でも９％台と、発光デバイス２の半分程度の効率となっている。そのため、比較発光デバイス３においては、三重項励起エネルギーが効率よく発光に変換できていないことが分かる。すなわち、本発明の一態様の化合物である３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄを用いることにより、三重項励起子の無放射失活が抑制され、一重項励起エネルギーと三重項励起エネルギーの双方が蛍光性材料の発光に効率良く変換されていると言える。

また、発光デバイス２は高い発光効率を示し、且つ発光スペクトルの半値全幅が狭いことから、２．５ｍＡ／ｃｍ^２におけるピーク強度を比較すると、図３２のように発光デバイス２のピーク強度が最も高いことがわかった。さらに、発光デバイス２は、発光スペクトルの半値幅が狭く、色純度が良好であることから、ディスプレイ用途として好適である。

また、発光デバイス２のＥＬスペクトルのピーク波長は、比較発光デバイス４のＥＬスペクトルのピーク波長より短波長であった。そのため、表４に示すように、発光デバイス２は、比較発光デバイス４より色純度が良く、色度ｙが大きい良好な緑色発光を示しており、ディスプレイ用途に好適である。これは、図２５に示したように、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄのストークスシフトが小さいためである。このように、発光団として、キナクリドンのような縮合複素芳香環を用いるとストークスシフトが小さい蛍光性発光材料が得られるため好ましい。

また、図３３は、ドーパント濃度が発光効率に及ぼす影響を表すグラフである。発光デバイス２および比較発光デバイス３とドーパント濃度のみ異なる発光デバイスを作製し、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における外部量子効率をプロットした。この結果、ＤＰＱｄをドーパントとして用いたデバイスはドーパント濃度が濃くなるにしたがって外部量子効率が大きく低下しているのに対し、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄをドーパントとして用いたデバイスは濃度が濃くなっても大きな効率の低下は起きないことがわかった。これは、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄが保護基を有することによってドーパント同士の適切な距離を保つことが可能となったことから、濃度消光が大幅に抑制された結果であると推察される。このように、本発明の一態様の発光デバイスは、ドーパント濃度に対する作製マージンが広く、製造しやすい発光デバイスでもある。

本実施例では、本発明の一態様の発光デバイスと比較発光デバイスの作製例と該発光デバイスの特性について説明する。本実施例で作製した発光デバイスの構成は図１Ａと同様である。使用した化合物の構造と略称を以下に示す。

＜発光デバイス３の作製方法＞
ガラス基板上に電極１０１として、ＩＴＳＯ膜を厚さが７０ｎｍになるように形成した。なお、電極１０１の電極面積は、４ｍｍ^２（２ｍｍ×２ｍｍ）とした。

次に、電極１０１上に正孔注入層１１１として、上記構造式（ｉ）で表される４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と、酸化モリブデンと、を重量比（ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：酸化モリブデン）が１：０．５になるように、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。

次に、正孔注入層１１１上に正孔輸送層１１２として、上記構造式（ｘｉ）で表される４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）を厚さが２０ｎｍになるように蒸着した。

次に、正孔輸送層１１２上に発光層１３０として、上記構造式（ｘｉｉ）で表される９－［３－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）と上記構造式（ｘｉｉｉ）で表される、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）と、上記構造式（ｘｉｖ）で表される［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ）］）と、上記構造式（ｉｘ）で表される３，１０－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－５，１２－ビス（２，４，６－トリシクロヘキシルフェニル）－５，１２－ジヒドロキノ［２，３－ｂ］アクリジン－７，１４－ジオン（略称：３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）と、を重量比０．５：０．５：０．１：０．０１（＝ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２：ＰＣＣＰ：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ）］：３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄ）となるように、且つ厚さが４０ｎｍになるように共蒸着した。

本発光デバイスにおいては、［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ）］がりん光性材料であることが知られている。また、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄが保護基を有する蛍光性材料である。

次に、発光層１３０上に、ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２を厚さが２０ｎｍになるように蒸着した後、ＮＢＰｈｅｎを厚さが１０ｎｍになるよう蒸着し、電子輸送層１１８を形成した。その後、電子輸送層１１８上に、電子注入層１１９として、ＬｉＦを厚さが１ｎｍになるように蒸着した。

その後、電子注入層１１９上に、電極１０２として、アルミニウム（Ａｌ）を厚さが２００ｎｍになるように形成し、発光デバイス３を作成した。

続いて、窒素雰囲気のグローブボックス内において、ガラス基板に形成した有機材料の周囲にシール材を塗布し、該ガラス基板と封止するためのガラス基板とを貼り合わせ、波長が３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、８０℃にて１時間熱処理し、有機材料を形成したガラス基板に固定することで、発光デバイス３を封止した。

＜比較発光デバイスの作製方法＞
比較発光デバイス５は、発光デバイス３の発光層における３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄを上記構造式（ｖｉｉｉ）で表されるＮ，Ｎ’－ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）に変えた他は、発光デバイス３と同様に形成した。すなわち、比較発光デバイス５は、本発明の有機化合物の代わりに保護基を有さない蛍光性材料を用いた発光デバイスである。

発光デバイス３および比較発光デバイス５の素子構造を以下の表に示す。

＜発光デバイス３および比較発光デバイス５の特性＞
次に、上記作製した発光デバイス３および比較発光デバイス５の特性を測定した。輝度、ＣＩＥ色度、および電界発光（ＥＬ）スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ－ＵＬ１Ｒ）を用いた。

発光デバイス３および比較発光デバイス５の輝度－電流密度特性を図３４に、電流効率－輝度特性を図３５に、輝度－電圧特性を図３６に、電流密度－電圧特性を図３７に、電力効率－輝度特性を図３８に、外部量子効率－輝度特性を図３９に示す。また、各発光デバイスに２．５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の電界発光スペクトルを図４０に示す。なお、測定は室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。

また、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における、発光デバイス３および比較発光デバイス５の素子特性を表１１に示す。

発光デバイス３は、りん光性材料である［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ）］がエネルギードナーとなって、本発明の一態様の有機化合物（蛍光性材料）である３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄにエネルギー移動し、３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄから発光を得る発光素子である。また、比較発光デバイス５は、［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ）］がエネルギードナーとなって、保護基を有さない有機化合物（蛍光性材料）であるＤＰＱｄにエネルギー移動し、ＤＰＱｄから発光を得る発光素子である。

図４０に示すように、発光デバイス３のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５１９ｎｍで半値全幅が５７ｎｍの非常にシャープなスペクトル形状を示した。これは、蛍光性材料である３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄに基づく発光である。また、比較発光デバイス５のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５２４ｎｍで半値全幅が３７ｎｍのシャープなスペクトル形状を示した。これは、蛍光性材料であるＤＰＱｄに基づく発光である。

発光デバイス３の外部量子効率は、最大で１３％を超える高い値が得られている。一般に、一対の電極から注入されたキャリア（正孔及び電子）の再結合によって生成する一重項励起子の生成確率が最大で２５％であるため、外部への光取り出し効率を３０％とした場合、蛍光発光デバイスの外部量子効率は、最大で７．５％となる。発光デバイス３においては、外部量子効率が７．５％より高い効率が得られていることから、一重項励起子に由来する発光に加えて、三重項励起子からのエネルギー移動に由来する発光が蛍光性材料より得られていることが分かる。一方、比較発光デバイス５の外部量子効率は、最大でも５％台と、発光デバイス３の半分以下の効率となっている。そのため、比較発光デバイス５においては、三重項励起エネルギーが効率よく発光に変換できていないことが分かる。すなわち、本発明の一態様の化合物である３，１０ｔＢｕ－ｃｈ３Ｐ２Ｑｄを用いることにより、三重項励起子の無放射失活が抑制され、一重項励起エネルギーと三重項励起エネルギーの双方が蛍光性材料の発光に効率良く変換されていると言える。

次に、各発光デバイスの発光層に用いた、ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２とＰＣＣＰの電気化学的特性（酸化反応特性および還元反応特性）をサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定した結果を示す。測定方法は実施例１と同様である。

ＣＶ測定の結果より算出したｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２のＨＯＭＯ準位は－５．６９ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は－３．００ｅＶ、ＰＣＣＰのＨＯＭＯ準位は－５．６３ｅＶ、ＬＵＭＯ準位は－１．９６ｅＶであった。

以上のように、ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２のＬＵＭＯ準位は、ＰＣＣＰのＬＵＭＯ準位より低く、ＰＣＣＰのＨＯＭＯ準位は、ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２のＨＯＭＯ準位より高い。そのため、発光層に該化合物を用いた場合、電子および正孔が、効率よくｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２とＰＣＣＰにそれぞれ注入され、ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２とＰＣＣＰとで励起錯体を形成することができる。励起錯体が形成されることによって、当該励起錯体からエネルギードナーである［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ｍｄｐｐｙ）］に効率よくエネルギーを移動させることができ、発光効率の向上に寄与する。

１００：ＥＬ層、１０１：電極、１０２：電極、１０６：発光ユニット、１０８：発光ユニット、１１１：正孔注入層、１１２：正孔輸送層、１１３：電子輸送層、１１４：電子注入層、１１５：電荷発生層、１１６：正孔注入層、１１７：正孔輸送層、１１８：電子輸送層、１１９：電子注入層、１２０：発光層、１３０：発光層、１３１：化合物、１３２：化合物、１３３：化合物、１３４：化合物、１３５：化合物、１５０：発光デバイス、１７０：発光層、２５０：発光デバイス、３０１：ゲスト材料、３０２：ゲスト材料、３１０：発光団、３２０：保護基、３３０：ホスト材料、６０１：ソース側駆動回路、６０２：画素部、６０３：ゲート側駆動回路、６０４：封止基板、６０５：シール材、６０７：空間、６０８：配線、６０９：ＦＰＣ、６１０：素子基板、６１１：スイッチング用ＴＦＴ、６１２：電流制御用ＴＦＴ、６１３：電極、６１４：絶縁物、６１６：ＥＬ層、６１７：電極、６１８：発光デバイス、６２３：ｎチャネル型ＴＦＴ、６２４：ｐチャネル型ＴＦＴ、６２５：乾燥材、９００：携帯情報端末、９０１：筐体、９０２：筐体、９０３：表示部、９０５：ヒンジ部、９１０：携帯情報端末、９１１：筐体、９１２：表示部、９１３：操作ボタン、９１４：外部接続ポート、９１５：スピーカ、９１６：マイク、９１７：カメラ、９２０：カメラ、９２１：筐体、９２２：表示部、９２３：操作ボタン、９２４：シャッターボタン、９２６：レンズ、１００１：基板、１００２：下地絶縁膜、１００３：ゲート絶縁膜、１００６：ゲート電極、１００７：ゲート電極、１００８：ゲート電極、１０２０：層間絶縁膜、１０２１：層間絶縁膜、１０２２：電極、１０２４Ｂ：電極、１０２４Ｇ：電極、１０２４Ｒ：電極、１０２４Ｗ：電極、１０２５Ｂ：下部電極、１０２５Ｇ：下部電極、１０２５Ｒ：下部電極、１０２５Ｗ：下部電極、１０２６：隔壁、１０２８：ＥＬ層、１０２９：電極、１０３１：封止基板、１０３２：シール材、１０３３：基材、１０３４Ｂ：着色層、１０３４Ｇ：着色層、１０３４Ｒ：着色層、１０３６：オーバーコート層、１０３７：層間絶縁膜、１０４０：画素部、１０４１：駆動回路部、１０４２：周辺部、１０４４Ｂ：青色画素、１０４４Ｇ：緑色画素、１０４４Ｒ：赤色画素、１０４４Ｗ：白色画素、２１００：ロボット、２１０１：照度センサ、２１０２：マイクロフォン、２１０３：上部カメラ、２１０４：スピーカ、２１０５：ディスプレイ、２１０６：下部カメラ、２１０７：障害物センサ、２１０８：移動機構、２１１０：演算装置、５０００：筐体、５００１：表示部、５００２：表示部、５００３：スピーカ、５００４：ＬＥＤランプ、５００５：操作キー、５００６：接続端子、５００７：センサ、５００８：マイクロフォン、５０１２：支持部、５０１３：イヤホン、５１００：掃除ロボット、５１０１：ディスプレイ、５１０２：カメラ、５１０３：ブラシ、５１０４：操作ボタン、５１２０：ゴミ、５１４０：携帯電子機器、５１５０：携帯情報端末、５１５１：筐体、５１５２：表示領域、５１５３：屈曲部、８５０１：照明装置、８５０２：照明装置、８５０３：照明装置、８５０４：照明装置

Claims (13)

1. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、第１の化合物、第２の化合物及び第３の化合物を有し、
   前記第１の化合物と前記第２の化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
   前記第３の化合物は、下記一般式（Ｇ１－２）で表される化合物である発光デバイス。
   
   （ただし、上記一般式（Ｇ１－２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ａｒ^１およびＡｒ^２はそれぞれ独立に３つ以上の置換基を有する炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表す。なお、Ａｒ^１およびＡｒ^２が有する置換基は、炭素数１乃至１０のアルキル基および炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基から選ばれた複数であるものとする。）
2. 請求項１において、
   前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基の数は、３乃至５である発光デバイス。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が置換基を有するフェニル基である発光デバイス。
4. 請求項３において、
   前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基が、Ａｒ^１およびＡｒ^２のオルト位およびパラ位の両方に結合している発光デバイス。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が有する置換基の数が、各々３つである発光デバイス。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記Ａｒ^１およびＡｒ^２が各々有する置換基がシクロヘキシル基である発光デバイス。
7. 一対の電極間に発光層を有し、
   前記発光層は、第１の化合物、第２の化合物及び第３の化合物を有し、
   前記第１の化合物と前記第２の化合物とは、励起錯体を形成する組み合わせであり、
   前記第３の化合物は、下記一般式（Ｇ２）で表される化合物である発光デバイス。
   
   （ただし、上記一般式（Ｇ２）において、Ｒ^１乃至Ｒ^１０およびＲ^２１乃至Ｒ^２４はそれぞれ独立に、水素、炭素数３以上１０以下のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基のいずれか一を表し、Ｘ^１乃至Ｘ^６は、それぞれ独立に炭素数１乃至１０のアルキル基および炭素数３乃至１２のシクロアルキル基および架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基のいずれか一を表す。）
8. 請求項７において、
   前記Ｒ^２１乃至Ｒ^２４が水素である発光デバイス。
9. 請求項７または請求項８において、
   前記Ｘ^１乃至Ｘ^６が炭素数３乃至１２のシクロアルキル基である発光デバイス。
10. 請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記Ｘ^１乃至Ｘ^６がシクロヘキシル基である発光デバイス。
11. 請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
    前記Ｒ^１乃至Ｒ^１０が水素である発光デバイス。
12. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記第１の化合物及び前記第２の化合物の一方は、りん光性材料である発光デバイス。
13. 請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
    前記第１の化合物及び前記第２の化合物の一方は、ＴＡＤＦ性材料である発光デバイス。