JP7799299B2 - Method for manufacturing conductive member, and current collector or separator - Google Patents
Method for manufacturing conductive member, and current collector or separatorInfo
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Description
本発明は、燃料電池、リチウム電池、キャパシタなどの電極に用いられる集電体やセパレータを構成する導電部材の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing conductive materials that constitute current collectors and separators used in electrodes of fuel cells, lithium batteries, capacitors, etc.
例えば、燃料電池用集電体や燃料電池用セパレータなどには、金属製の基材の表面に、活物質や導電助剤を混ぜ合わせたスラリーを塗布したものが用いられる。 For example, fuel cell current collectors and separators are made by coating the surface of a metal substrate with a slurry containing an active material and a conductive additive.
これらの集電体やセパレータを構成する導電部材には、シート抵抗の低減が求められることから、基材の表面性状は、活物質や導電助剤との密着力が優れていることが望ましい。 The conductive materials that make up these current collectors and separators are required to have low sheet resistance, so it is desirable for the surface properties of the substrate to have excellent adhesion to the active material and conductive additive.
そこで、特許文献1には、上述したスラリーと基材表面との接着力の向上を図るべく、基材の表面に導電性DLC被膜を形成し、その導電性DLC被膜に酸素と窒素とを含むガスを添加することで、親水性の表面性状を得るようにしている。このようにして親水性が得られるのは、上述したガスの添加により導電性DLC被膜の表面に、水酸基(-OH基)等の親水性を発揮させる官能基が生成されるからである。 In order to improve the adhesive strength between the above-mentioned slurry and the substrate surface, Patent Document 1 describes forming a conductive DLC coating on the surface of the substrate and then adding a gas containing oxygen and nitrogen to the conductive DLC coating to achieve hydrophilic surface properties. Hydrophilicity is achieved in this way because the addition of the above-mentioned gas generates functional groups, such as hydroxyl groups (-OH groups), on the surface of the conductive DLC coating that exhibit hydrophilicity.
しかしながら、このようにして得られた親水性は、化学結合状態が経時変化する可能性があることから、官能基が基材表面に長期的には残存しないことがあり、そのような場合には、基材と活物質や導電助剤との密着力も長期的には維持されない。 However, the hydrophilicity achieved in this way may result in the functional groups not remaining on the substrate surface for a long period of time, as the chemical bonding state may change over time. In such cases, the adhesion between the substrate and the active material or conductive additive may not be maintained for a long period of time.
本発明は、上述した問題を一挙に解決すべくなされたものであり、基材表面の親水性に頼らずとも、基材と活物質や導電助剤との密着力を長期的に維持できるようにすることで、従来よりもシート抵抗の低い導電部材を提供できるようにすることその主たる課題とするものである。 The present invention was conceived to solve all of the above problems at once, and its main objective is to provide a conductive member with lower sheet resistance than conventional materials by enabling the adhesion between the substrate and the active material or conductive additive to be maintained over the long term without relying on the hydrophilicity of the substrate surface.
すなわち本発明に係る導電部材の製造方法は、前記導電部材の基材を収容するプラズマ処理室内に炭化水素系原料ガスを供給するとともに、前記プラズマ処理室内にプラズマを発生させ、前記基材又は前記基材の周囲に設けられた高電圧パルス印加用電極に高電圧パルスを印加することで、前記基材の表面にDLC被膜を生成するDLC成膜工程と、前記DLC成膜工程の後に、プラズマ処理室内に酸素ガスを供給するとともに、前記プラズマ処理室内にプラズマを発生させ、前記基材又は前記基材の周囲に設けられた高電圧パルス印加用電極に高電圧パルスを印加することで、前記DLC被膜を酸素処理する酸素処理工程とを備え、前記酸素処理工程後の前記導電部材の表面粗さが0.1μm以上、0.5μm以下であることを特徴とする方法である。 That is, the method for manufacturing a conductive member according to the present invention comprises a DLC film formation process in which a hydrocarbon-based source gas is supplied into a plasma processing chamber that accommodates the substrate of the conductive member, plasma is generated in the plasma processing chamber, and high-voltage pulses are applied to the substrate or to an electrode for applying high-voltage pulses provided around the substrate, thereby forming a DLC coating on the surface of the substrate; and an oxygen treatment process, after the DLC film formation process, in which oxygen gas is supplied into the plasma processing chamber, plasma is generated in the plasma processing chamber, and high-voltage pulses are applied to the substrate or to an electrode for applying high-voltage pulses provided around the substrate, thereby oxygen-treating the DLC coating, wherein the surface roughness of the conductive member after the oxygen treatment process is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less.
このような導電部材の製造方法によれば、酸素プラズマを発生させるとともに、高電圧パルスを印加しているので、DLC被膜を酸素イオンによりスパッタすることができる。その結果、導電部材の表面粗さを0.1μm以上、0.5μm以下にしているので、導電部材の表面と活物質や導電助剤との密着力を機械的に向上させることができ、その効果は言わば半永久的なものとなる。
これにより、官能基による親水性に頼らずとも、導電部材と活物質や導電助剤との密着力を長期的に維持することができ、従来よりもシート抵抗が低く、しかもその低いシート抵抗が長期的に維持される導電部材を提供することが可能となる。
This method of manufacturing a conductive member generates oxygen plasma and applies a high-voltage pulse, allowing the DLC coating to be sputtered with oxygen ions. As a result, the surface roughness of the conductive member is set to 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, thereby mechanically improving the adhesion between the surface of the conductive member and the active material or conductive additive, and the effect is, so to speak, semi-permanent.
This makes it possible to maintain the adhesion between the conductive member and the active material or conductive additive for a long period of time without relying on the hydrophilicity of functional groups, and to provide a conductive member that has a lower sheet resistance than conventional conductive members and that maintains this low sheet resistance for a long period of time.
シート抵抗のさらなる低減を図るためには、前記酸素処理工程後の前記導電部材の表面状態が、C-O結合に対するO=C-O結合の比率が20%以上であることが好ましい。
このような構成であれば、σ結合に対するπ結合の比率が高まるので、導電部材の表面の自由電子が多くなり、シート抵抗のさらなる低減を図れる。
In order to further reduce the sheet resistance, it is preferable that the surface state of the conductive member after the oxygen treatment step has a ratio of O═C—O bonds to C—O bonds of 20% or more.
With such a configuration, the ratio of π bonds to σ bonds increases, increasing the number of free electrons on the surface of the conductive member, thereby enabling a further reduction in sheet resistance.
前記酸素処理工程における前記高電圧パルスが、-100V以上、-2kV以下であることが好ましい。
このような構成であれば、酸素プラズマ中の酸素イオンが、高エネルギー(例えば100eV~1000eV)で基材表面のDLC被膜に衝突するので、この酸素処理において好適なスパッタ効果を発揮させることができる。これにより、導電部材の表面を、活物質や導電助剤との密着力を機械的に向上させる程度に適度に荒らすことができる。
The high voltage pulse in the oxygen treatment step is preferably −100 V or more and −2 kV or less.
With this configuration, oxygen ions in the oxygen plasma collide with the DLC coating on the substrate surface with high energy (e.g., 100 eV to 1000 eV), which allows the oxygen treatment to produce a favorable sputtering effect, thereby roughening the surface of the conductive member to an extent that mechanically improves the adhesion between the conductive member and the active material and conductive additive.
酸素処理工程におけるより具体的な実施態様としては、前記プラズマ処理室内に供給する酸素ガスの圧力が、0.1Pa以上、10Pa以下である態様が挙げられる。 A more specific embodiment of the oxygen treatment process is one in which the pressure of the oxygen gas supplied into the plasma treatment chamber is 0.1 Pa or more and 10 Pa or less.
酸素処理工程が4分を超えると、いったんは減少した表面粗さが、再度増大する傾向にあり、活物質や導電助剤との密着力を担保するための適度な表面粗さにならことから、前記酸素処理工程が4分以内であることが好ましい。 If the oxygen treatment process lasts for more than 4 minutes, the surface roughness that had once decreased tends to increase again, and the surface roughness will not be adequate to ensure adhesion with the active material and conductive additive. Therefore, it is preferable that the oxygen treatment process last for 4 minutes or less.
DLC被膜の導電性を低下させる要因となる水素成分が基材に入り込むことを防ぐためには、前記DLC成膜工程において、前記基材を摂氏100度以上、摂氏450度以下に加熱することが好ましい。 To prevent hydrogen components, which can reduce the conductivity of the DLC coating, from penetrating into the substrate, it is preferable to heat the substrate to a temperature of 100°C or higher and 450°C or lower during the DLC film formation process.
具体的には、前記酸素処理工程後の前記DLC被膜の接触抵抗が、10mΩcm2以下であることが好ましい。 Specifically, it is preferable that the contact resistance of the DLC coating after the oxygen treatment step is 10 mΩcm 2 or less.
前記DLC成膜工程及び前記酸素処理工程を、前記プラズマ処理室内の真空状態を維持したまま連続して行うことが好ましい。
これならば、DLC成膜工程において温度が上がった状態を保ったまま、酸素処理工程に進めるので、酸素を活性化させることができ、酸素処理の効果を高めることができる。
It is preferable that the DLC film forming step and the oxygen treatment step are carried out successively while maintaining the vacuum state inside the plasma treatment chamber.
In this case, the temperature can be maintained at an elevated level in the DLC film forming process while proceeding to the oxygen treatment process, so that oxygen can be activated and the effect of the oxygen treatment can be enhanced.
また、本発明に係る集電体又はセパレータは、基材と、基材の表面に形成されたDLC被膜とを有した集電体又はセパレータであって、前記DLC被膜の表面粗さが0.1μm以上、0.5μm以下であることを特徴とするものである。
このような集電体又はセパレータであっても、官能基による親水性に頼らずとも、基材と活物質や導電助剤との密着力が長期的に維持される。
Furthermore, the current collector or separator according to the present invention is a current collector or separator having a substrate and a DLC coating formed on the surface of the substrate, characterized in that the surface roughness of the DLC coating is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less.
Even with such a current collector or separator, the adhesion between the substrate and the active material or conductive additive is maintained for a long period of time without relying on the hydrophilicity of the functional group.
このように構成した本発明によれば、導電部材の表面に生成した官能基による親水性に頼らずとも、基材と活物質や導電助剤との密着力を長期的に維持することができ、従来よりも長期的にシート抵抗の低い導電部材を提供することができる。 The present invention, configured in this way, can maintain the adhesion between the substrate and the active material or conductive additive for a long period of time without relying on the hydrophilicity of functional groups generated on the surface of the conductive member, thereby providing a conductive member with lower sheet resistance over the long term than conventional conductive members.
以下に本発明に係る導電部材の製造方法の一実施形態について図面を参照して説明する。 Below, one embodiment of a method for manufacturing a conductive member according to the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明に係る製造方法により製造される導電部材は、例えば燃料電池、リチウム電池、キャパシタ等に用いられる集電体等を構成するものであり、本実施形態では燃料電池用セパレータを構成する導電部材の製造について取り上げる。 The conductive member manufactured by the manufacturing method of the present invention constitutes a current collector used in, for example, fuel cells, lithium batteries, capacitors, etc., and this embodiment focuses on the manufacture of a conductive member that constitutes a separator for a fuel cell.
<装置構成>
まず、本製造方法に用いられるプラズマ処理装置の一例について説明する。
本実施形態のプラズマ処理装置100は、所謂ロール・ツー・ロール方式のものであり、図1に示すように、例えばアルミニウム等のシート状基材Zを送り出す送り出し機構10と、送り出された基材Zをプラズマ処理するプラズマ処理室Xと、プラズマ処理室Xにプラズマを生成するための高周波電源2と、基材Zに高電圧パルスを印加するための高電圧パルス電源3とを具備し、ここでは基材Zを鉛直方向に沿って搬送するように構成されている。
<Device configuration>
First, an example of a plasma processing apparatus used in this manufacturing method will be described.
The plasma processing apparatus 100 of this embodiment is of a so-called roll-to-roll type, and as shown in FIG. 1, is equipped with a delivery mechanism 10 that delivers a sheet-like substrate Z made of, for example, aluminum, a plasma processing chamber X that performs plasma processing on the delivered substrate Z, a high-frequency power supply 2 that generates plasma in the plasma processing chamber X, and a high-voltage pulse power supply 3 that applies a high-voltage pulse to the substrate Z, and is configured to transport the substrate Z in the vertical direction.
送り出し機構10は、基材Zが巻回されてなるコイル材から基材Zを送り出すものであり、コイル材がセットされる送り出しローラ11を少なくとも備えたものである。この送り出しローラ11は、セットされたコイル状の基材Zと電気的に接続されており、後述のプラズマ処理において、高電圧パルス電源3から負の高電圧パルスが印加される。 The feed mechanism 10 feeds the substrate Z from a coil material formed by winding the substrate Z, and includes at least a feed roller 11 on which the coil material is set. This feed roller 11 is electrically connected to the set coil-shaped substrate Z, and a negative high-voltage pulse is applied to it from the high-voltage pulse power supply 3 during the plasma treatment described below.
プラズマ処理室Xは、基材Zをプラズマ処理するための部屋であり、高周波電源2からの高周波電力が印加される高周波アンテナ4が設けられている。このプラズマ処理室Xは、プラズマの原料ガスが供給されて所定の圧力に保持される。 The plasma processing chamber X is a chamber for plasma processing the substrate Z, and is equipped with a high-frequency antenna 4 to which high-frequency power is applied from a high-frequency power source 2. This plasma processing chamber X is supplied with plasma raw material gas and maintained at a predetermined pressure.
本実施形態では、異なるプラズマ処理を行う少なくとも2つのプラズマ処理室Xが、基材Zの搬送方向に沿って直列に設けられている。以下では、上流側のプラズマ処理室Xを第1プラズマ処理室X1と呼び、下流側のプラズマ処理室Xを第2プラズマ処理室X2と呼ぶ。なお、この実施形態では、図1に示すように、基材Zの表面をプラズマ処理するための第1プラズマ処理室X1及び第2プラズマ処理室X2と、基材Zの裏面をプラズマ処理するための第1プラズマ処理室X1及び第2プラズマ処理室X2との計4つのプラズマ処理室Xを設けてある。 In this embodiment, at least two plasma processing chambers X for performing different plasma treatments are arranged in series along the transport direction of the substrate Z. Hereinafter, the upstream plasma processing chamber X will be referred to as the first plasma processing chamber X1, and the downstream plasma processing chamber X will be referred to as the second plasma processing chamber X2. In this embodiment, as shown in FIG. 1, a total of four plasma processing chambers X are provided: the first plasma processing chamber X1 and the second plasma processing chamber X2 for plasma processing the front surface of the substrate Z, and the first plasma processing chamber X1 and the second plasma processing chamber X2 for plasma processing the back surface of the substrate Z.
具体的に第1プラズマ処理室X1は、基材Zに酸やアルカリに対する耐食性を有するガスバリヤ被膜たる導電性DLC被膜を形成する部屋である。また、第2プラズマ処理室X2は、第1プラズマ処理室X1において製膜された導電性DLC被膜の表面を酸素プラズマ処理する部屋である。 Specifically, the first plasma treatment chamber X1 is a chamber in which a conductive DLC coating, which acts as a gas barrier coating that is resistant to corrosion by acids and alkalis, is formed on the substrate Z. The second plasma treatment chamber X2 is a chamber in which the surface of the conductive DLC coating formed in the first plasma treatment chamber X1 is subjected to oxygen plasma treatment.
このように基材Zをプラズマ処理して製造された導電部材Z’は、この実施形態では巻き取り機構60によって巻き取られる。巻き取り機構60は、ここではシート状の導電部材Z’をコイル状に巻き取る巻き取りローラ61を少なくとも備えたものである。 In this embodiment, the conductive member Z' produced by plasma treating the substrate Z is wound up by a winding mechanism 60. The winding mechanism 60 includes at least a winding roller 61 that winds up the sheet-like conductive member Z' into a coil.
<製造方法>
次に、上述したプラズマ処理装置100を用いて導電部材Z’を製造する方法について、図2のフローチャートを参照しながら説明する。
<Manufacturing method>
Next, a method for manufacturing the conductive member Z' using the above-described plasma processing apparatus 100 will be described with reference to the flowchart of FIG.
まず、送り出し機構10によりシート状の基材Zを第1プラズマ処理室X1に送り出し、第1プラズマ処理室X1において、基材ZにDLC被膜を生成する(S2:DLC成膜工程)。
より具体的に説明すると、第1プラズマ処理室X1には例えばメタンとアセチレンと窒素の混合ガスが原料ガスとして供給されて0.1Pa以上、1Pa以下、より好ましくは0.3Pa以上、0.5Pa以下に保持されており、高周波アンテナ4に図示しない整合器を介して高周波電源2からの高周波電力を印加することで、基材Zの表面近傍には炭素イオンを含む放電プラズマが発生する。このとき、導電性DLC被膜の導電性を低下させる要因となる水素成分が基材Zに入り込むことを防ぐべく、ここでは基材Zをヒータ5によって例えば200℃以上、450℃以下、より好ましくは200℃以上、300℃以下に保持している。そして、上述した送り出しローラ11を介して、例えば-2kV以上、-800V以下、より好ましくは-2kV以上、-100V以下の負のパルス電圧を基材Zに印加することで、基材Zの表面に導電性DLC被膜が生成される。
First, the sheet-shaped substrate Z is sent to the first plasma processing chamber X1 by the sending mechanism 10, and a DLC coating is formed on the substrate Z in the first plasma processing chamber X1 (S2: DLC film forming step).
More specifically, a mixed gas of, for example, methane, acetylene, and nitrogen is supplied as a source gas to the first plasma processing chamber X1, which is maintained at a pressure of 0.1 Pa or more and 1 Pa or less, preferably 0.3 Pa or more and 0.5 Pa or less. High-frequency power is applied to the high-frequency antenna 4 from the high-frequency power source 2 via a matching box (not shown), generating a discharge plasma containing carbon ions near the surface of the substrate Z. To prevent hydrogen components, which could reduce the conductivity of the conductive DLC coating, from penetrating the substrate Z, the heater 5 maintains the substrate Z at a temperature of, for example, 200°C or more and 450°C or less, more preferably 200°C or more and 300°C or less. A negative pulse voltage of, for example, −2 kV or more and −800 V or less, more preferably −2 kV or more and −100 V or less, is applied to the substrate Z via the feed roller 11, thereby forming a conductive DLC coating on the surface of the substrate Z.
ところで、基材Zの表面には、例えば圧延凹凸のように比較的大きな周期で繰り返される凹凸(例えば高さ0.5μm、横幅50μm程度のもの)と、その凹凸に重畳するように存在するより細かい凹凸(例えば高さ0.1μm、横幅10μm程度のもの)とがある。
かかる基材Zの表面に上述した導電性DLC被膜を生成すると、導電性DLC被膜が大きな周期の凹凸に沿って形成されて、基材Z表面の細かい凹凸は導電性DLC被膜に埋もれてしまうので、表面粗さの数値は増大する。
Meanwhile, the surface of the substrate Z has irregularities that are repeated at a relatively large period, such as rolling irregularities (for example, about 0.5 μm in height and about 50 μm in width), and finer irregularities that are superimposed on the irregularities (for example, about 0.1 μm in height and about 10 μm in width).
When the above-mentioned conductive DLC coating is formed on the surface of such a substrate Z, the conductive DLC coating is formed along the large-period irregularities, and the fine irregularities on the surface of the substrate Z are buried in the conductive DLC coating, resulting in an increase in the surface roughness value.
このDLC成膜工程の後、導電性DLC被膜が生成された基材Zは、第2プラズマ処理室X2に搬送され、この第2プラズマ処理室X2において、基材Zの表面に生成された導電性DLC被膜を酸素プラズマ処理する(S2:酸素処理工程)。
より具体的に説明すると、第2プラズマ処理室X2には例えば酸素を含む酸素ガスが原料ガスとして供給されて0.1Pa以上、10Pa以下、より好ましくは0.5Pa以上、2Pa以下に保持されており、高周波アンテナ4に図示しない整合器を介して高周波電源2からの高周波電力を印加することで、基材Zの表面近傍には酸素イオンを含む放電プラズマが発生する。そして、上述した送り出しローラ11を介して、例えば-2kV以上、-500V以下、より好ましくは-1.5kV以上、-100V以下の負のパルス電圧を基材Zに印加することで、導電性DLC被膜に酸素イオンが注入されてスパッタされる。このように酸素イオンでスパッタすることにより、大きな周期の凹凸に沿って製膜された導電性DLC被膜は徐々に平坦に近づき、表面粗さ減少する。この酸素処理工程は、4分以下が好ましく、より好ましくは2分以下である。酸素処理工程が4分を超えると、いったんは減少した表面粗さが、再度増大する傾向にあり、活物質や導電助剤との密着力を担保するための適度な表面粗さを得られず、接触抵抗値が増大してしまうからである(図3参照)。
After this DLC film formation process, the substrate Z on which the conductive DLC coating has been formed is transported to the second plasma treatment chamber X2, where the conductive DLC coating formed on the surface of the substrate Z is subjected to oxygen plasma treatment (S2: oxygen treatment process).
More specifically, oxygen gas containing oxygen, for example, is supplied as a source gas to the second plasma treatment chamber X2 and maintained at a pressure of 0.1 Pa or more and 10 Pa or less, preferably 0.5 Pa or more and 2 Pa or less. High-frequency power is applied to the high-frequency antenna 4 from the high-frequency power source 2 via a matching box (not shown), generating a discharge plasma containing oxygen ions near the surface of the substrate Z. Then, a negative pulse voltage of, for example, −2 kV or more and −500 V or less, more preferably −1.5 kV or more and −100 V or less, is applied to the substrate Z via the feed roller 11, thereby implanting oxygen ions into the conductive DLC coating and causing sputtering. By sputtering with oxygen ions in this manner, the conductive DLC coating formed along the large-period irregularities gradually becomes flatter, reducing surface roughness. This oxygen treatment process is preferably performed for 4 minutes or less, more preferably 2 minutes or less. If the oxygen treatment process lasts for more than 4 minutes, the surface roughness that had decreased tends to increase again, and the appropriate surface roughness required to ensure adhesion with the active material and conductive additive cannot be obtained, resulting in an increase in contact resistance (see Figure 3).
この実施形態では、上述したDLC成膜工程と酸素処理工程とが、プラズマ処理室X内の真空状態を維持したまま連続して行われており、具体的には第1プラズマ処理室X1及び第2プラズマ処理室X2におけるそれぞれのプラズマ処理が、各プラズマ処理室X1、X2内の真空状態を維持したまま連続して行われる。 In this embodiment, the above-mentioned DLC film formation process and oxygen treatment process are performed consecutively while maintaining a vacuum state within the plasma treatment chamber X. Specifically, the plasma treatments in the first plasma treatment chamber X1 and the second plasma treatment chamber X2 are performed consecutively while maintaining a vacuum state within each of the plasma treatment chambers X1 and X2.
DLC成膜工程及び酸素処理工程を経て、基材Zと、その基材Zの表面に生成されたDLC被膜とを有し、そのDLC被膜が表面粗さ(水平算術平均粗度)Raが0.1μm以上、0.5μm以下である導電部材が製造される。ここでの導電部材は、セパレータを構成する部材であり、活物質や導電助剤を混ぜ合わせたスラリーが塗布される前のものである。 Through the DLC film formation process and oxygen treatment process, a conductive member is manufactured that has a substrate Z and a DLC coating formed on the surface of the substrate Z, with the DLC coating having a surface roughness (horizontal arithmetic mean roughness) Ra of 0.1 μm or more and 0.5 μm or less. The conductive member here is the component that makes up the separator, and is the component before the slurry containing the active material and conductive additive is applied.
<導電部材の特徴構成>
続いて、上述した製造方法により製造された導電部材の特徴構成について説明する。
<Characteristic configuration of conductive member>
Next, the characteristic configuration of the conductive member manufactured by the above-described manufacturing method will be described.
本実施形態の導電部材は、上述した酸素処理工程におけるスパッタ効果によって、酸素処理工程後において、表面粗さRaが0.1μm以上、0.5μm以下のものであり、より好ましくは表面粗さが0.1μm以上、0.3μm以下のものである。 Due to the sputtering effect in the oxygen treatment process described above, the conductive member of this embodiment has a surface roughness Ra of 0.1 μm or more and 0.5 μm or less after the oxygen treatment process, and more preferably a surface roughness of 0.1 μm or more and 0.3 μm or less.
また、この導電部材は、酸素処理工程後において、表面状態が、C-O結合に対するO=C-O結合の比率が20%以上である。
ここで、酸素処理工程を行っていないサンプル(No1、2)と、酸素処理工程を行ったサンプル(No3~6)とに対して、表面の化学結合情報をXPSにより分析した結果を図4に示す。具体的にこの分析結果は、C-O結合のピーク強度に対するO=C-O結合のピーク強度の比率を求めたものである。
この分析結果から分かるように、酸素処理工程における酸素プラズマ処理により、C-O結合に対するO=C-O結合の比率が向上していることが見て取れる。この比率は、酸素処理工程を行っていないサンプルでは15%以下であるのに対して、酸素処理工程を行ったサンプルでは20%以上、より具体的には30%以上である。
このことから、酸素プラズマ処理によって、σ結合に対するπ結合の比率が向上し、導電部材のシート抵抗が低減することが分かる。
Furthermore, after the oxygen treatment step, the surface condition of this conductive member is such that the ratio of O=C--O bonds to C--O bonds is 20% or more.
Here, the results of analyzing the surface chemical bond information by XPS for samples (Nos. 1 and 2) that were not subjected to the oxygen treatment step and samples (Nos. 3 to 6) that were subjected to the oxygen treatment step are shown in Figure 4. Specifically, this analysis result is the ratio of the peak intensity of the O=C-O bond to the peak intensity of the C-O bond.
As can be seen from these analysis results, the oxygen plasma treatment in the oxygen treatment step improves the ratio of O=C-O bonds to C-O bonds. This ratio is 15% or less for the sample that was not subjected to the oxygen treatment step, but is 20% or more, more specifically, 30% or more for the sample that was subjected to the oxygen treatment step.
This shows that the oxygen plasma treatment improves the ratio of π bonds to σ bonds, thereby reducing the sheet resistance of the conductive member.
さらに、酸素プラズマ処理により、導電部材の表面には、水酸基(-OH基)やカルボキシル基(-COOH)などの官能基が形成され、この官能基による親水性が得られる。
ここで、酸素処理工程の有無(より詳細には、酸素プラズマ処理の処理時間)の違いによる、親水性の差異を確認すべく、導電部材の表面に滴下した液滴の接触角を測定した測定結果を図5に示す。なお、グラフ中の線種の違いは、酸素処理工程後の経過時間の違いであり、具体的にそれぞれの線種は、10日、11日、12日、14日、46日後に接触角を測定した結果を示している。
この測定結果から分かるように、酸素処理工程における酸素プラズマ処理により、接触角が大幅に低減し、親水性が得られていることが分かる。この親水性は、導電部材を巻き取りローラ61に巻き取った状態でも保持されており、そのうえ、巻き取りローラ61から巻き出しても、乾燥雰囲気で保持すれば、1か月程度は親水性が保持されている。
Furthermore, the oxygen plasma treatment forms functional groups such as hydroxyl groups (-OH groups) and carboxyl groups (-COOH groups) on the surface of the conductive member, and these functional groups provide hydrophilicity.
To confirm the difference in hydrophilicity due to the presence or absence of an oxygen treatment step (more specifically, the treatment time of the oxygen plasma treatment), the contact angle of a droplet dropped on the surface of a conductive member was measured, and the results are shown in Figure 5. Note that the different types of lines in the graph represent the difference in the elapsed time after the oxygen treatment step, and specifically, the respective types of lines represent the results of measuring the contact angle after 10 days, 11 days, 12 days, 14 days, and 46 days.
As can be seen from these measurement results, the oxygen plasma treatment in the oxygen treatment step significantly reduced the contact angle and achieved hydrophilicity. This hydrophilicity was maintained even when the conductive member was wound around the winding roller 61. Furthermore, even after being unwound from the winding roller 61, the hydrophilicity was maintained for about one month if kept in a dry atmosphere.
このような導電部材の製造方法によれば、DLC被膜を酸素プラズマ処理するので、そのスパッタ効果によってDLC被膜の表面粗さを0.1μm以上、0.5μm以下にすることができ、導電部材の表面と活物質や導電助剤との密着力を機械的に向上させることができ、その効果は言わば半永久的なものとなる。
これにより、従来のように、導電部材の表面に生成した官能基による親水性に頼らずとも、基材Zと活物質や導電助剤との密着力を長期的に維持することができ、従来よりも長期的にシート抵抗の低い導電部材を提供することができる。
According to this method for manufacturing a conductive member, the DLC coating is subjected to oxygen plasma treatment, and the resulting sputtering effect can reduce the surface roughness of the DLC coating to 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, thereby mechanically improving the adhesion between the surface of the conductive member and the active material or conductive additive, and the effect is, so to speak, semi-permanent.
This makes it possible to maintain the adhesion between the substrate Z and the active material or conductive additive for a long period of time without relying on the hydrophilicity of functional groups generated on the surface of the conductive member as in the past, and to provide a conductive member with lower sheet resistance for a long period of time than in the past.
また、酸素プラズマ処理により、C-O結合に対するO=C-O結合の比率が20%以上とすることで、σ結合に対するπ結合の比率を高めているので、シート抵抗のさらなる低減を図れる。 In addition, oxygen plasma treatment increases the ratio of O=C-O bonds to C-O bonds to 20% or more, thereby increasing the ratio of π bonds to σ bonds, further reducing sheet resistance.
さらに、酸素プラズマ処理により、DLC被膜の表面に水酸基(-OH基)やカルボキシル基(-COOH)などの官能基が形成し、親水性を発揮させているので、活物質や導電助剤を塗布する際に用いられるスラリーとDLC被膜との密着性が良い。これにより、導電部材の表面に活物質や導電助剤をより多く塗布することができ、このこともシート抵抗の低減に寄与する。 Furthermore, oxygen plasma treatment forms functional groups such as hydroxyl groups (-OH groups) and carboxyl groups (-COOH) on the surface of the DLC coating, making it hydrophilic. This improves adhesion between the DLC coating and the slurry used to apply the active material and conductive additive. This allows for a larger amount of active material and conductive additive to be applied to the surface of the conductive material, which also contributes to reducing sheet resistance.
このように、酸素プラズマ処理による種々の作用効果によって、導電部材のシート抵抗は従来よりも飛躍的に低くなり、しかもその低いシート抵抗を長期的に維持することができる。 In this way, the various effects of oxygen plasma treatment significantly reduce the sheet resistance of the conductive material compared to conventional methods, and this low sheet resistance can be maintained for a long period of time.
ここで、酸素処理工程を行っていないサンプル(No4~6)と、酸素処理工程を行ったサンプル(No1~3、7)とに対して、シート抵抗を測定した測定結果を図6に示す。なお、各サンプルに対する測定値は、活物質を塗布していない状態において測定されたものである。
この結果から分かるように、酸素プラズマ処理を行わなかった場合のDLC被膜のシート抵抗は、10mΩcm2以上であるのに対して、酸素プラズマ処理を行った場合のDLC被膜のシート抵抗は、10mΩcm2以下であり、酸素プラズマ処理がシート抵抗の低減に効果的であることが分かる。
The sheet resistance of samples (Nos. 4 to 6) that were not subjected to the oxygen treatment step and samples (Nos. 1 to 3 and 7) that were subjected to the oxygen treatment step are measured and the results are shown in Fig. 6. The measured values for each sample were measured in a state where no active material was applied.
As can be seen from these results, the sheet resistance of the DLC coating without oxygen plasma treatment was 10 mΩcm2 or more, whereas the sheet resistance of the DLC coating with oxygen plasma treatment was 10 mΩcm2 or less, indicating that oxygen plasma treatment is effective in reducing sheet resistance.
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。 Note that the present invention is not limited to the above embodiment.
例えば、プラズマ処理装置100としては、前記実施形態で述べた構成に限定されず、図7に示すように、基材Zの周囲に設けられた高電圧パルス印加用電極7(メッシュ電極)を備え、この高電圧パルス印加用電極7に高電圧パルスを印加するように構成されたものであっても良い。また、この図7に示す構成では、高周波電源からの高周波電力と、高電圧パルス電源3からの高電圧パルスとを同時にメッシュ電極に印加するように構成された容量結合型プラズマ(CCP)方式のものであるが、図8に示すように、高周波電力と高電圧パルスとを独立させてメッシュ電極に印加するように構成された誘導結合型プラズマ(ICP)方式のものであっても良い。なお、図7及び図8に示す構成では、メッシュ電極に高電圧パルスを印加しているが、メッシュ電極を設けることなく、基材Zに直接高電圧パルスを印加するようにしても良い。 For example, the plasma processing apparatus 100 is not limited to the configuration described in the above embodiment. As shown in FIG. 7, the plasma processing apparatus 100 may include a high-voltage pulse application electrode 7 (mesh electrode) disposed around the substrate Z, and may be configured to apply a high-voltage pulse to the high-voltage pulse application electrode 7. The configuration shown in FIG. 7 is a capacitively coupled plasma (CCP) system configured to simultaneously apply high-frequency power from a high-frequency power supply and a high-voltage pulse from a high-voltage pulse power supply 3 to the mesh electrode. However, as shown in FIG. 8, the plasma processing apparatus 100 may be an inductively coupled plasma (ICP) system configured to apply high-frequency power and a high-voltage pulse independently to the mesh electrode. While the configurations shown in FIGS. 7 and 8 apply a high-voltage pulse to the mesh electrode, the high-voltage pulse may be applied directly to the substrate Z without providing a mesh electrode.
また、前記実施形態では、基材Zを鉛直方向に沿って搬送しながらプラズマ処理しているが、基材Zを例えば水平方向に搬送しながらプラズマ処理するようにしても良い。 In addition, in the above embodiment, the substrate Z is plasma treated while being transported in the vertical direction, but the substrate Z may also be plasma treated while being transported, for example, horizontally.
さらに、DLC成膜工程の前に、DLC被膜の密着性を向上させるべく、基材Zに核(云わば髪の毛でいう毛根のようなもの)を形成しても良い。より具体的に説明すると、第1プラズマ処理室X1には例えばシアン化アンモニウム等の炭素化合物ガスが原料ガスとして供給されて1Paに保持されており、高周波アンテナ4に図示しない整合器を介して高周波電源2からの高周波電力を印加することで、基材Zの表面近傍には炭素イオンを含む放電プラズマが発生する。そして、上述した送り出しローラ11を介して、負の直流電圧又は負のパルス電圧を基材Zに印加することで、基材Zの表面に炭素イオンが注入されて核が形成される。なお、核の形成は、窒素イオンの注入により行われても良い。 Furthermore, prior to the DLC film formation process, nuclei (similar to hair roots) may be formed on the substrate Z to improve the adhesion of the DLC coating. More specifically, a carbon compound gas, such as ammonium cyanide, is supplied as a source gas to the first plasma processing chamber X1 and maintained at 1 Pa. High-frequency power is applied to the high-frequency antenna 4 from the high-frequency power source 2 via a matching box (not shown), generating a discharge plasma containing carbon ions near the surface of the substrate Z. Then, a negative DC voltage or negative pulse voltage is applied to the substrate Z via the aforementioned feed roller 11, implanting carbon ions into the surface of the substrate Z to form nuclei. The nuclei may also be formed by implanting nitrogen ions.
加えて、DLC成膜工程の前に、基材Zの酸化被膜(Al2O3)を除去するプラズマ処理を行っても良い。具体的にかかるプラズマ処理としては、プラズマ処理室Xに例えばアルゴンガスを導入して1Paに保ち、プラズマを発生させることにより酸化被膜を除去するアルゴンガスクリーニングを挙げることができる。 In addition, prior to the DLC film formation step, a plasma treatment may be performed to remove the oxide film (Al 2 O 3 ) from the substrate Z. Specifically, such a plasma treatment may be argon gas cleaning, in which argon gas, for example, is introduced into the plasma treatment chamber X and maintained at 1 Pa, and plasma is generated to remove the oxide film.
さらに加えて、前記実施形態では、4つのプラズマ処理室Xが設けられていたが、図9に示すように、3つのプラズマ処理室Xを設けても良い。具体的には、基材Zの表面に導電性DLC被膜を形成する第1プラズマ処理室X1、基材Zの裏面に導電性DLC被膜を形成する第1プラズマ処理室X1、基材Zの両面を酸素プラズマ処理する第2プラズマ処理室X2がこの順で設けられていても良い。 In addition, while four plasma treatment chambers X were provided in the above embodiment, three plasma treatment chambers X may be provided as shown in FIG. 9. Specifically, a first plasma treatment chamber X1 for forming a conductive DLC coating on the surface of the substrate Z, a first plasma treatment chamber X1 for forming a conductive DLC coating on the back surface of the substrate Z, and a second plasma treatment chamber X2 for performing oxygen plasma treatment on both surfaces of the substrate Z may be provided in this order.
基材Zは、アルミニウムに限らず、ニッケル(Ni)、鉄(Fe)、マグネシウム(Mg)、チタニウム(Ti)又はこれらの金属を含む合金のうち、少なくとも1種類の金属を有するものであっても良い。 The substrate Z is not limited to aluminum, but may also contain at least one metal selected from the group consisting of nickel (Ni), iron (Fe), magnesium (Mg), titanium (Ti), and alloys containing these metals.
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。 It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible without departing from the spirit of the invention.
100・・・プラズマ処理装置
X ・・・プラズマ処理室
Z ・・・基材
10 ・・・送り出し機構
2 ・・・高周波電源
3 ・・・高電圧パルス電源
4 ・・・アンテナ
5 ・・・ヒータ
60 ・・・巻き取り機構
100: Plasma processing apparatus X: Plasma processing chamber Z: Substrate 10: Delivery mechanism 2: High frequency power source 3: High voltage pulse power source 4: Antenna 5: Heater 60: Winding mechanism
Claims (8)
前記導電部材の基材を収容するプラズマ処理室内に炭化水素系原料ガスを供給するとともに、前記プラズマ処理室内にプラズマを発生させ、前記基材又は前記基材の周囲に設けられた高電圧パルス印加用電極に高電圧パルスを印加することで、前記基材の表面にDLC被膜を生成するDLC成膜工程と、
前記DLC成膜工程の後に、プラズマ処理室内に酸素ガスを供給するとともに、前記プラズマ処理室内にプラズマを発生させ、前記基材又は前記基材の周囲に設けられた高電圧パルス印加用電極に高電圧パルスを印加することで、前記DLC被膜を酸素処理する酸素処理工程とを備え、
前記酸素処理工程後の前記導電部材の水平算術平均粗度が0.1μm以上、0.5μm以下であり、
前記酸素処理工程における前記高電圧パルスが、-100V以下、-2kV以上であることを特徴とする導電部材の製造方法。 A method for manufacturing a conductive member, comprising:
a DLC film formation process in which a hydrocarbon-based source gas is supplied into a plasma processing chamber that accommodates a substrate of the conductive member, plasma is generated in the plasma processing chamber, and a high voltage pulse is applied to the substrate or to a high voltage pulse application electrode that is provided around the substrate, thereby forming a DLC film on the surface of the substrate;
an oxygen treatment step, which is performed after the DLC film formation step, by supplying oxygen gas into a plasma treatment chamber, generating plasma in the plasma treatment chamber, and applying a high voltage pulse to a high voltage pulse application electrode provided on the substrate or around the substrate, thereby oxygen-treating the DLC film;
the horizontal arithmetic mean roughness of the conductive member after the oxygen treatment step is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less;
The method for producing a conductive member, wherein the high voltage pulse in the oxygen treatment step is −100 V or less and −2 kV or more.
前記集電体又はセパレータは、基材と、基材の表面に形成されたDLC被膜とを有するものであり、
前記酸素処理工程を経た後の前記DLC被膜の表面に親水性を有する官能基が形成されているとともに、前記DLC被膜の表面の水平算術平均粗度が0.1μm以上、0.5μm以下であり、前記DLC被膜の接触抵抗が10mΩ・cm2以下であることを特徴とする集電体又はセパレータ。
a current collector or separator manufactured through a DLC film formation process in which a hydrocarbon-based source gas is supplied into a plasma treatment chamber accommodating a substrate of a conductive member, plasma is generated in the plasma treatment chamber, and a negative high voltage pulse of −2 kV or more and −100 V or less is applied to the substrate or an electrode for applying a high voltage pulse provided around the substrate, thereby forming a DLC film on a surface of the substrate; and an oxygen treatment process in which, after the DLC film formation process, oxygen gas is supplied into the plasma treatment chamber, plasma is generated in the plasma treatment chamber, and a high voltage pulse is applied to the substrate or an electrode for applying a high voltage pulse provided around the substrate, thereby injecting oxygen ions into the DLC film and sputtering the DLC film,
the current collector or separator has a substrate and a DLC coating formed on the surface of the substrate,
a current collector or separator characterized in that hydrophilic functional groups are formed on the surface of the DLC coating after the oxygen treatment step, the horizontal arithmetic mean roughness of the surface of the DLC coating is 0.1 μm or more and 0.5 μm or less, and the contact resistance of the DLC coating is 10 mΩ· cm2 or less.
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