JP7802966B2

JP7802966B2 - プラズマ処理方法

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Publication number: JP7802966B2
Application number: JP2024571985A
Authority: JP
Inventors: 直広山本; 謙一桑原
Original assignee: Hitachi High Tech Corp
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2023-11-16
Filing date: 2023-11-16
Publication date: 2026-01-20
Anticipated expiration: 2043-11-16
Also published as: KR20250072907A; JPWO2025104881A1; WO2025104881A1; TW202522596A; CN120345055A

Description

本開示は、プラズマ処理方法に係り、微細パターン加工における有機膜を垂直に加工する垂直加工技術に関するプラズマ処理方法に適用可能である。

高解像度リソグラフィーの進展に伴い、さらなる微細加工技術として、極端紫外線(Ｅｘｔｒｅｍｅｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）を用いた極端紫外線リソグラフィー(Ｅｘｔｒｅｍｅｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）の開発が行われており、ＥＵＶパターンを用いたＴｒｉ-Ｌａｙｅｒ（三層）構造の有機膜パターン微細加工技術の開発が進んでいる。その中でもＳＡＤＰ（Ｓｅｌｆ－ＡｌｉｇｎｅｄＤｏｕｂｌｅＰａｔｔｅｒｎｉｎｇ）のマンドレル（Ｍａｎｄｒｅｌ）に適応される有機膜（ＡＣＬ：アモルファスカーボン）を高精度で加工する技術の開発が求められている。特に、有機膜の加工形状の垂直化が必要であり、有機膜のＴｏｐ－ＣＤ値とＢｏｔｔｏｍ－ＣＤ値の差を最小限に制御する技術の必要性が求められている。加工精度としてはＬｉｎｅ－ＣＤ値１６ｎｍ以下の垂直加工が必要とされている。ここで、ＣＤとは、Critical Dimensionの略である。

先行技術（特開２０２１－７７８４３号公報）は有機膜の上部のサイドエッチ防止対策手法は提案されている。しかし、有機膜の下部についての加工方法は検討されていない状況と考えられる。

特開２０２１－７７８４３号公報

ＥＵＶパターンを用いたパターン寸法１６ｎｍ以下の微細加工の高精度加工技術が必要であり、Ｔｒｉ-Ｌａｙｅｒ構造サンプルの下層膜にあたる有機膜を垂直に加工するエッチング処理が重要となっている。有機膜の加工形状がテーパ形状や有機膜の下層部で見られる裾引き形状があると、パターンの寸法制御性が悪化し、半導体製品のデバイス性能や信頼性が悪化するため問題となる。

本開示は、有機膜の下層部で見られる裾引き形状の抑制技術に係るプラズマ処理方法を提供する。

本開示の一実施形態に係る、プラズマを用いて有機膜をエッチングすることによりマスクを形成するプラズマ処理方法は、
前記有機膜の上方に成膜された無機膜をエッチングする第１ステップと、
前記第１ステップ後、硫黄元素含有ガスを用いて前記有機膜をエッチングする第２ステップと、
前記第２ステップ後、前記有機膜の下方に成膜された被エッチング膜の上に堆積した堆積膜を除去する第３ステップと、
前記第３ステップ後の前記有機膜をエッチングする第４ステップと、を有する。

前記第４ステップは、Ｈ含有ガス（水素元素含有ガス）又は、Ｈ含有ガスとＡｒガスの混合ガスを用いて前記有機膜をエッチングする。これにより、前記有機膜の下部の裾引き形状部を加工する。

前記硫黄元素含有ガスは、ＳＯ₂ガス又はＣＯＳガスである。前記堆積膜は、酸化系の堆積膜であり、例えば、酸化硫黄系の堆積膜である。

前記無機膜上に形成されたパターンはカーボン系又は酸化系のどちらでも良い。

本開示の一実施形態によれば、硫黄元素含有ガス（ＳＯ₂ガス又はＣＯＳガス）を用いた有機膜（アモルファスカーボン膜（ＡＣＬ：非晶質炭素層）や塗布型有機下層（ＳＯＣ））のエッチング処理(第２ステップ）の後に付着する堆積膜（酸化デポ膜）を除去する第３ステップと、堆積膜を除した前記有機膜のエッチングを行う第４ステップとを実施することで、有機膜の垂直加工形状が確立でき、有機膜の加工寸法のバラツキを抑制できる。

本開示に係るプラズマエッチング装置の略断面図である。本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、プラズマエッチングされるウエハの断面構造を示す断面図である。本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、無機膜をエッチング加工する工程を示す断面図である。本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、有機膜をエッチング加工する工程を示す断面図およびその部分拡大断面図である。本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、有機膜の下方に成膜された被エッチング膜の上に堆積した堆積膜を除去する工程を示す断面図およびその部分拡大断面図である。本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、有機膜の裾引き形状部をエッチング加工する工程を示す断面図およびその部分拡大断面図である。有機膜エッチング処理後に付着するデポ膜の成分を示す図である。有機膜エッチング処理後にデポ膜を除去した場合の有機膜の成分を示す図である。本開示のプラズマ処理方法に係るエッチングフローを示す図である。本開示のプラズマ処理方法に係る各ステップにおけるエッチング条件の一例を示す図である。

本開示の実施形態について図面を参照しながら以下に説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

本開示を実施するためのプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置１００について図１を用いて説明する。図１は、プラズマ生成手段としてマイクロ波と磁界を利用したＥＣＲ(ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ）方式のマイクロ波プラズマエッチング装置の略断面図である。

マイクロ波は、マグネトロン１０１で発振され，導波管１０２を経由して石英板１０３を透過して真空容器１０４へ伝搬される。真空容器１０４の周りにはソレノイドコイル１０５が設けられ、ソレノイドコイル１０５が生成する磁界と、真空容器１０４に伝搬されたマイクロ波により電子サイクロトロン共鳴(ＥｌｅｃｔｒｏｎＣｙｃｌｏｔｒｏｎＲｅｓｏｎａｎｃｅ：以下ＥＣＲと称する）を発生させる。

エッチングガスは、プロセスガス１０６から供給され、シャワープレート１０７を経由して真空容器１０４に導入される。真空容器１０４内の圧力は、真空容器１０４の下方に設けられた排気口(図示せず）を介して、ターボ分子ポンプ１０８およびドライポンプ(図示せず）により真空容器１０４内を排気しながら所望の圧力に調整される。

ウエハ１１１は被エッチング膜（無機膜２０１：図２Ａ参照）が成膜された試料とされ、試料台１１０に載置される。試料台１１０は、静電吸着電源１０９によって直流電圧を印加される。これにより、試料台１１０に発生する静電吸着力により、試料であるウエハ１１１は、試料台１１０に吸着される。また、高周波電源１１２により試料台１１０に高周波電力(以下、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）バイアスと称する）を供給して、プラズマ５中のイオンをウエハ１１１に対して垂直に加速しながら入射させる。

次に、本開示に係るプラズマ処理方法としてのプラズマエッチング方法を図２Ａ－図２Ｅを説明する。図２Ａは、本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、プラズマエッチングされるウエハの断面構造を示す断面図である。図２Ｂは、本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、無機膜をエッチング加工する工程を示す断面図である。図２Ｃは、本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、有機膜をエッチング加工する工程を示す断面図およびその部分拡大断面図である。図２Ｄは、本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、有機膜の下方に成膜された被エッチング膜の上に堆積した堆積膜を除去する工程を示す断面図およびその部分拡大断面図である。図２Ｅは、本開示に係るプラズマエッチング方法を示すフロー図であり、有機膜の裾引き形状部をエッチング加工する工程を示す断面図およびその部分拡大断面図である。

最初に本開示のプラズマ処理方法によりプラズマエッチングされるウエハ１１１の断面構造を説明する。

図２Ａに示すようにウエハ１１１は、シリコン基板(図示せず）の上に下から順に被エッチング膜である無機膜２０１と、６５ｎｍ厚さの有機膜２０２と、１０ｎｍ厚さのＳＯＧ（ｓｐｉｎ－ｏｎ－ｇｌａｓｓ）膜である無機膜２０３と、極端紫外線(Ｅｘｔｒｅｍｅｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：ＥＵＶ）露光により予めパターニングされた２２ｎｍ厚さの化学増幅型レジスト(ＣＡＲ：ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙａｍｐｌｉｆｉｅｄｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ)２０４が積層されている。尚、本実施例での予めパターニングされたパターンは、例えば、溝パターンとする。化学増幅型レジスト２０４は、マスクとして利用するので、マスク２０４ということがある。

ＥＵＶ露光によりパターニングされる寸法は、密集したパターンだけでなく、孤立したパターンも含まれる。

有機膜２０２は、アモルファスカーボン（ＡＣＬ）膜、塗布型有機下層（ＳＯＣ）膜等のカーボン系材料である。さらに、ＥＵＶ露光によりパターニングされるマスク２０４の材料は、金属酸化物（ＭＯＲ：ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＲｅｓｉｓｔ）でも良い。

図２Ａに示されたウエハ１１１がプラズマエッチング装置１００の試料台１１０に載置されて、以下に説明するプラズマ処理が行われる。

続いて有機膜２０２のプラズマエッチング処理方法を説明する。

まずは最初に、ＥＵＶ露光によりパターニングされたマスク２０４を用いて、無機膜２０３を六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスとフルオロホルム（ＣＨＦ_３）ガスの混合ガス、又は、前記混合ガスに水素（Ｈ_２）ガスを添加した混合ガスを用いる。ＳＦ_６ガスとＣＨＦ_３ガスの混合ガスを用いる場合、例えば、ＳＦ_６ガスのガス流量を１５ｍＬ／ｍｉｎ、ＣＨＦ_３ガスのガス流量を１００ｍＬ／ｍｉｎ、処理圧力を０．４Ｐａ、マイクロ波電力を１３００Ｗ、ＲＦバイアスを５０Ｗ、処理時間を３５秒とするエッチング条件にて図２Ｂに示すように無機膜２０３をエッチング加工する（第１ステップ）。つまり、第１ステップでは、有機膜２０２の上方に成膜された無機膜２０３が、ＥＵＶにより露光されたマスク２０４を用いてエッチングされる。

また、ＣＤ寸法は無機膜２０３の膜厚に対して、５％から５０％のオーバーエッチングを行い制御することができる。ここで、ＣＤとは、Critical Dimensionの略である。

次に、図２Ｂでエッチングを行った無機膜２０３をマスクとして、有機膜２０２をエッチングする。有機膜２０２のエッチングでは、有機膜２０２を硫黄元素含有ガス、例えば、二酸化硫黄（ＳＯ_２）ガスとアルゴン（Ａｒ）ガスの混合ガスを用い、ＳＯ_２ガスのガス流量を１５０ｍＬ／ｍｉｎ、Ａｒガスのガス流量を５００ｍＬ／ｍｉｎ、処理圧力を０．６Pａ、マイクロ波電力を９００Ｗ、ＲＦバイアスを１５０Ｗ、処理時間を１００ｓｅｃとするエッチング条件とする。これにより、図２Ｃに示すように有機膜２０２をエッチング加工する（第２ステップ）。つまり、第２ステップでは、第１ステップ後、硫黄元素含有ガスを用いて有機膜２０２をエッチングする。

また、有機膜２０２をエッチングする硫黄元素含有ガスは、硫化カルボニル（ＣＯＳ）ガスと酸素（Ｏ_２）ガス、窒素（Ｎ_２）ガスの混合ガスを使用しても良い。

有機膜２０２のエッチング処理を行った加工形状のＣＤ寸法を計測すると、有機膜２０２の上部ＣＤ値（Ｔｏｐ－ＣＤ値）＝９．７２ｎｍ、有機膜の下部ＣＤ値（Ｂｏｔｔｏｍ－ＣＤ値）＝１４．０９ｎｍとの差（ＣＤ差）が４．３７ｎｍとＣＤ差があり、寸法の制御性が悪いことが分かる。前記ＣＤ差が発生している有機膜２０２の加工形状をＳＥＭ画像にて観察したところ、有機膜２０２の下層部２０２１で有機膜２０２が裾を引いていることが分かる。つまり、有機膜２０２は、下層部２０２１に裾引き形状部２０５を有する。

ＣＤ差改善として、有機膜２０２の裾引き形状部２０５を除去する目的で、有機膜２０２のエッチング処理条件を使用し、追加エッチングとして有機膜２０２のオーバーエッチングを行ったが、ＣＤ差は３．５７ｎｍと大きな改善は見られないことが分かった。

有機膜２０２のエッチング加工後の形状の詳細情報を得るために、ＴＥＭを使用し加工形状を観察したところ、図２Ｃに示すように、デポ膜２０６が堆積してことが判明した。デポ膜２０６は堆積膜と言い換えることができる。

デポ膜２０６の成分分析として、ＸＰＳ分析器を用いて分析し、図３Ａに示すように酸化硫黄（ＳＯ_４ ^２－）３０１と有機硫酸化合物（Ｓ－Ｃ）３０２が堆積していることが分かる。この結果より、有機膜２０２のエッチング中はＳＯ_２ガスでカーボン膜をエッチングするため、デポ膜２０６は形成されず、有機膜２０２のエッチングは進行する。しかしながら、有機膜２０２が下層膜２０１（無機膜２０１）の表面２０１１までエッチングされ、有機膜２０２が無くなると、下層膜２０１の表面２０１１にデポ膜２０６が堆積してしまう。また、有機膜２０２の側壁２０２２にもデポ２０６膜が付着することで、有機膜２０２のサイドエッチが抑制され、異方性形状に加工できる。

このことから、デポ膜２０６が有機膜２０２と下層膜２０１に付着しているため、有機膜２０２のエッチング条件を用いたオーバーエッチングを行ってもエッチングが進行しないため、有機膜２０２の裾引き形状部２０５が除去できず垂直形状が得られないことが分かる。上記結果の影響でＣＤ差が大きくなり寸法制御性が悪化すると考える。

次に、デポ膜２０６の除去方法について説明する。図３Ａは、有機膜エッチング処理後に付着するデポ膜の成分を示す図である。図３Ｂは、有機膜エッチング処理後にデポ膜を除去した場合の有機膜の成分を示す図である。

堆積膜であるデポ膜２０６は、図３ＡのＸ線光電子分光（ＸＰＳ）分析器の測定結果（横軸：結合(束縛)エネルギー、縦軸：カウント数）より酸化物（酸化系の堆積物）と考え、例えば、無機膜２０３のエッチング条件を用いてエッチング処理する。つまり、無機膜２０３のエッチング条件である、ＳＦ_６ガスとＣＨＦ_３ガスの混合ガス、ＳＦ_６ガスのガス流量を１５ｍＬ／ｍｉｎ、ＣＨＦ_３ガスのガス流量を１００ｍＬ／ｍｉｎ、処理圧力を０．４Ｐａ、マイクロ波電力を１３００Ｗ、ＲＦバイアスを０Ｗ、処理時間を１０秒とするエッチング条件とする。ここで、ＲＦバイアスは、有機膜２０２のマスクである無機膜２０３のダメージを考慮し、ＲＦバイアスを印可せず０Ｗに設定したエッチング条件を用い、デポ膜２０６の除去を行う（第３ステップ）。つまり、第３ステップでは、第２ステップ後、有機膜２０２の下方に成膜された被エッチング膜２０１の上に堆積した堆積膜２０６を除去する。第３ステップＳ３は、被エッチング膜２０１の成膜された試料１１１がプラズマエッチング装置１００の試料台１１０に載置され、その試料台１１０に供給する高周波電力が０Ｗにして行われる。

図２Ｄに示すようにＴＥＭ観察でデポ膜２０６が除去可能なことを確認した。また、図３ＢのＸ線光電子分光（ＸＰＳ）分析器の測定結果（横軸：結合(束縛)エネルギー、縦軸：カウント数）でも酸化硫黄（ＳＯ_４ ^２－）３０１は初期状態に戻っていることからも、デポ膜２０６の除去できていることが分かる。

次に、有機膜２０２の裾引き形状部２０５のエッチング加工（第４ステップ）について説明する。つまり、第４ステップでは、第３ステップ後の有機膜２０２をエッチングする。第４ステップでは、具体的には、有機膜２０２の裾引き形状部２０５をエッチングする。

前記のように、被エッチング膜２０１の表面２０１１と有機膜２０２に側壁２０２２に付着していたデポ膜２０６が除去でき有機膜２０２の裾引き形状部２０５はエッチングされ、有機膜２０２は加工形状が垂直となり、図２Ｅに示す有機膜２０２のエッチング形状が得られ、Ｔｏｐ－ＣＤ値とＢｏｔｔｏｍ－ＣＤ値の改善できることが分かる。

但し、有機膜２０２の側壁２０２２に付着していたデポ膜２０６も除去されたため、有機膜２０２のエッチングで使用した条件をもちいると、側壁２０２２にサイドエッチが発生し、ＣＤ値が細くなる問題が発生する。

この様な有機膜２０２の側壁２０２２へのダメージを考慮すると、イオンによるスパッタエッチング主体のプロセス条件の検討が必要なことが分かる。スパッタエッチングで使用するエッチングガスは、希ガスであるＡｒガスと、水素元素含有ガス（Ｈ含有ガス）としての水素ガス（Ｈガス）の混合ガスを用いる。また、ＨガスはＨ含有ガスである臭化水素（ＨＢｒ）ガス、メタン（ＣＨ_４）ガスを用いてエッチングを行っても良い。例えば、ＡｒガスとＨ_２ガスの混合ガスを用いる場合、Ａｒガスのガス流量を１００ｍＬ／ｍｉｎ、Ｈ_２ガスのガス流量を１００ｍＬ／ｍｉｎ、処理圧力を０．４Ｐａ、マイクロ波電力を９００Ｗ、ＲＦバイアスを２００Ｗ、処理時間を２０ｓｅｃとするエッチング条件にて有機膜２０２の裾引き形状部２０５をエッチングする。

また、Ａｒガスだけではカーボンとの反応が無いため、Ｃ－Ｈ結合反応が必要となりＨ含有ガスが必要となる。

図４に本開示のプラズマ処理方法に係るエッチングフローを示す。また、図５に本開示のプラズマ処理方法に係る各ステップにおけるエッチング条件の一例を示す。図５の縦は、第１ステップＳ１の無機膜２０３のエッチング条件、第２ステップＳ２の有機膜２０２のエッチング条件、第３ステップＳ３の堆積膜２０６を除去するエッチング条件、第４ステップＳ４有機膜２０２のエッチング条件を示している。図５の横は、パラメータとして、使用するガスのガス流量（ｍＬ／ｍｉｎ）、真空容器１０４の処理圧力（単位：Ｐａ）、マイクロ波電力（Ｍパワー）の値（単位：Ｗ）、ＲＦバイアス（Ｂ－ＲＦ）の値（単位：Ｗ）、処理時間（Ｔｉｍｅ）（単位：ｓｅｃ）を示している。

図４および図５を用いて本開示のプラズマ処理方法に係るエッチングフローを説明するが、詳細な説明については、図２Ａ-図２Ｄおよび図３Ａ、図３Ｂの説明を参照できる。

第１ステップＳ１は、有機膜２０２の上方に成膜された無機膜２０３をエッチングする工程である。無機膜２０３のエッチング条件は、図５の「無機膜エッチング」の部分に記載されている。無機膜２０３は、ＥＵＶにより露光されたマスク２０４を用いてエッチングされる。マスク２０４の材料は、例えば、化学増幅型レジスト(ＣＡＲ)または金属酸化物(ＭＯＲ)である。有機膜２０２は、例えば、ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＣａｒｂｏｎＬａｙｅｒ（ＡＣＬ)膜または塗布型有機下層(ＳＯＣ)材料の膜である。

第２ステップＳ２は、第１ステップＳ１の後、硫黄元素含有ガスを用いて有機膜２０２をエッチングする工程である。有機膜２０２のエッチング条件は、図５の「有機膜エッチング」の部分に記載されている。硫黄元素含有ガスは、例えば、ＳＯ_２ガスまたはＣＯＳガスである。

第３ステップＳ３は、第２ステップＳ２の後、有機膜２０２の下方に成膜された被エッチング膜２０１の上に堆積した堆積膜２０６を除去する工程である。堆積膜２０６を除去するエッチング条件は、「デポ除去ステップ」の部分に記載されている。堆積膜２０６は、酸化系の堆積膜である。第３ステップＳ３は、被エッチング膜２０１が成膜された試料１１１が載置される試料台１１０に供給する高周波電力を０Ｗにして行われる。

第４ステップＳ４は、第３ステップＳ３の後、有機膜２０２（具体的には、有機膜２０２の裾引き形状部２０５）をエッチングする工程である。有機膜２０２の裾引き形状部２０５のエッチング条件は、「裾除去ステップ」の部分に記載されている。第４ステップＳ４は、水素元素含有ガスを用いて第３ステップＳ３の後の有機膜２０２をエッチングする。水素元素含有ガスは、例えば、水素ガスである。

以上、本開示を実施例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

１００：プラズマエッチング装置、１０１:マグネトロン、１０２:導波管、１０３:石英板、１０４:真空容器、１０５:ソレノイドコイル、１０６:エッチングガス、１０７:シャワープレート、１０８:ターボ分子ポンプ、１０９:静電吸着電源、１１０:試料台、１１１:ウエハ（試料）、１１２:高周波電源、２０１:被エッチング材、２０２:有機膜、２０３:無機膜、２０４:レジスト、２０５:有機膜裾引き形状部、２０６:デポ膜、３０１:酸化硫黄（ＳＯ_４ ^２－）、３０２:有機硫酸化合物（Ｓ－Ｃ）。

Claims

プラズマを用いて有機膜をエッチングすることによりマスクを形成するプラズマ処理方法において、
前記有機膜の上方に成膜された無機膜をエッチングする第１ステップと、
前記第１ステップ後、硫黄元素含有ガスを用いて前記有機膜をエッチングする第２ステップと、
前記第２ステップ後、前記有機膜の下方に成膜された被エッチング膜の上に堆積した堆積膜を除去する第３ステップと、
前記第３ステップ後の前記有機膜をエッチングする第４ステップと、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第４ステップは、水素元素含有ガスを用いて前記第３ステップ後の前記有機膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記堆積膜は、酸化系の堆積膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記硫黄元素含有ガスは、ＳＯ_２ガスまたはＣＯＳガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記無機膜は、ＥＵＶにより露光されたマスクを用いてエッチングされることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項５に記載のプラズマ処理方法において、
前記マスクの材料は、化学増幅型レジスト(ＣＡＲ)または金属酸化物(ＭＯＲ)であることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記有機膜は、ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＣａｒｂｏｎＬａｙｅｒ（ＡＣＬ)膜または塗布型有機下層(ＳＯＣ)材料の膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記有機膜は、ＡｍｏｒｐｈｏｕｓＣａｒｂｏｎＬａｙｅｒ（ＡＣＬ)膜または塗布型有機下層(ＳＯＣ)材料の膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第３ステップは、前記被エッチング膜が成膜された試料が載置される試料台に供給する高周波電力を０Ｗにして行われることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記第４ステップは、水素元素含有ガスを用いて前記第３ステップ後の前記有機膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１０に記載のプラズマ処理方法において、
前記硫黄元素含有ガスは、ＳＯ_２ガスまたはＣＯＳガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
請求項１１に記載のプラズマ処理方法において、
前記水素元素含有ガスは、水素ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。