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JP7804867B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium - Google Patents
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JP7804867B2 - Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium - Google Patents

Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium

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JP7804867B2 JP2024113570A JP2024113570A JP7804867B2 JP 7804867 B2 JP7804867 B2 JP 7804867B2 JP 2024113570 A JP2024113570 A JP 2024113570A JP 2024113570 A JP2024113570 A JP 2024113570A JP 7804867 B2 JP7804867 B2 JP 7804867B2
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Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。 This disclosure relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium.

半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハ(以下、ウエハと記載する)について基板処理装置内の各種の処理モジュール間を搬送することで、液処理や加熱処理などの処理が行われる。ウエハはキャリアにより基板処理装置に搬送される。特許文献1には、当該キャリアに対してウエハを受け渡すキャリアブロックを備えた基板処理装置について示されている。このキャリアブロックでは、多数の基板の載置部からなる積層体を挟むように搬送機構が2つ設けられており、各搬送機構は、載置部間でのウエハの受け渡し用の保持部と、キャリアに対してのウエハの受け渡し用の保持部と、を備える。 In the manufacturing process of semiconductor devices, semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers) are transported between various processing modules within a substrate processing apparatus, where they undergo processes such as liquid processing and heat treatment. Wafers are transported to the substrate processing apparatus by carriers. Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus equipped with a carrier block that transfers wafers to and from the carrier. This carrier block is equipped with two transport mechanisms that sandwich a stack consisting of multiple substrate mounting sections, and each transport mechanism has a holding section for transferring wafers between the mounting sections, and a holding section for transferring wafers to and from the carrier.

特開2013-69916号公報JP 2013-69916 A

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすると共に、専有床面積を抑えることができる技術を提供する。 This disclosure provides technology that can increase throughput in substrate processing equipment while reducing the floor space required.

本開示の基板処理装置は、基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
前記キャリアに対して前記基板を受け渡すための第1の搬送機構と、
前記第1の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第1の載置部、第2の載置部、第3の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記搬送領域に設けられる載置部の積層体と、
平面視、前記搬送領域に設けられ、前記第1の載置部と前記第2の載置部との間、前記第1の載置部と前記第3の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第2の搬送機構と、
を備え
平面視で、前記キャリアブロック内において前記第1の搬送機構が設けられる位置に対して前記載置部の積層体が位置する方向と、当該第1の搬送機構が設けられる位置に対して前記キャリア載置部が位置する方向とが90°異なり、
前記第1の搬送機構及び前記第2の搬送機構のうち、第1の搬送機構のみが前記キャリアに対して前記基板を受け渡す。
本開示の他の基板処理装置は、基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
前記キャリアに対して前記基板を受け渡すための第1の搬送機構と、
前記第1の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第1の載置部、第2の載置部、第3の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記搬送領域に設けられる載置部の積層体と、
平面視、前記搬送領域に設けられ、前記第1の載置部と前記第2の載置部との間、前記第1の載置部と前記第3の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第2の搬送機構と、
を備え、
前記第2の搬送機構に対して前後の一方側に、当該第2の搬送機構により前記基板が受け渡される第4の処理モジュールが設けられ、
前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第1の処理モジュール、第2の処理モジュールとすると、
前記複数の第1の処理モジュールまたは複数の第2の処理モジュールには、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成モジュールが含まれ、
前記第4の処理モジュールは、前記塗布液の供給前に前記基板をガス処理して疎水化する疎水化処理モジュールであり、
前記搬送領域において前後の他方側から前記第4の処理モジュールに向う気流及び前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックから前記搬送領域に向う気流を各々形成する気流形成機構が設けられる。
The substrate processing apparatus according to the present disclosure includes a carrier block including a carrier placement portion on which a carrier for storing a substrate is placed;
a processing block including a plurality of processing modules stacked on top of each other, each processing the substrate, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and transporting the substrate, the processing block being provided on either the left or right side of the carrier placement unit in a plan view;
a plurality of processing modules each configured to process the substrate and stacked on top of one another; and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and configured to transport the substrate, the other processing block being vertically overlapped with the first processing block;
a transport region for the substrate provided in the carrier block so as to be interposed between the carrier placement part, the first processing block, and the second processing block in a plan view;
a first transport mechanism for transferring the substrate to and from the carrier;
a stack of platform units, each of which receives and delivers the substrate by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing block, and which are vertically stacked one on top of the other, and which are provided in the transport region in a plan view;
a second transport mechanism provided in the transport region in a plan view for transporting the substrate between the first and second receivers and between the first and third receivers;
Equipped with
In a plan view, a direction in which the stack of the carriers on the placement unit is located relative to a position where the first transport mechanism is provided in the carrier block differs by 90° from a direction in which the carrier placement unit is located relative to a position where the first transport mechanism is provided;
Of the first transport mechanism and the second transport mechanism, only the first transport mechanism delivers the substrate to the carrier.
Another substrate processing apparatus according to the present disclosure includes: a carrier block including a carrier placement portion on which a carrier for storing a substrate is placed;
a processing block including a plurality of processing modules stacked on top of each other, each processing the substrate, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and transporting the substrate, the processing block being provided on either the left or right side of the carrier placement unit in a plan view;
a plurality of processing modules each configured to process the substrate and stacked on top of one another; and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and configured to transport the substrate, the other processing block being vertically overlapped with the first processing block;
a transport region for the substrate provided in the carrier block so as to be interposed between the carrier placement part, the first processing block, and the second processing block in a plan view;
a first transport mechanism for transferring the substrate to and from the carrier;
a stack of platform units, each of which receives and delivers the substrate by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing block, and which are vertically stacked one on top of the other, and which are provided in the transport region in a plan view;
a second transport mechanism provided in the transport region in a plan view for transporting the substrate between the first and second receivers and between the first and third receivers;
Equipped with
a fourth processing module to which the substrate is transferred by the second transfer mechanism is provided on one of the front and rear sides of the second transfer mechanism;
If the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are respectively referred to as a first processing module and a second processing module,
the plurality of first processing modules or the plurality of second processing modules includes a coating film forming module that supplies a coating liquid to the substrate to form a coating film;
the fourth processing module is a hydrophobic processing module that performs a gas processing on the substrate to hydrophobize the substrate before the supply of the coating liquid;
An airflow forming mechanism is provided in the transport area to form an airflow from the other of the front and rear sides toward the fourth processing module and an airflow from the first processing block and the other processing block toward the transport area.

本開示は、基板処理装置におけるスループットを高くすると共に、専有床面積を抑えることができる。 This disclosure increases the throughput of substrate processing equipment while reducing the floor space required.

本開示の基板処理装置の一実施形態に係る塗布、現像装置の横断平面図である。1 is a cross-sectional plan view of a coating and developing apparatus according to an embodiment of a substrate processing apparatus of the present disclosure. 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。FIG. 2 is a vertical sectional front view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。FIG. 2 is a vertical sectional front view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の左側面図である。FIG. 2 is a left side view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置の縦断側面図である。FIG. 2 is a vertical sectional side view of the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。5A to 5C are explanatory views showing the operation of a transport mechanism provided in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。5A to 5C are explanatory views showing the operation of a transport mechanism provided in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に設けられる搬送機構の動作を示す説明図である。5A to 5C are explanatory views showing the operation of a transport mechanism provided in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置における搬送経路の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a transport path in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置における搬送経路の概略図である。FIG. 2 is a schematic view of a transport path in the coating and developing apparatus. 前記塗布、現像装置に形成される気流を示す模式図である。3 is a schematic view showing an air flow formed in the coating and developing apparatus. FIG. 基板処理装置におけるウエハの搬送経路を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a wafer transport path in the substrate processing apparatus.

本開示の基板処理装置の一実施形態に係る塗布、現像装置1について、図1の横断平面図、図2、図3の縦断正面図を夫々参照して説明する。図2、図3については装置の異なる位置の断面を示している。塗布、現像装置1は、キャリアブロックD1と、第1の処理ブロックD2と、第2の処理ブロックD3と、インターフェイスブロックD4と、がこの順で横方向に直線状に配列され、隣り合うブロック同士が互いに接続されている。これらのブロック(キャリアブロック、第1及び第2の処理ブロック、インターフェイスブロック)D1~D4は各々筐体を備えて互いに区画されており、各筐体の内部に基板であるウエハWの搬送領域が形成されている。 A coating and developing apparatus 1 according to one embodiment of a substrate processing apparatus of the present disclosure will be described with reference to the cross-sectional plan view of FIG. 1 and the longitudinal front views of FIGS. 2 and 3. FIGS. 2 and 3 show cross sections at different positions of the apparatus. The coating and developing apparatus 1 comprises a carrier block D1, a first processing block D2, a second processing block D3, and an interface block D4, arranged in this order in a horizontal linear fashion, with adjacent blocks connected to each other. These blocks (carrier block, first and second processing blocks, interface block) D1 to D4 are each partitioned by a housing, and a transport area for substrates, i.e., wafers W, is formed inside each housing.

以降の説明にあたり、これらブロックD1~D4の配列方向を左右方向とし、キャリアブロックD1側を左側、インターフェイスブロックD4を右側とする。また、装置の前後方向について、キャリアブロックD1を左に見たときの手前を前方、奥を後方とする。中継ブロックであるインターフェイスブロックD4には、右側から露光機20が接続されている。 In the following explanation, the arrangement direction of these blocks D1 to D4 will be referred to as the left-right direction, with carrier block D1 on the left side and interface block D4 on the right side. Furthermore, in terms of the front-to-back direction of the device, when looking at carrier block D1 from the left, the front will be referred to as the front and the back will be referred to as the rear. The exposure machine 20 is connected to interface block D4, which acts as a relay block, from the right side.

ブロックD1~D4の各々について詳細に説明する前に、塗布、現像装置1の概略構成を述べる。塗布、現像装置1には、例えばFOUP(Front Opening Unify Pod)と呼ばれるキャリアCに格納された状態でウエハWが搬送される。塗布、現像装置1は、レジストを含む各種の塗布液をウエハWに供給することによる塗布膜の形成と、露光機20によって露光されたレジスト膜の現像と、を行う。 Before explaining each of blocks D1 to D4 in detail, we will explain the general configuration of the coating and developing apparatus 1. Wafers W are transported to the coating and developing apparatus 1 while stored in a carrier C, such as a FOUP (Front Opening Unify Pod). The coating and developing apparatus 1 forms a coating film by supplying various coating liquids, including resist, to the wafer W, and develops the resist film exposed by the exposure machine 20.

第1の処理ブロック(左側の処理ブロック)D2及び第2の処理ブロック(右側の処理ブロック)D3は、各々縦方向において2分割されるように区画されている。そのように互いに区画された第1の処理ブロックD2の下側、上側を夫々第1の下側処理ブロックD21、第1の上側処理ブロックD22とする。また、互いに区画された第2の処理ブロックD3の下側、上側を夫々第2の下側処理ブロックD31、第2の上側処理ブロックD32とする。従って、第1の下側処理ブロックD21及び第1の上側処理ブロックD22は互いに積層され、第2の下側処理ブロックD31及び第2の上側処理ブロックD32は互いに積層される。そして、第1の下側処理ブロックD21及び第1の上側処理ブロックD22が互いに隣接し、第2の下側処理ブロックD31及び第2の上側処理ブロックD32が互いに隣接する。 The first processing block (left-hand processing block) D2 and the second processing block (right-hand processing block) D3 are each partitioned vertically into two. The lower and upper sides of the partitioned first processing block D2 are referred to as the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22, respectively. The lower and upper sides of the partitioned second processing block D3 are referred to as the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32, respectively. Therefore, the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 are stacked on top of each other, and the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32 are stacked on top of each other. The first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 are adjacent to each other, and the second lower processing block D31 and the second upper processing block D32 are adjacent to each other.

これらの処理ブロック(D21、D22、D31、D32)の各々が上記の処理モジュールと、処理モジュールに対する受け渡しが可能な搬送機構(主搬送機構)と、を備える。さらに、第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD32には、そのように処理モジュールへ受け渡す搬送機構とは別の搬送機構が各々設けられる。当該別の搬送機構について、以降はシャトルとして記載する。このシャトルは、処理モジュールを経由しないようにウエハWを下流側のブロックに向けて搬送するバイパス搬送機構であり、当該シャトルが設けられる第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD32は、バイパス搬送路形成ブロックである。 Each of these processing blocks (D21, D22, D31, D32) is equipped with the above-mentioned processing modules and a transfer mechanism (main transfer mechanism) capable of transferring wafers to and from the processing modules. Furthermore, the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 are each equipped with a transfer mechanism separate from the transfer mechanism that transfers wafers to the processing modules. Hereinafter, this separate transfer mechanism will be referred to as a shuttle. This shuttle is a bypass transfer mechanism that transfers wafers W to downstream blocks without passing through the processing modules, and the first upper processing block D22 and second upper processing block D32, in which this shuttle is equipped, are bypass transfer path forming blocks.

第1の下側処理ブロックD21及び第2の下側処理ブロックD31は、キャリアブロックD1からインターフェイスブロックD4へ向けてウエハWを搬送する往路を形成する。そして、第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD32については、露光機20にて露光済みのウエハWを、インターフェイスブロックD4からキャリアブロックD1へ向けて搬送する復路を形成し、互いに同じ処理を行えるように同じ種類の処理モジュールが設けられる。当該復路においてウエハWは、第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD32のうちの一方のブロックにおける搬送機構によって処理モジュールへ搬送されて処理を受け、他方のブロックではシャトルによって搬送される。 The first lower processing block D21 and the second lower processing block D31 form an outbound route for transporting wafers W from the carrier block D1 to the interface block D4. The first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 form a return route for transporting wafers W that have been exposed in the exposure machine 20 from the interface block D4 to the carrier block D1, and the same type of processing modules are provided so that the same processing can be performed in both blocks. On the return route, wafers W are transported to a processing module by a transport mechanism in one of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 and processed there, and then transported by a shuttle in the other block.

上記の往路をなす第1の下側処理ブロックD21及び第2の下側処理ブロックD31についてまとめて下側処理ブロックG1、復路をなす第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD32についてまとめて上側処理ブロックG2として記載する場合がある。これまで述べてきたように下側処理ブロックG1、上側処理ブロックG2は互いに縦方向に重なる関係となっている。そして、上記のようにシャトルが設けられることにより、上側処理ブロックG2ではウエハWは2つの搬送経路のうちのいずれかの経路で搬送される。なおモジュールとは搬送機構(シャトルを含む)以外でのウエハWが載置される場所、即ちウエハWの載置部である。ウエハWに処理を行うモジュールを、上記のように処理モジュールとして記載するが、この処理としては検査のために画像を取得することも含む。 The first lower processing block D21 and second lower processing block D31 that make up the outbound path may be collectively referred to as lower processing block G1, and the first upper processing block D22 and second upper processing block D32 that make up the return path may be collectively referred to as upper processing block G2. As described above, lower processing block G1 and upper processing block G2 are stacked vertically. By providing a shuttle as described above, wafers W are transported in upper processing block G2 via one of two transport paths. A module is a location other than the transport mechanism (including the shuttle) where wafers W are placed, i.e., a wafer W placement area. A module that processes wafers W is referred to as a processing module as described above, but this processing also includes acquiring images for inspection.

以下、キャリアブロックD1について、図4の側面図も参照しながら説明する。塗布、現像装置1が設置されるクリーンルーム内に設けられる図示しないキャリア用の搬送機構(外部搬送機構)によって、当該キャリアブロックD1に対してキャリアCが搬入出される。キャリアブロックD1は当該キャリアCに対してウエハWの搬入出を行うと共に、上側処理ブロックG2、下側処理ブロックG1に対してウエハWを受け渡すブロックである。 Carrier block D1 will be described below with reference to the side view of Figure 4. Carriers C are loaded and unloaded into carrier block D1 by a carrier transport mechanism (external transport mechanism) (not shown) installed in the clean room where coating and developing apparatus 1 is installed. Carrier block D1 loads and unloads wafers W into and out of carrier C, and is also a block that transfers wafers W to and from upper processing block G2 and lower processing block G1.

キャリアブロックD1を構成する既述の筐体を11とする。当該筐体11は角型に形成されており、その下部側は左方へと突出して支持台12を形成している。また支持台12の上側における筐体11の左側面について、縦方向に互いに離間した2箇所が左方に突出し、各々支持台13、14を形成している。下方側の支持台、上方側の支持台を夫々13、14とする。 The aforementioned housing that constitutes carrier block D1 is designated 11. Housing 11 is formed in a rectangular shape, and its lower side protrudes to the left to form support base 12. Furthermore, on the left side of housing 11 above support base 12, two locations spaced apart vertically protrude to the left, forming support bases 13 and 14. The lower support base and upper support base are designated 13 and 14, respectively.

支持台12~14については例えば4つずつ、前後方向に間隔を空けてキャリアCを載置することが可能であり、そのように各々キャリアCを載置するステージが設けられており、当該ステージについては左方から見て、例えば3×4の行列状に配置される。なお、支持台12の左端部は支持台13、14よりも左方側に突出しており、支持台12におけるステージは当該支持台12の右側で、支持台13、14の下方位置に設けられている。支持台12の内部は、既述のように第1の処理ブロックD2及び第2の処理ブロックD3における液処理用の処理液が貯留されたボトルが格納される領域とされる。 Each of the support bases 12-14 can accommodate, for example, four carriers C, spaced apart in the front-to-back direction, and each has a stage on which the carriers C are placed, which are arranged, for example, in a 3x4 matrix when viewed from the left. The left end of the support base 12 protrudes further left than the support bases 13 and 14, and the stage for the support base 12 is located to the right of the support base 12, below the support bases 13 and 14. As already mentioned, the interior of the support base 12 is used as an area for storing bottles containing processing liquid for liquid processing in the first processing block D2 and the second processing block D3.

後述するキャリア移載機構21により、各ステージ間でのキャリアCの移載が可能である。この各ステージについて述べると、支持台13、14の各々の前方側の2つのステージは、装置に対してウエハWの搬入出を行うためにキャリアCが載置される移動ステージ15として構成されている。従って、計4つの移動ステージ15は、左方から見て2×2の行列状に配置されている。当該移動ステージ15は、上記のウエハWの搬入出を行うための右方側のロード位置と、キャリア移載機構21との間でキャリアCの受け渡しを行うための左方側のアンロード位置との間で移動する。本例では、支持台12の移動ステージ15は装置内へ未処理のウエハWを払い出すためにキャリアCを載置するステージ、支持台13の移動ステージ15は装置にて処理済みのウエハWを格納するためにキャリアCを載置するステージとして、用途が区別される。 Carriers C can be transferred between each stage using the carrier transfer mechanism 21, which will be described later. Regarding these stages, the two front stages of each of the support bases 13 and 14 are configured as movable stages 15 on which carriers C are placed to load and unload wafers W into and from the equipment. Therefore, a total of four movable stages 15 are arranged in a 2x2 matrix when viewed from the left. The movable stages 15 move between a load position on the right side for loading and unloading wafers W, and an unload position on the left side for transferring carriers C to and from the carrier transfer mechanism 21. In this example, the movable stage 15 of the support base 12 is used as a stage on which carriers C are placed to load unprocessed wafers W into the equipment, while the movable stage 15 of the support base 13 is used as a stage on which carriers C are placed to store processed wafers W in the equipment.

他のステージについて述べると、支持台13、14における後側の2つのステージ及び支持台14における2つのステージは仮置きステージ16として構成されている。また、支持台14における他の2つのステージは搬入ステージ17、搬出ステージ18として構成されている。例えば、支持台14の後端側のステージ、前端側のステージが夫々、搬入ステージ17、搬出ステージ18である。これらの搬入ステージ17、搬出ステージ18は、既述した外部搬送機構が当該塗布、現像装置1に対してキャリアCの搬入、搬出を夫々行うために当該キャリアCが載置されるステージである。 Regarding the other stages, the two rear stages of the support bases 13 and 14 and the two stages on the support base 14 are configured as temporary placement stages 16. The other two stages on the support base 14 are configured as the carry-in stage 17 and the carry-out stage 18. For example, the stage on the rear end side and the stage on the front end side of the support base 14 are the carry-in stage 17 and the carry-out stage 18, respectively. These carry-in stage 17 and carry-out stage 18 are stages on which the carrier C is placed so that the external transport mechanism described above can carry the carrier C into and out of the coating and developing apparatus 1, respectively.

キャリアCは、搬入ステージ17→支持台12の移動ステージ15→支持台13の移動ステージ15→搬出ステージ18の順で移載される。このように各ステージ間でキャリアCを移載するにあたり、移載先のステージが空いてなければ(他のキャリアCにより占有されていれば)、当該キャリアCは当該移載先のステージが空くまで、仮置きステージ16に載置されて待機する。 Carrier C is transferred in the following order: loading stage 17 → moving stage 15 on support base 12 → moving stage 15 on support base 13 → unloading stage 18. When transferring carrier C between stages in this way, if the destination stage is not available (if it is occupied by another carrier C), the carrier C will wait on the temporary placement stage 16 until the destination stage becomes available.

支持台12の左側の上方には、キャリア移載機構21が設けられる。キャリア移載機構21は、キャリアCの上部に設けられた被保持部を保持することができる多関節アーム22と、当該多関節アーム22を昇降移動及び前後移動させることができる移動機構23と、を備え、既述したようにステージ間でキャリアCを移載することができる。 A carrier transfer mechanism 21 is provided above the left side of the support base 12. The carrier transfer mechanism 21 includes an articulated arm 22 that can hold the held portion provided on the top of the carrier C, and a movement mechanism 23 that can move the articulated arm 22 up and down and back and forth, and can transfer the carrier C between stages as described above.

筐体11の左側壁には、ウエハWの搬入出を行うための搬送口24が4つ形成されており、上記の移動ステージ15の配置に合わせて2×2の行列状に形成されている。各搬送口24にはドア25が設けられている。当該ドア25は上記のロード位置における移動ステージ15上のキャリアCの蓋を保持可能であると共に、当該蓋を保持した状態で移動して搬送口24を開閉可能である。 Four transfer ports 24 for loading and unloading wafers W are formed on the left side wall of the housing 11, arranged in a 2x2 matrix to match the arrangement of the movable stages 15. Each transfer port 24 is provided with a door 25. The door 25 is capable of holding the lid of the carrier C on the movable stage 15 when it is in the load position, and can move while holding the lid to open and close the transfer port 24.

上記の搬送口24は、筐体11内に形成されるウエハWの搬送領域31に面している。当該搬送領域31は、平面視、前後に長い直線状に形成されており、平面視、キャリア載置部である移動ステージ15と、第1の処理ブロックG2との間に介在して設けられている。当該搬送領域31の前方側(前後の他方側)には、搬送機構32が設けられている。当該搬送機構32は前後移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハWの保持部と、を備える。第1の搬送機構である当該搬送機構32は、既述のロード位置における移動ステージ15上のキャリアCと、後述のモジュール積層体T1及び処理前検査モジュール41と、にアクセスしてウエハWの受け渡しを行うことができる。 The transfer opening 24 faces a wafer W transfer area 31 formed within the housing 11. In plan view, the transfer area 31 is formed in a long, linear shape extending from front to back, and is located between the mobile stage 15, which serves as the carrier placement section, and the first processing block G2. A transfer mechanism 32 is provided on the front side (the other side) of the transfer area 31. The transfer mechanism 32 includes a base that is movable back and forth, vertically movable, and rotatable around a vertical axis, and a wafer W holder that can move forward and backward on the base. The transfer mechanism 32, which serves as the first transfer mechanism, can access the carrier C on the mobile stage 15 in the load position described above, and the module stack T1 and pre-processing inspection module 41 described below, to transfer the wafer W.

キャリアブロックD1には第3の処理モジュールである処理前検査モジュール41が設けられており、当該処理前検査モジュール41は、塗布、現像装置1による処理前のウエハWの表面を撮像する。その撮像により得られた画像データが後述の制御部10に送信され、当該制御部10により当該画像データに基づいてウエハWの異常の有無の判定が行われる。処理前検査モジュール41は左右に細長で扁平な直方体形状の筐体を備えており、右側が搬送領域31の前後の中央部に位置し、左側は筐体11の左側壁を貫き、当該筐体11の外側に突出している。 Carrier block D1 is provided with a third processing module, a pre-processing inspection module 41, which captures an image of the surface of the wafer W before processing by the coating and developing apparatus 1. The image data obtained by this capture is sent to the control unit 10, which will be described later, and the presence or absence of abnormalities in the wafer W is determined by the control unit 10 based on the image data. The pre-processing inspection module 41 has a housing that is elongated and flat in the left-right direction, with the right side located in the center of the front and rear of the transport area 31 and the left side penetrating the left wall of the housing 11 and protruding outside the housing 11.

処理前検査モジュール41の筐体内には、当該モジュール内を左右で移動自在なステージ42と、ステージ42の移動路の上方に設けられたハーフミラー43と、ハーフミラー43を介して下方に光を照射する照明部44と、ハーフミラー43の左方に設けられたカメラ45と、が設けられる(図3参照)。筐体内の右側に位置するステージ42に対して搬送機構32によりウエハWが受け渡される。そのようにウエハWが受け渡されたステージ42が筐体内の左側へ移動してハーフミラー43の下方を通過中に、照明部44により光が照射されると共に、カメラ45によるハーフミラー43に映ったウエハWの撮像が行われ、上記の画像データが取得される。 The housing of the pre-processing inspection module 41 contains a stage 42 that can move left and right within the module, a half mirror 43 located above the path of movement of the stage 42, an illumination unit 44 that emits light downward via the half mirror 43, and a camera 45 located to the left of the half mirror 43 (see Figure 3). A wafer W is delivered to the stage 42, which is located on the right side of the housing, by the transport mechanism 32. As the stage 42 to which the wafer W has been delivered moves to the left side of the housing and passes below the half mirror 43, light is emitted by the illumination unit 44 and an image of the wafer W reflected in the half mirror 43 is captured by the camera 45, thereby obtaining the image data described above.

そして、図1に示すように搬送領域31において、平面視、処理前検査モジュール41の後方に位置するように第2の搬送機構である搬送機構33が設けられている。当該搬送機構33は、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台と、基台上を進退自在なウエハWの保持部と、を備え、後述のモジュール積層体T1及び第1の上側処理ブロックD22のシャトル用のTRS12に対して、ウエハWを受け渡し可能である。 As shown in FIG. 1, a second transfer mechanism, transfer mechanism 33, is provided in the transfer region 31, positioned behind the pre-processing inspection module 41 in a plan view. The transfer mechanism 33 includes a base that can be raised and lowered and rotated about a vertical axis, and a wafer W holder that can move forward and backward on the base, and is capable of transferring wafers W to and from the module stack T1 (described below) and the shuttle TRS12 of the first upper processing block D22.

続いて、モジュール積層体T1について説明する。このモジュール積層体T1は、ウエハWを各々仮置きする受け渡しモジュールTRSと、温度調整モジュールSCPLと、が縦方向に重なることで構成されており、搬送領域31の前後の中央部に設けられている。従ってモジュール積層体T1は、平面視、搬送機構32の後方に位置すると共に、搬送機構32、33により前後から挟まれるように位置しており、且つ処理前検査モジュール41の右側に重なっている。そのため、処理前検査モジュール41は平面視、積層体T1に重なる位置から左方へ延伸されるように構成されている。また、既述したキャリアC用のステージについて、移動ステージ15を含む前方側の縦2列のステージはモジュール積層体T1よりも前方側に配置されている。そして後方側の縦2列のステージについて、1つの列はモジュール積層体T1の左方に位置し、他の1つの列はモジュール積層体T1よりも後方に位置している。 Next, the module stack T1 will be described. This module stack T1 is composed of transfer modules TRS, on which wafers W are temporarily placed, and temperature adjustment modules SCPL, stacked vertically, and is located in the front-to-back center of the transfer area 31. Therefore, in a plan view, the module stack T1 is located behind the transfer mechanism 32, sandwiched between the transfer mechanisms 32 and 33, and overlaps the right side of the pre-processing inspection module 41. Therefore, in a plan view, the pre-processing inspection module 41 is configured to extend leftward from a position overlapping the stack T1. Furthermore, with regard to the stages for the carrier C described above, the two front vertical rows of stages, including the moving stage 15, are located forward of the module stack T1. Of the two rear vertical rows of stages, one row is located to the left of the module stack T1, and the other row is located rearward of the module stack T1.

受け渡しモジュールTRSについては、例えば横方向に並んだ複数のピンを備え、搬送機構の昇降動作によって当該ピンに対してウエハWが受け渡される。SCPLについては例えばウエハWが載置されるプレートに冷媒流路が接続されることで仮置きされたウエハWが冷却される構成とされており、搬送機構の昇降動作によって当該プレートに対してウエハWが受け渡される。なお、SCPLはキャリアブロックD1以外のブロックにも設けられており、D1以外のブロックのSCPLについても、例えばキャリアブロックD1のSCPLと同様の構成である。そしてTRSについてもD1以外のブロックにも設けられている。それらのTRSについては、後述のシャトルとの間でウエハWを受け渡すシャトル用のTRS以外はキャリアブロックD1のTRSと同様の構成である。 The transfer module TRS has, for example, multiple pins arranged horizontally, and wafers W are transferred to and from these pins by the lifting and lowering motion of the transfer mechanism. The SCPL is configured, for example, by connecting a refrigerant flow path to a plate on which the wafer W is placed, thereby cooling the temporarily placed wafer W, and the transfer mechanism is configured to transfer the wafer W to and from the plate. SCPLs are also provided in blocks other than carrier block D1, and the SCPLs in blocks other than D1 have the same configuration as, for example, the SCPL in carrier block D1. TRSs are also provided in blocks other than D1. These TRSs have the same configuration as the TRS in carrier block D1, except for the TRS for the shuttle that transfers wafers W to and from the shuttle, which will be described later.

以降は仮置きモジュールである各所のSCPL、TRSを互いに区別するために、SCPL、TRSの後に数字を付して示す。そして、各所のTRS、SCPLは例えば複数、積層されて設けられる。つまり同じ数字を付すTRS、SCPLについて各々複数ずつ設けられるが、図示の便宜上、一つのみ表示する。なお、本明細書においてモジュールの積層体とは平面視、重なって設けられるモジュールのことを意味するものであり、モジュール同士が互いに離れていてもよいし、接していてもよい。 Hereinafter, in order to distinguish the SCPL and TRS at each location, which are temporary placement modules, numbers will be added after the SCPL and TRS. For example, multiple TRS and SCPLs may be stacked at each location. In other words, multiple TRSs and SCPLs with the same number are provided, but for convenience of illustration, only one is shown. Note that in this specification, a stack of modules refers to modules that are stacked in a planar view, and the modules may be separated from each other or may be in contact with each other.

モジュール積層体T1を構成するモジュールの一部は、処理前検査モジュール41の下側に、他の一部は処理前検査モジュール41の上側に夫々設けられている。例えば下側から上側に向けてTRS1、TRS2、SCPL1、TRS3、SCPL2の順で設けられており、SCPL1とTRS3との間に処理前検査モジュール41が位置している(図3参照)。そして、例えばTRS1、TRS2、SCPL1については、第1の下側処理ブロックD21の高さに各々位置し、TRS3、SCPL2については、第1の上側処理ブロックD22の高さに各々位置している。搬送機構33はこれらのモジュール積層体T1を構成する各モジュールにアクセスすることが可能であり、搬送機構32は、TRS1、TRS2にアクセスすることが可能である。なお、キャリアCに対するウエハWの受け渡し及びモジュール積層体T1のモジュール間での受け渡しについて、搬送機構32がキャリアCに対する受け渡し専用であり、搬送機構33が当モジュール積層体T1のモジュール間での受け渡し専用となっている。 Some of the modules that make up the module stack T1 are located below the pre-processing inspection module 41, and others are located above the pre-processing inspection module 41. For example, from bottom to top, the modules are arranged in the order TRS1, TRS2, SCPL1, TRS3, and SCPL2, with the pre-processing inspection module 41 located between SCPL1 and TRS3 (see Figure 3). For example, TRS1, TRS2, and SCPL1 are each located at the height of the first lower processing block D21, and TRS3 and SCPL2 are each located at the height of the first upper processing block D22. The transport mechanism 33 can access each of the modules that make up the module stack T1, and the transport mechanism 32 can access TRS1 and TRS2. Furthermore, with regard to the transfer of wafers W to and from carriers C and between modules in module stack T1, transfer mechanism 32 is dedicated to transfer to and from carriers C, and transfer mechanism 33 is dedicated to transfer between modules in module stack T1.

TRS1、TRS2は、搬送機構32、33間でのウエハWの受け渡しに用いられ、共にキャリアCに対してのウエハWの受け渡しに用いられる第1の載置部なす。SCPL1は、第1の下側処理ブロックD21とキャリアブロックD1との間でのウエハWの受け渡しに用いられる。従って、第2の載置部であるSCPL1には、後述する第1の下側処理ブロックD21の搬送機構6Aもアクセス可能である。また、第3の載置部であるTRS3は、第1の上側処理ブロックD22とキャリアブロックD1との間でのウエハWの受け渡しに用いられる。従ってTRS3には、後述の第1の上側処理ブロックD22の搬送機構6Bもアクセス可能である。SCPL2については、第1の上側処理ブロックD22にて現像処理を受ける前のウエハWの温度調整を行うためのモジュールであり、搬送機構6Bがアクセスする。 TRS1 and TRS2 are used to transfer wafers W between transfer mechanisms 32 and 33, and both constitute first placement units used to transfer wafers W to and from carriers C. SCPL1 is used to transfer wafers W between the first lower processing block D21 and carrier block D1. Therefore, the second placement unit SCPL1 is also accessible by the transfer mechanism 6A of the first lower processing block D21, described below. TRS3 is used to transfer wafers W between the first upper processing block D22 and carrier block D1. Therefore, the transfer mechanism 6B of the first upper processing block D22, described below, is also accessible to TRS3. SCPL2 is a module used to adjust the temperature of wafers W before they undergo development processing in the first upper processing block D22, and is accessed by the transfer mechanism 6B.

搬送機構33の後方側(前後の一方側)には、塗布膜の形成前にウエハWに処理ガスを供給して疎水化処理を行う第4の処理モジュールである疎水化処理モジュール30が設けられている。例えば、疎水化処理モジュール30は第2の上側処理ブロックD22の高さに複数積層されて設けられており、搬送機構33により当該疎水化処理モジュール30に対してウエハWの受け渡しが行われる。疎水化処理モジュール30は、後述する加熱モジュール54に設けられる熱板55と同様にウエハWを載置する熱板と、当該熱板を覆う昇降自在なカバーとを含み、当該カバーによって形成される熱板上の密閉空間に処理ガスが供給されることで、ウエハWに疎水化処理が行われる。 A hydrophobization processing module 30, a fourth processing module that supplies processing gas to wafers W to perform hydrophobization processing before a coating film is formed, is provided on the rear side (either the front or rear) of the transfer mechanism 33. For example, multiple hydrophobization processing modules 30 are stacked at the same height as the second upper processing block D22, and wafers W are transferred to and from the hydrophobization processing module 30 by the transfer mechanism 33. The hydrophobization processing module 30 includes a heating plate on which the wafer W is placed, similar to the heating plate 55 provided in the heating module 54 described below, and a cover that can be raised and lowered to cover the heating plate. Processing gas is supplied into the sealed space above the heating plate formed by the cover, thereby performing hydrophobization processing on the wafers W.

続いて、第1の処理ブロックD2について、縦断側面図である図5も参照して説明する。第1の処理ブロックD2の前方側は縦方向において区画されることで8つの階層が形成されており、各階層について下側から上側に向けてE1~E8とする。下側のE1~E4の階層が第1の下側処理ブロックD21に、上側のE5~E8の階層が第1の上側処理ブロックD22に夫々含まれる。各階層は、液処理モジュールを設置可能な領域をなす。 Next, the first processing block D2 will be described with reference to Figure 5, a vertical side view. The front side of the first processing block D2 is vertically partitioned to form eight levels, which are numbered E1 to E8 from bottom to top. The lower levels E1 to E4 are included in the first lower processing block D21, and the upper levels E5 to E8 are included in the first upper processing block D22. Each level forms an area where a liquid processing module can be installed.

先ず、第1の上側処理ブロックD22について説明する。階層E5~E8には液処理モジュールとして、現像モジュール51が各々設けられている。現像モジュール51は、左右に並ぶと共にウエハWを各々収納する2つのカップ52と、ノズル(不図示)と、を備えており、図示しないポンプによって上記のボトルから供給される現像液をウエハWの表面に供給して処理を行う。 First, we will explain the first upper processing block D22. Each of the floors E5 to E8 is provided with a developing module 51 as a liquid processing module. The developing module 51 is equipped with two cups 52, each of which is arranged side by side and holds a wafer W, and a nozzle (not shown). The developing liquid supplied from the bottle is supplied to the surface of the wafer W by a pump (not shown) to perform processing.

階層E5~E8の後方側にはウエハWの搬送領域53が設けられており、上側処理ブロックD22の左端から右端に亘って、平面視直線状に形成されている。従って、搬送領域53の伸長方向は、キャリアブロックD1の搬送領域31の伸長方向に直交している。なお、搬送領域53は階層E5の高さから階層E8の高さに亘って形成されている。つまり、搬送領域53は、階層E5~E8毎に区画されていない。 A wafer W transfer area 53 is provided at the rear of floors E5 to E8, and is formed in a straight line in a plan view, extending from the left end to the right end of the upper processing block D22. Therefore, the extension direction of the transfer area 53 is perpendicular to the extension direction of the transfer area 31 of the carrier block D1. The transfer area 53 is formed from the height of floor E5 to the height of floor E8. In other words, the transfer area 53 is not divided into floors E5 to E8.

そして搬送領域53の後方には、処理モジュールが例えば縦方向に7段に積層されて設けられており、その処理モジュールの積層体が2つ、左右に並んで配列されている。即ち、この処理モジュールの積層体及び上記のカップ52の各々は、搬送領域53の伸長方向に沿って設けられている。 Furthermore, behind the transport area 53, processing modules are stacked vertically in, for example, seven levels, with two stacks of processing modules arranged side by side. In other words, these stacks of processing modules and the cups 52 are each arranged along the extension direction of the transport area 53.

上記の左右に並んだ処理モジュールの積層体を後部側処理部50とする。この後部側処理部50を構成する処理モジュールとして、複数の加熱モジュール54及び複数の処理後検査モジュール57が含まれる。加熱モジュール54は露光後の加熱(PEB:Post Exposure Bake)を行うモジュールであり、ウエハWを載置して加熱する熱板55と、ウエハWの温度調整を行う冷却プレート56と、を備えている。冷却プレート56は、後述の搬送機構6Bの昇降動作によりウエハWが受け渡される前方位置と、熱板55に重なる後方位置との間を移動可能である。熱板55が備える図示しないピンの昇降動作と、冷却プレート56の当該移動との協働により、熱板55と冷却プレート56との間でウエハWが受け渡される。 The stack of processing modules arranged side by side as described above is referred to as the rear processing section 50. The processing modules that make up this rear processing section 50 include multiple heating modules 54 and multiple post-processing inspection modules 57. The heating module 54 is a module that performs post-exposure bake (PEB) and includes a hot plate 55 on which the wafer W is placed and heated, and a cooling plate 56 that adjusts the temperature of the wafer W. The cooling plate 56 is movable between a front position where the wafer W is transferred by the lifting and lowering operation of the transfer mechanism 6B (described below), and a rear position where it overlaps with the hot plate 55. The lifting and lowering operation of pins (not shown) on the hot plate 55 cooperates with the movement of the cooling plate 56 to transfer the wafer W between the hot plate 55 and the cooling plate 56.

処理後検査モジュール57は処理前検査モジュール41と同様の構成であり、撮像時におけるウエハWの移動方向が前後方向となるように配置される。この処理後検査モジュール57は、塗布、現像装置1により処理済みのウエハWの表面、より具体的には現像によりレジストパターンが形成されたウエハWの表面の画像データを取得して、制御部10に送信する。 The post-processing inspection module 57 has the same configuration as the pre-processing inspection module 41, and is positioned so that the movement direction of the wafer W during imaging is the forward/backward direction. This post-processing inspection module 57 acquires image data of the surface of the wafer W that has been processed by the coating and developing apparatus 1, or more specifically, the surface of the wafer W on which a resist pattern has been formed by development, and transmits this image data to the control unit 10.

主搬送路である搬送領域53には既述した主搬送機構である搬送機構6Bが設けられており、搬送機構6Bは左右移動自在、昇降自在、且つ鉛直軸まわりに回動自在な基台61と、基台61上を進退自在なウエハWの保持部62と、を備える。なお、この搬送機構6Bを含む塗布、現像装置1内におけるシャトル以外の各搬送機構の保持部は2つずつ設けられ、基台上を互いに独立して進退可能である。 The transport area 53, which is the main transport path, is provided with the transport mechanism 6B, which is the main transport mechanism described above. The transport mechanism 6B has a base 61 that can move left and right, move up and down, and rotate around a vertical axis, and a wafer W holder 62 that can move forward and backward on the base 61. Each transport mechanism other than the shuttle within the coating and developing apparatus 1, including this transport mechanism 6B, has two holders, which can move forward and backward independently of each other on the base.

上記の搬送機構6Bの基台61を左右移動させるための移動機構63が後部側処理部50の下方に設けられており、当該移動機構63と後部側処理部50との間には扁平なスペース71Aが形成されている(図5参照)。スペース71Aは、第1の上側処理ブロックD22の左端から右端に亘って形成されている。そして、シャトル及び当該シャトル用のTRS12、TRS14が当該スペース71Aに設置されているが、これらについては後に詳述する。上記の搬送機構6Bは、第1の上側処理ブロックD22内の各処理モジュール、上記のキャリアブロックD1のTRS3及びSCPL2、シャトル用のTRS14に対してウエハWの受け渡しを行うことができる。つまり、積層された複数の階層に設けられる各液処理モジュール、後部側処理部50を構成する各処理モジュールに対して、搬送機構6Bは共用される。 A moving mechanism 63 for moving the base 61 of the transfer mechanism 6B left and right is provided below the rear processing unit 50, and a flat space 71A is formed between the moving mechanism 63 and the rear processing unit 50 (see FIG. 5). Space 71A is formed from the left end to the right end of the first upper processing block D22. A shuttle and its associated TRS12 and TRS14 are installed in space 71A, which will be described in detail later. The transfer mechanism 6B can transfer wafers W to and from each processing module in the first upper processing block D22, TRS3 and SCPL2 of the carrier block D1, and the shuttle TRS14. In other words, the transfer mechanism 6B is shared by each liquid processing module provided on multiple stacked levels and each processing module constituting the rear processing unit 50.

続いて、第1の下側処理ブロックD21について説明する。当該第1の下側処理ブロックD21は、既述の第1の上側処理ブロックD22と概ね同様の構成であり、以下、第1の上側処理ブロックD22との差異点を中心に説明する。階層E1には処理モジュールは設けられておらず、階層E2~E4に液処理モジュールとして反射防止膜形成モジュール47が設けられている。第1の処理モジュールであり且つ塗布膜形成モジュールである反射防止膜形成モジュール47は、ノズルから現像液の代わりに反射防止膜形成用の塗布液を供給することを除いて、第2の処理モジュールである現像モジュール51と同様の構成である。 Next, we will explain the first lower processing block D21. This first lower processing block D21 has a configuration generally similar to the first upper processing block D22 already described, and the following explanation will focus on the differences from the first upper processing block D22. No processing modules are provided on level E1, and anti-reflective coating formation modules 47 are provided as liquid processing modules on levels E2 to E4. The anti-reflective coating formation module 47, which is the first processing module and also a coating film formation module, has a configuration similar to the developing module 51, which is the second processing module, except that it supplies a coating liquid for forming an anti-reflective coating from a nozzle instead of a developer.

そして後部側処理部50は加熱モジュール54により構成されている。ただし、この第1の下側処理ブロックD21及び後述の第2の下側処理ブロックD32に設けられる加熱モジュール54は、第1の上側処理ブロックD22の加熱モジュール54とは異なり、塗布膜中の溶剤除去用である。搬送領域53に設けられる主搬送機構については搬送機構6Aとして示しており、既述の搬送機構6Bと同様の構成である。当該搬送機構6Aは、第1の下側処理ブロックD21の各処理モジュール、上記のモジュール積層体T1のSCPL1、後述するモジュール積層体T2に対してウエハWを受け渡す。なお、第1の下側処理ブロックD21にはシャトル及びシャトル用のTRSが設けられていない。 The rear processing section 50 is composed of heating modules 54. However, unlike the heating modules 54 in the first upper processing block D22, the heating modules 54 in this first lower processing block D21 and the second lower processing block D32 described below are designed to remove solvent from the coating film. The main transport mechanism in the transfer region 53 is shown as transfer mechanism 6A and has the same configuration as the previously described transfer mechanism 6B. This transfer mechanism 6A delivers wafers W to and from each processing module in the first lower processing block D21, SCPL1 of the module stack T1 described above, and module stack T2 described below. The first lower processing block D21 does not have a shuttle or a shuttle TRS.

ところで、第1の処理ブロックD2にはモジュール積層体T2が設けられている(図1、図3参照)。このモジュール積層体T2は、第1の下側処理ブロックD21の搬送領域53の右側、第2の上側処理ブロックD22の搬送領域の右側に設けられ、SCPLにより構成されている。第1の下側処理ブロックD21の当該SCPLをSCPL3、第1の上側処理ブロックD22の当該SCPLをSCPL4として示している。なお、モジュール積層体T2はその右端部が若干、第2の処理ブロックD3に進入するように設けられている。SCPL3は、後述の第2の下側処理ブロックD22のレジスト膜形成モジュールでの処理前のウエハWの温度調整用、SCPL4は後述の第2の上側処理ブロックD22の現像モジュール51での処理前のウエハWの温度調整用である。 The first processing block D2 is provided with a module stack T2 (see Figures 1 and 3). This module stack T2 is located to the right of the transfer region 53 of the first lower processing block D21 and to the right of the transfer region of the second upper processing block D22, and is composed of SCPLs. The SCPL in the first lower processing block D21 is indicated as SCPL3, and the SCPL in the first upper processing block D22 is indicated as SCPL4. The module stack T2 is located so that its right end slightly extends into the second processing block D3. SCPL3 is used to adjust the temperature of wafers W before processing in the resist film formation module of the second lower processing block D22 (described below), and SCPL4 is used to adjust the temperature of wafers W before processing in the development module 51 of the second upper processing block D22 (described below).

第1の上側処理ブロックD22及び第1の下側処理ブロックD21におけるモジュールのレイアウトについて補足しておくと、後部側処理部50、液処理モジュールのカップ52の各々については、搬送機構6A、6Bによる受け渡しが可能であるように、モジュール積層体T2よりも左側に位置する。液処理モジュール及び後部側処理部50のレイアウトについては、第1及び第2の下側処理ブロックD21、D31、第1及び第2の上側処理ブロックD22、D32間で共通である。従って、後述する第2の下側処理ブロックD31及び第2の上側処理ブロックD32についても、後部側処理部50及び液処理モジュールのカップ52は、ブロックの右端部から離れた位置に設けられている。 Regarding the layout of the modules in the first upper processing block D22 and the first lower processing block D21, the rear processing unit 50 and the cups 52 of the liquid processing modules are located to the left of the module stack T2 to enable transfer by the transport mechanisms 6A and 6B. The layout of the liquid processing modules and rear processing unit 50 is common to the first and second lower processing blocks D21 and D31 and the first and second upper processing blocks D22 and D32. Therefore, in the second lower processing block D31 and second upper processing block D32 described below, the rear processing unit 50 and the cups 52 of the liquid processing modules are also located away from the right end of the block.

続いて、第2の処理ブロックD3について説明する。当該第2の処理ブロックD3は、上記のモジュール積層体T2が設けられないことを除いて、第1の処理ブロックD2と略同様の構成であり、以下、第1の処理ブロックD2との差異点を中心に説明する。先ず、第2の上側処理ブロックD32について述べる。この第2の上側処理ブロックD32における主搬送機構を6Dとする。この搬送機構6Dを移動させる移動機構63と後部側処理部50との間にも、第1の上側処理ブロックD22のスペース71Aと同様のスペース71Bが形成されている。スペース71Bはスペース71Aと同じ高さに位置し、当該スペース71Aに連通している。スペース71Bには、シャトル及びシャトル用のTRS11、TRS13が設置されているが、これらについては後述する。上記の搬送機構6Dは、上側処理ブロックD22内の各処理モジュール、後述のインターフェイスブロックD4のモジュール積層体T3、シャトル用のTRS11に対してウエハWの受け渡しを行う。 Next, the second processing block D3 will be described. The second processing block D3 has a configuration similar to the first processing block D2, except that it does not have the module stack T2. The following description will focus on the differences from the first processing block D2. First, the second upper processing block D32 will be described. The main transport mechanism in this second upper processing block D32 is designated 6D. A space 71B similar to space 71A in the first upper processing block D22 is formed between the transfer mechanism 63 that moves this transport mechanism 6D and the rear processing unit 50. Space 71B is located at the same height as space 71A and is connected to space 71A. A shuttle and shuttle TRS11 and TRS13 are installed in space 71B, which will be described later. The transfer mechanism 6D transfers wafers W to and from each processing module in the upper processing block D22, the module stack T3 in the interface block D4 (described below), and the shuttle TRS11.

続いて、第2の下側処理ブロックD31について説明する。階層E2~E4にレジスト膜形成モジュール49が設けられている。当該レジスト膜形成モジュール49は、ウエハWに供給する処理液が現像液の代わりにレジストであることを除いて、現像モジュール51と同様の構成である。また、後部側処理部50については、第1の下側処理ブロックD21の後部側処理部50と同様の構成である。そして、第2の下側処理ブロックD31における主搬送機構を搬送機構6Cとする。当該搬送機構6Cは、下側処理ブロックD21内の各処理モジュール、インターフェイスブロックD4のモジュール積層体T3に対してウエハWの受け渡しを行う。 Next, the second lower processing block D31 will be described. Resist film formation modules 49 are provided on floors E2 to E4. These resist film formation modules 49 have the same configuration as the developing module 51, except that the processing liquid supplied to the wafers W is resist instead of developer. The rear processing unit 50 also has the same configuration as the rear processing unit 50 of the first lower processing block D21. The main transport mechanism in the second lower processing block D31 is the transport mechanism 6C. This transport mechanism 6C delivers wafers W to and from each processing module in the lower processing block D21 and the module stack T3 in the interface block D4.

以降はインターフェイスブロックD4について説明する。インターフェイスブロックD4は、前後の中央部にモジュール積層体T3を備える。このモジュール積層体T3は、互いに積層されたTRS5~TRS7、温度調整モジュールICPLにより構成されている。なお、これらのモジュールの他に例えばウエハWを一時待機させるバッファモジュールなどが設けられるが、説明は省略する。ICPLは露光の直前にウエハWが搬送されるモジュールであり、モジュール積層体T3の下部側に設けられ、SCPLと同様に載置されたウエハWの温度を調整する。TRS5、TRS6は下側処理ブロックG1の高さに、TRS7は上側処理ブロックG2の高さに夫々設けられている。モジュール積層体T3の前方、後方、右方には夫々搬送機構36、37、38が設けられている。 The following describes interface block D4. Interface block D4 has a module stack T3 located in the center between the front and rear. This module stack T3 is composed of stacked modules TRS5 to TRS7 and a temperature adjustment module ICPL. In addition to these modules, other modules such as a buffer module for temporarily waiting wafers W are also provided, but their description will be omitted. ICPL is a module to which wafers W are transferred immediately before exposure. It is located at the bottom of module stack T3 and, like SCPL, adjusts the temperature of the wafer W placed thereon. TRS5 and TRS6 are located at the height of the lower processing block G1, and TRS7 is located at the height of the upper processing block G2. Transfer mechanisms 36, 37, and 38 are located at the front, rear, and right of module stack T3, respectively.

搬送機構36、37は、搬送機構33と同様に構成され、モジュール積層体T3を構成する各モジュール間でウエハWを搬送可能である。なお、搬送機構36は、後述の裏面洗浄モジュール65にもウエハWを搬送可能であり、搬送機構37は、シャトル用のTRS13、後述の露光後洗浄モジュール66にもウエハWを搬送可能である。搬送機構38は、搬送機構32と同様に構成され、ICPLとTRS6と露光機20との間でウエハWを搬送する。 Transfer mechanisms 36 and 37 are configured similarly to transfer mechanism 33 and are capable of transferring wafers W between each module constituting module stack T3. Transfer mechanism 36 is also capable of transferring wafers W to backside cleaning module 65, which will be described later, and transfer mechanism 37 is also capable of transferring wafers W to shuttle TRS13 and post-exposure cleaning module 66, which will be described later. Transfer mechanism 38 is configured similarly to transfer mechanism 32 and transfers wafers W between ICPL, TRS6, and exposure machine 20.

また、搬送機構36の前方には裏面洗浄モジュール65が複数、積層されて設けられる。裏面洗浄モジュール65は、ウエハWの表面に現像液を供給するノズルが設けられる代わりにウエハWの裏面に洗浄液を供給するノズルが設けられること、カップ52が1つであることを除いて、現像モジュール51と同様の構成である。搬送機構37の後方には露光後洗浄モジュール66が複数、積層されて設けられる。露光後洗浄モジュール66は、ウエハWの表面に現像液を供給する代わりにウエハWの表面に洗浄液を供給すること、カップ52が1つであることを除いて、現像モジュール51と同様の構成である。 Furthermore, multiple back surface cleaning modules 65 are stacked and provided in front of the transfer mechanism 36. The back surface cleaning module 65 has a configuration similar to the developing module 51, except that instead of being provided with a nozzle that supplies developing solution to the front surface of the wafer W, it is provided with a nozzle that supplies cleaning solution to the back surface of the wafer W, and it has only one cup 52. Multiple post-exposure cleaning modules 66 are stacked and provided behind the transfer mechanism 37. The post-exposure cleaning module 66 has a configuration similar to the developing module 51, except that instead of being provided with developing solution to the front surface of the wafer W, it supplies cleaning solution to the front surface of the wafer W, and it has only one cup 52.

続いて、第1の上側処理ブロックD22、第2の上側処理ブロックD32に設けられるシャトルについて、夫々7A、7Bとして説明する。シャトル7Aは、移動機構72Aと、移動体73Aと、支持体74Aと、を備えている。移動機構72Aは左右に伸びる長尺な部材として構成されると共に、既述した第1の上側処理ブロックD22のスペース71Aに収まるように設けられている。移動体73Aは移動機構72Aに対して前方側に接続されており、左右に伸長している。支持体74Aは移動体73Aに対して前方側に接続されており、左右に細長の直方体状に形成されている。この支持体74A上にウエハWが支持されて、水平な直線状且つ左右方向に沿って搬送される。 Next, the shuttles provided in the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 will be described as 7A and 7B, respectively. Shuttle 7A comprises a moving mechanism 72A, a moving body 73A, and a support 74A. Moving mechanism 72A is configured as an elongated member extending left and right, and is arranged to fit within space 71A of the first upper processing block D22 described above. Moving body 73A is connected to the front side of moving mechanism 72A and extends left and right. Support 74A is connected to the front side of moving body 73A and is formed in the shape of a rectangular parallelepiped that is elongated left and right. Wafers W are supported on this support 74A and transported horizontally and linearly in the left-right direction.

移動機構72Aにより、移動体73Aが当該移動機構72Aに対して左右に移動自在である。そして、この移動機構72Aに対する移動体73Aの移動に応じて、移動体73Aに対して支持体74Aが左右に移動する(図6~図8参照)。移動体73Aは、その右端が移動機構72Aの右端よりも右側(インターフェイスブロックD4側)に位置する右位置と、その左端が移動機構72Aの左端よりも左側(キャリアブロックD1側)に位置する左位置と、の間で移動する。移動体73Aが上記の右位置に位置するとき、支持体74Aの右端が移動体73Aの右端よりも右側に位置する状態(図6に示す状態)となる。当該状態の支持体74Aの位置を右搬送位置とする。移動体73Aが上記の左位置に位置するとき、支持体74Aの左端が移動体73Aの左端よりも左側に位置する状態(図8に示す状態)となる。当該状態の支持体74Aの位置を左搬送位置とする。 The moving mechanism 72A allows the moving body 73A to move left and right relative to the moving mechanism 72A. The support 74A moves left and right relative to the moving body 73A in response to the movement of the moving body 73A relative to the moving mechanism 72A (see Figures 6 to 8). The moving body 73A moves between a right position, where its right end is located to the right of the right end of the moving mechanism 72A (toward the interface block D4), and a left position, where its left end is located to the left of the left end of the moving mechanism 72A (toward the carrier block D1). When the moving body 73A is located in the right position, the right end of the support 74A is located to the right of the right end of the moving body 73A (the state shown in Figure 6). The position of the support 74A in this state is referred to as the right transport position. When the moving body 73A is located in the left position, the left end of the support 74A is located to the left of the left end of the moving body 73A (the state shown in Figure 8). The position of the support 74A in this state is referred to as the left transport position.

シャトル7Aは、第2の上側処理ブロックD32に設けられるTRS11から第1の上側処理ブロックD22に設けられるTRS12(第4の載置部)に向けてウエハWを搬送する。TRS11は、平面視左側が開放される凹部をなすように形成された載置部本体をなす支持板75と、当該支持板75から上側に突出する3本のピン76と、支持板75を昇降させる昇降機構(不図示)と、を備え、例えば第2の上側処理ブロックD32の左端部に位置する。昇降機構は、例えばシリンダーやモーター等のアクチュエータでよく、各支持板75の裏側(下側)に接続され、移動体73Aや支持体74Aの移動軌道と干渉しない位置に設けられている。支持板75の昇降により、ピン76は上昇位置と下降位置との間で移動し、ウエハWの下面を支持する。上記の右搬送位置における支持体74Aの右端部は、平面視、支持板75がなす上記の凹部に収まった状態となり、ピン76の昇降により、支持体74AとTRS11との間でウエハWを受け渡すことができる。 Shuttle 7A transports wafers W from TRS11 in the second upper processing block D32 to TRS12 (fourth mounting section) in the first upper processing block D22. TRS11 includes a support plate 75, which forms the mounting section body and is recessed to form a recess with an open left side in a plan view, three pins 76 protruding upward from the support plate 75, and a lifting mechanism (not shown) for raising and lowering the support plate 75. It is located, for example, at the left end of the second upper processing block D32. The lifting mechanism, which may be an actuator such as a cylinder or motor, is connected to the back (lower) side of each support plate 75 and is positioned so as not to interfere with the movement trajectories of the movable body 73A and support 74A. As the support plate 75 is raised and lowered, the pins 76 move between raised and lowered positions to support the underside of the wafer W. When in the right transfer position, the right end of the support 74A is fitted in the recess formed by the support plate 75 in a plan view, and the wafer W can be transferred between the support 74A and the TRS11 by raising and lowering the pins 76.

TRS12については、支持板75が平面視右側が開放される凹部をなすように形成されることを除き、TRS11と同様の構成である。そして、上記の左搬送位置における支持体74Aの左端部は、平面視、支持板75がなす上記の凹部に収まった状態となり、支持体74AとTRS12との間でウエハWを受け渡すことができる。TRS12は、キャリアブロックD1の搬送機構33との間でもウエハWを受け渡せるように、第1の上側処理ブロックD22の左端部に設けられる。支持体74に支持された基板(ウエハW)の搬送は、前に述べたことから、移動体73Aと支持体74Aのように前後方向に設けられた複数の部材が、互いの相対的な左右方向の位置を変えながら行われると言える。そのように基板が搬送されることで、支持体74Aに対して左右方向夫々に位置するTRS11、TRS12は移動体73Aと干渉し難くなり、基板を容易に支持可能な3箇所以上の位置にピン76を配置することが可能になっている。 TRS12 has the same configuration as TRS11, except that the support plate 75 is formed with a recess that is open on the right side in plan view. In the left transfer position, the left end of support 74A is fitted into the recess formed by support plate 75 in plan view, allowing wafers W to be transferred between support 74A and TRS12. TRS12 is located at the left end of the first upper processing block D22 so that wafers W can be transferred between support 74A and the transfer mechanism 33 of carrier block D1. As mentioned above, the transfer of a substrate (wafer W) supported by support 74 is performed by multiple components, such as movable body 73A and support 74A, arranged in the front-to-rear direction, changing their relative left-to-right positions. By transferring the substrate in this manner, TRS11 and TRS12, which are positioned to the left and right of support 74A, are less likely to interfere with movable body 73A, making it possible to arrange pins 76 in three or more positions that can easily support the substrate.

第2のバイパス搬送機構であるシャトル7Bについては、シャトル7Aとは異なる高さに設けられ、例えばシャトル7Aよりも下方に位置している。シャトル7Bは、シャトル7Aと同様に構成されており、シャトル7Bの構成部材である移動機構、移動体、支持体の各符号は、シャトル7Aの構成部材と区別するために、数字の後のAの代わりにBを付して示す。具体的には、例えばシャトル7Bの移動機構は72Bとして示す。そして、この移動機構72Bは、第2の上側処理ブロックD32のスペース71Bに収まるように設けられる。 Shuttle 7B, the second bypass transport mechanism, is located at a different height than shuttle 7A, for example, lower than shuttle 7A. Shuttle 7B is configured similarly to shuttle 7A, and the reference numerals for the components of shuttle 7B, namely the moving mechanism, moving body, and support, are denoted by a B instead of an A after the numeral to distinguish them from the components of shuttle 7A. Specifically, for example, the moving mechanism of shuttle 7B is denoted as 72B. This moving mechanism 72B is arranged to fit within space 71B of the second upper processing block D32.

シャトル7Bは、第2の上側処理ブロックD32に設けられるTRS13から第1の上側処理ブロックD22に設けられるTRS14に向けてウエハWを搬送する。TRS13はTRS11と同様の構成であり、インターフェイスブロックD4との間でもウエハWを受け渡せるように、第2の上側処理ブロックD32の右端部に設けられている。TRS14はTRS12と同様の構成であり、搬送機構6Bとの間でウエハWの受け渡しが行えるようにモジュール積層体T2よりも左側に設けられており、TRS12よりは右側に位置する。 Shuttle 7B transports wafers W from TRS13, which is provided in the second upper processing block D32, to TRS14, which is provided in the first upper processing block D22. TRS13 has the same configuration as TRS11 and is provided at the right end of the second upper processing block D32 so that wafers W can be transferred between it and interface block D4. TRS14 has the same configuration as TRS12 and is provided to the left of module stack T2 and to the right of TRS12 so that wafers W can be transferred between it and transfer mechanism 6B.

上記のようにシャトル7Bはシャトル7Aの下方に設けられているので、第2のバイパス用基板載置部であるTRS13及びTRS14が位置する高さは、第1のバイパス用基板載置部であるTRS11及びTRS12が位置する高さよりも低い。つまり、図2に示すように、シャトル7A、TRS11及びTRS12の組、シャトル7B、TRS13、TRS14の組は、縦方向(垂直方向)において互いにずれた位置に設けられている。 As described above, shuttle 7B is provided below shuttle 7A, so the height at which the second bypass substrate placement portions TRS13 and TRS14 are located is lower than the height at which the first bypass substrate placement portions TRS11 and TRS12 are located. In other words, as shown in FIG. 2, the set of shuttle 7A, TRS11, and TRS12 and the set of shuttle 7B, TRS13, and TRS14 are positioned offset from each other in the longitudinal (vertical) direction.

そして、シャトル7AによるウエハWの搬送路(第1のバイパス搬送路)、シャトル7BによるウエハWの搬送路(第2のバイパス搬送路)を夫々77A、77Bとすると、これらの搬送路77A、77Bの前後の位置は互いに同じである。既述のTRS11~TRS14の位置に対応して、搬送路77Aは第2の上側処理ブロックD22へ突出すると共に、搬送路77Bは第1の上側処理ブロックD22へ突出している。そのように突出することで搬送路77Aの右側と搬送路77Bの左側とが平面視、互いに重なっている。なお搬送路77A、77Bは、例えば平面視、加熱モジュール54の熱板55から外れ、冷却プレート56の待機位置と重なる位置としてもよい。そのように熱板55から比較的離れて搬送路を配置することで、搬送されるウエハWが熱の影響を受けることを、より確実に抑えることができる。 Let us assume that the wafer W transport path (first bypass transport path) by shuttle 7A and the wafer W transport path (second bypass transport path) by shuttle 7B are 77A and 77B, respectively. The forward and backward positions of these transport paths 77A and 77B are the same. Corresponding to the positions of TRS11 to TRS14 described above, transport path 77A protrudes into the second upper processing block D22, and transport path 77B protrudes into the first upper processing block D22. This protrusion allows the right side of transport path 77A and the left side of transport path 77B to overlap in a plan view. Note that transport paths 77A and 77B may be positioned, for example, away from the heating plate 55 of heating module 54 and overlapping with the standby position of cooling plate 56 in a plan view. Positioning the transport paths relatively far from the heating plate 55 in this way more reliably minimizes the thermal effects on the transported wafer W.

シャトル7AによるウエハWの搬送について、図6~図8を参照しながら順を追って説明する。第2の上側処理ブロックD32の搬送機構6Dは、を第2の上側処理ブロックD32内の各処理モジュールで処理されたウエハWを、TRS11の上昇位置におけるピン76上に受け渡す。ピン76が下降位置へと移動し、既述の右搬送位置における支持体74AにウエハWが受け渡される(図6)。移動体73A及び支持体74Aが各々左側へ移動する一方で、TRS11のピン76は上昇位置に戻る(図7)。 The transfer of wafers W by shuttle 7A will be explained step by step with reference to Figures 6 to 8. The transfer mechanism 6D in second upper processing block D32 transfers wafers W processed in each processing module in second upper processing block D32 onto pins 76 in the raised position of TRS11. The pins 76 move to the lowered position, and the wafer W is transferred to support 74A in the right transfer position described above (Figure 6). While movable body 73A and support 74A each move to the left, pins 76 of TRS11 return to the raised position (Figure 7).

支持体74Aが既述の左搬送位置に移動すると、TRS12の下降位置におけるピン76が上昇位置に移動してウエハWを支持する(図8)。支持体74Aが右搬送位置へ向けて移動すると、ピン76が下降位置に戻る。以降は、キャリアブロックD1の搬送機構33がウエハWを受け取る。このように、シャトル7Aは下流側のブロックであるキャリアブロックD1に向けてウエハWを搬送する。シャトル7B、TRS13、TRS14についてもシャトル7A、TRS11、TRS12と夫々同様に動作し、TRS13からTRS14へウエハWが搬送される。つまり、シャトル7Bは下流側のブロックである第1の上側処理ブロックD22に向けてウエハWを搬送する。 When support 74A moves to the left transfer position described above, pins 76 in the lowered position of TRS12 move to the raised position to support the wafer W (Figure 8). When support 74A moves toward the right transfer position, pins 76 return to the lowered position. The transfer mechanism 33 of carrier block D1 then receives the wafer W. In this way, shuttle 7A transfers the wafer W toward carrier block D1, which is the downstream block. Shuttles 7B, TRS13, and TRS14 operate in the same way as shuttles 7A, TRS11, and TRS12, respectively, and transfer the wafer W from TRS13 to TRS14. In other words, shuttle 7B transfers the wafer W toward the first upper processing block D22, which is the downstream block.

また、塗布、現像装置1は、制御部10を備えている(図1参照)。この制御部10はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、CPUを備えている。プログラムには、塗布、現像装置1における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部10は塗布、現像装置1の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。具体的に搬送機構6A~6D、シャトル7A、7B、各処理モジュールの動作が制御される。それにより、後述のウエハWの搬送、ウエハWの処理、ウエハWの異常判定が行われる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、DVDなどの記憶媒体に格納されて、制御部10にインストールされる。 The coating and developing apparatus 1 also includes a control unit 10 (see Figure 1). This control unit 10 is configured as a computer and includes a program, memory, and a CPU. The program incorporates steps that enable a series of operations in the coating and developing apparatus 1 to be performed. The program causes the control unit 10 to output control signals to each part of the coating and developing apparatus 1, controlling the operation of each part. Specifically, it controls the operation of the transfer mechanisms 6A-6D, shuttles 7A and 7B, and each processing module. This allows for the transfer of wafers W, processing of wafers W, and abnormality determination of wafers W, as described below. The above program is stored on a storage medium such as a compact disc, hard disk, or DVD, and installed in the control unit 10.

続いて、塗布、現像装置1におけるウエハWの処理及び搬送経路について、既述した往路、復路を夫々示す図9、図10を参照して説明する。図9、図10では、モジュール間でのウエハWの搬送を表す一部の矢印上あるいは矢印の近傍に、当該搬送に用いる搬送機構を表示している。 Next, the processing and transport paths of wafers W in the coating and developing apparatus 1 will be described with reference to Figures 9 and 10, which show the aforementioned outbound and return paths, respectively. In Figures 9 and 10, the transport mechanisms used for transporting wafers W between modules are shown on or near some of the arrows.

先ず、支持台12の移動ステージ15に載置されたキャリアCから、搬送機構32によりウエハWが搬出される。そして、当該搬送機構32によりウエハWは処理前検査モジュール41に搬送され、画像データが取得されて異常の有無が判定される。 First, the transfer mechanism 32 transfers the wafer W from the carrier C placed on the moving stage 15 of the support table 12. The transfer mechanism 32 then transfers the wafer W to the pre-processing inspection module 41, where image data is acquired and the presence or absence of abnormalities is determined.

その後、ウエハWは搬送機構32によりTRS1に搬送される。然る後、当該ウエハWは搬送機構33により疎水化処理モジュール30、SCPL1の順に搬送された後、搬送機構6Aにより第1の下側処理ブロックD21に取り込まれ、反射防止膜形成モジュール47→加熱モジュール54の順で搬送されることで、反射防止膜が形成される。その後、ウエハWはモジュール積層体T2のSCPL4に搬送され、搬送機構6Cにより、レジスト膜形成モジュール49→加熱モジュール54の順で搬送されることで、レジスト膜が形成される。その後、ウエハWはモジュール積層体T3のTRS5に搬送される。 The wafer W is then transferred to TRS1 by transfer mechanism 32. The wafer W is then transferred by transfer mechanism 33 to hydrophobization processing module 30 and then to SCPL1, and then loaded into the first lower processing block D21 by transfer mechanism 6A. The wafer W is then transferred to anti-reflection film forming module 47 and then to heating module 54, where an anti-reflection film is formed. The wafer W is then transferred to SCPL4 of module stack T2, and then transferred by transfer mechanism 6C to resist film forming module 49 and then to heating module 54, where a resist film is formed. The wafer W is then transferred to TRS5 of module stack T3.

然る後、ウエハWは前方側の搬送機構36により裏面洗浄モジュール65、ICPLを経由して、搬送機構38により露光機20に搬送され、所定のパターンに沿って当該ウエハWの表面のレジスト膜が露光される。露光後のウエハWは、搬送機構38によりTRS6に搬送され、その後、後方側の搬送機構37により、露光後洗浄モジュール66に搬送される。 The wafer W is then transported by the front transfer mechanism 36 through the back surface cleaning module 65 and ICPL, and then by the transfer mechanism 38 to the exposure machine 20, where the resist film on the front surface of the wafer W is exposed according to a predetermined pattern. After exposure, the wafer W is transported by the transfer mechanism 38 to the TRS 6, and then transported by the rear transfer mechanism 37 to the post-exposure cleaning module 66.

その後のウエハWの搬送経路は、上記したように第1の上側処理ブロックD22で処理を行う経路(第1の経路とする)と、第2の上側処理ブロックD32で処理を行う経路(第2の経路とする)と、に分かれる。第2の経路について説明すると、搬送機構37はモジュール積層体T3のTRS7にウエハWを搬送し、搬送機構6Dによって当該ウエハWが第2の上側処理ブロックD32に取り込まれる。そしてウエハWは、加熱モジュール54→SCPL3→現像モジュール51→処理後検査モジュール57の順で搬送されることで、レジストパターンが形成された後に画像データが取得されて、異常の有無が判定される。 The wafer W's subsequent transport path splits into two paths: one for processing in the first upper processing block D22 (referred to as the first path), and the other for processing in the second upper processing block D32 (referred to as the second path). Regarding the second path, the transport mechanism 37 transports the wafer W to TRS7 of the module stack T3, and the wafer W is then taken into the second upper processing block D32 by the transport mechanism 6D. The wafer W is then transported in the order of heating module 54 → SCPL3 → developing module 51 → post-processing inspection module 57. After a resist pattern is formed, image data is acquired and the presence or absence of abnormalities is determined.

その後、ウエハWは図6~図8で説明したように搬送機構6D→TRS11→シャトル7A→TRS12の順で搬送された後、キャリアブロックD1の搬送機構33が当該ウエハWを受け取り、TRS2に搬送する。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD22の主搬送機構である搬送機構6B,6Dのうち6Dと、シャトル7Aと、によってウエハWが下流側のブロックへ向けて搬送される。その後、ウエハWは搬送機構32により、支持台13の移動ステージ15上のキャリアCに格納される。 Then, as described in Figures 6 to 8, the wafer W is transferred in the order of transfer mechanism 6D → TRS11 → shuttle 7A → TRS12, and then transfer mechanism 33 of carrier block D1 receives the wafer W and transfers it to TRS2. In this way, the wafer W is transferred toward the downstream block by transfer mechanism 6D, one of transfer mechanisms 6B and 6D that are the main transfer mechanisms of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D22, which are bypass transfer path forming blocks, and shuttle 7A. The wafer W is then stored in carrier C on moving stage 15 of support table 13 by transfer mechanism 32.

続いて上記の第1の経路について説明すると、ウエハWは搬送機構37→TRS13→シャトル7B→TRS14→搬送機構6Bの順で搬送されて、第1の上側処理ブロックD22にウエハWが取り込まれる。そして、当該ウエハWは搬送機構6Bにより、加熱モジュール54→SCPL2→現像モジュール51→処理後検査モジュール57の順で搬送され、第2の経路のウエハWと同様に処理を受けた後、キャリアブロックD1のTRS3に搬送される。このようにバイパス搬送路形成ブロックである第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD22の主搬送機構である搬送機構6B,6Dのうち6Bと、シャトル7Bと、によってウエハWが下流側のブロックへ向けて搬送される。続いてウエハWは、搬送機構33によりTRS2に搬送され、以降は第2の経路のウエハWと同様、搬送機構32により支持台13の移動ステージ15上のキャリアCへ搬送される。 Continuing with the above-mentioned first path, the wafer W is transferred in the order of transfer mechanism 37 → TRS13 → shuttle 7B → TRS14 → transfer mechanism 6B, and the wafer W is loaded into the first upper processing block D22. The wafer W is then transferred by transfer mechanism 6B in the order of heating module 54 → SCPL2 → developing module 51 → post-processing inspection module 57, and after undergoing processing similar to that of the wafer W on the second path, is transferred to TRS3 in carrier block D1. In this way, the wafer W is transferred toward downstream blocks by transfer mechanisms 6B and 6D, which are the main transfer mechanisms of the first and second upper processing blocks D22 and D22, which are bypass transfer path forming blocks, and shuttle 7B. The wafer W is then transferred to TRS2 by transfer mechanism 33, and thereafter, like the wafer W on the second path, by transfer mechanism 32 to carrier C on moving stage 15 of support table 13.

以上に述べたように、塗布、現像装置1におけるキャリアブロックD1については、キャリアC、下側処理ブロック(一の処理ブロック)G1、上側処理ブロック(他の処理ブロック)G2に対してウエハWを各々受け渡すためのTRS、SCPLを含むモジュール積層体T1が設けられる。そして、搬送機構32、33が夫々設けられ、搬送機構32がキャリアCに対する受け渡しを、搬送機構33がモジュール積層体T1のモジュール間での受け渡しを夫々受け持つ。このように搬送機構32と搬送機構33との役割が分かれることで、搬送機構32はキャリアCに対するウエハWの搬入出を速やかに行うことができる。一方で、搬送機構33を介してウエハWが搬送される下側処理ブロックG1及び上側処理ブロックG2をなす各処理ブロックD21、D22、D31、D32においては処理モジュールが積層され、各々の処理モジュールでウエハWを処理可能である。従って塗布、現像装置1によれば、高いスループットを得ることができる。さらに、キャリアCに対してウエハWを受け渡す搬送口24が臨む搬送領域31が前後に伸び、この搬送領域31において搬送機構32、33がモジュール積層体T1の前方、後方に夫々設けられることにより、キャリアブロックD1の左右の幅を比較的小さくすることができる。従って、塗布、現像装置1によれば、フットプリント(占有床面積)を小さくすることができる。 As described above, the carrier block D1 in the coating and developing apparatus 1 is provided with a module stack T1 including TRSs and SCPLs for transferring wafers W to and from the carrier C, the lower processing block (one processing block) G1, and the upper processing block (another processing block) G2. Transfer mechanisms 32 and 33 are also provided, with the transfer mechanism 32 responsible for transferring wafers W to and from the carrier C, and the transfer mechanism 33 responsible for transferring wafers W between modules in the module stack T1. By dividing the roles of the transfer mechanism 32 and the transfer mechanism 33 in this manner, the transfer mechanism 32 can quickly load and unload wafers W into and from the carrier C. Meanwhile, processing modules are stacked in each of the processing blocks D21, D22, D31, and D32 constituting the lower processing block G1 and upper processing block G2, to which wafers W are transferred via the transfer mechanism 33, and wafers W can be processed in each processing module. Therefore, the coating and developing apparatus 1 can achieve high throughput. Furthermore, the transfer area 31, which faces the transfer port 24 through which wafers W are transferred to and from the carrier C, extends from front to back, and by providing transfer mechanisms 32 and 33 in this transfer area 31 at the front and rear of the module stack T1, respectively, the left-to-right width of the carrier block D1 can be made relatively small. Therefore, the coating and developing apparatus 1 can reduce its footprint (occupied floor area).

そして、キャリアブロックD1には処理前検査モジュール41が設けられている。この処理前検査モジュール41は、モジュール積層体T1に右端部が重なると共に筐体11の側壁を貫くことで、その左端部が搬送領域31から突出している。つまり、上記のモジュール積層体T1を配置することによって搬送領域31の前後の中央に形成されるスペース及びキャリアCの移載を行う筐体11の外側のスペースを利用して、処理前検査モジュール41が配置されている。即ち、処理前検査モジュール41をキャリアブロックD1に設置しつつ、当該キャリアブロックD1のフットプリントの増大が防止されている。 A pre-processing inspection module 41 is provided on the carrier block D1. The right end of this pre-processing inspection module 41 overlaps the module stack T1 and penetrates the side wall of the housing 11, with the left end protruding from the transport area 31. In other words, the pre-processing inspection module 41 is placed in the space formed in the center of the front and rear of the transport area 31 by arranging the module stack T1, as well as in the space outside the housing 11 where the carrier C is transferred. In other words, the pre-processing inspection module 41 is installed in the carrier block D1, while preventing the footprint of the carrier block D1 from increasing.

さらに搬送機構33の後方側に処理モジュールとして疎水化処理モジュール30を配置し、搬送機構33によりアクセスされるようにしている。この疎水化処理モジュール30の配置によっても、塗布、現像装置1の左右の幅の拡大が防止されている。そして搬送機構33が疎水化処理モジュール30に対して、搬送機構32が処理前検査モジュール41に対して、夫々ウエハWを受け渡す。それにより搬送機構32、33間での負荷の偏りが抑制され、これらの処理モジュールを設けることによるスループットの低下が防止されている。ただし、搬送機構33により、処理前検査モジュール41にウエハWが受け渡される構成としてもよい。 Furthermore, a hydrophobic treatment module 30 is arranged as a treatment module behind the transfer mechanism 33, and is accessible by the transfer mechanism 33. This arrangement of the hydrophobic treatment module 30 also prevents the left and right width of the coating and developing apparatus 1 from increasing. The transfer mechanism 33 delivers wafers W to the hydrophobic treatment module 30, and the transfer mechanism 32 delivers wafers W to the pre-treatment inspection module 41. This prevents uneven load distribution between the transfer mechanisms 32 and 33, and prevents a decrease in throughput due to the installation of these treatment modules. However, the transfer mechanism 33 may also be configured to deliver wafers W to the pre-treatment inspection module 41.

また、ウエハWの搬入出用にキャリアCが載置される移動ステージ15を複数設けるにあたり、モジュール積層体T1に対して前方側に複数段に設けている。このようにモジュール積層体T1の前方側に移動ステージ15が集約されるように配置されることで、十分なスループットを確保するために必要な数の移動ステージ15の設置を可能にしつつ、搬送領域31の前後の中央部を当該モジュール積層体T1及び処理前検査モジュール41の設置領域とすることができる。そして、そのようにモジュール積層体T1を配置することで、その後方に搬送機構33を配置することができる。従って、既述したように各移動ステージ15をモジュール積層体T1に対して前方側、且つ互いに異なる高さに設けることは、スループットを高くしつつ、装置のフットプリントを低減させることに寄与することになる。 Furthermore, when providing multiple movable stages 15 on which carriers C are placed for loading and unloading wafers W, they are arranged in multiple tiers on the front side of the module stack T1. By arranging the movable stages 15 so that they are concentrated on the front side of the module stack T1 in this way, it is possible to install the necessary number of movable stages 15 to ensure sufficient throughput, while also allowing the central portion of the transfer area 31, from front to back, to be used as an installation area for the module stack T1 and pre-processing inspection module 41. Furthermore, by arranging the module stack T1 in this manner, the transfer mechanism 33 can be placed behind it. Therefore, as already described, providing each movable stage 15 on the front side of the module stack T1 and at different heights from each other contributes to increasing throughput while reducing the footprint of the device.

ところで、キャリア用の仮置き部である仮置きステージ16を設けることで不要なキャリアCを移動ステージ15から退避させることができるので、キャリアCに対するウエハWの搬入出を効率良く行うことができる。キャリアブロックD1では、その仮置きステージ16については、前後方向においてモジュール積層体T1と同じ位置、及び当該モジュール積層体T1に対して後方の位置に設けられている。つまり、既述したレイアウトで移動ステージ15を設けることで、搬送機構32によるアクセスが行われない空いたスペースを利用して仮置きステージ16が設けられていることになる。即ち、仮置きステージ16は、キャリアブロックD1の大型化が防止されるレイアウトで配置されている。 By providing a temporary storage stage 16, which serves as a temporary storage section for carriers, unnecessary carriers C can be retracted from the movable stage 15, allowing wafers W to be loaded and unloaded efficiently into and from the carriers C. In the carrier block D1, the temporary storage stage 16 is located at the same position as the module stack T1 in the front-to-rear direction, and at a position rearward of the module stack T1. In other words, by providing the movable stage 15 in the layout described above, the temporary storage stage 16 is located in empty space that is not accessed by the transport mechanism 32. In other words, the temporary storage stage 16 is arranged in a layout that prevents the carrier block D1 from becoming larger.

さらに塗布、現像装置1によればシャトル7A、7Bが設けられ、これらのシャトル7A、7Bにより、キャリアブロックD1へ向けてウエハWが搬送される。それにより第1の上側処理ブロックD22及び第2の上側処理ブロックD32のうち、一方のブロックで処理が行われるウエハWについて、他方のブロックの処理モジュールがバイパスされるようにキャリアブロックD1に向けて搬送される。従って、第1の上側処理ブロックD22の搬送機構6B及び第2の上側処理ブロックD32の搬送機構6Dの負荷(より詳しくはブロック内で必要な搬送工程の数)が低減される。結果として、塗布、現像装置1におけるスループットを、より向上させることができる。 Furthermore, the coating and developing apparatus 1 is provided with shuttles 7A and 7B, which transport wafers W toward carrier block D1. As a result, a wafer W being processed in one of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32 is transported toward carrier block D1 so as to bypass the processing modules in the other block. This reduces the load on the transport mechanism 6B of the first upper processing block D22 and the transport mechanism 6D of the second upper processing block D32 (more specifically, the number of transport processes required within the block). As a result, the throughput of the coating and developing apparatus 1 can be further improved.

ところでキャリアブロックD1の筐体11の上部、第1及び第2の処理ブロックD2、D3の各筐体の上部、インターフェイスブロックD4の筐体の上部には、図示しない気流形成ユニットが設けられる。各気流形成ユニットは、塗布、現像装置1の外側の空気を取り込んで当該気流形成ユニットが設けられるブロックにおけるウエハWの搬送路に供給して、気流を形成する。図11には、キャリアブロックD1、第2の処理ブロックD22の気流形成ユニットを夫々81、82として示している。図示の便宜上、これらの気流形成ユニット81、82はキャリアブロックD1、第1の処理ブロックD2から夫々離れた位置に表示している。 By the way, air flow forming units (not shown) are provided above the housing 11 of the carrier block D1, above the housings of the first and second processing blocks D2 and D3, and above the housing of the interface block D4. Each air flow forming unit takes in air from outside the coating and developing apparatus 1 and supplies it to the wafer W transport path in the block in which the air flow forming unit is provided, thereby forming an air flow. In Figure 11, the air flow forming units of the carrier block D1 and the second processing block D22 are shown as 81 and 82, respectively. For ease of illustration, these air flow forming units 81 and 82 are shown in positions distant from the carrier block D1 and the first processing block D2, respectively.

気流形成ユニット82は図示しないダクトを介して、第1の処理ブロックD2をなす第1の下側処理ブロックD21、第1の上側処理ブロックD22の各搬送領域53の天井部に設けられるフィルタに空気を供給する。当該フィルタから供給された空気は搬送領域53を下方に向かい、図示しない第1の下側処理ブロックD21、第1の上側処理ブロックD22の下部側に設けられる図示しない排気口から排気される。 The airflow forming unit 82 supplies air via a duct (not shown) to filters installed in the ceiling of each transport area 53 of the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 that make up the first processing block D2. The air supplied from the filters flows downward through the transport area 53 and is exhausted from exhaust ports (not shown) installed on the lower side of the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 (not shown).

例えばキャリアブロックD1においては、例えば図11に示すように搬送領域31の前方側の端部に縦長に形成されたフィルタ83が設けられる。そして、気流形成ユニット81からフィルタ83に供給された空気は、当該フィルタ83から搬送領域31の後方に向けて供給される。モジュール積層体T1よりも後方における例えばブロックの底部には排気孔84が開口しており、フィルタ83から供給された空気が当該排気孔84から排気される。 For example, in carrier block D1, as shown in FIG. 11, a vertically elongated filter 83 is provided at the front end of the transport area 31. Air supplied from the airflow forming unit 81 to the filter 83 is then supplied from the filter 83 toward the rear of the transport area 31. An exhaust hole 84 is opened, for example, at the bottom of the block behind the module stack T1, and the air supplied from the filter 83 is exhausted from the exhaust hole 84.

各ブロックにおける空気の供給量及び排気量のバランスが調整されることにより、第1の下側処理ブロックD21、第1の上側処理ブロックD22の方が、搬送領域31よりも圧力が高い状態とされる。それにより、上記のように搬送領域53に供給される空気の一部が搬送領域31に流れ込み、排気孔84から排気される。図11は、このように搬送領域31、53に形成される気流を矢印で示している。このように形成される気流により、疎水化処理モジュール30で使用する処理ガスが、搬送領域31に流入することがより確実に防止される。仮に、当該処理ガスが搬送領域31を介して現像モジュール51に流入して現像液と反応すると現像欠陥を発生させるおそれがあるが、上記の気流の形成により、そのような欠陥の発生が防止されることになる。即ち、当該気流の形成により、ウエハWから製造される製品の歩留りの低下が防止される。なおフィルタ83、気流形成ユニット81、82は、気流形成機構をなす。 By adjusting the balance between the air supply and exhaust rates in each block, the first lower processing block D21 and the first upper processing block D22 are placed under higher pressure than the transfer region 31. As a result, some of the air supplied to the transfer region 53 as described above flows into the transfer region 31 and is exhausted through the exhaust hole 84. Figure 11 shows the airflow formed in the transfer regions 31 and 53 using arrows. This airflow more reliably prevents the processing gas used in the hydrophobization processing module 30 from flowing into the transfer region 31. If the processing gas were to flow into the development module 51 via the transfer region 31 and react with the developer, this could result in development defects. However, the formation of this airflow prevents such defects from occurring. In other words, the formation of this airflow prevents a decrease in the yield of products manufactured from wafers W. The filter 83 and airflow generating units 81 and 82 form an airflow generating mechanism.

ところで既述の処理前検査モジュール41が設けられる位置に、当該処理前検査モジュール41の代わりに処理後検査モジュール57を設けてもよい。その場合には、図9で述べた往路については、検査モジュールへの搬送が行われない経路とすればよい。具体的にはウエハWをキャリアC→搬送機構32→TRS1→搬送機構33→SCPL1の順で搬送して、第1の下側処理ブロックD21に搬入すればよい。そして図10で述べた復路については、そのようにキャリアブロックD1に設けた処理後検査モジュール57を経由するものとすればよい。具体的には、処理を終えてキャリアブロックD1のTRS2に搬送されたウエハWを、搬送機構32は処理後検査モジュール57に搬送した後にキャリアCに戻すようにすればよい。 Incidentally, a post-processing inspection module 57 may be provided in place of the pre-processing inspection module 41 described above. In that case, the outbound route described in FIG. 9 may be a route that does not involve transport to the inspection module. Specifically, the wafer W may be transported in the order carrier C → transport mechanism 32 → TRS1 → transport mechanism 33 → SCPL1 and loaded into the first lower processing block D21. The return route described in FIG. 10 may then pass through the post-processing inspection module 57 provided in carrier block D1. Specifically, after processing, the wafer W may be transported to TRS2 of carrier block D1 by transport mechanism 32, and then returned to carrier C.

そのようにキャリアブロックD1に処理後検査モジュール57を配置した場合は、処理前検査モジュール41は、例えば第1の下側処理ブロックD21の後部側処理部50を構成する処理モジュールとして設けてもよい。なお、キャリアブロックD1に、処理前検査モジュール41及び処理後検査モジュール57のいずれも設けられない構成であってもよく、その場合にもモジュール積層体T1の各モジュールを利用して搬送機構32、33間でウエハWを受け渡して適宜、搬送を行えばよい。 When the post-processing inspection module 57 is arranged in the carrier block D1 in this manner, the pre-processing inspection module 41 may be provided as a processing module constituting, for example, the rear processing section 50 of the first lower processing block D21. Note that the carrier block D1 may not be provided with either the pre-processing inspection module 41 or the post-processing inspection module 57. In this case, wafers W can be transferred between the transfer mechanisms 32 and 33 using each module of the module stack T1, and transported as appropriate.

上記の搬送例では、ウエハWを搬出するためにキャリアCを載置する移動ステージ15(ローダー)と、ウエハWを搬入するためにキャリアCを載置する移動ステージ15(アンローダー)とが異なる。ただし一つの移動ステージ15が、ローダーとアンローダーとを兼用してもよい。上記の搬送機構32は4つの移動ステージ15に共用される構成であるため、このように移動ステージ15の用途の切替えを容易に行うことができる利点が有る。 In the above transfer example, the mobile stage 15 (loader) on which the carrier C is placed to unload the wafer W is different from the mobile stage 15 (unloader) on which the carrier C is placed to load the wafer W. However, one mobile stage 15 may serve as both a loader and an unloader. The above transfer mechanism 32 is configured to be shared by four mobile stages 15, which has the advantage of making it easy to switch the use of the mobile stages 15 in this way.

なお、塗布、現像装置1において、上側処理ブロックG2をウエハWの往路、下側処理ブロックG1をウエハWの復路としてもよい。具体的には、例えば装置内で反射防止膜の形成は行わず、第1の上側処理ブロックD22、第2の上側処理ブロックD32の液処理モジュールとして、各々レジスト膜形成モジュール49を設ける。そして第1の下側処理ブロックD21、第2の下側処理ブロックD31の液処理モジュールとして、現像モジュール51を各々設置する。そして既述した搬送経路とは逆の搬送経路でブロック間においてウエハWを搬送することで、レジスト膜の形成、露光、現像を順に行い、レジストパターンを形成するようにしてもよい。従って、シャトルとしては復路を形成することに限られないし、キャリアブロックD1についても復路をなすシャトル用のTRSにウエハWを受け渡す構成であることには限られない。また、シャトルについては第1の下側処理ブロックD21、第2の下側処理ブロックD31に設けてもよい。例えばこれら第1の下側処理ブロックD21、第2の下側処理ブロックD31の液処理モジュールが共にレジスト膜形成モジュール49であり、シャトルを用いていずれか一方のブロックのレジスト膜形成モジュール49でウエハWが処理されるように装置を構成することもできる。 In addition, in the coating and developing apparatus 1, the upper processing block G2 may serve as the outbound route for wafers W, and the lower processing block G1 may serve as the return route for wafers W. Specifically, for example, without forming an anti-reflective coating within the apparatus, a resist film forming module 49 may be installed as a liquid processing module in each of the first upper processing block D22 and the second upper processing block D32. A developing module 51 may be installed as a liquid processing module in each of the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31. Wafers W may be transported between blocks along a transport path reverse to the previously described transport path, thereby forming a resist film, exposing, and developing the wafers, in that order, to form a resist pattern. Therefore, the shuttle is not limited to forming a return route, and the carrier block D1 is not limited to being configured to transfer wafers W to the shuttle TRS on the return route. Shuttles may also be installed in the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31. For example, the liquid processing modules in the first lower processing block D21 and the second lower processing block D31 can both be resist film formation modules 49, and the apparatus can be configured so that a wafer W is processed in the resist film formation module 49 of either block using a shuttle.

また、装置で行う液処理としては上記した例に限られず、薬液の塗布による絶縁膜の形成や、薬液の塗布によるレジスト膜の表面を保護するための保護膜の形成や、ウエハWを互いに貼り合わせるための接着剤の塗布処理などが含まれていてもよい。また、ウエハWの表面あるいは裏面に洗浄液を供給する洗浄処理を行ってもよい。従って、本技術の基板処理装置としては塗布、現像装置であることには限られない。 Furthermore, the liquid processing performed by the apparatus is not limited to the above examples, and may include forming an insulating film by applying a chemical liquid, forming a protective film to protect the surface of a resist film by applying a chemical liquid, and applying an adhesive to bond wafers W to each other. A cleaning process may also be performed in which a cleaning liquid is supplied to the front or back surface of the wafer W. Therefore, the substrate processing apparatus of this technology is not limited to a coating and developing apparatus.

さらに下側処理ブロックG1、上側処理ブロックG2としては、インターフェイスブロックD4により互いに接続されていなくてもよい。図12の基板処理装置8の概略図を参照して説明する。モジュール積層体T1にはTRS21~TRS23が含まれるとする。TRS21がキャリアCに対する受け渡し用で、搬送機構32によりキャリアC-TRS21間でウエハWが搬送される。TRS22、TRS23が下側処理ブロックG1、上側処理ブロックG2に対する受け渡し用で、TRS21-TRS22間、TRS21-TRS23間でウエハWが夫々搬送機構33により搬送される。キャリアCからTRS21を経由してTRS22、TRS23から下側処理ブロックG1、上側処理ブロックG2に夫々搬入されたウエハWは、処理後にTRS22、TRS23からTRS21を経由してキャリアCに戻される。つまり、下側処理ブロックG1及び上側処理ブロックG2の一方でのみウエハWは処理を受けて、キャリアCに戻されるように装置が構成されていてもよい。 Furthermore, the lower processing block G1 and the upper processing block G2 do not have to be connected to each other by the interface block D4. The following description will be given with reference to the schematic diagram of the substrate processing apparatus 8 in Figure 12. Assume that the module stack T1 includes TRS21 to TRS23. TRS21 is used for transfer to and from carrier C, and wafers W are transported between carrier C and TRS21 by a transport mechanism 32. TRS22 and TRS23 are used for transfer to and from the lower processing block G1 and upper processing block G2, and wafers W are transported between TRS21 and TRS22 and between TRS21 and TRS23 by a transport mechanism 33, respectively. Wafers W are loaded from carrier C via TRS21 to TRS22, and from TRS23 to the lower processing block G1 and upper processing block G2, respectively, and are returned to carrier C via TRS22, TRS23, and TRS21 after processing. In other words, the apparatus may be configured so that wafers W are processed in only one of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 and then returned to the carrier C.

また、下側処理ブロックG1、上側処理ブロックG2の各々は左右に並ぶ2つの処理ブロックにより構成することに限られず、1つの処理ブロックにより構成されていてもよい。また、下側処理ブロックG1、上側処理ブロックG2の各々は3つ以上の左右に並んだ複数の処理ブロックにより構成され、左右に並ぶ処理ブロック間でウエハWが搬送されるようにしてもよい。 Furthermore, each of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 is not limited to being composed of two processing blocks lined up horizontally, but may be composed of a single processing block. Furthermore, each of the lower processing block G1 and the upper processing block G2 may be composed of three or more processing blocks lined up horizontally, and wafers W may be transported between the processing blocks lined up horizontally.

なお各処理ブロックにおいて、液処理モジュールが前方、後部側処理部50をなす処理モジュールが後方に位置するが、このレイアウトは前後逆であってもよい。また、キャリアブロックD1においても搬送機構32、33やキャリアC用の各ステージ等のレイアウトは前後逆であってもよい。また、キャリアブロックD1と、他のブロックの並びも左右逆であってもよい。 In each processing block, the liquid processing module is located at the front and the processing module that forms the rear processing unit 50 is located at the rear, but this layout may be reversed. Also, in carrier block D1, the layout of the transport mechanisms 32, 33 and the stages for carrier C may be reversed. Also, the arrangement of carrier block D1 and the other blocks may be reversed left to right.

そしてキャリアブロックD1においては、疎水化処理モジュール30の代りに、処理後検査モジュール57などの他のモジュールを設け、搬送機構33により搬送が行われるようにしてもよい。ただし、疎水化処理モジュール30は処理を行うにあたり、ウエハWを載置する載置部(熱板)を横方向に移動させなくてよい。つまり、搬送機構33の後方に処理モジュールを設けるにあたり、そのようにウエハWの載置部を横方向に移動させずに処理を行う処理モジュールを設けることが、キャリアブロックD1の大型化、ひいては基板処理装置の大型化を防ぐために好ましい。なお、モジュール積層体T1を構成するTRS、SCPLの順番は装置内においてウエハWを搬送可能な範囲で、適宜高さを変更したり、重ねられる順番を入れ替えたりしてもよい。 In addition, in the carrier block D1, other modules such as a post-processing inspection module 57 may be provided instead of the hydrophobic processing module 30, and transported by the transfer mechanism 33. However, the hydrophobic processing module 30 does not require the placement portion (hot plate) on which the wafer W is placed to be moved laterally during processing. In other words, when providing a processing module behind the transfer mechanism 33, providing a processing module that performs processing without moving the placement portion for the wafer W laterally is preferable in order to prevent the carrier block D1 and, ultimately, the substrate processing apparatus from becoming larger. Note that the order of the TRS and SCPL that make up the module stack T1 may be adjusted in height or stacked in a different order as long as the wafer W can be transported within the apparatus.

また、疎水化処理モジュール30は、モジュール積層体T1をなすTRS、SCPLに重なるように配置してもよい。ただし、モジュール積層体T1に多数のTRS、SCPLを配置してウエハWを載置することで、キャリアブロックD1と第1の処理ブロックD2間、及びキャリアCとキャリアブロックD1との間でのウエハWの受け渡しが速やかに行われるようにすることができる。従って、疎水化処理モジュール30は既述したように搬送領域31の後方側に配置することが好ましい。さらに塗布、現像装置1において、処理前検査モジュール41に搬送機構32によりウエハWを搬送した後、搬送機構33が当該検査モジュール41にてウエハWを受け取り、SCPL1に搬送し、下側処理ブロックD21にウエハWが取込まれるようにしてもよい。つまり、搬送機構32、33間でのウエハWの受け渡しは、仮置きモジュールにて行うことには限られない。 Furthermore, the hydrophobic treatment module 30 may be arranged so as to overlap the TRS and SCPL that make up the module stack T1. However, by arranging multiple TRS and SCPL in the module stack T1 and loading wafers W on them, it is possible to quickly transfer wafers W between the carrier block D1 and the first processing block D2, and between the carrier C and the carrier block D1. Therefore, as already mentioned, it is preferable to arrange the hydrophobic treatment module 30 at the rear of the transfer region 31. Furthermore, in the coating and developing apparatus 1, after the transfer mechanism 32 transfers the wafer W to the pre-processing inspection module 41, the transfer mechanism 33 may receive the wafer W at the inspection module 41, transfer it to SCPL1, and then the wafer W may be taken into the lower processing block D21. In other words, the transfer of wafers W between the transfer mechanisms 32 and 33 does not necessarily have to be performed using the temporary storage module.

そして、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。 The embodiments disclosed herein should be considered in all respects to be illustrative and not restrictive. The above-described embodiments may be omitted, substituted, modified, and combined in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

C キャリア
D2 第1の処理ブロック
D21 第1の下側処理ブロック
D22 第1の上側処理ブロック
15 移動ステージ
TRS 受け渡しモジュール
T1 モジュール積層体
W ウエハ
31 搬送領域
32、33 搬送機構
6A、6B、6C、6D 搬送機構
C Carrier D2 First processing block D21 First lower processing block D22 First upper processing block 15 Moving stage TRS Transfer module T1 Module stack W Wafer 31 Transfer areas 32, 33 Transfer mechanisms 6A, 6B, 6C, 6D Transfer mechanism

Claims (16)

基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
前記キャリアに対して前記基板を受け渡すための第1の搬送機構と、
前記第1の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第1の載置部、第2の載置部、第3の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記搬送領域に設けられる載置部の積層体と、
平面視、前記搬送領域に設けられ、前記第1の載置部と前記第2の載置部との間、前記第1の載置部と前記第3の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第2の搬送機構と、
を備え
平面視で、前記キャリアブロック内において前記第1の搬送機構が設けられる位置に対して前記載置部の積層体が位置する方向と、当該第1の搬送機構が設けられる位置に対して前記キャリア載置部が位置する方向とが90°異なり、
前記第1の搬送機構及び前記第2の搬送機構のうち、第1の搬送機構のみが前記キャリアに対して前記基板を受け渡す基板処理装置。
a carrier block including a carrier placement portion on which a carrier for storing a substrate is placed;
a processing block including a plurality of processing modules stacked on top of each other, each processing the substrate, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and transporting the substrate, the processing block being provided on either the left or right side of the carrier placement unit in a plan view;
a plurality of processing modules each configured to process the substrate and stacked on top of one another; and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and configured to transport the substrate, the other processing block being vertically overlapped with the first processing block;
a transport region for the substrate provided in the carrier block so as to be interposed between the carrier placement part, the first processing block, and the second processing block in a plan view;
a first transport mechanism for transferring the substrate to and from the carrier;
a stack of platform units, each of which receives and delivers the substrate by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing block, and which are vertically stacked one on top of the other, and which are provided in the transport region in a plan view;
a second transport mechanism provided in the transport region in a plan view for transporting the substrate between the first and second receivers and between the first and third receivers;
Equipped with
In a plan view, a direction in which the stack of the carriers on the placement unit is located relative to a position where the first transport mechanism is provided in the carrier block differs by 90° from a direction in which the carrier placement unit is located relative to a position where the first transport mechanism is provided;
The substrate processing apparatus , wherein only the first transport mechanism of the first transport mechanism and the second transport mechanism transfers the substrate to and from the carrier .
正面視で、前記キャリア載置部が設けられる領域と、前記第2の搬送機構が設けられる位置とが、前記キャリアブロックを構成する側壁のうち当該キャリアブロックの外部に面する側壁のみを隔てて左右に並ぶ請求項1記載の基板処理装置。2. A substrate processing apparatus as described in claim 1, wherein, when viewed from the front, the area in which the carrier mounting portion is provided and the position in which the second transport mechanism is provided are aligned on the left and right, separated only by the side wall of the side wall that faces the outside of the carrier block. 前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第1の処理モジュール、第2の処理モジュールとすると、
平面視で前記積層体に重なる位置に、前記第1の搬送機構または第2の搬送機構により前記基板が受け渡される第3の処理モジュールが設けられる請求項1または2記載の基板処理装置。
If the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are respectively referred to as a first processing module and a second processing module,
3. The substrate processing apparatus according to claim 1 , further comprising a third processing module, to which the substrate is transferred by the first transport mechanism or the second transport mechanism, provided at a position overlapping the stack in a plan view.
前記第3の処理モジュールは前記基板の検査を行うための検査モジュールである請求項記載の基板処理装置。 4. The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the third processing module is an inspection module for inspecting the substrate. 前記検査モジュールは、平面視前記積層体に重なる位置から左右の他方へ延伸され、前記搬送領域を形成する筐体の外側へ突出して設けられる請求項記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4 , wherein the inspection module extends to the other of the left and right sides from a position overlapping the stack in a plan view, and is provided so as to protrude outside a housing that forms the transfer area. 前記検査モジュールには、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックへ搬送される前の前記基板が搬送される請求項または記載の基板処理装置。 6. The substrate processing apparatus according to claim 4 , wherein the substrate is transported to the inspection module before being transported to the first processing block and the second processing block. 前記第2の搬送機構に対して前後の一方側に、当該第2の搬送機構により前記基板が受け渡される第4の処理モジュールが設けられ、
前記第3の処理モジュールには前記第1の搬送機構により前記基板が受け渡される請求項ないしのいずれか一つに記載の基板処理装置。
a fourth processing module to which the substrate is transferred by the second transfer mechanism is provided on one of the front and rear sides of the second transfer mechanism;
7. The substrate processing apparatus according to claim 3 , wherein the substrate is transferred to the third processing module by the first transfer mechanism.
基板を格納するキャリアが載置されるキャリア載置部を備えるキャリアブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックと、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックと、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように、前記キャリアブロックに設けられる前記基板の搬送領域と、
前記キャリアに対して前記基板を受け渡すための第1の搬送機構と、
前記第1の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって夫々前記基板が受け渡される第1の載置部、第2の載置部、第3の載置部が互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記搬送領域に設けられる載置部の積層体と、
平面視、前記搬送領域に設けられ、前記第1の載置部と前記第2の載置部との間、前記第1の載置部と前記第3の載置部との間で夫々前記基板を搬送するための第2の搬送機構と、
を備え
前記第2の搬送機構に対して前後の一方側に、当該第2の搬送機構により前記基板が受け渡される第4の処理モジュールが設けられ、
前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第1の処理モジュール、第2の処理モジュールとすると、
前記複数の第1の処理モジュールまたは複数の第2の処理モジュールには、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布膜形成モジュールが含まれ、
前記第4の処理モジュールは、前記塗布液の供給前に前記基板をガス処理して疎水化する疎水化処理モジュールであり、
前記搬送領域において前後の他方側から前記第4の処理モジュールに向う気流及び前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックから前記搬送領域に向う気流を各々形成する気流形成機構が設けられる基板処理装置。
a carrier block including a carrier placement portion on which a carrier for storing a substrate is placed;
a processing block including a plurality of processing modules stacked on top of each other, each processing the substrate, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and transporting the substrate, the processing block being provided on either the left or right side of the carrier placement unit in a plan view;
a plurality of processing modules each configured to process the substrate and stacked on top of one another; and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and configured to transport the substrate, the other processing block being vertically overlapped with the first processing block;
a transport region for the substrate provided in the carrier block so as to be interposed between the carrier placement part, the first processing block, and the second processing block in a plan view;
a first transport mechanism for transferring the substrate to and from the carrier;
a stack of platform units, each of which receives and delivers the substrate by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing block, and which are vertically stacked one on top of the other, and which are provided in the transport region in a plan view;
a second transport mechanism provided in the transport region in a plan view for transporting the substrate between the first and second receivers and between the first and third receivers;
Equipped with
a fourth processing module to which the substrate is transferred by the second transfer mechanism is provided on one of the front and rear sides of the second transfer mechanism;
If the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are respectively referred to as a first processing module and a second processing module,
the plurality of first processing modules or the plurality of second processing modules includes a coating film forming module that supplies a coating liquid to the substrate to form a coating film;
the fourth processing module is a hydrophobic processing module that performs a gas processing on the substrate to hydrophobize the substrate before the supply of the coating liquid;
a substrate processing apparatus provided with an airflow forming mechanism for forming an airflow from the other of the front and rear sides in the transfer region toward the fourth processing module and an airflow from the first processing block and the other processing block toward the transfer region ;
前記キャリア載置部は、前記積層体に対して前記前後の他方側に複数、互いに異なる高さに設けられる請求項7または8に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 7 , wherein a plurality of the carrier placement sections are provided at different heights on the other side of the stack. 前記搬送領域に対して左右の他方側において、
前後において前記積層体と同じ位置かあるいは当該積層体に対して前後の一方側に設けられる、前記キャリアを仮置きするためのキャリア用の仮置き部と、
前記仮置き部と、前記キャリア載置部との間で前記キャリアを移載するキャリア移載機構と、を備える請求項9記載の基板処理装置。
On the other side of the conveying area,
a temporary carrier placement section for temporarily placing the carrier, the temporary placement section being provided at the same position as the stack body in the front and rear or on one side of the stack body in the front and rear;
The substrate processing apparatus according to claim 9 , further comprising: a carrier transfer mechanism that transfers the carrier between the temporary placement unit and the carrier placement unit.
前記第1の搬送機構は、前記第2の載置部及び前記第3の載置部に対して前記基板の受け渡しを行わない請求項1ないし10のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the first transport mechanism does not transfer the substrate to or from the second platform and the third platform. 前記第2の搬送機構は、前記キャリアに対して前記基板の受け渡しを行わない請求項1ないし11のいずれか一つに記載の基板処理装置。 A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 11, wherein the second transport mechanism does not transfer the substrate to or from the carrier. 前記基板の検査を行うための検査モジュールが、前記キャリアブロックに設けられ、
前記第1の搬送機構及び前記第2の搬送機構のうち第1の搬送機構のみが、前記検査モジュールに対して前記基板の受け渡しを行う請求項1ないし12のいずれか一つに記載の基板処理装置。
an inspection module for inspecting the substrate is provided in the carrier block;
13. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein only the first transport mechanism of the first and second transport mechanisms transfers the substrate to and from the inspection module.
基板を格納するキャリアをキャリアブロックに設けられるキャリア載置部に載置する工程と、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように前記キャリアブロックに設けられた前記基板の搬送領域において前記基板を搬送する工程と、
第1の搬送機構により、前記キャリアに対して前記基板を受け渡す工程と、
互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記搬送領域に設けられる載置部の積層体を構成する第1の載置部、第2の載置部、第3の載置部に夫々、前記第1の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって前記基板を受け渡す工程と、
平面視、前記搬送領域に設けられる第2の搬送機構により、前記第1の載置部と前記第2の載置部の間、前記第1の載置部と前記第3の載置部との間で夫々前記基板を搬送する工程と、
を備え
平面視で、前記キャリアブロック内において前記第1の搬送機構が設けられる位置に対して前記載置部の積層体が位置する方向と、当該第1の搬送機構が設けられる位置に対して前記キャリア載置部が位置する方向とが90°異なり、
前記第1の搬送機構及び前記第2の搬送機構のうち、第1の搬送機構のみが前記キャリアに対して前記基板を受け渡す基板処理方法。
a step of placing a carrier for storing substrates on a carrier placement portion provided in a carrier block;
a process of transporting the substrate in one processing block provided on either the left or right side of the carrier mounting part in a plan view, the processing block including a plurality of processing modules stacked on top of each other and each processing the substrate, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and transporting the substrate;
a step of transporting the substrate in another processing block that is vertically overlapped with the one processing block, the processing block including a plurality of processing modules that are stacked on top of each other and that process the substrate, and a main transport mechanism that is shared by the plurality of processing modules and transports the substrate;
transporting the substrate in a substrate transport region provided in the carrier block so as to be interposed between the carrier placement part, the first processing block, and the second processing block in a plan view;
transferring the substrate to the carrier by a first transport mechanism;
transferring the substrate to a first platform, a second platform, and a third platform which are stacked one on top of the other in the vertical direction and which, in a plan view, constitute a stack of platform parts provided in the transport region, by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing block, respectively;
transporting the substrate between the first and second receivers and between the first and third receivers by a second transport mechanism provided in the transport region in a plan view;
Equipped with
In a plan view, a direction in which the stack of the carriers on the placement unit is located relative to a position where the first transport mechanism is provided in the carrier block differs by 90° from a direction in which the carrier placement unit is located relative to a position where the first transport mechanism is provided;
A substrate processing method , wherein only the first transport mechanism of the first and second transport mechanisms transfers the substrate to and from the carrier .
基板を格納するキャリアをキャリアブロックに設けられるキャリア載置部に載置する工程と、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記キャリア載置部に対して平面視、左右の一方に設けられる一の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
前記基板を各々処理し、互いに積層されて設けられる複数の処理モジュールと、前記複数の処理モジュールに共用されて前記基板を搬送する主搬送機構と、を備え、前記一の処理ブロックに対して縦方向に重なる他の処理ブロックにて前記基板を搬送する工程と、
平面視、前記キャリア載置部と、前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックとの間に介在するように前記キャリアブロックに設けられた前記基板の搬送領域において前記基板を搬送する工程と、
第1の搬送機構により、前記キャリアに対して前記基板を受け渡す工程と、
互いに縦方向に重なって構成されると共に、平面視、前記搬送領域に設けられる載置部の積層体を構成する第1の載置部、第2の載置部、第3の載置部に夫々、前記第1の搬送機構、前記一の処理ブロックの主搬送機構、前記他の処理ブロックの主搬送機構によって前記基板を受け渡す工程と、
平面視、前記搬送領域に設けられる第2の搬送機構により、前記第1の載置部と前記第2の載置部の間、前記第1の載置部と前記第3の載置部との間で夫々前記基板を搬送する工程と、
前記第2の搬送機構に対して前後の一方側に設けられる第4の処理モジュールに、当該第2の搬送機構により前記基板を受け渡す工程と、
を備え、
前記一の処理ブロックの処理モジュール、前記他の処理ブロックの処理モジュールを夫々第1の処理モジュール、第2の処理モジュールとすると、
前記複数の第1の処理モジュールまたは複数の第2の処理モジュールには塗布膜形成モジュールが含まれ、
前記塗布膜形成モジュールにおいて、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する工程と、
前記第4の処理モジュールである疎水化処理モジュールにおいて、前記塗布液の供給前に前記基板をガス処理して疎水化する工程と、
気流形成機構により、前記搬送領域において前後の他方側から前記第4の処理モジュールに向う気流及び前記一の処理ブロック及び前記他の処理ブロックから前記搬送領域に向う気流を各々形成する工程と、
を備える基板処理方法。
a step of placing a carrier for storing substrates on a carrier placement portion provided in a carrier block;
a process of transporting the substrate in one processing block provided on either the left or right side of the carrier mounting part in a plan view, the processing block including a plurality of processing modules stacked on top of each other and each processing the substrate, and a main transport mechanism shared by the plurality of processing modules and transporting the substrate;
a step of transporting the substrate in another processing block that is vertically overlapped with the one processing block, the processing block including a plurality of processing modules that are stacked on top of each other and that process the substrate, and a main transport mechanism that is shared by the plurality of processing modules and transports the substrate;
transporting the substrate in a substrate transport region provided in the carrier block so as to be interposed between the carrier placement part, the first processing block, and the second processing block in a plan view;
transferring the substrate to the carrier by a first transport mechanism;
transferring the substrate to a first platform, a second platform, and a third platform which are stacked one on top of the other in the vertical direction and which, in a plan view, constitute a stack of platform parts provided in the transport region, by the first transport mechanism, the main transport mechanism of the one processing block, and the main transport mechanism of the other processing block, respectively;
transporting the substrate between the first and second receivers and between the first and third receivers by a second transport mechanism provided in the transport region in a plan view;
transferring the substrate to a fourth processing module provided on one of the front and rear sides of the second transfer mechanism by the second transfer mechanism;
Equipped with
If the processing module of the one processing block and the processing module of the other processing block are respectively referred to as a first processing module and a second processing module,
the plurality of first processing modules or the plurality of second processing modules includes a coating film forming module;
a step of supplying a coating liquid to the substrate in the coating film forming module to form a coating film;
a step of hydrophobizing the substrate by gas treatment before supplying the coating liquid in a hydrophobic treatment module that is the fourth treatment module;
forming an air flow from the other of the front and rear sides of the transport region toward the fourth processing module and an air flow from the first processing block and the other processing block toward the transport region by an air flow forming mechanism;
A substrate processing method comprising:
基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項14または15記載の基板処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
A storage medium for storing a computer program used in a substrate processing apparatus,
16. A storage medium, wherein the computer program is a set of steps for executing the substrate processing method according to claim 14 or 15 .
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