JP7804985B2 - 応力記録材料、応力記録構造、応力記録方法、応力記録システム及び応力記録材料としての使用方法 - Google Patents
応力記録材料、応力記録構造、応力記録方法、応力記録システム及び応力記録材料としての使用方法Info
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Description
また、(2)一般式Li x Na y NbO 3+(x+y-1)/2+Σ(zk*Lk/2) :M1 z1 ,M2 z2 ,M3 z3 (ただし、M1はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、M2又はM3はnone又はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、zkはz1~z3を一般化した表現であり、LkはM1のイオンの価数L1、M2のイオンの価数L2、M3のイオンの価数L3を一般化した表現であり、M2がnoneの場合はz2は0であり、M3がnoneの場合はz3は0である。)で表される組成を有し、x=0.02~2であり、y=0.01~1であり、z1+z2+z3=0.0001~0.2である応力記録材料(ただし、一般式Li (1-P)(1+α) Na P NbO 3 :Q R (ただし、Qは、遷移金属イオンから選ばれる少なくとも1種の金属イオン)で表され、Pの値が0.10以上で0.98以下の範囲で、Rの値が0.0001以上で0.2以下の範囲で、αが0以上の範囲にある材料を除く。)とした。
(5)前記残光強度取得部より得た前記記録可能領域における計測対象の応力を受ける前の残光強度の情報と、計測対象の応力を受けた後の残光強度の情報とを記憶する記憶部と、前記計測対象の応力を受ける前の残光強度の情報と、前記計測対象の応力を受けた後の残光強度の情報との差の情報を生成する差分情報生成部と、を備え、前記残光強度報知部は、前記差の情報を報知可能としたこと。
(6)前記記憶部は前記差の情報を記憶可能であり、前記残光強度報知部は、前記記憶部に記憶された所定の残光強度の情報又は差の情報を報知可能としたこと。
(7)前記残光強度の情報は、残光の画像情報であること。
また、応力記録材料としての使用方法の態様の1つは、(8)一般式Li x Na y NbO 3+(x+y-1)/2+Σ(zk*Lk/2) :M1 z1 ,M2 z2 ,M3 z3 (ただし、M1はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、M2又はM3はnone又はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、zkはz1~z3を一般化した表現であり、LkはM1のイオンの価数L1、M2のイオンの価数L2、M3のイオンの価数L3を一般化した表現であり、M2がnoneの場合はz2は0であり、M3がnoneの場合はz3は0である。)で表される組成を有し、x=0.02~2であり、y=0.01~1であり、z1+z2+z3=0.0001~0.2である材料を、計測対象となる物体の所定領域に形成する記録可能領域に存在させ、同記録可能領域に所定波長の読出光を照射して観測された応力印加前の残光画像と応力印加後の残光画像との差により前記計測対象が受けた応力の情報を事後的に知る前記残光の放射のための応力記録材料として使用することとした。
固相反応法により本実施形態に係る応力記録材料であるLi0.35Na0.80NbO4.168:Pr0.01,Nd0.005,Cr0.003の調製を行った。
次に、応力記録材料A1を用いて、応力記録体としての応力記録ペレットB1を作成した。
次に、応力記録ペレットB1を用いて応力記録の試験を行うための試験装置Dの構築を行った。図3は、構築した試験装置Dの構成を示した概念図である。
次に、上述の試験装置Dを用いて、応力記録の検証を行った。すなわち、図4に示すように、ML/MR特性を材料試験機、LED照射付きカメラシステムにて評価を行った。また、MR機能は、応力印加前後の光照射後の光読み出し画像(残光画像)により評価した。なお、読出光とリセット光の波長は200~480nmとし、読出光の場合は0.1~3mW/cm2、リセット光の場合は100~1000mW/cm2にて照射した。
次に、応力分布とMR強度分布の検証を行った。図7は、FEM解析の結果を示す図である。図5と図7を比較すると分かるように、FEM解析の結果は、応力発光の観測結果と良く一致している。
次に、どの程度の期間に亘り応力記録が保持されるのかについて検討を行った。その結果、図9に示すように、少なくとも6ヶ月間は応力の記録を保持できることが示された。このことは、本実施形態に係る応力記録材料は応力記録を少なくとも半年以上の長期に亘って保持できることを示している。
次に、荷重回数とMRの関係について検討を行った。具体的には、図10(a)に示すように、応力記録ペレットB1を軸回りに動かしつつ、12時から6時の方向へ1度、10~11時から4~5時方向へ5度、9時から3時方向へ10度に渡り同じ荷重を加え、荷重前との差である残光記録強度を計測した。
次に、最大荷重による応力記録強度について検討を行った。具体的には、荷重とMR強度の関係を検討するため、図11(a)に示すように1~2時から7~8時方向へ500N、12時から6時の方向へ750N、9時から3時方向へ1000Nの荷重を応力記録ペレットB1を軸回りに動かしつつそれぞれ印加し、残光画像からMR強度の評価を行った。その際、荷重印加された後の残光強度をIとし、荷重印加前の残光強度をI0とした。応力記録の強度(MRI)は、MRI=|I-I0|で計算した。
次に、応力記録ペレットB1を用いて、どの程度細かい領域に記録が可能であるか、すなわち、応力記録の分解能について検討を行った。
これまで、本実施形態に係る応力記録材料A1、すなわち、Li0.35Na0.80NbO3.102:Pr0.01,Nd0.005,Cr0.003や、これを使用した応力記録構造、応力記録体、応力記録体形成剤、応力記録方法及び応力記録システムについて述べてきたが、本発明は同組成に限定されるものではないのは勿論である。そこでここでは、更なる応力記録材料について言及する。
11 光源部
12 撮像部
13 コンピュータ
13a コンピュータ本体部
13b ディスプレイ
A1,A2,A3 応力記録材料
B1,B2,B3 応力記録ペレット
C1 応力記録体形成剤
D 試験装置
E1 記録可能領域
F1 応力記録システム
Claims (8)
- 一般式LixNayNbO3+(x+y-1)/2+Σ(zk*Lk/2):M1z1,M2z2,M3z3(ただし、M1はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、M2又はM3はnone又はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、zkはz1~z3を一般化した表現であり、LkはM1のイオンの価数L1、M2のイオンの価数L2、M3のイオンの価数L3を一般化した表現であり、M2がnoneの場合はz2は0であり、M3がnoneの場合はz3は0である。)で表される組成を有し、x=0.02~2であり、y=0.01~1であり、z1+z2+z3=0.0001~0.2であり、計測対象となる物体の所定領域に形成する記録可能領域に存在させることで、同記録可能領域に波長が200-480nmの読出光を照射して観測された応力印加前の500-1100nm帯にピークを有する残光と、応力印加後に過去の前記計測対象に対する負荷履歴に依存して変化した500-1100nm帯にピークを有する残光との差により前記計測対象が受けた応力の情報を事後的に知ることが可能であり、しかも、前記読出光と略同波長で当該読出光の100~1000倍の強度のリセット光の照射により記録された応力の痕跡が消去可能である、前記残光の放射のための応力記録材料。
- 一般式LixNayNbO3+(x+y-1)/2+Σ(zk*Lk/2):M1z1,M2z2,M3z3(ただし、M1はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、M2又はM3はnone又はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、zkはz1~z3を一般化した表現であり、LkはM1のイオンの価数L1、M2のイオンの価数L2、M3のイオンの価数L3を一般化した表現であり、M2がnoneの場合はz2は0であり、M3がnoneの場合はz3は0である。)で表される組成を有し、x=0.02~2であり、y=0.01~1であり、z1+z2+z3=0.0001~0.2である応力記録材料(ただし、一般式Li (1-P)(1+α) Na P NbO 3 :Q R (ただし、Qは、遷移金属イオンから選ばれる少なくとも1種の金属イオン)で表され、Pの値が0.10以上で0.98以下の範囲で、Rの値が0.0001以上で0.2以下の範囲で、αが0以上の範囲にある材料を除く。)。
- 計測対象となる物体の所定領域にて請求項1または請求項2に記載の応力記録材料の粉末を光透過性の樹脂マトリクス中に分散し存在させてなる塗膜層又はシート層として形成された記録可能領域を備え、同記録可能領域は、応力付与後に照射された読出光により残光が発現して前記計測対象に応力が付与されたことを事後的に知得可能に構成したことを特徴とする応力記録構造。
- 計測対象物に形成された応力の記録可能領域と、
残光発光のための励起光を前記記録可能領域に対して照射する読出光照射部と、
前記記録可能領域の残光強度の情報を取得する残光強度取得部と、
前記残光強度の情報を報知する残光強度報知部と、を備え、
前記記録可能領域は、一般式Li x Na y NbO 3+(x+y-1)/2+Σ(zk*Lk/2) :M1 z1 ,M2 z2 ,M3 z3 (ただし、M1はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、M2又はM3はnone又はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、zkはz1~z3を一般化した表現であり、LkはM1のイオンの価数L1、M2のイオンの価数L2、M3のイオンの価数L3を一般化した表現であり、M2がnoneの場合はz2は0であり、M3がnoneの場合はz3は0である。)で表される組成を有し、x=0.02~2であり、y=0.01~1であり、z1+z2+z3=0.0001~0.2である応力記録材料を前記計測対象物の所定領域に存在させることで形成した応力記録システムであって、
前記記録可能領域に対して前記残光発光のための励起光と略同波長で高強度のリセット光を照射するリセット光照射部を備えることを特徴とする応力記録システム。 - 前記残光強度取得部より得た前記記録可能領域における計測対象の応力を受ける前の残光強度の情報と、計測対象の応力を受けた後の残光強度の情報とを記憶する記憶部と、
前記計測対象の応力を受ける前の残光強度の情報と、前記計測対象の応力を受けた後の残光強度の情報との差の情報を生成する差分情報生成部と、を備え、
前記残光強度報知部は、前記差の情報を報知可能としたことを特徴とする請求項4に記載の応力記録システム。 - 前記記憶部は前記差の情報を記憶可能であり、
前記残光強度報知部は、前記記憶部に記憶された所定の残光強度の情報又は差の情報を報知可能としたことを特徴とする請求項5に記載の応力記録システム。 - 前記残光強度の情報は、残光の画像情報であることを特徴とする請求項4~6いずれか1項に記載の応力記録システム。
- 一般式LixNayNbO3+(x+y-1)/2+Σ(zk*Lk/2):M1z1,M2z2,M3z3(ただし、M1はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、M2又はM3はnone又はレアアースイオン及び遷移金属イオンから選ばれるいずれか1種の金属イオンであり、zkはz1~z3を一般化した表現であり、LkはM1のイオンの価数L1、M2のイオンの価数L2、M3のイオンの価数L3を一般化した表現であり、M2がnoneの場合はz2は0であり、M3がnoneの場合はz3は0である。)で表される組成を有し、x=0.02~2であり、y=0.01~1であり、z1+z2+z3=0.0001~0.2である材料の、計測対象となる物体の所定領域に形成する記録可能領域に存在させ、同記録可能領域に所定波長の読出光を照射して観測された応力印加前の残光画像と応力印加後の残光画像との差により前記計測対象が受けた応力の情報を事後的に知る前記残光の放射のための応力記録材料としての使用方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2022031157A JP7804985B2 (ja) | 2022-03-01 | 2022-03-01 | 応力記録材料、応力記録構造、応力記録方法、応力記録システム及び応力記録材料としての使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2023127388A JP2023127388A (ja) | 2023-09-13 |
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| WO2020246460A1 (ja) | 2019-06-06 | 2020-12-10 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ひずみ計測装置及びひずみ計測方法 |
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| WO2018070072A1 (ja) * | 2016-10-12 | 2018-04-19 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 応力発光材料、及び応力発光体、並びに応力発光材料の使用 |
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2022
- 2022-03-01 JP JP2022031157A patent/JP7804985B2/ja active Active
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