JP7806966B2 - 含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体に関する。
本願は、２０２３年３月７日に、日本に出願された特願２０２３－０３４９８３号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

磁気記録再生装置の記録密度を向上させるために、高記録密度に適した磁気記録媒体の開発が進められている。
従来、磁気記録媒体として、基板上に記録層を形成し、記録層上にカーボン等の保護層を形成したものがある。保護層は、記録層に記録された情報を保護するとともに、磁気ヘッドの摺動性を高める。しかし、記録層上に保護層を設けただけでは、磁気記録媒体の耐久性は十分に得られない。このため、一般に、保護層の表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成している。

磁気記録媒体の潤滑層を形成する際に用いられる潤滑剤としては、例えば、－ＣＦ_２－を含む繰り返し構造を有するフッ素系のポリマーの末端に、水酸基、アミノ基などの極性基を有する化合物を含有するものが提案されている。

例えば、潤滑剤として、複数のヒドロキシ基を有し、ヒドロキシ基間の最短距離が３原子以上離れている末端部分の置換基をもつパーフルオロポリエーテル化合物が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、芳香族基と水酸基を有するフルオロポリエーテル化合物を含有する潤滑剤が知られている（例えば、特許文献２参照）。また、特許文献２には、末端にフェニレン基を介してアミド基が結合した式（１）で表される化合物が記載されている。

また、特許文献３には、潤滑剤として、複数のパーフルオロポリエーテル基、少なくとも１つの水酸基を有する末端基、少なくとも１つの水酸基を有する炭化水素基からなる連結基を有するフルオロポリエーテル化合物を用いることが開示されている。

また、特許文献４には、パーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、極性基を有する２価の連結基が連結され、その少なくとも一方に、炭素原子数１～８の鎖状有機基の１以上の水素がアミド結合を有する基で置換された末端基が結合している含フッ素エーテル化合物が開示されている。

日本国特許第４６３２１４４号公報（Ｂ） 日本国特開２０１３－１６３６６７号公報（Ａ） 日本国特許第６７６３９８０号公報（Ｂ） 国際公開第２０１９／０３９２６５号（Ａ）

磁気記録再生装置においては、より一層、磁気ヘッドの浮上量を小さくすることが要求されている。このため、磁気記録媒体における潤滑層の厚みを、より薄くすることが求められている。
しかし、一般的に潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の化学物質耐性および耐摩耗性が低下する傾向がある。また、潤滑層の厚みを薄くすると、磁気記録媒体の耐腐食性が不十分となる場合があった。このことから、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が要求されている。

本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、優れた化学物質耐性および耐摩耗性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成でき、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適に用いることができる含フッ素エーテル化合物を提供することを目的とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含み、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ優れた耐腐食性を有する潤滑層を形成できる磁気記録媒体用潤滑剤を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、優れた耐腐食性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とする。

本発明は以下の事項に関する。

［１］ 下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５ （１）
（式（１）中、Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^２およびＲ^４は、極性基を１つ以上有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い。Ｒ^１およびＲ^５は、下記式（２）で表される末端基、下記式（３）で表される末端基または水素原子であり、Ｒ^１およびＲ^５は、同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い。Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方は、下記式（２）または（３）で表される末端基である。）

（式（２）中、Ｘ^１は、炭素原子数１～３０のアルキレン基である。ＹおよびＺはそれぞれ独立に、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の脂肪族基である。ＹとＺは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。）
（式（３）中、Ｘ^２は、炭素原子数１～３０のアルキレン基である。ＡおよびＢはそれぞれ独立に、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の脂肪族基である。ＡとＢは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。）

［２］ 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５がそれぞれ独立に、前記式（２）または（３）で表される末端基である、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［３］ 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５が同じである、［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［４］ 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５が異なる、［２］に記載の含フッ素エーテル化合物。
［５］ 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５の一方が前記式（２）または（３）で表される末端基であり、他方が水素原子である、［１］に記載の含フッ素エーテル化合物。

［６］ 前記式（１）中の－Ｒ^２－Ｏ－および－Ｒ^４－Ｏ－がそれぞれ独立に、下記式（４）で表される、［１］～［５］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（４）中、ｌは１～３の整数を表す。ｌ個のｍはそれぞれ独立に、１～６の整数を表す。ｌ個のｎはそれぞれ独立に、１～６の整数を表す。１つの繰り返し単位において、ｍおよびｎの少なくとも一方は１である。Ｅは、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）を表す。式（４）中、最も左側の酸素原子は、Ｒ^３と結合しているメチレン基に結合し、Ｅは、Ｒ^１またはＲ^５と結合する。）

［７］ 前記式（１）中の－Ｒ^２－Ｏ－および－Ｒ^４－Ｏ－がそれぞれ独立に、下記式（５－１）または（５－２）で表される、［１］～［６］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。

（式（５－１）中、ｐは０～３の整数を表し、ｑは０～２の整数を表し、ｒは１～３の整数を表す。式（５－１）中、最も左側の酸素原子は、Ｒ^３と結合しているメチレン基に結合し、最も右側の酸素原子は、Ｒ^１またはＲ^５と結合する。）
（式（５－２）中、ｓは０～２の整数を表し、ｔは０～３の整数を表す。式（５－２）中、最も左側の酸素原子は、Ｒ^３と結合しているメチレン基に結合し、最も右側の酸素原子は、Ｒ^１またはＲ^５と結合する。）

［８］ 前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（６）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である、［１］～［７］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－ （６）
（式（６）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す。ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない。ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。式（６）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）

［９］ 前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（７－１）～（７－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である、［１］～［８］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－ （７－１）
（式（７－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－ （７－２）
（式（７－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ （７－３）
（式（７－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－ （７－４）
（式（７－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す。ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

［１０］ 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、［１］～［９］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物。
［１１］ ［１］～［１０］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。

［１２］ 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
前記潤滑層が、［１］～［１０］のいずれかに記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
［１３］ 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、［１２］に記載の磁気記録媒体。

本発明の含フッ素エーテル化合物は、上記式（１）で表される化合物であるので、磁気記録媒体用潤滑剤の材料として好適である。
本発明の磁気記録媒体用潤滑剤は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含むため、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

本発明の磁気記録媒体は、本発明の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層を有する。このため、本発明の磁気記録媒体は、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、優れた耐腐食性を有し、信頼性および耐久性に優れる。また、本発明の磁気記録媒体の有する潤滑層は、化学物質耐性および耐摩耗性が良好であって、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものであるため、厚みを薄くできる。

本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示した概略断面図である。

本発明者らは、上記課題を解決するために、以下に示すように、鋭意研究を重ねた。
従来、保護層の表面に塗布される磁気記録媒体用潤滑剤（以下、「潤滑剤」と略記する場合がある。）の材料として、鎖状構造の末端に水酸基などの極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、好ましく用いられている。含フッ素エーテル化合物中の極性基は、保護層上の活性点と結合して、潤滑層の保護層に対する密着性を向上させる。このことから、潤滑剤の材料として、鎖状構造の末端だけでなく、鎖状構造中にも極性基を有する含フッ素エーテル化合物が、特に好ましく用いられている。

しかしながら、従来の潤滑剤を用いて保護層上に厚みの薄い潤滑層を形成した場合、以下に示すように、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を実現することは困難であった。
すなわち、潤滑剤の保護層に対する密着性が不足していると、保護層上に塗布された潤滑剤の状態が嵩高いものとなる。このため、保護層に対する潤滑層の被覆状態が不均一になりやすい。潤滑層の被覆状態が不均一であると、潤滑層の化学物質耐性および耐腐食性が不十分となる。したがって、潤滑剤の保護層に対する密着性が不十分である場合、膜厚を厚くして、保護層に対する潤滑層の被覆状態を均一にしないと、十分な化学物質耐性および耐腐食性が得られない。

また、潤滑剤の保護層に対する密着性が弱いと、保護層上の活性点との結合に関与していない含フッ素エーテル化合物中の極性基が生じ、汚染物質を生成させる環境物質および磁気記録媒体の腐食の原因となる水を潤滑層に誘引する。その結果、潤滑層の化学物質耐性および磁気記録媒体の耐腐食性が悪化する。

保護層に対する潤滑剤の密着性を向上させる方法としては、潤滑剤の材料として、鎖状構造の両方の最末端の炭素原子と、それ以外の鎖状構造中の炭素原子とに、それぞれ極性基が結合している、複数の極性基を有する含フッ素エーテル化合物を用いることが考えられる。
しかし、このような含フッ素エーテル化合物を用いて形成した潤滑層では、保護層との密着性が強すぎることにより流動性が不十分となって潤滑性が損なわれ、耐摩耗性が不足する場合があった。
また、このような含フッ素エーテル化合物を用いて形成した潤滑層では、潤滑剤の親水性が高すぎることにより水の侵入が容易になり、磁気記録媒体の腐食が観測されることがあった。

そこで、本発明者らは、含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基と、保護層上の活性点との結合に着目した。そして、保護層に対する被覆状態が均一で、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基が生じにくく、適度に良好な密着性を有することにより、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物を実現すべく、鋭意検討を重ねた。

その結果、パーフルオロポリエーテル鎖の両側にそれぞれ、メチレン基（－ＣＨ_２－）と、極性基を１つ以上有する２価の連結基と、酸素原子と、アミド結合を構成する窒素原子に特定の脂肪族基が結合し水素原子が結合していないＮ，Ｎ－置換アミド（以下、単に「Ｎ，Ｎ－置換アミド」と呼ぶ場合がある。）を有する末端基、または水素原子とが、この順に結合され、少なくとも一方の末端に、前記Ｎ，Ｎ－置換アミドを有する末端基が配置されている含フッ素エーテル化合物とすればよいことを見出した。

このような含フッ素エーテル化合物では、以下に示す＜１＞によって、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基が生じにくく、適度に良好な密着性を有する潤滑層を形成でき、＜２＞によって、保護層に対する被覆状態が均一な潤滑層を形成でき、さらに＜３＞によって、良好な脂溶性を有する潤滑層を形成できることから、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層が得られるものと推定される。

＜１＞上記の含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端に、特定のＮ，Ｎ－置換アミドを有する末端基が結合されている。この末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドのアミド結合を構成しているカルボニル炭素原子または窒素原子に隣接する炭素原子の有する結合は、自由回転が難しい。このため、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドと、この末端基に隣接する２価の連結基の有する極性基とは、相互作用しにくい。

さらに、上記の含フッ素エーテル化合物において、少なくとも一方の末端に配置されている末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドは、アミド結合を構成する窒素原子に特定の脂肪族基が結合し水素原子が結合していない構造である。このため、上記の含フッ素エーテル化合物は、例えば、アミド結合を構成している窒素原子に１つまたは２つの水素原子が結合している場合と比較して、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドと、この末端基に隣接する２価の連結基の有する極性基との相互作用が、より困難なものである。

また、上記の含フッ素エーテル化合物における、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミド、およびこの末端基に隣接する２価の連結基の有する極性基は、互いの保護層との相互作用を阻害する能力が極めて小さいものである。よって、上記の含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミド、およびこの末端基に隣接する２価の連結基の有する極性基は、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとされている。

しかも、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドは、保護層と適度な相互作用を示すものであり、Ｎ，Ｎ－置換アミドを有する末端基に隣接する２価の連結基の有する極性基は、それぞれ独立して保護層との良好な相互作用を示す。その結果、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミド、およびそれに隣接する２価の連結基の有する極性基は、それぞれ独立して保護層上に多数存在する官能基（活性点）と結合できる。したがって、保護層上の活性点と結合しない極性基が生じにくく、保護層上の活性点との結合に関与しない極性基の数が抑制される。よって、上記の含フッ素エーテル化合物は、保護層に対して適度に良好な密着性を有する潤滑層を形成でき、化合物中の保護層上の活性点との結合に関与しない極性基が、汚染物質を生成させる環境物質および磁気記録媒体の腐食の原因となる水を潤滑層に誘引することが抑制される。

＜２＞上記の含フッ素エーテル化合物では、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドが、アミド結合を構成している窒素原子に特定の脂肪族基が結合し水素原子が結合していない構造である。このため、上記の含フッ素エーテル化合物は、例えば、アミド結合を構成している窒素原子に１つまたは２つの水素原子が結合している場合と比較して凝集しにくい。上記の含フッ素エーテル化合物に含まれる２価の連結基の有する極性基と、Ｎ，Ｎ－置換アミドとが（両末端にＮ，Ｎ－置換アミドを有する末端基が配置されている場合には、２価の連結基の有する極性基とＮ，Ｎ－置換アミド、およびＮ，Ｎ－置換アミド同士が）相互作用しにくいためである。

しかも、少なくとも一方の末端に配置された末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドは、２価の連結基の有する極性基の保護層への密着を阻害しにくい。また、両末端にＮ，Ｎ－置換アミドを有する末端基が配置されている場合には、Ｎ，Ｎ－置換アミド同士が、互いに保護層への密着を阻害しにくい。
これらのことから、上記の含フッ素エーテル化合物は、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な被膜状態を有する潤滑層を形成できる。

＜３＞上記の含フッ素エーテル化合物に含まれるＮ，Ｎ－置換アミドを有する末端基においては、アミド結合を構成する窒素原子に特定の脂肪族基が結合し水素原子が結合していない。このため、上記の含フッ素エーテル化合物は、例えば、Ｎ，Ｎ－置換アミドを有する末端基に代えて、水素原子が配置されている（言い換えると、両末端が水素原子である）場合、およびアミド結合を構成している窒素原子に１つまたは２つの水素原子が結合している場合と比較して、良好な脂溶性を有する。したがって、上記の含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体の腐食の原因となる水の侵入を許容してしまうことを効果的に抑制でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

さらに、本発明者らは、上記の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、磁気記録媒体の保護層上に潤滑層を形成することにより、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ優れた耐腐食性の得られる潤滑層を形成できることを確認し、本発明を想到した。

以下、本発明の含フッ素エーテル化合物、磁気記録媒体用潤滑剤および磁気記録媒体について詳細に説明する。なお、本発明は、以下に示す実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、数、量、比率、組成、種類、位置、材料、構成等について、付加、省略、置換、変更が可能である。

［含フッ素エーテル化合物］
下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５ （１）
（式（１）中、Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^２およびＲ^４は、極性基を１つ以上有する２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い。Ｒ^１およびＲ^５は、下記式（２）で表される末端基、下記式（３）で表される末端基または水素原子であり、Ｒ^１およびＲ^５は、同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い。Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方は、下記式（２）または（３）で表される末端基である。）

（式（２）中、Ｘ^１は、炭素原子数１～３０のアルキレン基である。ＹおよびＺはそれぞれ独立に、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の脂肪族基である。ＹとＺは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。）
（式（３）中、Ｘ^２は、炭素原子数１～３０のアルキレン基である。ＡおよびＢはそれぞれ独立に、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の脂肪族基である。ＡとＢは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。）

（Ｒ^２およびＲ^４で示される２価の連結基）
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^２およびＲ^４はそれぞれ、極性基を１つ以上有する２価の連結基である。Ｒ^２およびＲ^４は、同じであっても良いし、それぞれ異なっても良い。

Ｒ^２およびＲ^４に含まれる極性基としては、例えば、水酸基（－ＯＨ）、シアノ基（－ＣＮ）、アミノ基（－ＮＨ_２）、カルボキシ基（－ＣＯＯＨ）、ホルミル基（－（Ｃ＝Ｏ）Ｈ）、カルボニル基（－ＣＯ－）、スルホ基（－ＳＯ_３Ｈ）などが挙げられる。これらの中でも極性基としては、水酸基が好ましい。水酸基は、保護層、とりわけ炭素系の材料で形成された保護層との相互作用が大きい。したがって、Ｒ^２およびＲ^４に含まれる極性基が水酸基であると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層が、より一層保護層との密着性が高いものとなる。

Ｒ^２およびＲ^４に含まれる極性基の数は、それぞれ１個～３個であることが好ましい。極性基の数が１個以上であるので、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を用いて、保護層上に潤滑層を形成した場合、潤滑層と保護層との間に好適な相互作用が発生する。Ｒ^２およびＲ^４に含まれる極性基の数が３個以下であると、Ｒ^２およびＲ^４に含まれる極性基の数が多いために含フッ素エーテル化合物の親水性が高まり、これを含む潤滑層が磁気記録媒体の腐食の原因となる水の侵入を許容してしまうことを抑制できる。
また、Ｒ^２およびＲ^４に含まれる極性基の数は、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中に含まれる極性基の数が４個～６個の範囲内になりやすいため、それぞれ１または２であることが好ましい。

Ｒ^２およびＲ^４は、それぞれ炭素原子数３～１５の連結基であることが好ましく、炭素原子数３～１０の連結基であることがより好ましい。Ｒ^２およびＲ^４が炭素原子数３以上の連結基であると、十分な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となりやすく、磁気記録媒体の腐食の原因となる水の侵入を効果的に抑制でき、腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。また、Ｒ^２およびＲ^４が炭素原子数１５以下の連結基であると、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の疎水性が高すぎて、潤滑層と保護層との相互作用が弱まり、潤滑層の保護層に対する密着性が低下することを抑制できる。

Ｒ^２は、Ｒ^１と、酸素原子を介して結合されている。したがって、Ｒ^１が式（２）または（３）である場合、Ｒ^２とＲ^１はエーテル結合により結合する。Ｒ^１が水素原子である場合、Ｒ^２に結合している酸素原子とＲ^１が水酸基を形成する。Ｒ^２は、Ｒ^３に隣接するメチレン基と結合する側の末端が酸素原子であることが好ましい。
Ｒ^４は、Ｒ^５と、酸素原子を介して結合されている。したがって、Ｒ^５が式（２）または（３）である場合、Ｒ^４とＲ^５はエーテル結合により結合する。Ｒ^５が水素原子である場合、Ｒ^４に結合している酸素原子とＲ^５が水酸基を形成する。Ｒ^４は、Ｒ^３に隣接するメチレン基と結合する側の末端が酸素原子であることが好ましい。

式（１）中の－Ｒ^２－Ｏ－および－Ｒ^４－Ｏ－はそれぞれ独立に、下記式（４）で表されることが好ましい。

（式（４）中、ｌは１～３の整数を表す。ｌ個のｍはそれぞれ独立に、１～６の整数を表す。ｌ個のｎはそれぞれ独立に、１～６の整数を表す。１つの繰り返し単位において、ｍおよびｎの少なくとも一方は１である。Ｅは、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）を表す。式（４）中、最も左側の酸素原子は、Ｒ^３と結合しているメチレン基に結合し、Ｅは、Ｒ^１またはＲ^５と結合する。）

式（４）中のｌは１～３の整数である。したがって、式（４）は、１個～３個の繰り返し単位（－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＨ（ＯＨ）－（ＣＨ_２）_ｎ－Ｏ－）を有する。式（４）中の各繰り返し単位は、保護層との相互作用が大きい二級水酸基を１つ有する。しかも、式（４）中の各繰り返し単位は、Ｒ^１またはＲ^５と結合する側の末端に酸素原子を有している。また、式（４）中の、Ｒ^３と結合しているメチレン基と結合する側の末端が、Ｒ^３と結合しているメチレン基とエーテル結合により結合する。このため、式（４）は、適度な柔軟性を有する。これらのことから、式（４）中に含まれる１個～３個の二級水酸基は、それぞれ独立して保護層上に多数存在する活性点との結合に関与しやすく、保護層に対する密着性に優れる。

式（４）中のｌが３以下であるので、式（４）中の水酸基が多すぎることによって、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層に、腐食の原因となる水が誘引されることを防止でき、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。式（４）中のｌは、腐食抑制効果のより良好な潤滑層が得られるため、１～２の整数であることが好ましく、１であることが最も好ましい。

式（４）中のｌが２または３である場合、２個または３個の繰り返し単位（－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＨ（ＯＨ）－（ＣＨ_２）_ｎ－Ｏ－）中のｍとｎの組み合わせは、それぞれ異なっていてもよいし、一部または全部が同じであってもよい。

式（４）中のｌが２または３である場合、式（４）中の２個または３個の水酸基は、それぞれ異なる炭素原子に結合されている。また、水酸基の結合している炭素原子同士は、水酸基の結合していない炭素原子を含む連結鎖を介して結合している。このことから、式（４）中の２個または３個の水酸基は、式（４）中の水酸基の結合していない炭素原子を含む連結鎖によって、いずれも保護層へ密着できる配向となることができる。よって、式（４）中の２個または３個の水酸基は、いずれも保護層上に多数存在する活性点との結合に関与しやすい。

また、式（４）中のｌが２または３である場合、水酸基の結合している炭素原子間に配置された連結鎖に含まれる炭素原子は、近接する水酸基同士の分子内相互作用が、水酸基と保護層との相互作用に優先して生じることを防ぎ、式（４）中の水酸基と保護層との密着性を向上させる。

また、式（４）中のｌが２または３である場合、水酸基の結合している炭素原子同士の間の連結鎖は、水酸基の結合していない少なくとも２つの炭素原子を含む３原子以上の原子からなる直鎖状の構造となる。このため、水酸基の結合している炭素原子同士の間の連結鎖が、エーテル結合を形成している酸素原子を含むものであっても、良好な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となる。また、上記連結鎖が３原子以上の原子からなる直鎖状の構造であるため、分子の運動性が適切であり、分子内凝集が起こりにくく、保護層との優れた密着性を有するものとなる。

式（４）中におけるｌ個のｍはそれぞれ独立して１～６の整数を表し、ｌ個のｎはそれぞれ独立して１～６の整数を表す。式（４）中におけるｌ個のｍおよびｎが、それぞれ１以上であるので、十分な疎水性を有する含フッ素エーテル化合物となり、磁気記録媒体の腐食の原因となる水の侵入を効果的に抑制でき、腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

また、式（４）中の１つの繰り返し単位において、ｍおよびｎの少なくとも一方は１である。これは、水酸基の結合している炭素原子と、エーテル酸素原子との間のアルキレン基の炭素原子数が多すぎることによって、式（４）中に含まれる水酸基の運動性が低下することがなく、保護層との相互作用が生じやすいものとなるためである。

式（４）中の１つの繰り返し単位において、ｍとｎのうち１でない方が６以下であるので、水酸基の結合している炭素原子と、エーテル酸素原子との間の剛直なアルキレン鎖が長いことによって、式（４）の柔軟性が低下し、保護層との相互作用が弱まってこの部分が浮き上がることを防止できる。

式（４）中の１つの繰り返し単位において、ｍとｎのうち１でない方の数は、４以下であることが好ましい。式（４）の疎水性が高すぎて、保護層との密着性に支障を来すことを防止できるためである。また、式（４）が嵩高くなりすぎて、含フッ素エーテル化合物中の水酸基の運動を妨げる影響が大きくなることを抑制できるためである。また、ｍとｎのうち１でない方の数が４以下であると、式（４）の主鎖部分における剛直なアルキレン鎖が長すぎることによって、式（４）の柔軟性が低下し、保護層との相互作用が低下することを防止できるためである。これらのことから、ｍとｎのうち１でない方の数が４以下であると、含フッ素エーテル化合物中の水酸基が、それぞれ独立して保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとなる。

式（４）中の１つの繰り返し単位において、ｍとｎのうち１でない方の数は、３以下であることが好ましく、２以下であることがより好ましく、ｍとｎの両方が１であることが最も好ましい。
式（４）中の１つの繰り返し単位において、ｍとｎのうち１でない方の数は、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）の種類、および含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。

例えば、式（４）中の最も分子末端側（Ｒ^１またはＲ^５と結合する側）に配置された繰り返し単位のｎが２以上であると、Ｅが単結合である場合に、式（４）中の水酸基と、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）との間の距離がより適切となる場合がある。このため、Ｅが単結合である場合、式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位のｎは２～４であることが好ましい場合があり、２または３であることがより好ましい場合がある。

式（４）中のＥは単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－のいずれかであり、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）の種類、および含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能などに応じて適宜選択できる。
Ｅが単結合である場合、式（４）において、最も分子末端側（Ｒ^１またはＲ^５と結合する側）の繰り返し単位（－（ＣＨ_２）_ｍ－ＣＨ（ＯＨ）－（ＣＨ_２）_ｎ－Ｏ－）中の酸素原子が、直接Ｒ^１またはＲ^５と結合する。

式（４）中のＥが、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－のいずれかである場合、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の疎水性が高いものとなり、より腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。
また、式（４）中のＥが、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－のいずれかである場合、式（４）中の水酸基と、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）との間の距離がより適切となる場合がある。その結果、含フッ素エーテル化合物分子内の水酸基同士が相互作用することを抑制でき、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物内の水酸基が、それぞれ保護層へ密着しやすくなる場合がある。

式（４）中のＥは、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－であることが好ましく、単結合または－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－であることが好ましい。式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の疎水性が高すぎて、潤滑層と保護層との相互作用が弱まり、潤滑層の保護層に対する密着性が低下することを抑制できるためである。

式（４）中のｌ、式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位のｎ、およびＥは、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）の種類に応じて決定することが好ましい。

具体的には、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）が式（２）で表される末端基または式（３）で表される末端基であって、－Ｒ^２－Ｏ－（－Ｒ^４－Ｏ－）が式（４）である場合、式（４）中のｌは１または２であることが好ましい。この場合、式（４）中の二級水酸基の数が１個または２個となる。このため、Ｒ^１（Ｒ^５）が式（２）で表される末端基または式（３）で表される末端基であっても、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の疎水性が高すぎて、潤滑層と保護層との相互作用が弱まり、潤滑層の保護層に対する密着性が低下して、耐摩耗性が低下することを抑制できる。

また、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）が水素原子であって、－Ｒ^２－Ｏ－（－Ｒ^４－Ｏ－）が式（４）である場合、式（４）中のｌは１または２であることが好ましく、１であることが最も好ましい。式（４）の最も分子末端側に配置された酸素原子と、水素原子であるＲ^１（Ｒ^５）とが水酸基を形成している場合であっても、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中の水酸基の数が多すぎることによって親水性が高くなり、腐食の原因となる水が潤滑層に誘引されることを防止でき、耐腐食性の良好な潤滑層が得られるためである。

また、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）が式（２）で表される末端基または式（３）で表される末端基であって、－Ｒ^２－Ｏ－（－Ｒ^４－Ｏ－）が式（４）である場合、Ｅは、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－のいずれであってもよいし、ｌ個のｎはそれぞれ１～６の整数のいずれであってもよい。Ｅが単結合であって、式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位のｎが１であっても、式（４）中の最も分子末端側に配置された水酸基と、Ｎ，Ｎ－置換アミドとの間に、式（２）中のＸ^１または式（３）中のＸ^２で表されるアルキレン基が配置されるためである。

したがって、式（４）中の水酸基は、Ｒ^１（Ｒ^５）が式（２）または式（３）で表される末端基である場合のＮ，Ｎ－置換アミドと凝集しにくい。よって、式（４）中の水酸基は、Ｒ^１（Ｒ^５）が式（２）で表される末端基、式（３）で表される末端基のいずれであっても、保護層との相互作用が生じやすい。このことから、Ｒ^１（Ｒ^５）が式（２）または式（３）で表される末端基であって、－Ｒ^２－Ｏ－（－Ｒ^４－Ｏ－）が式（４）である場合、例えば、Ｒ^２（Ｒ^４）で示される２価の連結基中の水酸基が結合している炭素原子（－ＣＨ（ＯＨ）－中の炭素原子）と、Ｒ^１（Ｒ^５）とが、酸素原子のみを介して結合している場合と比較して、含フッ素エーテル化合物に含まれる－Ｒ^２－Ｏ－（－Ｒ^４－Ｏ－）の部分が浮き上がりにくく、保護層との密着性が良好な潤滑層を形成できるものとなる。

一方、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）が水素原子であって、－Ｒ^２－Ｏ－（－Ｒ^４－Ｏ－）が式（４）である場合、Ｅが、－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－のいずれかである、および／または式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位のｎが２～４であることが好ましい。式（４）中の最も分子末端側に配置された水酸基と、式（１）におけるＲ^１（Ｒ^５）との間に、炭素原子数２以上のアルキレン鎖が配置されるためである。

その結果、式（４）の最も分子末端側に配置された酸素原子と、水素原子であるＲ^１（Ｒ^５）とからなる水酸基が、式（４）中の最も分子末端側に配置された水酸基と凝集しにくいものとなる。また、式（４）中のＥの有するアルキレン鎖、および／または式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位の有するアルキレン鎖によって、疎水性が向上する。このため、式（４）の最も分子末端側に配置された酸素原子と、水素原子であるＲ^１（Ｒ^５）とが水酸基を形成していても、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中の水酸基の数が多すぎることによって親水性が高くなり、腐食の原因となる水が潤滑層に誘引されることを防止でき、耐腐食性の良好な潤滑層が得られる。

式（１）中の－Ｒ^２－Ｏ－および－Ｒ^４－Ｏ－はそれぞれ独立に、下記式（５－１）または（５－２）で表されることがより好ましい。

（式（５－１）中、ｐは０～３の整数を表し、ｑは０～２の整数を表し、ｒは１～３の整数を表す。式（５－１）中、最も左側の酸素原子は、Ｒ^３と結合しているメチレン基に結合し、最も右側の酸素原子は、Ｒ^１またはＲ^５と結合する。）
（式（５－２）中、ｓは０～２の整数を表し、ｔは０～３の整数を表す。式（５－２）中、最も左側の酸素原子は、Ｒ^３と結合しているメチレン基に結合し、最も右側の酸素原子は、Ｒ^１またはＲ^５と結合する。）

式（５－１）は、式（４）中のｌが１～３の整数であり、ｌ個のｍが１であり、式（４）中の最もＲ^３側に配置された繰り返し単位のｎが１～４で、式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位のｎが１であり、Ｅが－ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ－のいずれかであるものである。

式（５－２）は、式（４）中のｌが１～３の整数であり、ｌ個のｍが１であり、式（４）中の最もＲ^３側に配置された繰り返し単位のｎが１で、式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位のｎが１～４であり、Ｅが単結合であるものである。

式（５－１）中のｑ、および式（５－２）中のｓは、０～２の整数を表し、式（４）中の繰り返し単位の数よりも１少ない数に対応する。
式（５－１）中のｑが１または２である場合、および式（５－２）中のｓが１または２である場合、式（５－１）または（５－２）中の２個または３個の水酸基は、式（４）中の２個または３個の水酸基と同様に、いずれも保護層上に多数存在する活性点との結合に関与しやすく、保護層との強い相互作用が得られ、分子内凝集が起こりにくく、保護層との密着性に優れるものとなる。

式（５－１）中のｐは、０～３の整数を表し、式（４）中の最もＲ^３側に配置された繰り返し単位のｎよりも１少ない数に対応する。ｐは０または１であることが好ましく、０であることがより好ましい。

式（５－１）は、ｐとｒの合計値が６以下であるので、式（５－１）の主鎖部分のアルキレン鎖が長すぎないものとなる。したがって、剛直なアルキレン鎖が長いことによって、式（５－１）で表される部分の柔軟性が低下し、保護層との相互作用が弱まって、式（５－１）で表される部分が浮き上がることを防止できる。ｒは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。

式（５－２）中のｔは、０～３の整数を表し、式（４）中の最も分子末端側に配置された繰り返し単位のｎよりも１少ない数に対応する。ｔは１または２であることが好ましく、１であることがより好ましい。

（Ｒ^１およびＲ^５で示される末端基）
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５は、下記式（２）で表される末端基、（３）で表される末端基、または水素原子である。

（式（２）中、Ｘ^１は、炭素原子数１～３０のアルキレン基である。ＹおよびＺはそれぞれ独立に、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の脂肪族基である。ＹとＺは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。）
（式（３）中、Ｘ^２は、炭素原子数１～３０のアルキレン基である。ＡおよびＢはそれぞれ独立に、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の脂肪族基である。ＡとＢは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。）

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方は、式（２）または（３）で表される末端基である。
Ｒ^１およびＲ^５の両方が式（２）または（３）で表される末端基である場合、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドを含むことによる効果がより顕著な含フッ素エーテル化合物となり、耐摩耗性および耐腐食性のより良好な潤滑層が得られやすいものとなる。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１とＲ^５の両方が式（２）または（３）で表される末端基である場合、Ｒ^１とＲ^５とは、同じであってもよいし、異なっていても良い。Ｒ^１とＲ^５が同じであると、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層の保護層に対する被覆状態がより均一となり、より良好な密着性を有する潤滑層を形成できるものとなる。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１とＲ^５のうち一方（例えば、Ｒ^１）のみが、式（２）または（３）で表される末端基である場合、もう一方（例えば、Ｒ^５）は、水素原子である。この場合、Ｒ^１とＲ^５のうち式（２）または（３）で表される末端基ではない方に配置された水素原子は、Ｒ^２またはＲ^４に結合している酸素原子と水酸基を形成する。したがって、この含フッ素エーテル化合物は、一方の末端に、保護層との相互作用の大きい水酸基が配置されているものとなり、保護層との密着性に優れる潤滑層を形成できるものとなる。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドのアミド結合を構成しているカルボニル炭素原子または窒素原子に隣接する炭素原子の有する結合は、自由回転が難しい。このため、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドと、これに隣接するＲ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基とは、相互作用しにくく、Ｎ，Ｎ－置換アミドは、Ｒ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基の保護層への密着を阻害しにくい。よって、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な被膜状態を有する潤滑層を形成できる。

しかも、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドは、保護層と適度な相互作用を示す。このため、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミド、これに隣接するＲ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基、Ｒ^１とＲ^５のうち一方が水素原子である場合に一方の末端に形成される水酸基は、いずれも保護層上の活性点との結合に関与しやすいものとされている。このことにより、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、保護層との密着性が適度に良好な潤滑層を形成できる。

さらに、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドは、良好な脂溶性を有する。
これらのことから、式（２）および（３）で表される末端基は、これを含む含フッ素エーテル化合物において、化学物質耐性、耐摩耗性、耐腐食性の良好な潤滑層を形成する機能を有する。

式（２）で表される末端基は、Ｘ^１の有する炭素原子に、Ｎ，Ｎ－置換アミドのアミド結合を構成する窒素原子が結合した基である。式（３）で表される末端基は、Ｘ^２の有する炭素原子に、Ｎ，Ｎ－置換アミドのアミド結合を構成するカルボニル炭素原子が結合した基である。

式（２）で表される末端基中のＸ^１および式（３）で表される末端基中のＸ^２は、それぞれ炭素原子数１～３０のアルキレン基である。Ｘ^１（Ｘ^２）は、直鎖状の構造を有するものであってもよいし、分岐鎖状の構造を有するものであってもよい。
Ｘ^１（Ｘ^２）が炭素原子数１以上のアルキレン基であるので、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドと、これに隣接するＲ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基との相互作用を抑制できる。したがって、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドと、これに隣接するＲ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基は、それぞれ保護層上の活性点との結合に関与できる。

式（２）で表される末端基中のＸ^１は、炭素原子数２以上のアルキレン基であることが好ましい。式（２）で表されるＮ，Ｎ－置換アミドのアミド結合を構成する窒素原子と、この末端基に隣接するＲ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基とを離間させて、式（２）で表されるＮ，Ｎ－置換アミドと、この末端基に隣接するＲ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基との相互作用を抑制できるためである。

また、Ｘ^１（Ｘ^２）が炭素原子数３０以下のアルキレン基であるので、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物中の式（２）（式（３））で表される末端基が、保護層との相互作用を阻害する立体障害となることがない。したがって、含フッ素エーテル化合物中の式（２）（式（３））の有するＮ，Ｎ－置換アミドは、保護層との良好な親和性が得られる。Ｘ^１（Ｘ^２）は、炭素原子数６以下の直鎖状のアルキレン基であることが好ましく、－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、または－ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２－であることがより好ましく、－ＣＨ_２－または－ＣＨ_２ＣＨ_２－であることがさらに好ましい。式（２）で表される末端基中のＸ^１は、－ＣＨ_２ＣＨ_２－であることが最も好ましい。また、式（３）で表される末端基中のＸ^２は、－ＣＨ_２－であることが最も好ましい。

式（２）で表される末端基中のＹおよびＺ、式（３）で表される末端基中のＡおよびＢは、それぞれ独立に、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の脂肪族基である。炭素原子数１～３０の脂肪族基は、飽和脂肪族基であってもよく、不飽和脂肪族基であってもよい。

式（２）で表される末端基中のＹとＺは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。式（３）で表される末端基中のＡとＢは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。
式（２）で表される末端基中のＹおよびＺ、式（３）で表される末端基中のＡおよびＢが、極性基を有している場合の極性基としては、水酸基、シアノ基、アミノ基、カルボキシ基、ホルミル基、カルボニル基、スルホ基などが挙げられる。

式（２）中のＮ，Ｎ－置換アミドのアミド結合を構成する窒素原子には、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の１つの脂肪族基（式（２）中のＹ）が結合している。また、式（３）中のＮ，Ｎ－置換アミドのアミド結合を構成する窒素原子には、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～３０の２つの脂肪族基（式（３）中のＡおよびＢ）が結合している。

このため、例えば、式（２）中のＹの代わりに水素原子が結合した構造、または式（３）中のＡおよびＢの少なくとも一方の代わりに水素原子が結合した構造と比較して、式（２）（式（３））で表される末端基は、親水性が低く抑えられ、良好な脂溶性を有している。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、式（２）中のＹの代わりに水素原子が結合した構造、または式（３）中のＡおよびＢの少なくとも一方の代わりに水素原子が結合した構造を含む含フッ素エーテル化合物と比較して、水の誘引および侵入を抑制でき、磁気記録媒体の腐食を効果的に抑えることができる潤滑層を形成できる。

また、式（２）中のアミド結合を構成する窒素原子に結合している脂肪族基（式（２）中のＹ）、および式（３）中のアミド結合を構成する窒素原子に結合している脂肪族基（式（３）中のＡおよびＢ）は、水素原子と比較して嵩高い。このため、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、式（２）中のＹの代わりに水素原子が結合した構造、または式（３）中のＡおよびＢの少なくとも一方の代わりに水素原子が結合した構造を含む含フッ素エーテル化合物と比較して、式（２）および（３）の有するＮ，Ｎ－置換アミドと、これに隣接するＲ^２および／またはＲ^４で示される２価の連結基の有する極性基とが相互作用しにくく、凝集しにくいものとなる。

式（２）中のＹとＺ、および式（３）中のＡとＢが、互いに環状構造を形成していない直鎖状脂肪族アミドである場合、式（２）（式（３））で表される末端基の流動性が高いものとなる。よって、修復力が高く、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる含フッ素エーテル化合物となる。

式（２）中のＹおよびＺ、式（３）中のＡおよびＢが、互いに環状構造を形成していない直鎖状脂肪族アミドである場合、式（２）（式（３））で表される末端基の流動性がより高いものとなるため、式（２）中のＹとＺ、および式（３）中のＡとＢは、それぞれ独立して、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～８の脂肪族基であることが好ましく、極性基またはエーテル酸素原子を含んでもよい炭素原子数１～２の脂肪族基であることがより好ましい。

式（２）中のＹとＺ、および式（３）中のＡとＢが、互いに環状構造を形成していない場合、具体的には、それぞれ独立して、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、イソプロピル基、ターシャルブチル基、イソアミル基、１－ヒドロキシエチル基、１－ヒドロキシプロピル基、２－ヒドロキシプロピル基、１－メトキシエチル基、１－メトキシプロピル基、２－メトキシプロピル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基、プロピニル基、プロパルギル基、ブチニル基、メチルブチニル基、ペンチニル基、メチルペンチニル基、ヘキシニル基、シアノエチル基から選択されるいずれかの基であることが好ましい。これらの中でも、式（２）中のＹとＺ、および式（３）中のＡとＢは、互いに環状構造を形成していない場合、それぞれ独立してメチル基、エチル基、アリル基から選択される基であることが好ましく、それぞれ独立してメチル基またはエチル基であることがより好ましい。

式（２）中のＹとＺ、および式（３）中のＡとＢが、互いに環状構造を形成している脂肪族アミドである場合、これを含む潤滑層は、親水性が低く抑えられ、より優れた耐腐食性を有するものとなる。また、式（２）中のＹとＺ、および式（３）中のＡとＢが、エーテル酸素原子を含まない環状構造を有する脂肪族アミドである場合、これを含む潤滑層は、より一層、親水性が低く抑えられ、より優れた耐腐食性を有するものとなる。

式（２）で表される末端基中のＹとＺが、互いに環状構造を形成している脂肪族アミドである場合、式（２）における－Ｙ－Ｚ－は、例えば、メチレン基（－ＣＨ_２－）、エーテル結合（－Ｏ－）、アミン構造（－ＮＨ－）からなる群から選択される基の組み合わせとすることができる。式（２）におけるＹとＺが、互いに環状構造を形成している場合の環状構造は、アミド結合を構成するカルボニル炭素原子および窒素原子を含む、５～７員環であることが好ましい。

また、式（３）で表される末端基中のＡとＢが、互いに環状構造を形成している脂肪族アミドである場合、式（３）における－Ａ－Ｂ－は、例えば、メチレン基（－ＣＨ_２－）、エーテル結合（－Ｏ－）、アミン構造（－ＮＨ－）からなる群から選択される基の組み合わせとすることができる。式（３）におけるＡとＢが、互いに環状構造を形成している場合の環状構造は、アミド結合を構成する窒素原子を含む、５～７員環であることが好ましい。

式（２）中の－Ｙ－Ｚ－および式（３）中の－Ａ－Ｂ－は、極性基を有していてもよい。式（２）中の－Ｙ－Ｚ－および／または式（３）中の－Ａ－Ｂ－が極性基を有する場合、極性基は、環状構造を構成しているいずれの炭素原子に結合していてもよく、環状構造を構成する炭素原子間に極性基（例えば－ＮＨ－）が含まれていてもよい。

式（２）で表される末端基としては、例えば、下記式（２－１）～（２－５）で示されるいずれかの有機基が挙げられる。また、式（３）で表される末端基としては、例えば、下記式（３－１）～（３－５）で示されるいずれかの有機基が挙げられる。下記式（２－１）～（２－５）および下記式（３－１）～（３－５）中の点線は、式（１）中の－Ｒ^２－Ｏ－または－Ｒ^４－Ｏ－の酸素原子に結合される結合手である。
本実施形態の含フッ素エーテル化合物における式（２）または（３）で表される末端基は、下記式（２－１）～（２－５）および下記式（３－１）～（３－５）で示される有機基に限定されない。

式（２－１）、（２－２）または（３－１）、（３－２）で示される有機基は、直鎖状脂肪族アミドである。このため、式（２－１）、（２－２）または（３－１）、（３－２）で示される有機基は、環状構造を有する脂肪族アミドである式（２－３）～（２－５）または式（３－３）～（３－５）で示される有機基と比較して、流動性が高い。このことから、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（２－１）、（２－２）または（３－１）、（３－２）で示される有機基である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、一部が摩耗によって変形し、潤滑層中の含フッ素エーテル化合物が別の箇所に移動しても、再び元の位置に戻る修復力が高い。よって、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（２－１）、（２－２）または（３－１）、（３－２）で示される有機基である含フッ素エーテル化合物は、より優れた耐摩耗性を有する潤滑層を形成できる。

式（２－３）～（２－４）または（３－３）～（３－４）で示される有機基は、環状構造を有する脂肪族アミドであって、エーテル酸素原子を含まない。このため、式（２－３）～（２－４）または（３－３）～（３－４）で示される有機基は、式（２－１）、（２－２）、（２－５）または式（３－１）、（３－２）、（３－５）で示される有機基と比較して、良好な疎水性を有する。したがって、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（２－３）～（２－４）または（３－３）～（３－４）で示される有機基である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、親水性が低く抑えられ、磁気記録媒体の腐食の原因となる水が誘起されることを抑制できる。その結果、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（２－３）～（２－４）または（３－３）～（３－４）で示される有機基である含フッ素エーテル化合物は、磁気記録媒体の腐食抑制効果がより一層高い潤滑層を形成できる。

式（２－５）または（３－５）で示される有機基は、エーテル酸素原子を含む環状構造を有する脂肪族アミドである。このため、式（２－５）または（３－５）で示される有機基は、式（２－１）～（２－４）または式（３－１）～（３－４）で示される有機基と比較して、柔軟性が高い。したがって、Ｒ^１および／またはＲ^５が式（２－５）または（３－５）で示される有機基である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、適度な柔軟性を有し、含フッ素エーテル化合物中の極性基と保護層との親和性が良好なものとなる。

（Ｒ^３で示されるＰＦＰＥ鎖）
式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖である。Ｒ^３で示されるＰＦＰＥ鎖は、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤を保護層上に塗布して潤滑層を形成した場合に、保護層の表面を被覆するとともに、潤滑層に潤滑性を付与して磁気ヘッドと保護層との摩擦力を低減させる。Ｒ^３で示されるＰＦＰＥ鎖は、含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤に求められる性能等に応じて適宜選択される。

Ｒ^３で示されるＰＦＰＥ鎖としては、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体からなるものなどが挙げられる。パーフルオロアルキレンオキシドとしては、例えば、パーフルオロメチレンオキシド、パーフルオロエチレンオキシド、パーフルオロ－ｎ－プロピレンオキシド、パーフルオロイソプロピレンオキシド、パーフルオロブチレンオキシドなどが挙げられる。

式（１）におけるＲ^３は、例えば、パーフルオロアルキレンオキシドの重合体または共重合体に由来する下記式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖であることが好ましい。
－（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－ （６）
（式（６）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す。ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない。ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。式（６）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）

式（６）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表し、０～１５であることが好ましく、０～１０であることがより好ましい。
式（６）中、ｗ１、ｗ６はＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。ｗ１、ｗ６は、式（６）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。

式（６）における（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）は、繰り返し単位である。式（６）における繰り返し単位の配列順序には、特に制限はない。また、式（６）における繰り返し単位の種類の数にも、特に制限はない。

式（１）におけるＲ^３は、下記式（７－１）～（７－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であることが好ましい。
Ｒ^３が式（７－１）～（７－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種であると、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、Ｒ^３が式（７－１）～（７－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種である場合、ＰＦＰＥ鎖中の炭素原子数に対する酸素原子数（エーテル結合（－Ｏ－）数）の割合が適正である。このため、適度な硬さを有する含フッ素エーテル化合物となる。よって、保護層上に塗布された含フッ素エーテル化合物が、保護層上で凝集しにくく、より一層厚みの薄い潤滑層を十分な被覆率で形成できる。また、Ｒ^３が式（７－１）～（７－４）で表されるＰＦＰＥ鎖から選ばれるいずれか１種である含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層は、より緻密なものとなるため好ましい。

－ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－ （７－１）
（式（７－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－ （７－２）
（式（７－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
－ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ （７－３）
（式（７－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
－（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－ （７－４）
（式（７－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す。ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）

式（７－１）において、繰り返し単位である（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）との配列順序に、特に制限はない。式（７－１）において、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の数ｈと（ＯＣＦ_２）の数ｉは同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）の重合体であってもよい。また、式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖は、（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）と（ＯＣＦ_２）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかであってもよい。

式（７－１）～（７－３）においては、平均重合度を示すｈが１～２０、ｉが０～２０、ｊが１～１５、ｋが１～１０であるので、良好な潤滑性を有する潤滑層が得られる含フッ素エーテル化合物となる。また、式（７－１）～（７－３）においては、平均重合度を示すｈ、ｉが２０以下、ｊが１５以下、ｋが１０以下であるので、含フッ素エーテル化合物の粘度が高くなりすぎず、これを含む潤滑剤が塗布しやすいものとなり、好ましい。平均重合度を示すｈ、ｉ、ｊ、ｋは、保護層上に濡れ広がりやすく、均一な膜厚を有する潤滑層が得られやすい含フッ素エーテル化合物となるため、１～１０であることが好ましく、１．５～８であることがより好ましく、２～７であることがさらに好ましい。

式（７－４）において、繰り返し単位である（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）との配列順序には、特に制限はない。式（７－４）において、平均重合度を示す（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ８と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の数ｗ９は同じであってもよいし、異なっていてもよい。式（７－４）は、モノマー単位（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）と（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）とからなるランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体のいずれかを含むものであってもよい。

式（７－４）において、平均重合度を示すｗ８およびｗ９は、それぞれ独立に１～２０であり、１～１５であることが好ましく、さらに１～１０であることが好ましい。
式（７－４）におけるｗ７およびｗ１０は、ＣＦ_２の数を示す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。ｗ７およびｗ１０は、式（７－４）で表されるＰＦＰＥ鎖において、鎖状構造の端部に配置されている繰り返し単位の構造などに応じて決定される。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、極性基を４～６個有するものであることが好ましい。なお、上記極性基には、式（２）または（３）で表される末端基の有するＮ，Ｎ－置換アミドも含まれる。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の有する極性基の数が４以上であると、これを含む潤滑層の保護層に対する密着性がより一層良好となり、良好な被覆状態を有する潤滑層が得られやすいものとなる。また、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の有する極性基の数が６以下であると、式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の親水性が高すぎて、これを含む潤滑層に腐食の原因となる水が誘起されることを抑制できる。したがって、極性基の数が６以下である式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、より一層、磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物において、Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－と－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５は同じであってもよいし、異なっていてもよい。Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－と－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５が同じであると、含フッ素エーテル化合物の合成が容易であるため好ましい。

式（１）で表される含フッ素エーテル化合物は、具体的には、下記式（ＡＡ）～（ＡＬ）、（ＢＡ）～（ＢＦ）で表されるいずれかの化合物であることが好ましい。
式（１）で表される化合物が下記式（ＡＡ）～（ＡＬ）、（ＢＡ）～（ＢＦ）で表されるいずれかの化合物である場合、原料が入手しやすく、しかも、厚みが薄くても、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

下記式（ＡＡ）～（ＡＬ）、（ＢＡ）～（ＢＦ）で表される化合物において、ＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１、Ｒｆ_２、Ｒｆ_３は、それぞれ下記の構造である。すなわち、下記式（ＡＡ）～（ＡＬ）、（ＢＡ）～（ＢＤ）で表される化合物において、Ｒｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。下記式（ＢＥ）で表される化合物において、Ｒｆ_２は、上記式（７－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。下記式（ＢＦ）で表される化合物において、Ｒｆ_３は、上記式（７－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。なお、式（ＡＡ）～（ＡＬ）、（ＢＡ）～（ＢＦ）中のＰＦＰＥ鎖を表すＲｆ_１におけるｈおよびｉ、Ｒｆ_２におけるｊ、Ｒｆ_３におけるｋは、平均重合度を示す値であるため、必ずしも整数になるとは限らない。

（式（ＡＡ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＢ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＣ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＤ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＥ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＦ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）

（式（ＡＧ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＨ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＩ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＪ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＫ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＡＬ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）

（式（ＢＡ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＢＢ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＢＣ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＢＤ）中のＲｆ_１において、ｈ、ｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
（式（ＢＥ）中のＲｆ_２において、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
（式（ＢＦ）中のＲｆ_３において、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、数平均分子量（Ｍｎ）が５００～１００００の範囲内であることが好ましく、１０００～５０００の範囲内であることが特に好ましい。数平均分子量が５００以上であると、本実施形態の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑剤からなる潤滑層が優れた耐熱性を有するものとなる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、１０００以上であることがより好ましい。また、数平均分子量が１００００以下であると、含フッ素エーテル化合物の粘度が適正なものとなり、これを含む潤滑剤を塗布することによって、容易に膜厚の薄い潤滑層を形成できる。含フッ素エーテル化合物の数平均分子量は、潤滑剤に適用した場合に扱いやすい粘度となるため、５０００以下であることが好ましい。

含フッ素エーテル化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、ブルカー・バイオスピン社製ＡＶＡＮＣＥＩＩＩ４００による^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された値である。具体的には、^１９Ｆ－ＮＭＲによって測定された積分値よりＰＦＰＥ鎖の繰り返し単位数を算出し、数平均分子量を求める。ＮＭＲ（核磁気共鳴）の測定においては、試料をヘキサフルオロベンゼン／ｄ－アセトン（４／１ｖ／ｖ）溶媒へ希釈して測定する。^１９Ｆ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、ヘキサフルオロベンゼンのピークを－１６４．７ｐｐｍとし、^１Ｈ－ＮＭＲケミカルシフトの基準は、アセトンのピークを２．２ｐｐｍとする。

本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、適当な方法で分子量分画することにより、分子量分散度（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）比）を１．３以下とすることが好ましい。
本実施形態において、分子量分画する方法としては、特に制限されないが、例えば、シリカゲルカラムクロマトグラフィー法、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法などによる分子量分画、超臨界抽出法による分子量分画等を用いることができる。

「製造方法」
本実施形態の含フッ素エーテル化合物の製造方法は、特に限定されるものではなく、従来公知の製造方法を用いて製造できる。本実施形態の含フッ素エーテル化合物は、例えば、以下に示す製造方法を用いて製造できる。

（Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－と－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５とが同じである場合）
式（１）において、Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－と－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５とが同じである化合物を製造するには、まず、式（１）におけるＲ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。

次いで、フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－Ｏ－Ｒ^２－となる基（＝－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５となる基）を有するエポキシ化合物のエポキシ基とを反応させる。このことにより、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両方の末端にＲ^１－Ｏ－Ｒ^２－に対応する基（＝－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５に対応する基）を有する本実施形態の含フッ素エーテル化合物が得られる。

式（１）におけるＲ^１－Ｏ－Ｒ^２－となる基（＝－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５となる基）を有するエポキシ化合物としては、例えば、下記式（８－１）～（８－１４）で表される化合物などを用いることができる。式（８－１１）～（８－１４）中、ＴＨＰはテトラヒドロピラニル基を表す。

上記フッ素系化合物と上記エポキシ化合物とを反応させる場合、上記エポキシ化合物の有する水酸基を適切な保護基を用いて保護してから、上記フッ素系化合物と反応させても良い。

（Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－と－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５とが異なる場合）
式（１）において、Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－と－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５とが異なる化合物を製造するには、まず、式（１）におけるＲ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の両末端に、それぞれヒドロキシメチル基（－ＣＨ_２ＯＨ）が配置されたフッ素系化合物を用意する。

次いで、フッ素系化合物の一方の末端に配置されたヒドロキシメチル基の水酸基と、式（１）におけるＲ^１－Ｏ－Ｒ^２－となる基を有するエポキシ化合物のエポキシ基とを反応させる。このことにより、Ｒ^３に対応するパーフルオロポリエーテル鎖の一方の末端にＲ^１－Ｏ－Ｒ^２－に対応する基を有する中間体化合物１が得られる（第一反応）。

次に、上記中間体化合物１と、式（１）における－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５となる基を有するエポキシ化合物とを反応させる（第二反応）。
以上の工程を行うことにより、式（１）においてＲ^１－Ｏ－Ｒ^２－と－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５とが異なる本実施形態の含フッ素エーテル化合物が得られる。

［磁気記録媒体用潤滑剤］
本実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含む。
本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むことによる特性を損なわない範囲内であれば、潤滑剤の材料として使用されている公知の材料を、必要に応じて混合して用いることができる。

公知の材料の具体例としては、例えば、ＦＯＭＢＬＩＮ（登録商標） ＺＤＩＡＣ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＺＤＥＡＬ、ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ－２００１（以上Ｓｏｌｖａｙ Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｍｏｒｅｓｃｏ Ａ２０Ｈ（Ｍｏｒｅｓｃｏ社製）等が挙げられる。 本実施形態の潤滑剤と混合して用いる公知の材料は、数平均分子量が１０００～１００００であることが好ましい。

本実施形態の潤滑剤が、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の他の材料を含む場合、本実施形態の潤滑剤中の上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物の含有量が７０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることがより好ましく、９５質量％以上であることがさらに好ましい。

本実施形態の潤滑剤は、上記式（１）で表される含フッ素エーテル化合物を含むため、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ磁気記録媒体の腐食抑制効果の高い潤滑層を形成できる。

［磁気記録媒体］
本実施形態の磁気記録媒体は、基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられたものである。
本実施形態の磁気記録媒体では、基板と磁性層との間に、必要に応じて１層または２層以上の下地層を設けることができる。また、下地層と基板との間に、付着層および軟磁性層の少なくとも一方を設けることもできる。

図１は、本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す概略断面図である。
本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、付着層１２と、軟磁性層１３と、第１下地層１４と、第２下地層１５と、磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられた構造をなしている。

「基板」
基板１１としては、例えば、ＡｌもしくはＡｌ合金などの金属または合金材料からなる基体上に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成された非磁性基板等を用いることができる。
また、基板１１としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなる非磁性基板を用いてもよいし、これらの非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成した非磁性基板を用いてもよい。

「付着層」
付着層１２は、基板１１と、付着層１２上に設けられる軟磁性層１３とを接して配置した場合に生じる、基板１１の腐食の進行を防止する。
付着層１２の材料は、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金、ＣｒＴｉ、ＮｉＡｌ、ＡｌＲｕ合金等から適宜選択できる。付着層１２は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「軟磁性層」
軟磁性層１３は、第１軟磁性膜と、Ｒｕ膜からなる中間層と、第２軟磁性膜とが順に積層された構造を有していることが好ましい。すなわち、軟磁性層１３は、２層の軟磁性膜の間にＲｕ膜からなる中間層を挟み込むことによって、中間層の上下の軟磁性膜がアンチ・フェロ・カップリング（ＡＦＣ）結合した構造を有していることが好ましい。

第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の材料としては、ＣｏＺｒＴａ合金、ＣｏＦｅ合金などが挙げられる。
第１軟磁性膜および第２軟磁性膜に使用されるＣｏＦｅ合金には、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂの何れかを添加することが好ましい。これにより、第１軟磁性膜および第２軟磁性膜の非晶質化が促進される。その結果、第１下地層（シード層）の配向性を向上させることが可能になるとともに、磁気ヘッドの浮上量を低減することが可能となる。
軟磁性層１３は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第１下地層」
第１下地層１４は、その上に設けられる第２下地層１５および磁性層１６の配向および結晶サイズを制御する層である。
第１下地層１４としては、例えば、Ｃｒ層、Ｔａ層、Ｒｕ層、あるいはＣｒＭｏ合金層、ＣｏＷ合金層、ＣｒＷ合金層、ＣｒＶ合金層、ＣｒＴｉ合金層などからなるものが挙げられる。
第１下地層１４は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「第２下地層」
第２下地層１５は、磁性層１６の配向が良好になるように制御する層である。第２下地層１５は、ＲｕまたはＲｕ合金からなる層であることが好ましい。
第２下地層１５は、１層からなる層であってもよいし、複数層から構成されていてもよい。第２下地層１５が複数層からなる場合、全ての層が同じ材料から構成されていてもよいし、少なくとも一層が異なる材料から構成されていてもよい。
第２下地層１５は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

「磁性層」
磁性層１６は、磁化容易軸が基板面に対して垂直または水平方向を向いた磁性膜からなる。磁性層１６は、ＣｏとＰｔとを含む層である。磁性層１６は、ＳＮＲ特性を改善するために、酸化物、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒ等を含む層であってもよい。
磁性層１６に含有される酸化物としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＣｏＯ、Ｔａ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等が挙げられる。

磁性層１６は、１層から構成されていてもよいし、組成の異なる材料からなる複数の磁性層から構成されていてもよい。
例えば、磁性層１６が、下から順に積層された第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、さらに酸化物を含んだ材料からなるグラニュラー構造であることが好ましい。第１磁性層に含有される酸化物としては、例えば、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏ等の酸化物を用いることが好ましい。その中でも、特に、ＴｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２などを好適に用いることができる。また、第１磁性層は、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物からなることが好ましい。その中でも、特に、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２、Ｃｒ_２Ｏ_３－ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２等を好適に用いることができる。

第１磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、酸化物の他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。
第２磁性層には、第１磁性層と同様の材料を用いることができる。第２磁性層は、グラニュラー構造であることが好ましい。
第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、酸化物を含まない材料からなる非グラニュラー構造であることが好ましい。第３磁性層は、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの他に、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｍｎの中から選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。

磁性層１６が複数の磁性層で形成されている場合、隣接する磁性層の間には、非磁性層を設けることが好ましい。磁性層１６が、第１磁性層と第２磁性層と第３磁性層の３層からなる場合、第１磁性層と第２磁性層との間と、第２磁性層と第３磁性層との間に、非磁性層を設けることが好ましい。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層は、例えば、Ｒｕ、Ｒｕ合金、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金（Ｘ１は、Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｂの中から選ばれる１種または２種以上の元素を表す。）等を好適に用いることができる。

磁性層１６の隣接する磁性層間に設けられる非磁性層には、酸化物、金属窒化物、または金属炭化物を含んだ合金材料を使用することが好ましい。具体的には、酸化物として、例えば、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｙ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２等を用いることができる。金属窒化物として、例えば、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＴａＮ、ＣｒＮ等を用いることができる。金属炭化物として、例えば、ＴａＣ、ＢＣ、ＳｉＣ等を用いることができる。
非磁性層は、例えば、スパッタリング法により形成できる。

磁性層１６は、より高い記録密度を実現するために、磁化容易軸が基板面に対して垂直方向を向いた垂直磁気記録の磁性層であることが好ましい。磁性層１６は、面内磁気記録の磁性層であってもよい。
磁性層１６は、蒸着法、イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法等、従来公知のいかなる方法によって形成してもよい。磁性層１６は、通常、スパッタリング法により形成される。

「保護層」
保護層１７は、磁性層１６を保護する。保護層１７は、１層から構成されていてもよいし、複数層から構成されていてもよい。保護層１７としては、炭素系保護層を好ましく用いることができ、特にアモルファス炭素保護層が好ましい。保護層１７が炭素系保護層であると、潤滑層１８中の含フッ素エーテル化合物に含まれる極性基（特に水酸基）との相互作用が一層高まるため、好ましい。

炭素系保護層と潤滑層１８との付着力は、炭素系保護層を水素化炭素および／または窒素化炭素とし、炭素系保護層中の水素含有量および／または窒素含有量を調節することにより制御可能である。炭素系保護層中の水素含有量は、水素前方散乱法（ＨＦＳ）で測定したときに３原子％～２０原子％であることが好ましい。また、炭素系保護層中の窒素含有量は、Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ）で測定したときに、４原子％～１５原子％であることが好ましい。

炭素系保護層に含まれる水素および／または窒素は、炭素系保護層全体に均一に含有される必要はない。炭素系保護層は、例えば、保護層１７の潤滑層１８側に窒素を含有させ、保護層１７の磁性層１６側に水素を含有させた組成傾斜層とすることが好適である。この場合、磁性層１６および潤滑層１８と、炭素系保護層との付着力が、より一層向上する。

保護層１７の膜厚は、１ｎｍ～７ｎｍであることが好ましい。保護層１７の膜厚が１ｎｍ以上であると、保護層１７としての性能が充分に得られる。保護層１７の膜厚が７ｎｍ以下であると、保護層１７の薄膜化の観点から好ましい。

保護層１７の成膜方法としては、炭素を含むターゲット材を用いるスパッタ法、エチレンやトルエン等の炭化水素原料を用いるＣＶＤ（化学蒸着法）法、ＩＢＤ（イオンビーム蒸着）法等を用いることができる。
保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により成膜できる。特に、保護層１７として炭素系保護層を形成する場合、プラズマＣＶＤ法により、アモルファス炭素保護層を成膜することが好ましい。プラズマＣＶＤ法により成膜したアモルファス炭素保護層は、表面が均一で、粗さが小さいものとなる。

「潤滑層」
潤滑層１８は、磁気記録媒体１０の汚染を防止する。また、潤滑層１８は、磁気記録媒体１０上を摺動する磁気記録再生装置の磁気ヘッドの摩擦力を低減させて、磁気記録媒体１０の耐久性を向上させる。
潤滑層１８は、図１に示すように、保護層１７上に接して形成されている。潤滑層１８は、保護層１７上に上述した実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を塗布することにより形成されたものである。したがって、潤滑層１８は、上述の含フッ素エーテル化合物を含む。

潤滑層１８は、潤滑層１８の下に配置されている保護層１７が、炭素系保護層である場合、特に、保護層１７と高い結合力で結合される。その結果、潤滑層１８の厚みが薄くても、高い被覆率で保護層１７の表面が被覆された磁気記録媒体１０が得られやすくなり、磁気記録媒体１０の表面の汚染を効果的に防止できる。

潤滑層１８の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）～２．０ｎｍ（２０Å）であることが好ましく、０．５ｎｍ（５Å）～１．２ｎｍ（１２Å）であることがより好ましい。潤滑層１８の平均膜厚が０．５ｎｍ以上であると、潤滑層１８がアイランド状または網目状とならずに均一の膜厚で形成される。そのため、潤滑層１８によって、保護層１７の表面を高い被覆率で被覆できる。また、潤滑層１８の平均膜厚を２．０ｎｍ以下にすることで、潤滑層１８を充分に薄膜化でき、磁気ヘッドの浮上量を充分に小さくできる。

「潤滑層の形成方法」
潤滑層１８を形成する方法としては、例えば、基板１１上に保護層１７までの各層が形成された製造途中の磁気記録媒体を用意し、保護層１７上に潤滑層形成用溶液を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。

潤滑層形成用溶液は、上述の実施形態の磁気記録媒体用潤滑剤を必要に応じて、溶媒に分散溶解させ、塗布方法に適した粘度および濃度とすることにより得られる。
潤滑層形成用溶液に用いられる溶媒としては、例えば、バートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）、アサヒクリン（登録商標）ＡＥ－３０００（商品名、ＡＧＣ社製）等のフッ素系溶媒等が挙げられる。

潤滑層形成用溶液の塗布方法は、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレイ法、ペーパーコート法、ディップ法等が挙げられる。
ディップ法を用いる場合、例えば、以下に示す方法を用いることができる。まず、ディップコート装置の浸漬槽に入れられた潤滑層形成用溶液中に、保護層１７までの各層が形成された基板１１を浸漬する。次いで、浸漬槽から基板１１を所定の速度で引き上げる。このことにより、潤滑層形成用溶液を基板１１の保護層１７上の表面に塗布する。
ディップ法を用いることで、潤滑層形成用溶液を保護層１７の表面に均一に塗布することができ、保護層１７上に均一な膜厚で潤滑層１８を形成できる。

本実施形態においては、潤滑層１８を形成した基板１１に熱処理を施すことが好ましい。熱処理を施すことにより、潤滑層１８と保護層１７との密着性が向上し、潤滑層１８と保護層１７との付着力が向上する。
熱処理温度は１００℃～１８０℃とすることが好ましく、１００℃～１６０℃とすることがより好ましい。熱処理温度が１００℃以上であると、潤滑層１８と保護層１７との密着性を向上させる効果が充分に得られる。また、熱処理温度を１８０℃以下にすることで、熱処理による潤滑層１８の熱分解を防止できる。熱処理時間は、熱処理温度に応じて適宜調整でき、１０分～１２０分とすることが好ましい。

本実施形態においては、潤滑層１８の保護層１７に対する付着力をより一層向上させるために、熱処理前もしくは熱処理後の潤滑層１８に、紫外線（ＵＶ）を照射する処理を行ってもよい。

本実施形態の磁気記録媒体１０は、基板１１上に、少なくとも磁性層１６と、保護層１７と、潤滑層１８とが順次設けられたものである。本実施形態の磁気記録媒体１０では、保護層１７上に接して上述の含フッ素エーテル化合物を含む潤滑層１８が形成されている。この潤滑層１８は、膜厚が薄くても、化学物質耐性および耐摩耗性が良好で、かつ磁気記録媒体の腐食抑制効果の高いものである。よって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、信頼性、特に耐腐食性、および耐久性に優れる。
このことから、本実施形態の磁気記録媒体１０は、磁気スペーシング低減に寄与することができ、磁気ヘッド浮上量を低く（例えば、１０ｎｍ以下）でき、用途の多様化に伴う厳しい環境下であっても、長期に亘って安定して動作する。したがって、本実施形態の磁気記録媒体１０は、特にＬＵＬ（Ｌｏａｄ Ｕｎｌｏａｄ）方式の磁気ディスク装置に搭載される磁気ディスクとして好適である。

以下、実施例および比較例により本発明をさらに具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

［実施例１］
以下に示す方法により、上記式（ＡＡ）で表される化合物を得た。
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）５ｇと、上記式（８－１）で表される化合物３．１８ｇと、ｔ－ブタノール５ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．３０ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

式（８－１）で表される化合物は、Ｎ，Ｎ－ジメチルグリコールアミドの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

その後、反応液を食塩水２５ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル５０ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水２５ｍＬ、飽和重曹水２５ｍＬ、食塩水２５ｍＬの順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（ＡＡ）（式（ＡＡ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．０９ｇ得た。

得られた化合物（ＡＡ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．２５－３．６０（８Ｈ）、３．６５－３．９５（４Ｈ）、３．７５－４．００（２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例２］
以下に示す方法により、上記式（ＡＢ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－２）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＢ）（式（ＡＢ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．１５ｇ得た。

式（８－２）で表される化合物は、Ｎ，Ｎ－ジエチルグリコールアミドの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＢ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．２０－１．３０（１２Ｈ）、３．２０－３．６０（１２Ｈ）、３．６５－３．９５（４Ｈ）、３．７５－４．００（２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例３］
以下に示す方法により、上記式（ＡＣ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－３）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＣ）（式（ＡＣ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．５５ｇ得た。

式（８－３）で表される化合物は、グリコリルピロリジンの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＣ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．９５－２．１５（８Ｈ）、３．２０－３．６０（１２Ｈ）、３．６５－３．９５（４Ｈ）、３．７５－４．００（２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例４］
以下に示す方法により、上記式（ＡＤ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＤ）（式（ＡＤ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．６０ｇ得た。

式（８－４）で表される化合物は、グリコリルピぺリジンの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＤ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．３０－１．４５（４Ｈ）、１．９５－２．１０（８Ｈ）、３．２０－３．６５（１２Ｈ）、３．６５－３．９５（４Ｈ）、３．７５－４．００（２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例５］
以下に示す方法により、上記式（ＡＥ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－５）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＥ）（式（ＡＥ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．５５ｇ得た。

式（８－５）で表される化合物は、グリコリルモルホリンの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＥ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝３．２０－３．６５（２０Ｈ）、３．６５－３．９５（４Ｈ）、３．７５－４．００（２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例６］
以下に示す方法により、上記式（ＡＦ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－６）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＦ）（式（ＡＦ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．００ｇ得た。

式（８－６）で表される化合物は、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）－Ｎ－メチルアセトアミドの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＦ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．００（６Ｈ）、２．６５（６Ｈ）、３．２０－３．８０（１２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例７］
以下に示す方法により、上記式（ＡＧ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－７）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＧ）（式（ＡＧ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．０５ｇ得た。

式（８－７）で表される化合物は、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）－Ｎ－エチルアセトアミドの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＧ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（６Ｈ）、２．００（６Ｈ）、３．００（４Ｈ）、３．２０－３．８０（１２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例８］
以下に示す方法により、上記式（ＡＨ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－８）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＨ）（式（ＡＨ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．０５ｇ得た。

式（８－８）で表される化合物は、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）ピロリドンの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＨ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．００－２．６５（８Ｈ）、３．２０－３．８０（１６Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例９］
以下に示す方法により、上記式（ＡＩ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－９）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＩ）（式（ＡＩ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．１５ｇ得た。

式（８－９）で表される化合物は、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）ピペリドンの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＩ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．７５－１．９５（４Ｈ）、２．００－２．６５（８Ｈ）、３．２０－３．８０（１６Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１０］
以下に示す方法により、上記式（ＡＪ）で表される化合物を得た。
式（８－１）で表される化合物の代わりに、式（８－１０）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１と同様な操作を行い、化合物（ＡＪ）（式（ＡＪ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．００ｇ得た。

式（８－１０）で表される化合物は、Ｎ－（２－ヒドロキシエチル）モルホリノンの水酸基と、エピブロモヒドリンとを反応させることにより合成した。

得られた化合物（ＡＪ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．７５－１．９５（４Ｈ）、２．００－２．６５（８Ｈ）、３．２０－３．８０（１６Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１１］
以下に示す方法により、上記式（ＡＫ）で表される化合物を得た。
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）５ｇと、上記式（８－１１）で表される化合物３．５７ｇと、ｔ－ブタノール５ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．３０ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

式（８－１１）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。グリコリルピぺリジンとアリルグリシジルエーテルとを反応させて、Ｏ－（（３－アリルオキシ－（２－ヒドロキシプロピル））グリコリルピぺリジンを得た。その後、Ｏ－（（３－アリルオキシ－（２－ヒドロキシプロピル））グリコリルピぺリジンの水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護し、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を用いて二重結合を酸化する方法により合成した。

反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）１０ｇを加え、室温で４時間撹拌した。その後、反応液を飽和重曹水２５ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル５０ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水２５ｍＬ、飽和重曹水２５ｍＬ、食塩水２５ｍＬの順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（ＡＫ）（式（ＡＫ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．２７ｇ得た。

得られた化合物（ＡＫ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．３５－１．６５（１２Ｈ）、３．４０－３．９５（３２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１２］
以下に示す方法により、上記式（ＡＬ）で表される化合物を得た。
式（８－１１）で表される化合物の代わりに、式（８－１２）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１１と同様な操作を行い、化合物（ＡＬ）（式（ＡＬ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．５１ｇ得た。

式（８－１２）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。Ｎ－メチル－Ｎ－（ヒドロキシエチル）アセトアミドとアリルグリシジルエーテルとを反応させて、Ｎ－メチル－Ｎ－（（３－アリルオキシ－（２－ヒドロキシ）プロパン－１－オキシ）エチル）アセトアミドを得た。その後、Ｎ－メチル－Ｎ－（（３－アリルオキシ－（２－ヒドロキシ）プロパン－１－オキシ）エチル）アセトアミドの水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護し、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を用いて二重結合を酸化する方法により合成した。

得られた化合物（ＡＬ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．００（６Ｈ）、２．７０（６Ｈ）、３．２０－３．８０（２８Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１３］
以下に示す方法により、上記式（ＢＡ）で表される化合物を得た。
（第一反応）
窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコにＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｈは４．５であり、平均重合度を示すｉは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）１２．５ｇと、上記式（８－４）で表される化合物２．４０ｇと、ｔ－ブタノール１２ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド１．１０ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

反応後に得られた反応生成物を２５℃に冷却し、水１００ｍＬを入れた分液漏斗に移し、酢酸エチル１００ｍＬで３回抽出した。有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムによって脱水した。乾燥剤を濾別した後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体化合物１として、下記式（９）で示される化合物５．６２ｇを得た。

（式（９）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

（第二反応）
続いて、窒素ガス雰囲気下で１００ｍＬナスフラスコに、上記で得られた中間体化合物１である式（９）で示される化合物５．６２ｇと、式（８－１３）で表される化合物２．７０ｇと、ｔ－ブタノール２０ｍＬとを仕込み、室温で均一になるまで撹拌し、混合物とした。この混合物にカリウムｔｅｒｔ－ブトキシド０．５５ｇを加え、７０℃で１６時間撹拌して反応させた。

式（８－１３）で表される化合物は、エチレングリコールモノアリルエーテルの水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護した後、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を用いて二重結合を酸化する方法により合成した。

反応後に得られた反応液を室温に戻し、１０％塩化水素・メタノール溶液（塩化水素－メタノール試薬（５－１０％）東京化成工業株式会社製）５０ｇを加え、室温で４時間撹拌した。その後、反応液を飽和重曹水１００ｍＬが入った分液漏斗に少しずつ移し、酢酸エチル２００ｍＬで２回抽出した。有機層を食塩水１００ｍＬ、飽和重曹水１００ｍＬ、食塩水１００ｍＬの順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムによる脱水を行った。乾燥剤を濾別後、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、化合物（ＢＡ）（式（ＢＡ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を３．４４ｇ得た。

得られた化合物（ＢＡ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．５５－１．７５（６Ｈ）、３．４０－３．８５（２２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１４］
以下に示す方法により、上記式（ＢＢ）で表される化合物を得た。
式（８－１３）で表される化合物の代わりに、式（８－１４）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１３と同様な操作を行い、化合物（ＢＢ）（式（ＢＢ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．０１ｇ得た。

式（８－１４）で表される化合物は、以下に示す方法により合成した。エチレングリコールモノアリルエーテルの二重結合を、ｍ－クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）を用いて酸化した後、グリシドールの水酸基を反応させた。反応後、得られた化合物の２つの水酸基を、ジヒドロピランを用いて保護する方法により合成した。

得られた化合物（ＢＢ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．５５－１．７５（６Ｈ）、３．４０－３．８５（２８Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１５］
以下に示す方法により、上記式（ＢＣ）で表される化合物を得た。
式（８－４）で表される化合物の代わりに、式（８－６）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１３と同様な操作を行い、化合物（ＢＣ）（式（ＢＣ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．１１ｇ得た。

得られた化合物（ＢＣ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝２．００（３Ｈ）、２．６５（３Ｈ）、３．２０－３．８０（１２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１６］
以下に示す方法により、上記式（ＢＤ）で表される化合物を得た。
式（８－１３）で表される化合物の代わりに、式（８－６）で表される化合物を用いたこと以外は実施例１３と同様な操作を行い、化合物（ＢＤ）（式（ＢＤ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）を４．３１ｇ得た。

得られた化合物（ＢＤ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．６５－１．８５（４Ｈ）、３．４０－３．８５（２６Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－５５．５～－５１．５（９Ｆ）、－７８．５（２Ｆ）、－８０．５（２Ｆ）、－９１．０～－８８．５（１８Ｆ）

［実施例１７］
以下に示す方法により、上記式（ＢＥ）で表される化合物を得た。
ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｊＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｊは４．５である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は実施例４と同様な操作を行い、化合物（ＢＥ）（式（ＢＥ）中のＲｆ_２は、上記式（７－２）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_２において、平均重合度を示すｊは４．５を表す。）を４．５０ｇ得た。

得られた化合物（ＢＥ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．３０－１．４５（４Ｈ）、１．９５－２．１０（８Ｈ）、３．２０－３．６５（１２Ｈ）、３．６５－３．９５（４Ｈ）、３．７５－４．００（２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（１８Ｆ）、－８６．４（４Ｆ）、－１２４．３（４Ｆ）、－１３０．０～－１２９．０（９Ｆ）

［実施例１８］
以下に示す方法により、上記式（ＢＦ）で表される化合物を得た。
ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｈ（ＣＦ_２Ｏ）_ｉＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨで表される化合物の代わりに、ＨＯＣＨ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｋＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＨ_２ＯＨ（式中の平均重合度を示すｋは３．０である。）で表される化合物（数平均分子量１０００、分子量分布１．１）を用いたこと以外は実施例４と同様な操作を行い、化合物（ＢＦ）（式（ＢＦ）中のＲｆ_３は、上記式（７－３）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_３において、平均重合度を示すｋは３．０を表す。）を４．４４ｇ得た。

得られた化合物（ＢＦ）の^１Ｈ－ＮＭＲおよび^１９Ｆ－ＮＭＲ測定を行い、以下の結果により構造を同定した。
^１Ｈ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝１．３０－１．４５（４Ｈ）、１．９５－２．１０（８Ｈ）、３．２０－３．６５（１２Ｈ）、３．６５－３．９５（４Ｈ）、３．７５－４．００（２Ｈ）、３．８５－４．１０（４Ｈ）
^１９Ｆ－ＮＭＲ（ａｃｅｔｏｎｅ－Ｄ_６）：δ［ｐｐｍ］＝－８４．０～－８３．０（１６Ｆ）、－１２２．５（４Ｆ）、－１２６．０（１２Ｆ）、－１２９．０～－１２８．０（４Ｆ）

このようにして得られた実施例１～１８の化合物（ＡＡ）～（ＡＬ）、（ＢＡ）～（ＢＦ）を、それぞれ式（１）に当てはめたときのＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５の構造を表１に示す。

［比較例１］
下記式（ＺＡ）で表される化合物を、特許文献１に記載の方法で合成した。

（式（ＺＡ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

［比較例２］
下記式（ＺＢ）で表される化合物を、特許文献２に記載の方法を参考にして合成した。特許文献２の実施例１において、グリシジルフェニルエーテルの代わりにグリシジル４－アセトアミノフェニルエーテルを用いた。

（式（ＺＢ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

［比較例３］
下記式（ＺＣ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法を参考にして合成した。特許文献４の実施例１において、３－ヒドロキシプロパミドの代わりに２－ヒドロキシアセトアミドを用いた。

（式（ＺＣ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

［比較例４］
下記式（ＺＤ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（ＺＤ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

［比較例５］
下記式（ＺＥ）で表される化合物を、特許文献４に記載の方法で合成した。

（式（ＺＥ）中のＲｆ_１は、上記式（７－１）で表されるＰＦＰＥ鎖である。Ｒｆ_１において、平均重合度を示すｈは４．５を表し、平均重合度を示すｉは４．５を表す。）

このようにして得られた実施例１～１８および比較例１～５の化合物の数平均分子量（Ｍｎ）を、上記の方法により測定した。その結果を表４に示す。

次に、以下に示す方法により、実施例１～１８および比較例１～５で得られた化合物を用いて潤滑層形成用溶液を調製した。そして、得られた潤滑層形成用溶液を用いて、以下に示す方法により、磁気記録媒体の潤滑層を形成し、実施例１～１８および比較例１～５の磁気記録媒体を得た。

「潤滑層形成用溶液」
実施例１～１８および比較例１～５で得られた化合物を、それぞれフッ素系溶媒であるバートレル（登録商標）ＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）に溶解し、保護層上に塗布した時の膜厚が９．０Å～９．５ÅになるようにバートレルＸＦで希釈し、潤滑層形成用溶液とした。

「磁気記録媒体」
直径６５ｍｍの基板上に、付着層と軟磁性層と第１下地層と第２下地層と磁性層と保護層とを順次設けた磁気記録媒体を用意した。保護層は、炭素からなるものとした。
保護層までの各層の形成された磁気記録媒体の保護層上に、実施例１～１８および比較例１～５の潤滑層形成用溶液を、ディップ法により塗布した。なお、ディップ法は、浸漬速度１０ｍｍ／ｓｅｃ、浸漬時間３０ｓｅｃ、引き上げ速度１．２ｍｍ／ｓｅｃの条件で行った。

その後、潤滑層形成用溶液を塗布した磁気記録媒体を恒温槽に入れ、潤滑層形成用溶液中の溶媒を除去して保護層と潤滑層との密着性を向上させる熱処理を、１２０℃で１０分間行うことにより保護層上に潤滑層を形成し、磁気記録媒体を得た。

（膜厚測定）
このようにして得られた実施例１～１８および比較例１～５の磁気記録媒体の有する潤滑層の膜厚を、ＦＴ－ＩＲ（商品名：Ｎｉｃｏｌｅｔ ｉＳ５０、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて測定した。その結果を表４に示す。

次に、実施例１～１８および比較例１～５の磁気記録媒体に対して、以下に示す耐摩耗性試験、化学物質耐性試験、耐腐食性試験を行なった。
（耐摩耗性試験）
ピンオンディスク型摩擦摩耗試験機を用い、接触子としての直径２ｍｍのアルミナ球を、荷重４０ｇｆ、摺動速度０．２５ｍ／ｓｅｃで、磁気記録媒体の潤滑層上で摺動させ、潤滑層の表面の摩擦係数を測定した。そして、潤滑層の表面の摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間を測定した。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間は、各磁気記録媒体の潤滑層について４回ずつ測定し、その平均値（時間）を潤滑剤塗膜の耐摩耗性の指標とした。

実施例１～１８の化合物および比較例１～５の化合物を用いた磁気記録媒体の結果を、それぞれ表４に示す。摩擦係数が急激に増大するまでの摺動時間による耐摩耗性の評価基準は、以下のとおりとした。

「評価基準」
Ａ：６５０ｓｅｃ以上
Ｂ：５５０ｓｅｃ以上、６５０ｓｅｃ未満
Ｃ：４５０ｓｅｃ以上、５５０ｓｅｃ未満
Ｄ：４５０ｓｅｃ未満

なお、摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、以下に示す理由により、潤滑層の耐摩耗性の指標として用いることができる。磁気記録媒体の潤滑層は、磁気記録媒体を使用することにより摩耗が進行し、摩耗により潤滑層が無くなると、接触子と保護層とが直接接触して、摩擦係数が急激に増大するためである。本摩擦係数が急激に増大するまでの時間は、フリクション試験とも相関があると考えられる。

（化学物質耐性試験）
以下に示す方法により、高温環境下で汚染物質を生成させる環境物質による磁気記録媒体の汚染を調べた。環境物質としてＳｉイオンを用い、環境物質によって生成された磁気記録媒体を汚染する汚染物質の量としてＳｉ吸着量を測定した。

具体的には、評価対象である磁気記録媒体を、温度８５℃、湿度０％の高温環境下で、シロキサン系Ｓｉゴムの存在下に２４０時間保持した。次に、磁気記録媒体の表面に存在するＳｉ吸着量を、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）を用いて分析測定し、Ｓｉイオンによる汚染の程度をＳｉ吸着量として評価した。Ｓｉ吸着量の評価は、比較例１の結果を１．００としたときの数値を用いて、以下の評価基準に基づいて評価した。その結果を表４に示す。

「評価基準」
Ａ：Ｓｉ吸着量が０．７０未満
Ｂ：Ｓｉ吸着量が０．７０以上０．９０未満
Ｃ：Ｓｉ吸着量が０．９０以上１．１０未満
Ｄ：Ｓｉ吸着量が１．１０以上

（耐腐食性試験）
磁気記録媒体を温度８５℃、相対湿度９０％の条件下に４８時間曝露した。その後、磁気記録媒体上の表面に生じた直径５ミクロン以上のコロージョンスポットの数を、光学表面分析装置（ケーエルエー・テンコール株式会社製Ｃａｎｄｅｌａ７１４０）を用いて数え、以下の評価基準に基づいて評価した。その結果を表４に示す。

「評価基準」
Ａ：１５０箇所未満
Ｂ：１５０箇所以上、２５０箇所未満
Ｃ：２５０箇所以上、１０００箇所未満
Ｄ：１０００箇所以上

表４に示すように、実施例１～１８の磁気記録媒体は、すべての評価項目において評価がＡまたはＢであった。このことから、実施例１～１８の磁気記録媒体の潤滑層は、耐摩耗性および化学物質耐性が良好であり、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高いことが確認できた。

これに対し、比較例１では、両末端に－ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨが配置され、Ｎ，Ｎ－置換アミドを有する末端基を含まない化合物（ＺＡ）を用いている。このため、比較例１では、潤滑層の保護層に対する密着性が強すぎて耐摩耗性が不足し、しかも潤滑層の脂溶性が不足して、汚染物質を生成させる環境物質および磁気記録媒体の腐食の原因となる水が潤滑層に誘引され、耐腐食性および化学物質耐性が十分に得られなかったものと推定される。その結果、化合物（ＺＡ）を用いた比較例１の磁気記録媒体は、すべての評価項目において評価がＣであった。

また、比較例２では、一方の末端に、フェニレン基を介して、アミド結合を構成する窒素原子に１つの水素原子が結合しているアミド基（－ＮＨＣ（＝Ｏ）ＣＨ_３）が配置された化合物（ＺＢ）を用いている。比較例２では、Ｎ，Ｎ－置換アミドを有する末端基を含まない化合物（ＺＢ）を用いているため、末端基の脂溶性が不足しており、耐摩耗性および化学物質耐性の評価は良好であったが、耐腐食性の評価はＣになったものと推定される。

また、比較例３および比較例４は、いずれも、両末端に配置されたアミド基が、アミド結合を構成する窒素原子に２つの水素原子が結合している基であって、Ｎ，Ｎ－置換アミドを有する末端基を含まない化合物（化合物（ＺＣ）、（ＺＤ））を用いている。このため、比較例３および比較例４では、化合物（ＺＣ）、（ＺＤ）の脂溶性が不足しているものと推定される。また、比較例３および比較例４では、化合物の両末端に配置されたアミド基が、化合物中の水酸基と相互作用することによって、凝集したり、保護層上の活性点との結合に関与しない水酸基が生じて、汚染物質を生成させる環境物質および磁気記録媒体の腐食の原因となる水が潤滑層に誘引されたりしたものと推定される。これらのことから、化合物（ＺＣ）を用いた比較例３および化合物（ＺＤ）を用いた比較例４では、すべての評価項目において評価がＣになったものと推定される。

また、比較例５では、両末端に配置されたアミド基が、アミド結合を構成する窒素原子に１つの水素原子が結合している基である化合物（ＺＥ）を用いている。このため、比較例５では、アミド結合を構成する窒素原子に２つの水素原子が結合している化合物を用いた比較例３および比較例４よりも、耐摩耗性および化学物質耐性が良好となっている。しかし、比較例５では、化合物（ＺＥ）の脂溶性が不足しているため、耐腐食性の評価がＣになったものと推定される。

本発明の含フッ素エーテル化合物を含む磁気記録媒体用潤滑剤を用いることにより、厚みが薄くても、優れた密着性を有し、良好な化学物質耐性および耐摩耗性を有し、磁気記録媒体の腐食抑制効果が高い潤滑層を形成できる。

１０ 磁気記録媒体
１１ 基板
１２ 付着層
１３ 軟磁性層
１４ 第１下地層
１５ 第２下地層
１６ 磁性層
１７ 保護層
１８ 潤滑層

Claims (11)

1. 下記式（１）で表されることを特徴とする、含フッ素エーテル化合物。
   Ｒ^１－Ｏ－Ｒ^２－ＣＨ_２－Ｒ^３－ＣＨ_２－Ｒ^４－Ｏ－Ｒ^５ （１）
   （式（１）中、Ｒ^３は、パーフルオロポリエーテル鎖である。－Ｒ ^２ －Ｏ－および－Ｒ ^４ －Ｏ－がそれぞれ独立に、下記式（４）で表される２価の連結基であり、同じであっても異なっていても良い。Ｒ^１およびＲ^５は、下記式（２－１）～（２－５）で表される末端基、下記式（３－１）～（３－５）で表される末端基または水素原子であり、Ｒ^１およびＲ^５は、同じであっても良いし、それぞれ異なっていても良い。Ｒ^１およびＲ^５のうち少なくとも一方は、下記式（２－１）～（２－５）または（３－１）～（３－５）で表される末端基である。）
   （式（４）中、ｌは１～３の整数を表す。ｌ個のｍはそれぞれ独立に、１～６の整数を表す。ｌ個のｎはそれぞれ独立に、１～６の整数を表す。１つの繰り返し単位において、ｍおよびｎの少なくとも一方は１である。Ｅは、単結合、－ＣＨ _２ ＣＨ _２ Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）、－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）、または－ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ ＣＨ _２ Ｏ－（最も左側の炭素原子が、繰り返し単位中の酸素原子と結合する）を表す。式（４）中、最も左側の酸素原子は、Ｒ ^３ と結合しているメチレン基に結合し、Ｅは、Ｒ ^１ またはＲ ^５ と結合する。）
2. 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５がそれぞれ独立に、前記式（２－１）～（２－５）または（３－１）～（３－５）で表される末端基である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
3. 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５が同じである、請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
4. 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５が異なる、請求項２に記載の含フッ素エーテル化合物。
5. 前記式（１）中のＲ^１およびＲ^５の一方が前記式（２－１）～（２－５）または（３－１）～（３－５）で表される末端基であり、他方が水素原子である、請求項１に記載の含フッ素エーテル化合物。
6. 前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（６）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖である、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
   －（ＣＦ_２）_ｗ１－Ｏ－（ＣＦ_２Ｏ）_ｗ２－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ３－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ４－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ５－（ＣＦ_２）_ｗ６－ （６）
   （式（６）中、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５は平均重合度を示し、それぞれ独立に０～２０を表す。ただし、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５の全てが同時に０になることはない。ｗ１、ｗ６は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～３を表す。式（６）における繰り返し単位である（ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）、（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）の配列順序には、特に制限はない。）
7. 前記式（１）におけるＲ^３が、下記式（７－１）～（７－４）で表されるパーフルオロポリエーテル鎖から選ばれるいずれか１種である、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
   －ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２）_ｈ－（ＯＣＦ_２）_ｉ－ＯＣＦ_２－ （７－１）
   （式（７－１）中、ｈおよびｉは平均重合度を示し、ｈは１～２０を表し、ｉは０～２０を表す。）
   －ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｊ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２－ （７－２）
   （式（７－２）中、ｊは平均重合度を示し、１～１５を表す。）
   －ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－（ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２）_ｋ－ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２－ （７－３）
   （式（７－３）中、ｋは平均重合度を示し、１～１０を表す。）
   －（ＣＦ_２）_ｗ７－Ｏ－（ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ８－（ＣＦ_２ＣＦ_２Ｏ）_ｗ９－（ＣＦ_２）_ｗ１０－ （７－４）
   （式（７－４）中、ｗ８、ｗ９は平均重合度を示し、それぞれ独立に１～２０を表す。ｗ７、ｗ１０は、ＣＦ_２の数を表す平均値であり、それぞれ独立に１～２を表す。）
8. 数平均分子量が５００～１００００の範囲内である、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物。
9. 請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤。
10. 基板上に、少なくとも磁性層と、保護層と、潤滑層とが順次設けられた磁気記録媒体であって、
    前記潤滑層が、請求項１～請求項５のいずれか一項に記載の含フッ素エーテル化合物を含むことを特徴とする磁気記録媒体。
11. 前記潤滑層の平均膜厚が、０．５ｎｍ～２．０ｎｍである、請求項１０に記載の磁気記録媒体。