JP7816637B2

JP7816637B2 - 積層セラミックコンデンサ

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Description

本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。

積層セラミックコンデンサにおいては、高耐圧化が求められる場合がある。高耐圧化を実現する積層セラミックコンデンサとして、直列接続の複数のコンデンサ部が形成された構造、いわゆるシリーズ構造の積層セラミックコンデンサが知られている。（特許文献１参照）。

特開平１０－２６１５４６号公報

シリーズ構造の積層セラミックコンデンサにおいては、直列接続容量を形成するため、耐圧性は向上するが、その分、容量は低下する。しかしながら、シリーズ構造の積層セラミックコンデンサにおいても、容量の向上が求められる場合がある。

本発明は、高耐圧仕様の積層セラミックコンデンサにおいても、積層セラミックコンデンサのサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることが可能な積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。

本発明の積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層と、第２の内部電極層と、中間電極層とを含み、前記第１の内部電極層は、その一方端部が前記第１の端面に引き出されて前記第１の外部電極と接続する第１の引き出し部と、前記第１の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された内部電極層と対向する第１の対向部とを有し、前記第２の内部電極層は、その一方端部が前記第２の端面に引き出されて前記第２の外部電極と接続する第２の引き出し部と、前記第２の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された内部電極層と対向する第２の対向部とを有し、前記中間電極層は、前記第１の外部電極にも前記第２の外部電極にも接続されておらず、前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層と共に直列接続のコンデンサ素子を形成する内部電極層であり、前記中間電極層の少なくとも一部のカバレッジは、前記第１の内部電極層の前記第１の対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジよりも高く、かつ前記第２の内部電極層の前記第２の対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い。

本発明によれば、高耐圧仕様の積層セラミックコンデンサにおいても、積層セラミックコンデンサのサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることが可能な積層セラミックコンデンサを提供できる。

第１の実施形態に係る二連構造の積層セラミックコンデンサの外観斜視図である。図１のＩＩ－ＩＩ断面図であって、第１の実施形態に係る二連構造の積層体の概略構成を説明するための図である。図１のＩＩ－ＩＩ断面図であって、主に第１の実施形態に係る二連構造の積層体内における各部の厚みの関係を説明するための図である。図１のＩＩ－ＩＩ断面図であって、主に第１の実施形態に係る二連構造の積層体の内部電極層の領域を説明するための図である。図２ＡのＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図２ＡのＩＶＡ－ＩＶＡ断面図であって、第１の内部電極層および第２の内部電極層に沿った断面図である。図２ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ断面図であって、中間電極層に沿った断面図である。露出された内層部断面のＳＥＭによる拡大像の例を図面化した図である。導電性ペーストＰ１印刷時の誘電体シートの断面を示す模式図である。図６の誘電体シートへの導電性ペーストＰ２印刷時の誘電体シートの断面を示す模式図である。内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。第２の実施形態に係る三連構造の積層体の概略構成を説明するための図であって、第１の実施形態における図２Ａに相当する図である。第２の実施形態における内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。第３の実施形態に係る三連構造の積層体の高カバレッジ部の範囲を説明するための模式図である。第３の実施形態における内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。第４の実施形態に係る四連構造の積層体の高カバレッジ部の範囲を説明するための模式図である。第４の実施形態における内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。第５の実施形態に係る四連構造の積層体の高カバレッジ部の範囲を説明するための模式図である。第５の実施形態における内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。

＜第１の実施形態＞
図面を参照しながら本開示の第１の実施形態に係る二連構造の積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１について説明する。図１は、第１の実施形態に係る二連構造の積層セラミックコンデンサ１の外観斜視図である。図２Ａは、図１のＩＩ－ＩＩ断面図であって、第１の実施形態に係る二連構造の積層体の概略構成を説明するための図である。図２Ｂは、図１のＩＩ－ＩＩ断面図であって、主に第１の実施形態に係る二連構造の積層体内における各部の厚みの関係を説明するための図である。図３は、図２ＡのＩＩＩ－ＩＩＩ断面図である。図４Ａは、図２ＡのＩＶＡ－ＩＶＡ断面図であって、第１の内部電極層および第２の内部電極層に沿った断面図である。図４Ｂは、図２ＡのＩＶＢ－ＩＶＢ断面図であって、中間電極層に沿った断面図である。

なお、図面は、発明の内容を説明するため、模式的に簡略化して描画している場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。例えば、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図３に記述される内部電極層の数は、説明の便宜上、７層となっているが、これは、実際の内部電極層３０の数を示すものではない。なお、本発明において用いる、形状や幾何学的条件、および、それらの程度を特定する用語、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

図１に示すように、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状を有している。積層セラミックコンデンサ１は、略直方体形状を有する積層体１０と、積層体１０の両端部のそれぞれに互いに離間して配置された一対の外部電極４０と、を備えている。

図１において、矢印Ｔは、積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の積層方向を示している。この積層方向Ｔは、積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の厚み方向および高さ方向でもある。図１において、矢印Ｌは、積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の、積層方向Ｔに直交する長さ方向を示している。図１において、矢印Ｗは、積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の、積層方向Ｔおよび長さ方向Ｌに直交する幅方向を示している。一対の外部電極４０は、積層体１０の長さ方向Ｌの一端部および他端部にそれぞれ配置されている。

図１～図４Ｂ、後述の図９には、ＸＹＺ直交座標系が示されている。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の長さ方向Ｌは、Ｘ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の幅方向Ｗは、Ｙ方向と対応している。積層セラミックコンデンサ１および積層体１０の積層方向Ｔは、Ｚ方向と対応している。ここで、図２Ａ、図２Ｂおよび図９に示す断面は、ＬＴ断面とも称される。図３に示す断面は、ＷＴ断面とも称される。図４Ａおよび図４Ｂに示す断面は、ＬＷ断面とも称される。

図１～図４Ｂに示すように、積層体１０は、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、積層方向Ｔおよび長さ方向Ｌに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、を含む。

図１に示すように、積層体１０は、略直方体形状を有している。なお、積層体１０の長さ方向Ｌの寸法は、幅方向Ｗの寸法よりも必ずしも長いとは限らない。積層体１０の角部および稜線部には、丸みがつけられていることが好ましい。角部は、積層体の３面が交わる部分であり、稜線部は、積層体の２面が交わる部分である。なお、積層体１０を構成する表面の一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。例えば、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、図１～図２Ｃに示されるように第１の主面ＴＳ１上に凹部としての第１の凹部ＤＥ１が形成されている。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、図２Ａ～図２Ｃに示されるように第２の主面ＴＳ２上に凹部としての第２の凹部ＤＥ２が形成されている。ただし、凹部は形成されていなくてもよい。

積層体１０の寸法は、特に限定されないが、積層体１０の長さ方向Ｌの寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上６ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層体１０の積層方向Ｔの寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．０５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層体１０の幅方向Ｗの寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。

図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃおよび図３に示すように、積層体１０は、内層部１１と、積層方向Ｔにおいて内層部１１を挟み込むように配置された第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３と、を有する。

内層部１１は、積層方向Ｔに交互に積層される複数の誘電体層２０および複数の内部電極層３０を含む。内層部１１は、積層方向Ｔにおいて、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０から最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０までを含む。内層部１１では、複数の内部電極層３０が誘電体層２０を介して対向して配置されている。内層部１１は、静電容量を発生させ実質的にコンデンサとして機能する部分である。なお、内層部１１の積層方向Ｔの厚みは、最も第１の主面ＴＳ１側に位置する内部電極層３０の形状と最も第２の主面ＴＳ２側に位置する内部電極層３０の形状に伴って長さ方向Ｌに沿って変化している。

複数の誘電体層２０は、誘電体材料により構成される。誘電体材料は、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、またはＣａＺｒＯ_３などの成分を含む誘電体セラミックであってもよい。また、誘電体材料は、これらの主成分にＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分を添加したものであってもよい。誘電体材料は、主成分としてＢａＴｉＯ_３を含む材料であることが特に好ましい。

誘電体層２０の厚みは、０．２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。積層される誘電体層２０の枚数は、１５枚以上１２００枚以下であることが好ましい。なお、この誘電体層２０の枚数は、内層部１１の誘電体層２０の枚数と、第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３のそれぞれの誘電体層２０の枚数との総数である。

複数の内部電極層３０は、複数の第１の内部電極層３１と、複数の第２の内部電極層３２と、中間電極層３３と、を含む。第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２が長さ方向Ｌにおいて離間した状態で隣接して配置され、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２と、中間電極層３３とが、その間に誘電体層２０を挟んで積層方向Ｔに交互に配置されている。

第１の内部電極層３１は、第１の端面ＬＳ１に引き出され、後述の第１の外部電極４０Ａと接続されている。第２の内部電極層３２は、第２の端面ＬＳ２に引き出され、後述の第２の外部電極４０Ｂと接続されている。中間電極層３３は、第１の端面ＬＳ１にも第２の端面ＬＳ２にも引き出されず、後述の第１の外部電極４０Ａにも第２の外部電極４０Ｂにも接続されていない。複数の内部電極層３０に含まれる第１の内部電極層３１、中間電極層３３、第２の内部電極層３２により直列接続のコンデンサ素子を形成する。なお、以下においては、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３を区別して説明する必要のない場合には、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３をまとめて内部電極層３０という場合がある。

図２Ａ、図４Ａに示すように、第１の内部電極層３１は、第１の対向部ＥＡと、第１の引き出し部Ｄ１と、を有する。第１の対向部ＥＡは、誘電体層２０を間に挟んで積層方向Ｔに隣り合って配置された中間電極層３３に対向する領域であり、積層体１０の内部に位置する。第１の内部電極層３１は、第１の引き出し部Ｄ１に接続され、積層方向Ｔに隣り合って配置された内部電極層３０と対向する第１の対向部ＥＡを有する。第１の引き出し部Ｄ１は、第１の対向部ＥＡから第１の端面ＬＳ１に引き出されている部分であり、第１の端面ＬＳ１に露出している。第１の内部電極層３１は、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４０Ａと接続する第１の引き出し部Ｄ１を有する。

図２Ａ、図４Ａに示すように、第２の内部電極層３２は、第２の対向部ＥＢと、第２の引き出し部Ｄ２と、を有する。第２の対向部ＥＢは、誘電体層２０を間に挟んで積層方向Ｔに隣り合って配置された中間電極層３３に対向する領域であり、積層体１０の内部に位置する。第２の内部電極層３２は、第２の引き出し部Ｄ２に接続され、積層方向Ｔに隣り合って配置された内部電極層３０と対向する第２の対向部ＥＢを有する。第２の引き出し部Ｄ２は、第２の対向部ＥＢから第２の端面ＬＳ２に引き出されている部分であり、第２の端面ＬＳ２に露出している。第２の内部電極層３２は、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４０Ｂと接続する第２の引き出し部Ｄ２を有する。

図２Ａ、図４Ｂに示すように、中間電極層３３は、第１電極層側対向部ＥＣＡと、第２電極層側対向部ＥＣＢと、連結部Ｅ０と、を有する。第１電極層側対向部ＥＣＡは、誘電体層２０を間に挟んで積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の内部電極層３１に対向する領域であり、積層体１０の内部に位置する。第２電極層側対向部ＥＣＢは、誘電体層２０を間に挟んで積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の内部電極層３２に対向する領域であり、積層体１０の内部に位置する。連結部Ｅ０は、第１電極層側対向部ＥＣＡと第２電極層側対向部ＥＣＢとを連結する部分であり、第１電極層側対向部ＥＣＡと第２電極層側対向部ＥＣＢとの間に配置される。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、中間電極層３３の第１の端面ＬＳ１側の端部は、第１の端面ＬＳ１から離間して配置される。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、中間電極層３３の第１の端面ＬＳ１側の端部は、後述の第１の外部電極４０Ａの端部４０ＡＥよりも第１の端面ＬＳ１側に配置される。しかし、これに限らず、中間電極層３３の第１の端面ＬＳ１側の端部は、後述の第１の外部電極４０Ａの端部４０ＡＥよりも第２の端面ＬＳ２側に配置されてもよい。

中間電極層３３の第２の端面ＬＳ２側の端部は、第２の端面ＬＳ２から離間して配置される。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、中間電極層３３の第２の端面ＬＳ２側の端部は、後述の第２の外部電極４０Ｂの端部４０ＢＥよりも第２の端面ＬＳ２側に配置される。しかし、これに限らず、中間電極層３３の第２の端面ＬＳ２側の端部は、後述の第２の外部電極４０Ｂの端部４０ＢＥよりも第１の端面ＬＳ１側に配置されてもよい。

図２Ａ、図２Ｂに示されるように、第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２と、が長さ方向Ｌにおいて隣接するように配置される。第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２と、中間電極層３３と、が誘電体層２０を介して交互に重なるように積層されている。

本実施形態では、第１の対向部ＥＡと第１電極層側対向部ＥＣＡとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ１（第１コンデンサ部）が形成される。第２の対向部ＥＢと当該第１電極層側対向部ＥＣＡを含む中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ２（第２コンデンサ部）が形成される。連結部Ｅ０は、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ２を直列接続する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、直列接続の２つのコンデンサ部が形成されている、いわゆる２連構造のシリーズ構造の積層セラミックコンデンサ１である。

第１の対向部ＥＡ、第２の対向部ＥＢ、第１電極層側対向部ＥＣＡおよび第２電極層側対向部ＥＣＢの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。第１の引出き出し部Ｄ１および第２の引き出し部Ｄ２の形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。連結部Ｅ０の形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。

第１の対向部ＥＡの幅方向Ｗの寸法と第１の引き出し部Ｄ１の幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が小さく形成されていてもよい。第２の対向部ＥＢの幅方向Ｗの寸法と第２の引き出し部Ｄ２の幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が狭く形成されていてもよい。第１電極層側対向部ＥＣＡおよび第２電極層側対向部ＥＣＢの幅方向Ｗの寸法と連結部Ｅ０の幅方向Ｗの寸法は、同じ寸法で形成されていてもよく、どちらか一方の寸法が小さく形成されていてもよい。

第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、これらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成される。合金を用いる場合、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３は、例えばＡｇ－Ｐｄ合金等により構成されてもよい。

第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３のそれぞれの厚みは、例えば、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３の枚数は、合わせて１５枚以上１０００枚以下であることが好ましい。

図２Ａ、図２Ｂおよび図３に示すように、第１の主面側外層部１２は、積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に位置している。第１の主面側外層部１２は、第１の主面ＴＳ１と、最も第１の主面ＴＳ１に近い内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０の集合体である。一方、第２の主面側外層部１３は、積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に位置している。第２の主面側外層部１３は、第２の主面ＴＳ２と、最も第２の主面ＴＳ２に近い内部電極層３０との間に位置する複数の誘電体層２０の集合体である。第１の主面側外層部１２および第２の主面側外層部１３で用いられる誘電体層２０は、いずれも内層部１１で用いられる誘電体層２０と同じものであってもよい。

なお、積層体１０は、直列コンデンサ形成部１１Ｅを有する。直列コンデンサ形成部１１Ｅは、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡと中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ１を形成する部分）と、第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢと中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ２を形成する部分）と、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ２を直列接続する部分と、を含む。直列コンデンサ形成部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。図４Ａおよび図４Ｂには、直列コンデンサ形成部１１Ｅの幅方向Ｗおよび長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうち、静電容量ＣＡＰ１を形成する部分（第１コンデンサ部）と、静電容量ＣＡＰ２を形成する部分（第２コンデンサ部）は、コンデンサ有効部ともいう。

なお、積層体１０は、側面側外層部を有する。側面側外層部は、第１の側面側外層部ＷＧ１と、第２の側面側外層部ＷＧ２とを有する。第１の側面側外層部ＷＧ１は、直列コンデンサ形成部１１Ｅと、第１の側面ＷＳ１との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。第２の側面側外層部ＷＧ２は、直列コンデンサ形成部１１Ｅと第２の側面ＷＳ２との間に位置する誘電体層２０を含む部分である。図３、図４Ａおよび図４Ｂには、第１の側面側外層部ＷＧ１および第２の側面側外層部ＷＧ２の幅方向Ｗの範囲が示されている。なお、側面側外層部は、Ｗギャップまたはサイドギャップともいう。

なお、積層体１０は、端面側外層部を有する。端面側外層部は、第１の端面側外層部ＬＧ１と、第２の端面側外層部ＬＧ２とを有する。第１の端面側外層部ＬＧ１は、直列コンデンサ形成部１１Ｅと第１の端面ＬＳ１との間に位置する、誘電体層２０および第１の引き出し部Ｄ１を含む部分である。すなわち、第１の端面側外層部ＬＧ１は、複数枚の誘電体層２０の第１の端面ＬＳ１側の部分と複数枚の第１の引き出し部Ｄ１との集合体である。第２の端面側外層部ＬＧ２は、直列コンデンサ形成部１１Ｅと第２の端面ＬＳ２との間に位置する、誘電体層２０および第２の引き出し部Ｄ２を含む部分である。すなわち、第２の端面側外層部ＬＧ２は、複数枚の誘電体層２０の第２の端面ＬＳ２側の部分と複数枚の第２の引き出し部Ｄ２との集合体である。図２Ａ、図２Ｂ、図４Ａおよび図４Ｂには、第１の端面側外層部ＬＧ１および第２の端面側外層部ＬＧ２の長さ方向Ｌの範囲が示されている。なお、端面側外層部は、Ｌギャップまたはエンドギャップともいう。なお、積層体１０の直列コンデンサ形成部１１Ｅは、直列接続領域を有する。直列接続領域は、静電容量ＣＡＰ１を形成する部分と、静電容量ＣＡＰ２を形成する部分との間に位置する、誘電体層２０と連結部Ｅ０を含む部分である。すなわち、直列接続領域は、複数枚の誘電体層２０の長さ方向Ｌの中央部分と複数枚の連結部Ｅ０との集合体である。なお、直列接続領域は、中間ギャップともいう。

外部電極４０は、図１、図２Ａおよび図２Ｂに示すように、積層体１０の第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４０Ａと、積層体１０の第２の端面ＬＳ２側に配置された第２の外部電極４０Ｂと、を有する。

なお、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの基本的な構成は同じである。また、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂは、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌの中央のＷＴ断面に対して概ね面対称の形状を有する。よって以下においては、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂとを区別して説明する必要のない場合には、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂとをまとめて外部電極４０という場合がある。

第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１に露出する複数の第１の内部電極層３１のそれぞれの第１の引き出し部Ｄ１に接触している。これにより、第１の外部電極４０Ａは複数の第１の内部電極層３１に電気的に接続している。第１の外部電極４０Ａは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてよい。本実施形態では、第１の外部電極４０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２に露出する複数の第２の内部電極層３２のそれぞれの第２の引き出し部Ｄ２に接触している。これにより、第２の外部電極４０Ｂは複数の第２の内部電極層３２に電気的に接続している。第２の外部電極４０Ｂは、第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にも配置されていてよい。本実施形態では、第２の外部電極４０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

前述のとおり、積層体１０内においては、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡと中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡとが誘電体層２０を介して対向することにより静電容量ＣＡＰ１（第１コンデンサ部）が形成される。第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢと中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢが誘電体層２０を介して対向することにより、静電容量ＣＡＰ２（第２コンデンサ部）が形成される。連結部Ｅ０は、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ２を直列接続する。そのため、第１の内部電極層３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極層３２が接続された第２の外部電極４０Ｂとの間で、直列接続容量によるコンデンサの特性が発現する。

図２Ａ～図４Ｂに示すように、第１の外部電極４０Ａは、第１の下地電極層５０Ａと、第１の下地電極層５０Ａ上に配置された第１のめっき層６０Ａと、を有する。また、第２の外部電極４０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂと、第２の下地電極層５０Ｂ上に配置された第２のめっき層６０Ｂと、を有する。

第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上に配置されている。第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１に露出する複数の第１の内部電極層３１のそれぞれの第１の引き出し部Ｄ１に接続している。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａは、第１の端面ＬＳ１上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上に配置されている。第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２に露出する複数の第２の内部電極層３２のそれぞれの第２の引き出し部Ｄ２に接触している。本実施形態においては、第２の下地電極層５０Ｂは、第２の端面ＬＳ２上から第１の主面ＴＳ１の一部および第２の主面ＴＳ２の一部、ならびに第１の側面ＷＳ１の一部および第２の側面ＷＳ２の一部にまで延びて形成されている。

第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層、薄膜層等から選ばれる少なくとも１つを含む。

本実施形態の第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、焼き付け層である。焼き付け層は、金属成分と、ガラス成分もしくはセラミック成分のどちらか一方を含んでいるか、その両方を含んでいることが好ましい。金属成分は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。ガラス成分は、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。セラミック成分は、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いてもよいし、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３等から選ばれる少なくとも１つを含む。

焼き付け層は、例えば、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１０に塗布して焼き付けたものである。焼き付け層は、複数の内部電極および誘電体層を有する積層体１０の素材である焼成前の積層チップと、その積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時焼成して形成することができる。あるいは、その積層チップを焼成して積層体１０を得た後、その積層体１０に導電性ペーストを塗布して焼き付けることによっても形成してもよい。なお、上記構成の場合には、焼き付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。その場合、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。なお、焼き付け層は、複数層であってもよい。

第１の端面ＬＳ１上に位置する第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌに対応する厚みは、第１の下地電極層５０Ａの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。

第２の端面ＬＳ２上に位置する第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌに対応する厚みは、第２の下地電極層５０Ｂの積層方向Ｔおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２のうちの、少なくとも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられる第１の下地電極層５０Ａの積層方向Ｔに対応する厚みは、この部分に設けられる第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上２５μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２のうちの、少なくとも一方の面の一部にも第１の下地電極層５０Ａを設ける場合には、この部分に設けられる第１の下地電極層５０Ａの幅方向Ｗに対応する厚みは、この部分に設けられる第１の下地電極層５０Ａの長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上２５μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２のうちの、少なくとも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられる第２の下地電極層５０Ｂの積層方向Ｔに対応する厚みは、この部分に設けられる第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび幅方向Ｗの中央部において、例えば、３μｍ以上２５μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の側面ＷＳ１または第２の側面ＷＳ２のうちの、少なくとも一方の面の一部にも第２の下地電極層５０Ｂを設ける場合には、この部分に設けられる第２の下地電極層５０Ｂの幅方向Ｗに対応する厚みは、この部分に設けられる第２の下地電極層５０Ｂの長さ方向Ｌおよび積層方向Ｔの中央部において、例えば、３μｍ以上２５μｍ以下程度であることが好ましい。

なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂは、本実施形態においては、薄膜層であってもよい。薄膜層は、金属粒子が堆積された層である。

第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂを薄膜層で形成する場合は、スパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により形成されていることが好ましい。ここではスパッタリング法で形成されたスパッタ電極について説明する。

本実施形態の第１の下地電極層５０Ａは、スパッタ電極により形成された第１の薄膜層により構成されていてもよい。第２の下地電極層５０Ｂは、スパッタ電極により形成された第２の薄膜層により構成されていてもよい。スパッタ電極で下地電極層を形成する場合は、積層体１０の第１の主面ＴＳ１と第２の主面ＴＳ２の少なくともいずれか一方の一部に直接スパッタ電極を形成することが好ましい。スパッタ電極で形成される第１の薄膜層は、第１の主面ＴＳ１上の第１の側面ＷＳ１側の一部に配置されている。スパッタ電極で形成される第２の薄膜層は、第１の主面ＴＳ１上の第２の側面ＷＳ２側の一部に配置されている。

スパッタ電極により形成される薄膜層は、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｏ、ＭｏおよびＶからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含むことが好ましい。これにより、積層体１０に対する外部電極４０の固着力を高めることができる。薄膜層は、単層であってもよいし、複数層によって形成されていてもよい。例えば、Ｎｉ－Ｃｒ合金の層と、Ｎｉ－Ｃｕ合金の層の２層構造によって形成されていてもよい。

第１のめっき層６０Ａは、第１の下地電極層５０Ａを覆うように配置されている。

第２のめっき層６０Ｂは、第２の下地電極層５０Ｂを覆うように配置されている。

第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、それぞれ複数層により形成されていてもよい。第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂは、Ｎｉめっき層の上にＳｎめっき層が形成された２層構造が好ましい。

本実施形態においては、第１のめっき層６０Ａは、第１のＮｉめっき層６１Ａと、第１のＮｉめっき層６１Ａ上に位置する第１のＳｎめっき層６２Ａと、を有する。

本実施形態においては、第２のめっき層６０Ｂは、第２のＮｉめっき層６１Ｂと、第２のＮｉめっき層６１Ｂ上に位置する第２のＳｎめっき層６２Ｂと、を有する。

Ｎｉめっき層は、積層セラミックコンデンサ１を実装する際に、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂがはんだによって侵食されることを防止する。また、Ｓｎめっき層は、積層セラミックコンデンサ１を実装する際に、はんだの濡れ性を向上させる。これにより、積層セラミックコンデンサ１の実装を容易にする。第１のＮｉめっき層６１Ａ、第１のＳｎめっき層６２Ａ、第２のＮｉめっき層６１Ｂおよび第２のＳｎめっき層６２Ｂのそれぞれの厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。

なお、本実施形態の外部電極４０は、例えば、導電性粒子と熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層を有していてもよい。導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよい。導電性樹脂層が焼き付け層を覆うように配置される場合、導電性樹脂層は、焼き付け層とめっき層（第１のめっき層６０Ａ、第２のめっき層６０Ｂ）との間に配置される。導電性樹脂層は、焼き付け層上を完全に覆っていてもよいし、焼き付け層の一部を覆っていてもよい。

熱硬化性樹脂を含む導電性樹脂層は、例えば、めっき膜や導電性ペーストの焼成物からなる導電層よりも柔軟性に富んでいる。このため、積層セラミックコンデンサ１に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層は、緩衝層として機能する。よって、導電性樹脂層は、積層セラミックコンデンサ１のクラック発生を抑制する。

導電性粒子を構成する金属は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたは、それらを含む合金であってもよい。導電性粒子は、好ましくはＡｇを含む。導電性粒子は、例えばＡｇの金属粉である。Ａｇは、金属の中でもっとも比抵抗が低いため、電極材料に適している。また、Ａｇは貴金属であるため、酸化しにくく、対候性が高い。よって、Ａｇの金属粉は、導電性粒子として好適である。

また、導電性粒子は、表面がＡｇコーティングされた金属粉であってもよい。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。Ａｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにするために、Ａｇコーティングされた金属粉を用いることが好ましい。

さらに、導電性粒子は、Ｃｕ、Ｎｉに酸化防止処理を施したものであってもよい。また、導電性粒子は、金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングした金属粉であってもよい。金属粉の表面にＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕをコーティングされたものを使用する際には、金属粉は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉまたはそれらの合金粉であることが好ましい。

導電性粒子の形状は、特に限定されない。導電性粒子は、球形状、扁平状などの形状を有するものを用いることができるが、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合して用いることが好ましい。

導電性樹脂層に含まれる導電性粒子は、主に導電性樹脂層の通電性を確保する役割を担う。具体的には、複数の導電性粒子同士が接触することにより、導電性樹脂層内部に通電経路が形成される。

導電性樹脂層を構成する樹脂は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂から選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は、最も適切な樹脂の１つである。また、導電性樹脂層の樹脂は、熱硬化性樹脂と共に、硬化剤を含むことが好ましい。ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤は、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物であってもよい。

なお、導電性樹脂層は、複数層で形成されていてもよい。導電性樹脂層の最も厚い部分の厚みは、１０μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。

なお、第１の下地電極層５０Ａおよび第２の下地電極層５０Ｂを設けずに、積層体１０上に後述の第１のめっき層６０Ａおよび第２のめっき層６０Ｂが直接配置される構成であってもよい。すなわち、積層セラミックコンデンサ１は、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２とに、直接電気的に接続されるめっき層を含む構成であってもよい。このような場合、前処理として積層体１０の表面に触媒を配設した後で、めっき層が形成されてもよい。

この場合においても、めっき層は、複数層であることが好ましい。下層めっき層および上層めっき層はそれぞれ、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉまたはＺｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属またはこれらの金属を含む合金を含むことが好ましい。下層めっき層は、はんだバリア性能を有するＮｉを用いて形成されることがより好ましい。上層めっき層は、はんだ濡れ性が良好なＳｎまたはＡｕを用いて形成されることがより好ましい。なお、例えば、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２がＮｉを用いて形成される場合は、下層めっき層は、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いて形成されることが好ましい。なお、上層めっき層は必要に応じて形成されればよく、外部電極４０は、下層めっき層のみで構成されてもよい。また、めっき層は、上層めっき層を最外層としてもよいし、上層めっき層の表面にさらに他のめっき層を形成してもよい。

下地電極層を設けずに配置するめっき層の１層あたりの厚みは、２μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。なお、めっき層は、ガラスを含まないことが好ましい。めっき層の単位体積あたりの金属割合は、９９体積％以上であることが好ましい。

なお、めっき層を積層体１０上に直接形成する場合は、下地電極層の厚みを削減することができる。よって、下地電極層の厚みを削減した分、積層セラミックコンデンサ１の高さ方向Ｔの寸法を低減させて、積層セラミックコンデンサ１の低背化を図ることができる。あるいは、下地電極層の厚みを削減した分、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３の間に挟まれる誘電体層２０の厚みを厚くし、素体厚みの向上を図ることができる。このように、めっき層を積層体１０上に直接形成することで、積層セラミックコンデンサの設計自由度を向上させることができる。

以上が実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の基本構成である。なお、積層体１０と外部電極４０とを含む積層セラミックコンデンサ１の長さ方向の寸法をＬ寸法とすると、Ｌ寸法は、０．２ｍｍ以上６ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の積層方向の寸法をＴ寸法とすると、Ｔ寸法は、０．０５ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。また、積層セラミックコンデンサ１の幅方向の寸法をＷ寸法とすると、Ｗ寸法は、０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であることが好ましい。

ここで、本願発明者は、検討、実験、シミュレーションの積み重ねにより、積層セラミックコンデンサのサイズを大きくすることなく、容量を高めるために、積層セラミックコンデンサに含まれる各構成の寸法やカバレッジを適切な設定とすることが望ましいという知見を得た。なお、内部電極層３０には、金属材料の他に、金属材料が存在しない空洞の部分が含まれているが、内部電極層３０において金属材料が占める割合を、カバレッジとして説明する。カバレッジは、誘電体層２０に対する内部電極層３０の被覆率とも称される。なお、金属材料が存在しない空洞の部分には、誘電体等のセラミック成分やシリカ等のガラス成分が存在していてもよい。あるいは、金属材料が存在しない空洞の部分は、空隙であってもよい。以下、図１～図７を用いて、本実施形態について詳細に説明する。

内層部１１は、図２Ａ～図３に示されるように、第１の主面側内層部１１２と、第２の主面側内層部１１３と、第１の主面側内層部と第２の主面側内層部の間に配置された中央内層部１１１と、を有する。なお、上述のように、図２Ａ～図３は、模式的な図であり、説明の便宜上、内部電極層３０の数を少なく図示している。

第１の主面側内層部１１２は、内層部１１のうち第１の主面ＴＳ１側の部分である。第１の主面側内層部１１２は、例えば、内層部１１のうち第１の主面ＴＳ１側の部分であって、第１の主面ＴＳ１に最も近い内部電極層３０から少なくとも５層目までの内部電極層３０を含む部分である。第１の主面側内層部１１２は、例えば、積層方向における、内層部１１のうち第１の主面ＴＳ１側の２５％の部分である。

第２の主面側内層部１１３は、内層部１１のうち第２の主面ＴＳ２側の部分である。第２の主面側内層部１１３は、例えば、内層部１１のうち第２の主面ＴＳ２側の部分であって、第２の主面ＴＳ２に最も近い内部電極層３０から少なくとも５層目までの内部電極層３０を含む部分である。第２の主面側内層部１１３は、例えば、積層方向における、内層部１１のうち第２の主面ＴＳ２側の２５％の部分である。

中央内層部１１１は、内層部１１のうち積層体１０の積層方向Ｔの中央側の部分である。中央内層部１１１は、例えば、少なくとも積層体の積層方向Ｔの中央領域に配置された内部電極層３０を含む部分である。なお、中央内層部１１１、第１の主面側内層部１１２および第２の主面側内層部１１３の積層方向Ｔの厚みはそれぞれ、内部電極層３０の形状に伴って長さ方向Ｌに沿って変化している。

内層部１１の直列コンデンサ形成部１１Ｅは、図３～図４Ｂに示されるように、第１の側面側領域１１２Ｅと、第２の側面側領域１１３Ｅと、中央領域１１１Ｅと、を有する。

第１の側面側領域１１２Ｅは、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうち第１の側面ＷＳ１側の部分である。第１の側面側領域１１２Ｅは、例えば、幅方向Ｗにおける、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうちの第１の側面ＷＳ１側の２５％の部分である。なお、第１の側面側領域１１２Ｅは、第１の主面側内層部１１２、第２の主面側内層部１１３および中央内層部１１１の一部と重複する領域を有する。

第２の側面側領域１１３Ｅは、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうち第２の側面ＷＳ２側の部分である。第２の側面側領域１１３Ｅは、例えば、幅方向Ｗにおける、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうちの第２の側面ＷＳ２側の２５％の部分である。なお、第２の側面側領域１１３Ｅは、第１の主面側内層部１１２、第２の主面側内層部１１３および中央内層部１１１の一部と重複する領域を有する。

中央領域１１１Ｅは、第１の側面側領域１１２Ｅと、第２の側面側領域１１３Ｅとの間に配置される。中央領域１１１Ｅは、幅方向Ｗにおいて、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうち幅方向Ｗの中央領域を含む部分である。なお、中央領域１１１Ｅは、第１の主面側内層部１１２、第２の主面側内層部１１３および中央内層部１１１の一部と重複する領域を有する。

次に、内部電極層３０の詳細について、図２Ａ～図４Ｂを用いて説明する。

図２Ｃ、図４Ａに示すように、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡは、第１領域ＥＡ１と、第２領域ＥＡ２と、を有する。第１領域ＥＡ１は、第１の対向部ＥＡのうちの第１の端面ＬＳ１側の領域である。第２領域ＥＡ２は、第１の対向部ＥＡのうちの第２の端面ＬＳ２側の領域である。第２領域ＥＡ２は、第１領域ＥＡ１よりもカバレッジが高い。また、図２Ｂに示されるように、第２領域ＥＡ２は、第１領域ＥＡ１よりも積層方向Ｔにおいて厚く、第１領域ＥＡ１よりも積層体１０の外側に偏って配置される。

具体的には、第１の主面側内層部１１２において、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２は、第１領域ＥＡ１よりも積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に偏って配置される。また、本実施形態においては、第２の主面側内層部１１３において、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２は、第１領域ＥＡ１よりも積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に偏って配置されている。なお、第１の主面側内層部１１２、または第２の主面側内層部１１３の少なくともいずれか一方において、第２領域ＥＡ２が、第１領域ＥＡ１よりも積層体１０の外側に偏って配置されていてもよい。

図２Ｃ、図４Ａに示すように、第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢは、第３領域ＥＢ１と、第４領域ＥＢ２と、を有する。第３領域ＥＢ１は、第２の対向部ＥＢのうちの第２の端面ＬＳ２側の領域である。第４領域ＥＢ２は、第２の対向部ＥＢのうちの第１の端面ＬＳ１側の領域である。第４領域ＥＢ２は、第３領域ＥＢ１よりもカバレッジが高い。また、図２Ｂに示されるように、第４領域ＥＢ２は、第３領域ＥＢ１よりも積層方向Ｔにおいて厚く、第３領域ＥＢ１よりも積層体１０の外側に偏って配置される。

具体的には、第１の主面側内層部１１２において、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２は、第３領域ＥＢ１よりも積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に偏って配置される。また、本実施形態においては、第２の主面側内層部１１３において、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２は、第３領域ＥＢ１よりも積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に偏って配置されている。なお、第１の主面側内層部１１２、または第２の主面側内層部１１３の少なくともいずれか一方において、第４領域ＥＢ２が、第３領域ＥＢ１よりも積層体１０の外側に偏って配置されていてもよい。

本実施形態では、図２Ｃ、図４Ｂに示すように、中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡは、第５領域ＥＣＡ１と、第６領域ＥＣＡ２と、を有する。第５領域ＥＣＡ１は、第１電極層側対向部ＥＣＡのうちの第１の端面ＬＳ１側の領域である。第６領域ＥＣＡ２は、第１電極層側対向部ＥＣＡのうちの第２の端面ＬＳ２側の領域である。

第６領域ＥＣＡ２は、第５領域ＥＣＡ１よりもカバレッジが高い。また、図２Ｃに示されるように、第６領域ＥＣＡ２は、第５領域ＥＣＡ１よりも積層方向Ｔにおいて厚く、第５領域ＥＣＡ１よりも積層体１０の外側に偏って配置される。

具体的には、第１の主面側内層部１１２において、中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２は、中間電極層３３の第５領域ＥＣＡ１よりも積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に偏って配置される。また、本実施形態においては、第２の主面側内層部１１３において、中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２は、中間電極層３３の第５領域ＥＣＡ１よりも積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に偏って配置される。

本実施形態では、図２Ｃ、図４Ｂに示すように、中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢは、第７領域ＥＣＢ１と、第８領域ＥＣＢ２と、を有する。第７領域ＥＣＢ１は、第２電極層側対向部ＥＣＢのうちの第２の端面ＬＳ２側の領域である。第８領域ＥＣＢ２は、第２電極層側対向部ＥＣＢのうちの第１の端面ＬＳ１側の領域である。

第８領域ＥＣＢ２は、第７領域ＥＣＢ１よりもカバレッジが高い。また、図２Ｃに示されるように、第８領域ＥＣＢ２は、第７領域ＥＣＢ１よりも積層方向Ｔにおいて厚く、第７領域ＥＣＢ１よりも積層体１０の外側に偏って配置される。

具体的には、第１の主面側内層部１１２において、中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２は、中間電極層３３の第７領域ＥＣＢ１よりも積層体１０の第１の主面ＴＳ１側に偏って配置される。また、本実施形態においては、第２の主面側内層部１１３において、中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２は、中間電極層３３の第７領域ＥＣＢ１よりも積層体１０の第２の主面ＴＳ２側に偏って配置される。

また、中間電極層３３の少なくとも一部のカバレッジは、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジよりも高く、かつ第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

本実施形態では、中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２は、第１の内部電極層３１の第１領域ＥＡ１よりもカバレッジが高い。また、図２Ｃに示されるように、中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２は、第１の内部電極層３１の第１領域ＥＡ１よりも積層方向Ｔにおいて厚い。

本実施形態では、中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２は、第２の内部電極層３２の第３領域ＥＢ１よりもカバレッジが高い。また、図２Ｃに示されるように、中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２は、第２の内部電極層３２の第３領域ＥＢ１よりも積層方向Ｔにおいて厚い。

なお、本実施形態では、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡの第２領域ＥＡ２のカバレッジは、中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡの第５領域ＥＣＡ１のカバレッジよりも高い。図２Ｃに示されるように、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡの第２領域ＥＡ２は、中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡの第５領域ＥＣＡ１よりも積層方向Ｔにおいて厚い。

また、第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢの第４領域ＥＢ２のカバレッジは、中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢの第７領域ＥＣＢ１のカバレッジよりも高い。図２Ｃに示されるように、第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢの第４領域ＥＢ２は、中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢの第７領域ＥＣＢ１よりも積層方向Ｔにおいて厚い。

このため、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、図２Ｃに示されるように、上述の第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２のような、よりカバレッジが高い高カバレッジ部としての高カバレッジ領域が配置される。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズが大きくなることを抑制しつつ、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２、中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２および中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くしてカバレッジを高めて、容量を高めることができる。なお、中間電極層３３の連結部Ｅ０の厚みは、第６領域ＥＣＡ２および中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２の厚みと同じであることが好ましい。これにより、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ２とを、より高い信頼性で直列接続することができる。また、製造も容易となる。ただし、これに限らない。

第２領域ＥＡ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第１領域ＥＡ１および第２領域ＥＡ２は、相互に略平行な部分を有することが好ましい。より好ましくは、第１領域ＥＡ１および第２領域ＥＡ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行な部分を有する。

第４領域ＥＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第３領域ＥＢ１および第４領域ＥＢ２は、相互に略平行な部分を有することが好ましい。より好ましくは、第３領域ＥＢ１および第４領域ＥＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行な部分を有する。

第６領域ＥＣＡ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第５領域ＥＣＡ１および第６領域ＥＣＡ２は、相互に略平行な部分を有することが好ましい。より好ましくは、第５領域ＥＣＡ１および第６領域ＥＣＡ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行な部分を有する。

第６領域ＥＣＡ２と、第１領域ＥＡ１および第２領域ＥＡ２とは、相互に略平行な部分を有することが好ましい。より好ましくは、第６領域ＥＣＡ２と、第１領域ＥＡ１および第２領域ＥＡ２とは、積層方向Ｔと直交する面と略平行な部分を有する。

第８領域ＥＣＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第７領域ＥＣＢ１および第８領域ＥＣＢ２は、相互に略平行な部分を有することが好ましい。より好ましくは、第７領域ＥＣＢ１および第８領域ＥＣＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行な部分を有する。

第８領域ＥＣＢ２と、第３領域ＥＢ１および第４領域ＥＢ２とは、相互に略平行な部分を有することが好ましい。より好ましくは、第８領域ＥＣＢ２と、第３領域ＥＢ１および第４領域ＥＢ２とは、積層方向Ｔと直交する面と略平行な部分を有する。

第５領域ＥＣＡ１、第６領域ＥＣＡ２、第７領域ＥＣＢ１および第８領域ＥＣＢ２は、相互に略平行な部分を有することが好ましい。より好ましくは、第５領域ＥＣＡ１、第６領域ＥＣＡ２、第７領域ＥＣＢ１および第８領域ＥＣＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行な部分を有する。

これにより、積層セラミックコンデンサ１として局所的に寸法が大きくなるような部分が形成されるのを抑制することが可能となり、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高めることができる。

長さ方向Ｌにおいて、第２領域ＥＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第４領域ＥＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０は、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１よりも短い。また、長さ方向Ｌにおいて、第６領域ＥＣＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第８領域ＥＣＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０は、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１よりも短い。

なお、長さ方向Ｌにおいて、第２領域ＥＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第４領域ＥＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０と第６領域ＥＣＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第８領域ＥＣＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０は、略等しいことが好ましいが、これに限らない。なお、長さ方向Ｌにおいて、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１の範囲内に、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２が配置されていることが好ましい。

なお、長さ方向Ｌにおいて、第２領域ＥＡ２および第６領域ＥＣＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端部は、第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２に配置されている第１の外部電極４０Ａの積層体中央側の端部４０ＡＥよりも、第２の端面ＬＳ２側に配置されている。なお、長さ方向Ｌにおいて、第４領域ＥＢ２および第８領域ＥＣＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端部は、第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２に配置されている第２の外部電極４０Ｂの積層体中央側の端部４０ＢＥよりも、第１の端面ＬＳ１側に配置されている。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズが大きくなることを抑制しつつ、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くしてカバレッジを高めて、容量を高めることができる。

なお、長さ方向Ｌにおいて、第１領域ＥＡ１および第５領域ＥＣＡ１の第１の端面ＬＳ１側の端部（図２ＣにおけるＥＡ１、ＥＣＡ１領域の左端）は、第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２に配置されている第１の外部電極４０Ａの積層体中央側の端部４０ＡＥよりも、第１の端面ＬＳ１側に配置されている。なお、長さ方向Ｌにおいて、第３領域ＥＢ１および第７領域ＥＣＢ１の第２の端面ＬＳ２側の端部（図２ＣにおけるＥＢ１、ＥＣＢ１領域の右端）は、第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２に配置されている第２の外部電極４０Ｂの積層体中央側の端部４０ＢＥよりも、第２の端面ＬＳ２側に配置されている。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズが大きくなることを抑制しつつ、直列コンデンサ形成部１１Ｅの領域を大きく確保し、容量を高めることができる。

第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２の積層方向Ｔの厚みは、上述のように、第１領域ＥＡ１の積層方向Ｔの厚みよりも厚い。

例えば、第２領域ＥＡ２の厚みは、第１領域ＥＡ１の厚みの１０１％以上１１１％以下であることが好ましい。第２領域ＥＡ２の厚みは、第１領域ＥＡ１の厚みの１０１％以上１１０％以下であってもよく、１０２％以上１１０％以下であることがより好ましい。例えば、第２領域ＥＡ２の厚みは、第１領域ＥＡ１の厚みの１０３％以上１１０％以下であることがさらに好ましい。

第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２の積層方向Ｔの厚みは、上述のように、第３領域ＥＢ１の積層方向Ｔの厚みよりも厚い。

例えば、第４領域ＥＢ２の厚みは、第３領域ＥＢ１の厚みの１０１％以上１１１％以下であることが好ましい。第４領域ＥＢ２の厚みは、第３領域ＥＢ１の厚みの１０１％以上１１０％以下であってもよく、１０２％以上１１０％以下であることがより好ましい。例えば、第４領域ＥＢ２の厚みは、第３領域ＥＢ１の厚みの１０３％以上１１０％以下であることがさらに好ましい。

中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２の積層方向Ｔの厚みは、上述のように、第５領域ＥＣＡ１の積層方向Ｔの厚みよりも厚い。

例えば、第６領域ＥＣＡ２の厚みは、第５領域ＥＣＡ１の厚みの１０１％以上１１１％以下であることが好ましい。第６領域ＥＣＡ２の厚みは、第５領域ＥＣＡ１の厚みの１０１％以上１１０％以下であってもよく、１０２％以上１１０％以下であることがより好ましい。例えば、第６領域ＥＣＡ２の厚みは、第５領域ＥＣＡ１の厚みの１０３％以上１１０％以下であることがさらに好ましい。

中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２の積層方向Ｔの厚みは、上述のように、第７領域ＥＣＢ１の積層方向Ｔの厚みよりも厚い。

例えば、第８領域ＥＣＢ２の厚みは、第７領域ＥＣＢ１の厚みの１０１％以上１１１％以下であることが好ましい。第８領域ＥＣＢ２の厚みは、第７領域ＥＣＢ１の厚みの１０１％以上１１０％以下であってもよく、１０２％以上１１０％以下であることがより好ましい。例えば、第８領域ＥＣＢ２の厚みは、第７領域ＥＣＢ１の厚みの１０３％以上１１０％以下であることがさらに好ましい。

第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３をまとめて説明すると、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚みは、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１の厚みよりも厚い。第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚みは、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１の厚みの１０１％以上１１１％以下であることが好ましい。

第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚みは、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１の厚みの１０１％以上１１０％以下であってもよく、１０２％以上１１０％以下であることがより好ましい。例えば、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚みは、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１の厚みの１０３％以上１１０％以下であることがさらに好ましい。

第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡの第２領域ＥＡ２の積層方向Ｔの厚みは、第１の引き出し部Ｄ１の厚みよりも厚い。

例えば、第２領域ＥＡ２の厚みは、第１の引き出し部Ｄ１の厚みの１０１％以上１１１％以下であることが好ましい。例えば、第２領域ＥＡ２の厚みは、第１の引き出し部Ｄ１の厚みの１０１％以上１１０％以下であってもよく、１０２％以上１１０％以下であることがより好ましい。例えば、第２領域ＥＡ２の厚みは、第１の引き出し部Ｄ１の厚みの１０３％以上１１０％以下であることがさらに好ましい。

第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢの第４領域ＥＢ２の積層方向Ｔの厚みは、第２の引き出し部Ｄ２の厚みよりも厚い。

例えば、第４領域ＥＢ２の厚みは、第２の引き出し部Ｄ２の厚みの１０１％以上１１１％以下であることが好ましい。例えば、第４領域ＥＢ２の厚みは、第２の引き出し部Ｄ２の厚みの１０１％以上１１０％以下であってもよく、１０２％以上１１０％以下であることがより好ましい。例えば、第４領域ＥＢ２の厚みは、第２の引き出し部Ｄ２の厚みの１０３％以上１１０％以下であることがさらに好ましい。

第２領域ＥＡ２は、第１領域ＥＡ１のカバレッジよりもカバレッジが高い。

第２領域ＥＡ２のカバレッジと、第１領域ＥＡ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上であることが好ましい。また、第２領域ＥＡ２のカバレッジと、第１領域ＥＡ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることが好ましい。

第２領域ＥＡ２のカバレッジと、第１領域ＥＡ１のカバレッジとの差は、３パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがより好ましく、より高い効果が見込まれる。また、第２領域ＥＡ２のカバレッジと、第１領域ＥＡ１のカバレッジとの差は、４パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがさらに好ましい。

第４領域ＥＢ２は、第３領域ＥＢ１のカバレッジよりもカバレッジが高い。

第４領域ＥＢ２のカバレッジと、第３領域ＥＢ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上であることが好ましい。また、第４領域ＥＢ２のカバレッジと、第３領域ＥＢ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることが好ましい。

第４領域ＥＢ２のカバレッジと、第３領域ＥＢ１のカバレッジとの差は、３パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがより好ましく、より高い効果が見込まれる。また、第４領域ＥＢ２のカバレッジと、第３領域ＥＢ１のカバレッジとの差は、４パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがさらに好ましい。

第６領域ＥＣＡ２は、第５領域ＥＣＡ１のカバレッジよりもカバレッジが高い。

第６領域ＥＣＡ２のカバレッジと、第５領域ＥＣＡ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上であることが好ましい。また、第６領域ＥＣＡ２のカバレッジと、第５領域ＥＣＡ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることが好ましい。

第６領域ＥＣＡ２のカバレッジと、第５領域ＥＣＡ１のカバレッジとの差は、３パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがより好ましく、より高い効果が見込まれる。また、第６領域ＥＣＡ２のカバレッジと、第５領域ＥＣＡ１のカバレッジとの差は、４パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがさらに好ましい。

第８領域ＥＣＢ２は、第７領域ＥＣＢ１のカバレッジよりもカバレッジが高い。

第８領域ＥＣＢ２のカバレッジと、第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上であることが好ましい。また、第８領域ＥＣＢ２のカバレッジと、第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることが好ましい。

第８領域ＥＣＢ２のカバレッジと、第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとの差は、３パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがより好ましく、より高い効果が見込まれる。また、第８領域ＥＣＢ２のカバレッジと、第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとの差は、４パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがさらに好ましい。

第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３をまとめて説明すると、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２カバレッジは、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１のカバレッジよりも高い。第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２のカバレッジは、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１のカバレッジよりも２パーセントポイント以上高いことが好ましい。

また、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２のカバレッジと、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとの差は、２パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることが好ましい。第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２のカバレッジと、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとの差は、３パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがより好ましく、より高い効果が見込まれる。また、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２のカバレッジと、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとの差は、４パーセントポイント以上１１パーセントポイント以下であることがさらに好ましい。

これにより、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くして、カバレッジを十分高めることができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。

複数の内部電極層３０は、さらに傾斜部を有する。例えば、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡは、図２Ｂに示されるように、第１領域ＥＡ１と第２領域ＥＡ２とを連結する第１の傾斜部ＦＡ１を有する。

第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢは、図２Ｂ、図２Ｃに示されるように、第３領域ＥＢ１と第４領域ＥＢ２とを連結する第２の傾斜部ＦＢ１を有する。

中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡは、図２Ｂ、図２Ｃに示されるように、第５領域ＥＣＡ１と第６領域ＥＣＡ２とを連結する第３の傾斜部ＦＣＡ１を有する。中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢは、図２Ｂに示されるように、第７領域ＥＣＢ１と第８領域ＥＣＢ２とを連結する第４の傾斜部ＦＣＢ１を有する。

第１の傾斜部ＦＡ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ３および第２の傾斜部ＦＢ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ４は、第２領域ＥＡ２の長さ方向Ｌにおける第１の端面ＬＳ１側の端から第４領域ＥＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０よりも短い。また、第３の傾斜部ＦＣＡ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ３および第４の傾斜部ＦＣＢ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ４は、第６領域ＥＣＡ２の長さ方向Ｌにおける第１の端面ＬＳ１側の端から第８領域ＥＣＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０よりも短い。

これにより、カバレッジの高い第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の面積を確保することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。

なお、第１領域ＥＡ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ１および第３領域ＥＢ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ２は、第２領域ＥＡ２の長さ方向Ｌにおける第１の端面ＬＳ１側の端から第４領域ＥＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０よりも短くてもよい。また、第５領域ＥＣＡ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ１および第７領域ＥＣＢ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ２は、第６領域ＥＣＡ２の長さ方向Ｌにおける第１の端面ＬＳ１側の端から第８領域ＥＣＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０よりも短くてもよい。

なお、第１の対向部ＥＡの面積に対する第２領域ＥＡ２の面積の割合は３０％以上８０％以下であることが好ましく、３０％以上６０％以下であってもよい。第２の対向部ＥＢの面積に対する第４領域ＥＢ２の面積の割合は３０％以上８０％以下であることが好ましく、３０％以上６０％以下であってもよい。

なお、第１電極層側対向部ＥＣＡの面積に対する第６領域ＥＣＡ２の面積の割合は３０％以上８０％以下であることが好ましく、３０％以上６０％以下であってもよい。第２電極層側対向部ＥＣＢの面積に対する第８領域ＥＣＢ２の面積の割合は３０％以上８０％以下であることが好ましく、３０％以上６０％以下であってもよい。

これにより、直列コンデンサ形成部１１Ｅの領域を大きく確保しつつ、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂを配置する領域も確保し、さらにカバレッジの高い第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の面積を適切に確保することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。

なお、第１の傾斜部ＦＡ１および第３の傾斜部ＦＣＡ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ３、第２の傾斜部ＦＢ１および第４の傾斜部ＦＣＢ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ４は、略等しいことが好ましいが、これに限らない。なお、長さ方向Ｌにおいて、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１の範囲内に、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２が配置されていると共に、第１の傾斜部ＦＡ１、第２の傾斜部ＦＢ１、第３の傾斜部ＦＣＡ１、第４の傾斜部ＦＣＢ１が配置されていることが好ましい。

第２領域ＥＡ２の長さ方向Ｌにおける第１の端面ＬＳ１側の端から第４領域ＥＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端、または第６領域ＥＣＡ２の長さ方向Ｌにおける第１の端面ＬＳ１側の端から第８領域ＥＣＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｅ０と、第１の傾斜部ＦＡ１または第３の傾斜部ＦＣＡ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ３と、第２の傾斜部ＦＢ１または第４の傾斜部ＦＣＢ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｅ４と、を加えた距離（＝Ｌｅ０＋Ｌｅ３＋Ｌｅ４）は、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１よりも短いことが好ましい。ただし、これに限らない。

第２領域ＥＡ２に対する第１の傾斜部ＦＡ１の傾斜角度θは、１°以上であることが好ましい。例えば、第２領域ＥＡ２に対する第１の傾斜部ＦＡ１の傾斜角度θは、１°以上１２°以下であってもよい。より好ましくは、第２領域ＥＡ２に対する第１の傾斜部ＦＡ１の傾斜角度θは、２°以上１０°以下であってもよい。

第４領域ＥＢ２に対する第２の傾斜部ＦＢ１の傾斜角度θは、１°以上であることが好ましい。例えば、第４領域ＥＢ２に対する第２の傾斜部ＦＢ１の傾斜角度θは、１°以上１２°以下であってもよい。より好ましくは、第４領域ＥＢ２に対する第２の傾斜部ＦＢ１の傾斜角度θは、２°以上１０°以下であってもよい。

第６領域ＥＣＡ２に対する第３の傾斜部ＦＣＡ１の傾斜角度θは、１°以上であることが好ましい。例えば、第６領域ＥＣＡ２に対する第３の傾斜部ＦＣＡ１の傾斜角度θは、１°以上１２°以下であってもよい。より好ましくは、第６領域ＥＣＡ２に対する第３の傾斜部ＦＣＡ１の傾斜角度θは、２°以上１０°以下であってもよい。

第８領域ＥＣＢ２に対する第４の傾斜部ＦＣＢ１の傾斜角度θは、１°以上であることが好ましい。例えば、第８領域ＥＣＢ２に対する第４の傾斜部ＦＣＢ１の傾斜角度θは、１°以上１２°以下であってもよい。より好ましくは、第８領域ＥＣＢ２に対する第４の傾斜部ＦＣＢ１の傾斜角度θは、２°以上１０°以下であってもよい。

なお、図２Ｃには、第２の内部電極層３２における、第４領域ＥＢ２に対する第２の傾斜部ＦＢ１の傾斜角度θ、および中間電極層３３における、第８領域ＥＣＢ２に対する第４の傾斜部ＦＣＢ１の傾斜角度θを、上述の傾斜角度θの代表として示している。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズが大きくなることを抑制しつつ、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くしてカバレッジを高めて、容量を高めることができる。具体的には、上述の傾斜角度θを１°以上とすることで、好ましくは２°以上とすることで、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くするための領域を確保することができる。また、上述の傾斜角度θを１２°以下とすることで、好ましくは１０°以下とすることで、積層体１０の表面が積層方向Ｔにおいて膨らみすぎて外部電極４０の表面よりも外側に突出してしまうことを抑制することができる。

より具体的には、傾斜角度θを上述の範囲内とすることにより、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚みと、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１の厚みとの関係を、本実施形態の範囲内に設定することが容易となる。また、傾斜角度θを上述の範囲内とすることにより、後述の積層体１０の露出部の中心における最大距離Ｔ０と、後述の積層体の被覆部における最大距離Ｔ１との関係を、後述の本実施形態の範囲内に設定することが容易となる。

第１の傾斜部ＦＡ１の厚みは、図２Ａ～図２Ｃに示されるように、第１の端面ＬＳ１に向かうにつれて漸減する。また、第２の傾斜部ＦＢ１の厚みは、図２Ａ～図２Ｃに示されるように、第２の端面ＬＳ２に向かうにつれて漸減する。

第３の傾斜部ＦＣＡ１の厚みは、図２Ａ～図２Ｃに示されるように、第１の端面ＬＳ１に向かうにつれて漸減する。また、第４の傾斜部ＦＣＢ１の厚みは、図２Ａ～図２Ｃに示されるように、第２の端面ＬＳ２に向かうにつれて漸減する。

内部電極層３０の厚みが急激に変化している部分があると、誘電体層２０を挟む内部電極層３０間の距離が局所的に短い部分ができてしまう可能性がある。この場合、その部分に電界が集中するため、積層セラミックコンデンサ１の信頼性が低下するおそれがある。上記構成であれば、傾斜部付近において内部電極層３０間の距離が局所的に短い部分が形成されることを抑制することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく容量を高めつつ、電解集中による積層セラミックコンデンサ１の信頼性の低下を抑制することができる。

また、傾斜部における応力集中を防ぐことができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく容量を高めつつ、さらに積層体のクラックの発生を抑制することができる。

第１の傾斜部ＦＡ１によって生じる第１領域ＥＡ１と第２領域ＥＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ１は、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きいことが好ましい。より好ましくは、第１の傾斜部ＦＡ１によって生じる第１領域ＥＡ１と第２領域ＥＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ１は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第１の傾斜部ＦＡ１によって生じる第１領域ＥＡ１と第２領域ＥＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ１は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第１の傾斜部ＦＡ１によって生じる第１領域ＥＡ１と第２領域ＥＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ１は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

第２の傾斜部ＦＢ１によって生じる第３領域ＥＢ１と第４領域ＥＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ２は、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きいことが好ましい。より好ましくは、第２の傾斜部ＦＢ１によって生じる第３領域ＥＢ１と第４領域ＥＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ２は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第２の傾斜部ＦＢ１によって生じる第３領域ＥＢ１と第４領域ＥＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ２は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第２の傾斜部ＦＢ１によって生じる第３領域ＥＢ１と第４領域ＥＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ２は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

第３の傾斜部ＦＣＡ１によって生じる第５領域ＥＣＡ１と第６領域ＥＣＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ３は、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きいことが好ましい。より好ましくは、第３の傾斜部ＦＣＡ１によって生じる第５領域ＥＣＡ１と第６領域ＥＣＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ３は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第３の傾斜部ＦＣＡ１によって生じる第５領域ＥＣＡ１と第６領域ＥＣＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ３は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第３の傾斜部ＦＣＡ１によって生じる第５領域ＥＣＡ１と第６領域ＥＣＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ３は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

第４の傾斜部ＦＣＢ１によって生じる第７領域ＥＣＢ１と第８領域ＥＣＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ４は、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きいことが好ましい。より好ましくは、第４の傾斜部ＦＣＢ１によって生じる第７領域ＥＣＢ１と第８領域ＥＣＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ４は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層の積層方向Ｔの２０厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第４の傾斜部ＦＣＢ１によって生じる第７領域ＥＣＢ１と第８領域ＥＣＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ４は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第４の傾斜部ＦＣＢ１によって生じる第７領域ＥＣＢ１と第８領域ＥＣＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ４は、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

なお、上述の内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅは、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２における内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みである。誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃは、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みである。

これにより、傾斜部による段差を生かして第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くして、カバレッジを十分高めることができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。

第１の傾斜部ＦＡ１によって生じる第１領域ＥＡ１と第２領域ＥＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ１は、１．６μｍ以上であってもよく、１．６μｍ以上１６μｍ以下であってもよい。例えば、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であってもよい。

第２の傾斜部ＦＢ１によって生じる第３領域ＥＢ１と第４領域ＥＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ２は、１．６μｍ以上であってもよく１．６μｍ以上１６μｍ以下であってもよい。例えば、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であってもよい。

第３の傾斜部ＦＣＡ１によって生じる第５領域ＥＣＡ１と第６領域ＥＣＡ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ３は、１．６μｍ以上であってもよく、１．６μｍ以上１６μｍ以下であってもよい。例えば、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であってもよい。

第４の傾斜部ＦＣＢ１によって生じる第７領域ＥＣＢ１と第８領域ＥＣＢ２との間の積層方向Ｔの段差距離ｌｓ４は、１．６μｍ以上であってもよく、１．６μｍ以上１６μｍ以下であってもよい。例えば、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であってもよい。

第１の内部電極層３１は、第１の引き出し部Ｄ１に位置する第５の傾斜部ＦＡ２をさらに有する。第５の傾斜部ＦＡ２は、長さ方向Ｌにおいて中間電極層３３の第１の端面ＬＳ１側の端よりも第１の端面ＬＳ１側に配置されることが好ましい。第２の内部電極層３２は、第２の引き出し部Ｄ２に位置する第６の傾斜部ＦＢ２をさらに有する。第６の傾斜部ＦＢ２は、長さ方向Ｌにおいて中間電極層３３の第２の端面ＬＳ２側の端よりも第２の端面ＬＳ２側に配置されることが好ましい。

これにより、外部からの水分の浸入経路の距離を長く確保することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高め、かつ耐湿性も確保することができる。

めっき液などの水分は、積層体１０と外部電極層の界面から浸入するおそれがある。第５の傾斜部ＦＡ２や第６の傾斜部ＦＢ２を有することにより、この界面を通じて内部電極層３０の端部に至るまでの浸入経路の距離を長くすることができる。よって、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高め、かつ耐湿性も確保することができる。

また、めっき液などの水分は、外部電極４０の表面から外部電極４０の厚み方向を通じて浸入するおそれがある。第５の傾斜部ＦＡ２や第６の傾斜部ＦＢ２を有することにより、外部電極４０の長さ方向Ｌの厚みが通常厚くなりやすい積層体１０の高さ方向中心側寄りの位置に、内部電極層３０の端部を配置することができる。よって、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高め、かつ耐湿性も確保することができる。

また、第５の傾斜部ＦＡ２および第６の傾斜部ＦＢ２を有することにより、内部電極層３０の端部から内部電極層３０の対向部までの距離も長くすることができる。これにより、内部電極層３０の対向部に至るまでの水分の浸入経路の距離を長くすることができる。よって、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高め、かつ耐湿性も確保することができる。

第１の傾斜部ＦＡ１の傾斜角度θは、第５の傾斜部ＦＡ２の傾斜角度θ２よりも小さい。すなわち、第５の傾斜部ＦＡ２の傾斜角度θ２は、第１の傾斜部ＦＡ１の傾斜角度θよりも大きい。

第１領域ＥＡ１あるいは第２領域ＥＡ２に対する第５の傾斜部ＦＡ２の傾斜角度θ２は、例えば１０°以上であってもよく、１５°以上であってもよい。

第３の傾斜部ＦＣＡ１の傾斜角度θは、第５の傾斜部ＦＡ２の傾斜角度θ２よりも小さい。すなわち、第５の傾斜部ＦＡ２の傾斜角度θ２は、第３の傾斜部ＦＣＡ１の傾斜角度θよりも大きい。

第２の傾斜部ＦＢ１の傾斜角度θは、第６の傾斜部ＦＢ２の傾斜角度θ２よりも小さい。すなわち、第６の傾斜部ＦＢ２の傾斜角度θ２は、第２の傾斜部ＦＢ１の傾斜角度θよりも大きい。

第３領域ＥＢ１あるいは第４領域ＥＢ２に対する第６の傾斜部ＦＢ２の傾斜角度θ２は、例えば１０°以上であってもよく、１５°以上であってもよい。

第４の傾斜部ＦＣＢ１の傾斜角度θは、第６の傾斜部ＦＢ２の傾斜角度θ２よりも小さい。すなわち、第６の傾斜部ＦＢ２の傾斜角度θ２は、第３の傾斜部ＦＣＡ１および第４の傾斜部ＦＣＢ１の傾斜角度θよりも大きい。

なお、図２Ｃには、第２の内部電極層３２における、第３領域ＥＢ１に対する第６の傾斜部ＦＢ２の傾斜角度θ２を、上述の傾斜角度θ２の代表として示している。

これにより、外部からの水分の浸入経路の距離をより長く確保することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高め、かつ耐湿性も確保することができる。

また、積層体１０は、図２Ａおよび２Ｂに示されるように、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出している露出部Ｅｐと、第１の外部電極に覆われている第１の被覆部Ｃ１と、第２の外部電極４０Ｂに覆われている第２の被覆部Ｃ２と、を有する。第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出している露出部Ｅｐの長さ方向Ｌの距離Ｌ１は、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１に対応する。本実施形態に係る露出部Ｅｐは、上述のように、第１の主面ＴＳ１側に第１の凹部ＤＥ１を有し、第２の主面ＴＳ２側に第２の凹部ＤＥ２を有する。

本実施形態では、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第１の被覆部Ｃ１の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの距離の最大値である最大距離Ｔ１よりも長い。また、本実施形態では、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第２の被覆部Ｃ２の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの距離の最大値である最大距離Ｔ１よりも長い。なお、本実施形態においては、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、積層体１０の露出部Ｅｐにおける、積層方向Ｔの最大距離となっている。

露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第１の被覆部Ｃ１の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ１の１０３％以下であることが好ましい。例えば、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第１の被覆部Ｃ１の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ１の１０１％以上１０３％以下であってもよい。より好ましくは、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第１の被覆部Ｃ１の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ１の１０１％以上１０３％以下であってもよい。なお、本実施形態においては、後述の第１の平面部ＰＡ１と第３の平面部ＰＢ１とを結ぶ積層方向Ｔの距離が、上述の最大距離Ｔ１となっている。

露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第２の被覆部Ｃ２の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ１の１０３％以下であることが好ましい。例えば、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第２の被覆部Ｃ２の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ１の１０１％以上１０３％以下であってもよい。より好ましくは、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第２の被覆部Ｃ２の第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面とを結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ１の１０１％以上１０３％以下であってもよい。なお、本実施形態においては、後述の第２の平面部ＰＡ２と第４の平面部ＰＢ２とを結ぶ積層方向Ｔの距離が、上述の最大距離Ｔ１となっている。

露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第１の外部電極４０Ａの第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面を結ぶ積層方向Ｔの距離の最大値である最大距離Ｔ２よりも短い。また、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第２の外部電極４０Ｂの第１の主面ＴＳ１側表面と第２の主面ＴＳ２側表面を結ぶ積層方向Ｔの距離の最大値である最大距離Ｔ２よりも短い。

なお、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２の積層方向Ｔの厚みと、第１領域ＥＡ１の積層方向Ｔの厚みと、の比は、積層体１０の露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０と、積層体１０の第１の被覆部Ｃ１の積層方向Ｔの最大距離Ｔ１と、の比よりも大きく設定されてもよい。第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２の積層方向Ｔの厚みと、第３領域ＥＢ１の積層方向Ｔの厚みと、の比は、積層体１０の露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０と、積層体１０の第２の被覆部Ｃ２の積層方向Ｔの最大距離Ｔ１と、の比よりも大きく設定されてもよい。

図２Ａに示されるように、第１の主面ＴＳ１は、第１の外部電極４０Ａに覆われている第１の被覆面Ｃ１ｓＡと、第２の外部電極４０Ｂに覆われている第２の被覆面Ｃ２ｓＡと、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出し、長さ方向Ｌ中心に向かって隆起する第１の隆起面ＥｐｓＡと、を有する。

図１および図２Ａに示されるように、第１の隆起面ＥｐｓＡは、第１の平坦面ＦＰＡ１と、第２の平坦面ＦＰＡ２と、凹部としての第１の凹部ＤＥ１と、第１の傾斜面ＦＣ１と、第２の傾斜面ＦＣ２と、を有する。第１の凹部ＤＥ１は、長さ方向Ｌにおける第１の隆起面ＥｐｓＡの中央に、幅方向Ｗに延びるように形成された凹形状部である。

第１の平坦面ＦＰＡ１は、積層方向Ｔに垂直な面であり、第１の凹部ＤＥ１に対して第１の端面ＬＳ１側に形成される。第２の平坦面ＦＰＡ２は、積層方向Ｔに垂直な面であり、第１の凹部ＤＥ１に対して第２の端面ＬＳ２側に形成される。第１の傾斜面ＦＣ１は、第１の平坦面ＦＰＡ１と第１の被覆面Ｃ１ｓＡとを連結する。第２の傾斜面ＦＣ２は、第２の平坦面ＦＰＡ２と第２の被覆面Ｃ２ｓＡとを連結する。

本実施形態においては、第１の被覆面Ｃ１ｓＡの積層体中央側には、第１の平面部ＰＡ１が形成されており、第１の傾斜面ＦＣ１は、第１の平坦面ＦＰＡ１と第１の平面部ＰＡ１とを連結している。また、第２の被覆面Ｃ２ｓＡの積層体中央側には、第２の平面部ＰＡ２が形成されており、第２の傾斜面ＦＣ２は、第２の平坦面ＦＰＡ２と第２の平面部ＰＡ２とを連結している。

すなわち、本実施形態の第１の主面ＴＳ１は、第１の端面ＬＳ１側の第１の平面部ＰＡ１と、第２の端面ＬＳ２側の第２の平面部ＰＡ２と、第１の平面部ＰＡ１と第１の凹部ＤＥ１との間に配置され、第１の平面部ＰＡ１から隆起している第１の平坦面ＦＰＡ１と、第２の平面部ＰＡ２と第１の凹部ＤＥ１との間に配置され、第２の平面部ＰＡ２から隆起している第２の平坦面ＦＰＡ２と、第１の平坦面ＦＰＡ１と第１の平面部ＰＡ１とを連結する第１の傾斜面ＦＣ１と、第２の平坦面ＦＰＡ２と第２の平面部ＰＡ２とを連結する第２の傾斜面ＦＣ２と、第１の平坦面ＦＰＡ１および第２の平坦面ＦＰＡ２の間に幅方向Ｗに延びるように形成された第１の凹部ＤＥ１と、を有する。

図２Ａに示されるように、第２の主面ＴＳ２は、第１の外部電極４０Ａに覆われている第３の被覆面Ｃ１ｓＢと、第２の外部電極４０Ｂに覆われている第４の被覆面Ｃ２ｓＢと、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出し、長さ方向Ｌ中心に向かって隆起する第２の隆起面ＥｐｓＢと、を有する。

第２の隆起面ＥｐｓＢは、第３の平坦面ＦＰＢ１と、第４の平坦面ＦＰＢ２と、凹部としての第２の凹部ＤＥ２と、第３の傾斜面ＦＣ３と、第４の傾斜面ＦＣ４と、を有する。第２の凹部ＤＥ２は、長さ方向Ｌにおける第２の隆起面ＥｐｓＢの中央に、幅方向Ｗに延びるように形成された凹形状部である。

第３の平坦面ＦＰＢ１は、積層方向Ｔに垂直な面であり、第２の凹部ＤＥ２に対して第１の端面ＬＳ１側に形成される。第４の平坦面ＦＰＢ２は、積層方向Ｔに垂直な面であり、第２の凹部ＤＥ２に対して第２の端面ＬＳ２側に形成される。第３の傾斜面ＦＣ３は、第３の平坦面ＦＰＢ１と第３の被覆面Ｃ１ｓＢとを連結する。第４の傾斜面ＦＣ４は、第４の平坦面ＦＰＢ２と第４の被覆面Ｃ２ｓＢとを連結する。

本実施形態においては、第３の被覆面Ｃ１ｓＢの積層体中央側には、第３の平面部ＰＢ１が形成されており、第３の傾斜面ＦＣ３は、第３の平坦面ＦＰＢ１と第３の平面部ＰＢ１とを連結している。また、第４の被覆面Ｃ２ｓＢの積層体中央側には、第４の平面部ＰＢ２が形成されており、第４の傾斜面ＦＣ４は、第４の平坦面ＦＰＢ２と第４の平面部ＰＢ２とを連結している。

すなわち、本実施形態の第２の主面ＴＳ２は、第１の端面ＬＳ１側の第３の平面部ＰＢ１と、第２の端面ＬＳ２側の第４の平面部ＰＢ２と、第３の平面部ＰＢ１と第２の凹部ＤＥ２との間に配置され、第３の平面部ＰＢ１から隆起している第３の平坦面ＦＰＢ１と、第４の平面部ＰＢ２と第２の凹部ＤＥ２との間に配置され、第４の平面部ＰＢ２から隆起している第４の平坦面ＦＰＢ２と、第３の平坦面ＦＰＢ１と第３の平面部ＰＢ１とを連結する第３の傾斜面ＦＣ３と、第４の平坦面ＦＰＢ２と第４の平面部ＰＢ２とを連結する第４の傾斜面ＦＣ４と、第３の平坦面ＦＰＢ１および第４の平坦面ＦＰＢ２の間に幅方向Ｗに延びるように形成された第２の凹部ＤＥ２と、を有する。

これにより、第１の平坦面ＦＰＡ１、第２の平坦面ＦＰＡ２、第３の平坦面ＦＰＢ１、または第４の平坦面ＦＰＢ２に対応させてカバレッジの高い第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の面積を確保しやすくなり、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高めることができる。また、平坦面を形成することにより、実装時の吸着不良を抑制することができる。

第１の傾斜面ＦＣ１の長さ方向Ｌの距離Ｌｔ１および第２の傾斜面ＦＣ２の長さ方向Ｌの距離Ｌｔ２は、第１の平坦面ＦＰＡ１の第１の端面ＬＳ１側の端から第２の平坦面ＦＰＡ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌにおける距離Ｌｔ０よりも短い。第３の傾斜面ＦＣ３の長さ方向Ｌの距離Ｌｔ１および第４の傾斜面ＦＣ４の長さ方向Ｌの距離Ｌｔ２は、第３の平坦面ＦＰＢ１の第１の端面ＬＳ１側の端から第４の平坦面ＦＰＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌにおける距離Ｌｔ０よりも短い。

これにより、第１の平坦面ＦＰＡ１、第２の平坦面ＦＰＡ２、第３の平坦面ＦＰＢ１、または第４の平坦面ＦＰＢ２に対応させてカバレッジの高い第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の面積を確保しやすくなり、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。また、平坦面の面積を確保することにより、実装時の吸着不良を抑制することができる。

なお、本実施形態においては、長さ方向Ｌにおいて、第１の平坦面ＦＰＡ１の第１の端面ＬＳ１側の端から第２の平坦面ＦＰＡ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｔ０は、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１よりも短い。また、長さ方向Ｌにおいて、第３の平坦面ＦＰＢ１の第１の端面ＬＳ１側の端から第４の平坦面ＦＰＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの距離Ｌｔ０は、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１よりも短い。

このように、長さ方向Ｌにおいて、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１の範囲内に、第１の平坦面ＦＰＡ１の第１の端面ＬＳ１側の端から第２の平坦面ＦＰＡ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌの距離Ｌｔ０が配置されていることが好ましい。

長さ方向Ｌにおいて、第１の外部電極４０Ａと第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１の範囲内に、第３の平坦面ＦＰＢ１の第１の端面ＬＳ１側の端から第４の平坦面ＦＰＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌの距離Ｌｔ０が配置されていることが好ましい。

なお、第１の外部電極４０Ａの端部４０ＡＥは、第１の傾斜面ＦＣ１および第３の傾斜面ＦＣ３に位置していてもよいし、第１の傾斜面ＦＣ１および第３の傾斜面ＦＣ３よりも第１の端面ＬＳ１側の第１の平面部ＰＡ１および第３の平面部ＰＢ１に位置していてもよい。第２の外部電極４０Ｂの端部４０ＢＥは、第２の傾斜面ＦＣ２および第４の傾斜面ＦＣ４に位置していてもよいし、第２の傾斜面ＦＣ２および第４の傾斜面ＦＣ４よりも第２の端面ＬＳ２側の第２の平面部ＰＡ２および第４の平面部ＰＢ２に位置していてもよい。

本実施形態においては、第１の外部電極４０Ａの端部４０ＡＥは、第１の傾斜面ＦＣ１と第１の平面部ＰＡ１との境界部近傍、第３の傾斜面ＦＣ３と第３の平面部ＰＢ１の境界部近傍に位置している。また、本実施形態においては、第２の外部電極４０Ｂの端部４０ＢＥは、第２の傾斜面ＦＣ２と第２の平面部ＰＡ２との境界部近傍、第４の傾斜面ＦＣ４と第４の平面部ＰＢ２の境界部近傍に位置している。

第１の平坦面ＦＰＡ１に対する第１の傾斜面ＦＣ１の傾斜角度φは、１°以上であることが好ましい。例えば、第１の平坦面ＦＰＡ１に対する第１の傾斜面ＦＣ１の傾斜角度φは、１°以上１０°以下であってもよい。より好ましくは、第１の平坦面ＦＰＡ１に対する第１の傾斜面ＦＣ１の傾斜角度φは、２°以上５°以下であってもよい。

第２の平坦面ＦＰＡ２に対する第２の傾斜面ＦＣ２の傾斜角度φは、１°以上であることが好ましい。例えば、第２の平坦面ＦＰＡ２に対する第２の傾斜面ＦＣ２の傾斜角度φは、１°以上１０°以下であってもよい。より好ましくは、第２の平坦面ＦＰＡ２に対する第２の傾斜面ＦＣ２の傾斜角度φは、２°以上５°以下であってもよい。

第３の平坦面ＦＰＢ１に対する第３の傾斜面ＦＣ３の傾斜角度φは、１°以上であることが好ましい。例えば、第３の平坦面ＦＰＢ１に対する第３の傾斜面ＦＣ３の傾斜角度φは、１°以上１０°以下であってもよい。より好ましくは、第３の平坦面ＦＰＢ１に対する第３の傾斜面ＦＣ３の傾斜角度φは、２°以上５°以下であってもよい。

第４の平坦面ＦＰＢ２に対する第４の傾斜面ＦＣ４の傾斜角度φは、１°以上であることが好ましい。例えば、第４の平坦面ＦＰＢ２に対する第４の傾斜面ＦＣ４の傾斜角度φは、１°以上１０°以下であってもよい。より好ましくは、第４の平坦面ＦＰＢ２に対する第４の傾斜面ＦＣ４の傾斜角度φは、２°以上５°以下であってもよい。

なお、図２Ｃには、第２の主面ＴＳ２における、第３の平坦面ＦＰＢ１に対する第３の傾斜面ＦＣ３の傾斜角度φ、および第２の主面ＴＳ２における、第４の平坦面ＦＰＢ２に対する第４の傾斜面ＦＣ４の傾斜角度φを、上述の傾斜角度φの代表として示している。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズが大きくなることを抑制しつつ、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くしてカバレッジを高めて、容量を高めることができる。具体的には、上述の傾斜角度φを１°以上とすることで、好ましくは２°以上とすることで、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くするための領域を確保することができる。

また、上述の傾斜角度φを１０°以下とすることで、好ましくは５°以下とすることで、積層体１０の表面が積層方向Ｔにおいて膨らみすぎて外部電極４０の表面よりも外側に突出してしまうことを抑制することができる。より具体的には、傾斜角度φを上述の範囲内とすることにより、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚みと、第１領域ＥＡ１、第２領域ＥＡ２、第３領域ＥＢ１および第４領域ＥＢ２の厚みとの関係を、本実施形態の範囲内に設定することが容易となる。また、傾斜角度φを上述の範囲内とすることにより、積層体１０の露出部の積層方向Ｔの最大距離Ｔ０と、積層体の被覆部における最大距離Ｔ１との関係を、本実施形態の範囲内に設定することが容易となる。

第１の平坦面ＦＰＡ１は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第１の平坦面ＦＰＡ１と、第１の平面部ＰＡ１および第２の平面部ＰＡ２は、略平行であることが好ましい。より好ましくは、第１の平坦面ＦＰＡ１と、第１の平面部ＰＡ１および第２の平面部ＰＡ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行である。

第２の平坦面ＦＰＡ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第２の平坦面ＦＰＡ２と、第１の平面部ＰＡ１および第２の平面部ＰＡ２は、略平行であることが好ましい。より好ましくは、第２の平坦面ＦＰＡ２と、第１の平面部ＰＡ１および第２の平面部ＰＡ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行である。

第３の平坦面ＦＰＢ１は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第３の平坦面ＦＰＢ１と、第３の平面部ＰＢ１および第４の平面部ＰＢ２は、略平行であることが好ましい。より好ましくは、第３の平坦面ＦＰＢ１と、第３の平面部ＰＢ１および第４の平面部ＰＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行である。

第４の平坦面ＦＰＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行であることが好ましい。第４の平坦面ＦＰＢ２と、第３の平面部ＰＢ１および第４の平面部ＰＢ２は、略平行であることが好ましい。より好ましくは、第４の平坦面ＦＰＢ２と、第３の平面部ＰＢ１および第４の平面部ＰＢ２は、積層方向Ｔと直交する面と略平行である。

なお、図２Ａに示すように、第１の傾斜面ＦＣ１により形成される、第１の平坦面ＦＰＡ１と、第１の平面部ＰＡ１との間の、積層方向Ｔの段差距離ｔｆ、すなわち、第１の傾斜面ＦＣ１により形成される第１の平坦面ＦＰＡ１の隆起高さｔｆ（積層体の片側膨らみ寸法）は、第１の主面ＴＳ１に配置されている第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇよりも小さいことが好ましい。

なお、図２Ｂに示すように、第２の傾斜面ＦＣ２により形成される、第２の平坦面ＦＰＡ２と、第２の平面部ＰＡ２との間の、積層方向Ｔの段差距離ｔｆ、すなわち、第２の傾斜面ＦＣ２により形成される第２の平坦面ＦＰＡ２の隆起高さｔｆ（積層体の片側膨らみ寸法）は、第１の主面ＴＳ１に配置されている第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇよりも小さいことが好ましい。

第３の傾斜面ＦＣ３により形成される、第３の平坦面ＦＰＢ１と、第３の平面部ＰＢ１との間の、積層方向Ｔの段差距離ｔｆ、すなわち、第３の傾斜面ＦＣ３により形成される第３の平坦面ＦＰＢ１の隆起高さｔｆ（積層体の片側膨らみ寸法）は、第２の主面ＴＳ２に配置されている第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇよりも小さいことが好ましい。

第４の傾斜面ＦＣ４により形成される、第４の平坦面ＦＰＢ２と、第４の平面部ＰＢ２との間の、積層方向Ｔの段差距離ｔｆ、すなわち、第４の傾斜面ＦＣ４により形成される第４の平坦面ＦＰＢ２の隆起高さｔｆ（積層体の片側膨らみ寸法）は、第２の主面ＴＳ２に配置されている第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔの厚みｔｇよりも小さいことが好ましい。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズが大きくなることを抑制しつつ、容量を高めることができる。

第１の傾斜面ＦＣ１により形成される第１の平坦面ＦＰＡ１の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であることが好ましい。第１の傾斜面ＦＣ１により形成される第１の平坦面ＦＰＡ１の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１２．６μｍ以下であってもよい。

第２の傾斜面ＦＣ２により形成される第２の平坦面ＦＰＡ２の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であることが好ましい。第２の傾斜面ＦＣ２により形成される第２の平坦面ＦＰＡ２の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１２．６μｍ以下であってもよい。

第３の傾斜面ＦＣ３により形成される第３の平坦面ＦＰＢ１の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であることが好ましい。第３の傾斜面ＦＣ３により形成される第３の平坦面ＦＰＢ１の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１２．６μｍ以下であってもよい。

第４の傾斜面ＦＣ４により形成される第４の平坦面ＦＰＢ２の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１４．８μｍ以下であることが好ましい。第４の傾斜面ＦＣ４により形成される第４の平坦面ＦＰＢ２の隆起高さｔｆは、２．９μｍ以上１２．６μｍ以下であってもよい。

第１の傾斜面ＦＣ１により形成される第１の平坦面ＦＰＡ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きい。より好ましくは、第１の傾斜面ＦＣ１により形成される第１の平坦面ＦＰＡ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第１の傾斜面ＦＣ１により形成される第１の平坦面ＦＰＡ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第１の傾斜面ＦＣ１により形成される第１の平坦面ＦＰＡ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

第２の傾斜面ＦＣ２により形成される第２の平坦面ＦＰＡ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きい。より好ましくは、第２の傾斜面ＦＣ２により形成される第２の平坦面ＦＰＡ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第２の傾斜面ＦＣ２により形成される第２の平坦面ＦＰＡ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第２の傾斜面ＦＣ２により形成される第２の平坦面ＦＰＡ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

第３の傾斜面ＦＣ３により形成される第３の平坦面ＦＰＢ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きい。より好ましくは、第３の傾斜面ＦＣ３により形成される第３の平坦面ＦＰＢ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第３の傾斜面ＦＣ３により形成される第３の平坦面ＦＰＢ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第３の傾斜面ＦＣ３により形成される第３の平坦面ＦＰＢ１の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

第４の傾斜面ＦＣ４により形成される第４の平坦面ＦＰＢ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０間に配置された誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃよりも大きい。より好ましくは、第４の傾斜面ＦＣ４により形成される第４の平坦面ＦＰＢ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔ（＝Ｔｅ＋Ｔｃ）よりも大きい。

さらに好ましくは、第４の傾斜面ＦＣ４により形成される第４の平坦面ＦＰＢ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの２倍以上である。また、第４の傾斜面ＦＣ４により形成される第４の平坦面ＦＰＢ２の隆起高さｔｆは、内部電極層３０の積層方向Ｔの厚みＴｅと誘電体層２０の積層方向Ｔの厚みＴｃとの和Ｔｔの３倍以上であってもよい。

これにより、傾斜面による段差を生かして第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の内部電極層３０の厚みを厚くする領域を確保し、カバレッジを十分高めることができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。

第１の主面側外層部１２の第１の平坦面ＦＰＡ１領域における積層方向Ｔの厚みｔ０１は、図２Ｂに示されるように、第１の主面側外層部１２の第１の被覆面Ｃ１ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ１１および第１の主面側外層部１２の第２の被覆面Ｃ２ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ２１よりも小さい。

第１の主面側外層部１２の第２の平坦面ＦＰＡ２領域における積層方向Ｔの厚みｔ０１は、図２Ｂに示されるように、第１の主面側外層部１２の第１の被覆面Ｃ１ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ１１および第１の主面側外層部１２の第２の被覆面Ｃ２ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ２１よりも小さい。

第２の主面側外層部１３の第３の平坦面ＦＰＢ１領域における積層方向Ｔの厚みｔ０２は、図２Ｂに示されるように、第２の主面側外層部１３の第１の被覆面Ｃ１ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ１２および第２の主面側外層部１３の第２の被覆面Ｃ２ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ２２よりも小さい。

第２の主面側外層部１３の第４の平坦面ＦＰＢ２領域における積層方向Ｔの厚みｔ０２は、図２Ｂに示されるように、第２の主面側外層部１３の第１の被覆面Ｃ１ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ１２および第２の主面側外層部１３の第２の被覆面Ｃ２ｓＡ領域における積層方向Ｔの厚みｔ２２よりも小さい。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく容量を高めつつ、外部電極４０と内部電極層３０の距離を長めに確保することにより、電界の集中を抑制することができるため、電解集中による積層セラミックコンデンサ１の信頼性の低下を抑制することができる。

また、厚みｔ１１、ｔ２１、ｔ１２、ｔ２２の距離を長めに確保することにより、仮に積層体１０の露出部Ｅｐと第１の被覆部Ｃ１、第２の被覆部Ｃ２の境界付近のような外部電極４０の端部付近で積層体１０のクラックが発生した場合でも、そのクラックが内部電極まで到達することを抑制できる。

なお、本実施形態においては、上述の傾斜面を有することにより、第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２の両面において、積層体１０の表面の一部としての平坦面が盛り上がって配置されているが、第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２のいずれか一方の面において、積層体１０の表面の一部としての平坦面が盛り上がって配置されていてもよい。なお、第１の平坦面ＦＰＡ１、第２の平坦面ＦＰＡ２、第３の平坦面ＦＰＢ１、および第４の平坦面ＦＰＢ２は、本実施形態においては平坦な面を有しているが、全体的に緩やかにラウンドした面であってもよい。

なお、図２Ａ～図２Ｃに示されるように、第１の外部電極４０Ａの積層方向Ｔの中央における長さ方向Ｌの厚みは、第１の外部電極４０Ａの積層方向Ｔの第１の主面ＴＳ１側における長さ方向Ｌの厚み、および第１の外部電極４０Ａの積層方向Ｔの第２の主面ＴＳ２側における長さ方向Ｌの厚みよりも厚い。また、図４Ａ、図４Ｂに示されるように、第１の外部電極４０Ａの幅方向Ｗの中央における長さ方向Ｌの厚みは、第１の外部電極４０Ａの幅方向Ｗの第１の側面ＷＳ１側における長さ方向Ｌの厚み、および第１の外部電極４０Ａの幅方向Ｗの第２の側面ＷＳ２側における長さ方向Ｌの厚みよりも厚い。

なお、図２Ａ～図２Ｃに示されるように、第２の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔの中央における長さ方向Ｌの厚みは、第２の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔの第１の主面ＴＳ１側における長さ方向Ｌの厚み、および第２の外部電極４０Ｂの積層方向Ｔの第２の主面ＴＳ２側における長さ方向Ｌの厚みよりも厚い。また、図４Ａ、図４Ｂに示されるように、第２の外部電極４０Ｂの幅方向Ｗの中央における長さ方向Ｌの厚みは、第２の外部電極４０Ｂの幅方向Ｗの第１の側面ＷＳ１側における長さ方向Ｌの厚み、および第２の外部電極４０Ｂの幅方向Ｗの第２の側面ＷＳ２側における長さ方向Ｌの厚みよりも厚い。

本実施形態の第１の内部電極層３１は、好ましくは、第１の主面側内層部１１２と、第２の主面側内層部１１３と、中央内層部１１１において、第１領域ＥＡ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第２領域ＥＡ２を有する。ただし、第１の内部電極層３１は、少なくとも第１の主面側内層部１１２または第２の主面側内層部１１３のいずれかの部分において、第１領域ＥＡ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第２領域ＥＡ２を有していてもよい。これによっても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高めるという効果が得られる。

本実施形態の第２の内部電極層３２は、好ましくは、第１の主面側内層部１１２と、第２の主面側内層部１１３と、中央内層部１１１において、第３領域ＥＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第４領域ＥＢ２を有する。ただし、第２の内部電極層３２は、少なくとも第１の主面側内層部１１２または第２の主面側内層部１１３のいずれかの部分において、第３領域ＥＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第４領域ＥＢ２を有していてもよい。これによっても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高めるという効果が得られる。

本実施形態の中間電極層３３は、好ましくは、第１の主面側内層部１１２と、第２の主面側内層部１１３と、中央内層部１１１において、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２を有する。ただし、第２の内部電極層３２は、少なくとも第１の主面側内層部１１２または第２の主面側内層部１１３のいずれかの部分において、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２を有していてもよい。これによっても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量を高めるという効果が得られる。

なお、本実施形態においては、第１の傾斜部ＦＡ１、第２の傾斜部ＦＢ１、第３の傾斜部ＦＣＡ１、第４の傾斜部ＦＣＢ１、第５の傾斜部ＦＡ２および第６の傾斜部ＦＢ２が、第１の主面側内層部１１２および第２の主面側内層部１１３に配置されている。ただし、少なくとも第１の主面側内層部１１２または第２の主面側内層部１１３のいずれかの部分において、第１の傾斜部ＦＡ１、第２の傾斜部ＦＢ１、第３の傾斜部ＦＣＡ１、第４の傾斜部ＦＣＢ１、第５の傾斜部ＦＡ２および第６の傾斜部ＦＢ２が配置されていてもよい。

本実施形態の第１の内部電極層３１は、好ましくは、第１の側面側領域１１２Ｅと、第２の側面側領域１１３Ｅと、中央領域１１１Ｅにおいて、第１領域ＥＡ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第２領域ＥＡ２を有する。

本開示はこれに限らないが、中央領域１１１Ｅに加えて、第１の側面側領域１１２Ｅおよび第２の側面側領域１１３Ｅにおいても、第１領域ＥＡ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第２領域ＥＡ２を有することにより、カバレッジの高い第２領域ＥＡ２の面積を確保することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。なお、少なくとも中央領域１１１Ｅにおいて、第１領域ＥＡ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第２領域ＥＡ２を有していてもよい。

本実施形態の第２の内部電極層３２は、好ましくは、第１の側面側領域１１２Ｅと、第２の側面側領域１１３Ｅと、中央領域１１１Ｅにおいて、第３領域ＥＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第４領域ＥＢ２を有する。

本開示はこれに限らないが、中央領域１１１Ｅに加えて、第１の側面側領域１１２Ｅおよび第２の側面側領域１１３Ｅにおいても、第３領域ＥＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第４領域ＥＢ２を有することにより、カバレッジの高い第４領域ＥＢ２の面積を確保することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。なお、少なくとも中央領域１１１Ｅにおいて、第３領域ＥＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第４領域ＥＢ２を有していてもよい。

本実施形態の中間電極層３３は、好ましくは、第１の側面側領域１１２Ｅと、第２の側面側領域１１３Ｅと、中央領域１１１Ｅにおいて、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２を有する。

本開示はこれに限らないが、中央領域１１１Ｅに加えて、第１の側面側領域１１２Ｅおよび第２の側面側領域１１３Ｅにおいても、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２を有することにより、カバレッジの高い第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の面積を確保することができるため、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、容量をより高めることができる。なお、少なくとも中央領域１１１Ｅにおいて、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１よりもカバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２を有していてもよい。

なお、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１では、上述のように中間電極層３３の第１の端面ＬＳ１側の端部は、第１の外部電極４０Ａの端部４０ＡＥよりも第１の端面ＬＳ１側に配置される。また、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１では、上述のように中間電極層３３の第２の端面ＬＳ２側の端部は、第２の外部電極４０Ｂの端部４０ＢＥよりも第２の端面ＬＳ２側に配置される。

しかし、中間電極層３３の第１の端面ＬＳ１側の端部が第１の外部電極４０Ａの端部４０ＡＥよりも第２の端面ＬＳ２側に配置され、中間電極層３３の第２の端面ＬＳ２側の端部が第２の外部電極４０Ｂの端部４０ＢＥよりも第１の端面ＬＳ１側に配置された場合、中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡは、第５領域ＥＣＡ１を有さず、第６領域ＥＣＡ２のみを有し、中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣＢは、第７領域ＥＣＢ１を有さず、第８領域ＥＣＢ２のみを有する。中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣＡ、第２電極層側対向部ＥＣＢ、連結部Ｅ０の厚みは同じ厚みであってもよい。

＜各種パラメータの測定＞
以下、各種パラメータの測定方法について説明する。各種パラメータは、以下の方法により測定することができる。

＜内部電極層および誘電体層の厚みの測定方法＞
以下、積層セラミックコンデンサ１の内部電極層３０の積層方向Ｔの厚さの測定方法について説明する。

まず、積層セラミックコンデンサ１を、第１の側面ＷＳ１側または第２の側面ＷＳ２側から研磨することにより、積層体１０の直列コンデンサ形成部１１Ｅが露出するＬＴ断面を露出させる。必要に応じて、観察位置の露出させた断面をエッチング処理し、研磨で引き伸ばされた内部電極層３０を除去する。露出させた断面のうち、後述する測定ポイントＭ１～Ｍ８について、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いた観察を行う。なお、例えば、第１の主面側内層部１１２のみに、カバレッジが高く、かつ厚みが厚い上述の第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２を有する場合は、測定ポイントＭ１～Ｍ４について、ＳＥＭを用いた観察を行う。

測定ポイントは、カバレッジが高く、かつ厚みが厚い領域と、カバレッジが低く、かつ厚みが薄い領域と、に設定される。測定値は、それぞれの領域の平均値をとる。本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、２連構造であるため、後述する測定ポイントＭ１～Ｍ８が設定されるが、積層セラミックコンデンサの構造に応じた測定ポイントとすることが好ましい。

第１の主面側内層部１１２に、測定ポイントＭ１～Ｍ４が設定される。測定ポイントＭ１は、第１の主面側内層部１１２における、第１の内部電極層３１の第１領域ＥＡ１および中間電極層３３の第５領域ＥＣＡ１を含む部分である。測定ポイントＭ２は、第１の主面側内層部１１２における、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２、中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２を含む部分である。

測定ポイントＭ３は、第１の主面側内層部１１２における、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２、中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２を含む部分である。測定ポイントＭ４は、第１の主面側内層部１１２における、第２の内部電極層３２の第３領域ＥＢ１および中間電極層３３の第７領域ＥＣＢ１を含む部分である。

第２の主面側内層部１１３に、測定ポイントＭ５～Ｍ８が設定される。測定ポイントＭ５は、第２の主面側内層部１１３における、第１の内部電極層３１の第１領域ＥＡ１および中間電極層３３の第５領域ＥＣＡ１を含む部分である。測定ポイントＭ６は、第２の主面側内層部１１３における、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２、中間電極層３３の第６領域ＥＣＡ２を含む部分である。

測定ポイントＭ７は、第２の主面側内層部１１３における、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２、中間電極層３３の第８領域ＥＣＢ２を含む部分である。測定ポイントＭ８は、第２の主面側内層部１１３における、第２の内部電極層３２の第３領域ＥＢ１および中間電極層３３の第７領域ＥＣＢ１を含む部分である。

測定ポイントＭ１、Ｍ５は、長さ方向Ｌにおいて、図２Ｃに示される距離Ｌｅ１の中心位置に設定される。測定ポイントＭ２、Ｍ６は、長さ方向Ｌにおいて、図２Ｃに示される第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２の中心位置に設定される。測定ポイントＭ３、Ｍ７は、長さ方向Ｌにおいて、図２Ｃに示される第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２の中心位置に設定される。測定ポイントＭ４、Ｍ８は、長さ方向Ｌにおいて、図２Ｃに示される距離Ｌｅ２の中心位置に設定される。

測定ポイントＭ２、Ｍ３、Ｍ６、Ｍ７は、カバレッジが高く、かつ厚みが厚い領域に設定される測定ポイントであり、測定ポイントＭ１、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ８は、カバレッジが低く、かつ厚みが薄い領域に設定される測定ポイントである。

各測定ポイントを観察する際の観察倍率は、４層の誘電体層２０と５層の内部電極層３０とが観察できる倍率であって、誘電体層２０と内部電極層３０を明瞭に区別できる倍率とする。図５は、測定ポイントにおける露出された内層部断面のＳＥＭによる拡大像の例を図面化したものである。

積層セラミックコンデンサ１の内部電極層３０の厚さを測定する際には、まず、図５に示すように、積層セラミックコンデンサ１の断面の拡大像において、積層体１０の積層方向に延びる５本の直線Ｌａ～直線ＬｅをピッチＳの等間隔に引く。ピッチＳは、測定しようとする内部電極層３０の厚さの５倍～１０倍程度で決めればよく、例えば、厚さが約０．５μｍの内部電極を測る場合には、ピッチＳ＝２．５μｍとする。

次に、直線Ｌａ～直線Ｌｅの各直線上において、内部電極層３０の厚さを測定する。ただし、直線Ｌａ～直線Ｌｅの各直線上において、内部電極層が欠損して、この内部電極層３０を挟む誘電体層２０同士が繋がっている場合、または、測定位置の拡大像が不明瞭である場合は、新たな直線を引き、内部電極層３０の厚さを測定する。

例えば、内部電極層３０の厚さを測定する際には、図５に示すように、直線Ｌａ上の厚さｄ１、直線Ｌｂ上の厚さｄ２、直線Ｌｃ上の厚さｄ３、直線Ｌｄ上の厚さｄ４、および、直線Ｌｅ上の厚さｄ５を測定する。そして、第１の主面側内層部１１２における測定ポイント、第２の主面側内層部１１３における測定ポイントそれぞれについて、５層の内部電極層３０の各々について上記の方法により厚さを測定し、その平均値を、本実施形態の内部電極層３０の厚さとする。

例えば、カバレッジが高く、かつ厚みが厚い領域である、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚さを測定する際には、測定ポイントＭ２、測定ポイントＭ３、測定ポイントＭ６、測定ポイントＭ７それぞれにおいて、５個所×５層の２５ポイントの厚さを測定し、計１００ポイントの平均値を、本実施形態の第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の厚さとする。

例えば、カバレッジが低く、かつ厚みの薄い領域である、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１の厚さを測定する際には、測定ポイントＭ１、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ８それぞれにおいて、５個所×５層の２５ポイントの厚さを測定し、計１００ポイントの平均値を、本実施形態の第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１の厚さとする。

なお、誘電体層２０の厚さも内部電極層３０と同様の手法で測定する。誘電体層２０の厚さを測定する際には、図５に示すように、直線Ｌａ上の厚さＤ１、直線Ｌｂ上の厚さＤ２、直線Ｌｃ上の厚さＤ３、直線Ｌｄ上の厚さＤ４、および、直線Ｌｅ上の厚さＤ５を測定する。

そして、第１の主面側内層部１１２における測定ポイント、第２の主面側内層部１１３における測定ポイントそれぞれについて、４層の誘電体層２０の各々について上記の方法により厚さを測定し、その平均値を、本実施形態の誘電体層２０の厚さとする。第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２に対応する領域、第１領域ＥＡ１および第５領域ＥＣＡ１に対応する領域、第３領域ＥＢ１および第７領域ＥＣＢ１に対応する領域、それぞれの領域について、誘電体層２０の厚さを測定することができる。

研磨と測定を繰り返し、第１の側面側領域１１２Ｅの幅方向Ｗの中心位置、中央領域１１１Ｅの幅方向Ｗの中心位置、第２の側面側領域１１３Ｅの幅方向Ｗの中心位置の、３つの位置において、それぞれ測定ポイントＭ１～Ｍ８の８か所で測定を実施することができる。

＜カバレッジの測定方法＞
誘電体層２０に対する内部電極層３０の被覆率としてのカバレッジの測定方法について説明する。なお、本測定方法におけるカバレッジの測定は、線カバレッジの測定ともいう。

前述の露出させたＬＴ断面において、光学顕微鏡を用いて、線カバレッジの測定を行う。線カバレッジを測定する際の測定ポイントは、上述の測定ポイントＭ１～Ｍ８に準じる。ただし、各測定ポイントを観察する際の観察倍率は、１０００倍とする。

内部電極層３０は、導電成分が存在する領域と、空洞部分のように導電成分が存在しない領域とを有している。線カバレッジは、光学顕微鏡画像において、導電成分の存在の有無を考慮しない場合の内部電極層３０の長さ方向Ｌの長さに対する、実際に内部電極層３０を構成する導電成分が占める領域の長さ方向Ｌの長さの割合、すなわち、導電成分の存在の有無を考慮しない場合の内部電極層３０の長さ方向Ｌの長さに対する、導電成分が存在しない領域を除いた長さ方向Ｌの長さの割合として算出される。そして、第１の主面側内層部１１２における測定ポイント、第２の主面側内層部１１３における測定ポイントそれぞれについて、内部電極層３０のカバレッジを測定し、その平均値を、本実施形態の内部電極層３０のカバレッジとする。例えば、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２のカバレッジを測定する際には、測定ポイントＭ２、測定ポイントＭ３、測定ポイントＭ６および測定ポイントＭ７それぞれについて、内部電極層３０のカバレッジを測定し、その平均値を、本実施形態の第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２のカバレッジとする。例えば、第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１のカバレッジを測定する際には、測定ポイントＭ１、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ８それぞれにおいて、内部電極層３０のカバレッジを測定し、その平均値を、本実施形態の第１領域ＥＡ１、第３領域ＥＢ１、第５領域ＥＣＡ１および第７領域ＥＣＢ１のカバレッジとする。

＜距離、角度の測定方法＞
前述の露出させたＬＴ断面を用いて、各種の距離および角度の測定を行う。距離および角度の測定は、デジタルマイクロスコープを用いて実施する。

＜製造方法＞
次に、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上述した要件を満足する限り、その製造方法は限定されない。しかしながら好適な製造方法は、以下の工程を備える。各工程の詳細を以下に説明する。

誘電体層２０用の誘電体シートおよび内部電極層３０用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってもよい。

誘電体シート上に、内部電極層３０用の導電性ペーストが、例えば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層３１のパターンおよび第２の内部電極層３２のパターンが形成された誘電体シートと、中間電極層３３のパターンが形成された誘電体シートと、がそれぞれ準備される。なお、印刷方法は、スクリーン印刷等に限らない。

ここで、誘電体シート上への内部電極層３０用の導電性ペーストの印刷方法について、図６、７を用いて説明する。図６は、導電性ペーストＰ１印刷時の誘電体シートの断面を示す模式図である。図７は、図６の誘電体シートへの導電性ペーストＰ２印刷時の誘電体シートの断面を示す模式図である。

内部電極層３０のパターンが印刷された誘電体シートは、図６、７に示されるように、セラミックグリーンシートＧと、セラミックグリーンシートＧ上に配置される導電性ペーストＰ１および導電性ペーストＰ２と、により構成される。導電性ペーストＰ１および導電性ペーストＰ２は、スクリーンＳ１の中空部分およびスクリーンＳ２の中空部分により形成される。

まず、図６に示されるように、例えば中間電極層３３の外形形状に対応するパターンで形成された中空部分を有するスクリーンＳ１を用いて、セラミックグリーンシートＧ上に、導電性ペーストＰ１が配置される。

次に、図７に示されるように、例えば第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２、連結部Ｅ０に対応するパターンで形成された中空部分を有するスクリーンＳ２を用いて、導電性ペーストＰ１上に、導電性ペーストＰ２をスクリーン印刷する。これにより、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２に相当する部分は、導電性ペーストＰ２がスクリーン印刷された分、他の領域に比べて厚くなる。

ここで、例えば図７に示される導電性ペーストＰ１および導電性ペーストＰ２は、積層セラミックコンデンサの中間電極層３３となる部分である。このようにして、導電性ペーストＰ３３が形成された誘電体シートが準備される。

第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２および第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２についても同様に、第２領域ＥＡ２および第４領域ＥＢ２に対応するパターンで形成された中空部分を有するスクリーンを用いて、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２に対応する導電性ペースト上に、第２領域ＥＡ２および第４領域ＥＢ２に対応する導電性ペーストをスクリーン印刷する。これにより、第２領域ＥＡ２および第４領域ＥＢ２に相当する部分は、導電性ペーストＰ２がスクリーン印刷された分、他の領域に比べて厚くなる。このようにして、導電性ペーストＰ３１、Ｐ３２が形成された誘電体シートが準備される。

内部電極層３０のパターンが印刷されていない誘電体シートを所定枚数積層することにより、第１の主面ＴＳ１側の第１の主面側外層部１２となる部分Ｐ１２が形成される。

次に、図８に示されるように、第１の主面側外層部１２となる部分Ｐ１２の表面に、図７に示されるようなスクリーン印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分Ｐ１１が形成される。ここで、図８中、Ｃで囲む部分に着目して説明すると、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２となる導電性ペーストＰ３１および導電性ペーストＰ３２が配置された誘電体シートＧ１と、中間電極層３３となる導電性ペーストＰ３３が配置された誘電体シートＧ２とが順次交互に積層される。なお、図８におけるＣの部分は、その後の工程で切り出されて１つの積層チップを構成する。なお、第１の凹部ＤＥ１、第２の凹部ＤＥ２が設けられないようにするために、導電性ペーストＰ３１および導電性ペーストＰ３２の間に、誘電体ペーストを配置してもよい。

この内層部１１となる部分Ｐ１１の表面に、内部電極層３０のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分Ｐ１３が形成される。これにより、積層シートが作製される。

積層シートが静水圧プレスなどの手段により高さ方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。

積層ブロックが所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みがつけられてもよい。

積層チップが焼成されることにより、積層体１０が作製される。焼成温度は、誘電体層２０や内部電極層３０の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。ここで、内部電極層３０用の導電性ペーストの厚みを領域に応じて調整すると共に、プレス条件および焼成条件を調整することにより、本実施形態の内部電極層３０の構造および第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２の表面形状を有する積層体１０を得ることができる。例えば、内部電極層３０用の導電性ペーストの厚みを含む塗布状態およびプレス条件を調整することにより、厚みが漸減する第１の傾斜部ＦＡ１等の傾斜部が形成され、本実施形態の内部電極層３０を得ることができる。

積層体１０の両端面に下地電極層となる導電性ペーストが塗布される。

本実施形態においては、積層体１０の第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２ならびに第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２側にも導電性ペーストが塗布される。このとき、第２領域ＥＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第４領域ＥＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌにおける距離Ｌｔ０、または第６領域ＥＣＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第８領域ＥＣＢ２の長さ方向Ｌにおける第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌにおける距離Ｌｔ０よりも第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１を長くするように導電性ペーストを塗布する。

より具体的な製造方法の一例を説明する。積層体１０の第１の主面ＴＳ１または第２の主面ＴＳ２には、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣＡ２および第８領域ＥＣＢ２の位置に対応して、第１の平坦面ＦＰＡ１、第２の平坦面ＦＰＡ２、第３の平坦面ＦＰＢ１、第４の平坦面ＦＰＢ２、第１の凹部ＤＥ１および第２の凹部ＤＥ２がある。また、その周囲に第１の傾斜面ＦＣ１、第２の傾斜面ＦＣ２、第３の傾斜面ＦＣ３および第４の傾斜面ＦＣ４が形成されている。さらに、各傾斜面よりも端面側に第１の平面部ＰＡ１、第２の平面部ＰＡ２、第３の平面部ＰＢ１および第４の平面部ＰＢ２が形成されている。

従って、例えば、各傾斜面よりも端面側の第１の平面部ＰＡ１、第２の平面部ＰＡ２、第３の平面部ＰＢ１および第４の平面部ＰＢ２に導電性ペーストが塗布されるようにする。このように積層体１０に導電性ペーストが塗布されることで、第２領域ＥＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第４領域ＥＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌにおける距離Ｌｔ０、または第６領域ＥＣＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端から第８領域ＥＣＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端までの長さ方向Ｌにおける距離Ｌｔ０よりも第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの間の距離Ｌ１を長くするように導電性ペーストが塗布される。なお、第１の傾斜面ＦＣ１、第２の傾斜面ＦＣ２、第３の傾斜面ＦＣ３および第４の傾斜面ＦＣ４の端面側の一部に、導電性ペーストが塗布されていてもよい。

なお、上記は、製造方法の一例であり、これに限定されない。また、下地電極層は、焼き付け処理後に除去して調整することもできる。

本実施形態においては、下地電極層は、焼き付け層である。ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストが、例えばディッピングなどの方法により、積層体１０に塗布される。その後、焼き付け処理が行われ、下地電極層が形成される。この時の焼き付け処理の温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。

なお、焼成前の積層チップと、積層チップに塗布した導電性ペーストとを同時に焼成する場合には、焼き付け層は、ガラス成分の代わりにセラミック材料を添加したものを焼き付けて形成することが好ましい。このとき、添加するセラミック材料として、誘電体層２０と同種のセラミック材料を用いることが特に好ましい。この場合は、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、積層チップと積層チップに塗布した導電性ペーストを同時に焼き付けて、焼き付け層が形成された積層体１０を形成する。

その後、下地電極層の表面に、めっき層が形成される。本実施形態においては、第１の下地電極層５０Ａの表面に、第１のめっき層６０Ａが形成される。また、第２の下地電極層５０Ｂの表面に、第２のめっき層６０Ｂが形成される。本実施形態では、めっき層として、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層が形成される。めっき処理を行うにあたっては、電解めっき、無電解めっきのどちらを採用してもよい。

ただし、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となるため、工程が複雑化するというデメリットがある。従って、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層は、例えばバレルめっきにより、順次形成される。

なお、下地電極層として導電性樹脂層を設ける場合、導電性樹脂層は、焼き付け層を覆うように配置されてもよい。導電性樹脂層を設ける場合は、熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂ペーストが焼き付け層上に塗布され、その後、２５０～５５０℃以上の温度で熱処理される。これにより、熱硬化樹脂が熱硬化して、導電性樹脂層が形成される。この熱処理時の雰囲気は、Ｎ_２雰囲気であることが好ましい。また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下であることが好ましい。

このような製造工程により、積層セラミックコンデンサ１が製造される。

＜第２の実施形態＞
なお、第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、図１～図４Ｂに示す構成に限定されない。例えば、積層セラミックコンデンサ１は、図９に示すような３連構造の積層セラミックコンデンサであってもよく、本開示の効果を得ることができる。

以下に、第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について、図９、図１０を用いて説明する。なお、以下の説明において、第１の実施形態と同じ構成については詳細な説明を省略する場合がある。図９は、第２の実施形態に係る三連構造の積層体の概略構成を説明するための図であって、第１の実施形態における図２Ａに相当する図である。図１０は、第２の実施形態における内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。

第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、図１、図２に示されるように第１の主面ＴＳ１上の長さ方向Ｌの略中央に凹部としての第１の凹部ＤＥ１が形成されており、第２の主面ＴＳ２上の長さ方向Ｌの略中央に凹部としての第２の凹部ＤＥ２が形成されていた。しかし、第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、図９に示されるように、第１の主面ＴＳ１上に２つの第１の凹部ＤＥ１が形成され、第２の主面ＴＳ２上に２つの第２の凹部ＤＥ２が形成される。ただし、凹部は形成されていなくてもよい。

複数の内部電極層３０は、複数の第１の内部電極層３１と、複数の第２の内部電極層３２と、中間電極層３３と、を含む。

図９に示されるように、第２の実施形態に係る中間電極層３３は、第１の中間電極層３３１と、第２の中間電極層３３２と、を含む。

第１の中間電極層３３１は、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａと、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂと、第１の連結部Ｅ１０と、を有する。第１電極層側対向部ＥＣ１Ａは、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の内部電極層３１と対向する領域であり、積層体１０の内部に位置する。第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂは、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の中間電極層３３２と対向する領域であり、積層体１０の内部に位置する。第１の連結部Ｅ１０は、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａと第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂとを連結する部分であり、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａと第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂとの間に配置される。

第２の中間電極層３３２は、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａと、第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂと、第２の連結部Ｅ２０と、を有する。第２電極層側対向部ＥＣ２Ａは、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の内部電極層３２と対向する。第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂは、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の中間電極層３３１と対向する。第２の連結部Ｅ２０は、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａと第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂとを連結する部分であり、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａと第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂとの間に配置される。

図９に示されるように、第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１と、第２の中間電極層３３２と、が長さ方向Ｌにおいて隣接するように配置される。第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第２の内部電極層３２と、第１の中間電極層３３１と、が長さ方向Ｌにおいて隣接するように配置される。

第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１および第２の中間電極層３３２と、第２の内部電極層３２および第１の中間電極層３３１と、が誘電体層２０を介して交互に重なるように積層されている。

すなわち、本実施形態では、第１の対向部ＥＡと第１電極層側対向部ＥＣ１Ａとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ１（第１コンデンサ部）が形成される。第２の対向部ＥＢと第２電極層側対向部ＥＣ２Ａとが誘電体層を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ２（第２コンデンサ部）が形成される。第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂと第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ３（第３コンデンサ部）が形成される。第１の連結部Ｅ１０は、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する。第２の連結部Ｅ２０は、静電容量ＣＡＰ２と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、直列接続の３つのコンデンサ部が形成されている、いわゆる３連構造のシリーズ構造の積層セラミックコンデンサ１である。

第１の対向部ＥＡ、第２の対向部ＥＢ、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａ、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂ、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａおよび第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。第１の引出き出し部Ｄ１および第２の引き出し部Ｄ２の形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。

なお、積層体１０は、直列コンデンサ形成部１１Ｅを有する。直列コンデンサ形成部１１Ｅは、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡと中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣ１Ａとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ１を形成する部分）と、第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢと中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣ２Ａとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ２を形成する部分）と、中間電極層３３の第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂと第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ３を形成する部分）と、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する部分と、静電容量ＣＡＰ２と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する部分と、を含む。直列コンデンサ形成部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。なお、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうち、静電容量ＣＡＰ１を形成する部分（第１コンデンサ部）と、静電容量ＣＡＰ２を形成する部分（第２コンデンサ部）と、静電容量ＣＡＰ３を形成する部分（第３コンデンサ部）は、コンデンサ有効部ともいう。

なお、積層体１０の直列コンデンサ形成部１１Ｅは、第１の直列接続領域と、第２の直列接続領域と、を有する。第１の直列接続領域は、静電容量ＣＡＰ１を形成する部分と静電容量ＣＡＰ３を形成する部分との間に位置する、誘電体層２０と第１の連結部Ｅ１０を含む部分である。第２の直列接続領域は、静電容量ＣＡＰ２を形成する部分と静電容量ＣＡＰ３を形成する部分との間に位置する、誘電体層２０と第２の連結部Ｅ２０を含む部分である。すなわち、第１の直列接続領域は、複数枚の誘電体層２０のうちの積層方向Ｔから見て第１の連結部Ｅ１０に重なる部分と、複数枚の第１の連結部Ｅ１０と、の集合体である。第２の直列接続領域は、複数枚の誘電体層２０のうちの積層方向Ｔから見て第２の連結部Ｅ２０に重なる部分と、複数枚の第２の連結部Ｅ２０と、の集合体である。

外部電極４０は、図９に示すように、積層体１０の第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４０Ａと、積層体１０の第２の端面ＬＳ２側に配置された第２の外部電極４０Ｂと、を有する。

第１の連結部Ｅ１０は、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する。第２の連結部Ｅ２０は、静電容量ＣＡＰ２と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する。そのため、第１の内部電極層３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極層３２が接続された第２の外部電極４０Ｂとの間で、直列接続容量によるコンデンサの特性が発現する。

このように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０の内部の内部電極層３０の態様が第１の実施形態と異なる。具体的には、第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層３０が２連構造であったのに対して、第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層３０が３連構造であり、積層体１０の内部の内部電極層３０の態様が第１の実施形態と異なる。

一方、以下のように第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１と第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１との間で、カバレッジを高めることによる、類似した構成がある。例えば、上述のように、カバレッジを高めるために、上述の製造方法により内部電極層の厚みを厚くしている。このため、カバレッジが高い領域の内部電極層３０は、カバレッジが低い内部電極層３０に比べて厚みが厚い。

また、カバレッジが高い領域の内部電極層３０と、カバレッジが低い内部電極層３０と、の間には、厚みが緩やかに徐変する傾斜部が形成される。また、カバレッジが高い領域では、第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２に隆起面が形成される。また、カバレッジが高い領域における隆起面と、他の領域における平面部と、の間には、傾斜面が形成される。また、第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１のように、カバレッジが高い領域において、長さ方向Ｌの中央側に長さ方向Ｌにおいて並ぶ２つの内部電極層３０の間の隙間がある場合は、長さ方向Ｌにおける当該隙間に対応する隆起面における位置に凹部が形成される場合がある。

従って、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の説明においては、上述のように、カバレッジを高めるために上述の製造方法により内部電極層の厚みを厚くすることによって形成された第１の実施形態と同様の構成については、説明の便宜上省略する場合がある。

図９に示すように、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡは、第１領域ＥＡ１と、第２領域ＥＡ２と、を有する。第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢは、第３領域ＥＢ１と、第４領域ＥＢ２と、を有する。

本実施形態では、図９に示すように、第１の中間電極層３３１の第１電極層側対向部ＥＣ１Ａは、第５領域ＥＣ１Ａ１と、第６領域ＥＣ１Ａ２と、を有する。第５領域ＥＣ１Ａ１は、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａのうちの第１の端面ＬＳ１側の領域である。第６領域ＥＣ１Ａ２は、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａのうちの第２の端面ＬＳ２側の領域である。

本実施形態では、図９に示すように、第２の中間電極層３３２の第２電極層側対向部ＥＣ２Ａは、第７領域ＥＣ２Ａ１と、第８領域ＥＣ２Ａ２と、を有する。第７領域ＥＣ２Ａ１は、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａのうちの第２の端面ＬＳ２側の領域である。第８領域ＥＣ２Ａ２は、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａのうちの第１の端面ＬＳ１側の領域である。

第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジおよび第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジは、第１の対向部ＥＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジおよび第２の対向部ＥＢの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジおよび第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジは、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジおよび第２電極層側対向部ＥＣ２Ａの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズが大きくなることを抑制しつつ、第２領域ＥＡ２、第４領域ＥＢ２、第６領域ＥＣ１Ａ２、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂ、第８領域ＥＣ２Ａ２および第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂの内部電極層３０の厚みを厚くしてカバレッジを高めて、容量を高めることができる。なお、第１の中間電極層３３１の第１の連結部Ｅ１０の厚みは、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａの第６領域ＥＣ１Ａ２および第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂの厚みと同じであることが好ましい。第２の中間電極層３３２の第２の連結部Ｅ２０の厚みは、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａの第８領域ＥＣ２Ａ２および第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂの厚みと同じであることが好ましい。これにより、静電容量ＣＡＰ１、静電容量ＣＡＰ２および静電容量ＣＡＰ３を、より高い信頼性で直列接続することができる。また、製造も容易となる。ただし、これに限らない。

複数の内部電極層３０は、さらに傾斜部を有する。例えば、第１の内部電極層３１は、図９に示されるように、第１領域ＥＡ１と第２領域ＥＡ２とを連結する第１の傾斜部ＦＡ１を有する。第２の内部電極層３２は、図９に示されるように、第３領域ＥＢ１と第４領域ＥＢ２とを連結する第２の傾斜部ＦＢ１を有する。

第１の中間電極層３３１は、図９に示されるように、第５領域ＥＣ１Ａ１と第６領域ＥＣ１Ａ２とを連結する第３の傾斜部ＦＣＡ１を有する。第２の中間電極層３３２は、図９に示されるように、第７領域ＥＣ２Ａ１と第８領域ＥＣ２Ａ２とを連結する第４の傾斜部ＦＣＢ１を有する。

第１の内部電極層３１は、第１の引き出し部Ｄ１に位置する第５の傾斜部ＦＡ２をさらに有する。第５の傾斜部ＦＡ２は、長さ方向Ｌにおいて第１の中間電極層３３１の第１の端面ＬＳ１側の端よりも第１の端面ＬＳ１側に配置されることが好ましい。第２の内部電極層３２は、第２の引き出し部Ｄ２に位置する第６の傾斜部ＦＢ２をさらに有する。第６の傾斜部ＦＢ２は、長さ方向Ｌにおいて第２の中間電極層３３２の第２の端面ＬＳ２側の端よりも第２の端面ＬＳ２側に配置されることが好ましい。

図９に示されるように、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出し、長さ方向Ｌ中心に向かって隆起する第１の隆起面ＥｐｓＡと、を有する。

図９に示されるように、第１の隆起面ＥｐｓＡは、第１の平坦面ＦＰＡ１と、２つの第１の凹部ＤＥ１と、を有する。第１の凹部ＤＥ１は、幅方向Ｗに延びるように形成された凹形状部である。２つの第１の凹部ＤＥ１は、第１の平坦面ＦＰＡ１のうちの長さ方向Ｌにおいて第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の間の隙間に対応する位置に形成される。

第１の平坦面ＦＰＡ１は、積層方向Ｔに垂直な面であり、第１の主面ＴＳ１の長さ方向Ｌの略中央に配置される。

図９に示されるように、第２の主面ＴＳ２は、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出し、長さ方向Ｌ中心に向かって隆起する第２の隆起面ＥｐｓＢと、を有する。

第２の隆起面ＥｐｓＢは、第３の平坦面ＦＰＢ１と、２つの第２の凹部ＤＥ２と、を有する。第２の凹部ＤＥ２は、幅方向Ｗに延びるように形成された凹形状部である。２つの第２の凹部ＤＥ２は、第３の平坦面ＦＰＢ１のうちの長さ方向Ｌにおいて第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２の間の隙間に対応する位置に形成される。

＜各種パラメータの測定＞
以下、各種パラメータの測定方法について説明する。上述のように、第１の実施形態と同様の構成についての説明を省略する場合がある。第２の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、第１の実施形態とは異なり、３連構造である。このため、第２の実施形態に係る測定方法における測定ポイントは、第１の実施形態とは異なる。以下に、本実施形態に係る測定ポイントについて説明する。

測定ポイントは、カバレッジが高く、かつ厚みが厚い領域と、カバレッジが低く、かつ厚みの薄い領域と、に設定される。測定値は、それぞれの領域の平均値をとる。本実施形態では、後述する測定ポイントＭＢ１～ＭＢ１０が設定される。

第１の主面側内層部１１２に、測定ポイントＭＢ１～ＭＢ５が設定される。測定ポイントＭＢ１は、第１の主面側内層部１１２における、第１の内部電極層３１の第１領域ＥＡ１および第１の中間電極層３３１の第５領域ＥＣ１Ａ１を含む部分である。測定ポイントＭＢ２は、第１の主面側内層部１１２における、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２および第１の中間電極層３３１の第６領域ＥＣ１Ａ２を含む部分である。

測定ポイントＭＢ３は、第１の主面側内層部１１２における、第１の中間電極層３３１の第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂおよび第２の中間電極層３３２の第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂを含む部分である。

測定ポイントＭＢ４は、第１の主面側内層部１１２における、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２および第２の中間電極層３３２の第８領域ＥＣ２Ａ２を含む部分である。測定ポイントＭＢ５は、第１の主面側内層部１１２における、第２の内部電極層３２の第３領域ＥＢ１および第２の中間電極層３３２の第７領域ＥＣ２Ａ１を含む部分である。

第２の主面側内層部１１３に、測定ポイントＭＢ６～ＭＢ１０が設定される。測定ポイントＭＢ６は、第２の主面側内層部１１３における、第１の内部電極層３１の第１領域ＥＡ１および第１の中間電極層３３１の第５領域ＥＣ１Ａ１を含む部分である。測定ポイントＭＢ７は、第２の主面側内層部１１３における、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２、第１の中間電極層３３１の第６領域ＥＣ１Ａ２を含む部分である。

測定ポイントＭＢ８は、第２の主面側内層部１１３における、第１の中間電極層３３１の第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂおよび第２の中間電極層３３２の第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂを含む部分である。

測定ポイントＭＢ９は、第２の主面側内層部１１３における、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２および第２の中間電極層３３２の第８領域ＥＣ２Ａ２を含む部分である。測定ポイントＭＢ１０は、第２の主面側内層部１１３における、第２の内部電極層３２の第３領域ＥＢ１および第２の中間電極層３３２の第７領域ＥＣ２Ａ１を含む部分である。

測定ポイントＭＢ１、ＭＢ６は、長さ方向Ｌにおいて、図９に示される距離Ｌｅ１の中心位置に設定される。測定ポイントＭＢ２、ＭＢ７は、長さ方向Ｌにおいて、図９に示される第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２の中心位置に設定される。測定ポイントＭＢ３、Ｍ８は、長さ方向Ｌにおいて、図９に示される距離Ｌｅ０の中心位置に設定される。測定ポイントＭＢ４、Ｍ９は、長さ方向Ｌにおいて、図９に示される第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２の中心位置に設定される。測定ポイントＭ５、Ｍ１０は、長さ方向Ｌにおいて、図９に示される距離Ｌｅ２の中心位置に設定される。

＜製造方法＞
次に、第２の実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。上述のように、第１の実施形態と同様の構成についての説明を省略する場合がある。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上述した要件を満足する限り、その製造方法は限定されない。しかしながら好適な製造方法は、以下の工程を備える。各工程の詳細を以下に説明する。

ここで、積層チップ作成のための積層シートの作成方法について、図１０を用いて説明する。積層シートは、誘電体シートを積層して作製する。図６、図７に示されるような誘電体シートの作成方法については、第１の実施形態と同様のため説明を省略する。

図１０に示されるように、第１の主面側外層部１２となる部分Ｐ１２の表面に、図７に示されるようなスクリーン印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分Ｐ１１が形成される。ここで、図１０中、Ｃで囲む部分に着目して説明すると、第１の内部電極層３１および第２の中間電極層３３２となる導電性ペーストＰ３１および導電性ペーストＰ３３２が配置された誘電体シートＧ１と、第１の中間電極層３３１および第２の内部電極層３２となる導電性ペーストＰ３３１および導電性ペーストＰ３２が配置された誘電体シートＧ２とが順次交互に積層される。なお、図８におけるＣの部分は、その後の工程で切り出されて１つの積層チップを構成する。

本実施形態に係る誘電体シートは、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２、第１の中間電極層３３１の第６領域ＥＣ１Ａ２、第２の中間電極層３３２の第８領域ＥＣ２Ａ２、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂ、および第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂとなる部分に導電性ペーストＰ２が塗布される。このため、第１の内部電極層３１の第２領域ＥＡ２、第２の内部電極層３２の第４領域ＥＢ２、第１の中間電極層３３１の第６領域ＥＣ１Ａ２、第２の中間電極層３３２の第８領域ＥＣ２Ａ２、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂ、および第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂが厚くなり高カバレッジ部が設定される。

＜第３の実施形態＞
第２の実施形態に係る３連構造の積層セラミックコンデンサ１は、図９に示すように第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２にもカバレッジの高い領域が配置されていたが、このような構成に限定されない。例えば、３連構造の積層セラミックコンデンサ１は、図１１に示すように中間電極層３３のみにカバレッジの高い領域が配置され、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２にはカバレッジの高い領域が配置されなくてもよい。

以下に、第３の実施形態に係る３連構造の積層セラミックコンデンサ１について、図１１、図１２を用いて説明する。なお、以下の説明において、第２の実施形態と同じ構成については詳細な説明を省略する。図１１は、第３の実施形態に係る３連構造の積層体の高カバレッジ部の範囲を説明するための模式図である。図１２は、第３の実施形態における内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０の内部の内部電極層の態様が、第２の実施形態と異なる。具体的には、第２の実施形態に係る３連構造の積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２、第１の中間電極層３３１および第２の中間電極層３３２に高カバレッジ部が設定されていた。しかし、第３の実施形態に係る３連構造の積層セラミックコンデンサ１においては、図１１に示されるように、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２には、高カバレッジ部が設定されず、第１の中間電極層３３１および第２の中間電極層３３２に高カバレッジ部が設定される。

＜各種パラメータの測定＞
第３の実施形態における各種パラメータの測定方法は、基本的には上述の実施形態と同様である。第３の実施形態に係る測定方法における測定ポイントは、第２の実施形態における測定ポイントに対して、ＭＢ２、ＭＢ４、ＭＢ７、ＭＢ９を除くポイントとする。

＜製造方法＞
第３の実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。上述のように、第１の実施形態と同様の構成についての説明を省略する場合がある。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上述した要件を満足する限り、その製造方法は限定されない。しかしながら好適な製造方法は、以下の工程を備える。各工程の詳細を以下に説明する。

次に、図１２に示されるように、第１の主面側外層部１２となる部分Ｐ１２の表面に、図７に示されるようなスクリーン印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分Ｐ１１が形成される。ここで、図１２中、Ｃで囲む部分に着目して説明すると、第１の内部電極層３１および第２の中間電極層３３２となる導電性ペーストＰ３１および導電性ペーストＰ３３２が配置された誘電体シートＧ１と、第１の中間電極層３３１および第２の内部電極層３２となる導電性ペーストＰ３２が配置された誘電体シートＧ２とが順次交互に積層される。なお、図１２におけるＣの部分は、その後の工程で切り出されて１つの積層チップを構成する。

この内層部１１となる部分Ｐ１１の表面に、内部電極層３０のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分Ｐ１３が形成される。これにより、積層シートが作製される。本実施形態に係る導電性ペーストは、中間電極層３３となる部分にのみ導電性ペーストＰ２が塗布され、図１１に示されるように中間電極層３３のみ厚くなり高カバレッジ部が設定される。

＜第４の実施形態＞
なお、第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、図１～図４Ｂに示す構成に限定されない。例えば、積層セラミックコンデンサ１は、図１３に示すような４連構造の積層セラミックコンデンサであってもよい。

以下に、第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について、図１３、図１４を用いて説明する。なお、以下の説明において、第１の実施形態と同じ構成については詳細な説明を省略する。図１３は、第４の実施形態に係る四連構造の積層体１０の高カバレッジ部の範囲を説明するための模式図である。図１４は、第４の実施形態における内層部１１となる部分の上下に第１の主面側外層部１２となる部分および第２の主面側外層部１３となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０の内部の内部電極層３０と、外部電極４０の態様が、第１の実施形態と異なる。具体的には、第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層３０が２連構造であったのに対して、第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層３０が４連構造であり、積層体１０の内部の内部電極層３０の態様が第１の実施形態と異なる。

図１１に示されるように、中間電極層３３は、第１の中間電極層３３１と、第２の中間電極層３３２と、第３の中間電極層３３３と、を含む。

第１の中間電極層３３１は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の内部電極層３１と対向する第１電極層側対向部ＥＣ１Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第３の中間電極層３３３と対向する第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂと、第１の連結部Ｅ１０と、を有する。

第２の中間電極層３３２は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の内部電極層３２と対向する第２電極層側対向部ＥＣ２Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第３の中間電極層３３３と対向する第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂと、第２の連結部Ｅ２０と、を有する。

第３の中間電極層３３３は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の中間電極層３３１と対向する第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の中間電極層３３２と対向する第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂと、第３の連結部Ｅ３０と、を有する。

図１３に示されるように、第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１と、第３の中間電極層３３３と、第２の内部電極層３２と、が長さ方向Ｌにおいて隣接するように配置される。第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の中間電極層３３１と、第２の中間電極層３３２と、が長さ方向Ｌにおいて隣接するように配置される。

第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１、第３の中間電極層３３３および第２の内部電極層３２と、第１の中間電極層３３１および第２の中間電極層３３２と、が誘電体層２０を介して交互に重なるように積層されている。

すなわち、本実施形態では、第１の対向部ＥＡと第１電極層側対向部ＥＣ１Ａとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ１（第１コンデンサ部）が形成される。第２の対向部ＥＢと第２電極層側対向部ＥＣ２Ａとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ２（第２コンデンサ部）が形成される。第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂと第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ３（第３コンデンサ部）が形成される。第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂと第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂとが誘電体層２０を介して互いに対向することにより静電容量ＣＡＰ４（第４コンデンサ部）が形成される。第１の連結部Ｅ１０は、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する。第２の連結部Ｅ２０は、静電容量ＣＡＰ２と静電容量ＣＡＰ４を直列接続する。第３の連結部Ｅ３０は、静電容量ＣＡＰ３と静電容量ＣＡＰ４を直列接続する。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、直列接続の４つのコンデンサ部が形成されている、いわゆる４連構造のシリーズ構造の積層セラミックコンデンサ１である。

第１の対向部ＥＡ、第２の対向部ＥＢ、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａ、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂ、第２電極層側対向部ＥＣ２Ａ、第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂ、第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａおよび第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂの形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。第１の引出き出し部Ｄ１および第２の引き出し部Ｄ２の形状は、特に限定されないが、矩形状であることが好ましい。もっとも、矩形形状のコーナー部が丸められていてもよいし、矩形形状のコーナー部が斜めに形成されていてもよい。

なお、積層体１０は、直列コンデンサ形成部１１Ｅを有する。直列コンデンサ形成部１１Ｅは、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡと中間電極層３３の第１電極層側対向部ＥＣ１Ａとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ１を形成する部分）と、第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢと中間電極層３３の第２電極層側対向部ＥＣ２Ａとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ２を形成する部分）と、中間電極層３３の第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂと第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ３を形成する部分）と、中間電極層３３の第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂと第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂとが対向する部分（静電容量ＣＡＰ４を形成する部分）と、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する部分と、静電容量ＣＡＰ２と静電容量ＣＡＰ４を直列接続する部分と、静電容量ＣＡＰ３と静電容量ＣＡＰ４を直列接続する部分と、を含む。直列コンデンサ形成部１１Ｅは、内層部１１の一部として構成されている。なお、直列コンデンサ形成部１１Ｅのうち、静電容量ＣＡＰ１を形成する部分（第１コンデンサ部）と、静電容量ＣＡＰ２を形成する部分（第２コンデンサ部）と、静電容量ＣＡＰ３を形成する部分（第３コンデンサ部）と、静電容量ＣＡＰ４を形成する部分（第４コンデンサ部）は、コンデンサ有効部ともいう。

なお、積層体１０の直列コンデンサ形成部１１Ｅは、第１の直列接続領域と、第２の直列接続領域と、第３の直列接続領域と、を有する。第１の直列接続領域は、静電容量ＣＡＰ１を形成する部分と静電容量ＣＡＰ３を形成する部分との間に位置する、誘電体層２０と第１の連結部Ｅ１０を含む部分である。第２の直列接続領域は、静電容量ＣＡＰ２を形成する部分と静電容量ＣＡＰ４を形成する部分との間に位置する、誘電体層２０と第２の連結部Ｅ２０を含む部分である。第３の直列接続領域は、静電容量ＣＡＰ３を形成する部分と静電容量ＣＡＰ４を形成する部分との間に位置する、誘電体層２０と第３の連結部Ｅ３０を含む部分である。

すなわち、第１の直列接続領域は、複数枚の誘電体層２０のうちの積層方向Ｔから見て第１の連結部Ｅ１０に重なる部分と、複数枚の第１の連結部Ｅ１０と、の集合体である。第２の直列接続領域は、複数枚の誘電体層２０のうちの積層方向Ｔから見て第２の連結部Ｅ２０に重なる部分と、複数枚の第２の連結部Ｅ２０と、の集合体である。第３の直列接続領域は、複数枚の誘電体層２０のうちの積層方向Ｔから見て第３の連結部Ｅ３０に重なる部分と、複数枚の第３の連結部Ｅ３０と、の集合体である。

外部電極４０は、図１３に示すように、積層体１０の第１の端面ＬＳ１側に配置された第１の外部電極４０Ａと、積層体１０の第２の端面ＬＳ２側に配置された第２の外部電極４０Ｂと、を有する。

第１の連結部Ｅ１０は、静電容量ＣＡＰ１と静電容量ＣＡＰ３を直列接続する。第２の連結部Ｅ２０は、静電容量ＣＡＰ２と静電容量ＣＡＰ４を直列接続する。第３の連結部Ｅ３０は、静電容量ＣＡＰ３と静電容量ＣＡＰ４を直列接続する。そのため、第１の内部電極層３１が接続された第１の外部電極４０Ａと第２の内部電極層３２が接続された第２の外部電極４０Ｂとの間で、直列接続容量によるコンデンサの特性が発現する。

このように、本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０の内部の内部電極層３０の態様が第１の実施形態と異なる。具体的には、第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層３０が２連構造であったのに対して、第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、内部電極層３０が４連構造であり、積層体１０の内部の内部電極層３０の態様が第１の実施形態と異なる。

一方、以下のように第１の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１と第４の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１との間で、カバレッジを高めることによる類似した構成がある。従って、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１の説明においては、上述のように、カバレッジを高めるために上述の製造方法により内部電極層の厚みを厚くすることによって形成された第１の実施形態と同様の構成については、説明の便宜上省略する場合がある。

第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジ、第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジ、第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａのカバレッジおよび第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂのカバレッジは、第１の対向部ＥＡのうちの第１の端面ＬＳ１側のカバレッジおよび第２の対向部ＥＢのうちの第２の端面ＬＳ２側のカバレッジよりも高い。

第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジ、第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジ、第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａのカバレッジおよび第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂのカバレッジは、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａのうちの第１の端面ＬＳ１側のカバレッジおよび第２電極層側対向部ＥＣ２Ａのうちの第２の端面ＬＳ２側のカバレッジよりも高い。

第３の中間電極層３３３のカバレッジは、第１の内部電極層３１のうちの第１の端面ＬＳ１側のカバレッジおよび第２の内部電極層３２のうちの第２の端面ＬＳ２側のカバレッジよりも高い。

＜各種パラメータの測定＞
第４の実施形態における各種パラメータの測定方法は、基本的には上述の実施形態と同様である。第４の実施形態に係る測定方法における測定ポイントは、他の実施形態と同様、カバレッジが高く、かつ厚みが厚い領域と、カバレッジが低く、かつ厚みが薄い領域と、に設定される。

＜製造方法＞
第４の実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。上述のように、第１の実施形態と同様の構成についての説明を省略する場合がある。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上述した要件を満足する限り、その製造方法は限定されない。しかしながら好適な製造方法は、以下の工程を備える。各工程の詳細を以下に説明する。

次に、図１４に示されるように、第１の主面側外層部１２となる部分Ｐ１２の表面に、図７に示されるようなスクリーン印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分Ｐ１１が形成される。ここで、図１４中、Ｃで囲む部分に着目して説明すると、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および第３の中間電極層３３３となる導電性ペーストＰ３１、導電性ペーストＰ３２および導電性ペーストＰ３３３が配置された誘電体シートＧ１と、第１の中間電極層３３１および第２の中間電極層３３２となる導電性ペーストＰ３３１および導電性ペーストＰ３３２が配置された誘電体シートＧ２とが順次交互に積層される。なお、図１４におけるＣの部分は、その後の工程で切り出されて１つの積層チップを構成する。

この内層部１１となる部分Ｐ１１の表面に、内部電極層３０のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分Ｐ１３が形成される。これにより、積層シートが作製される。本実施形態に係る誘電体シートは、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および中間電極層３３となる部分に導電性ペーストＰ２が塗布され、図１３に示されるように第１の内部電極層３１の一部、第２の内部電極層３２の一部および中間電極層３３の一部が厚くなり高カバレッジ部が設定される。

＜第５の実施形態＞
第４の実施形態に係る４連構造の積層セラミックコンデンサ１は、図１３に示すように第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２にもカバレッジの高い領域が配置されていたが、このような構成に限定されない。例えば、４連構造の積層セラミックコンデンサ１は、図１５に示すように中間電極層３３のみにカバレッジの高い領域が配置され、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２にはカバレッジの高い領域が配置されなくてもよい。

以下に、第５の実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１について、図１５、図１６を用いて説明する。なお、以下の説明において、第１の実施形態と同じ構成については詳細な説明を省略する。図１５は、第５の実施形態に係る四連構造の積層体の高カバレッジ部の範囲を説明するための模式図である。図１６は、第５の実施形態における内層部となる部分の上下に第１の主面側外層部となる部分および第２の主面側外層部となる部分が形成された積層シートの一部を示す模式図である。

本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、積層体１０の内部の内部電極層の態様が、第４の実施形態と異なる。具体的には、第４の実施形態に係る４連構造の積層セラミックコンデンサ１においては、第１の内部電極層３１の一部、第２の内部電極層３２の一部、第１の中間電極層３３１の一部、第２の中間電極層３３２の一部および第３の中間電極層３３３に高カバレッジ部が設定されていた。しかし、第５の実施形態に係る４連構造の積層セラミックコンデンサ１においては、図１５に示されるように、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２には、高カバレッジ部が設定されず、第１の中間電極層３３１の一部、第２の中間電極層３３２の一部および第３の中間電極層３３３に高カバレッジ部が設定される。

＜各種パラメータの測定＞
第５の実施形態における各種パラメータの測定方法は、基本的には上述の実施形態と同様である。第５の実施形態に係る測定方法における測定ポイントは、他の実施形態と同様、カバレッジが高く、かつ厚みが厚い領域と、カバレッジが低く、かつ厚みが薄い領域と、に設定される。

＜製造方法＞
第５の実施形態の積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。上述のように、第１の実施形態と同様の構成についての説明を省略する場合がある。本実施形態の積層セラミックコンデンサ１は、上述した要件を満足する限り、その製造方法は限定されない。しかしながら好適な製造方法は、以下の工程を備える。各工程の詳細を以下に説明する。

次に、図１６に示されるように、第１の主面側外層部１２となる部分Ｐ１２の表面に、図７に示されるようなスクリーン印刷された誘電体シートが順次積層されることにより、内層部１１となる部分Ｐ１１が形成される。ここで、図１６中、Ｃで囲む部分に着目して説明すると、第１の内部電極層３１、第２の内部電極層３２および第３の中間電極層３３３となる導電性ペーストＰ３１、導電性ペーストＰ３２および導電性ペーストＰ３３３が配置された誘電体シートＧ１と、第１の中間電極層３３１および第２の中間電極層３３２となる導電性ペーストＰ３３１および導電性ペーストＰ３３２が配置された誘電体シートＧ２とが順次交互に積層される。なお、図１６におけるＣの部分は、その後の工程で切り出されて１つの積層チップを構成する。

この内層部１１となる部分Ｐ１１の表面に、内部電極層３０のパターンが印刷されていない誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面ＴＳ２側の第２の主面側外層部１３となる部分Ｐ１３が形成される。これにより、積層シートが作製される。本実施形態に係る導電性ペーストは、中間電極層３３となる部分にのみ導電性ペーストＰ２が塗布され、図１５に示されるように中間電極層３３の一部のみ厚くなり高カバレッジ部が設定される。

以上説明した実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１によれば、以下の効果を奏する。通常の積層セラミックコンデンサにおいては、第１の外部電極の表面と第２の外部電極の表面とを結ぶ仮想的な面と、積層体の表面との間の部分に空間が存在する。この空間は、外部電極が側面厚みを有している限りは必ず存在する空間であるが、容量密度には寄与していない。

静電容量を向上させる方法の１つに、内部電極層のカバレッジを向上させて、正味の有効面を向上させる方法が考えられる。ここで、内部電極層のカバレッジと内部電極層の厚みには正の相関があるため、カバレッジを向上させるためには、内部電極層の厚みを厚くする必要がある。よって、積層体を同じ積層方向Ｔの寸法で設計するためには、内部電極層を厚くする分、内部電極層の枚数を減らす必要があった。このため、内部電極層を厚くすることによる静電容量向上の効果は、内部電極層の枚数の減少により打ち消されてしまう。

本開示によれば、第１の外部電極の表面と第２の外部電極の表面とを結ぶ仮想的な面と、積層体の表面との間の部分に存在する空間を有効に利用して、高耐圧仕様であるシリーズ構造の積層セラミックコンデンサにおいても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層２０と積層された複数の内部電極層３０とを含み、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１０と、第１の端面ＬＳ１上に配置される第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２上に配置される第２の外部電極４０Ｂと、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、複数の内部電極層３０は、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２と、中間電極層３３とを含み、第１の内部電極層３１は、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４０Ａと接続する第１の引き出し部Ｄ１と、前記第１の引き出し部Ｄ１に接続され、積層方向Ｔに隣り合って配置された内部電極層３０と対向する第１の対向部ＥＡとを有し、第２の内部電極層３２は、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４０Ｂと接続する第２の引き出し部Ｄ２と、第２の引き出し部Ｄ２に接続され、積層方向Ｔに隣り合って配置された内部電極層３０と対向する第２の対向部ＥＢとを有し、中間電極層３３は、第１の外部電極４０Ａにも第２の外部電極４０Ｂにも接続されておらず、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２と共に直列接続のコンデンサ素子を形成する内部電極層３０であり、中間電極層３３の少なくとも一部のカバレッジは、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジよりも高く、かつ第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

これにより、高耐圧仕様の積層セラミックコンデンサ１においても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることが可能な積層セラミックコンデンサ１を提供できる。

また、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、中間電極層３３は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の内部電極層３１と対向する第１電極層側対向部ＥＣＡと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の内部電極層３２と対向する第２電極層側対向部ＥＣＢとを有し、第１の内部電極層３１の第１の対向部ＥＡは、積層方向Ｔに隣り合って配置された内部電極層としての中間電極層３３と対向し、第２の内部電極層３２の第２の対向部ＥＢは、積層方向Ｔに隣り合って配置された内部電極層としての前記中間電極層と対向する。

これにより、２連構造の高耐圧仕様の積層セラミックコンデンサ１においても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることができる。

また、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１電極層側対向部ＥＣＡの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジは、第１の対向部ＥＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジよりも高く、第２電極層側対向部ＥＣＢの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジは、第２の対向部ＥＢの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１電極層側対向部ＥＣＡの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジは、第１電極層側対向部ＥＣＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジよりも高く、第２電極層側対向部ＥＣＢの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジは、第２電極層側対向部ＥＣＢの第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の対向部ＥＡの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジは、第１の対向部ＥＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジよりも高く、第２の対向部ＥＢの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジは、第２の対向部ＥＢの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の対向部ＥＡの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジは、第１電極層側対向部ＥＣＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジよりも高く、第２の対向部ＥＢの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジは、第１電極層側対向部ＥＣＡの前記第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、中間電極層３３は、第１の中間電極層３３１と、第２の中間電極層３３２と、を含み、第１の中間電極層３３１は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の内部電極層３１と対向する第１電極層側対向部ＥＣ１Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の中間電極層３３２と対向する第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂとを有し、第２の中間電極層３３２は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の内部電極層３２と対向する第２電極層側対向部ＥＣ２Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の中間電極層３３１と対向する第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂとを有する。

これにより、３連構造の高耐圧仕様の積層セラミックコンデンサ１においても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジおよび第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジは、第１の対向部ＥＡの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジおよび第２の対向部ＥＢの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジおよび第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジは、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａの第１の端面ＬＳ１側の領域のカバレッジおよび第２電極層側対向部ＥＣ２Ａの第２の端面ＬＳ２側の領域のカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、中間電極層３３は、第１の中間電極層３３１と、第２の中間電極層３３２と、第３の中間電極層３３３と、を含み、第１の中間電極層３３１は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の内部電極層３１と対向する第１電極層側対向部ＥＣ１Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第３の中間電極層３３３と対向する第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂとを有し、第２の中間電極層３３２は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の内部電極層３２と対向する第２電極層側対向部ＥＣ２Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第３の中間電極層３３３と対向する第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂとを有し、第３の中間電極層３３３は、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の中間電極層３３１と対向する第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の中間電極層３３２と対向する第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂとを有する。

これにより、４連構造の積層セラミックコンデンサ１においても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジ、第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジ、第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａおよび第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂのカバレッジは、第１の対向部ＥＡのカバレッジおよび第２の対向部ＥＢのカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の中間電極層対向部ＥＣ１Ｂのカバレッジ、第２の中間電極層対向部ＥＣ２Ｂのカバレッジ、第３の中間電極層対向部ＥＣ３Ａおよび第４の中間電極層対向部ＥＣ３Ｂのカバレッジは、第１電極層側対向部ＥＣ１Ａのカバレッジおよび第２電極層側対向部ＥＣ２Ａのカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第３の中間電極層３３３のカバレッジは、第１の内部電極層３１および第２の内部電極層３２のカバレッジよりも高い。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の対向部ＥＡのうちの第２の端面ＬＳ２側の部分を第２領域ＥＡ２とし、第２の対向部ＥＢのうちの第１の端面ＬＳ１側の部分を第４領域ＥＢ２とした場合、第２領域ＥＡ２の第１の端面ＬＳ１側の端部は、第１の外部電極４０Ａの第２の端面ＬＳ２側の端部より第２の端面ＬＳ２側に位置し、第４領域ＥＢ２の第２の端面ＬＳ２側の端部は、第２の外部電極４０Ｂの第１の端面ＬＳ１側の端部より第１の端面ＬＳ１側に位置する。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量をより高めることができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、積層体１０は、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出している露出部Ｅｐと、第１の外部電極４０Ａに覆われている第１の被覆部Ｃ１と、第２の外部電極４０Ｂに覆われている第２の被覆部Ｃ２と、を有し、露出部Ｅｐの積層方向Ｔの最大距離Ｔ０は、第１の被覆部Ｃ１および第２の被覆部Ｃ２の第１の主面ＴＳ１側の表面と第２の主面ＴＳ２側の表面を結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ１よりも長く、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂの第１の主面ＴＳ１側の表面と第２の主面ＴＳ２側の表面を結ぶ積層方向Ｔの最大距離Ｔ２よりも短い。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく静電容量を高めることができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の主面ＴＳ１は、第１の外部電極４０Ａに覆われている第１の被覆面Ｃ１ｓＡと、第２の外部電極に覆われている第２の被覆面Ｃ２ｓＡと、第１の外部電極４０Ａおよび第２の外部電極４０Ｂから露出し、長さ方向Ｌ中心に向かって隆起する第１の隆起面ＥｐｓＡと、を有する。

これにより、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく静電容量を高めつつ、さらに積層体１０のクラックの発生を抑制することができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１においては、第１の隆起面ＥｐｓＡは、幅方向に延びる第１の凹部ＤＥ１を有する。

これにより、多連構造の積層セラミックコンデンサ１においても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく静電容量を高めつつ、さらに積層体１０のクラックの発生を抑制することができる。

本実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体層２０と積層された複数の内部電極層３０とを含み、積層方向Ｔに相対する第１の主面ＴＳ１および第２の主面ＴＳ２と、積層方向Ｔに直交する幅方向Ｗに相対する第１の側面ＷＳ１および第２の側面ＷＳ２と、積層方向Ｔおよび幅方向Ｗに直交する長さ方向Ｌに相対する第１の端面ＬＳ１および第２の端面ＬＳ２と、を含む積層体１０と、第１の端面ＬＳ１上に配置される第１の外部電極４０Ａと、第２の端面ＬＳ２上に配置される第２の外部電極４０Ｂと、を有する積層セラミックコンデンサ１であって、複数の内部電極層３０は、第１の内部電極層３１と、第２の内部電極層３２と、中間電極層３３とを含み、第１の内部電極層３１は、その一方端部が第１の端面ＬＳ１に引き出されて第１の外部電極４０Ａと接続する第１の引き出し部Ｄ１と、第１の引き出し部Ｄ１に接続され、積層方向Ｔに隣り合って配置された中間電極層３３と対向する第１の対向部ＥＡとを有し、第２の内部電極層３２は、その一方端部が第２の端面ＬＳ２に引き出されて第２の外部電極４０Ｂと接続する第２の引き出し部Ｄ２と、第２の引き出し部Ｄ２に接続され、積層方向Ｔに隣り合って配置された中間電極層３３と対向する第２の対向部ＥＢとを有し、中間電極層３３は、第１の外部電極４０Ａにも第２の外部電極４０Ｂにも接続されておらず、積層方向Ｔに隣り合って配置された第１の内部電極層３１と対向する第１電極層側対向部ＥＣＡと、積層方向Ｔに隣り合って配置された第２の内部電極層３２と対向する第２電極層側対向部ＥＣＢとを有し、第１の内部電極層３１、中間電極層３３、および第２の内部電極層３２は、直列接続のコンデンサ素子を形成し、第１の対向部ＥＡは、第１の端面ＬＳ１側の領域である第１領域ＥＡ１と、第２の端面ＬＳ２側の領域であって、第１領域ＥＡ１のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第２領域ＥＡ２と、を有し、第２の対向部ＥＢは、第２の端面ＬＳ２側の領域である第３領域ＥＢ１と、第１の端面ＬＳ１側の領域であって、第３領域ＥＢ１のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第４領域ＥＢ２と、を有し、第１電極層側対向部ＥＣＡは、第１の端面ＬＳ１側の領域である第５領域ＥＣＡ１と、第２の端面ＬＳ２側の領域であって、第１領域ＥＡ１のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第６領域ＥＣＡ２と、を有し、第２電極層側対向部ＥＣＢは、第２の端面ＬＳ２側の領域である第７領域ＥＣＢ１と、第１の端面ＬＳ１側の領域であって、第７領域ＥＣＢ１のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第８領域ＥＣＢ２と、を有する。

これにより、高耐圧仕様の積層セラミックコンデンサ１においても、積層セラミックコンデンサ１のサイズを大きくすることなく、静電容量を高めることができる。

本発明は、上記実施形態の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、上記実施形態において記載する個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。

１積層セラミックコンデンサ
１０積層体
２０誘電体層
３０内部電極層
３１第１の内部電極層
３２第２の内部電極層
３３中間電極層
４０Ａ第１の外部電極
４０Ｂ第２の外部電極
Ｄ１第１の引き出し部
Ｄ２第２の引き出し部
ＥＡ第１の対向部
ＥＢ第２の対向部
Ｌ長さ方向
ＬＳ１第１の端面
ＬＳ２第２の端面
Ｔ積層方向
ＴＳ１第１の主面
ＴＳ２第２の主面
Ｗ幅方向
ＷＳ１第１の側面
ＷＳ２第２の側面

Claims

積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、
前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層と、第２の内部電極層と、中間電極層とを含み、
前記第１の内部電極層は、その一方端部が前記第１の端面に引き出されて前記第１の外部電極と接続する第１の引き出し部と、前記第１の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された内部電極層と対向する第１の対向部とを有し、
前記第２の内部電極層は、その一方端部が前記第２の端面に引き出されて前記第２の外部電極と接続する第２の引き出し部と、前記第２の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された内部電極層と対向する第２の対向部とを有し、
前記中間電極層は、前記第１の外部電極にも前記第２の外部電極にも接続されておらず、前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層と共に直列接続のコンデンサ素子を形成する内部電極層であり、
前記中間電極層の少なくとも一部のカバレッジは、前記第１の内部電極層の前記第１の対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジよりも高く、かつ前記第２の内部電極層の前記第２の対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い、積層セラミックコンデンサ。
前記中間電極層は、積層方向に隣り合って配置された第１の内部電極層と対向する第１電極層側対向部と、積層方向に隣り合って配置された第２の内部電極層と対向する第２電極層側対向部とを有し、
前記第１の内部電極層の前記第１の対向部は、積層方向に隣り合って配置された内部電極層としての前記中間電極層と対向し、
前記第２の内部電極層の前記第２の対向部は、積層方向に隣り合って配置された内部電極層としての前記中間電極層と対向する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１電極層側対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジは、前記第１の対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジよりも高く、
前記第２電極層側対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジは、前記第２の対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い、請求項２に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１電極層側対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジは、前記第１電極層側対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジよりも高く、
前記第２電極層側対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジは、前記第２電極層側対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い、請求項２または３に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジは、前記第１の対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジよりも高く、
前記第２の対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジは、前記第２の対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い、請求項２または３に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジは、前記第１電極層側対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジよりも高く、
前記第２の対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジは、前記第１電極層側対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い、請求項２または３に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記中間電極層は、第１の中間電極層と、第２の中間電極層と、を含み、
前記第１の中間電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第１の内部電極層と対向する第１電極層側対向部と、積層方向に隣り合って配置された前記第２の中間電極層と対向する第１の中間電極層対向部とを有し、
前記第２の中間電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第２電極層側対向部と、積層方向に隣り合って配置された前記第１の中間電極層と対向する第２の中間電極層対向部とを有する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の中間電極層対向部のカバレッジおよび第２の中間電極層対向部のカバレッジは、前記第１の対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジおよび前記第２の対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い、請求項７に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の中間電極層対向部のカバレッジおよび第２の中間電極層対向部のカバレッジは、前記第１電極層側対向部の前記第１の端面側の領域のカバレッジおよび前記第２電極層側対向部の前記第２の端面側の領域のカバレッジよりも高い、請求項７または８に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記中間電極層は、第１の中間電極層と、第２の中間電極層と、第３の中間電極層と、を含み、
前記第１の中間電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第１の内部電極層と対向する第１電極層側対向部と、積層方向に隣り合って配置された前記第３の中間電極層と対向する第１の中間電極層対向部とを有し、
前記第２の中間電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第２電極層側対向部と、積層方向に隣り合って配置された前記第３の中間電極層と対向する第２の中間電極層対向部とを有し、
前記第３の中間電極層は、積層方向に隣り合って配置された前記第１の中間電極層と対向する第３の中間電極層対向部と、積層方向に隣り合って配置された前記第２の中間電極層と対向する第４の中間電極層対向部とを有する、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の中間電極層対向部のカバレッジ、第２の中間電極層対向部のカバレッジ、第３の中間電極層対向部、および第４の中間電極層対向部のカバレッジは、前記第１の対向部のカバレッジおよび前記第２の対向部のカバレッジよりも高い、請求項１０に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の中間電極層対向部のカバレッジ、第２の中間電極層対向部のカバレッジ、第３の中間電極層対向部および第４の中間電極層対向部のカバレッジは、前記第１電極層側対向部のカバレッジおよび前記第２電極層側対向部のカバレッジよりも高い、請求項１０または１１に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第３の中間電極層のカバレッジは、前記第１の内部電極層および前記第２の内部電極層のカバレッジよりも高い、請求項１０または１１に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の対向部のうちの前記第２の端面側の部分を第２領域とし、前記第２の対向部のうちの前記第１の端面側の部分を第４領域とした場合、
第２領域の前記第１の端面側の端部は、前記第１の外部電極の前記第２の端面側の端部より前記第２の端面側に位置し、
前記第４領域の前記第２の端面側の端部は、前記第２の外部電極の前記第１の端面側の端部より前記第１の端面側に位置する、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記積層体は、前記第１の外部電極および前記第２の外部電極から露出している露出部と、前記第１の外部電極に覆われている第１の被覆部と、前記第２の外部電極に覆われている第２の被覆部と、を有し、
前記露出部の前記積層方向の最大距離は、
前記第１の被覆部および前記第２の被覆部の前記第１の主面側の表面と前記第２の主面側の表面を結ぶ前記積層方向の最大距離よりも長く、
前記第１の外部電極および前記第２の外部電極の前記第１の主面側の表面と前記第２の主面側の表面を結ぶ前記積層方向の最大距離よりも短い、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の主面は、前記第１の外部電極に覆われている第１の被覆面と、前記第２の外部電極に覆われている第２の被覆面と、前記第１の外部電極および前記第２の外部電極から露出し、長さ方向中心に向かって隆起する第１の隆起面と、を有する、請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサ。
前記第１の隆起面は、幅方向に延びる凹部を有する、請求項１６に記載の積層セラミックコンデンサ。
積層された複数の誘電体層と積層された複数の内部電極層とを含み、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記第１の端面上に配置される第１の外部電極と、
前記第２の端面上に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミックコンデンサであって、
前記複数の内部電極層は、第１の内部電極層と、第２の内部電極層と、中間電極層とを含み、
前記第１の内部電極層は、その一方端部が前記第１の端面に引き出されて前記第１の外部電極と接続する第１の引き出し部と、前記第１の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された前記中間電極層と対向する第１の対向部とを有し、
前記第２の内部電極層は、その一方端部が前記第２の端面に引き出されて前記第２の外部電極と接続する第２の引き出し部と、前記第２の引き出し部に接続され、積層方向に隣り合って配置された前記中間電極層と対向する第２の対向部とを有し、
前記中間電極層は、前記第１の外部電極にも前記第２の外部電極にも接続されておらず、積層方向に隣り合って配置された前記第１の内部電極層と対向する第１電極層側対向部と、積層方向に隣り合って配置された前記第２の内部電極層と対向する第２電極層側対向部とを有し、
前記第１の内部電極層、前記中間電極層、および前記第２の内部電極層は、直列接続のコンデンサ素子を形成し、
前記第１の対向部は、
前記第１の端面側の領域である第１領域と、
前記第２の端面側の領域であって、前記第１領域のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第２領域と、を有し、
前記第２の対向部は、
前記第２の端面側の領域である第３領域と、
前記第１の端面側の領域であって、前記第３領域のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第４領域と、を有し、
前記第１電極層側対向部は、
前記第１の端面側の領域である第５領域と、
前記第２の端面側の領域であって、前記第１領域のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第６領域と、を有し、
前記第２電極層側対向部は、
前記第２の端面側の領域である第７領域と、
前記第１の端面側の領域であって、前記第７領域のカバレッジよりもカバレッジの高い領域である第８領域と、を有する、積層セラミックコンデンサ。