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JP7817865B2 - Lid, manufacturing method thereof, and crystal oscillator - Google Patents
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JP7817865B2 - Lid, manufacturing method thereof, and crystal oscillator - Google Patents

Lid, manufacturing method thereof, and crystal oscillator

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Description

本発明は、材料コストを抑え、かつ、ベースと接合時に封止用部材の流れ出しが発生しないリッド及びその製造方法並びに水晶振動子に関する。 The present invention relates to a lid that reduces material costs and prevents the sealing material from flowing out when joined to the base, a manufacturing method for the lid, and a quartz crystal oscillator.

水晶振動子や水晶発振器等の電子部品では、パッケージ内の空間に素子を実装すると共に、素子を保護するためパッケージに封止構造を設けている。これらパッケージは、素子を搭載するためのベースと、素子を封止するための蓋となるリッドから構成される。ベースとリッドを封止する方法の一つとして、封止用部材である、例えば、ろう材を用いる方法がある。ろう材は、ベースとリッドの接合予定領域の形状にプリフォームされており、典型的には、予めリッド側に溶着されている。 In electronic components such as quartz crystal resonators and crystal oscillators, elements are mounted in the space within the package, and a sealing structure is provided within the package to protect the elements. These packages consist of a base on which the elements are mounted and a lid that serves as a cover for sealing the elements. One method of sealing the base and lid is to use a sealing material, such as a brazing filler metal. The brazing filler metal is preformed in the shape of the intended bonding area between the base and lid, and is typically welded to the lid in advance.

図5の(A)図は、従来のリッド70の一例を示す斜視図である。また、図5の(B)は、(A)図中のD-D線に沿った断面図である。
従来のリッド70は、金属部材の、例えば、コバールで構成された、平面視において矩形状に形成された基材71と、周知のめっき技術により基材71の表面上を覆うように形成されたNi層72と、周知のめっき技術によりNi層72の表面上を覆うように形成されたAu層73と、基材71の、ベースと接合される面の縁部に沿って、ベースと基材71の接合予定領域上にリング状に形成された、ベースと基材71を接合するためAu層73の表面上に溶着されている封止用部材74と、を具えている。Au層73は封止用部材74の濡れ性を改善するための役割を担っているが、封止用部材74の濡れ性が良すぎると、ベースにリッド70を接合する際に、封止用部材74が、ベースとリッドの接合予定領域から流れ出す恐れがあった。封止用部材74がベースとリッドの接合予定領域から流れ出すと、気密不良や外観不良等が生じてしまう。
Fig. 5A is a perspective view showing an example of a conventional lid 70. Fig. 5B is a cross-sectional view taken along line DD in Fig. 5A.
A conventional lid 70 includes a substrate 71 made of a metal material, such as Kovar, and having a rectangular shape in a plan view; a Ni layer 72 formed by a known plating technique to cover the surface of the substrate 71; an Au layer 73 formed by a known plating technique to cover the surface of the Ni layer 72; and a ring-shaped sealing member 74 welded to the surface of the Au layer 73 along the edge of the surface of the substrate 71 that will be bonded to the base, in the area where the base and substrate 71 will be bonded. The Au layer 73 improves the wettability of the sealing member 74, but if the sealing member 74 has too high wettability, there is a risk that the sealing member 74 will flow out of the area where the base and lid will be bonded when the lid 70 is bonded to the base. If the sealing member 74 flows out of the area where the base and lid will be bonded, this can result in poor airtightness, poor appearance, and the like.

この問題を解決するリッドの一例として、特許文献1に開示されたものがある。これによれば、金めっき(Au層)の厚さとろう材(封止用部材)の濡れ性との間には特徴的な関連性があり、金めっきが所定の厚さ以上になるとめっき厚さの増大に伴い、ろう材の濡れ性が低下することから、金めっきを0.1~3μmの厚さにすることで、ろう材がベースとリッドの接合予定領域から流れ出すことを防止できると記載されている(特許文献1の段落0010、0013)。 One example of a lid that solves this problem is disclosed in Patent Document 1. According to this document, there is a characteristic relationship between the thickness of the gold plating (Au layer) and the wettability of the brazing filler metal (sealing material), and it is stated that when the gold plating exceeds a certain thickness, the wettability of the brazing filler metal decreases as the plating thickness increases. Therefore, by making the gold plating 0.1 to 3 μm thick, it is possible to prevent the brazing filler metal from flowing out of the intended bonding area between the base and lid (paragraphs 0010 and 0013 of Patent Document 1).

また、特許文献2では、表面上にNiめっき層(Ni層)及びAuめっき層(Au層)を順に具える基材において、Auめっき層を半田(封止用部材)領域に沿ってレーザーで除去し、Niめっき層の表面を露出させるとともに、露出したNiめっき層の表面を酸化させ、Auめっき層よりも半田に対する濡れ性が低い酸化膜層を形成することで、半田が濡れ広がるのを抑制している。 In addition, in Patent Document 2, a substrate having a Ni plating layer (Ni layer) and an Au plating layer (Au layer) formed in that order on its surface is laser-removed along the solder (sealing member) area to expose the surface of the Ni plating layer, and the exposed surface of the Ni plating layer is oxidized to form an oxide film layer that is less wettable to solder than the Au plating layer, thereby preventing the solder from wetting and spreading.

特開2003―224223JP 2003-224223 特開2015―73027Patent Publication No. 2015-73027

しかしながら、これらの従来技術の場合、Auを使用しているため、リッドの材料費を高めてしまうという問題がある。近年、Auの価格は高騰しており、原価低減のためにはAuの使用量を減らすことが重要である。
この発明は、このような点に鑑みなされたものであり、従ってこの出願の目的は、従来よりも材料コストを抑えられ、かつ、封止用部材の流れ出しの発生しない、新規の構造を有したリッド及びその製造方法並びに水晶振動子を提供することにある。
However, these conventional techniques have the problem of increasing the material cost of the lid because they use Au. In recent years, the price of Au has been rising, and it is important to reduce the amount of Au used in order to reduce costs.
The present invention has been made in consideration of these points, and therefore, an object of this application is to provide a lid having a novel structure that reduces material costs compared to conventional methods and prevents outflow of sealing material, a method for manufacturing the same, and a quartz crystal unit.

この目的の達成を図るため、この発明のリッドによれば、金属部材で構成された基材と、前記基材の表面上に形成されたNi層と、前記基材の縁部に沿って、前記電子部品用のベースに当該基材を接合するため前記Ni層に溶着されている封止用部材と、を具えることを特徴とする。 To achieve this objective, the lid of this invention is characterized by comprising a base material made of a metal member, a Ni layer formed on the surface of the base material, and a sealing member welded to the Ni layer along the edge of the base material to join the base material to the base for the electronic component.

また、この発明の水晶振動子によれば、金属部材で構成された基材、前記基材の表面上に形成されたNi層及び前記基材の縁部に沿って、前記Ni層に溶着されている封止用部材を具えるリッドと、前記リッドに前記封止用部材を介して接続されるベースと、前記リッド及び前記ベースで形成された容器内に実装されている水晶片と、を具えることを特徴とする。 The quartz crystal unit of this invention is characterized by comprising a substrate made of a metal material, a lid having a Ni layer formed on the surface of the substrate and a sealing member welded to the Ni layer along the edge of the substrate, a base connected to the lid via the sealing member, and a quartz crystal blank mounted in a container formed by the lid and the base.

また、金属部材で構成された基材の縁部に沿って封止用部材を溶着するリッドの製造方法において、前記基材の表面上にNi層を形成する工程と、前記Ni層上に、還元雰囲気下で前記封止用部材を溶着する工程と、を含むことを特徴とする。 In addition, a method for manufacturing a lid in which a sealing member is welded along the edge of a base material made of a metal member is characterized by including the steps of forming a Ni layer on the surface of the base material and welding the sealing member onto the Ni layer in a reducing atmosphere.

この発明のリッドによれば、基材の表面上に形成されたNi層の表面上に、Au層を設ける必要がないため、材料コストを抑えることができる。また、Niは大気にさらされると酸化膜を形成するため、前記Ni層上の封止用部材が設けられていない箇所に酸化膜が形成される。前記酸化膜は前記Au層よりも前記封止用部材に対する濡れ性が低く、前記封止用部材とは溶着しないため、ベースに前記リッドを接合する際に、前記封止用部材が流れ出すことを防止することができる。
また、この発明の水晶振動子によれば、水晶片を封止するためのリッドに、基材の表面上に形成されたNi層の表面上に、Au層を設ける必要がないリッドを用いるため、材料コストを抑えることができる。
また、前記リッドの製造方法によれば、基材の表面上にNi層を形成し、前記Ni層に、還元雰囲気下で封止用部材を溶着する工程を用いるので、前記Ni層上の酸化膜は還元雰囲気下により除去され、前記封止用部材を前記Ni層上に溶着することが可能となる。従って、前記Ni層上にAu層を設ける必要がなく、前記Ni層上に直接前記封止用部材を溶着したリッドを製造することができる。
According to the lid of this invention, there is no need to provide an Au layer on the surface of the Ni layer formed on the surface of the base material, thereby reducing material costs. Furthermore, because Ni forms an oxide film when exposed to the atmosphere, an oxide film is formed on the Ni layer in areas where no sealing material is provided. The oxide film has lower wettability with respect to the sealing material than the Au layer and does not weld to the sealing material, preventing the sealing material from flowing out when the lid is bonded to the base.
Furthermore, according to the quartz crystal resonator of the present invention, the lid for sealing the quartz crystal blank does not require an Au layer to be formed on the surface of the Ni layer formed on the surface of the base material, thereby reducing material costs.
Furthermore, the lid manufacturing method includes forming a Ni layer on the surface of the base material and welding a sealing member to the Ni layer in a reducing atmosphere, so that the oxide film on the Ni layer is removed in the reducing atmosphere, making it possible to weld the sealing member onto the Ni layer. Therefore, it is not necessary to provide an Au layer on the Ni layer, and it is possible to manufacture a lid in which the sealing member is welded directly onto the Ni layer.

図1の(A)図は、本発明の実施形態のリッドの概要を示す斜視図である。図1の(B)図は、本発明の実施形態のリッドの概要を示す断面図である。Fig. 1A is a perspective view showing an outline of a lid according to an embodiment of the present invention, and Fig. 1B is a cross-sectional view showing an outline of the lid according to an embodiment of the present invention. 図2の(A)図は、本発明の実施形態の水晶振動子の概要を示す斜視図である。図2の(B)図は、本発明の実施形態の水晶振動子の概要を示す断面図である。2A is a perspective view showing an outline of a quartz crystal resonator according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing an outline of a quartz crystal resonator according to an embodiment of the present invention. 本発明のリッドの製造方法の実施形態を説明する説明図である。1A to 1C are explanatory views illustrating an embodiment of a method for manufacturing a lid according to the present invention. 図3に続く製法例の説明図であるFIG. 4 is an explanatory diagram of a manufacturing method example following FIG. 図5の(A)図は、従来のリッドの概要を示す斜視図である。図5の(B)図は、従来のリッドの概要を示す断面図である。Fig. 5A is a perspective view showing an outline of a conventional lid, and Fig. 5B is a cross-sectional view showing an outline of the conventional lid.

以下、図面を参照してこの出願のリッド及びその製造方法並びに水晶振動子の各発明の実施形態についてそれぞれ説明する。
なお、説明に用いる各図はこれらの発明を理解できる程度に概略的に示してあるにすぎない。また、説明に用いる各図において、同様な構成成分については同一の番号を付して示し、その説明を省略する場合もある。また、以下の説明で述べる形状、材質等はこの発明の範囲内の好適例に過ぎない。従って、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。
Hereinafter, embodiments of the lid, the manufacturing method thereof, and the crystal resonator of this application will be described with reference to the drawings.
The drawings used in the description are merely schematic illustrations to the extent that these inventions can be understood. In the drawings used in the description, similar components are denoted by the same reference numerals, and their explanation may be omitted. The shapes, materials, etc. described in the following description are merely preferred examples within the scope of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the following embodiments.

1.リッドの構成
図1の(A)図は、本発明の実施形態のリッドの概要を示す斜視図である。また、図1の(B)図は、(A)図中のA-A線に沿った断面図である。
本発明のリッド10は、金属部材の、例えばコバールで構成され、例えば平面視において矩形状に形成された基材11と、基材11の表面上を覆うように、封止用部材13を基材11に溶着するため周知のめっき技術で形成されたNi層12と、基材11の、電子部品用のベースと接合される面の縁部に沿って、ベースと基材11の接合予定領域上に、ベースと基材11を接合するためNi層12の表面上に溶着されている、リング状に形成された封止用部材13と、を具えている。Ni層12の、封止用部材13が溶着された領域以外の領域は、酸化膜で覆われている。なお、Ni層12の厚みは、基材11の耐環境性等を可能にする設計に応じた任意の厚さとしてある。
1. Lid Configuration Fig. 1A is a perspective view showing an outline of a lid according to an embodiment of the present invention, and Fig. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in Fig. 1A.
The lid 10 of the present invention includes a substrate 11 made of a metal material, such as Kovar, and having a rectangular shape in plan view, a Ni layer 12 formed by a known plating technique to cover the surface of the substrate 11 and to weld a sealing member 13 to the substrate 11, and a ring-shaped sealing member 13 welded to the surface of the Ni layer 12 along the edge of the surface of the substrate 11 that will be bonded to the base of an electronic component, in a region where the base and the substrate 11 will be bonded to each other. The Ni layer 12 has an oxide film covering the area other than the region where the sealing member 13 is welded. The thickness of the Ni layer 12 is determined based on the design of the substrate 11 to ensure environmental resistance, etc.

Ni層上に形成されている前記酸化膜は濡れ性が低く、封止用部材13とは接合しないため、水晶振動子用のベースにリッド10を接合する際に、封止用部材13が電子部品用のベースとリッド10の接合予定領域から流れ出すことを防止することができる。 The oxide film formed on the Ni layer has low wettability and does not bond to the sealing material 13. This prevents the sealing material 13 from flowing out of the intended bonding area between the electronic component base and lid 10 when bonding the lid 10 to the quartz crystal oscillator base.

また、封止用部材13は、耐食性に優れていることに加え、デバイス組込み工程で使用される、はんだ(融点180℃~230℃)よりも融点が高く、組立工程時に再溶融されることなくパッケージの気密性を維持することができることから、AuSn(融点280℃~300℃)で構成されていることが好ましい。 In addition, the sealing member 13 is preferably made of AuSn (melting point 280°C to 300°C), as this not only has excellent corrosion resistance but also a higher melting point than the solder (melting point 180°C to 230°C) used in the device assembly process, allowing the package to maintain its airtightness without remelting during the assembly process.

2.水晶振動子の構成
本発明のリッドは、種々の電子部品のパッケージの構成成分である蓋材として使用できる。以下、本発明のリッドを、水晶振動子のパッケージの蓋材に用いて構成した水晶振動子の例を説明する。図2はその説明のための図であり、(A)図は、水晶片を搭載するためのベースと、ベースに搭載される水晶片と、水晶片を封止するための本発明のリッドと、を用いた水晶振動子の斜視図である。また、(B)図は、(A)図中のB-B線に沿った水晶振動子の断面図である。
2. Crystal Unit Configuration The lid of the present invention can be used as a lid material, which is a component of the packaging of various electronic components. Below, we will explain an example of a crystal unit configured using the lid of the present invention as the lid material of a crystal unit package. Figure 2 is an explanatory diagram, and Figure 2A is a perspective view of a crystal unit that uses a base for mounting a crystal element, a crystal element mounted on the base, and a lid of the present invention for sealing the crystal element. Furthermore, Figure 2B is a cross-sectional view of the crystal unit taken along line B-B in Figure 2A.

本発明のリッド10、任意の形状の、この例では平面視で矩形状の水晶片20及び、ベースとして、例えば周知のセラミックベース30(以下、ベース30と略称することもある)を用意する。この場合のベース30は、平面視において矩形状であり、図2の(A)図及び(B)図に示すように、水晶片20を収納する凹部30aと、ベース30の縁部に沿って土手部30bと、凹部30aの底面に設けた水晶片固定用のバンプ30cと、ベース30の裏面に設けた実装端子30dと、を具えている。バンプ30cと実装端子30dとはビア配線(図示せず)により電気的に接続してある。 The lid 10 of the present invention, a crystal blank 20 of any shape (in this example, rectangular in plan view), and a base, such as a well-known ceramic base 30 (hereinafter sometimes abbreviated as base 30), are prepared. In this case, the base 30 is rectangular in plan view and, as shown in Figures 2A and 2B, comprises a recess 30a for housing the crystal blank 20, a bank portion 30b along the edge of the base 30, bumps 30c for fixing the crystal blank on the bottom surface of the recess 30a, and mounting terminals 30d on the back surface of the base 30. The bumps 30c and mounting terminals 30d are electrically connected by via wiring (not shown).

バンプ30cの上に、水晶片20を、例えば導電性接着剤等(図示しない)で固定し、その後、水晶片20の発振周波数調整を周知の方法により所定値に調整する。次に、ベース30のベース30a内を適度な真空又は不活性ガス雰囲気等にした後、リッド10により凹部30aを周知の方法により封止する。
このようにしてリッド10及びベース30に水晶片20が収納された構造の、水晶振動子40が得られる。
The crystal blank 20 is fixed onto the bumps 30c with, for example, a conductive adhesive (not shown), and then the oscillation frequency of the crystal blank 20 is adjusted to a predetermined value using a well-known method. Next, the inside of the base 30a of the base 30 is made into an appropriate vacuum or inert gas atmosphere, and the recess 30a is sealed with the lid 10 using a well-known method.
In this way, a crystal unit 40 is obtained, which has a structure in which the crystal blank 20 is housed in the lid 10 and the base 30.

3.リッドの製造方法
図3は、本発明のリッドの製造方法の実施形態を説明する説明図である。初めに、金属部材、例えばコバールで構成された、例えば平面視において矩形状の基材51を用意し、基材51の表面上を覆うように、周知のめっき技術によりNiめっきを施し、基材51の表面上にNi層52を形成する。
3 is an explanatory diagram illustrating an embodiment of the lid manufacturing method of the present invention. First, a base material 51 made of a metal member, for example, Kovar, and having a rectangular shape in a plan view is prepared. Ni plating is applied to the surface of the base material 51 by a well-known plating technique so as to cover the surface of the base material 51, thereby forming a Ni layer 52 on the surface of the base material 51.

次に、表面上にNi層52を形成した基材51を、図4の(A)図に示すように処理室60に運ぶ。基材51を処理室60に運んだ後に、処理室60内に還元ガスを注入し、処理室60の雰囲気を還元雰囲気状態にする。その理由は次の通りである。通常、Ni層52は表面上に酸化膜を形成してしまい、酸化膜は濡れ性が低いため、封止用部材53は基材51に溶着できないが、基材51を還元雰囲気下におくことで、Ni層52の表面上の酸化膜を除去することができる。これにより、封止用部材53を基材51に溶着することができる。
処理室60の雰囲気が還元雰囲気状態になった後に、処理室60内にて、基材51の縁部に沿って、ベースと基材51の接合予定領域上に、リング形状に予めプリフォームした封止用部材53を、基材51の、ベースと基材51の接合面側に重ね合わせる。
Next, the substrate 51 having the Ni layer 52 formed on its surface is carried into a processing chamber 60 as shown in FIG. 4A. After the substrate 51 is carried into the processing chamber 60, a reducing gas is injected into the processing chamber 60 to create a reducing atmosphere in the processing chamber 60. The reason for this is as follows. Normally, the Ni layer 52 forms an oxide film on its surface, and since this oxide film has low wettability, the sealing member 53 cannot be welded to the substrate 51. However, by placing the substrate 51 in a reducing atmosphere, the oxide film on the surface of the Ni layer 52 can be removed. This allows the sealing member 53 to be welded to the substrate 51.
After the atmosphere in the processing chamber 60 becomes a reducing atmosphere, a sealing member 53 that has been preformed into a ring shape is superimposed on the joining surface side of the base material 51 along the edge of the base material 51 on the area where the base and base material 51 are to be joined.

ここで、使用する還元ガスとして、例えば、水素又はギ酸が挙げられる。また、還元ガスの濃度は、爆発の危険性を考慮すると、体積比において5vol%以下であることが好ましい。還元ガスの濃度は、例えば、流量計で管理することができる。 The reducing gas used here can be, for example, hydrogen or formic acid. Furthermore, considering the risk of explosion, the concentration of the reducing gas is preferably 5 vol% or less by volume. The concentration of the reducing gas can be controlled, for example, using a flow meter.

次に、処理室60内の還元ガス雰囲気の温度を、封止用部材53の融点に達するまで上昇させる。これにより、封止用部材53は溶融し、基材51の表面上に形成したNi層52に溶着される。この際、還元ガス雰囲気の温度は、融点まで上昇させて封止用部材53が溶融した後、急峻に降下させる必要がある。これは、温度を上昇させた状態を保ち続けてしまうと、封止用部材53が溶融され続け、プリフォームした形状が崩れてしまうからである。 Next, the temperature of the reducing gas atmosphere in the processing chamber 60 is increased until it reaches the melting point of the sealing member 53. This causes the sealing member 53 to melt and be welded to the Ni layer 52 formed on the surface of the substrate 51. At this time, the temperature of the reducing gas atmosphere must be increased to the melting point and then rapidly decreased after the sealing member 53 has melted. This is because if the temperature is maintained at an elevated level, the sealing member 53 will continue to melt and the preformed shape will be distorted.

ここで、還元ガス雰囲気の温度は、封止用部材にAuSnを用いることを想定した場合、AuSnの融点である280℃~300℃であることが好ましい。 Here, assuming that AuSn is used as the sealing material, the temperature of the reducing gas atmosphere is preferably 280°C to 300°C, which is the melting point of AuSn.

Ni層52に封止用部材53を溶着させた基材51を、処理室60内から取り出し大気にさらすと、封止用部材53が溶着されていない箇所のNi層52の表面上が酸化され、酸化膜を形成する。酸化膜は濡れ性が低く、従って、ベースをリッドに接合する際に、封止用部材53がベースとリッドの接合予定領域から流れ出すことを防止することができる。 When the substrate 51, with the sealing member 53 welded to the Ni layer 52, is removed from the processing chamber 60 and exposed to the atmosphere, the surface of the Ni layer 52 in areas where the sealing member 53 is not welded oxidizes, forming an oxide film. The oxide film has low wettability, and therefore prevents the sealing member 53 from flowing out of the intended bonding area between the base and lid when the base is bonded to the lid.

10:本発明の実施形態のリッド 11:基材
12:Ni層 13:封止用部材
20:水晶片 30:ベース
30a:凹部 30b:土手部
30c:バンプ 30d:実装端子
40:本発明の実施形態の水晶振動子 50:本発明の実施形態のリッド
51:基材 52:Ni層
53:封止用部材 60:処理室
70:従来のリッド 71:基材
72:Ni層 73:Au層
74:封止用部材
10: Lid according to an embodiment of the present invention 11: Base material 12: Ni layer 13: Sealing member 20: Crystal blank 30: Base 30a: Recess 30b: Bank portion 30c: Bump 30d: Mounting terminal 40: Crystal unit according to an embodiment of the present invention 50: Lid according to an embodiment of the present invention 51: Base material 52: Ni layer 53: Sealing member 60: Processing chamber 70: Conventional lid 71: Base material 72: Ni layer 73: Au layer 74: Sealing member

Claims (3)

金属部材で構成された基材を具えるリッドの製造方法において、A method for manufacturing a lid having a base material made of a metal member,
前記基材の縁部に沿って封止用部材を溶着するに当たり、When welding the sealing member along the edge of the base material,
前記基材の表面上にNi層を形成する工程と、forming a Ni layer on the surface of the substrate;
前記Ni層の表面上に、還元雰囲気下で前記封止用部材を溶着する工程と、a step of welding the sealing member onto the surface of the Ni layer in a reducing atmosphere;
を含むことを特徴とするリッドの製造方法。A method for manufacturing a lid, comprising:
前記還元雰囲気は水素又はギ酸による還元ガス雰囲気であることを特徴とする請求項に記載のリッドの製造方法。 2. The method for manufacturing a lid according to claim 1 , wherein the reducing atmosphere is a reducing gas atmosphere containing hydrogen or formic acid. 前記還元ガス雰囲気は、体積比において前記水素又はギ酸の濃度が5vol%以下であることを特徴とする請求項に記載のリッドの製造方法。 3. The method for manufacturing a lid according to claim 2 , wherein the reducing gas atmosphere has a concentration of hydrogen or formic acid of 5 vol % or less in terms of volume ratio.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040017004A1 (en) 2001-08-17 2004-01-29 Takao Kasai Electronic device and production method therefor
JP2015073027A (en) 2013-10-03 2015-04-16 日立金属株式会社 HERMETIC SEALING CAP, ELECTRONIC COMPONENT STORAGE PACKAGE, AND HERMETIC SEALING CAP MANUFACTURING METHOD
JP2016208192A (en) 2015-04-20 2016-12-08 株式会社大真空 Piezoelectric vibration device
JP2020053554A (en) 2018-09-27 2020-04-02 日立金属株式会社 Hermetic sealing cap and manufacturing method thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008105258A1 (en) * 2007-02-26 2008-09-04 Neomax Materials Co., Ltd. Airtightly sealing cap, electronic component storing package and method for manufacturing electronic component storing package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040017004A1 (en) 2001-08-17 2004-01-29 Takao Kasai Electronic device and production method therefor
JP2015073027A (en) 2013-10-03 2015-04-16 日立金属株式会社 HERMETIC SEALING CAP, ELECTRONIC COMPONENT STORAGE PACKAGE, AND HERMETIC SEALING CAP MANUFACTURING METHOD
JP2016208192A (en) 2015-04-20 2016-12-08 株式会社大真空 Piezoelectric vibration device
JP2020053554A (en) 2018-09-27 2020-04-02 日立金属株式会社 Hermetic sealing cap and manufacturing method thereof

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