JP7821173B2 - 表示基板及び表示装置 - Google Patents

Description

本開示は表示技術分野に関し、具体的に表示基板及び表示装置に関するものである。

近接通信技術（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，ＮＦＣ）は、近接磁界通信方式を採用し、伝送距離が近く、消費電力が低く、信号が干渉され難いなどの特徴を有し、モバイル機器やコンシューマ系電子製品間で近距離無線通信を行うことができる非接触識別及び相互接続技術である。

近接通信技術は、データ交換のために電子機器に広く応用されており、ＮＦＣ通信技術を利用するためには、電磁波信号を送受信するための通信アンテナを機器に取り付ける必要があり、通信アンテナは、比較的大きなスペースを占有する必要がある。従来のＮＦＣ通信技術を用いた電子機器のほとんどは、独立したＮＦＣ通信モジュールを電子機器のメインボードに外付けするため、比較的大きなスペースを占有する必要があり、機器の薄型化に不利である。

本発明は、従来技術に存在する技術課題の少なくとも１つを解決することを目的とし、表示基板及び表示装置を提供する。

第１態様において、本開示の実施例は、表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域を有する表示基板を提供し、前記表示基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板に配置され、且つ前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、第１方向に沿って延在し、且つ第２方向に沿って並んで配置される複数の第１導電構造と、
前記第１導電構造の前記ベース基板から離れる側に配置される層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に配置され、且つ前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、前記第２方向に沿って延在し、且つ前記第１方向に沿って並んで配置され、前記第１導電構造と交差して配置され、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第１導電構造と電気的に接続される複数の第２導電構造と、
前記ベース基板に配置され、且つ少なくとも前記表示領域に位置する少なくとも１つの第３導電構造と、を備え、
前記第３導電構造は、複数本の第１導電線及び複数本の第２導電線を含み、前記第１導電線は、前記第１導電構造の少なくとも一部の構造であり、前記第１導電構造の一部は、２本の前記第１導電線を含み、前記第２導電線は、前記第２導電構造の少なくとも一部の構造である。

前記表示基板は、
前記ベース基板に配置され、前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、前記第１方向に沿って延在し、且つ前記第２方向に沿って並んで配置される複数本のゲート線と、
前記ベース基板に配置され、且つ前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、前記第２方向に沿って延在し、且つ前記第１方向に沿って並んで配置される複数本のデータ線と、
ベース基板に配置され、且つ前記表示領域に位置する複数のサブ画素と、をさらに備え、
前記ゲート線と前記データ線の交差配置により限定された領域内に前記サブ画素を設け、前記第１方向に沿って並んで配置される前記サブ画素は第１画素グループを形成し、第２方向に沿って並んで配置される前記サブ画素は第２画素グループを形成し、任意の隣接して配置される前記第１画素グループの間には、前記第１導電構造が１つ配置されている。

隣接して配置される２つの前記第２画素グループの間の少なくとも一部には、前記第２導電構造が１つ配置されている。

同一の前記第２画素グループに位置する各前記サブ画素の色は同一であり、前記第１方向に沿って並んで配置されるＮ個のサブ画素ごとに１つの画素ユニットを構成し、Ｎ≧２であり、前記Ｎは整数であり、前記第２方向に沿って並んで配置される前記画素ユニットは１つの画素ユニットグループを形成し、各前記画素ユニットグループには前記第２導電構造が少なくとも１つ配置されている。

前記画素ユニットにおける前記Ｎ個のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記第２導電構造は、前記赤色サブ画素と前記緑色サブ画素との間に配置されている。

前記表示領域は、少なくとも１つの第１領域と、少なくとも１つの第２領域とを含み、１つの前記第３導電構造は１つの前記第１領域に位置し、
前記表示基板は、前記ベース基板に配置され、且つ前記第２領域及び前記周辺領域に位置する複数本の第３導電線及び複数本の第４導電線をさらに備え、
前記複数本の第３導電線及び複数本の第４導電線は交差して配置され、且つ１本の第３導電線は、１つの前記第１導電構造の少なくとも一部の構造であり、１本の第４導電線は、１つの前記第２導電構造の一部の構造に位置し、１つの前記第２導電構造における前記第４導電線と前記第２導電線との間の距離は２μｍ～６μｍである。

前記表示基板は、前記ベース基板に配置され、且つ周辺領域に位置する共通電極線をさらに備え、
前記共通電極線は、前記第１方向に沿って延在する第１サブ共通電極線と、前記第２方向に沿って延在する第２サブ共通電極線とを含み、前記第１サブ共通電極線は、前記第１導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第２サブ共通電極線は、前記第２導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第１サブ共通電極線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、
前記第３導電線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、及び／又は、
前記第４導電線と前記第１サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される。前記第３導電構造は、少なくとも１つのコイル部を含み、前記コイル部は、延在方向が異なる少なくとも２つのサブ構造を含み、各前記サブ構造はいずれも前記第１導電線と前記第２導電線とを含む。

前記コイル部は、２つの第１サブ構造及び１つの第２サブ構造の３つのサブ構造を含み、２つの前記第１サブ構造はいずれも第２方向に沿って延在し、且つ第１方向に沿って並んで配置され、前記第２サブ構造は、２つの前記第１サブ構造の間に接続される。

前記表示領域は、少なくとも１つの第１領域と、少なくとも１つの第２領域とを含み、前記第３導電構造は、前記第１領域に位置し、前記第１領域は、非機能領域と、前記非機能領域を取り囲む機能領域とを含み、前記コイル部は、前記機能領域に配置され、
前記表示基板は、前記非機能領域に位置し、交差して配置される複数本の第５導電線及び複数本の第６導電線をさらに備え、前記第１導電構造は前記第５導電線を含み、前記第２導電構造は前記第６導電線を含み、同一の前記第１導電構造における前記第５導電線と前記第１導電線との間の距離は２μｍ～６μｍであり、及び／又は、
同一の前記第２導電構造における前記第６導電線と前記第２導電線との間の距離は２μｍ～６μｍである。

前記第５導電線は、前記第１方向に沿って並んで且つ間隔をあけて配置される複数の第１サブ導電線を含み、隣接して配置される前記第１サブ導電線の間の隙間は、隣接して配置される前記サブ画素の間に位置する。

隣接して配置される前記第１サブ導電線の間の隙間は、幅が２μｍ～６μｍである。

前記表示基板は、前記ベース基板に配置され、且つ周辺領域に位置する共通電極線をさらに備え、
前記共通電極線は、前記第１方向に沿って延在する第１サブ共通電極線と、前記第２方向に沿って延在する第２サブ共通電極線とを含み、前記第１サブ共通電極線は、前記第１導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第２サブ共通電極線は、前記第２導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第１サブ共通電極線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、
前記第６導電線と前記第１サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される。

前記表示領域は、少なくとも１つの第１領域と、少なくとも１つの第２領域とを含み、前記第３導電構造は前記第１領域に位置し、前記第１領域は、非機能領域と、前記非機能領域を取り囲む機能領域とを含み、前記機能領域は、ネスト状に配置されるサブ機能領域と、隣接して配置される前記サブ機能領域の間に位置する冗長機能領域とを含み、１つの前記サブ機能領域には１つの前記コイル部が配置され、
前記表示基板は、前記ベース基板に配置される冗長コイル部をさらに備え、１つの前記冗長機能領域には１つの前記冗長コイル部が配置され、
前記冗長コイル部は、前記冗長機能領域に位置し、交差して配置される複数本の第７導電線及び複数本の第８導電線を含み、１本の前記第７導電線は１つの前記第１導電構造の一部の構造であり、１本の前記第８導電線は１つの前記第２導電構造の一部の構造である。

同一の前記第１導電構造における第１導電線と、それに最も近接する前記第７導電線との間の距離は２μｍ～６μｍであり、及び／又は、
同一の前記第２導電構造における前記第８導電線と、それに最も近接する前記第２導電線との距離は２μｍ～６μｍである。

前記冗長コイル部は、第１方向に沿って並んで配置され、且つ第２方向に沿って延在する２つの第１サブ冗長構造と、前記第１方向に沿って延在し、且つ２つの前記第１サブ冗長構造の間に接続される第２サブ冗長構造とを含み、前記第１サブ冗長構造と前記第２サブ冗長構造はいずれも前記第７導電線及び前記第８導電線を含み、前記第１冗長構造における前記第８導電線は、前記第２冗長構造が位置する領域まで延在し、前記第２冗長構造における前記第７導電線は、前記第１冗長構造が位置する領域まで延在し、
前記第１サブ冗長構造における第７導電線は、前記第１方向に沿って並んで配置される複数本の第２サブ導電線を含み、隣接して配置される前記第２サブ導電線の間の隙間は、隣接して配置される前記サブ画素の間に位置し、及び／又は、
前記第２サブ冗長構造における第８導電線は、前記第２方向に沿って並んで配置される複数本の第３サブ導電線を含み、隣接して配置される前記第３サブ導電線の間の隙間は、隣接して配置される前記サブ画素の間に位置する。

隣接して配置される前記第２サブ導電線の間の隙間は、幅が２μｍ～６μｍであり、及び／又は、隣接して配置される前記第３サブ導電線の間の隙間は、幅が２μｍ～６μｍである。

前記表示基板は、前記ベース基板に配置され、且つ周辺領域に位置する共通電極線をさらに備え、
前記共通電極線は、前記第１方向に沿って延在する第１サブ共通電極線と、前記第２方向に沿って延在する第２サブ共通電極線とを含み、前記第１サブ共通電極線は、前記第１導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第２サブ共通電極線は、前記第２導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第１サブ共通電極線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、
前記第１サブ冗長構造における第８導電線と前記第１サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、及び／又は、
前記第２サブ冗長構造における第７導電線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される。

前記表示基板は、前記ベース基板に配置され、前記コイル部に接続されてスパイラルコイルを構成する接続ジャンパ線をさらに備える。

前記表示基板は、前記コイル部に接続されてスパイラルコイルを構成する接続ジャンパ線が配置されているフレキシブル回路基板をさらに備える。

前記コイル部の数は２つであり、２つの前記コイル部はそれぞれ第１コイル部と第２コイル部であり、前記第１コイル部は第２コイル部を取り囲んでおり、前記第１コイル部と前記第２コイル部はいずれも第１端及び第２端を含み、前記接続ジャンパ線の両端は、前記第１コイル部の第１端と前記第２コイル部の第２端にそれぞれ接続される。

前記第１コイル部の第２端は第１引き出し電極に接続され、前記第２コイル部の第１端は第２引き出し電極に接続され、前記第１引き出し電極及び／又は前記第２引き出し電極は、前記ベース基板に配置され、且つ層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される第１サブ引き出し部と第２サブ引き出し部を含み、前記第１サブ引き出し部は、前記第１サブ構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第２サブ引き出し部は、前記第２サブ構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一である。

前記表示基板は、ベース基板に配置され、第１導電構造及び前記ゲート線を含む第１導電層と、
層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に配置され、前記第２導電構造及び前記データ線を含む第２導電層と、をさらに備える。

前記第１導電構造は第１本体部と第１接続部とを含み、前記第１本体部は前記第１方向に沿って延在し、前記第１接続部は前記第１本体部に接続され、前記第２導電構造は第２本体部と第２接続部とを含み、前記第２本体部は前記第２方向に沿って延在し、前記第２接続部は前記第２本体部に接続され、前記第１導電構造の第１接続部は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して、それと交差して配置される前記第２導電構造の第２接続部に接続される。

前記第１接続部は、接続される前記第１本体部の、該第１本体部に最も近い前記ゲート線の側に位置し、前記第２接続部は、接続される前記第２本体部の、該第２本体部に最も近い前記データ線から離れる側に位置し、
前記第１接続部と前記第２接続部はいずれも、前記第１方向において対向する第１側辺及び第２側辺と、前記第２方向において対向する第３側辺及び第４側辺とを含み、
前記第１接続部の第３側辺は前記第１本体部に接続され、前記第２接続部の第２側辺は前記第２本体部に接続され、
前記第１接続部の第１側辺及び第３側辺の前記ベース基板での正投影から、前記ビアホールの前記ベース基板での正投影までの距離はいずれも２．０μｍ以上であり、及び／又は、
前記第２接続部の第１側辺、第３側辺及び第４側辺の前記ベース基板での正投影から、前記ビアホールの前記ベース基板での正投影までの距離はいずれも２．０μｍ以上である。

前記第１接続部と、それに最も近接する前記ゲート線との間の距離は４μｍ以上である。

前記第２本体部と、それに最も近接する前記データ線との間の距離は３．５μｍ以上である。

前記サブ画素は、少なくとも薄膜トランジスタ、画素電極、共通電極を含み、前記薄膜トランジスタのゲートは前記ゲート線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記薄膜トランジスタのソース及びドレインは前記データ線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、前記共通電極は、前記画素電極の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記共通電極が位置する層と前記画素電極が位置する層との間にはパッシベーション層が配置されており、
前記第２接続部と、それに最も近接する前記画素電極との間の距離は２．０μｍ以上である。

前記サブ画素は、少なくとも薄膜トランジスタ、画素電極、共通電極を含み、前記薄膜トランジスタのゲートは前記ゲート線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記薄膜トランジスタのソース及びドレインは前記データ線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、前記共通電極は、前記画素電極の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記共通電極が位置する層と前記画素電極が位置する層との間にはパッシベーション層が配置されており、
各前記サブ画素における前記共通電極は一体構造に接続されて共通電極層を形成し、
前記共通電極層は、前記第２方向に沿って延在し、且つ前記第１方向に沿って並んで配置される複数の第１開口を含み、１つの前記第１開口の前記ベース基板での正投影と、１つの前記第２導電構造の前記ベース基板での正投影は部分的に重なる。

前記共通電極はスリット電極であり、前記第１導電構造と、前記共通電極の前記ベース基板での正投影は少なくとも部分的に重なる。

前記共通電極層は、前記第１方向に沿って延在し、且つ前記第２方向に沿って並んで配置される複数の第２開口をさらに含み、１つの前記第２開口の前記ベース基板での正投影と、前記第１方向に沿って並んで配置される複数の前記薄膜トランジスタの前記ベース基板での正投影は少なくとも部分的に重なる。

前記周辺領域は、前記第２方向における前記表示領域の２つの反対側に位置する第１パッド領域及び第２パッド領域を含み、前記表示領域の前記第１パッド領域に近い側、及び／又は前記第２パッド領域に近い側のいずれにおいても前記第３導電構造が配置されている。

前記第３導電構造は近接通信アンテナを含む。

第２態様において、本開示の実施例は、上述の表示基板を備える表示装置を提供する。

前記表示装置は、ブラックマトリクスが配置されている対向セル基板をさらに備え、前記第３導電構造の前記ベース基板での正投影は、前記ブラックマトリクスの前記ベース基板での正投影の範囲内にある。

例示的な表示基板の模式図である。 図１に示す表示基板のＡ－Ａ’の断面図である。 本開示の実施例に係る表示基板の模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板の構造の一部の模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトである。 図５に示す表示基板のＢ－Ｂ’の断面図である。 本開示の実施例に係る表示基板における第１導電構造と第２導電構造の電気的接続を示す模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトの位置の一部の模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板における共通電極層のレイアウトである。 本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトの位置の一部の模式図である。 図１０のＡ位置の拡大模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板における近接通信アンテナの模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトの位置の一部の模式図である。 図１３のＢ位置の拡大模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板における非機能領域の配線の模式図である。 本開示の実施例に係る表示基板における第１引き出し電極（第２引き出し電極）の模式図である。 図１２に示す近接通信アンテナを接続パッドに接続した状態を示す模式図である。 本開示の実施例に係る別の表示基板の模式図である。 図１８に示す表示基板における近接通信アンテナの模式図である。 図１８に示す表示基板における冗長機能領域の配線の模式図である。 図１９に示す近接通信アンテナを接続パッドに接続した状態を示す模式図である。 本開示の実施例に係る別の表示基板の模式図である。

当業者が本発明の技術案をよりよく理解するために、以下では図面及び具体的な実施形態を組み合わせて本発明をさらに詳細に説明する。

特に定義しない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は本開示の属する分野内で当業者が理解する通常の意味であるべきである。本開示に使用される「第１」、「第２」及び類似する言葉はいかなる順序、数又は重要性を示すものでもなく、異なる構成部分を区別するためのものに過ぎない。同様に、「１つ」、「一」又は「該」等の類似する言葉も数の制限を示すものではなく、少なくとも１つ存在することを示す。「備える」又は「含む」等の類似する言葉は、その前に記載された素子又は部材がその後に列挙した素子又は部材及びそれらと同等のものをカバーすることを指し、他の素子又は部材を排除しない。「接続」又は「連結」等の類似する言葉は物理的又は機械的な接続に限定されるのではなく、直接的又は間接的接続にかかわらず、電気的接続を含む場合がある。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対的な位置関係を指すだけであり、説明された対象の絶対的な位置が変化すると、該相対的な位置関係も対応して変化する可能性がある。

なお、本開示の実施例は、表示基板及び表示装置を提供する。この表示装置は、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）であってもよいし、有機エレクトロルミネッセンスＯＬＥＤ （Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）表示装置であってもよい。もちろん、他のタイプの表示装置であってもよく、ここでは一々列挙しない。本開示の実施例においては、表示装置として液晶表示装置を例に挙げて説明する。ここで、液晶表示装置は、対向配置される表示基板及び対向セル基板と、表示基板と対向セル基板との間に配置される液晶層とを備えている。ここで用いられる表示基板は、アレイ基板であってもよいし、ＣＯＡ基板（Ｃｏｌｏｒ Ｏｎ Ａｒｒａｙ）であってもよい。表示基板がアレイ基板である場合、対向セル基板はカラーフィルム層を含み、表示基板がＣＯＡ基板である場合、対向セル基板にカラーフィルム層を設ける必要はない。本開示の実施例では、表示基板がアレイ基板である場合を例に挙げて説明する。

図１は、例示的な表示基板の模式図である。図１に示すように、該表示基板は、表示領域Ｑ１及び表示領域Ｑ１を取り囲む周辺領域Ｑ２を有し、周辺領域Ｑ２は、表示領域Ｑ１の一方の側に位置する第１パッド領域Ｑ２１を含む。該表示基板は、ベース基板１０と、該ベース基板１０に配置される複数本のゲート線ＧＬ及び複数のデータ線ＤＬと、ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬの交差配置により限定された複数のサブ画素とを備える。ここで、複数本のゲート線ＧＬは、第１方向Ｘに沿って延在し、且つ第２方向Ｙに沿って並んで配置され、複数のデータ線ＤＬは、第２方向Ｙに沿って延在し、且つ第１方向Ｘに沿って並んで配置され、第１方向Ｘに沿って並んで配置される複数のサブ画素０１は第１画素グループを形成し、第２方向Ｙに沿って並んで配置される複数のサブ画素０１は第２画素グループを形成する。各サブ画素は、少なくとも薄膜トランジスタ２０、画素電極３０及び共通電極４０を含む。同一の第１画素グループに位置する各サブ画素０１における薄膜トランジスタ２０のゲートは同一のゲート線ＧＬに接続され、同一の第２画素グループに位置する各サブ画素における薄膜トランジスタ２０のソースは同一のデータ線ＤＬに接続される。図２は、図１に示す表示基板のＡ－Ａ’の断面図である。図２に示すように、サブ画素０１における薄膜トランジスタ２０は、ベース基板１０から離れる方向に沿って順次配置されるゲート、活性層、ソース及びドレインを含む。薄膜トランジスタ２０のドレインは画素電極３０に接続される。ゲートと活性層との間にはゲート絶縁層として用いられる層間絶縁層５０が配置され、画素電極３０は、層間絶縁層５０のベース基板１０から離れる側に位置する。薄膜トランジスタ２０のソース及びドレイン、画素電極３０のベース基板１０から離れる側にはパッシベーション層６０が覆われており、共通電極４０は、パッシベーション層６０のベース基板１０から離れる側に形成される。ここで、画素電極３０には板状電極が用いられ、共通電極４０にはスリット電極が用いられる。

なお、本開示の実施例において、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙとは、直線的に延在する方向を意味するのではなく、ある構造の走向又はある構造の長手方向を意味する。図２では、薄膜トランジスタ２０がボトムゲート型の薄膜トランジスタ２０である例のみを示しているが、これは本開示の実施例の保護範囲を制限するものではない。薄膜トランジスタ２０はトップゲート型の薄膜トランジスタ２０を用いてもよい。また、本開示の実施例において、各サブ画素はいずれも画素電極３０及び共通電極４０を含み、いくつかの例において、共通電極４０は、例えばＴＮモードの表示装置のようなカラーフィルム基板に配置されてもよいため、共通電極４０が表示基板上に配置されても、本開示の実施例の保護範囲を制限しない。本開示の実施例において、画素電極３０及び共通電極４０のいずれも表示基板に配置される場合のみを例に挙げて説明する。

また、表示基板は、アレイ状に配列される複数の画素ユニット１００を備え、各画素ユニット１００はＮ個のサブ画素を含み、Ｎ≧２、Ｎは整数である。本開示の実施例では、１つの画素ユニットに３つのサブ画素が含まれる（即ちＮ＝３）場合を例に採る。例えば、各画素ユニットは、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含む。この場合、同一の列に位置するサブ画素の発光色が同一であってもよい。

このような表示基板に対して、本開示の実施例では、第３導電構造を集積化することで、表示以外の付加的な機能、例えば信号の送受信機能などを実現する。以下の説明では、第３導電構造が近接通信アンテナにおけるコイル部７０である場合を例に採るが、これは本開示の実施例の保護範囲を制限するものではないと理解されたい。

第１態様において、図３は、本開示の実施例に係る表示基板の模式図であり、図４は、本開示の実施例に係る表示基板の構造の一部の模式図である。図３及び図４に示すように、本開示の実施例は、表示領域Ｑ１及び表示領域Ｑ１を取り囲む周辺領域Ｑ２を有する表示基板を提供する。該表示基板は、ベース基板１０、複数の第１導電構造７００、複数の第２導電構造８００、層間絶縁層５０、及び少なくとも１つの近接通信アンテナを備える。各第１導電構造７００はいずれもベース基板１０に配置され、且つ表示領域Ｑ１及び前記周辺領域Ｑ２に位置する。各第１導電構造７００は、第１方向Ｘに沿って延在し、且つ第２方向Ｙに沿って並んで配置される。層間絶縁層５０は、第１導電構造７００のベース基板１０から離れる側に配置される。各第２導電構造８００は、層間絶縁層５０のベース基板１０から離れる側に位置し、且つ表示領域Ｑ１及び周辺領域Ｑ２に位置する。複数の第２導電構造８００は、第２方向Ｙに沿って延在し、且つ第１方向Ｘに沿って並んで配置される。第２導電構造８００は、第１導電構造７００と交差して配置され、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して電気的に接続される。各近接通信アンテナは、前記ベース基板１０に配置され、且つ前記表示領域Ｑ１に位置する。各近接通信アンテナは少なくとも１つのコイル部７０を含み、該コイル部７０は、交差して配置される複数本の第１導電線７０１及び複数本の第２導電線７０２を含み、第１導電線７０１は、第１導電構造７００の少なくとも一部の構造であり、第１導電構造の一部は、２本の第１導電線７０１を含み、第２導電線７０２は、第２導電構造８００の少なくとも一部の構造である。

なお、本開示の実施例において、第１導電構造７００の一部が２本の第１導電線７０１を含むのは、コイル部７０を形成するために曲げパターンを形成できるようにするためである。近接通信アンテナが１つのコイル部７０のみを含む場合、該コイル部７０の両端は制御回路に接続されて閉ループを形成する。この場合、外部に設けられた磁気誘導コイルは、近接通信アンテナ及び制御回路内に誘導電流回路を形成することにより、近接通信を完了させることができる。コイル部７０が複数で構成される場合、接続ジャンパ線１３０により複数のコイル部７０を接続してアンテナコイルを形成することができ、この場合、アンテナの両端は制御回路に接続されて閉ループを形成し、外部に設けられた磁気誘導コイルにより、近接通信アンテナ及び制御回路内に誘導電流回路を形成して近接通信を完了させることができる。具体的な構造については、以下の具体例で説明する。

本開示の実施例において、近接通信アンテナのコイル部７０を表示領域Ｑ１に集積化しているので、省スペース化、表示基板の薄型化の実現に有利である。同時に、コイル部７０は、交差して配置される第１導電線７０１及び第２導電線７０２からなるため、即ち、コイル部７０はメッシュ構造であるため、該表示基板が適用される表示装置の表示効果に影響を与えない。また、コイル部７０における１本の第１導電線７０１は１つの第１導電構造７００の少なくとも一部の構造であり、１本の第２導電線７０２は１つの第２導電構造８００の少なくとも一部の構造であり、第１導電構造７００及び第２導電構造８００は表示領域Ｑ１及び周辺領域Ｑ２に位置するため、該表示基板が適用される表示装置の表示均一性を確保できる。

いくつかの例において、図５は、本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトである。図５に示すように、該表示基板は、上述の構造に加えて、ベース基板１０に配置される複数本のゲート線ＧＬ、複数本のデータ線ＤＬ、及び複数のサブ画素をさらに備える。ゲート線ＧＬは表示領域Ｑ１及び周辺領域Ｑ２に位置し、各ゲート線ＧＬは、第１方向Ｘに沿って延在し、且つ第２方向Ｙに沿って並んで配置される。データ線ＤＬは表示領域Ｑ１及び周辺領域Ｑ２に位置し、各データ線ＤＬは、第２方向Ｙに沿って延在し、且つ第１方向Ｘに沿って並んで配置される。サブ画素は、ゲート線ＧＬとデータ線ＤＬの交差配置により限定されたものである。第１方向Ｘに沿って並んで配置されるサブ画素は第１画素グループを形成し、第２方向Ｙに沿って並んで配置されるサブ画素は第２画素グループを形成する。本開示の実施例では、隣接して配置される第１画素グループの間には第１導電構造７００が１つ配置され、隣接する第２画素グループの少なくとも一部の間には第２導電構造８００が配置される。

なお、隣接して配置される第１画素グループの間には第１導電構造７００が１つ配置されるということは、第１導電構造７００全体のベース基板１０での投影が全て、隣接して配置される第１画素グループのベース基板１０での正投影の間に位置することを意味するものではない。本開示の実施例において、第１導電構造７００の一部の構造が２つの隣接する第１画素グループの間に位置する限り、第１導電構造７００は２つの隣接する第１画素グループの間に位置すると考えられる。例えば、図５に示すように、第１導電構造７００の第１方向Ｘに沿って延在する部分（即ち、後述する第１本体部７１０）のベース基板１０での正投影は、サブ画素のベース基板１０での正投影と重なるが、第１導電構造７００の第２方向Ｙに沿って延在する部分（即ち、後述する第１接続部７２０）のベース基板１０での正投影は、サブ画素のベース基板１０での正投影と重ならず、且つ２つの第１画素グループの間に位置する。第１画素グループの間の位置と第２画素グループの間の位置はいずれも非光透過領域であるため、隣接する第１画素グループの間に第１導電構造７００を配置し、隣接する第２画素グループの間に第２導電構造８００を配置することは、画素開口率に影響を与えない。

いくつかの例において、本開示の実施例において、同一の第２画素グループに位置する各サブ画素の色は同一であり、隣接して配置される第２画素グループにおけるサブ画素の色は異なる。ここで、表示基板に３色のサブ画素が含まれる場合を例に採り、３色のサブ画素はそれぞれ赤色サブ画素Ｒ、緑色サブ画素Ｇ、青色サブ画素Ｂであってもよい。第１方向Ｘに沿って並んで配置される３つのサブ画素ごとに１つの画素ユニットを構成し、即ち、各画素ユニットは、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含む。第２方向Ｙに沿って並んで配置される画素ユニットは画素ユニットグループを形成し、各画素ユニットグループには少なくとも１つの第２導電構造８００が配置されている。

さらに、一例では、各画素ユニットグループにおける隣接して配置される第２画素グループの間には第２導電構造８００が配置されている。即ち、各画素ユニットグループには２つの第２導電構造８００が配置されており、そのうちの１つは、赤色サブ画素Ｒからなる第２画素グループと、緑色サブ画素Ｇからなる第２画素グループとの間に位置し、もう１つは、緑色サブ画素Ｇからなる第２画素グループと、青色サブ画素Ｂからなる第２画素グループとの間に位置する。別の例では、各画素ユニットグループには第２導電構造８００が１つ配置され、該第２導電構造８００は、赤色サブ画素Ｒからなる第２画素グループと、緑色サブ画素Ｇからなる第２画素グループとの間に位置する。このように配置するのは、赤色サブ画素Ｒの色交差のリスクが大きいためであり、カラーフィルム基板において赤色サブ画素Ｒと緑色サブ画素Ｇとの間に対応する位置に形成されるブラックマトリクスの幅が他の位置よりも広くなるので、第２導電構造８００をこのような位置に配置することは画素開口率に影響を与えない。

なお、本開示の実施例の図面及び以下の説明では、各画素ユニットグループには第２導電構造８００が１つのみ配置され、且つ該第２導電構造８００が赤色サブ画素と緑色サブ画素との間に位置することを例に採る。しかしながら、これは本開示の実施例の保護範囲を制限するものではないことを理解されたい。

いくつかの例において、図６は、図５に示す表示基板のＢ－Ｂ’の断面図である。図６に示すように、各サブ画素は、薄膜トランジスタ２０、画素電極３０及び共通電極４０を含み、表示基板は、ベース基板１０に順次に配置される第１導電層、（ゲート絶縁層として用いられる）層間絶縁層５０、画素電極３０、第２導電層、パッシベーション層６０、及び共通電極４０を含む。第１導電層は、薄膜トランジスタ２０のゲート、ゲート線ＧＬ、及び第１導電構造７００を含み、薄膜トランジスタ２０のゲートはゲート線ＧＬに電気的に接続され、両者は一体成型構造であってもよい。第２導電層は、薄膜トランジスタ２０のソース及びドレイン、データ線ＤＬ、第２導電構造８００を含む。薄膜トランジスタ２０のドレインは画素電極３０に電気的に接続され、薄膜トランジスタ２０のソースはデータ線ＤＬに電気的に接続され、両者は一体構造であってもよい。第２導電構造８００は、絶縁層を貫通するビアホールを介して第１導電構造７００に電気的に接続される。ここで、画素電極３０は板状電極であり、共通電極４０はスリット電極である。

この場合、第１導電層は、薄膜トランジスタ２０のゲート、ゲート線ＧＬ、及び第１導電構造７００を含み、第２導電層は、薄膜トランジスタ２０のソース及びドレイン、データ線ＤＬ、及び第２導電構造８００を含む。この場合、薄膜トランジスタ２０のゲート、ゲート線ＧＬ及び第１導電構造７００は、一回のパターニング工程で形成することができ、薄膜トランジスタ２０のソース及びドレイン、データ線ＤＬ、及び第２導電構造８００は、一回のパターニング工程で形成することができる。本開示の実施例において、近接通信アンテナの第１導電線７０１は第１導電構造７００の少なくとも一部の構造であり、第２導電線７０２は第２導電構造８００の少なくとも一部の構造であるため、表示基板において近接通信アンテナを集積化するが、工程ステップは増加しない。

本開示の実施例において、近接通信アンテナの第１導電線７０１は第１導電構造７００の少なくとも一部の構造であり、第２導電線７０２は第２導電構造８００の少なくとも一部の構造であるため、第１導電構造７００及び第２導電構造８００の位置と、両者の接続位置とビアホールとの嵌合関係とを合理的に設けることを確保することにより、近接通信アンテナの性能を確保できる。いくつかの例において、図７は、本開示の実施例に係る表示基板における第１導電構造７００と第２導電構造８００の電気的接続を示す模式図である。第１導電構造７００は第１本体部７１０と第１接続部７２０を含み、第１本体部７１０は前記第１方向Ｘに沿って延在し、第１接続部７２０は前記第１本体部７１０に接続され、第２導電構造８００は第２本体部８１０及び第２接続部８２０を含み、第２本体部８１０は前記第２方向Ｙに沿って延在し、第２接続部８２０は第２本体部８１０に接続される。交差して配置される第１導電構造７００及び第２導電構造８００について、第１導電構造７００の第１接続部７２０は、前記層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第２導電構造８００の第２接続部８２０に電気的に接続される。

例えば、図８は、本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトの位置の一部の模式図である。図８に示すように、第１接続部７２０は、接続される第１本体部７１０と、該第１本体部７１０に最も近いゲート線ＧＬとの間に位置し、第２接続部８２０は、接続される第２本体部８１０の、該第２本体部８１０に最も近いデータ線ＤＬから離れる側に位置する。第１接続部７２０と第２接続部８２０はいずれも、前記第１方向Ｘにおいて対向する第１側辺（左側辺）及び第２側辺（右側辺）と、第２方向Ｙにおいて対向する第３側辺（下側辺）及び第４側辺（上側辺）とを含み、第１接続部７２０の第３側辺は第１本体部７１０に接続され、第２接続部８２０の第２側辺は第２本体部８１０に接続される。ここで、第１接続部７２０と第２接続部８２０は、両者のベース基板１０での正投影が少なくとも部分的に重なり、両者のベース基板１０での正投影はいずれも、少なくともビアホールのベース基板１０での正投影の少なくとも一部の領域を覆う。図７に示すように、第１接続部７２０の第１側辺のベース基板１０での正投影から、ビアホールの前記ベース基板１０での正投影までの距離Ｌ１１と、第３側辺のベース基板１０での正投影から、ビアホールの前記ベース基板１０での正投影までの距離Ｌ１３はいずれも２．０μｍ以上である。例えば、第１接続部７２０の第１側辺から、ビアホールのベース基板１０での正投影までの距離Ｌ１１は２．４μｍであり、第１接続部７２０の第３側辺から、ビアホールのベース基板１０での正投影までの距離Ｌ１３は２．０μｍである。第２接続部８２０の第１側辺、第３側辺及び第４側辺の、ベース基板１０での正投影から、ビアホールの前記ベース基板１０での正投影までの距離Ｌ１４はいずれも２．０μｍ以上である。例えば、第２接続部８２０の第１側辺、第３側辺及び第４側辺の、ベース基板１０での正投影から、ビアホールの前記ベース基板１０での正投影までの距離Ｌ１４はいずれも２．４μｍである。また、ビアホールのベース基板１０での正投影から、第１導電構造７００の第１本体部７１０のベース基板１０での正投影までの最遠距離Ｌ１２は４μｍ以上であり、例えば、ビアホールのベース基板１０での正投影から、第１導電構造７００の第１本体部７１０のベース基板１０での正投影までの最遠距離Ｌ１２は約５μｍである。

いくつかの例において、第１導電構造７００は近接通信アンテナの第１導電線７０１の少なくとも一部の構造として用いられ、第１導電構造７００はゲート線ＧＬと同じ層に配置されるので、第１導電構造７００とゲート線ＧＬとの間の距離の設定は、近接通信アンテナがゲート線ＧＬの信号に影響を及ぼすことを避けるように確保すべきである。本開示の実施例において、図８に示すように、第１導電構造７００の第１接続部７２０と、それに最も近接するゲート線ＧＬとの間の距離Ｌ１６を４μｍ以上に設定し、例えば両者の間の距離Ｌ１６を約５．２μｍに設定することにより、信号の干渉を効果的に避けることができ、また、第１導電構造７００はゲート線ＧＬと同じ層にあるので、両者の間の距離を合理的に設定することにより、両者のパターニング時の露光距離を確保することができる。

同様に、第２導電構造８００は近接通信アンテナの第２導電線７０２の少なくとも一部の構造として用いられ、第２導電構造８００はデータ線ＤＬと同じ層に配置されるので、第２導電構造とデータ線ＤＬとの間の距離の設定は、近接通信アンテナがデータ線ＤＬの信号に影響を及ぼすことを避けるように確保すべきである。本開示の実施例において、図８に示すように、第２本体部８１０と、それに最も近接する前記データ線ＤＬとの間の距離Ｌ１７は３．５μｍ以上であり、例えば、両者の間の距離Ｌ１７は約４．５μｍである。また、薄膜トランジスタ２０のドレインと画素電極３０は直接電気的に接続されるので、画素電極３０は、薄膜トランジスタ２０のドレインと電気的に接続される位置を除いて残りの位置がいずれも第２導電構造８００と同じ層に配置される。したがって、第２導電構造８００が画素電極３０の電圧信号に影響を及ぼすことを避けるために、本開示の実施例において、第２接続部８２０と、それに最も近接する画素電極３０との間の距離Ｌ１８は２．０μｍ以上であり、例えば、第２接続部８２０と、それに最も近接する画素電極３０との間の距離Ｌ１８は約２．５μｍ又は２．９９μｍである。

いくつかの例において、図９は、本開示の実施例に係る表示基板における共通電極層のレイアウトである。図９に示すように、近接通信アンテナのコイル部７０の第１導電線７０１は第１導電層に配置され、第２導電線７０２は第２導電層に配置され、通常、各サブ画素における共通電極４０は互いに接続され、即ち、各サブ画素における共通電極４０は、第２導電層のベースから離れる側に位置する共通電極層を形成し、共通電極層が近接通信アンテナの信号伝送に影響を及ぼすことを避けるために、共通電極層には複数の第１開口４０１が配置されており、第１開口４０１は前記第２方向Ｙに沿って延在し、且つ前記第１方向Ｘに沿って並び、１つの第１開口４０１のベース基板１０での正投影は、１つの第２導電構造８００のベース基板１０での正投影と重なる。例えば、第１開口４０１は、第２導電構造８００と１対１に対応して配置される。さらに、本開示の実施例において、共通電極４０はスリット電極であり、第１導電構造７００は、共通電極４０のベース基板１０での正投影と少なくとも部分的に重なるため、共通電極４０上のスリットにより近接通信アンテナの信号伝送を補助することができる。いくつかの例において、共通電極層は、第１方向Ｘに沿って延在し、且つ前記第２方向Ｙに沿って並んで配置される複数の第２開口４０２をさらに含み、１つの第２開口４０２のベース基板１０での正投影は、第１方向Ｘに沿って並んで配置される複数の薄膜トランジスタ２０のベース基板１０での正投影と少なくとも部分的に重なる。このとき、第２開口４０２と近接通信アンテナの第２導電線７０２との間に一定の距離があるが、第２開口４０２も近接通信アンテナの信号伝送を補助することができる。

本開示の実施例において、表示領域Ｑ１は、少なくとも１つの第１領域Ｑ１１と第２領域Ｑ１２とを含み、第１領域Ｑ１１は、近接通信アンテナが配置されるように構成され、１つの第１領域Ｑ１１には、１つの近接通信アンテナのコイル部７０が配置される。表示領域Ｑ１のうち第１領域Ｑ１１以外の領域を第２領域Ｑ１２と呼ぶ。周辺領域Ｑ２は、第２方向Ｙにおける表示領域Ｑ１の２つの反対側に位置する第１パッド領域Ｑ２１及び第２パッド領域Ｑ２２を含む。表示領域Ｑ１が１つの第１領域Ｑ１１のみを含む場合、該第１領域Ｑ１１は、第２領域Ｑ１２の第１パッド領域Ｑ２１に近い側に配置されてもよく、第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に配置されてもよい。これにより、第１領域Ｑ１１内の近接通信アンテナとフレキシブル回路基板とのバインディング接続が容易になる。同様に、表示領域Ｑ１が２つの第１領域Ｑ１１を含む場合、１つの第１領域Ｑ１１は、第２領域Ｑ１２の第１パッド領域Ｑ２１に近い側に位置し、もう１つの第１領域Ｑ１１は、第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に位置する。もちろん、本開示の実施例に係る表示基板の表示領域Ｑ１にはさらに多くの第１領域Ｑ１１が配置されてもよく、即ち、該表示基板にはさらに多くの近接通信アンテナのコイル部７０が集積されてもよい。なお、通常、表示基板上の信号線は、第１パッド領域Ｑ２１を介してフレキシブル回路基板にバインディング接続されている。好ましくは、近接通信アンテナは、表示領域の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に位置し、このとき、近接通信アンテナとバインディング接続されるフレキシブル回路基板と、第１パッド領域Ｑ２１とバインディング接続されるフレキシブル回路基板は同一のフレキシブル回路基板ではなく、これにより、表示基板上の信号線と近接通信アンテナのコイル部７０との干渉を避けることができ、近接通信アンテナのコイル部７０のバインディングのために十分なスペースを確保することができる。

以下の説明では、表示基板の表示領域Ｑ１に１つ又は２つの第１領域Ｑ１１のみが含まれること、即ち、表示基板に１つ又は２つの近接通信アンテナのコイル部７０が集積されることを例に挙げて説明する。

いくつかの例において、図１０は、本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトの位置の一部の模式図であり、図１１は、図１０のＡ位置の拡大模式図である。図４、１０、１１に示すように、表示基板は、第１領域Ｑ１１に配置されるコイル部７０だけでなく、第２領域Ｑ１２及び周辺領域Ｑ２に配置される複数本の第３導電線１１０及び複数本の第４導電線１２０をさらに含む。複数本の第３導電線１１０と複数本の第４導電線１２０は交差して配置され、１本の第３導電線１１０は１つの第１導電構造７００の少なくとも一部の構造であり、１本の第４導電線１２０は１つの第２導電構造８００の一部の構造に位置する。この場合、表示領域Ｑ１には第１導電構造７００と第２導電構造８００が均一に分布しており、表示基板の開口率の均一性を向上させるのに役立つ。ここで、コイル部７０の信号が第２領域Ｑ１２に結合することを避けるために、同一の第２導電構造８００に属する第２導電線７０２と第４導電線１２０は断絶されて配置され、両者の間の距離Ｌ２１は約２μｍ～６μｍであり、例えば、両者の間の距離Ｌ２１は４μｍである。

さらに、表示基板は、上述の構造だけでなく、周辺領域Ｑ２に位置してベース基板１０に配置される共通電極線４００をさらに備える。第２領域Ｑ１２に上述の第３導電線１１０及び第４導電線１２０が配置される場合、第３導電線１１０は共通電極線４００に電気的に接続されてもよい。例えば、共通電極線４００は、第１方向に沿って延在する第１サブ共通電極線と、第２方向に沿って延在する第２サブ共通電極線とを含む。第１サブ共通電極線は、第１導電構造７００と同じ層に配置され、且つ材料が同一であってもよく、第２サブ共通電極線は、第２導電構造８００と同じ層に配置され、且つ材料が同一であってもよい。このとき、第１サブ共通電極線と第２サブ共通電極線は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して電気的に接続される。第３導電線１１０は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第２サブ共通電極線に電気的に接続され、これにより、第３導電線１１０及び第４導電線１２０における電圧を共通電圧にすることで、第３導電線１１０及び第４導電線１２０がフローティング状態になることを避ける。又は、第４導電線１２０は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第１サブ共通電極線に電気的に接続され、これにより、第３導電線１１０及び第４導電線１２０における電圧を共通電圧にする。もちろん、第３導電線１１０は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第２サブ共通電極線に電気的に接続されると同時に、第４導電線１２０は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第１サブ共通電極線に電気的に接続され、これにより、第３導電線１１０及び第４導電線１２０における電圧を共通電圧にすることもできる。

なお、周辺領域の外郭が矩形である場合、共通電極線４００は、２本の第１サブ共通電極及び２本の第２サブ共通電極線を含んでもよい。２本の第１サブ共通電極線は、第２方向において並んで配置され、２本の第２サブ共通電極線は、第１方向において並んで配置される。第３導電線１１０が第２サブ共通電極線に接続される場合、該第３導電線１１０の両端はこの２本の第２サブ共通電極線にそれぞれ接続されてもよく（第３導電線１１０の両端は、それに最も近接する第１サブ共通電極線にそれぞれ接続される）、第４導電線１２０が第１サブ共通電極線に接続される場合、該第４導電線１２０の第１領域Ｑ１１から離れる一端を介して、該一端に最も近接する第２サブ共通電極線に接続される。

いくつかの例において、図１２は、本開示の実施例に係る表示基板における近接通信アンテナの模式図である。図１２に示すように、近接通信アンテナは、１つのコイル部７０のみを含んでもよく、該コイル部７０は、延在方向が異なる少なくとも２つのサブ構造を含んでもよく、各前記サブ構造はいずれも前記第１導電線７０１及び第２導電線７０２を含む。例えば、コイル部７０は、Ｖ字型、Ｕ字型等を含む。本開示の実施例において、コイル部７０がＵ字型である場合を例に挙げて説明する。図１２に示すように、該コイル部７０は、第１方向Ｘに沿って並んで配置され、且つ第２方向Ｙに沿って延在する２つの第１サブ構造７１と、第１方向Ｘに沿って延在し、且つ２つの第１サブ構造７１の間に接続される１つの第２サブ構造７２とを含む。ここで、図４に示すように、表示領域Ｑ１における第１領域Ｑ１１は、非機能領域Ｑ１１２と、非機能領域Ｑ１１２を取り囲む機能領域Ｑ１１１とを含む。コイル部７０は、機能領域Ｑ１１１内に配置される。例えば、機能領域Ｑ１１１の形状はコイル部７０の形状に適合しており、即ちコイル部７０はＵ字型であり、機能領域Ｑ１１１もＵ字型である。この場合、非機能領域Ｑ１１２は矩形である。さらに、表示基板は、上述の構造だけでなく、非機能領域Ｑ１１２に位置し、ベース基板１０において交差して配置される複数本の第５導電線８０及び第６導電線９０をさらに備える。第５導電線８０は第１導電構造７００の一部の構造であり、第６導電線９０は第２導電構造８００の一部の構造である。

いくつかの例において、図１３は、本開示の実施例に係る表示基板のレイアウトの位置の一部の模式図であり、図１４は、図１３のＢ位置の拡大模式図である。図１３、１４が示すように、第１領域Ｑ１１を貫通する複数の第１導電構造７００のうち、機能領域Ｑ１１１及び非機能領域Ｑ１１２を同時に貫通する第１導電構造７００は、いずれも第１導電線７０１及び第５導電線８０を含み、第５導電線８０と第１導電線７０１との間の距離Ｌ２２は２μｍ～６μｍ以上であり、例えば、両者の間の距離Ｌ２２は４μｍである。即ち、１つの第１導電構造７００における第１導電線７０１と第５導電線８０は断絶されて配置され、且つ両者の間には一定の距離があり、一定の距離を設定することにより、近接通信アンテナの上部信号が第５導電線８０に結合して表示基板の性能に影響を及ぼすことを効果的に避けることができる。同様に、第１領域Ｑ１１を貫通する複数の第２導電線７０２のうち、機能領域Ｑ１１１及び非機能領域Ｑ１１２を同時に貫通する第２導電構造８００は、いずれも第２導電線７０２及び第６導電線９０を含み、第６導電線９０と第２導電線７０２との間の距離は２μｍ～６μｍ以上であり、例えば、両者の間の距離は４μｍである。即ち、１つの第２導電構造８００における第２導電線７０２と第６導電線９０は断絶されて配置され、且つ両者の間には一定の距離があり、一定の距離を設定することにより、近接通信アンテナの上部信号が第６導電線９０に結合して表示基板の性能に影響を及ぼすことを効果的に避けることができる。

さらに、図１５は、本開示の実施例に係る表示基板における非機能領域Ｑ１１２の配線の模式図である。図１５に示すように、近接通信アンテナの信号が非機能領域Ｑ１１２に結合することを可能な限り避けるために、本開示の実施例において、第５導電線８０は断線設計を採用する。例えば、図１５に示すように、第５導電線８０は、第１方向Ｘに沿って並んで且つ間隔をあけて配置される複数の第１サブ導電線８０１を含み、隣接して配置される前記第１サブ導電線８０１の間の隙間は、隣接して配置されるサブ画素の間に位置する。隣接して配置される前記第１サブ導電線８０１の間の隙間は、幅Ｌ２３が２μｍ～６μｍであり、例えば、この幅Ｌ２３が４μｍである。

表示基板の周辺領域Ｑ２に上述の共通電極線４００が配置され、非機能領域Ｑ１１２に第５導電線８０及び第６導電線９０が配置される場合、第６導電線９０は、共通電極線４００に電気的に接続されてもよい。例えば、共通電極線４００は、上述の第１サブ共通電極線及び第２サブ共通電極線を含み、第６導電線９０は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第１サブ共通電極線に電気的に接続され、これにより、第５導電線８０及び第６導電線９０における電圧を共通電圧にすることで、第５導電線８０及び第６導電線９０がフローティング状態になることを避ける。好ましくは、第６導電線９０の第２領域Ｑ１２から離れる一端は、該一端に最も近い第１サブ共通電線に接続される。

いくつかの例において、近接通信アンテナが上述のコイル部７０を１つだけ含む場合、近接通信アンテナの磁気誘導機能を実現するために、コイル部７０の第１端及び第２端はフレキシブル回路基板上の制御回路により電気的に接続される必要がある。同様にＵ字型のコイル部７０を例にとると、このコイル部７０の２つの第１サブ構造７１の端部は、それぞれコイル部７０の第１端及び第２端とされる。２つの第１サブ構造７１の端部は表示領域Ｑ１から周辺領域Ｑ２に延在され、同時に２つの第１サブ構造７１の端部の位置に第２導電線７０２が間隔をあけて配置されるため、コイル部７０とフレキシブル回路基板とのバインディング接続を容易にして制御回路との電気的接続を可能にするために、図１２に示すように、該近接通信アンテナは、コイル部７０の第１端及び第２端にそれぞれ電気的に接続される第１引き出し電極７０３及び第２引き出し電極７０４をさらに含み、第１引き出し電極７０３及び第２引き出し電極７０４はいずれも周辺領域Ｑ２に位置する。図１６は、本開示の実施例に係る表示基板における第１引き出し電極７０３（第２引き出し電極７０４）の模式図である。図１６に示すように、第１引き出し電極７０３及び第２引き出し電極７０４はいずれも、基板から離れる方向に沿って順次に配置され、且つ電気的に接続される第１サブ引き出し部７０３１及び第２サブ引き出し部７０３２を含んでもよい。いくつかの例において、第１サブ引き出し部７０３１は第１導電構造７００と同じ層に配置され、第２サブ引き出し部７０３２は第２導電構造と同じ層に配置され、このとき、第１引き出し電極７０３（第２引き出し電極７０４）の第１サブ引き出し部７０３１及び第２サブ引き出し部７０３２は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して電気的に接続される。この場合、第１引き出し電極７０３の第２引き出し部は、１つの第１サブ構造７１の第２導電線７０２に電気的に接続され、第２引き出し電極７０４の第２引き出し部は、もう１つの第１サブ構造７１の第２導電線７０２に電気的に接続される。本開示の実施例において、電気的に接続される第１サブ引き出し部７０３１及び第２サブ引き出し部７０３２を第１引き出し電極７０３（第２引き出し電極７０４）とすることにより、電気抵抗を低減することができる。

なお、本開示の実施例において形成される第１引き出し電極７０３及び第２引き出し電極７０４の幅はいずれも第１サブ構造７１の幅よりも大きく、このように配置されるのは、電気抵抗を効果的に低減することができるためである。図３を例に採ると、第１領域Ｑ１１は第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に位置し、第２パッド領域Ｑ２２には第１接続パッドＡ及び第２接続パッドＢが配置されており、このとき、第１引き出し電極７０３の第２サブ引き出し部７０３２は、第１引き出し線を通じて第１接続パッドＡに電気的に接続されてもよく、第２引き出し電極７０４の第２サブ引き出し部７０３２は、第２引き出し線を通じて第２接続パッドＢに電気的に接続されてもよい。次に、図１７に示すように、フレキシブル回路基板と第１接続パッドＡ及び第２接続パッドＢとをバインディング接続することにより、近接通信アンテナのコイル部７０と制御回路とを接続することができる。ここで、第１引き出し線及び第２引き出し線は、第２導電構造８００と同じ層に配置され、且つ同じ材料を用いてもよく、これにより、第１引き出し線と第１引き出し電極７０３の第２サブ引き出し部７０３２との電気的接続、及び第２引き出し線と第２引き出し電極７０４の第２サブ引き出し部７０３２との電気的接続を容易にすることができる。同様に、第１領域Ｑ１１も第２領域Ｑ１２の第１パッド領域Ｑ２１に近い側に位置してもよく、即ち、近接通信アンテナは、表示領域Ｑ１の第１パッド領域Ｑ２１に近い側に配置される。もちろん、第２領域Ｑ１２の第１パッド領域Ｑ２１に近い側と、第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側の両方に第１領域Ｑ１１が配置されてもよく、このとき、表示領域Ｑ１には近接通信アンテナが２つ配置される。近接通信アンテナが１つであっても２つであっても、またそれ以上であっても、近接通信アンテナのコイル部７０の第１端及び第２端はいずれも上述の構造を用いることができる。

以上では、近接通信アンテナが１つのコイル部７０のみを含む場合を説明したが、いくつかの例において、近接通信アンテナのコイル部７０は複数であってもよく、複数のコイル部７０はネスト状に配置される。図１８は、本開示の実施例に係る別の表示基板の模式図であり、図１９は、図１８に示す表示基板における近接通信アンテナの模式図であり、図２０は、図１８に示す表示基板における冗長機能領域Ｑ１１１ｂの配線の模式図である。図１８～２０に示すように、説明の便宜上、第１領域Ｑ１１における機能領域Ｑ１１１を第１サブ機能領域Ｑ１１１ａと冗長機能領域Ｑ１１１ｂに分け、１つの第１サブ機能領域Ｑ１１１ａには近接通信アンテナの１つのコイル部７０が配置され、隣接して配置される２つの第１サブ機能領域Ｑ１１１ａの間の領域は冗長機能領域Ｑ１１１ｂである。第１サブ機能領域Ｑ１１１ａにおけるコイル部７０は、構造が上述の構造と同一であり、即ち、交差して配置される第１導電線７０１及び第２導電線７０２を含む。本開示の実施例において、冗長機能領域Ｑ１１１ｂには、交差して配置される複数本の第７導電線１５０及び複数本の第８導電線１６０が配置されており、１本の第７導電線１５０は１つの第１導電構造７００の一部の構造であり、１本の第８導電線１６０は１つの第２導電構造８００の一部の構造である。このような配置方式により、表示基板上の配線の均一性を確保することができ、表示基板上の画素の開口率を均一にすることができる。

さらに、同一の第１導電構造７００における第１導電線７０１と第７導電線１５０は断絶されて配置され、同一の第１導電構造７００における第１導電線７０１と、それに最も近い第７導電線１５０との間の最小距離は、第１導電線７０１における信号と第７導電線１５０との間に結合が生じないことを満たすべきである。同様に、同一の第２導電構造８００における第２導電線７０２と第８導電線１６０は断絶されて配置され、同一の第２導電構造８００における第２導電線７０２と、それに最も近い第８導電線１６０との間の最小距離は、第２導電線７０２における信号と第８導電線１６０との間に結合が生じないことを満たすべきである。いくつかの例において、同一の前記第１導電構造７００における第１導電線７０１と、それに最も近い第７導電線１５０との間の距離は２μｍ～６μｍであり、例えば、両者の間の距離は約４μｍである。同一の第２導電構造８００における第８導電線１６０と、それに最も近い第２導電線７０２との間の距離は２μｍ～６μｍであり、例えば、両者の間の距離は約４μｍである。

いくつかの例において、コイル部７０がＵ字型の構造を用いる場合、第１サブ機能領域Ｑ１１１ａの形状はコイル部７０の形状に適合しており、故に第１サブ機能領域Ｑ１１１ａの形状も同様にＵ字型である。また、冗長機能領域Ｑ１１１ｂは、隣接して配置される２つの第１サブ機能領域Ｑ１１１ａの間に位置し、即ち、冗長機能領域Ｑ１１１ｂは、隣接して配置される第１サブ機能領域Ｑ１１１ａにより限定されるものであるため、冗長機能領域Ｑ１１１ｂの形状も同様にＵ字型である。これと同時に、冗長コイルはＵ字型構造を採用する。具体的には、冗長コイル部は、第１方向Ｘに沿って並んで配置され、且つ第２方向Ｙに沿って延在する２つの第１サブ冗長構造１４０１と、前記第１方向Ｘに沿って延在し、且つ２つの第１サブ冗長構造１４０１の間に接続される第２サブ冗長構造１４０２とを含み、第１サブ冗長構造１４０１及び第２サブ冗長構造１４０２はいずれも第７導電線１５０及び第８導電線１６０を含み、第１サブ冗長構造１４０１の第８導電線１６０は、第２サブ冗長構造１４０２が位置する領域まで延在し、第２サブ冗長構造１４０２の第７導電線１５０は、第１サブ冗長構造１４０１が位置する領域まで延在し、これにより、２つの第１サブ冗長構造１４０１の第８導電線１６０と第２サブ冗長構造１４０２の第７導電線１５０との電気的接続を実現し、さらに２つの第１サブ冗長構造１４０１と第２サブ冗長構造１４０２との電気的接続を実現する。さらに、コイル部７０と冗長コイル部との間の信号の結合を可能な限り避けるために、好ましくは、第１サブ冗長構造１４０１における第７導電線１５０に対して断線設計を行い、第２サブ冗長構造１４０２における第８導電線１６０に対して断線設計を行うことで、同一の第１導電構造７００における第１導電線７０１と第７導電線１５０とが結合して表示基板の正常動作に影響を与え、同一の第２導電構造８００における第２導電線７０２と第８導電線１６０とが結合して表示基板の正常動作に影響を与えることを避ける。

具体的には、本開示の実施例において、第１サブ冗長構造１４０１における第７導電線１５０は、第１方向Ｘに沿って並んで配置される複数本の第２サブ導電線１５０１を含み、隣接して配置される前記第２サブ導電線１５０１の間の隙間は、隣接して配置されるサブ画素の間に位置する。同様に、第２サブ冗長構造１４０２における第８導電線１６０は、第２方向Ｙに沿って並んで配置される複数本の第３サブ導電線１６０１を含み、隣接して配置される前記第３サブ導電線１６０１の間の隙間は、隣接して配置されるサブ画素の間に位置する。

いくつかの例において、上述の場合、第１サブ冗長構造１４０１における第７導電線１５０のいずれについても、隣接して配置される第２サブ導電線１５０１の間の隙間の幅Ｌ２４は２μｍ～６μｍであり、例えば、両者の間の隙間の幅Ｌ２４は約４μｍである。第２サブ冗長構造１４０２における第８導電線１６０のいずれについても、隣接して配置される前記第３サブ導電線１６０１の間の隙間の幅Ｌ２５は２μｍ～６μｍであり、例えば、両者の間の隙間の幅Ｌ２５は４μｍ程度である。第１サブ冗長構造１４０１における第７導電線１５０の第２サブ導電線１５０１間の隙間と、第２サブ冗長構造１４０２における第８導電線１６０の第３サブ導電線１６０１間の隙間とを合理的に設けることにより、近接通信アンテナにおける隣接するコイル部７０間の結合の発生を効果的に避けることができる。

いくつかの例において、表示基板の周辺領域Ｑ２に上述の共通電極線４００が配置される場合、第１サブ冗長構造１４０１の第８導電線１６０及び第２サブ冗長構造１４０２の第７導電線１５０はいずれも共通電極線４００に電気的に接続される。例えば、共通電極線４００は上述の第１サブ共通電極線及び第２サブ共通電極線を含み、このとき、第１サブ冗長構造１４０１の第８導電線１６０は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第１サブ共通電極線に電気的に接続され、第２サブ冗長構造１４０２の第７導電線１５０は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第２サブ共通電極線に電気的に接続され、これにより、冗長コイル部における第７導電線１５０及び第８導電線１６０の電圧を共通電圧にすることで、第７導電線１５０及び第８導電線１６０がフローティング状態になることを避ける。もちろん、第１サブ冗長構造１４０１の第８導電線１６０と第２サブ冗長構造１４０２の第７導電線１５０は交差して配置され、且つ層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して電気的に接続されるため、２つの第１サブ冗長構造１４０１における第８導電線１６０のみが、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して第１サブ共通電極線に電気的に接続され、或いは、第２サブ冗長構造１４０２における第７導電線１５０のみが、層間絶縁層５０のビアホールを介して第２サブ共通電極線に電気的に接続され、この２種の方式はいずれも冗長コイル部における第７導電線１５０及び第８導電線１６０の電圧を共通電圧にすることができる。

いくつかの例において、近接通信アンテナのコイル部７０が複数である場合、近接通信アンテナは、ベース基板１０に配置される接続ジャンパ線１３０をさらに含み、該接続ジャンパ線１３０は、コイル部７０に接続されてスパイラルコイルを構成する。

近接通信アンテナにおけるコイル部７０と接続ジャンパ線１３０との接続関係をより明確に理解するために、本開示の実施例では、近接通信アンテナが２つのコイル部７０を含む場合を例に挙げて説明し、近接通信アンテナにおける２つのコイル部７０をそれぞれ第１コイル部７０ａ、第２コイル部７０ｂと呼ぶ。図１９に示すように、第２コイル部７０ｂは第１コイル部７０ａ内に埋設され、第１コイル部７０ａ及び第２コイル部７０ｂはいずれも第１端及び第２端を含み、接続ジャンパ線１３０の両端は、第１コイル部７０ａの第１端と第２コイル部７０ｂの第２端にそれぞれ接続される。第１コイル部７０ａの第２端は近接通信アンテナの第１端とされ、第２コイル部７０ｂの第１端は近接通信アンテナの第２端とされる。この場合、近接通信アンテナとフレキシブル回路基板とのバインディング接続を容易にして制御回路との電気的接続を可能にするために、該近接通信アンテナは、第１コイル部７０ａの第２端と第２コイル部７０ｂの第１端にそれぞれ電気的に接続される第１引き出し電極７０３及び第２引き出し電極７０４をさらに含む。ここで、第１引き出し電極７０３及び第２引き出し電極７０４はいずれも、基板から離れる方向に沿って順次に配置され且つ電気的に接続される第１サブ引き出し部７０３１及び第２サブ引き出し部７０３２を含んでもよい。いくつかの例において、第１サブ引き出し部７０３１は第１導電構造７００と同じ層に配置され、第２サブ引き出し部７０３２は第２導電構造と同じ層に配置され、このとき、第１引き出し電極７０３（第２引き出し電極７０４）の第１サブ引き出し部７０３１と第２サブ引き出し部７０３２とは、層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される。この場合、第１引き出し電極７０３の第２引き出し部は、１つの第１サブ構造７１の第２導電線７０２に電気的に接続され、第２引き出し電極７０４の第２引き出し部は、もう１つの第１サブ構造７１の第２導電線７０２に電気的に接続される。本開示の実施例において、電気的に接続される第１サブ引き出し部７０３１及び第２サブ引き出し部７０３２を第１引き出し電極７０３（第２引き出し電極７０４）とすることにより、電気抵抗を低減することができる。

なお、図１８を例に採ると、第１領域Ｑ１１は第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に位置し、第２パッド領域Ｑ２２には第１接続パッドＡ及び第２接続パッドＢが配置されており、このとき、第１引き出し電極７０３の第２サブ引き出し部７０３２は、第１引き出し線を通じて第１接続パッドＡに電気的に接続されてもよく、第２引き出し電極７０４の第２サブ引き出し部７０３２は、第２引き出し線を通じて第２接続パッドＢに電気的に接続されてもよい。次に、フレキシブル回路基板と第１接続パッドＡ及び第２接続パッドＢとをバインディング接続することにより、近接通信アンテナのコイル部７０と制御回路とを接続することができる。ここで、第１引き出し線及び第２引き出し線は、第２導電構造８００と同じ層に配置され、且つ同じ材料を用いてもよく、これにより、第１引き出し線と第１引き出し電極７０３の第２サブ引き出し部７０３２との電気的接続、及び第２引き出し線と第２引き出し電極７０４の第２サブ引き出し部７０３２との電気的接続を容易にすることができる。同様に、第１領域Ｑ１１も第２領域Ｑ１２の第１パッド領域Ｑ２１に近い側に位置してもよく、即ち、近接通信アンテナは、表示領域Ｑ１の第１パッド領域Ｑ２１に近い側に配置される。もちろん、第２領域Ｑ１２の第１パッド領域Ｑ２１に近い側と、第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側の両方に第１領域Ｑ１１が配置されてもよく、このとき、表示領域Ｑ１には近接通信アンテナが２つ配置される。近接通信アンテナが１つであっても２つであっても、またそれ以上であっても、近接通信アンテナのコイル部７０の第１端及び第２端はいずれも上述の構造を用いることができる。

さらに、近接通信アンテナにおける接続ジャンパ線１３０は、周辺領域Ｑ２に配置されてもよく、第１導電構造７００と同じ層に配置され、且つ同じ材料を用いてもよく、この場合、第１コイル部７０ａの第１端の位置にある第２導電線７０２は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して接続ジャンパ線１３０に電気的に接続されてもよく、第２コイル部７０ｂの第２端の位置にある第２導電線７０２は、層間絶縁層５０を貫通するビアホールを介して接続ジャンパ線１３０に電気的に接続されてもよい。いくつかの例において、接続ジャンパ線１３０は、第１導電構造７００の一部の構造であってもよい。このとき、接続ジャンパ線１３０は第１方向Ｘに沿って延在する。もちろん、本開示の実施例において、接続ジャンパ線１３０は周辺領域Ｑ２に配置されてもよい。

いくつかの例において、表示基板はフレキシブル回路基板をさらに備えてもよく、近接通信アンテナにおけるコイル部７０が複数である場合、近接通信アンテナの接続ジャンパ線１３０はフレキシブル回路基板に形成されてもよい。ここで、近接通信アンテナにおけるコイル部７０は上記同様の構造を用いることができ、この場合、図２１に示すように、第１コイル部７０ａの第２端は第１引き出し電極７０３に接続され、第１引き出し電極７０３の第２サブ引き出し部７０３２は第１引き出し線を通じて第１接続パッドＡに電気的に接続されてもよく、第２コイル部７０ｂの第１端は第２引き出し電極７０４に接続され、第２引き出し電極７０４の第２サブ引き出し部７０３２は第２引き出し線を通じて第２接続パッドＢに電気的に接続されてもよく、接続ジャンパ線１３０は、フレキシブル回路基板上の接続パッドを介して、表示基板上の第１接続パッドＡ及び第２接続パッドＢにバインディング接続され、これにより、近接通信アンテナのスパイラルコイルを構成する。

本開示の実施例に係る表示基板の構造をより明確にするために、３種類の表示基板の構造例を挙げて説明するが、下記の３つの例は本開示の実施例の保護範囲を制限するものではないことを理解されたい。

実施例１：図３に示すように、表示基板における表示領域Ｑ１は、１つの第１領域Ｑ１１と１つの第２領域Ｑ１２とを含み、第１領域Ｑ１１は、第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に位置する。第１領域Ｑ１１内には、１つのコイル部７０を有する近接通信アンテナが１つ配置される。第１領域Ｑ１１は、非機能領域Ｑ１１２と、非機能領域Ｑ１１２を取り囲む機能領域Ｑ１１１とを含み、コイル部７０は、機能領域Ｑ１１１内に配置される。コイル部７０の具体的な構造は前述のとおりであるので、ここでは説明を省略する。非機能領域Ｑ１１２内には、上述の交差して配置される第５導電線８０及び第６導電線９０が配置され、第２領域Ｑ１２内には、上述の交差して配置される第３導電線１１０及び第４導電線１２０が配置される。第３導電線１１０、第４導電線１２０、第５導電線８０及び第６導電線９０については、上述の内容で既に詳しく説明したので、ここでは説明を省略する。

実施例２：図１８に示すように、表示基板における表示領域Ｑ１は、１つの第１領域Ｑ１１と１つの第２領域Ｑ１２とを含み、第１領域Ｑ１１は、第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に位置する。第１領域Ｑ１１内には、２つのコイル部７０を有する近接通信アンテナが１つ配置される。２つのコイル部７０をそれぞれ第１コイル部７０ａ、第２コイル部７０ｂと呼ぶ。第１領域Ｑ１１は、非機能領域Ｑ１１２と、非機能領域Ｑ１１２を取り囲む機能領域Ｑ１１１とを含み、機能領域Ｑ１１１は、２つの第１サブ機能領域Ｑ１１１ａと、２つの第１サブ機能領域Ｑ１１１ａの間に位置する冗長機能領域Ｑ１１１ｂとを含み、第１コイル部７０ａと第２コイル部７０ｂはそれぞれ２つの第１サブ機能領域Ｑ１１１ａ内に配置される。第１コイル部７０ａと第２コイル部７０ｂの具体的な構造は前述のとおりであるので、ここでは説明を省略する。冗長機能領域Ｑ１１１ｂ内には、上述の第７導電線１５０及び第８導電線１６０が配置され、非機能領域Ｑ１１２内には、上述の交差して配置される第５導電線８０及び第６導電線９０が配置され、第２領域Ｑ１２内には、上述の交差して配置される第３導電線１１０及び第４導電線１２０が配置される。第３導電線１１０、第４導電線１２０、第５導電線８０、第６導電線９０、第７導電線１５０及び第８導電線１６０については、上述の内容で既に詳しく説明したので、ここでは説明を省略する。

実施例３：図２２は、本開示の実施例に係る別の表示基板の模式図である。図２２に示すように、表示基板における表示領域Ｑ１は、２つの第１領域Ｑ１１と１つの第２領域Ｑ１２とを含み、２つの第１領域Ｑ１１のうちの一方は、第２領域Ｑ１２の第１パッド領域Ｑ２１に近い側に位置し、他方は、第２領域Ｑ１２の第２パッド領域Ｑ２２に近い側に位置する。ここで、１つの第１領域Ｑ１１内に配置される構造は、図３における構造と同じであり、即ち、２つのコイル部７０を有する近接通信アンテナが配置され、ここでは説明を省略する。他方の第１領域Ｑ１１内に配置される構造は、図１８における構造と同じであり、即ち、１つのコイル部７０を有する近接通信アンテナが配置され、ここでは説明を省略する。第２領域Ｑ１２内には、上述の交差して配置される第３導電線１１０及び第４導電線１２０が配置される。第３導電線１１０及び第４導電線１２０については、上述の内容で既に詳しく説明したので、ここでは説明を省略する。

第２態様において、本開示の実施例は、上述の表示基板と、対向セル基板とを備える表示装置をさらに提供する。対向セル基板にはブラックマトリクスが配置されており、ゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、第１導電構造７００及び第２導電構造８００のベース基板１０での正投影はいずれも、ブラックマトリクスのベース基板での正投影の範囲内にある。もちろん、該表示装置は、近接通信アンテナに接続される制御回路をさらに備える。

該表示装置は、液晶表示パネル、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレットコンピュータ、デジタルフォトフレーム、ナビゲーションなどの表示機能及び通信機能を有する製品又はデバイスであってもよい。

なお、以上の実施形態は本開示の原理を説明するために用いた例示的なものに過ぎず、本発明はこれに限定されない。当業者にとって、本開示の精神と実質的な状況を逸脱しない範囲で種々の変形と改良が可能であり、それらの変形と改良も本発明の保護範囲と見なされる。

０１ サブ画素
Ｑ１ 表示領域
Ｑ１１ 第１領域
Ｑ１１１ 機能領域
Ｑ１１２ 非機能領域
Ｑ１２ 第２領域
Ｑ２ 周辺領域
Ｑ２１ 第１パッド領域
Ｑ２２ 第２パッド領域
１０ ベース基板
２０ 薄膜トランジスタ
３０ 画素電極
４０ 共通電極
５０ 層間絶縁層
６０ パッシベーション層
７０ コイル部
７０ａ 第１コイル部
７０ｂ 第２コイル部
７１ 第１サブ構造
８０ 第５導電線
９０ 第６導電線
１００ 画素ユニット
１１０ 第３導電線
１２０ 第４導電線
１３０ 接続ジャンパ線
１５０ 第７導電線
１６０ 第８導電線
４００ 共通電極線
４０１ 第１開口
４０２ 第２開口
７００ 第１導電構造
７０１ 第１導電線
７０２ 第２導電線
７０３ 第１引き出し電極
７０３１ 第１サブ引き出し部
７０３２ 第２サブ引き出し部
７０４ 第２引き出し電極
７１０ 第１本体部
７２０ 第１接続部
８００ 第２導電構造
８０１ 第１サブ導電線
８１０ 第２本体部
８２０ 第２接続部
１４０１ 第１サブ冗長構造
１４０２ 第２サブ冗長構造
１５０１ 第２サブ導電線
１６０１ 第３サブ導電線

Claims (33)

1. 表示領域及び前記表示領域を取り囲む周辺領域を有する表示基板であって、
   ベース基板と、
   前記ベース基板に配置され、且つ前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、第１方向に沿って延在し、且つ第２方向に沿って並んで配置される複数の第１導電構造と、
   前記第１導電構造の前記ベース基板から離れる側に配置される層間絶縁層と、
   前記層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に配置され、且つ前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、前記第２方向に沿って延在し、且つ前記第１方向に沿って並んで配置され、前記第１導電構造と交差して配置され、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第１導電構造と電気的に接続される複数の第２導電構造と、
   前記ベース基板に配置され、且つ少なくとも前記表示領域に位置する少なくとも１つの第３導電構造と、を備え、
   前記第３導電構造は、複数本の第１導電線及び複数本の第２導電線を含み、前記第１導電線は、前記第１導電構造の少なくとも一部の構造であり、前記第１導電構造の一部は、２本の前記第１導電線を含み、前記第２導電線は、前記第２導電構造の少なくとも一部の構造であり、
   前記表示領域は、少なくとも１つの第１領域と、少なくとも１つの第２領域とを含み、１つの前記第３導電構造は１つの前記第１領域に位置し、
   前記表示基板は、前記ベース基板に配置され、且つ前記第２領域及び前記周辺領域に位置する複数本の第３導電線及び複数本の第４導電線をさらに備え、前記複数本の第３導電線及び複数本の第４導電線は交差して配置され、且つ１本の第３導電線は、１つの前記第１導電構造の少なくとも一部の構造であり、１本の第４導電線は、１つの前記第２導電構造の一部の構造に位置し、１つの前記第２導電構造における前記第４導電線と前記第２導電線との間の距離は２μｍ～６μｍであり、
   前記ベース基板に配置され、且つ周辺領域に位置する共通電極線をさらに備え、
   前記共通電極線は、前記第１方向に沿って延在する第１サブ共通電極線と、前記第２方向に沿って延在する第２サブ共通電極線とを含み、前記第１サブ共通電極線は、前記第１導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第２サブ共通電極線は、前記第２導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第１サブ共通電極線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、
   前記第３導電線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、及び／又は、
   前記第４導電線と前記第１サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される
   表示基板。
2. 前記ベース基板に配置され、前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、前記第１方向に沿って延在し、且つ前記第２方向に沿って並んで配置される複数本のゲート線と、
   前記ベース基板に配置され、且つ前記表示領域及び前記周辺領域に位置し、前記第２方向に沿って延在し、且つ前記第１方向に沿って並んで配置される複数本のデータ線と、
   ベース基板に配置され、且つ前記表示領域に位置する複数のサブ画素と、をさらに備え、
   前記ゲート線と前記データ線の交差配置により限定された領域内に前記サブ画素を設け、前記第１方向に沿って並んで配置される前記サブ画素は第１画素グループを形成し、第２方向に沿って並んで配置される前記サブ画素は第２画素グループを形成し、任意の隣接して配置される前記第１画素グループの間には、前記第１導電構造が１つ配置されている
   請求項１に記載の表示基板。
3. 隣接して配置される２つの前記第２画素グループの間の少なくとも一部には、前記第２導電構造が１つ配置されている
   請求項２に記載の表示基板。
4. 同一の前記第２画素グループに位置する各前記サブ画素の色は同一であり、前記第１方向に沿って並んで配置されるＮ個のサブ画素ごとに１つの画素ユニットを構成し、Ｎ≧２であり、前記Ｎは整数であり、前記第２方向に沿って並んで配置される前記画素ユニットは１つの画素ユニットグループを形成し、各前記画素ユニットグループには前記第２導電構造が少なくとも１つ配置されている
   請求項３に記載の表示基板。
5. 前記画素ユニットにおける前記Ｎ個のサブ画素は、赤色サブ画素、緑色サブ画素及び青色サブ画素を含み、前記第２導電構造は、前記赤色サブ画素と前記緑色サブ画素との間に配置されている
   請求項４に記載の表示基板。
6. 前記第３導電構造は、少なくとも１つのコイル部を含み、前記コイル部は、延在方向が異なる少なくとも２つのサブ構造を含み、各前記サブ構造はいずれも前記第１導電線と前記第２導電線とを含む
   請求項２～５のいずれか１項に記載の表示基板。
7. 前記コイル部は、２つの第１サブ構造及び１つの第２サブ構造の３つのサブ構造を含み、２つの前記第１サブ構造はいずれも第２方向に沿って延在し、且つ第１方向に沿って並んで配置され、前記第２サブ構造は、２つの前記第１サブ構造の間に接続される
   請求項６に記載の表示基板。
8. 前記表示領域は、少なくとも１つの第１領域と、少なくとも１つの第２領域とを含み、前記第３導電構造は、前記第１領域に位置し、前記第１領域は、非機能領域と、前記非機能領域を取り囲む機能領域とを含み、前記コイル部は、前記機能領域に配置され、
   前記表示基板は、前記非機能領域に位置し、交差して配置される複数本の第５導電線及び複数本の第６導電線をさらに備え、前記第１導電構造は前記第５導電線を含み、前記第２導電構造は前記第６導電線を含み、同一の前記第１導電構造における前記第５導電線と前記第１導電線との間の距離は２μｍ～６μｍであり、及び／又は、
   同一の前記第２導電構造における前記第６導電線と前記第２導電線との間の距離は２μｍ～６μｍである
   請求項７に記載の表示基板。
9. 前記第５導電線は、前記第１方向に沿って並んで且つ間隔をあけて配置される複数の第１サブ導電線を含み、隣接して配置される前記第１サブ導電線の間の隙間は、隣接して配置される前記サブ画素の間に位置する
   請求項８に記載の表示基板。
10. 隣接して配置される前記第１サブ導電線の間の隙間は、幅が２μｍ～６μｍである
    請求項９に記載の表示基板。
11. 前記第６導電線と前記第１サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される
    請求項９に記載の表示基板。
12. 前記表示領域は、少なくとも１つの第１領域と、少なくとも１つの第２領域とを含み、前記第３導電構造は前記第１領域に位置し、前記第１領域は、非機能領域と、前記非機能領域を取り囲む機能領域とを含み、前記機能領域は、ネスト状に配置されるサブ機能領域と、隣接して配置される前記サブ機能領域の間に位置する冗長機能領域とを含み、１つの前記サブ機能領域には１つの前記コイル部が配置され、
    前記表示基板は、前記ベース基板に配置される冗長コイル部をさらに備え、１つの前記冗長機能領域には１つの前記冗長コイル部が配置され、
    前記冗長コイル部は、前記冗長機能領域に位置し、交差して配置される複数本の第７導電線及び複数本の第８導電線を含み、１本の前記第７導電線は１つの前記第１導電構造の一部の構造であり、１本の前記第８導電線は１つの前記第２導電構造の一部の構造である
    請求項７に記載の表示基板。
13. 同一の前記第１導電構造における第１導電線と、それに最も近接する前記第７導電線との間の距離は２μｍ～６μｍであり、及び／又は、
    同一の前記第２導電構造における前記第８導電線と、それに最も近接する前記第２導電線との距離は２μｍ～６μｍである
    請求項１２に記載の表示基板。
14. 前記冗長コイル部は、第１方向に沿って並んで配置され、且つ第２方向に沿って延在する２つの第１サブ冗長構造と、前記第１方向に沿って延在し、且つ２つの前記第１サブ冗長構造の間に接続される第２サブ冗長構造とを含み、前記第１サブ冗長構造と前記第２サブ冗長構造はいずれも前記第７導電線及び前記第８導電線を含み、前記第１サブ冗長構造における前記第８導電線は、前記第２サブ冗長構造が位置する領域まで延在し、前記第２サブ冗長構造における前記第７導電線は、前記第１サブ冗長構造が位置する領域まで延在し、
    前記第１サブ冗長構造における第７導電線は、前記第１方向に沿って並んで配置される複数本の第２サブ導電線を含み、隣接して配置される前記第２サブ導電線の間の隙間は、隣接して配置される前記サブ画素の間に位置し、及び／又は、
    前記第２サブ冗長構造における第８導電線は、前記第２方向に沿って並んで配置される複数本の第３サブ導電線を含み、隣接して配置される前記第３サブ導電線の間の隙間は、隣接して配置される前記サブ画素の間に位置する
    請求項１２に記載の表示基板。
15. 隣接して配置される前記第２サブ導電線の間の隙間は、幅が２μｍ～６μｍであり、及び／又は、
    隣接して配置される前記第３サブ導電線の間の隙間は、幅が２μｍ～６μｍである
    請求項１４に記載の表示基板。
16. 前記第１サブ冗長構造における第８導電線と前記第１サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続され、及び／又は、
    前記第２サブ冗長構造における第７導電線と前記第２サブ共通電極線は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される
    請求項１４に記載の表示基板。
17. 前記ベース基板に配置され、前記コイル部に接続されてスパイラルコイルを構成する接続ジャンパ線をさらに備える
    請求項１２に記載の表示基板。
18. 前記コイル部に接続されてスパイラルコイルを構成する接続ジャンパ線が配置されているフレキシブル回路基板をさらに備える
    請求項１２に記載の表示基板。
19. 前記コイル部の数は２つであり、２つの前記コイル部はそれぞれ第１コイル部と第２コイル部であり、前記第１コイル部は第２コイル部を取り囲んでおり、前記第１コイル部と前記第２コイル部はいずれも第１端及び第２端を含み、前記接続ジャンパ線の両端は、前記第１コイル部の第１端と前記第２コイル部の第２端にそれぞれ接続される
    請求項１７又は１８に記載の表示基板。
20. 前記第１コイル部の第２端は第１引き出し電極に接続され、前記第２コイル部の第１端は第２引き出し電極に接続され、前記第１引き出し電極及び／又は前記第２引き出し電極は、前記ベース基板に配置され、且つ層間絶縁層を貫通するビアホールを介して電気的に接続される第１サブ引き出し部と第２サブ引き出し部を含み、前記第１サブ引き出し部は、前記第１導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記第２サブ引き出し部は、前記第２導電構造と同じ層に配置され、且つ材料が同一である
    請求項１９に記載の表示基板。
21. ベース基板に配置され、第１導電構造及び前記ゲート線を含む第１導電層と、
    層間絶縁層の前記ベース基板から離れる側に配置され、前記第２導電構造及び前記データ線を含む第２導電層と、をさらに備える
    請求項２～２０のいずれか１項に記載の表示基板。
22. 前記第１導電構造は第１本体部と第１接続部とを含み、前記第１本体部は前記第１方向に沿って延在し、前記第１接続部は前記第１本体部に接続され、前記第２導電構造は第２本体部と第２接続部とを含み、前記第２本体部は前記第２方向に沿って延在し、前記第２接続部は前記第２本体部に接続され、前記第１導電構造の第１接続部は、前記層間絶縁層を貫通するビアホールを介して、それと交差して配置される前記第２導電構造の第２接続部に接続される
    請求項２～２０のいずれか１項に記載の表示基板。
23. 前記第１接続部は、接続される前記第１本体部の、該第１本体部に最も近い前記ゲート線の側に位置し、前記第２接続部は、接続される前記第２本体部の、該第２本体部に最も近い前記データ線から離れる側に位置し、
    前記第１接続部と前記第２接続部はいずれも、前記第１方向において対向する第１側辺及び第２側辺と、前記第２方向において対向する第３側辺及び第４側辺とを含み、
    前記第１接続部の第３側辺は前記第１本体部に接続され、前記第２接続部の第２側辺は前記第２本体部に接続され、
    前記第１接続部の第１側辺及び第３側辺の前記ベース基板での正投影から、前記ビアホールの前記ベース基板での正投影までの距離はいずれも２．０μｍ以上であり、及び／又は、
    前記第２接続部の第１側辺、第３側辺及び第４側辺の前記ベース基板での正投影から、前記ビアホールの前記ベース基板での正投影までの距離はいずれも２．０μｍ以上である
    請求項２２に記載の表示基板。
24. 前記第１接続部と、それに最も近接する前記ゲート線との間の距離は４μｍ以上である
    請求項２２に記載の表示基板。
25. 前記第２本体部と、それに最も近接する前記データ線との間の距離は３．５μｍ以上である
    請求項２２に記載の表示基板。
26. 前記サブ画素は、少なくとも薄膜トランジスタ、画素電極、共通電極を含み、前記薄膜トランジスタのゲートは前記ゲート線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記薄膜トランジスタのソース及びドレインは前記データ線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、前記共通電極は、前記画素電極の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記共通電極が位置する層と前記画素電極が位置する層との間にはパッシベーション層が配置されており、
    前記第２接続部と、それに最も近接する前記画素電極との間の距離は２．０μｍ以上である
    請求項２２に記載の表示基板。
27. 前記サブ画素は、少なくとも薄膜トランジスタ、画素電極、共通電極を含み、前記薄膜トランジスタのゲートは前記ゲート線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記薄膜トランジスタのソース及びドレインは前記データ線と同じ層に配置され、且つ材料が同一であり、前記画素電極は、前記薄膜トランジスタのドレインに接続され、前記共通電極は、前記画素電極の前記ベース基板から離れる側に位置し、前記共通電極が位置する層と前記画素電極が位置する層との間にはパッシベーション層が配置されており、
    各前記サブ画素における前記共通電極は一体構造に接続されて共通電極層を形成し、
    前記共通電極層は、前記第２方向に沿って延在し、且つ前記第１方向に沿って並んで配置される複数の第１開口を含み、１つの前記第１開口の前記ベース基板での正投影と、１つの前記第２導電構造の前記ベース基板での正投影は部分的に重なる
    請求項２～２０のいずれか１項に記載の表示基板。
28. 前記共通電極はスリット電極であり、前記第１導電構造と、前記共通電極の前記ベース基板での正投影は少なくとも部分的に重なる
    請求項２７に記載の表示基板。
29. 前記共通電極層は、前記第１方向に沿って延在し、且つ前記第２方向に沿って並んで配置される複数の第２開口をさらに含み、１つの前記第２開口の前記ベース基板での正投影と、前記第１方向に沿って並んで配置される複数の前記薄膜トランジスタの前記ベース基板での正投影は少なくとも部分的に重なる
    請求項２７に記載の表示基板。
30. 前記周辺領域は、前記第２方向における前記表示領域の２つの反対側に位置する第１パッド領域及び第２パッド領域を含み、前記表示領域の前記第１パッド領域に近い側及び前記第２パッド領域に近い側の少なくとも一方に前記第３導電構造が配置されている
    請求項１～２９のいずれか１項に記載の表示基板。
31. 前記第３導電構造は近接通信アンテナを含む、請求項１～３０のいずれか１項に記載の表示基板。
32. 請求項１～３１のいずれか１項に記載の表示基板を備える、表示装置。
33. ブラックマトリクスが配置されている対向セル基板をさらに備え、
    前記第３導電構造の前記ベース基板での正投影は、前記ブラックマトリクスの前記ベース基板での正投影の範囲内にある
    請求項３２に記載の表示装置。