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JP7824094B2 - magnetic sensor - Google Patents
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JP7824094B2 - magnetic sensor - Google Patents

magnetic sensor

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JP7824094B2 JP2022026379A JP2022026379A JP7824094B2 JP 7824094 B2 JP7824094 B2 JP 7824094B2 JP 2022026379 A JP2022026379 A JP 2022026379A JP 2022026379 A JP2022026379 A JP 2022026379A JP 7824094 B2 JP7824094 B2 JP 7824094B2
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Description

本発明は磁気センサに関し、特に、検出対象磁界の磁路となる磁性体層を有するセンサチップと、検出対象磁界をセンサチップに集める外部磁性体を備えた磁気センサに関する。 The present invention relates to a magnetic sensor, and in particular to a magnetic sensor that includes a sensor chip having a magnetic layer that forms a magnetic path for the magnetic field to be detected, and an external magnetic body that collects the magnetic field to be detected in the sensor chip.

特許文献1には、外部磁性体を用いてセンサチップに磁束を集めることにより検出感度を高めた磁気センサが開示されている。外部磁性体によって集められた磁束は、センサチップ上に設けられた磁性体層によって左右に振り分けられる。 Patent Document 1 discloses a magnetic sensor that improves detection sensitivity by using an external magnetic body to collect magnetic flux on the sensor chip. The magnetic flux collected by the external magnetic body is split to the left and right by a magnetic layer provided on the sensor chip.

国際公開第2018/216651号International Publication No. 2018/216651

しかしながら、磁性体層の左右方向における中心近傍においては、外部磁性体によって集められた磁束の向きが定まらず、これによって不規則な磁壁が生じることがあった。 However, near the center of the magnetic layer in the left-right direction, the direction of the magnetic flux collected by the external magnetic material is not fixed, which can result in irregular domain walls.

したがって、本発明は、検出対象磁界の磁路となる磁性体層を有するセンサチップと、検出対象磁界をセンサチップに集める外部磁性体を備えた磁気センサにおいて、磁性体層に生じる不規則な磁壁を低減することを目的とする。 Therefore, the present invention aims to reduce irregular domain walls that occur in a magnetic layer in a magnetic sensor that includes a sensor chip having a magnetic layer that serves as a magnetic path for the magnetic field to be detected, and an external magnetic body that collects the magnetic field to be detected in the sensor chip.

本発明による磁気センサは、第1の磁性体層と、第1の磁性体層から見て第1の方向における一方側に位置し、第1の磁気ギャップを介して第1の磁性体層と隣接する第2の磁性体層と、第1の磁性体層から見て第1の方向における他方側に位置し、第2の磁気ギャップを介して第1の磁性体層と隣接する第3の磁性体層と、第1の磁気ギャップによって形成される磁路上に位置する第1の感磁素子と、第2の磁気ギャップによって形成される磁路上に位置する第2の感磁素子とを有するセンサチップと、平面視で第1の磁性体層と重なる外部磁性体とを備え、第1の磁性体層は、第1の方向と直交する第2の方向に延在し平面視で外部磁性体と重なるスリットを有し、スリットの第1の方向における幅は、第1及び第2の磁気ギャップの第1の方向における幅よりも大きいことを特徴とする。 The magnetic sensor according to the present invention comprises a sensor chip having a first magnetic layer, a second magnetic layer located on one side of the first magnetic layer in a first direction and adjacent to the first magnetic layer via a first magnetic gap, a third magnetic layer located on the other side of the first magnetic layer in the first direction and adjacent to the first magnetic layer via a second magnetic gap, a first magnetic sensing element located on the magnetic path formed by the first magnetic gap, and a second magnetic sensing element located on the magnetic path formed by the second magnetic gap, and an external magnetic body overlapping the first magnetic layer in a planar view, wherein the first magnetic layer has a slit extending in a second direction perpendicular to the first direction and overlapping the external magnetic body in a planar view, and the width of the slit in the first direction is greater than the widths of the first and second magnetic gaps in the first direction.

本発明によれば、外部磁性体と重なる位置において、第1の磁性体層に十分な幅を持ったスリットが設けられていることから、不規則な磁壁の発生を抑えることが可能となる。 According to the present invention, a slit of sufficient width is provided in the first magnetic layer at the position where it overlaps with the external magnetic material, making it possible to suppress the occurrence of irregular domain walls.

本発明において、外部磁性体の第1の方向における中心は、平面視でスリットと重なっていても構わない。これによれば、不規則な磁壁の発生をより効果的に抑えることが可能となる。 In the present invention, the center of the external magnetic body in the first direction may overlap the slit in a planar view. This makes it possible to more effectively suppress the occurrence of irregular domain walls.

本発明において、第1の磁性体層は、スリットから見て第1の方向における一方側に位置する第1の領域と、スリットから見て第1の方向における他方側に位置する第2の領域とを有し、第1の領域の一部と第2の領域の一部は、スリットによって分断されることなく接続されていても構わない。これによれば、不規則な磁壁の発生を抑えつつ、磁気抵抗を低減することが可能となる。 In the present invention, the first magnetic layer has a first region located on one side of the slit in the first direction, and a second region located on the other side of the slit in the first direction, and a portion of the first region and a portion of the second region may be connected without being separated by the slit. This makes it possible to reduce magnetic resistance while suppressing the occurrence of irregular domain walls.

本発明において、スリットの第1の方向における幅は、第2の方向における位置によって異なっていても構わない。これによれば、不規則な磁壁の発生をより効果的に抑えることが可能となる。 In the present invention, the width of the slit in the first direction may vary depending on its position in the second direction. This makes it possible to more effectively suppress the occurrence of irregular domain walls.

このように、本発明によれば、検出対象磁界の磁路となる磁性体層を有するセンサチップと、検出対象磁界をセンサチップに集める外部磁性体を備えた磁気センサにおいて、磁性体層に生じる不規則な磁壁を低減することが可能となる。 In this way, according to the present invention, in a magnetic sensor that includes a sensor chip having a magnetic layer that serves as a magnetic path for the magnetic field to be detected, and an external magnetic body that collects the magnetic field to be detected at the sensor chip, it is possible to reduce irregular domain walls that occur in the magnetic layer.

図1は、本発明の一実施形態による磁気センサ1の外観を示す略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing the appearance of a magnetic sensor 1 according to an embodiment of the present invention. 図2は、磁気センサ1の略分解斜視図である。FIG. 2 is a schematic exploded perspective view of the magnetic sensor 1. As shown in FIG. 図3は、センサチップ20の構造を説明するための略斜視図である。FIG. 3 is a schematic perspective view for explaining the structure of the sensor chip 20. As shown in FIG. 図4は、センサチップ20から磁性体層M1~M3を取り除いた状態を示す略斜視図である。FIG. 4 is a schematic perspective view showing the sensor chip 20 with the magnetic layers M1 to M3 removed. 図5は、スリットSLと外部磁性体30の位置関係を説明するための模式的な断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the positional relationship between the slit SL and the external magnetic body 30. As shown in FIG. 図6は、第1の変形例による磁性体層M1の形状を示す模式的な平面図である。FIG. 6 is a schematic plan view showing the shape of the magnetic layer M1 according to the first modification. 図7は、第2の変形例による磁性体層M1の形状を示す模式的な平面図である。FIG. 7 is a schematic plan view showing the shape of the magnetic layer M1 according to the second modification. 図8は、第3の変形例による磁性体層M1の形状を示す模式的な平面図である。FIG. 8 is a schematic plan view showing the shape of the magnetic layer M1 according to the third modification.

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。 A preferred embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、本発明の一実施形態による磁気センサ1の外観を示す略斜視図である。また、図2は、磁気センサ1の略分解斜視図である。 Figure 1 is a simplified perspective view showing the exterior of a magnetic sensor 1 according to one embodiment of the present invention. Figure 2 is a simplified exploded perspective view of the magnetic sensor 1.

図1及び図2に示すように、本実施形態による磁気センサ1は、基板10と、基板10のXZ面を構成する表面11に搭載されたセンサチップ20及び外部磁性体30,40を備えている。センサチップ20は、XY面を構成する素子形成面21及び裏面22と、YZ面を構成する側面23,24と、XZ面を構成する上面25及び実装面26とを有しており、実装面26が基板10の表面11と向かい合うよう、基板10に搭載されている。センサチップ20の素子形成面21上には、後述する感磁素子及び磁性体層M1~M3が形成されている。このように、本実施形態においては、基板10の表面11とセンサチップ20の素子形成面21が垂直である。但し、本発明おいて両者が完全に垂直であることは必須でなく、垂直に対して所定の傾きを有していても構わない。 As shown in Figures 1 and 2, the magnetic sensor 1 according to this embodiment includes a substrate 10, a sensor chip 20 mounted on the surface 11 of the substrate 10, which constitutes the XZ plane, and external magnetic bodies 30 and 40. The sensor chip 20 has an element formation surface 21 and a back surface 22 that constitute the XY plane, side surfaces 23 and 24 that constitute the YZ plane, and a top surface 25 and a mounting surface 26 that constitute the XZ plane. The sensor chip 20 is mounted on the substrate 10 so that the mounting surface 26 faces the surface 11 of the substrate 10. A magnetic sensing element and magnetic layers M1 to M3, described below, are formed on the element formation surface 21 of the sensor chip 20. As such, in this embodiment, the surface 11 of the substrate 10 and the element formation surface 21 of the sensor chip 20 are perpendicular. However, it is not essential for the two to be perfectly perpendicular in the present invention; they may have a predetermined inclination relative to the perpendicular.

外部磁性体30,40は、センサチップ20に磁束を集める役割を果たし、いずれもフェライトなどの高透磁率材料によって構成される。このうち、外部磁性体30はZ方向を長手方向とする棒状体であり、Z方向の一端に位置する端面31が磁性体層M1の一部を覆うよう、素子形成面21のX方向における略中央部に位置決めされている。外部磁性体40は、センサチップ20から見て外部磁性体30とは反対側に位置する。外部磁性体40は、Z方向を長手方向し、センサチップ20の裏面22を覆う棒状部41と、それぞれセンサチップ20の側面23,24を覆うよう棒状部41から素子形成面21側に突出するとともに、磁性体層M2,M3の一部を覆うよう折れ曲がったオーバーハング部42,43を有している。かかる構成により、Z方向の磁界が選択的に集磁され、集磁された磁界がセンサチップ20に印加されることになる。 The external magnetic bodies 30 and 40 serve to collect magnetic flux toward the sensor chip 20 and are both made of a highly magnetically permeable material such as ferrite. The external magnetic body 30 is a rod-shaped body with its longitudinal direction in the Z direction. It is positioned approximately in the center of the element forming surface 21 in the X direction so that its end face 31, located at one end in the Z direction, covers a portion of the magnetic layer M1. The external magnetic body 40 is located on the opposite side of the sensor chip 20 from the external magnetic body 30. The external magnetic body 40 has its longitudinal direction in the Z direction and includes a rod-shaped portion 41 that covers the back surface 22 of the sensor chip 20, and overhanging portions 42 and 43 that protrude from the rod-shaped portion 41 toward the element forming surface 21 to cover the side surfaces 23 and 24 of the sensor chip 20, respectively, and are bent to cover a portion of the magnetic layers M2 and M3. This configuration selectively collects magnetic fields in the Z direction, and the collected magnetic fields are applied to the sensor chip 20.

図3は、センサチップ20の構造を説明するための略斜視図である。図4は、センサチップ20から磁性体層M1~M3を取り除いた状態を示す略斜視図である。 Figure 3 is a schematic perspective view illustrating the structure of the sensor chip 20. Figure 4 is a schematic perspective view showing the sensor chip 20 with magnetic layers M1 to M3 removed.

図3及び図4に示すように、センサチップ20の素子形成面21上には、感磁素子R1~R4と、磁性体層M1~M3が設けられている。磁性体層M1は素子形成面21のX方向における中央に位置し、磁性体層M2は磁性体層M1の-X方向側に隣接して設けられ、磁性体層M3は磁性体層M1の+X方向側に隣接して設けられている。磁性体層M1のX方向における中央には、Y方向に延在しX方向を幅方向とするスリットSLが設けられている。スリットSLは磁性体層M1が存在しない領域であり、これにより磁性体層M1は、スリットSLから見て-X方向側に位置する第1の領域M11と、スリットSLから見て+X方向側に位置する第2の領域M12に分割される。磁性体層M1に設けられたスリットSLは1本である。また、磁性体層M1には、X方向に延在しY方向を幅方向とするスリットは設けられていない。 As shown in Figures 3 and 4, magnetic sensing elements R1 to R4 and magnetic layers M1 to M3 are provided on the element forming surface 21 of the sensor chip 20. Magnetic layer M1 is located at the center of the element forming surface 21 in the X direction, magnetic layer M2 is provided adjacent to the magnetic layer M1 on the -X direction side, and magnetic layer M3 is provided adjacent to the magnetic layer M1 on the +X direction side. A slit SL extending in the Y direction and with the X direction as its width direction is provided in the center of magnetic layer M1 in the X direction. The slit SL is a region where the magnetic layer M1 is not present, and this divides the magnetic layer M1 into a first region M11 located on the -X direction side from the slit SL and a second region M12 located on the +X direction side from the slit SL. There is only one slit SL provided in the magnetic layer M1. Furthermore, the magnetic layer M1 does not have any slits extending in the X direction and with the Y direction as its width direction.

磁性体層M1,M2は、Y方向に延在しX方向を幅方向とする磁気ギャップG1,G2を形成する。磁性体層M1,M3は、Y方向に延在しX方向を幅方向とする磁気ギャップG3,G4を形成する。そして、感磁素子R1~R4は、磁気ギャップG1~G4の近傍、つまり、磁気ギャップG1~G4によって形成される磁路上に配置されている。これにより、磁気ギャップG1~G4を通過する磁界が感磁素子R1~R4に印加される。感磁素子R1~R4は端子電極51,52間にブリッジ接続され、磁界に応じた差動信号が端子電極53,54に現れる。端子電極55,56は、センサチップ20の素子形成面21上に設けられた図示しない補償コイルに接続される。補償コイルは、感磁素子R1~R4に印加される磁界を打ち消すことによって、いわゆるクローズドループ制御を行うために用いられる。 Magnetic layers M1 and M2 form magnetic gaps G1 and G2 extending in the Y direction and with their widths in the X direction. Magnetic layers M1 and M3 form magnetic gaps G3 and G4 extending in the Y direction and with their widths in the X direction. Magnetic sensing elements R1 to R4 are positioned near magnetic gaps G1 to G4, i.e., on the magnetic path formed by magnetic gaps G1 to G4. As a result, the magnetic field passing through magnetic gaps G1 to G4 is applied to magnetic sensing elements R1 to R4. Magnetic sensing elements R1 to R4 are bridge-connected between terminal electrodes 51 and 52, and differential signals corresponding to the magnetic field appear at terminal electrodes 53 and 54. Terminal electrodes 55 and 56 are connected to a compensation coil (not shown) located on element formation surface 21 of sensor chip 20. The compensation coil is used to perform so-called closed-loop control by canceling out the magnetic field applied to magnetic sensing elements R1 to R4.

図5は、スリットSLと外部磁性体30の位置関係を説明するための模式的な断面図である。 Figure 5 is a schematic cross-sectional view illustrating the positional relationship between the slit SL and the external magnetic body 30.

図5に示すように、外部磁性体30は、Z方向から見てX方向における中心LがスリットSLと重なるよう、磁性体層M1上に配置される。その結果、外部磁性体30によって集磁された磁束は、一部が磁性体層M1の第1の領域M11に流れ、別の一部が磁性体層M1の第2の領域M12に流れる。磁性体層M1の第1の領域M11に流れた磁束は、磁気ギャップG1を介して磁性体層M2に流れ、これにより磁気ギャップG1を通過する磁界が感磁素子R1に印加される。一方、磁性体層M1の第2の領域M12に流れた磁束は、磁気ギャップG3を介して磁性体層M3に流れ、これにより磁気ギャップG3を通過する磁界が感磁素子R3に印加される。 As shown in FIG. 5, the external magnetic body 30 is positioned on the magnetic layer M1 so that its center L in the X direction overlaps with the slit SL when viewed from the Z direction. As a result, part of the magnetic flux collected by the external magnetic body 30 flows to the first region M11 of the magnetic layer M1, and another part flows to the second region M12 of the magnetic layer M1. The magnetic flux that flows to the first region M11 of the magnetic layer M1 flows to the magnetic layer M2 through the magnetic gap G1, thereby applying the magnetic field passing through the magnetic gap G1 to the magnetic sensing element R1. Meanwhile, the magnetic flux that flows to the second region M12 of the magnetic layer M1 flows to the magnetic layer M3 through the magnetic gap G3, thereby applying the magnetic field passing through the magnetic gap G3 to the magnetic sensing element R3.

このように、本実施形態においては、外部磁性体30によって集磁されたZ方向の磁束を-X方向及び+X方向に分配する磁性体層M1にスリットSLが設けられていることから、磁性体層M1の第1の領域M11においては磁束が必ず-X方向に流れ、磁性体層M1の第2の領域M12においては磁束が必ず+X方向に流れる。つまり、磁束の向きが定まらないことによる不規則な磁壁が生じないことから、このような磁壁に起因する測定ノイズが低減される。 In this manner, in this embodiment, slits SL are provided in the magnetic layer M1, which distributes the magnetic flux in the Z direction collected by the external magnetic body 30 into the -X and +X directions. As a result, magnetic flux always flows in the -X direction in the first region M11 of the magnetic layer M1, and magnetic flux always flows in the +X direction in the second region M12 of the magnetic layer M1. In other words, irregular domain walls caused by indeterminate magnetic flux directions do not occur, and measurement noise caused by such domain walls is reduced.

ここで、スリットSLのX方向における幅Wは、アセンブリ精度を考慮して十分に確保することが好ましく、少なくとも磁気ギャップG1~G4のX方向における幅よりも広いことが好ましい。これによれば、アセンブリの誤差によってセンサチップ20と外部磁性体30のX方向における相対的な位置にズレが生じた場合であっても、不規則な磁壁の発生を抑えることができる。但し、スリットSLのX方向における幅Wが広すぎると磁気抵抗が増大することから、スリットSLのX方向における幅Wについては、外部磁性体30のX方向の幅の半分以下であることが好ましい。 Here, it is preferable that the width W of the slit SL in the X direction be sufficiently large, taking into account assembly accuracy, and that it be at least wider than the width of the magnetic gaps G1 to G4 in the X direction. This prevents irregular magnetic domain walls from occurring even if an assembly error causes a misalignment in the relative positions of the sensor chip 20 and the external magnetic body 30 in the X direction. However, if the width W of the slit SL in the X direction is too wide, magnetic resistance will increase, so it is preferable that the width W of the slit SL in the X direction be less than half the width of the external magnetic body 30 in the X direction.

以上説明したように、本実施形態による磁気センサ1においては、磁性体層M1にY方向に延在するスリットSLが設けられていることから、不規則な磁壁の発生を抑えることが可能となる。また、磁性体層M1には、X方向に延在しY方向を幅方向とするスリットが設けられていないことから、磁気ギャップG1,G2間における磁路の分断や、磁気ギャップG3,G4間における磁路の分断が生じない。このため、感磁素子R1,R2に印加される磁束密度に差が生じることがなく、同様に、感磁素子R3,R4に印加される磁束密度に差が生じることがない。 As described above, in the magnetic sensor 1 according to this embodiment, the magnetic layer M1 has slits SL extending in the Y direction, which makes it possible to suppress the occurrence of irregular magnetic domain walls. Furthermore, the magnetic layer M1 does not have slits extending in the X direction with the Y direction as its width direction, so there is no disruption of the magnetic path between the magnetic gaps G1 and G2, or between the magnetic gaps G3 and G4. Therefore, there is no difference in the magnetic flux density applied to the magnetic sensing elements R1 and R2, and similarly, there is no difference in the magnetic flux density applied to the magnetic sensing elements R3 and R4.

ここで、磁性体層M1に設けるスリットSLは、第1の領域M11と第2の領域M12を完全に分断するものである必要はなく、図6に示す第1の変形例のように、第1の領域M11の一部と第2の領域M12の一部がスリットSLによって分断されることなく接続されていても構わない。このような接続部を設ける場合、Y方向における端部に設けることが好ましい。これによれば、不規則な磁壁の発生を抑えつつ、磁性体層M1の磁気抵抗を低減することが可能となる。 Here, the slit SL provided in the magnetic layer M1 does not need to completely separate the first region M11 and the second region M12; as in the first modified example shown in Figure 6, a portion of the first region M11 and a portion of the second region M12 may be connected without being separated by the slit SL. When providing such a connecting portion, it is preferable to provide it at the end in the Y direction. This makes it possible to reduce the magnetic resistance of the magnetic layer M1 while suppressing the generation of irregular domain walls.

また、図7に示す第2の変形例や図8に示す第3の変形例のように、スリットSLのX方向における幅は、Y方向における位置によって異なっていても構わない。図7に示す第2の変形例では、Y方向における中心位置においてスリットSLの幅が最大となり、Y方向における端部に向かうにつれてスリットSLの幅が狭くなる形状を有している。これによれば、最も磁壁の発生しやすい中央領域のスリットSLが拡大されていることから、磁気抵抗の上昇を最小限に抑えつつ、磁壁の発生を防止することが可能となる。また、図8に示す第2の変形例では、感磁素子R1~R4のY方向における中心位置においてスリットSLの幅が最大となり、感磁素子R1~R4のY方向における中心位置から離れるにつれてスリットSLの幅が狭くなる形状を有している。これによれば、磁壁の影響が強い領域においてスリットSLの幅が拡大されていることから、磁気抵抗の上昇を最小限に抑えつつ、磁壁に起因する測定ノイズを低減することが可能となる。 Furthermore, as in the second modified example shown in FIG. 7 and the third modified example shown in FIG. 8, the width of the slit SL in the X direction may vary depending on the position in the Y direction. In the second modified example shown in FIG. 7, the width of the slit SL is greatest at the center position in the Y direction and narrows toward the ends in the Y direction. This allows the slit SL to be widened in the central region where domain walls are most likely to occur, minimizing the increase in magnetic resistance and preventing the occurrence of domain walls. In the second modified example shown in FIG. 8, the width of the slit SL is greatest at the center position in the Y direction of the magnetic sensing elements R1 to R4 and narrows as it moves away from the center position in the Y direction of the magnetic sensing elements R1 to R4. This allows the width of the slit SL to be widened in regions where the influence of domain walls is strong, minimizing the increase in magnetic resistance and reducing measurement noise caused by domain walls.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。 The above describes a preferred embodiment of the present invention, but the present invention is not limited to the above embodiment and various modifications are possible without departing from the spirit of the present invention, and it goes without saying that these modifications are also included within the scope of the present invention.

1 磁気センサ
10 基板
11 基板の表面
20 センサチップ
21 素子形成面
22 裏面
23,24 側面
25 上面
26 実装面
30,40 外部磁性体
31 端面
41 棒状部
42,43 オーバーハング部
G1~G4 磁気ギャップ
M1~M3 磁性体層
M11 第1の領域
M12 第2の領域
R1~R4 感磁素子
SL スリット
1 Magnetic sensor 10 Substrate 11 Surface of substrate 20 Sensor chip 21 Element forming surface 22 Back surface 23, 24 Side surface 25 Top surface 26 Mounting surface 30, 40 External magnetic body 31 End surface 41 Rod-shaped portion 42, 43 Overhanging portion G1 to G4 Magnetic gap M1 to M3 Magnetic body layer M11 First region M12 Second region R1 to R4 Magnetic sensing element SL Slit

Claims (3)

第1の磁性体層と、前記第1の磁性体層から見て第1の方向における一方側に位置し、第1の磁気ギャップを介して前記第1の磁性体層と隣接する第2の磁性体層と、前記第1の磁性体層から見て前記第1の方向における他方側に位置し、第2の磁気ギャップを介して前記第1の磁性体層と隣接する第3の磁性体層と、前記第1の磁気ギャップによって形成される磁路上に位置する第1の感磁素子と、前記第2の磁気ギャップによって形成される磁路上に位置する第2の感磁素子とを有するセンサチップと、
前記第1の方向と直交する第3の方向から見た平面視で前記第1の磁性体層と重なる外部磁性体と、を備え、
前記第1の磁性体層は、前記第1及び第3の方向と直交する第2の方向に延在し、前記第3の方向から見た平面視で前記外部磁性体と重なるスリットによって、第1の領域と第2の領域に分割され
前記スリットの前記第1の方向における幅は、前記第1及び第2の磁気ギャップの前記第1の方向における幅よりも大きいことを特徴とする磁気センサ。
a sensor chip having a first magnetic layer, a second magnetic layer located on one side in a first direction as viewed from the first magnetic layer and adjacent to the first magnetic layer via a first magnetic gap, a third magnetic layer located on the other side in the first direction as viewed from the first magnetic layer and adjacent to the first magnetic layer via a second magnetic gap, a first magnetic sensing element located on a magnetic path formed by the first magnetic gap, and a second magnetic sensing element located on a magnetic path formed by the second magnetic gap;
an external magnetic body overlapping the first magnetic body layer in a plan view seen from a third direction orthogonal to the first direction ,
the first magnetic layer extends in a second direction perpendicular to the first and third directions, and is divided into a first region and a second region by a slit that overlaps with the external magnetic body in a plan view seen from the third direction ;
A magnetic sensor, wherein the width of the slit in the first direction is greater than the widths of the first and second magnetic gaps in the first direction.
前記外部磁性体の前記第1の方向における中心は、前記第3の方向から見た平面視で前記スリットと重なることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサ。 2. The magnetic sensor according to claim 1, wherein a center of the external magnetic body in the first direction overlaps with the slit in a plan view seen from the third direction . 前記スリットの前記第1の方向における幅は、前記第2の方向における位置によって異なることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気センサ。 3. The magnetic sensor according to claim 1 , wherein the width of the slit in the first direction varies depending on the position in the second direction.
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