JP7824538B2 - Power module and semiconductor device - Google Patents
Power module and semiconductor deviceInfo
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Description
本開示は、パワーモジュール及び半導体装置に関するものである。 This disclosure relates to power modules and semiconductor devices.
特許文献１には、パワー半導体素子と、パワー半導体素子が搭載された回路基板であるセラミック基板と、放熱グリスを用いてセラミック基板が搭載された放熱フィンと、を備えたパワーモジュールが開示されている。 Patent Document 1 discloses a power module that includes a power semiconductor element, a ceramic substrate that is a circuit board on which the power semiconductor element is mounted, and heat dissipation fins on which the ceramic substrate is mounted using heat dissipation grease.
ところで、特許文献１の発明では、パワー半導体素子と放熱フィンとの間に、絶縁放熱部材としてのセラミック基板が配置されている。そのため、パワー半導体素子で発生した熱を放熱させる際に、絶縁放熱部材で熱抵抗が生じてしまい、放熱性能が低下するという問題がある。 However, in the invention of Patent Document 1, a ceramic substrate is placed between the power semiconductor element and the heat dissipation fins as an insulating heat dissipation member. Therefore, when dissipating heat generated by the power semiconductor element, thermal resistance occurs in the insulating heat dissipation member, resulting in a problem of reduced heat dissipation performance.
本開示の目的は、半導体素子で発生した熱を放熱し易くすることにある。 The purpose of this disclosure is to make it easier to dissipate heat generated by semiconductor elements.
本開示の第１の態様は、半導体素子（2）と、導電性を有する板状の部材で構成され、前記半導体素子（2）が実装された実装面（15）と、前記実装面（15）とは反対側で露出する露出面（16）と、を有する第１配線部材（11）と、導電性を有する板状の部材で構成され、前記第１配線部材（11）に対して、前記第１配線部材（11）の板厚方向と直交する方向に間隔をあけて配置され、前記第１配線部材（11）の前記露出面（16）と同じ側で露出する露出面（16）を有する第２配線部材（12）と、前記第１配線部材（11）と前記第２配線部材（12）との間に配置され、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）を保持し、前記露出面（16）から板厚方向の前記露出面（16）側に突出する突部（22）を有する絶縁性の保持部材（20）と、前記半導体素子（2）と、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）の前記実装面（15）と、を少なくとも覆う絶縁性の封止材（36）と、を備えるパワーモジュールである。 A first aspect of the present disclosure includes a semiconductor element (2); a first wiring member (11) composed of a conductive plate-like member and having a mounting surface (15) on which the semiconductor element (2) is mounted and an exposed surface (16) exposed on the side opposite the mounting surface (15); and a second wiring member (11) composed of a conductive plate-like member and arranged at a distance from the first wiring member (11) in a direction perpendicular to the plate thickness direction of the first wiring member (11), and having an exposed surface (16) exposed on the same side as the exposed surface (16) of the first wiring member (11). the power module includes: a second wiring member (12) that is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12), holds the first wiring member (11) and the second wiring member (12), and has an insulating holding member (20) that has a protrusion (22) that protrudes from the exposed surface (16) toward the exposed surface (16) in the plate thickness direction; and an insulating sealing material (36) that covers at least the semiconductor element (2) and the mounting surfaces (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12).
第１の態様では、半導体素子（2）で発生した熱が、第１配線部材（11）の露出面（16）から直接放熱されることで、熱抵抗を低減することができる。また、突部（22）を設けることで、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間の沿面絶縁距離を確保することができる。 In the first aspect, heat generated by the semiconductor element (2) is dissipated directly from the exposed surface (16) of the first wiring member (11), thereby reducing thermal resistance. Furthermore, by providing the protrusion (22), a creepage insulation distance between the first wiring member (11) and the second wiring member (12) can be ensured.
本開示の第２の態様は、第１の態様のパワーモジュールにおいて、前記保持部材（20）における前記第１配線部材（11）の前記実装面（15）側の端部は、前記実装面（15）と面一、又は前記実装面（15）よりも前記露出面（16）側に配置される。 A second aspect of the present disclosure is the power module of the first aspect, wherein the end of the first wiring member (11) of the holding member (20) on the mounting surface (15) side is flush with the mounting surface (15) or is positioned closer to the exposed surface (16) than the mounting surface (15).
第２の態様では、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）とをワイヤボンディングする際に、保持部材（20）が邪魔になるのを抑えることができる。また、保持部材（20）の使用量を低減することができる。 In the second aspect, the holding member (20) can be prevented from getting in the way when wire bonding the first wiring member (11) and the second wiring member (12). Furthermore, the amount of holding member (20) used can be reduced.
本開示の第３の態様は、第１又は２の態様のパワーモジュールにおいて、前記突部（22）は、前記突部（22）の先端に向かって先細な形状である。 A third aspect of the present disclosure is a power module according to the first or second aspect, wherein the protrusion (22) has a tapered shape toward the tip of the protrusion (22).
第３の態様では、半導体素子（2）で発生した熱が、突部（22）の先細形状に沿って外側に広がるように放熱されることで、熱抵抗を低減することができる。 In the third aspect, heat generated in the semiconductor element (2) is dissipated by spreading outward along the tapered shape of the protrusion (22), thereby reducing thermal resistance.
本開示の第４の態様は、第１～３の態様の何れか１つのパワーモジュールにおいて、前記第１配線部材（11）と一体に形成された接続端子（13）を備える。 A fourth aspect of the present disclosure is a power module according to any one of the first to third aspects, further comprising a connection terminal (13) formed integrally with the first wiring member (11).
第４の態様では、第１配線部材（11）と接続端子（13）とを接続する工程を別途行う必要が無く、作業工数の削減を図ることができる。 In the fourth aspect, there is no need to perform a separate process for connecting the first wiring member (11) and the connection terminal (13), thereby reducing the number of work steps.
本開示の第５の態様は、第４の態様のパワーモジュールにおいて、前記接続端子（13）は、前記第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延び、前記接続端子（13）における前記第１配線部材（11）の前記露出面（16）側に設けられた絶縁部材（25）を備える。 A fifth aspect of the present disclosure is a power module according to the fourth aspect, wherein the connection terminal (13) extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11) and includes an insulating member (25) provided on the connection terminal (13) on the side of the exposed surface (16) of the first wiring member (11).
第５の態様では、接続端子（13）を、第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延ばす形態であっても、接続端子（13）における第１配線部材（11）の露出面（16）側に設けられた絶縁部材（25）を備えることで、絶縁距離を確保することができる。 In the fifth aspect, even if the connection terminal (13) extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11), an insulating member (25) is provided on the connection terminal (13) on the exposed surface (16) of the first wiring member (11), thereby ensuring an insulating distance.
本開示の第６の態様は、第４の態様のパワーモジュールにおいて、前記接続端子（13）は、前記第１配線部材（11）の前記実装面（15）から板厚方向の前記実装面（15）側に延びた後、前記第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延びる。 A sixth aspect of the present disclosure is a power module according to the fourth aspect, wherein the connection terminal (13) extends from the mounting surface (15) of the first wiring member (11) toward the mounting surface (15) in the thickness direction, and then extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11).
第６の態様では、接続端子（13）を、第１配線部材（11）から複数回屈曲させながら延ばすことで、絶縁距離をさらに延ばすことができる。 In the sixth aspect, the insulating distance can be further extended by extending the connection terminal (13) from the first wiring member (11) while bending it multiple times.
本開示の第７の態様は、第４～６の態様の何れか１つのパワーモジュールにおいて、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）を含む配線層（50）が、板厚方向に間隔をあけて複数設けられる。 A seventh aspect of the present disclosure is a power module according to any one of the fourth to sixth aspects, wherein a plurality of wiring layers (50) including the first wiring member (11) and the second wiring member (12) are provided at intervals in the plate thickness direction.
第７の態様では、板厚方向に間隔をあけて複数の配線層（50）を設けることで、板厚方向の空間を有効に利用して、モジュールの小型化を図ることができる。 In the seventh aspect, by providing multiple wiring layers (50) spaced apart in the thickness direction, the space in the thickness direction can be effectively utilized, allowing for a more compact module.
本開示の第８の態様は、第１～７の態様の何れか１つのパワーモジュールにおいて、前記封止材（36）を覆うケース（30）を備える。 An eighth aspect of the present disclosure is a power module according to any one of the first to seventh aspects, further comprising a case (30) that covers the sealing material (36).
第８の態様では、封止材（36）をケース（30）で覆うことで、半導体素子（2）を保護することができる。 In the eighth aspect, the semiconductor element (2) can be protected by covering the sealing material (36) with the case (30).
本開示の第９の態様は、第１～７の態様の何れか１つのパワーモジュールにおいて、前記封止材（36）は、モールド樹脂で形成され、前記保持部材（20）は、前記封止材（36）と一体に成形される。 A ninth aspect of the present disclosure is a power module according to any one of the first to seventh aspects, wherein the sealing material (36) is formed from a molded resin, and the holding member (20) is molded integrally with the sealing material (36).
第９の態様では、保持部材（20）を封止材（36）と一体に成形することで、別部材としての保持部材（20）を別途設ける必要が無く、コスト低減を図ることができる。 In the ninth aspect, by molding the retaining member (20) integrally with the sealing material (36), there is no need to provide a separate retaining member (20), thereby reducing costs.
本開示の第１０の態様は、第１～９の態様の何れか１つのパワーモジュール（10）と、前記保持部材（20）の前記突部（22）に当接するように配置された放熱器（40）と、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）の前記露出面（16）と、前記放熱器（40）と、の間に配置された絶縁性の熱伝導材（41）と、を備える半導体装置である。 A tenth aspect of the present disclosure is a semiconductor device comprising: a power module (10) according to any one of the first to ninth aspects; a heat sink (40) arranged to abut against the protrusion (22) of the holding member (20); and an insulating thermally conductive material (41) arranged between the exposed surfaces (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) and the heat sink (40).
第１０の態様では、パワーモジュール（10）と、放熱器（40）と、熱伝導材（41）と、を備えた半導体装置を提供することができる。 In a tenth aspect, a semiconductor device can be provided that includes a power module (10), a heat sink (40), and a thermally conductive material (41).
《実施形態１》
〈パワーモジュール〉
図１及び図２に示すように、パワーモジュール（10）は、半導体素子（2）と、第１配線部材（11）と、第２配線部材（12）と、保持部材（20）と、ケース（30）と、封止材（36）と、を備える。
First Embodiment
<Power Module>
As shown in Figures 1 and 2, the power module (10) includes a semiconductor element (2), a first wiring member (11), a second wiring member (12), a holding member (20), a case (30), and a sealing material (36).
第１配線部材（11）は、導電性を有する板状の部材で構成される。第１配線部材（11）は、実装面（15）と、実装面（15）とは反対側で露出する露出面（16）と、を有する。半導体素子（2）は、半田（3）によって実装面（15）に実装される。 The first wiring member (11) is composed of a conductive plate-like member. The first wiring member (11) has a mounting surface (15) and an exposed surface (16) that is exposed on the side opposite the mounting surface (15). The semiconductor element (2) is mounted on the mounting surface (15) by solder (3).
第２配線部材（12）は、導電性を有する板状の部材で構成される。第２配線部材（12）は、第１配線部材（11）に対して、第１配線部材（11）の板厚方向と直交する方向に間隔をあけて配置される。 The second wiring member (12) is composed of a conductive plate-shaped member. The second wiring member (12) is arranged at a distance from the first wiring member (11) in a direction perpendicular to the plate thickness direction of the first wiring member (11).
第２配線部材（12）は、実装面（15）と、実装面（15）とは反対側で露出する露出面（16）と、を有する。第２配線部材（12）の露出面（16）は、第１配線部材（11）の露出面（16）と同じ側で露出する。 The second wiring member (12) has a mounting surface (15) and an exposed surface (16) that is exposed on the side opposite the mounting surface (15). The exposed surface (16) of the second wiring member (12) is exposed on the same side as the exposed surface (16) of the first wiring member (11).
半導体素子（2）は、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）やダイオード等である。図１に示す例では、半導体素子（2）が２つ設けられる。半導体素子（2）と、第２配線部材（12）とは、ワイヤ配線（4）で接続される。 The semiconductor element (2) may be, for example, an insulated gate bipolar transistor (IGBT) or a diode. In the example shown in Figure 1, two semiconductor elements (2) are provided. The semiconductor elements (2) and the second wiring member (12) are connected by wire wiring (4).
第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）には、外部端子（5）の一端が電気的に接続される。外部端子（5）の他端は、ケース（30）の外部に突出するように延びる。外部端子（5）の他端は、図示しない制御基板に接続される。 One end of the external terminal (5) is electrically connected to the first wiring member (11) and the second wiring member (12). The other end of the external terminal (5) extends to protrude outside the case (30). The other end of the external terminal (5) is connected to a control board (not shown).
保持部材（20）は、絶縁性を有する部材で構成される。保持部材（20）は、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間に配置される。保持部材（20）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）を保持する。 The holding member (20) is made of an insulating material. The holding member (20) is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12). The holding member (20) holds the first wiring member (11) and the second wiring member (12).
保持部材（20）は、保持部（21）と、突部（22）と、を有する。保持部（21）は、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間に配置される。保持部（21）における図１で上下方向の両端には、突部（22）がそれぞれ設けられる。突部（22）は、保持部（21）に一体形成される。 The holding member (20) has a holding portion (21) and a protrusion (22). The holding portion (21) is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12). A protrusion (22) is provided on each end of the holding portion (21) in the vertical direction as viewed in FIG. 1. The protrusion (22) is integrally formed with the holding portion (21).
図１で下側の突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）から、板厚方向の露出面（16）側に突出する。図１で上側の突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の実装面（15）から、板厚方向の実装面（15）側に突出する。 In Figure 1, the lower protrusion (22) protrudes from the exposed surface (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the exposed surface (16) in the plate thickness direction. In Figure 1, the upper protrusion (22) protrudes from the mounting surface (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the mounting surface (15) in the plate thickness direction.
ケース（30）は、例えば、絶縁性の樹脂材で構成される。ケース（30）は、内部空間（35）を区画するように第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の実装面（15）を覆う。ケース（30）の内部空間（35）には、封止材（36）が封止される。封止材（36）は、ケース（30）によって覆われる。 The case (30) is made of, for example, an insulating resin material. The case (30) covers the mounting surfaces (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) so as to define an internal space (35). A sealant (36) is sealed in the internal space (35) of the case (30). The sealant (36) is covered by the case (30).
ケース（30）は、対向部（31）と、周壁部（32）と、を有する。対向部（31）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の実装面（15）に対向する。周壁部（32）は、対向部（31）の周縁に沿って第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）側に延びる。ケース（30）における周壁部（32）の内周側には、段差面（33）が設けられる。 The case (30) has a facing portion (31) and a peripheral wall portion (32). The facing portion (31) faces the mounting surfaces (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12). The peripheral wall portion (32) extends along the periphery of the facing portion (31) toward the first wiring member (11) and the second wiring member (12). A stepped surface (33) is provided on the inner periphery of the peripheral wall portion (32) of the case (30).
封止材（36）は、絶縁材を有する。封止材（36）は、例えば、樹脂材である。封止材（36）は、半導体素子（2）、第１配線部材（11）の実装面（15）、第２配線部材（12）の実装面（15）、及びワイヤ配線（4）を覆う。 The sealing material (36) includes an insulating material. The sealing material (36) is, for example, a resin material. The sealing material (36) covers the semiconductor element (2), the mounting surface (15) of the first wiring member (11), the mounting surface (15) of the second wiring member (12), and the wire wiring (4).
図１において左端に配置された第１配線部材（11）の左端部と、右端に配置された第２配線部材（12）の右端部とは、絶縁部材（25）によってそれぞれ支持される。絶縁部材（25）は、保持部材（20）の突部（22）と同じ長さ分だけ、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）から、板厚方向の露出面（16）側に突出する。絶縁部材（25）は、ケース（30）の段差面（33）に当接する。 In FIG. 1, the left end of the first wiring member (11) located at the left end and the right end of the second wiring member (12) located at the right end are each supported by an insulating member (25). The insulating member (25) protrudes from the exposed surfaces (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the exposed surfaces (16) in the plate thickness direction by the same length as the protrusions (22) of the holding member (20). The insulating member (25) abuts against the stepped surface (33) of the case (30).
このように構成されたパワーモジュール（10）では、半導体素子（2）で発生した熱を、第１配線部材（11）の露出面（16）から直接放熱することができる。また、突部（22）を設けることで、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間の沿面絶縁距離を確保することができる。 In the power module (10) configured in this manner, heat generated in the semiconductor element (2) can be dissipated directly from the exposed surface (16) of the first wiring member (11). Furthermore, by providing the protrusion (22), a creepage insulation distance can be ensured between the first wiring member (11) and the second wiring member (12).
具体的に、図３に示す比較例では、保持部材（20）に突部（22）が設けられておらず、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間の沿面絶縁距離Ｌ’は、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との隙間分の長さとなる。 Specifically, in the comparative example shown in Figure 3, the holding member (20) does not have a protrusion (22), and the creepage insulation distance L' between the first wiring member (11) and the second wiring member (12) is the length of the gap between the first wiring member (11) and the second wiring member (12).
一方、図４に示すように、保持部材（20）に突部（22）が設けられている場合には、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間の沿面絶縁距離Ｌは、突部（22）の外周面に沿って、第１配線部材（11）から第２配線部材（12）に向かう長さとなり、Ｌ＞Ｌ’となる。 On the other hand, as shown in Figure 4, when a protrusion (22) is provided on the holding member (20), the creepage insulation distance L between the first wiring member (11) and the second wiring member (12) is the length from the first wiring member (11) to the second wiring member (12) along the outer peripheral surface of the protrusion (22), and L > L'.
〈半導体装置〉
図２に示すように、半導体装置（1）は、パワーモジュール（10）と、放熱器（40）と、熱伝導材（41）と、を備える。
Semiconductor Devices
As shown in FIG. 2, the semiconductor device (1) includes a power module (10), a heat radiator (40), and a thermally conductive material (41).
放熱器（40）は、例えば、銅やアルミニウム等の伝熱性材料で構成される。放熱器（40）は、パワーモジュール（10）における保持部材（20）の突部（22）と、絶縁部材（25）と、に当接するように配置される。パワーモジュール（10）は、例えば、図示しない締結ネジによって、放熱器（40）に締結される。 The radiator (40) is made of a heat-conductive material such as copper or aluminum. The radiator (40) is positioned so as to abut against the protrusion (22) of the holding member (20) of the power module (10) and the insulating member (25). The power module (10) is fastened to the radiator (40), for example, by fastening screws (not shown).
熱伝導材（41）は、絶縁性を有する。熱伝導材（41）は、例えば、グリスである。熱伝導材（41）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）と、放熱器（40）と、の間に配置される。このとき、突部（22）の突出量に応じて、熱伝導材（41）の厚みを設定することができる。第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）は、熱伝導材（41）を介して放熱器（40）に熱的に接触される。 The thermally conductive material (41) is insulating. The thermally conductive material (41) is, for example, grease. The thermally conductive material (41) is disposed between the exposed surfaces (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) and the heat sink (40). In this case, the thickness of the thermally conductive material (41) can be set according to the amount of protrusion of the protrusion (22). The first wiring member (11) and the second wiring member (12) are in thermal contact with the heat sink (40) via the thermally conductive material (41).
－実施形態１の効果－
本実施形態の特徴によれば、半導体素子（2）で発生した熱が、第１配線部材（11）の露出面（16）から直接放熱されることで、熱抵抗を低減することができる。また、突部（22）を設けることで、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間の沿面絶縁距離を確保することができる。
-Effects of the first embodiment-
According to the features of this embodiment, heat generated in the semiconductor element 2 is directly dissipated from the exposed surface 16 of the first wiring member 11, thereby reducing thermal resistance. Furthermore, the provision of the protrusions 22 ensures a creepage insulation distance between the first wiring member 11 and the second wiring member 12.
本実施形態の特徴によれば、封止材（36）をケース（30）で覆うことで、半導体素子（2）を保護することができる。 According to a feature of this embodiment, the semiconductor element (2) can be protected by covering the sealing material (36) with the case (30).
本実施形態の特徴によれば、パワーモジュール（10）と、放熱器（40）と、熱伝導材（41）と、を備えた半導体装置を提供することができる。 This embodiment features a semiconductor device comprising a power module (10), a heat sink (40), and a thermally conductive material (41).
《実施形態２》
以下、前記実施形態１と同じ部分については同じ符号を付し、相違点についてのみ説明する。
Second Embodiment
Hereinafter, the same parts as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and only the differences will be described.
図５に示すように、保持部材（20）は、保持部（21）と、突部（22）と、を有する。保持部（21）は、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間に配置される。保持部（21）における図１で下側の端部には、突部（22）が設けられる。突部（22）は、保持部（21）に一体形成される。 As shown in FIG. 5, the holding member (20) has a holding portion (21) and a protrusion (22). The holding portion (21) is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12). The holding portion (21) has a protrusion (22) at the lower end in FIG. 1. The protrusion (22) is integrally formed with the holding portion (21).
突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）から、板厚方向の露出面（16）側に突出する。 The protrusions (22) protrude from the exposed surfaces (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the exposed surfaces (16) in the plate thickness direction.
一方、保持部（21）における図１で上側の端部には、突部（22）が設けられていないため、保持部材（20）における第１配線部材（11）の実装面（15）側の端部は、実装面（15）と面一となっている。ここで、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の実装面（15）側は、封止材（36）によって封止されているため、実装面（15）側においても、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間の沿面絶縁距離を確保することができる。 On the other hand, since the upper end of the holding portion (21) in FIG. 1 does not have a protrusion (22), the end of the holding member (20) on the mounting surface (15) side of the first wiring member (11) is flush with the mounting surface (15). Here, the mounting surface (15) sides of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) are sealed with a sealing material (36), so that the creepage insulation distance between the first wiring member (11) and the second wiring member (12) can be ensured even on the mounting surface (15) side.
－実施形態２の効果－
本実施形態の特徴によれば、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）とをワイヤボンディングする際に、保持部材（20）が邪魔になるのを抑えることができる。また、保持部材（20）の使用量を低減することができる。
--Effects of the Second Embodiment--
According to the features of this embodiment, the holding member 20 can be prevented from interfering with wire bonding between the first wiring member 11 and the second wiring member 12. Furthermore, the amount of holding member 20 used can be reduced.
《実施形態３》
図６に示すように、保持部材（20）は、保持部（21）と、突部（22）と、を有する。保持部（21）は、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との間に配置される。保持部（21）における図１で上下方向の両端には、突部（22）がそれぞれ設けられる。突部（22）は、保持部（21）に一体形成される。
Third Embodiment
As shown in Figure 6, the holding member (20) has a holding portion (21) and a protrusion (22). The holding portion (21) is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12). A protrusion (22) is provided on each end of the holding portion (21) in the vertical direction in Figure 1. The protrusion (22) is integrally formed with the holding portion (21).
図１で上側の突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の実装面（15）から、板厚方向の実装面（15）側に突出する。 In Figure 1, the upper protrusion (22) protrudes from the mounting surface (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the mounting surface (15) in the plate thickness direction.
図１で下側の突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）から、板厚方向の露出面（16）側に突出する。下側の突部（22）は、突部（22）の先端に向かって先細な形状となっている。 In Figure 1, the lower protrusion (22) protrudes from the exposed surface (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the exposed surface (16) in the plate thickness direction. The lower protrusion (22) has a tapered shape toward the tip of the protrusion (22).
－実施形態３の効果－
本実施形態の特徴によれば、半導体素子（2）で発生した熱が、突部（22）の先細形状に沿って外側に広がるように放熱されることで、熱抵抗を低減することができる。
-Effects of the third embodiment-
According to the feature of this embodiment, heat generated in the semiconductor element (2) is dissipated so as to spread outward along the tapered shape of the protrusion (22), thereby reducing thermal resistance.
《実施形態４》
図７に示すように、保持部材（20）は、突部（22）を有する。突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）から、板厚方向の露出面（16）側に突出する。このように、突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の実装面（15）よりも露出面（16）側に配置される。
Fourth Embodiment
7 , the holding member 20 has a protrusion 22. The protrusion 22 protrudes from the exposed surface 16 of the first wiring member 11 and the second wiring member 12 toward the exposed surface 16 in the plate thickness direction. In this manner, the protrusion 22 is disposed closer to the exposed surface 16 than the mounting surface 15 of the first wiring member 11 and the second wiring member 12.
－実施形態４の効果－
本実施形態の特徴によれば、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）とをワイヤボンディングする際に、保持部材（20）が邪魔になるのを抑えることができる。また、保持部材（20）の使用量を低減することができる。
--Effects of the fourth embodiment--
According to the features of this embodiment, the holding member 20 can be prevented from interfering with wire bonding between the first wiring member 11 and the second wiring member 12. Furthermore, the amount of holding member 20 used can be reduced.
《実施形態５》
図８に示すように、第１配線部材（11）は、接続端子（13）を有する。接続端子（13）は、第１配線部材（11）と一体に形成される。接続端子（13）は、第１配線部材（11）の板厚方向（図８で上方向）に延びる。接続端子（13）は、ケース（30）の対向部（31）を貫通する。接続端子（13）は、図示しない制御基板に接続される。
Fifth Embodiment
As shown in Figure 8, the first wiring member (11) has a connection terminal (13). The connection terminal (13) is formed integrally with the first wiring member (11). The connection terminal (13) extends in the thickness direction of the first wiring member (11) (upward in Figure 8). The connection terminal (13) penetrates the opposing portion (31) of the case (30). The connection terminal (13) is connected to a control board (not shown).
接続端子（13）における第１配線部材（11）の露出面（16）側には、絶縁部材（25）が設けられる。絶縁部材（25）は、接続端子（13）を支持する。絶縁部材（25）は、放熱器（40）に当接する。 An insulating member (25) is provided on the exposed surface (16) of the first wiring member (11) of the connection terminal (13). The insulating member (25) supports the connection terminal (13). The insulating member (25) abuts against the heat radiator (40).
－実施形態５の効果－
本実施形態の特徴によれば、第１配線部材（11）と接続端子（13）とを一体に形成することで、第１配線部材（11）と接続端子（13）とを接続する工程を別途行う必要が無く、作業工数の削減を図ることができる。
--Effects of the fifth embodiment--
According to the feature of this embodiment, by integrally forming the first wiring member (11) and the connection terminal (13), there is no need to perform a separate process of connecting the first wiring member (11) and the connection terminal (13), and the labor required can be reduced.
《実施形態６》
図９に示すように、第１配線部材（11）は、接続端子（13）を有する。接続端子（13）は、第１配線部材（11）と一体に形成される。接続端子（13）は、第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延びる。接続端子（13）は、ケース（30）の周壁部（32）を貫通した後で、第１配線部材（11）の板厚方向（図９で上方向）に延びる。
Sixth Embodiment
As shown in Fig. 9, the first wiring member (11) has a connection terminal (13). The connection terminal (13) is formed integrally with the first wiring member (11). The connection terminal (13) extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11). After penetrating the peripheral wall portion (32) of the case (30), the connection terminal (13) extends in the thickness direction of the first wiring member (11) (upward in Fig. 9).
接続端子（13）における第１配線部材（11）の露出面（16）側には、絶縁部材（25）が設けられる。絶縁部材（25）は、接続端子（13）を支持する。絶縁部材（25）は、放熱器（40）に当接する。 An insulating member (25) is provided on the exposed surface (16) of the first wiring member (11) of the connection terminal (13). The insulating member (25) supports the connection terminal (13). The insulating member (25) abuts against the heat radiator (40).
－実施形態６の効果－
本実施形態の特徴によれば、第１配線部材（11）と接続端子（13）とを一体に形成することで、第１配線部材（11）と接続端子（13）とを接続する工程を別途行う必要が無く、作業工数の削減を図ることができる。
-Effects of the Sixth Embodiment-
According to the feature of this embodiment, by integrally forming the first wiring member (11) and the connection terminal (13), there is no need to perform a separate process of connecting the first wiring member (11) and the connection terminal (13), and the labor required can be reduced.
本実施形態の特徴によれば、接続端子（13）を、第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延ばす形態であっても、接続端子（13）における第１配線部材（11）の露出面（16）側に設けられた絶縁部材（25）を備えることで、接続端子（13）と放熱器（40）との絶縁距離を確保することができる。 According to a feature of this embodiment, even if the connection terminal (13) extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11), the insulating member (25) provided on the connection terminal (13) on the exposed surface (16) of the first wiring member (11) ensures an insulating distance between the connection terminal (13) and the heat sink (40).
《実施形態７》
図１０に示すように、第１配線部材（11）は、接続端子（13）を有する。接続端子（13）は、第１配線部材（11）と一体に形成される。接続端子（13）は、第１配線部材（11）の実装面（15）から板厚方向の実装面（15）側に延びた後、第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延びる。接続端子（13）は、ケース（30）の周壁部（32）を貫通した後で、第１配線部材（11）の板厚方向（図１０で上方向）に延びる。
Seventh Embodiment
As shown in Fig. 10 , the first wiring member (11) has a connection terminal (13). The connection terminal (13) is formed integrally with the first wiring member (11). The connection terminal (13) extends from the mounting surface (15) of the first wiring member (11) toward the mounting surface (15) in the thickness direction, and then extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11). The connection terminal (13) penetrates the peripheral wall portion (32) of the case (30), and then extends in the thickness direction of the first wiring member (11) (upward in Fig. 10 ).
接続端子（13）における第１配線部材（11）の露出面（16）側には、絶縁部材（25）が設けられる。絶縁部材（25）は、接続端子（13）を支持する。絶縁部材（25）は、放熱器（40）に当接する。 An insulating member (25) is provided on the exposed surface (16) of the first wiring member (11) of the connection terminal (13). The insulating member (25) supports the connection terminal (13). The insulating member (25) abuts against the heat radiator (40).
－実施形態７の効果－
本実施形態の特徴によれば、接続端子（13）を、第１配線部材（11）から複数回屈曲させながら延ばすことで、接続端子（13）と放熱器（40）との絶縁距離をさらに延ばすことができる。
--Effects of the Seventh Embodiment--
According to the feature of this embodiment, the connection terminal (13) is bent multiple times and extended from the first wiring member (11), thereby further increasing the insulation distance between the connection terminal (13) and the heat radiator (40).
《実施形態８》
図１１及び図１２に示すように、パワーモジュール（10）は、半導体素子（2）と、第１配線部材（11）と、第２配線部材（12）と、保持部材（20）と、封止材（36）と、を備える。第２配線部材（12）は、第１配線部材（11）に対して、第１配線部材（11）の板厚方向と直交する方向に間隔をあけて配置される。
Eighth Embodiment
11 and 12, the power module (10) includes a semiconductor element (2), a first wiring member (11), a second wiring member (12), a holding member (20), and a sealing material (36). The second wiring member (12) is disposed at a distance from the first wiring member (11) in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11).
図１１で左端に配置された第１配線部材（11）は、接続端子（13）を有する。接続端子（13）は、第１配線部材（11）と一体に形成される。接続端子（13）は、第１配線部材（11）の板厚方向（図１１で上方向）に延びる。 The first wiring member (11) located at the left end in Figure 11 has a connection terminal (13). The connection terminal (13) is formed integrally with the first wiring member (11). The connection terminal (13) extends in the thickness direction of the first wiring member (11) (upward in Figure 11).
図１２で右端に配置された第２配線部材（12）は、接続端子（13）を有する。接続端子（13）は、第２配線部材（12）と一体に形成される。接続端子（13）は、第２配線部材（12）の板厚方向（図１１で上方向）に延びる。 The second wiring member (12) located at the right end in Figure 12 has a connection terminal (13). The connection terminal (13) is formed integrally with the second wiring member (12). The connection terminal (13) extends in the thickness direction of the second wiring member (12) (upward in Figure 11).
封止材（36）は、モールド樹脂で形成される。封止材（36）は、半導体素子（2）、第１配線部材（11）の実装面（15）、第２配線部材（12）の実装面（15）、及びワイヤ配線（4）を覆う。 The sealing material (36) is formed from a molded resin. The sealing material (36) covers the semiconductor element (2), the mounting surface (15) of the first wiring member (11), the mounting surface (15) of the second wiring member (12), and the wire wiring (4).
保持部材（20）は、封止材（36）と一体に成形される。具体的に、保持部材（20）は、封止材（36）をモールド成形する際に、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との隙間から封止材（36）を突出させることで、封止材（36）と一体に形成される。 The holding member (20) is molded integrally with the sealing material (36). Specifically, when the sealing material (36) is molded, the sealing material (36) is caused to protrude from the gap between the first wiring member (11) and the second wiring member (12), thereby forming the holding member (20) integrally with the sealing material (36).
保持部材（20）は、突部（22）を有する。突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）から、板厚方向の露出面（16）側に突出する。 The holding member (20) has a protrusion (22). The protrusion (22) protrudes from the exposed surfaces (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the exposed surfaces (16) in the plate thickness direction.
－実施形態８の効果－
本実施形態の特徴によれば、保持部材（20）を封止材（36）と一体に成形することで、別部材としての保持部材（20）を別途設ける必要が無く、コスト低減を図ることができる。
--Effects of the eighth embodiment--
According to the feature of this embodiment, the holding member (20) is integrally formed with the sealing material (36), which eliminates the need to provide a separate holding member (20), thereby enabling cost reduction.
《実施形態９》
図１３及び図１４に示すように、パワーモジュール（10）は、複数の配線層（50）を備える。複数の配線層（50）は、板厚方向に間隔をあけて設けられる。配線層（50）は、第１配線層（51）と、第２配線層（52）とを含む。
Ninth Embodiment
13 and 14, the power module (10) includes a plurality of wiring layers (50). The plurality of wiring layers (50) are provided at intervals in the thickness direction. The wiring layers (50) include a first wiring layer (51) and a second wiring layer (52).
第１配線層（51）は、第１配線部材（11）と、第２配線部材（12）と、半導体素子（2）と、ワイヤ配線（4）と、を有する。第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）は、接続端子（13）を有する。 The first wiring layer (51) has a first wiring member (11), a second wiring member (12), a semiconductor element (2), and a wire wiring (4). The first wiring member (11) and the second wiring member (12) have connection terminals (13).
第２配線層（52）は、第１配線部材（11）と、第２配線部材（12）と、半導体素子（2）と、電子部品（6）と、ワイヤ配線（4）と、を有する。第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）は、接続端子（13）を有する。 The second wiring layer (52) includes a first wiring member (11), a second wiring member (12), a semiconductor element (2), an electronic component (6), and a wire wiring (4). The first wiring member (11) and the second wiring member (12) include connection terminals (13).
電子部品（6）は、例えば、抵抗、コンデンサ、インダクタ、又はサーミスタ等である。電子部品（6）は、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）とに跨がって、半田（3）によって電気的に接続される。 The electronic component (6) is, for example, a resistor, capacitor, inductor, or thermistor. The electronic component (6) straddles the first wiring member (11) and the second wiring member (12) and is electrically connected by solder (3).
第１配線層（51）の第１配線部材（11）又は第２配線部材（12）と、第２配線層（52）の第１配線部材（11）又は第２配線部材（12）とは、導電性部材（53）によって電気的に接続される。 The first wiring member (11) or second wiring member (12) of the first wiring layer (51) and the first wiring member (11) or second wiring member (12) of the second wiring layer (52) are electrically connected by a conductive member (53).
第１配線層（51）の実装面（15）側と、第２配線層（52）の実装面（15）側及び露出面（16）側とは、封止材（36）で封止される。封止材（36）は、モールド樹脂で形成される。第１配線層（51）の露出面（16）側には、封止材（36）が設けられておらず、第１配線層（51）の露出面（16）が露出している。 The mounting surface (15) side of the first wiring layer (51) and the mounting surface (15) side and exposed surface (16) side of the second wiring layer (52) are sealed with a sealing material (36). The sealing material (36) is formed from a molded resin. No sealing material (36) is provided on the exposed surface (16) side of the first wiring layer (51), and the exposed surface (16) of the first wiring layer (51) is exposed.
保持部材（20）は、封止材（36）と一体に成形される。具体的に、保持部材（20）は、封止材（36）をモールド成形する際に、第１配線部材（11）と第２配線部材（12）との隙間から封止材（36）を突出させることで、封止材（36）と一体に形成される。 The holding member (20) is molded integrally with the sealing material (36). Specifically, when the sealing material (36) is molded, the sealing material (36) is caused to protrude from the gap between the first wiring member (11) and the second wiring member (12), thereby forming the holding member (20) integrally with the sealing material (36).
保持部材（20）は、突部（22）を有する。突部（22）は、第１配線部材（11）及び第２配線部材（12）の露出面（16）から、板厚方向の露出面（16）側に突出する。 The holding member (20) has a protrusion (22). The protrusion (22) protrudes from the exposed surfaces (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12) toward the exposed surfaces (16) in the plate thickness direction.
－実施形態９の効果－
本実施形態の特徴によれば、板厚方向に間隔をあけて複数の配線層（50）を設けることで、板厚方向の空間を有効に利用して、モジュールの小型化を図ることができる。
--Effects of the 9th embodiment--
According to the feature of this embodiment, by providing a plurality of wiring layers (50) at intervals in the thickness direction, the space in the thickness direction can be effectively utilized, thereby enabling the module to be made smaller.
《その他の実施形態》
以上、実施形態及び変形例を説明したが、特許請求の範囲の趣旨及び範囲から逸脱することなく、形態や詳細の多様な変更が可能なことが理解されるであろう。また、以上の実施形態、変形例、その他の実施形態に係る要素を適宜組み合わせたり、置換したりしてもよい。また、明細書及び特許請求の範囲の「第１」、「第２」、「第３」…という記載は、これらの記載が付与された語句を区別するために用いられており、その語句の数や順序までも限定するものではない。
Other Embodiments
Although the embodiments and modifications have been described above, it will be understood that various modifications in form and detail are possible without departing from the spirit and scope of the claims. Furthermore, elements of the above embodiments, modifications, and other embodiments may be combined or substituted as appropriate. Furthermore, the terms "first,""second,""third," etc. in the specification and claims are used to distinguish between terms to which these terms are attached, and do not limit the number or order of those terms.
以上説明したように、本開示は、パワーモジュール及び半導体装置について有用である。 As described above, the present disclosure is useful for power modules and semiconductor devices.
1 半導体装置
2 半導体素子
10 パワーモジュール
11 第１配線部材
12 第２配線部材
13 接続端子
15 実装面
16 露出面
20 保持部材
22 突部
25 絶縁部材
30 ケース
36 封止材
40 放熱器
41 熱伝導材
50 配線層
1. Semiconductor device
2. Semiconductor elements
10 Power Module
11 First wiring member
12 Second wiring member
13 Connection terminal
15 Mounting surface
16 Exposed surface
20 Retaining member
22 protrusion
25 Insulating material
30 cases
36 Encapsulating material
40 Heat sink
41 Thermal Conductive Materials
50 wiring layers
Claims (10)
導電性を有する板状の部材で構成され、前記半導体素子（2）が実装された実装面（15）と、前記実装面（15）とは反対側で露出する露出面（16）と、を有する第１配線部材（11）と、
導電性を有する板状の部材で構成され、前記第１配線部材（11）に対して、前記第１配線部材（11）の板厚方向と直交する方向に間隔をあけて配置され、前記第１配線部材（11）の前記露出面（16）と同じ側で露出する露出面（16）を有する第２配線部材（12）と、
前記第１配線部材（11）と前記第２配線部材（12）との間に配置され、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）を保持し、前記露出面（16）から板厚方向の前記露出面（16）側に突出する突部（22）を有する絶縁性の保持部材（20）と、
前記半導体素子（2）と、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）の前記実装面（15）と、を少なくとも覆う絶縁性の封止材（36）と、を備え、
前記封止材（36）と前記保持部材（20）とが別部材で構成される
パワーモジュール。 A semiconductor element (2);
a first wiring member (11) made of a conductive plate-like member, the first wiring member having a mounting surface (15) on which the semiconductor element (2) is mounted and an exposed surface (16) exposed on the side opposite to the mounting surface (15);
a second wiring member (12) made of a conductive plate-like member, arranged at an interval from the first wiring member (11) in a direction perpendicular to the plate thickness direction of the first wiring member (11), and having an exposed surface (16) exposed on the same side as the exposed surface (16) of the first wiring member (11);
an insulating holding member (20) that is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12), holds the first wiring member (11) and the second wiring member (12), and has a protrusion (22) that protrudes from the exposed surface (16) toward the exposed surface (16) in a plate thickness direction;
an insulating sealing material (36) that covers at least the semiconductor element (2) and the mounting surfaces (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12);
The power module includes the sealing material (36) and the holding member (20) formed as separate members.
導電性を有する板状の部材で構成され、前記半導体素子（2）が実装された実装面（15）と、前記実装面（15）とは反対側で露出する露出面（16）と、を有する第１配線部材（11）と、
導電性を有する板状の部材で構成され、前記第１配線部材（11）に対して、前記第１配線部材（11）の板厚方向と直交する方向に間隔をあけて配置され、前記第１配線部材（11）の前記露出面（16）と同じ側で露出する露出面（16）を有する第２配線部材（12）と、
前記第１配線部材（11）と前記第２配線部材（12）との間に配置され、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）を保持し、前記露出面（16）から板厚方向の前記露出面（16）側に突出する突部（22）を有する絶縁性の保持部材（20）と、
前記半導体素子（2）と、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）の前記実装面（15）と、を少なくとも覆う絶縁性の封止材（36）と、を備え、
前記保持部材（20）における前記第１配線部材（11）の前記実装面（15）側の端部は、前記実装面（15）と面一、又は前記実装面（15）よりも前記露出面（16）側に配置される
パワーモジュール。 A semiconductor element (2);
a first wiring member (11) made of a conductive plate-like member, the first wiring member having a mounting surface (15) on which the semiconductor element (2) is mounted and an exposed surface (16) exposed on the side opposite to the mounting surface (15);
a second wiring member (12) made of a conductive plate-like member, arranged at an interval from the first wiring member (11) in a direction perpendicular to the plate thickness direction of the first wiring member (11), and having an exposed surface (16) exposed on the same side as the exposed surface (16) of the first wiring member (11);
an insulating holding member (20) that is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12), holds the first wiring member (11) and the second wiring member (12), and has a protrusion (22) that protrudes from the exposed surface (16) toward the exposed surface (16) in a plate thickness direction;
an insulating sealing material (36) that covers at least the semiconductor element (2) and the mounting surfaces (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12);
The power module has an end portion of the first wiring member (11) of the holding member (20) on the mounting surface (15) side, the end portion being flush with the mounting surface (15) or being positioned closer to the exposed surface (16) than the mounting surface (15).
導電性を有する板状の部材で構成され、前記半導体素子（2）が実装された実装面（15）と、前記実装面（15）とは反対側で露出する露出面（16）と、を有する第１配線部材（11）と、
導電性を有する板状の部材で構成され、前記第１配線部材（11）に対して、前記第１配線部材（11）の板厚方向と直交する方向に間隔をあけて配置され、前記第１配線部材（11）の前記露出面（16）と同じ側で露出する露出面（16）を有する第２配線部材（12）と、
前記第１配線部材（11）と前記第２配線部材（12）との間に配置され、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）を保持し、前記露出面（16）から板厚方向の前記露出面（16）側に突出する突部（22）を有する絶縁性の保持部材（20）と、
前記半導体素子（2）と、前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）の前記実装面（15）と、を少なくとも覆う絶縁性の封止材（36）と、を備え、
前記板厚方向から見て、前記突部（22）の一部が前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）に重なり合う
パワーモジュール。 A semiconductor element (2);
a first wiring member (11) made of a conductive plate-like member, the first wiring member having a mounting surface (15) on which the semiconductor element (2) is mounted and an exposed surface (16) exposed on the side opposite to the mounting surface (15);
a second wiring member (12) made of a conductive plate-like member, arranged at an interval from the first wiring member (11) in a direction perpendicular to the plate thickness direction of the first wiring member (11), and having an exposed surface (16) exposed on the same side as the exposed surface (16) of the first wiring member (11);
an insulating holding member (20) that is disposed between the first wiring member (11) and the second wiring member (12), holds the first wiring member (11) and the second wiring member (12), and has a protrusion (22) that protrudes from the exposed surface (16) toward the exposed surface (16) in a plate thickness direction;
an insulating sealing material (36) that covers at least the semiconductor element (2) and the mounting surfaces (15) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12);
When viewed from the plate thickness direction, a part of the protrusion (22) overlaps with the first wiring member (11) and the second wiring member (12).
前記突部（22）は、前記突部（22）の先端に向かって先細な形状である
パワーモジュール。 The power module according to any one of claims 1 to 3,
The protrusion (22) has a shape tapered toward the tip of the protrusion (22).
前記第１配線部材（11）と一体に形成された接続端子（13）を備える
パワーモジュール。 The power module according to any one of claims 1 to 3,
The power module includes a connection terminal (13) formed integrally with the first wiring member (11).
前記接続端子（13）は、前記第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延び、
前記接続端子（13）における前記第１配線部材（11）の前記露出面（16）側に設けられた絶縁部材（25）を備える
パワーモジュール。 6. The power module of claim 5,
The connection terminal (13) extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11),
The power module includes an insulating member (25) provided on the connection terminal (13) on the exposed surface (16) side of the first wiring member (11).
前記接続端子（13）は、前記第１配線部材（11）の前記実装面（15）から板厚方向の前記実装面（15）側に延びた後、前記第１配線部材（11）の板厚方向に直交する方向に延びる
パワーモジュール。 6. The power module of claim 5,
The power module has a structure in which the connection terminal (13) extends from the mounting surface (15) of the first wiring member (11) toward the mounting surface (15) in a thickness direction thereof, and then extends in a direction perpendicular to the thickness direction of the first wiring member (11).
前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）を含む配線層（50）が、板厚方向に間隔をあけて複数設けられる
パワーモジュール。 6. The power module of claim 5,
The power module includes a plurality of wiring layers (50) including the first wiring member (11) and the second wiring member (12) provided at intervals in the thickness direction.
前記封止材（36）を覆うケース（30）を備える
パワーモジュール。 The power module according to any one of claims 1 to 3,
The power module includes a case (30) that covers the sealing material (36).
前記保持部材（20）の前記突部（22）に当接するように配置された放熱器（40）と、
前記第１配線部材（11）及び前記第２配線部材（12）の前記露出面（16）と、前記放熱器（40）と、の間に配置された絶縁性の熱伝導材（41）と、を備える
半導体装置。 A power module (10) according to any one of claims 1 to 3;
a radiator (40) arranged to abut on the protrusion (22) of the holding member (20);
a heat sink (40) and an insulating thermally conductive material (41) disposed between the exposed surfaces (16) of the first wiring member (11) and the second wiring member (12).
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024027716A JP7824538B2 (en) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | Power module and semiconductor device |
| PCT/JP2025/006032 WO2025182806A1 (en) | 2024-02-27 | 2025-02-21 | Power module and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024027716A JP7824538B2 (en) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | Power module and semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2025130504A JP2025130504A (en) | 2025-09-08 |
| JP7824538B2 true JP7824538B2 (en) | 2026-03-05 |
Family
ID=96920615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024027716A Active JP7824538B2 (en) | 2024-02-27 | 2024-02-27 | Power module and semiconductor device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7824538B2 (en) |
| WO (1) | WO2025182806A1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008198921A (en) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Module parts and manufacturing method thereof |
| JP2010192807A (en) | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JP2012238737A (en) | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor module and manufacturing method therefor |
| JP2023156806A (en) | 2022-04-13 | 2023-10-25 | 富士電機株式会社 | semiconductor module |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3435271B2 (en) * | 1995-11-30 | 2003-08-11 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
-
2024
- 2024-02-27 JP JP2024027716A patent/JP7824538B2/en active Active
-
2025
- 2025-02-21 WO PCT/JP2025/006032 patent/WO2025182806A1/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008198921A (en) | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Module parts and manufacturing method thereof |
| JP2010192807A (en) | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JP2012238737A (en) | 2011-05-12 | 2012-12-06 | Sanken Electric Co Ltd | Semiconductor module and manufacturing method therefor |
| JP2023156806A (en) | 2022-04-13 | 2023-10-25 | 富士電機株式会社 | semiconductor module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2025130504A (en) | 2025-09-08 |
| WO2025182806A1 (en) | 2025-09-04 |
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