JP7828187B2 - チップの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、複数のデバイスが形成されているデバイス領域を薄化し、かつ、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように凹部が形成されている裏面に、環状フレームに外周領域が貼り付いているテープの中央領域が貼り付けられているウェーハからチップを製造するチップの製造方法に関する。

ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このようなチップは、例えば、表面側に複数のデバイスが形成されているデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウェーハを、複数のデバイスの境界に沿って分割すること、すなわち、複数のデバイスを個片化することによって製造される。

このウェーハは、製造されるチップの小型化を目的として、その分割に先立って薄化されることがある。ウェーハを薄化する方法としては、例えば、ウェーハを保持する保持テーブルと、この保持テーブルの上方に設けられ、かつ、円環状に離散して配置されている複数の研削砥石を有する研削ホイールとを用いた研削が挙げられる。この研削は、一般的に、以下の順序で行われる。

まず、裏面が露出されるように保持テーブルでウェーハを保持する。次いで、研削ホイールを回転させた時の複数の研削砥石の軌跡の直下にウェーハの裏面の中心が位置付けられるように保持テーブルを移動させる。次いで、研削ホイールと保持テーブルとの双方を回転させながら、複数の研削砥石とウェーハの裏面とが接触するように研削ホイールを下降させる。これにより、ウェーハの裏面側が研削されてウェーハが薄化される。

ただし、ウェーハが薄くなるとウェーハの剛性が低くなり、ウェーハが割れやすくなる。そこで、ウェーハのデバイス領域を薄化し、かつ、外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように、ウェーハの裏面に凹部を形成する方法が提案されている。この方法においては、ウェーハの半径よりも短い外径を有する研削ホイールを用いて上述のとおりウェーハの裏面側を研削することによって、ウェーハの裏面に凹部を形成する。

さらに、このウェーハからチップを製造する際にはリング状補強部が不要になるため、複数のデバイスの個片化に先立って、リング状補強部を研削によって除去することがある。ただし、リング状補強部を研削すると、この研削によって加わる力に起因して、リング状補強部とつながっているデバイス領域が欠ける、又は、このデバイス領域にクラックが伸展して、デバイス領域に含まれるデバイスが破損するおそれがある。

この点を踏まえて、リング状補強部を研削によって除去する前に、デバイス領域の外周に沿ってウェーハを分割することによってデバイス領域とリング状補強部とを分離することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、デバイス領域に含まれるデバイスの破損を防止することが可能になる。

特開２０２１－７２３５３号公報

しかしながら、薄化されているデバイス領域の外周に沿ってウェーハを分割する場合には、この分割によって加わる力に起因して、デバイス領域に含まれるデバイスが破損するおそれがある。そのため、この分割は、デバイス領域への悪影響を避けるためにゆっくり行われる必要がある。その結果、このウェーハから製造されるチップの生産性が低くなる。

この点に鑑み、本発明の目的は、リング状補強部を除去する際のデバイスの破損を防止するとともに、ウェーハから製造されるチップの生産性を向上させることが可能なチップの製造方法を提供することである。

本発明によれば、複数のデバイスが形成されているデバイス領域を薄化し、かつ、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように凹部が形成されている裏面に、環状フレームに外周領域が貼り付いているテープの中央領域が貼り付けられているウェーハからチップを製造するチップの製造方法であって、該ウェーハを該複数のデバイスの境界に沿って加工することによって該複数のデバイスを個片化して該チップを製造する個片化ステップと、該個片化ステップの後、回転する切削ブレードを用いて該リング状補強部を除去する除去ステップと、を備え、該デバイス領域の外周に沿って該ウェーハを分割することによって該デバイス領域と該リング状補強部とを分離するための工程を備えないチップの製造方法が提供される。

好ましくは、該個片化ステップにおいては、回転する個片化用切削ブレードまたは該ウェーハに吸収される波長のレーザービームを用いて該複数のデバイスが個片化される。

本発明においては、リング状補強部を除去する除去ステップに先立って、複数のデバイスを個片化してチップを製造する個片化ステップが実施される。すなわち、本発明においては、リング状補強部と複数のデバイスのチップとが分離された状態で除去ステップが実施される。そのため、本発明においては、除去ステップにおいてリング状補強部に加わる力に起因してデバイスが破損することを防止できる。

さらに、本発明においては、ウェーハのデバイス領域とリング状補強部とを分離するための工程が実施されることなく、リング状補強部を除去するとともに複数のデバイスのチップを製造することができる。そのため、本発明においては、当該工程を含むチップの製造方法と比較して、チップの生産性を向上させることが可能である。

図１（Ａ）は、ウェーハを含むフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるフレームユニットを模式的に示す断面図である。 図２は、フレームユニットに含まれるウェーハからチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。 図３（Ａ）は、個片化ステップの一例を模式的に示す一部断面側面図であり、図３（Ｂ）は、個片化ステップの別の例を模式的に示す一部断面側面図である。 図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）のそれぞれは、除去ステップの一例を模式的に示す一部断面側面図である。 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）のそれぞれは、除去ステップの別の例を模式的に示す一部断面側面図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、ウェーハを含むフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示されるフレームユニットを模式的に示す断面図である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるフレームユニット１１は、表面１３ａが露出されているウェーハ１３を有する。

このウェーハ１３は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等の単結晶半導体材料からなる。さらに、ウェーハ１３は、複数のデバイス１５が形成されているデバイス領域１３ｂと、デバイス領域１３ｂを囲繞する外周余剰領域１３ｃとを有する。

このデバイス領域１３ｂにおいては、複数のデバイス１５の境界が格子状に設定されており、この境界に含まれる複数の直線状の部分のそれぞれは分割予定ラインとも呼ばれる。また、ウェーハ１３の裏面１３ｄには、デバイス領域１３ｂを薄化し、かつ、外周余剰領域１３ｃをリング状補強部１４として残存させるように凹部１３ｅが形成されている。

さらに、ウェーハ１３の裏面１３ｄには、凹部１３ｅにおいてウェーハ１３に隙間なく密着するように、ウェーハ１３よりも直径が大きい円板状のテープ１７の中央領域が貼り付けられている。このテープ１７は、例えば、可撓性を有するフィルム状のテープ基材と、このテープ基材のウェーハ１３側に設けられた接着層（糊層）とを有する。

そして、テープ基材は、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）又はポリスチレン（ＰＳ）等からなる。また、接着層は、紫外線硬化型のシリコーンゴム、アクリル系材料又はエポキシ系材料等からなる。

また、テープ１７の外周領域には、ウェーハ１３の直径よりも内径が大きい環状フレーム１９が貼り付けられている。この環状フレーム１９は、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼等の金属材料からなる。

図２は、フレームユニット１１に含まれるウェーハ１３からチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、ウェーハ１３を複数のデバイス１５の境界に沿って加工することによって複数のデバイス１５を個片化してチップを製造する（個片化ステップ：Ｓ１）。

図３（Ａ）は、個片化ステップ（Ｓ１）の一例を模式的に示す一部断面側面図である。端的には、図３（Ａ）においては、切削装置において、回転する切削ブレード（個片化用切削ブレード）を用いて複数のデバイス１５を個片化する様子が示されている。

なお、図３（Ａ）に示されるＸ１軸方向及びＹ１軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、Ｚ１軸方向は、Ｘ１軸方向及びＹ１軸方向のそれぞれと直交する方向（鉛直方向）である。

図３（Ａ）に示される切削装置２は、保持テーブル４を備える。この保持テーブル４は、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅの直径よりも直径が僅かに短い円板状の枠体４ａを有する。

この枠体４ａは、例えば、ステンレス等の金属材料又はセラミックスからなる。また、枠体４ａは、円板状の底壁と、この底壁の外周領域から立設する円筒状の側壁とを有する。すなわち、枠体４ａの上面側には、底壁及び側壁によって画定される円板状の凹部が形成されている。

そして、枠体４ａの上面側に形成されている凹部には、この凹部の直径と概ね等しい直径を有する円板状のポーラス板（不図示）が固定されている。このポーラス板は、例えば、多孔質セラミックスからなる。

また、保持テーブル４は、Ｘ１軸方向移動機構（不図示）と連結されている。このＸ１軸方向移動機構は、例えば、ボールねじとモータとを含む。そして、このＸ１軸方向移動機構を動作させると、保持テーブル４がＸ１軸方向に沿って移動する。

また、保持テーブル４は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持テーブル４の上面の中心を通り、かつ、Ｚ１軸方向に沿った直線を回転軸として保持テーブル４が回転する。

また、保持テーブル４のポーラス板は、枠体４ａの底壁に形成されている貫通孔を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）と連通する。そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板の上面近傍の空間に吸引力が作用する。

さらに、保持テーブル４の周りには、保持テーブル４の周方向に沿って概ね等間隔に複数のクランプ（不図示）が設けられている。複数のクランプのそれぞれは、フレームユニット１１に含まれる環状フレーム１９を把持して、保持テーブル４の上面よりも低い位置に環状フレーム１９を留めることが可能である。

そして、フレームユニット１１が切削装置２に搬入されると、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅを保持テーブル４の上部に嵌合させるようにウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル４に置かれる。

この時、フレームユニット１１の環状フレーム１９は、複数のクランプによって把持されて保持テーブル４の上面よりも低い位置に留められる。さらに、この状態で保持テーブル４のポーラス板と連通する吸引源を動作させると、ウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル４に保持される。

保持テーブル４の上方には、切削ユニット６が設けられている。この切削ユニット６は、Ｙ１軸方向に沿って延在するスピンドル６ａを備える。このスピンドル６ａの先端部には、切削ブレード６ｂが装着されている。

また、スピンドル６ａの基端部は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、Ｙ軸方向に沿った直線を回転軸としてスピンドル６ａとともに切削ブレード６ｂが回転する。

また、切削ユニット６は、Ｙ１軸方向移動機構（不図示）及びＺ１軸方向移動機構（不図示）と連結されている。Ｙ１軸方向移動機構及びＺ１軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじとモータとを含む。そして、Ｙ１軸方向移動機構及び／又はＺ１軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット６がＹ１軸方向及び／又はＺ１軸方向に沿って移動する。

切削装置２において個片化ステップ（Ｓ１）を実施する際には、まず、ウェーハ１３に形成されている複数のデバイス１５の境界に含まれる直線状の部分（分割予定ライン）がＸ１軸方向と平行になるように保持テーブル４に連結されている回転駆動源が保持テーブル４を回転させる。

次いで、Ｘ１軸方向と平行な分割予定ラインが、平面視において、切削ブレード６ｂからみてＸ１軸方向に位置付けられるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４の位置を調整し、かつ／又は、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６の位置を調整する。

次いで、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅの底面よりも低く、かつ、保持テーブル４の上面よりも高い位置に切削ブレード６ｂの下端が位置付けられるように、Ｚ１軸方向移動機構が切削ユニット６を昇降させる。

次いで、切削ブレード６ｂを回転させるように、スピンドル６ａの基端部に連結されている回転駆動源がスピンドル６ａを回転させる。次いで、切削ブレード６ｂの下端がウェーハ１３のＸ１軸方向における一端から他端までを通り過ぎるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４をＸ１軸方向の反対方向に移動させる。これにより、分割予定ラインにおいてウェーハ１３が切削されて分割される。

換言すると、ウェーハ１３を貫通し、底面においてテープ１７が露出する溝１１ａがフレームユニット１１に形成される。さらに、複数のデバイス１５の境界の全てにおいてウェーハ１３が分割されるまで上述した工程を繰り返す。以上によって、個片化ステップ（Ｓ１）が完了する。

なお、個片化ステップ（Ｓ１）の具体例は上述した内容に限定されない。図３（Ｂ）は、個片化ステップ（Ｓ１）の別の例を模式的に示す一部断面側面図である。端的には、図３（Ｂ）においては、レーザー加工装置において、ウェーハ１３に吸収される波長のレーザービームを用いて複数のデバイス１５を個片化する様子が示されている。

なお、図３（Ｂ）に示されるＸ２軸方向及びＹ２軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、Ｚ２軸方向は、Ｘ２軸方向及びＹ２軸方向のそれぞれと直交する方向（鉛直方向）である。

図３（Ｂ）に示されるレーザー加工装置８は、保持テーブル１０を備える。この保持テーブル１０は、図３（Ａ）に示される保持テーブル４と同様の構造を有する。すなわち、保持テーブル１０は、円板状の枠体１０ａと、枠体４ａの上面側に形成されている凹部に固定されている円板状のポーラス板とを含む。

また、保持テーブル１０は、Ｘ２軸方向移動機構（不図示）及びＹ２軸方向移動機構（不図示）と連結されている。Ｘ２軸方向移動機構及びＹ２軸方向移動機構のそれぞれは、例えば、ボールねじとモータとを含む。そして、Ｘ２軸方向移動機構及び／又はＹ２軸方向移動機構を動作させると、保持テーブル４がＸ２軸方向及び／又はＹ２軸方向に沿って移動する。

また、保持テーブル１０は、モータ等の回転駆動源（不図示）と連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持テーブル１０の上面の中心を通り、かつ、Ｚ２軸方向に沿った直線を回転軸として保持テーブル１０が回転する。

また、保持テーブル１０のポーラス板は、枠体１０ａの底壁に形成されている貫通孔を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）と連通する。そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板の上面近傍の空間に吸引力が作用する。

さらに、保持テーブル１０の周りには、保持テーブル１０の周方向に沿って概ね等間隔に複数のクランプ（不図示）が設けられている。複数のクランプのそれぞれは、フレームユニット１１に含まれる環状フレーム１９を把持して、保持テーブル１０の上面よりも低い位置に環状フレーム１９を留めることが可能である。

そして、フレームユニット１１が切削装置２に搬入されると、ウェーハ１３の裏面１３ｄに形成されている凹部１３ｅを保持テーブル１０の上部に嵌合させるようにウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル１０に置かれる。

この時、フレームユニット１１の環状フレーム１９は、複数のクランプによって把持されて保持テーブル１０の上面よりも低い位置に留められる。さらに、この状態で保持テーブル４のポーラス板と連通する吸引源を動作させると、ウェーハ１３がテープ１７を介して保持テーブル１０に保持される。

保持テーブル１０の上方には、レーザービーム照射ユニットのヘッド１２が設けられている。このヘッド１２は、集光レンズ及びミラー等の光学系を収容する。また、ヘッド１２は、Ｚ２軸方向移動機構（不図示）に連結されている。このＺ２軸方向移動機構は、例えば、ボールねじ及びモータ等を有する。そして、Ｚ２軸方向移動機構を動作させると、ヘッド１２がＺ２軸方向に沿って移動する。

また、レーザービーム照射ユニットは、ウェーハ１３に吸収される波長（例えば、３６５ｎｍ）のレーザービームを生成するレーザー発振器（不図示）を有する。このレーザー発振器は、例えば、レーザー媒質としてＮｄ：ＹＡＧ等を有する。そして、レーザー発振器でレーザービームＬＢが生成されると、ヘッド１２に収容された光学系を介して、レーザービームＬＢがヘッド１２から保持テーブル１０側に照射される。

レーザー加工装置８において個片化ステップ（Ｓ１）を実施する際には、まず、ウェーハ１３に形成されている複数のデバイス１５の境界に含まれる直線状の部分（分割予定ライン）がＸ２軸方向と平行になるように保持テーブル１０に連結されている回転駆動源が保持テーブル１０を回転させる。

次いで、Ｘ２軸方向と平行な分割予定ラインが、平面視において、ヘッド１２の中心からみてＸ２軸方向に位置付けられるように、Ｙ２軸方向移動機構がヘッド１２の位置を調整する。次いで、ヘッド１２から照射されるレーザービームＬＢの集光点がウェーハ１３の表面１３ａと概ね等しい高さに位置付けられるように、Ｚ２軸方向移動機構がヘッド１２を昇降させる。

次いで、ヘッド１２からウェーハ１３に向けてレーザービームＬＢを照射しながら、レーザービームＬＢがウェーハ１３のＸ２軸方向における一端から他端までを通り過ぎるように、Ｘ２軸方向移動機構が保持テーブル１０をＸ２軸方向の反対方向に移動させる。これにより、分割予定ラインにおいてレーザーアブレーションが生じてウェーハ１３が分割される。

換言すると、ウェーハ１３を貫通し、底面においてテープ１７が露出する溝１１ａがフレームユニット１１に形成される。さらに、複数のデバイス１５の境界の全てにおいてウェーハ１３が分割されるまで上述した工程を繰り返す。以上によって、個片化ステップ（Ｓ１）が完了する。

上述したように個片化ステップ（Ｓ１）が実施されると、ウェーハ１３のリング状補強部１４が複数のデバイス１５のチップから分離される。そして、図２に示される方法においては、個片化ステップ（Ｓ１）の後、回転する切削ブレードを用いてリング状補強部１４を除去する（除去ステップ：Ｓ２）。

図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）のそれぞれは、除去ステップ（Ｓ２）の一例を模式的に示す一部断面側面図である。端的には、図４（Ａ）、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）においては、回転する切削ブレード（除去用切削ブレード）の外周面をリング状補強部１４の上面に接触させることによってリング状補強部１４を除去する様子が示されている。

この除去ステップ（Ｓ２）は、例えば、図３（Ａ）に示される切削装置２において実施される。なお、切削装置２においては、除去ステップ（Ｓ２）の実施に先立って、スピンドル６ａの先端部に切削ブレード（個片化用切削ブレード）６ｂに換えて切削ブレード（除去用切削ブレード）６ｃが装着されている。

この切削ブレード６ｃは、切削ブレード６ｂよりも刃厚（Ｙ１軸方向に沿った幅）が大きい。例えば、切削ブレード６ｃの刃厚は、ウェーハ１３の径方向に沿ったリング状補強部１４の幅よりも僅かに大きい。

切削装置２において除去ステップ（Ｓ２）を実施する際には、まず、リング状補強部１４のＹ１軸方向における一端の上方に切削ブレード６ｃを位置付けるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４の位置を調整し、かつ／又は、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６の位置を調整する（図４（Ａ）参照）。

次いで、切削ブレード６ｃを回転させるように、スピンドル６ａの基端部に連結されている回転駆動源がスピンドル６ａを回転させる。次いで、切削ブレード６ｃを回転させたまま、切削ブレード６ｃの外周面がテープ１７に接触するまで、Ｚ１軸方向移動機構が切削ユニット６を下降させる（図４（Ｂ）参照）。

これにより、切削ブレード６ｃがリング状補強部１４に切り込んで、リング状補強部１４のＹ１軸方向における一端が除去される。次いで、切削ブレード６ｃを回転させたまま、フレームユニット１１を少なくとも一回転させるように、保持テーブル４に連結されている回転駆動源が保持テーブル４を回転させる（図４（Ｃ）参照）。

これにより、リング状補強部１４の全部が除去される。なお、除去ステップ（Ｓ２）の具体例は上述した内容に限定されない。例えば、除去ステップ（Ｓ２）においては、保持テーブル４を回転させながら、切削ブレード６ｃをリング状補強部１４に切り込ませてもよい。

また、除去ステップ（Ｓ２）においては、回転する切削ブレード６ｃを用いた研削によってリング状補強部１４を除去してもよい。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）のそれぞれは、このような除去ステップ（Ｓ２）の一例を模式的に示す一部断面側面図である。

このように除去ステップ（Ｓ２）を実施する際には、まず、切削ブレード６ｃが、平面視において、リング状補強部１４のＹ１軸方向における一端からみてＹ１軸方向に位置付けられるように、Ｘ１軸方向移動機構が保持テーブル４の位置を調整し、かつ／又は、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６の位置を調整する。

次いで、切削ブレード６ｃの下端がリング状補強部１４の下面と概ね等しい高さに位置付けられるように、Ｚ１軸方向移動機構が切削ユニット６を昇降させる（図５（Ａ）参照）。次いで、切削ブレード６ｃ及びフレームユニット１１の双方を回転させるように、スピンドル６ａの基端部に連結されている回転駆動源がスピンドル６ａを回転させ、かつ、保持テーブル４に連結されている回転駆動源が保持テーブル４を回転させる。

次いで、切削ブレード６ｃ及びフレームユニット１１の双方を回転させたまま、切削ブレード６ｃの側面がテープ１７に接触するまで、Ｙ１軸方向移動機構が切削ユニット６を保持テーブル４に接近させる（図５（Ｂ）参照）。これにより、リング状補強部１４の全部が切削ブレード６ｃによって研削されて除去される。

図２に示されるチップの製造方法においては、リング状補強部１４を除去する除去ステップ（Ｓ２）に先立って、複数のデバイス１５を個片化してチップを製造する個片化ステップ（Ｓ１）が実施される。すなわち、この方法においては、リング状補強部１４と複数のデバイス１５のチップとが分離された状態で除去ステップ（Ｓ２）が実施される。そのため、この方法においては、除去ステップ（Ｓ２）においてリング状補強部１４に加わる力に起因してデバイス１５が破損することを防止できる。

さらに、この方法においては、ウェーハ１３のデバイス領域１３ｂとリング状補強部１４とを分離するための工程が実施されることなく、リング状補強部１４を除去するとともに複数のデバイス１５のチップを製造することができる。そのため、この方法においては、当該工程を含むチップの製造方法と比較して、チップの生産性を向上させることが可能である。

その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

２ ：切削装置
４ ：保持テーブル（４ａ：枠体）
６ ：切削ユニット６（６ａ：スピンドル、６ｂ，６ｃ：切削ブレード）
８ ：レーザー加工装置
１０：保持テーブル（１０ａ：枠体）
１１：フレームユニット（１１ａ：溝）
１２：ヘッド
１３：ウェーハ（１３ａ：表面、１３ｂ：デバイス領域、１３ｃ：外周余剰領域）
（１３ｄ：裏面、１３ｅ：凹部）
１４：リング状補強部
１５：デバイス
１７：テープ
１９：環状フレーム

Claims (2)

1. 複数のデバイスが形成されているデバイス領域を薄化し、かつ、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域をリング状補強部として残存させるように凹部が形成されている裏面に、環状フレームに外周領域が貼り付いているテープの中央領域が貼り付けられているウェーハからチップを製造するチップの製造方法であって、
   該ウェーハを該複数のデバイスの境界に沿って加工することによって該複数のデバイスを個片化して該チップを製造する個片化ステップと、
   該個片化ステップの後、回転する切削ブレードを用いて該リング状補強部を除去する除去ステップと、を備え、
   該デバイス領域の外周に沿って該ウェーハを分割することによって該デバイス領域と該リング状補強部とを分離するための工程を備えないチップの製造方法。
2. 該個片化ステップにおいては、回転する個片化用切削ブレードまたは該ウェーハに吸収される波長のレーザービームを用いて該複数のデバイスが個片化される請求項１に記載のチップの製造方法。