JP7828351B2 - リソグラフィ装置のための新しいインターフェイス定義 - Google Patents

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２１年２月２５日に出願された欧州特許出願公開第２１１５９２０１．９号及び２０２１年３月１６日に出願された欧州特許出願公開第２１１６２８７１．４号の優先権を主張するものであり、同欧州特許出願の全体が参照により本明細書に組み込まれる。

[0002] 本発明は、制御インターフェイスに関し、詳細には、スキャン（露光）動作の際にリソグラフィ装置を制御するための制御プロファイルを表現するための対応する基底関数に関連する制御インターフェイスパラメータに関する。

[0003] リソグラフィ装置とは、基板上、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを施す機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用され得る。この場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスが使用され得る。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの部分、１つのダイ、又は複数のダイを含み、ターゲット部分は、しばしば「フィールド」又は「露光フィールド」と呼ばれる）上に転写され得る。パターンの転写は、典型的には、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上への結像による。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成された隣接するターゲット部分のネットワークを含む。各ターゲット部分が、典型的には、リソグラフィ装置によってスキャン方式で露光される（例えば、露光の際、１回のスキャン動作において１つの完全な露光フィールドが露光されるように、レチクル及び基板が移動される）。

[0004] リソグラフィプロセスでは、リソグラフィ装置のアクチュエータを制御することが重要であり、特に、基板ステージの位置と、スキャン動作の際にターゲット部分にパターンを転写するのに使用される投影レンズの結像特性とを制御することが重要である。例えば、オーバーレイを制御できるようにするために、最先端のリソグラフィ装置には、フィールドにわたる所望のパラメータ（典型的には、パターンのオーバーレイ又は位置決め）分布の多項式定義に基づく制御インターフェイスが設けられている。このような多項式定義の周知の例は、いわゆるｋパラメータベースのインターフェイスであり、各ｋパラメータは、特定の幾何学的変形（例えば、拡大、ピンクッションなど）に関連する多項式の結合に対応する。最新のリソグラフィ装置は、より高解像度（例えば、より小さな空間スケール）における制御がますます可能になってきているため、最新のリソグラフィ装置の制御インターフェイス定義も、このより高解像度での制御に適応させる必要があった。これまで、このことは、強化された制御能力に対応できるように、ますます高次の多項式の項を組み込むことにより実現されていた。例えば、使用可能なｋパラメータの一セットは、過去１０年間で大幅に拡張されてきた。しかしながら、高次（ＨＯ）多項式を使用することには制御において明らかな欠点があり、これらのＨＯ多項式を用いてパラメータデータを表現又はフィッティング（オーバーレイ）する場合、フィールドのエッジにおけるパラメータの値が不安定になる（ブローアップする）ことがあり、これは、「ルンゲ効果」としばしば呼ばれる効果である。

[0005] 本発明の目的は、高解像度（例えば、小さな空間スケール）においてパラメータデータを表現すると同時に、パラメータデータが分布するフィールドのエッジにおける不安定な挙動の影響を受けにくくするのにより良好に適合した制御インターフェイス定義を提供することである。

[0006] 本発明の第１の態様によれば、基板上の露光フィールドのスキャン露光の際にリソグラフィ装置を制御するための制御パラメータデータを表現するための方法であって、本方法が、周期基底関数の一セットを取得することであって、周期基底関数の一セットのうちの各基底関数が、異なる周波数と、リソグラフィ装置が制御される必要がある露光フィールドに関連する寸法よりも小さい周期とを有する、取得することと、制御パラメータデータを取得することと、周期基底関数の一セットを用いて制御パラメータデータの表現を決定することとを含む、方法が提供される。

[0007] すべての周期がフィールドの寸法よりも小さい状態で、異なる周期及び／又は周波数を有する周期関数を用いて制御パラメータデータを表現することにより、ルンゲ効果の影響を受けにくい高解像度の制御インターフェイスが提供される。

[0008] 任意選択で、制御パラメータデータの表現が、リソグラフィ装置を設定又は制御するために更に使用され得る。

[0009] 好ましくは、本方法は、多項式基底関数の一セットを取得することであって、各多項式基底関数が、制御パラメータデータを表現するのに必要とされるよりも低い次数を有する、取得することと、制御パラメータデータの表現を決定する際に、周期基底関数の一セットと共に多項式基底関数の一セットを更に使用することとを更に含む。

[0010] 好ましくは、周期基底関数の一セットがすべて、基板の露光フィールドにわたって定義された正弦関数に基づく。

[0011] 好ましくは、周期基底関数の一セットが、基板上の露光フィールドの第１の座標（Ｘ）及び第２の座標（Ｙ）で２次元関数として定義される。

[0012] 好ましくは、多項式基底関数の一セットが、ｋパラメータに関連する多項式の結合に関連する。

[0013] 好ましくは、周期基底関数の一セットが、第１の座標における露光フィールドの寸法の半分である第１の座標における周期と、第２の座標における露光フィールドの寸法の４０％である第２の座標における周期とを有する少なくとも第１の正弦関数を含む。

[0014] 好ましくは、周期基底関数の一セットが、第１の座標における露光フィールドの寸法の４分の１である第１の座標における周期と、第２の座標における露光フィールドの寸法の約３０％である第２の座標における周期とを有する少なくとも第２の正弦関数を含む。

[0015] 好ましくは、多項式基底関数の一セットが、第１の座標において４の最大次数を有し、第２の座標において５の最大次数を有する。

[0016] 好ましくは、第１の座標に関連する周期基底関数及び多項式基底関数の結合セットｆ（ｘ）が、次式によって表現され、
ｆ（ｘ）＝ｃ_０＋ｃ_１ｘ^１＋ｃ_２ｘ^２＋ｃ_３ｘ^３＋ｃ_４ｘ^４－ｃ_５ｓｉｎ（２π（１－ｘ））－ｃ_６ｓｉｎ（２．５π（１－ｘ））－ｃ_７ｓｉｎ（３π（１－ｘ））－ｃ_８ｓｉｎ（３．５π（１－ｘ））－ｃ_９ｓｉｎ（４π（１－ｘ））
上式で、ｃ_０～ｃ_９が、第１の座標に関連する制御インターフェイスパラメータである。

好ましくは、第２の座標に関連する周期基底関数及び多項式基底関数の結合セットｆ（ｙ）が、次式によって表現され、
ｆ（ｙ）＝ｃ’_０＋ｃ’_１ｙ^１＋ｃ’_２ｙ^２＋ｃ’_３ｙ^３＋ｃ’_４ｙ^４＋ｃ’_５ｙ^５－ｃ’_６ｓｉｎ（２．５π（１－ｙ））－ －ｃ’_７ｓｉｎ（３π（１－ｙ））－ｃ’_８ｓｉｎ（３．５π（１－ｘ））
上式で、ｃ’_０～ｃ’_８が、第２の座標に関連する制御インターフェイスパラメータである。

[0017] 本発明の第２の態様によれば、第１の態様の方法にしたがって制御パラメータデータを表現することと、次いで、制御パラメータデータの表現を用いて、基板の露光フィールドをパターニングする際にリソグラフィ装置を制御することとを含むデバイス製造方法が提供される。

[0018] 本発明の第３の態様によれば、コンピューティングシステムによって実行されると、コンピューティングシステムに第１の態様の方法を実行させるコンピュータプログラムが提供される。

[0019] 本発明の第４の態様によれば、コンピューティングシステムによって実行されると、コンピューティングシステムに第１の態様の方法を実行させる命令を担持するコンピュータ可読媒体が提供される。

[0020] 本発明の第５の態様によれば、第１の態様の方法を実施するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。

[0021] ここで、添付の図面を参照しながら、単なる例として本発明の実施形態を説明する。

半導体デバイスの生産設備を形成する他の装置と共にリソグラフィ装置を示す。 制御パラメータデータの表現を示す。 一実施形態による制御パラメータ表現に関連する値の例示的なマトリクスを示す。

[0022] 本発明の実施形態を詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。

[0023] 図１は、半導体製造設備の典型的なレイアウトを示している。リソグラフィ装置１００は、所望のパターンを基板上に施す。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用される。この場合、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスＭＡが、ＩＣの個々の層上に形成されるフィーチャの回路パターン（しばしば「プロダクトフィーチャ」と呼ばれる）を備える。このパターンは、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）の層上へのパターニングデバイスの露光１０４を介して基板「Ｗ」（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの部分、１つのダイ、又は複数のダイを含む）上に転写される。一般に、単一の基板は、連続してパターン形成された隣接するターゲット部分のネットワークを含む。

[0024] 既知のリソグラフィ装置は、パターニングデバイスの結像部分に基板のターゲット部分を同期的に位置決めしながらパターニングデバイスを照らすことによって、各ターゲット部分を照射する。基板の照射されたターゲット部分は、「露光フィールド」又は単に「フィールド」と呼ばれる。基板上でのフィールドのレイアウトは、典型的には、２次元デカルト座標系にしたがってアライメントされた（例えば、互いに直交するＸ軸及びＹ軸に沿ってアライメントされた）隣接する矩形のネットワークである。

[0025] リソグラフィ装置に要求されるのは、基板上に所望のパターンを正確に再現することである。適用されるプロダクトフィーチャ位置及び寸法は、一定の公差内となる必要がある。オーバーレイエラー（しばしば「オーバーレイ」と呼ばれる）に起因して、位置誤差が発生することがある。オーバーレイは、第２のレイヤ内にある第２のプロダクトフィーチャに対して、第１のレイヤ内に第１のプロダクトフィーチャを配置する際のエラーである。リソグラフィ装置は、パターニングの前に各ウェーハを基準に対して正確にアライメントすることにより、オーバーレイエラーを最小化する。このことは、基板に施されたアライメントマークの位置を測定することによって行われる。オーバーレイエラーの発生を防ぐために、基板位置は、パターニングプロセスの際にアライメントの測定値に基づいて制御される。

[0026] 露光１０４に関連する印加線量が仕様内ではない場合、プロダクトフィーチャのクリティカルディメンジョン（ＣＤ）におけるエラーが発生し得る。この理由により、リソグラフィ装置１００は、基板に印加される放射線の線量を正確に制御できなければならない。ＣＤエラーはまた、パターン像に関連する焦点面に対して基板が正しく位置決めされていない場合にも発生し得る。焦点位置誤差は、一般に、基板表面の非平面性に関連する。リソグラフィ装置は、パターニングの前にレベルセンサを用いて基板の表面トポグラフィを測定することによって、これらの焦点位置誤差を最小化する。その後のパターニングにおいて基板の高さ補正が適用されて、パターニングデバイスの基板上への正確な結像（合焦）を確実にする。

[0027] リソグラフィプロセスに関連するオーバーレイエラー及びＣＤエラーを検証するために、パターン形成された基板は計測装置１４０によって検査される。計測装置の一般的な例はスキャトロメータである。スキャトロメータは、従来、専用のメトロロジターゲットの特性を測定する。これらのメトロロジターゲットは、正確な測定を可能にするために典型的には寸法がより大きいことを除き、プロダクトフィーチャを表す。スキャトロメータは、オーバーレイメトロロジターゲットに関連する回折パターンの非対称性を検出することによってオーバーレイを測定する。クリティカルディメンジョンは、ＣＤメトロロジターゲットに関連する回折パターンの解析によって測定される。計測ツールの別の例は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの電子ビーム（Ｅビーム）ベースの検査ツールである。

[0028] 半導体製造設備内において、リソグラフィ装置１００及び計測装置１４０は「リソセル」又は「リソクラスタ」の一部を形成する。リソクラスタはまた、感光性レジストを基板Ｗに塗布するためのコーティング装置１０８、ベーキング装置１１０、露光されたパターンを物理的レジストパターンに現像するための現像装置１１２、エッチングステーション１２２、エッチング後のアニール工程を行う装置１２４、及び場合により更なる処理装置１２６などを備える。計測装置は、現像（１１２）後又は更なる処理（例えば、エッチング）後に基板を検査するように構成される。リソセル内の様々な装置は監視制御システムＳＣＳによって制御され、ＳＣＳは、レシピＲを実行するために、リソグラフィ装置制御ユニットＬＡＣＵ１０６を介してリソグラフィ装置を制御するための制御信号１６６（図１においてＳＣＳから出ている矢印によって示す）を発行する。ＳＣＳによって、様々な装置を動作させることができ、最大のスループット及び製品歩留まりが得られる。重要な制御メカニズムは、（ＳＣＳを介した）様々な装置、特にリソグラフィ装置１００への計測装置１４０のフィードバック１４６である。メトロロジフィードバックの特性に基づいて、後続の基板の処理品質を改善するための是正措置が決定される。

[0029] リソグラフィ装置の性能は、従来、例えば米国特許出願公開第２０１２／００８１２７Ａ１号に記載されているアドバンスト・プロセス・コントロール（ＡＰＣ）などの方法によって制御され、修正される。アドバンスト・プロセス・コントロール技法は、基板に施されたメトロロジターゲットの測定値を使用する。製造実行システム（ＭＥＳ）がＡＰＣ測定をスケジュールし、測定結果をデータプロセッシングユニットに伝える。データプロセッシングユニットは、測定データの特性をリソグラフィ装置のための命令を含むレシピに変換する。本方法は、リソグラフィ装置に付随するドリフト現象の抑制に非常に効果的である。

[0030] ＡＰＣプロセスは、フィードバックループにおいて補正を適用する。ＡＰＣ補正は、ロット内の各基板、すなわちウェーハのフィールドごとに定義されたｋパラメータのセットである。ｋパラメータは、各基板のフィールドにわたる結像のディストーションをパラメータ化する多項式基底関数に関連する。例えば、各ｋパラメータは、スケーリングエラー、樽型ディストーション、ピンクッション型ディストーションなどのうちの１つ以上のような特定の像歪み成分を記述し得る。

[0031] ｋパラメータはまた、ディストーションを補正するためのリソグラフィシステム（スキャナ）への入力としても使用される。したがって、
Ｗａｆｅｒ＿１（ｆｉｅｌｄ＿１：ｋ１～ｋｎ、ｆｉｅｌｄ＿２：ｋ１～ｋｎなど），Ｗａｆｅｒ＿２（ｆｉｅｌｄ＿１：ｋ１～ｋｎ、ｆｉｅｌｄ＿２：ｋ１～ｋｎなど）などである。

[0032] 各ｋパラメータは、スキャナの制御インターフェイスに伝えられ、その後、スキャナの関連部分（例えば、レンズ、ウェーハステージ、レチクルステージ）の制御／設定に使用される。

[0033] 既知のシステムでは、制御インターフェイスは、制御パラメータデータ（オーバーレイデータ及びアライメントデータなど）の多項式基底関数ベースの表現に純粋に基づく。しかしながら、高頻度制御パラメータデータでは、（非常に）高次の多項式基底関数（例えば、フィールドにわたって５超の次数を有するもの）を使用する必要があり、データが入手可能ではない位置において制御パラメータデータの基底関数表現が大きく発振することにつながる。この発振挙動はしばしば「ルンゲ効果」と呼ばれ、小さな空間スケール（高解像度）でデータを表現するために高次の多項式基底関数を使用することを妨げる。

[0034] このような場合、周期基底関数を利用することが有益であることが分かった。すべてがフィールドの寸法よりも小さい状態で、異なる周期を有する周期関数を用いて制御パラメータデータを表現することにより、ルンゲ効果の影響を受けにくい高解像度の制御インターフェイスが提供される。

[0035] ますます高くなる解像度の制御インターフェイス要件に対応できるようにますます高次の多項式基底関数を用いる代わりに、周期基底関数は、低次の多項式基底関数と組み合わされて、制御パラメータデータを表現することが好ましい。

[0036] 典型的には、多項式基底関数及び周期基底関数の両方とも、フィールドの寸法に関連するＸ座標及びＹ座標の関数である。フィールドの寸法は通常Ｘ及びＹで異なり、リソグラフィ装置の制御特性も２つの座標で異なる。後者の観点から、利用される周期基底関数及び多項式基底関数は、Ｘ座標及び対応するＹ座標に関して異なる周期／周波数及び多項式次数を有し得る。例えば、最大次数はＸにおいて４であり、Ｙにおいて５であり、周期基底関数の周期に関連する周期の数はＸにおいて２～４、Ｙにおいて３～５で変わり得る。当然のことながら、多項式の最大次数及び最小次数並びに周期／周波数の正確な設定は、リソグラフィ装置のフィールド寸法及び／又は制御特性に合わせられ得る。

[0037] 図２では、本発明の実施形態の一例が示されている。ディストーション制御パラメータ「ｄｉｓｔｏ」データセットが得られ、「ｄｉｓｔｏ」パラメータは、ｘ座標（リソグラフィ装置によって基板に投影されたスリットに平行である）の関数として測定される。（ｋパラメータに関連する）高次の多項式基底関数を使用した「ｄｉｓｔｏ」パラメータの従来表現が曲線２０１によって示されており、測定ポイント間の発振挙動を明確に見ることができる。曲線２０２は、周期（正弦）基底関数及び多項式（低次）基底関数の結合セットを使用した場合の「ｄｉｓｔｏ」パラメータの得られた表現を示している。明らかに、表現２０２は測定点に非常によく追従しながらも、いかなる発振挙動（ルンゲ効果）も示していない。

[0038] 一実施形態では、リソグラフィ装置を制御するための制御パラメータデータを表現するための方法であって、本方法が、周期基底関数の一セットを取得することであって、周期基底関数の一セットのうちの各基底関数が、異なる周波数と、リソグラフィ装置が制御される必要がある基板の露光フィールドに関連する寸法よりも小さい周期とを有する、取得することと、制御パラメータデータを取得することと、周期基底関数の一セットを用いて制御パラメータデータの表現を決定することとを含む、方法が提供される。

[0039] 周期がフィールドの寸法よりも小さい状態で、異なる周期及び／又は周波数を有する周期関数を用いて制御パラメータデータを表現することにより、ルンゲ効果の影響を受けにくい高解像度の制御インターフェイスが提供される。

[0040] 一実施形態では、制御パラメータデータの表現は、例えば、制御パラメータデータを正確に表現するために、周期基底関数及び多項式基底関数の一セットのそれぞれが乗算される必要がある係数を含む制御レシピを生成することによって、リソグラフィ装置を設定又は制御するために更に使用され得る。

[0041] 一実施形態では、本方法は、多項式基底関数の一セットを取得することであって、各多項式基底関数が、制御パラメータデータを表現するのに必要とされるよりも低い次数を有する、取得することと、制御パラメータデータの表現を決定する際に、周期基底関数の一セットと共に多項式基底関数の一セットを更に使用することとを更に含む。

[0042] 一実施形態では、周期基底関数の一セットがすべて、基板の露光フィールドにわたって定義された正弦関数に基づく。

[0043] 一実施形態では、多項式基底関数の一セットが、ｋパラメータに関連する多項式の結合に関連する。

[0044] 図３では、本発明の実施形態による制御インターフェイスに関連する値のマトリクスの例が示されている。例えば、制御パラメータは、Ｘ方向又はＹ方向においてオーバーレイされてもよく、各制御パラメータは、制御パラメータデータを表現するために使用される周期及び多項式ベースの関数の対応するセットと関連する独自の制御インターフェイスパラメータを有する。図３は、オーバーレイＸについては、多項式基底関数の一セットはＸ座標において４次、Ｙ座標において５次であり、周期基底関数は、Ｘ座標において１フィールドあたり２～４サイクル、Ｙ座標において１フィールドあたり２．５～３．５サイクルの繰り返し周波数を有することを示している。オーバーレイＹ座標については、Ｘ方向（スリット方向）と比較してＹ方向（スキャン方向）におけるリソグラフィ装置の異なるフィールド寸法及び／又は制御特性に合わせて、周期基底関数の定義に関して別の制御インターフェイスのパラメータ化が選択される。

[0045] 一実施形態では、周期基底関数の一セットが、基板上の露光フィールドの第１の座標（Ｘ）及び第２の座標（Ｙ）で２次元関数として定義される。

[0046] 一実施形態では、周期基底関数の一セットが、第１の座標における露光フィールドの寸法の半分である第１の座標における周期と、第２の座標における露光フィールドの寸法の４０％である第２の座標における周期とを有する少なくとも第１の正弦関数を含む。

[0047] 一実施形態では、周期基底関数の一セットが、第１の座標における露光フィールドの寸法の４分の１である第１の座標における周期と、第２の座標における露光フィールドの寸法の約３０％である第２の座標における周期とを有する少なくとも第２の正弦関数を含む。

[0048] 一実施形態では、多項式基底関数の一セットが、第１の座標において４の最大次数を有し、第２の座標において５の最大次数を有する。

[0049] 一実施形態では、第１の座標に関連する周期基底関数及び多項式基底関数の結合セットｆ（ｘ）が、次式によって表現され、
ｆ（ｘ）＝ｃ_０＋ｃ_１ｘ^１＋ｃ_２ｘ^２＋ｃ_３ｘ^３＋ｃ_４ｘ^４－ｃ_５ｓｉｎ（２π（１－ｘ））－ｃ_６ｓｉｎ（２．５π（１－ｘ））－ｃ_７ｓｉｎ（３π（１－ｘ））－ｃ_８ｓｉｎ（３．５π（１－ｘ））－ｃ_９ｓｉｎ（４π（１－ｘ））
上式で、ｃ_０～ｃ_９が、第１の座標に関連する制御インターフェイスパラメータである。第１の座標「ｘ」は、第１の座標に沿ったフィールドの全寸法にわたって［－１，１］の範囲に正規化される。

[0050] 一実施形態では、第２の座標に関連する周期基底関数及び多項式基底関数の結合セットｆ（ｙ）が、次式によって表現され、
ｆ（ｙ）＝ｃ’_０＋ｃ’_１ｙ^１＋ｃ’_２ｙ^２＋ｃ’_３ｙ^３＋ｃ’_４ｙ^４＋ｃ’_５ｙ^５－ｃ’_６ｓｉｎ（２．５π（１－ｙ））－ －ｃ’_７ｓｉｎ（３π（１－ｙ））－ｃ’_８ｓｉｎ（３．５π（１－ｘ））
上式で、ｃ’_０～ｃ’_８が、第２の座標に関連する制御インターフェイスパラメータである。第２の座標「ｙ」は、第２の座標に沿ったフィールドの全寸法にわたって［－１，１］の範囲に正規化される。

[0051] 典型的には、第１の座標「ｘ」はリソグラフィ装置によって行われるスキャンの方向に垂直な方向に関連し、第２の座標「ｙ」はスキャンの方向に関連する。

[0052] 一実施形態では、先行する実施形態の何れか１つに記載の方法にしたがって制御パラメータデータを表現することと、次いで、制御パラメータデータの表現を用いて基板の露光フィールドをパターニングする際にリソグラフィ装置を制御することとを含むデバイス製造方法が提供される。

[0053] 一実施形態では、コンピューティングシステムによって実行されると、コンピューティングシステムに先行する実施形態の何れか１つに記載の方法を実行させるコンピュータプログラムが提供される。

[0054] 一実施形態では、コンピューティングシステムによって実行されると、コンピューティングシステムに先行する実施形態の何れか１つに記載の方法を実行させる命令を担持するコンピュータ可読媒体が提供される。

[0055] 一実施形態では、先行する実施形態の何れか１つに記載の方法を実施するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。

[0056] 本明細書で使用される「放射線」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有するもの）及び極端紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、１～１００ｎｍの範囲の波長を有するもの）、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む、あらゆるタイプの電磁放射線を包含する。スキャトロメータ及び他の検査装置の実装は、適切な光源を使用してＵＶ波長及びＥＵＶ波長においてなすことができ、本開示は、ＩＲ及び可視放射線を使用するシステムに決して限定されるものではない。

[0057] 「レンズ」という用語は、文脈上当てはまる限り、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電の光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの何れか１つ又は組み合わせを指し得る。ＵＶ及び／又はＥＵＶ範囲で動作する装置では、反射コンポーネントが使用される可能性がある。

[0058] 本発明の広さ及び範囲は、上記の例示的な実施形態の何れによっても限定されないが、以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物にのみしたがって定義される。

Claims (15)

1. 基板上の露光フィールドのスキャン露光の際にリソグラフィ装置を制御するための制御パラメータデータを表現するための方法であって、前記方法が、
   周期基底関数の一セットを取得することであって、周期基底関数の前記一セットのうちの各基底関数が、異なる周波数と、前記リソグラフィ装置が制御される必要がある前記露光フィールドに関連する寸法よりも小さい周期とを有する、取得することと、
   前記制御パラメータデータを取得することと、
   周期基底関数の前記一セットを用いて前記制御パラメータデータの表現を決定することと
   を含む、方法。
2. 前記制御パラメータデータの前記表現が、前記リソグラフィ装置を設定又は制御するために更に使用される、請求項１に記載の方法。
3. 多項式基底関数の一セットを取得することであって、各多項式基底関数が、前記制御パラメータデータを表現するのに必要とされるよりも低い次数を有する、取得することと、前記制御パラメータデータの前記表現を決定する際に、周期基底関数の前記一セットと共に多項式基底関数の前記一セットを更に使用することとを更に含む、請求項１に記載の方法。
4. 周期基底関数の前記一セットがすべて、前記露光フィールドにわたって定義された正弦関数に基づく、請求項１に記載の方法。
5. 周期基底関数の前記一セットが、前記基板上の前記露光フィールドの第１の座標（Ｘ）及び第２の座標（Ｙ）で２次元関数として定義される、請求項１に記載の方法。
6. 多項式基底関数の前記一セットがｋパラメータに関連する、請求項３に記載の方法。
7. 周期基底関数の前記一セットが、前記第１の座標における前記露光フィールドの前記寸法の２分の１である前記第１の座標における周期と、前記第２の座標における前記露光フィールドの前記寸法の４０％である前記第２の座標における周期とを有する少なくとも第１の正弦関数を含む、請求項５に記載の方法。
8. 周期基底関数の前記一セットが、前記第１の座標における前記露光フィールドの前記寸法の４分の１である前記第１の座標における周期と、前記第２の座標における前記露光フィールドの前記寸法の約３０％である前記第２の座標における周期とを有する少なくとも第２の正弦関数を含む、請求項５に記載の方法。
9. 多項式基底関数の前記一セットが、前記第１の座標において４の最大次数を有し、前記第２の座標において５の最大次数を有する、請求項３に記載の方法。
10. 前記第１の座標に関連する周期基底関数及び多項式基底関数の結合セットｆ（ｘ）が、次式によって表現され、
    ｆ（ｘ）＝ｃ_０＋ｃ_１ｘ^１＋ｃ_２ｘ^２＋ｃ_３ｘ^３＋ｃ_４ｘ^４－ｃ_５ｓｉｎ（２π（１－ｘ））－ｃ_６ｓｉｎ（２．５π（１－ｘ））－ｃ_７ｓｉｎ（３π（１－ｘ））－ｃ_８ｓｉｎ（３．５π（１－ｘ））－ｃ_９ｓｉｎ（４π（１－ｘ））
    上式で、ｃ_０～ｃ_９ は、前記第１の座標に関連する制御インターフェイスパラメータであり、ｘは、前記第１の座標に沿ったフィールドの全寸法にわたって［－１，１］の範囲に正規化される値である、請求項５に記載の方法。
11. 前記第２の座標に関連する周期基底関数及び多項式基底関数の結合セットｆ（ｙ）が、次式によって表現され、
    ｆ（ｙ）＝ｃ’_０＋ｃ’_１ｙ^１＋ｃ’_２ｙ^２＋ｃ’_３ｙ^３＋ｃ’_４ｙ^４＋ｃ’_５ｙ^５－ｃ’_６ｓｉｎ（２．５π（１－ｙ））－ｃ’_７ｓｉｎ（３π（１－ｙ））－ｃ’_８ｓｉｎ（３．５π（１－ｙ））
    上式で、ｃ’_０～ｃ’_８ は、前記第２の座標に関連する制御インターフェイスパラメータであり、ｙは、前記第２の座標に沿ったフィールドの全寸法にわたって［－１，１］の範囲に正規化される値である、請求項５に記載の方法。
12. デバイス製造方法であって、前記方法が、
    請求項１に記載の方法にしたがって前記制御パラメータデータを表現することと、
    次いで、前記制御パラメータデータの前記表現を用いて、前記基板の前記露光フィールドをパターニングする際に前記リソグラフィ装置を制御することと
    を含む、デバイス製造方法。
13. コンピューティングシステムによって実行されると、前記コンピューティングシステムに請求項１～６の何れか一項に記載の方法を実行させるコンピュータプログラム。
14. コンピューティングシステムによって実行されると、前記コンピューティングシステムに請求項１に記載の方法を実行させる命令を担持するコンピュータ可読媒体。
15. 請求項１に記載の方法を実施するように構成されたリソグラフィ装置。