JP7828360B2

JP7828360B2 - 半導体製造装置用部材

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Publication number: JP7828360B2
Application number: JP2023556747A
Authority: JP
Inventors: 裕佑小木曽
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Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 2022-03-30
Filing date: 2022-10-14
Publication date: 2026-03-11
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Description

本発明は、半導体製造装置用部材に関する。

従来、半導体製造装置用部材として、表面に多数の小突起が設けられたＡｌＮセラミック基体と、ＡｌＮセラミック基体に埋設された抵抗発熱体とを備えたものが知られている。ウエハは、多数の小突起と接触した状態でＡｌＮセラミック基体の表面に載置される。ＡｌＮセラミック基体に載置されるウエハは、できる限り不純物が混入しないようにする必要がある。この点を考慮して、特許文献１では、小突起の側面に線状に延びる複数のレーザ痕を有するようにすることが提案されている。こうすることにより、小突起から結晶粒子が脱粒してパーティクルが発生するのを防止している。

特許第６９６０２６０号公報

しかしながら、特許文献１では、小突起の側面に線状に延びるレーザ痕はいわゆるドロス（一旦溶融した材料が固化した部分）になっているため、ドロスがパーティクルの発生原因になるおそれがあった。

本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、パーティクルの発生を有効に防止することを主目的とする。

［１］本発明の半導体製造装置用部材は、
ＡｌＮセラミック基体の表面にウエハ載置用の突起が設けられた半導体製造装置用部材であって、
前記ＡｌＮセラミック基体のうち前記突起の設けられていない部分の少なくとも一部は、前記表面から所定深さまでの表層領域と、前記表層領域よりも下側の母材領域とを有し、前記所定深さは５μｍ以下であり、前記表層領域の酸素含有率は、前記母材領域の酸素含有率よりも高いものである。

この半導体製造装置用部材では、表層領域の酸素含有率は、母材領域の酸素含有率よりも高い。これにより、ＡｌＮセラミック基体の表面のうち突起の設けられていない部分の少なくとも一部に設けられた表層領域は、母材領域に比べて硬くなる。そのため、ウエハの処理を行う際にパーティクルの発生を有効に防止することができる。

［２］上述した半導体製造装置用部材（前記［１］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記表層領域の酸素含有率は、前記母材領域の酸素含有率の２．０倍以上であることが好ましい。

［３］上述した半導体製造装置用部材（前記［１］又は［２］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記表層領域は、黒色化していることが好ましい。こうすれば、表層領域は、熱を吸収しやすいため、輻射熱を放出しやすくなる。そのため、ウエハ温度を均一にしやすくなる。

［４］上述した半導体製造装置用部材（前記［１］～［３］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記表層領域には、ドロスが見られないことが好ましい。こうすれば、パーティクルの発生原因になり得るドロスが見られないため、パーティクルの発生をより有効に防止することができる。

［５］上述した半導体製造装置用部材（前記［１］～［４］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記表層領域の質量比Ｏ／Ｎは、前記母材領域の質量比Ｏ／Ｎよりも大きい値であることが好ましい。

［６］上述した半導体製造装置用部材（前記［５］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記表層領域の質量比Ｏ／Ｎは、前記母材領域の質量比Ｏ／Ｎの２．２倍以上であることがより好ましい。

［７］上述した半導体製造装置用部材（前記［１］～［６］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記表層領域の質量比Ａｌ／Ｎは、前記母材領域の質量比Ａｌ／Ｎよりも大きい値であることが好ましい。

［８］上述した半導体製造装置用部材（前記［１］～［７］のいずれかに記載の半導体製造装置用部材）において、前記ＡｌＮセラミック基体のうち前記突起の設けられていない部分は、前記表層領域と前記母材領域とを有していてもよい。

ＡｌＮヒータ１０の平面図。図１のＡ－Ａ断面図。ＡｌＮヒータ１０の製造工程図。ＡｌＮヒータ１０の製造工程図。ＡｌＮヒータ１０の製造工程図。実施例１のＡｌＮセラミック基体の断面を拡大した画像。実施例２のＡｌＮセラミック基体の断面を拡大した画像。

本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はＡｌＮヒータ１０の平面図、図２は図１のＡ－Ａ断面図である。

以下の説明において、「上」「下」は、絶対的な位置関係を表すものではなく、相対的な位置関係を表すものである。そのため、ＡｌＮヒータ１０の向きによって「上」「下」は「下」「上」になったり「左」「右」になったり「前」「後」になったりする。また、数値範囲を示す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味として使用される。

本実施形態のＡｌＮヒータ１０は、本発明の半導体製造装置用部材の一例であり、ＡｌＮセラミック基体１２の表面にウエハ載置用の突起（小突起１４及びシールバンド１５）が設けられ、ＡｌＮセラミック基体１２の内部に電極１６が設けられている。

ＡｌＮセラミック基体１２は、ＡｌＮを主成分とする円形の焼結体である。ＡｌＮセラミック基体１２のサイズは、例えば直径２００～４５０ｍｍ、厚さ１０～３０ｍｍである。ＡｌＮセラミック基体１２は、ＡｌＮ以外に焼結助剤に由来する成分を含んでいてもよい。ＡｌＮの焼結助剤としては、例えば希土類金属酸化物が挙げられる。希土類金属酸化物としては、例えばＹ₂Ｏ₃やＹｂ₂Ｏ₃などが挙げられる。なお、「主成分」とは、５０体積％以上（好ましくは７０体積％以上、より好ましくは８５体積％以上）を占める成分又は全成分のうち最も体積割合の高い成分のことをいう（以下同じ）。

小突起１４は、ＡｌＮセラミック基体１２の表面の全面に間隔を空けて多数設けられた扁平な円柱突起である。小突起１４のサイズは、例えば直径０．５～３ｍｍ、高さ１０～５０μｍである。

シールバンド１５は、ＡｌＮセラミック基体１２の表面に、ＡｌＮセラミック基体１２の外縁に沿って設けられた環状突起である。シールバンド１５は、多数の小突起１４を取り囲むように設けられている。シールバンド１５の高さは、小突起１４の高さと同じである。

電極１６は、ＡｌＮセラミック基体１２の内部にＡｌＮセラミック基体１２の表面と平行になるように設けられている。本実施形態では、電極１６は、ヒータ電極である。ヒータ電極は、ＡｌＮセラミック基体１２を上からみたときにＡｌＮセラミック基体１２の全体にわたって一端から他端まで一筆書きの要領で抵抗発熱体を配線したものである。電極１６の材料としては、例えばＷ，Ｍｏなどの高融点金属やそれらの炭化物が挙げられる。なお、「平行」とは、完全に平行な場合のほか、完全に平行でなくても許容される誤差（公差など）の範囲内であれば平行とみなす（以下同じ）。

ＡｌＮセラミック基体１２のうち突起（小突起１４及びシールバンド１５）の設けられていない部分１２Ａは、表面から所定深さまでの表層領域１２Ａａと、その表層領域１２Ａａよりも下側の母材領域１２Ａｂとを有する。所定深さは５μｍ以下（好ましくは０．１～２．０μｍ）である。表層領域１２Ａａの酸素含有率は、母材領域１２Ａｂの酸素含有率の２．０倍以上であることが好ましく、２．９倍以上であることがより好ましい。表層領域１２Ａａは、黒色化していることが好ましい。表層領域１２Ａａには、ドロスが見られないことが好ましい。表層領域１２Ａａの質量比Ｏ／Ｎは、母材領域１２Ａｂの質量比Ｏ／Ｎよりも大きい値であることが好ましく、母材領域１２Ａｂの質量比Ｏ／Ｎの２．２倍以上であることがより好ましく、３．６倍以上であることが更に好ましい。表層領域１２Ａａの質量比Ａｌ／Ｎは、母材領域１２Ａｂの質量比Ａｌ／Ｎよりも大きい値であることが好ましく、母材領域１２Ａｂの質量比Ａｌ／Ｎの１．１倍以上であることがより好ましく、１．２倍以上であることが更に好ましい。

次に、ＡｌＮヒータ１０の使用例について説明する。まず、ＡｌＮヒータ１０を図示しないチャンバ内に設置する。そして、ＡｌＮヒータ１０の表面にウエハを載置する。ウエハは、多数の小突起１４の頂面やシールバンド１５の頂面によって支持される。そして、ヒータ電極である電極１６に外部ヒータ電源を接続して電極１６に電流を流す。これにより、電極１６が発熱してウエハを所定温度に加熱する。表層領域１２Ａａと多数の小突起１４とシールバンド１５とウエハとによって囲まれた空間には、ＡｌＮヒータ１０を上下方向に貫通する図示しないガス通路から熱伝導ガス（例えばＨｅガス）が供給される。この状態でウエハに各種処理を施す。処理終了後、電極１６の通電を終了し、ウエハをＡｌＮヒータ１０の表面から取り外す。

次に、ＡｌＮヒータ１０の製造例について説明する。図３は、ＡｌＮヒータ１０の製造工程図である。まず、円板状のＡｌＮセラミック焼結体２１を用意し、このＡｌＮセラミック焼結体２１の上面に所定の電極パターンとなるように電極ペーストを印刷してヒータ電極前駆体２６を形成する（図３Ａ）。電極ペーストは、電極材料粉末とＡｌＮ粉末との混合粉末に有機溶媒とバインダを加えて混合、混練したものである。続いて、ヒータ電極前駆体２６を覆うように、円板状のＡｌＮセラミック成形体２２を積層して積層体２３とする（図３Ｂ）。そして、その積層体２３をホットプレス焼成することにより、ヒータ電極前駆体２６が焼結して電極１６（ヒータ電極）となり、そのヒータ電極前駆体２６を挟み込んでいたＡｌＮセラミック焼結体２１とＡｌＮセラミック成形体２２とが焼結して一体となってＡｌＮセラミック構造体２４となる（図３Ｃ）。

続いて、ＡｌＮセラミック構造体２４の表面を研磨して鏡面に仕上げ、その後、表面のうち小突起１４及びシールバンド１５を形成する領域以外の領域に短パルスレーザを走査してアブレーション加工する。これにより、ＡｌＮセラミック構造体２４の表面に多数の小突起１４及びシールバンド１５が形成される。その結果、ＡｌＮセラミック構造体２４はＡｌＮセラミック基体１２となり、ＡｌＮヒータ１０が得られる（図３Ｄ）。小突起１４及びシールバンド１５の頂面は鏡面のまま維持される。アブレーション加工では、原子間結合を切断することにより物質が除去され、物質が除去された部分は結晶構造に変化が生じて改質される。これにより、表層領域１２Ａａの酸素含有率は、母材領域１２Ａｂの酸素含有率の２．０倍以上になったり、表層領域１２Ａａの質量比Ｏ／ＮやＡｌ／Ｎは、母材領域１２Ａｂの質量比Ｏ／ＮやＡｌ／Ｎよりも大きい値になったりする。短パルスレーザのパルス幅は、ナノ秒レベルかそれ以下（ピコ秒レベルとかフェムト秒レベル）が好ましい。アブレーション加工では、レーザ加工が施された面は改質により硬さが増すため、パーティクルの発生が抑えられるし、表面の色を黒色にすることもできる。また、アブレーション加工では、パーティクルの発生原因になるドロスの形成が抑制されるため、ドロスが形成されている場合に比べてパーティクルの発生が抑えられる。更に、アブレーション加工では、レーザが吸収された部分のみ除去されるため、小突起１４及びシールバンド１５への熱影響が少なくなり、小突起１４及びシールバンド１５のエッジをほぼ垂直にすることができる。これにより、小突起１４及びシールバンド１５がすり減ったとしてもそれらとウエハとの接触面積を一定に保つことができる。

以上説明した本実施形態のＡｌＮヒータ１０では、ＡｌＮセラミック基体１２の表面のうち突起（小突起１４及びシールバンド１５）の設けられていない部分の表層領域１２Ａａの酸素含有率は、母材領域１２Ａｂの酸素含有率の２．０倍以上である。これにより、表層領域１２Ａａは、母材領域１２Ａｂに比べて硬くなる。そのため、ウエハの処理を行う際にパーティクルの発生を有効に防止することができる。

また、表層領域１２Ａａは、黒色化していることが好ましい。こうすれば、表層領域１２Ａａは、熱を吸収しやすいため、輻射熱を放出しやすくなる。そのため、ウエハ温度を均一にしやすくなる。

更に、表層領域１２Ａａには、ドロスが見られないことが好ましい。こうすれば、パーティクルの発生原因になり得るドロスが見られないため、パーティクルの発生をより有効に防止することができる。

更にまた、表層領域１２Ａａの質量比Ｏ／Ｎは、母材領域１２Ａｂの質量比Ｏ／Ｎよりも大きい値であることが好ましく、前記母材領域の質量比Ｏ／Ｎの２．２倍以上であることがより好ましい。表層領域１２Ａａの質量比Ａｌ／Ｎは、母材領域１２Ａｂの質量比Ａｌ／Ｎよりも大きい値であることが好ましい。

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

上述した実施形態では、ＡｌＮセラミック基体１２に電極１６としてヒータ電極を内蔵したものを例示したが、特にこれに限定されない。例えば、電極１６として静電電極を内蔵していてもよいし、ＲＦ電極を内蔵していてもよい。また、ヒータ電極に加えて静電電極及び／又はＲＦ電極を内蔵していてもよい。

上述した実施形態では、ＡｌＮセラミック構造体２４の表面を研磨して鏡面に仕上げ、その後、表面のうち突起（小突起１４及びシールバンド１５）を形成する領域以外の領域に短パルスレーザを走査してアブレーション加工したが、これに限定されない。例えば、ＡｌＮセラミック構造体２４を作製した後、その表面を研磨する前に、突起を形成する領域以外の領域に短パルスレーザを走査してアブレーション加工することにより突起を形成し、その後、突起の表面を研磨して鏡面に仕上げてもよい。また、突起の形成をレーザのみで実施する代わりに、ブラスト加工などの他の加工法とレーザ加工とを組み合わせて実施してもよい。例えば、ＡｌＮセラミック構造体２４を作製した後、図４Ａに示すように表面のうち突起を形成する領域以外の領域をブラスト加工（研磨材を表面に打ち付ける処理）により研削して小突起１４及びシールバンド１５を形成し（図４Ｂ）、研削した領域にレーザを照射してその領域を改質して表層領域１２Ａａを形成してＡｌＮヒータ１０を得るようにしてもよい（図４Ｃ）。また、突起の頂面及び／又は側面も改質する必要がある場合には、突起の頂面及び／又は側面にレーザを照射してもよい。例えば、ＡｌＮヒータ１０の小突起１４及びシールバンド１５の頂面及び側面に短パルスレーザを走査してアブレーション加工し（図５Ａ）、小突起１４及びシールバンド１５の頂面及び側面を含むＡｌＮヒータ１０の表面全面に表層領域１２Ａａを形成してもよい（図５Ｂ）。その場合、突起が消失しないようにレーザの出力を調整するのが好ましい。

上述した実施形態では、ＡｌＮセラミック基体１２のうち突起（小突起１４及びシールバンド１５）の設けられていない部分１２Ａの全体が表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していたが、特にこれに限定されない。例えば、部分１２Ａの一部が表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していてもよい。こうした構造も本発明の技術的範囲に含まれる。このように、突起の設けられていない部分１２Ａの少なくとも一部が表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していれば、本発明の技術的範囲に含まれるため、突起部分は、表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していても有していなくてもよい。例えば、突起の頂面の少なくとも一部が表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していてもよいし、突起の頂面が表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していなくてもよい。また、突起の側面の少なくとも一部が表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していてもよいし、突起の側面が表層領域１２Ａａと母材領域１２Ａｂを有していなくてもよい。

以下に、本発明の実施例について説明する。なお、以下の実施例は本発明を何ら限定するものではない。

［参考例１］
電極を内蔵しない円板状のＡｌＮセラミック基体（母材Ａ，直径３２０ｍｍ、厚さ２０ｍｍ）を以下のようにして作製した。まず、窒化アルミニウム粉末（純度９９．７％）１００質量部と、酸化イットリウム５質量部と、分散剤（ポリカルボン酸系共重合体）２質量部と、分散媒（多塩基酸エステル）３０質量部とを、ボールミル（トロンメル）を用いて１４時間混合することにより、セラミックスラリー前駆体を得た。このセラミックスラリー前駆体に対して、イソシアネート（４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート）４．５質量部、水０．１質量部、触媒（６－ジメチルアミノ－１－ヘキサノール）０．４質量部を加えて混合することにより、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリーを円板形状の内部空間を有する成形型に流し込み、イソシアネートと水との化学反応により有機バインダ（ウレタン樹脂）を生成させたあと、成形型から硬化した成形体を取り出した。その成形体を１００℃で１０時間乾燥し、脱脂及び仮焼を水素雰囲気下、最高温度１３００℃で行い、セラミック仮焼体を得た。そのセラミック仮焼体を、窒素ガス中、プレス圧力２５０ｋｇｆ／ｃｍ² 、１８６０℃で６時間、ホットプレス焼成することによりＡｌＮセラミック基体を作製した。得られたＡｌＮセラミック基体について、ＥＤＸ分析によりＮ，Ｏ，Ａｌ，Ｙの質量％を求めた。また、ＡｌＮセラミック基体の色を目視で測定し、硬さをミツトヨ製マイクロビッカース硬さ測定機ＨＭ－２１１で測定した。それらの結果を表１に示す。

［実施例１］
母材Ａの表面をピコ秒レーザ加工機を利用してアブレーション加工した。ピコ秒レーザ加工機は、ガルバノミラーのモータとステージのモータを駆動させながら、基体表面を５μｍ間隔で平行に走査してアブレーション加工を行った。加工波長、走査速度、パルス幅及びレーザ出力は表１に示す値に設定し、周波数は２００ｋＨｚに設定した。加工回数は２回とした。加工終了後、ＡｌＮセラミック基体の断面を調べたところ、表層領域（表面から０．５μｍまでの黒く変質した領域）とその表層領域の下側の母材領域とに分かれていた。表層領域について、母材Ａと同様にしてＮ，Ｏ，Ａｌ，Ｙの質量％を求めた。また、母材領域の酸素含有率に対する表層領域の酸素含有率の割合、母材領域の質量比Ｏ／Ｎに対する表層領域の質量比Ｏ／Ｎの割合、母材領域の質量比Ａｌ／Ｎに対する表層領域の質量比Ａｌ／Ｎの割合を求めた。更に、表層領域の色及び硬さを母材Ａと同様にして測定した。それらの結果を表１に示す。表層領域の硬さは６７０Ｈｖであり、母材領域の硬さ（５２３Ｈｖ）に比べて約１．２８倍であった。このように実施例１の表層領域の硬さは母材Ａ（参考例１）よりも硬くなったため、母材Ａに比べてパーティクル抑制効果が向上する。また、実施例１の表層領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、ドロスは見られなかった。そのため、特許文献１に比べてパーティクル抑制効果が向上する。

［参考例２］
母材Ａと同じサイズの円板状のＡｌＮセラミック基体（母材Ｂ）を、母材Ａと同じ方法で作製した。得られたＡｌＮセラミック基体について、母材Ａと同様にしてＮ，Ｏ，Ａｌ，Ｙの質量％を求めた。母材Ｂは、母材Ａとはロットが異なるため元素の質量％が異なっていた。また、ＡｌＮセラミック基体の色及び硬さを母材Ａと同様にして測定した。それらの結果を表１に示す。

［実施例２～４］
母材Ｂの表面をナノ秒レーザ加工機を利用してアブレーション加工した。ナノ秒レーザ加工機は、ガルバノミラーのモータとステージのモータを駆動させながら、基体表面を５μｍ間隔で平行に走査してアブレーション加工を行った。実施例２～４では、加工波長、走査速度、パルス幅及びレーザ出力をそれぞれ表１に示す値に設定し、周波数を５０ｋＨｚに設定し、加工回数は１回とした。加工終了後、ＡｌＮセラミック基体の断面を調べたところ、表層領域とその表層領域の下側の母材領域とに分かれていた。実施例２の表層領域は表面から０．２μｍまでの領域、実施例３の表層領域は表面から０．３μｍまでの領域、実施例４の表層領域は表面から０．２μｍまでの領域であった。実施例２～４の各表層領域について、母材Ａと同様にしてＮ，Ｏ，Ａｌ，Ｙの質量％を求めた。また、母材領域の酸素含有率に対する表層領域の酸素含有率の割合、母材領域の質量比Ｏ／Ｎに対する表層領域の質量比Ｏ／Ｎの割合、母材領域の質量比Ａｌ／Ｎに対する表層領域の質量比Ａｌ／Ｎの割合を求めた。更に、表層領域の色及び硬さを母材Ａと同様にして測定した。それらの結果を表１に示す。表層領域の硬さは６５０～６９０Ｈｖであり、母材領域の硬さ（５６０Ｈｖ）に比べて約１．１６～１．２３倍であった。このように実施例２～４の各表層領域の硬さが母材Ｂ（参考例２）よりも硬くなったため、母材Ｂに比べてパーティクル抑制効果が向上する。また、実施例２～４の各表層領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、ドロスが見られなかった。そのため、特許文献１に比べてパーティクル抑制効果が向上する。

［参考例３］
母材Ａと同じサイズの円板状のＡｌＮセラミック基体（母材Ｃ）を、母材Ａと同じ方法で作製した。得られたＡｌＮセラミック基体について、母材Ａと同様にしてＮ，Ｏ，Ａｌ，Ｙの質量％を求めた。母材Ｃは、母材Ａとはロットが異なるため元素の質量％が異なっていた。また、ＡｌＮセラミック基体の色及び硬さを母材Ａと同様にして測定した。それらの結果を表１に示す。

［実施例５，６］
母材Ｃの表面をピコ秒レーザ加工機を利用してアブレーション加工した。ピコ秒レーザ加工機は、ガルバノミラーのモータとステージのモータを駆動させながら、基体表面を５μｍ間隔で平行に走査してアブレーション加工を行った。実施例５，６では、加工波長、走査速度、パルス幅及びレーザ出力をそれぞれ表１に示す値に設定し、周波数を２００ｋＨｚに設定し、加工回数は１回とした。加工終了後、ＡｌＮセラミック基体の断面を調べたところ、表層領域とその表層領域の下側の母材領域とに分かれていた。実施例５，６の表層領域はいずれも表面から０．５μｍまでの領域であった。実施例５，６の各表層領域について、母材Ａと同様にしてＮ，Ｏ，Ａｌ，Ｙの質量％を求めた。また、母材領域の酸素含有率に対する表層領域の酸素含有率の割合、母材領域の質量比Ｏ／Ｎに対する表層領域の質量比Ｏ／Ｎの割合、母材領域の質量比Ａｌ／Ｎに対する表層領域の質量比Ａｌ／Ｎの割合を求めた。更に、表層領域の色及び硬さを母材Ａと同様にして測定した。それらの結果を表１に示す。表層領域の硬さは４５９．９～６３５．９Ｈｖであり、母材領域の硬さ（４１３Ｈｖ）に比べて約１．１１～１．５４倍であった。このように実施例５，６の各表層領域の硬さが母材Ｃよりも硬くなったため、母材Ｃに比べてパーティクル抑制効果が向上する。また、実施例５，６の各表層領域を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察したところ、ドロスが見られなかった。そのため、特許文献１に比べてパーティクル抑制効果が向上する。

図６は、実施例１のＡｌＮセラミック基体の断面を拡大した画像であり、図７は、実施例２のＡｌＮセラミック基体の断面を拡大した画像である。図６及び図７において、スケールの全体（１０目盛り分）の長さが１．００μｍである。

本出願は、２０２２年３月３０日に出願された日本国特許出願第２０２２－０５５１１２号を優先権主張の基礎としており、引用によりその内容の全てが本明細書に含まれる。

本発明は、ウエハを処理するウエハ処理装置などの半導体製造装置用部材に利用可能である。

１０ＡｌＮヒータ、１２ＡｌＮセラミック基体、１２Ａ突起の設けられていない部分、１２Ａａ表層領域、１２Ａｂ母材領域、１４小突起、１５シールバンド、１６電極、２１ＡｌＮセラミック焼結体、２２ＡｌＮセラミック成形体、２３積層体、２４ＡｌＮセラミック構造体、２６ヒータ電極前駆体。

Claims

ＡｌＮセラミック基体の表面にウエハ載置用の突起が設けられた半導体製造装置用部材であって、
前記ＡｌＮセラミック基体のうち前記突起の設けられていない部分の少なくとも一部は、前記表面から所定深さまでの表層領域と、前記表層領域よりも下側の母材領域とを有し、前記所定深さは５μｍ以下であり、前記表層領域の酸素含有率は、前記母材領域の酸素含有率よりも高く、前記表層領域の窒素含有率は、前記母材領域の窒素含有率よりも低い、
半導体製造装置用部材。
前記表層領域の酸素含有率は、前記母材領域の酸素含有率の２．０倍以上である、
請求項１に記載の半導体製造装置用部材。
前記表層領域は、黒色化している、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
前記表層領域には、ドロスが見られない、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
前記表層領域の質量比Ｏ／Ｎは、前記母材領域の質量比Ｏ／Ｎよりも大きい値である、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
前記表層領域の質量比Ｏ／Ｎは、前記母材領域の質量比Ｏ／Ｎの２．２倍以上である、
請求項５に記載の半導体製造装置用部材。
前記表層領域の質量比Ａｌ／Ｎは、前記母材領域の質量比Ａｌ／Ｎよりも大きい値である、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。
前記ＡｌＮセラミック基体のうち前記突起の設けられていない部分は、前記表層領域と前記母材領域とを有する、
請求項１又は２に記載の半導体製造装置用部材。