JP7831082B2 - 伝熱部材、伝熱部材の製造方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents
伝熱部材、伝熱部材の製造方法およびプラズマ処理装置Info
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Description
この場合、フィラーはフッ素系樹脂およびフッ素系エラストマーと比較して熱伝導性が高いので、伝熱部材の熱伝導性がより向上する。
この場合、フィラーが上記の無機物であるので、伝熱部材の熱伝導性が更に向上する。
この場合、フィラーはフッ素系樹脂およびフッ素系エラストマーと比較して熱伝導性が高いので、伝熱部材の熱伝導性がより向上する。
この場合、フィラーが上記の無機物であるので、伝熱部材の熱伝導性が更に向上する。
この場合、予備工程において求められた焼成温度と焼成時間を用いて、焼成工程で成形物を焼成するので、成形物の硬度と比較して、硬度が7以上低い伝熱部材を、高い確率で長期間にわたって安定して製造することができる。
このような構成とされた本発明のプラズマエッチング装置によれば、プラズマ処理装置用電極と冷却板との間の少なくとも一部に、伝熱部材が配置されているので、プラズマによって加熱されたプラズマ処理装置用電極の熱を高い効率で冷却板に伝えることができる。このため、プラズマ処理装置用電極の均熱性を長期間にわたって確保しやすくなる。
この場合、プラズマ処理装置用電極と伝熱部材とを直接接合することによってプラズマ処理装置用電極の熱をより高い効率で冷却板に伝えることができる。
このような構成とされた本発明のプラズマエッチング装置によれば、フォーカスリングと支持台との間の少なくとも一部に、伝熱部材が配置されているので、プラズマによって加熱されたフォーカスリングの熱を高い効率で支持台に伝えることができる。このため、被処理体に対するプラズマ処理が長期間にわたって安定しやすくなる。
この場合、フォーカスリングと伝熱部材とを直接接合することによってフォーカスリングの熱をより高い効率で冷却板に伝えることができる。
本実施形態に係るプラズマ処理装置は、例えば、半導体デバイス製造プロセスに使用されるプラズマエッチング装置やプラズマCVD装置等のプラズマ処理装置である。本実施形態に係る伝熱部材は、例えば、プラズマ生成用のガスを通過させる通気孔を有するプラズマ処理装置用電極と冷却板との間に配置されて、プラズマ処理装置用電極の熱を冷却板に伝える伝熱部材、フォーカスリングとフォーカスリングを支持する支持台との間に配置されて、フォーカスリングの熱を冷却板に伝える伝熱部材として利用される。ただし、実施形態に係る伝熱部材の用途はこれらに限定されるものではない。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態に係る伝熱部材は、フッ素系樹脂又はフッ素系エラストマーを含む成形物の焼成体からなる。成形物は、伝熱部材として使用できる形状に成形されたものである。本実施形態の成形物は、上記の成形物を焼成することによって得られた焼成体である。成形物の製造方法および成形物の焼成方法は後述する。
本発明の第2実施形態に係る伝熱部材は、フッ素系樹脂又はフッ素系エラストマーを含む成形体からなる。成形体は、フッ素系樹脂又はフッ素系エラストマーを含む成形物の焼成体であってもよい。この場合、第1実施形態の伝熱部材と同様に、焼成体の硬度AMは、成形物の硬度AMと比較して7以上低くてもよい。
次に、本実施形態の伝熱部材の製造方法について説明する。
図1は、本実施形態に係る伝熱部材の製造方法を示すフロー図である。本実施形態の伝熱部材の製造方法は、図1に示すように、成形工程S01と焼成工程S02とを有する。
予備工程では、成形工程S01で得られた成形物を、温度および時間の一方又は両方が異なる複数の条件で焼成して複数の焼成体を得る。次いで、得られた複数の焼成体の硬度AMを測定する。そして、成形物の硬度AMと複数の焼成体の硬度AMとを比較することによって、焼成体の硬度AMが、成形物の硬度AMと比較して7以上低い軟化焼成体が得られる焼成温度と焼成時間を求める。
次に、本実施形態の伝熱部材を用いたプラズマ処理装置について説明する。
図2は、本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置の一例を示す概略構成図である。
エッチングガス導入部1は、プラズマ処理装置用電極12と、プラズマ処理装置用電極12を冷却するための冷却板15とを備える。プラズマ処理装置用電極12と冷却板15の間の少なくとも一部に、上述の伝熱部材13が配置されている。伝熱部材13は、プラズマ処理装置用電極12と冷却板15とが対向する対向部分の80%以上の領域に配置されていることが好ましく、対向部分の全体に配置されていることがより好ましい。また、プラズマ処理装置用電極12と伝熱部材13とは、直接接合されていることが好ましい。プラズマ処理装置用電極12と伝熱部材13を直接接合させる方法としては、例えば、プラズマ処理装置用電極12と伝熱部材13とを接触させた状態で加熱する方法を用いることができる。なお、プラズマ処理装置用電極12と伝熱部材13との加熱は、加圧しながら行ってもよい。
プラズマ処理装置用電極12は、プラズマ生成用のガスを通過させる通気孔11を有する。冷却板15には、プラズマ処理装置用電極12の通気孔11に連通するように、通気孔11と同じピッチで貫通孔16が形成されている。冷却板15は、絶縁体14によりチャンバ3に絶縁状態で支持されている。プラズマ処理装置用電極12は、チャンバ3を介して高周波電源50と接続し、電極部として機能する。
支持台21と静電チャック22と間には抜熱板25が配置されている。ウェハ(被処理基板)40は、静電チャック22上にフォーカスリング23により周縁部を支持した状態で載置される。また、支持台21とフォーカスリング23との間には、Oリング26が配置されている。支持台21は、内部に冷媒流路27を有し、冷却部としても機能する。また、支持台21は、アース28と接続し、電極部としても機能する。
エッチングガス供給管31から送られてきたエッチングガスは、拡散部材32を経由した後、プラズマ処理装置用電極12の通気孔11からウェハ40に向かって供給される。プラズマ処理装置用電極12と支持台21との間に高周波(RF)の電圧を印加することによって、ウェハ40に向かって供給されたエッチングガスはプラズマ状態となって、ウェハ40をエッチング処理する。
(1)原料組成物の作製
有機成分として、パーフルオロポリエーテル基を有し、熱架橋性を有する液状フッ素系エラストマー(X-71-358-4、信越化学工業株式会社製)を用意した。また、第1フィラーとして、大粒径アルミナフィラー(AA-18、住友化学株式会社製、平均粒径(d50):18μm)を、第2フィラーとして、小粒径アルミナフィラー(AA-3、住友化学株式会社製、平均粒径(d50):3μm)を用意した。
有機成分を10質量部(有機成分の量として40体積部)と、第1フィラーを19.5質量部(36体積部)と、第2フィラーを13質量部(24体積部)の割合で混合した。得られた混合物を、自転・公転真空ミキサー(あわとり練太郎ARV-310、株式会社シンキー社製)を用いて、脱泡しながら混練して原料組成物を作製した。
上記(1)で得られた原料組成物を金型に入れ、熱プレス機を用いて150℃、10分の条件で一次加硫を行って、シート状の一次加硫物を得た。一次加硫物の厚さは200μmとした。次いで、得られた一次加硫物を金型から取り出して、200℃、4時間の条件で二次加硫を行った。こうして、成形物を得た。
上記(2)で得られた成形物を、300℃、5時間の条件で焼成して、焼成体を得た。
上記(1)原料組成物の作製において、有機成分として、下記の表1に示す種類の材料を用いたこと、フィラー成分中の第1フィラーの含有量と、原料組成物のフィラー成分の含有量を、下記の表1に示す量としたこと以外は、本発明例1と同様にして原料組成物を作製した。なお、本発明例2~3、5のフッ素系エラストマーは、本発明例1と同じものを用いた。本発明例6のフッ素系エラストマーは、信越化学工業株式会社製のX-71-359を用いた。本発明例7のフッ素系樹脂は、信越化学工業株式会社製のX-71-6053-6AとX-71-6053-6Bとをそれぞれ等質量部ずつ配合したものを用いた。比較例2のシリコーンゴムは、信越化学工業株式会社製のKE-1950-10AとKE-1950-10Bとをそれぞれ等質量部ずつ配合したものを用いた。
上記(2)成形物の作製において、一次加硫及び二次加硫の温度を時間と下記の表1に示す温度と時間としたこと以外は、本発明例1と同様にして成形物を作製した。なお、本発明例6は、二次加硫を行わなかった。
上記(3)焼成体の作製において、加熱温度と加熱時間とを下記の表1に示す温度と時間としたこと以外は、本発明例1と同様にして焼成体を作製した。得られた焼成体の厚さは約200μmであった。
上記(1)原料組成物の作製において、第1フィラーの割合を42体積部、第2フィラーの割合を18体積部としたこと以外は本発明例1と同様にして原料組成物を作製した。上記(2)成形物の作製において、得られた原料組成物を用いたこと以外は本発明例1と同様にして成形物を得た。得られた成形物とシリコンウェハとを重ね合わせて、350℃、1時間の条件で焼成して、成形物の焼成体を生成させて、焼成体付きシリコンウェハを作製した。
シリコンウェハの表面に、液状フッ素系エラストマー(X-71-358-4、信越化学工業株式会社製)を塗布して、厚さ50μmの塗布膜を形成した。次いで、塗布膜付きシリコンウェハを150℃、10分間の条件で一次加硫を行った後、200℃、4時間の条件で二次加硫を行って、塗布膜を成形物とした。次いで、成形物付きシリコンウェハを300℃、5時間の条件で焼成して、成形物の焼成体を生成させて、焼成体付きシリコンウェハを作製した。
得られた成形物と焼成体について、硬度AMと熱抵抗値を下記の方法により測定した。また、焼成体については、250℃で25時間加熱後の硬度AMを下記のようにして測定した。その結果を、表2に示す。
JIS K 6253-3:2012に準拠した方法で、タイプAMデュロメータの押針を装着したゴム硬度計を用いて測定した。
JIS H7903:2008およびASTM D5470-1準拠した定常法により測定した。チャンバ内に上部が加熱部に接している上部アルミナブロック、下部が冷却部に接している下部アルミナブロックを設置し、上部と下部のそれぞれのアルミナブロックに熱電対を6mm間隔で5点取り付けた。また、上からシリコンウェハ、試料(成形物、焼成体)、片面アルマイト処理済みアルミニウム板の順に積層した積層体を作製した。上部アルミナブロックと下部アルミナブロックの対向している面に伝熱グリースを塗布し、その間に上記の積層体を設置した。試料に16kPaの荷重がかかるように、上部アルミナブロックの上部に錘を設置し、チャンバ内の圧力を5Paに設定して、熱抵抗値を測定した。
試料の焼成体を、電気炉に入れて、大気中、250℃で25時間加熱した。室温まで放冷した後、硬度AMを測定した。
2 被処理体支持部
3 チャンバ
11 通気孔
12 プラズマ処理装置用電極
13 伝熱部材
14 絶縁体
15 冷却板
16 貫通孔
21 支持台
22 静電チャック
23 フォーカスリング
24 伝熱部材
25 抜熱板
26 Oリング
27 冷媒流路
28 アース
31 エッチングガス供給管
32 拡散部材
33 排気口
40 ウェハ
50 高周波電源
100 プラズマエッチング装置
Claims (12)
- フッ素系樹脂又はフッ素系エラストマーを含む成形物の焼成体からなる伝熱部材であって、
JIS K 6253-3:2012に準拠したタイプAMデュロメータを用いて測定した硬度が、前記成形物と比較して7以上低い伝熱部材。 - 前記成形物がフィラーを含む請求項1に記載の伝熱部材。
- 前記フィラーがアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機物である請求項2に記載の伝熱部材。
- フッ素系樹脂又はフッ素系エラストマーを含む成形体からなる伝熱部材であって、
JIS K 6253-3:2012に準拠したタイプAMデュロメータを用いて測定した硬度の、250℃で25時間加熱した後の加熱前からの変化量が±5の範囲内にある伝熱部材。 - 前記成形体がフィラーを含む請求項4に記載の伝熱部材。
- 前記フィラーがアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、シリコンからなる群より選ばれる少なくとも1種の無機物である請求項5に記載の伝熱部材。
- フッ素系樹脂又はフッ素系エラストマーを含む伝熱部材の製造方法であって、
前記フッ素系樹脂又は前記フッ素系エラストマーを含む材料を加熱成形して成形物を作製する成形工程と、
前記成形物を焼成して、JIS K 6253-3:2012に準拠したタイプAMデュロメータを用いて測定した前記成形物の硬度と比較して、硬度が7以上低い軟化焼成体を作製する焼成工程と、を含み、
前記伝熱部材が前記軟化焼成体からなることを特徴とする伝熱部材の製造方法。 - 請求項7に記載の伝熱部材の製造方法であって、
前記成形物を、温度および時間の一方又は両方が異なる複数の条件で焼成して複数の焼成体を得て、得られた複数の前記焼成体の硬度をJIS K 6253-3:2012に準拠したタイプAMデュロメータを用いて測定し、前記成形物の硬度と、複数の前記焼成体の硬度とを比較することによって、前記焼成体の硬度が、前記成形物の硬度と比較して7以上低い前記軟化焼成体が得られる焼成温度と焼成時間を求める予備工程を含み、
前記焼成工程で、前記成形物を、前記予備工程で求められた前記焼成温度と前記焼成時間で焼成して、前記軟化焼成体を作製することを特徴とする伝熱部材の製造方法。 - プラズマ生成用のガスを通過させる通気孔を有するプラズマ処理装置用電極と、冷却板とを備えるプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理装置用電極と前記冷却板との間の少なくとも一部に、請求項1から6のいずれか一項に記載の伝熱部材が配置されているプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ処理装置用電極と、前記伝熱部材とが直接接合されていることを特徴とする請求項9に記載のプラズマ処理装置。
- フォーカスリングと、フォーカスリングを支持する支持台とを備えるプラズマ処理装置であって、
前記フォーカスリングと前記支持台との間の少なくとも一部に、請求項1から6のいずれか一項に記載の伝熱部材が配置されている、プラズマ処理装置。 - 前記フォーカスリングと、前記伝熱部材とが直接接合されていることを特徴とする請求項11に記載のプラズマ処理装置。
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