JP7833938B2 - Processing method - Google Patents
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Description
本発明は、第１面に凹部が形成された被加工物の加工方法に関する。 This invention relates to a method for processing a workpiece in which a recess is formed on the first surface.
ウェーハ毎のチップの取り数を増やすため、プラズマエッチングを利用したウェーハのダイシングが提案されている（例えば、特許文献１参照）。 To increase the number of chips per wafer, wafer dicing using plasma etching has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
一方、たとえばＭＥＭＳウェーハのように表面に凹凸が形成された被加工物がある。このような凹凸が形成された被加工物をプラズマダイシングする場合、凹部の側面をマスク材で覆うことが難しく、凹部の内側面が過度にエッチングされてしまうという問題がある。 On the other hand, there are workpieces with surface irregularities, such as MEMS wafers. When plasma dicing such workpieces, it is difficult to cover the sides of the recesses with masking material, leading to the problem of excessive etching of the inner surfaces of the recesses.
本発明の目的は、凹部の内側面の過度なエッチングを抑制することができる加工方法を提供することである。 The object of the present invention is to provide a processing method that can suppress excessive etching of the inner surface of a recess.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、第１面に複数の分割予定ラインが設定されるとともに該分割予定ライン上に複数の凹部が形成されることで該分割予定ラインに対応した領域に肉厚部と肉薄部とを有した被加工物の加工方法であって、該第１面の背面の第２面に保護膜を積層するとともに該分割予定ラインに対応する領域に沿って該保護膜を分断する溝を形成することでプラズマダイシング用のマスクを形成するマスク形成ステップと、被加工物の該第１面側を保持ユニットで保持して該マスクが形成された該第２面側を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該マスクを介して該第２面側から被加工物にプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップと、を備え、該マスク形成ステップでは、該肉薄部における溝幅を該肉厚部における溝幅よりも狭く形成することを特徴とする。 To solve the above-mentioned problems and achieve the objective, the present invention provides a processing method for a workpiece having a thick portion and a thin portion in the region corresponding to the division lines, wherein a plurality of division lines are set on the first surface and a plurality of recesses are formed on the division lines, the method comprising: a mask forming step of forming a mask for plasma dicing by laminating a protective film on a second surface on the back of the first surface and forming grooves that divide the protective film along the region corresponding to the division lines; a holding step of holding the first surface side of the workpiece with a holding unit to expose the second surface side on which the mask is formed; and a plasma etching step of performing plasma etching on the workpiece from the second surface side through the mask after performing the holding step , wherein in the mask forming step, the groove width in the thin portion is formed to be narrower than the groove width in the thick portion .
前記加工方法において、該肉薄部における溝幅と、該肉厚部における溝幅とは、該プラズマエッチングステップにおいて該肉薄部と該肉厚部とが略同時に分断される幅に設定されても良い。 In the aforementioned processing method, the groove width in the thin-walled portion and the groove width in the thick-walled portion may be set to a width such that the thin-walled portion and the thick-walled portion are separated substantially simultaneously during the plasma etching step.
本発明は、凹部の内側面の過度なエッチングを抑制することができるという効果を奏する。 This invention has the effect of suppressing excessive etching of the inner surface of the recess.
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 The embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, the components described below include those that are easily conceivable to those skilled in the art, and those that are substantially the same. Moreover, the components described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or modifications of the components can be made without departing from the spirit of the present invention.
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。
[Embodiment 1]
The processing method according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. Figure 1 is a perspective view showing an example of a workpiece to be processed by the processing method according to Embodiment 1. Figure 2 is a cross-sectional view along the line II-II in Figure 1. Figure 3 is a flowchart showing the flow of the processing method according to Embodiment 1.
実施形態１に係る加工方法は、図１に示す被加工物１の加工方法である。実施形態１では、被加工物１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ウェーハである。しかしながら、本発明では、被加工物１は、ＭＥＭＳウェーハに限定されない。 The processing method according to Embodiment 1 is a processing method for the workpiece 1 shown in Figure 1. In Embodiment 1, the workpiece 1 is a disc-shaped MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) wafer with a substrate 2 made of silicon, sapphire, or gallium arsenide. However, in the present invention, the workpiece 1 is not limited to a MEMS wafer.
被加工物１は、図１に示すように、第１面である表面３に複数の分割予定ライン４（破線で示す）が設定されるとともに、分割予定ライン４上に複数の凹部７が形成されている。なお、実施形態１では、分割予定ライン４は、互いに平行な第１分割予定ライン５と、互いに平行でかつ第１分割予定ライン５と交差（実施形態１では、直交）する第２分割予定ライン６とを備える。なお、図１には、分割予定ライン５，６を破線で示すが、実際の被加工物１には破線が形成されておれず、分割予定ライン５，６を示す破線は、仮想的な線である。また、実施形態１では、被加工物１は、第１分割予定ライン５上に複数の凹部７が形成されている。 As shown in Figure 1, the workpiece 1 has multiple planned division lines 4 (shown as dashed lines) on its first surface 3, and multiple recesses 7 are formed on the planned division lines 4. In Embodiment 1, the planned division lines 4 include a first planned division line 5 that is parallel to each other, and a second planned division line 6 that is parallel to each other and intersects (orthogonal in Embodiment 1) the first planned division line 5. Note that although the planned division lines 5 and 6 are shown as dashed lines in Figure 1, the actual workpiece 1 does not have dashed lines; the dashed lines representing the planned division lines 5 and 6 are hypothetical. Furthermore, in Embodiment 1, the workpiece 1 has multiple recesses 7 formed on the first planned division line 5.
凹部７は、表面３から凹に形成され、第１分割予定ライン５に沿って間隔をあけて配置されている。実施形態１では、凹部７は、分割予定ライン５，６同士の交差点を除いて、第１分割予定ライン５上に形成され、第２分割予定ライン６上には形成されていない。なお、実施形態１では、被加工物１は、互いに交差する分割予定ライン５，６により仕切られた領域が切削加工に分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさであり、プラズマエッチング（プラズマダイシングともいう）により個々に分割されるのに好適なものである。なお、図１及び図２では、分割予定ライン５，６同士の間隔を誇張して大きく記載している。 The recesses 7 are formed as recesses from the surface 3 and are spaced apart along the first division line 5. In Embodiment 1, the recesses 7 are formed on the first division line 5, except at the intersections of the division lines 5 and 6, and not on the second division line 6. In Embodiment 1, the workpiece 1 is smaller than the device whose regions are divided by the intersecting division lines 5 and 6 for cutting, for example, approximately 1 mm x 1 mm in size, making it suitable for individual division by plasma etching (also called plasma dicing). Note that in Figures 1 and 2, the spacing between the division lines 5 and 6 is exaggerated and depicted as larger.
被加工物１は、図２に示すように、表面３の第１分割予定ライン５上に複数の凹部７が形成されることによって、第１分割予定ライン５に対応した領域に肉厚部８と肉薄部９とを有することとなる。なお、第１分割予定ライン５に対応した領域とは、基板２の第１分割予定ライン５と厚み方向に重なる領域である。即ち、本発明でいう対応する領域とは、基板２の厚み方向に重なる領域を示している。肉薄部９は、凹部７の底に形成され、肉厚部８は、凹部７の周囲に形成される。肉厚部８の厚みは、肉薄部９の厚みよりも厚い。 As shown in Figure 2, the workpiece 1 has multiple recesses 7 formed on the first planned division line 5 of its surface 3, resulting in a thick portion 8 and a thin portion 9 in the area corresponding to the first planned division line 5. The area corresponding to the first planned division line 5 is the area of the substrate 2 that overlaps with the first planned division line 5 in the thickness direction. In other words, the corresponding area in this invention refers to the area of the substrate 2 that overlaps in the thickness direction. The thin portion 9 is formed at the bottom of the recesses 7, and the thick portion 8 is formed around the recesses 7. The thickness of the thick portion 8 is greater than the thickness of the thin portion 9.
実施形態１に係る加工方法は、被加工物１を分割予定ライン５，６に沿って個々のチップ１３に分割する方法である。加工方法は、図３に示すように、マスク形成ステップ１００１と、保持ステップ１００２と、プラズマエッチングステップ１００３とを備える。 The processing method according to Embodiment 1 is a method for dividing a workpiece 1 into individual chips 13 along planned division lines 5 and 6. As shown in Figure 3, the processing method comprises a mask formation step 1001, a holding step 1002, and a plasma etching step 1003.
（マスク形成ステップ）
図４は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、被加工物を保護膜塗布装置で保護膜を形成する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。図５は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて第２面である裏面に保護膜が形成された被加工物を模式的に示す断面図である。図６は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、被加工物の裏面上の保護膜の一部を除去する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。図７は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、裏面上にマスクが形成された後の被加工物の要部の平面図である。図８は、図７に示されたマスクが形成される際に、裏面の第１分割予定ライン上に細溝が形成された後の被加工物の要部の平面図である。図９は、図７に示されたマスクが形成される際に、裏面の第１分割予定ライン上に太溝が形成された後の被加工物の要部の平面図である。
(Mask formation step)
Figure 4 is a schematic cross-sectional side view showing the state in which a protective film is formed on a workpiece using a protective film coating device during the mask formation step of the processing method shown in Figure 3. Figure 5 is a schematic cross-sectional view showing a workpiece with a protective film formed on the back surface, which is the second surface, during the mask formation step of the processing method shown in Figure 3. Figure 6 is a schematic cross-sectional side view showing the state in which a portion of the protective film on the back surface of the workpiece is removed during the mask formation step of the processing method shown in Figure 3. Figure 7 is a plan view of the main part of the workpiece after the mask has been formed on the back surface during the mask formation step of the processing method shown in Figure 3. Figure 8 is a plan view of the main part of the workpiece after a narrow groove has been formed on the first planned division line on the back surface when the mask shown in Figure 7 is formed. Figure 9 is a plan view of the main part of the workpiece after a wide groove has been formed on the first planned division line on the back surface when the mask shown in Figure 7 is formed.
マスク形成ステップ１００１は、第１面である表面３の背面の第２面である裏面１０に保護膜２６を積層するとともに分割予定ライン５，６に対応する領域に沿って保護膜２６を分断する溝２８，２９を形成することでプラズマダイシング用のマスク２７を形成するステップである。マスク形成ステップ１００１では、被加工物１の表面３に被加工物１よりも大径な円板状のテープ１１の中央部を貼着し、テープ１１の外縁部に環状フレーム１２を貼着する。なお、環状フレーム１２は、内径が被加工物１よりも大径な円環状に形成されている。 The mask formation step 1001 is a step in forming a mask 27 for plasma dicing by laminating a protective film 26 onto the back surface 10, which is the second surface behind the first surface 3, and forming grooves 28 and 29 that divide the protective film 26 along the regions corresponding to the planned division lines 5 and 6. In the mask formation step 1001, the central part of a disc-shaped tape 11 with a larger diameter than the workpiece 1 is attached to the surface 3 of the workpiece 1, and an annular frame 12 is attached to the outer edge of the tape 11. The annular frame 12 is formed in an annular shape with an inner diameter larger than the workpiece 1.
マスク形成ステップ１００１では、図４に示す保護膜被覆装置２０が、スピンナテーブル２１の保持面２２に被加工物１の表面３側がテープ１１を介して載置され、保持面２２に被加工物１の表面３側をテープ１１を介して吸引保持し、環状フレーム１２をスピンナテーブル２１の周囲に設けられたクランプ部２３で挟持する。マスク形成ステップ１００１では、保護膜被覆装置２０が、図４に示すように、スピンナテーブル２１を軸心回りに回転させながら、被加工物１の上方の塗布ノズル２４から被加工物１の裏面１０側に液状の水溶性樹脂２５を塗布する。 In the mask formation step 1001, the protective film coating device 20 shown in Figure 4 places the workpiece 1 (front surface 3) on the holding surface 22 of the spinner table 21 via the tape 11. The device then holds the workpiece 1 (front surface 3) to the holding surface 22 via the tape 11, and clamps the annular frame 12 with clamp portions 23 provided around the spinner table 21. In the mask formation step 1001, as shown in Figure 4, the protective film coating device 20 rotates the spinner table 21 around its axis while applying a liquid water-soluble resin 25 to the back surface 10 of the workpiece 1 from the application nozzle 24 above the workpiece 1.
水溶性樹脂２５は、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性の液状の樹脂等を含む。被加工物１の裏面１０に塗布された水溶性樹脂２５は、スピンナテーブル２１の回転により生じる遠心力により被加工物１の外縁側に拡げられて、被加工物１の裏面１０全体を被覆する。マスク形成ステップ１００１では、保護膜被覆装置２０が、被加工物１裏面１０側に水溶性樹脂２５を塗布した後、水溶性樹脂２５を乾燥又は加熱硬化させて、被加工物１の裏面１０全体を、図５に示すように、保護膜２６で被覆する。 The water-soluble resin 25 includes a water-soluble liquid resin such as polyvinyl alcohol (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP). The water-soluble resin 25 applied to the back surface 10 of the workpiece 1 is spread outwards towards the outer edge of the workpiece 1 by the centrifugal force generated by the rotation of the spinner table 21, covering the entire back surface 10 of the workpiece 1. In the mask formation step 1001, the protective film coating device 20 applies the water-soluble resin 25 to the back surface 10 of the workpiece 1, then dries or heat-cures the water-soluble resin 25 to cover the entire back surface 10 of the workpiece 1 with a protective film 26, as shown in Figure 5.
なお、実施形態１では、マスク形成ステップ１００１では、水溶性樹脂２５を被加工物１の裏面１０に塗布して、保護膜２６を形成したが、本発明では、保護部材として被加工物１の裏面１０を非水溶性のレジスト膜で被覆しても良く、被加工物１の裏面１０を非水溶性の樹脂で被覆しても良い。こうして、本発明では、保護膜２６は、プラズマエッチングステップ１００３のプラズマ化した第１ガス及び第２ガスに対して耐性を有していれば良い。 In Embodiment 1, in the mask formation step 1001, a water-soluble resin 25 was applied to the back surface 10 of the workpiece 1 to form a protective film 26. However, in the present invention, the back surface 10 of the workpiece 1 may be covered with a water-insoluble resist film as a protective member, or the back surface 10 of the workpiece 1 may be covered with a water-insoluble resin. Thus, in the present invention, the protective film 26 only needs to be resistant to the plasma-generated first and second gases of the plasma etching step 1003.
マスク形成ステップ１００１では、図６に示すレーザー加工装置３０が、被加工物１の表面３をテープ１１を介してチャックテーブル３１の保持面３２に吸引保持する。マスク形成ステップ１００１では、レーザー加工装置３０が、図示しないＩＲ（赤外線）カメラで被加工物１の表面３を撮像し、被加工物１とレーザー光線照射ユニット３４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。 In the mask formation step 1001, the laser processing apparatus 30 shown in Figure 6 holds the surface 3 of the workpiece 1 to the holding surface 32 of the chuck table 31 via tape 11. In the mask formation step 1001, the laser processing apparatus 30 images the surface 3 of the workpiece 1 with an IR (infrared) camera (not shown) and performs alignment to position the workpiece 1 and the laser beam irradiation unit 34.
マスク形成ステップ１００１では、レーザー加工装置３０が、図６に示すように、チャックテーブル３１とレーザー光線照射ユニット３４とを分割予定ライン５，６に沿って相対的に移動させながら保護膜２６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３５を各分割予定ライン５，６に向かって照射して、分割予定ライン５，６上の保護膜２６を除去して、分割予定ライン５，６に沿って保護膜２６を分断する溝２８，２９を形成して、溝２８，２９の底から被加工物１の裏面１０を露出させる。マスク形成ステップ１００１では、レーザー加工装置３０は、被加工物１の全ての分割予定ライン５，６にレーザー光線３５を照射して、分割予定ライン５，６に沿って保護膜２６を分断する溝２８，２９を形成して、プラズマダイシング用の図７に示すマスク２７を形成する。 In the mask formation step 1001, the laser processing apparatus 30, as shown in Figure 6, moves the chuck table 31 and the laser beam irradiation unit 34 relative to each division line 5 and 6, while irradiating each division line 5 and 6 with a laser beam 35 of a wavelength absorbed by the protective film 26. This removes the protective film 26 on the division lines 5 and 6, forming grooves 28 and 29 that divide the protective film 26 along the division lines 5 and 6, exposing the back surface 10 of the workpiece 1 from the bottom of the grooves 28 and 29. In the mask formation step 1001, the laser processing apparatus 30 irradiates all division lines 5 and 6 of the workpiece 1 with the laser beam 35, forming grooves 28 and 29 that divide the protective film 26 along the division lines 5 and 6, thereby forming the mask 27 for plasma dicing shown in Figure 7.
実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、マスク２７の肉薄部９における溝２８（以下、細溝と記す）の溝幅２８１を肉厚部８における溝２９（以下、太溝と記す）の溝幅２９１よりも狭く形成する。即ち、実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、各分割予定ライン５，６に沿って形成される溝２８，２９のうち肉厚部８に対応する領域に細溝２８の溝幅２８１よりも溝幅２９１が広い太溝２９を形成し、肉薄部９に対応する領域に太溝２９の溝幅２９１よりも溝幅２８１が狭い細溝２８を形成する。 In Embodiment 1, in the mask forming step 1001, the groove width 281 of the groove 28 (hereinafter referred to as "narrow groove") in the thin portion 9 of the mask 27 is formed to be narrower than the groove width 291 of the groove 29 (hereinafter referred to as "wide groove") in the thick portion 8. That is, in Embodiment 1, in the mask forming step 1001, among the grooves 28 and 29 formed along each planned division line 5 and 6, a wide groove 29 with a groove width 291 wider than the groove width 281 of the narrow groove 28 is formed in the region corresponding to the thick portion 8, and a narrow groove 28 with a groove width 281 narrower than the groove width 291 of the wide groove 29 is formed in the region corresponding to the thin portion 9.
また、実施形態１では、肉薄部９における細溝２８の溝幅２８１と、肉厚部８における太溝２９の溝幅２９１とは、プラズマエッチングステップ１００３においてプラズマエッチングにより肉薄部９と肉厚部８とが略同時に分断される幅に設定されるのが望ましい。なお、略同時とは、肉薄部９と肉厚部８とが同時に分断、又はプラズマエッチングステップ１００３の後に分割されたチップ１３の大きさの差が所定の許容範囲内に収まる程度に肉薄部９と肉厚部８とが分断されるタイミングにずれが生じることをいう。 Furthermore, in Embodiment 1, it is desirable that the groove width 281 of the narrow groove 28 in the thin-walled portion 9 and the groove width 291 of the wide groove 29 in the thick-walled portion 8 be set to a width such that the thin-walled portion 9 and the thick-walled portion 8 are separated approximately simultaneously by plasma etching in the plasma etching step 1003. "Approximately simultaneously" means that the thin-walled portion 9 and the thick-walled portion 8 are separated at the same time, or that there is a timing difference in the separation of the thin-walled portion 9 and the thick-walled portion 8 such that the difference in size of the separated chips 13 after the plasma etching step 1003 falls within a predetermined allowable range.
このように、実施形態１では、凹部７以外に対応する領域である肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１と、凹部７に対応する領域である肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１とを異なる幅に設定する。また、実施形態１では、肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１の方が、肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１よりも広く設定する。なお、実施形態１において、各溝２８，２９の溝幅２８１，２９１をどのようにするかは、事前に同質材の被加工物１でマスク２７の溝２８，２９の溝幅２８１，２９１を変えてプラズマエッチングを施し、その結果をもとに決定するのが望ましい。 Thus, in Embodiment 1, the groove width 291 of the wide groove 29 in the thick portion 8, which corresponds to the area other than the recess 7, and the groove width 281 of the narrow groove 28 in the thin portion 9, which corresponds to the area of the recess 7, are set to different widths. Furthermore, in Embodiment 1, the groove width 291 of the wide groove 29 in the thick portion 8 is set wider than the groove width 281 of the narrow groove 28 in the thin portion 9. In Embodiment 1, it is desirable to determine how to set the groove widths 281 and 291 of each groove 28 and 29 by performing plasma etching on a workpiece 1 of the same material beforehand, varying the groove widths 281 and 291 of the grooves 28 and 29 of the mask 27, and then determining the width based on the results.
その結果、実施形態１では、プラズマエッチングによって肉厚部８と肉薄部９とが略同時に分断されるマスク２７の溝２８，２９の溝幅２８１，２９１に設定する。 As a result, in Embodiment 1, the groove widths 281 and 291 of the grooves 28 and 29 in the mask 27 are set so that the thick portion 8 and the thin portion 9 are separated substantially simultaneously by plasma etching.
なお、実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、保護膜２６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３５を照射して、分割予定ライン５，６に沿って溝２８，２９を形成する際には、第１分割予定ライン５に沿って細溝２８を形成する加工条件のレーザー光線３５を照射して、図８に示すように、第１分割予定ライン５の全長に亘って細溝２８を形成する。その後、実施形態１において、第１分割予定ライン５の肉厚部８に対応する領域に太溝２９を形成する加工条件のレーザー光線３５を照射して、図９に示すように、第１分割予定ライン５の肉厚部８に対応する領域に太溝２９を形成し、第１分割予定ライン５の肉薄部９に対応する領域に細溝２８を形成する。 In Embodiment 1, during the mask formation step 1001, when forming grooves 28 and 29 along the planned division lines 5 and 6 by irradiating the protective film 26 with a laser beam 35 of a wavelength that absorbs the protective film 26, the laser beam 35 is irradiated with processing conditions to form a narrow groove 28 along the first planned division line 5, forming a narrow groove 28 along the entire length of the first planned division line 5, as shown in Figure 8. Subsequently, in Embodiment 1, the laser beam 35 is irradiated with processing conditions to form a wide groove 29 in the region corresponding to the thick portion 8 of the first planned division line 5, forming a wide groove 29 in the region corresponding to the thick portion 8 of the first planned division line 5, and a narrow groove 28 in the region corresponding to the thin portion 9 of the first planned division line 5, as shown in Figure 9.
また、実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、保護膜２６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３５を照射して、分割予定ライン５，６に沿って溝２８，２９を形成する際には、第２分割予定ライン６に沿って太溝２９を形成する加工条件のレーザー光線３５を照射して、第２分割予定ライン６の全長に亘って太溝２９を形成する。 Furthermore, in Embodiment 1, during the mask formation step 1001, when irradiating the protective film 26 with a laser beam 35 of a wavelength that absorbs it to form grooves 28 and 29 along the planned division lines 5 and 6, the laser beam 35 is irradiated under processing conditions that form a wide groove 29 along the second planned division line 6, thereby forming a wide groove 29 along the entire length of the second planned division line 6.
また、本発明では、マスク形成ステップ１００１において、第１分割予定ライン５に沿って細溝２８を形成した後、肉厚部８に対応する領域ではレーザー光線３５の照射がＯＮ、肉薄部９に対応する領域ではレーザー光線３５の照射がＯＦＦになるように制御しつつ細溝２８が形成された第１分割予定ライン５に沿ってレーザー光線３５を照射して肉厚部８に対応する領域に太溝２９を形成し、肉薄部９に対応する領域に細溝２８を形成しても良い。 Furthermore, in the present invention, in the mask formation step 1001, after forming a narrow groove 28 along the first planned division line 5, the laser beam 35 may be irradiated along the first planned division line 5 where the narrow groove 28 has been formed, while controlling the irradiation of the laser beam 35 so that it is ON in the region corresponding to the thick portion 8 and OFF in the region corresponding to the thin portion 9. This may form a wide groove 29 in the region corresponding to the thick portion 8 and a narrow groove 28 in the region corresponding to the thin portion 9.
次に、保持ステップ１００２及びプラズマエッチングステップ１００３を実施するプラズマエッチング装置５０を図面に基づいて説明する。図１０は、図３に示された加工方法の保持ステップ及びプラズマエッチングステップを実施するプラズマエッチング装置の構成例を模式的に示す断面図である。 Next, the plasma etching apparatus 50 that performs the holding step 1002 and the plasma etching step 1003 will be described based on the drawings. Figure 10 is a schematic cross-sectional view showing an example of the configuration of a plasma etching apparatus that performs the holding step and the plasma etching step of the processing method shown in Figure 3.
プラズマエッチング装置５０は、図１０に示すように、直方体状のチャンバー５１と、保持ユニット５２と、上部電極５３と、制御ユニット５５とを備える。 As shown in Figure 10, the plasma etching apparatus 50 comprises a rectangular parallelepiped chamber 51, a holding unit 52, an upper electrode 53, and a control unit 55.
チャンバー５１は、内側にプラズマエッチングが実施される処理空間５１１が形成されている。チャンバー５１は、一つの側壁５１２に、被加工物１を搬入及び搬出するための開口５１３と、開口５１３を開閉する開閉扉５１４が設けられている。開閉扉５１４は、エアシリンダ等で構成される開閉機構５１５によって昇降することで、開口５１３を開閉する。 The chamber 51 has a processing space 511 formed inside where plasma etching is performed. The chamber 51 has an opening 513 on one side wall 512 for loading and unloading the workpiece 1, and an opening/closing door 514 for opening and closing the opening 513. The opening/closing door 514 is raised and lowered by an opening/closing mechanism 515, which is composed of an air cylinder or the like, thereby opening and closing the opening 513.
また、チャンバー５１は、底壁５１６にチャンバー５１の内部と外部とを連通させる排気口５１７が形成されている。排気口５１７は、真空ポンプ等の排気機構５１０が接続されている。 Furthermore, the chamber 51 has an exhaust port 517 formed in its bottom wall 516, which connects the inside and outside of the chamber 51. An exhaust mechanism 510, such as a vacuum pump, is connected to the exhaust port 517.
保持ユニット５２と上部電極５３とは、チャンバー５１の処理空間５１１に、互いに対向して配置されている。保持ユニット５２の上面は、テープ１１を介して被加工物１を保持する保持面５２４である。また、保持ユニット５２は、導電性の材料により構成され、下部電極としても機能する。 The holding unit 52 and the upper electrode 53 are positioned facing each other in the processing space 511 of the chamber 51. The upper surface of the holding unit 52 is a holding surface 524 that holds the workpiece 1 via the tape 11. The holding unit 52 is also made of a conductive material and functions as a lower electrode.
保持ユニット５２は、円盤状の保持部５２１と、保持部５２１の下面の中央部から下方に突出する円柱状の支持部５２０とを含む。支持部５２０は、チャンバー５１の底壁５１６に形成された開口５２２に挿入されている。開口５２２内において、底壁５１６と支持部５２０との間には環状の絶縁部材５２３が配置されており、チャンバー５１と保持ユニット５２とは電気的に絶縁されている。また、保持ユニット５２は、チャンバー５１の外部で高周波電源５６と接続されている。 The holding unit 52 includes a disc-shaped holding portion 521 and a cylindrical support portion 520 that protrudes downward from the center of the lower surface of the holding portion 521. The support portion 520 is inserted into an opening 522 formed in the bottom wall 516 of the chamber 51. Within the opening 522, an annular insulating member 523 is positioned between the bottom wall 516 and the support portion 520, electrically insulating the chamber 51 from the holding unit 52. The holding unit 52 is also connected to a high-frequency power supply 56 outside the chamber 51.
保持ユニット５２の保持部５２１には、図示しない高周波電源に接続された電極５２６が設けられている。保持ユニット５２は、電極５２６に高周波電源から電力が印加されて、保持面５２４と被加工物１との間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物１を保持面５２４上に吸着保持する。 The holding portion 521 of the holding unit 52 is provided with an electrode 526 connected to a high-frequency power supply (not shown). The holding unit 52 generates dielectric polarization between the holding surface 524 and the workpiece 1 when power is applied to the electrode 526 from the high-frequency power supply. The workpiece 1 is then attracted and held on the holding surface 524 by electrostatic attraction due to the polarization of the charge.
また、保持ユニット５２の保持部５２１の内部及び支持部５２０の内部には、保持ユニット５２を冷却するための冷却流体が流れる冷却流路５２７が形成されている。冷却流路５２７の両端は、冷媒循環機構５２８に接続されている。冷媒循環機構５２８を作動させると、水等の冷却流体が、冷却流路５２７内を循環して流れ、保持ユニット５２が冷却される。 Furthermore, cooling channels 527 are formed inside the holding portion 521 and the support portion 520 of the holding unit 52, through which a cooling fluid flows to cool the holding unit 52. Both ends of the cooling channels 527 are connected to a refrigerant circulation mechanism 528. When the refrigerant circulation mechanism 528 is activated, a cooling fluid such as water circulates through the cooling channels 527, cooling the holding unit 52.
上部電極５３は、導電性の材料でなり、円盤状のガス噴出部５３１と、ガス噴出部５３１の上面の中央部から上方に突出する円柱状の支持部５３０とを含む。支持部５３０は、チャンバー５１の上壁５１８に形成された開口５３２に挿入されている。開口５３２内において、上壁５１８と支持部５３０との間には環状の絶縁部材５３３が配置されており、チャンバー５１と上部電極５３とは電気的に絶縁されている。 The upper electrode 53 is made of a conductive material and includes a disc-shaped gas ejection portion 531 and a cylindrical support portion 530 that protrudes upward from the center of the upper surface of the gas ejection portion 531. The support portion 530 is inserted into an opening 532 formed in the upper wall 518 of the chamber 51. Within the opening 532, an annular insulating member 533 is placed between the upper wall 518 and the support portion 530, electrically insulating the chamber 51 from the upper electrode 53.
上部電極５３は、チャンバー５１の外部で高周波電源５７と接続されている。また、支持部５３０の上端部には、昇降機構５３４の支持アームが取り付けられている。上部電極５３は、昇降機構５３４により昇降する。 The upper electrode 53 is connected to the high-frequency power supply 57 outside the chamber 51. A support arm of the lifting mechanism 534 is attached to the upper end of the support portion 530. The upper electrode 53 moves up and down by the lifting mechanism 534.
ガス噴出部５３１の下面側には、複数の噴出口５３５が設けられている。噴出口５３５は、ガス噴出部５３１及び支持部５３０に形成された流路５３６を介して、第１ガス供給源５８及び第２ガス供給源５９に接続されている。第１ガス供給源５８は、第１ガスを流路５３６を通して噴出口５３５からチャンバー５１内に供給する。実施形態１では、第１ガス供給源５８は、被加工物１の基板２がシリコンにより構成される場合、第１ガスとして、フッ素系ガスをチャンバー５１内に供給する。第２ガス供給源５９は、第２ガスを流路５３６を通して噴出口５３５からチャンバー５１内に供給する。実施形態１では、第２ガス供給源５９は、第２ガスとして、酸素系ガスをチャンバー５１内に供給する。 Multiple outlets 535 are provided on the lower surface of the gas ejection section 531. The outlets 535 are connected to a first gas supply source 58 and a second gas supply source 59 via flow paths 536 formed in the gas ejection section 531 and the support section 530. The first gas supply source 58 supplies a first gas into the chamber 51 through the flow paths 536 and the outlets 535. In Embodiment 1, when the substrate 2 of the workpiece 1 is made of silicon, the first gas supply source 58 supplies a fluorine-based gas as the first gas into the chamber 51. The second gas supply source 59 supplies a second gas into the chamber 51 through the flow paths 536 and the outlets 535. In Embodiment 1, the second gas supply source 59 supplies an oxygen-based gas as the second gas into the chamber 51.
制御ユニット５５は、プラズマエッチング装置５０の各構成要素を制御して、プラズマエッチング装置５０に被加工物１に対するプラズマエッチングを実施させるものである。なお、制御ユニット５５は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット５５の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、プラズマエッチング装置５０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してプラズマエッチング装置５０の各構成要素に出力する。 The control unit 55 controls each component of the plasma etching apparatus 50 to cause the plasma etching apparatus 50 to perform plasma etching on the workpiece 1. The control unit 55 is a computer comprising a arithmetic processing unit with a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device with memory such as ROM (read-only memory) or RAM (random access memory), and an input/output interface device. The arithmetic processing unit of the control unit 55 performs calculations according to the computer program stored in the storage device and outputs control signals for controlling the plasma etching apparatus 50 to each component of the plasma etching apparatus 50 via the input/output interface device.
また、制御ユニット５５は、各種の情報や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。 Furthermore, the control unit 55 is connected to a display unit, which consists of a liquid crystal display device that displays various information and images, and an input unit used by the operator to register processing content information. The input unit consists of at least one of the following: a touch panel provided on the display unit, and an external input device such as a keyboard.
（保持ステップ）
保持ステップ１００２は、被加工物１の表面３側を保持ユニット５２で保持して、マスク２７が形成された裏面１０側を露出させるである。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０が、昇降機構５３４により上部電極５３を上昇させ、昇降機構によりフレーム挟持プレート５４２を上昇させた状態で、開閉機構５１５により開閉扉５１４を下降させて開口５１３を開放する。
(Holding step)
The holding step 1002 involves holding the workpiece 1 on the surface 3 side with the holding unit 52, exposing the back side 10 side on which the mask 27 is formed. In the holding step 1002, the plasma etching apparatus 50 raises the upper electrode 53 with the lifting mechanism 534, and with the frame clamping plate 542 raised by the lifting mechanism, it lowers the opening/closing door 514 with the opening/closing mechanism 515 to open the opening 513.
保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、図示しない搬送ユニットによりマスク形成ステップ１００１でマスク２７が裏面１０に形成された被加工物１が処理空間５１１内に搬入され、テープ１１を介して被加工物１が保持ユニット５２の保持面５２４に載置される。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、高周波電源から電力を電極５２６に印加して、保持面５２４にテープ１１を介して被加工物１の表面３を吸着保持する。 In the holding step 1002, the plasma etching apparatus 50 receives the workpiece 1, on which the mask 27 was formed on the back surface 10 in the mask formation step 1001, into the processing space 511 via a transport unit (not shown). The workpiece 1 is then placed on the holding surface 524 of the holding unit 52 via the tape 11. In the holding step 1002, the plasma etching apparatus 50 applies power from a high-frequency power supply to the electrode 526 to adsorb and hold the surface 3 of the workpiece 1 to the holding surface 524 via the tape 11.
保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、開閉機構５１５により開閉扉５１４を上昇させて開口５１３を閉じ、排気機構５１０を作動させてチャンバー５１内を減圧し、処理空間５１１を真空状態（低圧状態）とし、冷媒循環機構５２８を作動させて、水等の冷却流体を冷却流路５２７内で循環し、保持ユニット５２の異常昇温を抑制する。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、昇降機構５３４により上部電極５３を下降させ、上部電極５３の下面と、下部電極を構成する保持ユニット５２に保持された被加工物１との間の距離をプラズマエッチングに適した所定の電極間距離に位置付ける。 In the holding step 1002, the plasma etching apparatus 50 uses the opening/closing mechanism 515 to raise the opening/closing door 514 to close the opening 513, activates the exhaust mechanism 510 to reduce the pressure inside the chamber 51, creating a vacuum (low-pressure) state in the processing space 511, and activates the refrigerant circulation mechanism 528 to circulate a cooling fluid such as water in the cooling channel 527, thereby suppressing abnormal temperature rise in the holding unit 52. In the holding step 1002, the plasma etching apparatus 50 uses the lifting mechanism 534 to lower the upper electrode 53, positioning the distance between the lower surface of the upper electrode 53 and the workpiece 1 held by the holding unit 52 constituting the lower electrode to a predetermined electrode distance suitable for plasma etching.
（プラズマエッチングステップ）
図１１は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉薄部のエッチング途中の被加工物の断面図である。図１２は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉厚部のエッチング途中の被加工物の断面図である。図１３は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉薄部を分断された被加工物の断面図である。図１４は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉厚部を分断された被加工物の断面図である。
(Plasma etching step)
Figure 11 is a cross-sectional view of a workpiece during the etching of a thin-walled portion in the plasma etching step of the processing method shown in Figure 3. Figure 12 is a cross-sectional view of a workpiece during the etching of a thick-walled portion in the plasma etching step of the processing method shown in Figure 3. Figure 13 is a cross-sectional view of a workpiece after the thin-walled portion has been divided in the plasma etching step of the processing method shown in Figure 3. Figure 14 is a cross-sectional view of a workpiece after the thick-walled portion has been divided in the plasma etching step of the processing method shown in Figure 3.
プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、第１ガス供給源５８から第１ガスを所定の流量で供給してガス噴出部５３１の複数の噴出口５３５から保持ユニット５２上に保持された被加工物１に向けて噴出する。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、第１ガス供給源５８から第１ガスを供給した状態で、高周波電源５７から上部電極５３にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源５６から下部電極である保持ユニット５２にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。 In the plasma etching step 1003, the plasma etching apparatus 50 supplies a first gas from the first gas supply source 58 at a predetermined flow rate and ejects it from multiple nozzles 535 of the gas ejection section 531 toward the workpiece 1 held on the holding unit 52. In the holding step 1002, while the plasma etching apparatus 50 is supplying the first gas from the first gas supply source 58, it applies high-frequency power from the high-frequency power supply 57 to the upper electrode 53 to create and maintain plasma, and applies high-frequency power from the high-frequency power supply 56 to the lower electrode, the holding unit 52, to attract ions.
プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、保持ユニット５２と上部電極５３との間の空間の第１ガスがプラズマ化され、このプラズマ化された第１ガスが被加工物１側に引き込まれて、被加工物１のマスク２７の溝２８，２９から露出した分割予定ライン５，６の裏面１０をエッチング（所謂プラズマエッチング）して、図１１及び図１２に示すように、分割予定ライン５，６の裏面１０にエッチング溝１４を形成し、エッチング溝１４を被加工物１の表面３に向かって進行させる。 In the plasma etching step 1003, the plasma etching apparatus 50 plasmaizes the first gas in the space between the holding unit 52 and the upper electrode 53. This plasmaized first gas is drawn towards the workpiece 1, etching (so-called plasma etching) the back surface 10 of the division lines 5 and 6 exposed from the grooves 28 and 29 of the mask 27 of the workpiece 1. As shown in Figures 11 and 12, etching grooves 14 are formed on the back surface 10 of the division lines 5 and 6, and these etching grooves 14 advance toward the surface 3 of the workpiece 1.
なお、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、第１ガスとして、ＳＦ６、Ｃ４Ｆ８又はＣＦ４等のフッ素系ガスを用いるが、第１ガスは、これらに限定されない。また、単一のガスでエッチングする他、例えばＳＦ６とＣ４Ｆ８とを交互に用いてもよい。 In Embodiment 1, when the substrate 2 is made of silicon, a fluorine-based gas such as SF6 , C4F8 , or CF4 is used as the first gas, but the first gas is not limited to these. In addition, etching can be performed with a single gas, or, for example , SF6 and C4F8 may be used alternately .
プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、被加工物１の基板２の厚さに応じて、被加工物１の基板２をプラズマエッチングする所定時間が予め設定されている。プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、所定時間、第１ガスを供給しながら保持ユニット５２及び上部電極５３に高周波電力を印加して、図１３及び図１４に示すように、マスク２７から露出した分割予定ライン５，６上の基板２を完全に除去して、被加工物１を溝２８，２９に沿って分断して、個々のチップ１３に分割する。なお、実施形態１では、溝２８，２９の溝幅２８１，２９１が前述したように形成されているので、被加工物１は、肉厚部８と肉薄部９とが略同時に分断される。 In the plasma etching step 1003, the plasma etching apparatus 50 has a predetermined time set for plasma etching the substrate 2 of the workpiece 1, according to the thickness of the substrate 2 of the workpiece 1. In the plasma etching step 1003, the plasma etching apparatus 50 applies high-frequency power to the holding unit 52 and the upper electrode 53 while supplying the first gas for the predetermined time. As shown in Figures 13 and 14, this completely removes the substrate 2 on the planned division lines 5 and 6 exposed from the mask 27, dividing the workpiece 1 along the grooves 28 and 29 into individual chips 13. In this embodiment 1, since the groove widths 281 and 291 of the grooves 28 and 29 are formed as described above, the thick portion 8 and the thin portion 9 of the workpiece 1 are divided almost simultaneously.
以上説明した実施形態１に係る加工方法は、被加工物１を凹部の形成されていない第２面側からプラズマダイシングを施す。その結果、実施形態１に係る加工方法は、被加工物１の凹部７の内側面の過度なエッチングを抑制することができるという効果を奏する。 The processing method according to Embodiment 1 described above involves plasma dicing the workpiece 1 from the second surface side where no recesses are formed. As a result, the processing method according to Embodiment 1 has the effect of suppressing excessive etching of the inner surface of the recesses 7 of the workpiece 1.
また、凹部７が形成された肉薄部９と肉厚部８とではエッチングで分断に要する時間が異なる。肉薄部９が分断された後に肉厚部８が分断されるまでの間に肉薄部９の特に下面側（表面３側）で更にエッチングが進行し、肉薄部９に形成されたエッチング溝１４の内面のエッチングが進行してしまい、形成されるチップ１３の側面の表面３側が欠けた異形状となってしまう。 Furthermore, the time required for etching and separation differs between the thin-walled portion 9 and the thick-walled portion 8 where the recess 7 is formed. Between the separation of the thin-walled portion 9 and the separation of the thick-walled portion 8, further etching progresses, particularly on the lower surface (surface 3 side) of the thin-walled portion 9. This leads to further etching of the inner surface of the etching groove 14 formed in the thin-walled portion 9, resulting in an irregular shape where the surface 3 side of the formed chip 13 is chipped.
そこで、実施形態１に係る加工方法は、プラズマダイシング用のマスク２７の溝２８，２９の溝幅２８１，２９１を肉薄部９と肉厚部８とで異なる幅にし、肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１を肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１よりも狭くしている。このため、実施形態１に係る加工方法は、プラズマした第１ガスが広い溝幅２９１の太溝２９の方が狭い溝幅２８１の細溝２８よりも多く進入するため、肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１を肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１よりも狭く設定し肉薄部９と肉厚部８との略同時に分断するようにしている。その結果、実施形態１に係る加工方法は、凹部７が形成されて被加工物１に肉厚部８と肉薄部９とが形成されていても、チップ１３が異形状となることを抑制することができるという効果を奏する。 Therefore, in the processing method according to Embodiment 1, the groove widths 281 and 291 of the grooves 28 and 29 of the plasma dicing mask 27 are made different in the thin-walled portion 9 and the thick-walled portion 8, with the groove width 281 of the narrow groove 28 in the thin-walled portion 9 being narrower than the groove width 291 of the wide groove 29 in the thick-walled portion 8. As a result, in the processing method according to Embodiment 1, the plasma-generated first gas enters more of the wide groove 29 with a wider groove width 291 than the narrow groove 28 with a narrower groove width 281. Therefore, the groove width 281 of the narrow groove 28 in the thin-walled portion 9 is set narrower than the groove width 291 of the wide groove 29 in the thick-walled portion 8, thereby dividing the thin-walled portion 9 and the thick-walled portion 8 almost simultaneously. As a result, the processing method according to Embodiment 1 has the effect of suppressing the formation of irregular shapes in the chip 13, even when a recess 7 is formed and a thick-walled portion 8 and a thin-walled portion 9 are formed in the workpiece 1.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、保持ステップ１００２及びプラズマエッチングステップ１００３において、下部電力である保持ユニット５２及び上部電極５３に高周波電力を印加して処理空間５１１内で第１ガスをプラズマ化するものではなく、プラズマ化にした第１ガスをチャンバー５１内の処理空間５１１に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いても良い。また、本発明では、被加工物１は、第１分割予定ライン５上に加え、第２分割予定ライン６上に凹部７を備えても良い。 Furthermore, the present invention is not limited to the embodiments described above. That is, it can be implemented with various modifications without departing from the core principles of the invention. For example, in the present invention, instead of applying high-frequency power to the lower power holding unit 52 and upper electrode 53 to plasmaize the first gas in the processing space 511 during the holding step 1002 and plasma etching step 1003, a remote plasma type plasma etching apparatus may be used in which the plasmaized first gas is introduced into the processing space 511 within the chamber 51. Also, in the present invention, the workpiece 1 may have recesses 7 on the second planned division line 6 in addition to the first planned division line 5.
１ 被加工物
３ 表面（第１面）
４ 分割予定ライン
５ 第１分割予定ライン
６ 第２分割予定ライン
７ 凹部
８ 肉厚部
９ 肉薄部
１０ 裏面（第２面）
２６ 保護膜
２７ マスク
２８ 細溝（溝）
２９ 太溝（溝）
２８１ 溝幅
２９１ 溝幅
１００１ マスク形成ステップ
１００２ 保持ステップ
１００３ プラズマエッチングステップ
1 Workpiece 3 Surface (first surface)
4. Planned division line 5. First planned division line 6. Second planned division line 7. Recess 8. Thick section 9. Thin section 10. Back side (second side)
26 Protective film 27 Mask 28 Fine groove (groove)
29 Thick groove (groove)
281 Groove width 291 Groove width 1001 Mask forming step 1002 Holding step 1003 Plasma etching step
Claims (2)
該第１面の背面の第２面に保護膜を積層するとともに該分割予定ラインに対応する領域に沿って該保護膜を分断する溝を形成することでプラズマダイシング用のマスクを形成するマスク形成ステップと、
被加工物の該第１面側を保持ユニットで保持して該マスクが形成された該第２面側を露出させる保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該マスクを介して該第２面側から被加工物にプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップと、を備え、
該マスク形成ステップでは、該肉薄部における溝幅を該肉厚部における溝幅よりも狭く形成する加工方法。 A method for processing a workpiece having a thick portion and a thin portion in the region corresponding to the division lines, wherein multiple division lines are set on the first surface and multiple recesses are formed on the division lines,
A mask forming step in which a mask for plasma dicing is formed by laminating a protective film on the second surface on the back of the first surface and forming grooves along the region corresponding to the planned division line that divide the protective film,
A holding step in which the first side of the workpiece is held by a holding unit to expose the second side on which the mask is formed,
The process includes a plasma etching step, in which, after performing the holding step, plasma etching is performed on the workpiece from the second surface side through the mask ,
The mask forming step is a processing method in which the groove width in the thin-walled portion is formed to be narrower than the groove width in the thick-walled portion.
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