Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JP7833985B2 - Chip manufacturing method - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JP7833985B2 - Chip manufacturing method - Google Patents

Chip manufacturing method

Info

Publication number
JP7833985B2
JP7833985B2 JP2022124892A JP2022124892A JP7833985B2 JP 7833985 B2 JP7833985 B2 JP 7833985B2 JP 2022124892 A JP2022124892 A JP 2022124892A JP 2022124892 A JP2022124892 A JP 2022124892A JP 7833985 B2 JP7833985 B2 JP 7833985B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
workpiece
protective member
polishing
chip
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022124892A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2024021801A (en
Inventor
法久 有福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2022124892A priority Critical patent/JP7833985B2/en
Publication of JP2024021801A publication Critical patent/JP2024021801A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7833985B2 publication Critical patent/JP7833985B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、チップの製造方法に関する。 This invention relates to a method for manufacturing chips.

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、デバイスウエーハを分割してチップ化するために、所謂「先ダイシング法」という方法が用いられている。この方法では、デバイスが形成されたウエーハの表面側から少なくともデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、表面側を保護テープで保護した状態でデバイスウエーハの裏面を研削して溝の底部を表出させることによりウエーハを分割する。 In the semiconductor device manufacturing process, a method known as "pre-dicing" is used to divide device wafers into chips. In this method, a groove at least equivalent to the finished thickness of the device is formed on the surface of the wafer. The back surface of the device wafer is then ground while the surface is protected with protective tape, exposing the bottom of the groove and thus dividing the wafer.

こうしてウエーハを分割した後、その平坦性やチップの強度を高めるために研磨処理がおこなわれることがある。この研磨処理には、ウエーハを吸引保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持されたウエーハを所定圧力で押圧しながら回転する研磨パッドを有する研磨ヘッドとを備える研磨装置が用いられる(例えば、特許文献1参照)。 After the wafers are divided in this way, a polishing process is sometimes performed to improve their flatness and chip strength. This polishing process uses a polishing apparatus that includes a chuck table for holding the wafers by suction, and a polishing head with a polishing pad that rotates while pressing the wafers held on the chuck table with a predetermined pressure (see, for example, Patent Document 1).

特開2004-335668号公報Japanese Patent Publication No. 2004-335668

しかしながら、先ダイシング法により既に個々のデバイスに分割されたチップを研磨装置で研磨しようとすると、保護テープの接着層上でチップが動いてしまうため、研磨パッドがウエーハに食いつきにくく、研磨加工に時間がかかるという課題があった。 However, when attempting to polish chips that have already been divided into individual devices using the pre-dicing method, a problem arose: the chips moved on the adhesive layer of the protective tape, making it difficult for the polishing pad to grip the wafer, resulting in a longer polishing time.

また、遊離砥粒のスラリーで研磨を行うと、チップの側面にスラリーが入り込み汚れるという問題も存在していた。 Furthermore, when polishing with a slurry containing free abrasive particles, there was a problem of the slurry getting into the sides of the chip and causing contamination.

本願発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、先ダイシング法により被加工物を分割してチップを形成した後に、チップの裏面を研磨する際の研磨時間を短縮するとともに、チップ側面の汚れを抑制することが可能なチップの製造方法を提供することを目的としている。 This invention was made in view of the above facts, and aims to provide a method for manufacturing chips that shortens the polishing time when polishing the back surface of the chip after dividing the workpiece by a pre-dicing method to form chips, and also suppresses contamination of the chip's sides.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチップの製造方法は、表面に複数の分割予定ラインが設定された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割してチップを製造するチップの製造方法であって、該被加工物の表面側から被加工物の該分割予定ラインに沿って加工を施し、該チップの仕上がり厚さに相当する深さを有する加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝形成ステップを実施した後、該加工溝が形成された被加工物の表面側に熱可塑性樹脂を含む保護部材を熱圧着することで、該加工溝の内部に該熱可塑性樹脂を侵入させて該被加工物と該保護部材とを一体化する保護部材一体化ステップと、該保護部材一体化ステップを実施した後、該被加工物の裏面側を研削して該加工溝を表出させ、個々のチップに分割する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該個々のチップの裏面側を研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を備え、該保護部材の貯蔵弾性率を、1×106(Pa)以上でかつ1×109(Pa)以下の範囲に設定していることを抑制することを特徴とする。 To solve the above-mentioned problems and achieve the objective, the present invention provides a chip manufacturing method for a workpiece having multiple division lines set on its surface, which is divided along these division lines to produce chips. This method comprises: a groove forming step, in which a groove is formed by processing the workpiece from its surface along the division lines to form a groove having a depth corresponding to the finished thickness of the chip; a protective member integration step, in which, after the groove forming step, a protective member containing a thermoplastic resin is heat-pressed onto the surface of the workpiece where the groove is formed, thereby allowing the thermoplastic resin to penetrate the groove and integrate the workpiece and the protective member; a grinding step, in which, after the protective member integration step, the back surface of the workpiece is ground to expose the groove and divide it into individual chips; and a polishing step, in which, after the grinding step, the back surface of each individual chip is polished with a polishing pad. The method is characterized by suppressing the setting of the storage modulus of the protective member to a range of 1 × 10⁶ (Pa) or more and 1 × 10⁹ (Pa) or less.

前記チップの製造方法では、該研磨ステップにおいて、該研磨パッドは、砥粒と、該砥粒を結合する結合材と、を含む固定砥粒研磨パッドであっても良い。 In the chip manufacturing method described above, the polishing pad in the polishing step may be a fixed abrasive polishing pad containing abrasive grains and a binder that binds the abrasive grains together.

本発明は、先ダイシング法により被加工物を分割してチップを形成した後に、チップの裏面を研磨する際の研磨時間を短縮するとともに、チップ側面の汚れを抑制することが可能となるという効果を奏する。 This invention offers the advantage of reducing the polishing time when polishing the back surface of a chip after dividing the workpiece by a pre-dicing method to form chips, and also suppressing contamination on the sides of the chips.

図1は、実施形態1に係るチップの製造方法の加工対象の被加工物の構成例を示す斜視図である。Figure 1 is a perspective view showing an example of the configuration of a workpiece to be processed by the chip manufacturing method according to Embodiment 1. 図2は、実施形態1に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。Figure 2 is a flowchart showing the flow of the chip manufacturing method according to Embodiment 1. 図3は、図2に示されたチップの製造方法の加工溝形成ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。Figure 3 is a schematic side view showing a partial cross-section of the groove formation step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. 図4は、図2に示されたチップの製造方法の加工溝形成ステップの変形例を一部断面で模式的に示す側面図である。Figure 4 is a schematic side view showing a modified example of the groove formation step in the chip manufacturing method shown in Figure 2, in partial cross-section. 図5は、図2に示されたチップの製造方法の保護部材一体化ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。Figure 5 is a schematic side view showing a partial cross-section of the protective member integration step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. 図6は、図2に示されたチップの製造方法の保護部材一体化ステップ後の被加工物の一部を模式的に示す断面図である。Figure 6 is a schematic cross-sectional view showing a portion of the workpiece after the protective member integration step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. 図7は、図2に示されたチップの製造方法の研削ステップの開始時を一部断面で模式的に示す側面図である。Figure 7 is a schematic side view showing a partial cross-section of the start of the grinding step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. 図8は、図2に示されたチップの製造方法の研削ステップの終了時を一部断面で模式的に示す側面図である。Figure 8 is a schematic side view showing a partial cross-section of the end of the grinding step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. 図9は、図2に示されたチップの製造方法の研磨ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。Figure 9 is a schematic side view showing a partial cross-section of the polishing step in the chip manufacturing method shown in Figure 2.

本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 The embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below. Furthermore, the components described below include those that are easily conceivable to those skilled in the art, and those that are substantially the same. Moreover, the components described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions, or modifications of the components can be made without departing from the spirit of the present invention.

〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係るチップの製造方法の加工対象の被加工物の構成例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。
[Embodiment 1]
A method for manufacturing a chip according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to the drawings. Figure 1 is a perspective view showing an example of the configuration of a workpiece to be processed in the chip manufacturing method according to Embodiment 1. Figure 2 is a flowchart showing the flow of the chip manufacturing method according to Embodiment 1.

(被加工物)
実施形態1に係るチップの製造方法は、図1に示す被加工物1をチップ10に分割する方法である。実施形態1に係るチップの製造方法の加工対象の被加工物1は、シリコン、サファイヤ、ガリウムヒ素、又はSiC(炭化ケイ素)等を基板2とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。被加工物1は、図1に示すように、表面3に互いに交差する複数の分割予定ライン4が設定され、分割予定ライン4によって区画された領域にデバイス5が形成されている。
(Workpiece)
The chip manufacturing method according to Embodiment 1 is a method of dividing the workpiece 1 shown in Figure 1 into chips 10. The workpiece 1 to be processed in the chip manufacturing method according to Embodiment 1 is a wafer such as a disc-shaped semiconductor wafer or optical device wafer with a substrate 2 made of silicon, sapphire, gallium arsenide, or SiC (silicon carbide). As shown in Figure 1, the workpiece 1 has a plurality of intersecting division lines 4 set on its surface 3, and devices 5 are formed in the regions partitioned by the division lines 4.

デバイス5は、例えば、IC(Integrated Circuit)、又はLSI(Large Scale Integration)等の集積回路、CCD(Charge Coupled Device)、又はCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等のイメージセンサ、又はメモリ(半導体記憶装置)である。被加工物1は、分割予定ライン4に沿って個々のチップ10に分割される。なお、チップ10は、基板2の一部と、デバイス5とを備え、被加工物1の厚さよりも薄い仕上がり厚さ11まで薄化される。 Device 5 is, for example, an integrated circuit (IC) or LSI (Large Scale Integration), an image sensor (CCD) or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), or a memory (semiconductor memory device). The workpiece 1 is divided into individual chips 10 along the planned division line 4. Each chip 10 comprises a portion of the substrate 2 and the device 5, and is thinned to a finished thickness 11 that is thinner than the thickness of the workpiece 1.

(チップの製造方法)
実施形態1に係るチップの製造方法は、被加工物1を分割予定ライン4に沿って分割してチップ10を製造する方法である。実施形態1に係るチップの製造方法は、加工溝形成ステップ101と、保護部材一体化ステップ102と、研削ステップ103と、研磨ステップ104とを備える。
(Method of manufacturing chips)
The chip manufacturing method according to Embodiment 1 is a method for manufacturing a chip 10 by dividing a workpiece 1 along a planned division line 4. The chip manufacturing method according to Embodiment 1 comprises a processing groove forming step 101, a protective member integration step 102, a grinding step 103, and a polishing step 104.

(加工溝形成ステップ)
図3は、図2に示されたチップの製造方法の加工溝形成ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。図4は、図2に示されたチップの製造方法の加工溝形成ステップの変形例を一部断面で模式的に示す側面図である。加工溝形成ステップ101は、被加工物1の表面3側から被加工物1の分割予定ライン4に沿って加工を施し、チップ10の仕上がり厚さ11に相当する深さ12(図3に示す)を有する加工溝13を形成するステップである。
(Processing groove formation step)
Figure 3 is a schematic side view showing a partial cross-section of the groove formation step of the chip manufacturing method shown in Figure 2. Figure 4 is a schematic side view showing a partial cross-section of a modified example of the groove formation step of the chip manufacturing method shown in Figure 2. The groove formation step 101 is a step in which processing is performed from the surface 3 side of the workpiece 1 along the planned division line 4 of the workpiece 1 to form a groove 13 having a depth 12 (shown in Figure 3) corresponding to the finished thickness 11 of the chip 10.

実施形態1において、加工溝形成ステップ101では、被加工物1は、表面3の裏側の裏面6に被加工物1の外径よりも大径な円板状の図1に示す粘着テープ7が貼着され、粘着テープ7の外縁部に内径が被加工物1の外径よりも大径な環状の図1に示すフレーム8が貼着されて、フレーム8の開口内に支持される。実施形態1において、加工溝形成ステップ101では、図3に示す切削装置20が、被加工物1の裏面6側を粘着テープ7を介してチャックテーブル21の保持面22に吸引保持し、フレーム8をチャックテーブル31の周囲に設けられたクランプ部23でクランプする。 In Embodiment 1, during the groove forming step 101, a disc-shaped adhesive tape 7, shown in Figure 1, with a diameter larger than the outer diameter of the workpiece 1, is attached to the back surface 6 of the workpiece surface 3. An annular frame 8, shown in Figure 1, with an inner diameter larger than the outer diameter of the workpiece 1, is attached to the outer edge of the adhesive tape 7, and the workpiece 1 is supported within the opening of the frame 8. In Embodiment 1, during the groove forming step 101, the cutting device 20 shown in Figure 3 holds the back surface 6 of the workpiece 1 to the holding surface 22 of the chuck table 21 via the adhesive tape 7, and clamps the frame 8 with clamping portions 23 provided around the chuck table 31.

実施形態1において、加工溝形成ステップ101では、切削装置20が図示しない撮像ユニットにチャックテーブル21に保持された被加工物1を撮像させ、撮像させて取得した画像から分割予定ライン4を抽出し、被加工物1の分割予定ライン4と切削ブレード24との位置合わせを行うアライメントを遂行する。実施形態1において、加工溝形成ステップ101では、図3に示すように、切削装置20がチャックテーブル21と切削ブレード24とを分割予定ライン4に沿って相対的に移動させながら、切削ブレード24を分割予定ライン4に仕上がり厚さ11に相当する深さ12に切り込ませて、被加工物1の分割予定ライン4に仕上がり厚さ11に相当する深さ12の加工溝13を形成する。 In Embodiment 1, in the groove formation step 101, the cutting device 20 uses an imaging unit (not shown) to image the workpiece 1 held on the chuck table 21. From the image acquired, the cutting device extracts the planned division line 4 and performs alignment, aligning the planned division line 4 of the workpiece 1 with the cutting blade 24. In Embodiment 1, in the groove formation step 101, as shown in Figure 3, the cutting device 20 moves the chuck table 21 and the cutting blade 24 relative to each other along the planned division line 4, causing the cutting blade 24 to cut into the planned division line 4 to a depth 12 corresponding to the finished thickness 11, thereby forming a groove 13 with a depth 12 corresponding to the finished thickness 11 in the planned division line 4 of the workpiece 1.

実施形態1において、加工溝形成ステップ101では、被加工物1に切削加工(加工に相当)を施して、被加工物1の全ての分割予定ライン4に加工溝13を形成する。なお、実施形態1では、加工溝13の深さ12は、チップ10の仕上がり厚さ11以上の深さである。 In Embodiment 1, the groove formation step 101 involves cutting (equivalent to machining) the workpiece 1 to form grooves 13 along all planned division lines 4 of the workpiece 1. In Embodiment 1, the depth 12 of the grooves 13 is greater than or equal to the finished thickness 11 of the chip 10.

また、実施形態1において、加工溝形成ステップ101では、切削装置20が被加工物1の全ての分割予定ライン4に加工溝13を形成したが、本発明では、図4に示すレーザー加工装置30が被加工物1の全ての分割予定ライン4に加工溝13を形成してもよい。この場合、実施形態1において、加工溝形成ステップ101では、レーザー加工装置30が、被加工物1の裏面6側を粘着テープ7を介してチャックテーブル31の保持面32に吸引保持し、フレーム8をチャックテーブル31の周囲に設けられたクランプ部33でクランプする。 Furthermore, in Embodiment 1, in the groove formation step 101, the cutting device 20 formed grooves 13 on all the planned division lines 4 of the workpiece 1. However, in the present invention, the laser processing device 30 shown in Figure 4 may form grooves 13 on all the planned division lines 4 of the workpiece 1. In this case, in Embodiment 1, in the groove formation step 101, the laser processing device 30 holds the back surface 6 of the workpiece 1 to the holding surface 32 of the chuck table 31 via adhesive tape 7, and clamps the frame 8 with clamping parts 33 provided around the chuck table 31.

加工溝形成ステップ101では、レーザー加工装置30が図示しない撮像ユニットにチャックテーブル31に保持された被加工物1を撮像させ、撮像させて取得した画像から分割予定ライン4を抽出し、被加工物1の分割予定ライン4とレーザービーム照射ユニットの集光レンズ34との位置合わせを行うアライメントを遂行する。加工溝形成ステップ101では、図4に示すように、レーザー加工装置30がチャックテーブル41とレーザービーム照射ユニットの集光レンズ34とを分割予定ライン4に沿って相対的に移動させながら、集光点35を表面3に設定して、レーザービーム照射ユニットから被加工物1に対して吸収性を有する波長のレーザービーム36を分割予定ライン4に照射して、被加工物1の分割予定ライン4に仕上がり厚さ11に相当する深さ12の加工溝13を形成する。こうして、加工溝形成ステップ101では、被加工物1にアブレーション加工(加工に相当)を施して、被加工物1の全ての分割予定ライン4に加工溝13を形成しても良い。 In the groove formation step 101, the laser processing apparatus 30 uses an imaging unit (not shown) to image the workpiece 1 held on the chuck table 31. From the acquired image, the laser processing apparatus extracts the planned division lines 4 and performs alignment, aligning the planned division lines 4 of the workpiece 1 with the focusing lens 34 of the laser beam irradiation unit. In the groove formation step 101, as shown in Figure 4, the laser processing apparatus 30 moves the chuck table 41 and the focusing lens 34 of the laser beam irradiation unit relative to each other along the planned division lines 4, setting the focusing point 35 to the surface 3. The laser beam irradiation unit then irradiates the planned division lines 4 with a laser beam 36 of a wavelength absorbed by the workpiece 1, forming grooves 13 with a depth 12 corresponding to the finished thickness 11 along the planned division lines 4 of the workpiece 1. In this way, in the groove formation step 101, ablation processing (equivalent to processing) may be performed on the workpiece 1 to form grooves 13 along all of the planned division lines 4 of the workpiece 1.

(保護部材一体化ステップ)
図5は、図2に示されたチップの製造方法の保護部材一体化ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。図6は、図2に示されたチップの製造方法の保護部材一体化ステップ後の被加工物の一部を模式的に示す断面図である。保護部材一体化ステップ102は、加工溝形成ステップ101を実施した後、加工溝13が形成された被加工物1の表面3側に熱可塑性樹脂を含む保護部材14を熱圧着することで、加工溝13の内部に熱可塑性樹脂を侵入させて被加工物1と保護部材14とを一体化するステップである。
(Integration step of protective component)
Figure 5 is a schematic side view showing a partial cross-section of the protective member integration step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. Figure 6 is a schematic cross-sectional view showing a part of the workpiece after the protective member integration step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. The protective member integration step 102 is a step in which, after performing the processing groove formation step 101, a protective member 14 containing a thermoplastic resin is heat-pressed onto the surface 3 side of the workpiece 1 in which the processing groove 13 has been formed, thereby allowing the thermoplastic resin to penetrate into the processing groove 13 and integrating the workpiece 1 and the protective member 14.

実施形態1において、保護部材一体化ステップ102では、図5に示す一体化装置40が、被加工物1の裏面6側を粘着テープ7を介してチャックテーブル41の保持面42に吸引保持し、被加工物1の表面3側に保護部材14を載置する。なお、実施形態1において、保護部材14は、被加工物1と同径の円板状に形成され、厚さが一様に形成されている。保護部材14は、熱可塑性樹脂により構成されている。 In Embodiment 1, during the protective member integration step 102, the integration device 40 shown in Figure 5 holds the back surface 6 of the workpiece 1 to the holding surface 42 of the chuck table 41 via adhesive tape 7, and places the protective member 14 on the front surface 3 of the workpiece 1. In Embodiment 1, the protective member 14 is formed in a disc shape with the same diameter as the workpiece 1 and has a uniform thickness. The protective member 14 is made of thermoplastic resin.

実施形態1において、保護部材14を構成する熱可塑性樹脂は、具体的には、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ビニル系樹脂、ポリアセタール、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ(4-メチル-1-ペンテン)、ポリ(1-ブテン)等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル、ナイロン-6、ナイロン-66、ポリメタキシレンアジパミド等のポリアミド、ポリアクリレート、ポリメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリエーテルイミド、ポリアクリロニトリル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレン、エーテルポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、熱可塑性ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂、エチレン-不飽和カルボン酸共重合樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合樹脂、アイオノマー、エチレン-酢酸ビニル-無水マレイン酸三元共重合樹脂、エチレン-酢酸ビニル共重合体ケン化樹脂、並びに、エチレン-ビニルアルコール共重合樹脂等から選択される一種または二種以上を挙げることができる。 In Embodiment 1, the thermoplastic resin constituting the protective member 14 is specifically acrylic resin, methacrylic resin, vinyl resin, polyacetal, natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, polyethylene, polypropylene, polyolefins such as poly(4-methyl-1-pentene) and poly(1-butene), polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polyamides such as nylon-6, nylon-66, and polymetaxylene adipamide, polyacrylate, polymethacrylate, polyvinyl chloride, polyetherimide, and polyacrylo Examples include one or more selected from nitriles, polycarbonates, polystyrenes, polysulfones, polyethersulfones, polyphenylenes, etherpolybutadiene resins, polycarbonate resins, thermoplastic polyimide resins, thermoplastic polyurethane resins, phenoxy resins, polyamideimide resins, fluororesins, ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymer resins, ethylene-vinyl acetate copolymer resins, ionomers, ethylene-vinyl acetate-maleic anhydride terpolymer resins, ethylene-vinyl acetate copolymer saponified resins, and ethylene-vinyl alcohol copolymer resins.

上記のエチレン-不飽和カルボン酸共重合体を構成する不飽和カルボン酸は、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、無水マレイン酸、及び、無水イタコン酸等が例示される。ここで、エチレン-不飽和カルボン酸共重合体は、エチレンと不飽和カルボン酸の2元共重合体のみならず、更に他の単量体が共重合された多元共重合体を包含するものである。エチレン-不飽和カルボン酸共重合体に共重合されていてもよい上記他の単量体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸n-ブチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸イソブチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチルのような不飽和カルボン酸エステルなどが例示される。 Examples of unsaturated carboxylic acids constituting the above-mentioned ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymer include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, itaconic acid, monomethyl maleate, monoethyl maleate, maleic anhydride, and itaconic anhydride. Here, the term ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymer includes not only binary copolymers of ethylene and unsaturated carboxylic acids, but also multi-component copolymers in which other monomers are copolymerized. Examples of other monomers that may be copolymerized in the ethylene-unsaturated carboxylic acid copolymer include vinyl esters such as vinyl acetate and vinyl propionate, and unsaturated carboxylic acid esters such as methyl acrylate, ethyl acrylate, isobutyl acrylate, n-butyl acrylate, methyl methacrylate, isobutyl methacrylate, dimethyl maleate, and diethyl maleate.

また、実施形態1において、保護部材14は、前述した熱可塑性樹脂の成分、分子量等が適宜調整されることで、貯蔵弾性率が1×10(Pa)以上でかつ1×10(Pa)以下の範囲に設定されている。なお、保護部材14の貯蔵弾性率が1×10(Pa)より小さいと、保護部材14が柔らかくて、研磨ステップ104中に、チップ10が動き、研磨ステップ104後に保護部材14を剥がしてもチップ10に保護部材14を構成する熱可塑性樹脂が残留するので、望ましくない。 Furthermore, in Embodiment 1, the storage modulus of the protective member 14 is set to be in the range of 1 × 10⁶ (Pa) or more and 1 × 10⁹ (Pa) or less, by appropriately adjusting the components, molecular weight, etc., of the thermoplastic resin described above. If the storage modulus of the protective member 14 is less than 1 × 10⁶ (Pa), the protective member 14 will be too soft, causing the tip 10 to move during the polishing step 104, and even if the protective member 14 is peeled off after the polishing step 104, the thermoplastic resin constituting the protective member 14 will remain on the tip 10, which is undesirable.

また、保護部材14の貯蔵弾性率が1×10(Pa)より大きいと、保護部材一体化ステップ102において保護部材14を加熱する温度を高くしないと保護部材14が被加工物1に貼り付かなくなるため、デバイス5の損傷を招く可能性があるので、望ましくない。例えば、保護部材14の貯蔵弾性率が1×1011(Pa)程度になると、保護部材一体化ステップ102において保護部材14を加熱する温度を200℃程度にしないと保護部材14が被加工物1に貼り付かなくなる。 Furthermore, if the storage modulus of the protective member 14 is greater than 1 × 10⁹ (Pa), the protective member 14 will not adhere to the workpiece 1 unless the heating temperature of the protective member 14 is increased in the protective member integration step 102, which may lead to damage to the device 5 and is therefore undesirable. For example, if the storage modulus of the protective member 14 is around 1 × 10¹¹ (Pa), the protective member 14 will not adhere to the workpiece 1 unless the heating temperature of the protective member 14 in the protective member integration step 102 is increased to around 200°C.

このように、実施形態1に係るチップ10の製造方法は、保護部材14の貯蔵弾性率を、1×10(Pa)以上でかつ1×10(Pa)以下の範囲に設定することで、研磨ステップ104中に個々のチップ10が動くことを抑制する。また、実施形態1に係るチップ10の製造方法は、保護部材14の貯蔵弾性率を、1×10(Pa)以上でかつ1×10(Pa)以下の範囲に設定することで、保護部材14を高温で貼り付けなくてもいいことからデバイス5の損傷リスクを低減することができる。 Thus, the manufacturing method of the chip 10 according to Embodiment 1 suppresses the movement of individual chips 10 during the polishing step 104 by setting the storage modulus of the protective member 14 to a range of 1 × 10⁶ (Pa) or more and 1 × 10⁹ (Pa) or less. Furthermore, the manufacturing method of the chip 10 according to Embodiment 1 reduces the risk of damage to the device 5 because the protective member 14 does not need to be attached at a high temperature by setting the storage modulus of the protective member 14 to a range of 1 × 10⁶ (Pa) or more and 1 × 10⁹ (Pa) or less.

実施形態1において、保護部材一体化ステップ102では、一体化装置40が、図5に示すように、所定時間、被加工物1の表面3上に載置された保護部材14を熱源43により100℃程度まで加熱しながら図示しない押圧部材により保護部材14を被加工物1に向かって押圧する。すると、保護部材14が軟化して、保護部材14が被加工物1の表面3に貼着されるとともに、保護部材14を構成する熱可塑性樹脂の一部が図6に示すように加工溝13内に侵入する。また、本発明では、保護部材一体化ステップ102において、熱源43が組み込まれた押圧部材で保護部材14を被加工物1に向かって押圧しても良い。 In Embodiment 1, during the protective member integration step 102, the integration device 40, as shown in Figure 5, heats the protective member 14, which is placed on the surface 3 of the workpiece 1, to approximately 100°C using a heat source 43 for a predetermined time, while simultaneously pressing the protective member 14 toward the workpiece 1 with a pressing member (not shown). This causes the protective member 14 to soften and adhere to the surface 3 of the workpiece 1, while a portion of the thermoplastic resin constituting the protective member 14 penetrates into the processing groove 13, as shown in Figure 6. Furthermore, in the present invention, during the protective member integration step 102, the protective member 14 may be pressed toward the workpiece 1 with a pressing member incorporating the heat source 43.

こうして、実施形態1において、保護部材一体化ステップ102では、一体化装置40が、加工溝13が形成された被加工物1の表面3側に熱可塑性樹脂を含む保護部材14を熱圧着することで、加工溝13の内部に熱可塑性樹脂を侵入させて被加工物1と保護部材14とを一体化する。なお、保護部材一体化ステップ102では、熱源43によって、保護部材14を軟化点以上かつ融点以下の温度に加熱することが望ましい。また、実施形態1において、保護部材一体化ステップ102では、被加工物1の裏面6から粘着テープ7を剥離する。 Thus, in Embodiment 1, in the protective member integration step 102, the integration device 40 heat-presses the protective member 14 containing thermoplastic resin onto the surface 3 side of the workpiece 1 where the processing groove 13 is formed, thereby allowing the thermoplastic resin to penetrate into the processing groove 13 and integrating the workpiece 1 and the protective member 14. It is desirable that in the protective member integration step 102, the protective member 14 is heated to a temperature above its softening point and below its melting point using the heat source 43. Furthermore, in Embodiment 1, in the protective member integration step 102, the adhesive tape 7 is peeled off from the back surface 6 of the workpiece 1.

(研削ステップ)
図7は、図2に示されたチップの製造方法の研削ステップの開始時を一部断面で模式的に示す側面図である。図8は、図2に示されたチップの製造方法の研削ステップの終了時を一部断面で模式的に示す側面図である。研削ステップ103は、保護部材一体化ステップ102を実施した後、被加工物1の裏面6側を研削して加工溝13を裏面6側に表出させ、被加工物1を個々のチップ10に分割するステップである。
(Grinding step)
Figure 7 is a schematic side view showing a partial cross-section at the start of the grinding step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. Figure 8 is a schematic side view showing a partial cross-section at the end of the grinding step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. The grinding step 103 is a step in which, after performing the protective member integration step 102, the back surface 6 side of the workpiece 1 is ground to expose the processing groove 13 on the back surface 6 side, and the workpiece 1 is divided into individual chips 10.

実施形態1において、研削ステップ103では、研削装置50が被加工物1の表面3側を保護部材14を介してチャックテーブル51の保持面52に吸引保持する。実施形態1において、研削ステップ103では、図7に示すように、研削装置50がスピンドル53により研削用の研削ホイール54を軸心回りに回転しかつチャックテーブル51を軸心回りに回転するとともに、図示しない研削液ノズルから研削液を供給しつつ、研削ホイール54の研削砥石55を被加工物1の裏面6に当接させてチャックテーブル51に所定の送り速度で近づけて、研削砥石55で被加工物1の裏面6側を研削する。 In Embodiment 1, during the grinding step 103, the grinding device 50 holds the workpiece 1 (surface 3 side) to the holding surface 52 of the chuck table 51 via a protective member 14. In Embodiment 1, during the grinding step 103, as shown in Figure 7, the grinding device 50 rotates the grinding wheel 54 around its axis using the spindle 53, and also rotates the chuck table 51 around its axis. While supplying grinding fluid from a grinding fluid nozzle (not shown), the grinding wheel 55 of the grinding wheel 54 is brought into contact with the back surface 6 of the workpiece 1 and brought closer to the chuck table 51 at a predetermined feed rate, thereby grinding the back surface 6 of the workpiece 1 with the grinding wheel 55.

実施形態1において、図8に示すように、研削ステップ103では、研削装置50が被加工物1の厚さが仕上がり厚さ11になると、研削ホイール54を被加工物1の裏面6から遠ざける。すると、加工溝13が、被加工物1の裏面6側に露出して、被加工物1が個々のチップ10に分割される。 In Embodiment 1, as shown in Figure 8, during the grinding step 103, when the thickness of the workpiece 1 reaches the finished thickness 11, the grinding device 50 moves the grinding wheel 54 away from the back surface 6 of the workpiece 1. This exposes the machining groove 13 to the back surface 6 of the workpiece 1, and the workpiece 1 is divided into individual chips 10.

(研磨ステップ)
図9は、図2に示されたチップの製造方法の研磨ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。研磨ステップ104は、研削ステップ103を実施した後、個々のチップ10の裏面6側を研磨パッド64で研磨するステップである。
(Polishing step)
Figure 9 is a schematic side view showing a partial cross-section of the polishing step in the chip manufacturing method shown in Figure 2. The polishing step 104 is a step in which the back surface 6 of each chip 10 is polished with a polishing pad 64 after the grinding step 103 has been performed.

実施形態1において、研磨ステップ104では、研磨装置60が被加工物1の表面3側を保護部材14を介してチャックテーブル61の保持面62に吸引保持する。実施形態1において、研磨ステップ105では、図9に示すように、研磨装置60がスピンドル63により研磨用の研磨パッド64を軸心回りに回転しかつチャックテーブル61を軸心回りに回転するとともに、研磨パッド64等に設けられた研磨液供給路65から研磨液66を供給しつつ、研磨パッド64を被加工物1の裏面6に押圧させて、研磨パッド64で被加工物1の裏面6側を所定時間研磨する。実施形態1において、研磨ステップ104では、研磨装置60が被加工物1の研磨を終了すると、研磨パッド64を被加工物1の裏面6から遠ざけて、チップの製造方法を終了する。 In Embodiment 1, during polishing step 104, the polishing device 60 holds the workpiece 1 (surface 3) to the holding surface 62 of the chuck table 61 via a protective member 14. In Embodiment 1, during polishing step 105, as shown in Figure 9, the polishing device 60 rotates the polishing pad 64 around its axis using a spindle 63, and rotates the chuck table 61 around its axis. While supplying polishing fluid 66 from a polishing fluid supply passage 65 provided on the polishing pad 64, the polishing pad 64 is pressed against the back surface 6 of the workpiece 1, polishing the back surface 6 of the workpiece 1 for a predetermined time. In Embodiment 1, after polishing step 104, when the polishing device 60 finishes polishing the workpiece 1, the polishing pad 64 is moved away from the back surface 6 of the workpiece 1, thus ending the chip manufacturing process.

なお、実施形態1では、研磨ステップ104において、研磨パッド64は、砥粒と、砥粒を結合する結合材とを含む固定砥粒型の研磨パッドであり、研磨液66は、砥粒を含まない研磨液である。このように、実施形態1では、研磨ステップ104において、固定砥粒型の研磨パッド64と砥粒を含まない研磨液66とで被加工物1を研磨する。しかしながら、本発明では、研磨ステップ104において、研磨液として砥粒を含んだスラリーを供給しながら研磨する、所謂遊離砥粒のスラリーで研磨しても良い。 In Embodiment 1, in polishing step 104, the polishing pad 64 is a fixed abrasive type polishing pad containing abrasive grains and a binder that binds the abrasive grains, and the polishing liquid 66 is a polishing liquid that does not contain abrasive grains. Thus, in Embodiment 1, in polishing step 104, the workpiece 1 is polished with the fixed abrasive type polishing pad 64 and the polishing liquid 66 that does not contain abrasive grains. However, in the present invention, in polishing step 104, polishing may also be performed using a slurry containing abrasive grains as the polishing liquid, a so-called free abrasive slurry.

以上説明した実施形態1に係るチップの製造方法は、加工溝形成ステップ101において被加工物1の表面3に加工溝13を形成し、熱可塑性樹脂により構成された保護部材14を加熱して被加工物1の表面3に密着させるとともに加工溝13内に保護部材14を構成する熱可塑性樹脂を侵入させる保護部材一体化ステップ102を実施した後、研削ステップ103で被加工物1を研削して被加工物1を個々のチップ10に分割する所謂先ダイシング法により被加工物をチップ10に分割する。その結果、実施形態1に係るチップの製造方法は、研磨ステップ104において、加工溝13内に保護部材14を構成する熱可塑性樹脂が侵入しているので、研磨ステップ104中にチップ10が動くことを抑制することができるという効果を奏する。 The chip manufacturing method according to Embodiment 1 described above involves forming a processing groove 13 on the surface 3 of the workpiece 1 in the processing groove forming step 101, then performing a protective member integration step 102 in which a protective member 14 made of thermoplastic resin is heated to adhere to the surface 3 of the workpiece 1 and the thermoplastic resin constituting the protective member 14 penetrates into the processing groove 13, and finally, in the grinding step 103, the workpiece 1 is ground to divide it into individual chips 10 using a so-called pre-dicing method. As a result, the chip manufacturing method according to Embodiment 1 has the effect of suppressing the movement of the chips 10 during the polishing step 104 because the thermoplastic resin constituting the protective member 14 penetrates into the processing groove 13.

また、実施形態1に係るチップの製造方法は、研磨ステップ104において、加工溝13内に保護部材14を構成する熱可塑性樹脂が侵入しているので、たとえ遊離砥粒のスラリーで研磨しても加工溝13内にスラリー等が侵入することを抑制でき、分割されたチップ10の側面にスラリー等が付着することを抑制できる。その結果、実施形態1に係るチップの製造方法は、研磨ステップ104において、たとえ遊離砥粒のスラリーで研磨してもチップ10側面の汚れを抑制することができるという効果を奏する。 Furthermore, in the chip manufacturing method according to Embodiment 1, since the thermoplastic resin constituting the protective member 14 penetrates into the processing groove 13 during the polishing step 104, even if polishing is performed with a slurry of free abrasive particles, the penetration of slurry into the processing groove 13 can be suppressed, and the adhesion of slurry to the side surfaces of the divided chip 10 can be suppressed. As a result, the chip manufacturing method according to Embodiment 1 has the effect of suppressing contamination of the side surfaces of the chip 10 even when polishing is performed with a slurry of free abrasive particles during the polishing step 104.

また、本発明の発明者は、研磨ステップ104において、固定砥粒型の研磨パッド64と砥粒を含まない研磨液66とで被加工物1を研磨することにより、チップ10の側面汚れがなくなるが、分割されたチップ10を粘着テープ等で固定して研磨すると、チップ10が動いて研磨時間が長時間化することを発見した。しかしながら、実施形態1に係るチップの製造方法は、被加工物1の加工溝13内に侵入して、被加工物1と一体化する保護部材14の貯蔵弾性率を1×10(Pa)以上に設定しているので、研磨ステップ104中にチップ10が動くことを抑制でき、研磨時間を抑制することができる。 Furthermore, the inventors of the present invention discovered that in the polishing step 104, polishing the workpiece 1 with a fixed abrasive-type polishing pad 64 and a polishing liquid 66 that does not contain abrasive particles removes dirt from the sides of the chip 10. However, when the divided chip 10 is fixed with adhesive tape or the like for polishing, the chip 10 moves, resulting in a longer polishing time. However, in the chip manufacturing method according to Embodiment 1, the storage modulus of the protective member 14, which enters into the processing groove 13 of the workpiece 1 and integrates with the workpiece 1, is set to 1 × 10⁶ (Pa) or higher. Therefore, movement of the chip 10 during the polishing step 104 can be suppressed, and the polishing time can be reduced.

その結果、実施形態1に係るチップの製造方法は、先ダイシング法により被加工物1を分割してチップ10を形成した後に、チップ10の裏面6を研磨する際の研磨時間を短縮するとともに、チップ10側面の汚れを抑制することが可能となるという効果を奏する。 As a result, the chip manufacturing method according to Embodiment 1 has the effect of shortening the polishing time when polishing the back surface 6 of the chip 10 after dividing the workpiece 1 by the pre-dicing method and forming the chip 10, and also suppressing contamination of the side surface of the chip 10.

また、実施形態1に係るチップの製造方法は、被加工物1に一体化する保護部材14の貯蔵弾性率を1×10(Pa)以上に設定しているので、保護部材14からチップ10を剥離しても、チップ10に保護部材14を構成する熱可塑性樹脂が残存することを抑制することができる。 Furthermore, in the chip manufacturing method according to Embodiment 1, the storage modulus of the protective member 14 integrated with the workpiece 1 is set to 1 × 10⁶ (Pa) or higher. Therefore, even when the chip 10 is peeled off from the protective member 14, it is possible to suppress the remaining presence of the thermoplastic resin constituting the protective member 14 on the chip 10.

また、実施形態1に係るチップの製造方法は、被加工物1に一体化する保護部材14の貯蔵弾性率を1×10(Pa)以下に設定しているので、デバイス5にダメージを与えることなく、保護部材14を被加工物1の表面3側に貼着することができる。 Furthermore, in the chip manufacturing method according to Embodiment 1, the storage modulus of the protective member 14 integrated with the workpiece 1 is set to 1 × 10⁹ (Pa) or less, so the protective member 14 can be attached to the surface 3 side of the workpiece 1 without damaging the device 5.

なお、本発明は、上記実施形態に等限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 Furthermore, the present invention is not limited to the embodiments described above. That is, it can be implemented with various modifications without departing from the core principles of the present invention.

1 被加工物
3 表面
4 分割予定ライン
10 チップ
11 仕上がり厚さ
12 深さ
13 加工溝
14 保護部材
101 加工溝形成ステップ
102 保護部材一体化ステップ
103 研削ステップ
104 研磨ステップ
1 Workpiece 3 Surface 4 Planned division line 10 Chip 11 Finished thickness 12 Depth 13 Machining groove 14 Protective member 101 Machining groove formation step 102 Protective member integration step 103 Grinding step 104 Polishing step

Claims (2)

表面に複数の分割予定ラインが設定された被加工物を該分割予定ラインに沿って分割してチップを製造するチップの製造方法であって、
該被加工物の表面側から被加工物の該分割予定ラインに沿って加工を施し、該チップの仕上がり厚さに相当する深さを有する加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
該加工溝形成ステップを実施した後、該加工溝が形成された被加工物の表面側に熱可塑性樹脂を含む保護部材を熱圧着することで、該加工溝の内部に該熱可塑性樹脂を侵入させて該被加工物と該保護部材とを一体化する保護部材一体化ステップと、
該保護部材一体化ステップを実施した後、該被加工物の裏面側を研削して該加工溝を表出させ、個々のチップに分割する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、該個々のチップの裏面側を研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を備え、
該保護部材の貯蔵弾性率を、1×10(Pa)以上でかつ1×10(Pa)以下の範囲に設定していることを特徴とする、チップの製造方法。
A method for manufacturing chips, which involves dividing a workpiece having multiple division lines set on its surface along the division lines to produce chips,
A machining groove forming step involves machining the workpiece from the surface side along the planned division line of the workpiece to form a machining groove having a depth corresponding to the finished thickness of the chip,
After performing the groove forming step, a protective member integration step is performed, in which a protective member containing a thermoplastic resin is heat-pressed onto the surface side of the workpiece on which the groove has been formed, thereby allowing the thermoplastic resin to penetrate into the groove and integrating the workpiece and the protective member.
After performing the protective member integration step, the back side of the workpiece is ground to expose the processing grooves and divide it into individual chips in a grinding step,
The grinding step is followed by a polishing step in which the back surface of each chip is polished with a polishing pad,
A method for manufacturing a chip, characterized in that the storage modulus of the protective member is set to a range of 1 × 10⁶ (Pa) or more and 1 × 10⁹ (Pa) or less.
該研磨ステップにおいて、該研磨パッドは、砥粒と、該砥粒を結合する結合材と、を含む固定砥粒研磨パッドであることを特徴とする、請求項1記載のチップの製造方法。 The method for manufacturing a chip according to claim 1, characterized in that, in the polishing step, the polishing pad is a fixed abrasive polishing pad containing abrasive grains and a binder that binds the abrasive grains together.
JP2022124892A 2022-08-04 2022-08-04 Chip manufacturing method Active JP7833985B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022124892A JP7833985B2 (en) 2022-08-04 2022-08-04 Chip manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022124892A JP7833985B2 (en) 2022-08-04 2022-08-04 Chip manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2024021801A JP2024021801A (en) 2024-02-16
JP7833985B2 true JP7833985B2 (en) 2026-03-23

Family

ID=89855447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022124892A Active JP7833985B2 (en) 2022-08-04 2022-08-04 Chip manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7833985B2 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001176822A (en) 1999-12-16 2001-06-29 Disco Abrasive Syst Ltd Semiconductor wafer splitting method
WO2013136897A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 リンテック株式会社 Back-grind-sheet substrate and adhesive sheet, method for producing substrate and sheet, and method for producing workpiece
JP2015056446A (en) 2013-09-10 2015-03-23 古河電気工業株式会社 Adhesive tape for protecting semiconductor wafer surface and method for processing semiconductor wafer
JP2018060871A (en) 2016-10-03 2018-04-12 株式会社ディスコ Manufacturing method for device chip

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001176822A (en) 1999-12-16 2001-06-29 Disco Abrasive Syst Ltd Semiconductor wafer splitting method
WO2013136897A1 (en) 2012-03-12 2013-09-19 リンテック株式会社 Back-grind-sheet substrate and adhesive sheet, method for producing substrate and sheet, and method for producing workpiece
JP2015056446A (en) 2013-09-10 2015-03-23 古河電気工業株式会社 Adhesive tape for protecting semiconductor wafer surface and method for processing semiconductor wafer
JP2018060871A (en) 2016-10-03 2018-04-12 株式会社ディスコ Manufacturing method for device chip

Also Published As

Publication number Publication date
JP2024021801A (en) 2024-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI818093B (en) Wafer processing methods
US10262899B2 (en) Method of processing wafer
US9640420B2 (en) Wafer processing method
US10438898B2 (en) Wafer processing method
JP5710133B2 (en) How to divide work
JP2020088187A (en) Wafer processing method
KR20170046584A (en) Wafer processing method
KR20170030035A (en) Wafer machining method
JP2024006412A (en) Processing method and processing equipment
CN100428418C (en) Wafer Separation Method
JP7833985B2 (en) Chip manufacturing method
CN116100143A (en) processing method
JP4532358B2 (en) Manufacturing method of semiconductor chip
JP2022073749A (en) Wafer processing method
JP2022185370A (en) Wafer processing method
JP7534192B2 (en) Processing method
JP7578451B2 (en) Wafer processing method
JP7831964B2 (en) Wafer splitting method
JP2024060735A (en) Machining method
JP2023078910A (en) Wafer processing method
TW202531412A (en) Method of processing wafer
TW202322969A (en) How to set up protection components
JP2024177975A (en) Method for processing workpieces
JP2023088588A (en) Wafer processing method
JP2024164456A (en) Work-piece grinding method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20250620

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20260212

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20260217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20260310

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7833985

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150