JP7841889B2 - 半導体モジュール - Google Patents

Description

本発明は、半導体モジュールに関する。

半導体モジュールは、例えば、基板の一の面側の放熱面に金属箔を設けて樹脂によりモールドして形成される。従来の半導体モジュールの基板としては例えばセラミック基板が用いられている。このような半導体モジュールの技術は、例えば、特許文献１に開示された技術を参照することができる。

特開２０２０－１８８１５７号公報

ところで、セラミック基板と樹脂との接する面積が少ないモジュール放熱面においては、繰り返し熱応力発生時に、樹脂とセラミック基板が剥離して、水分が侵入し、侵入した水分がモジュール放熱面から電子部品が設けられる他の面に更に侵入し、半導体モジュール（パワーモジュール）の動作に不具合が生じることがあった。

特に、基板を窒化ケイ素基板とした場合には、樹脂との間の線膨張係数の差が大きいため、剥離の問題が顕著となる。

本発明は、上記課題を解決する半導体モジュールを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明の半導体モジュールは、基板に金属箔を設けてモールド剤によりモールドされた半導体モジュールであって、金属箔は、島部を含み、島部は、金属箔を複数の島状に形成することにより構成され、介在部は、隣り合う島部間をモールド剤が介在して構成され、更に介在部を有し、介在部において基板とモールド剤とが接合することを特徴とする。

本発明によれば、上記の構成により、基板とモールド剤との接合面積を大きくすることができ、モールド剤の基板に対する密着力を向上させ、モールド剤が基板から剥離することを少なくすることができる。また、金属箔を島状に形成された複数の島部とすることにより、金属箔とモールド剤との接合部分が多くなり、基板とモールド剤との接合が金属箔の島部により補強されてモールド剤の基板に対する密着力を更に向上させることができる。

島部は、第１の島部と第２の島部を有し、第１の島部は、金属箔の縁部側における辺部側に形成され、第２の島部は、金属箔の縁部側における角部側に形成され、一の第２の島部の面積は、一の第１の島部の面積よりも大きい面積とし、一の第２の島部のモールド剤と接合する辺部の長さは、一の第１の島部のモールド剤と接合する辺部の長さよりも長くすることにより、剥離し易い角部における基板のモールド剤に対する密着力を相対的に大きくすることができる。

第１の島部および第２の島部を金属箔の他の部分と不連続な不連続部とするとともに、島部は、第３の島部を有し、第３の島部は、金属箔の縁部側の辺部側に設けられるとともに、金属箔の他の部分と連続する半島状の連続部として端子の設置位置と対応する位置に設けられ、一の第３の島部の面積は、一の第１の島部の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第２の島部の面積よりも大きい面積とし、一の第３の島部のモールド剤と接合する辺部の長さは、一の第１の島部のモールド剤と接合する辺部の長さよりも長くするとともに、更に一の第２の島部のモールド剤と接合する辺部の長さよりも長くすることにより、モールド剤が基板から剥離することを少なくすることができる。

金属箔の他の部分は、金属箔の中央部側とし、金属箔の中央部側は、角部側が傾斜状に切断された矩形状として、金属箔の中央部の辺部は、角部側の傾斜状の辺部と、隣り合う角部を結ぶ直線状の辺部と、を有するとともに、介在部は、第１の介在部とし、第１の島部の辺部のうち、金属箔の中央部の隣り合う角部を結ぶ辺部と対向する辺部は、隣り合う角部を結ぶ辺部と平行に形成され、第２の島部の辺部のうち、金属箔の中央部の角部側の傾斜状の辺部と対向する辺部は、角部側の傾斜状の辺部と平行に形成され、金属箔の中央部と島部との間は、モールド剤が介在する第２の介在部とすることにより、金属箔の中央部の辺部とこれに対向する第１の島部および第２の島部の辺部との間に形成される第２の介在部の幅を一定にすることができ、当該第２の介在部における基板のモールド剤に対する密着力を均一にすることができる。

第２の島部は、第１の島部よりも角数の多い多角形とすることにより、剥離し易い角部において接合する角数が相対的に多くなり基板のモールド剤に対する密着力を相対的に大きくすることができる。

第１の島部は、一の第２の島部と、一の第２の島部と隣り合う他の第２の島部と、の間に複数設けられるとともに、一の第２の島部と一の第３の島部との間に更に複数設けられることにより、第１の島部が形成される金属箔の辺部側における基板のモールド剤に対する密着力を向上させることができる。また、第２の島部付近および第３の島部付近における基板のモールド剤に対する密着力も向上させることができる。

金属箔は、モールド剤に対する接合力が基板よりも大きい材料により構成されることにより、介在部において金属箔とモールド剤との接合を介して基板のモールド剤に対する密着力を補強することができる。

基板とモールド剤との線膨張係数の差は、３×１０－６／Ｋ以上とすることができる。

基板は、窒化ケイ素セラミックにより構成し、モールド剤は、樹脂を含む材料により構成とすることができる。

本発明によれば、モールド剤が基板から剥離することを少なくすることができる。

本発明の実施形態に係る半導体モジュールの全体構成を示す斜視図である。 半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大斜視図である。 半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大断面図である。

以下、本発明の実施形態を図１～図３を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体モジュールの全体構成を示す斜視図、図２は、半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大斜視図、図３は、半導体モジュールの一部を拡大して示す拡大断面図である。

図１～図３を参照して本発明の半導体モジュール１の概要を説明すると、半導体モジュール１は、基板１００に金属箔２００を設けてモールド剤３００によりモールドされた半導体モジュール１である。

基板１００は、一の面１０１側（基板１００の一の面１０１側は基板１００の裏面側となる）が放熱面として機能し、他の面１０２側（他の面１０２側は基板１００の表面側となる）は、端子４００やリードフレーム等の各種の電子部品が設置される設置面として機能する。

すなわち、基板１００の一の面１０１の縁部１０１ａ側には、モールド剤３００がモールドされることにより、モールド剤３００による枠状の突出部１０１ｂが形成されており、突出部１０１ｂの内側の領域１０１ｃが、放熱面として機能する。

金属箔２００は、基板１００一の面１０１側に設けられている。より詳しくは、金属箔２００は、基板１００の一の面１０１側における枠状の突出部１０１ｂの内側の領域１０１ｃに設けられている。すなわち、基板１００および金属箔２００は、突出部１０１ｂを介してモールド剤３００と接合する構成となっており、金属箔２００は、モールド剤３００を介して基板１００に設けられている。金属箔２００を枠状の突出部１０１ｂの内側の領域１０１ｃに設けることで、内側の領域１０１ｃを放熱面として機能させることができる。

金属箔２００は、島部２１０を含んでいる。
島部２１０は、基板１００の一の面１０１の縁部１０１ａ側において、金属箔２００の縁部２０１側を複数の島状に分割するように形成することにより構成されている。

島部２１０は、第１の島部２１１、第２の島部２１２、および第３の島部２１３を有している。
第１の島部２１１は、略矩形状より詳しくは長方形状となっている。第１の島部２１１は、金属箔２００の縁部２０１側における全ての辺部２０１ａ側に複数点在するように形成されている。すなわち、第１の島部２１１は、一の第２の島部２１２と、一の第２の島部２１２と隣り合う他の第２の島部２１２と、の間に複数点在するように設けられている。また、第１の島部２１１は、一の第２の島部２１２と一の第３の島部２１３との間に更に複数点在するように設けられている。

第２の島部２１２は、六角形状となっている。第２の島部２１２は、第１の島部２１１および第３の島部２１３よりも角数の多い多角形となっている。第２の島部２１２は、金属箔２００の縁部２０１側における角部２０１ｂ側に点在するように形成されている。第２の島部２１２は、各角部２０１ｂにそれぞれ一つずつ形成されている。第１の島部２１１および第２の島部２１２は、金属箔２００の他の部分２１４より詳しくは金属箔２００の中央部２１４側と不連続な不連続部となっている。

第３の島部２１３は、略矩形状より詳しくは長方形状となっている。第３の島部２１３は、金属箔２００の縁部２０１側の対向する二の辺部２０１ａ側に設けられるとともに、金属箔２００の中央部２１４側と連続する半島状の連続部である。第３の島部２１３は、基板１００の他の面１０２側の端子４００の設置位置と対応する位置に設けられている。

また、半導体モジュール１は、隣り合う島部２１１，２１２，２１３間および金属箔２００の中央部２１４と島部２１１，２１２，２１３との間に介在する介在部２２０を有している。介在部２２０は、第１の介在部２２１と第２の介在部２２２を有している。
すなわち、第１の介在部２２１は、隣り合う島部２１１，２１２，２１３間に介在するように構成されている。より詳しくは、第１の介在部２２１は、隣り合う島部２１１，２１２，２１３間をモールド剤３００が介在して構成されている。

また、第２の介在部２２２は、金属箔２００の中央部２１４と島部２１１，２１２，２１３との間を介在するように構成されている。より詳しくは、第２の介在部２２２は、金属箔２００の中央部２１４と島部２１１，２１２，２１３との間をモールド剤３００が介在して構成されている。第１の介在部２２１および第２の介在部２２２は、金属箔２００を含まない構成部となっている。

第１の介在部２２１の深さおよび第２の介在部２２２の深さは、金属箔２００の厚みより詳しくは島部２１１，２１２，２１３および中央部２１４の厚みと等しくなっており、半導体モジュール１のモールド工程においては突出部１０１ｂ側から第１の介在部２２１および第２の介在部２２２側にモールド剤３００を流通させることができる。第１の介在部２２１および第２の介在部２２２に流通したモールド剤３００は、その後に冷えて固まる。これにより、第１の介在部２２１および第２の介在部２２２において基板１００および金属箔２００とモールド剤３００とを接合させることができる。

ここで、一の第２の島部２１２の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積となっている。一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和（一の第２の島部２１２の６辺部２１２ａの長さの総和）は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和（一の第１の島部２１１の４辺部２１１ａの長さの総和）よりも長くなっている。

また、一の第３の島部２１３の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第２の島部２１１の面積よりも大きい面積となっている。一の第３の島部２１３のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１３ａの長さの総和（一の第３の島部２１３の３辺部２１３ａの長さの総和）は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和（一の第１の島部２１１の４辺部２１１ａの長さの総和）よりも長くするとともに、更に一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和（一の第２の島部２１２の６辺部２１２ａの長さの総和）よりも長くなっている。

更に、金属箔２００の中央部２１４側は、角部２１４ａ側が傾斜状に切断された矩形状となっている。そして、金属箔２００の中央部２１４の辺部２１４ｂは、角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ１と、隣り合う角部２１４ａを結ぶ直線状の辺部２１４ｂ２と、を有している。更にまた、第１の島部２１１の辺部２１１ａのうち、金属箔２００の中央部２１４の隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ１と対向する辺部２１１ａ１は、隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ１と平行に形成されている。また更に、第２の島部２１２の辺部２１２ａのうち、金属箔２００の中央部２１４の角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ２と対向する辺部２１２ａ１は、角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ２と平行に形成されている（上記の如く、金属箔２００の中央部２１４と島部２１１，２１２との間は、モールド剤３００が介在する第２の介在部２２２となっている）。

以上のように構成された半導体モジュール１の基板１００、金属箔２００、モールド剤３００の材質は以下のようにすることができる。

すなわち、基板１００は、例えば、セラミックにより構成することができ、セラミックは、アルミナセラミックや窒化ケイ素セラミックとすることができる。基板１００をアルミナセラミックとしたときは、基板１００の線膨張係数は、７×１０－６／Ｋ程度とすることができる。また、基板１００を窒化ケイ素セラミックとしたときは、基板１００の線膨張係数は、３×１０－６／Ｋ程度とすることができる。

金属箔２００の島部２１０および中央部２１４は、モールド剤３００に対する接合力が基板１００よりも大きい材料により構成されている。金属箔２００は、例えば、銅箔とすることができ、銅箔は、銅を含む材料により構成することができる。金属箔２００を銅箔としたときは、金属箔２００の線膨張係数は、１６．６×１０－６／Ｋ程度とすることができる。

モールド剤３００は、例えば、樹脂を含む材料により構成とすることができる。モールド剤３００を樹脂としたときは、モールド剤３００の線膨張係数は、７～１０×１０－６／Ｋ程度となる。基板１００をアルミナセラミックとしたときは、基板１００とモールド剤３００との線膨張係数の差は、０～３×１０－６／Ｋ程度、基板１００を窒化ケイ素セラミックとしたときは、基板１００とモールド剤３００との線膨張係数の差は、３×１０－６／Ｋ以上、より詳しくは４～７×１０－６／Ｋ程度となっている。

つまり、半導体モジュール１は、モールド剤３００によりモールドすることにより基板１００に金属箔２００を設けることとしているが、基板１００をアルミナセラミックとしモールド剤３００を樹脂としたときは、線膨張係数の差が小さく温度変化が大きい場合にもモールド剤３００が基板１００から剥離し難くく基板１００とモールド剤３００とを安定して接合させることができる。

これに対して、基板１００を窒化ケイ素セラミックとしモールド剤３００を樹脂としたときは、線膨張係数の差が大きく温度変化が大きい場合にはモールド剤３００が基板１００から剥離し易くなるが、本実施形態にあっては、上記のような半導体モジュール１における金属箔２００の縁部２０１側の島状構造を採用することにより、基板１００を窒化ケイ素セラミックとしたときにもモールド剤３００が基板１００から剥離することを少なくなすることができる。

すなわち、本実施形態にあっては、金属箔２００は、島部２１０と第１の介在部２２１とを有し、島部２１０は、基板１００の縁部１０１ａ側において、金属箔２００の縁部２０１側を複数の島状に形成することにより構成され、第１の介在部２２１は、隣り合う島部２１０間をモールド剤３００が介在して構成され、第１の介在部２２１において基板１００とモールド剤３００とが接合することにより、基板１００とモールド剤３００との接合面積を大きくすることができる。これにより、モールド剤３００の基板１００に対する密着力を向上させ、モールド剤３００が基板１００から剥離することを少なくすることができる。また、金属箔２００の縁部２０１側を島状に形成された複数の島部２１０とすることにより、金属箔２００とモールド剤３００との接合部分が多くなり、基板１００とモールド剤３００との接合が金属箔２００の島部２１０により補強されてモールド剤３００の基板１００に対する密着力を更に向上させることができる。

また、島部２１０は、第１の島部２１１と第２の島部２１２を有し、第１の島部２１１は、金属箔２００の縁部２０１側における辺部２０１ａ側に点在するように形成され、第２の島部２１２は、金属箔２００の縁部２０１における角部２０１ｂ側に点在するように形成され、一の第２の島部２１２の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積とし、一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも長くすることにより、剥離し易い角部２０１ｂにおける基板１００のモールド剤３００に対する密着力を相対的に大きくすることができる。

更に、島部２１０は、第３の島部２１３を有し、第３の島部２１３は、金属箔２００の縁部２０１側の対向する二の辺部２０１ａ側に設けられるとともに、金属箔２００の中央部２１４側と連続する半島状の連続部として端子４００の設置位置と対応する位置に設けられ、一の第３の島部２１３の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第２の島部２１２の面積よりも大きい面積とし、一の第３の島部２１３のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１３ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも長くするとともに、更に一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さ総和よりも長くすることにより、モールド剤３００が基板１００から剥離することを少なくすることができる。

すなわち、端子４００には大きな電流が流れるため、端子４００の設置位置と対応する位置においては、温度変化が大きくなるが、上記のように、第３の島部２１３を、端子４００の設置位置と対応する位置に設け、一の第３の島部２１３の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積とするとともに、一の第２の島部２１２の面積よりも大きい面積とし、一の第３の島部２１３のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１３ａの長さ総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも長くするとともに、一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さ総和よりも長くすることにより、第３の島部２１３付近において基板１００のモールド剤３００に対する密着力を相対的に大きくすることができ、温度変化が大きい場合にあってもモールド剤３００が基板１００から剥離することを少なくすることができる。

更にまた、第１の島部２１１の辺部のうち、金属箔２００の中央部２１４の隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ２と対向する辺部２１１ａは、隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ２と平行に形成され、第２の島部２１２の辺部のうち、金属箔２００の中央部２１４の角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ１と対向する辺部２１２ａは、角部側の傾斜状の辺部２１４ｂ１と平行に形成され、金属箔２００の中央部２１４と島部２１１，２１２との間は、モールド剤３００が介在する第２の介在部２２２とすることにより、金属箔２００の中央部２１４の辺部２１４ｂとこれに対向する第１の島部２１１および第２の島部２１２の辺部２１１ａ，２１２ａとの間に形成される第２の介在部２２２の幅を一定にすることができる。これにより、当該第２の介在部２２２における基板１００のモールド剤３００に対する密着力を均一にすることができる。

また更に、第２の島部２１２は、第１の島部２１１および第３の島部２１３よりも角数の多い多角形とすることにより、剥離し易い角部２１４ａにおいて接合する角数が相対的に多くなり基板１００のモールド剤３００に対する密着力を相対的に大きくすることができる。

また、第１の島部２１１は、一の第２の島部２１２と、一の第２の島部２１２と隣り合う他の第２の島部２１２と、の間に複数設けられるとともに、一の第２の島部２１２と一の第３の島部２１３との間に更に複数設けられることにより、第１の島部２１１が形成される金属箔２００の辺部２０１ａ側における基板１００のモールド剤３００に対する密着力を向上させることができる。また、第２の島部２１２付近および第３の島部２１３付近における基板１００のモールド剤３００に対する密着力も向上させることができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されることなく特許請求の範囲に記載した発明の範囲内において種々の変形実施、応用実施が可能であることは勿論である。

例えば、上述した実施形態にあっては、基板１００は、アルミナセラミックや窒化ケイ素セラミックとすることとしているが、他の材料を使用することとしても所要の効果を奏する。ただし、基板１００を窒化ケイ素セラミックとすることにより本発明の技術的効果を遺憾なく発揮することができる。

また、金属箔２００は、銅箔とすることとしているが他の金属材料としても所要の効果を奏する。ただし、金属箔２００は、銅箔とした方がモールド剤３００との接合力が基板１００よりも大きくより好ましい実施形態となる。

更に、モールド剤３００は、樹脂とすることとしているが、本発明の技術的効果を奏することができる各種の材料を採用することができる。

更にまた、金属箔２００において一の第２の島部２１２の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積とし、一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも長くすることとしているが、例えば一の第２の島部２１２の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも小さい面積とし、一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも短くすることとしても所要の効果を奏することができる。

ただし、一の第２の島部２１２の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積とし、一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも長くすることとした方が、基板１００のモールド剤３００に対する密着力を大きくすることができより好ましい実施形態となる。

また更に、一の第３の島部２１３の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の第２の島部２１２の面積よりも大きい面積とし、一の第３の島部２１３のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１３ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも長くするとともに、更に一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和よりも長くすることとしているが、例えば、端子４００との寸法関係から一の第３の島部２１３の面積は、一の第１の島部２１１の面積および一の第２の島部２１２の面積よりも小さい面積とし、一の第３の島部２１３のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１３ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和および一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部の２１２ａの長さの総和よりも短くすることとしても所要の効果を奏することができる。

ただし、一の第３の島部２１３の面積は、一の第１の島部２１１の面積よりも大きい面積にするとともに、更に一の第２の島部２１２の面積よりも大きい面積とし、一の第３の島部２１３のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１３ａの長さの総和は、一の第１の島部２１１のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１１ａの長さの総和よりも長くするとともに、更に一の第２の島部２１２のモールド剤３００と接合する全ての辺部２１２ａの長さの総和よりも長くした方が基板１００のモールド剤３００に対する密着力を相対的に大きくすることができより好ましい実施形態となる。

また、第１の島部２１１の辺部２１１ａのうち、金属箔２００の中央部２１４の隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ２と対向する辺部２１１ａ１は、隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ２と平行に形成され、第２の島部２１２の辺部２１２ａのうち、金属箔２００の中央部２１４の角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ１と対向する辺部２１２ａ２は、角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ１と平行に形成されることとしているが、平行とせずとも所要の効果を奏することができる。

ただし、第１の島部２１１の辺部２１１ａのうち、金属箔２００の中央部２１４の隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ２と対向する辺部２１１ａ１は、隣り合う角部２１４ａを結ぶ辺部２１４ｂ２と平行に形成され、第２の島部２１２の辺部２１２ａのうち、金属箔２００の中央部２１４の角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ１と対向する辺部２１２ａは、角部２１４ａ側の傾斜状の辺部２１４ｂ１と平行に形成されることとした方が基板１００のモールド剤３００に対する密着力を均一にすることができより好ましい実施形態となる。

更に、第１の島部２１１および第３の島部２１３は、矩形状とし、第２の島部は、六角形状とすることとしているが、他の形状とすることとしても所要の効果を奏することができる。

更にまた、第２の島部２１２は、第１の島部２１１および第３の島部２１３よりも角数の多い多角形とすることとしているが、角数が同等の多角形や角数が少ない多角形とすることとしても所要の効果を奏することができる。ただし、第２の島部２１２は、第１の島部２１１および第３の島部２１３よりも角数の多い多角形とした方が基板１００のモールド剤３００に対する密着力を大きくすることができより好ましい実施形態となる。

また更に、第１の島部２１１は、一の第２の島部２１２と、一の第２の島部２１２と隣り合う他の第２の島部２１２と、の間に複数設けられるとともに、一の第２の島部２１２と一の第３の島部２１３との間に更に複数設けられることとしているが、複数とせず単数とすることとしても所要の効果を奏することができる。ただし、第１の島部２１１は、一の第２の島部２１２と、一の第２の島部２１２と隣り合う他の第２の島部２１２と、の間に複数設けられるとともに、一の第２の島部２１２と一の第３の島部２１３との間に更に複数設けられることとした方が基板１００のモールド剤３００に対する密着力を大きくすることができより好ましい実施形態となる。

１：半導体モジュール
１００：基板
１０１：一の面
１０１ａ：縁部
１０１ｂ：突出部
１０１ｃ：内側の領域
１０２：他の面
２００：金属箔
２０１：縁部
２０１ａ：辺部
２０１ｂ：角部
２１０：島部
２１１：第１の島部
２１１ａ：辺部
２１１ａ１：辺部
２１２：第２の島部
２１２ａ：辺部
２１２ａ１：辺部
２１３：第３の島部
２１３ａ：辺部
２１４：他の部分（中央部）
２１４ａ：角部
２１４ｂ：辺部
２１４ｂ１：傾斜状の辺部
２１４ｂ２：直線状の辺部
２２０：介在部
２２１：第１の介在部
２２２：第２の介在部
３００：モールド剤
４００：端子

Claims (7)

1. 基板に金属箔を設けてモールド剤によりモールドされた半導体モジュールであって、
   前記金属箔は、島部を含み、
   前記島部は、前記金属箔を複数の島状に形成することにより構成され、
   更に介在部を有し、
   前記介在部は、隣り合う前記島部間を前記モールド剤が介在して構成され、
   前記介在部において前記基板と前記モールド剤とが接合し、
   前記島部は、第１の島部と第２の島部を有し、前記第１の島部は、前記金属箔の縁部側における辺部側に形成され、前記第２の島部は、前記金属箔の縁部側における角部側に形成され、
   一の前記第２の島部の面積は、一の前記第１の島部の面積よりも大きい面積とし、前記一の第２の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さは、前記一の第１の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さよりも長くし、
   前記第１の島部および前記第２の島部を前記金属箔の他の部分と不連続な不連続部とするとともに、前記島部は、第３の島部を有し、前記第３の島部は、前記金属箔の縁部側の辺部側に設けられるとともに、前記金属箔の他の部分と連続する半島状の連続部として端子の設置位置と対応する位置に設けられ、
   一の前記第３の島部の面積は、一の前記第１の島部の面積よりも大きい面積とするとともに、更に一の前記第２の島部の面積よりも大きい面積とし、前記一の第３の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さは、前記一の第１の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さよりも長くするとともに、更に前記一の第２の島部の前記モールド剤と接合する辺部の長さよりも長くすることを特徴とする半導体モジュール。
2. 前記金属箔の他の部分は、前記金属箔の中央部側とし、前記金属箔の中央部側は、角部側が傾斜状に切断された矩形状として、前記金属箔の中央部の辺部は、前記角部側の傾斜状の辺部と、隣り合う前記角部を結ぶ直線状の辺部と、を有するとともに、前記介在部は、第１の介在部とし、
   前記第１の島部の辺部のうち、前記金属箔の中央部の前記隣り合う前記角部を結ぶ辺部と対向する辺部は、前記隣り合う前記角部を結ぶ辺部と平行に形成され、
   前記第２の島部の辺部のうち、前記金属箔の中央部の前記角部側の傾斜状の辺部と対向する辺部は、前記角部側の傾斜状の辺部と平行に形成され、
   前記金属箔の中央部と前記島部との間は、前記モールド剤が介在する第２の介在部とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
3. 前記第２の島部は、前記第１の島部よりも角数の多い多角形とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
4. 前記第１の島部は、一の前記第２の島部と、前記一の第２の島部と隣り合う他の第２の島部と、の間に複数設けられるとともに、前記一の第２の島部と前記一の第３の島部との間に更に複数設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
5. 前記金属箔は、前記モールド剤に対する接合力が前記基板よりも大きい材料により構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
6. 前記基板と前記モールド剤との線膨張係数の差は、３×１０－６／Ｋ以上とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
7. 前記基板は、窒化ケイ素セラミックにより構成し、前記モールド剤は、樹脂を含む材料により構成とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。