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JP7847112B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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JP7847112B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

基板処理方法および基板処理装置

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Description

本開示は、基板処理方法および基板処理装置に関する。
従来から、基板に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置が提案されている(例えば特許文献1)。特許文献1では、基板処理装置は、チャンバと、スピンチャックと、ノズルと、供給管と、バルブと、カメラと、制御部とを含んでいる。スピンチャックはチャンバ内に設けられ、基板を水平姿勢で保持しつつ、基板の中心を通る鉛直な回転軸線のまわりで基板を回転させる。ノズルはチャンバ内に設けられ、回転中の基板の上面に向かって処理液を吐出する。具体的には、制御部がバルブを開くことにより、処理液が供給管を通じてノズルに供給され、ノズルから基板の上面に向かって吐出される。基板の上面に着液した処理液は基板の回転による遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板の周縁から外側に飛散する。処理液が基板の上面に作用することにより、処理液に応じた処理が基板に対して行われる。
カメラはチャンバ内を撮像して撮像画像データを生成する。制御部は撮像画像データに基づいて、チャンバ内の監視対象物を監視する。
特開2021-190511号公報
制御部はバルブに制御信号を出力することにより、バルブを開くことができる。制御部は時刻を測定する機能を有するので、制御信号の出力時刻を把握できる。一方で、制御部は撮像画像データに基づいて、例えばノズルからの処理液の吐出状態の変化を検出し、撮像画像データの撮像時間に基づいて当該吐出状態の変化時刻を求めることができる。しかしながら、カメラのクロックと制御部の制御クロックとの間にずれが生じていると、制御信号の出力時刻と吐出状態の変化時刻とを同一時間軸上で正確に測定できない。この場合、制御部は適切に監視ができないおそれがある。
そこで、本開示は、より高い精度でチャンバ内の駆動部の動作を確認できる技術を提供することを目的とする。
第1の態様は、基板処理方法であって、制御部が時刻を測定しつつ、処理ユニットの少なくとも一つの駆動部に制御信号を出力して、チャンバ内に搬入された基板に対する処理を前記処理ユニットに行わせる処理工程と、前記処理工程の少なくとも一部の期間において実行され、カメラが前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成する撮像工程と、前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行う同期工程と、前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求める算出工程とを備える。
第2の態様は、第1の態様にかかる基板処理方法であって、前記処理工程において、前記制御部は、ノズル移動駆動部に前記制御信号としての移動指令を出力して、前記ノズル移動駆動部に、前記基板の主面に向かって処理液を吐出するノズルを移動させ、前記算出工程において、前記ノズルの移動を前記画像データに基づいて検出し、前記移動指令の前記出力時刻から前記ノズルの移動時刻までの前記時間差である遅延時間を、同期した時刻に基づいて求める。
第3の態様は、第1または第2の態様にかかる基板処理方法であって、前記処理工程において、前記制御部は、前記基板の主面に向かって処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に、前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記制御信号の前記出力時刻から前記吐出状態の変化時刻までの前記時間差である遅延時間を、同期した時刻に基づいて求める。
第4の態様は、第3の態様にかかる基板処理方法であって、前記処理工程において、前記制御部は、前記供給弁に前記開指令を出力して前記ノズルから前記処理液を吐出させた後に、前記供給弁に前記閉指令を出力して前記ノズルからの前記処理液の吐出を停止させ、前記算出工程において、前記開指令に応答した前記ノズルからの前記処理液の吐出開始を前記画像データに基づいて検出し、前記閉指令に応答した前記ノズルからの前記処理液の吐出停止を前記画像データに基づいて検出し、前記処理液の吐出開始時刻から吐出停止時刻までの供給時間を求める。
第5の態様は、第3または第4の態様にかかる基板処理方法であって、前記算出工程において、前記基板の前記主面上の前記処理液の着液位置における前記処理液の揺らぎの変化を、前記処理液の前記吐出状態の変化として、前記画像データに基づいて検出する。
第6の態様は、第1から第5のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記処理工程において、前記制御部は、ノズルから前記基板の主面に向かって処理液を吐出させつつ、前記基板を回転させる回転駆動部に、前記制御信号としての速度変化指令を出力し、前記算出工程において、前記処理液の着液位置よりも径方向外側の位置における前記基板の前記主面上の前記処理液の揺らぎの変化を、前記基板の回転速度の変化として、前記画像データに基づいて検出する。
第7の態様は、第1から第6のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記処理工程において、前記制御部は、前記チャンバ内の変位対象の位置を変位させる変位駆動部に前記制御信号を出力し、前記基板の主面に処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記変位駆動部への前記制御信号の前記出力時刻と前記処理液の前記吐出状態の変化時刻との前記時間差を、同期した時刻に基づいて求める。
第8の態様は、第7の態様にかかる基板処理方法であって、前記処理工程において、前記制御部は、前記供給弁に前記閉指令を出力するとともに、前記基板を回転させる前記変位駆動部である回転駆動部に前記制御信号としての速度変化指令を出力し、前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出停止を前記画像データに基づいて検出し、前記速度変化指令の前記出力時刻と前記処理液の吐出停止時刻との前記時間差を、同期した時刻に基づいて求める。
第9の態様は、第1から第8のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、前記処理工程において、前記制御部は、前記チャンバ内の変位対象の位置を変位させる変位駆動部に前記制御信号を出力し、前記同期工程において、前記チャンバ内の前記変位対象の位置変化の開始を前記画像データに基づいて検出し、前記変位対象の位置が変化し始めた変位開始時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻および前記変位開始時刻に基づいて前記同期処理を行う。
第10の態様は、第1から第9のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、複数の前記基板のそれぞれに対して、前記処理工程、前記撮像工程、前記同期工程および前記算出工程を行い、前記複数の前記基板についての前記時間差の経時変化を示す経時データを生成する。
第11の態様は、第1から第10のいずれか一つの態様にかかる基板処理方法であって、複数の前記処理ユニットのそれぞれに対して、前記処理工程、前記撮像工程、前記同期工程および前記算出工程を行い、前記複数の前記処理ユニットの間の前記時間差のばらつきを示す装置間データを生成する。
第12の態様は、基板処理装置であって、チャンバと、前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成するカメラと、前記チャンバ内に搬入された基板を処理するための駆動部と、前記駆動部に制御信号を出力して、前記チャンバ内に搬入された前記基板に対する処理を行わせる制御部とを備え、前記制御部は、前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行い、前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求める。
第1および第12の態様によれば、制御信号の出力時刻と事象変化の発生時刻との時間差を高い精度で得ることができる。
第2の態様によれば、ノズル移動駆動部についての遅延時間を高い精度で得ることができる。
第3の態様によれば、吐出状態の変化についての遅延時間を高い精度で得ることができる。
第4の態様によれば、供給時間を得ることができる。
第5の態様によれば、画像データに基づいて、高い精度で吐出状態の変化を検出することができる。
第6の態様によれば、画像データに基づいて、回転速度の変化を検出することができる。
第7の態様によれば、変位駆動部は応答性が高いので、変位対象の位置が変化し始める変位開始時刻は、変位駆動部への制御信号の出力時刻とほぼ一致する。このため、変位開始時刻と吐出状態の変化時刻との時間差を高い精度で得ることができる。
第8の態様によれば、基板の回転速度の変化開始時刻と処理液の吐出停止時刻との時間差を、より簡易かつよより高い精度で得ることができる。
第9の態様によれば、カメラへのリセット信号が不要なので、カメラの機能を簡略化できる。
第10の態様によれば、駆動部の経時変化を確認できる。
第11の態様によれば、複数の処理ユニット間の駆動部のばらつきを確認できる。
基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。 制御部の構成の一例を概略的に示すブロック図である。 処理ユニットの構成の一例を概略的に示す縦断面図である。 処理ユニットの動作の第1例を示すフローチャートである。 塗布処理において制御部による制御信号の出力のタイミング、および、制御信号に応じた駆動部の動作によって生じるチャンバ10内の事象変化のタイミングの一例を模式的に示す図である。 塗布処理の第3工程における基板Wの回転速度の時間変化の一例を示す図である。 監視処理の一例を示すフローチャートである。 画像データの一例を概略的に示す図である。 画像データの一例を概略的に示す図である。 画像データの一例を概略的に示す図である。 異なる事象変化の発生時刻の時間差の算出を説明するための図である。 経時データの一例を概略的に示す図である。 装置間データの一例を概略的に示す図である。 処理ユニットの動作の第2例を示すフローチャートである。
以下、図面を参照しつつ実施の形態について詳細に説明する。なお図面においては、理解容易の目的で、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。また同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、以下に記載される説明において、「第1」または「第2」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序に限定されるものではない。
相対的または絶対的な位置関係を示す表現(例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など)が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現(例えば「同一」「等しい」「均質」など)が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現(例えば、「四角形状」または「円筒形状」など)が用いられる場合、該表現は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現が用いられる場合、該表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「A,BおよびCの少なくともいずれか一つ」という表現が用いられる場合、該表現は、Aのみ、Bのみ、Cのみ、A,BおよびCのうち任意の2つ、ならびに、A,BおよびCの全てを含む。
<基板処理装置の全体構成>
図1は、基板処理装置100の構成の一例を概略的に示す平面図である。基板処理装置100は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置である。
基板Wは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。基板Wは、薄い平板形状を有する。以下では、基板Wが半導体ウエハであるものとする。基板Wは例えば円板形状を有している。基板Wの直径は例えば300mm程度であり、基板Wの膜厚は例えば0.5mm程度以上かつ3mm程度以下である。
図1の例では、基板処理装置100は、インデクサブロック110と、処理ブロック120と、制御部90とを含んでいる。処理ブロック120は、主として基板Wの処理を行う部分であり、インデクサブロック110は、主として、基板処理装置100の外部と処理ブロック120との間での基板Wの搬送を行う部分である。
インデクサブロック110は、ロードポート111と、第1搬送部112とを含んでいる。ロードポート111には、外部から搬入された基板収容器(以下、キャリアと呼ぶ)Cが載置される。キャリアCには複数の基板Wが収容されている。例えば複数の基板Wは鉛直方向において互いに間隔を空けて並んだ状態で、キャリアCに収容される。
第1搬送部112は搬送ロボットであって、各ロードポート111に載置されたキャリアCから未処理の基板Wを取り出し、該基板Wを処理ブロック120に搬送する。第1搬送部112はインデクサロボットとも呼ばれ得る。処理ブロック120は該基板Wに処理を行う。また、第1搬送部112は、処理済みの基板Wを処理ブロック120から受け取り、該基板Wをロードポート111のキャリアCに搬送する。
図1の例では、処理ブロック120は、複数の処理ユニット1と、第2搬送部122とを含んでいる。第2搬送部122は搬送ロボットであって、第1搬送部112と複数の処理ユニット1との間で基板Wを搬送する。第2搬送部122は第1搬送部112から、例えば載置部123を介して未処理の基板Wを受け取り、該基板Wを処理ユニット1に搬送する。処理ユニット1は該基板Wを処理する。処理ユニット1の構成については後に述べる。第2搬送部122は処理済みの基板Wを処理ユニット1から取り出し、例えば載置部123を介して該基板Wを第1搬送部112に搬送する。
第2搬送部122は必要に応じて複数の処理ユニット1間で基板Wを搬送してもよい。例えば、第2搬送部122は、ある処理ユニット1で処理された基板Wを別の処理ユニット1に搬送し、該別の処理ユニット1で処理された基板Wを第1搬送部112に搬送してもよい。
図1の例では、複数の処理ユニット1は平面視において第2搬送部122の周りを囲むように設けられている。この第2搬送部122はセンターロボットとも呼ばれ得る。図1の例では、4つの処理ユニット1が第2搬送部122を囲んでいる。各処理ユニット1が設けられた平面視上の各位置において、複数の処理ユニット1が鉛直方向に積層されていてもよい。つまり、鉛直方向に積層された複数の処理ユニット1によって構成されるタワーTWの複数(図では4つ)が、平面視において、第2搬送部122を囲むように設けられてもよい。
制御部90は、基板処理装置100を統括的に制御する。具体的には、制御部90は第1搬送部112、第2搬送部122および処理ユニット1を制御する。図2は、制御部90の構成の一例を概略的に示すブロック図である。制御部90は電子回路であって、例えばデータ処理部91および記憶部92を有している。データ処理部91は例えばCPU(Central Processor Unit)などの演算処理装置であってもよい。記憶部92は非一時的な記憶部(例えばROM(Read Only Memory))921および一時的な記憶部(例えばRAM(Random Access Memory))922を有していてもよい。非一時的な記憶部921には、例えば制御部90が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。データ処理部91がこのプログラムを実行することにより、制御部90が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部90が実行する処理の一部または全部は専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。
図2の例では、制御部90には記憶部94が接続されている。記憶部94は例えばハードディスクまたは非一時的なメモリである。図2の例では、記憶部94にはレシピ情報D1が記憶されている。レシピ情報D1については後に述べる。
制御部90は、時刻を測定する機能も有する。制御部90は例えば制御クロックを生成するクロック生成器(クロック生成回路:不図示)を含んでおり、制御クロックに基づいて時刻を測定する。
図1の例では、制御部90にはユーザインターフェース95が接続されている。ユーザインターフェース95は入力デバイスおよび報知部を含む。入力デバイスは、ユーザ入力を受け付けるデバイスであり、例えばマウスおよびキーボード等の入力デバイスである。報知部は、ユーザに情報を伝えるデバイスであり、例えば液晶表示ディスプレイ等のディスプレイおよびスピーカ等の音出力部の少なくともいずれか一方を含む。
<処理ユニットの概要>
図3は、処理ユニット1の構成の一例を概略的に示す縦断面図である。なお、基板処理装置100に属する全ての処理ユニット1が、図3に例示された構成を有している必要はない。少なくとも一つの処理ユニット1が、図3に例示された構成を有していればよい。処理ユニット1は、チャンバ10と、基板Wを処理するための各種の駆動部と、カメラ5とを含んでいる。後に詳述するように、制御部90が処理ユニット1の各駆動部に制御信号を出力し、各駆動部が当該制御信号に応答して適切に動作することにより、処理ユニット1は基板Wを適切に処理することができる。また、本実施の形態では、後に詳述するように、制御部90は、カメラ5によって撮像された画像データに基づいてチャンバ10内を監視する。以下では、まず、処理ユニット1の構成を説明しつつ、各駆動部について説明する。
チャンバ10は内部空間を有している。当該内部空間は、基板Wを処理する処理空間に相当する。チャンバ10には、開閉可能な搬出入口(不図示)が設けられる。第2搬送部122は搬出入口を通じて未処理の基板Wをチャンバ10内に搬入し、また、搬出入口を通じて処理済みの基板Wをチャンバ10から搬出する。
図3の例では、処理ユニット1は、基板保持部2と、吐出部3と、ガード7と、ガード昇降駆動部8とをさらに含んでいる。基板保持部2はチャンバ10内に設けられており、基板Wを水平姿勢で保持しつつ、基板Wを回転軸線Q1のまわりで回転させる。ここでいう水平姿勢とは、基板Wの厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢である。回転軸線Q1は、基板Wの中心を通り、かつ、鉛直方向に沿う軸である。このような基板保持部2はスピンチャックとも呼ばれ得る。
図3の例では、基板保持部2は、スピンベース21と、チャックピン22と、回転駆動部23とを含んでいる。スピンベース21は板状の形状(例えば円板形状)を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。スピンベース21の上面には複数のチャックピン22が設けられている。複数のチャックピン22は、回転軸線Q1についての周方向に沿って等間隔に設けられる。複数のチャックピン22は、次に説明する保持位置と解除位置との間で変位可能に設けられている。保持位置とは、チャックピン22が基板Wの周縁に当接する位置である。複数のチャックピン22がそれぞれの保持位置で停止することにより、複数のチャックピン22が基板Wを保持する。図3では、保持位置で停止したチャックピン22が示されている。解除位置とは、各チャックピン22が基板Wから離れた位置である。複数のチャックピン22がそれぞれの解除位置で停止することにより、複数のチャックピン22による基板Wの保持が解除される。基板保持部2は、チャックピン22を変位させるピン駆動部(不図示)も含む。ピン駆動部は、例えば、モータまたはエアシリンダ等の駆動源を含み、制御部90によって制御される。
回転駆動部23はシャフト231とモータ232とを含んでいる。シャフト231の上端はスピンベース21の下面に接続されており、シャフト231はスピンベース21の下面から回転軸線Q1に沿って延びている。モータ232は制御部90によって制御され、シャフト231を回転軸線Q1のまわりで回転させる。これにより、スピンベース21、チャックピン22および基板Wが回転軸線Q1のまわりで一体に回転する。この回転駆動部23は、基板Wに対して処理を行うための駆動部の一例に相当する。
なお、基板保持部2は必ずしもチャックピン22を有している必要はない。例えば、基板保持部2は、真空チャック、静電チャックおよびベルヌーイチャック等のチャック方式により、基板Wを保持してもよい。
吐出部3は、基板保持部2によって保持された基板Wの主面に向かって処理流体を吐出する。処理流体は例えばガスまたは液体(以下、処理液と呼ぶ)であり、具体的な一例として処理液である。図3の例では、吐出部3は、ノズル31と、供給管32と、供給弁33と、流量調整弁34とを含む。ノズル31はチャンバ10内に設けられている。図3の例では、ノズル31は、基板保持部2によって保持された基板Wよりも鉛直上方に設けられており、基板Wの上面に向かって処理液を吐出する。ノズル31は、連続流の状態で処理液を吐出するノズルであってもよく、液滴状態で処理液を吐出するミストノズルまたはスプレーノズルであってもよい。ここでは一例として、ノズル31は連続流の状態で処理液を吐出するノズルである。
処理液は、塗布液であってもよく、薬液であってもよく、リンス液であってもよく、除電液であってもよい。塗布液は、基板Wの主面上に形成する薄膜の成分を含有する溶剤である。塗布液はレジスト液であってもよい。薬液は、基板Wの主面上の異物を除去する洗浄液であってもよく、対象膜を除去するエッチング液であってもよい。薬液としては、例えば、フッ酸と硝酸と水とを混合して得られるフッ硝酸、フッ酸と過酸化水素と水とを混合して得られるフッ酸過酸化水素水溶液(FPM)、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、硫酸と過酸化水素水との混合液(SPM)、アンモニア水、および、アンモニアと過酸化水素と水との混合液(SC-1)等の液体を適用できる。なお、薬液は混合液ではなく、単液でもよい。例えば、フッ酸(HF)、過酸化水素水および硫酸等の単液を薬液として適用できる。リンス液は、純水(つまり脱イオン水)であってもよく、純水よりも揮発性の高いイソプロピルアルコール等の有機溶剤であってもよい。除電液は、基板Wの電荷を除去するための液体であり、二酸化炭素水であってもよい。二酸化炭素水はリンス液として利用されてもよい。
図3の例では、ノズル31には供給管32の下流端が接続されている。供給管32の上流端は、処理液供給源に接続される。処理液供給源は、処理液を貯留するタンク(不図示)を有し、処理液を供給管32の上流端に供給する。図3の例では、供給管32には供給弁33および流量調整弁34が設けられている。供給弁33は供給管32の開閉を切り換え、流量調整弁34は、供給管32を流れる処理液の流量を調整する。流量調整弁34はマスフローコントローラであってもよい。これらの弁は制御部90によって制御される。供給弁33および流量調整弁34の各々は、基板Wを処理するための駆動部の一例に相当する。
処理ユニット1は、複数種類の処理液にそれぞれ対応した複数のノズル31を含んでいてもよい。図3の例では、ノズル31としてノズル31Aおよびノズル31Bが示されている。ノズル31Aは例えば塗布液用のノズルであり、ノズル31Bは例えば純水用のノズルである。以下では、ノズル31Aに対応する供給管32、供給弁33および流量調整弁34の符号の末尾に「A」を付記し、ノズル31Bに対応する供給管32、供給弁33および流量調整弁34の符号の末尾に「B」を付記することがある。
図3の例では、処理ユニット1は、ノズル31を移動させるノズル移動駆動部37を含んでいる。複数のノズル31が設けられる場合、ノズル移動駆動部37は複数のノズル31を一体に移動させてもよい。例えば、複数のノズル31が互いに隣り合って連結されてノズルヘッドを構成し、ノズル移動駆動部37が当該ノズルヘッドを移動させてもよい。ノズル移動駆動部37はノズル31を、次に説明するノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動させる。ノズル処理位置とは、ノズル31が、基板保持部2によって保持された基板Wの主面に向かって処理液を吐出する位置であり、例えば、基板Wの中央部と鉛直方向において対向する位置である。図3の例では、ノズル処理位置に位置するノズル31が示されている。ノズル待機位置とは、ノズル31が処理液を基板Wの主面に向かって吐出しない位置であり、例えば、基板Wよりも径方向外側の位置である。
図3の例では、ノズル移動駆動部37は、アーム371と、支持柱372と、駆動源373とを含んでいる。支持柱372は、後述のガード7よりも径方向外側に設けられており、鉛直方向に沿って延びている。アーム371は水平方向に沿って延びており、その先端がノズル31(あるいはノズルヘッド)に接続され、その基端が支持柱372に接続されている。駆動源373は制御部90によって制御され、支持柱372をその中心軸線Q2のまわりで所定の角度範囲で正逆方向に回転させる。駆動源373は例えばモータを含む。支持柱372が中心軸線Q2のまわりで所定の角度範囲で正逆方向に回転すると、ノズル31は、中心軸線Q2についての周方向に沿って往復移動する。支持柱372は、ノズル31の移動軌跡上にノズル処理位置およびノズル待機位置が位置するように、設置される。なお、ノズル移動駆動部37は必ずしも図3の態様に限らず、例えばリニアモータ等の直動機構を含んでいてもよい。ノズル移動駆動部37は、基板Wに処理を行うための駆動部の一例に相当する。
ノズル31がノズル処理位置に位置する状態で、回転中の基板Wの主面に向かって処理液を吐出すると、処理液が基板Wの主面に着液する。処理液は基板Wの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Wの周縁よりも外側に飛散する。これにより、処理液の種類に応じた処理が基板Wに対して行われる。
ガード7は、基板Wの周縁から飛散する処理液を受け止める。ガード7は、基板保持部2によって保持された基板Wを囲む筒状の形状を有する。
ガード昇降駆動部8は制御部90によって制御され、ガード7を昇降させる。ガード昇降駆動部8は次に説明するガード処理位置とガード待機位置との間でガード7を昇降させる。ガード処理位置は、ガード7の上端が、基板Wの上面よりも鉛直上方となる位置である。ガード7がガード処理位置に位置する状態では、基板Wの周縁から飛散した処理液がガード7の内周面で受け止められる。ガード待機位置は、ガード7の上端が、スピンベース21の上面よりも鉛直下方となる位置である。ガード7がガード待機位置に位置する状態では、基板Wの搬出入時に第2搬送部122および基板Wの各々とガード7との衝突を避けることができる。
図3の例では、ガード昇降駆動部8はいわゆるラックピニオン機構を有している。具体的には、ガード昇降駆動部8は、支持板81と、ラック82と、歯車83と、モータ84と、固定部材85と、ベローズ86とを含んでいる。支持板81はガード7の例えば筒状部71から径方向外側に延びている。支持板81は板状の形状を有し、その厚み方向が鉛直方向に沿う姿勢で設けられる。ラック82は、鉛直方向に沿って延びる棒状の形状を有し、その側面に複数の歯が設けられている。歯車83は外歯車であり、ラック82と噛み合う。モータ84は歯車83に接続されている。固定部材85はモータ84をチャンバ10に固定する。モータ84は制御部90によって制御され、歯車83を正逆方向に回転させる。この歯車83の回転により、ラック82、支持板81およびガード7が一体的に昇降する。ベローズ86は支持板81の下面とチャンバ10の床面とを連結し、ラック82、歯車83、モータ84および固定部材85を収容する。ベローズ86は鉛直方向に伸縮可能である。なお、ガード昇降駆動部8はラックピニオン機構に限らず、例えば、モータを有するボールねじ機構もしくはリニアモータを有する直動機構であってもよい。ガード昇降駆動部8は、基板Wに処理を行うための駆動部の一例に相当する。なお、処理ユニット1は、複数種類の処理液に応じた複数のガード7が設けられてもよい。
図3の例では、ガード7に対応したカップ75が設けられている。カップ75は、回転軸線Q1を囲む環状(例えば円環状)の凹部(溝)を有している。カップ75は、対応するガード7の内周面を流下した処理液を受け止める。カップ75の例えば底部には、排液管76の上流端が接続されている。各カップ75で受け止められた処理液は排液管76を通じて処理ユニット1の外部に排出される。
図3の例では、カメラ5はチャンバ10内に設けられている。カメラ5は例えば不図示の固定部材によってチャンバ10に固定される。カメラ5は、例えばCCD(Charge Coupled Device)もしくはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の固体撮像素子と、レンズ等の光学系と、カメラ制御部51とを含む。カメラ制御部51は固体撮像素子からの信号を受け取って、画像データを生成する。カメラ5は画像データを制御部90に出力する。画像データは動画像データのフレームであってもよい。カメラ制御部51は、時刻を測定する機能も含んでいる。例えば、カメラ制御部51は不図示のクロック生成器(クロック生成回路)を含んでおり、クロック生成器が出力するカメラクロックに基づいて時刻を測定する。カメラ5は撮像時刻ごとに画像データ(各フレーム)を生成することができる。カメラ制御部51のハードウェア構成は例えば制御部90と同様であってもよい。
カメラ5は、その撮像領域がチャンバ10内の監視対象物を含む位置に設けられる。図3の例では、カメラ5は、基板保持部2によって保持された基板Wよりも鉛直上方かつ基板Wよりも径方向外側の位置に設けられている。図3に示されるように、カメラ5はガード7よりも径方向外側に設けられてもよい。図3の例では、カメラ5は斜め上方から撮像領域を撮像する。言い換えれば、カメラ5は斜め下方に沿って撮像領域を撮像する。
カメラ5は画像データを制御部90に出力する。制御部90は、当該画像データを処理する画像処理部としても機能することができる。制御部90は、後述のように、画像データに基づいてチャンバ10内の事象変化を検出する。
<基板処理(処理工程)の第1例>
次に、処理ユニット1による基板処理の第1例について説明する。ここでは、処理ユニット1が基板Wの主面(具体的には上面)に塗膜を形成するものとする。図4は、処理ユニット1の動作の第1例を示すフローチャートである。ステップS1からステップS6は基板Wに対する基板処理(処理工程の一例に相当)の一例を示しており、ステップS10は、処理ユニット1の各種の駆動部の動作を監視する監視処理を示している。監視処理については後に述べる。
この基板Wに対する基板処理は、制御部90がレシピ情報D1に基づいて基板処理装置100を制御することにより、実現され得る。レシピ情報D1とは、基板Wの処理の手順を示す情報であり、例えば記憶部94に記憶されている。この基板処理では、制御部90は時刻を測定しつつ、レシピ情報D1および時刻に基づいて処理ユニット1の駆動部に制御信号を出力することにより、チャンバ10内に搬入された基板Wに対する処理を処理ユニット1に行わせる。
図4の例では、まず、第2搬送部122から処理ユニット1に基板Wが搬送され、基板保持部2が基板Wを保持する(ステップS1)。例えば、第2搬送部122が基板Wを基板保持部2に渡した後に、制御部90が、チャックピン22を保持位置に変位させる制御信号を、基板保持部2(具体的はピン駆動部)に出力する。基板保持部2は当該制御信号に応答して、チャックピン22を解除位置から保持位置へと変位させる。これにより、基板保持部2が基板Wを保持する。
次に、処理ユニット1は基板Wに対して前処理を行う(ステップS2)。前処理には、例えば、基板Wを洗浄する処理を適用することができる。なお、ステップS2は必ずしも行われる必要はない。
ここでは、前処理において、処理ユニット1は基板Wを回転させつつ、種々の処理液を基板Wの主面に供給する。例えば、処理ユニット1は純水を基板Wの主面に供給する。より具体的には、まず制御部90は制御信号として上昇指令をガード昇降駆動部8に出力する。ガード昇降駆動部8は当該上昇指令に応答してガード7をガード処理位置に上昇させる。また、制御部90は制御信号として回転指令を基板保持部2(具体的には回転駆動部23)に出力する。基板保持部2は当該回転指令に応答して基板Wを回転させ始める。
また、制御部90は制御信号として移動指令をノズル移動駆動部37に出力する。前処理における移動指令は、ノズル31Bをノズル処理位置に移動させるための制御信号である。ノズル移動駆動部37は当該移動指令に応答してノズル31Bをノズル処理位置に移動させる。具体的な一例として、ノズル移動駆動部37は、ノズル31Bが基板Wの中心と鉛直方向において向かい合う位置にノズル31Bを移動させる。
次に、制御部90は制御信号として開指令を供給弁33Bに出力する。供給弁33Bは当該開指令に応答して供給管32Bを開く。これにより、ノズル31Bの吐出口から基板Wの主面に向かって純水が吐出される。基板Wの中心部に着液した純水は、基板Wの回転に伴う遠心力を受けて径方向外側に流れ、基板Wの周縁から飛散する。これにより、基板Wの主面が洗浄される。そして、制御部90は、レシピ情報D1で規定された所定時間が経過したときに、供給弁33Bに制御信号としての閉指令を出力する。供給弁33Bは閉指令に応答して供給管32Bを閉じる。これにより、ノズル31Bからの純水の吐出が停止する。
次に、処理ユニット1は基板Wに対して塗布処理を行う(ステップS3)。より具体的には、処理ユニット1は基板Wを回転させつつ、ノズル31Aから基板Wの主面に向かって塗布液を吐出させる。ここで、レシピ情報D1には、塗布処理に該当する工程として、下表で示す第1工程から第3工程が規定されているものとする。
図5は、塗布処理において制御部90による制御信号の出力のタイミング、および、制御信号に応じた駆動部の動作によって生じるチャンバ10内の事象変化のタイミングの一例を模式的に示す図である。
第1工程は、ノズル31Aを中央位置へ移動させつつ、塗布液の吐出を開始する工程である。ここでいう中央位置は、ノズル処理位置の一例であって、例えば、基板Wの中心と鉛直方向において対向する位置である。第1工程において、制御部90は移動指令をノズル移動駆動部37に出力するとともに、供給弁33Aに開指令を出力する。第1工程における移動指令は、ノズル31Aを中央位置に移動させるための制御信号である。ノズル移動駆動部37は当該移動指令に応答してノズル31Aを中央位置に移動させる。供給弁33Aは当該開指令に応答して供給管32Aを開く。図5の例では、移動指令および開指令はほぼ同時に出力されており、ノズル31Aの移動開始後に塗布液が吐出され始め、その後にノズル31Aの移動が終了する。第1工程の第1所要時間は、例えば、ノズル31Aの中央位置への移動および供給弁33Aの開動作が完了するのに十分な時間に事前に設定されており、具体的な一例として1秒程度に設定され得る。
制御部90は第1工程の開始からの第1所要時間の経過に応答して、第2工程を実行する。第2工程は、塗布液を継続して吐出しつつ、基板Wの回転速度を変化させる工程である。ここでは、供給弁33Aは閉指令を受け取らない限り、供給管32Aを開いているものとする。制御部90は第2工程において、制御信号として速度変化指令を基板保持部2(具体的には回転駆動部23)に出力する。第2工程における速度変化指令は、基板Wの回転速度を第1速度値から第2速度値に変化させるための制御信号である。基板保持部2は当該速度変化指令に応答して基板Wの回転速度を第1速度値から第2速度値に変化させる。図5の例では、速度変化指令の出力後に基板Wの回転速度が変化し始め、その後、基板Wの回転速度の変化が実質的に終了する。第2工程の第2所要時間は、例えば、基板Wの回転速度の変化が完了するのに十分な時間に事前に設定されており、具体的な一例として1.8秒程度に設定され得る。第2工程の途中で基板Wの回転速度が第2速度値に到達すると、基板Wの回転速度は理想的には第2速度値で一定となる。
制御部90は第2工程の開始からの第2所要時間の経過に応答して、第3工程を実行する。第3工程は、基板Wの回転速度を変化させつつ、塗布液の吐出を停止させる工程である。制御部90は速度変化指令を基板保持部2に出力しつつ、供給弁33Aに閉指令を出力する。第3工程における速度変化指令は、回転速度を第2速度値から第3速度値に変化させるための制御信号である。基板保持部2は当該速度変化指令に応答して、基板Wの回転速度を第2速度値から第3速度値に変化させる。第3速度値は例えば第2速度値よりも高く設定され得る。また、供給弁33Aは閉指令に応答して供給管32Aを閉じる。これにより、ノズル31Aの吐出口からの塗布液の吐出が停止する。図5の例では、速度変化指令および閉指令はほぼ同時に出力されており、基板Wの回転速度が変化し始めた後に塗布液の吐出が停止し、その後、基板Wの回転速度の変化が実質的に終了する。つまり、塗布液の吐出は基板Wの回転速度の変化中に停止する。第3工程の第3所要時間は、例えば、基板Wの回転速度の変化および塗布液の吐出の停止を完了するのに十分な時間に事前に設定されており、具体的な一例として4秒程度に設定され得る。
以上のような塗布処理により、基板Wの主面には塗布液の液膜が形成される。塗布処理の終了後には、制御部90は基板保持部2に制御信号を出力して基板Wの回転を停止させてもよく、ガード昇降駆動部8に下降指令を出力してガード7をガード待機位置に下降させてもよく、ノズル移動駆動部37に移動指令を出力してノズル31をノズル待機位置に移動させてもよい。
次に、処理ユニット1は基板Wの主面上の塗布液の液膜を乾燥させて、基板Wの主面に塗膜を形成する(ステップS4)。例えば、処理ユニット1は不図示のヒータを含んでいてもよい。ヒータは例えば基板Wとスピンベース21との間に設けられ、基板Wを加熱する。ヒータは、例えば、電気抵抗式のヒータであってもよく、加熱用の光(例えば赤外線)を出射する光学式のヒータであってもよい。ヒータが基板Wを加熱することにより、基板Wの塗布液の液膜を乾燥させることができる。処理ユニット1が基板Wの乾燥を完了すると、ヒータの動作を停止させる。
次に、基板保持部2は基板Wの保持を解除する(ステップS5)。例えば制御部90は制御信号として保持解除指令を基板保持部2に出力する。基板保持部2は当該保持解除指令に応答してチャックピン22を保持位置から解除位置に移動させる。次に、第2搬送部122が処理済みの基板Wを処理ユニット1から搬出する(ステップS6)。
以上のように、処理ユニット1の各種の駆動部が適切に動作することにより、基板Wの主面に対して適切に処理を行うことができる。
ところで、制御部90が処理ユニット1の各種の駆動部に制御信号を出力してから、制御信号に応答した駆動部の動作によってチャンバ10内の事象が変化するまでに、時間差が発生する。当該時間差は遅延時間とも呼ばれ得る。表2は、駆動部の種類、制御信号の種類、および、事象変化の種類の例を示す表である。
例えば、制御部90が供給弁33に制御信号を出力してから、ノズル31の吐出状態が変化するまでに、遅延時間が発生する。より具体的には、制御部90が開指令を出力してから、ノズル31が処理液を吐出し始めるまでに、遅延時間が発生する。また、制御部90が閉指令を出力してから、ノズル31からの処理液の吐出が停止するまでに、遅延時間が発生する。これらの遅延時間の発生の一因として、供給弁33の開閉動作の完了に時間がかかることがある。このため、これらの遅延時間は比較的に長い。
また、制御部90がノズル移動駆動部37に移動指令を出力してから、ノズル31の位置が変化するまでにも、遅延時間が発生し得る。ただし、ノズル移動駆動部37は駆動源としてモータを有しており、ノズル31は当該モータの動作に対して高い応答性で移動するので、移動指令の出力からノズル31の移動開始までの遅延時間は供給弁33の動作に比べれば短い。また、制御部90が基板保持部2に速度変化指令を出力してから、基板Wの回転速度が変化するまでにも、遅延時間が発生し得る。同様に、速度変化指令の出力から基板Wの回転速度の変化開始までの遅延時間は、処理液の吐出状態の変化についての遅延時間に比べれば短い。
このような各種の遅延時間は、各駆動部の負荷のばらつき、各駆動部の製造ばらつき、および、経時劣化等の諸要因によって、処理ユニット1ごとに相違し得る。そして、このような各種の遅延時間が想定時間(例えば設計値)と異なると、基板Wに対する処理の程度が想定した通りにならないおそれがある。例えば、基板Wの主面上の塗布液の液膜の膜厚が想定膜厚からずれるおそれがある。具体的な一例として、塗布処理の第3工程において塗布液の吐出停止時刻と基板Wの回転速度の変化時刻との時間差が、液膜の膜厚に影響する。図6は、塗布処理の第3工程における基板Wの回転速度の時間変化の一例を示す図である。図6の例では、基板Wの回転速度の上昇中に塗布液の吐出が停止する。この吐出停止時刻t2が想定時刻からずれたり、あるいは、回転速度の変化開始時刻t1が想定時刻からずれたりすると、吐出停止時刻t2における基板Wの回転速度の値が変化する。このため、液膜の膜厚が当該ずれに応じて変動する。
また、塗布処理の第1工程における塗布液の吐出開始時刻と、塗布処理の第2工程における基板Wの回転速度の変化時刻との時間差も、液膜の膜厚に影響し得る。このため、第1工程における吐出開始時刻がずれたり、第2工程における回転速度の変化時刻がずれたりすると、液膜の膜厚も想定膜厚からずれ得る。あるいは、第1工程におけるノズル31Aの移動時刻と吐出開始時刻との時間差も処理に影響し得る。このため、第1工程における移動時刻がずれたり、吐出開始時刻がずれたりすると、処理に過不足が生じ得る。
そこで、本実施の形態では、制御部90は、処理ユニット1の各駆動部への制御信号の出力と、当該駆動部の動作に伴うチャンバ10内の事象変化との時間差(遅延時間)を算出する。制御部90は、レシピ情報D1で規定された各工程の所要時間に基づいて各駆動部に制御信号を出力するので、制御信号の出力時刻を把握している。この出力時刻は、制御部90の制御クロックに基づいて測定される。一方、チャンバ10内の事象変化は、後に詳述するように、カメラ5によって生成された画像データに基づいて検出され得る。カメラ5は画像データの撮像時刻を把握しているので、制御部90は画像データの撮像時刻に基づいて事象変化の発生時刻を把握することができる。ただし、撮像時刻はカメラ5のカメラクロックに基づいて測定される。このように、制御信号の出力時刻と画像データの撮像時刻は異なるクロックによって測定されるので、時間軸上のずれが生じ得る。そこで、制御部90は制御クロックに基づいて測定される現在時刻と、カメラクロックに基づいて測定される現在時刻とを同期させる。
図7は、監視処理の一例を示すフローチャートである。図7のフローは、図4のステップS10の一例に相当する。図7の例では、まず、制御部90は、制御部90が測定する現在時刻と、カメラ5が測定する現在時刻との差を低減させる同期処理を行う(ステップS11:同期工程)。例えば、制御部90はカメラ5にリセット信号を出力してもよい。リセット信号は、例えば、時刻を初期化するための信号であって、制御部90が測定した現在時刻の情報を含む。カメラ制御部51はリセット信号に応答して、カメラクロックに基づいて測定された現在時刻を、制御部90が測定した現在時刻に設定する。これにより、制御クロックによって測定された現在時刻と、カメラクロックによって測定された現在時刻との差を低減させることができ、実質的にほぼ一致させることができる。この同期処理以後において、制御部90およびカメラ制御部51は実質的に同一時間軸上で時刻を測定することができる。なお、ステップS11は、ステップS1の前に実行されてもよい。
次に、処理ユニット1は後述のステップS12からステップS15の一組を、例えば基板処理が終了するまで繰り返し実行する。このため、ステップS12からステップS15の一連の処理は基板処理(ステップS1からステップS6)と並行して、繰り返し実行される。
ステップS12(撮像工程)においては、カメラ5は撮像領域を撮像して画像データIM1を生成する。画像データIM1は動画像データのフレームを含む。ステップS12は上述のように基板処理と並行して繰り返し行われるので、各画像データIM1には、基板処理の進行度に応じたチャンバ10内の様子が含まれる。図8から図10は、画像データIM1の一例を概略的に示す図である。図8(a)、図8(b)、図9(a)、図9(b)および図10の画像データIM1は、互いに異なるタイミングで撮像された画像データである。
図8から図10の例では、画像データIM1には、ガード処理位置に位置するガード7の上側開口の全体が含まれている。言い換えれば、カメラ5は、ガード7の上側開口の全体が撮像領域に含まれる位置に設けられている。図3の例では、カメラ5は、ガード7よりも径方向外側かつガード7よりも鉛直上方に設けられているので、カメラ5の撮像方向は斜め下方となっている。このため、平面視円形状のガード7の上側開口は、画像データIM1において楕円形状で示される。
図8(a)は、ステップS3の塗布処理の直前で撮像された画像データIM1を示しており、図8(b)および図9(a)は、塗布処理の第1工程において撮像された画像データIM1を示しており、図9(b)は、塗布処理の第2工程において撮像された画像データIM1を示しており、図10は、塗布処理の第3工程において撮像された画像データIM1を示している。
次に、ステップS13(事象変化判定工程)において、制御部90は、チャンバ10内において事象変化が生じたか否かを、画像データIM1に基づいて判定する。ここで、判定の対象となる事象変化は基板処理の進行度によって変わる。以下では一例として、ステップS3の塗布処理を例に挙げて説明する。
例えば、塗布処理の第1工程では、制御部90がノズル移動駆動部37に移動指令を出力しつつ、供給弁33Aに開指令を出力する。このため、第1工程では、制御部90は事象変化の判定処理として、ノズル31Aが移動したか否か、および、ノズル31Aが塗布液の吐出を開始したか否かを画像データIM1に基づいて判定する(ステップS13)。例えば図8(b)では、ノズル31Aは未だ中央位置に到達していないものの、ノズル31Aの吐出口から塗布液が吐出されている。以下では、まず、ノズル31Aが移動したか否かの判定方法の例について述べ、その次に、ノズル31Aが塗布液の吐出を開始したか否かの判定方法の例について述べる。
まず、制御部90は画像データIM1におけるノズル31Aの位置を特定する。例えば制御部90は、事前に設定したノズル31Aの参照画像データRM1を用いたテンプレートマッチングによりノズル31Aの位置を特定してもよい。図8(b)では、模式的に参照画像データRM1の一例を画像データIM1に重ね合わせて表示している。図8(b)の例では、参照画像データRM1には、ノズル31Aの先端を含むノズル31Aの一部が含まれている。参照画像データRM1の縦横のサイズは画像データIM1よりも小さい。参照画像データRM1は例えば記憶部94に記憶される。制御部90は例えばテンプレートマッチングにより、画像データIM1のうち参照画像データRM1と最も類似度の高い領域を、ノズル31Aの位置として特定する。
そして、制御部90は、このノズル31Aの位置と、前回のステップS12で生成された画像データIM1におけるノズル31Aの位置との差が所定の差閾値以上であるか否かを判定する。制御部90は、当該差が差閾値以上であるときに、ノズル31Aが移動していると判定し、当該差が差閾値未満であるときに、ノズル31Aが静止していると判定する。そして、制御部90は、ノズル31Aが静止状態である画像データIM1の次の画像データIM1においてノズル31Aが移動状態であるときに、ノズル31Aが移動を開始したと判定してもよい。
次に、塗布液の吐出開始の判定方法の一例について述べる。ノズル31Aから塗布液が吐出されると、ノズル31Aからの塗布液は基板Wの主面に着液する。このため、ノズル31Aの直下において、基板Wの主面上の塗布液の液膜には揺らぎ(つまり、波紋)が生じる(図8(b)参照)。なお、この液膜の揺らぎは、ノズル31Aからの液柱状の塗布液の下端が基板Wの液膜に衝突したときに最も大きくなる。その後にノズル31Aからの液柱状の塗布液が基板Wの液膜に着液し続ける状態では、当該揺らぎは比較的に小さい。
そこで、制御部90は塗布液の着液位置における液膜の揺らぎの変化を、塗布液の吐出状態の変化(ここでは吐出開始)として、画像データIM1に基づいて検出してもよい。具体的には、制御部90は、塗布液の着液位置を含む判定領域R1の画素値に基づいて液膜の揺らぎの大小を判定してもよい。画像データIM1における判定領域R1の位置および大きさは例えば事前に設定されて、記憶部94に記憶される。着液位置における液膜の揺らぎが大きくなると、判定領域R1の画素値の分散(例えば標準偏差)は大きくなる。そこで、制御部90は判定領域R1の画素値の分散(例えば標準偏差)が所定の第1分散閾値以上であるか否かを判定し、当該分散が第1分散閾値以上であるときに、液膜の揺らぎは大きいと判定してもよい。逆に制御部90は、当該分散が第1分散閾値未満であるときには、液膜の揺らぎは小さいと判定してもよい。
そして、制御部90は、例えば、判定領域R1において液膜の揺らぎが小さい画像データIM1の次の画像データIM1の判定領域R1において液膜の揺らぎが大きいときに、ノズル31Aが塗布液の吐出を開始したと判定してもよい。なお、制御部90は着液位置における液膜の揺らぎの大小を、機械学習済みの学習済みモデルを用いて画像データIM1に基づいて判定してもよい。機械学習には例えばディープラーニングを適用することができる。この点は、後述の液膜の揺らぎについても同様である。
以上のように、塗布処理の第1工程の実行中においては、制御部90は移動の判定処理および塗布液の吐出開始の判定処理を画像データIM1に基づいて行う。制御部90は移動および吐出開始の両方を検出していないときには、再びステップS12を実行する。一方、ノズル31の移動または吐出開始の少なくともいずれかを検出したときには、制御部90は以下のステップS14を実行する。
ステップS14(算出工程)では、制御部90は、制御信号の出力時刻と事象変化の発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求める。ここでは、ステップS11が既に実行されているので、制御部90およびカメラ5で測定された時刻は同期している。そして、制御部90は時刻を測定する機能を有しているので、制御信号を出力する出力時刻を把握している。また、制御部90は上述のように画像データIM1に基づいて事象変化を検出するので、その事象変化の発生時刻を画像データIM1の撮像時刻に基づいて算出する。
例えば、ステップS13においてノズル31Aの移動開始を検出したときには、制御部90は、ノズル31Aが静止状態から移動状態に遷移する際の画像データIM1の撮像時刻に基づいて、移動時刻を算出する。具体的な一例として、制御部90は、ノズル31Aが静止状態から移動状態に遷移する際の時間的に連続した2つの画像データIM1の撮像時刻の平均時刻を移動時刻として算出してもよい。この点は他の事象変化の発生時刻の算出にも適用され得る。そして、制御部90は移動指令の出力時刻から移動時刻までの遅延時間を算出する。制御部90は、ノズル移動駆動部37の遅延時間を示す遅延時間データを記憶部94に記憶してもよい。
制御部90はユーザインターフェース95に対するユーザ入力に応答して、当該遅延時間をユーザインターフェース95のディスプレイに表示させてもよい。これにより、ユーザはノズル移動駆動部37の遅延時間を認識することができる。この動作は他の駆動部の遅延時間についても同様である。
なお、上述の例では、制御部90は事象変化としてノズル31Aの移動開始を検出しているものの、ノズル31Aの中央位置への到達(つまり、移動終了)を検出してもよい。例えば、制御部90は、ノズル31Aが移動状態である画像データIM1の次の画像データIM1においてノズル31Aが静止状態であるときに、ノズル31Aが移動を終了したと判定してもよい。そして、制御部90は、ノズル31Aが移動状態から静止状態に遷移した際の画像データIM1の撮像時刻に基づいてノズル31Aの移動終了時刻を算出し、移動指令の出力時刻から移動終了時刻までの遅延時間を算出する。あるいは、制御部90は、移動指令の出力時刻から移動開始時刻までの遅延時間、および、移動指令の出力時刻から移動終了時刻までの遅延時間の両方を算出してもよい。
また、ステップS13において塗布液の吐出開始を検出したときには、制御部90は、ノズル31Aが塗布液の吐出を開始した際の画像データIM1の撮像時刻に基づいて、吐出開始時刻を求める。そして、制御部90は開指令の出力時刻から吐出開始時刻までの遅延時間を算出する。
次に、制御部90は、ステップS14において求めた遅延時間が所定の基準範囲内にあるか否かを判定する(ステップS15:良否判定工程)。基準範囲は、遅延時間の種類に応じて事前に設定される。このため、各遅延時間に対する基準範囲は、他の遅延時間に対する基準範囲と相違し得る。基準範囲は、対応する遅延時間についての正常な範囲を示している。
遅延時間が基準範囲内であるときには、制御部90は監視処理を終了するか否かを判定する(ステップS16)。例えば、制御部90は、基板処理が終了したときに、監視処理を終了すると判定してもよい。監視処理を終了しないときには、処理ユニット1は再びステップS12を実行する。
一方、遅延時間が基準範囲外であるときには、制御部90はエラー処理を行ってもよい(ステップS17)。例えば、制御部90は、エラー処理として、不図示のユーザインターフェース95に対してエラーを報知させてもよい。例えば、ユーザインターフェース95がディスプレイを含む場合、制御部90はディスプレイにエラーを表示させてもよい。あるいは、ユーザインターフェース95がスピーカ等の音出力部を有する場合、制御部90は音出力部にエラーを報知させてもよい。エラーの内容には、エラーの対象となった駆動部の種類を示す情報と、遅延時間とが含まれてもよい。また、制御部90はエラー処理として基板処理を中断してもよい。
上述のステップS12からステップS15は基板処理の進行とともに繰り返し実行されるので、ステップS12により、チャンバ10内の様子の変化を画像データIM1に含めることができる。例えば、図8(b)から処理が進行すると、図9(a)に示されるように、カメラ5は、ノズル31Aが中央位置に到達し、ノズル31Aから基板Wの中央部に向かって塗布液が吐出された画像データIM1を生成する。
処理がさらに進行して塗布処理の第2工程が実行されると、ステップS12では、例えば図9(b)に示された画像データIM1が生成される。この第2工程では、上述のように、制御部90は速度変化指令を基板保持部2に出力する。基板保持部2は当該速度変化指令に応答して、基板Wの回転速度を第1速度値から第2速度値に変化させる。そこで、第2工程の実行中においては、制御部90は事象変化の判定処理として、基板Wの回転速度が変化したか否かを、画像データIM1に基づいて判定する(ステップS13)。
図9(b)は、基板Wの回転速度が変化している最中の画像データIM1を示している。図9(b)に示されるように、基板Wの回転速度が変化すると、基板Wの主面上の塗布液の液膜の揺らぎに変化が生じる。この揺らぎは、塗布液の着液位置よりも径方向外側において大きくなる。そこで、制御部90は、着液位置よりも径方向外側の位置での基板Wの液膜の揺らぎの大小を画像データIM1に基づいて判定してもよい。例えば、制御部90は、塗布液の着液位置から径方向外側の判定領域R2の画素値に基づいて、液膜の揺らぎの大小を判定してもよい。画像データIM1における判定領域R2の位置および大きさは、例えば着液位置における液膜の揺らぎが含まれないように事前に設定される。制御部90は判定領域R2の画素値の分散が所定の第2分散閾値以上であるか否かを判定し、当該分散が第2分散閾値以上であるときに、液膜の揺らぎが大きいと判定してもよい。逆に、制御部90は判定領域R2の分散が第2分散閾値未満であるときに、液膜の揺らぎは小さいと判定してもよい。
そして、制御部90は、例えば、判定領域R2において液膜の揺らぎが小さい画像データIM1の次の画像データIM1の判定領域R2において、液膜の揺らぎが大きいときに、基板Wの回転速度が変化し始めたと判定してもよい。
以上のように、塗布処理の第2工程の実行中においては、制御部90は回転速度変化の判定処理を画像データIM1に基づいて行う。制御部90は基板Wの回転速度の変化を検出したときに、ステップS14を実行する。
ステップS14において、制御部90は速度変化指令の出力時刻から、基板Wの回転速度が変化した第1速度変化時刻までの時間を算出する。例えば制御部90は、基板Wの回転速度が変化し始めた際の画像データIM1の撮像時刻に基づいて、第1速度変化時刻を算出する。この場合の第1速度変化時刻は、基板Wの回転速度が変化し始めた変化開始時刻に相当する。そして、制御部90は速度変化指令の出力時刻から第1速度変化時刻までの遅延時間を算出する。
次に、制御部90は回転駆動部23の遅延時間が、回転駆動部23の基準範囲内であるか否かを判定し(ステップS15)、遅延時間が基準範囲外であれば、エラー処理(ステップS16)を行う。
なお、上述の例では、制御部90は事象変化として基板Wの回転速度の変化開始を検出している。しかしながら、制御部90は、基板Wの回転速度の第2速度値への到達(つまり、回転速度の変化終了)を検出してもよい。例えば、制御部90は、判定領域R2の液膜の揺らぎが大きい画像データIM1の次の画像データIM1の判定領域R2において、液膜の揺らぎが小さいときに、基板Wの回転速度の変化が終了したと判定し、これらの画像データIM1の撮像時刻に基づいて第1速度変化時刻を算出してもよい。この場合の第1速度変化時刻は、基板Wの回転速度の変化が終了した変化終了時刻に相当する。この場合、制御部90は遅延時間として、速度変化指令の出力時刻から変化終了時刻までの遅延時間を算出する。なお、制御部90は、移動指令の出力時刻から変化開始時刻までの遅延時間、および、移動指令の出力時刻から変化終了時刻までの遅延時間の両方を算出してもよい。この点は、後述の第2速度変化時刻も同様である。
処理がさらに進行すると、塗布処理の第3工程が実行される。この第3工程では、上述のように、制御部90は基板保持部2に速度変化指令を出力しつつ、供給弁33Aに閉指令を出力する。基板保持部2は当該速度変化指令に応答して基板Wの回転速度を第2速度値から第3速度値に変化させ、供給弁33Aは当該閉指令に応答して供給管32Aを閉じる。
そこで、第3工程の実行中においては、制御部90は事象変化の判定処理として、基板Wの回転速度が変化したか否か、および、塗布液の吐出が停止したか否かを、画像データIM1に基づいて判定する(ステップS13)。図10は、基板Wの回転速度が変化しつつ塗布液の吐出が停止する際に撮像された画像データIM1を示している。図10に示されるように、基板Wの回転速度が変化すると、基板Wの主面上の塗布液の液膜には揺らぎが大きくなる。この揺らぎは、塗布液の着液位置よりも径方向外側において生じ得る。また、塗布液の吐出が停止する際には、塗布液はノズル31Aと基板Wとの間の途中で分断され、下側の塗布液が重力によって基板W側に落下する。これにより、着液位置において基板Wの主面上の塗布液に比較的に大きな揺らぎが生じる。
そこで、制御部90は着液位置における液膜の揺らぎに基づいて塗布液の吐出停止を判定してもよい。具体的には、制御部90は判定領域R11の分散が所定の第3分散閾値以上であるか否かを判定してもよい。制御部90は、当該分散が第3分散閾値以上であるときに、液膜の揺らぎが大きいと判定し、当該分散が第3分散閾値未満であるときに、液膜の揺らぎが小さいと判定する。判定領域R11は、中央位置に位置するノズル31Aからの塗布液の着液位置を含み、かつ、判定領域R2と分離された領域であり、例えば事前に設定される。第3分散閾値は第1分散閾値と同じであってもよく、異なっていてもよい。そして、制御部90は、判定領域R11における液膜の揺らぎが小さい画像データIM1の次の画像データIM1の判定領域R11において、液膜の揺らぎが大きいときに、塗布液の吐出が停止したと判定してもよい。
また、制御部90は、着液位置よりも径方向外側の位置における液膜の揺らぎに基づいて、基板Wの回転速度の変化の有無を判定してもよい。具体的には、制御部90は判定領域R2の分散が所定の第4分散閾値以上であるときに、液膜の揺らぎが大きいと判定し、該分散が第4分散閾値未満であるときに、液膜の揺らぎが小さいと判定してもよい。第4分散閾値は第2分散閾値と同じであってもよく、異なっていてもよい。そして、制御部90は第2工程における判定と同様に、基板Wの回転速度の変化を検出する。
以上のように、塗布処理の第3工程の実行中においては、制御部90は回転速度変化の判定処理および塗布液の吐出停止の判定処理を画像データIM1に基づいて行う。制御部90は回転速度変化および吐出停止の少なくともいずれかを検出したときに、ステップS14を実行する。
基板Wの回転速度の変化を検出したときには、ステップS14において、まず制御部90は、基板Wの回転速度が変化した際の画像データIM1の撮像時刻に基づいて第2速度変化時刻を算出する。そして、制御部90は速度変化指令の出力時刻から第2速度変化時刻までの遅延時間を算出する。
また、塗布液の吐出停止を検出したときには、ステップS14において、まず制御部90は、塗布液の吐出が停止した際の画像データIM1の撮像時刻に基づいて、吐出停止時刻を算出する。そして、制御部90は閉指令の出力時刻から吐出停止時刻までの遅延時間を算出する。
次に、制御部90は、ステップS14において算出した遅延時間が基準範囲内か否かを判定し(ステップS15)、遅延時間が基準範囲外であれば、エラー処理(ステップS17)を行う。
以上のように、制御部90は、駆動部への制御信号の出力時刻を制御クロックに基づいて得るとともに、チャンバ10内の事象変化の発生時刻を、カメラクロックによって測定された撮像時刻に基づいて得る(ステップS11からステップS14)。本実施の形態では、制御部90は、ステップS11(同期工程)によって、制御クロックによって測定された現在時刻と、カメラクロックによって測定された現在時刻とを同期させる。このため、制御部90は制御信号の出力時刻から事象変化の発生時刻までの時間差(ここででは遅延時間)を実質的に同一時間軸上で算出することができ、より高い精度で算出することができる。例えば、ノズル移動駆動部37についての遅延時間、回転駆動部23についての遅延時間、および、吐出状態の変化についての遅延時間を高い精度で得ることができる。
また、上述の例では、制御部90は、各遅延時間を示す遅延時間データを記憶部94に記憶する。そして、制御部90は例えばユーザ入力に応答して、ユーザインターフェース95のディスプレイに遅延時間を表示させる。これにより、ユーザは処理ユニット1の各遅延時間を認識することができ、各駆動部の劣化等を推定することができる。また、ユーザは、事象変化の発生時刻がより望ましい時刻になるように、認識した遅延時間に基づいて、レシピ情報D1における各工程の所要時間を更新してもよい。例えば、駆動部の遅延時間が基準範囲の上限よりも長い場合には、当該駆動部への制御信号の出力時刻をより早いタイミングになるようにレシピ情報D1を更新してもよい。このような更新は、ユーザインターフェース95に対するユーザ入力によって行われ得る。
また、上述の例では、制御部90は各遅延時間が基準範囲内であるか否かを判定する(ステップS15)。このため、処理ユニット1は遅延時間が妥当であるかの判断を自動で行うことができる。また、制御部90は、遅延時間が基準範囲外であるときには、事象変化の発生時刻がより望ましい時刻になるように、算出した遅延時間の基準範囲からの逸脱量に基づいて、レシピ情報D1における制御信号の出力時刻(つまり、工程の所要時間)を更新してもよい。
なお、上述の例では、監視処理は基板処理が行われる期間の全体で行われているものの、当該期間の少なくとも一部で行われてもよい。当該少なくとも一部の期間とは、算出対象となる事象変化の発生時刻を含む期間である。例えば、吐出状態の変化時刻を算出する場合には、当該少なくとも一部の期間は、塗布液の吐出状態が変化する変化時刻を含む期間である。
また、上述の例では、制御部90は、塗布液の着液位置における液膜の揺らぎの変化を、塗布液の吐出状態の変化(吐出開始または吐出停止)として、画像データIM1に基づいて検出している。これによれば、制御部90は、高い精度で吐出状態の変化を検出することができる。
また、上述の例では、制御部90は、塗布液の着液位置よりも径方向外側の位置における液膜の揺らぎの変化を、基板Wの回転速度の変化として、画像データIM1に基づいて検出している。これによれば、制御部90は画像データIM1に基づいて回転速度の変化を検出することができる。
<ガード昇降駆動部>
上述の例では、制御部90はガード昇降駆動部8に制御信号を出力し、ガード昇降駆動部8は当該制御信号に応答してガード7を昇降させる。そこで、制御部90はガード昇降駆動部8への制御信号の出力時刻からガード7の昇降時刻までの遅延時間を算出してもよい。例えば、制御部90はガード7の位置変化を画像データIM1に基づいて検出する(ステップS13)。具体的な一例として、制御部90は画像データIM1の判定領域R3(図8(a)も参照)の画素値の時間的な変化に基づいて、ガード7の位置変化を検出してもよい。判定領域R3は、ガード7の上端周縁部の少なくとも一部を含む領域であり、事前に設定され得る。
例えば、制御部90は、時間的に連続した2つの画像データIM1の判定領域R3どうしの類似度が所定の類似度閾値未満であるときに、ガード7が昇降していると判定し、当該類似度が類似度閾値以上であるときに、ガード7が静止していると判定してもよい。類似度は特に限定されないものの、例えば、画素値の差分の二乗和(Sum of Squared Difference)、画素値の差分の絶対値の和(Sum of Absolute Difference)、正規化相互相関および零平均正規化相互相関等の公知の類似度であってもよい。
そして、制御部90はガード7の昇降時刻を画像データIM1の撮像時刻に基づいて算出し、制御信号の出力時刻から昇降時刻までの遅延時間を算出する(ステップS14)。具体的には、制御部90は、ガード7が静止状態から昇降状態に遷移した際の画像データIM1の撮像時刻に基づいて、昇降開始時刻を算出してもよい。この場合、制御部90は制御信号の出力時刻から昇降開始時刻までの遅延時間を算出する。あるいは、制御部90は、ガード7が昇降状態から静止状態に遷移した際の画像データIM1の撮像時刻に基づいて、昇降終了時刻を算出してもよい。この場合、制御部90は制御信号の出力時刻から昇降終了時刻までの遅延時間を算出する。なお、制御部90は、出力時刻から昇降開始時刻までの遅延時間、および、出力時刻から昇降終了時刻までの遅延時間の両方を算出してもよい。
<異なる事象変化の発生時刻の時間差>
制御部90は、画像データIM1に基づいて求めた、異なる事象変化の発生時刻の時間差を算出してもよい。図11は、当該時間差の算出を説明するための図である。
<処理液の供給時間(=吐出開始時刻と吐出停止時刻との時間差)>
図11(a)に示されるように、制御部90は、画像データIM1に基づいて求められた吐出開始時刻および吐出停止時刻t2(図6も参照)に基づいて、塗布液を基板Wの主面に供給する供給時間を算出してもよい。より具体的には、制御部90は吐出停止時刻t2から吐出開始時刻を減算して供給時間を算出する。制御部90は、供給時間を示す供給時間データを記憶部94に記憶してもよい。また、制御部90は、例えばユーザインターフェース95に対するユーザ入力に応答して、ユーザインターフェース95のディスプレイに供給時間を表示させてもよい。これにより、ユーザは供給時間を認識することができる。ひいては、ユーザは供給時間の不足または過大等の不具合の発生を認識することができる。しかも、上述のように、ユーザは吐出開始についての遅延時間および吐出停止についての遅延時間も認識できるので、供給時間の不具合の原因が吐出開始に起因するのか、吐出停止に起因するのかについて判断することもできる。
また、制御部90は供給時間が所定の供給基準範囲内にあるか否かを判定してもよい。供給時間が供給基準範囲内であるときには、適切な塗布処理が行われているので、制御部90は処理を続行する。一方で、供給時間が供給基準範囲外であるときには、制御部90は例えばエラー処理を行ってもよい。これにより、ユーザは供給時間にエラーが生じたことを認識することができ、上述のように供給時間の不具合の原因を速やかに探ることができる。
<第3工程での塗布液の吐出停止と回転速度変化の時間差>
上述の例では、塗布処理の第3工程において、基板Wの回転速度の変化中に塗布液の吐出が停止する(図5および図6も参照)。このため、第2速度変化時刻(例えば変化開始時刻t1)と吐出停止時刻t2との時間差Δtが塗布液の膜厚に対して比較的に大きく影響する。そこで、図11(b)に示されるように、制御部90は、画像データIM1に基づいて求められた変化開始時刻t1および吐出停止時刻t2に基づいて、時間差Δtを算出してもよい。具体的には、制御部90は吐出停止時刻t2から変化開始時刻t1を減算して時間差Δtを算出する。制御部90は、時間差Δtを示す時間差データを記憶部94に記憶してもよい。また、制御部90は、例えばユーザインターフェース95に対するユーザ入力に応答して、ユーザインターフェース95のディスプレイに時間差Δtを表示させてもよい。これにより、ユーザは時間差Δtの不足または過大等の不具合の発生を認識することができる。しかも、上述のように、ユーザは回転速度の変化についての遅延時間および吐出停止についての遅延時間も認識できる。したがって、ユーザは、時間差Δtの不具合の原因が回転駆動部23に起因するのか、供給弁33Aに起因するのかについて判断することもできる。
また、制御部90は、時間差Δtが所定の時間差基準範囲内にあるか否かを判定してもよい。時間差Δtが時間差基準範囲内であるときには、適切な塗布処理が行われているので、制御部90は処理を続行する。一方で、時間差Δtが時間差基準範囲外であるときには、制御部90は例えばエラー処理を行ってもよい。これにより、ユーザは時間差Δtに不具合が生じたことを認識することができ、上述のように時間差Δtの不具合の原因を探ることができる。
ところで、上述の例では、制御部90は第2速度変化時刻(例えば変化開始時刻t1)を、画像データIM1における基板Wの主面上の液膜の揺らぎに基づいて求めた。しかしながら、液膜の揺らぎによる基板Wの回転速度の変化の検出精度は必ずしも高いとはいえない場合がある。例えば、着液位置よりも外側の位置における液膜の揺らぎは、塗布液の流量変化によっても変化し得るからである。このため、塗布処理の第3工程のように吐出状態の変化と基板Wの回転速度の変化が並行して生じる場合には、検出精度が低下し得る。逆に、着液位置は基板Wの中心に近いので、着液位置における液膜の揺らぎは、基板Wの回転速度の変化にあまり依存しない。
そこで、制御部90は第2速度変化時刻(例えば変化開始時刻t1)を、基板保持部2への速度変化指令の出力時刻に基づいて決定してもよい。具体的には、図11(c)に示されるように、制御部90は、第3工程における速度変化指令の出力時刻を第2速度変化時刻とする。そして、制御部90は吐出停止時刻t2から速度変化指令の出力時刻を減算して時間差Δtを算出してもよい。これにより、制御部90は時間差Δtをより高い精度かつより簡易な処理で算出することができる。
ここで、より一般的に説明するにあたって、変位駆動部を導入する。変位駆動部は例えば、ノズル移動駆動部37または回転駆動部23であり、チャンバ10内の変位対象(ノズル31または基板W)を変位させる駆動部である。ここでは、制御部90は、変位対象の位置変化の開始時刻と、処理液の吐出状態の変化時刻との時間差を算出する。例えば、制御部90はノズル31の移動開始時刻と処理液の吐出開始時刻との時間差を算出する。この場合、制御部90は位置変化の開始時刻として、変位駆動部(例えばノズル移動駆動部37)への制御信号(例えば移動指令)の出力時刻を適用する。つまり、制御部90は、変位駆動部への制御信号の出力時刻と、画像データIM1に基づいて算出された塗布液の吐出状態の変化時刻との時間差を算出する。
これによれば、応答性の高い変位駆動部による開始時刻には、制御信号の出力時刻を適用するので、制御部90はより簡易に時間差を算出することができる。
<駆動部の経時劣化>
処理ユニット1には、基板Wが順次に搬入される。制御部90は基板Wの処理のたびに上述の時間差(遅延時間を含む)を算出するので、当該時間差の経時変化を示す経時データD2を生成する。図12は、経時データD2の一例を概略的に示す図である。例えば制御部90は各駆動部の遅延時間を算出したときに、当該遅延時間を駆動部に対応した経時データD2に追加して経時データD2を更新し、更新後の経時データD2を記憶部94に記憶してもよい。
制御部90は、例えば、ユーザインターフェース95へのユーザ入力に応答して、経時データD2をユーザインターフェース95のディスプレイに表示させてもよい。これにより、ユーザは経時データに基づいて時間差の経時変化を確認することができる。
<装置間ばらつき>
上述の例では、基板処理装置100は複数の処理ユニット1を含んでいる。各処理ユニット1は基板Wの処理時に上述の時間差(遅延時間を含む)を算出する。そこで、制御部90は各時間差の複数の処理ユニット1間のばらつきを示す装置間データD3を生成する。図13は、装置間データD3の一例を概略的に示す図である。例えば制御部90は、各処理ユニット1における各駆動部の遅延時間を算出したときに、当該遅延時間を駆動部に対応した装置間データD3に追加して装置間データD3を更新し、更新後の装置間データD3を記憶部94に記憶してもよい。
制御部90は、例えば、ユーザインターフェース95へのユーザ入力に応答して、装置間データD3をユーザインターフェース95のディスプレイに表示させてもよい。これにより、ユーザは複数の処理ユニット1間の時間差のばらつきを認識することができる。
制御部90は、複数の処理ユニット1のうち処理に最も優れた処理ユニット1を事前に実験等により特定し、その処理ユニット1の各時間差を基準時間に設定してもよい。当該基準時間を示す基準時間データは例えば記憶部94に事前に記憶される。制御部90はステップS14で算出した各処理ユニット1の時間差と基準時間との差が所定の閾値以上であるか否かを判定してもよい。当該差が閾値以上であるときに、制御部90はユーザインターフェース95のディスプレイにエラーを表示させてもよい。当該エラーには、エラーの対象となる処理ユニット1を示す情報、時間差の種類を示す情報が含まれ得る。
<同期処理>
上述の例では、制御部90はカメラ5にリセット信号を出力して同期処理を行った。しかしながら、必ずしもこれに限らない。例えば、チャンバ10内の変位対象の位置を制御する変位駆動部は高い応答性を有する。変位駆動部は、例えば、ノズル移動駆動部37、回転駆動部23およびガード昇降駆動部8を含む。制御部90が変位駆動部に制御信号を出力すると、当該制御信号の出力時刻に近い時刻で、変位対象の位置が変化し始める。応答性が高ければ、変位対象の位置が変化し始める変位開始時刻は、出力時刻とほぼ一致しているとみなすことができる。変位開始時刻は、変位対象がノズル31である場合、移動開始時刻に相当する。
そこで、制御部90は次のように同期処理を行ってもよい。まず、制御部90は変位対象の位置変化の開始を画像データIM1に基づいて検出する。当該検出は、上述のように画像データIM1の画素値の時間変化に基づいて行われ得る。そして、制御部90は、変位対象が変化し始める変位開始時刻を画像データIM1の撮像時刻に基づいて求める。この変位開始時刻は、画像データIM1の撮像時刻に基づいて求められるので、カメラクロックに基づく時刻である。応答性が高い場合には、出力時刻と変位開始時刻との間のずれ量は、主として制御部90の時間軸とカメラ5との時間軸の相違に相当する。そこで、制御部90は制御信号の出力時刻および変位開始時刻に基づいて同期処理を行う。具体的には、制御部90は当該ずれ量で、制御部90による測定時刻およびカメラ5による測定時刻の少なくともいずれか一方を補正して、制御部90が測定する現在時刻とカメラ5が測定する現在時刻との差を低減させる。
これによれば、制御部90はカメラ5にリセット信号を出力する必要がなく、カメラ制御部51はリセット信号に応じた機能を必要としない。このため、カメラ制御部51の機能を簡略化することができる。
<基板処理の第2例>
図14は、処理ユニット1の動作の第2例を示すフローチャートである。図14では、処理ユニット1はステップS21からステップS28を実行して、基板Wに対する基板処理(処理工程に相当)を行う。ここでは、処理ユニット1の吐出部3は3つのノズル31(不図示)を含んでいる。より具体的には、処理ユニット1は薬液(例えばフッ酸)用のノズル31、第1リンス液(例えば純水)用のノズル31および第2リンス液(例えばイソプロピルアルコール)用のノズル31を含んでいる。各ノズル31はそれぞれの供給管32の下流端に接続されており、供給管32の上流端は、対応する処理液を供給する処理液供給源に接続される。図14の基板処理も、制御部90がレシピ情報D1に基づいて基板処理装置100の各構成を制御することにより実現される。
まず、第2搬送部122が基板Wを処理ユニット1に搬送し、基板保持部2が基板Wを保持する(ステップS21)。次に、処理ユニット1は薬液処理を行う(ステップS22)。具体的には、基板保持部2が基板Wの回転を開始し、ガード昇降駆動部8がガード7をガード処理位置に上昇させ、ノズル移動駆動部37がノズル31をノズル処理位置に移動させる。次に吐出部3が薬液用のノズル31から基板Wの主面に向かって薬液を吐出させる。そして、所定の薬液時間の経過に応答して、吐出部3が薬液の吐出を終了する。
次に、処理ユニット1は第1リンス処理を行う(ステップS23)。具体的には、吐出部3が第1リンス液用のノズル31から基板Wの主面に向かって第1リンス液を吐出させる。そして、所定の第1リンス時間の経過に応答して、吐出部3が第1リンス液の吐出を終了する。
次に、処理ユニット1は中断処理を行う(ステップS24)。具体的には、所定の中断時間(例えば、0.1秒)にわたって全ての供給弁33に対して閉指令が維持される。つまり、制御部90は第1リンス液用の供給弁33に閉指令を出力してから中断時間に亘って、他の供給弁33に開指令を出力しない。
次に、処理ユニット1は第2リンス処理を行う(ステップS25)。具体的には、吐出部3が第2リンス液用のノズル31から基板Wの主面に向かって第2リンス液を吐出させる。つまり、制御部90は第1リンス液用の供給弁33への閉指令の出力時刻から中断時間の経過に応答して、第2リンス液用の供給弁33に開指令を出力する。そして、当該開指令の出力時刻からの第2リンス時間の経過に応答して、第2リンス液用の供給弁33に閉指令を出力する。また、ノズル移動駆動部37がノズル31をノズル待機位置に移動させる。
次に、処理ユニット1は乾燥処理を行う(ステップS26)。具体的には、基板保持部2が基板Wの回転速度を上昇させる(いわゆるスピンドライ)。所定の乾燥時間の経過に応答して、基板保持部2は基板Wの回転を終了させる。次に、基板保持部2は基板Wの保持を解除し(ステップS27)、第2搬送部122が処理ユニット1から基板Wを搬出する(ステップS28)。
以上のように、処理ユニット1は基板Wに対して処理を行うことできる。しかも、第1リンス処理と第2リンス処理との間で短時間の中断処理が行われる。この中断処理では、第1リンス液の吐出流量が低下するものの、中断処理の終了時では吐出流量はゼロにならない。このため、第2リンス液の吐出が開始されるまでに、基板Wの主面上で液膜を維持することができる。つまり、基板Wのカバレッジを確保することができる。しかも、第2リンス液の吐出の開始時では、第1リンス液の吐出流量は小さいので、基板Wの主面で液はねが生じる可能性も低減させることができる。
しかしながら、このような液跳ねの抑制およびカバレッジの両立のためには、第1リンス液の吐出停止時刻および第2リンス液の吐出開始時刻が重要である。そこで、制御部90はこれらの時刻を算出してもよい。具体的には、まず、制御部90は第1リンス液の吐出停止を画像データIM1に基づいて検出し、第1リンス液用の供給弁33への閉指令の出力時刻から第1リンス液の吐出停止時刻までの遅延時間を、同期した時刻に基づいて算出する。また、制御部90は第2リンス液の吐出開始を画像データIM1に基づいて検出し、第2リンス液用の供給弁33への開指令の出力時刻から第2リンス液の吐出開始時刻までの遅延時間を、同期した時刻に基づいて算出する。制御部90が各遅延時間をユーザインターフェース95に表示すれば、第1リンス液の吐出停止時刻および第2リンス液の吐出開始時刻が適切であるか否かを、ユーザが確認することができる。制御部90は各遅延時間が基準範囲内であるか否かを判定してもよく、第1リンス液の吐出停止時刻と第2リンス液の吐出開始時刻との時間差を算出し、当該時間差が所定の時間差基準範囲内か否かを判定してもよい。
なお、基板処理の第2例においても、制御部90は、他の駆動部への出力時刻から事象変化の発生時刻までの時間差を算出してもよい。
以上のように、基板処理装置100および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
1 処理ユニット
10 チャンバ
2 駆動部(基板保持部)
100 基板処理装置
23 駆動部(回転駆動部)
31,31A,31B ノズル
32,32A,32B 供給管
33,33A,33B 供給弁
37 駆動部(ノズル移動駆動部)
5 カメラ
8 駆動部(ガード昇降駆動部)
90 制御部
IM1 画像データ
S11 同期工程(ステップ)
S12 撮像工程(ステップ)
S14 算出工程(ステップ)
W 基板

Claims (16)

  1. 制御部が時刻を測定しつつ、処理ユニットの少なくとも一つの駆動部に制御信号を出力して、チャンバ内に搬入された基板に対する処理を前記処理ユニットに行わせる処理工程と、
    前記処理工程の少なくとも一部の期間において実行され、カメラが前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成する撮像工程と、
    前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行う同期工程と、
    前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求める算出工程と
    を備え
    前記処理工程において、前記制御部は、前記基板の主面に向かって処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に、前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、
    前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記制御信号の前記出力時刻から前記吐出状態の変化時刻までの前記時間差である遅延時間を、同期した時刻に基づいて求め、
    前記算出工程において、前記基板の前記主面上の前記処理液の着液位置における前記処理液の揺らぎの変化を、前記処理液の前記吐出状態の変化として、前記画像データに基づいて検出する、基板処理方法。
  2. 制御部が時刻を測定しつつ、処理ユニットの少なくとも一つの駆動部に制御信号を出力して、チャンバ内に搬入された基板に対する処理を前記処理ユニットに行わせる処理工程と、
    前記処理工程の少なくとも一部の期間において実行され、カメラが前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成する撮像工程と、
    前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行う同期工程と、
    前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求める算出工程と
    を備え
    前記処理工程において、前記制御部は、ノズルから前記基板の主面に向かって処理液を吐出させつつ、前記基板を回転させる回転駆動部に、前記制御信号としての速度変化指令を出力し、
    前記算出工程において、前記処理液の着液位置よりも径方向外側の位置における前記基板の前記主面上の前記処理液の揺らぎの変化を、前記基板の回転速度の変化として、前記画像データに基づいて検出する、基板処理方法。
  3. 制御部が時刻を測定しつつ、処理ユニットの少なくとも一つの駆動部に制御信号を出力して、チャンバ内に搬入された基板に対する処理を前記処理ユニットに行わせる処理工程と、
    前記処理工程の少なくとも一部の期間において実行され、カメラが前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成する撮像工程と、
    前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行う同期工程と、
    前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求める算出工程と
    を備え
    前記処理工程において、前記制御部は、前記チャンバ内の変位対象の位置を変位させる変位駆動部に前記制御信号を出力し、前記基板の主面に処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、
    前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記変位駆動部への前記制御信号の前記出力時刻と前記処理液の前記吐出状態の変化時刻との前記時間差を、同期した時刻に基づいて求める、基板処理方法。
  4. 請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
    前記処理工程において、前記制御部は、ノズル移動駆動部に前記制御信号としての移動指令を出力して、前記ノズル移動駆動部に、前記基板の主面に向かって処理液を吐出するノズルを移動させ、
    前記算出工程において、前記ノズルの移動を前記画像データに基づいて検出し、前記移動指令の前記出力時刻から前記ノズルの移動時刻までの前記時間差である遅延時間を、同期した時刻に基づいて求める、基板処理方法。
  5. 請求項または請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記処理工程において、前記制御部は、前記基板の主面に向かって処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に、前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、
    前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記制御信号の前記出力時刻から前記吐出状態の変化時刻までの前記時間差である遅延時間を、同期した時刻に基づいて求める、基板処理方法。
  6. 請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記処理工程において、前記制御部は、前記供給弁に前記開指令を出力して前記ノズルから前記処理液を吐出させた後に、前記供給弁に前記閉指令を出力して前記ノズルからの前記処理液の吐出を停止させ、
    前記算出工程において、前記開指令に応答した前記ノズルからの前記処理液の吐出開始を前記画像データに基づいて検出し、前記閉指令に応答した前記ノズルからの前記処理液の吐出停止を前記画像データに基づいて検出し、前記処理液の吐出開始時刻から吐出停止時刻までの供給時間を求める、基板処理方法。
  7. 請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記算出工程において、前記基板の前記主面上の前記処理液の着液位置における前記処理液の揺らぎの変化を、前記処理液の前記吐出状態の変化として、前記画像データに基づいて検出する、基板処理方法。
  8. 請求項1または請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記処理工程において、前記制御部は、ノズルから前記基板の主面に向かって処理液を吐出させつつ、前記基板を回転させる回転駆動部に、前記制御信号としての速度変化指令を出力し、
    前記算出工程において、前記処理液の着液位置よりも径方向外側の位置における前記基板の前記主面上の前記処理液の揺らぎの変化を、前記基板の回転速度の変化として、前記画像データに基づいて検出する、基板処理方法。
  9. 請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、
    前記処理工程において、前記制御部は、前記チャンバ内の変位対象の位置を変位させる変位駆動部に前記制御信号を出力し、前記基板の主面に処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、
    前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記変位駆動部への前記制御信号の前記出力時刻と前記処理液の前記吐出状態の変化時刻との前記時間差を、同期した時刻に基づいて求める、基板処理方法。
  10. 請求項に記載の基板処理方法であって、
    前記処理工程において、前記制御部は、前記供給弁に前記閉指令を出力するとともに、前記基板を回転させる前記変位駆動部である回転駆動部に前記制御信号としての速度変化指令を出力し、
    前記算出工程において、前記ノズルからの前記処理液の吐出停止を前記画像データに基づいて検出し、前記速度変化指令の前記出力時刻と前記処理液の吐出停止時刻との前記時間差を、同期した時刻に基づいて求める、基板処理方法。
  11. 請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
    前記処理工程において、前記制御部は、前記チャンバ内の変位対象の位置を変位させる変位駆動部に前記制御信号を出力し、
    前記同期工程において、前記チャンバ内の前記変位対象の位置変化の開始を前記画像データに基づいて検出し、前記変位対象の位置が変化し始めた変位開始時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻および前記変位開始時刻に基づいて前記同期処理を行う、基板処理方法。
  12. 請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
    複数の前記基板のそれぞれに対して、前記処理工程、前記撮像工程、前記同期工程および前記算出工程を行い、
    前記複数の前記基板についての前記時間差の経時変化を示す経時データを生成する、基板処理方法。
  13. 請求項1から請求項3のいずれか一つに記載の基板処理方法であって、
    複数の前記処理ユニットのそれぞれに対して、前記処理工程、前記撮像工程、前記同期工程および前記算出工程を行い、
    前記複数の前記処理ユニットの間の前記時間差のばらつきを示す装置間データを生成する、基板処理方法。
  14. チャンバと、
    前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成するカメラと、
    前記チャンバ内に搬入された基板を処理するための駆動部と、
    前記駆動部に制御信号を出力して、前記チャンバ内に搬入された前記基板に対する処理を行わせる制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行い、前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求め
    前記制御部は、前記基板の主面に向かって処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に、前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、
    前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記制御信号の前記出力時刻から前記吐出状態の変化時刻までの前記時間差である遅延時間を、同期した時刻に基づいて求め、
    前記基板の前記主面上の前記処理液の着液位置における前記処理液の揺らぎの変化を、前記処理液の前記吐出状態の変化として、前記画像データに基づいて検出する、基板処理装置。
  15. チャンバと、
    前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成するカメラと、
    前記チャンバ内に搬入された基板を処理するための駆動部と、
    前記駆動部に制御信号を出力して、前記チャンバ内に搬入された前記基板に対する処理を行わせる制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行い、前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求め
    前記制御部は、ノズルから前記基板の主面に向かって処理液を吐出させつつ、前記基板を回転させる回転駆動部に、前記制御信号としての速度変化指令を出力し、
    前記処理液の着液位置よりも径方向外側の位置における前記基板の前記主面上の前記処理液の揺らぎの変化を、前記基板の回転速度の変化として、前記画像データに基づいて検出する、基板処理装置。
  16. チャンバと、
    前記チャンバ内を撮像して、画像データを生成するカメラと、
    前記チャンバ内に搬入された基板を処理するための駆動部と、
    前記駆動部に制御信号を出力して、前記チャンバ内に搬入された前記基板に対する処理を行わせる制御部と
    を備え、
    前記制御部は、前記制御部が測定する現在時刻および前記カメラが測定する現在時刻の差を低減させる同期処理を行い、前記画像データに基づいて前記チャンバ内の事象変化を検出し、前記事象変化の発生時刻を前記画像データの撮像時刻に基づいて算出し、前記制御信号の出力時刻と前記事象変化の前記発生時刻との時間差を、同期した時刻に基づいて求め
    前記制御部は、前記チャンバ内の変位対象の位置を変位させる変位駆動部に前記制御信号を出力し、前記基板の主面に処理液を吐出するノズルに接続された供給管に設けられた供給弁に前記制御信号としての開指令または閉指令を出力し、
    前記ノズルからの前記処理液の吐出状態の変化を前記画像データに基づいて検出し、前記変位駆動部への前記制御信号の前記出力時刻と前記処理液の前記吐出状態の変化時刻との前記時間差を、同期した時刻に基づいて求める、基板処理装置。
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