JP7847697B2 - インセルタッチ表示パネル - Google Patents

Description

この出願は、２０２４年７月２６日に出願された韓国特許出願第１０－２０２４－００９９４８４号の優先権及び利益を主張し、その内容の全ては本発明に組み込まれる。

本発明は表示パネル、特にインセルタッチ表示パネルに関するものであるが、これには限定されない。

表示装置は、テレビ、携帯電話、ビデオフォン、スマートウォッチ、ウォッチフォン、ウェアラブル機器、フォルダブル機器、ポータブルマルチメディアプレーヤー（ＰＭＰ）、個人用デジタルアシスタント（ＰＤＡ）、ノートパソコン及びタブレットなどのような様々な電子機器に適用されている。

表示装置には、自ら光を発光する有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＯＬＥＤ）などと、別途の光源を必要とする液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＬＣＤ）、プラズマ表示パネル（ＰＤＰ）、電界発光表示装置、電気湿潤表示装置、電気泳動表示装置（ＥＰＤ）、ストレッチャブル(伸縮可能な)表示装置、フレキシブル表示装置などがある。

最近では、無機発光素子（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）を含む表示装置が、次世代の表示装置として注目されている。無機発光素子は、有機物質ではなく無機物質からなるので、液晶表示装置や有機発光表示装置に比べて点灯速度が速く、発光効率に優れており、高い輝度の映像を表示することができる。

本発明の実施例による解決課題は、表示パネルの厚さが減少した、インセルタッチ表示パネルを提供することにある。

本発明の実施例による解決課題は、タッチセンシングの正確度が増加し、タッチセンシングにかかる時間が減少した、インセルタッチ表示パネルを提供することにある。

本発明の実施例による解決課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていない更なる課題は、以下の記載から当業者にとって明確に理解されるであろう。

本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルは、表示領域内に配置されたＮ＊Ｍ（Ｎ、Ｍのそれぞれは、２以上の正の整数）個の第１画素に連結された、第１共通電極、表示領域内に配置されたＮ＊Ｍ個の第２画素に連結された、第２共通電極、及び、表示領域内に配置されて、第１画素と第２画素にピクセルデータを書き込み、第１共通電極と第２共通電極へ電圧を供給する、第１ピクセルドライバを含み得る。

本発明の実施例によるインセルタッチ表示装置は、イメージを表示する表示領域内に配置された、複数の画素、複数のタッチグループを含む、複数のタッチユニット、及び、ピクセルドライバを含み、前記複数のタッチグループは、複数の画素のうち前記タッチユニットの第１画素に連結される第１共通電極を含む、第１タッチグループと、前記複数の画素のうち前記タッチユニットの第２画素に連結されるが、前記タッチユニットの第１画素には連結されない第２共通電極を含む、第２タッチグループとを含み、前記ピクセルドライバは、第１タッチ期間中に、前記複数のタッチユニットそれぞれの前記第１タッチグループに配置された前記第１共通電極へタッチ駆動信号を出力しながら、前記第１タッチ期間中に、前記複数のタッチユニットそれぞれに配置された前記第２タッチグループの前記第２共通電極へ共通電圧を出力し、前記複数のタッチユニットそれぞれの前記第２画素が、前記第１タッチ期間中にイメージを表示する。

上記で言及した課題の解決手段以外の本発明の様々な例による具体的な事項は、以下の記載内容及び図面に含まれている。

本発明によれば、インセルタッチ表示パネルのタッチセンシングに必要なタッチ電極として共通電極を用いることにより、パネルの厚さを減らすことができる。

本発明によれば、インセルタッチ表示パネルのタッチセンシングにおいて、タッチグループ及びセンシング期間を細分化して、センシングの正確度が増加し、センシングにかかる時間を短縮することができる。

本発明の効果は、以上で言及した効果に制限されず、言及されていない更なる効果は、以下の記載内容から本発明の技術思想が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって明確に理解されるであろう。

本発明の前記目的及びその他の目的、特徴並びに利点は、添付の図面を参照して本発明の例示的な実施例を詳細に説明することにより、当業者にとってさらに明らかになるであろう：
本発明の実施例による表示装置の分解斜視図である。 本発明の実施例による表示装置を示す平面図である。 本発明の実施例による表示装置を示す拡大図である。 本発明の実施例による回路構造を示す図である。 本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルに配置される複数のタッチブロックを示す図である。 本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。 本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。 本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。 本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。 本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。 本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。 本発明の実施例によるタッチグループの拡大図である。 本発明の実施例によるタッチグループに配置された画素の拡大図である。 本発明のさらに他の実施例によるタッチグループの拡大図である。 図３のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の実施例による表示領域に配置された発光素子を含むサブ画素を示す断面図である。 本発明の実施例による表示装置が適用された装置を示す図である。 本発明の実施例による表示装置が適用された装置を示す図である。 本発明の実施例による表示装置が適用された装置を示す図である。 本発明の実施例による表示装置が適用された装置を示す図である。

本発明の利点及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述している実施例を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態で具現できるものであり、単にこれらの実施例は、本発明の開示が完全になるようにし、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。

本発明の実施例を説明するための図面に開示された形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであるので、本発明が図面に示された事項に限定されるものではない。明細書の全体にわたって、同一の参照符号は同一の構成要素を指し示す。また、本発明を説明するにあたり、関連する公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に濁らせると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及された「含む」、「有する」、又は「からなる」などの文言が用いられる場合は、「～だけ・のみ」が使用されない以上、他の部分が追加可能である。構成要素を単数で表した場合には、特別に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を包含することができる。

構成要素を解釈するにあたり、誤差範囲についての別途の明示的な記載がなくても、誤差範囲を含むものと解釈する。

位置関係についての説明である場合、例えば、「～上に」、「～の上部に」、「～の下部に」、「～の隣に」、又は「隣接する」などのように、２つの部分の位置関係が説明される場合、例えば「すぐに」、「直接」、又は「と近い」が用いられない以上、２つの部分の間には１つ以上の他の部分が位置することもできる。

時間関係についての説明である場合、「後に」、「に続けて」、「次に」、又は「前に」などのように、時間的な前後関係が説明される場合、「すぐに」、又は「直接」が用いられない以上、連続的ではない場合も包含することができる。

第１、第２などが様々な構成要素を叙述するために用いられるが、これらの構成要素はこれらの用語により制限されない。これらの用語は、単に１つの構成要素を他の構成要素と区別するために用いるものである。したがって、以下で言及される第１の構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素でもあり得る。

本発明の構成要素を説明するにあたり、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、又は（ｂ）などの用語を用いることができる。このような用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するためのものであるだけで、その用語に応じて当該構成要素の本質、順番、順序又は個数などが限定されることはない。

ある構成要素が他の構成要素に「連結」、「結合」、「接続」、又は「付着」、「取付」、「装着」されると記載された場合、当該ある構成要素は当該他の構成要素に直接的に連結、結合、接続、又は付着、取付、装着可能ではあるものの、特に明示的な記載事項がない、間接的に連結、結合、接続、又は付着、取付、装着可能な各構成要素の間に他の構成要素が介在することもできると理解されるべきものである。

構成要素又は層が他の構成要素又は層に「接触」、又は「重畳」すると記載された場合、構成要素又は層が他の構成要素又は層に直接的に接触又は重畳可能ではあるものの、特に明示的な記載事項がない、間接的に接触又は重畳可能な各構成要素の間に他の構成要素が介在することもできると理解されるべきものである。

「少なくとも１つ」は、関連する構成要素の１つ以上の全ての組み合わせを含むものと理解されるべきものである。例えば、「第１、第２及び第３構成要素の少なくとも１つ」という意味は、第１、第２又は第３構成要素だけではなく、第１、第２及び第３構成要素の２つ以上の全ての構成要素の組み合わせを含むと言える。

「第１方向」、「第２方向」、「第３方向」、「Ｘ軸方向」、「Ｙ軸方向」及び「Ｚ軸方向」は、相互間の関係が垂直となっている幾何学的な関係のみに解釈されてはならなく、本発明の構成が機能的に作用できる範囲内でより広い方向性を持つことを意味することができる。

本発明の種々の実施例それぞれの特徴は、部分的に又は全体的に互いに結合又は組み合わせ可能であり、技術的に様々な連動及び駆動が可能であり、各実施例は互いに対して独立して実施することもでき、連関関係をもって一緒に実施することもできる。

以下、添付の図面を参照して、本発明の様々な実施例を詳細に説明する。

図１は、本発明の実施例による表示装置の分解斜視図である。図２は、本発明の実施例による表示装置を示す平面図である。図３は、本発明の実施例による表示装置を示す拡大図である。

図１乃至図３を参照すれば、本発明の実施例による表示装置１０００は、表示パネル１００、偏光層２９３、接着層２９５、カバー部材１２０、支持基板１１０、軟性回路基板ＣＢ及び、印刷回路基板１６０を含むことができるが、これに限定されない。例えば、前記にて説明された構成要素又は層のうち１つ以上が省略されるか、統合されるか、それぞれ１つ以上の下位構成要素又は下位層を含み得る。または、表示装置１０００は、説明されたものよりもさらに多い、あるいは、さらに少ない構成要素又は層を含むことができる。

例えば、表示装置１０００は、基板１１０を含むことができる。基板１１０は、表示装置１０００の他の構成要素を支持する部材であり得る。基板１１０は、絶縁物質からなり得る。例えば、基板１１０は、ガラス又は樹脂などからなり得る。また、基板１１０は、フレキシビリティ（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）を持つ物質からなることもできる。例えば、基板１１０は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体（ＡＢＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、環状オレフィン共重合体（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）フィルム、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）などのように、フレキシビリティを有するプラスチック物質からなり得る。しかし、本発明の実施例は、これに限定されない。

表示パネル１００は、使用者に提供される情報、映像及び／又はイメージを具現することができる。例えば、表示パネル１００は、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡを含み得る。例えば、基板１１０は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡを含むことができる。表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡは、基板１１０のみに限定して説明されるものではなく、表示装置１０００の全般にわたって説明され得る。

表示領域ＡＡは、映像が表示される領域であり得る。非表示領域ＮＡは、表示領域ＡＡの外部（例えば、表示領域ＡＡの周辺、又は表示領域ＡＡを完全に又は部分的に取り囲む領域）であり得、エッジ領域又はベゼル領域とも称することができる。非表示領域ＮＡは、複数の隣接するか分離された非表示領域を含むことができる。表示領域ＡＡは複数の画素ＰＸを含み得る。複数の画素ＰＸのそれぞれは、複数のサブ画素（例えば、２個、３個又はそれ以上）で構成可能である。複数のサブ画素のそれぞれには、複数の発光素子が配置され得る。複数の発光素子は、表示装置１０００の種類に応じて異なって構成され得る。例えば、表示装置１０００が無機発光表示装置の場合、無機発光素子はＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、マイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、又はミニＬＥＤ（Ｍｉｎｉ Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

非表示領域ＮＡは、情報、イメージ又は映像が表示されない領域であり得る。非表示領域ＮＡには、表示領域ＡＡの複数の画素ＰＸを駆動するための様々な配線及び回路などが配置され得る。例えば、非表示領域ＮＡには、各種の配線及び駆動回路が実装され得、集積回路及び印刷回路などが連結されるパッド部ＰＡＤが配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

例えば、駆動回路は、データ駆動回路、及び／又はゲート駆動回路、及び／又はタッチ感知駆動回路であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。駆動回路を制御するためのコントロール信号（ｃｏｎｔｒｏｌ ｓｉｇｎａｌ）が供給される配線が、表示パネル１００に配置され得る。例えば、コントロール信号は、クロック信号、入力データイネーブル信号及び、水平同期信号又は垂直同期信号のような同期信号を含む各種のタイミング信号を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。コントロール信号は、パッド部ＰＡＤ、及び／又は配線、及び／又は層を通じて受信され得る。例えば、非表示領域ＮＡには、信号を伝達するためのリンク配線ＬＬが配置され得る。例えば、パッド部ＰＡＤには。軟性回路基板ＣＢ及び印刷回路基板１６０のような駆動部品が連結され得る。

本発明によれば、非表示領域ＮＡは、第１非表示領域ＮＡ１、ベンディング領域ＢＡ及び第２非表示領域ＮＡ２を含み得る。例えば、第１非表示領域ＮＡ１は、表示領域ＡＡの少なくとも一部分を取り囲む領域であり得る。ベンディング領域ＢＡは、第１非表示領域ＮＡ１の複数の辺のうち少なくともいずれか一辺から延びた領域であり、ベンディング（曲げ）可能な領域であり得る。第２非表示領域ＮＡ２は、ベンディング領域ＢＡから第１非表示領域ＮＡ１の反対方向に延びた領域であり、パッド部ＰＡＤが配置され得る。例えば、ベンディング領域ＢＡは、曲げられた状態であり得、ベンディング領域ＢＡを除く基板１１０の残りの領域は、平坦な状態であり得る。この場合、ベンディング領域ＢＡが曲げられることにより、第２非表示領域ＮＡ２は表示領域ＡＡの背面上に位置することができる。しかし、本発明の実施例はこれに限定されない。

基板１１０又は表示装置１０００の表示領域ＡＡは、表示装置１０００のデザインに応じて様々な形状で構成され得る。例えば、表示領域ＡＡは、四つの角がラウンド形状となっている矩形形状で構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。他の例を挙げると、表示領域ＡＡは、四つの角が直角形状である矩形状や、円形状、楕円状、楕円体状、多角形状（例：六角形）などで構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、複数のパッド電極ＰＥが配置される第２非表示領域ＮＡ２の幅は、複数のリンク配線ＬＬのみ配置されるベンディング領域ＢＡの幅よりも広いことがあり得る。また、複数のサブ画素が配置される表示領域ＡＡの幅は、複数のリンク配線ＬＬのみ配置されるベンディング領域ＢＡの幅よりも広いことがあり得る。図面においては、ベンディング領域ＢＡの幅が基板１１０の他の領域の幅よりも狭いものとして図示したが、ベンディング領域ＢＡを含む基板１１０の形状は例示的なものであり、本発明の実施例はこれに限定されない。

図３を参照すれば、表示領域ＡＡに、複数の画素駆動回路ＰＤが配置され得る。複数の画素駆動回路ＰＤは、複数のサブ画素の発光素子を駆動するための回路であり得る。各画素駆動回路ＰＤは、少なくとも１つのサブ画素の駆動発光素子を駆動することができる。複数の画素駆動回路ＰＤのそれぞれは、駆動トランジスタを含む複数のトランジスタ及びストレージキャパシタなどを含み、複数のサブ画素の発光素子へ制御信号、電源（例：高電位の電圧、低電位の電圧）及び駆動電流を供給して、複数の発光素子の発光動作を制御することができる。例えば、画素駆動回路ＰＤは、電源配線と、発光素子の発光オン／オフ、及び／又は発光時間を制御するための信号配線とを含み得る。例えば、複数のピクセルドライバＰＤは、半導体基板上にＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｉｌｉｃｏｎ ｆｉｅｌｄ ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）の製造工程を利用して製造された、駆動ドライバであり得る。本発明の実施例においては、画素駆動回路ＰＤがピクセルドライバＰＤである場合を例示として説明したが、本発明の実施例はこれに限定されない。駆動ドライバは、複数の画素駆動回路ＰＤを含み、複数のサブ画素を駆動することができる。

図１を共に参照すれば、表示パネル１００の下部に、軟性回路基板ＣＢ及び印刷回路基板１６０が配置され得る。軟性回路基板ＣＢ及び印刷回路基板１６０は、少なくとも表示パネル１００の一側縁に配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。軟性回路基板ＣＢの一側は表示パネル１００に取り付けられ、他側は印刷回路基板１６０に取り付けられるが、本発明の実施例はこれに限定されない。軟性回路基板ＣＢは、フレキシブルフィルムであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、軟性回路基板ＣＢは、軟性フラットケーブルＦＦＣ又は軟性印刷回路ＦＰＣであり得る。

第２非表示領域ＮＡ２には、複数のパッド電極ＰＥを含むパッド部ＰＡＤが配置され得る。パッド部ＰＡＤには、１枚以上の軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ、及び／又は印刷回路基板１６０を含む駆動部品が貼り付けられるかポンディングされ得る。パッド部ＰＡＤの複数のパッド電極ＰＥは、１枚以上の軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢに電気的に連結され、印刷回路基板１６０及び軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢからの各種信号（又は電源、又は電圧、又は電流）を、表示領域ＡＡの複数のピクセルドライバＰＤへ伝達することができる。

軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢは、軟性を持つベースフィルムに、各種の部品が配置されたフィルムであり得る。例えば、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢには、ゲートドライバＩＣ、データドライバＩＣ又はタッチ感知ドライバＩＣのような駆動ＩＣが配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。駆動ＩＣは、映像を表示するためのデータ及び、駆動信号を処理する部品であり得る。駆動ＩＣは、実装される方式に応じて、チップオングラス（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ；ＣＯＧ）、チップオンフィルム（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ；ＣＯＦ）、チップオンプラスチック（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｐｌａｓｔｉｃ；ＣＯＰ）、チップオンプレート（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｐｌａｔｅ；ＣＯＰ）、又はテープキャリアパッケージ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ；ＴＣＰ）などの方式で配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢは、導電性接着層を通じて複数のパッド電極ＰＥ上に貼り付けられるかポンディングされ得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

印刷回路基板１６０は、１枚以上の軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢと電気的に連結され、駆動ＩＣに信号を供給する部品であり得る。印刷回路基板１６０は、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢの一側に配置されて、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢに電気的に連結され得る。印刷回路基板１６０には、様々な信号（又は電力、電圧、電流）を駆動ＩＣへ供給するための各種部品が配置され得る。例えば、印刷回路基板１６０には、タイミングコントローラ、電源部、メモリ、又はプロセッサなどのような種々の部品が配置され得る。例えば、印刷回路基板１６０は、電力管理集積回路（ＰＭＩＣ：Ｐｏｗｅｒ ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

印刷回路基板１６０は、少なくとも１つのホール１８０を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。少なくとも１つのホール１８０と対応する領域に、複数のセンサーに提供できる周辺光、温度又は湿度などを感知する内部コンポネントが配置され得る。センサーは、ホール１８０と重畳するか、ホール１８０に配置され得る。例えば、内部コンポネントは、周辺光センサー（ＡＬＳ；Ａｍｂｉｅｎｔ ｌｉｇｈｔ ｓｅｎｓｏｒ）、温度センサー又は湿度センサーなどを含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、ホール１８０は透過ホールなどであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

図１を参照すれば、偏光層２９３は、表示パネル１００上に配置され得る。偏光層２９３は、外部光源より発生した光が表示パネル１００の内部へ入り込んで、発光素子等に影響することを防止するか低減することができる。

カバー部材１２０は、偏光層２９３上に配置され得る。カバー部材１２０は、表示パネル１００を保護するための部材であり得る。偏光層２９３とカバー部材１２０との間には、接着層２９５が配置され得る。接着層２９５によってカバー部材１２０を表示パネル１００に貼り付けることができる。接着層２９５は、光学接着剤（ＯＣＡ；Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ）、光学レジン（ＯＣＲ：Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｌｅａｒ ｒｅｓｉｎ）、又は減圧接着剤（ＰＳＡ：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ）、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化樹脂、ポリイミド樹脂、アクリレート樹脂、ポリウレタン樹脂及びポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）などを含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

表示パネル１００と印刷回路基板１６０との間に、支持基板１１０が配置され得る。支持基板１１０は、表示パネル１００の剛性を補強することができる。支持基板１１０は、バックプレートであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

非表示領域ＮＡに、複数のリンク配線ＬＬが配置され得る。複数のリンク配線ＬＬは、１枚以上の軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ、及び／又は印刷回路基板１６０から各種信号（又は電力、電圧、電流）を表示領域ＡＡへ伝達する配線であり得る。複数のリンク配線ＬＬは、第２非表示領域ＮＡ２の複数のパッド電極ＰＥから、ベンディング領域ＢＡ及び第１非表示領域ＮＡ１に向かって延びて、表示領域ＡＡの複数の駆動配線ＶＬに電気的に連結され得る。複数のピクセルドライバＰＤは、表示領域ＡＡの駆動配線ＶＬ及び非表示領域ＮＡのリンク配線ＬＬを通じて、１枚以上の軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板１６０から信号（又は電力、電圧、電流）を供給されて駆動され得る。

例えば、複数の駆動配線ＶＬは、複数のリンク配線ＬＬと共に軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板１６０から出力された信号を、複数のピクセルドライバＰＤへ伝達するための配線であり得る。複数の駆動配線ＶＬは、表示領域ＡＡに配置されて、複数のピクセルドライバＰＤのそれぞれに電気的に連結され得る。複数の駆動配線ＶＬは、表示領域ＡＡから非表示領域ＮＡに向かって延びて、複数のリンク配線ＬＬに電気的に連結され得る。したがって、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板１６０から出力された信号（又は電力、電圧、電流）は、複数のリンク配線ＬＬ及び複数の駆動配線ＶＬを通じて、複数のピクセルドライバＰＤのそれぞれに伝達されることができる。

ベンディング領域ＢＡがベンディングされる（曲げられる）ことにより、複数のリンク配線ＬＬの一部分も共にベンディングされ得る。ベンディングされたリンク配線ＬＬの一部分に応力（ｓｔｒｅｓｓ）が集中し、これによってリンク配線ＬＬにはクラックが発生することがあり得る。そのため、複数のリンク配線ＬＬは、ベンディング領域ＢＡのベンディング時のクラックを低減するため、軟性に優れた導電性物質から構成され得る。例えば、複数のリンク配線ＬＬは、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）などのように軟性に優れた導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。また、複数のリンク配線ＬＬは、表示領域ＡＡで用いられる様々な導電性物質のうちの１つから構成されることもできる。例えば、複数のリンク配線ＬＬは、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）及び、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）の合金、又はこれらの合金などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。複数のリンク配線ＬＬは、様々な導電性物質を含む多層構造で構成され得る。例えば、複数のリンク配線ＬＬは、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）／モリブデンチタン（ＭｏＴｉ）／アルミニウム（Ａｌ）などの三重層構造で構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

複数のリンク配線ＬＬは、応力を低減するため、様々な形状で構成され得る。ベンディング領域ＢＡ上に配置された複数のリンク配線ＬＬの少なくとも一部分は、ベンディング領域ＢＡの延長方向と同じ方向に延びることもでき、ベンディング領域ＢＡの延長方向とは異なる方向に延びて、応力を低減することができる。例えば、ベンディング領域ＢＡが第１非表示領域ＮＡ１から第２非表示領域ＮＡ２に向かって一方向に延びる場合、ベンディング領域ＢＡ上に配置されたリンク配線ＬＬの少なくとも一部分は、一方向とは傾斜する方向に延長可能である。他の例を挙げると、複数のリンク配線ＬＬの少なくとも一部分は、様々な形状のパターンで構成され得る。例えば、ベンディング領域ＢＡ上に配置された複数のリンク配線ＬＬの少なくとも一部分は、ダイヤモンド状、菱形状、台形波状、ストライプ状（ｓｔｒｉｐｅ ｓｈａｐｅ）、ジグザグ状、三角波状、のこぎり波状、正弦波状、円形状、オメガ（Ω）状のうちの少なくとも１つの形状を持つ導電パターンが繰り返し配置された形状でもあり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。したがって、複数のリンク配線ＬＬに集中する応力及びそれによるクラックを最小化するか減少させるため、複数のリンク配線ＬＬの形状は、上述した形状を含む様々な形状となり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

図４は、本発明の実施例による回路構造を示す図である。

図４を参照すれば、マイクロドライバμＤｒｉｖｅｒに１つの発光素子ＥＤが連結されたことを例示したが、これに限定されない。例えば、８つの発光素子ＥＤが１つのマイクロドライバμＤｒｉｖｅｒに連結され得る。他の例を挙げると、１６つの発光素子ＥＤが１つのマイクロドライバμＤｒｉｖｅｒに連結されるか、３２つの発光素子ＥＤ又は６４つの発光素子ＥＤが同時に１つのマイクロドライバμＤｒｉｖｅｒに連結され得る。発光素子ＥＤは、マイクロ発光素子（μＬＥＤ）であり得る。

１つのマイクロドライバμＤｒｉｖｅｒは、駆動トランジスタＴ_ＤＲ及び発光トランジスタＴ_ＥＭを含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

例えば、駆動トランジスタＴ_ＤＲは、第１電極に高電位の電源電圧ＶＤＤが印加され、第２電極に発光トランジスタＴ_ＥＭの第１電極が連結され、ゲート電極にスキャン信号ＳＣが印加され得る。駆動トランジスタＴ_ＤＲのゲート電極に印加されるスキャン信号ＳＣは、直流（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）電源であり、毎フレーム又は毎サブフレームごとに固定された基準電圧Ｖｒｅｆが印加され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。または、駆動トランジスタの種類に応じて、駆動トランジスタの第１電極に低電位の電源が印加され得る。

発光トランジスタＴ_ＥＭは、第１電極に駆動トランジスタＴ_ＤＲの第２電極が連結されて、第２電極に発光素子ＥＤが連結され、ゲート電極に発光信号ＥＭが印加され得る。発光トランジスタＴ_ＥＭのゲート電極に印加される発光信号ＥＭは、毎フレームごとに変動するパルス幅変調（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）信号であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。または、発光トランジスタＴ_ＥＭのゲート電極に印加される発光信号ＥＭは、サブフレームごとに変わるパルス幅変調信号でもあり得、本発明の実施例はこれに限定されない。

発光素子ＥＤの第１電極が発光トランジスタＴ_ＥＭの第２電極と連結され、発光素子ＥＤの第２電極が接地と連結され得る。例えば、発光素子ＥＤの第１電極は、アノード電極であり、発光素子ＥＤの第２電極はカソード電極であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。または、第１電極ＣＥ１は負極電極であり得、第２電極ＣＥ２は正極電極であり得る。

駆動トランジスタＴ_ＤＲ及び発光トランジスタＴ_ＥＭはそれぞれ、ｎ型トランジスタであるか、ｐ型トランジスタであり得る。

マイクロドライバμＤｒｉｖｅｒは、タイミングコントローラＴ－ＣＯＮから印加されたスキャン信号ＳＣによって、駆動トランジスタＴ_ＤＲがターンオン（Ｔｕｒｎ Ｏｎ）され、発光信号ＥＭによって、発光トランジスタＴ_ＥＭがターンオン（Ｔｕｒｎ Ｏｎ）され得る。これにより、駆動トランジスタＴ_ＤＲの第１電極に印加された高電位の電源電圧ＶＤＤにより、駆動電流が駆動トランジスタＴ_ＤＲ及び発光トランジスタＴ_ＥＭを経由して発光素子ＥＤに印加されることで、発光素子ＥＤが発光することができる。

図５は、本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルに配置される複数のタッチブロックを示す図である。

図５を参照すれば、本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルは、複数のタッチユニットを含むことができる。各タッチユニットは、表示装置１０００の表示領域ＡＡ内に配置される複数のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）（ｎは２以上の正の整数、例えば、ｎは１３であり得るがこれに限定されない）のｋタッチグループを含み得る。ここで、ｋは２以上の整数、例えばｋは４であり得るがこれに限定されない。各々のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）は、ｎ＊ｍ（ｍは２以上の正の整数、例えば、ｎは２であり、ｍは２であり得るがこれに限定されない）個の複数の画素ＰＸを含み得る。

タッチグループＴＧは、第１タッチグループＴＧ１、第１タッチグループＴＧ１と行方向（例えば、第１方向）に隣り合う第２タッチグループＴＧ２、第１タッチグループＴＧ１と列方向（例えば、第２方向）に隣り合う第３タッチグループＴＧ３、第２タッチグループＴＧ２と列方向に隣り合う第４タッチグループＴＧ４を含み得る。また、タッチユニットのタッチグループは、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）と行方向に隣り合う第ｎ＋１タッチグループＴＧ（ｎ＋１）、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）と列方向に隣り合う第ｎ＋２タッチグループＴＧ（ｎ＋２）、第ｎ＋１タッチグループＴＧ（ｎ＋１）と列方向に隣り合う第ｎ＋３タッチグループＴＧ（ｎ＋３）を含み得る。本発明の実施例はこれに限定されない。

図６は、本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。図７ａ乃至図７ｅは、本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルの駆動方法を示す図である。

図６及び図７ａ乃至図７ｅを参照すれば、本発明の実施例によるインセルタッチ表示パネルは、インセルタッチ（Ｉｎ－ｃｅｌｌ Ｔｏｕｃｈ）方式で、ディスプレイのための画素電極のうちの一部と、タッチセンシングのためのタッチ電極とが一体化されて配置され得る。したがって、タッチグループは、タッチグループ単位で１フレーム（例：１６．６７ｍｓ）の間、画像出力のためのディスプレイ駆動とタッチセンシング駆動とを時間的に分割して駆動することはできるものの、これに限定されない。タッチユニットに含まれるタッチグループの個数に関連して、１フレームは４つよりも多いか少ない表示期間とタッチ感知期間とに区分され得る。

インセルタッチ表示パネルは、１フレーム期間中に、ディスプレイ期間Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４と、タッチセンシング期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４とに分割されて駆動することができる。

ディスプレイ期間Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４とタッチセンシング期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４とを分割するため、複数のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）にディスプレイ駆動信号が供給される期間を除いた期間に、タッチセンシング駆動がなされるように配置され得る。例えば、第１ディスプレイ期間Ｄ１の後に、第１タッチセンシング期間Ｔ１が配置され、第１タッチセンシング期間Ｔ１の後に、第２ディスプレイ期間Ｄ２が配置され得る。本発明の実施例はこれに限定されない。

第１乃至第４ディスプレイ期間Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４中には、図７ａのように、複数のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）の全体は、ディスプレイ駆動信号に応答して映像を出力し、タッチセンシングを進行しない。

第１タッチセンシング期間Ｔ１には、図７ｂのように、複数のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）のうち第１タッチグループＴＧ１、第５タッチグループＴＧ５、…及び、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）は、タッチセンシング駆動が進行され得る。第１タッチセンシング期間Ｔ１中に駆動される各タッチグループは、各タッチユニット内で同一の位置に配置される。例えば、第１タッチセンシング期間において、第１タッチグループＴＧ１、第５タッチグループＴＧ５、…、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）はいずれも、タッチユニットの４分面の左側上端に位置する。第１タッチグループＴＧ１、第５タッチグループＴＧ５、…、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）はいずれも、当該タッチユニットの「第１タッチグループ」と見なすことができる。第１タッチセンシング期間中、第１タッチグループＴＧ１、第５タッチグループＴＧ５、…及び、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）を除いた他のタッチグループは、ディスプレイ期間Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４と同様に、ディスプレイ駆動信号が印加されて画像を出力することはできるが、タッチをセンシングしない。例えば、第１タッチセンシング期間中、イメージを表示するタッチグループの共通電極は、共通電圧を受信することができる。その反面に、第１タッチグループＴＧ１、第５タッチグループＴＧ５、…、第ｎタッチグループＴＧ（ｎ）の共通電極は、第１タッチセンシング期間中、タッチ駆動信号を受信してタッチを感知することができる。

第２タッチセンシング期間Ｔ２には、図７ｃのように、複数のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）のうち第２タッチグループＴＧ２、第６タッチグループＴＧ６、…及び、第ｎ＋１タッチグループＴＧ（ｎ＋１）は、タッチセンシング駆動が進行され得る。例えば、第２タッチセンシング期間において、第２タッチグループＴＧ２、第６タッチグループＴＧ６、…、第ｎ＋１タッチグループＴＧ（ｎ＋１）はいずれも、タッチユニットの４分面の右側上端に位置する。第２タッチグループＴＧ２、第６タッチグループＴＧ６、…、第ｎ＋１タッチグループＴＧ（ｎ＋１）はいずれも、当該タッチユニットの「第２タッチグループ」と見なすことができる。第２タッチセンシング期間中に、第２タッチグループＴＧ２、第６タッチグループＴＧ６、…及び、第ｎ＋１タッチグループＴＧ（ｎ＋１）を除いた他のタッチグループは、ディスプレイ期間Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４と同様に、ディスプレイ駆動信号が印加されて、画像を出力することはできるものの、タッチをセンシングしない。例えば、第２タッチセンシング期間中に、イメージを表示するタッチグループの共通電極は、共通電圧を受信することができる。反面に、第２タッチグループＴＧ２、第６タッチグループＴＧ６、…、第ｎ＋１タッチグループＴＧ（ｎ＋１）の共通電極は、第２タッチセンシング期間中に、タッチ駆動信号を受信して、タッチを感知することができる。

第３タッチセンシング期間Ｔ３には、図７ｄのように、複数のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）のうち第３タッチグループＴＧ３、第７タッチグループＴＧ７、…及び、第ｎ＋２タッチグループＴＧ（ｎ＋２）は、タッチセンシング駆動が進行され得る。例えば、第３タッチセンシング期間において、第３タッチグループＴＧ３、第７タッチグループＴＧ７、…及び、第ｎ＋２タッチグループＴＧ（ｎ＋２）はいずれも、タッチユニットの４分面の左側下端に位置する。第３タッチグループＴＧ３、第７タッチグループＴＧ７、…及び、第ｎ＋２タッチグループＴＧ（ｎ＋２）はいずれも、当該タッチユニットの「第３タッチグループ」と見做すことができる。第３タッチセンシング期間中に、第３タッチグループＴＧ３、第７タッチグループＴＧ７、…及び、第ｎ＋２タッチグループＴＧ（ｎ＋２）を除いた他のタッチグループは、ディスプレイ期間Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４と同様に、ディスプレイ駆動信号が印加されて、画像を出力することはできるものの、タッチをセンシングしない。例えば、第３タッチセンシング期間中に、イメージを表示するタッチグループの共通電極は、共通電圧を受信することができる。反面に、第３タッチグループＴＧ３、第７タッチグループＴＧ７、…及び、第ｎ＋２タッチグループＴＧ（ｎ＋２）の共通電極は、第３タッチセンシング期間中に、タッチ駆動信号を受信して、タッチを感知することができる。

第４タッチセンシング期間Ｔ４には、図７ｅのように、複数のタッチグループＴＧ１、ＴＧ２、…、ＴＧ（ｎ＋３）のうち第４タッチグループＴＧ４、第８タッチグループＴＧ８、…及び、第ｎ＋３タッチグループＴＧ（ｎ＋３）は、タッチセンシング駆動が進行され得る。例えば、第４タッチセンシング期間において、第４タッチグループＴＧ４、第８タッチグループＴＧ８、…及び、第ｎ＋３タッチグループＴＧ（ｎ＋３）はいずれも、タッチユニットの４分面の右側下端に位置する。第４タッチグループＴＧ４、第８タッチグループＴＧ８、…及び、第ｎ＋３タッチグループＴＧ（ｎ＋３）はいずれも、当該タッチユニットの「第４タッチグループ」と見做すことができる。第４タッチセンシング期間中に、第４タッチグループＴＧ４、第８タッチグループＴＧ８、…及び、第ｎ＋３タッチグループＴＧ（ｎ＋３）を除いた他のタッチグループは、ディスプレイ期間Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４と同様に、ディスプレイ駆動信号が印加されて、画像を出力することはできるものの、タッチをセンシングしない。例えば、第４タッチセンシング期間中に、イメージを表示するタッチグループの共通電極は、共通電圧を受信することができる。反面に、第４タッチグループＴＧ４、第８タッチグループＴＧ８、…及び、第ｎ＋３タッチグループＴＧ（ｎ＋３）の共通電極は、第４タッチセンシング期間中に、タッチ駆動信号を受信して、タッチを感知することができる。

前記の説明は、タッチ感知駆動装置を利用して、タッチユニットの各タッチグループをタッチユニットの左側上端の４分面から始めて、時計回りに順次駆動する例を示しているが、本発明の実施例はこれに制限されない。または、タッチユニットの各タッチグループは、タッチ感知駆動装置を利用して、タッチユニットの他の４分面から始めて、時計回りに順次駆動され得る。または、タッチユニットのタッチグループは、タッチ感知駆動装置を利用して、タッチユニットの任意の４分面の任意のタッチグループから始めて、全てのタッチグループがタッチ感知駆動装置により駆動されるまで任意の順序で、非順次に又は無作為に駆動され得る。

１フレーム内でタッチセンシング期間及び区域を分割してタッチセンシングすることで、タッチセンシングの正確度が増加し、タッチセンシング期間中にタッチセンシングを進行しない他のタッチグループでは、連続して画像を表示することができ、ディスプレイの品質が向上することができる。

図８は、本発明の実施例によるタッチグループの拡大図である。図９は、本発明の実施例によるタッチグループに配置された画素の拡大図である。図１０は、本発明の実施例によるタッチグループの拡大図である。

図８及び図９においては、複数の信号配線ＴＬ、複数の通信配線ＮＬ、複数の第１電極ＣＥ１、複数のバンクＢＮＫ及び、複数の発光素子ＥＤのみを示しているが、本発明の実施例はこれに限定されない。図１０は、図８において複数の第２電極ＣＥ２が追加的に配置された拡大平面図である。

図８及び図９を参照すれば、表示領域ＡＡに配置された第１タッチグループＴＧ１に、複数のサブ画素（例：３つ）から構成された複数（例；４つ）の画素ＰＸが配置され得る。第１タッチグループＴＧ１に配置される複数のサブ画素のそれぞれは、発光素子ＥＤを含み、独立的に光を発光することができる。複数のサブ画素は、複数の行及び複数の列を成してｎ＊ｍのマトリックス状に配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。または、サブ画素はペンタイル状、ダイヤモンド状、ダイヤモンドと類似する形態などで配置され得る。

複数のサブ画素は、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び、第３サブ画素ＳＰ３を含み得る。例えば、第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３のうち、いずれか１つは赤色サブ画素であり、他の１つは緑色サブ画素であり、残りは青色サブ画素であり得る。複数のサブ画素の種類は例示的なものであり、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、複数のサブ画素は、ＣＭＹＫのような異なるカラーシステムの色の光を放出する、互いに異なる数のサブ画素を含むこともできる。

複数の画素ＰＸそれぞれは、１つ以上の第１サブ画素ＳＰ１、１つ以上の第２サブ画素ＳＰ２及び、１つ以上の第３サブ画素ＳＰ３を含み得る。例えば、１つの画素ＰＸは、一対の第１サブ画素ＳＰ１、一対の第２サブ画素ＳＰ２及び、一対の第３サブ画素ＳＰ３を含み得る。一対の第１サブ画素ＳＰ１は、第１－１のサブ画素ＳＰ１ａ及び、第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂで構成され得る。一対の第２サブ画素ＳＰ２は、第２－１のサブ画素ＳＰ２ａ及び、第２－２のサブ画素ＳＰ２ｂで構成され得る。一対の第３サブ画素ＳＰ３は、第３－１のサブ画素ＳＰ３ａ及び、第３－２のサブ画素ＳＰ３ｂで構成され得る。例えば、１つの画素ＰＸは、第１－１のサブ画素ＳＰ１ａと第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂ、第２－１のサブ画素ＳＰ２ａと第２－２のサブ画素ＳＰ２ｂ及び、第３－１のサブ画素ＳＰ３ａと第３－２のサブ画素ＳＰ３ｂを含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

１つの画素ＰＸを成す複数のサブ画素は、様々に配列され得る。例えば、１つの画素ＰＸにおいて、一対の第１サブ画素ＳＰ１は同じ列に配置され、一対の第２サブ画素ＳＰ２は同じ列に配置され、一対の第３サブ画素ＳＰ３は同じ列に配置され得る。第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３は、同じ行に配置され得る。１つの画素ＰＸを構成する複数のサブ画素の個数及び配列は、例示的なものであり、本発明の実施例はこれに限定されない。または、１つの画素ＰＸにおいて、一対の第１サブ画素ＳＰ１が同じ行に配置され、一対の第２サブ画素ＳＰ２が同じ行に配置され、一対の第３サブ画素ＳＰ３が同じ行に配置されることもできる。第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２、第３サブ画素ＳＰ３は、同じ列に配置され得る。

複数のサブ画素の間の領域に、複数の信号配線ＴＬが配置され得る。複数の信号配線ＴＬは、複数のサブ画素の間で列方向に延長され得る。複数の信号配線ＴＬは、ピクセルドライバＰＤからのアノード電圧を、複数のサブ画素へ伝達する配線であり得る。例えば、複数の信号配線ＴＬは、複数のピクセルドライバＰＤと複数のサブ画素の第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。ピクセルドライバＰＤから出力されたアノード電圧は、複数の信号配線ＴＬを通じて、複数のサブ画素の第１電極ＣＥ１へ伝達され得る。例えば、第１電極ＣＥ１は、発光素子ＥＤのアノード電極１３４（図１２参照）に電気的に連結される電極であり得る。そのため、信号配線ＴＬからのアノード電圧は、第１電極ＣＥ１を通じて、発光素子ＥＤのアノード電極１３４へ伝達され得る。

したがって、複数のサブ画素のそれぞれに、複数のトランジスタとストレージキャパシタを形成する代わりに、複数の画素回路が集積されたピクセルドライバＰＤを用いて、表示装置１０００の構造を簡素化することができる。さらに、複数のサブ画素それぞれに配置される回路が１つのピクセルドライバＰＤに集積されることによって、高効率の低電力駆動が可能となる。複数のサブ画素ＳＰそれぞれに配置される回路が１つのピクセルドライバＰＤに集積されるとは、複数の発光素子ＥＤを駆動できる複数の画素回路が、ピクセルドライバＰＤに含まれるという意味である。複数の画素回路が集積された１つのピクセルドライバＰＤにより、複数の発光素子ＥＤが駆動され得る。例えば、第１－１の発光素子１３０ａ、第２－１の発光素子１４０ａ、第３－１の発光素子１５０ａは、複数の画素回路が集積された１つの画素駆動回路ＰＤにより駆動され得る。例えば、第１－２の発光素子１３０ｂ、第２－２の発光素子１４０ｂ、第３－２の発光素子１５０ｂは、複数の画素回路が集積された１つの画素駆動回路ＰＤにより駆動され得る。

複数の信号配線ＴＬは、第１信号配線ＴＬ１、第２信号配線ＴＬ２、第３信号配線ＴＬ３、第４信号配線ＴＬ４、第５信号配線ＴＬ５及び、第６信号配線ＴＬ６を含み得る。第１信号配線ＴＬ１及び第２信号配線ＴＬ２のそれぞれは、一対の第１サブ画素ＳＰ１のそれぞれに電気的に連結され得る。第３信号配線ＴＬ３及び第４信号配線ＴＬ４のそれぞれは、一対の第２サブ画素ＳＰ２のそれぞれに電気的に連結され得る。第５信号配線ＴＬ５及び第６信号配線ＴＬ６のそれぞれは、一対の第３サブ画素ＳＰ３のそれぞれに電気的に連結され得る。

一対の第１サブ画素ＳＰ１の一側（例えば、第１側）に、第１信号配線ＴＬ１が配置され、一対の第２サブ画素ＳＰ２の他側（例えば、第２側）に、第２信号配線ＴＬ２が配置され得る。第１信号配線ＴＬ１は、一対の第１サブ画素ＳＰ１のうち１つの第１サブ画素ＳＰ１、例えば、第１－１のサブ画素ＳＰ１ａの第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。第２信号配線ＴＬ２は、一対の第１サブ画素ＳＰ１のうち残りの第１サブ画素ＳＰ１、例えば、第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂの第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。

一対の第２サブ画素ＳＰ２の一側（例えば、第１側）に、第３信号配線ＴＬ３が配置され、一対の第２サブ画素ＳＰ２の他側（例えば、第２側）に、第４信号配線ＴＬ４が配置され得る。例えば、第３信号配線ＴＬ３は、第２信号配線ＴＬ２と隣り合うように配置され得る。第３信号配線ＴＬ３は、一対の第２サブ画素ＳＰ２のうち１つの第２サブ画素ＳＰ２、例えば、第２－１のサブ画素ＳＰ２ａの第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。第４信号配線ＴＬ４は、一対の第２サブ画素ＳＰ２のうち残りの第２サブ画素ＳＰ２、例えば、第２－２のサブ画素ＳＰ２ｂの第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。

一対の第３サブ画素ＳＰ３の一側（例えば、第１側）に、第５信号配線ＴＬ５が配置され、一対の第３サブ画素ＳＰ３の他側（例えば、第２側）に、第６信号配線ＴＬ６が配置され得る。例えば、第５信号配線ＴＬ５は、第４信号配線ＴＬ４と隣り合うように配置され得る。第６信号配線ＴＬ６は、隣り合っている画素ＰＸに連結された第１信号配線ＴＬ１と隣り合うように配置され得る。第５信号配線ＴＬ５は、一対の第３サブ画素ＳＰ３のうち１つの第３サブ画素ＳＰ３、例えば、第３－１のサブ画素ＳＰ３ａの第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。第６信号配線ＴＬ６は、一対の第３サブ画素ＳＰ３のうち残りの第３サブ画素ＳＰ３、例えば、第３－２のサブ画素ＳＰ３ｂの第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。

複数の信号配線ＴＬは、導電性物質からなり得る。例えば、複数の信号配線ＴＬは、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）、インジウムガリウム酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ、ＩＧＯ）などのような導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。他の例を挙げると、複数の信号配線ＴＬは、導電性物質の多層構造でなり得る。例えば、複数の信号配線ＴＬは、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）／インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）／アルミニウム（Ａｌ）／インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯなどの多層構造でなり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

複数のタッチグループＴＧ間の領域に、複数の通信配線ＮＬが配置され得る。複数の通信配線ＮＬは、複数のタッチグループＴＧ間の領域から行方向に延びて配置され得る。複数の通信配線ＮＬは、複数の第２電極ＣＥ２間の領域に配置され、複数の第２電極ＣＥ２には重畳しないことができる。例えば、複数の通信配線ＮＬは、ＮＦＣ（Ｎｅａｒ Ｆｉｅｌｄ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）のような近距離通信のために用いられる配線であり得る。複数の通信配線ＮＬは、アンテナとして機能することができる。例えば、複数の通信配線ＮＬは、複数の連結配線などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、複数のサブ画素のそれぞれに、バンクＢＮＫが配置され得る。複数のバンクＢＮＫは、複数の発光素子ＥＤが安着する構造物であり得る。複数のバンクＢＮＫは、複数の発光素子ＥＤを表示装置１０００に転写する転写工程において、複数の発光素子ＥＤの位置をガイドすることができる。複数の発光素子ＥＤの転写工程において、複数のバンクＢＮＫ上に複数の発光素子ＥＤを転写することができる。複数のバンクＢＮＫは、バンクパターン又は構造物などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

第１サブ画素ＳＰ１のバンクＢＮＫ、第２サブ画素ＳＰ２のバンクＢＮＫ及び、第３サブ画素ＳＰ３のバンクＢＮＫは、互いに離隔して配置され得る。第１サブ画素ＳＰ１のバンクＢＮＫ、第２サブ画素ＳＰ２のバンクＢＮＫ及び、第３サブ画素ＳＰ３のバンクＢＮＫを、分離されるように構成することができる。そのため、互いに異なる種類の発光素子ＥＤが転写される第１サブ画素ＳＰ１、第２サブ画素ＳＰ２及び第３サブ画素ＳＰ３のバンクＢＮＫを、容易に識別することができる。

第１－１のサブ画素ＳＰ１ａのバンクＢＮＫと第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂのバンクＢＮＫとは、互いに連結されることもでき、互いに離隔又は分離形成されることもできる。例えば、転写工程要件などの設計を考慮して、同種の発光素子ＥＤが配置される第１－１のサブ画素ＳＰ１ａのバンクＢＮＫと第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂのバンクＢＮＫとを互いに連結するか、互いに離隔又は分離することができる。そして、第２－１のサブ画素ＳＰ２ａのバンクＢＮＫと第２－２のサブ画素ＳＰ２ｂのバンクＢＮＫとは、互いに連結されることもでき、互いに離隔又は分離形成されることもできる。第３－１のサブ画素ＳＰ３ａのバンクＢＮＫと第３－２のサブ画素ＳＰ３ｂのバンクＢＮＫとは、互いに連結されることもでき、互いに離隔又は分離形成されることもできる。したがって、一対の第１サブ画素ＳＰ１のバンクＢＮＫ、一対の第２サブ画素ＳＰ２のバンクＢＮＫ及び、一対の第３サブ画素ＳＰ３のバンクＢＮＫは、多様に形成されることができ、本発明の実施例はこれに限定されない。

例えば、複数のバンクＢＮＫは、有機絶縁物質からなり得る。複数のバンクＢＮＫは、有機絶縁物質の単一層又は複数層から構成され得る。例えば、複数のバンクＢＮＫは、ベンゾシクロブテン樹脂、感光性ポリマー、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、又はアクリル（ａｃｒｙｌ）系物質などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

複数のサブ画素のそれぞれに、第１電極ＣＥ１が配置され得る。第１電極ＣＥ１は、バンクＢＮＫ上に配置され得る。第１電極ＣＥ１は、複数の信号配線ＴＬのうち１つの信号配線ＴＬに電気的に連結され得る。第１電極ＣＥ１の少なくとも一部分は、バンクＢＮＫの外側に延びて、第１電極ＣＥ１に最も隣接した信号配線ＴＬに電気的に連結され得る。例えば、第１－１のサブ画素ＳＰ１ａの第１電極ＣＥ１の一部分が、第１－１のサブ画素ＳＰ１ａの一側領域に延びて、第１信号配線ＴＬ１に電気的に連結され、第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂの第１電極ＣＥ１の一部分が、第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂの他側領域に延びて、第２信号配線ＴＬ２に電気的に連結され得る。第２－１のサブ画素ＳＰ２ａの第１電極ＣＥ１の一部分が、第２－１のサブ画素ＳＰ２ａの一側領域に延びて、第３信号配線ＴＬ３に電気的に連結され、第２－２のサブ画素ＳＰ２ｂの第１電極ＣＥ１の一部分が、第２－２のサブ画素ＳＰ２ｂの他側領域に延びて、第４信号配線ＴＬ４に電気的に連結され得る。第３－１のサブ画素ＳＰ３ａの第１電極ＣＥ１の一部分が、第３－１のサブ画素ＳＰ３ａの一側領域に延びて、第５信号配線ＴＬ５に電気的に連結され、第３－２のサブ画素ＳＰ３ｂの第１電極ＣＥ１の一部分が、第３－２のサブ画素ＳＰ３ｂの他側領域に延びて、第６信号配線ＴＬ６に電気的に連結され得る。

第１電極ＣＥ１は、発光素子ＥＤのアノード電極１３４に電気的に連結され、ピクセルドライバＰＤからのアノード電圧を、信号配線ＴＬを通じて、発光素子ＥＤへ伝達することができる。複数のサブ画素それぞれの第１電極ＣＥ１には、表示される映像に応じて、異なる電圧が印加され得る。例えば、複数のサブ画素それぞれの第１電極ＣＥ１には、互いに異なる電圧が印加され得る。そのため、第１電極ＣＥ１は画素電極であり得、本発明の実施例はこれに限定されない。または、第１電極ＣＥ１は共通電極であり得、第２電極ＣＥ２は画素電極であり得る。

第１電極ＣＥ１は、導電性物質から構成され得る。例えば、第１電極ＣＥ１は、複数の信号配線ＴＬと一体に構成され得る。例えば、第１電極ＣＥ１は、複数の信号配線ＴＬと同一であるか、又は実質的に同一であるか、異なる導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１電極ＣＥ１は、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）などのような導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。他の例を挙げると、第１電極ＣＥ１は、導電性物質の多層構造で構成され得る。例えば、複数の第１電極ＣＥ１は、チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）／インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）／アルミニウム（Ａｌ）／インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ＩＴＯ／ＡＰＣ／ＩＴＯなどの多層構造でなり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

複数のサブ画素のそれぞれに、発光素子ＥＤが配置され得る。複数の発光素子ＥＤは、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、ミニＬＥＤ、又はマイクロＬＥＤ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）のうちのいずれか１つであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。複数の発光素子ＥＤは、バンクＢＮＫ及び第１電極ＣＥ１上に配置され得る。複数の発光素子ＥＤは、第１電極ＣＥ１上に配置され、第１電極ＣＥ１に電気的に連結され得る。したがって、発光素子ＥＤは、信号配線ＴＬ及び第１電極ＣＥ１を通じて、ピクセルドライバＰＤからのアノード電圧が印加されて、光を発光することができる。

複数の発光素子ＥＤは、第１発光素子１３０、第２発光素子１４０及び、第３発光素子１５０を含み得る。第１発光素子１３０は、第１サブ画素ＳＰ１に配置され得る。第２発光素子１４０は、第２サブ画素ＳＰ２に配置され得る。第３発光素子１５０は、第３サブ画素ＳＰ３に配置され得る。例えば、第１発光素子１３０、第２発光素子１４０及び第３発光素子１５０のうち、いずれか１つは赤色発光素子であり、他の１つは緑色発光素子であり、残りは青色発光素子であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。そのため、複数の発光素子ＥＤから発光された赤色光、緑色光及び青色光を組み合わせて、白色を含む様々な色の光を具現することができる。複数の発光素子ＥＤの数と種類は、例示的なものであり、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、複数のサブ画素は、ＣＭＹＫのような異なるカラーシステムの色の光を放出する、互いに異なる数のサブ画素を含むこともできる。

第１発光素子１３０は、第１－１のサブ画素ＳＰ１ａに配置された第１－１の発光素子１３０ａ及び、第１－２のサブ画素ＳＰ１ｂに配置された第１－２の発光素子１３０ｂを含み得る。第２発光素子１４０は、第２－１のサブ画素ＳＰ２ａに配置された第２－１の発光素子１４０ａ及び、第２－２のサブ画素ＳＰ２ｂに配置された第２－２の発光素子１４０ｂを含み得る。第３発光素子１５０は、第３－１のサブ画素ＳＰ３ａに配置された第３－１の発光素子１５０ａ及び、第３－２のサブ画素ＳＰ３ｂに配置された第３－２の発光素子１５０ｂを含み得る。

図１０を参照すれば、複数のサブ画素のそれぞれに、第２電極ＣＥ２が配置され得る。第２電極ＣＥ２は、発光素子ＥＤ上に配置され得る。第２電極ＣＥ２は、複数のコンタクト電極ＣＣＥを通じて、ピクセルドライバＰＤに電気的に連結され得る。

例えば、第２電極ＣＥ２は、発光素子ＥＤのカソード電極１３５（図１２参照）に電気的に連結されて、ピクセルドライバＰＤからのカソード電圧を、発光素子ＥＤへ伝達することができる。複数のサブ画素それぞれの第２電極ＣＥ２には、同じカソード電圧が印加され得る。例えば、複数のサブ画素それぞれの第２電極ＣＥ２と発光素子ＥＤのカソード電極１３５とに、同じ電圧が印加され得る。そのため、第２電極ＣＥ２は、共通電極であり得る。または、第１電極ＣＥ１は共通電極であり、第２電極ＣＥ２は画素電極であり得る。

複数のサブ画素のうち少なくとも一部は、第２電極ＣＥ２を共有することができる。複数のサブ画素それぞれの第２電極ＣＥ２のうち少なくとも一部は、互いに電気的に連結され得る。第２電極ＣＥ２には、同じ電圧が印加されることによって、少なくとも一部のサブ画素の第２電極ＣＥ２を共有して用いることができる。例えば、同じ行に配置された複数の画素ＰＸのうち少なくとも一部の画素ＰＸの第２電極ＣＥ２は、互いに連結され得る。例えば、複数の画素ＰＸに、１つの第２電極ＣＥ２が配置され得る。ｎ個のサブ画素ごとに、１つの第２電極ＣＥ２が配置され得、ｎは１よりも大きい整数である。

例えば、複数のサブ画素それぞれの第２電極ＣＥ２のうち一部は、互いに離隔又は分離して配置されることもできる。例えば、第１タッチグループＴＧ１に含まれたｎ＊ｍ個の画素ＰＸに連結された第２電極ＣＥ２と隣り合っている他のタッチグループＴＧ２、ＴＧ３に含まれたｎ＊ｍ個の画素ＰＸに連結された第２電極ＣＥ２は、離隔又は分離して配置され得る。例えば、第１タッチグループＴＧ１に配置された第２電極ＣＥ２は、行方向に延びた複数の通信配線ＮＬを挟んで、第３タッチグループＴＧ３に配置された第２電極ＣＥ２と離隔して配置され得る。そのため、複数のサブ画素の個数は、複数の第２電極ＣＥ２の個数よりも多いこともあり得る。本発明の実施例はこれに限定されない。

図１０を参照すれば、複数の通信配線ＮＬは、複数の第２電極ＣＥ２間の領域に配置され、複数の第２電極ＣＥ２には重畳しないことができる。それによって、第１タッチグループＴＧ１のタッチ電極として利用される第２電極ＣＥ２と、第３タッチグループＴＧ３のタッチ電極として利用される第２電極ＣＥ２とは、相互に離隔して配置され得る。ピクセルドライバＰＤは、複数のコンタクト電極ＣＣＥを通じて、第１タッチグループＴＧ１の第２電極ＣＥ２及び、第３タッチグループＴＧ３の第２電極ＣＥ２と電気的に連結され得る。ここで、第１タッチグループＴＧ１の第２電極ＣＥ２は、第１共通電極であり得る。第３タッチグループＴＧ３の第２電極ＣＥ２は、第２共通電極であり得るが、必ずしもこれに限定されない。例えば、前記第２共通電極は、第２タッチグループＴＧ２の第２電極ＣＥ２であり得る。第２タッチグループＴＧ２の第２電極ＣＥ２が、第２共通電極である場合、第３タッチグループＴＧ３の第２電極ＣＥ２は、第３共通電極であり得、第４タッチグループＴＧ４の第２電極ＣＥ２は、第４共通電極であり得るが、必ずしもこれに限定されない。第１タッチグループＴＧ１の第２電極ＣＥ２に連結された画素は、第１画素であり得る。第３タッチグループＴＧ３の第２電極ＣＥ２に連結された画素は、第２画素であり得るが、必ずしもこれに限定されない。例えば、前記第２画素は、第２タッチグループＴＧ２の第２電極ＣＥ２に連結された画素であり得る。第２タッチグループＴＧ２の第２電極ＣＥ２に連結された画素が、第２画素である場合、第３タッチグループＴＧ３の第２電極ＣＥ２に連結された画素は、第３画素であり得、第４タッチグループＴＧ４の第２電極ＣＥ２に連結された画素は、第４画素であり得るが、必ずしもこれに限定されない。したがって、ピクセルドライバＰＤは、第１共通電極と第２共通電極に電圧を供給することができる。ピクセルドライバＰＤは、イメージを表示するため、第１共通電極と第２共通電極に共通電圧を供給するか、タッチを感知するため、第１共通電極と第２共通電極にタッチ駆動信号を供給することができる。

また、第２電極ＣＥ２は、タッチセンシングに用いられる電極として機能することができる。第２電極ＣＥ２がタッチセンシング期間Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４にタッチ電極として機能する場合、複数のコンタクト電極ＣＣＥを通じて電気的に連結されたピクセルドライバＰＤで、センシングされるタッチ情報などを算出することができる。

複数の第２電極ＣＥ２は、透明導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。複数の第２電極ＣＥ２は、透明導電性物質からなり、発光素子ＥＤから発光された光が第２電極ＣＥ２の上部に向かうようにすることができる。例えば、第２電極ＣＥ２は、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）、インジウムガリウム酸化物（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ、ＩＧＯ）などのような透明導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

基板１１０上に、複数のコンタクト電極ＣＣＥが配置され得る。例えば、複数のコンタクト電極ＣＣＥは、複数のバンクＢＮＫ及び複数の信号配線ＴＬと離隔して配置され得る。複数の第２電極ＣＥ２のそれぞれは、少なくとも１つのコンタクト電極ＣＣＥに重畳することができる。例えば、１つの第２電極ＣＥ２は、複数のコンタクト電極ＣＣＥに重畳することができる。

例えば、複数のコンタクト電極ＣＣＥは、複数の第２電極ＣＥ２に電気的に連結され得る。複数のコンタクト電極ＣＣＥは、基板１１０と複数の第２電極ＣＥ２との間に配置されて、ピクセルドライバＰＤからのカソード電圧を、第２電極ＣＥ２へ伝達することができる。第２電極ＣＥ２がタッチ電極として機能する場合、センシングされたタッチ情報が、複数のコンタクト電極ＣＣＥを通じて、ピクセルドライバＰＤへ伝送され得る。

例えば、１つのピクセルドライバＰＤは、同一のタッチユニットに含まれ、それぞれ隣り合っているタッチグループＴＧ１、ＴＧ３に配置された第２電極ＣＥ２と、複数のコンタクト電極ＣＣＥを通じて電気的に連結され得る。ピクセルドライバＰＤは、同一のタッチユニット内に、列方向に隣り合っている２つのタッチグループ間の下部で重畳して配置され得る。例えば、ピクセルドライバＰＤは、同一のタッチユニット内の第１タッチグループＴＧ１と第３タッチグループＴＧ３との間で重畳して配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、他の隣接するピクセルドライバＰＤは、タッチユニット内で、第２タッチグループＴＧ２と第４タッチグループＴＧ４との間に重畳するように配置され得る。

例えば、発光素子ＥＤとしてマイクロＬＥＤを用いる場合、ウェハで複数のマイクロＬＥＤを形成し、マイクロＬＥＤを表示装置１０００の基板１１０に転写して、表示装置１０００を製造することができる。微細サイズを有する複数の発光素子ＥＤを、ウェハから基板１１０へ転写する過程で、各種の不良が発生し得る。例えば、一部のサブ画素では、発光素子ＥＤが転写されない未転写の不良が発生することもあり、他の一部のサブ画素では、整列誤差のため、発光素子ＥＤが定められた位置から外れて転写されるような不良が発生することもあり得る。また、転写工程は正常に進行されたが、転写された発光素子ＥＤそのものが不良であることもある。したがって、複数の発光素子ＥＤの転写工程時における不良を考慮して、１つのサブ画素に同種の発光素子ＥＤを複数個転写することができる。複数の発光素子ＥＤの点灯検査を進み、最終的に正常の判定を受けた１つの発光素子ＥＤのみを用いることができる。

例えば、１つの画素ＰＸに、第１－１の発光素子１３０ａ及び第１－２の発光素子１３０ｂを共に転写し、これらの不良有無を検査することができる。もし、第１－１の発光素子１３０ａ及び第１－２の発光素子１３０ｂがいずれも正常と判定された場合、第１－１の発光素子１３０ａのみを用い、第１－２の発光素子１３０ｂは不使用とすることができる。他の例を挙げると、第１－１の発光素子１３０ａ及び第１－２の発光素子１３０ｂのうち、第１－２の発光素子１３０ｂのみが正常と判定された場合、第１－１の発光素子１３０ａは不使用とし、第１－２の発光素子１３０ｂのみを用いることができる。したがって、１つの画素ＰＸに同種の発光素子ＥＤが複数個転写されても、最終的には１つの発光素子ＥＤのみが使用可能である。

そのため、一対の発光素子ＥＤのうちいずれか１つはメイン（Ｍａｉｎ又はＰｒｉｍａｒｙ）発光素子ＥＤであり、残りはリダンダンシー（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）発光素子ＥＤであり得る。リダンダンシー発光素子ＥＤは、メイン発光素子ＥＤの不良に備えて転写される余分な発光素子ＥＤであり得る。メイン発光素子ＥＤの不良時、リダンダンシー発光素子ＥＤをその代わりとして用いることができる。したがって、１つの画素ＰＸに、メイン発光素子ＥＤ及びリダンダンシー発光素子ＥＤを共に転写して、メイン発光素子ＥＤ及びリダンダンシー発光素子ＥＤの不良による表示品質の劣化を最小化又は低減することができる。

例えば、１つの画素ＰＸに転写された第１－１の発光素子１３０ａ、第２－１の発光素子１４０ａ及び第３－１の発光素子１５０ａは、メイン発光素子ＥＤとして用いられ、第１－２の発光素子１３０ｂ、第２－２の発光素子１４０ｂ及び第３－２の発光素子１５０ｂは、リダンダンシー発光素子ＥＤとして使用され得る。

図１１は、図３のＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図である。図１２は、表示領域に配置された発光素子を含むサブ画素を示す断面図である。

図１１を参照すれば、ベンディング領域ＢＡを除いた基板１１０の残りの領域に、第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂが配置され得る。

第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂは、表示領域ＡＡ、第１非表示領域ＮＡ１及び第２非表示領域ＮＡ２に配置され得る。第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂは、基板１１０を通じての水分、酸素、水素又は不純物の浸透を低減することができる。第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂは、無機絶縁物質からなり得る。例えば、第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）又はシリコン酸化窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）の単一層又は複数層で構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

例えば、ベンディング領域ＢＡ上にある第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂの一部分は、除去可能である。ベンディング領域ＢＡに位置する基板１１０の上面は、第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂから露出され得る。無機絶縁物質からなる第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂを、ベンディング領域ＢＡから除去して、ベンディング時に発生し得る第１バッファー層１１１ａ及び第２バッファー層１１１ｂのクラックを最小化又は低減することができる。

第１バッファー層１１１ａと第２バッファー層１１１ｂとの間に、複数のアラインキーＭＫが配置され得る。複数のアラインキーＭＫは、表示装置１０００の製造工程のうち、ピクセルドライバＰＤの位置を識別するために構成され得る。例えば、複数のアラインキーＭＫは、接着層１１２上に転写されるピクセルドライバＰＤの位置を整列するために構成され得る。他の例を挙げると、複数のアラインキーＭＫは省略可能である。

第２バッファー層１１１ｂ上に、接着層１１２が配置され得る。接着層１１２は、表示領域ＡＡと第１非表示領域ＮＡ１、ベンディング領域ＢＡ及び第２非表示領域ＮＡ２に配置され得る。他の例を挙げると、ベンディング領域ＢＡを含む非表示領域ＮＡにおいて、接着層１１２の少なくとも一部は除去されることもできる。例えば、接着層１１２は、光学透明接着剤（ＯＣＡ）、光学透明樹脂（ＯＣＲ）、減圧接着剤（ＰＳＡ）、シリコン樹脂、接着性ポリマー（Ａｄｈｅｓｉｖｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）、エポキシレジン（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、ＵＶ硬化型レジン、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系列、アクリレート（ａｃｒｙｌａｔｅ）系列、ウレタン系列及びポリジメチルシロキサン（Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌｏｘａｎｅ：ＰＤＭＳ）のうちいずれか１つからなり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

表示領域ＡＡにおいて、接着層１１２上に、ピクセルドライバＰＤが配置され得る。ピクセルドライバＰＤは、転写工程により接着層１１２上に実装され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

接着層１１２及びピクセルドライバＰＤ上に、第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂが配置され得る。第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂは、ピクセルドライバＰＤの側面を取り囲むように配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第２保護層１１３ｂは、ピクセルドライバＰＤの上面の少なくとも一部分を覆うように配置され得る。例えば、ベンディング領域ＢＡ上に配置された第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂのうち、少なくとも１つは省略可能である。例えば、第１保護層１１３ａは、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡに全体的に配置され、第２保護層１１３ｂは、表示領域ＡＡ、第１非表示領域ＮＡ１及び第２非表示領域ＮＡ２に部分的に配置され得る。例えば、ベンディング領域ＢＡにある第２保護層１１３ｂの一部分は、除去可能である。しかし、本発明の実施例はこれに限定されない。

第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂは、有機絶縁物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂは、アクリル樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、又はフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）系物質などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂは、オーバーコーティング層又は絶縁層であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂは、同一又は異なる材質で作製可能である。

本発明によれば、表示領域ＡＡにおいて、第２保護層１１３ｂ上に、複数の第１連結配線１２１が配置され得る。複数の第１連結配線１２１は、ピクセルドライバＰＤを他の構成要素と電気的に連結するための配線であり得る。例えば、ピクセルドライバＰＤは、複数の第１連結配線１２１を通じて、複数の信号配線ＴＬ及び複数のコンタクト電極ＣＣＥなどに電気的に連結され得る。例えば、複数の第１連結配線１２１は、第１－１の連結配線１２１ａ、第１－２の連結配線１２１ｂ、第１－３の連結配線１２１ｃ及び、第１－４の連結配線１２１ｄを含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

例えば、複数の第１－１の連結配線１２１ａは、第２保護層１１３ｂ上に配置され得る。複数の第１－１の連結配線１２１ａは、ピクセルドライバＰＤに電気的に連結され得る。複数の第１－１の連結配線１２１ａは、ピクセルドライバＰＤから出力された電圧を、第１電極ＣＥ１又は第２電極ＣＥ２へ伝達することができる。

例えば、第２保護層１１３ｂ上に、第３保護層１１４が配置され得る。第３保護層１１４は、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡに全体的に配置され得る。ベンディング領域ＢＡにおいて、第３保護層１１４は、第２保護層１１３ｂの側面と第１保護層１１３ａの上面をカバーするか覆うことができる。第３保護層１１４は、有機絶縁物質から構成され得る。例えば、第３保護層１１４は、アクリル樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、又はフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）系物質などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１保護層１１３ａ、第２保護層１１３ｂ及び第３保護層１１４は、同じ物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。または、第３保護層１１４は、第１保護層１１３ａ及び第２保護層１１３ｂとは異なる材料で作製可能である。

第３保護層１１４上に、複数の第１－２の連結配線１２１ｂが配置され得る。複数の第１－２の連結配線１２１ｂは、ピクセルドライバＰＤに間接的に連結されるか、直接的に連結され得る。例えば、第１－２の連結配線１２１ｂの一部は、第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、ピクセルドライバＰＤに直接連結され得る。または、第１－２の連結配線１２１ｂの一部は、第３保護層１１４のコンタクトホールと第１－１の連結配線１２１ａとを通じて、ピクセルドライバＰＤに連結され得る。第１－２の連結配線１２１ｂの他の一部は、第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、第１－１の連結配線１２１ａに電気的に連結され得る。しかし、本発明の実施例はこれに限定されない。ピクセルドライバＰＤから出力された電圧及び／又は信号は、複数の第１－２の連結配線１２１ｂと異なる連結配線を通じて、第１電極ＣＥ１又は第２電極ＣＥ２へ伝達され得る。

複数の第１－２の連結配線１２１ｂ上に、第１絶縁層１１５ａが配置され得る。第１絶縁層１１５ａは、表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡに全体的に配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。または、第１絶縁層１１５ａは、表示領域ＡＡ、第１非表示領域ＮＡ１及び、第２非表示領域ＮＡ２に部分的に配置され得る。例えば、ベンディング領域ＢＡにある第１絶縁層１１５ａの一部が除去され得る。第１絶縁層１１５ａは、有機絶縁物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１絶縁層１１５ａは、アクリル樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、又はフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）系物質などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

第１絶縁層１１５ａ上に、複数の第１－３の連結配線１２１ｃが配置され得る。複数の第１－３の連結配線１２１ｃは、複数の第１－２の連結配線１２１ｂに電気的に連結され得る。例えば、第１－３の連結配線１２１ｃは、第１絶縁層１１５ａのコンタクトホールを通じて、第１－２の連結配線１２１ｂに電気的に連結され得る。例えば、第１－３の連結配線１２１ｃは、第１絶縁層１１５ａのコンタクトホールを通じて、第１－２の連結配線１２１ｂに電気的に連結され得、第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、第１－１の連結配線１２１ａに電気的に連結され得る。

複数の第１－３の連結配線１２１ｃ上に、第２絶縁層１１５ｂが配置され得る。第２絶縁層１１５ｂは、ベンディング領域ＢＡを除いた残りの領域に配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。第２絶縁層１１５ｂは、表示領域ＡＡ、第１非表示領域ＮＡ１及び第２非表示領域ＮＡ２に配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、ベンディング領域ＢＡに配置された第２絶縁層１１５ｂの一部分は、除去可能である。第２絶縁層１１５ｂは、有機絶縁物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第２絶縁層１１５ｂは、アクリル樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、又はフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）系物質などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

第２絶縁層１１５ｂ上に、複数の第１－４の連結配線１２１ｄが配置され得る。複数の第１－４の連結配線１２１ｄは、複数の第１－３の連結配線１２１ｃに電気的に連結され得る。例えば、第１－４の連結配線１２１ｄは、第２絶縁層１１５ｂのコンタクトホールを通じて、第１－３の連結配線１２１ｃに電気的に連結され得、第１絶縁層１１５ａのコンタクトホールを通じて、第１－２の連結配線１２１ｂと電気的に連結され得、さらに第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、第１－１の連結配線１２１ａと電気的に連結され得る。

本発明によれば、非表示領域ＮＡにおいて、第２保護層１１３ｂ上に、複数の第２連結配線１２２が配置され得る。複数の第２連結配線１２２は、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板１６０（図１参照）からパッド部ＰＡＤへ伝達された信号を、表示領域ＡＡのピクセルドライバＰＤに伝達するための配線であり得る。例えば、複数の第２連結配線１２２は、複数のパッド電極ＰＥに電気的に連結されて、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板からの信号が印加されることができる。

例えば、複数の第２連結配線１２２は、パッド部ＰＡＤから表示領域ＡＡに向かって延びて、表示領域ＡＡの配線に信号を伝達することができる。この場合、複数の第２連結配線１２２は、リンク配線ＬＬとして機能することができる。複数の第２連結配線１２２は、第２－１の連結配線１２２ａ、第２－２の連結配線１２２ｂ、第２－３の連結配線１２２ｃ及び、第２－４の連結配線１２２ｄを含み得る。第１非表示領域ＮＡ１の第２－１の連結配線１２２ａは、表示領域ＡＡの第１－１の連結配線１２１ａと電気的に連結されるか結合されることができる。

第２保護層１１３ｂ上に、複数の第２－１の連結配線１２２ａが配置され得る。複数の第２－１の連結配線１２２ａは、第２非表示領域ＮＡ２からベンディング領域ＢＡ及び第１非表示領域ＮＡ１に延長され得る。

複数の第２－１の連結配線１２２ａは、表示領域ＡＡにおいて、複数の第１－２の連結配線１２１ｂと電気的に連結され得る。複数の第２－１の連結配線１２２ａは、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板からパッド部ＰＡＤへ伝達された信号を、表示領域ＡＡのピクセルドライバＰＤに伝達することができる。

第３保護層１１４上に、複数の第２－２の連結配線１２２ｂが配置され得る。複数の第２－２の連結配線１２２ｂは、第２非表示領域ＮＡ２に配置され得る。第２－２の連結配線１２２ｂは、第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、第２－１の連結配線１２２ａに電気的に連結され得る。したがって、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板からの信号は、第２－２の連結配線１２２ｂを通じて、第２－１の連結配線１２２ａへ伝達することができる。

第１絶縁層１１５ａ上に、第２－３の連結配線１２２ｃが配置され得る。第２－３の連結配線１２２ｃは、第２非表示領域ＮＡ２に配置され得る。第２－３の連結配線１２２ｃは、第１絶縁層１１５ａのコンタクトホールを通じて、第２－２の連結配線１２２ｂに電気的に連結され得、第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、第２－１の連結配線１２２ａと電気的に連結され得る。したがって、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び／又は印刷回路基板からの信号は、第２－３の連結配線１２２ｃ及び第２－２の連結配線１２２ｂを通じて、第２－１の連結配線１２２ａへ伝達され得る。

第２絶縁層１１５ｂ上に、第２－４の連結配線１２２ｄが配置され得る。第２－４の連結配線１２２ｄは、第２非表示領域ＮＡ２に配置され得る。第２－４の連結配線１２２ｄは、第２有機絶縁層１１５ｂのコンタクトホールを通じて、第２－３の連結配線１２２ｃに電気的に連結され得、第２絶縁層１１５ｂのコンタクトホールを通じて、第２－３の連結配線１２２ｃに電気的に連結され得、さらに第１絶縁層１１５ａのコンタクトホールを通じて、第２－２の連結配線１２２ｂに電気的に連結され得、さらに第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、第２－１の連結配線１２２ａに電気的に連結され得る。したがって、フレキシブルフィルムＦＦ及び／又は印刷回路基板からの信号は、第２－４の連結配線１２２ｄ、第２－３の連結配線１２２ｃ及び第２－２の連結配線１２２ｂを通じて、第２－１の連結配線１２２ａへ伝達され得る。

複数の第１連結配線１２１及び複数の第２連結配線１２２は、軟性に優れた導電性物質、又は表示領域ＡＡに用いられる様々な導電性物質のうちいずれか１つで形成され得る。例えば、ベンディング領域ＢＡに一部分が配置される第２連結配線１２２は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）などのように軟性に優れた導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。他の例を挙げると、複数の第１連結配線１２１及び複数の第２連結配線１２２は、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）及び、銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）との合金、又はこれらの合金などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。複数の第１連結配線１２１及び複数の第２連結配線１２２は、同一であるか、互いに異なる材料で形成され得る。

複数の第１連結配線１２１及び複数の第２連結配線１２２上に、第３絶縁層１１５ｃが配置され得る。第３絶縁層１１５ｃは、ベンディング領域ＢＡを除いた残りの領域に配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。第３絶縁層１１５ｃは、表示領域ＡＡ、第１非表示領域ＮＡ１及び第２非表示領域ＮＡ２に配置され得る。ベンディング領域ＢＡにある第３絶縁層１１５ｃの一部分は除去可能である。第３絶縁層１１５ｃは、有機絶縁物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第３絶縁層１１５ｃは、アクリル樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、又はフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）系物質などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

表示領域ＡＡにおいて、第３絶縁層１１５ｃ上に、複数のバンクＢＮＫが配置され得る。複数のバンクＢＮＫは、複数のサブ画素のそれぞれに重畳するように配置され得る。複数のバンクＢＮＫそれぞれの上部には、同種又は異なる種類の発光素子ＥＤが１つ以上配置され得る。

表示領域ＡＡにおいて、第３絶縁層１１５ｃ上に、複数の信号配線ＴＬが配置され得る。複数の信号配線ＴＬは、複数のバンクＢＮＫ間の領域に配置され得る。例えば、複数の信号配線ＴＬは、複数のバンクＢＮＫのうちのいずれか１つに隣接するように配置され得る。

表示領域ＡＡにおいて、第３絶縁層１１５ｃ上に、複数のコンタクト電極ＣＣＥが配置され得る。複数のコンタクト電極ＣＣＥは、ピクセルドライバＰＤからのカソード電圧を、第２電極ＣＥ２に供給することができる。

バンクＢＮＫ上に、第１電極ＣＥ１が配置され得る。例えば、第１電極ＣＥ１は、隣接する信号配線ＴＬからバンクＢＮＫの上部に向かって延びて配置され得る。第１電極ＣＥ１は、バンクＢＮＫの上面とバンクＢＮＫの側面上に配置され得る。例えば、第１電極ＣＥ１は、第３絶縁層１１５ｃの上面の信号配線ＴＬから、バンクＢＮＫの側面及びバンクＢＮＫの上面に延びて配置され得る。

図１２を参照すれば、第１電極ＣＥ１は、複数の導電層から構成され得る。例えば、第１電極ＣＥ１は、第１導電層ＣＥ１ａ、第２導電層ＣＥ１ｂ、第３導電層ＣＥ１ｃ及び、第４導電層ＣＥ１ｄを含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

第１導電層ＣＥ１ａは、バンクＢＮＫ上に配置され得る。第２導電層ＣＥ１ｂは、第１導電層ＣＥ１ａ上に配置され得る。第３導電層ＣＥ１ｃは、第２導電層ＣＥ１ｂ上に配置され得る。第４導電層ＣＥ１ｄは、第３導電層ＣＥ１ｃ上に配置され得る。例えば、第１導電層ＣＥ１ａ、第２導電層ＣＥ１ｂ、第３導電層ＣＥ１ｃ及び第４導電層ＣＥ１ｄのそれぞれは、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、又はチタン（Ｔｉ）合金、及び、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）又はこれらの合金で構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、第１電極ＣＥ１を構成する複数の導電層のうち、反射効率の良い一部導電層は、発光素子ＥＤの整列のためのアラインキー及び／又は反射板で構成し得る。例えば、第１電極ＣＥ１の複数の導電層のうち、第２導電層ＣＥ１ｂは反射物質を含むことができる。例えば、第２導電層ＣＥ１ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。そのため、第２導電層ＣＥ１ｂは、反射板で構成することができる。また、第２導電層ＣＥ１ｂの高い反射効率によって、製造工程における識別が容易となり、そのため、第２導電層ＣＥ１ｂを基準に、発光素子ＥＤの位置又は転写位置を整列することができる。

例えば、第２導電層ＣＥ１ｂを反射板で構成するため、第２導電層ＣＥ１ｂを覆っている第３導電層ＣＥ１ｃ及び第４導電層ＣＥ１ｄを部分的に除去するか食刻（エッチング）することができる。例えば、バンクＢＮＫ上に配置された第３導電層ＣＥ１ｃ及び第４導電層ＣＥ１ｄの一部分を除去又は食刻して、第２導電層ＣＥ１ｂの上面を露出することができる。例えば、第３導電層ＣＥ１ｃ及び第４導電層ＣＥ１ｄのうち、はんだパターンＳＤＰが配置される中央部分及びエッジ部分（又は縁部）は残し、これを除く残りの部分を除去することができる。例えば、チタン（Ｔｉ）からなる第３導電層ＣＥ１ｃ及び、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）からなる第４導電層ＣＥ１ｄのそれぞれのエッジ部分（又は縁部）は、食刻しないこともできる。そのため、第１電極ＣＥ１のマスク工程で用いられるＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ Ｍｅｔｈｙｌ Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）溶液により、第１電極ＣＥ１の他の導電層が腐食されることを防止又は減少することができる。

本発明によれば、第１導電層ＣＥ１ａ及び第３導電層ＣＥ１ｃは、チタン（Ｔｉ）又はモリブデン（Ｍｏ）を含み得る。第２導電層ＣＥ１ｂは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）などを含み得る。第４導電層ＣＥ１ｄは、はんだパターンＳＤＰとの接着性がよく、耐食性及び耐酸性のあるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような透明導電性酸化物層を含み得る。しかし、本発明の実施例はこれに限定されない。

第１導電層ＣＥ１ａ、第２導電層ＣＥ１ｂ、第３導電層ＣＥ１ｃ及び、第４導電層ＣＥ１ｄは、順次に蒸着された後、フォトリソグラフィ工程及び食刻工程を行ってパターニングされ得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、第１電極ＣＥ１と同一の層に配置された信号配線ＴＬ、コンタクト電極ＣＣＥ及びパッド電極ＰＥは、導電性物質の多層で構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、信号配線ＴＬ、コンタクト電極ＣＣＥ及びパッド電極ＰＥは、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）／チタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／チタン（Ｔｉ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）／アルミニウム（Ａｌ）／インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの多層でなり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、複数のサブ画素のそれぞれにおいて、第１電極ＣＥ１上に、はんだパターンＳＤＰが配置され得、はんだパターンＳＤＰは、第１電極ＣＥ１と第１半導体層１３１との間にある。はんだパターンＳＤＰは、第１電極ＣＥ１に発光素子ＥＤを接合することができる。第１電極ＣＥ１及び発光素子ＥＤは、はんだパターンＳＤＰを利用した共晶接合（ｅｕｔｅｃｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）を通じて電気的に連結され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、はんだパターンＳＤＰがインジウム（Ｉｎ）から構成され、発光素子ＥＤのアノード電極１３４が金（Ａｕ）から構成された場合、発光素子ＥＤの転写工程で熱と圧力を加えて、はんだパターンＳＤＰとアノード電極１３４とを接合することができる。共晶接合を通じて、別の接着物なしに発光素子ＥＤをはんだパターンＳＤＰ及び第１電極ＣＥ１に接合することができる。例えば、はんだパターンＳＤＰは、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）又はこれらの合金から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、はんだパターンＳＤＰは、ポンディングパッド又は接合パッドなどであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、パッシベーション層１１６は、複数の信号配線ＴＬ、複数の第１電極ＣＥ１、複数のコンタクト電極ＣＣＥ及び、第３絶縁層１１５ｃ上に配置され得る。例えば、パッシベーション層１１６は、表示領域ＡＡ、第１非表示領域ＮＡ１及び、第２非表示領域ＮＡ２に配置され得る。ベンディング領域ＢＡに配置されたパッシベーション層１１６の一部分は、除去可能である。第２非表示領域ＮＡ２において、複数のパッド電極ＰＥを覆うパッシベーション層１１６の一部分は、除去可能である。パッシベーション層１１６は、ベンディング領域ＢＡ、複数のパッド電極ＰＥ及び、はんだパターンＳＤＰが配置された領域を除いた残りの領域を覆うように配置されるので、発光素子ＥＤに流入する水分又は不純物の浸透を低減することができる。例えば、パッシベーション層１１６は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸化窒化物（ＳｉＯｘＮｙ）などの単一層又は多重層で構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、パッシベーション層１１６は、保護層又は絶縁層などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、パッシベーション層１１６は、はんだパターンＳＤＰを露出させる開口部１１６ｈを含み得る。

複数のサブ画素のそれぞれにおいて、はんだパターンＳＤＰ上に、発光素子ＥＤが配置され得る。第１サブ画素ＳＰ１には、第１発光素子１３０が配置され得る。第２サブ画素ＳＰ２には、第２発光素子１４０が配置され得る。第３サブ画素ＳＰ３には、第３発光素子１５０が配置され得る。

発光素子ＥＤは、有機金属化学蒸着法（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＭＯＣＶＤ）、化学蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着法（Ｐｌａｓｍａ－Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ；ＭＢＥ）、ハイドライド気相成長法（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ；ＨＶＰＥ）、又はスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などの方法によりシリコンウェハ上で形成することができるが、本発明の実施例はこれに限定されない。

第１発光素子１３０は、アノード電極１３４、第１半導体層１３１、活性層１３２、第２半導体層１３３、カソード電極１３５及び、封止膜１３６を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１発光素子１３０に封止膜１３６は含まれないこともあり得る。

はんだパターンＳＤＰ上に、第１半導体層１３１が配置され得る。第１半導体層１３１上に、第２半導体層１３３が配置され得る。

例えば、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３のうちの１つは、III－Ｖ族、II－VI族などの化合物半導体で具現され得、不純物（又はドーパント）がドーピングされ得る。例えば、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３のうちの１つは、ｎ型の不純物がドーピングされた半導体層であり、他の１つはｐ型の不純物がドーピングされた半導体層であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３のうち１つ以上は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ガリウムリン化物（ＧａＰ）、ガリウムヒ素リン化物（ＧａＡｓＰ）、アルミニウムガリウムインジウムリン化物（ＡｌＧａＩｎＰ）、インジウムアルミニウムリン化物（ＩｎＡｌＰ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化アルミニウムインジウム（ＡｌＩｎＮ）、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、又はガリウムヒ素（ＧａＡｓ）などの物質に、ｎ型又はｐ型不純物がドーピングされた層であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、ｎ型不純物は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、セレニウム（Ｓｅ）、炭素（Ｃ）、テルル（Ｔｅ）、又はスズ（Ｓｎ）などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、ｐ型不純物は、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バリウム（Ｂａ）、又はベリリウム（Ｂｅ）などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

例えば、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３はそれぞれ、ｎ型不純物が含まれた窒化物半導体及び、ｐ型不純物が含まれた窒化物半導体であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１半導体層１３１は、ｐ型不純物が含まれた窒化物半導体であり、第２半導体層１３３は、ｎ型不純物が含まれた窒化物半導体であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

活性層１３２は、第１半導体層１３１と第２半導体層１３３との間に配置され得る。活性層１３２は、第１半導体層１３１及び第２半導体層１３３から正孔及び電子が供給されて、光を発光することができる。例えば、活性層１３２は、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ－Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、ＭＱＷ）構造、量子ドット構造及び量子線構造のうちの１つで構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、活性層１３２は、インジウムリン化物（ＩｎＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、アルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、インジウムガリウム窒化物（ＩｎＧａＮ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

他の例を挙げると、活性層１３２は、井戸層と、井戸層よりもバンドギャップの高い障壁層とを有する多重量子井戸（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ、ＭＱＷ）構造を含み得る。例えば、活性層１３２は ＩｎＧａＮを井戸層として構成し、ＡｌＧａＮ層を障壁層として構成し得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

アノード電極１３４は、第１半導体層１３１とはんだパターンＳＤＰとの間に配置され得る。例えば、アノード電極１３４は、第１半導体層１３１と第１電極ＣＥ１とを電気的に連結することができる。ピクセルドライバＰＤから出力されたアノード電圧は、信号配線ＴＬ、第１電極ＣＥ１及びアノード電極１３４を通じて、第１半導体層１３１に印加され得る。例えば、アノード電極１３４は、はんだパターンＳＤＰと共晶接合可能な導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、アノード電極１３４は、金（Ａｕ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、シリコン（Ｓｉ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）及び銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

カソード電極１３５は、第２半導体層１３３上に配置され得る。例えば、カソード電極１３５は、第２半導体層１３３と第２電極ＣＥ２とを電気的に連結することができる。ピクセルドライバＰＤから出力されたカソード電圧は、コンタクト電極ＣＣＥ、第２電極ＣＥ２及びカソード電極１３５を通じて、第２半導体層１３３に印加され得る。カソード電極１３５は、発光素子ＥＤから発光された光が発光素子ＥＤの上部に向けるように、透明導電性物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、カソード電極１３５は、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、又はインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇａｌｌｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、ＩＧＺＯ）などのような物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

封止膜１３６は、第１半導体層１３１、活性層１３２、第２半導体層１３３、アノード電極１３４及びカソード電極１３５の少なくとも一部に配置され得る。例えば、封止膜１３６は、第１半導体層１３１、活性層１３２、第２半導体層１３３、アノード電極１３４及びカソード電極１３５の少なくとも一部を取り囲むことができる。

例えば、封止膜１３６は、第１半導体層１３１、活性層１３２及び第２半導体層１３３を保護することができる。例えば、封止膜１３６は、第１半導体層１３１の側面、活性層１３２の側面及び第２半導体層１３３の側面上に配置され得る。

例えば、封止膜１３６は、アノード電極１３４及びカソード電極１３５の少なくとも一部分、例えば、アノード電極１３４のエッジ部分（又は縁部又は一側）及び、カソード電極１３５のエッジ部分（又は縁部又は一側）上に配置され得る。封止膜１３６からアノード電極１３４の少なくとも一部分が露出されて、アノード電極１３４とはんだパターンＳＤＰとが連結され得る。例えば、封止膜１３６からカソード電極１３５の少なくとも一部分が露出されて、カソード電極１３５と第２電極ＣＥ２が連結されることができる。例えば、封止膜１３６は、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）やシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）のような絶縁物質からなり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

他の例を挙げると、封止膜１３６は、レジン層（Ｒｅｓｉｎ ｌａｙｅｒ）に反射物質が分散された構造であり得るが、本発明の実施例はここに限定しない。例えば、封止膜１３６は、様々な構造のリフレクタ（Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）で製作され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。封止膜１３６により活性層１３２から出射した光は、上部に反射されて光の取り出し効率が向上され得る。例えば、封止膜１３６は反射層であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、発光素子ＥＤは垂直型構造として説明したが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、発光素子ＥＤは、ラテラル構造（ｌａｔｅｒａｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）又はフリップチップ構造（ｆｌｉｐ ｃｈｉｐ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）を有することができる。

図１２を参照して、第１発光素子１３０について説明したが、第２発光素子１４０及び第３発光素子１５０は、第１発光素子１３０と実質的に同一の構造を有することができる。例えば、第２発光素子１４０及び第３発光素子１５０は、第１発光素子１３０の第１半導体層１３１、活性層１３２、第２半導体層１３３、アノード電極１３４、カソード電極１３５及び、封止膜１３６と実質的に同一であり得る。

表示領域ＡＡにおいて、複数の発光素子ＥＤを取り囲む第１光学層１１７ａが配置され得る。例えば、第１光学層１１７ａは、複数のサブ画素の領域において、複数の発光素子ＥＤとバンクＢＮＫとを覆うように配置され得る。例えば、第１光学層１１７ａは、バンクＢＮＫ、パッシベーション層１１６の一部及び、複数の発光素子ＥＤの間を覆うことができる。第１光学層１１７ａは、１つの画素ＰＸに含まれた複数の発光素子ＥＤの間及び、複数のバンクＢＮＫの間に配置されるか、カバーすることができる。例えば、第１光学層１１７ａは、第１方向（Ｘ）に延び、第２方向（Ｙ）で離隔して配置され得る。例えば、第１光学層１１７ａは、パッシベーション層１１６と第２電極ＣＥ２との間で、発光素子ＥＤとバンクＢＮＫの側部を取り囲むように配置され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１光学層１１７ａは、拡散層又は側壁拡散層などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

第１光学層１１７ａは、微細粒子が分散された有機絶縁物質を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１光学層１１７ａは二酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子のような微細金属粒子が分散されたシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。複数の発光素子ＥＤからの光は、第１光学層１１７ａに分散された微細粒子により散乱されて、表示装置１０００の外部へ放出されることができる。そのため、第１光学層１１７ａは、複数の発光素子ＥＤから発光された光の取り出し効率を向上させることができる。

例えば、第１光学層１１７ａは、複数の画素ＰＸのそれぞれに配置されることもでき、同じ行に配置された一部の画素ＰＸに共に配置されることもできるが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、複数の画素ＰＸのそれぞれに第１光学層１１７ａが配置されるか、複数の画素ＰＸが１つの第１光学層１１７ａを共有し得る。他の例を挙げると、複数のサブ画素のそれぞれは、別途に第１光学層１１７ａを含むこともできるが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、表示領域ＡＡにおいて、パッシベーション層１１６上に、第３光学層１１７ｃが配置され得る。例えば、第３光学層１１７ｃは、第１光学層１１７ａを取り囲むように配置され得る。例えば、第３光学層１１７ｃは、第１光学層１１７ａの側面に接することができる。例えば、第３光学層１１７ｃは、複数の画素ＰＸ間の領域に配置され得る。しかし、本発明の実施例はこれに限定されない、例えば、第３光学層１１７ｃは、拡散層、拡散層ウィンドウ、又はウィンドウ拡散層などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

第３光学層１１７ｃは、有機絶縁物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。第３光学層１１７ｃは、第１光学層１１７ａと同じ物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第１光学層１１７ａは微細粒子を含み、第３光学層１１７ｃは微細粒子を含まないこともあり得る。例えば、第３光学層１１７ｃは、シロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）からなり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

例えば、第１光学層１１７ａの厚さは、第３光学層１１７ｃの厚さよりも小さいことがあり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。これによって、平面視したとき、第１光学層１１７ａが配置された領域は、第３光学層１１７ｃの上部面よりも内側に陥凹している凹部を含み得る。

本発明によれば、第１光学層１１７ａ及び第３光学層１１７ｃ上に、第２電極ＣＥ２が配置され得る。例えば、第２電極ＣＥ２は、第３光学層１１７ｃのコンタクトホールを通じて、複数のコンタクト電極ＣＣＥに電気的に連結され得る。例えば、第２電極ＣＥ２は、複数の発光素子ＥＤ上に配置され得る。例えば、第２電極ＣＥ２は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）又はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電性酸化物を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第２電極ＣＥ２は、カソード電極１３５と接触するように配置され得る。例えば、第２電極ＣＥ２は、第１光学層１１７ａと重畳することもできる。例えば、第１光学層１１７ａの外側の平面を覆うことができる。

第２電極ＣＥ２は、基板１１０の第１方向（Ｘ）に連続的に延長され得る。これによって、基板１１０の第１方向（Ｘ）に配列された複数の画素ＰＸに共通に連結され得る。例えば、第２電極ＣＥ２は、複数の画素ＰＸに共通に連結され得る。

本発明によれば、第２電極ＣＥ２は、第１光学層１１７ａ、第３光学層１１７ｃ及び、発光素子ＥＤ上に連続的に延長され得る。第１光学層１１７ａが配置された領域は、第３光学層１１７ｃの上部面よりも内側に陷凹された凹部を含み得る。これによって、第１光学層１１７ａ上に配置された第２電極ＣＥ２の第１部分は、凹部に沿って配置されるので、第３光学層１１７ｃ上に配置された第２電極ＣＥ２の第２部分よりも低い位置に配置され得る。

第２電極ＣＥ２上に、第２光学層１１７ｂが配置され得る。第２光学層１１７ｂは、複数の発光素子ＥＤ及び第１光学層１１７ａに重なり合うように配置され得る。第２光学層１１７ｂは、第２電極ＣＥ２及び複数の発光素子ＥＤ上部に配置されるので、複数の発光素子ＥＤのうち一部に発生し得る斑（ムラ）を改善することができる。例えば、複数の発光素子ＥＤを表示装置１０００の基板１１０上に転写するとき、工程バラツキ等により、複数の発光素子ＥＤ間の間隔が一様ではない領域が発生し得る。複数の発光素子ＥＤ間の間隔が不均一である場合、複数の発光素子ＥＤそれぞれの出光領域が不均一に配置され得、そのため、使用者に斑（ムラ）が視認され得る。そのため、複数の発光素子ＥＤ上部に光を均一に拡散するように構成された第２光学層１１７ｂを構成するので、一部発光素子ＥＤから発光された光が斑のように視認されることを低減することができる。したがって、第２光学層１１７ｂによって、複数の発光素子ＥＤから発光された光が一様に拡散して、表示装置１０００の外部へ取り出されるので、表示装置１０００の輝度均一度が向上されることができる。

第２光学層１１７ｂは、微細粒子が分散された有機絶縁物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第２光学層１１７ｂは、二酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子のような微細金属粒子が分散されたシロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第２光学層１１７ｂは、第１光学層１１７ａと同じ物質から構成し得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、第２光学層１１７ｂは、拡散層又は上面拡散層などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、複数の発光素子ＥＤからの光は、第２光学層１１７ｂに分散された微細粒子により散乱されて、表示装置１０００の外部へ放出され得る。第２光学層１１７ｂは、複数の発光素子ＥＤから発光された光を一様に混合して、表示装置１０００の輝度均一度をさらに向上させることができる。そして、複数の微細粒子で散乱された光により、表示装置１０００の光の取り出し効率が向上され得、そのため、低電力で表示装置１０００を駆動することができる。

表示領域ＡＡにおいて、第２電極ＣＥ２、第１光学層１１７ａ、第３光学層１１７ｃ及び、第２光学層１１７ｂ上に、ブラックマトリックスＢＭが配置され得る。例えば、ブラックマトリックスＢＭは、第３光学層１１７ｃのコンタクトホールを満たすことができる。ブラックマトリックスＢＭは、表示領域ＡＡを覆うように構成されるので、複数のサブ画素の光の混色及び外光反射を低減することができる。例えば、ブラックマトリックスＢＭは、第２電極ＣＥ２とコンタクト電極ＣＣＥとが連結されるコンタクトホール内にも配置されるので、隣り合う複数のサブ画素間の光漏れを防止することができる。

例えば、ブラックマトリックスＢＭは、不透明な物質から構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、ブラックマトリックスＢＭは、黒色顔料又は黒色染料が添加された有機絶縁物質であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

表示領域ＡＡにおいて、ブラックマトリックスＢＭ上に、カバー層１１８が配置され得る。カバー層１１８は、カバー層１１８の下の構成を保護することができる、例えば、カバー層１１８は、有機絶縁物質から構成し得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、カバー層１１８は、アクリル樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリフェニレン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ ｒｅｓｉｓｔ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、又はフォトアクリル（Ｐｈｏｔｏ ａｃｒｙｌ）系物質などから構成され得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。例えば、カバー層１１８は、オーバーコーティング層又は絶縁層などであり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

カバー層１１８上に、第１接着層２９１を媒介として偏光層２９３が配置され得る。偏光層２９３上には、第２接着層２９５を媒介としてカバー部材１２０が配置され得る。例えば、第１接着層２９１及び第２接着層２９５は、光学接着剤（ＯＣＡ；Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ）、光学レジン（ＯＣＲ：Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ ｃｌｅａｒ ｒｅｓｉｎ）、又は減圧接着剤（ＰＳＡ：Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ａｄｈｅｓｉｖｅ）などを含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

本発明によれば、第２非表示領域ＮＡ２において、第３絶縁層１１５ｃ上に、複数のパッド電極ＰＥが配置され得る。例えば、複数のパッド電極ＰＥの少なくとも一部分は、パッシベーション層１１６から露出され得る。例えば、複数のパッド電極ＰＥは、第３絶縁層１１５ｃのコンタクトホールを通じて、第２－４の連結配線１２２ｄに電気的に連結され得、さらに第２絶縁層１１５bのコンタクトホールを通じて、第２－３の連結配線１２２ｃと電気的に連結され、さらに第１絶縁層１１５ａのコンタクトホールを通じて、第２－２の連結配線１２２ｂと電気的に連結され、さらに第３保護層１１４のコンタクトホールを通じて、第２－１の連結配線１２２ａと電気的に連結され得る。

複数のパッド電極ＰＥ上に、接着層ＡＣＦが配置され得る。接着層ＡＣＦは、絶縁物質に導電ボールが分散された接着層であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。接着層ＡＣＦに熱又は圧力が加えられる場合、熱又は圧力が加えられた部分で導電ボールが電気的に連結されて、導電特性を持つことができる。複数のパッド電極ＰＥと軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢとの間に、接着層ＡＣＦを配置して、複数のパッド電極ＰＥに軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢを貼り付けるかポンディングすることができる。例えば、接着層ＡＣＦは、異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ、ＡＣＦ）であり得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

接着層ＡＣＦ上に、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢが配置され得る。軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢは、接着層ＡＣＦを通じて、複数のパッド電極ＰＥに電気的に連結され得る。したがって、軟性回路基板（又はフレキシブルフィルム）ＣＢ及び印刷回路基板から出力された信号は、複数のパッド電極ＰＥ、第２－４の連結配線１２２ｄ、第２－３の連結配線１２２ｃ、第２－２の連結配線１２２ｂ及び、第２－１の連結配線１２２ａを通じて、表示領域ＡＡのピクセルドライバＰＤへ伝達され得る。

図１３乃至図１６は、本発明の実施例による表示装置が適用された装置を示す図である。

図１３乃至図１６を参照すれば、本発明の実施例による表示装置１０００は、様々な装置又は電子装置に組み込まれることができる。例えば、図１３乃至図１６を参照すれば、様々な電子装置は、ウェアラブルデバイス１１００、モバイルデバイス１２００、ノート型パソコン１３００及び、モニター又はテレビ１４００を含み得るが、本発明の実施例はこれに限定されない。

ウェアラブルデバイス１１００、モバイルデバイス１２００、ノート型パソコン１３００及び、モニター又はテレビ１４００のそれぞれは、筐体部１００５、１０１０、１０１５、１０２０及び、上述した本発明の実施例による表示パネル１００ならびに、表示装置１０００を含むことができる。

例えば、本発明の実施例による表示装置は、モバイルデバイス、ビデオ電話機、 スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）、ウォッチフォン（ｗａｔｃｈ ｐｈｏｎｅ）、ウェアラブル機器（ｗｅａｒａｂｌｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、フォルダブル機器（ｆｏｌｄａｂｌｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、ローラブル機器（ｒｏｌｌａｂｌｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、ベンダブル機器（ｂｅｎｄａｂｌｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、フレキシブル機器（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、カーブド機器（ｃｕｒｖｅｄ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、スライディング機器（ｓｌｉｄｉｎｇ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、可変型機器（ｖａｒｉａｂｌｅ ａｐｐａｒａｔｕｓ）、電子手帳、電子ブック、ＰＭＰ（ｐｏｒｔａｂｌｅ ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ ｐｌａｙｅｒ）、ＰＤＡ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ＭＰ３プレーヤー、モバイル医療機器、デスクトップパソコン（ｄｅｓｋｔｏｐ ＰＣ）、ラップトップパソコン（ｌａｐｔｏｐ ＰＣ）、ネットブックパソコン（ｎｅｔｂｏｏｋ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、ワークステーション（ｗｏｒｋｓｔａｔｉｏｎ）、ナビゲーション、車載用表示装置、劇場用表示装置、テレビ、ウォールペーパー（ｗａｌｌｐａｐｅｒ）機器、サイネージ（ｓｉｇｎａｇｅ）機器、ゲーム機器、ノート型パソコン、モニター、カメラ、カムコーダ及び、家電機器等に適用可能である。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルは、下記のように説明可能である。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルは、表示領域内に配置されるＮ＊Ｍ（Ｎ、Ｍのそれぞれは、２以上の正の整数）個の第１画素に連結された第１共通電極、表示領域内に配置されるＮ＊Ｍ個の第２画素に連結された第２共通電極、及び、表示領域内に配置されて、第１画素と第２画素にピクセルデータを書き込み、第１共通電極と第２共通電極に電圧を供給する第１ピクセルドライバを含むことができる。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１ピクセルドライバは、第１画素及び第２画素とそれぞれ複数の連結配線を通じて電気的に連結され、第１共通電極及び第２共通電極とそれぞれ複数の連結配線を通じて電気的に連結され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、連結配線は、複数の絶縁層の間で表示パネルの高さ方向のＺ軸方向において互いに異なる高さにて配置され、連結配線のそれぞれは、絶縁層に配置されたコンタクトホールを通じて互いに電気的に連結され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１ピクセルドライバは、第１共通電極及び第２共通電極の間に重畳して配置され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１ピクセルドライバは、第１画素及び第２画素のうちの一部と重畳して配置され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、連結配線と第１共通電極及び第２共通電極のそれぞれは、コンタクト電極を通じて電気的に連結されることができる。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１共通電極及び第２共通電極はそれぞれ、第１タッチブロック及び第２タッチブロックを含み得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルは、表示領域内に配置されるＮ＊Ｍ個の第３画素に連結された第３共通電極、表示領域内に配置されるＮ＊Ｍ個の第４画素に連結された第４共通電極、及び、第３画素と第４画素にピクセルデータを書き込み、第３共通電極と第４共通電極に電圧を供給する第２ピクセルドライバをさらに含み、第２ピクセルドライバは第１ピクセルドライバに隣り合って配置され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、画素は複数のサブ画素を含み、サブ画素は第１波長帯域の光を発光する第１発光素子、第２波長帯域の光を発光する第２発光素子、及び、第３波長帯域の光を発光する第３発光素子を含み得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１発光素子は、アノード電極、アノード電極上に配置された第１半導体層、第１半導体層上に配置された活性層、前記活性層上に配置された第２半導体層、及び、第２半導体層上に配置されたカソード電極を含み得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１発光素子は、垂直型構造を有し得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１電極とアノード電極との間に配置されたはんだパターンをさらに含み、第１電極とアノード電極とは、はんだパターンにより共晶接合（Ｅｕｔｅｃｔｉｃ Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気的に連結され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１発光素子は、マイクロ発光ダイオードであり得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１発光素子と第２発光素子及び第３発光素子は、実質的に同一の構造に配置され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子は、１つの画素でそれぞれメイン発光素子とメイン発光素子と同じ波長の光を発光するリダンダンシー（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）発光素子を含み得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、メイン発光素子とリダンダンシー発光素子とは、同じバンク上に配置され得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、ピクセルドライバは、マイクロドライバを含み得る。

本発明の１つ以上の実施例によるインセルタッチ表示パネルにおいて、前記共通電極から受信された電圧に基づいてタッチ入力をセンシングするインセルタッチ表示パネルの駆動方法を含み得る。

以上より添付の図面を参照して本発明の実施例をさらに詳細に説明してきたが、本発明は必ずしもこのような実施例に局限されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で様々に変形して実施可能である。

したがって、本発明に開示された実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく示すものであり、このような実施例によって本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。

それゆえに、以上で記述した実施例は、あらゆる面で例示的なものと理解され、限定的ではないものと理解されるべきものである。

本発明の保護範囲は、請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等な範囲内にあるあらゆる技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されるべきであろう。

１００：表示パネル
１００５、１０１０、１０１５、１０２０：筐体部
１１０：基板
１１２：接着層
１１４：第３保護層
１１６：パッシベーション層
１１８：カバー層
１２０：カバー部材
１２１：複数の第１連結配線
１２２：複数の第２連結配線
１３０：第１発光素子
１３０、１４０、１５０：発光素子
１３１：第１半導体層
１３２：活性層
１３３：第２半導体層
１３４：アノード電極
１３５：カソード電極
１３６：封止膜
１４０：第２発光素子
１５０：第３発光素子
１６０：印刷回路基板
１８０：ホール
２９１：第１接着層
２９３：偏光層
２９５：接着層
ＡＡ：表示領域
ＡＣＦ：接着層
Ａｇ：銀
Ａｌ：アルミニウム
Ａｕ：金
ＢＡ：ベンディング領域
ＢＭ：ブラックマトリックス
ＢＮＫ：バンク
Ｂａ：バリウム
Ｂｅ：ベリリウム
ＣＢ：軟性回路基板
ＣＣＥ：コンタクト電極
ＣＥ１：第１電極
ＣＥ２：第２電極
Ｃａ：カルシウム
Ｃｒ：クロム
Ｃｕ：銅
Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４：ディスプレイ期間
ＥＤ：発光素子
ＥＭ：発光信号
ＰＤ：ピクセルドライバ
ＳＤＰ：はんだパターン
ＳＰ：複数のサブ画素
ＳＰ１：第１サブ画素
ＳＰ２：第２サブ画素
ＳＰ３：第３サブ画素
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４：タッチセンシング期間
ＴＤＲ：駆動トランジスタ
ＴＥＭ：発光トランジスタ
ＴＧ：タッチグループ
ＴＬ：信号配線
ＴＬ１：第１信号配線
ＴＬ２：第２信号配線
ＴＬ３：第３信号配線
ＴＬ４：第４信号配線
ＴＬ５：第５信号配線
ＴＬ６：第６信号配線
Ｔｅ：テルル
Ｔｉ：チタン
ＶＤＤ：高電位の電源電圧
ＶＬ：駆動配線
Ｗ：タングステン
Ｘ：第１方向
Ｙ：第２方向
Ｚｎ：亜鉛

Claims (17)

1. 表示領域内に配置された第１画素に連結された、第１共通電極、
   前記表示領域内に配置された第２画素に連結された、第２共通電極、
   前記表示領域内に配置されて、前記第１画素と前記第２画素にピクセルデータを書き込み、前記第１共通電極と前記第２共通電極に電圧又は信号を供給する、第１ピクセルドライバ、及び、
   前記第１ピクセルドライバを、前記第１画素及び前記第２画素に電気的に連結し、且つ前記第１共通電極及び前記第２共通電極に電気的に連結する、複数の連結配線を含む、表示パネル。
2. 前記複数の連結配線は、複数の絶縁層の間で互いに異なる高さに位置しており、
   前記複数の連結配線は、前記複数の絶縁層に配置された複数のコンタクトホールを通じて互いに電気的に連結される、請求項１に記載の表示パネル。
3. 表示領域内に配置された第１画素に連結された、第１共通電極、
   前記表示領域内に配置された第２画素に連結された、第２共通電極、及び、
   前記表示領域内に配置されて、前記第１画素と前記第２画素にピクセルデータを書き込み、前記第１共通電極と前記第２共通電極に電圧又は信号を供給する、第１ピクセルドライバを含み、
   前記第１ピクセルドライバは、前記第１共通電極及び前記第２共通電極と重畳する、表示パネル。
4. 表示領域内に配置された第１画素に連結された、第１共通電極、
   前記表示領域内に配置された第２画素に連結された、第２共通電極、及び、
   前記表示領域内に配置されて、前記第１画素と前記第２画素にピクセルデータを書き込み、前記第１共通電極と前記第２共通電極に電圧又は信号を供給する、第１ピクセルドライバを含み、
   前記第１ピクセルドライバは、前記第１画素のうちの一部及び前記第２画素のうちの一部と重畳する、表示パネル。
5. 前記第１共通電極及び前記第２共通電極のそれぞれを、前記複数の連結配線と電気的に連結する、複数のコンタクト電極をさらに含む、請求項１に記載の表示パネル。
6. 前記第１共通電極は、タッチを感知する第１タッチブロックを含み、前記第２共通電極は、タッチを感知する第２タッチブロックを含む、請求項１に記載の表示パネル。
7. 表示領域内に配置された第１画素に連結された、第１共通電極、
   前記表示領域内に配置された第２画素に連結された、第２共通電極、
   前記表示領域内に配置されて、前記第１画素と前記第２画素にピクセルデータを書き込み、前記第１共通電極と前記第２共通電極に電圧又は信号を供給する、第１ピクセルドライバ、
   前記表示領域内に配置された第３画素に連結された、第３共通電極、
   前記表示領域内に配置された第４画素に連結された、第４共通電極、及び、
   前記第３画素と前記第４画素にピクセルデータを書き込み、前記第３共通電極と前記第４共通電極に電圧又は信号を供給する、第２ピクセルドライバを含み、
   前記第２ピクセルドライバは、前記表示領域内で前記第１ピクセルドライバに隣り合って配置される、表示パネル。
8. 表示パネルであって、
   表示領域内に配置された第１画素に連結された、第１共通電極、
   前記表示領域内に配置された第２画素に連結された、第２共通電極、及び、
   前記表示領域内に配置されて、前記第１画素と前記第２画素にピクセルデータを書き込み、前記第１共通電極と前記第２共通電極に電圧又は信号を供給する、第１ピクセルドライバを含み、
   前記第１画素及び前記第２画素のそれぞれは、複数のサブ画素を含み、
   前記サブ画素は、
   第１波長帯域の光を発光する第１発光素子、
   第２波長帯域の光を発光する第２発光素子、及び、
   第３波長帯域の光を発光する第３発光素子を含み、
   前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子はそれぞれ、メイン発光素子と、前記メイン発光素子と同じ波長の光を発光するリダンダンシー（Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ）発光素子とを含み、
   前記表示パネルは、複数のバンクをさらに含み、
   前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子それぞれの前記メイン発光素子と前記リダンダンシー発光素子は、前記バンク上に配置されている、表示パネル。
9. 前記第１発光素子は、
   アノード電極、
   前記アノード電極上に配置された第１半導体層、
   前記第１半導体層上に配置された活性層、
   前記活性層上に配置された第２半導体層、及び、
   前記第２半導体層上に配置されたカソード電極を含む、請求項８に記載の表示パネル。
10. 前記第１発光素子は、垂直型構造を有する、請求項９に記載の表示パネル。
11. 前記第１発光素子は、
    前記アノード電極の下に配置されたはんだパターンをさらに含み、
    前記はんだパターンと前記第１半導体層との間にある前記アノード電極は、前記はんだパターンに電気的に連結された、請求項９に記載の表示パネル。
12. 前記第１発光素子は、マイクロ発光ダイオードである、請求項９に記載の表示パネル。
13. 前記第１発光素子、前記第２発光素子及び前記第３発光素子は、同一の構造を有する、請求項９に記載の表示パネル。
14. 表示領域内に配置された第１画素に連結された、第１共通電極、
    前記表示領域内に配置された第２画素に連結された、第２共通電極、及び、
    前記表示領域内に配置されて、前記第１画素と前記第２画素にピクセルデータを書き込み、前記第１共通電極と前記第２共通電極に電圧又は信号を供給する、第１ピクセルドライバを含み、
    前記第１ピクセルドライバは、マイクロドライバを含む、表示パネル。
15. 表示領域内に配置された第１画素に連結された、第１共通電極、
    前記表示領域内に配置された第２画素に連結された、第２共通電極、
    前記表示領域内に配置されて、前記第１画素と前記第２画素にピクセルデータを書き込み、前記第１共通電極と前記第２共通電極に電圧又は信号を供給する、第１ピクセルドライバ、
    前記第１共通電極に連結された、第１コンタクト電極、
    前記第２共通電極に連結された、第２コンタクト電極、及び、
    前記第１コンタクト電極と前記第２コンタクト電極との間に配置された通信配線を含む、表示パネル。
16. 前記アノード電極上に配置されたパッシベーション層、及び、
    前記アノード電極に配置された導電層をさらに含み、
    前記導電層は、前記パッシベーション層と接触する表面を含む、請求項９に記載の表示パネル。
17. イメージを表示する表示領域内に配置された複数の画素、
    各々が複数のタッチグループを含む、複数のタッチユニット、及び、
    ピクセルドライバを含み、
    各タッチユニットの前記複数のタッチグループは、前記複数の画素のうち前記タッチユニットの第１画素に連結された第１共通電極を含む、第１タッチグループと、前記複数の画素のうち前記タッチユニットの第２画素に連結されるが、前記タッチユニットの前記第１画素には連結されない第２共通電極を含む、第２タッチグループとを含み、
    前記ピクセルドライバは、第１タッチ期間中に、前記複数のタッチユニットそれぞれの前記第１タッチグループに配置された前記第１共通電極へタッチ駆動信号を出力しながら、前記第１タッチ期間中に、前記複数のタッチユニットそれぞれに配置される前記第２タッチグループの前記第２共通電極へ共通電圧を出力し、前記複数のタッチユニットそれぞれの前記第２画素が、前記第１タッチ期間中にイメージを表示する、表示装置。