JP7851764B2 - Plasma mask and plasma treatment method - Google Patents
Plasma mask and plasma treatment methodInfo
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Description
本発明は、処理対象物の表面コート層に対して改質及び除去の少なくとも一方を行うプラズマ処理に関する。 This invention relates to a plasma treatment process that modifies and removes at least one of the surface coating layers of an object to be treated.
ナビゲーション装置、オーディオ装置、テレビ受信装置等を操作するために用いられる表示装置が車両に搭載される。 A display device used to operate the navigation system, audio system, television receiver, etc., is installed in the vehicle.
従来、車両に搭載される表示装置では、音量調整用等のエンコーダー部品がベゼルに配置されていた(例えば特許文献1参照)。ベゼルを有する表示装置では、図1に示す部分断面図のように、エンコーダー部品101は、ベゼル102に対向して配置される回路基板103に半田104によって接続される。 Conventionally, in display devices mounted on vehicles, encoder components for volume control, etc., were located on the bezel (see, for example, Patent Document 1). In a display device with a bezel, as shown in the partial cross-sectional view in Figure 1, the encoder component 101 is connected to a circuit board 103, which is positioned opposite the bezel 102, by solder 104.
しかし、車両に搭載される表示装置では、近年、静電タッチパネルである表示パネルを搭載し、ベゼルを有さない構成が主流である。ベゼルを有さない表示装置では、例えば、図2に示す部分断面図のように、エンコーダー部品201は、静電タッチパネル202Bを含む表示パネル202の表面に接着剤203によって固定される。なお、エンコーダー部品201には、例えば、エンコーダー部品201と他の部品との電気的接続を確立するために用いられるFPC(Flexible Printed Circuits)が接続される。 However, in recent years, the mainstream configuration for display devices mounted on vehicles has been one that incorporates a display panel that is an electrostatic touch panel and does not have a bezel. In a bezel-less display device, for example, as shown in the partial cross-sectional view in Figure 2, the encoder component 201 is fixed to the surface of the display panel 202, which includes the electrostatic touch panel 202B, by adhesive 203. Furthermore, a Flexible Printed Circuit (FPC), used to establish an electrical connection between the encoder component 201 and other components, is connected to the encoder component 201.
表示パネル202は、静電タッチパネル202B以外に、液晶層202A、反射防止用樹脂層202C、ガラス202D、及び表面コート層202Eを含む。ガラス202Dの表面には化学強化処理が施されている。表面コート層202Eの一例としては、例えばAG(Anti-Glare)層、AR(Anti-Reflective)層、及びAFP(Anti-Finger Print)層がガラス202Dに近い側からAG層、AR層、及びAFP層の順で積層された構造体を挙げることができる。 The display panel 202 includes, in addition to the electrostatic touch panel 202B, a liquid crystal layer 202A, an anti-reflective resin layer 202C, glass 202D, and a surface coating layer 202E. The surface of the glass 202D is chemically strengthened. An example of the surface coating layer 202E is a structure in which an AG (Anti-Glare) layer, an AR (Anti-Reflective) layer, and an AFP (Anti-Finger Print) layer are laminated in the order of AG layer, AR layer, and AFP layer from the side closest to the glass 202D.
静電タッチパネルを含む表示パネルの表面には、指紋付着を防止する表面コート層が設けられている。表面コート層は、接着剤がつかない成分で構成されている。したがって、接着剤をつける部位では、表面コート層を取り除く必要がある。 The surface of display panels, including electrostatic touch panels, is coated with a surface coating layer to prevent fingerprint adhesion. This surface coating layer is composed of components that do not adhere to adhesives. Therefore, the surface coating layer must be removed in areas where adhesives will be applied.
表面コート層を取り除く方法としては、表面コート層を形成する際に表示パネルの表面を部分的にマスキングする方法が考えられる。しかしながら、表面コート層を形成する際に表示パネルの表面を部分的にマスキングする方法を採用した場合、コストが大幅に増加してしまう。 One possible method for removing the surface coating layer is to partially mask the surface of the display panel during the formation of the surface coating layer. However, adopting this method would significantly increase costs.
そのため、コスト低減の観点から、接着剤をつける部位の表面コート層を接着前にプラズマ処理で改質する方法を採用することが望ましい。 Therefore, from the perspective of cost reduction, it is desirable to adopt a method of modifying the surface coating layer of the area to be bonded with adhesive using plasma treatment before bonding.
プラズマ処理ではプラズマを処理対象物に照射すると、熱が発生する。したがって、プラズマを処理対象物に長時間照射すると、処理対象物が破損するおそれがある。 In plasma processing, heat is generated when plasma is irradiated onto the object being processed. Therefore, prolonged exposure to plasma may damage the object.
例えばABS樹脂のような一般的な処理対象物であれば短時間のプラズマ照射で表面改質が可能である。しかしながら、表面コート層のように表面改質に高エネルギーが必要となる場合、長時間のプラズマ照射が必要になり、処理対象物の高温化を回避できない。そのため、処理対象物が破損しないように、プラズマ照射を複数回に分けて実施し、処理対象物の温度を下げる時間を設ける必要が生じて、生産性が低下するという問題がある。 For example, surface modification is possible with short-duration plasma irradiation for common materials such as ABS resin. However, when high energy is required for surface modification, such as for surface coating layers, prolonged plasma irradiation is necessary, making it impossible to avoid high temperatures on the material being treated. Therefore, to prevent damage to the material, it becomes necessary to perform plasma irradiation in multiple stages, allowing time for the material's temperature to cool down, which leads to a decrease in productivity.
本発明は、上記課題に鑑みて、処理対象物を破損させることなく且つ短時間で、処理対象物の表面(例えば処理対象物の表面コート層)に対して改質及び除去の少なくとも一方を行うことを可能とするプラズマ処理用マスクおよび当該プラズマ処理用マスクを用いたプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, the present invention aims to provide a plasma treatment mask and a plasma treatment method using the plasma treatment mask that enable at least one of modification and removal of a surface (e.g., the surface coating layer of the object to be treated) to an object to be treated without damaging the object and in a short time.
例示的な本発明のプラズマ処理用マスクは、処理対象物のプラズマ処理領域に対応した開口部と、冷却用気体を流すための流路と、を備える。前記流路の流出口は、前記開口部に連通される。 An exemplary plasma processing mask of the present invention comprises an opening corresponding to the plasma processing area of the object to be processed, and a flow path for circulating a cooling gas. The outlet of the flow path communicates with the opening.
例示的な本発明によると、処理対象物を破損させることなく且つ短時間で、処理対象物の表面(例えば処理対象物の表面コート層)に対して改質及び除去の少なくとも一方を行うことが可能となる。 According to an exemplary version of the present invention, it is possible to perform at least one of modification and removal on the surface of an object to be treated (e.g., the surface coating layer of the object to be treated) in a short time without damaging the object.
以下、本発明の例示的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
<第1実施形態>
図3は、第1実施形態に係るプラズマ処理用マスクの上面図である。図4は、図3に示すAA切断面で切断した場合の第1実施形態に係るプラズマ処理用マスクの断面図である。
<First Embodiment>
Figure 3 is a top view of the plasma processing mask according to the first embodiment. Figure 4 is a cross-sectional view of the plasma processing mask according to the first embodiment when cut along the AA cross-section shown in Figure 3.
本実施形態のプラズマ処理用マスク1は、第1熱伝導部材2と、第2熱伝導部材3と、ライナー4と、を備える。 The plasma processing mask 1 of this embodiment comprises a first heat conductive member 2, a second heat conductive member 3, and a liner 4.
第1熱伝導部材2及び第2熱伝導部材3の材質は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金などの熱伝導率が高い金属とする。これにより、処理対象物から熱を効率よく逃がすことができる。 The materials of the first heat conduction member 2 and the second heat conduction member 3 are metals with high thermal conductivity, such as aluminum, aluminum alloys, copper, and copper alloys. This allows for efficient heat dissipation from the object being processed.
ライナー4の材質は、適度な柔軟性をもつウレタン、シリコーン等のゴム系樹脂材とする。これより、プラズマ処理用マスク1との接触によって処理対象物に傷がつくことが防止でき、且つ、処理対象物との密着性を向上させプラズマが漏れだすことが防止できる。なお、ライナー4として用いられるゴム系樹脂材には、アルミナ等の熱伝導フィラーが混合されていることが望ましい。熱伝導フィラーが混合されていると、処理対象物からの熱を効率よくライナー4を介して第2熱伝導部材3に伝導することができる。 The liner 4 is made of a rubber-based resin material such as urethane or silicone, which has appropriate flexibility. This prevents damage to the object being processed due to contact with the plasma processing mask 1, and improves adhesion to the object, preventing plasma leakage. It is desirable that the rubber-based resin material used as the liner 4 contains a heat-conducting filler such as alumina. The presence of a heat-conducting filler allows for efficient transfer of heat from the object being processed to the second heat-conducting member 3 via the liner 4.
プラズマ処理用マスク1は、第1熱伝導部材2、第2熱伝導部材3、及びライナー4が上下方向に積層された構造である。さらに、プラズマ処理用マスク1は、処理対象物のプラズマ処理領域に対応した開口部5を備える。 The plasma processing mask 1 has a structure in which a first heat conductive member 2, a second heat conductive member 3, and a liner 4 are stacked in the vertical direction. Furthermore, the plasma processing mask 1 is provided with an opening 5 corresponding to the plasma processing area of the object to be processed.
開口部5は、処理対象物として円筒状部材を想定しているため、上面視でC型形状の開口である。なお、開口部5の形状は、C型形状に限定されることはなく、処理対象物の形状に合わせて適切な形状にすればよい。 Since the opening 5 is assumed to be a cylindrical member to be processed, it has a C-shape when viewed from above. However, the shape of the opening 5 is not limited to a C-shape; it can be made into an appropriate shape according to the shape of the object to be processed.
また、第1熱伝導部材2及び第2熱伝導部材3が上下方向に積層されることで、第1熱伝導部材2及び第2熱伝導部材3それぞれに設けられた溝によって2つの流路6及び7がプラズマ処理用マスク1に形成される。すなわち、プラズマ処理用マスク1は、流路6及び7を備える。流路6及び7は、冷却用気体を流すための流路である。冷却用気体としては、例えば空気を挙げることができる。ただし、冷却用気体は、空気以外の気体であってもよい。 Furthermore, by stacking the first heat conductive member 2 and the second heat conductive member 3 in the vertical direction, two flow channels 6 and 7 are formed in the plasma processing mask 1 by grooves provided in the first heat conductive member 2 and the second heat conductive member 3, respectively. That is, the plasma processing mask 1 includes flow channels 6 and 7. Flow channels 6 and 7 are for flowing a cooling gas. For example, air can be used as the cooling gas. However, the cooling gas may be a gas other than air.
本実施形態とは異なり流路を単数とすることも可能であるが、本実施形態のように流路を複数設けることで、処理対象物のプラズマ処理領域が広範である場合でも処理対象物全体の温度分布を抑えた冷却が可能となる。なお、流路を複数設ける場合、流路の個数は、2個に限定されることはなく、3個以上であってもよい。 Unlike this embodiment, it is possible to have only one flow path. However, by providing multiple flow paths as in this embodiment, it becomes possible to cool the entire object while suppressing the temperature distribution, even when the plasma processing area of the object is extensive. Note that when providing multiple flow paths, the number of flow paths is not limited to two; it may be three or more.
流路6の流出口61及び流路7の流出口71は、開口部5に連通される。これにより、流路6の流入口62及び流路7の流入口72に冷却用気体を導入することによって、冷却用気体が開口部5に吹き出される。この冷却用気体によって処理対象物の温度上昇が抑制される。したがって、プラズマ処理用マスク1を用いることで、処理対象物を破損させることなく且つ短時間で、処理対象物の表面コート層に対して改質及び除去の少なくとも一方を行うことが可能となる。 The outlet 61 of channel 6 and the outlet 71 of channel 7 are connected to the opening 5. This allows cooling gas to be introduced into the inlets 62 of channel 6 and 72 of channel 7, causing the cooling gas to be blown out of the opening 5. This cooling gas suppresses the temperature rise of the object being treated. Therefore, by using the plasma treatment mask 1, it is possible to modify and remove at least one of the surface coating layers of the object being treated in a short time without damaging it.
プラズマ処理用マスク1では、流路6に段差部63が設けられており、流路7に段差部73が設けられている。段差部63によって流出口61を上下方向の所望位置に配置することが容易になり、段差部73によって流出口71を上下方向の所望位置に配置することが容易になる。 In the plasma processing mask 1, a stepped portion 63 is provided in the flow path 6, and a stepped portion 73 is provided in the flow path 7. The stepped portion 63 facilitates the positioning of the outlet 61 at a desired vertical position, and the stepped portion 73 also facilitates the positioning of the outlet 71 at a desired vertical position.
プラズマ処理用マスク1では、流出口61及び71の上下方向位置を処理対象物の近傍にしている。これにより、冷却用気体の吹き付けによる処理対象物の冷却が効率よく行われる。 In the plasma processing mask 1, the vertical positions of the outlets 61 and 71 are positioned near the object being processed. This allows for efficient cooling of the object being processed by blowing cooling gas.
第2熱伝導部材3は、ヒートシンク8を備える。すなわち、プラズマ処理用マスク1は、ヒートシンク8を備える。ヒートシンク8は、処理対象物に発生する熱を大気中に放出させる。ヒートシンク8によって処理対象物の温度上昇がより一層抑制される。 The second heat conduction member 3 includes a heat sink 8. That is, the plasma processing mask 1 includes a heat sink 8. The heat sink 8 releases the heat generated by the object being processed into the atmosphere. The heat sink 8 further suppresses the temperature rise of the object being processed.
プラズマ処理用マスク1では、開口部5の一部が流出口61とヒートシンク8との間に位置し、開口部5の一部が流出口71とヒートシンク8との間に位置する。このような配置によって、冷却用気体は、処理対象物の冷却のみならずヒートシンク8の冷却にも寄与する。したがって、冷却用気体の効率的な利用が可能となる。 In the plasma processing mask 1, a portion of the opening 5 is located between the outlet 61 and the heat sink 8, and another portion of the opening 5 is located between the outlet 71 and the heat sink 8. This arrangement allows the cooling gas to contribute not only to the cooling of the object being processed but also to the cooling of the heat sink 8. Therefore, efficient utilization of the cooling gas becomes possible.
次に、プラズマ処理用マスク1を用いたプラズマ処理方法について説明する。図5は、プラズマ処理用マスク1を用いたプラズマ処理方法の概略を示すフローチャートである。 Next, we will explain the plasma treatment method using the plasma treatment mask 1. Figure 5 is a flowchart illustrating the schematic of the plasma treatment method using the plasma treatment mask 1.
まず初めに、作業者がプラズマ処理用マスク1を処理対象物9に設置する(ステップS1)。プラズマ処理用マスク1の処理対象物9への設置が完了すると、プラズマ処理用マスク1及び処理対象物9は図6に示す状態になる。処理対象物9は、例えば、表面コート層9Eを含む表示パネルである。表面コート層9Eを含む表示パネルの一例としては、液晶層9A、静電タッチパネル9B、反射防止用樹脂層9C、ガラス9D、及び表面コート層9Eが順に積層された表示パネルを挙げることができる。ガラス9Dの表面には化学強化処理が施されている。表面コート層9Eの一例としては、例えばAG層、AR層、及びAFP層がガラス9Dに近い側からAG層、AR層、及びAFP層の順で積層された構造体を挙げることができる。 First, the operator places the plasma treatment mask 1 on the object to be treated 9 (step S1). Once the plasma treatment mask 1 is placed on the object to be treated 9, the plasma treatment mask 1 and the object to be treated 9 will be in the state shown in Figure 6. The object to be treated 9 is, for example, a display panel including a surface coating layer 9E. An example of a display panel including a surface coating layer 9E is a display panel in which a liquid crystal layer 9A, an electrostatic touch panel 9B, an anti-reflective resin layer 9C, glass 9D, and the surface coating layer 9E are laminated in that order. The surface of the glass 9D is chemically strengthened. An example of a surface coating layer 9E is a structure in which an AG layer, an AR layer, and an AFP layer are laminated in the order of AG layer, AR layer, and AFP layer from the side closest to the glass 9D.
ステップS1に続くステップS2において、図7に示すようにプラズマヘッドP1から処理対象物9のプラズマ処理領域にプラズマP2が照射される。プラズマヘッドP1は、プラズマ照射装置に設けられる。プラズマ処理用マスク1のように、第1熱伝導部材2及び第2熱伝導部材3の側面よりもライナー4の側面が処理対象物9のプラズマ処理領域から遠ざかる形状とすることで、第1熱伝導部材2及び第2熱伝導部材3の側面と処理対象物9のプラズマ処理領域の外縁との一致度を高めることができる。一方、プラズマ処理用マスク1とは異なり、第1熱伝導部材2及び第2熱伝導部材3の側面とライナー4の側面とが面一になる形状とした場合、第1熱伝導部材2及び第2熱伝導部材3の側面近傍ではプラズマが弱くなってしまい、プラズマによって処理対象物9の表面が改質も除去もされなくなってしまう。 In step S2, following step S1, plasma P2 is irradiated from the plasma head P1 onto the plasma processing area of the object to be processed 9, as shown in Figure 7. The plasma head P1 is provided in the plasma irradiation device. As with the plasma processing mask 1, by shaping the liner 4 so that its side surface is further away from the plasma processing area of the object to be processed 9 than the side surfaces of the first heat conductive member 2 and the second heat conductive member 3, the degree of alignment between the side surfaces of the first heat conductive member 2 and the second heat conductive member 3 and the outer edge of the plasma processing area of the object to be processed 9 can be increased. On the other hand, unlike the plasma processing mask 1, if the side surfaces of the first heat conductive member 2 and the second heat conductive member 3 and the side surface of the liner 4 are flush, the plasma will weaken near the side surfaces of the first heat conductive member 2 and the second heat conductive member 3, and the surface of the object to be processed 9 will neither be modified nor removed by the plasma.
プラズマヘッドP1のプラズマ噴出口はcのプラズマ処理領域よりも小さいため、図8に示すように開口部5の円弧に沿った移動方向D1でプラズマヘッドP1を移動させる。 Since the plasma outlet of the plasma head P1 is smaller than the plasma processing area c, the plasma head P1 is moved in the direction D1 along the arc of the opening 5, as shown in Figure 8.
ステップS2に続くステップS3において、プラズマの照射回数が設定値に到達したかがプラズマ照射装置によって判定される。プラズマの照射回数が設定値に到達した場合、一連のプラズマ処理が終了する。 In step S3, following step S2, the plasma irradiation device determines whether the number of plasma irradiations has reached the set value. If the number of plasma irradiations reaches the set value, the series of plasma processing steps ends.
一方、プラズマの照射回数が設定値に到達していない場合、ステップS4に移行し、図9に示すように、流入口62から導入された冷却用気体が流れ方向D2に沿って移動して流出口61からが吹き出され、流入口72から導入された冷却用気体が流れ方向D3に沿って移動して流出口71からが吹き出される。その結果、冷却用気体によって処理対象物9が空冷される。 On the other hand, if the number of plasma irradiations has not reached the set value, the process proceeds to step S4. As shown in Figure 9, the cooling gas introduced from inlet 62 moves along the flow direction D2 and is blown out from outlet 61, and the cooling gas introduced from inlet 72 moves along the flow direction D3 and is blown out from outlet 71. As a result, the object to be processed 9 is air-cooled by the cooling gas.
冷却用気体は、設定された流量で流入口62及び72に導入される。そして、設定された冷却時間が経過すると、ステップS4の空冷を終了し、ステップS2に戻る。 The cooling gas is introduced into inlets 62 and 72 at a set flow rate. Once the set cooling time has elapsed, the air cooling in step S4 is terminated, and the process returns to step S2.
例えば、処理対象物9が図2に示す構成の或る表示パネルである場合、プラズマヘッドP1の移動速度を50mm/秒、プラズマの照射回数を4回にすることで、所望の接着性を担保できるプラズマ処理が実現できる。 For example, if the object to be processed 9 is a display panel with the configuration shown in Figure 2, plasma processing that ensures the desired adhesion can be achieved by setting the movement speed of the plasma head P1 to 50 mm/second and the number of plasma irradiations to four.
図10A及び図10Bは、空冷が有る場合の処理対象物9の温度特性T1と空冷が無い場合の処理対象物9の温度特性T2とを示す図である。図10Aは、一連のプラズマ処理を同じ処理時間で実施すると、空冷が無い場合は処理対象物9の温度が許容範囲を超えて上がりすぎる例を示している。図10Bは、処理対象物9の温度が許容範囲を超えないようにしようとすると、空冷が無い場合に一連のプラズマ処理に時間がかかりすぎる例を示している。図10Bに示す例では、空冷が有る場合は、空冷が無い場合に比べて、一連のプラズマ処理に要する時間を短縮できている。 Figures 10A and 10B show the temperature characteristics T1 of the object 9 being processed with air cooling and T2 of the object 9 being processed without air cooling. Figure 10A shows an example where, when a series of plasma treatments are performed for the same processing time, the temperature of the object 9 rises excessively beyond the acceptable range when air cooling is absent. Figure 10B shows an example where, in order to prevent the temperature of the object 9 from exceeding the acceptable range, the series of plasma treatments takes too long when air cooling is absent. In the example shown in Figure 10B, the time required for the series of plasma treatments can be shortened when air cooling is present compared to when air cooling is absent.
処理対象物9の種類によってプラズマの最適な照射回数は異なる。したがって、プラズマ処理用マスク1を用いたプラズマ処理方法では、処理対象物9に応じてプラズマの照射回数を変更することが望ましい。 The optimal number of plasma irradiations varies depending on the type of object 9 being treated. Therefore, in a plasma treatment method using the plasma treatment mask 1, it is desirable to change the number of plasma irradiations according to the object 9 being treated.
また、図11に示すように、冷却用気体の供給時間(冷却時間)及び冷却用気体の流量によって処理対象物9のピーク温度が変わる。したがって、プラズマ処理用マスク1を用いたプラズマ処理方法では、要求される処理時間に応じて、却用気体の供給時間(冷却時間)及び冷却用気体の流量を変更することが望ましい。なお、要求される処理時間は、例えば生産状況によって変化する。 Furthermore, as shown in Figure 11, the peak temperature of the object being processed 9 changes depending on the supply time (cooling time) and the flow rate of the cooling gas. Therefore, in the plasma processing method using the plasma processing mask 1, it is desirable to change the supply time (cooling time) and the flow rate of the cooling gas according to the required processing time. Note that the required processing time may vary depending on, for example, the production situation.
<第2実施形態>
図12は、第2実施形態に係るプラズマ処理用マスクの上面図である。図13は、図12に示すAA切断面で切断した場合の第2実施形態に係るプラズマ処理用マスクの断面図である。
<Second Embodiment>
Figure 12 is a top view of a plasma processing mask according to the second embodiment. Figure 13 is a cross-sectional view of the plasma processing mask according to the second embodiment when cut along the AA cross-section shown in Figure 12.
本実施形態のプラズマ処理用マスク10において、第1実施形態のプラズマ処理用マスク1と同一の部分には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。 In the plasma processing mask 10 of this embodiment, the same reference numerals are used for parts identical to those in the plasma processing mask 1 of the first embodiment, and detailed descriptions are omitted.
本実施形態のプラズマ処理用マスク10は、第1実施形態のプラズマ処理用マスク1と比較して、流路6及び7の形状と、ヒートシンク8のフィンの向きとが異なる。 The plasma processing mask 10 of this embodiment differs from the plasma processing mask 1 of the first embodiment in the shape of the flow channels 6 and 7 and the orientation of the fins of the heat sink 8.
プラズマ処理用マスク10では、流路6に段差部63が設けられており、流路7に段差部73が設けられている。段差部63によって流出口61を上下方向の所望位置に配置することが容易になり、段差部73によって流出口71を上下方向の所望位置に配置することが容易になる。 In the plasma processing mask 10, a stepped portion 63 is provided in the flow path 6, and a stepped portion 73 is provided in the flow path 7. The stepped portion 63 facilitates the positioning of the outlet 61 at a desired vertical position, and the stepped portion 73 also facilitates the positioning of the outlet 71 at a desired vertical position.
プラズマ処理用マスク10では、流出口61及び71の上下方向位置をヒートシンク8のフィン間に形成される溝の対向位置にしている。これにより、冷却用気体の吹き付けによってヒートシンク8の放熱能力が向上する。 In the plasma processing mask 10, the vertical positions of the outlets 61 and 71 are positioned opposite the grooves formed between the fins of the heat sink 8. This improves the heat dissipation capacity of the heat sink 8 through the blowing of cooling gas.
さらに、プラズマ処理用マスク10では、ヒートシンク8の複数のフィンが、流出口61及び71からの冷却用気体の流出方向に沿って延びている。これにより、冷却用気体がヒートシンク8のフィン間に形成される溝に入り込み易くなるので、ヒートシンク8の放熱能力がより一層向上する。 Furthermore, in the plasma processing mask 10, the multiple fins of the heat sink 8 extend along the direction of the cooling gas outflow from the outlets 61 and 71. This allows the cooling gas to easily enter the grooves formed between the fins of the heat sink 8, further improving the heat dissipation capacity of the heat sink 8.
プラズマ処理用マスク10を用いたプラズマ処理方法は、プラズマ処理用マスク1を用いたプラズマ処理方法と同様であるため、説明を省略する。 The plasma treatment method using the plasma treatment mask 10 is the same as the plasma treatment method using the plasma treatment mask 1, therefore, the explanation is omitted.
<留意事項>
本明細書の、発明を実施するための形態に開示される種々の技術的特徴は、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。また、本明細書の、発明を実施するための形態に開示される複数の実施形態および変形例は可能な範囲で組み合わせて実施されてよい。
<Notes>
The various technical features disclosed in the embodiments for carrying out the invention as described herein can be modified in various ways without departing from the spirit of the technical creation. Furthermore, the multiple embodiments and modifications disclosed in the embodiments for carrying out the invention as described herein may be combined to the extent possible.
1、10 プラズマ処理用マスク
2 第1熱伝導部材
3 第2熱伝導部材
4 ライナー
5 開口部
6、7 流路
61、71 流出口
62、72 流入口
63、73 段差部
8 ヒートシンク
9 処理対象物
9A 液晶層
9B 静電タッチパネル
9C 反射防止用樹脂層
9D ガラス
9E 表面コート層
P1 プラズマヘッド
P2 プラズマ
1, 10 Plasma processing mask 2 First heat conductive member 3 Second heat conductive member 4 Liner 5 Opening 6, 7 Flow channels 61, 71 Outlet 62, 72 Inlet 63, 73 Stepped section 8 Heat sink 9 Object to be processed 9A Liquid crystal layer 9B Electrostatic touch panel 9C Anti-reflective resin layer 9D Glass 9E Surface coating layer P1 Plasma head P2 Plasma
Claims (9)
冷却用気体を流すための流路と、を備え、
前記処理対象物は、表面コート層を含む表示パネルであり、
前記流路の流出口は、前記開口部に連通される、プラズマ処理用マスク。 An opening corresponding to the plasma processing area of the object to be processed,
It is equipped with a flow path for circulating cooling gas,
The object to be processed is a display panel including a surface coating layer.
The outlet of the flow path is a plasma processing mask that communicates with the opening.
冷却用気体を流すための流路と、を備え、
前記流路に段差部が設けられ、
前記流路の流出口は、前記開口部に連通される、プラズマ処理用マスク。 An opening corresponding to the plasma processing area of the object to be processed,
It is equipped with a flow path for circulating cooling gas,
A stepped portion is provided in the aforementioned flow path.
The outlet of the flow path is a plasma processing mask that communicates with the opening.
冷却用気体を流すための流路と、
ヒートシンクと、を備え、
前記流路の流出口は、前記開口部に連通される、プラズマ処理用マスク。 An opening corresponding to the plasma processing area of the object to be processed,
A passage for flowing cooling gas,
Equipped with a heatsink ,
The outlet of the flow path is a plasma processing mask that communicates with the opening.
前記複数のフィンは、前記流出口からの前記冷却用気体の流出方向に沿って延びる、請求項4に記載のプラズマ処理用マスク。 The heat sink is equipped with multiple fins,
The plasma processing mask according to claim 4 , wherein the plurality of fins extend along the direction of outflow of the cooling gas from the outlet.
前記プラズマ処理領域にプラズマを照射する工程と、
を備える、プラズマ処理方法。 A step of placing the plasma processing mask described in any one of claims 1 to 6 on the object to be processed,
The process of irradiating the plasma processing area with plasma,
A plasma treatment method comprising the following features.
量を変更する、請求項7又は請求項8に記載のプラズマ処理方法。
The plasma processing method according to claim 7 or claim 8 , wherein the supply time and flow rate of the cooling gas supplied to the flow path are changed according to the required processing time.
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