JPS5811648B2 - Denatsu Dentatsu Cairo - Google Patents
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- JPS5811648B2 JPS5811648B2 JP11926375A JP11926375A JPS5811648B2 JP S5811648 B2 JPS5811648 B2 JP S5811648B2 JP 11926375 A JP11926375 A JP 11926375A JP 11926375 A JP11926375 A JP 11926375A JP S5811648 B2 JPS5811648 B2 JP S5811648B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は定電圧をそのまま所望部位に伝達することので
きる電圧伝達回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a voltage transmission circuit that can transmit a constant voltage to a desired location as it is.
定電圧回路をIC(集積回路)で構成しようとする時に
は、温度の変化によってその定電圧が変化しないように
することが要求される。When a constant voltage circuit is constructed using an IC (integrated circuit), it is required to prevent the constant voltage from changing due to changes in temperature.
一般汎用のダイオード(シリコンダイオード)の温度特
性は第1図の特性曲線の如くで、例えば2、3 m V
/℃という負の温度特性を示す。The temperature characteristics of a general-purpose diode (silicon diode) are as shown in the characteristic curve in Figure 1, for example, 2 to 3 mV.
/°C, which is a negative temperature characteristic.
一方、ツェナーダイオードの温度特性は第2図の特性曲
線の如くであり、例えば+2.3 mV/℃という正の
温度特性を示す。On the other hand, the temperature characteristic of a Zener diode is as shown in the characteristic curve of FIG. 2, and exhibits a positive temperature characteristic of, for example, +2.3 mV/°C.
尚、第1図は温度をパラメータにしたダイオードの電圧
−電流特性曲線図、第2図は温度をパラメータにしたツ
ェナーダイオードの電圧−電流特性曲線図であり、T1
℃、T2℃、T3℃は夫々温度を示し、T、 。Incidentally, Fig. 1 is a voltage-current characteristic curve diagram of a diode with temperature as a parameter, and Fig. 2 is a voltage-current characteristic curve diagram of a Zener diode with temperature as a parameter.
℃, T2℃, and T3℃ indicate the temperature, respectively.
C> T2’C> T3℃の関係にある。The relationship is C> T2'C> T3°C.
そこで、第3図に示す如く、ダイオードD1及びツェナ
ーダイオードDZを直列に接続し、この直列回路に抵抗
器R8を介して電源子Bよりの直流電圧を印加すること
により、電圧−電流特性が温度の変化に影響されない即
ち、温度特性を有しない定電圧回路SPを得ることがで
きることが知られている。Therefore, as shown in FIG. 3, by connecting the diode D1 and the Zener diode DZ in series and applying the DC voltage from the power supply element B to this series circuit through the resistor R8, the voltage-current characteristics are It is known that it is possible to obtain a constant voltage circuit SP that is not affected by changes in , that is, has no temperature characteristics.
この定電圧回路SPでは、抵抗器R8とダイオードD1
との接続中点から導出された出力端子t1及び接地
間に温度特性を有しない定電圧出力■sが得られる。In this constant voltage circuit SP, resistor R8 and diode D1
A constant voltage output ■s having no temperature characteristics between the output terminal t1 derived from the midpoint of the connection with the ground and the ground is obtained.
ところが、一般にICではあまり多くの電流を流すこと
は好ましくなく、このような定電圧回路SPにおいても
同様のことが言える。However, in general, it is not preferable to allow too much current to flow in an IC, and the same can be said for such a constant voltage circuit SP.
又、特にこのような定電圧回路SPでは、抵抗器R8の
値を大きくする程電源電圧に含まれるノイズ成分の除去
効果が向上する。Further, particularly in such a constant voltage circuit SP, the larger the value of the resistor R8, the more effective the removal of noise components contained in the power supply voltage becomes.
従って、抵抗器R8は比較的抵抗値の犬なるものが使用
されなければならない。Therefore, a resistor R8 of relatively high resistance must be used.
さて、このような定電圧回路SPを一つのICに設け、
この定電圧回路SPを他のICの定電圧回路として共用
しようとする場合、この定電圧回路SPの出力端子を直
接他のICの定電圧入力端子に接続すると、定電圧回路
SPの抵抗器R8の抵抗値が太きいために電力(電流)
があまり取れないこととなる。Now, by providing such a constant voltage circuit SP in one IC,
When this constant voltage circuit SP is to be shared as a constant voltage circuit for another IC, if the output terminal of this constant voltage circuit SP is directly connected to the constant voltage input terminal of the other IC, the resistor R8 of the constant voltage circuit SP Power (current) due to the large resistance value of
This means that you won't be able to get much.
斯かる点に鑑み、本発明は定電圧回路からの定電圧をこ
の定電圧回路から大きな電流を取り出さずして温度特性
を零にして伝達することか出来ると共に、犬なる電力(
電流)を取り出すことのできる電圧伝達回路を提案せん
とするものである。In view of these points, the present invention is capable of transmitting a constant voltage from a constant voltage circuit without drawing a large current from the constant voltage circuit with zero temperature characteristics, and also reduces the amount of electric power (
The purpose of this paper is to propose a voltage transmission circuit that can extract current.
以下に、図面を参照して本発明をその実施例につき詳細
に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
先ず第4図において、第1の実施例を説明する。First, referring to FIG. 4, a first embodiment will be described.
向、この第4図において、第3図と対応する部分には同
一符号を附して説明する。4, parts corresponding to those in FIG. 3 will be described with the same reference numerals.
第4図において1及び2は夫々別個のIC(モノリシッ
ク)を示し、この場合にはIC1に第3図と同様の定電
圧回路SPが設けられている。In FIG. 4, 1 and 2 indicate separate ICs (monolithic), and in this case, the IC 1 is provided with a constant voltage circuit SP similar to that in FIG. 3.
この定電圧回路SPは第3図と同様な構成なので、その
説明は省略するが、IC1に定電圧を供給すると共に、
他のIC2にも定電圧を供給し、特にIC2にこの定電
圧の供給される本発明による電圧伝達回路VTが設けら
れているものである。This constant voltage circuit SP has a configuration similar to that shown in FIG. 3, so its explanation will be omitted, but it supplies constant voltage to IC1, and
A voltage transmission circuit VT according to the present invention is provided which supplies a constant voltage to other IC2 as well, and in particular to IC2.
IC1には定電圧回路SPに関連して端子t1、t2及
びt3が設けられている。The IC1 is provided with terminals t1, t2, and t3 in connection with the constant voltage circuit SP.
端子t1 は抵抗器R8とダイオードD1及びツェナー
ダイオードDZの直列回路との接続中点より導出される
。Terminal t1 is derived from the connection midpoint between resistor R8 and the series circuit of diode D1 and Zener diode DZ.
この端子t1にはツェナーダイオードD7.より発生す
るホワイトノイズ側路用のコンデンサCPが接地との間
に外付けされている。This terminal t1 has a Zener diode D7. A capacitor CP for bypassing white noise generated by this is externally connected between the ground and the ground.
端子t2は電源子Bより導出されている。The terminal t2 is led out from the power supply element B.
端子t3は接地されている。IC2には上述の端子t1
、t2及びt3に夫々接続される端子t5、t7及びt
6が設けられている。Terminal t3 is grounded. IC2 has the above-mentioned terminal t1.
, t2 and t3, respectively, terminals t5, t7 and t
6 is provided.
次に、電圧伝達回路VTについて説明する。Next, the voltage transfer circuit VT will be explained.
定電圧回路SPの定電圧出力端子t0が第1の定電流用
トランジスタQ1 のコレクタ・エミッタ間ヲ通じて接
地される。A constant voltage output terminal t0 of the constant voltage circuit SP is grounded through the collector-emitter of the first constant current transistor Q1.
即ち、トランジスタQ1 のコレクタが端子t5 に接
続され、エミッタが抵抗器R5介して端子t6に接続さ
れる。That is, the collector of transistor Q1 is connected to terminal t5, and the emitter is connected to terminal t6 via resistor R5.
トランジスタQ1のベースにはコレクタ及びベースが直
接接続されたダイオード構成のトランジスタQ2のベー
スが接続されると共にトランジスタQ3のベースが接続
され、これ等トランジスタQ1、Q2及びQ3にてカレ
ントミラーC1が構成される。The base of the transistor Q1 is connected to the base of a transistor Q2 having a diode configuration in which the collector and base are directly connected, and also to the base of a transistor Q3, and these transistors Q1, Q2, and Q3 form a current mirror C1. Ru.
トランジスタQ2及びQ3のエミッタは抵抗器R6及び
R7を介して接地され、トランジスタQ2のコレクタは
抵抗器R1を通じてt7に接続されている。The emitters of transistors Q2 and Q3 are grounded through resistors R6 and R7, and the collector of transistor Q2 is connected to t7 through resistor R1.
−更に、この定電圧出力端子t1がダイオードD2を通
じて、このダイオードD2 と温度特性の等しいインピ
ーダンス変換用トランジスタQ6のベースに接続される
。-Furthermore, this constant voltage output terminal t1 is connected through a diode D2 to the base of an impedance conversion transistor Q6 having the same temperature characteristics as this diode D2.
このトランジスタQ6は高入力インピーダンス及び低出
力インピーダンスを有するとされるエミツクホロア形電
力増巾器を構成するものであって、そのエミッタが負荷
抵抗器R2を通じて接地されると共にそのエミッタより
定電圧出力端子t4が導出され、更にそのコレクタが端
子t7、t2を介して電源子Bに接続される。This transistor Q6 constitutes an emitter follower type power amplifier that is said to have high input impedance and low output impedance, and its emitter is grounded through a load resistor R2 and is connected to a constant voltage output terminal t4. is derived, and its collector is further connected to power source B via terminals t7 and t2.
トランジスタQ6のベースが第2の定電流用トランジス
タQ5のコレクタ・エミッタ間を通じて抵抗器R4及び
端子t7、t2を介して電源子Bに接続される。The base of the transistor Q6 is connected to the power supply element B via the resistor R4 and terminals t7 and t2 between the collector and emitter of the second constant current transistor Q5.
トランジスタQ5のベースにはコレクタ・ベース間が接
続されたトランジスタQ4のベースが接続され、カレン
]・ミラー回路C2が構成される。The base of the transistor Q4 whose collector and base are connected is connected to the base of the transistor Q5, thereby forming a Karen mirror circuit C2.
トランジスタQ4のエミッタは抵抗器R3を介して端子
t7に接続される。The emitter of transistor Q4 is connected to terminal t7 via resistor R3.
上述のカレントミラー回路C1はそのベースがトランジ
スタQ2のベースに接続されたトランジスタQ3が設け
られていて、トランジスタQ4のコレクタがトランジス
タQ3のコレクタに接続される。The current mirror circuit C1 described above is provided with a transistor Q3 whose base is connected to the base of the transistor Q2, and the collector of the transistor Q4 is connected to the collector of the transistor Q3.
トランジスタQ3のエミッタは抵抗器R7を介して接地
されている。The emitter of transistor Q3 is grounded via resistor R7.
ここで抵抗器R3乃至R7の値は夫々等しく成されてい
る。Here, the values of the resistors R3 to R7 are made equal.
そして、第1及び第2の定電流用トランジスタQ1、Q
5の定電流がほぼ等しくなされると共に、ダイオードD
2の順方向降下電圧とトランジスタQ6のベース・エミ
ッタ間電圧とが互に等しくなるように上述の定電流の値
が設定される。The first and second constant current transistors Q1 and Q
5 are made almost equal, and the diode D
The value of the above-mentioned constant current is set so that the forward drop voltage of transistor Q2 and the base-emitter voltage of transistor Q6 are equal to each other.
次に、この第4図における電圧伝達回路VTの動作を第
5図の等価回路をも参照して説明する。Next, the operation of the voltage transfer circuit VT in FIG. 4 will be explained with reference also to the equivalent circuit in FIG. 5.
第5図において3は第1の定電流用トランジスタQ1に
相当する定電流回路を示し、4は第2の定電流用トラン
ジスタQ5に相当する定電流回路を示し、これ等には夫
々等しい定電流■。In FIG. 5, 3 indicates a constant current circuit corresponding to the first constant current transistor Q1, and 4 indicates a constant current circuit corresponding to the second constant current transistor Q5. ■.
が流れる。定電圧回路SPの端子t1、t3間に得られ
た定電圧は、コンデンサCPによってそのツェナーダイ
オードより発生するホワイトノイズが除去された状態で
IC2の端子t6、t6を介して電圧伝達回路VTに供
給される。flows. The constant voltage obtained between the terminals t1 and t3 of the constant voltage circuit SP is supplied to the voltage transmission circuit VT via the terminals t6 and t6 of IC2, with the white noise generated from the Zener diode removed by the capacitor CP. be done.
ダイオードD2には、その順方向降下電圧がトランジス
タQ6のベース・工ミッタ間電圧と等しくなるように定
電流回路3゜4によって定電流■。A constant current is applied to the diode D2 by a constant current circuit 3.4 so that its forward voltage drop is equal to the base-emitter voltage of the transistor Q6.
が流される。又、ダイオードD2とトランジスタQ6と
は同じICの中に作られていて、その温度特性、特にダ
イオードD2の順方向降下電圧及びトランジスタQ6の
ベース・エミッタ間電圧の温度特性か等しくなされてい
る。is washed away. Furthermore, the diode D2 and the transistor Q6 are formed in the same IC, and their temperature characteristics, especially the forward drop voltage of the diode D2 and the temperature characteristics of the base-emitter voltage of the transistor Q6, are made equal.
そこで、ダイオードD1、D2の両端の電圧をVD、
(−〇、7V )、VD2 (=0.7V)、ツェナー
ダイオードDZの両端の電圧を■DZ(−5,5V)ト
ランジスタQ6のベース・エミッタ間電圧を■be6(
−0,7■)とすれば、出力端子t4に導出される出力
電圧■t4は次のけ)式で表わされる。Therefore, the voltage across the diodes D1 and D2 is VD,
(-〇, 7V), VD2 (=0.7V), the voltage across the Zener diode DZ is ■DZ (-5, 5V), the voltage between the base and emitter of transistor Q6 is ■be6 (
-0,7), the output voltage t4 derived to the output terminal t4 is expressed by the following equation.
■t4−■D1+■DZ+■D2−Vbo6−■。■t4-■D1+■DZ+■D2-Vbo6-■.
t+VI)z(= 6.2V ) ・・・・・・・
・・(1)即ち、出力端子t4に生じる電圧Vt4はI
C1の端子t、に生じる電圧■t1に等しくなる。t+VI)z(=6.2V) ・・・・・・・・・
...(1) That is, the voltage Vt4 generated at the output terminal t4 is I
The voltage generated at the terminal t of C1 becomes equal to t1.
又、上述したようにダイオードD2とトランジスタQ6
との温度特性を等しくしているので、温度変化によって
出力電圧Vt4が変化することはない。Also, as mentioned above, the diode D2 and the transistor Q6
Since the temperature characteristics are the same as that of the output voltage Vt4, the output voltage Vt4 does not change due to temperature changes.
第4図の回路の特徴を述べると次の如くとなる。The characteristics of the circuit shown in FIG. 4 are as follows.
即ち、IC1の定電圧出力端子t1に生じる定電圧をI
C2の出力端子t4にトランジスタ等の素子の温度特性
に影響されずにそのまま伝達することができる。That is, the constant voltage generated at the constant voltage output terminal t1 of IC1 is
The signal can be directly transmitted to the output terminal t4 of C2 without being affected by the temperature characteristics of elements such as transistors.
トランジスタQ6はエミッタホロア形増巾器を構成して
いるので、その入力インピーダンスが大きいことにより
定電圧回路SPから多くの電流を取出さなくてすみ、そ
の出力インピーダンスが小さいから出力端子t4からは
大きな出力電力(出力電流)を取り出すことができる。Since the transistor Q6 constitutes an emitter follower type amplifier, its large input impedance eliminates the need to draw a large amount of current from the constant voltage circuit SP, and its small output impedance allows a large output from the output terminal t4. Electric power (output current) can be extracted.
第1及び第2の定電流用トランジスタQ1及びQ2のコ
レクタ・エミッタ間は高インピーダンスを呈するので、
電圧伝達回路VTの入力インピーダンスは、トランジス
タQ6にて構成されるエミッタホロア形増巾器の入力イ
ンピーダンスで決まり上述したように高入力インピーダ
ンスを呈する。Since the collector-emitter of the first and second constant current transistors Q1 and Q2 exhibits high impedance,
The input impedance of the voltage transfer circuit VT is determined by the input impedance of the emitter follower type amplifier constituted by the transistor Q6, and exhibits a high input impedance as described above.
端子D1と接地との間にコンデンサCPを接続すること
により、IC1内のツェナーダイオードDZで発生する
ホワイトノイズをバイパスして除去しているが、この端
子t1を利用してIC1からIC2へ電圧を伝達するこ
とができる。By connecting a capacitor CP between the terminal D1 and the ground, the white noise generated by the Zener diode DZ in IC1 is bypassed and removed, but this terminal t1 is used to transfer the voltage from IC1 to IC2. can be transmitted.
次に第6図を参照して本発明の他の実施例を説明しよう
。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
第6図において第4図と対応する部分には同一符号を付
して重複説明を省略する。In FIG. 6, parts corresponding to those in FIG. 4 are designated by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.
本例においては第4図におけるダイオードD2及びイン
ピーダンス変換用トランジスタQ6を夫々同じ個数のダ
ーリントン接続された複数のトランジスタ、本例では夫
々2つのトランジスタにて構成する。In this example, the diode D2 and the impedance converting transistor Q6 shown in FIG. 4 are each constituted by the same number of Darlington-connected transistors, and in this example, each is constituted by two transistors.
即ち、ダイオードD2はダーリントン接続されたトラン
ジスタQ7及びQ8から構成されている。That is, the diode D2 is composed of transistors Q7 and Q8 connected in a Darlington manner.
トランジスタQ6はダーリントン接続されたトランジス
タQ9及びQ10から構成されている。Transistor Q6 is composed of transistors Q9 and Q10 connected in a Darlington manner.
尚、トランジスタQ6のエミッタに接続された負荷とし
ては、そのベースがトランジスタQ2のベースに接続さ
れた定電流用トランジスタQ11にて構成し、そのコレ
クタをトランジスタQ1oのエミッタに接続すると共に
これより出力端子t4を導出する。The load connected to the emitter of the transistor Q6 is composed of a constant current transistor Q11 whose base is connected to the base of the transistor Q2, whose collector is connected to the emitter of the transistor Q1o, and from which the output terminal is connected. Derive t4.
次にダーリントン接続されたトランジスタQ9、Q、Q
より成るトランジスタQ6の温度特性の補償について考
察する。Next, Darlington connected transistors Q9, Q, Q
Consider compensation for the temperature characteristics of transistor Q6.
トランジスタQg 、Q 1 oの夫々のペースエミッ
タ間電圧を■be9、■be1o1トランジスタQ9、
QIOの夫々のコレクク電流をIC9、■c1o1トラ
ンジスタQ0、Q、Oのコレクク飽和電流を■sa□9
、■sa□lQi 電子の電荷を91ボルツマン定数を
に1温度をTとすると、トランジス” Q9のベースと
トランジスタQtoのエミッタとの間の電圧Vbeoは
次の(2)式で表わされる。The respective pace-emitter voltages of transistors Qg and Q1o are expressed as ■be9, ■be1o1 transistor Q9,
The collector current of each QIO is IC9, and the collector saturation current of ■c1o1 transistors Q0, Q, and O is ■sa□9
, ■sa□lQi When the electron charge is 91 and the Boltzmann constant is 1 and the temperature is T, the voltage Vbeo between the base of transistor Q9 and the emitter of transistor Qto is expressed by the following equation (2).
■beO−■be9+■be10 (2)式より■beoは■。■beO-■be9+■be10 From formula (2), ■beo is ■.
9 、■CIOに依存することが理解される。9. ■It is understood that it depends on the CIO.
よって■1)eoの温度特性を補償するには■。Therefore, ■1) To compensate for the temperature characteristics of eo.
9、■o1oと夫々等しいコレクク電流が流れる。9.■ A collector current equal to o1o flows.
2つのトランジスタより成るダーリントン接続回路を設
ける必要がある。A Darlington connection circuit consisting of two transistors must be provided.
即ち、ダーリントン接続したトランジスタQ9、Qlo
の温度特性を補償するために、トランジスタQ、とQ8
との温度特性及びトランジスタQ10 、Q7との温度
特性を夫夫揃えるようにする。That is, Darlington connected transistors Q9 and Qlo
Transistors Q and Q8 are used to compensate for the temperature characteristics of
The temperature characteristics of the transistors Q10 and Q7 are made to be the same as that of the transistors Q10 and Q7.
この第6図の回路に於て、ダイ万一ドD0の両端の電圧
を■。In the circuit of FIG. 6, if the voltage across the diode D0 is .
いツエナイダーDZの両端ノミ圧を■DZ1トランジス
タQ8のベースとトランジスタQ、のエミッタとの間の
電圧を■beo1 トランジスタQ、のベースとトラン
ジスタQIOのエミッタとの間の電圧を■beoとする
と、出力端子t4に生じる電圧■t4 は(3)式のよ
うに表わせる。If the pressure across the Zenider DZ is ``DZ1'', the voltage between the base of transistor Q8 and the emitter of transistor Q is ``beo1'', and the voltage between the base of transistor Q and the emitter of transistor QIO is ``beo'', then the output is The voltage ■t4 generated at the terminal t4 can be expressed as in equation (3).
■ −■ ′+■o、十■D□−■5e。■ −■ ′+■o, 10■D□−■5e.
t4 beO
・・・・・・・・・(3)
ここで上述したようにVbeo′−■booと成してい
るから、■14は次の(4)式のように表わせる。t4 beO (3) Here, as mentioned above, since Vbeo'-■boo is established, ■14 can be expressed as in the following equation (4).
vt4−vD1+VDZ ……………(4)
即ち、出力端子t4に生じる電圧■14はブロック(1
)の端子t、に生じる電圧■11に等しい。vt4-vD1+VDZ ……………(4)
That is, the voltage ■14 generated at the output terminal t4 is the block (1
) is equal to the voltage ■11 occurring at the terminal t.
又、上述したようにトランジスタQ9、Qloの温度特
性による影響をトランジスタQ8、Q7で補償している
ので、この電圧■14はトランジスタ等の素子の温度特
性に影響されない。Further, as described above, since the influence of the temperature characteristics of the transistors Q9 and Qlo is compensated by the transistors Q8 and Q7, this voltage 14 is not affected by the temperature characteristics of elements such as transistors.
従って、第6図に示す回路の特徴を述べると次の如くと
なる。Therefore, the characteristics of the circuit shown in FIG. 6 can be described as follows.
ICIの定電圧出力端子t1に生じる電圧をIC2の出
力端子t4にトランジスタ等の素子の温度特性に影響さ
れずに伝達することができる。The voltage generated at the constant voltage output terminal t1 of the ICI can be transmitted to the output terminal t4 of the IC2 without being affected by the temperature characteristics of elements such as transistors.
トランジスタQ6はダーリントン接続された複数のトラ
ンジスタから構成されているので、トランジスタQ9、
Qloより成るエミツクホロア増1]器の入力インピー
ダンスは一層大きくなる。Since the transistor Q6 is composed of a plurality of transistors connected in a Darlington connection, the transistors Q9,
The input impedance of the emitter follower multiplier consisting of Qlo becomes larger.
従って定電圧回路SPより流れ出す電流は一層小さくす
ることができる。Therefore, the current flowing out from the constant voltage circuit SP can be further reduced.
IC1の定電圧出力端子t、に生じる電圧をIC2の出
力端子t4にトランジスタ等の素子の温度特性に影響さ
れずに伝達することができる。The voltage generated at the constant voltage output terminal t of IC1 can be transmitted to the output terminal t4 of IC2 without being affected by the temperature characteristics of elements such as transistors.
トランジスタQ6はダーリントン接続された複数の1ヘ
ランジスタから構成されているので、トランジスタQ0
、Qloより成るエミッタホロア形増巾器の入力インピ
ーダンスは一層大きくなる。Transistor Q6 is composed of a plurality of Darlington-connected one-herald transistors, so transistor Q0
, Qlo, the input impedance of the emitter-follower amplifier is even larger.
従って、定電圧回路SPより流れ出す電流は一層小さく
することができる。Therefore, the current flowing out from the constant voltage circuit SP can be further reduced.
上述せる本発明電圧伝達回路によれば、定電圧回路より
の定電圧をダイオードを介してこのダイオードと温度特
性の等しいインピーダンス変換用トランジスタに供給す
ると共に、ダイオードの順方向降下電圧とインピーダン
ス変換用トランジスタのベース・エミッタ間電圧とを定
電流回路を用いて等しくするようにしているので、定電
圧回路よりの定電圧をこの定電圧回路から大きな電流を
取り出さずして温度特性を零にして伝達できると共に犬
なる電力(電流)を取り出すことができる。According to the above-described voltage transfer circuit of the present invention, the constant voltage from the constant voltage circuit is supplied via the diode to the impedance conversion transistor having the same temperature characteristics as the diode, and the forward drop voltage of the diode and the impedance conversion transistor are Since the voltage between the base and emitter of the constant voltage circuit is equalized using a constant current circuit, the constant voltage from the constant voltage circuit can be transmitted with zero temperature characteristics without drawing a large current from the constant voltage circuit. At the same time, electric power (current) can be extracted.
更に、上述のダイオード及びインピーダンス変換用トラ
ンジスタを夫々同じ個数のダーリントン接続された複数
のトランジスタにて構成したから電圧伝達回路の入力イ
ンピーダンスが一層大きくなり、定電圧回路から取り出
す電流を一層小さくすることができる。Furthermore, since the above-mentioned diodes and impedance conversion transistors are each composed of a plurality of Darlington-connected transistors of the same number, the input impedance of the voltage transmission circuit becomes even larger, and the current extracted from the constant voltage circuit can be further reduced. can.
尚、上述のダイ万一ド及びインピーダンス変換用トラン
ジスタを夫々構成するダーリントン接続されたトランジ
スタの個数は3個以上でもよい。Note that the number of Darlington-connected transistors constituting the above-mentioned diode and impedance conversion transistor may be three or more.
上述に於ては、ダイオードD1とツェナーダイオードD
Zの両端に得られた定電圧の伝送について述べたが、こ
の電圧が変化できる任意の電圧であっても入力端子t4
と出力端子t5との間では電圧の伝送が可能であるので
、本発明は一般的な電圧の伝送路にも適用することがで
きる。In the above, the diode D1 and the Zener diode D
Although we have described the transmission of a constant voltage obtained across Z, even if this voltage is any voltage that can be varied, the input terminal t4
Since voltage can be transmitted between the output terminal t5 and the output terminal t5, the present invention can also be applied to a general voltage transmission path.
第1図はダイオードの温度特性を示す特性曲線図、第2
図はツェナーダイオードの温度特性を示す特性曲線図、
第3図は従来の定電圧回路を示す回路図、第4図は本発
明の一実施例を示す回路図、第5図は第4図の等価回路
図、第6図は本発明の他の実施例を示す回路図である。
SPは定電圧回路、tlは定電圧出力端子、t4は出力
端子、Ql は第1の定電流用トランジスタ、Q5は第
2の定電流用トランジスタ、Q6はインピーダンス変換
用トランジスタN Q7とQ8及びQ。
とQ、0はダーリントン接続されたトランジスタ、VT
は電圧伝達回路である。Figure 1 is a characteristic curve diagram showing the temperature characteristics of the diode, Figure 2 is a characteristic curve diagram showing the temperature characteristics of the diode.
The figure is a characteristic curve diagram showing the temperature characteristics of a Zener diode.
Fig. 3 is a circuit diagram showing a conventional constant voltage circuit, Fig. 4 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 5 is an equivalent circuit diagram of Fig. 4, and Fig. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention. FIG. 2 is a circuit diagram showing an example. SP is a constant voltage circuit, tl is a constant voltage output terminal, t4 is an output terminal, Ql is a first constant current transistor, Q5 is a second constant current transistor, Q6 is an impedance conversion transistor N, Q7, Q8, and Q . and Q, 0 is a Darlington connected transistor, VT
is a voltage transfer circuit.
Claims (1)
ンジスタのコレクタ・エミッタ間を通じて接地されると
共に、ダイオードを通じて該ダイオードと温度特性の等
しいインピーダンス変換用トランジスタのベースに接続
され、上記インピーダンス変換用トランジスタのベース
が第2の定電流用トランジスタのコレクタ・エミッタ間
を通じて上記電源に接続され、上記インピーダンス変換
用トランジスタのコレクタが上記電源に接続されると共
にそのエミッタより出力端子が導出され、上記第1及び
第2の定電流用トランジスタの定電流がほぼ等しくなさ
れると共に上記ダイオードの順方向降下電圧と上記イン
ピーダンス変換用トランジスタのベース・エミッタ間電
圧とが互いに等しくなるように上記定電流の値が選定さ
れ、上記定電圧出力端子の定電圧と等しい定電圧が上記
出力端子に得られるようにしたことを特徴とする電圧伝
達回路。 2 上記特許請求の範囲第1項の発明に於て、上記ダイ
オード及び上記インピーダンス変換用トランジスタを夫
々同じ個数のダーリントン接続された複数のトランジス
タにて構成したことを特徴とする電圧伝達回路。[Claims] 1. The constant voltage output terminal of the constant voltage circuit is grounded through the collector-emitter of the first constant current transistor, and is also connected to the base of the impedance conversion transistor having the same temperature characteristics as the diode through the diode. The base of the impedance conversion transistor is connected to the power supply through the collector-emitter of the second constant current transistor, the collector of the impedance conversion transistor is connected to the power supply, and the output terminal is connected to the emitter of the impedance conversion transistor. is derived so that the constant currents of the first and second constant current transistors are approximately equal, and the forward drop voltage of the diode and the base-emitter voltage of the impedance conversion transistor are equal to each other. A voltage transfer circuit characterized in that the value of the constant current is selected so that a constant voltage equal to the constant voltage of the constant voltage output terminal is obtained at the output terminal. 2. The voltage transfer circuit according to claim 1, wherein the diode and the impedance converting transistor are each made up of a plurality of Darlington-connected transistors of the same number.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11926375A JPS5811648B2 (en) | 1975-10-02 | 1975-10-02 | Denatsu Dentatsu Cairo |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11926375A JPS5811648B2 (en) | 1975-10-02 | 1975-10-02 | Denatsu Dentatsu Cairo |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5243966A JPS5243966A (en) | 1977-04-06 |
| JPS5811648B2 true JPS5811648B2 (en) | 1983-03-04 |
Family
ID=14756998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11926375A Expired JPS5811648B2 (en) | 1975-10-02 | 1975-10-02 | Denatsu Dentatsu Cairo |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811648B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5525922A (en) * | 1978-08-12 | 1980-02-25 | Omron Tateisi Electronics Co | Proximity switch circuit |
-
1975
- 1975-10-02 JP JP11926375A patent/JPS5811648B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5243966A (en) | 1977-04-06 |
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