JPS5815966B2 - マイクロ波集積回路化方向性結合器 - Google Patents
マイクロ波集積回路化方向性結合器Info
- Publication number
- JPS5815966B2 JPS5815966B2 JP53034221A JP3422178A JPS5815966B2 JP S5815966 B2 JPS5815966 B2 JP S5815966B2 JP 53034221 A JP53034221 A JP 53034221A JP 3422178 A JP3422178 A JP 3422178A JP S5815966 B2 JPS5815966 B2 JP S5815966B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slot
- line
- circular
- cavity
- integrated circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
- H01P5/22—Hybrid ring junctions
- H01P5/227—90° branch line couplers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
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- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
- H01P5/22—Hybrid ring junctions
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
- H01P5/16—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port
- H01P5/19—Conjugate devices, i.e. devices having at least one port decoupled from one other port of the junction type
- H01P5/22—Hybrid ring junctions
- H01P5/225—180° reversed phase hybrid rings
Landscapes
- Waveguides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波帯でＩＣ化が可能であるブランチライン
形ハイブリッドすなわち、マイクロ波集積回路化方向性
結合器に関するものである。
形ハイブリッドすなわち、マイクロ波集積回路化方向性
結合器に関するものである。
従来のＭＩＣ化ブランチラインとしては、第１図または
第２図に示すようなものが知られている。
第２図に示すようなものが知られている。
実線はマイクロストリップ線路、点線はスロット線路で
ある。
ある。
第１図はマイクロストリップ線路により構成された並列
形ブランチラインであり、入出力マイクロストリップ線
路の特性インピーダンスをＺｏとした場合、マイクロス
ｌ−ＩＪツブ線路６，７の特性インピーダンスはそれぞ
れＺｏ、Ｚｏ／ｆ２ となり、高周波帯で仁の回路を実
現するとマイクロスｌ−ＩＪツブ線路７の線路幅が波長
に対して無視できなくなり、回路特性が劣化する。
形ブランチラインであり、入出力マイクロストリップ線
路の特性インピーダンスをＺｏとした場合、マイクロス
ｌ−ＩＪツブ線路６，７の特性インピーダンスはそれぞ
れＺｏ、Ｚｏ／ｆ２ となり、高周波帯で仁の回路を実
現するとマイクロスｌ−ＩＪツブ線路７の線路幅が波長
に対して無視できなくなり、回路特性が劣化する。
第２図はスロット線路により構成された直列形ブランチ
ラインであり、入出カスロット線路８の特性インピーダ
ンスをＺｏとした場合、４分の１波長スロット線路９，
１０の特性インピーダンスはそれぞれＺｏ、Ｖ′２Ｚｏ
となるため、第１図の欠点である線路幅の影響を大幅に
改善することができ、第１図の回路構成よりも高周波化
が可能である。
ラインであり、入出カスロット線路８の特性インピーダ
ンスをＺｏとした場合、４分の１波長スロット線路９，
１０の特性インピーダンスはそれぞれＺｏ、Ｖ′２Ｚｏ
となるため、第１図の欠点である線路幅の影響を大幅に
改善することができ、第１図の回路構成よりも高周波化
が可能である。
しかし、さらに高周波化を推し進めた場合、スロット線
路の電磁界分布の拡がりのため、各ブランチ間で電磁界
の結合が生じる可能性があり、回路特性が劣化せざるを
得ない。
路の電磁界分布の拡がりのため、各ブランチ間で電磁界
の結合が生じる可能性があり、回路特性が劣化せざるを
得ない。
また、周波数が高くなると同一のスロット幅で実現でき
る特性インピーダンスが高くなってくるため、低いイン
ピーダンスの線路の実現ば困難になってくる。
る特性インピーダンスが高くなってくるため、低いイン
ピーダンスの線路の実現ば困難になってくる。
したがって、これらの回路はミリ波ＩＣ化ハイブリット
として必ずしも良好なものとはいえなかった。
として必ずしも良好なものとはいえなかった。
本発明はこれらの欠点を除去するため円形ディスク状の
ストリップ導体とスロット空洞によりブランチラインを
構成したマイクロ波集積回路化方向性結合器を提供する
ものである。
ストリップ導体とスロット空洞によりブランチラインを
構成したマイクロ波集積回路化方向性結合器を提供する
ものである。
以下図面により本発明の詳細な説明する。
説明の便宜上第３図ａ、ｂに本発明に用いるアンティポ
ーダルスロット線路の断面図を示す。
ーダルスロット線路の断面図を示す。
ここでｄは誘電体基板の厚み、ｔは線路幅である。
この線路は幅ｔにより種々の特性インビニダンスを容易
に実現することができ、例えばｂのようにｔを負にする
（上下の導体が重なり合うこと）と、普通のスロット線
路では比較的実現することが困難である低い特性インピ
ーダンスを得ることができる。
に実現することができ、例えばｂのようにｔを負にする
（上下の導体が重なり合うこと）と、普通のスロット線
路では比較的実現することが困難である低い特性インピ
ーダンスを得ることができる。
また、この線路は基板を介することにより伝送線路を形
成しているため電磁界の集中度が高くなり線路間の結合
が少なくなる。
成しているため電磁界の集中度が高くなり線路間の結合
が少なくなる。
第４図は特許請求の範囲第１項に相当する実施例であり
、１，２，３．４は入出力ポート、１１は入出力マイク
ロストリップ線路、１２．１３はそれぞれ第３図ａとｂ
の形式をとるアンティポーダルスロット線路、１４はス
ロット空洞、１５はストリップ導体である。
、１，２，３．４は入出力ポート、１１は入出力マイク
ロストリップ線路、１２．１３はそれぞれ第３図ａとｂ
の形式をとるアンティポーダルスロット線路、１４はス
ロット空洞、１５はストリップ導体である。
実線は誘電体基板の表側であり、点線は誘電体基板衣の
接地側となる側に設けられている。
接地側となる側に設けられている。
この第４図の実施例は、第１図の並列形ブランチライン
に属するものであり、スロット空洞１４とストリップ導
体１５により形成されたアンティポーダルスロット線路
１２．１３の特性インピーダンスは、ストリップ線路１
１の特性インピーダンスをＺｏとすると、それぞれＺｏ
、 Ｚｏ ！２ とする必要があるが、１３の線路
は１４１５の導体部を重ね合せること、すなわち第３図
すのようにｔを負にすることにより低インピーダンスを
容易に実現でき、第１図の線路７が有していた線路幅な
どの欠点はなく、高周波化が可能である。
に属するものであり、スロット空洞１４とストリップ導
体１５により形成されたアンティポーダルスロット線路
１２．１３の特性インピーダンスは、ストリップ線路１
１の特性インピーダンスをＺｏとすると、それぞれＺｏ
、 Ｚｏ ！２ とする必要があるが、１３の線路
は１４１５の導体部を重ね合せること、すなわち第３図
すのようにｔを負にすることにより低インピーダンスを
容易に実現でき、第１図の線路７が有していた線路幅な
どの欠点はなく、高周波化が可能である。
第５図は特許請求の範囲第２項に相当する実施例であり
、１，２，３．４は入出力ポート、１６は入出カスロッ
ト線路、１７．１８は第３図ａの形式をとるアンティポ
ーダルスロット線路、１９はストリップ導体、２０はス
ロット空洞である。
、１，２，３．４は入出力ポート、１６は入出カスロッ
ト線路、１７．１８は第３図ａの形式をとるアンティポ
ーダルスロット線路、１９はストリップ導体、２０はス
ロット空洞である。
この実施例においても、実線は誘電体基板衣の側であり
、点線は誘電体基板の接地側となる裏側に設けられてい
る。
、点線は誘電体基板の接地側となる裏側に設けられてい
る。
この第５図の実施例は、第２図の直列形ブランチライン
に属するものであり、ストリップ導体１９とスロット空
洞２０により形成されたアンティポーダルスロット線路
１７．１８の特性インピーダンスは、スロット線路１６
の特性インピーダンスをＺｏとすると、そえぞれＺｏ。
に属するものであり、ストリップ導体１９とスロット空
洞２０により形成されたアンティポーダルスロット線路
１７．１８の特性インピーダンスは、スロット線路１６
の特性インピーダンスをＺｏとすると、そえぞれＺｏ。
Ｎ／″２ Ｚｏとなる必要がある。
これらの特性インピーダンスは、１９．２０の大きさを
変えることにより、すなわち第３図すのｔの値を女える
ことにより、容易に実現することができる。
変えることにより、すなわち第３図すのｔの値を女える
ことにより、容易に実現することができる。
また、１７゜１８の線路では電磁界の集中度が高いため
、周波数が高くなり回路が小形化されても線路間の結合
が起りにくく高周波化が可能である。
、周波数が高くなり回路が小形化されても線路間の結合
が起りにくく高周波化が可能である。
したがって、これらの回路はストリップ導体・スロット
空洞などの平面的回路を用いるため回路構造上高周波化
が可能であり、ミリ波ＩＣ化ハイブリッドとして有望な
回路である。
空洞などの平面的回路を用いるため回路構造上高周波化
が可能であり、ミリ波ＩＣ化ハイブリッドとして有望な
回路である。
以上詳細に説明したように、本発明のストリップ導体と
スロット空洞とを用いたマイクロ波集積回路化方向性結
合器は、平面的回路構造を有するため、さらには付属効
果としてアンティポーダルスロット線路を用いているた
め、ミリ波ＩＣ化ハイブリッドとして有望な回路である
。
スロット空洞とを用いたマイクロ波集積回路化方向性結
合器は、平面的回路構造を有するため、さらには付属効
果としてアンティポーダルスロット線路を用いているた
め、ミリ波ＩＣ化ハイブリッドとして有望な回路である
。
また、第４図の回路は構成線路がマイクロストリップ線
路である場合に、第５図の回路は構成線路がスロット線
路である場合にそれぞれ有効である利点を有する。
路である場合に、第５図の回路は構成線路がスロット線
路である場合にそれぞれ有効である利点を有する。
第１図および第２図は従来のブランチラインの例を示す
平面図、第３図ａ、ｂは本発明に用いるアンティポーダ
ルスロット線路の断面図、第４図および第５図はそれぞ
れ本発明の実施例を示す平面図である。 １．２，３，４・・・・・・入出力ポート、５，６，７
゜１１０、・・・・マイクロストリップ線路、８，９，
１０゜１６・・・・・・スロット線路、１４，２０・・
・・・・スロット空洞、１５，１９・・・・・・ストリ
ップ導体、１２゜１３１７１８・・・・・・アンティポ
ーダルスロット線路。
平面図、第３図ａ、ｂは本発明に用いるアンティポーダ
ルスロット線路の断面図、第４図および第５図はそれぞ
れ本発明の実施例を示す平面図である。 １．２，３，４・・・・・・入出力ポート、５，６，７
゜１１０、・・・・マイクロストリップ線路、８，９，
１０゜１６・・・・・・スロット線路、１４，２０・・
・・・・スロット空洞、１５，１９・・・・・・ストリ
ップ導体、１２゜１３１７１８・・・・・・アンティポ
ーダルスロット線路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 誘電体基板上に円形ディスク状のストリップ導体を
設け、該ストリップ導体にほぼ等間隔に４本のマイクロ
ストリップ線路を接続して入出力ポートとし、上記ス）
ＩＪツブ導体の真下の接地面に同程度の大きさを有す
る円形スロット空洞を設けることにより、前記ストリッ
プ導体と前記円形スロット空洞とがアンティポーダルス
ロット線路を構成するようにしたことを特徴とするマイ
クロ波集積回路化方向性結合器 ２ 誘電体基板接地導体上に円形ディスク状のスロット
空洞を設け、該スロット空洞にほぼ等間隔に４本のスロ
ット線路を接続して入出力ポートとし、上記スロット空
洞の真上に同程度の大きさを有する円形状ストリップ導
体を設けることにより、前記スロット空洞と前記円形状
ス） ＩＪツブ導体とがアンティポーダルスロット線路
を構成するようにしたことを特徴とするマイクロ波集積
回路化方向性結合器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53034221A JPS5815966B2 (ja) | 1978-03-27 | 1978-03-27 | マイクロ波集積回路化方向性結合器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53034221A JPS5815966B2 (ja) | 1978-03-27 | 1978-03-27 | マイクロ波集積回路化方向性結合器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54127260A JPS54127260A (en) | 1979-10-03 |
| JPS5815966B2 true JPS5815966B2 (ja) | 1983-03-29 |
Family
ID=12408082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53034221A Expired JPS5815966B2 (ja) | 1978-03-27 | 1978-03-27 | マイクロ波集積回路化方向性結合器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815966B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347556U (ja) * | 1986-09-16 | 1988-03-31 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2110882B (en) * | 1981-12-02 | 1985-09-25 | Marconi Co Ltd | Microwave coupler devices |
-
1978
- 1978-03-27 JP JP53034221A patent/JPS5815966B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6347556U (ja) * | 1986-09-16 | 1988-03-31 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54127260A (en) | 1979-10-03 |
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