JPS5819994B2 - densid cay - Google Patents
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- JPS5819994B2 JPS5819994B2 JP50067166A JP6716675A JPS5819994B2 JP S5819994 B2 JPS5819994 B2 JP S5819994B2 JP 50067166 A JP50067166 A JP 50067166A JP 6716675 A JP6716675 A JP 6716675A JP S5819994 B2 JPS5819994 B2 JP S5819994B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子時計に係わり、特にその電子回路の出力機
能に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an electronic timepiece, and particularly to an output function of an electronic circuit thereof.
本発明の目的は、電池寿命表示のための電池電圧検出回
路の検出電圧の調整を容易にぜんとするものであり、そ
のために電子回路、もしくは集積回路(IC)の出力端
子に数種の機能を持たせんとするものである。An object of the present invention is to easily adjust the detection voltage of a battery voltage detection circuit for indicating battery life. It is intended to have the following.
電子時計も近年に至っての技術向上、コスト低下により
、普及の度合を増し、特に水晶腕時計の増加は著しいも
のがある。Electronic watches have also become more popular due to technological improvements and cost reductions in recent years, and the increase in quartz wristwatches is particularly remarkable.
しかしながら、現在では依然として電子時計の最大の弱
点である電池交換はまぬがれない。However, nowadays, the biggest drawback of electronic watches is still the need to replace batteries.
しかも、その電池交換の時期も、電池寿命表示付きの電
子時計が一般化していないため、使用者が電池交換の時
期を記憶していなければならないのが現状であり、この
不便さを解消するために電池寿命表示付きの電子時計が
切望されている。Furthermore, since electronic watches with battery life indicators have not become commonplace, users currently have to remember when to replace batteries. An electronic watch with a battery life display is in high demand.
かかる点に鑑み、先に電界効果トランジスター(以下F
ETと略す)のスレッショルド電圧(以下VTHと略す
)を利用した電池寿命を検知するための電池電圧検出方
法を提供したが、本発明は電池電圧検出回路の検出電圧
の調整を容易にすることにより、電池寿命表示をより実
用化され易くするものである。In view of this point, we first developed a field effect transistor (hereinafter referred to as F).
Although a battery voltage detection method for detecting battery life using the threshold voltage (hereinafter abbreviated as VTH) of the battery voltage detection circuit has been provided, the present invention provides a method for detecting battery life by making it easier to adjust the detection voltage of the battery voltage detection circuit. This makes it easier to put battery life display into practical use.
最初に、本発明の理解を容易ならしめるため先に提供し
た電池電圧検出方法を説明する。First, the previously provided battery voltage detection method will be explained in order to facilitate understanding of the present invention.
周知のように、電池容量と電池電圧の関係は、電池容量
が残り少なくなると電池電圧も低下してくるため、電池
電圧の低下を検出することにより、電池容量の低下を検
知できる。As is well known, the relationship between battery capacity and battery voltage is such that when the remaining battery capacity decreases, the battery voltage also decreases, so by detecting a decrease in battery voltage, it is possible to detect a decrease in battery capacity.
その電池電圧の低下を検出するのが電池電圧検出回路で
あり、その基本回路を第1図に示す。A battery voltage detection circuit detects the decrease in battery voltage, and its basic circuit is shown in FIG.
同図において、1はエンハンスメント型P・MOS−F
ET、2〜5はMOS−FETで形成された相補型イン
バーター、6,7は伝送ゲート、8は可変抵抗から成る
負荷抵抗である。In the same figure, 1 is an enhancement type PMOS-F
ET, 2 to 5 are complementary inverters formed of MOS-FETs, 6 and 7 are transmission gates, and 8 is a load resistor consisting of a variable resistor.
なお、伝送ゲート6.7の詳細は第5図点線内に示す。The details of the transmission gate 6.7 are shown within the dotted line in FIG.
同回路において、1〜3及び8で電池電圧検出回路を形
成し、4〜7でメモリー回路を形成しており、P−MO
S−FETIのゲート電圧がLow、すなわちサンプリ
ング(検出)指令信号aがLowになった時だけサンプ
リング検出し、その間メモリーは電池電圧検出回路の出
力を書き込み、同信号aがHiでは電池電圧検出回路は
非検出状態となり、メモリーはホールド状態となる。In the same circuit, 1 to 3 and 8 form a battery voltage detection circuit, 4 to 7 form a memory circuit, and P-MO
Sampling is detected only when the gate voltage of S-FETI is Low, that is, the sampling (detection) command signal a is Low, and during that time the memory writes the output of the battery voltage detection circuit, and when the signal a is Hi, the battery voltage detection circuit is in a non-detection state and the memory is in a hold state.
(サンプリング検出の目的とするところは、主には消費
電流の削減である。(The main purpose of sampling detection is to reduce current consumption.
)ここで、サンプリング指令信号がLow状態(P−M
、、08−FETのゲート・ソース間電圧が電源電圧と
同一)における、インバーター3、もしくはインバータ
ー5の出力が反転する時の電源電圧、すなわち検出電圧
VDDは、P−MOS・FET1及びインバーター2,
3の各FETが検出時点にそれぞれ飽和領域で動作して
いるとすれば、次式で表わせる。) Here, the sampling command signal is in a low state (P-M
, 08-FET gate-source voltage is the same as the power supply voltage), the power supply voltage when the output of the inverter 3 or inverter 5 is inverted, that is, the detection voltage VDD is the P-MOS FET 1 and the inverter 2,
If each FET of 3 is operating in the saturation region at the time of detection, it can be expressed by the following equation.
ただし1
、W
β 、−・μ・COX
VGTP:P−MOS−FETのVTH
vGTN:M−MOS−FETのvTH
βP1 :P−MOS−FET1のβ
βp2 ’相補型インバーター2のP−MOS・FE
Tのβ
βN2 ’相補型インバーター2のN−MOS・FE
Tのβ
M :チャネル内の電子の移動度
Cox :酸化膜の単位面積当りの容量L :チャ
ネル長
W :チャネル幅
R:負荷抵抗8の抵抗値
上式から明らかなように、検出電圧VDDはN・電源電
圧の影響を受けずに一定値を有すため、電池電圧の低下
を検出できるのである。However, 1, W β , -・μ・COX VGTP: VTH of P-MOS-FET vGTN: vTH of M-MOS-FET βP1: β βp2 of P-MOS-FET 1 P-MOS FE of complementary inverter 2
β βN2' of T N-MOS FE of complementary inverter 2
β of T: Mobility of electrons in the channel Cox: Capacitance per unit area of oxide film L: Channel length W: Channel width R: Resistance value of load resistor 8 As is clear from the above equation, the detection voltage VDD is Since it has a constant value without being affected by the power supply voltage, it is possible to detect a drop in battery voltage.
なお、検出電圧VDDの温度係数は、VTRjβの温度
係数から検出電圧の温度係数が最小になるり、検出電圧
VDDの温度特性は実用範囲内で満足できる値にするこ
とが可能である。Note that the temperature coefficient of the detection voltage VDD can be set to a value that is the minimum from the temperature coefficient of the VTRjβ, and the temperature characteristics of the detection voltage VDD can be set to a value that is satisfactory within a practical range.
一方、VTH?βはIC製造時において変動するため、
所望の検出電圧にするには、負荷抵抗8を可変すること
による検出電圧の調整が必要となる。On the other hand, VTH? Since β changes during IC manufacturing,
In order to obtain a desired detection voltage, it is necessary to adjust the detection voltage by varying the load resistor 8.
電池寿命の表示は、例えば1秒運針の指針式水晶時計で
あるならば、2秒に一度2秒分秒針を運針させる、ある
いは液晶表示時計であるならば、フラッシング表示、も
しくは電池寿命表示セグメントの点灯等、通常とは異る
時刻表示により電池寿命を表示すれば良い。For example, if it is a pointer-type quartz watch that moves once every second, the battery life indicator will move the second hand for 2 seconds every 2 seconds, or if it is a liquid crystal display watch, it will be displayed by a flashing display, or by the battery life display segment. It is sufficient to display the battery life using a different time display than usual, such as lighting.
第3図に、前記指針式水晶時計のタイミングチヤードを
示す。FIG. 3 shows the timing chart of the pointer type quartz watch.
同図Sは2Hzの出力を有す分周回路のスレーブ信号、
Mは同マスター信号、aは第1図のサンプリング指令信
号、■は同図メモリー回路、もしくは電池電圧検出回路
のインバート出力信号、0は電気−機械変換器の駆動電
流信号であり、電池電圧検出回路の出力計がLow状態
では、変換器は0から明らかなように1秒ごとに駆動さ
れ(したがって秒針は1秒運針)、同出力すがHigh
、すなわち電池電圧の低下が検出されると、変換器は2
秒に1回2秒分駆動される。In the same figure, S is a slave signal of a frequency divider circuit with an output of 2Hz,
M is the same master signal, a is the sampling command signal in Figure 1, ■ is the inverted output signal of the memory circuit or battery voltage detection circuit in the figure, and 0 is the drive current signal of the electro-mechanical converter, which is used to detect battery voltage. When the output meter of the circuit is in the Low state, the converter is driven every second as shown from 0 (therefore, the second hand moves every second), and the output meter is High.
, i.e. when a drop in battery voltage is detected, the converter
It is driven once every second for 2 seconds.
したがって、電池電圧検出回路の検出電圧の調整時にお
いて、電池電圧検出回路の出力を直接モニターできなけ
れば、同検出回路の検出状態の観測は2秒周期の変換器
用出力の位相観測によらざるを得ないため、調整に時間
がかかり、一方検出電圧の調整を容易にするため電池電
圧検出回路のモニター用出力端子を単独で設ければ、I
C端子の増加によるコストアップ、寸法大となりいずれ
も好ましくない。Therefore, when adjusting the detection voltage of the battery voltage detection circuit, if the output of the battery voltage detection circuit cannot be directly monitored, the detection state of the detection circuit must be observed by observing the phase of the converter output with a 2-second cycle. On the other hand, if a separate monitor output terminal for the battery voltage detection circuit is provided to facilitate the adjustment of the detection voltage, the I
The increase in the number of C terminals increases cost and size, both of which are undesirable.
本発明はかかる点に鑑み、・電池電圧検出回路のモニタ
ー出力端子と、他の機能出力、もしくは入力端子を共用
することにより、端子を増やさずに電池電圧検出回路の
出力状態を直接モニターし、迅速かつ容易に検出電圧の
調整をせんとするものである。In view of the above points, the present invention allows the output state of the battery voltage detection circuit to be directly monitored without increasing the number of terminals by sharing the monitor output terminal of the battery voltage detection circuit with other function outputs or input terminals, The object is to quickly and easily adjust the detection voltage.
以下、具体例に基き、本発明の説明を行う。The present invention will be explained below based on specific examples.
初めに指針式電子時計について説明すれば、通常指針式
電子時計、例えば変換器にステップモーターを用いた水
晶時計の回路(IC)端子は、電源の■、○、リセット
、水晶振動子を接続する発振回路の入・出力端子及び変
換器用出力2端子の計7端子であり、このうち端子の共
用化に供しうるものは発振回路の入・出力、及び変換器
用出力2端子であるが、変換器用出力は分周回路のリセ
ット状態において出力がでないため、出力機能の切り換
えに好都合である。First, to explain about pointer type electronic watches, the circuit (IC) terminal of a pointer type electronic watch, for example, a crystal watch that uses a step motor as a converter, connects the power supply ■, ○, reset, and crystal oscillator. There are a total of seven terminals: the input/output terminals of the oscillation circuit and the two output terminals for the converter. Of these, the ones that can be shared are the input/output terminals of the oscillation circuit and the two output terminals for the converter. Since there is no output in the reset state of the frequency divider circuit, it is convenient for switching the output function.
(発振回路入出力は分周回路リセット状態においても発
振しているため、機能切り換えが難かしく、また浮遊容
量の点でも端子の共用化は好ましくない。(Since the oscillation circuit input/output oscillates even when the frequency dividing circuit is reset, it is difficult to switch functions, and sharing terminals is not preferable in terms of stray capacitance.
)したがって、本発明から成る実施例は、電気−機械変
換器へのIC出力端子と電池電圧検出回路のモニター出
力端子とを共用している。) Thus, embodiments of the present invention share the IC output terminal to the electro-mechanical converter and the monitor output terminal of the battery voltage detection circuit.
第4図に、該実施例の電池電圧検出回路部及び出力回路
部を示す。FIG. 4 shows a battery voltage detection circuit section and an output circuit section of this embodiment.
同図において、1〜3,8及び4〜7は、第1図と同様
にそれぞれ電池電圧検出回路及びメモリー回路を形成し
ており、9゜10及び11,12は変換器駆動用のエン
ハンスメントN及びP−MOS−FET、13,14は
NORゲート、15は伝送ゲート、16〜18はNAN
Dゲート、19はANDゲート、20はエンハンスメン
トN −MOS −FETから成るMO8抵抗である。In the same figure, 1 to 3, 8 and 4 to 7 respectively form a battery voltage detection circuit and a memory circuit as in FIG. and P-MOS-FET, 13 and 14 are NOR gates, 15 is a transmission gate, and 16 to 18 are NAN
A D gate, 19 an AND gate, and 20 an MO8 resistor consisting of an enhancement N-MOS-FET.
またc、dは分周回路からの駆動回路制御信号、eはサ
ンプリング指令信号、fはリセット端子、夕は電池電圧
検出回路の出力信号であり、それぞれ第4図に示してな
い分周回路等の他の電子回路に接続される。In addition, c and d are drive circuit control signals from the frequency dividing circuit, e is a sampling command signal, f is a reset terminal, and d is an output signal of the battery voltage detection circuit, each including a frequency dividing circuit not shown in Fig. 4. connected to other electronic circuits.
動作を説明するに、通常状態、すなわちリセット端子f
がLow状態においては、NORゲート13 、14
、 NANDゲート16,17はいずれもインバーター
として動作し、また伝送ゲート15は非導通、NAND
ゲート18の出力は駆動回路の出力0゜の状態にかかわ
らずHi gh、したがってANDゲート19はサンプ
リング指令信号eをその才ま通過させる3このため、駆
動回路のMOS−FETIo、12及び9,11のゲー
トには駆動回路制御信号C2dのインバート信号が印加
され、また電池電圧検出回路にはサンプリング指令信号
eが印加されてそれぞれ通常動作を行う。To explain the operation, the normal state, that is, the reset terminal f
is in the Low state, the NOR gates 13 and 14
, NAND gates 16 and 17 both operate as inverters, and transmission gate 15 is non-conducting and NAND
The output of the gate 18 is High regardless of the 0° output state of the drive circuit, so the AND gate 19 allows the sampling command signal e to pass through. An inverted signal of the drive circuit control signal C2d is applied to the gate of the circuit, and a sampling command signal e is applied to the battery voltage detection circuit to perform normal operation.
一方、リセット端子fがHigh状態になると、NOR
ゲート13,14の出力がLow、したがってN−MO
S−FE″T9,10は非導通、NANDゲート16,
17の出力はHigh、j、たがってP・MOS−FE
T11.12も非導通となる。On the other hand, when the reset terminal f becomes High, NOR
The outputs of gates 13 and 14 are low, therefore N-MO
S-FE″T9, 10 are non-conductive, NAND gate 16,
The output of 17 is High, j, therefore PMOS-FE
T11.12 also becomes non-conductive.
サンプリング指令信号の方は、N−MOS−FET20
が導通するため、外部から01に電位を与えなければ0
1はLow、 したがってNANDゲート18の出力は
High、L、たがってANDゲート19はサンプリン
グ指令信号eを通過させる。For the sampling command signal, use N-MOS-FET20
is conductive, so unless a potential is applied to 01 from the outside, 0
1 is Low, so the output of the NAND gate 18 is High and L, and therefore the AND gate 19 passes the sampling command signal e.
なお、リセット状態では、分周回路からのサンプリング
指令信号eはHighを保つため、01に外部から電位
を与えない限り、リセット状態では電池電圧検出回路は
動作しない。Note that in the reset state, the sampling command signal e from the frequency dividing circuit remains High, so the battery voltage detection circuit does not operate in the reset state unless a potential is applied to 01 from the outside.
一方、この状態で出力端子01に外部からHighLe
vel の電位を与えると、NANDゲート18の出力
はLow、したがってANDゲート19の出力もLow
となり、電池電圧検出回路が動作状態となってメモリー
回路も書き込み状態となる。On the other hand, in this state, HighLe is applied to output terminal 01 from the outside.
When a potential of vel is applied, the output of the NAND gate 18 is Low, and therefore the output of the AND gate 19 is also Low.
As a result, the battery voltage detection circuit enters the operating state and the memory circuit also enters the writing state.
他方、伝送ゲート15は、リセット端子がHi ghに
なると導通状態となるので、リセット状態では出力端子
02は電池電圧検出回路の出力端子となる。On the other hand, since the transmission gate 15 becomes conductive when the reset terminal becomes High, the output terminal 02 becomes the output terminal of the battery voltage detection circuit in the reset state.
つまり、リセット状態において、出力端子01にHig
h Levelの電位を印加することにより、電池電
圧検出回路は動作状態となり、その出力状態を出力端子
02を通じてモニターできるのである。In other words, in the reset state, output terminal 01 is set to High.
By applying the potential of h Level, the battery voltage detection circuit becomes operational, and its output state can be monitored through the output terminal 02.
前記第4図から成る具体例では、出力端子01−02間
に負荷が接続されている場合、電池電圧検出回路のモニ
ターはできないが、実際の調整は回路ブロック単位(す
なわち負荷が接続されていない状態)で行うので支障な
い。In the specific example shown in FIG. 4, when a load is connected between output terminals 01 and 02, the battery voltage detection circuit cannot be monitored, but the actual adjustment is performed in circuit block units (i.e., when no load is connected). There is no problem since it is done in the state).
なお、若干素子数が増えるものの、出力端子01−〇□
間に負荷を接続した状態でも電池電圧検出回路の出力を
モニターできる回路を第6図に示す。Although the number of elements increases slightly, the output terminal 01-〇□
FIG. 6 shows a circuit that can monitor the output of the battery voltage detection circuit even when a load is connected between the two.
第6図において、Gate14,31,33同=じ<
Ga te 17 t、3,2 t 34でセレクト
ゲートを形成し、BLDモニター出力5の、信号が該セ
レクトゲートによって選択され、モータードライバー9
orllを1駆動し、02にBLDモニター出力する。In Figure 6, Gates 14, 31, 33 are the same = the same <
Gate 17 t, 3, 2 t 34 forms a select gate, and the signal of the BLD monitor output 5 is selected by the select gate, and the motor driver 9
Drives orll by 1 and outputs BLD monitor to 02.
この場合モニターコイルが0,0−02間に接続されて
いてもモータードライバー9or11によってモーター
コイルが駆動されるため0□はVssしベルまで電位を
とることが可能となる。In this case, even if the monitor coil is connected between 0 and 0-02, the motor coil is driven by the motor driver 9 or 11, so 0□ becomes Vss and the potential can be taken up to Bell.
また、検出時の電池電圧検出回路の消費電流が、リセッ
ト状態における電子時計の消費電流と比べて小さければ
、リセット状態で電池電圧検出回路を検出状態とし、同
検出回路の出力を出力端子01あるいは02に出力する
ことも可能である。Furthermore, if the current consumption of the battery voltage detection circuit during detection is smaller than the current consumption of the electronic watch in the reset state, the battery voltage detection circuit is set to the detection state in the reset state, and the output of the detection circuit is sent to output terminal 01 or It is also possible to output to 02.
次に、表示手段に液晶表示素子等の電子光学的表示手段
を用いた電子時計に本発明を適用した例を説明する。Next, an example in which the present invention is applied to an electronic timepiece using an electro-optical display means such as a liquid crystal display element as a display means will be described.
第5図に、歩度調整用の1秒信号出力端子を電池電圧検
出回路のモニタ一端子と共用した例の電池電圧検出回路
と出力切り換え回路を表わす。FIG. 5 shows an example of a battery voltage detection circuit and an output switching circuit in which the one-second signal output terminal for rate adjustment is shared with one monitor terminal of the battery voltage detection circuit.
同図1〜8で電池電圧検出回路及びメモリー回路を形成
しており、21はANDゲート、22,23はエンハン
スメント型N−MO8−FET、24゜25はエンハン
スメント型P−MO8−FET。1 to 8 form a battery voltage detection circuit and a memory circuit, 21 is an AND gate, 22 and 23 are enhancement type N-MO8-FETs, and 24.degree. 25 is an enhancement type P-MO8-FET.
26.27は相補型IVIOSインバータ、28は○ト
リガー(クロックがLowでスレーブが書き込み状態)
のマスター・スレーブフリップ・フロップ、29,30
は伝送ゲートである。26.27 is complementary IVIOS inverter, 28 is ○ trigger (clock is low and slave is in writing state)
master-slave flip-flop, 29,30
is the transmission gate.
リセット端子、もしくは時刻修正用ロック端子fがLo
w状態では、フリップ・フ田ンプ28がリセット状態に
なるため、その出力はLow、したがってANDゲート
21は分周回路からのサンプリング指令信号eをそのま
ま通過させる。Reset terminal or time adjustment lock terminal f is Lo
In the w state, the flip-flop amplifier 28 is in the reset state, so its output is Low, and therefore the AND gate 21 passes the sampling command signal e from the frequency dividing circuit as is.
また、この状態では、伝送ゲート29は非導通、同30
が導通状態となるため、出力端子iには分周回路からの
1秒信号りが出力される。In addition, in this state, the transmission gate 29 is non-conductive, and the transmission gate 29 is non-conductive.
becomes conductive, so a 1 second signal from the frequency dividing circuit is output to the output terminal i.
一方、fがHighになると、フリップ・フロップ2B
はリセットが解除され、伝送ゲート30が非導通、MO
8抵抗22が動作状態となる。On the other hand, when f becomes High, flip-flop 2B
The reset is released, the transmission gate 30 is non-conductive, and the MO
8 resistor 22 becomes operational.
この状態で出力端子iに外部から信号が印加されなけれ
ば゛、フリップ・フロップ28のスレーブ出力はLow
のままであり、伝送ゲート29も非導通である。If no external signal is applied to the output terminal i in this state, the slave output of the flip-flop 28 will be Low.
It remains as it is, and the transmission gate 29 is also non-conductive.
ここで、外部から出力端子IにHi gh Level
の電圧を印加すると、フリップ・フロップ28のクロッ
クがHighになるから、フリップ・フロップ28のデ
ータ一端子のHighがマスタ一部に書き込まれ、再び
出力端子lをLow Levelにするとスレーブ部に
)lighが書き込まれ、スレーブ出力はHighとな
る。Here, a High Level signal is applied to the output terminal I from the outside.
When a voltage of is written, and the slave output becomes High.
フリップ・フロップのスレーブ出力がHighになると
伝送ゲート29が導通し、ANDゲート21の出力はサ
ンプリング指令信号eにかかわらずLowとなり、電池
電圧検出回路は動作状態となる。When the slave output of the flip-flop becomes High, the transmission gate 29 becomes conductive, the output of the AND gate 21 becomes Low regardless of the sampling command signal e, and the battery voltage detection circuit enters the operating state.
すなわち、リセットもしくは時刻修正状態において、出
力端子i(1秒信号出力端子)を電源の■に瞬間的に導
通きせることにより、電源電圧検出回路は検出状態とな
り、同検出回路のインバート出力が出力端子■に出力さ
れるのであり、その状態は出力端子iの電圧I、eve
lにかかわらず、端子fがLowになるまで持続される
のである。That is, in the reset or time adjustment state, by momentarily connecting the output terminal i (1-second signal output terminal) to the power supply ■, the power supply voltage detection circuit enters the detection state, and the inverted output of the detection circuit becomes the output terminal. (2), and its state is the voltage I, eve at output terminal i.
Regardless of l, it is maintained until the terminal f becomes Low.
したがって、検出電圧の調整は、前記要領で電池電圧検
出回路を動作状態にして、電源端子に希望検出電圧を印
加し、同検出回路の出力状態をモニター出力端子で直接
モニターしながら同検出回路の負荷抵抗を可変して、同
検出回路の出力状態が切り換わった抵抗値に負荷抵抗を
設定すれば良い。Therefore, to adjust the detection voltage, put the battery voltage detection circuit into the operating state as described above, apply the desired detection voltage to the power supply terminal, and then directly monitor the output state of the detection circuit with the monitor output terminal. The load resistance may be varied and set to the resistance value at which the output state of the detection circuit is switched.
以上詳記した如く、本発明に依れば、ICの端子を増や
すことなく電池電圧検出回路の出力状態を直接モニター
できるため、ICもしくは回路ブロックの価格上昇なし
に同検出回路の検出電圧の調整時間を短縮できるので、
本発明の生産上の効果は大きい。As described in detail above, according to the present invention, the output state of the battery voltage detection circuit can be directly monitored without increasing the number of IC terminals, so the detection voltage of the detection circuit can be adjusted without increasing the price of the IC or circuit block. It saves time, so
The production effects of the present invention are significant.
第1図は、電池電圧検出回路の基本回路図。
1・・・・・・エンハンスメント型’P −MOS −
FBT。
2〜5・・・・・・相補型IVIOSインバーター、6
,7・・・・・・伝送ゲート、8・・・・・・負荷抵抗
、a・・・・・サンプリング(検出)指令信号、b・・
・・・・電池電圧検出回路の出力。
第2図は、第1図電池電圧検出回路の電源電圧Eと出力
電圧との関係を表わした図。
実線はP・MOS−FETIの出力電圧を、点線はイン
バーター3の出力電圧を表わす。
第3図は、第1図電池電圧検出回路を有す電子時計のタ
イミングチャート図。
a・・・・・・サンプリング(検出)指令信号、b・・
・・・・電池電圧検出回路の出力、0・・・・・・変換
器1駆動電流。
第4図は、指針表示の電子時計に本発明を適用した場合
の回路図の一部を示す図。
cd・・・・・・駆動回路制御信号、e・・・・・・サ
ンプリング(検出)指令信号、f・・・・・・リセット
端子、g・・・・・・電池電圧検出回路出力、0□、0
2・・・・・・変換器駆動用出力端子。
第5図は、液晶表示の電子時計に本発明を適用した場合
の回路図の一例を示す図。
h・・・・・・1秒信号出力、ビ・・・・1秒信号出力
端子。
第6図は、本発明から成る指針表示の電子時計の他の回
路例を示す図。FIG. 1 is a basic circuit diagram of a battery voltage detection circuit. 1...Enhancement type 'P-MOS-
FBT. 2-5... Complementary IVIOS inverter, 6
, 7...Transmission gate, 8...Load resistance, a...Sampling (detection) command signal, b...
...Output of the battery voltage detection circuit. FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the power supply voltage E and the output voltage of the battery voltage detection circuit of FIG. 1. The solid line represents the output voltage of the PMOS-FETI, and the dotted line represents the output voltage of the inverter 3. FIG. 3 is a timing chart diagram of an electronic timepiece having the battery voltage detection circuit of FIG. 1. a... Sampling (detection) command signal, b...
...Output of battery voltage detection circuit, 0...Converter 1 drive current. FIG. 4 is a diagram showing a part of a circuit diagram when the present invention is applied to an electronic timepiece with a pointer display. cd...Drive circuit control signal, e...Sampling (detection) command signal, f...Reset terminal, g...Battery voltage detection circuit output, 0 □、0
2... Output terminal for converter drive. FIG. 5 is a diagram showing an example of a circuit diagram when the present invention is applied to an electronic timepiece with a liquid crystal display. h: 1 second signal output, B: 1 second signal output terminal. FIG. 6 is a diagram showing another example of the circuit of the electronic timepiece with a pointer display according to the present invention.
Claims (1)
電圧を検出する電池電圧検出回路、分周回路等から成る
MO8ICから少なくも構成される電子時計において、
前記電池電圧検出回路の調整時と非調整時でMO8IC
の人、出力端子の一部を機能切り換えする切り換え回路
を有し、該切り換え回路により調整時はMO8ICの一
部端子が前記電池電圧検出回路のモニター出力となるこ
とを特徴とする電子時計。1. An electronic timepiece consisting of at least an MO8IC consisting of a time standard source, display means, a power supply battery, a battery voltage detection circuit for detecting the voltage of the power supply battery, a frequency dividing circuit, etc.
MO8IC when the battery voltage detection circuit is adjusted and when not adjusted.
An electronic timepiece characterized in that it has a switching circuit for switching the function of a part of the output terminals, and the switching circuit causes some terminals of the MO8IC to serve as monitor outputs of the battery voltage detection circuit during adjustment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50067166A JPS5819994B2 (en) | 1975-06-04 | 1975-06-04 | densid cay |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50067166A JPS5819994B2 (en) | 1975-06-04 | 1975-06-04 | densid cay |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51143365A JPS51143365A (en) | 1976-12-09 |
| JPS5819994B2 true JPS5819994B2 (en) | 1983-04-21 |
Family
ID=13337029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50067166A Expired JPS5819994B2 (en) | 1975-06-04 | 1975-06-04 | densid cay |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5819994B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS479284U (en) * | 1971-02-18 | 1972-10-04 | ||
| JPS492872A (en) * | 1972-04-22 | 1974-01-11 |
-
1975
- 1975-06-04 JP JP50067166A patent/JPS5819994B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51143365A (en) | 1976-12-09 |
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