JPS5820088B2 - The best klystron in the world - Google Patents
The best klystron in the worldInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大電力クライストロ、ンにおいて、キャビテ
ィの共振周波数を誘導的□に変イ1せしめる同調機構に
関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a tuning mechanism for inductively changing the resonant frequency of a cavity in a high power klystron.
キャビティの共振周波数を変化させる方法としては大き
くわけて容量分を変化させるC同調方式と、誘導分を変
化させるL同調方式とがあるのは周知のことである。It is well known that methods for changing the resonant frequency of a cavity can be roughly divided into a C tuning method that changes the capacitance component and an L tuning method that changes the inductive component.
例えば従来技術のC同調方式としては第1図、L同調方
式としては第2図が代表的なものとして知られている。For example, FIG. 1 is known as a typical C tuning system and FIG. 2 is a typical example of an L tuning system in the prior art.
第1図において1は空胴部分キャビティを示し、2はド
リフト管、3は容量可変素子、4はベローズ(蛇腹体)
、5はシャフトを示し、図示の如くシャフト5と容量可
変素子3は一体になっている。In Fig. 1, 1 indicates a hollow cavity, 2 a drift tube, 3 a variable capacitance element, and 4 a bellows.
, 5 indicates a shaft, and as shown in the figure, the shaft 5 and the variable capacitance element 3 are integrated.
シャフト5を外部より動かすことによって容量可変素子
3はドリフト管附近を前後しキャビティの容量が変化す
ることによって共振周波数が変化するわけである。By moving the shaft 5 from the outside, the variable capacitance element 3 moves back and forth near the drift tube, and the capacitance of the cavity changes, thereby changing the resonance frequency.
第2図においては、キャビティを構成する壁の一部であ
る誘導板6が伸縮板8を介してキャビティの端部に固着
されている。In FIG. 2, a guide plate 6, which is a part of the wall constituting the cavity, is fixed to the end of the cavity via a telescopic plate 8. As shown in FIG.
そしてシャフト5を外部から動かすことによって誘導板
6の位置が変化し、キャビティの誘導分が変化すること
によって共振周波数が変化するわけである。By moving the shaft 5 from the outside, the position of the guide plate 6 changes, and the induction component of the cavity changes, thereby changing the resonance frequency.
ところで、第1図に示すC同調方式の欠点としてキャビ
ティ自身の容量の他に、容量板3をつけたことによる容
量が加わる形となるので、実質的な容量が増加し、乙緊
÷表わされるキャビティの並列インピーダンスが低下し
て高周波特性が劣化する。By the way, the disadvantage of the C tuning method shown in Fig. 1 is that in addition to the capacitance of the cavity itself, the capacitance due to the addition of the capacitive plate 3 is added, so the actual capacitance increases and is expressed as The parallel impedance of the cavity decreases and the high frequency characteristics deteriorate.
また第2図に示す従来のし同調方式では誘導板6を動か
す関係上誘導板6とキャビティ上下壁との間に若干のす
き間9があき、バックスペース10内に電力がもれてそ
こで不要のモードが励振されることがあった。In addition, in the conventional tuning method shown in FIG. 2, a slight gap 9 is created between the guide plate 6 and the upper and lower walls of the cavity due to the movement of the guide plate 6, and power leaks into the back space 10, where unnecessary power is lost. mode was sometimes excited.
上記の欠点に対し、キャビティ上下壁間一杯の直径のコ
イルスプリングを摺動させることが提案されている。In order to solve the above-mentioned drawbacks, it has been proposed to slide a coil spring with a full diameter between the upper and lower walls of the cavity.
ところで、このコイル摺動子には以下の欠点が認められ
た。However, the following drawbacks were found in this coil slider.
すなわち、上記構造では電力レベルが低いときは極めて
接触性が良くクライストロンとして安定に動作すること
が確認されたが、これを大電力クラスストロンにまで適
用しようとすると前記タングステン紙12が加熱される
ことにより著しいガスが発生し、真空管としての機能を
失なうに至った。That is, it has been confirmed that the above structure has extremely good contact properties and operates stably as a klystron when the power level is low, but if this is applied to a high power klystron, the tungsten paper 12 will be heated. This caused a significant amount of gas to be generated, causing the tube to lose its function as a vacuum tube.
本発明は従来技術の上記欠点に鑑み、極めて大きな電力
を増幅するクライストロンにまで適用可能な同調機構を
提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above drawbacks of the prior art, it is an object of the present invention to provide a tuning mechanism that can be applied even to klystrons that amplify extremely large amounts of power.
つぎに図面により本発明の詳細な説明する。Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第3図において、熱伝導のよい例えば銅製のおねじ部1
1の一部を切削し、2本の丸棒状の治具15を介して、
例えばタングステン線12を一定の張力をもってねじ山
にそって巻きつけ、その後治具15を抜いて一種のスプ
リングを形成する。In Fig. 3, a male screw part 1 made of copper, for example, with good heat conduction
Cut a part of 1 and use two round bar-shaped jigs 15.
For example, a tungsten wire 12 is wound along the thread with a constant tension, and then the jig 15 is removed to form a type of spring.
次にスプリング支持体13におねじ部11の両端をねじ
14にて固定する。Next, both ends of the threaded portion 11 are fixed to the spring support 13 with screws 14.
上記11,12゜13.14は一体となって同調素子を
形成し、キャビティを構成する上下壁の間を接触しなが
ら摺動し、キャビティの共振周波数を誘導的に変化せし
めるわけである。The above-mentioned elements 11, 12, 13, and 14 are integrated to form a tuning element, which slides in contact between the upper and lower walls of the cavity to inductively change the resonant frequency of the cavity.
スプリング支持体13は、図示していないが、例えばベ
ローズを介して真空容器外に延長され、外部より駆動さ
れる。Although not shown, the spring support 13 is extended outside the vacuum container via a bellows, for example, and is driven from the outside.
また前記タングステン線12の代りにモリブデン線を使
ってもよい。Moreover, a molybdenum wire may be used instead of the tungsten wire 12.
本発明においてはさらにタングステン線12の表面に銅
あるいは金あるいはニッケルをメッキし、タングステン
線に対して一種の表面層を形成し、ガス分子の発生を抑
えることを特徴としている。The present invention is further characterized in that the surface of the tungsten wire 12 is plated with copper, gold, or nickel to form a kind of surface layer on the tungsten wire to suppress the generation of gas molecules.
前記表面層は母材に対し電気抵抗値が極めて低いため、
母材12の発熱量を軽減すると共に、母材からのガス分
子の発生抑えるという二重の効果を有するものである。Since the surface layer has an extremely low electrical resistance value compared to the base material,
This has the dual effect of reducing the amount of heat generated by the base material 12 and suppressing the generation of gas molecules from the base material.
また、おねじ部11において、山ねじの代りに角ねじを
きり、タングステン線12の代りにタングステンテープ
を使用してキャビティ上下壁との接触面積を広くし、熱
のにげをよくすることも考えられる。Furthermore, in the male threaded portion 11, a square thread can be cut instead of a threaded thread, and tungsten tape can be used instead of the tungsten wire 12 to widen the contact area with the upper and lower walls of the cavity and improve heat dissipation. Conceivable.
次に本発明の効果について説明する。Next, the effects of the present invention will be explained.
本発明によれば、クライストロンの電力レベルが非常に
高くなってもガス分子の発生は極めて少なくねり、高真
空かつ安定性の高い大電力クライストロンが得られる。According to the present invention, even if the power level of the klystron becomes very high, the generation of gas molecules is extremely small, and a high-power klystron with high vacuum and high stability can be obtained.
第1図は従来のC同調方式、第2図はL同調方式を示す
概略構成図で、両図においてaは側断面図、bは水平断
面図である。
第3図は本発明の同調素子を示し、aは縦方向、bは横
方向から見た側面図である。
図において、1はキャビティ、3は容量可変素子、5は
シャフト、6は誘導板、11はおねじ部品、12はタン
グステン線、13は支持体、15は丸棒治具を示す。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing the conventional C tuning method, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing the L tuning method. In both figures, a is a side sectional view and b is a horizontal sectional view. FIG. 3 shows the tuning element of the present invention, in which a is a side view as seen from the vertical direction and b is a side view seen from the horizontal direction. In the figure, 1 is a cavity, 3 is a variable capacitance element, 5 is a shaft, 6 is a guide plate, 11 is a male thread component, 12 is a tungsten wire, 13 is a support, and 15 is a round bar jig.
Claims (1)
向に切除してなる素子のねじ溝に沿ってタングステン線
をらせんコイル状に巻きつけた組立体をシャフトに固定
して共振空胴の平行する上下壁を短絡しながら摺動する
ことにより共振空胴の共振周波数を変化せしめる形のク
ライストロン同調機構において、前記らせん状コイルに
電気抵抗の小さな表面層を形成したことを特徴とする大
電力クライストロン同調機構。1. An assembly in which a tungsten wire is wound in a helical coil shape along the thread groove of an element made by cutting out a part of the opposing outer periphery of a male screw of a certain length in a direction parallel to the axis is fixed to a shaft and resonates. A klystron tuning mechanism in which the resonant frequency of a resonant cavity is changed by sliding the parallel upper and lower walls of the cavity while short-circuiting the same, characterized in that a surface layer with low electrical resistance is formed on the helical coil. High power klystron tuning mechanism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9975374A JPS5820088B2 (en) | 1974-08-30 | 1974-08-30 | The best klystron in the world |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9975374A JPS5820088B2 (en) | 1974-08-30 | 1974-08-30 | The best klystron in the world |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5127061A JPS5127061A (en) | 1976-03-06 |
| JPS5820088B2 true JPS5820088B2 (en) | 1983-04-21 |
Family
ID=14255736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9975374A Expired JPS5820088B2 (en) | 1974-08-30 | 1974-08-30 | The best klystron in the world |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820088B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58195956U (en) * | 1982-06-22 | 1983-12-26 | 日本電気株式会社 | microwave oscillator |
| US7803015B2 (en) * | 2008-08-12 | 2010-09-28 | The Boeing Company | Quick-mount relay apparatus and method of installation |
-
1974
- 1974-08-30 JP JP9975374A patent/JPS5820088B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5127061A (en) | 1976-03-06 |
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