JPS5821357B2 - Souhou Koseijiki Domain Tensou Cairo - Google Patents
Souhou Koseijiki Domain Tensou CairoInfo
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- JPS5821357B2 JPS5821357B2 JP49127946A JP12794674A JPS5821357B2 JP S5821357 B2 JPS5821357 B2 JP S5821357B2 JP 49127946 A JP49127946 A JP 49127946A JP 12794674 A JP12794674 A JP 12794674A JP S5821357 B2 JPS5821357 B2 JP S5821357B2
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- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
- G11C19/0883—Means for switching magnetic domains from one path into another path, i.e. transfer switches, swap gates or decoders
Description
【発明の詳細な説明】
開示の概要
本発明は、大きい方のループ及び小さい方のループとし
て見分けられる2つの独立した回路間の単一壁(sin
gle−wall )磁気ドメインの転送に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION SUMMARY OF THE DISCLOSURE The present invention provides a single wall (sin wall) between two independent circuits identified as a larger loop and a smaller loop.
gle-wall) relating to the transfer of magnetic domains.
本発明は、普通の電流導体を有する転送回路の結合部分
に於ける2つの分離した磁気素子の使用を開示している
。The present invention discloses the use of two separate magnetic elements in the coupling part of a transfer circuit with common current conductors.
発明の背景
米国特許第3.714.639号及びその中に引用され
た全ての特許は、この特許出願中に記録として止める。BACKGROUND OF THE INVENTION U.S. Pat. No. 3,714,639 and all patents cited therein are of record in this patent application.
米国特許第3.714.639号に開示された転送配列
は欠点を有することが考慮されており、その欠点の主な
ものは、転送領域に位置付けられる処の金属ループ導体
と接触して設けられる磁気的なソフトな“ドル符号(d
ollar sign)″′形素子との間に、転送回路
内に於いて絶縁体を提供する必要があることである。The transfer arrangement disclosed in U.S. Pat. Magnetic soft dollar sign (d
It is necessary to provide an insulator in the transfer circuit between the polar sign)'' type element.
仮にそれらの間に絶縁体が存在しないと”ドル符号“形
ガイド素子が金属ループをして回路を短絡せしめるため
、この絶縁体の必要性が要求される。The need for this insulator is required because if there were no insulator between them, the "dollar sign" shaped guide elements would form a metal loop and short the circuit.
明らかに、絶縁体の無いシステムは無効なものであろう
。Obviously, a system without insulation would be ineffective.
従来技術によって要求される絶縁体は付加的な構成のス
テップを含んでいる。The insulators required by the prior art include additional construction steps.
そして容易に評価できる様に、この付加的ステップは、
時間を浪費し、高価であり、そして所謂゛°バブル・メ
モリ1を作ることに於いて生育の達成を妨げている。And as can be easily evaluated, this additional step
It is time-consuming, expensive, and hinders the achievement of growth in creating so-called "bubble memories."
本発明の双方向性ドメイン転送回路が見出されたのは、
前述の欠点に起因している。The bidirectional domain transfer circuit of the present invention was discovered because
This is due to the drawbacks mentioned above.
従って、作成するのに簡単で且つより経済的である処の
データ処理システム内の、大きい方と小さい方のループ
との間に、新規で且つ改良された双方向性転送ゲートを
提供することが、本発明の目的である。Accordingly, it is desirable to provide a new and improved bidirectional transfer gate between larger and smaller loops in a data processing system that is easier and more economical to create. , which is the object of the present invention.
発明の要約
本発明は、それによってデータ処理配列内のデ−タがそ
の大きい方のループから小さい方のループへたやすく転
送される処の容易な配列を提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an easy array by which data in a data processing array is easily transferred from its larger loops to its smaller loops.
本発明は、磁気ドメイン転送回路内の2つの分離し且つ
別個の磁気素子上に直接設けられる処の金属導体オーバ
レイの利用に基づいている。The invention is based on the use of a metal conductor overlay directly over two separate and distinct magnetic elements in a magnetic domain transfer circuit.
この直接的な接触配列は、金属導体オーバレイがたった
1つの位置で夫々の磁気素子と接触しているという事実
によって可能になされる。This direct contact arrangement is made possible by the fact that the metal conductor overlay contacts each magnetic element at only one location.
従って、電流移送磁気回路の手段によって導体の電気的
短絡回路の可能性は存在しない。Therefore, there is no possibility of electrical short-circuiting of the conductors by means of the current-transfer magnetic circuit.
好適な実施例の説明
第1図を参照すると、本発明を利用している処の大容量
メモリ構成10の全体的配列が示されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to FIG. 1, the general arrangement of a mass memory arrangement 10 in which the present invention is utilized is shown.
好適な実施例に於ける大容量メモリ10は薄い単結晶の
オルソフェライト或いはガーネットウェハー或いは沈積
(deposited )膜上に形成される。Mass memory 10 in the preferred embodiment is formed on a thin single crystal orthoferrite or garnet wafer or deposited film.
該膜が構成されるとき、゛容易°゛軸がウニ・・−の表
面と直角を成すように、それは沈積される。When the membrane is constructed, it is deposited so that the "easy" axis is perpendicular to the surface of the sea urchin.
それからウニ・・−ば、その表面と直角を成す外部磁気
バイアス磁界H8に当てられる。The sea urchin is then subjected to an external magnetic bias field H8 perpendicular to its surface.
バイアス磁界は、閉磁壁内柱状ドメインとして膜内に閉
磁壁を安定させるために作用する。The bias magnetic field acts to stabilize the closed domain wall within the film as columnar domains within the closed domain wall.
ドメインの不存在或いは存在は、データを処理する目的
のために、二進“0“或いは“1“を表わす。The absence or presence of a domain represents a binary "0" or "1" for the purpose of processing data.
一般に、大容量メモリ構成10は、そこでデータが連続
的な方法でループの回りを循環する処の大きい方の二進
情報ループ12を組入れる。Generally, mass memory arrangement 10 incorporates a larger binary information loop 12 in which data circulates around the loop in a continuous manner.
換言すれば、該ループは、そこで二進データが循環する
処のエンドレス・トラック或いはシフト・レジスタを表
わす。In other words, the loop represents an endless track or shift register through which binary data circulates.
データは、DATA IN或いは発生器位置で大きい
方のループ12に入り、そしてエンドレス・シフト・レ
ジスタ内で循環する。Data enters the larger loop 12 at the DATA IN or generator location and circulates within the endless shift register.
大きい方のループは、仮に必要とされると、大きイ方の
ループから情報を読出すためのセンサ・ステーション1
6を有する。The larger loop has a sensor station 1 for reading information from the larger loop, if needed.
It has 6.
説明の目的のために、大きい方のループ12は、ある位
置及び時間に於いて、二進データ11011の存在を示
すと仮定する。For purposes of explanation, assume that the larger loop 12 indicates the presence of binary data 11011 at a certain location and time.
”1“データは、小さい方のループA、B、D及びEの
そばで、大きい方のループ12内に存在するドメインに
よって第1図に示されている。The "1" data is illustrated in FIG. 1 by the domain existing in the larger loop 12, beside the smaller loops A, B, D and E.
60″′データは、ドメインの反対の小さい方のループ
Cの不存在によって示される。The 60'' data is indicated by the absence of the smaller loop C on the opposite side of the domain.
小さい方のループ内でデータ蓄積を容易にするだめの大
きい方のループ12と、大きい方のループ内でのデータ
操作との間で、語或いはバイトを転送することが、大容
量メモリ構成10内で必要とされる。Transferring words or bytes between the larger loop 12 to facilitate data accumulation in the smaller loop and data operations in the larger loop is performed within the large memory configuration 10. is required in
データは、例えば、角の正弦或いは小さい方のループ内
に一時的に蓄積されるべき処のプログラムミンク・サブ
・ルーチンの演算の如き固定されたデータを表わしても
よい。The data may represent fixed data, such as the sine of an angle or the operation of a program mink subroutine to be temporarily stored within a smaller loop.
それ故、大きい方のループ12から小さい方のループA
、B、C!、D及びEにデータを容易に入れ、またその
逆の場合の両方が可能であることが必要であろう
本発明は、特に大きい方のループ及び小さい方のループ
の両方の部分を取り囲む処の破線によって囲まれた領域
に向けられており、そして以下の議論は、概して、この
領域に制限されるであろう。Therefore, from the larger loop 12 to the smaller loop A
,B,C! , D and E, and vice versa, the present invention is particularly useful where it encircles parts of both the larger and smaller loops. Directed to the area enclosed by the dashed line, and the following discussion will generally be limited to this area.
従って、簡単にするため、小さい方のループDに対する
大きい方のループ12内の磁気ドメイン(即ち二進t+
1 ii )の転送が論ぜられるだけであろう。Therefore, for simplicity, the magnetic domain in the larger loop 12 for the smaller loop D (i.e., binary t+
1 ii) will only be discussed.
残りの情報の転送は理解されるはずであり、同様の方法
で転送されるであろう。Transfer of the remaining information should be understood and will be transferred in a similar manner.
第2図、そして双方向性磁気ドメイン転送回路のオペレ
ーション及び構造について言及する。Referring now to FIG. 2 and the operation and structure of the bidirectional magnetic domain transfer circuit.
図は、複数のソフトな磁気T型のA、0及びFそしてソ
フトな磁気バーB及びGより成る大きい方のループ12
の一部のレイアウトを示している。The figure shows a larger loop 12 consisting of a plurality of soft magnetic tees A, 0 and F and soft magnetic bars B and G.
Shows a partial layout.
小さい方のループDは磁気素子I、J及びHから成る。The smaller loop D consists of magnetic elements I, J and H.
ソフトな磁気Y型素子のE及びDは、大きい方のループ
12と小さい方のループDとの間の結合素子を提供する
。Soft magnetic wye elements E and D provide the coupling element between the larger loop 12 and the smaller loop D.
大きい方及び小さい方のループ内のT型、Y型及びバー
型はウニ・・−10上の薄膜パーマロイ・オーバレイを
提供することによって構成される。The T, Y and bar shapes in the large and small loops are constructed by providing a thin film permalloy overlay on the Urchin-10.
金属導体オーバレイ・β、は、イン・プレーン(1n−
plane )磁界、HRlと共に大きい方から小さい
方のループにドメインの移動を許す処の磁界勾配を提供
するためパーマロイの型上に置かれる。Metal conductor overlay β is in-plane (1n-
plane) magnetic field, placed on a permalloy mold to provide a magnetic field gradient that along with HRl allows movement of domains from larger to smaller loops.
電流移送用導体、β、は、ウェハー及びパーマロイ・オ
ーバレイの型上に電着された金(gold)の如き金属
導体である。The current carrying conductor, β, is a metal conductor, such as gold, electrodeposited on the wafer and mold of the permalloy overlay.
それが1つの位置以上の場所で結合用のY型扱いは他の
パーマロイ素子に接触しないということは、パーマロイ
の型に関して、導体βの配列に於いて特に注意すべきで
ある。Particular care should be taken in the arrangement of the conductors β with respect to the Permalloy type that it does not contact other Permalloy elements in more than one location.
このことは、短絡電流が電流移送素子であ・る処のパー
マロイの型の手段によって金属導体βを横切って生じな
いということに意義がある。The significance of this is that no short circuit current is generated across the metal conductor β by means of the permalloy type where the current transfer element is.
この事実の重要性は、金導体の構成に於いて、それが絶
縁セパレータなしにオーバレイの型上に直接設置可能で
あるということである。The significance of this fact is that in the gold conductor configuration it can be placed directly onto the overlay mold without an insulating separator.
磁気ドメイン或いは二進t+ 111が大きい方のルー
プ12から小さい方のループDに転送されると仮定する
。Assume that the magnetic domain or binary t+ 111 is transferred from the larger loop 12 to the smaller loop D.
一般に、磁界は、ウニ・・−のプレーンに於いて供給さ
れる処の反時計方向の回転磁界H8を用いるドメイン伝
播をアクセスする。Generally, the magnetic field accesses domain propagation using a counterclockwise rotating magnetic field H8 provided in the plane of the sea urchin.
ソフトな磁気T型及び垂直バーの型に関連する磁界の作
用は、図示の如く右から左へ磁気ドメインの伝播をもた
らす。The action of the magnetic fields associated with the soft magnetic tee and vertical bar shapes results in propagation of the magnetic domains from right to left as shown.
磁気ドメインの伝播は、転送された情報が大きい方のル
ープ内にのみ存在するとき素子A、B、C,D、E、F
及びGから生じる。The propagation of the magnetic domain occurs in elements A, B, C, D, E, F when the transferred information is present only in the larger loop.
and arises from G.
Gに対する素子は、大きい方のループの一部にすぎない
ということが理解されるであろう。It will be appreciated that the elements for G are only part of the larger loop.
転送は一般に以下の方法で成就される。Transfer is generally accomplished in the following manner.
イン・プレーン回転H磁界は、90度位相を隔てた等し
い大きさの正弦波(s 1nuso ida I )電
流によって駆動される処の2つの直交コイル(図示せず
)によって提供される。The in-plane rotating H field is provided by two orthogonal coils (not shown) driven by equal magnitude sinusoidal (s 1nuso ida I) currents 90 degrees apart in phase.
このことは、イン・プレーンH磁界を360度回軸回転
、議論の対象である実施例に於いて反時計方向にオペレ
ートする。This rotates the in-plane H field 360 degrees, operating counterclockwise in the embodiment under discussion.
磁気ドメインがT−Aの位置4で大きい方のループ12
内に位置付けられると仮定する。Magnetic domain is larger loop 12 at position 4 of T-A
Assume that it is located within.
オーバレイ上の数は、回転ベクトルが第2図の上方左手
側で示されているコンパス(compass准置に到達
す装とき、そこで正極が生じる位置を示している。The numbers on the overlay indicate where the positive pole will occur when the rotation vector reaches the compass station shown on the upper left hand side of Figure 2.
H磁界が反時計方向に回転し、コンパス上でベクトル位
置1に到達するとき、T−Aの位置1で磁極は+になる
。When the H magnetic field rotates counterclockwise and reaches vector position 1 on the compass, the magnetic pole becomes + at position 1 of T-A.
換言すれば、H磁界は、位置1が十である様なT型の接
続点で自由極(freepoles)が形成される原因
をもたらす。In other words, the H magnetic field causes free poles to be formed at the T-shaped junctions such that position 1 is ten.
ドメインが−の磁気チャージであるということを仮定し
たとすると、ドメインは位置4から位置1へ移動すると
いうことが容易に理解できる。Assuming that the domain has a negative magnetic charge, it is easy to see that the domain moves from position 4 to position 1.
H磁界ベクトルがコンパス上で位置2に到達するとき、
T素子Bの位置2は十にチャージされ、そしてドメイン
はそこへ転送する。When the H magnetic field vector reaches position 2 on the compass,
Position 2 of T-element B is charged to 10 and the domain transfers thereto.
回転磁界がコンパス上で2と3との間に生ずるとき、ド
メインはバーB上で位置2から位置3へ移動する。When a rotating magnetic field occurs between 2 and 3 on the compass, the domain moves from position 2 to position 3 on bar B.
回転磁界が順次ベクトル位置4,1及び2に到達すると
き、T−0の位置4,1及び2は十にチャージされ、そ
して磁気ドメインは位置2で終結する左方向に移動を継
続する。When the rotating magnetic field reaches vector positions 4, 1 and 2 sequentially, positions 4, 1 and 2 of T-0 are charged to 10, and the magnetic domain continues to move to the left ending at position 2.
イン・プレーンH磁界がその反時計方向の回転を継続す
るとき、Y素子り上の位置3−はコンパス位置2と3と
の間で十になる。As the in-plane H field continues its counterclockwise rotation, position 3 on the Y element becomes ten between compass positions 2 and 3.
このことは、矩形部分を接近させるためY素子りの下方
部分を常態化することによって理解してもよい。This may be understood by normalizing the lower portion of the Y element to bring the rectangular portions closer together.
それ故、−にチャージされたドメインは、T素子1上の
位置2からY素子り上の位置3−へ移動する。Therefore, the − charged domain moves from position 2 on the T element 1 to position 3 on the Y element.
同様の方法で、¥パーE上で位置3+は、ベクトル磁界
が3と4との間を移動するとき正になり、それ故ドメイ
ンば3−から3+へ移動する。In a similar manner, position 3+ on \parE becomes positive when the vector field moves between 3 and 4, hence the domain moves from 3- to 3+.
ドメインは、位置3+が位置3−より強いので、位置3
−から3+へ移動する。The domain is located at position 3 since position 3+ is stronger than position 3-.
Move from - to 3+.
従って、ドメインはT素子Fの位置4,1及び2から垂
直バー3の位置3へ右から左へ移動すべく継続する。The domain therefore continues to move from right to left from positions 4, 1 and 2 of the T-element F to position 3 of the vertical bar 3.
磁気ドメインが回転するイン・プレーンH磁界と関連し
てソフトな磁気オーバレイ・パターンを使用して大きい
方のループに沿って移行する方法は、上記の説明によっ
て容易に理解されるはずである。It should be readily understood from the above discussion how the magnetic domains migrate along the larger loop using a soft magnetic overlay pattern in conjunction with a rotating in-plane H magnetic field.
さて、第1図に於いて示される磁気ドメインが存在する
か否かによって表わされる11011の如きデータが、
小さい方のループA乃至Eへ移送される様な状態を仮定
してみよう。Now, data such as 11011 shown in FIG. 1, which is expressed by whether or not a magnetic domain exists, is
Let us assume a situation where the data is transferred to the smaller loops A to E.
次の説明によって大きい方のループ12に位置する単一
の二進1ビツトがいかにして小さい方のループDに転送
されるかが論証されるであろう。The following explanation will demonstrate how a single binary 1 bit located in the larger loop 12 is transferred to the smaller loop D.
この二進転送は模範的なものであり、残りのデータ転送
に等しく適用するということが理解されるでろろう。It will be appreciated that this binary transfer is exemplary and applies equally to the remaining data transfers.
大きい方のループ12から小さい方のループDへの転送
は、回転するイン・プレーンH磁界及び導体β中の電流
Isに関連するY素子結合素子りを介して行われる。The transfer from the larger loop 12 to the smaller loop D takes place via a Y-element coupling element associated with the rotating in-plane H magnetic field and the current Is in the conductor β.
電流■sが導体βに適用されル過程は、イン・プレーン
H磁界ベクトルがY素子り上の位置3−と4との間に位
置付けられる時に生ずる。A current s is applied to the conductor β and the process occurs when the in-plane H magnetic field vector is positioned between positions 3 and 4 on the Y element.
該移動は次の様な方法で行われる。H磁界ベクトルが位
置3−に対するY素子りの足と一致する方向に達した時
、ドメインはT素子C上の位置2からY素子り上の位置
3−へと移動したことが想起されるであろう。The movement is performed in the following manner. It will be recalled that when the H magnetic field vector reaches a direction that coincides with the foot of the Y element relative to position 3-, the domain has moved from position 2 on the T element C to position 3- on the Y element. Probably.
この時、1ビツトのドメインは依然として大きい方のル
ープ内で循環している。At this time, the 1-bit domain is still circulating within the larger loop.
ビットを大きい方のループから小さい方のループへ移動
させることが決定されると、磁界Hsをつくる電流パル
スIsは、ベクトルが位置3−と4との間にある期間中
供給される。When it is decided to move the bit from the larger loop to the smaller loop, a current pulse Is creating a magnetic field Hs is supplied during the period when the vector is between positions 3- and 4.
大きい方のループのみに於けるドメイン転送の議論で、
転送は同じ時間の枠内で起ったことが思い出されるであ
ろう
導体β中の電流Isから生ずる磁界Hs (第3a図参
照)の垂直成分は、導体の幅を横切ってドメインの動き
に対し反対の磁界勾配をひきおこす。In the discussion of domain forwarding in the larger loop only,
It will be recalled that the transfer took place within the same time frame.The vertical component of the magnetic field Hs (see Fig. 3a) resulting from the current Is in the conductor β is proportional to the movement of the domain across the width of the conductor. induces an opposite magnetic field gradient.
閉ざされた壁ドメインが、磁界勾配に於いて高バイアス
磁界の領域から低バイアス磁界の領域へと移動する、と
いうことは周知である。It is well known that closed wall domains move in a magnetic field gradient from regions of high bias field to regions of low bias field.
電流、Is、によって、そのように生じた磁界勾配(第
3b図)は、素子Eが回転磁界H□によって磁化される
とき、位置付に於いて十磁極から漂遊磁界によって起さ
れるY素子E上の位置3+(第2図参照)で磁界勾配を
消去する働きをする。Due to the current, Is, the magnetic field gradient so produced (Fig. 3b) is the magnetic field gradient of the Y element E caused by the stray magnetic field from the ten magnetic poles in position, when the element E is magnetized by the rotating magnetic field H□. The upper position 3+ (see Figure 2) serves to cancel the magnetic field gradient.
その結果中じる磁界勾配ばY素子E上の位置3+に於い
て実質的に零或いは負である。The resulting magnetic field gradient at position 3+ on Y element E is substantially zero or negative.
この勾配は、下方向に存在する処の磁界力HBと、アン
ペアの法則の適用によって理解される様に導体βの右側
で上方向、左側で下方向に存在する処のH8とを合計す
ることにより得られる(第3b図。This gradient is the sum of the magnetic field force HB, which exists downward, and H8, which exists upward on the right side of conductor β and downward on the left side, as understood by application of Ampere's law. (Fig. 3b).
然し乍ら、ドメインが動くためには、正の磁界勾配のあ
る部分を経験しなければならない。However, in order for a domain to move, it must experience a portion of positive magnetic field gradient.
ドメインによって経験された磁界は、実際には零である
ので位置3−から3+へ移動しない。The magnetic field experienced by the domain does not move from position 3- to 3+ since it is actually zero.
換言すると、大きい方のループでの移動は電流■sの適
用の結果終了する。In other words, the movement in the larger loop is terminated as a result of the application of the current ■s.
イン・プレーンH磁界が回転しつソけるとき、それはコ
ンパス位置4に到達し、それ故この矩形部分の常態化に
よって理解され得る処の位置に十極が形成される。When the in-plane H magnetic field rotates, it reaches compass position 4 and therefore a ten pole is formed at the position which can be understood by the normalization of this rectangular section.
同時に、位置3−はより少なく正にチャージされ、その
だめ負にチャージされたドメインは、Y型素子りの位置
4へ移動する様に影響される。At the same time, position 3- becomes less positively charged, so that the negatively charged domain is influenced to move to position 4 of the Y-type element.
電流パルスIsは、回転磁界ベクトルがY素子り上の位
置4に到達する直前に終結される。The current pulse Is is terminated just before the rotating magnetic field vector reaches position 4 on the Y-element.
ベクトル磁界の継続された回転は、ドメインを位置1+
へ継続的に移動させる。Continued rotation of the vector magnetic field moves the domain to position 1+
Continuously move to
H磁界の更なる回転(C関して、バー”J 11上の位
置2はそこで形成される十極を有し、ドメイン4は位置
1+から2へ移動する。With respect to further rotation of the H magnetic field (C), position 2 on bar "J 11 has a ten pole formed there, and domain 4 moves from position 1+ to 2.
結局この位置で、ドメインはY結合素子りを使用するこ
とによって小さい方のループDへ転送される。Eventually, at this position, the domain is transferred to the smaller loop D by using the Y coupling element.
それからドメインは、回転ベクトルがコンパス位置2と
3との間を進むとき、Jバーの位置2からHバーの位置
3−へ移動することによって小さい方のループ内で循環
する。The domain then cycles in the smaller loop by moving from J-bar position 2 to H-bar position 3- as the rotation vector progresses between compass positions 2 and 3.
このドメインの移動は、位置3−に於(/′jる正極の
形成によって起る。This domain movement occurs due to the formation of a positive electrode at position 3-.
これはまたHバーのこのより低い位置を常態化すること
によって容易に理解され得る。This can also be easily understood by normalizing this lower position of the H-bar.
ドメインは、それによって回転ベクトルが極を含んでい
るコンパス位置4へ回転するとき、位置3−から4へ移
動する。The domain moves from position 3- to 4 as it rotates to compass position 4, whereby the rotation vector contains the pole.
位置4は位置3−より以上に正であるため、位置3−か
ら4へのドメインの移動がある。Since position 4 is more positive than position 3-, there is a movement of the domain from position 3- to 4.
H−磁界の更なる回転によって、正極が位置1に誘起さ
れ、そして負極は、4から1への移動をもたらす位置4
の近傍に誘起される。Further rotation of the H-field induces the positive pole to position 1 and the negative pole to position 4 resulting in a movement from 4 to 1.
is induced in the vicinity of .
小さい方のループ内のこのドメインの移動は、類似のH
素子及びバー素子を互の近傍に置くことによって上方向
(図示せず)に継続する。The movement of this domain within the smaller loop is similar to H
Continue in an upward direction (not shown) by placing the elements and bar elements in close proximity to each other.
結局、ドメインは図示されたH素子を印して復帰し、ド
メインはHバーの位置1,2及び3+、■バーの位置4
、そしてYバーEに於ける位置1−に一時的に位置付け
られるであろう。Eventually, the domain returns to mark the H element shown, and the domain returns to position 1, 2 and 3+ of the H bar, and position 4 of the ■ bar.
, and will be temporarily positioned at position 1- in Y-bar E.
情報が、小さい方のループから大きい方のループへ返送
されるということを、データ処理システムが要求してい
ると仮定する。Assume that the data processing system requires that information be passed from a smaller loop back to a larger loop.
この転送は、以下の方法によって結合手段の¥バーEを
介して起る。This transfer takes place via the coupling means E in the following manner.
ドメインがY素子Eの位置1−に位置付けられた後、電
流Isは導体βへ供給される。After the domain is located at position 1- of the Y element E, a current Is is supplied to the conductor β.
従って、位置1+で発生された磁界勾配は実質的に零で
ある。Therefore, the magnetic field gradient generated at position 1+ is essentially zero.
前述の如く、この磁界勾配は位置1−から位置1+への
移動を妨げる。As mentioned above, this magnetic field gradient prevents movement from position 1- to position 1+.
電流パルス■8は、回転磁界ベクトルが¥バーEの位置
2に到達する直前に終結される。The current pulse 8 is terminated just before the rotating magnetic field vector reaches position 2 of the \bar E.
それ故、導体電流1sは小さい方のループ内の更なるド
メインの動きを妨げる。Therefore, the conductor current Is prevents the movement of further domains within the smaller loop.
その結果、ドメインはイン・プレーン磁界回転によって
位置1−22及び3+から結合素子Eに沿ッて転送され
、それからドメインは典型的な磁界アクセス伝播を介し
て、T素子Fの位置4,1及び2、そしてバーGの位置
3に沿って大きい方のループへ進む。As a result, domains are transferred along coupling element E from positions 1-22 and 3+ by in-plane magnetic field rotation, and then domains are transferred along coupling element E from positions 1-22 and 3+ of T-element F through typical magnetic field access propagation. 2, and proceed along bar G position 3 to the larger loop.
本発明の好適な実施例は、Y型結合素子の少々くとも2
つの足が同じ長さである様に記述されてきたけれども、
当業者が本発明の精神から逸脱することなしにこの配列
を変形し得るということが理解されるべきである。A preferred embodiment of the invention includes at least two Y-type coupling elements.
Although the two legs have been described as having the same length,
It should be understood that modifications to this arrangement may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the invention.
従って、ある場合には、その3つの足の長さが全て異な
る処のY型結合素子が有益であろう。Therefore, in some cases, a Y-type coupling element whose three legs are all different lengths may be beneficial.
本発明は、以下の如〈実施される。The present invention is carried out as follows.
(1)磁気材料の層内に於いて、双方とも磁気的にソフ
トな素子によって定められる第1の閉ループから第2の
閉ループへ単一壁ドメインを転ジし、そしてイン・プレ
ーン回転磁界を利用するだめの磁気配列であって、以下
より成る改良。(1) within a layer of magnetic material, transposing a single wall domain from a first closed loop to a second closed loop, both defined by magnetically soft elements, and utilizing an in-plane rotating magnetic field; An improvement to the magnetic arrangement of the magnetic field, consisting of the following:
a)、第1及び第2の閉ループ間に配列される汗1およ
び第2の同一の、吉舎手段、
b)、前記結合手段の上に、且つ磁気勾配を形成するた
め前記結合手段に沿って、直接設けられる導体手段、
そして、それによって前記導体へ供給されるタイミング
を取られた電流信号と関連して前記イン・プレーン磁界
を回転させることにより、前記ドメインが前記第1の閉
ループから前記第2の閉ループへ、そしてその逆の移動
もすること。a) sweat 1 and second identical kisa means arranged between a first and a second closed loop; b) above said coupling means and along said coupling means for forming a magnetic gradient; , directly disposed conductor means, and by rotating said in-plane magnetic field in conjunction with a timed current signal provided to said conductor, said domain is moved from said first closed loop to said first closed loop. 2 closed loop and vice versa.
(2)夫々前記第1及び第2の結合手段が、第3の足よ
り長い2つの足を有し、実質的にY形である処の前記(
1)記載の磁気配列。(2) wherein each of said first and second coupling means has two legs longer than a third leg and is substantially Y-shaped;
1) Magnetic arrangement as described.
(3)前記Y形結合手段は、2つの長い方の足によって
提供される鈍角がわずかな食い違い
(a slight off−set )をもって互
に対向している様に配列されている処の前記(2)に記
載の磁気配列。(3) Said Y-shaped coupling means are arranged such that the obtuse angles provided by the two longer legs are opposite each other with a slight offset. ).
(4)前記導体手段が、前記第2のY形結合手段の長い
方の足止と同様、前記第1のY形結合手段の前記長い方
の足の一方上に設けられる処の前記(2)の記載の磁気
配列。(4) said (2) where said conductor means is provided on one of said longer legs of said first Y-shaped coupling means, as well as the longer legs of said second Y-shaped coupling means; ) described magnetic array.
(5)磁気材料の層内に於いて、磁気的にソフトな素子
によって双方とも定められている第1の閉ループから第
2の閉ループへ単一壁ドメインを転送する方法であって
、2つの結合手段が前記第1及び第2のループ間に含ま
れ、且つイン・プレーン磁界を利用し、且つ以下のステ
ップを含むもの。(5) A method of transferring a single wall domain from a first closed loop to a second closed loop, both defined by magnetically soft elements, in a layer of magnetic material, the method comprising: means are included between the first and second loops, and utilize an in-plane magnetic field, and include the steps of:
a)、転送導体が1つの位置に於いてのみ各結合手段に
接触する様に前記夫々の結合手段上に直接前記転送導体
を設けること、
bA前記ドメインを前記第1の閉ループから前記第2の
閉ループへ、そしてその逆の移動もするように前記イン
・プレーン磁界と組み合せて前記転送導体に電流を供給
すること。a) providing said transfer conductor directly on said respective coupling means such that the transfer conductor contacts each coupling means in only one position; b) connecting said domain from said first closed loop to said second closed loop; Supplying current to the transfer conductor in combination with the in-plane magnetic field to move into a closed loop and vice versa.
(6)夫々の前記結合手段が第3の足より長い2つの足
をもつY形であり、Y形手段の2つの長い方の足によっ
て形成される鈍角が実質的に互いに反対である様に配向
された前記(5)に記載の方法であって、以下のステッ
プを含むもの。(6) each said coupling means is Y-shaped with two legs longer than the third leg, such that the obtuse angles formed by the two longer legs of the Y-shaped means are substantially opposite to each other; The method according to (5) above, which includes the following steps.
a)、前記第2のY形手段の一方の長い方の足止と同様
、前記第1のY形手段の一方の長い方の足止に前記転送
導体を設けること。a) Providing said transfer conductor on one long foot of said first Y-shaped means as well as on one long foot of said second Y-shaped means;
(7)前記(6)記載の方法であって、以下のステップ
を含むもの。(7) The method described in (6) above, which includes the following steps.
a′)、ドメインが前記第1の閉ループから前記第2の
閉ループへ転送されつ\あるとき、回転磁界ベクトルが
1つの前記長い方の足と短い足との間に形成される鈍角
間に存在する期間中、前記転送導体中に電流信号の発生
のタイミングを取ること、
b)、ドメインが前記第2の閉ループから前記第1の閉
ループへ転送されつ\あるとき、回転磁界ベクトルが1
つの前記長い方の足と第2のY形手段の前記短い足との
間に形成される鈍角間に存在する期間中、前記転送導体
中に電流信号の発生のタイミングを取ること。a') when a domain is being transferred from said first closed loop to said second closed loop, a rotating magnetic field vector exists between the obtuse angle formed between one said longer leg and the shorter leg; b) timing the generation of a current signal in said transfer conductor during a period of time when a rotating magnetic field vector is 1 when domains are being transferred from said second closed loop to said first closed loop;
timing the generation of a current signal in said transfer conductor during the period existing between the obtuse angle formed between said longer leg of one and said shorter leg of a second Y-shaped means;
(8)磁気的にソフトな複数の素子によって構成されて
いる単一の大ループと複数の小ループとを有し、作動時
にインプレーン回転磁界によってドメインが転送され、
磁気的にソフトな複数の結合素子と曲折した転送導体と
を有し、それによってドメインが小ループから大ループ
へ成るいはその逆に転送され得る磁気バブル・メモリで
あって、
各小ループと大ループとの間に上記結合素子の一対が分
離して設けられており、
上記転送導体はそれらソフトな磁性素子上に於て、それ
ら素子の単一の領域のみと接触するように設けられてい
る、
双方向性磁気ドメイン転送回路。(8) having a single large loop and a plurality of small loops configured by a plurality of magnetically soft elements, in which domains are transferred by an in-plane rotating magnetic field when activated;
A magnetic bubble memory having a plurality of magnetically soft coupling elements and a bent transfer conductor by which a domain can be transferred from a small loop to a large loop or vice versa, the magnetic bubble memory having A pair of coupling elements are provided separately between the large loop, and the transfer conductor is provided on the soft magnetic elements so as to contact only a single region of the elements. A bidirectional magnetic domain transfer circuit.
(9)上記各対の結合素子の各々は、第三の足よりも長
い二つの足を有し、それら二つの長い足の間に形成され
る鈍角が相互に向い合っているY字状のソフトな磁性材
料よりなっている上記(8)記載の双方向性磁気ドメイ
ン転送回路。(9) Each of the coupling elements of each pair has two legs longer than the third leg, and the obtuse angle formed between the two long legs is Y-shaped. The bidirectional magnetic domain transfer circuit according to (8) above, which is made of a soft magnetic material.
]10)上記各Y字状素子の二つの長い足が等しい長さ
である上記(9)記載の双方向性磁気ドメイン転送回路
。]10) The bidirectional magnetic domain transfer circuit according to (9) above, wherein the two long legs of each Y-shaped element have equal lengths.
(11)上記各対をなす二つの結合素子が互いに僅かに
食い違って配置されている上記(9)又は(10)記載
の双方向性磁気ドメイン転送回路。(11) The bidirectional magnetic domain transfer circuit according to the above (9) or (10), wherein the two coupling elements forming each pair are arranged to be slightly different from each other.
第1図は、本発明を実施している処の全体的なデータ処
理配列を示している。
第2図は、データ処理システムの大きい方及び小さい方
のループ間に、情報の双方向性転送のために用いられる
処の回路配列である。
第3図は、磁界勾配のオペレーションを説明する断面図
である。
10・・・・・・大容量メモリ、12・・・・・・大き
い方のループ、14・・・・・・発生器、16・・・・
・・センサ・ステーション。FIG. 1 shows the overall data processing arrangement in which the present invention is implemented. FIG. 2 is a circuit arrangement used for bidirectional transfer of information between large and small loops of a data processing system. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating the operation of the magnetic field gradient. 10... Large capacity memory, 12... Larger loop, 14... Generator, 16...
...Sensor station.
Claims (1)
る単一の大ループと複数の小ループとを有し、作動時に
インプレーン回転磁界によってドメインが転送され、磁
気的にソフトな複数の結合素子と曲折した転送導体とを
有し、それによってドメインが小ループから大ループへ
成るいはその逆に転送され得る磁気バブル・メモリであ
って、各小ループと大ループとの間に上記結合素子の一
対が分離して設けられており、 上記転送導体はそれらソフトな磁性素子上に於て、それ
ら素子の単一の領域のみと接触するように設けられてい
る、 双方向性磁気ドメイン転送回路、1[Claims] 1. It has a single large loop and a plurality of small loops composed of a plurality of magnetically soft elements, and when activated, domains are transferred by an in-plane rotating magnetic field and magnetically A magnetic bubble memory having a plurality of soft coupling elements and a bent transfer conductor by which a domain can be transferred from a small loop to a large loop or vice versa, wherein each small loop and a large loop a pair of coupling elements are provided separately between the two, and the transfer conductor is provided on the soft magnetic elements so as to contact only a single region of the elements. tropic magnetic domain transfer circuit, 1
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US407675A US3896421A (en) | 1973-11-09 | 1973-11-09 | Bi-directional magnetic domain transfer circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50114135A JPS50114135A (en) | 1975-09-06 |
| JPS5821357B2 true JPS5821357B2 (en) | 1983-04-28 |
Family
ID=23613058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49127946A Expired JPS5821357B2 (en) | 1973-11-09 | 1974-11-06 | Souhou Koseijiki Domain Tensou Cairo |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3896421A (en) |
| JP (1) | JPS5821357B2 (en) |
| DE (1) | DE2451535C3 (en) |
| FR (1) | FR2251073B1 (en) |
| GB (1) | GB1456774A (en) |
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Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
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| US4225941A (en) * | 1978-10-30 | 1980-09-30 | Trw Inc. | Controller for bubble memories |
| US4238377A (en) * | 1979-06-04 | 1980-12-09 | Chevron Research Company | Polymerizable premix composition for preparation of polyurethane surfaces |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| US3697963A (en) * | 1971-03-29 | 1972-10-10 | Bell Telephone Labor Inc | Single wall domain memory organization |
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-
1973
- 1973-11-09 US US407675A patent/US3896421A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
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- 1974-10-30 DE DE2451535A patent/DE2451535C3/en not_active Expired
- 1974-10-31 GB GB4716374A patent/GB1456774A/en not_active Expired
- 1974-11-05 FR FR7436682A patent/FR2251073B1/fr not_active Expired
- 1974-11-06 JP JP49127946A patent/JPS5821357B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1456774A (en) | 1976-11-24 |
| FR2251073B1 (en) | 1981-06-12 |
| DE2451535A1 (en) | 1975-08-07 |
| US3896421A (en) | 1975-07-22 |
| FR2251073A1 (en) | 1975-06-06 |
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| DE2451535B2 (en) | 1980-07-10 |
| JPS50114135A (en) | 1975-09-06 |
| DE2451535C3 (en) | 1981-04-16 |
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